KR20170128886A - 공통 모드 필터 - Google Patents

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KR20170128886A
KR20170128886A KR1020160059502A KR20160059502A KR20170128886A KR 20170128886 A KR20170128886 A KR 20170128886A KR 1020160059502 A KR1020160059502 A KR 1020160059502A KR 20160059502 A KR20160059502 A KR 20160059502A KR 20170128886 A KR20170128886 A KR 20170128886A
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심원철
방혜원
전형진
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 제1 자성 입자를 포함하는 하부 커버층; 상기 하부 커버층의 상부에 배치되며, 복수의 코일을 포함하는 코일부와 제2 자성 입자를 포함하는 코일 주변부를 포함하는 필터층; 및 상기 필터층의 상부에 배치되며, 상기 제1 자성 입자를 포함하는 상부 커버층;을 포함하는 공통 모드 필터에 관한 것이다.

Description

공통 모드 필터{Common mode filter}
본 발명은 공통 모드 필터에 관한 것이다.
기술이 발전함에 따라 휴대전화, 가전제품, PC, PDA, LCD 등과 같은 전자기기가 아날로그 방식에서 디지털 방식으로 변화되고, 처리하는 데이터량의 증가로 인해 고속화되고 있는 추세에 있다. 이에 따라, 고속 신호 송신 인터페이스로서 USB 2.0, USB 3.0 및 고선명 멀티미디어 인터페이스(high-definition multimedia interface;HDMI)가 광범위하게 보급되고 있으며, 이들 인터페이스는 현재 개인용 컴퓨터 및 디지털 고화질 텔레비전과 같은 많은 디지털 디바이스에서 사용되고 있다.
이들 고속 인터페이스는 오랫동안 일반적으로 이용되었던 단일-종단 (single-end) 송신 시스템과 달리 한 쌍의 신호 라인들을 사용하여 차동 신호(차동 모드 신호)를 송신하는 차동 신호 시스템을 채용한다. 하지만, 디지털화 및 고속화되는 전자기기들은 외부로부터의 자극에 민감하여 고주파 노이즈에 의한 신호 왜곡이 종종 발생하고 있다.
이러한 이상 전압과 노이즈의 원인으로는 회로 내에서 발생하는 스위칭 전압, 전원 전압에 포함된 전원 노이즈, 불필요한 전자기 신호 또는 전자기 잡음 등이 있으며, 이러한 이상 전압과 고주파 노이즈가 회로로 유입되는 것을 방지하기 위한 수단으로서 공통모드필터(Common Mode Filter: CMF)를 사용하고 있다.
모바일 기기들이 고속화 및 다기능화 됨에 따라 고속 데이터(예를 들어, USB 3.1: 5 ~ 10 Gbps)의 전송을 위한 인터페이스 채용이 증가하고 있다. 이로 인해, 차동 전송 라인(Differential Line)에 장착되어 공통 모드 노이즈를 제거하는 공통 모드 필터도 전송 손실을 감소시킬 수 있는 방안이 필요하다.
공통 모드 필터의 저손실 전송 특성을 구현하기 위해서는 자성체를 공통 모드 필터의 상하부뿐만 아니라 내부에도 충진하여 폐자로를 형성하는 구조를 만들 필요가 있으며, 필요한 용량을 구현할 코일의 턴수 및 길이를 최대한 짧게 하여야 한다.
하지만, GHz 주파수 대역에서 동작하는 공통 모드 필터의 경우, 자성체의 투과율 저하와 자성 손실(Tan δ)의 증가로 인해 노이즈 감쇠 톡성이 저하되어 공통 모드 노이즈를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 있다. 따라서, 전송 손실을 낮추면서 동시에 노이즈를 효과적으로 감쇠할 수 있는 공통 모드 필터가 필요한 실정이다.
