JP4659469B2

JP4659469B2 - コイル内蔵基板

Info

Publication number: JP4659469B2
Application number: JP2005020246A
Authority: JP
Inventors: 光太池田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2011-03-30
Anticipated expiration: 2025-01-27
Also published as: JP2006210616A

Description

本発明は、非磁性フェライト焼結体から成る絶縁基体の内部に、非磁性フェライトと同時焼成されて形成されるとともに内部にコイル用導体が埋設されたインダクタンス値を上げるためのフェライト層が設けられたコイル内蔵基板に関するものである。

従来、携帯電話機を始めとする移動体通信機器等の電子機器には、多数の電子装置が組み込まれている。かかる携帯電話機等の通信機器は、近年小型化が急激に進んでおり、これに搭載される各種電子装置も小型化、薄型化が要求されている。例えば、ガラスセラミック基板の内部にコイルを内蔵した構成のＬＣフィルタが知られている。このＬＣフィルタの場合、従来はチップ部品のコイルを用いて外付けしていたものを、セラミック基板等の絶縁基板の内部に内蔵することで小型化、薄型化ができるという利点を有する。なかでも、１００ｎＨを超えるインダクタンスの大きなコイルは、チップ部品として比較的大型であり、これを絶縁基板に内蔵することは小型化、薄型化への効果が大きいという利点を有する。

しかしながら、コイルを内蔵したセラミック等の絶縁基板では、磁性を持たない基板内にコイルを形成するため、１００ｎＨ程度の比較的大きなインダクタンスを得ることができるコイルを内蔵させるにはコイルの巻き数を多くする必要があり、小型化、薄型化を効果的に達成することができないという不都合があった。

そこで、近年では絶縁基板に強磁性を有するフェライトを用いて、コイルをこのフェライト内部に埋設させることにより、コイルの巻き数を多くすることなく１００ｎＨを超えるインダクタンスを実現し効果的に小型化、薄型化ができるとともに、チップ部品を表面に実装する工程を省略し実装工程の簡略化を図ることが検討されている。

しかしながら、絶縁基板にフェライトを用いた場合、コイルと共に配線が形成されていると、配線に高いインダクタンスが生じてノイズが発生し、回路の誤動作が誘発される恐れがあった。そこで磁性を有さない非磁性フェライトの内部にフェライト層を内蔵させ、フェライト層にコイルを形成し、非磁性フェライトに配線を形成することで配線のインダクタンスを低減させ、回路の誤動作を抑制することが考えられる。

例えば、携帯電話機に使用されるコイル内蔵基板においては、図２に示すように、複数の非磁性フェライト層が積層されて成る絶縁基体１１と、絶縁基体１１に挟まれて積層されるとともに内部にコイル用導体１３が埋設されたフェライト層１２とによって構成されている。

そして、このような非磁性フェライト基板内部にフェライト層およびコイル用導体を設けたコイル内蔵基板においても、さらなる小型化、薄型化、高機能化が求められており、コイル内蔵基板の上面や下面に、さらに半導体チップやチップ部品を表面実装する必要性がでてきている。
特開平２−１０１７１４号公報特開平６−２０８３９号公報特開平６−２１２６４号公報特開平６−３３３７４３号公報

しかしながら、非磁性フェライト基板内部にフェライト層およびコイル用導体を設けた従来のコイル内蔵基板においては、コイル用導体に発生する磁力線がコイル内蔵基板の外側に向かって放射され、磁力線が不安定になることから、磁力線の乱れによって生じるフェライト層の磁気飽和が起きやすく、大きな電流を流した際にインダクタンスが低下するという、所謂重畳特性の低下を招いていた。さらに、コイル内蔵基板の外側に向かって放射された磁力線は、例えば、コイル内蔵基板の上面や下面に実装した半導体チップやチップ部品や配線に対して電気的に影響を及ぼし、回路の誤動作の原因となっていた。

そこで上記欠点を解消するために、コイル用導体と半導体チップやチップ部品や配線との間の距離を十分に長くとることも考えられるが、その場合、コイル内蔵基板全体が厚くなってしまい、薄型化には適さなくなる不都合があった。

