CN104700980B - 多层电子元件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 162
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 162
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 139
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000220317 Rosa Species 0.000 claims 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008458 Si—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- -1 Fe2O3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 210000004127 vitreous body Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/005—Impregnating or encapsulating
-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F5/00—Coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
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Abstract
本发明提供了一种多层电子元件及其制造方法。更具体地，本发明提供了一种多层电子元件及其制造方法，所述多层电子元件由于优异的磁特性可在高频下保持高的电感，同时具有优异的直流偏压特性和致密的精细结构，从而提高了所述多层电子元件强度。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求申请号为10-2013-0150823，于2013年12月5日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请的优先权，在此其全部内容作为参考引用入到本申请。
技术领域
本发明涉及一种多层电子元件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有优异的磁性能和改进的强度的多层电子元件及其制造方法。
背景技术
在电子元件中，电感器、用于配置电子电路的重要无源器件与电阻器和电容器一起被用来降噪或者作为元件构成LC谐振电路等。
用于智能手机、移动信息技术（IT）设备等中的功率电感器等无源器件，在1MHz或以上的相对较高的频段运行。因此，通过混合、煅烧和研磨多种被称为软磁铁氧体的金属氧化物（例如Fe2O3，NiO，CuO，ZnO等）而制得的软磁材料被广泛采用。
然而，最近，随着智能手机、移动IT设备等使用的增长，数据传输量显著增加，中央处理单元（CPU）的开关频率需要增加以允许高速的数据处理，且由于智能手机屏幕具有相对较大的尺寸和高分辨率等特点，移动设备的电力使用量等也大量增加。由于移动设备电力使用的增加，如功率电感器等无源器件的投入成倍增加，在如CPU、显示单元和电源管理模块等的驱动电路设计中，其应具有高功耗效率。
根据提高功率电感器效率等的要求，如上所述，通过用细金属粉末代替软磁铁氧体材料而能在1MHz或以上的较高的频段运行，且具有通过显著减小涡流损耗以获得改进的能量消耗效率和直流偏压特性等的功率电感器已经作为产品问世。
根据相关的技术，作为使用金属粉末的电感器存在薄膜电感器和绕线电感器两种。
通过将铜线经电镀的方法缠绕在印刷电路板（PCB）等的板上，将金属-环氧树脂混合料冲压成型，其中，金属粉末和环氧树脂彼此混合，以便包围铜线，并通过热处理对所述环氧树脂进行固化处理的方法来制造所述的薄膜电感器。
通过缠绕铜线，使用金属和环氧树脂彼此混合的复合材料封闭缠绕的铜线，在模具中使用高压将封闭缠绕的铜线冲压成型以获得芯片，然后通过热处理对所述环氧树脂进行固化处理来制造所述的绕线电感器。
与铁氧体多层电感器相比，使用上述的两种方法制造的电感器具有明显优异的直流偏压特性；且通过对电源管理集成电路（PMIC）模块设置等特性评估的结果，效率提高了几个或更多的百分点。