일본 등록특허공보 제2003-031416호
본 발명은 전송 손실을 낮추면서 동시에 노이즈를 효과적으로 감쇠할 수 있는 공통 모드 필터를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 공통 모드 필터는 제1 자성 입자를 포함하는 하부 커버층; 상기 하부 커버층의 상부에 배치되며, 복수의 코일을 포함하는 코일부와 제2 자성 입자를 포함하는 코일 주변부를 포함하는 필터층; 및 상기 필터층의 상부에 배치되며, 상기 제1 자성 입자를 포함하는 상부 커버층;을 포함한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따른 공통 모드 필터는 하부 커버층; 상기 하부 커버층의 상부에 배치되며, 복수의 코일을 포함하는 코일부와 코일 주변부를 포함하는 필터층; 및 상기 필터층의 상부에 배치되는 상부 커버층;을 포함하고, 상기 코일 주변부는 제1 자성 입자를 포함하는 코일 중심부 및 제2 자성 입자를 포함하는 코일 외곽부를 포함한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 공통 모드 필터는 상부 및 하부 커버층에 제1 자성 입자를 포함하고, 필터층에 제2 자성 입자를 포함하기 때문에, 전송 손실을 낮추면서 동시에 노이즈를 효과적으로 감쇠할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 공통 모드 필터의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 스피넬 페라이트의 구조를 촬영 한 것이며, 도 4는 헥사 페라이트의 구조를 촬영한 것이다.
도 5는 비교예(점선)의 공통 모드 필터의 전송 특성 및 감쇠 특성과 본 발명의 일 실시 형태(실선)에 따른 공통 모드 필터의 전송 특성 및 감쇠 특성을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 형태를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 형태에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시 형태는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시 형태를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 다수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)의 구성을 살펴보면, 공통 모드 필터(100)는 내부에 적어도 하나 이상의 나선형의 코일 전극층(141, 142)을 포함하는 필터층(120) 및 필터층(130)의 상하부에 배치되는 커버층(110, 130)을 포함한다.
하부 커버층(110), 필터층(120) 및 상부 커버층(130)의 외측에는 외부 전극(151, 152, 153 154)이 배치된다.
하부 커버층(110) 및 상부 커버층(130)은 제1 자성 입자를 포함한다. 즉, 하부 커버층(110) 및 상부 커버층(130)은 제1 자성 입자와 레진(Resin)을 포함하는 자성체 조성물을 이용하여 시트형태로 제작하여 형성될 수 있다.
필터층(120)은 복수의 코일을 포함하는 코일부(140)와 코일부(140)의 주변에 배치되는 코일 주변부(121)를 포함한다.
코일부(140)는 제1 코일(141) 및 제2 코일(142)을 포함할 수 있으나, 이에 제한 되는 것은 아니며 필요에 따라 코일수를 달리할 수 있다.
예를 들어, 도 4와 같이 코일부(140)는 4층의 코일을 포함할 수 있다.
설명의 명확성을 위해 코일부(140)는 4층의 코일은 아래층부터 제1-1 코일(141a), 제2-1코일(142a), 제1-2 코일(141b), 제2-2 코일(142b)이라 정의할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 외부 전극(151)은 제1-1코일(141a)와 연결되고, 제1-1 코일(141a)은 상하층을 관통하는 제1 도전성 비아(141c)를 통해 제1-2 코일(141b)와 연결된다. 제1-2 코일(141b)은 제2 외부 전극(152)와 연결되어 나선형의 제1 코일(141)을 형성한다.
마찬가지로, 제3 외부 전극(153)은 제2-1코일(142a)와 연결되고, 제2-1 코일(142a)은 상하층을 관통하는 제2 도전성 비아(142c)를 통해 제2-2 코일(142b)와 연결된다. 제2-2 코일(141b)은 제4 외부 전극(154)와 연결되어 나선형의 제2 코일(142)을 형성한다.
이와 같이 연결된 각각의 코일에 의해 인덕턴스와 캐패시턴스를 가지게 되고, 이를 이용하여 공통 모드 신호의 노이즈를 감쇠할 수 있다.
코일부(140)의 주변에는 코일 주변부(121)가 배치된다.
코일 주변부(121)는 필터층(120) 내에 배치되어, 코일부(140)의 중심에 위치하는 코일 중심부(121a)와 코일부(140)의 외곽에 위치하는 코일 외곽부(121b)를 포함한다.
하부 커버층(110) 또는 상부 커버층(130)이 제1 자성 입자를 포함하는 경우, 코일 주변부(121)는 제2 자성 입자를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 자성 입자는 서로 재료가 다르거나, 입자의 크기가 다른 자성 입자를 의미할 수 있다.