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、コイル用導体に発生する磁力線を抑制することで、重畳特性が向上するとともに、コイル内蔵基板の上面や下面に搭載される半導体チップやチップ部品に対する電気的な影響を改善した小型のコイル内蔵基板を提供することにある。

本発明のコイル内蔵基板は、内部にコイル用導体が埋設されているフェライト層を、各々が非磁性フェライトから成る一対の絶縁基体で挟持してなるコイル内蔵基板において、前記フェライト層の前記コイル用導体側の面に、該フェライト層より低い透磁率の低透磁率層を配置したことを特徴とするものである。

また本発明のコイル内蔵基板は、内部にコイル用導体が埋設されているフェライト層を、各々が複数の非磁性フェライト層の積層体により形成されている一対の絶縁基体で挟持するとともに、該絶縁基体の少なくとも一方と前記フェライト層との間に、前記コイル用導体と対向する接地導体層を介在させて成ることを特徴とするものである。

さらに本発明のコイル内蔵基板は、前記コイル用導体は、平面視して、その全面が前記接地導体層と重なるように配置されていることを特徴とするものである。

またさらに本発明のコイル内蔵基板は、前記フェライト層が、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＮｉＯ及びＺｎＯを含有して成り、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量をａ質量％、ＣｕＯの含有量をｂ質量％、ＮｉＯの含有量をｃ質量％、ＺｎＯの含有量をｄ質量％としたとき、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄが、６３≦ａ≦７３、５≦ｂ≦１０、５≦ｃ≦１２、１０≦ｄ≦２３、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１００を満足することを特徴とするものである。

本発明のコイル内蔵基板によれば、フェライト層のコイル用導体側の面に、フェライト層より低い透磁率の低透磁率層を配置したことから、各コイル用導体で発生した磁束が各コイル用導体間の間隙部から外部へ漏洩しにくくなる。すなわち、漏れ磁束が低減して磁束がコイル全体の端から端までコイル内を貫通しやすくなり、電流を負荷した際の磁気飽和が起きにくくなり重畳特性の低下を抑制することができる。

また本発明のコイル内蔵基板によれば、前記絶縁基体の少なくとも一方とフェライト層との間に、コイル用導体と対向する接地導体層を介在させることにより、コイル用導体に発生する磁力線がコイル用導体の上下の接地導体層間に閉じ込められて磁力線が安定し、磁力線の乱れによって生じるフェライト層の磁気飽和が起きにくくなるため、重畳特性の低下をより一層防ぐことができる。

さらにこの場合、コイル用導体に発生する磁力線がコイル内蔵基板の上面や下面に搭載される半導体チップやチップ部品に電気的な影響を与えることは少なくなり、コイル内蔵基板に形成された回路の誤動作を有効に防止することができるとともに、コイル内蔵基板の小型化、薄型化に供することができる。

またさらに本発明のコイル内蔵基板によれば、前記コイル用導体を、平面視して、その全面が接地導体層と重なるように配置することにより、接地導体層でコイル用導体の上下面を完全に覆うことができる。これにより、コイル用導体に発生する磁力線がより安定し、磁気飽和がより起きにくくなるため、重畳特性の低下を一層効果的に防ぐことができ、また、コイル用導体に発生する磁力線がコイル内蔵基板の上面や面に搭載される半導体チップやチップ部品に電気的な影響を与えることがなく、その結果、コイル内蔵基板に形成された回路の誤動作をさらに防ぐことができる。

