CN103050263A - 电子器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种具有优良的直流重叠特性的电子器件及其制造方法。层叠体（12）通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层（17）而构成。线圈（L）内置于层叠体（12）。通过玻璃扩散，在磁性体层中与非磁性体层（17）相邻的部分（低磁导率部（20））的磁导率（μ2）低于在磁性体层中不与非磁性体层（17）相邻的部分（高磁导率部（19））的磁导率（μ1）。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件及其制造方法，更特定地说，涉及内置有线圈的电子器件及其制造方法。
背景技术
作为现有的电子器件，例如已知有专利文献1所记载的层叠式电感器（以下称为现有的层叠式电感器）。图10是已有层叠式电感器500的剖面结构图。
层叠式电感器500具备层叠体502以及线圈504。层叠体502通过层叠多个磁性体层506以及非磁性体层508而构成。线圈504内置于层叠体502，且连接线圈导体以及通孔（via hole）导体而构成。
在以上述方式构成的层叠式电感器500中，通过设置非磁性体层508来抑制在层叠体502内产生磁饱和的情况，结果，层叠式电感器500具有优良的直流重叠特性。
然而，在层叠式电感器500中，要求得到更优良的直流重叠特性。
专利文献1：日本特开2006－318946号公报
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种具有优良的直流重叠特性的电子器件及其制造方法。
本发明的一方式所涉及的电子器件的特征在于，所述电子器件具备：层叠体，该层叠体通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层而构成；以及线圈，该线圈内置于所述层叠体，通过上述玻璃的扩散，在所述磁性体层中与所述非磁性体层相邻的部分的第二磁导率低于在所述磁性体层中不与所述非磁性体层相邻的部分的第一磁导率。
本发明的其它方式所涉及的电子器件的制造方法的特征在于，所述电子器件的制造方法具备：在所述磁性体层上形成所述线圈的线圈导体的工序；在所述磁性体层上形成所述非磁性体层的工序；层叠所述磁性体层从而形成所述层叠体的工序；以及对所述层叠体进行烧制的工序。
根据本发明，能够得到优良的直流重叠特性。
附图说明
图1是本发明的一实施方式所涉及的电子器件的外观立体图。
图2是图1所示的电子器件的层叠体的分解立体图。
图3A是图2所示的层叠体的第一磁性体层的分解立体图。
图3B是图2所示的层叠体12的第七磁性体层的分解立体图。
图3C是图2所示的层叠体12的第十一磁性体层的分解立体图。
图4是从箭头的方向观察沿图1的线A－A的电子器件的纵剖面时的图。
图5是示出电子器件的B点周边的Si的扩散的图。
图6A是示出图4所示的C点周边的图像。
图6B是示出图4所示的D点周边的图像。
图7是第一变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。
图8是第二变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。
图9是第三变形例所涉及的电子器件的剖面结构图。
图10是现有的层叠式电感器的剖面结构图。
标号说明：
L…线圈；10、10a～10c…电子器件；12…层叠体；14a、14b…外部电极；16a～16m…磁性体层；17a～17m、22a～22f、24a～24g…非磁性体层；18a～18g…线圈导体；19a～19m…高磁导率部；20a～20m、25、26a～26f…低磁导率部。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式所涉及的电子器件及其制造方法进行说明。
（电子器件的结构）
对本发明的一实施方式所涉及的电子器件的结构进行说明。图1是本发明的一实施方式所涉及的电子器件10的外观立体图。图2是图1所示的电子器件10的层叠体12的分解立体图。图3A是图2所示的层叠体12的磁性体层16a的分解立体图，图3B是图2所示的层叠体12的磁性体层16g的分解立体图，图3C是图2所示的层叠体12的磁性体层16k的分解立体图。图4是从箭头的方向观察沿图1所示的线A－A的电子器件10的剖面时的图。