제1 자성 입자는 스피넬-페라이트(Spinel-Ferrite)이며, 제2 자성 입자는 헥사-페리이트(Hexa-Ferrite)일 수 있다.
스피넬-페라이트와 헥사-페라이트의 형상 및 특성은 도 3및 4와 다음 표 1과 같다.
스피넬-페라이트 헥사-페라이트
자성손실(Tan δ) 1.93(범위: 1.0 이상) 0.04 (범위: 0.01 ~ 1.0)
조성 Ni-Fe-Zn-Mn-Mg Ba-Fe-Co-Ni-Zn-Mn
구조 Spinel Hexagonal
즉, 헥사-페라이트가 스피넬-페라이트에 비해 자성 손실(Tan δ)이 현저히 적은 것을 알 수 있다. 스피넬-페라이트는 커먼모드필터가 동작하는 1GHz 영역에서 1.0 이상의 자성 손실(Tan δ) 값을 갖고 헥사-페라이트는 0.01~0.1 정도의 낮은 자성 손실(Tan δ) 값을 갖는다. 이와 같은 범위는 각 자성 재료의 조성, 파우더 및 수지의 함량에 따라 변경이 가능하다.
공통 모드 필터의 저손실 전송 특성을 구현하기 위해서는 자성체를 공통 모드 필터의 상하부뿐만 아니라 내부에도 충진하여 폐자로를 형성하는 구조를 만들 필요가 있으며, 필요한 용량을 구현할 코일의 턴수 및 길이를 최대한 짧게 하여야 한다.
GHz 주파수 대역에서 동작하는 공통 모드 필터의 경우, 자성체의 투과율 저하와 자성 손실(Tan δ)의 증가로 인해 노이즈 감쇠 톡성이 저하되어 공통 모드 노이즈를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 있다.
스피넬-페라이트는 저주파수에서는 투자율이 크다는 장점이 있으나, GHz와 같은 고주파수 영역에서는 투자율이 급격히 감소하고 자성 손실이 커지는 단점이 있어 감쇠 특성이 저하되는 문제점이 있다. 헥사-페라이트의 경우에는 고주파수 영역(GHz)까지 투자율이 유지되고 손실이 작은 장점이 있다. 하지만, 헥사-페라이트는 저주파수 영역(약 100MHz)에서 스피넬-페라이트에 비해 투자율이 낮아 동일한 용량을 구현하는데 필요한 코일 턴수를 증가시켜야 하므로 전송 손실이 증가한다는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 공통 모드 필터는 하부 또는 상부 커버부(110, 130)를 제1 자성 입자로 형성하고, 코일 주변부(121)를 제2 자성입자로 형성하여, 용량 구현에 필요한 코일 턴수를 최소화하여 전송 손실을 최소화하고, 동시에 고주파 영역에서 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 제1 자성 입자가 스피넬-페라이트이며, 제2 자성 입자는 헥사-페라이트인 경우, 하부 및 상부 커버층(110, 130)은 저주파수 영역에서 고 투자율을 가지게 되며 코일 주변부(121a)는 고주파수 영역에서 저손실 특성을 가지게 되어 용량 구현에 필요한 코일 턴수를 최소화하여, 전송 손실을 최소화하고 동시에 고주파 영역에서 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 도 5에서 알 수 있듯이, 비교예(점선)의 공통 모드 필터의 전송 특성 및 감쇠 특성에 비해, 본 발명의 일 실시 형태(실선)에 따른 공통 모드 필터의 전송 특성 및 감쇠 특성이 향상된 것을 알 수 있다.
도 5 그래프의 x-축은 주파수를, y-축은 감쇠 특성을 나타내고 있다. 1GHz 주파수에서 비교예(점선)의 감쇠 특성은 -25dB 이지만, 본 발명의 실시 형태(실선)에 따른 공통 모드 필터의 감쇠 특성은 -30dB로 -5dB 더 좋은 감쇠 효과가 존재함을 알 수 있다.
또는, 제1 자성 입자가 헥사-페라이트이며, 제2 자성 입자를 스피넬-페라이트로 형성하여 목표하는 특성을 조절할 수 있다. 이 구조는 전체 칩 내에서 자성 손실이 적은 헥사-페라이트의 부피가 필터부의 코일 중심부와 주변부에 채워지는 스피넬-페라이트의 부피보다 더 크므로 자성 손실이 더 적도록 하는 것이 가능하다. 따라서 제1 자성 입자가 스피넬 -페라이트이며, 제2 자성 입자는 헥사-페라이트인 경우에 비하여 공통 모드 필터의 감쇠 효과 향상이 가능하다.