さらにまた本発明のコイル内蔵基板によれば、前記フェライト層を、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＮｉＯ及びＺｎＯを含有して形成した上、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量をａ質量％、ＣｕＯの含有量をｂ質量％、ＮｉＯの含有量をｃ質量％、ＺｎＯの含有量をｄ質量％としたとき、ａ，ｂ，ｃ，ｄが、６３≦ａ≦７３、５≦ｂ≦１０、５≦ｃ≦１２、１０≦ｄ≦２３、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１００を満足するように設定することにより、低温で焼結可能なＣｕＺｎフェライトを高周波帯域特性に優れたＮｉＺｎフェライトに組み合わせたＮｉＣｕＺｎフェライトを用いて、非磁性フェライト層と同じ大きさで、内部にコイルが埋設されたフェライト層を形成することができる。その結果、フェライト層にガラス粉末やＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３等の焼結助剤を添加しなくても、絶縁基体と同時焼成が可能であるため、収縮挙動の違いによるデラミネーション、クラックなどの発生を有効に防止することができ、かつ、高周波帯で高い透磁率を得ることができる。これにより、高いインダクタンスをもつコイル内蔵基板を得ることが可能となる。

またこの場合、フェライト層が低温焼成可能となることから、配線導体に高周波に対応可能なＣｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の低抵抗金属を用いることでき、高機能なコイル内蔵基板を得ることもできる。

以上のように、本発明によれば、コイル用導体に発生する磁力線を抑制することができ、重畳特性が向上するとともに、コイル内蔵基板の上面や下面に搭載される半導体チップやチップ部品に対する電気的な影響を改善した小型のコイル内蔵基板を提供することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は本発明のコイル内蔵基板（以下、基板と略記する。）の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は複数の非磁性フェライト層から成る絶縁基体、２はフェライト層、３はコイル用導体、４はコイル用導体３の上下に設けられた接地用導体層、５は半導体チップやチップ部品を搭載する搭載用電極、６は基板を外部電気回路に電気的に接続するための電極パッド、７は低透磁率層である。

複数の非磁性フェライト層から成る絶縁基体１は、まず、非磁性フェライト組成の主成分および第１酸化物成分、または、非磁性フェライト組成の主成分ならびに第１酸化物成分および第２酸化物成分、さらに有機バインダ，可塑剤，有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法，圧延法，カレンダーロール法等によって非磁性フェライトグリーンシートを製作し、この非磁性フェライトグリーンシートを複数積層した後、大気中または加湿窒素雰囲気中にて、８００〜１１００℃の温度で焼成して作製される。

非磁性フェライト組成の主成分としては、Ｆｅ_２Ｏ_３とＣｕＯおよびＺｎＯの少なくとも１種との粉体を用いることができ、例えば、これらを湿式混合し、次いで仮焼し、顆粒としてこれを粉砕した後、原料粉末とすることができる。

非磁性フェライト組成の主成分としてのＦｅ_２Ｏ_３は、好ましくは４６〜５０質量％であり、ＣｕＯは、好ましくは２〜２０質量％であり、ＺｎＯは、好ましくは３３〜５２質量％の範囲である。

フェライト層２は、コイル用導体３の上下面を覆うようにして、絶縁基体１の内層にコイル用導体３とともに形成されている。このフェライト層２は、その主成分の組成を、焼結体としてＦｅ_２Ｏ_３を６３〜７３質量％、ＣｕＯを５〜１０質量％、ＮｉＯを５〜１２質量％、ＺｎＯを１０〜２３質量％とから構成した場合には、低温で焼成可能であり、かつ、高周波帯域で十分に高い透磁率を得ることができるので好ましい。

Ｆｅ_２Ｏ_３は、フェライトの基幹成分であり、そのフェライトの主成分をＸ−Ｆｅ_２Ｏ_４（ＸはＣｕ，Ｎｉ，Ｚｎ等）として示される逆スピネル構造の固溶体とすれば、フェライト層２のうちＦｅ_２Ｏ_３が６３〜７３質量％を占めるように構成することが好ましい。６３質量％未満の場合、十分な透磁率が得られないことがあり、７３質量％より多い場合、焼結密度の低下により機械的強度が不足する恐れがある。

ＣｕＯはフェライト層２の主成分のうち５〜１０質量％を占めるように構成することが好ましい。これは、ＣｕＯは焼結温度の低温化に大きく寄与しており、ＣｕＯが低温で液層を形成することにより焼結を促進させる効果を用いて、磁気特性を損なわずに非磁性フェライトの焼成温度である８００〜１０００℃で焼成するためである。５質量％未満であると、低温度域で焼成を行う場合に焼結密度が不十分になり機械強度が不足する恐れがあり、１０質量％より多い場合、磁気特性の低いＣｕＦｅ_２Ｏ_４の割合が多くなることに起因して磁気特性を損なう恐れがある。

