TWI254300B - Information recording medium and method for producing the same - Google Patents

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1254300 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圏式簡單說明） 關聯申請案之相互參照 本申請案據日本專利申請第2002-75731號（2002年3 月19日申請，發明名稱：資訊記錄媒體及其製造方法）而 5 主張巴黎條約所規定之優先權，藉該引用，記載於上述申 請案之内容構成本說明書之一部分。 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於以光學性或電性來記錄、消去、改寫 及播放資訊之資訊記錄媒體及其製造方法者。 10 【先前技術】 發明人開發了可作為數據檔案及圖像檔案使用之大容 量之改寫型相變化資訊記錄媒體之4.7GB/DVD-RAM，該 負δίΐ s己錄媒體已經商品化。 該4.7GB/DVD-RAM揭示於例如日本專利公開公報 15 2001-322357號中。該公報中所揭示之DVD-RAM之構成 顯示於第10圖。第1〇圖所示之資訊記錄媒體31具有：在 基板1之一側表面上依序形成有第1介電體層1〇2、第1 界面層103、記錄層4、第2界面層1〇5、第2介電體層 1〇6、光吸收補正層7及反射層8之7層構造。該資訊記錄 20媒體中，第1介電體層存在於較第2介電體層更接近入射 之雷射光之位置。第1界面層與第2界面層也有相同關係 如此在本5兒明書中，當資訊記錄媒體含有具相同機能 之層在2層以上時，則從接近入射之雷射光側者開始依序 稱為「第1」、「第2」、「第3」…。 1254300 玖、發明說明 第1介電體層102與第2介電體層1〇6具有調節光學 距離、提高紀錄層4之光吸收效率、擴大晶體相反射率與 非晶質相反射率之差、擴大訊號振幅之機能。已往作為介 電體層之材料來使用之ZnS-20mol%Si〇2 (本說明書中亦以 5 ( ZnS ) 80 ( Sl〇2) 20來表示）係非晶質材料，熱傳導率报 低，透明且具咼折射率。又，ZnS-20mol%Si〇2在膜形成時 之成膜速度很快，機械特性及耐濕性也很良好。如此， ZnS_20mol%Si〇2是在形成介電體層上很適宜之優異材料。 第1介電體層102及第2介電體層1〇6之熱傳導率若 10太低，則雷射光入射時在記錄層4產生之熱會難以擴散到 介電體層102或1〇6之面内方向，而在厚度方向從記錄層 4朝反射層8迅速擴散。尤其是當第2介電體層1〇6之熱 傳導率很低時，記錄層4與反射層8之間藉第2介電體層 106而進一步被隔熱。記錄層4與反射層8之間之隔熱程 15度越大，記錄層4就會在更短的時間内冷卻，而容易形成 非晶質記號（記錄記號）。當記錄記號很難形成時，必須以 顛值功率記錄，而記錄記號很容易形成時，則可以低顛值 功率圮錄。當介電體層之熱傳導率很低時，由於可以低顛 值功率記錄，故資訊記錄媒體之記錄感度變高。另一方面 2〇 ，當介電體層之熱傳導率很高時，由於可以高顛值功率記 錄，故資訊記錄媒體之記錄感度變低。而資訊記錄媒體中 之’丨電體層係以薄得無法精度良好地測量熱傳導率之薄膜 型態存在。因此，發明人採用資訊記錄媒體之記錄感度來 作為彳于知介電體層之熱傳導率大小之相對性判斷基準。 1254300 玖、發明說明 記錄層4係採用含Ge_Sn-Sb_Te《高速晶體化之材料 而形成。具有該材料作為記錄層4之資訊記錄媒體不僅且 有優異之初期記錄性能，也具有優異之記錄保存性及改寫 保存性。相變化資訊記錄媒體係利用記錄層4在晶體相與 5非晶質相之間產生可逆性相變化，來進行資訊之記錄、消 去及改寫。將高功率之雷射光（颠值功率）照射於記錄層 4並急速冷卻，則照射部變為非晶質相，形成記錄記號。 若照射低功率之雷射光（偏壓功率）並將記錄層升溫再徐 冷，則照射部變為晶體相，6記錄之資訊即消去。藉由在 1〇顛值功率等級與偏壓功率等級之間將已進行功率調制之雷 射光照射於記錄層，可消去已記錄之f訊並同時改寫為新 資訊。反覆改寫性能係以抖動值在實用上沒有問題之範圍 内可重複改寫之最大次數來表示。可說該次數越多，反覆 改寫性能就越好。特別是數據檔案用之資訊記錄媒體，多 15 希望具有優異之反覆重寫性能。 第1界面層103及第2界面層105具有防止在第1介 電體層102與記錄層4之間、及第2介電體層106與記錄 層4之間所產生之物質移動的機能。在此所謂物質移動係 指於記錄層照射雷射光反覆改寫之間，第1及第2介電體 20層所含之ZnS-20mol%Si〇2之S逐漸擴散至記錄層之現象 。多量之S —旦擴散至記錄層，會引起記錄層之反射率降 低’使反覆改寫性此惡化。這種現象已為人知（參照 N.Yamada et al Japanese Journal of Applied Physics Vol.37 ( 1998 ) pp.2104-2110 )。又，日本專利公開公報平他 1254300 玖、發明說明 275360號及國際公開第w〇97/34298pamphlet中揭示了 使用含Ge之氮化物來形成防止該現象之界面層。 光吸收補正層107之作用在於調整記錄層4為晶體狀 態時之光吸收率Ac與非晶質狀態時之光吸收率Aa之比 Ac/Aa ’使改寫時記號形狀不致扭曲。反射層8光學性方 面具有增大被記錄層4所吸收之光量之機能，而在熱性質 方面，則具有使產生於記錄層4之熱迅速擴散並急速冷卻 而使吕己錄層4容易非晶質化之機能。反射層8更具有在使 用環境下保護多層膜之機能。 1〇 如此，第10圖所示之資訊記錄媒體，係作成積層了各 自如上所述發揮機能之7層之構造，藉此在4.7GB這大容 ®中，確保優異之反覆改寫性能與高可靠性，而達到商品 化者。 又從以則就提案了各種適用於資訊記錄媒體之介電 15體層之材料。例如日本專利公開公報5•顧15號中，揭示 有在光f訊記錄媒體中，耐熱保護層是藉具有ΐ6〇〇κ以上 之熔點之回熔點元素與低鹼玻璃之混合物形成。同公報中 例舉了 Nb、Mo、Ta、Ti、Cr、Zr及Si作為高熔點元素 又同公報中，揭示了低鹼玻璃係以si02、BaO、B2〇3 20或八12〇3為主成分者。 曰本專利公開公報平5·159373號中，揭示了在光資訊 °己錄媒體中’耐熱保護層S藉炼點比Si高之氮化物、碳化 物氧化物、硫化物當中之至少】種化合物與低驗玻璃之 口物开V成。同公報中，例舉了 Nb、Zr、Mo、Ta、Ti、 1254300 玖、發明說明

Cr S · r、1、Zn、A1之碳化物、氧化物、硫化物作為高熔點之 化合物。又’同公報中，揭示了低鹼玻璃是以Si02、BaO 、B2〇3 ' a12〇3為主成分者。 曰本專利公開公報平8-77604號中揭示了在播放專用 5之貢訊記錄媒體中，介電體層是藉由選自由Ce、La、Si、 In、A1、Ge、Pb、Sn、Bi、Te、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、V、 Nb、Cr及W構成之群之至少1種元素之氧化物、選自由 Cd ' Zn、Ga、In、Sb、、Sn、pb、Bi 構成之群之至少工 種几素之硫化物或硒化物等所形成。 1〇 日本專利公開公報2001-67722號中揭示了在光記錄媒 體中’第1界面控制層及第2界面控制層是從含有由A1、

Sl、Τι、Co、Ni、Ga、Ge、Sb、Te、In、Au、Ag、Zr、Bi 、Pt ' Pd ' Cd、P、Ca、Sr、Cr、γ、Se、La、Li 構成之元 素群中之1種以上之氮化物、氧化物、碳化物及硫化物中 選擇。 日本專利公開公報平8_18〇458號中，揭示了含有··硫 族元素化合物（具體是由Zns、ZnSe、ZnTe構成之群中選 出之至少1種）、稀土類氟化物（具體是由Ριηρ3、SmF3、

EuF3、GdF3、TbF3、DyF3、LaF3、CaF3、PrF3、NdF3 構成 20之群中選出之至少1種）與金屬氧化物（具體是由Si02、 τ&2〇5、Zr〇2、Y2〇3構成之群中選出之至少1種）之介電 體層，顯示在多數次反覆記錄消去上很有效。

曰本專利公開公報平9-259468號中，揭示了含有：Π a族金屬之硫化物或硒化物（Mgs、CaS、SrS、BaS、RaS 10 1254300 玖、發明說明 、MgSe、CaSe、SrSe、BaSe、RaSe)中選出之至少 1 種與 從耐熱化合物（A卜 Si、Ge、Y、Zr、Ba、Ta、Nb、V、W 、Hf、Sc、或鑭系金屬之氧化物、A1、Si、Ge、Ta、B之 氮化物、Mg、Ca、Nd、Tb、La之氟化物、si、B之碳化 5物）中選出之至少1種之介電體層。含有該介電體層之資 訊記錄媒體若為記錄型（recordable)媒體時，則數據保存 女疋性很優異’而若為改寫型（rewritabie )媒體時，則可 進行多數次之反覆記錄消去。 發明欲解決之課題 10 如上所述，當使用ZnS_20mol%SiO2形成第1及第2 介電體層時，為了防止S擴散，在介電體層與記錄層之間 需要界面層是必然的。然而，若考慮到媒體之價格，構成 媒體之層數即使減少1層也是好的。層數一旦減少，即可 實現藉材料費之削減、製造裝置之小型化及製造時間縮短 15所達成之生產量之增加，並牽涉到媒體之價格降低。 本發明人就第1界面層與第2界面層中至少去除j個 介面層之可能性進行檢討，作為減少層數的方法之一。界 面層之厚度為2nm〜5nm之極薄之層，構造性很弱。因此， 在反覆記錄之間產生膜破壞，結果容易引起原子擴散。於 20是，去除界面層就資訊記錄媒體之安定性這點看來也是較 佳的。不過，發明人考慮到，在沒有界面層之情況下，必 須用ZnS-20mol%Si〇2以外之材料形成介電體層，以避免 因反覆記錄所導致之S從介電體層擴散到記錄層之情形。 更，就介電體層之材料而言，最好能與硫族元素化合物材 11 1254300 玖、發明說明 、可得到與上述7層構造者同等 月具兩溶點以至記錄時不炼化 料之記錄層之密著性良好 或以上之高紀錄感度、透 、且安定以至不因熱而分解。 【日月内】 本發明是以提供-種資訊記錄媒體為主要課題而作成 者，該資訊記錄媒體設置有介電體層並具優異之反覆改寫 性能’該介電體層係即使形成為不設置界面層而與記錄層 直接相接’物質仍不會從介電體層朝記錄層移動、且與記 錄層之密著性良好者。 10 皆未言及物質從介電體層移動到 須留意的是，這些公報並未具體 又，上述每份文獻中 記錄層之問題。因此，必 教授本發明欲解決之課題及解決_題之方法；亦即具體 之組成。 發明人如後述之實施例中所說明的，使用各種化合物 15形成介電體層，評價介電體層對記錄層之密著性、舆資訊 記錄媒體之反覆改寫性能。結果，得知當不隔著界面層而 直接於記錄層之上下設置介電體層，且為容易擴散至記錄 層之介電體層，例如以習知之ZnS_2〇m〇i%si〇2形成介電 體層時，對記錄層之密著性雖然很好，但媒體之反覆改寫 20性能很差。又，例如，Zr〇2由於熱傳導率很低且熔點高， 故若以之作為介電體層使用，則可提高資訊記錄媒體之記 錄感度，又可確保優異之反覆改寫性能。然而，也得知了 使 2 $成介電體層時，對記錄層之密著性很差這個結 /、他各種氧化物、氮化物、硫化物、硒化物及氟 12 1254300 玖、發明說明 化物，針對使介電體層與記錄層相接而形成之資訊記錄媒 體’評價介電體層對記錄層之密著性及反覆改寫性能。然 而，使用1種類之氧化物、氮化物、硫化物、碼化物或氣 化物形成介電體層時，無法兼顧良好之密著性與良好之反 5 覆改寫性能。 於是’發明人首先研討組合不含S之2種類以上之化 合物，形成介電體層之事宜。結果，發現到特定之氧化物 與特定之氟化物之組合，很適宜作為與記錄層相接之介電 體層之構成材料，而完成了本發明。 10 亦即，本發明係提供一種資訊記錄媒體，包含基板及 。己錄層，而该圯錄層藉照射光或施加電能而於晶體相與非 晶質相之間產生相變化者，其更含有氧化物·氟化物系材料 層，該氧化物-氟化物系材料層含有：選自由Ti、Zr、、 Nb Ta、Cr及Si構成之群GM之至少i種元素；氧原子 ,選自由 La、Ce、pr、Nd、Gd、Dy、H〇、Er 及外構成 之群GL之至少1種元素；及氟原子。 本發明之貢訊記錄媒體係藉由照射光、或施加電能， 而口己錄播放資成之媒體。一般來說，光之照射係藉由照射 雷射光（亦即雷射光束）來實施，而電能之施加係藉由於 20 5己錄層施加電壓來實施。以下，更具體說明構成本發明之 資訊記錄媒體之氧化物遣化物系材料層。 構成本發明之資訊記錄媒體之氧化物-氣化物系材料層 ’具體來說’含有以下式·

MhC^LjFk (原子％)…（i ) 13 1254300 玖、發明說明 (式中，M表示選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr及 Si構成之群GM之至少i種元素，L表示選自由、Ce、 5 10 15 20

Pf、Nd、Gd、W、Ho、Er及Yb構成之群GL之至少i種 一素 H I、j 及 K 滿足 19、0<KS 48 ) 表不之氧化物_氟化物系材料。在此所謂「原子％」，式（1 )顯示以合計「M」原子、氧原子、「L」原子及氟原子之 數為基準（1GG%)所表示之組成式。在後述之式中，「原 子％」之表示也以相同主旨來使用。又，式（1)是僅計算

乳化物-氟化物系、材料層中所含之「M」原子、氧原子、「L 」原:及氟原子而顯示者。因此，含有以式⑴所示之材 料之氧化物·氟化物系材料包含了這些原子以外之成分。 在式（1)中，不論各原子作為何種化合物存在。之所 以以k種形式特定材料’是基於在調查以薄膜形成之層之 、、且成之際，很難求得化合物之組成，現實上，大多只求元 素組成（亦即各原子之比例）。以式⑴表示之材料中， 70素Μ幾乎皆與氧原子一起作為氧化物存在，元素l則幾 乎皆與氟原子一起作為氟化物存在。因此，本說明書中， 含有以式⑴顯示之材料之層，也權宜地稱為「氧化物_ 氟化物系材料層」。 本發明之資訊記錄媒體為光記錄媒體時，含有選自群 GM之凡素、氧原子、選自群沉之元素及氣原子之氧化 物-氟化物系材料層（以下亦稱「氧化物氟化物系材料層」 )適宜在與記錄層鄰接之2個介電體層中，作為任一方之 14 I2s43〇〇 玖、發明說明 介電體層存在，而作為兩方之介電體層存在則更佳。構成 群GM之元素；亦即Tl、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr& si之氧 化物，每一個皆為熔點高、熱安定性優異。含有該熱安定 $性優異之材料之層係即使在含該層之資訊記錄媒體反覆改 寫資訊，也不易低劣化，耐久性優異，又，構成群之 元素，亦即 La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、H〇、Er 及 Yb 之 虱化物，每一個皆不溶於水，顯示出優異之耐濕性。又， 這些氣化物每-個皆與硫族元素化物材料之記錄層密著良 好。因此，以混合該氧化物與該氟化物之氧化物·氣化物系 10材料來形成介電體層之資訊記錄媒體中， (1) 可使不含s之介電體層良好地密著於記錄層而形 成，故不需界面層； (2) 可賦予資訊記錄媒體與第1〇圖所示之習知之資 訊記錄媒體相同程度或以上之對反覆改寫之財久性及耐濕 15 性； (3 )由於氧化物與氟化物相混合而構造變得複雜，故 層之熱傳導率變小，藉此可得到使記錄層急速冷卻、記錄 感度變高之效果。 本發明之資訊記錄媒體中，氧化物_氟化物系材料層亦 20可為含有作為選自前述群GM之元素之選自纟Ti、&、財 及Ta構成之群GM1之至少i種元素及，並含有作為選 自刖述群GL之元素之選自由La、Ce、pr、及則構成之 群gli之至少！種元素，且含有以下式（2): M'CrQO^FK (原子％)…（2) 15 1254300 玖、發明說明 (式中，M1表示選自GM1之至少！種元素，l1表示 選自GL1之至少1種元素，P、Q、I、J及κ滿足〇<Ρ^ 38、〇<Q^45、24$d〇SJ$19、0<Κ^48) 表不之材料者。 5 丁1、Zr、Hf及丁a在構成群GM之元素當中，會形成 』示出’、有車乂冋之蟓點且較優異之熱安定性之氧化物。因 此本況明書中，特別將這些元素構成之群稱為，與 其他元素區別。〇由於其氧化物與硫族元素化合物材料所 形成之。己錄層之搶著性很優異，故很適宜作為選自群⑽ 10之70素來構成氧化物遗化物系材料層。La、以、卜及

Nd係如上所迷，其氣化物不溶於水且耐濕性優異，再加上 於稀土類金屬之氟化物中價格較便宜，故可適宜使用。因 此本況明書中，特別稱這些元素構成之群為，與其 他凡素區別。 15 含有上式（2)中所示之材料之氧化物-氟化物系材料 層，在光記錄媒體中也適宜在與記錄層鄰接之2個介電體 層中，作為任-方之介電體層存在，而作為兩方之介電體 層存在則更佳。包含了含有以式（2)顯示之材料之介電體 層之貝訊記錄媒體顯示出較優異之反覆改寫性能，且在介 2〇電體層對記錄層之密著性上更優異。又，由於可價廉地形 成氧化物·氟化物緒制，故可廉價地製造資訊記錄媒體 〇 本發明之資訊記錄媒體中，氧化物_說化物系材料層更 可含有作為選自前述群GM之元素之選自群圖之至少i 16 1254300 玖、發明說明 種元素及Cr、再加上Si，且以下式（3 ) ·· M^RCrsSiiOuL vFw (原子 ％ )…（3 ) (式中’ M1表示選自GM1之至少i種元素，Ll表示 選自GL1之至少1種兀素，r's't'u'v及w滿足 5 0<Rm 0<似、0<Ty9、25稿7〇、〇<v錢、 〇<W^45) 表示之材料。含有以式（3)所表示之材料之氧化物·氣化 物系材料層也適宜在光記錄媒體中，與記錄層鄰接之2個 介電體層中，作為任-方之介電體層存在，而作為兩方之 10介電體層存在則更佳。Sl《氧化物可使氧化物-氣化物系材 料層變軟，故可抑制實施反覆記錄時所產生之膜破裂及膜 破壞。 15 20 、如上所述，上述氧化物-氟化物系材料層中，推測選自 群GM之至4 1種凡素係與氧原子_起以氧化物存在，而 選自群GL之至J 1種兀素係與貌原子一起以氣化物存在 。因此’上述氧化物-氟化物系材料層可作為含有選自由η 氧化物；與選自由 La、Ce、ΡΓ、Nd、Gd、Dy、H〇、 二及Yb構成之群GL之至少i種元素之氣化物之層來特 定。 讀特定之層中，含有選自前述群GM之元素之氧化 物群與選自前述群GL之元素之氟化物群合計90莫耳％以 上為佳。在此，「氧化物群」這個用語係選自群GM之元素 為2個以上’當層中含有2種以上之氧化物時，用以總稱 17 1254300 玖、發明說明 2乳化物。或，「氧化物群」這個用語係選自群⑽之元 1個，當層中含有1種氧化物時，則僅指該氧化物。「 二物群」24個用語亦相同。換言之，氧化物-氟化物系材 :層可含有選自群⑽之元素之氧化物與選自之元 :之氣化物以外之化合物（這種化合物亦稱「第三成分」） “ 10莫耳％。在氧化物-氟化物系中，第三成分所佔比率 超k 10莫耳％，則層之熱安定性及耐濕性會降低，而很 難得到上述預定之效果。 10 15 20 如上所述經特定之層中，當以選自群GM之元素之氧 化物。群與選自群GL^素之氟化物合計之量為基準（⑽ 莫耳。）4 U含5G莫耳％以上為佳，含5G莫耳莫 機佳。選自群⑽之元素之氧化物群之比例若小於5。 莫耳％貝丨例如將氧化物.氟化物系材料層作為與記錄層鄰 接之介電體層時，會有反覆改寫性能降低之傾向。 如上述作為混合氧化物與氟化物之層而被特定之層宜 含有作為選自群⑽之元素之氧化物之選自* Ti、Zr、Hf 及^構成之群GM1之至少1種元素之氧化物及Cr之氧化 物並否有作為選自群GL之元素之氣化物之選自由U、