본 발명의 제2 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 제1 자성 입자와 제2 자성 입자가 서로 다른 입자 크기를 가질 수 있다.
예를 들어, 코일 주변부(121)에 포함되는 제2 자성 입자의 입자 크기는 하부 및 상부 커버층(110, 120)에 포함되는 제1 자성 입자의 크기보다 작을 수 있다.
필터층(120)을 제조하는 공정을 살펴보면, 코일 중심부(121a) 및 코일 외곽부(121b)는 관통 구조를 형성한 후에 관통 구조의 내부에 자성 입자 및 레진을 포함하는 자성 복합재 시트를 압착하여 충진을 진행하게 된다.
이 때, 관통 구조의 직경이 100 ㎛이내로 협소하기 때문에, 코일 주변부(121)의 일부가 충진되지 않는 부분이 형성되거나, 레진만 충진되어 투자율이 떨어지는 문제가 있다.
하지만, 본 발명의 제2 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 코일 주변부(121)에 포함되는 제2 자성 입자의 입자 크기는 하부 및 상부 커버층(110, 120)에 포함되는 제1 자성 입자의 크기보다 작기 때문에, 상술한 미충진 영역의 형성 문제 또는 레진만 형성된 영역이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 하부 및 상부 커버층(110, 130)에 포함되는 제1 자성 입자는 입자 크기가 제2 자성 입자보다 크기 때문에, 코일 주변부(121)보다 상대적으로 투자율이 높아 하부 및 상부 커버층(110, 130)에 포함되는 제1 자성 입자가 코일 주변부(121)의 투자율 감소를 보상해 줄 수 있다.
본 발명의 제2 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 제1 자성 입자는 스피넬-페라이트이고, 제2 자성 입자가 헥사-페라이트이거나, 이와 반대로 제1 자성 입자는 헥사-페라이트이고, 제2 자성 입자가 스피넬-페라이트일 수 있다.
또는, 상기 제1 자성 입자 및 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트 또는 스피넬-페라이트일 수 있다.
본 발명의 제3 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 코일 중심부(121a)는 제1 자성 입자를 포함하고, 코일 외곽부(121b)는 제2 자성 입자를 포함할 수 있다.
또한, 하부 및 상부 커버층(110, 130)도 코일 외곽부(121b)와 동일한 제2 자성 입자를 포함하는 것도 가능하다.
제1 및 제2 자성 입자는 서로 재료가 다르거나, 입자의 크기가 다른 자성 입자를 의미할 수 있다.
제1 자성 입자는 헥사-페라이트이며, 제2 자성 입자는 스피넬-페리이트일 수 있다.
공통 모드 필터의 저손실 전송 특성을 구현하기 위해서는 자성체를 공통 모드 필터의 상하부뿐만 아니라 내부에도 충진하여 폐자로를 형성하는 구조를 만들 필요가 있으며, 필요한 용량을 구현할 코일의 턴수 및 길이를 최대한 짧게 하여야 한다.
GHz 주파수 대역에서 동작하는 공통 모드 필터의 경우, 자성체의 투자율 저하와 자성 손실(Tan δ)의 증가로 인해 노이즈 감쇠 톡성이 저하되어 공통 모드 노이즈를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 있다.
따라서, 코일부(140)의 코어 부분에 해당하는 코일 중심부(121a)에 제1 자성 입자로 헥사-페라이트를 포함하는 경우, 고주파수 영역에서 저손실 특성을 가지게 되어 용량 구현에 필요한 코일 턴수를 최소화하여, 전송 손실을 최소화하고 동시에 고주파 영역에서 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 코일 주변부(121b)에 제2 자성 입자로 스피넬-페라이트를 포함하는 경우, 저주파수 영역에서 고 투자율을 가지게 될 수 있다.
즉, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 용량 구현에 필요한 코일 턴수를 최소화하여, 전송 손실을 최소화하고 동시에 고주파 영역에서 감쇠 특성을 향상시킬 수 있다.