ＮｉＯはフェライトの高周波域における透磁率を確保するために含有させる。ＮｉＦｅ_２Ｏ_４は高周波域まで共振による透磁率の減衰を起さず、高周波域での透磁率を比較的高い値に維持することができるが、初期透磁率は低い特徴をもつため、５質量％未満であると、１０ＭＨｚないしそれ以上の高周波域での透磁率が低下し、１２質量％より多い場合、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４の割合が多くなることによって初期透磁率が低下する恐れがある。よって、フェライトの主成分中の含有量は５〜１２質量％に設定することが好ましい。

ＺｎＯはフェライトの透磁率向上のために重要な要素であり、フェライト主成分のうち１０質量％未満であると、磁気特性不十分の問題を生じ、逆に２３質量％より多くても磁気特性が悪くなる。

フェライト層２の形成は、まずフェライト粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法、圧延法、カレンダーロール法等によってフェライトグリーンシートを製作する。次に、このフェライトグリーンシートを所定のコイル用導体３を覆うものとしてガラスセラミックグリーンシートと平面視で同じ大きさの同形状にカットし、ガラスセラミックグリーンシート積層体の内部に、間にコイル用導体３となる導体パターンを配置して、そのコイル用導体３の上面および下面を覆うようにして積層する。

フェライト層２となるフェライトグリーンシートを形成するのに用いるフェライト粉末は、仮焼済みのフェライト粉末であり、平均粒径が０．１μｍ〜０．９μｍの範囲で均一であり、且つ、球形状に近い粒形状であることが好ましい。これは、平均粒径が０．１μｍより小さいと、フェライトグリーンシートの製作においてフェライト粉末の均一な分散が困難であり、平均粒径が０．９μｍより大きいとフェライトの焼結温度が高くなるからである。また、粒径が均一で球状に近いことにより均一な焼結状態を得ることができるからであり、例えばフェライト粉末で部分的に小さい粒径が存在した場合は、その部分のみ結晶粒の成長が低下し、焼結後に得られるフェライト層２の透磁率が安定しにくい傾向がある。

メタライズ配線層から成るコイル用導体３は、フェライト層２に上下面を覆われてフェライト層２に埋設されており、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に、適当な有機バインダ，溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりフェライトグリーンシートの表面に塗布し、セラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートと同時焼成されて形成される。

メタライズ層から成る搭載用電極５は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に、適当な有機バインダ，溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりセラミックグリーンシートの表面に塗布しておくことによって、絶縁基体１の上面や下面に形成される。

なお、搭載用電極５は、半田等による半導体チップやチップ部品，外部電気回路の配線導体との接合を強固なものにするために、その表面に従来周知のメッキ法を採用しニッケル層および金層を順次被着することにより形成される。

外部電気回路に電気的に接続されるメタライズ配線層から成る電極パッド６は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりセラミックグリーンシートの表面に塗布しておくことによって、絶縁基体１の上面、下面の少なくとも一方に形成されている。

なお、メタライズ配線層から成る電極パッド６は、半田等による半導体チップやチップ部品，外部電気回路の配線導体との接合を強固なものにするために、その表面にニッケル層および金層をメッキ法により順次被着するとよい。

また、本形態の基板において、接地用導体層４は、フェライト層２の上下面に少なくともコイル用導体３に対向するようにそれぞれ形成されている。

この接地用導体層４は、フェライト層２の上下面にその全面が上面視でコイル用導体３と重なるように形成することがより望ましい。これは、コイル用導体３に発生する磁力線
が接地用導体層４で遮断されることにより、外部に漏れにくくなるため、より安定させることができ、これにより重畳特性を十分に改善し、更にコイル内蔵基板の上面や下面に搭載される半導体チップやチップ部品に対する電気的な影響を軽減するからである。