Ce Pr及Nd構成之群Gu之至少"重元素之氟化物。藉 該層所帶來之效果，係關於以上式（2)表示之材料即如之 前已說明的。 該層中，選自群GM1之元素之氧化物群與Cr之氧化 物田、這二元素之氧化物與選自群GL1之元素之氣化物合 計之里為基準（⑽莫耳％)時，以含5()莫耳％以上為佳 18 1254300 玖、發明說明 ’含50莫耳%’莫耳全 若小於50莫耳％，gim -素之虱化物之比例 與記❹鄰接U將氧化物-氣化物系材料層作為 向。又體層時，會有反覆改寫性能降低之傾 各自相對二君:GM1之7^之氧化物群及。之氧化物以 各自相對於财述基準含1〇莫耳%以上更佳。 又’該層中’亦可含有選自群鑛之至少β之元素 广匕物與Cr之氧化物，再加上Si之氧化物。Si之氧化 2帶來之物綠式⑶級材料，如之前已說 明的。 合有選自群GM1之至少一種元素之氧化物、Cr之氧 匕物及Sl之氧化物之層，宜含有選自Zr02、Hf〇2、及 a 5之至夕1種氧化物、Si〇2及Ci*2〇3,並含有作為選自 別述群GL之兀素之氟化物之LaF3。該氧化物·氟化物系材 料層具體來說，含有以下式（4): (D) X (Si〇2) Y (Cr2〇3) z (LaF3) 100.X.Y.Z ( mol〇/0 )…（4) (式中，D係表示選自Zr02、Hf02及Ta205之至少j 種之氧化物，X、Y及z滿足20SX$70、log YS5〇、10 -Z-60 N 50^X+y+z^9〇) 2〇表不之材料。zr〇2、Hf〇2及TaA5熔點皆很高，且熱性質 女疋。LaF3在不溶於水之氟化物中也是熔點約15〇〇〇c之最 南者’且價袼便宜，故最適於實用。各化合物之適宜之比 例如上所述藉X、Y及Z規定。藉由以這種氧化物-氟化物 系材料層作為與記錄層鄰接之介電體層，可省略界面層。 19 l2543〇〇 玖、發明說明 又’含有該層作為介電體層之資訊記錄媒體不僅可實現優 異之記錄訊號品質，且在反覆記錄性能、耐濕性、記錄感 度'記錄及改寫保存性之點上也很優異。 含有上述Zr02、Si〇2、Cr203及LaF3之氧化物-氟化物 5系材料層中，當Zr02與Si〇2之含有量略相等時，則以含 有ZrSi〇4為佳。ZrSi〇4為化學量論組成安定之複合氧化物 。由於ZrSi〇4具有高構造安定性且熱傳導率很低，故若以 含有ZrSiCU之氧化物-氟化物系材料層來形成與記錄層相 接之介電體層，則可實現反覆性能優異且具有更高之記錄 10 感度之資訊記錄媒體。 含有ZrSi〇4、Ci*2〇3及LaF3之氧化物-氟化物系材料層 ，宜為含有以下式（5): (ZrSi〇4) A (〇2〇3) b (LaF3) 100_a_b (mol%)…（5 (式中，A 及 B 滿足 2〇gA$7〇、l〇gBS5〇、5〇：^ A+B^90) 表示之材料之層。各化合物之適宜比例如上所述地以a及 B規定。藉由以這種氧化物_氟化物系材料層作為與記錄層 鄰接之介電體層，可省略界面層。又，含有該層作為介電 體層之貧訊記錄媒體不僅可實現優異之記錄訊號品質，且 在反覆記錄性能、耐濕性、記錄感度、記錄及改寫保存性 之點上也很優異。 柯明W己錄媒體中存在之氧化物_氣化物系材料 層之組成分析可使用例如X光微量分析來實施。這時組成 20 20 1254300 玖、發明說明 可以各兀素之原子濃度而得知。 例如’若使用以後述式（4〇 );亦即以（Zr〇2 ) χ ( 〇2) y (Cr2〇3) z (LaF3) 100-x-y-z (mol%)表示之濺鍍靶 才藉濺鑛來々析形成於碳基板上之膜，則可測定Zr、Si、 r La、〇及F之原子濃度。結果，得到之實際之分析值 ” ΖιΌ2 Si〇2、Cr2〇3、LaF3之化學計量組成不一致，而 無法以式 U)亦即（Zr〇2) x(si〇2) y(Cr2〇3) “Μ 10 15 20 )（m〇l%)表*。這種情況下，只有當氧化物-氣化 物系材料層含有選自群™之至少、i種元素、氧原子、選 、 之至夕1種元素及氟原子；且含有以上記式（工） ~ (3)表示之材料時’可達成本發明之目的。 以上所况明之氧化物_氣化物系材料層，在本發明之資 2記錄媒體中皆以料與記錄層鄰接而設之介電體層存在 =佳。這時，介電體層亦可設置為與記錄層之兩面鄰接。 體=上述乳化物_氟化物系材料層在本發明之資訊記錄媒 在。換十之，方、：層與介電體層之間之界面層而存 ^ 减物'减物系材料層在本發明之資m 媒體卜皆以設置為與記錄層鄰接為佳。 、 上述本發明之資訊記錄媒體，在該 宜為可逆地產生。亦即，她… 曰"變化 ^ . X月之貪訊記錄媒體可作為改 寫1貝訊記錄媒體來提供。 马改 相變化為可逆地產生 玍之汜錄層，具體來說， 自·· Ge-Sb-Te、Ge_Sn_Sb Te ^ 有選

Ge p e Bl"Te、Ge-Sn-Bi-Te、

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Ag-In-Sb-Te 及 Sb_Te 中任 21 1254300 玖、發明說明 “者:1之材枓為佳。這些都是高速晶體化材料。因此， 右以這些材料形成、 … 成5己錄層，則可以高密度及高轉送速度記 寫\呆=可得到在可靠性（具體來說為記錄保存性或改 …、子彳面很優異之資訊記錄媒體。 5 地彦Γΐ明之“記錄媒體中，前述記錄層為相變化可逆 也產生者時，則記錄層之 t 你iDnm以下為佳。若超過 記錄層之熱會_面内，而變得難以在 厚度方向擴散，對資訊之改寫造成障礙。 10 15 20 树明之資訊記錄媒體’可具有以下構成，即:在基 之表面上依序形成有第1介電體層、記錄層、第2 介電體層、及反射層。且右^ 曰第2 .收 八有4構成之賁訊記錄媒體係藉光 來補彻。本㈣書中，所m介電體層 」是指位於較接近入射之光之介電體層，所謂「第 體層」是指位於距離人射光較遠之位置之 ，照射之光是從第〗介電體 曰。亦即 體層。該構成之資訊記錚嬋二錄層再到達第2介電 之雷射光記錄播放時。例如用於以波長660⑽左右 〃本發明之資訊記錄媒體具有該構成時，第〗介電體声 及弟2介電體層中至少丨彳 曰 李材料声層為前述氧化物-氟化物 兩個介電體層皆為前述氧化物-氟化物李材 料層。這時，兩個介電體層 物糸材 作為不同組成之層。 物-組成之層’或亦可 作為具有該構成之資訊記錄媒體之n 基板-側之表面上依序形成有^介諸層‘、、界㈣= 22 1254300 玖、發明說明 錄層、第2介電體層、光吸收補正層及反射層，該第2介 電體層為前述氧化物-氟化物系材料層，且與該記錄層界面 相接者。 10 15 20 本發明之資訊記錄媒體可以是具有以下構成者，即在 基板一侧之表面上依序形成有反射層、第2介電體層、記 錄層及第1介電體層。該構成是在光入射之基板之厚度必 須报薄時採用的。具體來說，以波長4〇5nm左右之短波長 之雷射光記錄播放時，使接物鏡之開口數NA擴大為例如 〇·85，使焦距位置變淺時，就可使用該構成之資訊記錄媒 體。使用這種波長及開口數NA日寺，必須使光入射之基板 之厚度在例如6〇〜12G//m左右。在這種薄基板之表面，形 成層疋很IS難的。因此，該構成之資訊記錄媒體係作為以 光…、法入射之基板為支持體，並在其一側之表面上依序形 成反射層等而形成者來特定。 本I月之貝5fU己錄媒體具有該構成時，該第1介電體 層及心2介電體層中至少i個介電體層為上述氧化物-氟 化物糸材料層’亦可兩個介電體層皆為上述氧化物-氟化物 糸材枓層。這時’兩個介電體層可作為同一組成之層，或 亦可作為不同組成之層。 作為具有該構成之資訊記錄媒體之一型態，可舉：在 ^一側之表面上依序形成有反射層、光吸收補正層、第 2 ;丨電體層、記錄層、界 電體層為前述氧化物。 1電體層’該第2介 相接者减«㈣層，且與該記錄層界面 23 1254300 玫、發明說明 本舍明之資訊記錚姐， 已球知脰可具有2以上之記錄層。 資訊記錄媒體係例如在其 心種 ^ 在基板一側之表面側上，2個記錄屑 隔者介電體層及中間層等而積層，具有-面2層構造者。日 面2層構&之貧訊記錄媒體係從—面照射光，於 5 10 錄層記錄資訊者。Μ哕谣、土 L 元 和σ亥構造，可增大記錄容量。或，本 明之資訊記錄媒體亦可為在基板兩側之面形成記錄層者。 具有2個以上記錄層之資訊記錄媒體之一型態，可 在基板-側之表面上依序形成有第2反射層、帛5介 層、第2記錄層、第4介雨雕 ,^ 木外"私體層、中間層、第3介電體屑 、第1反射層、第2介雷μ恳 ^ λ ^ ^ ^ ^ )丨书肢層、弟1記錄層及第丨介 層，該第1介電體声、兮Μ 9该弟2介電體層、該第4介電體屑 及該第5介電體厣^ 曰至夕1個”電體層為前述氧化物_氟化 物系材料層，且與該第] "乐1冗錄層或第2記錄層界面相接而 形成者。 又本毛明疋提供製造本發明之資訊記錄媒體之方法 ’係更包含以濺鍍法形成上述氧化物-氟化物系材料層之步 驟之製造方法。藉賤鑛法，可形成具有與滅錄材之組成 略相同之組成之氧化物_氟化物系材料層。因此，藉該製造 2方法’可藉適切地選擇錢鍍革巴材而輕易形成所希望之組成 之氧化物·氟化物系材料層。 具體來說’作為巴材者可使用含有以下式（1〇): Mh〇iLjFk (原子 ％ ) ··· ( ) (式中，M表不選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr及

Sl構成之群GM之至少i + ^ 义主夕1種兀素，L表示選自由La、Ce、 24 1254300 砍、發明說明

Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er及Yb構成之群GL之至少工種 元素 ’ h i、j 及让滿足 ίο $ 45、24$ 76、0<j S 19 、0<kS48) 表示之材泮斗者。& (1〇)才目當於以元素組成來表示選自群 GM之元素Μ幾乎皆以氧化物型態存在、選自群之元 素L幾乎皆以氟化物型態存在之材料之式。藉該濺鍍靶材 ，可形成含有以上記式（1)表示之材料之氧化物-氟化物 系材料層。 10 15 20 或，作為濺鍍靶材者可使用含有以下式（2〇): M'CrqO^FkQj%) ··· (2〇) (式中’ M1表示選自由Ti、Zr、Hf及Ta構成之群 GM1之至少1種元素，Li表示選自由La、Ce、Pr、及>id 構成之群GU之至少1種元素，p、q、i、j及k滿足㈣ ^38 > 0<q^ 45 , 24^^76 ^ 〇<k^48) 表示之材料者。藉該賤練材，可形成含有以上記式（2) 表示之材料之氧化物-氣化物系材料層。 或，作為濺鐵革巴材者可使用含有以下式（3〇): MlrCrsSit〇uLlvFw (原子％)···( 3〇) (式中’ 表示選自由Ti、Zr、Hf及Ta構成之群 GM1之至少1種开去 1 」 裡几素’ L表示選自由La、Ce、Pr、及_ 構成之群Gu之至少 種凡素，r、s、t、u、v及w滿足 〇<r ^ 28 、 〇<ς <; α 〇 Α =、〇<t g 19、25 g 70、〇<vg 18、〇<w $45) 表示之材料者 藉邊歲鍍把材，可形成含有以上記式（3) 25 丄254300 玖、發明說明 之材料之氧化物·氟化物系材料層。 作為焱鍍靶材者可使用含有選自由Ti、Zr、Hf、

Mb、Ta、万

Sl構成之群GM之至少i種元素之氧化物 /、選自由。、〜^、^、^、^、…、扮及”構 成之群GL·之至少]猫_ 4dt ^ 種凡素之氟化物而成者。之所以這樣 特疋濺鍍靶材，是 口為3有選自群GM之元素、氧原子、 選自群GL之元音乃气店了

一 ’、氣原子之濺鍍靶材通常是由選自群GM 之：素之氧化物與選自群GL之元素之氟化物之組成來顯 二：':。又’發明人確認了組成如此顯示之繼材以 “分析器來分析所得到之元素組成，與依據顯示之 二异出之元素组成约略相等（亦即，組成顯示（標稱組 很疋適當的）°因此’作為氧化物與氟化物之混合物被提 戈鑛羊巴材也可在本發明之製造方法中適宜地使用。 15 20 作為氧化物與氟化物之混合物來提供之賤鑛乾材，含 有選自前述群GM之元素之氧化物群與選自前述群沉之 元素之氟化物群合計9〇莫 人+ 旲耳/°以上為佳。換言之，濺鍍靶 材可3有H)莫耳％以下之第三成分。若濺㈣材含有第三 成分超過1 〇莫耳。‘，則 e 八 、 、侍到之氧化物"·氟化物系材料層 也會έ有超過10莫耳〇/之筮— ^ 、弟二成分，而很難得到具預期效 果之負δΐΐ ά己錄媒體。 作為氧化物與氟化物之 匕口物來提供之濺鍍靶材，當 述群GM之元素之氧化物群與選自前述群证之 ^素之氣化物群合計量為基準（⑽莫耳％) fl夺，則選自群 GM之元素之氧化物群在5〇莫耳如上為佳，含5〇莫耳 26 1254300 玖、發明說明 %〜90莫耳％承/土 # 、 更仏。右使用氧化物群所佔比例小於50莫耳 义鍍靶材，則所得到之氧化物-氟化物或氧化物群之比 例就小於5 0 Μ. I 〇/ 吴斗/〇’而難以得到具預期之效果之資訊記錄 媒體。 θ作為氧化物與氟化物之混合物來提供之濺鍍靶材可以 是含有作為選自前述群GM之元素之氧化物之選自由Ti、

Zr、財、及Ta構叙群则之至少i種元权氧化物及 Cr,之乳化物，並含有作為選自前述群证之元素之氣化物 10 15 20 、由U Ce、Pr及Nd構成之群GL1之至少1種元素 之氟化物而成者。使用㈣鍍㈣，可形成含有選自群 ㈣之至少一種元素之氧化物與&之氧化物、及選自群 GL1之至少一種元素之氟化物之層。 在含該Cr之賤餘材中，當以選自前述群刪之元 素之乳化物群與Cr之氧化物與選自前述群⑴之元辛之 鼠化物群合計量為基 ” 1 莫耳/g)時，這些氧化物以含 1:耳％以上為佳，含50〜90莫耳％更佳。若使用含這些 Γ小於5G莫耳％之賤㈣材，則所得到之層當中這些 乳化物也小於50莫耳％ 記錄難㈣具有效果之資訊 〇亥δ Cr之錢鍍革巴材可更含

Si ^ 更3有Sl之氧化物。使用含有 之虱化物之濺鍍靶材，則所 予眘j之層也含有Si，而可賦 于貝5fU己錄媒體適宜之特性。 更具體來說，可適當使用 述群GM之元丰" α鍍㈣含有作為選自前 之兀素之氧化物之選自7 <&自 zr〇2、Hf〇2、及几2〇5之 27 1254300 玫、發明說明 至少1種氧化物、sich及〇2〇3，並含有作為選自前述群 GL之元素之氟化物之LaF3。這種濺鍍靶材宜含有以下 (40) : ^ (D ) X ( S!〇2 ) y ( Cr203 ) z ( LaF3 ) 100_x.y.z ( m〇1〇/〇 } 5 …（4〇 ) (式中，D係表示選自Zr〇2、Hf〇2及Ta2〇5之至少i 種之氧化物，x、y及z滿足20$X^70、l〇Sy$5〇、 60、5〇g x+y+z$ 9〇 ) 表不之材料。使用該濺鍍靶材，可形成含有以上式表 10示之材料之氧化物·氟化物系材料層。 含有以上式（40)表示之材料之濺鍍靶材可以略相等 之比例含有Zr〇2與Si〇2，而含有藉之形成之ZrSi〇4。這 種錢錢靶材宜為含有以下式（50): (ZrSi〇4) a (Cr203 ) b (LaF3) i〇〇_a-b (mol%) 15 (式中，a 及 b 滿足 20$a^70、10Sb^50、50^a+b $90) 表不之材料者。使用這種濺鍍靶材，可形成含有以上式（5 )表不之材料之氧化物-氟化物系材料層。 【實施方式】 2〇 以下’芩照圖式說明本發明之實施型態。以下之實施 型態為舉例，本發明並不限定於以下之實施型態。 (實施型態1) 本發明之實施型態1說明使用雷射光來實施資訊記錄 與播放之光資訊記錄媒體之一例。第1圖中顯示該光資訊 28 1254300 玫、發明說明 記錄媒體之局部截面。 5 15 20 第1圖所示之資訊記錄媒體25具有：在基板】之一側 之表面依序形成有第1介電體層2、記錄層4、第2介電體 層6、光吸收補正層7及反射層8,更以接著層9使偽基板 1〇接著於反射層8之構成。亦即，反射層8形成於光吸收 補正層7上，光吸收補正層7形成於第2介電體層6上， 第2介電體層6形成於記錄層4上，記錄層*形成於第夏 介電體層2上。該構成之資訊記錄媒體可作為以波長 66〇啲左右之紅色區域之雷射光束來記錄播放之 B/DVD-RAM來使用。該構成之資訊記錄媒體上，雷 射光從基板i側入射，藉此實施資訊之記錄與播放。資 :記錄媒體25係在不具第1界面層1〇3及第2界面層1〇5 m ’與第1G圖所示之習知之資訊記錄媒體31不同。 …實施型態^中，第！介電體層2與第2介電體層6同 為乳化物-齓化物系材料層。氧化物-氟化物系材料層係如 :所述，為含有選自由Tl、Zr、Hf、Nb〜…構 、_ GM之至）1種元素之氧化物與選自& La、Ce、Pr 去'、Gd、Dy、H°、Er及Yb構成之群GL之至少！種元 素之氟化物之層。 —般而言，介電體層之材料要求必須：（1)透明、（2 二炫點高，記錄時不溶融、&⑶與硫族元素化合物材料 3己錄層之密著性良好。透明是為了使從基板】側入射之 射光12通過而到達記錄層4所必須之特性。該特性對入 ⑦…介電體層尤其要求。高炫點是為了確保照射顛 29 1254300 玖、發明說明 值功率等級之雷射光時，介電體層之材料不混入記錄層之 必要特性，對第1及第2介電體層兩者皆有所要求。㈣ 體層之材料若混人⑽層’會導致反覆改寫性能顯著降低 。與硫族元素化合物材料之記錄層之密著性良好是確保資 訊記錄媒體之可靠性所必須之特性，對第i及第2介電體 層兩者皆要求。更’介電體層之材料必須以使所得到之資 訊記錄媒體具有與習知之資訊記錄媒體（亦即由ZnS_ 2〇mol%Sl〇2形成之介電體層與記錄層之間存在有界面層之 媒體）同等或以上之記錄感度來做選擇。 10 15 上述氧化物-IU匕物系材料層中所含之成分中，構成群 GM之tl素之氧化物任_者皆為透明且熔點高，熱安定性 優異。因此，該化合物可韻資訊記錄媒體之反覆改寫性 能。構成群GL之元素之氟化物任一者皆為不溶於水、耐 濕性優異。目此，該化合物可確料訊記㈣體之耐濕性 。構成群GM之元素之氧化物，包含例如Ή〇2、吨、 励2、Nb2〇5、Ta2〇5、Cl，2〇3、义〇2。構成群gl之元素之 氟化物包含卿 LaF3、CeF3、PrF3、_3、DyF3、H〇F3、

ErF3、及YbF3。將混合這些氧化物與氟化物而成之含有不 3 S之材料之層作為第丨介電體層2與第2介電體層 並將之如圖所示地形成為與記錄層4相接，藉此可實現反 覆改寫性能優異、且記錄層與介電體層之間密著性良好之 資訊記錄媒體25。又，藉由混合氧化物與氟化物使層之構 造複雜化，可抑制介電體層之熱傳導。因此，若使用上述 氧化物-氟化物系材料層，可形成記錄層之急速冷卻效果高 30 20 1254300 玖、發明說明 "电月丑層’而使貧訊記錄媒體之記錄感度提高。 、上述氧化物氟化物系材料層亦可含有從群GM選出之 2以上之«之氧化物’亦即2種類以上之氧化物。2種以 ^之氧化物亦可形成複合氧化物。上述氧化物_氟化物系材 科層亦可含有從群GL選出之2以上之元素之氣化物，亦 即、2種類以上之氟化物。含2種類以上之氧化物之層之例 子為合有以上式(4)表示之材料之層。2種以上之氧化物 形成複合氧化物之層之例子為含有以上式⑴表示之材料 之層。 10 15 20 第1介電體層2及第2介電體層6宜為含有作為選自 則柄GM之元素之氧化物之選自# 、及h 構成之群GM1之至少1蘇本产 、 種凡素之氧化物與Cr之氧化物， 並含有作為選自前述群GL之元素之氟化物之選自由u、 〜Pr及則構成之群GL1之至少（種元素之氣化物之氧 化物-氟化物系材料層。構成群GM1之元素之氧化物任一 者皆為炫點相對更高、且熱安定性相對更優異。cr氧化物 與由硫族元素材料形成之記錄層之密著性很優異。構成 GL1之元素之氣化物任—者皆在成本上很有利。因此，以 含料些特定之氧化物及說化物之氧化物_氟化物材料層作 為弟1介電體層2及第2介電體層6’即可提供反覆記錄 性能更優異且更便宜之資訊記錄媒體。該氧化物_氟化物系 材料層更含有Si之氧化妨7 ^ ^ 物蚪，可使介電體層較軟，在對資 訊記錄媒體施以反覆之記錄時’可抑制介電體層之膜破裂 及膜破壞。 31 1254300 玖、發明說明 更具體來說，氧化物-氟化物系材料層宜為：含有作為 選自群GM1之元素之氧化物之選自Zr〇2、Hf〇2、及Ta2〇5 之至少1種氧化物，更含有Sl〇2及Cr2〇3,並含有作為選 自群GL1之元素之氟化物之UR之層。Zr〇2及Hf(^為透 5明具咼熔點（約2700°C )，且熱性上很安定。又，Zr〇2、 Hf〇2、及TaW5為氧化物中熱傳導率很低之材料。在 不溶於水之氟化物中也是熔點約15〇〇〇c之最高者，且價錢 便宜，因此作為構成介電體層之氟化物在實用上是最適宜 的。含有選自Zr02、Hf〇2、及Ta2〇5之至少j種氧化物、 10 Si〇2、Cr2〇3及LaF3之材料係以上式（4 );亦即：（ρ ) χ ( Si〇2) γ (Cr203 ) z (LaF3) 1G()_XY_Z (my%)表示。該式 中，D係表示選自Zr〇2、Hf〇2及η"5之至少j種或2種 以上之氧化物。又，該式中，顯示各化合物之混合比例之 Χ、γ 及 Z 滿足 20SXS70、10SYS50、10gzg60、及 15 50SX+Y+ZS90。只要 X (選自 Zr〇2、Hf〇2、及 Ta2〇^ 1種氧化物之混合比例或混合2種以上之氧化物之混合比 例）與Y ( Si〇2之混合比例）在上記範圍内，則資訊記錄 媒體即顯示優異之反覆改寫性能。只要Z ( Cr203之混合比 例）在上記範圍内，則可得到與記錄層之密著性優異之氧 20化物-氟化物材料層。只要X+Y+Z在上記範圍内，則10… X-Y-Z就會在10以上50以下。i00_x_Y_z (LaF3之混合 比例）若在上記範圍内，則資訊記錄媒體即顯示優異之記 錄感度。 氧化物-氟化物系材料層亦可以是含有·· ZrSi04、 32 1254300 玖、發明說明