以下，将电子器件10的层叠方向定义为z轴方向，且将沿电子器件10的z轴方向的正方向侧的面的长边及短边的方向分别定义为x轴方向及y轴方向。x轴方向、y轴方向与z轴方向正交。
如图1及图2所示，电子器件10具备：层叠体12、多个外部电极14（图示为第一及第二外部电极14a、14b）、多个连接部30（图示为第一及第二连接部30a、30b）、以及线圈L。
如图1所示，层叠体12呈长方体状，且内置有线圈L。在层叠体12中，将位于z轴方向的两端的表面称为上表面及下表面，将连接上表面与下表面的面称为侧面。如图2所示，层叠体12通过层叠多个磁性体层16（图示为第一～第十三磁性体层16a～16m）以及多个非磁性体层17（图示为第一～第十三非磁性体层17a～17m）而构成。
磁性体层16a～16m为由磁性材料（例如Ni－Cu－Zn系铁氧体）构成的长方形状的层，且从z轴方向的正方向侧至负方向侧按顺序排列。以下，将各磁性体层16的z轴方向的正方向侧的面称为正表面，将各磁性体层16的z轴方向的负方向侧的面称为背面。
非磁性体层17a～17m分别设置于磁性体层16a～16m的正表面上。非磁性体层17a、17b分别形成为长方形状，且设置于磁性体层16a、16b的位于x轴方向的负方向侧且位于y轴方向的正方向侧的角。非磁性体层17c～17j为沿磁性体层16c～16j的四个边设置的长方形状的环状的层。非磁性体层17k～17m分别形成为长方形状，且设置于磁性体层16k～16m的位于x轴方向的正方向侧且位于y轴方向的正方向侧的角。非磁性体层17为含有玻璃的层，具体而言，由混合有非磁性材料（例如Ba－Al-Si系瓷器组成物）和硼硅酸盐玻璃的材料制作。Ba－Al-Si系瓷器组成物为在烧制层叠体12时不收缩的材料。并且，硼硅酸盐玻璃的软化点低于层叠体12的烧制温度（例如900℃），例如为800℃。以下，将非磁性体层17的z轴方向的正方向侧的面称为正表面，将非磁性体层17的z轴方向的负方向侧的面称为背面。
如图1所示，外部电极14a以覆盖层叠体12的上表面的方式设置。如图1所示，外部电极14b以覆盖层叠体12的下表面的方式设置。此外，外部电极14a、14b折返至与上表面及下表面相邻的侧面。外部电极14a、14b作为将电子器件10外的电路与线圈L电连接的连接端子而发挥功能。
如图2所示，线圈L内置于层叠体12内，且由多个线圈导体18（图示为第一～第七线圈导体18a～18g）及多个通孔导体v4～v9构成。线圈L构成为：通过连接线圈导体18及通孔导体v4～v9而形成为螺旋形状，且具有与z轴方向平行的线圈轴。
如图2所示，线圈导体18a～18g分别设置于磁性体层16d～16j的正表面上，且为当从z轴方向俯视观察时顺时针旋转的コ字状的线状导体。更详细地，线圈导体18a～18g具有3／4圈的圈数，且沿着磁性体层16的三个边。线圈导体18a在磁性体层16d中沿x轴方向的负方向侧的短边以外的三个边设置。线圈导体18b在磁性体层16e中沿y轴方向的负方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18c在磁性体层16f中沿x轴方向的正方向侧的短边以外的三个边设置。线圈导体18d在磁性体层16g中沿y轴方向的正方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18e在磁性体层16h中沿x轴方向的负方向侧的短边以外的三个边设置。线圈导体18f在磁性体层16i中沿y轴方向的负方向侧的长边以外的三个边设置。线圈导体18g在磁性体层16j中沿x轴方向的正方向侧的短边以外的三个边设置。进而，当从z轴方向俯视观察时，线圈导体18a～18g互相重叠而形成为长方形的环状形状。
以下，在线圈导体18中，将当从z轴方向的正方向侧俯视观察时位于顺时针方向的上游侧的端部作为上游端，将位于顺时针方向的下游的端部作为下游端。另外，线圈导体18的圈数不限于3／4圈。因此，线圈导体18的圈数例如可以为1／2圈，也可以为7／8圈。