メタライズ配線層から成る接地用導体層４は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ合金等の金属粉末に適当な有機バインダ，溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりセラミックグリーンシートまたはフェライトグリーンシートの表面に塗布し、セラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートと同時焼成されて形成される。

低透磁率層７は、例えば、電気的絶縁性の低透磁率材であるＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した粉末を樹脂のバインダと混練してペーストを作り、得られた低透磁率材ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりフェライトグリーンシートにコイル用導体３上の略全面に塗布、もしくは電気的絶縁性の低透磁率材であるＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトよりなるグリーンシートをフェライトグリーンシートにコイル用導体３上に積層することにより、非磁性フェライトシートおよびフェライトグリーンシートと同時焼成されて形成される。

低透磁率層７は、磁束の発生が集中するコイル用導体３の導体間および導体上部にあれば効果的に磁束の漏洩を防止できるが、より磁束の漏洩を防止するという観点からは、コイル用導体３を完全に覆うことが望ましい。

低透磁率層７の透磁率は、１〜１００程度であるのに対し、フェライト層２の透磁率２００〜２０００よりも低いものとなっている。低透磁率層７の透磁率は低いほど漏れ磁束の発生がなくなるため、１が最も望ましい。

また、低透磁率層７をペーストの状態でスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により、フェライトグリーンシートに形成されたコイル用導体３の上部へ略全面に塗布した場合には、低透磁率層７のペーストがコイル用導体３の間の空間を充填するように塗布されるため、フェライトグリーンシート表面の段差が小さくなり、積層時におけるデラミネーションが起きにくくなるという利点もある。

本実施例１では、本発明の請求項１に関わる実施の形態例を示す。コイル用導体上に略全面に低透磁率層を塗布した、図１の構成のコイル内蔵基板を作製し、重畳特性と透磁率を測定した。以下に詳細に説明する。

絶縁基体は、１層が５０μｍ厚みの非磁性フェライト層が２層積層されて成る。絶縁基体の内部には、非磁性フェライト層と同時焼成されて形成されるとともに、内部にＡｇから成る厚み３０μｍのコイル用導体が埋設され、絶縁基体に挟まれて積層された透磁率５００（Ｈ／ｍ）のフェライト層が内蔵されている。

また、コイル用導体上に略全面に透磁率１の低透磁率層を２０μｍ厚みで塗布している。

重畳特性の測定は、インピーダンスアナライザー（「ＨＰ−４１９４Ａ」、ヒューレットパッカード社製）を用い、電流電圧法にて測定した。

また、透磁率の測定は、図３に示すような、外径１６ｍｍ、内径８ｍｍのリング形状の評価用の試験片を作製し測定した。透磁率の測定は、インピーダンスアナライザー（「ＨＰ−４２９１Ａ」、ヒューレットパッカード社製）を用い、高周波電流電圧法にて測定した。

本実施例２では、本発明の請求項２に関わる実施の形態例を示す。本実施例２のコイル内蔵基板は、実施例１において、フェライト層の上下面にコイル用導体と対向するように接地導体層を形成したものであり、実施例１と同様の評価を行なった。

本実施例３では、本発明の請求項３に関わる実施の形態例を示す。本実施例２のコイル内蔵基板は、実施例２において、接地導体層がコイル用導体を完全に覆うように作成したものであり、実施例２と同様の評価を行なった。

本実施例４では、本発明の請求項４に関わる実施の形態例を示す。本実施例４のコイル内蔵基板は、実施例３において、フェライト層の組成をＦｅ_２Ｏ_３の含有量を６５質量％、ＣｕＯの含有量を６質量％、ＮｉＯの含有量を６質量％、ＺｎＯの含有量を２３質量％としたものであり、実施例３と同様の評価を行なった。

比較例

実施例１〜４との比較のために、従来構成として実施例１および実施例４において低透磁率層を設けない構成をそれぞれ比較例１、比較例２とし、実施例１と同様の評価を行なった。