Cr203，及LaF3之層。ZrSi〇4是Zr〇2與Si02以1 : 1混合 時所形成之複合氧化物，具有很高的構造安定性。含 ZrSi04、Cr203及LaF3之材料以上記式（5 );亦即；（ ZrSi04 ) a ( Cr2〇3 ) b ( LaF3 ) la-b ( mol% )表示。該式 5 中，顯示各化合物之混合比例之A與B滿足20 $ A $ 70、 10SBS50、及 50SA+B$90。只要 A (ZrSi04 之混合比 例）在上述範圍之内，則資訊記錄媒體顯示優異之反覆改 寫性能。B ( Ci.2〇3之混合比例）若在上記範圍内，則可得 到與記錄層之密著性優異之氧化物-氟化物系材料層。A+b 10 右在上5己範圍内’則100-A-B在10以上50以下。1 〇〇-A_ B ( LaF3之混合比例）若在上記範圍内，則資訊記錄媒體 顯示優異之記錄感度。 第7圖中，係顯示以式（5)表示之材料之組成範圍。 第7圖中，座標是（Zi，Si〇4、Cr2〇3、LaF3 )。該圖中，以 15 式（5)表示之材料係以 a (70、10、20)、b (40、10、50 )、c ( 20、30、50)、d ( 20、50、30)、e (40、50、10)、 f ( 70、20、1 〇 )圍出之範圍（含線上）内之材料。 氧化物-氟化物系材料層以含有選自上述群GM之元素 之氧化物與選自上述群GL之元素之敗化物合計在9〇莫耳 20 /c)以上為佳。含有合計這些化合物在9〇莫耳％以上之層， 即使合有除此之外之第三成分，其熱安定性及耐濕性仍不 會改义’而可適宜作為第i介電體層2及第2介電體層6 使用。第三成分是指形成氧化物_氣化物系材料層時不可避 免而δ有者、或不可避免而形成者。例如介電體、金屬、 1254300 玖、發明說明 半金屬、+導體及/或非金屬會作m成分而含於氧化 物-氟化物系材料層。 作為第三成分而含於其中之介電體，更具體來說有：

Al2〇3、Ce02、CuO、Cu2〇、Er2〇3、Fe〇、Fe2〇3、Fe3〇4、

Ga203、h〇2〇3、ln2〇3、In2〇3 與 Sn〇2 之混合物、、

Mn304 Nd2〇3、NiO、Sc2〇3、Sm2〇3、SnO、Sn02、Tb4〇7 w〇3、Y2〇3、Yb2〇3、Zn〇、A1N、BN、CrN、ChN、

HfN NbN、Si3N4、TaN、TiN、VN、ZrN、B4C、Cr3C2、

HfC、M〇2C、NbC、SlC、TaC、沉、vc、—、wc、及 10 ZrC。 作為第二成分而含於其中之金屬有Sc、Y、Ti、Zr、

Hf、V、Nb、Ta、Cr、M〇、w、Mn、以、见、pd、pt、& 、Ag、AU、Zn、La、Ce、爾、Sm、Gd、Tb、Dy 及 Yb。 作為第三成分而含於其中之半金屬及半導體，更具體 15 20 來說是B、Al、C、〜 ^ 0 ; &、Ge及Sn。作為第三成分而含於其 中之非金屬，更具體而言是Sb、Bi、Te及Se。 第1介電體層2及第2介電體層6亦可由各自相異之 組成之氧化物-氟化物系材料層構成。例如，使用以式（4 )亦即（D ) x ( Si〇2 ) γ ( Ci.2(>3 ) z ( uf山。。州（ m〇1%)表示之材料時’第1介電體層2宜以使其具有更優 異之耐濕性而組成之材料來形成，例如以（Zr〇2 ) 2。（ Si〇2) i“Ci203 ) 5“LaF。2“m〇1%)形成。第 2 介電 體層6宜以使記錄層之急速冷卻效果變大而組成之材料來 形成’例如以（Zr02)3(“sl0山“Cr203 ) 2o“ 34 1254300 玖、發明說明 10 15 20 (m〇1%)形成。又，第1介電體層2及第2介電體層6亦 可用選自群GM之元素之氡化物及/或選自群队之元素之 氟化物彼此相異之材料來形成。例如，亦可以Ta2〇5_ Cr2CVCeF3混合系材料形成第丨介電體層2,以騰2-Si〇2-Cr2〇3-LaF3混合系材料形成第2介電體層6。如此， 氧化物遠化物系材料層可因應所希望之機能，而使氧化物 及氟：物之種類以及/或這些之混合比例最適當來形成。 "第）1¾月丑層2及第2介電體層6具有藉由改變各個 光程長（亦即介電體層之折射率n與介電體層之膜厚d之 積⑷’來調整晶體相之記錄層4之光吸收率A。⑼與 非晶質相之記錄層4之光吸收率Aa(%)、記錄層4為晶 體相時之資訊記錄媒體25之光反射率Rc (%)與記錄層* 為非晶質相時之資訊記錄媒體25之光反射率Ra(%)、記 錄層4广晶體相之部分與非晶質相之部分之資訊記錄媒體 之光之相位是△ 0之機能。為了加大記錄記號之播放訊 號振幅’提高錢品#，反射率差|Re_Ra丨狀射率比（ 以較大為佳。又，為了使記錄層4吸收雷射光， Ac及Aa也以較大為佳。以能_時滿足這些條件來決定 第1介電體層2及第2介電體層6之光程長。滿足這些條 件之光長可错由依據矩陣法（例如參照久保田廣著「波 域學」岩波新書，197丨年，第3章）之計算來正確地決 定。 以上所說明之氧化物.氟化物系材料會因應其組成而且 不鳴射率。設介電體層之折射率為η，膜後為〇 35 1254300 玖、發明說明 nm)，雷射光；[2之古 波長為λ ( nm)時，光程長nd可以 nd=a又來表示。為士， c為正數。要使資訊記錄媒體25之 吕己錄記號之播放訊辦张| 汛唬振幅變大以提高訊號品質，以例如 15% ^ Rc 且 Ra < 90/ 爽从 =。為乜。又，要消除或減少因改寫導致 10 15 20 之，己號扭曲，M i.me/Aa為佳。藉由依據矩陣法之計算 正確求侍弟1介電體層2及第2介電體層6之光程長“又 )以同時滿足這些適宜條件。精得狀絲長（u)、 又及η求得介電體層之厚度d。結果得知，關如可以上 式（5)(ZrSi〇4) A(Cl外）B(LaF3) 100-A-B(mol%)表 丁且折射卞nl.8〜2.3之材料來形成第丨介電體層2時，該

厚度以130nm〜170nm A杜 ^ L ⑽m為佺。又，得知以該材料形成第2介 電體層6時，該厚度以4〇〜7〇nm為佳。 基板1通常為透明圓盤狀之板。形成介電體層及記錄 層等之側之表面上，亦可形成用以導引雷射光之導引溝。 基板上形成有導引溝時，從基板之剖面看，形成有凹執部 與凸軌部。也可以說凹軌部位於2個鄰接之凸執部之間。 因此’形成有導引溝之表面，具有以侧壁連接之頂面與底 面。本况明書中，在雷射光12之方向，將位於接近雷射光 12之側之面權宜地稱為「凹軌面」，而位於距雷射光較遠 之侧之面則權宜地稱為「凸軌面」。第丨圖中，基板之導引 溝之底面23相當於凹軌面，而頂面％則相當於凸軌面。 後述之第2、3及6圖也相同。相對於此，第4及5圖中， 底面之面24相當於「凹執面」，頂面之面23則相當於「凸 軌面」。這是由於如後所述地，第4及5圖所示之資訊記錄 36 1254300 玖、發明說明 10 媒體之反射層及記錄層 錄媒體之形成順序相反 相當於凹執面之記錄層 於凸軌面之記錄層之表 凹執及凸軌兩者之面之記錄層表面 之形成順序與第1圖所示之資訊記 。記錄記號在記錄層中，係記錄在 之表面（凹執記錄）、或記錄在相當 面（凸執面記錄）、或記錄在相當於 凸執-凹軌記錄）。 第1圖 24之段差以 所不m中’基板！之凹執面23與凸執面 40nm〜60nm為佳。在構成後述之第2、3及6 圖所示之態樣之資訊記錄媒體之基板丨中 凹執面23與凸 軌面24之段差也以該範圍為佳。又’未形成層之側之表面 最好平滑。基1之材料可舉聚石炭酸6|、如非晶形聚晞烴 或PMMA之樹脂、或玻璃。若考慮到成形性、價格及機械 強度，則以使用聚碳酸酯較佳。在圖示之型態中，基板^ 之厚度為0.5〜0.7mm。 圮錄層4係藉光之照射或電能之施加在晶體相與非晶 15質相之間引起相變化，而形成記錄記號者。若相變化為可 逆性’則可進行消去或改寫。可逆性相變化材料以使用高 速晶體化材料之Ge-Sb-Te或Ge-Sn-Sb-Te為佳。具體來說 ，使用Ge-Sb-Te時，以GeTe-Sb2Te3擬二元系組成為佳， 這時，以 4Sb2Te3 $ GeTe S 50Sb2Te3 為佳。當 20 GeTe<4St>2Te3時’記錄前後之反射光量之變化很小，讀出 rfL號之品質低劣。50Sb2Te350<GeTe時，晶體相與非晶質 相間之體積變化大，反覆改寫性能低劣。Ge-Sn-Sb-Te晶體 化速度較 Ge-Sb-Te 快。Ge-Sn-Sb-Te 係例如 GeTe—Sb Te 擬二元系組成之Ge之一部份以Sn取代者。記錄層4中， 37 1254300 玫、發明說明

Sn之含有量以20原子〇/以下&社 下為^。若超過20原子％，則 晶體化速度過快，導致非a ^ 级非日日貝相之安定性受損，記錄記號 之可#性降低。Sn之含量可配合記錄條件進行調整。 .又，記錄層 4 可以如 Ge-Bi-τe、Ge-Sn_Bl-Te、Ge_Sn- — 或Ge Sn-Sb'Bl-Te之含Bi之材料來形成。Bi較Sb 容易結晶化。因此’藉由以Bl取代％之至少_部份，也 可提高紀錄層之結晶化速度。

GelTe是GeTe與出如之混合物。該;昆合物中， M 8Bi2Te3^GeTe^25Bi2Te3 % 〇 GeTe<8Bi2Te3 a#， w化溫度降低，記錄保存性容易變低劣。@ 25Bi2Te3<GeTe 時，晶體相與非晶質相間之體積變化大，反覆改寫性能降 低0

Ge-Sn-B卜Te相當於以Sn取代Ge孤Te之一部份者。 調整Sn之取代濃度，可配合記錄條件控制結晶化速度。相 15較於Bl取代，Sn取代因記錄層之結晶化速度之微調整而 报適宜。在記錄層中，Sn之含量以1〇原子％以下為佳。 若超過10原子％，則由於結晶化速度過快，故非晶質相之 安定性受損，使記錄記號之保存性低劣。

Ge-Sn-Sb-B卜Te相當於Ge-Sb-Te之Ge之一部份以Sn 20取代、更以Bl取代Sb之一部份者。這相當於GeTe、SnTe 、St^Te3與Bije3之混合物。該混合物中，可調整sn取代 濃度與Βι取代濃度，配合記錄條件來控制結晶化速度。

Ge-Sn-Sb'Bi-Te 中，以 4 (Sb'B!) 2Te3$ (Ge-Sn) Te$25 (Sb-Bi ) 2Te3 為佳。（Ge-Sn ) Te<4 ( Sb_Bi ) 2Te3 時，記錄 38 !2543〇〇 坎、發明說明 前後之反射光量變化小，讀出訊號品質低劣。25(sb_Bi) (Ge-Sn) Te時，晶體相與非晶質相間之體積變化大 反復改舄性此低劣。又，記錄層中，Bi之含量以1 〇原 5 :%為佳，Sn之含量以20原子%以下為佳。Bi及Sn之含 5量若各自在該範圍内，則可得到良好之記錄記號保存性。 引起可逆性相變化之材料其他可I AgHTe、Ag-Ϊη-Sb-Te-Ge、及Sb含量在7〇原子％以上之Sb_Te。 作為非可逆性相變化材料者係如日本專利公報平7_ W 25209公報（專利第2〇〇6849幻中所揭示的，以使用 Te〇x+a ( α為Pd、Ge等）為佳。記錄層為非可逆性相變 化材料之資訊記錄媒體，記錄只可進行一次，也就是所謂 write once type者。在這種資訊記錄媒體中，由於記錄時 之熱使得介電體層中的原子擴散到記錄層，而導致訊號之 品質降低。因此，本發明不僅適用於可改寫之資訊記錄媒 體，也適用於write 〇nce型之資訊記錄媒體。 圮錄層4是由可逆性相變化之材料形成時（亦即資訊 記錄媒體為可改寫之資訊記錄媒體時），如前所述地，記錄 層4之厚度以在l5nm以下為佳，又以12nm以下更佳。 光吸收補正層7係如前所述，具有可調整記錄層4為 晶體狀態時之光吸收率Ae、與非晶質狀態時之光吸收率 Aa之比Ac/Aa，使改寫時記錄形狀不致扭曲之功能。光吸 收補正層7最好以折射率高且會適度吸收光之材料來形成 。例如，使用折射率n在3以上6以下、消光係數k為工 以上4以下之材料，可形成光吸收補正層7。具體來說， 39 1254300 玖、發明說明 以使用GoCi，與Ge-Mo等非晶質之Ge合金、si_Cr、仏 Mo及Si-W等非晶質之Sl合金、Te化合物、丁丨、、灿 、Ta、〇、Mo、W、SnTe及pbTe等結晶性金屬、半金屬 及半導體材料中選出之材料為佳。光吸收補正層7之膜厚 5 以20nm〜60nm為佳。 10 熱性質上可使在記騎4產生之熱迅速擴散而使記錄層4 急速冷卻，具有容易非'晶質化之機能。更，反射層8可自 使用環境保護含有記錄層4、介電體層2及6之多層膜。 反射層8之材料可舉A】、Au、Ag及Cu等熱傳導率高 體金屬材料。反射層8基於使該耐濕性提昇之目的、及/或 調整熱傳導率或光學特性（例如光反射率、光吸收率或光 透過率）之目的，可使用在選自上述金屬材料之】種或多 數兀素中添加其他"重或多數元素之材料來形成。 15 說，可使用/]-CmA_、—Cu、Ag：Pd.Tl 或Au C!寻合金材料。這些材料每個都是耐餘性優異且具 急速冷卻機能之優異㈣。同樣的目的也可藉“ 二職射層8達到。反射層8之厚度以5。〜— 佳，60nm〜l〇〇nm則更佳。 20 在S不之資訊記錄媒體25中，接著層9 黏著於反射層8而設者。接著層9可使用耐2偽基 著性很高之材料，例如紫外線硬化 樹^接 成。具體來說，咖_主成分之：:來形 一分之_形—。又，二= 40 1254300 玫、發明說明 形^接著層9之前，在反射層8之表面設置藉紫外線硬化 性樹月曰形成之厚度5〜20//m之保護層。接著層9之厚度以 15〜40//1T1為佳，又以2〇〜35//m更佳。 偽基板1〇可提高資訊記錄媒體25之機械性 5 時保護從第！介電體詹2到反射層 又’同 預智體。偽基板10 之適宜材料與基板1之適宜材料相同。貼合有偽基板10之 ㈣錄媒體25中’為了避免機械性之彎曲及變 板1〇與基板1宜以實質上相同材料形成，具有相同厚度二 實施型態1之資訊記錄媒體是具有1個記錄層之單面 構造碟。本發明之資訊記錄媒體亦可具有2個記錄層。例 如，將實施型態1中積層到反射層8為止之積層體使兩個 反射層8相向，隔著接著層貼合，即可得到兩面構造之資 訊記錄媒體。這時，2個積層體之貼合係 成_，利嶋與熱之作用來實施。當反 15 20 有料層時’則藉由將形成到保護層為止之積層體使兩個 保。又層相向貼合’得到兩面構造之資訊記錄媒體。 接著，說明製造實施型態1之資訊記錄媒體25之方法 。貧訊記錄媒體25係藉下述實施來製造，即：將形成有導 引溝（凹軌面23與凸軌面24)之基板1(例如厚0.6_) =置於成膜裂置’在基板！之形成有導引溝之表面上依序 ^ ⑽第1 ;1 4體層2之步驟（步驟a)、成膜記錄層 4之步驟（步驟b)、成膜第2介電體層6之步驟（步驟c) 、成膜光吸收補正層7之步驟（步驟d)及成膜反射層8 ,(^ ’神e ) ’更貫施在反射層8之表面形成接著層9 41 !2543〇〇 坎、發明說明 之步驟、及貼合偽基板 蚩由 /部在含以下說明之本說明 曰’關於各層，說到「本；, 則皆1 ^，除料财所指，否 、/ ^成日讀出之表面（垂直於厚度方向之表面）。 百先，在基板1之形成有導 介電 成有冷引溝之面上實施成膜第1 ^豆層2之步驟a。步 # 用古 、疋糟歲鍍來實施。濺鍍係使 阿#率電源，在Ar _雕戸4丸+ — 體φ 衣兄中貫施。濺鍍亦可在Λι*氣 體中混合有5〇/〇以下之气氣雕 ^ 、 及虱脰之^合氣體環境中實施。 作為在步驟a中使用 用之我鍍靶材可使用含有選自由Ti 、Zr、Hf、Nb、Ta、Cn ς·袓 jl 10 15 20 & 及Sl構成之群GM之至少丨種元 京之氧化物、金選自由τ 自由 La、Ce、Pr、Nd、GdDyH〇、 r及Yb構成之群Gl之至少丨話—主 A V 1種兀素之氟化物而成之濺 材。該減鍍把材以含有元素分析之結果以上式（10)、 人/* ( 〇)表不之材料為佳。藉該濺鍍鞑材，可形成 含上式（1)、（2)¾本- ,, ()表不之材料之氧化物-氟化物系 材料層。 如前所述，含有選自群GM之1或多數之元素、氧原 子、選自群GLU或多數之元素及氣原子之㈣粗材， 可以群GM之元素之氧化物與群GL之元素之氣化物之混 合物之型態來提供。本發明之製造方法中所使用之濺鑛把 材’其中相對於合計選自群⑽之元素之氧化物群與選自 群GL之鼠化物群之量，選自 、自群GM之兀素之氧化物群以 含有5G莫耳％以上為佳’含5()，莫耳％則更佳。在雜 ㈣中’若選自群GM之元素之氧化物群之比例很小，則 藉缝革巴材形成之層中’選自群GM之元素之氧化物群之 42 1254300 玖、發明說明 這日寸說彳艮難在資訊記錄媒體中得到所預期 、σ 上义彳寸定之氧化物或氟化物之濺鍍乾材者， 可使用含有選自7νΠ ττ ^ 自Ζΐ〇2、Hf〇2、及Ta205之至少1種之氧化 物、Si02、u τ ^ 及LaF3之濺鍍靶材。更具體來說，可使 用含有以上式（40)即：（D) χ (Sl〇2) y (Cr2〇3) ζ (μ )1〇〇+y_Z ( m〇]% )(式中，D 係表示選自 Zr02、Hf〇2 及 Ta205之至；}種之氧化物，x、^及％滿足犯 10 比例也會變小 之效果。 — y=5〇、κ^ζ^6〇' 5〇^x+y+z^9〇)表示之材料之賤鍍 乾材。藉軸錄材，可形成含有以上式（4)表示之材料 之層。 或者，作為濺鍍靶材者可使用含有ZrSi04、Cr2〇3及 3歲鍍靶材。更具體來說，可使用含有以式（50)即 ·· ( Z咖山（Cr2〇3 ) b ( LaF3 ) iG“_b (祕）表示、且 及 b 滿足 20^a^7〇、1〇^bS5〇、5〇“+b^9〇 之材料 戈鍍靶材藉遠濺鍍靶材，可形成含有以上式（5 )表示 之材料之層。 斤含有選自群GM之元素之氧化物與選自群之元素 之：化物之_麵，皆可含有這些氧化物與氟化物以外 之第三成分在1Q莫耳％以下。可作為第三成分含於其中之 成分係如前所例示。 t接著’實施步職^於第”介電體層二之表面成膜記 % 乂冲b也疋措濺鍍來貫施。濺鍍係使用直流電源 氣i % ί兄中，或Ar氣體與氣體之混合氣體環境 43 1254300 玖、發明說明 =。咖，使用含有一 一Te、 Ag-In-Sb_re 及 層4為非晶質狀態/曰 之材料者。成膜後之記錄 5 接著實施步驟C，在記錄展 體層6 H ¥之表面，成膜第2介電 使用^、貫施與步驟a相同。第2介電體層6可 使用14弟1介雷，丨释 ^m 3目同氧化物及氟化物但混合比例 材、或含有不同氧化物及/或氟化物之錢鍍把 10 To 用2(3z^(LaF〜）（則1%)之錢鑛才，步驟C中可使 ..1 2 30 (S，〇2) 〇 (Cr203 ) 2〇 (LaF3) 40 (m〇1〇/〇)o 或者，步驟"使用含Ta2〇相3_c… 材’步^可使用含斷叫喊混合系材料之乾材。 15 接者貝知步馬聚0，在第2介電體層6之表面成膜光 二補正層7。在步驟d中’使用直流電源或高頻電源， 。作為材者係使用Ge_Cr與Ge_M。等非晶 貝之Ge合金、Si'Cr、Si_Mo及Si-W等之非晶質Si合金 、TeMm、mcr、M〇、w、SnT^ 20