如上所述，为了同时确保除了传感器由于采用了金属粉末而得到的直流偏压特性和电感器的效率等优点之外的大批量生产的可能性，对金属磁性片多层电感器进行了研究。可以通过形成金属粉末和聚合物的均匀混合物作为片代替氧化物铁素体片，并在金属磁性片上经过通孔冲孔过程、内部导体印刷过程、堆叠过程、烧结过程等一系列的过程制造金属磁性片多层电感器。
在金属磁性片多层电感器中，直流偏压特性可能与薄膜电感器或绕线电感器的相同；然而，由于使用的金属材料在热处理时具有被氧化的物理特性，因此在芯片的烧结温度条件上存在限制。例如，在金属片多层体的烧结过程中，氧化层可能在金属粉末的表面形成，这种金属粒子表面的氧化层的产量可能通过控制烧结温度调整。氧化层用来抑制由于金属颗粒之间或金属颗粒与内部电极之间的电连接产生的绝缘击穿，以及用于通过在金属颗粒氧化层之间产生结合而增强芯片的强度。
然而，由于金属颗粒氧化层之间的结合力相对较弱且金属颗粒填充率不足，因此难以确保充分的芯片强度，因此，在安装时可能产生芯片击穿等问题。
专利文献1中公开了通过堆叠和烧结由含有金属磁性体、玻璃组分糊浆形成的磁性层和导电图案来制造多层电子元件。
然而，在专利文献1公开的多层电子元件中，玻璃组分可能在热处理过程中部分集中，同时，在热处理前的压缩处理期间的填充金属磁性材料方面，玻璃组分的加入可能是有问题的。这种在金属磁性材料填充时的缺点可能导致渗透性等的降低以及在作为电感装置时展现电感特性的限制。
相关的技术文献
专利文献1：日本专利特许公开号2007-027354。
发明内容
本发明的一方面提供了一种多层电子元件及其制造方法，所述多层电子元件由于优异的磁特性能够在高频下保持高电感，并具有优异的直流偏置特性和改进的强度。
根据本发明的一方面，多层电子元件可以包括：其中堆叠有多个金属磁性层的金属磁性体；和形成于所述金属磁性体内部的内部导电图案部分，其中，所述金属磁性体包括形成于其最外部分的玻璃吸收部分。
所述玻璃吸收部分可以形成于金属磁性体内部的上覆盖层、下覆盖层和边缘部分。
从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体表面的每个上覆盖层和下覆盖层的玻璃吸收部分的厚度可以为每个上覆盖层和下覆盖层厚度的30-80％。
从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体表面的边缘部分的玻璃吸收部分的厚度可以为边缘部分厚度的30-80％。
所述玻璃吸收部分可以含有由选自由SiO2、B2O3、V2O5、CaO、Al2O3、TiO2、ZrO2、K2O和Li2O组成的组中的至少一种形成的玻璃。
在所述玻璃吸收部分含有的玻璃的总组成中，选自由SiO2、B2O3和V2O5组成的组中的至少一种的含量可以为60摩尔％以上。
所述玻璃吸收部分的金属填充率可以为70体积％以上。
所述金属磁性体可以含有由合金形成的金属磁性颗粒，所述合金含有选自由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中的至少一种。
所述多层电子元件可以进一步包括金属磁性体表面上的玻璃绝缘层。
根据本发明的另一方面，多层电子元件可以包括：其中堆叠有多个金属磁性层的金属磁性体；和形成于所述金属磁性体内部的内部导电图案部分，其中，所述金属磁性体的最外部分可以由含有玻璃的致密层填充，且与所述金属磁性体的中央部分相比，所述致密层的金属填充率增加了10体积％以上。
从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体最外部分的致密层的厚度可以为每个上覆盖层和下覆盖层厚度的30-80％。
从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体最外部分的致密层的厚度可以为边缘部分厚度的30-80％。
所述致密层的金属填充率可以为70体积%以上。
根据本发明的另一方面，一种制造多层电子元件的方法，所述方法可以包括：制备多个金属磁性片；在所述金属磁性片上形成导电图案；堆叠并烧结上面形成有所述导电图案的金属磁性片，以形成金属磁性体；用玻璃溶液涂覆所述金属磁性体的表面；和热处理涂覆玻璃的金属磁性体，以在所述金属磁性体内部的最外部分形成玻璃吸收部分。
所述玻璃溶液可以含有5-20重量%的玻璃。
所述涂覆玻璃的金属磁性体可以含有1.0-4.0重量%的玻璃。
将所述涂覆玻璃的金属磁性体可以在600-750℃下进行热处理。
所述玻璃吸收部分的形成使得从所述金属磁性体表面起的玻璃吸收部分的厚度为每个上覆盖层和下覆盖层以及边缘部分厚度的30-80％。
附图说明