如图2所示，通孔导体v4～v9以沿z轴方向贯通磁性体层16d～16i的方式设置。更详细地，通孔导体v4沿z轴方向贯通磁性体层16d，且与线圈导体18a的下游端及线圈导体18b的上游端连接。通孔导体v5沿z轴方向贯通磁性体层16e，且与线圈导体18b的下游端及线圈导体18c的上游端连接。通孔导体v6沿z轴方向贯通磁性体层16f，且与线圈导体18c的下游端及线圈导体18d的上游端连接。通孔导体v7沿z轴方向贯通磁性体层16g，且与线圈导体18d的下游端及线圈导体18e的上游端连接。通孔导体v8沿z轴方向贯通磁性体层16h，且与线圈导体18e的下游端及线圈导体18f的上游端连接。通孔导体v9沿z轴方向贯通磁性体层16i，且与线圈导体18f的下游端及线圈导体18g的上游端连接。
连接部30a连接外部电极14a与线圈导体18a的上游端，且由通孔导体v1～v3构成。通孔导体v1～v3沿z轴方向贯通磁性体层16a～16c，且通过互相连接而构成一个通孔导体。通孔导体v1～v3分别位于非磁性体层17a～17c的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的角。
连接部30b连接外部电极14b与线圈导体18g的下游端，且由通孔导体v10～v13构成。通孔导体v10～v13沿z轴方向贯通磁性体层16j～16m，且通过互相连接而构成一个通孔导体。通孔导体v10～v13分别位于非磁性体层17k～17m的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的角。
这里，如图2所示，非磁性体层17d～17j与线圈导体18a～18g接触。更详细地，当从z轴方向俯视观察时，在设置有线圈导体18a～18g的磁性体层16d～16j中，非磁性体层17d～17j设置于由线圈导体18a～18g形成的长方形的环状形状的外侧。并且，非磁性体层17d～17j也与磁性体层16d～16j的外缘接触。这样，非磁性体层17d～17j形成为长方形状的环状。并且，非磁性体层17c形成为与非磁性体层17d～17j相同的形状，且当从z轴方向俯视观察时，以与非磁性体层17d～17j一致的状态重叠。
并且，非磁性体层17a～17m所含有的硼硅酸盐玻璃的软化点低于层叠体12的烧制温度。因此，在烧制层叠体12时，硼硅酸盐玻璃软化，进而扩散至磁性体层16a～16m中与该非磁性体层17a～17m相邻的部分。由此，在磁性体层16a～16m中与非磁性体层17a～17m相邻的部分（以下，如图3所示，称为低磁导率部20a～20m）的磁导率μ2低于在磁性体层16a～16m中不与非磁性体层17a～17m相邻的部分（以下，如图3所示，称为高磁导率部19a～19m）的磁导率μ1。磁导率μ1例如为100，磁导率μ2例如为3。
这里，关于高磁导率部19以及低磁导率部20的形状，参照图3A～图3C进行更详细地说明。如图3A所示，低磁导率部20a、20b形成为长方形状，且位于磁性体层16a～16c的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的正方向侧的角，且形成为与非磁性体层17a、17b相同形状。这是因为：通过与低磁导率部20a、20b接触的非磁性体层17a、17b、17c所含有的硼硅酸盐玻璃扩散，而形成低磁导率部20a、20b。并且，高磁导率部19a、19b为在磁性体层16a、16b中除去低磁导率部20a、20b以外的部分。
并且，如图3B所示，低磁导率部20c～20j形成为长方形状的环状，且沿磁性体层16c～16j的四个边形成为与非磁性体层17d～17j相同的形状。这是因为：通过与低磁导率部20c～20j接触的非磁性体层17c～17j所含有的硼硅酸盐玻璃扩散，而形成低磁导率部20c～20j。并且，高磁导率部19c～19j为在磁性体层16c～16j中除去低磁导率部20c～20j以外的部分，且为被低磁导率部20c～20j包围的长方形状的部分。
如图3C所示，低磁导率部20k～20m形成为长方形状，且位于磁性体层16k～16m的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的正方向侧的角，且形成为与非磁性体层17k～17m相同的形状。这是因为：通过与低磁导率部20k～20m接触的非磁性体层17k～17m所含有的硼硅酸盐玻璃扩散，而形成低磁导率部20k～20m。并且，高磁导率部19k～19m为在磁性体层16k～16m中除去低磁导率部20k～20m以外的部分。
如图4所示，在以上述方式构成的电子器件10中，当从z轴方向俯视观察时，层叠体12中的比线圈L靠外侧的区域由非磁性体层17或具有磁导率μ2的低磁导率部20构成。这样，线圈L构成开磁路结构。