PbTe等結晶性金屬、半金屬及半導體材料中選出之材料而 成者。錢鍍-般是在Ar氣體環境中實施。 接著實施步驟e，在光吸收補正層7之表面成膜反射 層8。步驟e是藉激鍍實施。賤鍍係使用直流電源或高頻 電源，在ΑΓ氣體環境中實施。濺鍍靶材可使用由A1_Cr、 AW、Ag-Pd、Ag#Cu、Ag_pd_Ti 或 Au心等合金材料 44 1254300 玖、發明說明 所形成者。 如上所述，步驟a〜e每個皆為賤鑛步驟。因此，步驟 Η可在！個趣裝置内依序變更革巴材連續實施。或者， 步驟a〜e亦可各自使用獨立之濺鍍裝置來實施。 5 10 15 20 成膜反射層8後，從錢鍍裝置取出從第i介㈣層到 反射層8依序積層之基板1。然後，在反射層8之表㈣ 由例如旋轉塗布法塗布紫外線硬化性樹脂。㈣基板1〇密曰 著於已塗布之料線硬純樹脂，從偽基板丨〇㈣射紫外 線’使樹脂硬化，完成貼合步驟。 貼合步驟完成後’因應需要實施初期化步驟。初期化 步驟係照射例如半導體雷射於非晶質狀態之記錄層4,升 孤至曰曰月立化溫度以上使其晶體化之步驟。初期化步驟亦可 在貼合步‘驟之前實施。如此，藉由依序實施㈣a〜6、接 著層之形成步驟及偽基板之貼合步驟，即可製造實施型態 1之資訊記錄媒體25。 (實施型態2 ) 本發明之實施型態2係說明使用雷射光來實施資蚊 記錄及播放之光資訊記錄媒體之其他例子。第2圖中係顯 示該光資訊記錄媒體之局部截面。 弟2圖所貧訊記錄媒體26具有以下構成，即基板 1之一側表面依序形成有第1介電體層2、記錄層4、第2 界面層1Q5、第2介電體層⑽、光吸收補正層7、及反射 層8且偽基板i 0更以接著層9接著於反射層8。第2圖 所丁之貝。己錄媒I 26不具第^界面層⑻，這點與第1〇 45 1254300 玖、發明說明 圖所示之以往之資訊記錄禅妒3】 琼嫖組31不同。又，資訊記錄媒體 26係隔著第2界面層丨〇5扁9伴恳 5在5己錄層4上積層第2介電體層 106，這點與第〗圖所示與 不之貝轭型悲1之資訊記錄媒體25 不同：細記錄媒體26中’第1介電體層2與實施型態 1同樣為氧化物-氟化物系材料層。其他，在第2圖中，與 弟1圖中使用之符號為相同符號者，係表示為相同要素， 是參照第1 BI所說明之材料及方法形成者。因此，關於與 第1圖相關而已經說明之要素則省略其詳細說明。又，該 型態中’界面層僅設了一個’但由於其位於第2介電體層 10 106及記錄層4之間，因此將該界面層權宜地稱為第2界 面層。 该型恶之貢訊記錄媒體26相當於以習知之資訊記錄媒 體中所使用之ZnS-20mol%Si〇2形成第2介電體層1〇6之 構成。因此，第2界面層105是為了防止因反覆記錄導致 15第2介電體層106與記錄層4之間產生之物質移動而設置 第 2 界面層 1〇5 是以 si-N、Al-N、Zr-N、Ti-N、Ge-N 或

Ta_N等氮化物或含這些氮化物之氮氧化物、等碳化物 或C (碳原子）形成。或者，第2界面層1〇5可為含有 夕數種遥自上δ己群GM之元素之氧化物而成者，具體來說 2 〇 __ ’可以 Zr02-Si02-Cr203 混合系材料或 Hf02-Si02-Cr203 混 合系材料形成。界面層之厚度以l〜1〇nm為佳，2〜7nm更 佳。若界面層之厚度很大，則形成於基板1表面之第1介 電te層2到反射層8之積層體之光反射率及光吸收率就會 變化’而影響到記錄消去性能。 46 1254300 玖、發明說明 。資=斜說”造實施型態2之資訊記錄媒體％之方法 、Π嘁媒體26係藉下述實施來製造，即： 形成有導弓丨、孽 土板1之 、丨，冓之表面上依序實施成膜第1介電 5 10 15 20 4之步驟(_)、成膜第2 : 二叫=步驟〇、成膜第2介電體層⑽之步驟 反射層8之步驟（步 )更貝知在反射層8之表面形成 者層9之步驟、及貼合偽基板10之步驟。步驟a、b、d 及6係與貫施型態1相關而如前所說明，故在此省略其說 明。以下僅說明實施型態、i之資訊記錄媒體之製造中沒 實施之步驟。 步Ή疋在形成記錄層4後實施，於記錄層4之表面 、第"面層1 05之步驟。在步驟f中，使用高頻電源 實錢鍍。_可以是使用例如含&心之賤鍍乾材，在 ΑΓ氣體與氨體之、、早人# M m 2孔把之此合虱體環境中實施之反應性濺鍍。 藉該反應性_ ’可在記錄層4表面形成含有Μα之 界面層。 接著實施步驟g’在第2界面層1〇5表面成膜第2介 電體層106。在步，驟g巾，係使用高頻電源，利用例如由 ZnS-20·職〇2形成之錢鍍萆巴材，在Ar氣體環境中、或 Ar规^ ft興〇2虱體之混合氣體環境中實施濺鍍。藉此，形 成了由ZnS-2〇mol%Sl〇2形成之層。之後，完成貼合偽基 板10之後’如复施型態i所說明白勺，因應必要實施初 期化步驟’而得到資訊記錄媒體26。 47 1254300 玖、發明說明 (實施型態3 ) 本^ ^之貝她型恶3係說明使用雷射光來實施資訊之 記錄及播放之光資訊記錄媒體之其他例子。第3圖中係顯 不該光貧訊記錄媒體之局部截面。 5 15 咏圖斤不之貝況記錄媒體27具有以下構成，即基板 J表面依序形成有第1介電體層102、第1界面層 103、記錄層4、m 乐 ；|电體層6、光吸收補正層7、及反 射層8,且偽基板10更以接著層9接著於反射層8。第3 圖所示之資訊記錄媒體27不具第2界面層105 ,這點與第 圖斤丁之以往之貢訊記錄媒體3 1不同。又，資訊記錄 媒虹27仏在基板1與記錄層4之間依序積層有第1介電體 層⑽與第1界面層103，這點與帛1圖所示之實施型態i 之資訊記錄媒體25不同。在資訊記錄媒體27中，第2介 電體層6與實施型‘態】同樣為氧化物4化物系材料層。其 他在第3圖中，與第1圖中使用之符號為相同符號者， 係表不為相同要素，是參照帛i圖所說明之材料及方法形 成者因此，關於已於第丨圖說明之要素則省略其詳細說 明。 "亥型悲'之貢訊記錄媒體27相當於以習知之資訊記錄媒 2〇體中所使用之ZnS — 20m〇l%Si〇2形成第1介電體層1〇2之 構成。因此，第1界面層⑻是為了防止因反覆記錄導致 第1介電體層丨02與記錄層4之間產生之物質移動而設置 。第1界面層103之適宜之材料與厚度與參照第2圖所說 明之實施型態2之資訊記錄媒體26之第2界面層⑽相同 48 !2543〇〇 坎、發明說明 。因此省略有關之詳細說明。 ^著’說明製造實施型態3之資訊記錄媒體27之方法 。資訊記錄媒體27係藉下述實施來製造，即在基板丨之妒 5 10 成有導引溝之面上依序實施賴第！介電體層1()2之步驟 (步驟h)、成膜第i界面層1〇3之步驟（步驟小成膜記 錄層4之步驟（步驟b)、成膜第2介電體層6之步驟（步 驟〇、成膜光吸收補正層7之步驟（步驟d)及成膜反射 層8之步驟（步驟e)，更實施在反射層8之表面形成接著 曰9之步,!+、及貼合偽基板i 〇之步驟。步驟匕、。、^及e 與實施型態' 1相關聯而如已說明者，故在此省略其說明。 以下，僅說明實施型態1之資訊記錄媒體之製造中未實施 之步驟。 步驟h是在基板1表面成膜第1介電體層102之步驟 。其具體方法與實施型態2之製造方法相關而與已說明之 15步驟g相同。步'驟1是在第1介電體層1〇2表面成膜第i 界面層103之步騎A。其具體方法與實施型態2之製造方法 相關聯而與已說明之步驟f相同。之後，完成貼合偽基板 〇之y ’沙後，與貝靶型態i相關聯而如已說明的，因應需 要實施初期化，得到資訊記錄媒體27。 2〇 (實施型態4) 本h明之貝她型態4係說明使用雷射光來實施資訊之 «己錄及L ^:之光M讯記錄媒體之又—其他例子。第4圖中 係顯示該光資訊記錄媒體之局部戴面。 第圖所示之資汛記錄媒體28具有以下構成，即基板 49 1254300 玖、發明說明 101之-側表面依序形成有反射層8 綠區Λ 卜 "鼠體層6、記 〜、及第1介電體層2,且偽基板 著於第1介雷f^ “ 更乂接耆層9接 丘曰2。邊貧訊記錄媒體28不旦 103及筮9两二「 ”乐1界面層 及乐2界面層1〇5，這點與第1〇 記錄婢f 31 ㈡所不之以往之資訊 收/ 又’該構成之f訊記錄«不具有光吸 收補正層7，這點與第1圖所示之構成 “ 不同。 構成之貝矾記錄媒體25 該構成之資訊記錄媒體28中，帝 lln ,, 田射先12從偽基板 10 15 貝’入射’藉此實施資訊之記錄及播放。為了提高資訊 記錄媒體之記錄密度’必須使用短波長之雷射光，同時更 縮小集中雷射光束，在記錄層上形成小記錄記號。要缩小 集中光束，必須使接物鏡之開口數NA更大。然而，na 一 旦變^’則焦距位置變淺。於是，必須使雷射光入射之基 板更薄。第4圖所示之資訊記錄媒體28中，由於雷射光入 射之侧之絲110不需作為形成記錄層料之支持體， 故其厚度可以變小。因此，藉該構成，可得到可進行更高 密度之記錄之大容量資訊記錄媒冑28。更具體來說，藉該 構成，可得到將波長約4〇5nm之藍紫色區域之雷射光使用 於記錄播放之容量25GB之資訊記錄媒體。 在該貢訊記錄媒體中，第i及第2介電體層2及6亦 與實施《 i同樣為氧化物·氟化物系材料層。氧化物-氣 化物系材料層適於作為介電體層，而無關乎反射層等之形 成順序及記錄容量。氧化物-氟化物系材料層中所含之材料 與實施型態1相關而如已經說明者，故省略有關之詳細說 50 20 1254300 玖、發明說明 明。 如$所述’該資訊記錄媒體2 8適用於以短波長之雷射 光記錄播放。因此，第1及第2介電體層2及6之厚度由 例如；I二4〇5nm時之適宜光程長求得。而為了擴大資訊記錄 5媒體28之記錄記號之播放訊號振幅使訊號品質提昇，故藉 由依據陣列法之計算來嚴密地決定第1介電體層2及第2 介電體層6之光路長nd以滿足例如2〇%gRc且Ra<5%。 結果得知，當以折射率為L8〜2.5之氧化物·氣化物系材料 層作為第1及第2介電體層2及6時，第i介電體層2之 1〇厚度以3〇nm〜l〇〇nm為佳，又以50nm〜8〇nm更佳。又，得 知第2介電體層6之厚度以3nm〜5〇nm為佳，又以 10nm〜3 0nm更佳。 15 20 基扳⑻與實施型態1之基板1同樣為透明之圓盤狀 板。基板⑻之形成反射層等之側之表面亦可形成用以導 引雷射光之導引溝。形成有導引溝時，與實施型態丨相關 聯而如已說明的，將位於接近雷射光12之側之面Μ權宜 地稱為凹軌面23,而位於距雷射光12較遠之側之面則 權宜地稱為凸軌面。基板1〇1卜凹執面23與凸軌面Μ 之段差以10nm〜30nm為佳，15nm〜25nm更佳。又，未形 成層U之表面最好是平滑的。基板iqi之材料可舉與實 把土 U之基板1之材料相同材料。基板⑻之厚度較 施型態1之基板1爭女 e ^ 更大。廷疋基於如後所述的，由於偽基 ^110 (厚度㈣，故必須以基板⑻來確保資訊 體之強度。 ^ 51 1254300 玖、發明說明 偽基板110與基板101同樣為透明之圓盤狀板。如前 所述，藉第4圖所示之構成，藉由縮小偽基板11〇之厚度 ，可以短波長之雷射光記錄。因此，偽基板1〇1之厚度以 40//m〜為佳。接著層9與偽基板11〇合計之厚度 5 以 50// rn〜120/z m 更佳。 由於偽基板11 〇彳艮薄，故以聚碳酸酯、非晶形聚烯烴 或如PMMA之樹脂為佳，尤以聚碳酸酯來形成為佳。又， 由於偽基板110位於雷射光丨2入射側，故以在光學性上於 短波長區域之複折射小者為佳。 10 15 20 接者層9以透明之紫外線硬化性樹脂來形成為佳。接 著層9之厚度以y 5 _為佳。接著層9兼具偽基板則 之機能，若形成為之厚度，則亦可省略偽 基板110。 其他賦予與實施型態丨相同之符號之要素，即與實施 型態1相關聯而如已說明者，故省略其說明。 該型態之資訊記錄媒體之變形例中，例如僅第1介電 體層為氧化物-氟化物系材料層，第2介電體層以ZnS 20mol%Si〇2形成，第2介電體層與記錄層之間可形成第2 界面層。X，該型態之資訊記錄媒體之其他變形利中，僅 第2介電體層為氧化物_氟化㈣材料層，第1介電體層為

ZnSdOmo^SiO2，第！介電體層與記錄層間可形成第1界 面層。 — _造万分 。資訊記錄媒體28係藉實施下述步驟來絮 衣乂，即··將形居 52 1254300 玖、發明說明 有導引溝（凹軌面23 ! 1m 、凸軌面24)之基板101 (例如厚 ―)配置於成膜裝置 厚 表面上依序實施成膜反射/板1〇1之形成有導引溝之 射層8之步驟（步驟e)、成膜笛 "電體層6之步驟(步 成、第 5 10 15 20 b)、成膜第1介電體層2之牛=錄層4之步驟(步驟 介命7 , 之步驟（步驟a)，更實施在第i "私體層2之表面形成 U0之步，驟。 彡者層9之步驟、及貼合偽基板 首先，實施步驟e，在美 上成膜反射層8。實施牛/反1〇1之形成有導引溝之面 e之具體方法與實施型態1相 關而如丽所說明。接荽 春… 接者依序貫施步驟C、步驟b及步驟a。 只知步驟c、|^及a之且俨 ^ 、肢方法與貫施型態1相關而如前所 。玄型恶之貧訊記錄媒體之製造中，於步驟C使用 t歲㈣材亦可與於步驟a中使用之賤鑛革巴材相異，與實 ='1之資訊記錄媒體相同。該型態之資訊記錄媒邀之 媒=方法中’各步驟之實施順序與實施型態1之資訊記錄 媒體之製造方法之實施順序不同。 成膜第！介電體層2後，從频裝置取出從反射層8 到弟1介電體層2依序積層之基板1〇1。然後，在第^ 電體層2上藉由例如旋轉塗布法塗布紫外線硬化性樹脂。 使偽基板U0密著於已塗布之紫外線硬化性樹脂，從偽基 板U〇燃、射紫外線，使樹脂硬化，完成貼合步驟。若將 接者層9形成為50//m〜12〇/zm之厚度，藉由將紫外線照 射於接著I 9 ’可省略貼合偽基板11〇之步驟。 貼合步驟完成後’因應需要實施初期化步驟。初期化 53 1254300 玖、發明說明 相關而如前所說明。 步驟之方法與實施型態 (實施型態5 ) 本發明之實施刑能< ^ , 、土心5係說明使用雷射光來實施記錄及 播放之光資訊記錄媒體 、身 -之又一其他例子。第5圖中係顯示 該光資訊記錄媒體之局部戴面。 10 15 乐5圖所不之魏記錄㈣⑼具有以下構成，即基板 1〇1之側之表面依序形成有第2資訊層22、中間層16、 h第1貝沘層21，且偽基板11〇更隔著接著層9積層於 第貝、Λ層21。更詳而言之，第2資訊層22是由在基板 側之表面依序形成有第2反射層2〇、第5介電體 層19 1 2記錄層18、及第4介電體層17而成者。中間 曰 H八第4介免體層17之表面。第】資訊層21係由 在。亥中間| 16之表面依序形成有第3介電體層15、第工 _、^ 14第2介電體層6、第1記錄層13、及第1介電 體層2而成者。在該型態中，雷射光12也是從偽基板ιι〇 側入射。X，該型態之資訊記錄媒體巾，2個記錄層中可 分別記錄資訊。因此，藉該構成，可得到具有上述實施型態 4之2倍程度之容量之資訊記錄媒體。具體來說，藉該構成， 可得到將例如波長4〇5nm左右之藍紫色區域之雷射光使用 於記錄播放之容量50GB之資訊記錄媒體。 在第丨資訊層2〗之記錄播放是藉由通過偽基板11〇之 雷，光12來進行。在第2資訊層22之記錄播放是藉由通 過弟1資訊層21及中間層16之雷射光12來實施。 弟3圖所示之型態之資訊記錄媒體29中，第5介電體 54 20 1254300 玖、發明說明 層19第4介電體層17、第2介電體層6及第丨介電體層 2白且為氧化物-氟化物系材料層。若使用氧化物-氟化物系 材料層’則第；[記錄層13與第U電體層2之間、第^己 錄層lj興第2介電體層6之間、帛2記錄層18與第4介 5電體層17之間、以及第2記錄層18與第5介電體層19之 間就不焉要界面層。氧化物-氟化物系材料層之具體材料係 與κ施型恶1相關聯而如已說明者，故省略相關之詳細說 明。 1 第5介電體層19與第2介電體層6在反射層與記錄層

1可毛揮隔熱層之機能。因此，第5及第2介電體層19及 6且以層之熱傳導率很低、可使第2及第1記錄層以及U %、速〜仲之效果提高來選擇材料而形成。具體來說，這些 層宜為含有以（ZrSl〇4 ) 5“ Cr2〇3 ) 2。（ LaF3 ) 3G ( m〇1% 1 )表示之材料之層Q又，第5及第2介電體層19及6之膜 15厚以3nm〜50nm為佳，又以l〇nm〜30nm為佳。 在第2貧訊層22及第i資訊層21中，雷射光12在到 達第2圯祿層is及第丨記錄層13前，入射於第4介電體 層17及第1介電體層2。因此，第4及第i介電體層17 及2且由透明且熱傳導率很低之材料形成。具體來說，這 些層宜為含有例如以（Zr〇2 ) 2〇 ( Si〇2 ) ( Cr2〇〇 1〇 (