本发明的上述和其他方面、特征和其他优点将通过与附图结合的以下具体实施方式得到更清楚的解释，其中，
图1为根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的立体图；
图2为图1沿线条I-I’的横断面视图；
图3为根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的横断面视图；
图4为根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的横断面视图；
图5为使用扫描电子显微镜（SEM）通过观察图2中A部分和B部分的精细结构获得的照片；和
图6为流程图，显示了制造根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的方法。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的示例性实施方式进行详细的描述。
然而，本发明可以用许多不同方式例示，且不应解释为被限制于本发明所述的具体实施方式。另外，这些实施方式的提供使得本发明是彻底和完整的，并且能充分传达本发明的范围给本领域技术人员。
在图中，元件的形状和尺寸可以被放大以清楚，且相同的参考数字将被贯穿使用以指定相同或类似的元件。
为了清楚地描述本发明的示例性实施方式，定义了六面体的方向。附图中显示的L、W和T分别指长度方向、宽度方向和厚度方向。本发明中，所述厚度方向可以和磁性层堆叠的方向相同。
多层电子元件
在下文中，将描述根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件。本发明中，多层电感器将通过举例的方式进行说明，但本发明并不限于此。
图1为根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的立体图，图2为图1沿线条I-I’的横断面视图，图3和图4为根据本发明的另外示例性实施方式的多层电子元件的横断面视图。
参照图1至图4，根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件100可以包括：由多个金属磁性层通过堆叠形成的金属磁性体110，形成在金属磁性体中的内部导电图案部分120，和形成在金属磁性体110的两端表面上以电连接到内部导电图案部分120两端的外部电极130，其中，金属磁性体110可以包括形成在金属磁性体110内部的最外部分的玻璃吸收部分115。
金属磁性体110可以形成为在长度（L）方向上具有两个端表面、在宽度（W）方向上有两个侧表面、在厚度（T）方向上有两个主表面的六面体。所述金属磁性体110可以通过在厚度（T）方向上堆叠多个金属磁性层然后烧结所堆叠的金属磁性层形成。在这种情况下，金属磁性体110的形状和尺寸以及堆叠的金属磁性层的数量并不局限于在附图中所示出的示例性实施方式。
形成金属磁性体110的多个金属磁性层可以处于烧结状态。相邻的金属磁性层可以被整合以使它们之间的界限在不使用扫描电子显微镜（SEM）时是非显而易见的。
烧结后的金属磁性体110可以含有表面涂覆有氧化膜的金属磁性颗粒。所述金属磁性颗粒可以由软磁性合金形成，例如，含有选自由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中的至少一种的合金，且更优选地，为Fe-Si-Cr系的合金，但并不限于此。
内部导电图案部分120可以通过印刷导电浆料形成，所述导电浆料含有处于多个金属磁性层（以预设的厚度在厚度（T）方向堆叠）上的导电金属；且对所述导电金属没有特别限定，只要其具有优异的导电性即可；例如，银（Ag）、钯（Pd）、铝（Al）、镍（Ni）、钛（Ti）、金（Au）、铜（Cu）、铂（Pt）等可以单独使用，或可以使用其混合物。
通孔（via）可以在印刷有内部导电图案的每个金属导电层的预定位置形成。形成在单独的金属导体层的内部导电图案可以通过所述通孔彼此电连接以形成单线圈。
金属磁性体110可以由主动部分（active part）形成，所述主动部分包括形成于其中的内部导电图案部分120和形成于所述主动部分的上表面和下表面的上覆盖层和下覆盖层，其中，所述主动部分有助于形成电感。另外，未形成内部导电图案部分120的边缘部分可以沿长度（L）方向和宽度（W）方向形成在金属磁性体110的端部。
玻璃吸收部分115可以形成在金属磁性体110内部的最外部分；其中，所述最外部分是指金属磁性体110内部介于金属磁性体110表面和从金属磁性体110的表面以预定深度向内定位的部分。例如，玻璃吸收部分115可以形成在金属磁性体110的上覆盖层和下覆盖层以及边缘部分。