（电子器件的制造方法）
以下，参照附图对电子器件10的制造方法进行说明。
首先，准备要形成磁性体层16的陶瓷生片。具体而言，将按规定比率称量出的氧化铁（Fe2O3）、氧化锌（ZnO）、氧化镍（NiO）以及氧化铜（CuO）的各材料作为原材料投入球磨机，然后进行湿式混合。将得到的混合物进行干燥后粉碎，然后在800℃将得到的粉末煅烧1小时。并且，在利用球磨机对煅烧粉末进行湿式粉碎后，干燥后破碎，从而得到铁氧体陶瓷粉末。
对该铁氧体陶瓷粉末中加入结合剂（醋酸乙烯、水溶性丙烯等）、增塑剂、润湿材料以及分散剂，并利用球磨机进行混合，之后，通过减压进行脱泡。由刮板法将得到的磁性陶瓷浆料在载玻片上形成为片状然后使其干燥，从而制作要形成磁性体层16的陶瓷生片。
接着，在要形成磁性体层16的陶瓷生片分别形成通孔导体v1～v13。具体而言，朝要形成磁性体层16的陶瓷生片照射激光束而形成通孔。此外，利用印刷涂敷等方法将由Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等导电性材料构成的糊剂充填到通孔，从而形成通孔导体v1～v13。
接着，通过丝网印刷法或光刻法等方法在要形成磁性体层16d～16j的陶瓷生片上涂敷由导电性材料形成的糊剂，从而形成线圈导体18。由导电性材料形成的糊剂例如为在Ag加入清漆以及溶剂而得到的物质。
另外，形成线圈导体18的工序、与将由导电性材料形成的糊剂充填到通孔的工序可以在相同的工序中进行。
接着，将硼硅酸盐玻璃的粉末以及清漆混合到Ba-Al-Si系瓷器组成物的粉末中，从而制作非磁性陶瓷糊剂（ceramic paste）。Ba-Al-Si系瓷器组成物的粉末与硼硅酸盐玻璃的粉末的体积比例如为30:70。通过丝网印刷法将得到的陶瓷糊剂涂敷在要形成磁性体层16的陶瓷生片上，从而形成具有图2所示的形状的非磁性体层17。
接着，将要形成磁性体层16的陶瓷生片一片一片地层叠并进行预压焊从而得到未烧制的母层叠体。具体而言，将要形成磁性体层16的陶瓷生片一片一片地层叠并进行预压焊。之后，由静液压式压力机对未烧制的母层叠体实施主压焊。主压焊时的压力例如为1000kgf／cm2。
接着，将未烧制的母层叠体切割为规定尺寸，从而得到多个未烧制的层叠体12。进而，对未烧制的层叠体12实施脱粘合剂处理及烧制。烧制温度例如为900℃，烧制时间例如为2小时。这里，非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃的软化点为800℃，低于烧制温度。因此，在烧制时，非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃熔融，进而扩散至磁性体层16中与非磁性体层17相邻的部分。硼硅酸盐玻璃妨碍铁氧体陶瓷的烧结。因此，与硼硅酸盐玻璃未扩散至的部分相比，在硼硅酸盐玻璃扩散至的部分，铁氧体陶瓷的烧结不易进行，铁氧体粒径也较小。结果，形成具有低磁导率μ2的低磁导率部20。
之后，对层叠体12的表面实施滚磨处理，以进行倒角。
接着，将由以Ag作为主要成分的导电性材料构成的电极糊剂涂敷在层叠体12的上表面及下表面。并且，将所涂敷的电机糊剂在大约750℃的温度烧结1小时。这样，形成要形成外部电极14的银电极。此外，通过对要形成外部电极14的银电极的表面实施镀Ni及镀Sn，而形成外部电极14。通过以上的工序，完成电子器件10。
（效果）
根据如上所述的电子器件10及其制造方法，能够得到优良的直流重叠特性。更详细地，在电子器件10中，在层叠体12设置有含有硼硅酸盐玻璃的非磁性体层17，所述硼硅酸盐玻璃具有比层叠体12的烧制温度低的软化点。由此，在烧制层叠体12时，硼硅酸盐玻璃从非磁性体层17向磁性体层16扩散，从而形成低磁导率部20。因此，在电子器件10中，除了非磁性体层17外，低磁导率部20也有助于抑制磁饱和的产生。结果，根据电子器件10及其制造方法，能够得到优良的直流重叠特性。
并且，在电子器件10的制造方法中，能够利用片材层叠法得到具有开磁路结构的电子器件10。更详细地，在电子器件10的制造方法中，当从z轴方向俯视观察时，通过在由线圈导体18形成的环状形状的外侧涂敷非磁性陶瓷糊剂而形成非磁性体层17。进而，在烧制时，在磁性体层16中与非磁性体层17接触的部分成为低磁导率部20。因此，如图4所示，在电子器件10中，当从z轴方向俯视观察时，比线圈L靠外侧的区域由非磁性体层17或低磁导率部20构成。这样，线圈L构成开磁路结构。