LaF3) 3() (mol%)表示之材料之層。第4及第工介電體層 17及2之艇厚以30nm〜8〇rmi為佳。 如此，在如第5圖所示之單面2層構造之資訊記錄媒 體中，藉由使位於記錄層兩侧之介電體層為氧化物_氟化物 55 1254300 玖、發明說明 系材料層，可使介電體層形成為直接與記錄層鄰接而不需 隔著界面層◦因此，藉由本發日月，即使是單面2層構造之 資訊記錄媒體，也可減少構成全體之層數。又，藉由使構 成介電體層之材料中含有多數種氧化物及氟化物，及/或適 5切地選擇氧化物及|U匕物之種類，可調整折射率或媒體之 記錄感度，因應資訊記錄媒體之種類而最適當化。 第3介電體層15位於中間層16與第i反射層14之間 。第3介電體層15宜為透明且具有高折射率，以具備提高 第1資訊層21之透光率之機能。又，第3介電體層宜 10由熱傳導率較高之材料形成，以與反射層同樣具有使第工 記錄層13之熱迅速擴散之機能。滿足這些條件之材料為含 Ti〇2之材料（即Ti〇2系材料）。具體來說，Ti〇2系材料是 含TiO2在50m〇l%以上之材料。Ti〇2系材料宜含丁丨〇2在 80莫耳％以上，尤以含9〇莫耳％以上為佳。若使用抓 15系材料，則可形成具有約2·7之大折射率之層。第3介電 體層15之膜厚宜為1 〇nrn〜。 基板101係與實施型態4之基板1()1 4目同者。因此， 在此省略關於基板1 〇丨之詳細說明。 第2反射層20係與實施型態i之反射層8相同者。又 20，第2記錄層18係與實施型態i之記錄層4相同者。因此 ’在此’略關於第2反射層20及第2記錄層18之詳細說 明。 中間層16是為了刻意使位於第丨資訊層21之雷射光 之焦距位置與位於第2資訊層22之焦距位置相異而設置。 56 12543〇〇 5久、發明說明 中間層16中因應需要而在第i資訊層21侧形成有導引溝 中間層16可以紫外線硬化性樹脂形成。中間層16最好 、'七祿播放之波長A之光而言是透明的，以使雷射光12 有放半地到達第2資訊層22。中間層16之厚度要在藉接 '物鏡之開口數NA與雷射光波長λ所決定之焦距深度 以上。ΔΖ可近似△卜入/^ (ΝΑ) 2}。當A=4〇5nm、 ΝΑ-0.85 時，Δζ’Μ/ζη!。又，該值之土 〇.3//m 之範圍 包含在焦距深度之範圍内，故中間層16要有〇·8# m以上 之厚度。又，中間層16之厚度最好合計偽基板11〇之厚度 1〇為就使用之接物鏡而言在可容許之基板厚公差内，以使第 1貧訊層21之第1記錄層13及第2資訊層22之第2記錄 層18間之距離在接物鏡之可集光範圍内，因此中間層之厚 度宜為1 0 // m〜40 " ηι。 中間層16可因應需要積層多數層之樹脂層而構成。具 15體來說，可作成保護第4介電體層17之層與具有導引溝之 層之2層構成。 第1反射層14具有使第1記錄層13之熱迅速擴散之 機能。又，在記錄播放第2資訊層22之際，是使用透過第 1資訊層21之雷射光12，因此第i資訊層21全體皆須具 2〇有高透光率，以具有45%以上之透光率為佳。因此，第1 反射層14相車父於帛2反射層20，其材料及厚度都受到限 定。為了減少第i反射層14之光吸收，第i反射層14最 好是厚度薄、消光係數小、且熱傳導率大。具體來說，第 1反射層】4宜為含Ag之合金，形成為膜厚5聰以上 57 1254300 玖、發明說明 15nm以下。 第1記錄層13為了確保第1資訊層21之高透光率， 相較於第2記錄層，其材料與膜厚也受到限定。第1記錄 層13宜开> 成為在晶體相之透過率與在非晶質相之透過率之 5平均在45%以上。因此，第1記錄層13之膜厚宜在7nm 以下。構成第1記錄層丨3之材料係以即使是如此薄之膜厚 ’仍可4保藉溶融急速冷卻形成良好記錄記號、播放高品 質之訊號、及可藉升溫徐冷消去記錄記號來選擇。具體來 說，宜由如可逆性相變化材料之GeTVSb2Te3系材料之 10 Sb-Te或GeTe-Sb2Te3系材料之Ge之一部份以Sn取代之 Ge-Sn-So-Te’來形成第1記錄層13。也可使用如GeTe_ Bi^3系材料之Ge_Bi-Te或Ge_Bi_Te之Ge之一部份以Sn 取代之Ge-Sn-Bi-Te。具體來說，可適當地使用例如GeTe • Sb2Te3=22 : 1 之 Ge22Sb2Te25、或 Ge19Sn3Sb2Te25。 15 接著層9與實施型態4之接著層9同樣以透明之紫外 線硬化性樹脂形成為佳。接著層9之厚度宜為5〜l5“m。 偽基板110與實施型態4之偽基板11〇相同。因此， 在此省略有關偽基板之詳細說明。又，在該型態中，若使 接著層9兼具偽基板11〇之機能，形成5(^m〜i2〇#m之 20厚度，則亦可省略偽基板110。 在該型態之資訊記錄媒體中，第丨介電體層2、第2 介電體層6、第4介電體層17及第5介電體層19當中， 可以僅1個介電體層為氧化物-氟化物系材料層。或者，可 有2们」個介龟體層為氧化物-氟化物系材料層。1個介 58 1254300 玖、發明說明 :體層是氧化物-氟化物系封料層時’則至少不需i個界面 曰2扁’I黾體層為氧化物-氟化物系材 5 10 15 20 需Μ界面層。因此，在該型態之資訊記錄叫^ :刪除4個界面層。不是氣化物-氣化物系材料層之介電體 ::記錄層之間，可因應需要設置用以防止記錄層與介電 體層之間之物質移動之界面層。這時，可將界面層作成厚 咖之極薄之膜之型態之氧化物-氟化物系材料層。 以上试明了具有2個具記錄層之資訊層之構成之資訊 5己錄媒體。且右客I#拉昆 — ’、 5、亲g之貧訊記錄媒體不限於該構成 二了作成含3個以上資訊層之構成。又，圖示之型態之 =列係例如2個資訊層中，一個作成具有產生可逆性相 二之剩之資訊層，另-個則作成具有產生非可逆相 ，吏化之記錄層之資訊層。 又’在具有3個資訊層之資訊記錄媒體中，3 層當中，可以一個作成播放專 〇 号用〈貝Λ層，-個作成具有 產生可讀相變化之記錄層之資訊層，一個作成具有產生 非可逆性相變化之記錄層之資訊層。如此，具有2個以上 貢訊層之資訊記錄媒體中有著各種型態之資訊層。無論在 哪一種型態，藉由使介電體層軌化物-氟化物系材料層， 則不需在記錄層與介電體層之間設置界面層。 又’具有2以上記錄層之資訊記錄媒體中，氧化物_氣 化物系材料層亦可作為位於記錄層與介電體層之間之界面 層而存在。這種界面層係形成為具有5麵之厚度之極薄之 膜。 59 1254300 玖、發明說明 接著，說明製造實施型態5之資訊記錄媒娜 、豆2 9之方沐 。貧訊記錄媒體29是藉實施以下步驟來繫 个衣k，即··在 〇 1上1k序貫施成膜第2反射層20之步鄉（步驟· 第5介電體層19之步驟（步驟k)、成膜第 』、成膜 口己錄層1 8 (步驟1)、及成膜第4介電體層17之步驟（+ 後’實施在第4介電體層17表面形成中間層i6 ::m) 接下來在中間層16之表面依序實施成膜第 ’驟 ;卜電體居Ί ς 之步驟（步驟η)、成膜第i反射層14之 ’曰 4外〈步驟〇 ) 成膜第2介電體層6之步驟（步驟p)、成膜 ” 10 15 20 、步丄έ己錄層1 3 之力驟（步驟q)、及成膜第！介電體層 ^ , 步驟（步驟r) ，更貫施在第1介電體層2之表面形成接著層9之步^ 及貼合偽基板11 〇之步驟。 ’驟 驟 著 19 著 18 後 17 步驟W相當於形成第2資訊層22之步驟。步驟广 j基板101之形成有導引溝之面上成膜第2反射層2〇二 -步鄉J係與實施型態i之步驟e同樣做法來實施。接 實施步.驟k，在第2反射層20表面成膜第5介電體声 步驟k係與實施型態1之步驟L法來實施^ 實施步驟1，在第5介電體層19表面成膜第2記錄層 步’驟1係與實施型態1之步驟b同樣做法來實施。最 實施步在第2記錄層18表面成膜第4介電體層 轉—與實施型態1之步驟a同樣做法來實施。 將籍步‘驟J〜m形成第2資 貝層22之基板101從濺鍍 裝置中取出，形成中間層丨6。 、、， T間層16是以下述程序形 成。首先’在第4介電體層17表面藉例如旋轉塗布來塗布 60 1254300 玖、發明說明 紫外線硬化性樹脂。接著，將具有凹凸之聚碳酸酉旨基板之 凹凸形成面密著於紫外線硬化性樹脂，其中該凹凸與中間 層應形成之導引溝相補。以這種狀態照射紫外線使樹脂硬 化後，剝離具有凹凸之聚碳酸酯基板。藉此，形狀舆該凹 5凸相補之導引溝即形成於紫外線硬化性樹脂，而 如圖示之導引溝之中間層16。在立他 八有 仕/、他方法中，中間層16 紮外線硬純樹脂形聽«4介電體層17之層 φ再於f上形成具有導引溝之層來形成。這時，所得到： ι〇構成。 成者”層亦可積層3以上之層來 將形成到中間層16為止之基板丨 置，在中門展V 丹人配置於歲鍍裝 訊声21曰 之表面形成第1資訊層2卜形成第1資 ^ 之步驟相當於步驟n〜r。 15 體声：=在中間層16之具導引溝之面上成膜第3介電 :二……係使用高頻— 辦鱼〇、'成之我鍍革巴材’在Ar氣體環境中、或Ar氣 2氣體之混合氣體環境中實施濺鍍。 、 反射在…電體層15表面如 20 合金之濺鍍Μ γ巾#、使用直流電源’利用含“之 又靶材，在Ar氣體環境中實施濺鍍。 實施步驟P，在第1反射層U表面… 電體層:。步驟一同樣做法實施“弟2介 只轭步驟q，在第2介 記錄層13。在 版層6表面成膜第ί μ中’係使用直流電源，利用含有選自 61 !2543〇〇 玖、發明說明 例如 GC7VSb2TC3 系、材料之 Ge_Sb-Te、例如 GeTe_sb2Te3 系 材料之^之—部份以Sn取代之Ge-Sn-Sb-Te、Ge-Bi-Te、 :e Sll_BNTe、Ge_Sb-Bi，Te、及 Ge-Sn-Sb-B卜Te 之任一種材 ^ 材，在Al，氣體環境中、S Ar氣體與N2氣體之 汁匕合氣體環境中實施濺鍍。 、广“也步f驟r ’在第1記錄層13表面成膜第1介 電體層2。步鄉r係與步驟m同樣做法來實施。如此，依 序實施步驟n〜r，形成第1資訊層以。 10 15 20 ::形成到第1資訊層21為止之基板1〇1從賴裝置取 、、在第1介霞體層2之表面藉例如旋轉塗布法來 塗布紫外線硬化性樹脂。使偽基11G密著於已塗布之紫 卜^硬iu性樹脂，從偽基板11G側照射紫外線使樹脂硬化 、凡成^ σ步驟。在實施型態、5之資訊記錄媒體之製造方 法中’亦可與實施型態4之資訊記錄媒體之製造方法同樣 做法，而省略貼合偽基板110之步驟。 一貼合步驟完成後，可因應需要實施第2資訊層22及第 1貢訊層21之初期化步驟。初期化步驟可在形成中間層之 /或之k ’針對第2貧訊層22實施’而在偽基板11〇之貼 合之前或之後，針對第1資訊層實施。實施初期化 步驟之方法係與實施型態丨相關聯而如前所說明。 (實施型態6 ) 本發明之實施型態6係說明使用雷射光來實施記錄及 播放之資訊記錄媒體之又一其他例子。第6圖中係顯示該 光資矾記錄媒體之局部截面。 62 1254300

弟6圖所示之資訊記錄媒體 /、有以下構成，即在基 則之表面依序形成有第 二极1 丨包體層102、第 面層3、記錄層4、第2界面 w n 弟2介電體層1〇6、光 補正層7及反射層8，且 „ ,, ^ U以接者層9接著於 反射層8。第6圖所示 安考於 <貝己錄媒體％中 第2界面層3及5作為^ 〃 r係、將弟1及 作為乳化物-鼠化物系村料層。其他，在 弟6圖中，與第；[圖中使 ^ 付“相同符號者’係表示 為相同要素，是參昭第 m L 弟圖所說明之材料及方法形成者。

因此，關於參昭第I 10 明 明 0而已經說明之要素則省略其詳細說 明0 中鮮…⑮之資訊記錄媒體相當於以習知之資訊記錄媒體 中所使'如nS-、。_2形成第1及第2介電體層1〇2 及1〇6之構成。該構成中，氧化物-I化物系材料層可作為 第1及第2界面；3《 ' 15 20 曰 使用。第1及第2界面層3及5 之適且之材料，金管放〗At /、灵轭2恶1之第丨及第2介電體層2及 6相同。因此，省畋如 D相關之评細說明。第1及第2界面層3 1〜1〇_為佳，更以2〜7nm為佳。 之界面層相較於與由習知之含Ge ，具有材料成本錢、消光係數小 、熱性負安定等優點。 一旱艾為了不對記錄消去性能造成影響，故以 氧化物氟化物系材料層 之氮化物形成之界面層 (透明性高）、及熔點高 接d况明製造實施型態ό之資訊記錄媒體30之方法 0 M sfL δ己錄媒體3 f) θ站 ^ 0疋错下述步驟製造，即，在基板1之形 成有導引溝之表面卜价广― 回上依序貫施成膜第1介電體層1〇2之步 63 1254300 玖、發明說明 驟（步驟h)、成膜第；[界面層3之步 錄層4之步鄉（步驟b)、成膜第2界面'層二驟小成膜記 小成膜第2介電體層1G6之步驟J之步驟（步驟 、士 T p / I g )、成膜井吸收 補正層7之步驟（步驟d)及成膜 、 )，更餘产卢c μ已 曰8之步禪（步驟e 更μ%在反射層8之表面形成接 从甘J之步驟、及貼合 偽基板丨〇之步驟。步驟b、d及 ,^ 〜、只知型態1相關而 如則所說明，步驟g係與實施 , _ 〜、2相關而如前所說明， h係與貫施型態3相 其說明。 已㈣者，故在此省略 10 15 20 步驟s是在第1介電體層⑽之表面成膜第1界面層 3 實施之步驟a同樣做法來實 把。步驟t是在記錄層4之表面成膜第2界面層5之步驟 。她是以與實施型態i之步驟c相同做法來實施。 以丄參照第1〜6圖今明了 每射光記錄播放之光資訊 記錄媒體作為本發明之資訊記錄媒體之實施型態。本發明 之光資訊記錄媒體並不限定於這些型態。本發明之光資訊 記錄媒體最好以氧化物-氟化物系材料層作為構成層之卜 而只要設置成與記錄層鄰接，可採取任意之型態。亦即， 本發明並不受限於基板上形成層之順序、記錄層數、記錄 條件及記錄容量，而皆可適用。又，本發明之光資訊記錄 媒體適用於以各種波县却俾 m 悝及長。己錄。因此，本發明之光資訊記錄 媒體可以是例如以波長630〜68〇nm之雷射光記錄播放之 DVD-RAM或DVD_R、或是以波長.45〇疆之雷射光記 錄播放之大容量光碟等。 64 1254300 玖、發明說明 (實施型態7 ) 本發明之實施型態7係顯示施加電能來實施資訊之記 錄及播放之資訊記錄媒體之一例。$ δ圖中，顯示資訊記 錄媒體之局部截面。 5 10 15 20 第8圖係在基板2〇1表面依序形成有下部電極逝、 記錄部203及上部電極2G4之記憶體2()7。該記憶體2〇7 之記錄部203具有包含圓柱狀之記錄層2〇5及圍繞該記錄 層205之介電體層2〇6之構成。與之前參照第卜6圖所說 明之光資訊記錄媒體不同的是，在該型態之記憶體斯中 :記錄層205及介電體層鳩形成於同—面上，彼此並不 是積層之關係。然而，記錄層2〇5及介電體層2〇6 一起在 記憶體2〇7中構成了含有基板2〇1、下部及上部電極2〇2 及綱之積層體之一部分，故各自可稱為「層」。因此’本 發明之資訊記錄媒體中，也包含了記錄層與介電體層㈣ 一面上之型態者。 具胆而5 ’可使用Si基板等半導體基板、或聚碳酸醋 土板SiG2基板及八丨办基板等絕緣性基板來作為基板 。下部電極2〇2及上部電極綱是以適當之導電材料形 成。下部電極202及上部電才圣2〇4係藉由滅鍍例如Μ、

Ag、Pt、Al、Ti、w 及 rr !、/ 这-a - * U以及廷些兀素之混合物之金屬而 形成。 構成記錄部203之記錄層2〇5係以藉施加電能而產生 :變化之材料形成’亦可稱為相變化部。記錄| 205是以 藉她加屯,]b而產生之焦耳熱而在晶體相與非晶質相間相 65 1254300 玖、發明說明 化之材料形成。記錄層2〇5 <材枓可使用例如Ge-Sb-Te、

Ge-Sn-Sb-Te、Ge_B卜Te、Ge_Sn Bi Te、Ge Sb B卜Te 及 & sn-sb_BI—Te系材料，更具體來說’可使用GeTe別办系 或GeTe-Bi2Te3系材料。 5 10 15 構成記錄部203之介電體屑川 包版層206可防止因在上部電極 204及下部電極202之間施加带厭 门她加包壓而流入記錄層205之電 流逃入周邊部，具有使記錄層 隹a性或熱性質上絕緣 之機能。因此介電體層2〇6亦 J牙冉為^熱部。介電體層 2〇6為氧化物-氟化物系材料層，具體來說，是含有以上式 斤 飞表不之材料之層。氧化物- 氟化物系材料層由於高熔點、加熱時材料層中之原子不易 擴散以及熱傳導率低等性質而很適於使用。 關於該記憶體207,將於後述之實施例中與其動作方 法一起進一步說明。 【貫施例 接著，利用實施例詳細說明本發明。 (試驗1 ) 藉由試驗，來確認由本發明之資訊記錄媒體之製造上 所使用之氧化物-氟化物系材料所形成之靶材之標稱組成（ 20換言之，即在供給時靶材機器所公開顯示之組成）與其分 析組成之關係。 本試驗中，係將相當於以上式（50)之（ZrSi〇4)( Cr2〇3) 3() (LaF3) 30 (mol%)來表示標稱組成之濺鍍執材 λ成粉末狀’藉X光微置分析法實施組成分析。於果，：賤 66 1254300 玖、發明說明 鍍革巴材之分析組成不是得到以化合物之比例（mol% )顯示 之式（5 0 )’而是得到以各元素之比例（原子％)顯示之气 (30 )。分析結果顯示於表！。又，在表1中，係顯示出從 標稱組成异出之元素組成之換算組成。 標稱組成 (ZrSi04) a (Cr203) b (LaF3) 100.a_b (mol%) (=換算組成（原子％)) — 分析組成（原子％) Zr,CrsSitOuLavFw (ZrSi〇4) 4〇 (Cr2〇3) 30 (LaF3) 30 _ (=Zr7.8Crii.8Si7.8〇49 ^α5.9Ρ176) Zr7.5Cr12Si7.5〇49La6F18 -~~----- 如表1所示，分析組成與換算組成幾乎相等。從該結 果可確認，藉式（50)表記之濺鍍靶材之實際組成（亦即 分析組成）與藉計算求得之元素組成（亦即換算組成）幾 乎一致，因此標稱組成是適當正確的。 (試驗2 ) 藉試驗確認由本發明之資訊記錄媒體之製造中所使用 之氧化物-氟化物系材料形成之靶材之標稱組成、與用該靶 材所形成之氧化物-氟化物系材料層之分析組成之關係。具 體來說，將以相當於上式（50)之（ZrSi〇4) 3〇 (Cr2〇3) 5〇 (LaF;) 2(> (m〇l%)來表示標稱組成之濺鍍靶材（直徑 1〇〇_、厚度6mm)安裝於成膜裝置（亦即濺鍍裝置）， 在〇.13Pa之塵力下’於Ar氣體環境中，使用高頻電源， 以500W之功率濺鑛。藉該賤鑛，在&基板上形成她以 厚度之氧化物-氟化物系材料層。該氧化物_氟化物系材料 67 15 1254300 玖、發明說明 層之組成分析也藉X光微量分析法實施。氧化物_氟化物系 材料層之分析組成也不是得到以化合物之比例（mol%)顯 不之式（5 )，而是得到以各元素之比例（原子％)顯示之 式（3) ◦分析結果顯示於表2。又，在表2中，係顯示出 從革ε材之標稱組成异出之元素組成之換算組成。 表2 乾材之標稱組成 (ZrSi04) a (Cr203) b (LaF3) 100_ab (m〇i〇/0) (=換算組成（原子％)) 氧化物-氟化物系材料層 之分析組成（原子％) ZrRCrsSix〇uLavFw (ZrSi〇4) 30 (Cr203) 50 (LaF3) 2。 」^^5·Άι 9.6Si5.9〇52 9La3.9Fn 8) Zr6.2Cr20Si6O52.9La3.5F11 4 如表2所示，層之分析組成與靶材之換算組成幾乎相 等。從該結果可確認，使用藉式（50)表記之滅鑛靶材形 成之乳化物-|L化物系材料層之實際組成，與從賤鑛革巴材之 標稱組成計算求得之換算組成幾乎—致，因此可確認，若 使用猎式（5G)表記之減鍍|&材，則可形成具有幾乎相同 組成之膜。 推測以選自君f GM之元素之氧化物之混合比例、與以 選自群GL之元素之氟化物之混合比例來表記而提供之其 他歲鍍+巴材’應該也會得到與試驗i & 2相同之結果。因 此，在以下實施例中，係以標稱組成（m〇1%)來表示濺鍍 靶材之組成。X ’濺鍍靶材之標稱组成、與使用該濺鍍靶 材,藉機鍍法形成之氧化物-氟化物系材料層之組成（ 则1/〇視為相同而沒有妨礙。因此，以下實施例中，也以 68 1254300

〆賤錢礼#之組成之表示來表示介電體層之組成。又，以下 之實施例中，僅以化合物之比 盥氧I,,, ^ 〇1/〇)宋表記濺鍍靶材 ;;务氣化物系材料層之組成。熟習此項技藝者當可依 據各化合物之比例（祕)，輕易細 氣化物系材料層之元素组成(原子%)。 、乳化物- (實施例1 ) 貫施例i中實施了到完成本發明為止之預備試驗。具 體來說，是在相當於以上說明之實施型態i之第i圖中所 示之資訊記錄媒體25中，以各種材料形成第i介電體層2 10及第2介電體層6而製作了14種樣本。任一樣本之第；介 電版層2與第2介電體層6都是以相同材料形成。以下說 明資tfU己錄媒體25之製造方法。在以下之說明中，為了容 易理角午，係使用與第i圖所示之各構成要素相同的參考編 號作為各構成要素之參考編號。後述實施例之資訊記錄媒 15體中，同樣使用與對應之資訊記錄媒體中之構成要素相同 的參照編號作為各構成要素之參照符號。 首先’準備單側表面上預先設置有深56nm、執距（基 板主面上位於面内之平行之凹軌表面及凸執表面之中心間 距離）”·61 5//m之導引溝之直徑i2〇mm、厚〇.6mm之圓 20形聚碳酸酯基板作為基板1。 藉錢鍍法用以下說明之方法，在基板丨上依序成膜厚 150nm〜苐1 ”電體層2、厚9nm之記錄層4、厚50nm之 第2介電體層6、厚40nm之光吸收補正層7、及厚80nm 之反射層8。 69 1254300 玖、發明說明 構成第1介電體層2與第2介電 兒版層6之材料係使用