以上の実施例１〜４および比較例１〜２について、重畳特性、透磁率を評価した結果を表１に示す。

表１の重畳特性の評価欄において、◎◎は６００ｍＡでのインダクタンス値が規格２μＨを満たすもの、◎は５００ｍＡでのインダクタンス値が規格２μＨを満たすもの、○は３００ｍＡでのインダクタンス値が規格２μＨを満たすもの、△は１００ｍＡでのインダクタンス値が規格２μＨを満たすもの×は規格を全然満たさないものをあらわしている。一般的に携帯電話に使用されるコイルは３００ｍＡ以上で２μＨ以上あれば、十分に機能する。

表１より、フェライト層の上下面にコイル用導体と対向するように接地導体層が形成した実施例１が、比較例１の重畳特性と比べ、優れていることが確認された。

また、接地導体層がコイル用導体を完全に覆った実施例２は、重畳特性が実施例１よりも高く、磁力線が外部により漏れにくくなるため、磁力線を安定させることができ、重畳特性が優れることが確認された。

また、本発明の請求項３に係る組成を有したフェライト層を用いた実施例３は、実施例２の透磁率と比べ、特性が優れていることが確認された。

一方、実施例３と同じフェライト層を用いた比較例２においては、接地導体層が設けられていないことから、重畳特性において劣っている。

表２に示す調合組成比とした原料を各々２５０ｇ秤量し、１Ｌの純水とともにジルコニア粉砕用ボールを使用した２Ｌのボールミルにて２４時間調合後、原料粉を分別乾燥し、ジルコニアるつぼにて７３０℃の仮焼を行った。仮焼後、Ｘ線回折により所要の化合物が得られていることを確認し、ボールミルにて粉砕、乾燥後メッシュふるいにて分別して、仮焼粉の粒子径が０．５〜０．７μｍとなるように整粒した。これに１０重量％のＰＶＡ溶液を添加して、ライカイ機にて造粒し、造粒粉を金型にてプレス成型した後、大気中にて９００℃、２時間の焼成を行い、外径１６ｍｍ、内径８ｍｍ、厚さ２ｍｍのトロイド形の焼結試験片を作成した。試験片の密度は液中秤量法により測定し、透磁率の測定はインピーダンスアナライザー「ＨＰ−４２９１Ａ」（ヒューレットパッカード社製）を用いて１．０ＭＨｚ、１０ＭＨｚにおける値を求めた。

表２に、焼結密度および透磁率の測定結果をあわせて示す。主成分の組成が本発明にて定める範囲内にあるものは、いずれも焼結密度および透磁率が優れていることが確認できた。

本発明のコイル内蔵セラミック基板の実施の形態の一例を示す断面図である。従来のコイル内蔵セラミック基板の例を示す断面図である。本発明の実施例の透磁率測定に用いた評価用の試験片を示す断面図である。

符号の説明

１・・・絶縁基体
２・・・フェライト層
３・・・コイル用導体
４・・・接地導体層
５・・・搭載用電極
６・・・電極パッド

Claims

内部にコイル用導体が埋設されているフェライト層を、各々が非磁性フェライトから成る一対の絶縁基体で挟持してなるコイル内蔵基板において、前記フェライト層の前記コイル用導体側の面に、該フェライト層より低い透磁率の低透磁率層を配置したことを特徴とするコイル内蔵基板。
前記絶縁基体の少なくとも一方と前記フェライト層との間に、前記コイル用導体と対向する接地導体層を介在させたことを特徴とする請求項１に記載のコイル内蔵基板。
前記コイル用導体は、平面透視して、その全体が前記接地導体層と重なるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のコイル内蔵基板。
前記フェライト層は、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＮｉＯ及びＺｎＯを含有して成り、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量をａ質量％、ＣｕＯの含有量をｂ質量％、ＮｉＯの含有量をｃ質量％、ＺｎＯの含有量をｄ質量％としたとき、前記ａ，ｂ，ｃ，ｄが下記式を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のコイル内蔵基板。
６３≦ａ≦７３
５≦ｂ≦１０
５≦ｃ≦１２
１０≦ｄ≦２３
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１００