（实验）
为了使电子器件10具有的效果更加明确，本申请发明人进行了以下说明的实验。
作为第一实验，利用FE－WDX（装置名：日本电子JXA－8500F）观察电子器件10内的硼硅酸盐玻璃的扩散。图5是示出电子器件10的B点（参照图4）周边的Si的扩散的图。白色部分意味着Si（亦即硼硅酸盐玻璃）多，黑色部分意味着Si（亦即硼硅酸盐玻璃）少。根据图4可知：硼硅酸盐玻璃从非磁性体层17向周围的磁性体层16扩散。
接着，作为第二实验，观察电子器件10的C点及D点（参照图4）的周边的铁氧体粒径。图6A是C点周边的图片，图6B是D点周边的图片。如图6A及图6B所示，可知：高磁导率部19的铁氧体粒径大于低磁导率部20的铁氧体粒径。
根据第一实验及第二实验可知：通过硼硅酸盐玻璃向低磁导率部20扩散，低磁导率部20的铁氧体粒径变小，且低磁导率部20的磁导率μ2变低。
接着，作为第三实验，在具备具有15圈的圈数的线圈L的电子器件10中，使Ba－Al-Si系瓷器组成物与硼硅酸盐玻璃之间的体积比变化，并调查电感值减少率及芯片强度。电感值减少率是指施加400mA时的电感值相对于施加0mA（实际为数mA）时的电感值的比例。另外，电流的频率设定为100MHz。采用安捷伦制的E4991A测定电感值。芯片强度为利用专用的夹具以0.5mm／s的速度对电子器件10施加负载，当电子器件10产生破损时的外力的值。表1为示出实验结果的表。
[表1]
根据表1可知：如果非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃的比例增加，则电感值的下降被抑制。亦即，可知：随着非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃的比例增加，硼硅酸盐玻璃产生扩散，从而形成低磁导率部20，进而直流重叠特性提高。另外，硼硅酸盐玻璃的比例优选在30体积%以上70体积%以下。这是因为：当硼硅酸盐玻璃的比例小于30体积%、或大于70体积%时，芯片强度降低。
接着，作为第四实验，在采用Cu－Zn系铁氧体代替Ba－Al-Si系瓷器组成物的电子器件10中，使Cu－Zn系铁氧体与硼硅酸盐玻璃之间的体积比变化，并调查电感值降低率及芯片强度。Cu－Zn系铁氧体为在烧制层叠体12时收缩的材料。表2为示出实验结果的表。在表2中，硼硅酸盐玻璃的比例为0体积%的情况与现有的电子器件相当。
[表2]
根据表2可知：如果非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃的比例增加，则电感值的下降被抑制。亦即，可知：随着非磁性体层17所含有的硼硅酸盐玻璃的比例增加，硼硅酸盐玻璃产生扩散，形成低磁导率部20，进而直流重叠特性提高。另外，硼硅酸盐玻璃的比例优选在50体积%以上70体积%以下。这是因为：当硼硅酸盐玻璃的比例小于50体积%时，不太能得到电感值的减少抑制效果，另外，当硼硅酸盐玻璃的比例大于70体积%时，芯片强度降低。
并且，比较表1与表2可知：在硼硅酸盐玻璃的比例相同的情况下，采用Ba－Al-Si系瓷器组成物的电子器件10比采用Cu－Zn系铁氧体的电子器件10的直流重叠特性优良。这是因为：在采用Cu－Zn系铁氧体的电子器件10中，在烧制层叠体12时，磁性体层16内的Ni向非磁性体层17扩散，从而非磁性体层17的一部分变化为磁性体层。
（第一变形例）
以下，参照附图对第一变形例所涉及的电子器件进行说明。图7是第一变形例所涉及的电子器件10a的剖面结构图。
电子器件10a与电子器件10的不同点是设置外部电极14a、14b的位置。更详细地，在电子器件10a中，外部电极14a、14b设置于层叠体12的x轴方向的负方向侧的侧面及正方向侧的侧面。即使在如上所述的电子器件10a中，也能够发挥与电子器件10相同的作用效果。
另外，在电子器件10a中，不是利用通孔导体连接线圈L与外部电极14a、14b，而是利用与线圈导体18a一体地形成的未图示的连接导体连接线圈导体18a与外部电极14a，且利用与线圈导体18b一体地形成的未图示的连接导体连接线圈导体18g与外部电极14b。
（第二变形例）
以下，参照附图对第二变形例所涉及的电子器件进行说明。图8是第二变形例所涉及的电子器件10b的剖面结构图。