Ti〇2 (樣本h)、Zr〇2 (樣本丨

Hf〇2 (樣本丨_3)、 5 10 15 V2〇5(樣本 l_4)、Nb2〇5(樣本 4 rv rw h ra2〇5 (樣本 i_6)、 ;一)，。〇3(樣本，8)，樣本⑼、 Sl〇2(#MG)、ZnQ(樣本 Hi)、ZnS(樣本 112)、 LaF3 (樣本 Kl3)、Te〇2 (樣本 Η”。 /在形成^介電體層2及第2介電體層6之步驟中， 係將由上切料形成之_革巴材（直#刚麵、厚6_) 安裝於咸㈣置’在壓力G.13Pa下實施高頻軸。各樣本 中採用之濺鍍時之功率及環境氣體如表3所示。 形成記錄層4之步驟中，於成膜裝置中安袈由㈣一 Sb2Te3^二元系組成之Ge之一部份以&取代之 m系材料所形成之錢艘乾材（直徑100mm、厚6mm) ’實施直流濺鍍。功率是1〇〇w。濺鍍中，導人&氣體（ 97%)與N2氣體（3%)之混合氣體。缝時之壓力為 〇· 13Pa。記錄層之組成是Ge27Sn8Sbi2Te53 (原子％ )。 在形成光吸收補正層7之步驟中，於成膜裝置中安裝 由組成為Gc^Ciw (原子％)之材料所形成之濺鍍靶材（ 直徑K、〇mm、厚6mm)，實施直流濺鍍。功率是3〇〇w。 錢鏡中，等入Αι氣體。丨賤鍍時之壓力為〇.4pa。 在彤成反射層8之步驟中，於成膜裝置中安裝由Ag_ Pd-Cu合金形成之濺鍍靶材（直徑1〇〇mm、厚6mm)，實 施直流濺鍍。功率是200W。濺鍍中，導入Ar氣體。濺鍍 時之壓力為〇.4Pa。 70 20 1254300 玖、發明說明 /戍反射層8後，將紫外線硬化性樹脂塗布於反射層 8 ^。丹在已塗布之紫外線硬化性樹脂上貼著直徑12〇mm 厚Ο』·之水石厌g复g旨製偽基板1〇。接著，從偽基板⑺ 側照射紫外線使樹脂硬化。ϋ此，M之厚度形成由 5 硬化之/W㈣叙接著層9，同時使絲板隔著接著層 9貼合於反射層8上。 貼合偽基板10後，使用波長81〇nm之半導體雷射實 施初期化步驟。在初期化步驟中，使位於資訊記錄媒體25 之半禮22〜6〇nm之範圍之環狀領域内之記錄層4幾乎全面 日日化藉初期化步驟之終了，即完成資訊記錄媒體25之 製作。 製作第10圖所示之構成之資訊記錄媒體31作為比較 樣本。仕比較樣本中，第丨介電體層1〇2及第2介電體層 106疋从（ZnS) 80 (si〇2) 2〇形成。又，第1界面層1〇3 15及第2界面層105係作成各自由Ge-Cr-N形成之厚5nm之 層。 第I介電體層102係使用由（ZnS) 8〇 (Si〇2) 2〇形成 之濺鍍靶材（直徑100mm、厚6mm)，在壓力〇 npa下， 採用表3所示之條件來實施高頻濺鍍而形成。第2介電體 20層1〇6也以同樣做法形成。 仅V成第1界面層103之步驟中，係將由具有 G^Ci、（原子％ )組成之材料所形成之濺鍍靶材（直徑 100mm '厚6mm)安裝於成膜裝置中，在約133pa之壓力 下貫施南頻濺鍍。功率是3〇〇w。導入Ar氣體（6〇%)與 71 1254300 玖、i.::_明說明 A氣體（40%)之混合氣體作為環境氣體。結果，混合氣 體中之吣氣體與從濺鍍靶材被濺鍍上之Ge及& ， 而形成义-Cr-N之層編！界面層1〇3。&界面層;〇5 也以同丨水做法形成。 5 10 15 20 光吸收補正層7及反射層8是以與資訊記錄媒體25之 光吸收補正層7及反射層8同樣做法而形成。接著層9之 形成與偽基板K)之貼合，也使用與f訊記錄媒體」所採 用之方法相同的方法來實施。 接著說明資訊記錄媒體之評價手法。資訊記錄媒體25 中之介電體層之密著性是依據在高溫高濕條件下有無剝離 :評[具體來說，將初期化步驟後之資訊記錄媒體25在 /皿度，（〜相對渔度8Q%之高溫高濕槽中放置1⑽小時後 ’使用光學顯微鏡以目測來調查在記錄層及與之鄰接之介 電體層之間是否發生剥離’更詳而言之是記錄層4盘第i 介電體層2之界面、及記錄層4與第2介電體層6之界面 之至::：者是否發生剝離。當然，無剝離之樣本評價為具 良好m而發生剝離之樣本則評價為密著性低劣。 &資訊記錄媒體25之反覆改寫性能是依據反覆次數來評 價。反獲次數是以下述條件來決定。 +為了在資訊記錄媒體25中記錄資訊，故使用具有：使 資訊記錄媒體25旋轉之轉轴馬達、具備可發出雷射光Η 之半導體雷射之光學頭、及使雷射光12集光於資訊記錄媒 體25之記錄層4之接物鏡這種—般構成之資訊記錄系統。 資訊記錄媒體25之評價中，使用波長66〇腿之半導體雷 72 1254300 玖、發明說明 射人知數〇·6之接物鏡，進行相當於4.7GB容量之記錄 使貝‘己錄士某體25旋轉之線速度定為8.2111/秒。又，在 求後述之平均抖動值時之抖動值測定係使用時間間隔分析 器0 5 15 20 '" 為了决疋改舄次數時之測定條件，故用以下程 序設定顛值功# (Pp)及偏壓功率（Pb)。使《上述Μ 將雷射光在高功率等級之顛值㈣（mw)與低功率等級 之偏壓轉（mw)之間一邊進行功率變調一邊朝資訊記 錄媒體25照射，將記號長〇.42//m(3T)御 )之隨機訊號（藉凹軌記錄）在記錄^ 4之同—凹執表面 己亲（人然後，測定前端間之抖動值與後端間之抖動值 ^ \】I二抖動值之平均值作為平均抖動值。針對偏壓 力率固、^疋值、顛值功率作各種變化之各記錄條件來 測定:均抖動值’使顛值功率逐漸增加，將隨機訊號之平 句抖切dt達到13%時之顛值功率《丨.3 ^咅之功率暫定為 Ppi接著’針對顛值功率固定為Ppi值、偏壓功率作各 種變化之各記_件來敎平均抖動值，將隨機訊號之平 均抖動値制13%以下時之偏壓功率之上限值及下限值之 平句&為Pb。接著，並針對偏壓功率固定為pb值、 顛值功丰作各種變化之各記錄條件來測定平均抖動值，使 颠值功率逐漸增加，將隨機訊號之平均抖動值達到13%時 之顛㈣率之1·3倍之功率設定為Pp。如此，在用上述做 定一 ΐρ及Pb之條件下記錄時，例如在1〇次反覆改 寫中付到8〜9%之平均抖動值。若考慮系統之雷射功率上 73 1254300 玖、發明說明 限值，則以滿足PPSl4mW, Pb$8mW為佳。 反覆次數在本實施例中是依據平均抖動值決定。用上 述做法設定之Pp與Pb將雷射光一邊進行功率變調一邊朝 資訊記球媒體25照射，將記號長〇.42//m (3τ) 5 (14了）之隨機訊號（藉凹執記錄）在同一凹軌表面反覆 預定次數連續記錄後，測定平均抖動值。平均抖動值在反 覆次數：、2、3、5、10、1〇〇、鳩及5〇〇次時測定，而反 覆次數次之範圍内是於每麵次測定，反覆 次數2_G〜1_G0次之範圍内是於每1〇_次測定。平均 10抖動值達到13%時則判定為反覆改寫之極限，藉這時的反 覆次數装評價反覆改寫性能。當然，反覆次數越大則評價 反极k 丨生此越同當資訊記錄媒體作為電腦外部記情體 使用時m數宜在1Q萬次以上。f訊記錄媒體作:圖 像聲音1己錄為使用時，反覆次數宜在丨萬次以上 15 74 1254300 玖、爱明說明 樣本 編號 第1介電體層與第2介電體層 性能評價 材料 藏鑛條件 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp (rnW) 功率 (W) 環境氣體混 合比（％) Ar 〇2 Μ Ti()2 500 100 0 有 10000 15.5 1-2 ΖιΌ2 500 100 0 有 100000以上 13.0 1-3 ηγο2 500 100 0 有 100000以上 13.0 1-4 V2〇5 500 100 0 有 無法評價* 不明 1-5 Nb205 500 100 0 有 10000 13.5 1-6 Ta205 500 100 0 有 10000 13.5 1-7 Cr203 500 100 0 Μ 10000 15.5 1-8 M〇〇3 500 100 0 有 無法評價* 不明 1-9 W〇3 500 100 0 有 無法評價* 不明 1-10 Si〇2 1000 97 3 有 100000以上 13.0 1-11 ZnO 400 100 0 100 14.5 1-12 ZnS 400 100 0 無 1000 12.0 1-13 LaF3 400 100 0 無 1000 13.0 1-14 Te()2 200 97 3 有 無法評價* 不明 比較 (ZnS) K〇 (Si02) 2〇 (習知構成） 400 97 3 無 100000以上 11.0 *無法改寫 如表3所示，樣本1-4、1-8、1-9、1-14改寫很困難。 具體來說，若在一形成第1次隨機訊號之記錄記號後即進 5 行第2次之重複寫入，則原來的記錄記號會留下而不會消 失。因此，得知V205、Mo〇3、W03、Te〇2很難作為介電 體層使用。在其他樣本中，也無法得到與比較樣本相同程 度之特性。亦即，從樣本1-1到1-14每個都無法同時滿足 良好密著性、良好反覆改寫性能、及良好記錄感度（Pp ^ 10 14mV〇 〇 南此得知，在樣本1-1到1-14中所使用之材料，光憑 如此每個都不適於形成與記錄層鄰接之介電體層。然而， 75 1254300 玖、發明說明 從本實施例之結果得知，由Cr〇2、Zn〇、ZnS及LaF3形成 之介電體層與記錄層之密著性良好，以及具有由Ti02、 Zr〇2、Mf〇2、Nb205、Ta2〇5、Cr2〇3 及 Si〇2 形成之介電體 層之€ d己細媒體之反覆改寫性能良好。因此，本發明人 5 推測氣合選自Cr2〇3、ZnO、ZnS及LaFs之1以上之化合 物、與選自 Ti〇2、Zr〇2、Hf02、Nb2〇5、Ta2〇5、Cr2〇3 及 Si〇2之1以上之化合物，藉此應可同時達成良好密著性與 良好反覆改寫性能。 (實施例2 ) 10 15 20 實施例2中，為了同時達成良好密著性與良好反覆改 寫性，於是從實施例1使用之材料中選出與記錄層之密 著性優異之材料、及可得到實用程度之資訊記錄媒體之反 覆改妈性能之材料，並將之混合，以此混合得到之材料形 成介電體層。具體來說，係與實施例丨同樣在第丨圖所示 之資訊記錄媒體25中，以各2種成分混合材料形成第1介 電體焓2及第2介電體層6，製作27種樣本。各樣本中， 第1介電體層2與第2介電體層6是以相同材料形成。 小身施例中，各樣本除了第1及第2介電體層由表4 所示讀料形成這點以外，其餘係與實補1同樣地製作 成與，！圖所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。且使用 與貝；;:一们中所使用之基板相同者作為基板1。記錄層4、 光及Ίι層7及反射層8係實施與實施例"目同做法而 形成：第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表 4所一材料形成之義羊巴材（直徑·麵、厚度6職） 76 1254300 玖、發明說明 ，在0」3Pa之壓力下實施高頻濺鍍而形成。各樣本採用之 濺鍍時之環境氣體及功率如表4所示。 針對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性能之評價。評價結果顯示於表2。密著性及反覆改寫性 5 能之評價方法如前所說明。 77 1254300 玖、發明說明 表4

樣本 第I介電體層與第2介電體層 性能評價 ~ 編號 材料 濺鍍條件 剝離 反覆次數 顛值 功率 環境氣 IEL 功率 (W) 體混合 Pp ( 比（％) mW Ar 〇2 ) 2-1 (Ti〇2) 50 (Cr2〇3) 50 500 100 0 無 50000 — T5T 2-2 (Ti02 ) 50 (ZnO) 50 400 100 0 無 100 — I5T 2-3 (Ti02) 50 (ZnS) 50 400 100 0 無 1000 — Kr 2-4 (Ti02) so (LaF3) so 400 100 0 無 30000 — βτ 2-5 (ΖιΌ2) 50 (Cr2〇3) 5〇 500 100 0 無 100000 — uT' 2-6 (Zi’02) 5q ( ZnO) 5〇 400 100 0 無 1000 — ηΤ 2-7 (Zr02) 5G (ZnS) 5〇 400 100 0 無 1000 ~ \ΪΤ 2-8 (Zr〇2) 50 (LaF3) 5〇 400 100 0 無 50000 12Χ 2-9 (Hf〇2) 5〇 (Cr2〇3) 5〇 500 100 0 無 100000 liF 2-10 (Hf02) 5〇 (ZnO) 50 400 100 0 無 1000 ΤϊΤ 2-11 (Hf02) 5〇 (ZnS) 5〇 400 100 0 無 1000 ΙλΓ 2-12 (Hf02) 5〇 (LaF3) 5〇 400 100 0 無 50000 Hr 2-13 (Nb2〇5) 50 (Cr2〇3) 50 500 100 0 無 10000 2-14 (Nb205) 50 (ZnO) 50 400 100 0 無 100 14 0 2-15 (Nb205) 5〇 (ZnS) 5〇 400 100 0 無 1000 ^ 13.3 2-16 (Nb2〇5) 5Q (LaF3) 50 400 100 0 無 10000 — ΤίΓ 2-17 (Ta2〇5 ) 50 ( Cl’2〇3 ) 50 500 100 0 無 10000 κτ ΤϊοΓ 2-18 (Ta205 ) 5〇 (ZnO) 5〇 400 100 0 無 100 — 2-19 (Ta205 ) 5〇 (ZnS) 5〇 400 100 0 無 1000 ~~ 12.8 2-20 (；Ta205 ) 5〇 (LaF3) 5〇 400 100 0 無 10000 Τ2Τ 2-21 (Cl_’2〇3) 50 (ZnO) 50 400 100 0 無 100 2-22 (Cr2〇3) 50 (ZnS) 50 400 100 0 無 1000 2-23 ( Cr203) 5〇 (LaF3) 5〇 400 100 0 無 10000 — lir 2-24 (Si02) 5〇 (Cr203) 5〇 500 100 0 無 1000—00 — τ—— 14 ^ 2-25 (Si02) 5〇 (ZnO) 5〇 400 100 0 無 100 —'^ A飞· J T3V 2-26 (Si02) 5〇 (ZnS) 400 100 0 無 1000 ~~' I2T 2-27 (Si02) 5〇 (LaF3) 5〇 400 100 0 無 80000 比較 (ZnS) 80 (Si02) 20 400 97 3 無 10000^¾ ITF (習知構成） 上 —-----L 如表4所示，從樣本2-1到2_27全都未發生剝離，密 N竹〈锿本顯^ 出良好的反覆改寫性能。特別是使用將

丄 Lr2〇3混合於ZrC 、職、⑽中之材料之樣本可 u萬次之反覆次數 78 5 1254300 玖、發明說明 又，使用混合了 LaF3之材料之樣本係Pp<14mW，顯示 出良好的記錄感度。另一方面，混合了 2n〇及zns之材料 =樣本’反覆改寫性能皆很低r從該結果得知，可對反 覆改以生能寄予厚望之介電體材料，亦即混合於Ti〇2、 △〇2,2、则办、^、咖3或训2中之材料，以 :LaF3為佳。更，比起組合2種氧化物，組合氟化 物與氧化物可更有效地使層之熱傳導率降低。 10 15 20 士、人攸表4得知’藉由組合LaF3與氧化物，可得到同 ^足良奸抵、者性、良好反覆改寫性能、及良好記錄感度 之貢訊記錄媒體。由此，本發明人推測，混合稀土類金屬 之氟化物，應該也同樣能得到良好的結果。 I貫施例3 ) «她例3中’為了達成良好的記錄感度，故採用在反 覆改烏性能上特別可寄予厚望之Zr〇2、Hf〇2及a%中， 混合歸土類金屬之氟化物而成材料來形成介電體層。具體 來說，與實施例i同樣地’在第i圖所示之資訊記錄媒體 25中，以各2種成分混合材料形成第i介電體層2及第2 介電體層6,製作24種樣本。在該實施例中，第}介電體 層2與第2介電體層6也是以相同材料形成。 本實施例中，各樣本除了第！及第2介電體層由表5 所示之材料形成這點以外’其餘係與實施例1同樣地製作 成與第1圖所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。且使用 與實施例1巾所使狀基板㈣者作為基板丨。記錄層4、 光吸收補正層7及反射層8係實施與實施例丨相同做法而 79 1254300 玖、發明說明 形成。第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表 5所示之材料形成之濺鍍靶材（直徑1〇〇mm、厚度6mm) ，在0.13Pa之壓力下實施高頻濺鍍而形成。每個樣本在介 電體層之形成步驟中，濺鍍皆使用4〇〇w之功率，在Ar氣 5體環境中實施。 知對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改 么此〜坪價。評價結果顯示於表5。密著性及反覆改寫性 能之評價方法如前所說明。 80 1254300 玖、發明說明 表 樣本 編號 第1介電體層及 第2介電體層 材料 性能評價 反覆次數 Μ 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 3-7 3-8 (Zr02) $Q (DyF3) 5Q (Zr02) 5〇 (HoF3) so (Zr02) so (ErF3) 5〇 (Zr02) 50 (YbF3) 5〇 (Zr02) 50 (CeF3) 5〇 (Zr〇2) 5〇 (PrF3) 5〇 (Zr02) 5Q (NdF3) 5〇 (Zr02) 5Q (GdF3) so

η、、 40000 40000 20000 20000 20000 20000 顛值功率Pp (_mW) 12.6 12.4 12.3 12.5 12.2 3-9 Μ0 3-11 M2 3-13 i-14 3-15 3-16 ί-17 3-18 3-19 3-20 -21 3-22 3-23 3-24 比較 (Hf02) 5〇 (HoF3) 50 (HfQ2) 57(ErF3) so - (HfQ2) 5〇 (CeF3) 50 (HfQ2) 5〇 (PrF3) 50 (HfQ2) 50 (NdF3) so (HfQ2) 5〇 (GdF3) 5〇 (HfQ2) 50 (DyF3)

10000 10000 40000 40000 20000 20000 12.7 12.8 12.5 12.4 12.5 12.6 12.3 (ZnS) g〇 (Si02) 20 (習知構成） 50 20000 20000 12.4 12.5 (HfQ2) 5〇 (YbF3) 50 (S1O2) 5〇 (CeF^) (Si02) 50 (PrF^ (Si02) 50 (NdF3) (Si02) 50 (GdF3 (S1O2) 50 (DyF, (Si02) 5(T(~HoF (Si02) 50 (ErFQ (S1O2) 50 (YbF,

50 100000以上 11.0 如表5所示’從樣本Μ至0-24全都未發生剝離，密 著性良好。又’在每個樣本中，反覆次數都在Ϊ萬次以上 ’若是作為圖像聲音記錄器用途之資訊記錄媒體，可充分 地確保其可使用之反覆改寫性能。更，在每個樣本中，都 是Pp<14mW，記錄感度良好。如此得知，藉由混合氧化物 與烯土類金屬之氟化物，則即使介電體層與記錄層相接而 形成，仍可確保資訊記錄媒體必要的性能。 81 1254300 玖、發明說明 若進行比較樣本與樣本3d到3_24之比較，比較樣本 中不僅可達成10萬次以上之反覆次數，且可實現 Pp=llmW這個高記錄感度。若考慮到資訊記錄媒體作為電 腦之外部記憶體使用時之情況，則以可實現1〇萬次以上之 5反覆次數為佳。於是，為了實現與比較樣本（亦即，習知 構成之資訊記錄媒體）同等或以上之性能，故嘗試使用於 多數氧化物中混合氟化物之材料。 (實施例4 ) 實施例4中，係針對Zr〇2_LaF3混合系材料決定其適 1〇宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係在相當於以上 所况明之貫施型態3之第3圖所示之資訊記錄媒體27中， 以上述2個化合物之混合比例相異之材料來形成第2介電 體層6,製作7種類之樣本。以下，說明資訊記錄媒體27 之製作方法。 15 f先，準備與實施例1中使用之相同基板作為基板i 。在該基板1上藉濺鍍法依序用以下所說明之方法成膜厚 150nm之第i介電體層102、厚5nm之第1界面層ι〇3、 厚9麵之記錄層4、厚50nm之第2介電體層6、厚伽㈤ 之光吸收補正層7、及厚80nm之反射層8。 2〇 帛1介電體層102係使用與之前述實施例i中說明之 資訊記錄媒體31(比較樣本）之第！介電體層1〇2同樣做 法，以（ZnS) 80 (Si02 ) 20 (m〇1%)形成。第丨界面層 1〇3係以之前於實施例i中說明之資訊記錄媒體31 (比較 樣本）之第1界面層103同樣做法而形成，為Ge_Cr_N層 82 1254300 玫、發明說明 。記錄層4以與實施例"目同做法而形成。因此，該組成 為 Ge27Sn8Sb12Te53 (原子。/〇)。 第2 ”兒體層6係各自使用表6中所示之材料所形成 之賴把材（直徑100mm、厚6麵），在&氣體環境中 〇.13Pa之壓力下實施高賴錢而形成。又，使用之功率在 樣本4-1中為500W，在樣本4_2〜4_7中為4卿。 光吸收補正層7及反射層8係與在實施例】中所說明 之貧訊記錄媒體25當中的該兩層同樣做法而形成。 10 15 為了做比較，故製作與實施例i中製作的相同資訊記 錄媒體3Η乍為比較樣本。就所得到之各樣本評價介電體層 之么者性與反覆改寫性能。該評價結果顯示於$ 6。密著 性與反覆改寫性能之評價方法如前所述。纟，在本實施例 中，密著性之評價是藉由調查記錄層4及與之相接之第2 ’丨電體層6之間是否發生剝離來實施。 衣（） 材料 剝離