可以通过在金属磁性体110的表面涂覆玻璃溶液，然后在其上进行热处理以允许玻璃被吸收到金属磁性体110的最外部分来形成玻璃吸收部分115。由于被吸收的玻璃液的流动，玻璃吸收部分115的金属磁性颗粒可能部分重排，以致颗粒之间的间隔可能减小，且玻璃可能会部分填充所述金属磁性颗粒之间的开放孔，以形成致密的结构，从而提高了强度。
形成在金属磁性体110的上覆盖层和下覆盖层的玻璃吸收部分115的形成使得从金属磁性体110的表面起的玻璃吸收部分115的厚度是上覆盖层厚度tc1和下覆盖层厚度tc2的30-80％。
由于玻璃的深度浸润，从而增加了玻璃吸收部分115的区域，金属磁性体110的强度可能得到进一步提高；然而，由于使玻璃液深度浸润到芯片的热处理时间增加，所述金属磁性体中的金属颗粒可能额外地被氧化，导致电感可能降低。因此，为了在保持优异的电感和效率等的同时提高强度，形成玻璃吸收部分115是至关重要的。
在形成的玻璃吸收部分115的厚度小于上覆盖层厚度tc1和下覆盖层厚度tc2各自的30％的情况下，强度的改善可能是不显著的，导致芯片可能破坏；在形成的玻璃吸收部分115的厚度大于它们的80％的情况下，所述金属磁性体可能额外地被氧化，导致电感可能显著下降。
另外，形成在金属磁性体110边缘部分的玻璃吸收部分115的形成使得从金属磁性体110的表面起的玻璃吸收部分115的厚度为边缘部分厚度tm的30-80％。
在形成的玻璃吸收部分115的厚度小于边缘部分厚度tm的30％的情况下，强度的改善可能是不显著的，导致芯片可能易碎；在玻璃吸收部分115的厚度大于它的80％的情况下，所述金属磁性体可能额外地被氧化，导致电感可能显著下降。
玻璃吸收部分115中的玻璃可以含有由选自由SiO2、B2O3、V2O5、CaO、Al2O3、TiO2、ZrO2、K2O和Li2O组成的组中的任意一种形成的玻璃。在这种情况下，考虑到提高强度，形成元件（构成玻璃的骨架结构）的网络（network）含量为60摩尔％以上。形成元件的网络的例子可以包括SiO2、B2O3和V2O5等。
在玻璃吸收部分115中，由于被吸收的玻璃液的流动，所述金属磁性颗粒可能部分重排，导致金属磁性颗粒之间的间隔可能减小，且玻璃可能会部分填充金属磁性颗粒之间的开放孔，以形成致密结构。因此，玻璃吸收部分115的金属填充率可以为70体积％以上。
包括玻璃吸收部分115的金属磁性体110的最外部分可以比其中心部分113致密，因此，与中央部分113相比，其金属填充率提高了10体积％以上。
图5为使用扫描电子显微镜（SEM）观察图2中A部分和B部分的精细结构获得的照片。
参照图5，可以确认金属填充率明显提高，且与没有吸收玻璃的中央部分113相对应的A部分相比，与玻璃吸收部分115相对应的B部分显示了致密的结构。
由于金属磁性体110由没有吸收玻璃的中央部分和吸收了玻璃成分的最外部分形成，从而形成了金属填充率提高了10体积％以上的致密层，可以获得高的电感值，且金属磁性体110的强度可以显著提高。
玻璃绝缘层140可以形成在金属磁性体110的表面上。可以形成在金属磁性体110表面上的玻璃绝缘层140的厚度为5μm以下，且玻璃绝缘层140中的玻璃可以含有由选自由SiO2、B2O3、V2O5、CaO、Al2O3、TiO2、ZrO2、K2O和Li2O组成的组中的至少一种形成的玻璃。
所述氧化膜可以形成在构成金属磁性体110的金属磁性颗粒的表面上，从而使金属磁性颗粒彼此隔离。然而，在氧化膜形成得不恰当或芯片表面被破坏的情况下，通过暴露的金属磁性粒子可能产生电短路，且可能产生电镀扩散等的缺陷。因此，在金属磁性体110的表面上形成玻璃绝缘层140可以预防电路短路和电镀扩散。
外部电极130可以形成在金属磁性体110的至少一端表面上，并且可以由与内部导电图案部分120相同的导电材料形成，但并不局限于此。例如，作为导电材料，铜（Cu）、银（Ag）、镍（Ni）等可以单独使用或可以使用它们的混合物。内部导电图案部分120可以和外部电极130电连接，且在形成玻璃绝缘层140的情况下，内部导电图案部分120的部分可以穿透玻璃绝缘层140，从而被电连接到外部电极130。
多层电子元件的制备方法
图6为流程图，显示了制造根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件的方法。
参照图6，首先，通过应用由金属磁性粒子和有机材料混合形成的浆料到载体膜上并干燥来制备多个金属磁性片。
