JP4694860B2 - 積層型ビーズの製造方法 - Google Patents
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これらの問題を解決するために、図6に示す様に磁性体層61と導体パターン62の間に空隙63を形成することが行われている(例えば、特許文献1を参照。)。
また、従来の積層型ビーズにおいて、磁性体層と導体パターン間に空隙を設けるかわりに導体パターン間に非磁性体を形成することも検討されたが、非磁性体を形成するための工数やコストが増加すると共に、非磁性体と磁性体の加熱収縮挙動や収縮率等が異なるために非磁性体と磁性体層の接合が不充分になるという問題があった。
すなわち、磁性体層と導体パターンを積層し、素体内にインピーダンス素子が形成された積層型ビーズにおいて、導体ペーストに磁性体層の焼結性を調整するための焼結調整剤が混入される。焼結調整剤は、銀粉末を被覆するSiO2によって構成され、このSiO2が銀の重量換算で0.05〜0.3wt%含有する。
また、本発明は、磁性体層と導体パターンを積層し、積層体内にインピーダンス素子が形成された積層型ビーズの製造方法において、銀粉末を被覆するSiO2によって構成され、SiO2が銀の重量換算で0.05〜0.3wt%含有する焼結調整剤を混入した導体ペーストを磁性体層に印刷して導体パターンを形成する。
また、本発明の積層型ビーズの製造方法は、銀粉末を被覆するSiO2によって構成され、SiO2が銀の重量換算で0.05〜0.3wt%含有する焼結調整剤を混入した導体ペーストを磁性体層に印刷して導体パターンを形成するので、SiO2が適度に磁性体に拡散し、導体パターンの近傍の磁性体の焼結状態をそれ以外の部分よりも遅らせて、磁気的に不活性な層を傾斜的に形成することができる。従って、本発明の積層型ビーズの製造方法は、特別な装置や工程を必要とすることなく、高周波帯域において大電流域まで直流重畳特性を向上させることができると共に、磁気特性が劣化するのを防止できる。
図1は本発明の積層型ビーズの実施例を示す分解斜視図である。
図1において、11A〜11Fは磁性体層、12A〜12Eは導体パターンである。
磁性体層11A〜11Fは、Ni−Cu−Zn系フェライトやMg−Zn−Cu系フェライト等のフェライトで形成される。また、導体パターン12A〜12Eは、磁性体層の焼結性を調整するための焼結調整剤が混入された導体ペーストを用いて形成される。この焼結調整剤は、銀粉末がSiO2によって被覆され、SiO2が銀粉末の重量換算で0.05〜0.3wt%含有するものが用いられる。
磁性体層11Aの表面には、導体パターン12Aが形成される。この導体パターン12Aは、1ターン未満分が形成され、一端が磁性体層11Aの端面に引き出される。
磁性体層11Bの表面には、導体パターン12Bが形成される。この導体パターン12Bは3/4ターン分が形成される。導体パターン12Bの一端は磁性体層11Bのスルーホール内の導体を介して導体パターン12Aの他端に接続される。
磁性体層11Cの表面には、導体パターン12Cが形成される。導体パターン12Cは、3/4ターン分が形成され、その一端が磁性体層11Cのスルーホール内の導体を介して導体パターン12Bの他端に接続される。
磁性体層11Dの表面には、3/4ターン分の導体パターン12Dが形成される。この導体パターン12Dの一端は磁性体層11Dのスルーホール内の導体を介して導体パターン12Cの他端に接続される。
磁性体層11Eの表面には、1ターン未満の導体パターン12Eが形成され、一端が磁性体層11Eのスルーホール内の導体を介して導体パターン12Cの他端に接続される。導体パターン12Eの他端は、磁性体層11Eの端面に引き出される。
この導体パターン12Eが形成された磁性体層11Eの上には、導体パターン12Eを保護するための磁性体層11Fが形成される。
この様にして導体パターン12A〜12Eによって素体内にインピーダンス素子が形成され、素体の両端面に形成された外部端子間に接続される。
本発明の積層型ビーズは、銀粉末を被覆しているSiO2の含有量を0.05〜0.3wt%、好ましくは0.05〜0.26にすることにより、100MHzにおけるインピーダンス値や直流抵抗RDcを大きく劣化させることなく、サンプルNO.1に示した従来のものに比較して、100MHzにおけるインピーダンス値のバラツキを小さくできた。
図4は、直流電流を印加後の100MHzにおけるインピーダンス値(直流電流印加後のインピーダンス値の復帰値)を測定したものをグラフにまとめたもので、横軸は印加電流を、縦軸はインピーダンス値の変動率を示している。
本発明の積層型ビーズの直流電流印加後のインピーダンス値の復帰値は、42〜45に示す様に、印加電流が大きくなるほど、従来の積層型ビーズのもの41に比較して、その変動率が小さくなった。なお、42はSiO2の含有量を0.05にしたものの特性を、43はSiO2の含有量を0.1にしたものの特性を、44はSiO2の含有量を0.15にしたものの特性を、45はSiO2の含有量を0.26にしたものの特性をそれぞれ示している。
12A〜12E 導体パターン
Claims (1)
- 磁性体層と導体パターンを積層し、素体内にインピーダンス素子が形成された積層型ビーズの製造方法において、
銀粉末がSiO2によって被覆され、該SiO2が該銀の重量換算で0.05〜0.26wt%含有した導体ペーストを該磁性体層に印刷して該磁性体層表面に該導体パターンを形成し、
該磁性体層と該導体パターンが積層された素体を焼成して、該素体の該導体パターンの周辺部の磁性体の粒径をそれ以外の部分の磁性体の粒径よりも小さくしたことを特徴とする積層型ビーズの製造方法。
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