(Zr〇2 ) 95 ( LaF3)

i全面都 僅外周部有11 oooooiX 1¾功率 Pp ( mW) 100000以上

(ZnS) 8〇Tsi〇2) 2〇 (習知構成） 如表6所示，可確認當含。匕在1〇莫耳％以上 則 83 1254300 玖、發明說明 不會發生剝離，可確保良好的密著性。又，Zr02之比例越 小（亦即LaF3之混合比例越大），則反覆次數變小，但有 作會變小而記錄感度變佳的傾向。由上述表之結果得知， #考慮反復改寫⑯能與記錄感度之均衡之比例在 5 5〇莫耳％以上為佳，而若考慮密著性，則Zr02之比例在 9〇莫耳％以下為佳。 (實施例5 ) 貝施例5巾，為了進一步提昇記錄感度與反覆改寫性 月匕故以此合了 2以上之氧化物與作為選自群gl之元素 1〇之敗化物之LaF3之材料來形成介電體層。具體來說，與實 施例1同樣的，在第i圖所示之資訊記錄媒體25中，以各 種的3成分混合材料形成第丨介電體層2及第 2介電體層 6 ’製作8種類的樣本。該實施例中，第丨介電體層2與第 w電to層6也疋以相同材料形成。本實施例中，之所以 15採用LaF3，是基於其炼點高、且成本上有利。 本實施例中，各樣本除了第1及第2介電體層由表7 所示之材料形成這點以外，其餘係與實施例丨同樣地製作 成與第1圖所示之資訊記錄媒豸25具有相同構成。且使用 與實施例1巾所使狀基板相㈤者作絲板丨。記錄層4、 20光吸收補正層7及反射層8係實施與實施例i相同做法而 形成。第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表 7所不之材料形成之濺鍍靶材（直徑100mm、厚度6mm) ，在〇.13Pa之壓力下實施高頻濺鍍而形成。每個樣本在介 電體層之形成步驟中，濺鍍皆使用4〇〇w之功率，在^氣 84 !2543〇〇 玖、發明說明 體壞境中實施。 針對所得到之各樣本評價介電體層之密著性及反覆改 寫性月b。忒砰價結果顯示於| 7。密著性及反覆改寫性能 之評價方法，如之前實施例丨中所說明。 樣本 第1介電體層及第2介電體層 一 性能評僧 材料 剝離 反覆次數 顛值功率 Pn ("mW) 5-1 aaF3)训 / r-i · \ , _ ------------^ 無 100000以上 12.3 (LaF3) 無 100000以上 12.3 5-3 (LaF3) ,〇 益 100000以上 12 2 5-4 80000 13 5 5-5 (Cr203h〇 (LaF。⑽ 無 100000以上 10 8 5-6 -^ihoS^Oiho (Cr203) ,〇 (LaFO 100000以上 10.9 5-7 -ίΙΐ〇φΐίδ^) 10 (Cr,0〇 3〇 (LaF〇 80000 12.1 5-8 丄(LaF。如 無 60000 11.1 上匕車父 (習知構成） 100000以上 11.0 如表7所示，在使用Zr〇2_Cr2〇3-LaF3混合系（樣本 5-1 )、Si02-Cr203-LaF3 混合系（樣本 5-2 )、Hf02-Cr203-

LaF3 混合系（樣本 5-3)、Zr〇2 Si〇2_Cr2〇rLaF3 混合系（ 樣本 5-5)、及 Hf02-Si02-Cr203-LaF3 混合系（樣本 5-6)之 1〇樣本中’可達到1〇萬次以上之反覆次數、及RpS 14。特 別是混合Si〇2之系Pp更低，有更高記錄感度。亦即，藉 由使用這些的混合系，使介電體層與記錄層相接而形成來 構成資訊記錄媒體，即可以無第1及第2界面層之構成， 亦即層數少之構成來實現與習知之具界面層之構成同等之 15 性能。 使用 Ti〇2-Cr203-LaF3 混合系及 Ti〇2-Cr2〇3_LaF3 混合 系之樣本5-4及5-7雖然反覆次數小於1〇萬次，但相較於 85 1254300 玖、發明說明 表2所示之樣本2-4，顯示出優異之反覆改寫性能。使用 Ti〇2-Si〇2-Cr2〇3_LaF3混合系之樣本5_7顯示出與樣本5 4 同等之反覆改寫性能，且Rp較樣本5-4更低，顯出高記錄 感度。攸這些表7之結果得知，Ci*2〇3之添加可寄予反覆改 5寫性能提昇，Sl〇2之添加可寄予記錄感度之提昇。 (實施例6 ) 貫施例6中，係針對Zr(VCr2〇3-LaF3混合系材料決定 其適宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係與實施例 4同樣地，在第3圖所示之資訊記錄媒體27中，以上述3 ίο個化合物之混合比例相異之材料來形成第2介電體層6， 製作12種類之樣本。 本實施例中，各樣本除了第2介電體層6由表8所示 之材料形成這點以外，其餘係與實施例4同樣地製作成與 第3圖所示之資訊記錄媒體27具有相同構成。使用與實施 15例1中所使用之基板相同者作為基板1。第1介電體層102 、第1界面層1G3、記錄層4、光吸收補正層7及反射層8 係實施與實施例4相同做法而形成。第2介電體層6係各 自使用由表8所不之材料形成之麟乾材（直徑i⑼随、 厚度6mm) ’纟〇.13Pa之壓力下實施高頻滅鍍而形成。每 2〇個樣本在第2介電體層6之形成步驟中，賤鍍皆使用 400W之功率，在Ar氣體環境中實施。 針對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性月匕之"平價。評價結果顯示於表8。密著性及反覆改寫性 月匕之⑹貝方法與⑹述實施例4相關聯而如已說明者。 86 1254300 玖、發明說明 表8 樣本 第2介電體層 性能評價 編號 材料 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp (mW) 6-1 (Zr02) 85 (Cr203) 10 (LaF3) 5 無 100000以上 13.0 6-2 (Zr02) 35 (Cr203) 6〇 (LaF,), 100000以上 13.6 6-3 (Zr〇2) 8〇 (Cr2〇3) i〇 (LaFs) ι〇 無 100000以上 12.4 6-4 (Zr02) 3〇 (Cr203) 6〇 (LaF3) 10 100000以上 13.0 6-5 (Zr02) 7〇 (Cr2〇3) 1() (LaF3) 2〇 M. 100000以上 12.2 6-6 (Zr02) 2〇 (Cr203) 6〇 (LaF,) ,〇 ~ 100000 12.8 6-7 (Zr02) 6〇 (Cr203) 10 (LaF3) 3〇 盏 100000以上 12.0 6-8 (Zr02) i〇 (&2Ο3) 6〇 (LaF3) 30 益 90000 12.6 6-9 (Zr02) 50 (Cr2〇3) i〇 (LaF〇 4〇 100000以上 11.7 6-10 (Zr〇2) 10 (&2〇3) 5〇 (LaF^) 4〇 無 70000 12.2 6-11 (Zr〇2) 4〇 (Cr2〇3) 10 (LaF3) 50 無 100000以上 11.4 6-12 (Zr02) 10 (Cr2〇3) 4〇 (LaF；〇 無 50000 11.8 比較 (ZnS) 80 (Si02) 20 (習知構成）1 無 100000以上 11.0 如表8所示’可確認若含有〇2〇3，則即使LaF3之混 合比例小，仍不會發生剝離，可確保良好的密著性。又， 組合Zr02與〇2〇3之混合比例越小（亦即之混合比 5例越大），則有PP會變小而記錄感度變佳的傾向。又，組 合Zr〇2及ChO3之混合比例固定時，當cr2〇3之混合比例 越大，則有反覆次數變小，且Pp變大的傾向。由上表之結 果得知，若考慮反覆改寫性能與記錄感度之均衡，則Zr〇2 與Cr2〇3之比例在50莫耳％以上為佳。又，及Cr2〇3 10 之混合比例以各自在10莫耳％以上為佳。 (實施例7) 實施例7中’係針對Zr〇2-Si〇2_Cr2〇3_LaF3混合系材 料決定其適宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係與 實施例1相同地，在第1圖所示之資訊記錄媒體27中，以 15上述4種化合物之混合比例相異之材料形成第丨介電體層 87 1254300 玖、發明說明 2:第2介電體層6，製作6種類之樣本。該實施例中，第 ’I電版層2與第2介電體層6也是以相同材料形成。 -本實施例中，各樣本除了第1及第2介電體層由表9 所示=材料形成這點以外，其餘係與實施例丨同樣地製作 5成與第1圖所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。使用與 實施例1中所使用之基板相同者作為基板1。記錄層4、光 吸收補正層7及反射層8係實施與實施例1相同做法而形 成弟1 黾體層2及第2介電體層ό係各自使用由表$ 所示之材料形成之濺鍍靶材（直徑100mm、厚度6mm)， 10在0·13ρ&之壓力下實施高頻濺鍍而形成。每個樣本在介電 體層之形成步驟中，濺鍍皆使用4〇〇w之功率，在Ar氣體 環境中實施。 針對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性能之評價。評價結果顯示於表9。密著性及反覆改寫性 15能之評價方法如之前實施例1中所說明。組成範圍之決定 也利用了實施例5中製作之樣本5-5之評價結果，故其結 果再次頒不於表9。 表9 樣本 編號 第1介電體層及第2介電體層 性能評價 材料 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp (mW) 7-1 (Zr〇2) 2〇 (Si〇2) 1〇 (&2〇3) 2〇 (LaF3) 50 無 100000以上 10.0 7-2 (Zr〇2) 2〇 (Si〇2) 2〇 (Cr2〇3) i〇 (La。） 50 100000以上 9.8 7-3 (Zr02) 20 (Si02) 10 (Cr203) 60 (LaF〇 10 無 100000以上 12.5 7-4 (Zr02) 2。（Si〇2) 5〇 (Cr2〇3) 2G (LaF3) 10 川\ 100000以上 10.5 7-5 (Zr02) 5〇 (Si02) 10 (Cr203) i〇 (LaF3) 30 100000 ΪΛ±] —10.8 — 7-6 (Zr02) 7〇 (Si02) 10 (Cr203) ]0 (LaF3) 10 無 100000 wT 11.2 5-5 (Zr〇2) 3〇 (Si〇2) i〇 (Cr2〇3) 3〇 (LaFj 30 無 100000以上 10.8 ~ 比較 (ZnS) 80 (Si02) 20 (習知構成） 益 100000以上 11.0 88 !2543〇〇 玖、發明說明 如表9所示，在以式（4 )亦即（d ) x ( Si02 ) γ ( Cr2〇3) z (LaF3) 100_X_Y_Z (m〇i%)表示之系中，D 是 Zr〇2 ’而若 X、Y 及 Z 滿足 20$χ$7〇、1〇$γ$5〇、1〇$ζ$ 6〇、及50SX+Y+ZS90，則確認在資訊記錄媒體25中， 5可實現良好密著性、良好反覆改寫性能（反覆次數10萬次 以上）、及Pp<14mW之良好記錄感度。又，也轉認了若採 用Cr2〇3之比例大之混合物系，則記錄感度稍微降低，若 如用LaF3之比例大之混合物系，則記錄感度變高這樣的各 特性之組成依靠性。 10 (實施例8 ) 實施例8中，係針對HfCVSKVChOrLaFs混合系材 料決定其適宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係與 實施例1相同地，在第丨圖所示之資訊記錄媒體25中，以 上述4種化合物之混合比例相異之材料來形成第丨介電體 b層2與第2介電體層6,製作6種類之樣本。該實施例中 ，第1介電體層2與第2介電體層6是以相同材料形成。 本實施例中，各樣本除了第丨及第2介電體層由表1〇 所示之材料形成這點以外，其餘係與實施例丨同樣地製作 成與第1圖所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。使用與 20實施例1中所使用之基板相同者作為基板i。記錄層4、光 吸收補正層7及反射層8係實施與實施例j相同做法而形 成。第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表1〇 所示之材料形成之濺鍍靶材（直徑1〇〇mm、厚度6mm)， 在0.13Pa之壓力下貫施尚頻濺鍵而形成。在每個樣本中， 89 1254300 玖、發明說明 濺:鍍皆使用400W之功率，在Ar氣體環境中實施。 針對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性能之評價。評價結果顯示於表1〇。密著性及反覆改寫性 能之評價方法如之前實施例1所說明。組成範圍之決定也 利用實施例5中製作之樣本5-6之評價結果，故該結果再 次顯不於表10。 表10 樣本 第1介電體層及第2介電體層 性能評價 編號 材料 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp (mW) 8-1 (Hf02) 20 (Si02) 10 (Cr,0〇 ?〇 CLaFO 100000以上 10.1 8-2 (Hf02) 2〇 (Si02) 2〇 (Cr70〇 10 (LaF〇 5〇 無 100000以上 9.9 8-3 (Hf02) 2〇 (Si02) i〇 (Cr,0〇 6〇 (LaF〇 10 無 100000以上 12.5 8-4 (Hf02) 2〇 (Si02) 5〇 (Cr,0〇 2〇 (LaF〇 10 'Μ. 100000以上 10.6 8-5 (Hf02) 5〇 (Si02) 10 (Cr?0〇 10 (LaF〇 益 100000以上 「10.9 8-6 (Hf02) 7〇 (Si02) 10 (Cr20〇 10 (LaF〇 100000以上 11.3 5-6 (Hf02) 3〇 (Si02) i〇 (Cr20〇 3〇 (LaF〇 無 100000以上 10.9 比較 (ZnS) 8〇 (Si〇2) 2〇 (習知構成） s\>\ 100000以上 11.0 如表10所示，在以式（4)亦即（D)x( Si〇2) γ ( Cr203 ) z (LaF3) 100·χ_γ_ζ (m〇i〇/0)表示之系中，D 為 Hf〇2 10 ，若 X、Y 及 Z 滿足 20SX$70、log γ‘5〇、 、及50$X+Y+ZS90，則確認在資訊記錄媒體25中，可 實現良好密著性、良好反覆改寫性能（反覆次數1〇萬次以 上）、及Pp<l4mW之良好的記錄感度。 (實施例9) 15 實施例9中，係針對Ta2〇5-Si〇2-Cr2〇3-LaF3混合系材 料決定其適宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係與 實施例1相同地’在第1圖所示之資訊記錄媒體25中，以 上述4種化合物之混合比例相異之材料來形成第J介電體 90 1254300 玖、發明說明 …”電體層6，製作6種類之樣本。在該實施例 中，第1介電體層2及第2介電體層6也是以相同材料形 成。 本貫施例中，各樣本除了第丨及第2介電體層由表U 5所不之材料形成這點以外，其餘係與實施例i同樣地製作 成與第1 11所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。使用與 貫施例1中所使用之基板相同者作為基板1。記錄層4、光 吸收補正層7及反射層8係實施與實施例1相同做法而形 成。第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表u ίο所不之材料形成之濺鍍靶材（直徑100mm、厚度6mm)， 在〇.13Pa之壓力下實施高頻濺鍍而形成。在每個樣本中， 錢鑛皆使用400W之功率，在Ar氣體環境中實施。 針對付到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性能之評價。評價結果顯示於表U。密著性及反覆改寫性 15能之評價方法如之前實施例1所說明。組成範圍之決定也 利用實施例5中製作之樣本5-8之評價結果，故該結果再 次顯示於表11。 表11 樣本 編號 第1介電體層及第2介電體層 材料 ~~ 性能評價 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp (mW) 9-1 (Ta205) 2〇 (Si02) 10 (Cr203) 2〇 (LaF3) Μ 10000 10.3 9-2 (Ta205) 20 (Si02) 20 (Cr203) 1〇 (LaF3) 50 無 10000 10.1 9-3 (Ta205) 20 (Si02) 10 (Cr203) 60 (LaF3) 10 Μ. 20000 12.8 9-4 (Ta2〇5) 2〇 (Si〇2) 5〇 (Cr2〇3) 2〇 (LaF3) 10 .fe i\\\ 100000以上 10.8 9-5 (Ta2〇5) 50 (Si〇2) ig (Cr2〇3) ig (LaF3) 30 益 40000 11.1 9-6 (Ta2〇5) 7Q (Si〇2) ig (Cr2〇3) ig (LaF3) 10 “、、 20000 11.5 5-8 (Ta2〇5) 30 (Si〇2) 10 (&2〇3) 30 (LaF3) 30 益 #〇> 60000 11.1 比較 (ZnS) 80 (SiO? ) 20 (習知構成） 無 100000以上 11.0 91 1254300 玖、發明說明 如表11所示，在以式（4)亦即（D) χ (Si〇2) γ ( 〇2〇3 ) z ( LaF3 ) 100_χ_γ_ζ ( m〇l% )表示之系中，〇 為 Ti2〇5，若 X、Y 及 Z 滿足 20SX$70、1〇sy^5〇、ιο^ζ ‘60、及50$X+Y+Z$90，則確認在資訊記錄媒體25中 5 ，可實現良好密著性及Pp<14mW之良好的記錄感度。樣 本9-1、2、3、5、6相較於實施例7及8之樣本，雖然反 覆次數很小，但可實用在作為特定用途（例如圖像聲音記 錄器用）之資訊記錄媒體上。 (實施例10) 10 實施例中，係針對ZrSi〇4_Cr2〇3-LaF3混合系材料 決定其適宜形成介電體層之組成範圍。具體來說，係與實 施例1相同地，在第1圖所示之資訊記錄媒體25中，以上 述3種化合物之混合比例相異之材料來形成第丨介電體層 2及第2介電體層6，製作7種類之樣本。該實施例中，第 15 1介電體層2與第2介電體層6也是以相同材料形成。 本實施例中，各樣本除了第丨及第2介電體層由表12 所示之材料形成這點以外，其餘係與實施例丨同樣地製作 成與第1圖所示之資訊記錄媒體25具有相同構成。使用與 實施例1中所使用之基板相同者作為基板丨。記錄層4、光 20吸收補正層7及反射層8係實施與實施例1相同做法而形 成。第1介電體層2及第2介電體層6係各自使用由表12 所示之材料形成之濺鍍靶材（直徑1〇〇mm、厚度6加扭）， 在〇.13Pa之壓力下實施高頻濺鍍而形成。在每個樣本中， 錢皆使用4卿之功率，在Ar氣體環境中實施。 92 1254300 玖、發明說明 針對得到之各樣本進行介電體層之密著性與反覆改寫 性能之評價。評價結果顯示於表12。密著性及反覆改寫性 能之評價方法如之前實施例1所說明。 表12 樣本 編號 第1介電體層及第2弄電體層 性能評價 材料 剝離 反覆次數 顛值功率 Pp ( m W ^ 10-1 (ZrSi04) 4〇 (Cr20〇 10 (LaF〇V~ 盔 100000以上 9.8 10-2 (ZrSi04) 5〇 (Cr^OO 30 (LaF3) 2〇 100000以上 10.5 10-3 (ZrSi04) 50 (Cr70〇 2〇 (LaF〇 100000以上 11.0 10-4 (ZrSi04) 70 (Cr20〇 9〇 (LaFO 100000以上 12.0 10-5 (ZrSi04) 70 (Cr^OO 10 (LaF3) 2〇 無 100000以上 10.5 10-6 (ZrSi04) 20 (Cr20〇 s〇 (LaF,) 益 4\\\ 100000以上 12.7 10-7 ^ZrS^) 20 (Cr20〇 40 (LaFO 益 100000以上 12.3 比較 (ZnS) 80 (Si02) % (習知槿成） A #、、、 100000以上 11.0 5 如表10所示，在以式（5 )亦即（ZrSi〇4 ) A ( Cr2〇3 )B (LaF3) loo-A-B (mol%)表示之系中，若a及b滿足 20$ AS70、l〇$B$50、及 5〇s A+B$9〇，則確認在資訊 記錄媒體25中，可實現良好密著性、良好反覆改寫性能（ 反覆次數10萬次以上）、及Pp<14mW之良好的記錄感度 10 。又’也確認了若採用〇2〇3之比例大之混合物系，則記 錄感度稍微降低，若採用LaF3之比例大之混合物系，則記 錄感度變高這樣的各特性之組成依靠性。 (實施例11 ) 實施例11中，係對實施例1〇中製作之樣本1〇_2之資 15 汛記錄媒體實施凸執-凹軌記錄，並依據實施例1所記載之 方法各自就凹執記錄及凸執記錄求得反覆次數，評價反覆 改寫性能。其結果與評價反覆改寫性能之際求得之顛值功 率（Pp )及偏壓功率（Pb ) —起顯示於表13。在該實施例 93 1254300 玖、發明說明 中’同樣為了比較’而針對與實施例1中製作之資訊記錄 媒體具有相同構成之第10圖所示之資訊記錄媒體31進行 相同評價。 表13 樣本編號 剝離 __^記錄 凸執記錄 反覆次數 功率（mW) 反覆次數 功率（mM〇 Pp Pb Pp Pb 10-2 100000以上 10.5 4.8 100000以上 10.8 5.0 比車父 100000以上 11.0 5.0 100000以上 11.3 5.2 5 如表13所示，樣本1〇·2之反覆改寫性能在凹執記錄 與凸執記錄兩者都與比較樣本相同。且樣本10-2之Ρρ較 比較樣本更低，顯示出更高的記錄感度。因此，確認了本 發明之貧訊記錄媒體在作為用於凸軌-凹軌記錄之資訊記錄 媒體上是很有用的。 10 如此’含有以（ZrSi04 ) 50 ( Cr203 ) 30 ( LaF3 ) 20 ( mol%)等表示之氧化物與氟化物之混合物之層，由於不含 S ’因此可與記錄層相接而形成。又，將氧化物-氟化物系 材料層作為第1介電體層2及第2介電體層6之第1圖所 示之資訊記錄媒體25,具有與含有第！界面層103及第2 15 界面層105之第10圖所示之資訊記錄媒體31同等以上之 良好性能。這一點可由上述實施例3〜11之結果明顯得知。 亦即，依據上述實施例可以驗證，只要藉由本發明，即使 層數較習知之資訊記錄媒體減少，仍可得到具有與習知者 同等以上之性能之資訊記錄媒體。 20 (實施例12) 94 1254300 玖、發明說明 貫施例12係製作一在相當於上述說明之實施型態2之 第2圖所示之資訊記錄媒體26中，僅第1介電體層2為氧 化物-氟化物系材料層之資訊記錄媒體（樣本12_〇。以下 說明資訊記錄媒體26之製作方法。 5 首先，準備與實施例1中使用之相同基板作為基板1 。在該基板1上藉濺鍍法依序用以下所說明之方法成膜厚 150nm之第1介電體層2、厚9nm之記錄層4、厚3nm之 第2界面層1〇5、厚50nm之第2介電體層1〇6、厚4〇nm 之光吸收補正層7、及厚80nm之反射層8。 10 在形成第1介電體層2之步驟中係將由（ZrSi〇4) 3〇 (

Cr203 ) 40 ( LaF3 ) % ( mol% )形成之濺鍍靶材（直徑 100mm、厚6mm)安裝於成膜裝置，在壓力〇13pa、Ar氣 體環境中實施高頻濺鐘。功率為4〇〇w。 圯錄層4是與實施例丨相同做法而形成。因此其組成 15 為 Ge27Sn8Sb12Te53 (原子％)。 第2界面層105是以與之前在實施例1中說明之資訊 圯錄媒體31 (比較樣本）之第1界面層103同樣做法而形 成。第2介電體層1〇6也是用之前說明之資訊記錄媒體3ι (比較樣本）之第1介電體層102同樣做法以（ZnS) 80 ( 20 Si〇2) 2〇 (m〇l%)形成。光吸收補正層7及反射層8是以 實施例1中說明之資訊記錄媒體25之該等層相同做法來形 成。 為了做比較’故製作與實施例1中製作者同樣的資訊 吕己錄媒體31作為比較樣本。以與實施例1相同之條件測定 95 1254300 玖、發明說明 各樣本之第1介電體層2之密著性。又，對各樣本實施凹 執記錄及凸軌記錄，並依據實施例1所記載之方法求得凹 執記錄及凸軌記錄之反覆次數，藉此評價反覆改寫性能。 评價結果顯示於表14。