所述金属磁性粒子可以由软磁合金制成，例如，含有选自由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中的至少一种的合金，更优选地，为Fe-Si-Cr系合金，但并不限于此。
通过混合所述金属磁性颗粒、粘合剂和溶剂以制备浆料，并通过刮刀法将制备的浆液制成几微米厚的薄片来制造所述的金属磁性片。
接着，制备含有导电金属粉末的导电浆料。对导电金属粉末没有特别限制，只要其具有优异的导电性即可。例如，银（Ag）、钯（Pd）、铝（Al）、镍（Ni）、钛（Ti）、金（Au）、铜（Cu）和铂（Pt）等可以单独使用或使用它们的混合物。
可以通过印刷等方法将导电浆料涂覆到金属磁性片上制成内部导电图案。作为所述导电浆料的印刷方法，可以使用丝网印刷法、凹版印刷法等方法，但本发明并不限于此。
可以在印刷有内部导电图案的每个金属导电层的预定位置形成通孔，且形成在所述金属导体层中的内部导体图案可以通过通孔彼此电连接，以形成单线圈。
印刷有内部导电图案的金属磁性片可以堆叠形成主动部分，且没有内部导电图案的金属磁性片可以堆叠在所述主动部分的上表面和下表面，然后，将它们进行压制和烧结，从而形成金属磁性体。
接着，可以用玻璃溶液涂覆所述金属磁性体的表面。
可以通过将玻璃粉末、聚合物粘结剂和有机溶剂（如乙醇等）混合制成所述的玻璃溶液。
经热熔过程制备粉末混合物后，通过冷却和研磨熔化物可以制备所述的玻璃粉末，所述粉末混合物含有选自由SiO2、B2O3、V2O5、CaO、Al2O3、TiO2、ZrO2、K2O和Li2O组成的组中的至少一种，且所述玻璃粉末需要具有耐化学性，以便不被溶解在有机溶剂中。
在这种情况下，考虑到提高强度，形成元件（构成玻璃的骨架结构）的网络的含量为60摩尔％以上可能是有利的。形成元件的网络的例子可以包括SiO2、B2O3和V2O5等。
涂覆在所述金属磁性体表面上的玻璃的含量可以根据玻璃溶液中玻璃粉末的含量和涂层的数量进行调整，且可以为1.0-4.0重量％。为此，可以使用含有5-20重量％玻璃粉末的玻璃溶液，并可以调整涂层的数量。在涂覆在金属磁性体表面上的玻璃的含量小于1.0重量％的情况下，金属磁性体吸收玻璃的量可能小，导致可能难以形成致密层。在玻璃的含量大于4.0重量％的情况下，所述金属磁性颗粒可由于玻璃液过量而额外地被氧化，导致电感可能降低，且在芯片上由于成块的玻璃部分结晶化引起斑点等的产生，因此产生芯片的外观缺陷。
为了将玻璃涂覆在所述金属磁性体的表面，可以通过喷雾注射法使用玻璃溶液；或者可以反复多次进行将金属磁性体浸润到玻璃溶液中，然后将所述金属磁性体取出的方法。
然后，可以将涂覆玻璃的金属磁性体进行热处理，以使玻璃吸收部分可以形成在金属磁性体的最外部分。
将表面涂覆玻璃的金属磁性体进行热处理时的温度应当等于或大于玻璃粉末表现出粘性流行为时的温度，以使玻璃粉末可以流动同时具有预定的粘度来重排所述的金属磁性颗粒和填充金属磁性颗粒之间的开孔，从而形成具有致密精细结构的玻璃吸收部分。
在这种情况下，所述热处理的温度可以为600-750℃。在热处理温度小于600℃的情况下，所述玻璃粉末不具有粘性流行为，因此，可能不容易控制金属磁性体吸收的玻璃粉末的吸收深度。在热处理温度高于750℃的情况下，所述金属磁性颗粒可能额外地被氧化，导致电感可能降低。
对热处理的时间没有特别的限定，但金属磁性体的表面可以保持在热处理温度10-30分钟，以使玻璃吸收部分可以形成在金属磁性体的最外部分。
同时，在涂覆玻璃后的热处理过程中，残留在玻璃涂层的有机材料（例如玻璃溶液中的聚合物粘结剂）可能会留下碳残余物，或变成气体（如二氧化碳等）在热处理期间形成气泡等，从而降低质量。因此，该制造方法可以进一步包括：约在有机粘合剂分解温度（该温度低于热处理温度）下，解粘（de-binding）有机粘合剂。
在允许玻璃被吸收到所述金属磁性体的最外部分时，所述玻璃吸收部分的厚度的形成可以通过控制涂覆玻璃的含量、热处理的温度和时间等进行调整。由于玻璃的深度浸润，从而增加了玻璃吸收部分的区域，芯片的强度可以进一步提高；然而，因为增加了玻璃液深度浸润至芯片的热处理时间，所述金属磁性体内的金属颗粒可能额外地被氧化，并因此可能使电感降低。因此，形成玻璃吸收部分以提高芯片的强度，同时保持芯片优异的电感和效率是很重要的。
形成于金属磁性体上覆盖层和下覆盖的玻璃的吸收部分可以调整，以使从金属磁性体的表面起的玻璃吸收部分的厚度分别是上覆盖层厚度tc1和下覆盖层厚度tc2的30-80％。
而且，形成在金属磁性体边缘部分的玻璃吸收部分可以调整，以使从金属磁性体的表面起的玻璃吸收部分的厚度为边缘部分厚度tm的30-80％。