또는, 제1 자성 입자가 스피넬-페라이트이며, 제2 자성 입자를 헥사-페라이트로 형성하여 목표하는 특성을 조절할 수 있다.
본 발명의 제4 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 제1 자성 입자와 제2 자성 입자가 서로 다른 입자 크기를 가질 수 있다.
예를 들어, 코일 중심부(121a)에 포함되는 제1 자성 입자의 입자 크기는 코일 외곽부(121b)에 포함되는 제1 자성 입자의 크기보다 작을 수 있다.
필터층(120)을 제조하는 공정을 살펴보면, 코일 중심부(121a) 및 코일 외곽부(121b)는 관통 구조를 형성한 후에 관통 구조의 내부에 자성 입자 및 레진을 포함하는 자성 복합재 시트를 압착하여 충진을 진행하게 된다.
이 때, 관통 구조의 직경이 100 ㎛이내로 협소하기 때문에, 코일 주변부(121)의 일부가 충진되지 않는 부분이 형성되거나, 레진만 충진되어 투자율이 떨어지는 문제가 있다. 특히, 코일 중심부(121a)에 일부가 충진되지 않는 부분이 형성되거나, 레진만 충진되는 경우에는 공통 모드 필터의 투자율이 감소에 미치는 영향이 더 크다.
하지만, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 코일 중심부(121a)에 포함되는 제1 자성 입자의 입자 크기는 코일 외곽부(121b)에 포함되는 제2 자성 입자의 크기보다 작기 때문에, 상술한 미충진 영역의 형성 문제 또는 레진만 형성된 영역이 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
또한, 코일 외곽부(121b)에 포함되는 제2 자성 입자는 입자 크기가 제1 자성 입자보다 크기 때문에, 코일 중심부(121a)보다 상대적으로 투자율이 높아 코일 외곽부(121b)에 포함되는 제2 자성 입자가 코일 주변부(121)의 투자율 감소를 보상해 줄 수 있다.
본 발명의 제4 실시 형태에 따른 공통 모드 필터(100)는 제1 자성 입자는 스피넬-페라이트이고, 제2 자성 입자가 헥사-페라이트이거나, 이와 반대로 제1 자성 입자는 헥사-페라이트이고, 제2 자성 입자가 스피넬-페라이트일 수 있다.
또는, 상기 제1 자성 입자 및 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트 또는 스피넬-페라이트일 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다. 또한, 각 실시 형태를 조합하는 것도 가능하는 경우에도 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 공통 모드 필터
110: 하부 커버층
120: 필터층
121: 코일 주변부
121a: 코일 중심부
121b: 코일 외곽부
130: 상부 커버층
140: 코일부
141, 142: 제1 및 제2 코일
151, 152, 153, 154: 외부 전극

Claims (10)

  1. 제1 자성 입자를 포함하는 하부 커버층;
    상기 하부 커버층의 상부에 배치되며, 복수의 코일을 포함하는 코일부와 제2 자성 입자를 포함하는 코일 주변부를 포함하는 필터층; 및
    상기 필터층의 상부에 배치되며, 상기 제1 자성 입자를 포함하는 상부 커버층;을 포함하는 공통 모드 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)이고, 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite)인 공통 모드 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite)이고, 상기 제2 자성 입자는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)인 공통 모드 필터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자의 입자 크기는 상기 제2 자성 입자의 입자 크기에 비해 큰 공통 모드 필터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자 및 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite) 또는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)인 공통 모드 필터.
  6. 하부 커버층;
    상기 하부 커버층의 상부에 배치되며, 복수의 코일을 포함하는 코일부와 코일 주변부를 포함하는 필터층; 및
    상기 필터층의 상부에 배치되는 상부 커버층;을 포함하고,
    상기 코일 주변부는 제1 자성 입자를 포함하는 코일 중심부 및 제2 자성 입자를 포함하는 코일 외곽부를 포함하는 공통 모드 필터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite)이고, 상기 제2 자성 입자는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)인 공통 모드 필터.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)이고, 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite)인 공통 모드 필터.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자의 입자 크기는 상기 제2 자성 입자의 입자 크기에 비해 작은 공통 모드 필터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 자성 입자 및 상기 제2 자성 입자는 헥사-페라이트(hexa-ferrite) 또는 스피넬-페라이트(spinel-ferrite)인 공통 모드 필터.
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