电子器件10b与电子器件10的不同点是追加有非磁性体层24a～24g。更详细地，非磁性体层24a～24g分别设置于线圈导体18a～18g的内侧。这样，在非磁性体层24a～24g的周围形成有低磁导率部25。即使在如上所述的电子器件10b中，也能够发挥与电子器件10相同的作用效果。
（第三变形例）
以下，参照附图对第三变形例所涉及的电子器件进行说明。图9是第三变形例所涉及的电子器件10c的剖面结构图。
电子器件10c与电子器件10的不同点是在线圈导体18a～18g之间设置有非磁性体层22a～22f。这样，在非磁性体层22a～22f的周围形成有低磁导率部26a～26f。即使在如上所述的电子器件10c中，也能够发挥与电子器件10相同的作用效果。
（其它实施例）
本发明所涉及的电子器件及其制造方法并不限于上述实施方式所涉及的电子器件10、10a～10c，能够在其主旨范围内变更。尤其是在图2的例子中，对非磁性体层17a～17m设置于磁性体层16a～16m的正表面上的情况进行了说明。然而，不限于此，即使非磁性体层17仅设置于多个磁性体层16中的至少一层，也能够发挥一定程度的效果。
另外，电子器件10的制造方法为片材层叠法，但是例如也可以是代替利用生片形成磁性体层16的形成方法而采用利用印刷形成磁性体层16的印刷方法。
如上所述，本发明对于电子器件及其制造方法是有用的，尤其是在能够得到优良的直流重叠特性的方面优秀。
Claims (10)
1.一种电子器件，其特征在于，
所述电子器件具备：
层叠体，该层叠体通过层叠磁性体层与含有玻璃的非磁性体层而构成；以及
线圈，该线圈内置于所述层叠体，
通过所述玻璃扩散，在所述磁性体层中与所述非磁性体层相邻的部分的第二磁导率低于在所述磁性体层中不与所述非磁性体层相邻的部分的第一磁导率。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
所述线圈通过对设置在所述磁性体层上的多个线圈导体进行连接而形成，且呈具有与层叠方向平行的线圈轴的螺旋状，
当从层叠方向俯视观察时，所述非磁性体层设置于在设置有所述线圈导体的所述各磁性体层中由该线圈导体形成的环状形状的外侧。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，
当从层叠方向俯视观察时，所述层叠体中的比所述线圈靠外侧的区域由所述非磁性体层或具有第二磁导率的所述磁性体层构成。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
所述玻璃具有比所述层叠体的烧制温度低的软化点。
5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
所述非磁性体层与所述线圈接触。
6.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
所述非磁性体层由在烧制所述层叠体时不收缩的材料制作。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，
所述非磁性体层由Zn系铁氧体制作。
8.一种电子器件的制造方法，该电子器件的制造方法为用于制造权利要求1所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件的制造方法具备：
在所述磁性体层上形成所述线圈的线圈导体的工序；
在所述磁性体层上形成所述非磁性体层的工序；
层叠所述磁性体层从而形成所述层叠体的工序；以及
对所述层叠体进行烧制的工序。
9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
所述玻璃具有比所述层叠体的烧制温度低的软化点。
10.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，其特征在于，
所述线圈通过对设置在所述磁性体层上的所述多个线圈导体进行连接而形成，且呈具有与层叠方向平行的线圈轴的螺旋状，
在形成所述非磁性体层的工序中，当从层叠方向俯视观察时，将所述非磁性体层形成在设置有所述线圈导体的所述各磁性体层中由该线圈导体形成的环状形状的外侧。
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