玻璃绝缘层可以形成在所述金属磁性体的表面上。涂覆在金属磁性体上的玻璃的部分可以在金属磁性体的表面形成厚度为5μm以下的玻璃绝缘层，但本发明并不限于此。
包括通过热处理形成的玻璃吸收部分的金属磁性体可以被抛光，使得可以去除残留在表面的析晶化的和结晶化的玻璃区域。然后，可以洗涤和干燥抛光的金属磁性体，并可以通过应用和烧结导电材料在其上形成外部电极。所述外部电极可以由铜（Cu）、银（Ag）和镍（Ni）镀层中的一种或其混合物形成，且锡（Sn）或镍（Ni）的镀层可以形成在所述外部电极上。
所述金属磁性体上涂有玻璃，然后进行热处理。即使存在位于金属磁性片多层体各层间的分层或裂缝等缺陷，缺陷部分也可以由于玻璃液的浸润而得到弥补，且足够的强度可以阻止在后处理过程（例如，芯片抛光过程、电镀过程、外部电极印刷过程和电极烧结过程等）中芯片的击穿。
如上所述，根据本发明的示例性实施方式的多层电子元件由于优异的磁特性，可以在高频下保持高的电感，具有良好的直流偏压特性和致密的精细结构，从而提高了强度。
虽然已经对示例性实施方式进行了展示和描述，但对于本领域技术人员来说，在不脱离本发明的精神和附加的权利要求所限定的范围内进行的修改和变化是显而易见的。
Claims (15)
1.一种多层电子元件，所述多层电子元件包括：
其中堆叠有多个金属磁性层的金属磁性体；和
形成于所述金属磁性体内部的内部导电图案部分，
其中，所述金属磁性体包括形成于其最外部分的玻璃吸收部分；
所述玻璃吸收部分包括金属磁性颗粒和在所述金属磁性颗粒之间的被玻璃填充的开放孔；
所述玻璃吸收部分形成于金属磁性体内部的上覆盖层和下覆盖层，并且从所述金属磁性体表面起的形成于上覆盖层和下覆盖层中的每个中的玻璃吸收部分的厚度为上覆盖层和下覆盖层中的每个的厚度的30-80％。
2.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述玻璃吸收部分还形成于金属磁性体内部的边缘部分。
3.根据权利要求2所述的多层电子元件，其中，从所述金属磁性体表面起的形成于边缘部分的玻璃吸收部分的厚度为边缘部分厚度的30-80％。
4.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述玻璃吸收部分含有由选自由SiO2、B2O3、V2O5、CaO、Al2O3、TiO2、ZrO2、K2O和Li2O组成的组中的至少一种形成的玻璃。
5.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，在所述玻璃吸收部分含有的玻璃的总组成中，选自由SiO2、B2O3和V2O5组成的组中的至少一种的含量为60摩尔％以上。
6.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述玻璃吸收部分的金属填充率为70体积％以上。
7.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述金属磁性体含有由合金形成的金属磁性颗粒，所述合金含有选自由Fe、Si、Cr、Al和Ni组成的组中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述多层电子元件进一步包括金属磁性体表面上的玻璃绝缘层。
9.一种多层电子元件，所述多层电子元件包括：
其中堆叠有多个金属磁性层的金属磁性体；和
形成于所述金属磁性体内部的内部导电图案部分，
其中，所述金属磁性体的最外部分由含有玻璃的致密层填充，且
其中，从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体最外部分的致密层的厚度为上覆盖层和下覆盖层中的每个的厚度的30-80％。
10.根据权利要求9所述的多层电子元件，其中，与所述金属磁性体的中央部分相比，所述致密层的金属填充率增加了10体积％以上。
11.一种多层电子元件，所述多层电子元件包括：
其中堆叠有多个金属磁性层的金属磁性体；和
形成于所述金属磁性体内部的内部导电图案部分，
其中，所述金属磁性体的最外部分由含有玻璃的致密层填充，且与所述金属磁性体的中央部分相比，所述致密层的金属填充率增加了10体积％以上，并且
其中，从所述金属磁性体表面起的形成于金属磁性体最外部分的致密层的厚度为边缘部分厚度的30-80％。
12.一种制造多层电子元件的方法，所述方法包括：
制备多个金属磁性片；
在所述金属磁性片上形成导电图案；
堆叠并烧结上面形成有导电图案的金属磁性片，以形成金属磁性体；
用玻璃溶液涂覆所述金属磁性体的表面；和
热处理涂覆玻璃的金属磁性体，以在所述金属磁性体内部的最外部分形成玻璃吸收部分，
其中，所述玻璃吸收部分包括金属磁性颗粒和在所述金属磁性颗粒之间的被玻璃填充的开放孔；并且
所述玻璃吸收部分的形成使得从所述金属磁性体表面起的玻璃吸收部分的厚度为上覆盖层、下覆盖层以及边缘部分中的每个的厚度的30-80％。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述玻璃溶液含有5-20重量％的玻璃。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述涂覆玻璃的金属磁性体含有1.0-4.0重量％的玻璃。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，将所述涂覆玻璃的金属磁性体在600-750℃下进行热处理。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130150823A KR101525698B1 (ko) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 적층형 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR10-2013-0150823 | 2013-12-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104700980A CN104700980A (zh) | 2015-06-10 |
| CN104700980B true CN104700980B (zh) | 2018-03-16 |
Family
ID=53271868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410076681.XA Active CN104700980B (zh) | 2013-12-05 | 2014-03-04 | 多层电子元件及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9378884B2 (zh) |
| KR (1) | KR101525698B1 (zh) |
| CN (1) | CN104700980B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101580411B1 (ko) * | 2014-09-22 | 2015-12-23 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품 및 칩 전자부품의 실장 기판 |
| KR101652850B1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-31 | 삼성전기주식회사 | 칩 전자부품, 그 제조방법 및 이를 구비한 기판 |
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| KR20180058634A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품 |
| JP2018182209A (ja) * | 2017-04-19 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
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| CN102915825A (zh) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | 太阳诱电株式会社 | 积层电感器 |
| CN103050263A (zh) * | 2011-10-14 | 2013-04-17 | 株式会社村田制作所 | 电子器件及其制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101525698B1 (ko) | 2015-06-03 |
| CN104700980A (zh) | 2015-06-10 |
| US20150162124A1 (en) | 2015-06-11 |
| US9378884B2 (en) | 2016-06-28 |
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