如表14所示，僅第i介電體層2為氧化物-氟化物系 材料層之6層構成之資訊記錄媒體26也實現了與7層構成 5 10 之資訊記«體31同等之密著性、反覆改寫性能、颠值功 率及偏壓功率。（Z⑽4) 3G (Cr2〇3) 4G (LaF山。（m〇i% 是構成資訊記錄媒體26之層之組成之一例。利用實施例 10中使用之ZrSiCVChCVLaF3混合系材料所製作之資訊 記錄媒體26 ’每個皆顯示出良好性能。其他實施例中使用 之材料也是如此。 (實施例13 ) ★實施例13係製作-在相當於上述說明之實施型態3之 第3圖所示之資訊記錄媒體27中，僅第2介電體層6為由 (如〇4) 5〇 (Cr2〇3) 2〇 (LaF3) 3〇 (m〇i%)形成之氧化 物氟化物純料層之資訊記_體（樣本 本實施例中’樣本13-1除了第2介電體層6之形成步 驟之外，其餘與實施例4相同做法而形成。在第2介電體 96 !25430〇 玖、發明說明 層6之形成步驟中，係將由（ZrSi04 ) 50 ( Cr2〇3 ) 2〇 ( LaF3) 3〇 (mol%)形成之濺鍍靶材安裝於成膜裝置，在壓 力〇.13Pa、Ar氣體環境中實施高頻藏鍍。功率為4〇〇w。 為了做比較，故製作與實施例1中製作者同樣的資訊 5兄錄媒體31作為比較樣本。以與實施例1相同之條件測定 各樣本之第2介電體層6之密著性。又，對各樣本實施凹 執記錄及凸軌記錄，並依據實施例丨所記載之方法求得凹 執記錄及凸軌記錄之反覆次數，藉此評價各樣本之反覆改 寫性能。評價結果顯示於表15。 10 表 15 樣本編號 剝離 凹執記錄 凸軌記錄 反覆次數 功率（I Pp nW) Pb 反覆次數 功率（mW) Pp Pb 13-1 無 100000以上 10.5 4.8 100000以上 10.8 5.0 比較 無 100000以上 11.0 5.0 100000以上 11.3 5.2 如表15所示，僅第2介電體層6為（ZrSi04) 50 ( Cr203 ) 2〇 (LaF3) 30 (m〇i%)之6層構成之資訊記錄媒體 27實現了與7層構成之資訊記錄媒體31同等之密著性、 反覆改寫性能、顛值功率及偏壓功率。（ZrSi〇4 ) π ( Cr2〇3 15 ) 2〇 ( LaF3) 3G ( m〇i%)是構成資訊記錄媒體27之層之組 成之一例。利用實施例10中使用之ZrSi〇4_Cr2〇3_LaF3混 合系材料所製作之資訊記錄媒體27，每個皆顯示出良好性 能。其他實施例中使用之材料也是如此。 (實施例14) 20 實施例14係製作-在相當於上述說明之實施型態4之 97 1254300 玖、發明說明 第4圖所示之資訊記錄媒體28中，僅第1及第2介電體層 2及6為氧化物-氟化物系材料層之資訊記錄媒體（樣本 14-1)。以下說明資訊記錄媒體28之製作方法。 首先，準備一單面表面預設有深21nm、軌距（基板主 5 面上位於面内之平行凹軌表面與凸執表面之中心點距離） 0.32//m之導引溝之直徑120mm、厚1.1mm之圓形聚碳酸 酯基板作為基板101。 在該基板101上藉濺鍍法依序用以下所說明之方法成 膜厚80nm之反射層8、厚16nm之第2介電體層6、厚 10 llnm之記錄層4、及厚68nm之第1介電體層2。 反射層8是與實施例1相同做法而形成。在形成第2 介電體層6之步驟中，係將由（ZrSi〇4) 5〇 (Cr2〇3) % ( LaF3 ) 2G ( mol% )形成之濺鍍乾材（直徑i〇〇mm、厚6mm )安裝於成膜裝置，在壓力〇.13Pa、Ar氣體環境中實施高 15頻濺鍍。功率為400W。第1介電體層2也以相同做法形 成。 在形成記錄層4之步驟中，係將由Ge-Sb-Te系材料形 成之濺鍍乾材（直徑l〇〇mm、厚6mm)安裝於成膜裝置， 實施直流濺鍍。功率為100W。在濺鍍中，導入Ar氣體（ 20 97% )與N2氣體（3% )之混合氣體。濺鍍時之壓力約 0.13Pa。記錄層4之組成為Ge45Sb4Te51。 形成第1介電體層2後，於第1介電體層2上塗布紫 外線硬化性樹脂。在已塗布之紫外線硬化性樹脂上，使直 徑120mm、厚90 之圓形聚碳酸酯基板密著作為偽基板 98 1254300 玖、發明說明 u〇。接著，從偽基板110側照射紫外線使樹脂硬化。藉此 一田由硬化之樹脂形成之接著層9以1〇# m之厚度形成之 同日才，亦使偽基板110 [I鬲著接著層9貼合於第1介電體層 2之上。 5 貼合偽基板110後，使用波長670nm之半導體雷射實 ^初期化步驟。在初期化步驟中，使位於資訊記錄媒體以 之半fe 22mm到60mm之範圍之環狀領域内之記錄層*幾 乎全面結晶化。藉初期化步驟之終了，完成了資訊記錄媒 體28 (樣本14-1)之製作。 為了做比車乂，故製作一除了第i介電體層與記錄層間 及第2 "包體層與記錄層間具有第丨界面層與第2界面 層、點以外’其他與資訊記錄媒體28相同構成之資訊記錄 媒體（未圖不）作為比較樣本。該比較樣本中，第1介電 體層及弟2介雷;§#馬3丄 兒驵層疋由（ZnS) 80 (Si02) 20 (m〇l%)形 成k二；丨兒體層是以前述實施例丨中說明之資訊記錄媒 體31 (比車乂木八本）之第1介電體層102相同做法而形成。 第1界面層及第2界面層由Ge-Cr-N形成，具有5nm之厚 度k一界面層疋以與之前在實施例丄中說明之資訊記錄 媒體31 (比車父樣本）之第1界面層1〇3同樣做法而形成。 0其他層疋以貝訊記錄媒體28之該等層相同做法而形成。 \ '寻j之各樣本評價密著性及反覆改寫性能。評價 結果顯示於表1 6^ 11 、 W者性之評價方法如實施例i所說明。 反覆改寫性能係用扣h 、用共貫^例1採用之方法相異者來評價。 以下說明其方法。 、 99 1254300 玫'發明說明 賢訊記錄媒體28之反覆改寫性能係使用與實施例i所 使用者相同構成之資訊記錄系統來評價。在f訊記錄媒體 Μ之評價中，使用波長405咖之半導體雷射與開口數〇·85 之接物鏡，進行相當於23GB容量之記錄。使資訊記錄媒 體28旋轉之線速度定為如/秒。X，CNR (亦即訊號振幅 與雜訊之比）及消去率之測定係使用譜分析器。 百先，為了訂定在決定改寫次數時之測定條件，故用 以下程序設定顛值功率（Pp )及偏壓功率（扑）。將雷射 光12在高功率等級之顛值功率（mW)與低功率等級之偏 壓功率（mW)之間一邊進行功率變調一邊朝資訊記錄媒 體28照射，將記號長〇.16//m之2T訊號在記錄層4之同 一凹軌表面記錄10次。將2Τ訊號記錄1〇次後，測定 CNR。在2Τ訊號之10次記錄之際，針對將偏壓功率固定 為一定值、使顛值功率作各種變化之各記錄條件來測定 15 CNR，將訊號振幅飽和時之最小顛值功率之丨·2倍功率設 定為Ρρ。 接著，與上述同樣做法將2Τ訊號記錄1〇次後，播放 Λ號測疋2Τ訊號之振幅。更在該凹軌表面重寫1次9丁訊 號，播放訊號測定2Τ訊號之振幅，求得以記錄1〇次後所 20測定之振幅為基準之2Τ訊號之衰減率，作為消去率。在 2Τ訊號之1 〇次記錄及9Τ訊號之1次重寫之際，針對將顛 值功率固定為之前設定之Ρρ值、偏壓功率作各種變化之各 功率條件來求得如上定義之消去率，將消去率變為25dB 以上之偏壓功率範圍之中心值設定為Pb。若考慮到系統之 100 1254300 玖、發明說明 雷射功率上限值，則以滿足Pp $ 6mW，pb $ 3mW為佳。

反覆次數在本實施例中是依據Cnr及消去率決定。以 上述做法設定之Pp與Pb將雷射光一邊進行功率變調一邊 朝資訊記錄媒體28照射，將2T訊號在同一凹軌表面反覆 5預疋次數來連繽記錄。然後，測定CNR，並求得消去率。 消去率與上述相同地，藉由在預定次數記錄後及於其上重 寫1次9Τ訊號後測定2Τ訊號，以記錄預定次數後所測定 之2Τ訊號之振幅對重寫丨次9Τ訊號後所測定之2Τ訊號 之振幅之衰減率來求得。CNR及消去率是在反覆次數丨、2 10 、 3 、 5 、 10 、 _ 、 200 、 500 、 1〇〇〇 、 2000 、 3000 、 5000 、 7000、10000次時求得。以反覆1〇次時之CNR及消去率 為基準，當CNR降低2dB或消去率降低5dB時則判斷為 反覆改寫之極限，藉這時的反覆次數評價反覆改寫性能。 當然’反覆次數越大表示反覆改寫性能越高。資訊記錄媒 I5體28之反覆次數宜在1萬次以上。

表16 樣本編號 剝離 __凹軌記錄 反覆次數 功率（mW) Pp Pb 14-1 無 10000以上 5.0 2.3 比較 Booo以上 5.0 2.4 本實施例之樣本14-1之資訊記錄媒體28，與第丨圖 所示之資訊記錄媒體25在朝基板上之各層之成膜順序、記 錄條件（雷射波長或透鏡之開口數）、及記錄容量方面皆不 20 同。樣本14_1之記錄容量是第1圖所示之資訊記錄媒體 101 1254300 玖、發明說明 之、力5倍。然而，確認了無關乎這些相異點，藉由使用 、 .4 ) 5〇 ( Cr2〇3 ) 30 ( LaF3 ) 20 ( mol% )形成之層作 :、、、第1 η弘體層2與第2介電體層$，則即使不設界面層 仍可侍到具有與含界面層之比較樣本同等之性能之資訊 、彔媒體。製作之資訊記錄媒體28之（於無凹凸之平面部 )Rc實測值為2〇%，Ra為3%。 10 15 20 々貝矾記錄媒體28之構成中，即使僅第！介電體層2或 第’丨私版層6為氧化物-氟化物系材料層，仍可得到相同 ° 亦即藉由使用氧化物-氟化物系材料層，可至少減 $-層習知所用之界面層，且可韻與習知構成同等之性 旎。又，本發明所採用之氧化物·敦化物系材料層由於不含 s (硫）’故即使與含Ag之反射層8界面相接，也不會產 生原子擴散。藉此，可實現4層構成。當然，反射層8與 第2介電體層6之間，可因應需要形成用以調節光在記錄 層之吸收之層。這種層係以選自金屬、非金屬、半金屬、 半導體及介電體以及該等之化合物之1種材料或2種以上 之材料之此口物來形成。這種層宜對波長奶⑽左右之光 具有4以下之折射率及4以下之消光係數。 (實施例15 ) 貝把例15係製作—在相當於上述說明之實施型態$之 第5圖所示之資訊記錄媒體29中，僅第5介電體層19、 第4介電體層17、第2介+卿昆/ ^ ^ 包脰層6及弟1介電體層2為氧 化物-氟化物系材料層之資訊記錄媒體（樣本a”。以下 說明資訊記錄媒體29之製作方法。 102 1254300 玖、發明說明 首先，準備一與實施例14中所使用之基板1〇1相同之 基板作為基板101。在該基板101上藉濺鍍法依序成膜厚 80nm之第2反射層20、厚16nm之第5介電體層19、厚 llnm之第2記錄層18、厚68nm之第4介電體層17，形 5 成第2資訊層22。 第2反射層20是與實施例i相同做法，以Ag_pd_cu 合金形成。在形成第5介電體層19之步驟中，係將由（

ZrSi04 ) 50 (Cr2〇3) 3〇 (LaF3) 2〇 (_1%)形成之賤錢靶 材（直徑100mm、厚6mm )安裝於成膜裝置，在壓力 10 Ar氣體環境中實施咼頻減錢。功率為4⑼w。第4 介電體層17也以相同做法形成。第2記錄層㈣與實施 例14相同做法，使用Ge_sb_Te系材料形成之濺鍍乾材來 形成。 接著，在第2資訊層22上形成具溝之厚30"m之中 15間層。中間層16是依據以下程序形成。首先，藉旋轉塗布 來塗布紫外線硬化性樹脂。在已塗布之紫外線硬化性樹脂 上，使表面設有凹凸之聚碳酸醋基板密著於該凹凸而配置 1凹凸與中間層16應形成之導引溝具有相補之形狀。之 後，從聚碳酸酯基板側照射紫外線使樹脂硬化，使聚碳酸 2〇酯基板從中間層16剝離。藉此，得到由紫外線硬化性樹脂 硬化而成、導引溝藉轉寫而形成之中間層Μ。 形成中間層16後，實施第2資訊層22之初期化步驟 。初期化步驟中，使用波長67Gnm之半導體雷射，使位於 半徑22随到6〇_之範圍之環狀領域内之第2記錄層18 103 1254300 玖、發明說明 幾乎全面結晶化。 w 中間層16上，藉濺鍍法依序成膜厚15nm之 第介電體層15、厚i〇nm夕错 之弟1反射層14、厚12nm之 弟2介電體層6、厚6nm 第“己錄層13、及厚45nm之 苐1介電體層2,形成第1資訊層21。 ,成第3 "電體層15之步驟中，使用由Ti02形成 之濺鑛乾材（直徑⑽臟、厚6軸），在壓力約。u 施高頻細。功率為4_。軸中導人Ar氣體（97%) 與〇2氣體（3% )之混合氣體。 10 15 20 、第1反射層14也與第2反射層20相同做法而形成， 乍為Ag Pd_Cu合金層形成。第2介電體層6係與第5介 電體層 19 同樣做法，以（ZrSi〇4) 5〇 (Cr2〇3) 3〇 (LaF3) 〇 ( /〇)形成。第1介電體層2也以相同做法形成。因 此’該實施例中，帛5、第4、第2及第i介電體層19、 17、6及2全都具有相同組成。 在形成第1記錄層13之步驟中，係將由Ge-Sn-Sb_Te 系材料形成之濺鍍靶材（直徑1〇〇mm、厚6mm)安裝於成 膜裝置在【力〇.13Pa貫施直流丨賤鍍。功率為5〇w。在藏 鐘中’ V入Ar氣體（1〇〇%)。濺鑛時之壓力約〇13pa。記 錄層之組成為Ge4QSn5Sb4Te51 (原子％)。 形成第1介電體層2後，於第1介電體層2上塗布紫 外線硬化性樹脂。在已塗布之紫外線硬化性樹脂上，使直 徑120mm、厚65/zm之圓形聚碳酸酯基板密著作為偽基板 110。接著’從偽基板110側照射紫外線使樹脂硬化。藉此 104 1254300 玖、發明說明 ，當由硬化之樹脂形成之接 同時，亦使偽基板110隔著 2之上。 耆層9以10以m之厚度形成之 接著層9貼合於第1介電體層 5 K 0/unm之半導體雷射 實施第1資訊層21之初期化牛妒—、# ^功化步驟。在初期化步驟中，使 於半徑22職到6Gmm之範圍之環狀領域内之第^記錄 13幾乎全面結晶化。藉初期化步驟之終了，完成了資訊: 錄媒體29 (樣本15-1 )之製作。 10 個別針對樣本15-1之第1資訊層μ及第2資訊層22 ，評價介諸層之«性及f訊記錄媒體之反覆改寫性能 。該等結果與在評價反覆改寫性能之際求得之顛值功率（ PP)與偏壓功率（Pb) _起顯示於表17。

15 本實施例中，介電體層之密著性之評價係在與實施例 1同樣條件下，各自針對第1資訊層21與第2資訊層22 調查是否有剝離來實施。f訊記錄媒體29之反覆改寫性能 之評價係在與實施μ 14相同條件下，各自於第！資訊層 21與第2貢訊層22進行相當於23GB容量之記錄，各自 針對第1資訊層21與第2資訊層22調查反覆次數。於第 1貝巩層21記錄之際，係使雷射光12聚焦於第丨記錄層 13，。己錄第2貧訊層22之際，係使雷射光12聚焦於第2 記錄層18。若考慮到系統之雷射功率上限值，則在第1資 祝層21隶好滿足ρρ$ 價、pb$ 5.5mW。

105 20 1254300 玖、發明說明 表17 樣本 第1 資訊層 —-——- 第2資訊層 編號 剝離 反覆次數 顛值功率 剝離 反覆次數 顛值功率 — pP (mW) Pp (mW) 15-1 10000以上 9.8 --~---- 10000以上 9.9 本實施例之樣本15-1之資訊記錄媒體29，與第丨圖 所不之資訊記錄媒體25在朝基板上之各層之成膜順序、資 Λ層（亦即記錄層）數為2、以及記錄條件（雷射波長或 透鏡之開口數）方面不同。又，樣本15]之記錄容量是第 1圖所不之資訊記錄媒體25之約1〇倍。然而，確認了無 關乎延些相異點，藉由使用（ZrSi〇4 ) 5“ c〇〇3 ) (

LaF〇 20 (m〇1%)形成之層作為第卜第2、第4及第5介 電體層2、6、17 & 19，則即使不設界面層，仍可得到具 10 有良好H i之資sfU己錄媒體。製作之資訊記錄媒體Μ之（ ;凹凸之平面口p )第i資訊層21之Rc設計值為， 為0.7%。帛2貧訊層22之Rc設計值為25%，^為 3% 〇 貝也歹|中，構成貢訊記錄媒體29之第i、第2、第 15 4及第5介電體層2、6、17及19皆為氧化物-氟化物系材 料曰4一本龟明亚不限定於此。*工個變形例中，本發明 ^資訊記錄媒體亦可在這4個介電體層當中，至> i個是 氧化物鼠化物系材料層，其他介電體層是由（Μ)的（ Sl〇2)2〇(m〇1%)形成。這時，⑶02)2“ 20 mol%)之；,電體層與記錄層之間必須形成界面層。在該變 106 1254300 玖、發明說明 形例之資訊記錄媒體中，亦可達到減少層數這個目的，同 時可與上述樣本15-1同樣得到良好性能。 又，本實施例中，第1、第2、第4及第5介電體層2 、6、17及19皆為相同組成之氧化物_氟化物系材料層， 5但本發明並不限定於此。亦可製作這*個介電體層彼此具 有相異組成之資訊記錄媒體29作為i個變形例。這種資訊 α己錄媒體也與上述樣本1 5-丨同樣地顯示出良好性能。 (實施例16) 實施例16係製作一在相當於上述說明之實施型態6之 第6圖所示之資訊記錄媒體3〇中，僅第i界面層3及第2 界面層5為氧化物-氟化物系材料層之資訊記錄媒體（樣本 16-1)。以下說明資訊記錄媒體3〇之製作方法。 百先，準備一與實施例丨中所使用之基板相同之基板 作為基板1。在該基板i上藉濺鍍法依序成膜厚15加爪之 15第1介電體層102、厚5nm之第i界面層3、厚9nm之記 錄層4、厚3nm之第2界面層5、厚5〇nm之第2介電體層 106、厚仙加立之光吸收補正層7、及厚8〇nm之反射層8。 第1介電體層102係與之前實施例丨中說明之資訊記 錄媒體31 (比較樣本）之第i介電體層1〇2相同做法，以 20 (ZnS) 8〇 (Si02 ) 20 (mol%)形成。第 2 介電體層 1〇6 也 以相同做法形成。 在形成第1界面層3之步驟中，係將由（ZrSi〇4) μ ( Cr2〇3 ) 4〇 ( LaF; ) η) ( m〇i% )形成之濺鍍靶材（直徑 1〇〇_、厚6mm)安裝於成膜震置，在壓力0.13Pa、Ar氣 107 1254300 玖、發明說明 體環境中實施高頻濺鍍。功率為4〇請。帛2界面層5也 以相同做法形成。 〃記錄層4係與實施例1相同做法形成。因此，其組成 係,7 8 uTe53(原子。/〇)。光吸收補正層7也與實施例 1同樣做法，形成。反射層8也與實施例"目 同做法，以Ag-Pd-Cu合金形成。 :、 &故衣作—與實施例1中製作者相同之資 10 訊記錄媒體31作為比«本。針對得到之樣本評價密著性 及反覆改寫性能。密著性之評價是藉由調查記錄層4及與 之鄰接之界面層之間、更詳而言之是記錄糊（界面層 3及第2界面層5之至少1者之間是否發生剝離來實施。 反覆改寫性能之評價是藉由杂 、疋猎由只知凹軌記錄與凸執記錄，並 依據實施例1所$恭夕古、、土 +〜 。載方法求侍凹軌記錄與凸執記錄之反 覆次數來實施。評價結果顯示於表18。 15 表18

功率（mW) Pp Pb 11.2 5.1 11.3 5.2 弗L化物系材料層作為界面層 使用之樣本16]之性能與比較樣本同等。構成該樣本^ 之層數與習知之資訊記錄媒體相同。因此，在樣本⑹中 無法得到因層數減少帶來的效果。然而，以氧化物-氣化物 108 1254300 玖、發明說明 ^料層作為界面層時，不像形成G心·Ν之界面層時依 罪反應鍍，而是藉由在僅&氣體之環境下雜即可形 、^ 口此1個氧化物-氟化物系材料之界面層内發 生之^成不均勻及膜厚不均句就變得比.Cr_N之界面層 藉此可提升製造之容易性及安定性。又，氧化物-氣 化物系材料層由於膜質之裂置依存性很小，故該膜之形成 條件可更决速地取適當化。因此，藉由將氧化物_氟化物系 材料層作為界面層，也可帶來使資訊記錄媒體之產量提昇 進行得更快速這個效果。 10 15 20 (實施例17 ) 貝方也例17中，係評價具有含選自群gm之元素之氧化 ^ k自群GL之兀素之氟化物以外之第三成分之氧化物_ 氟化物系材料層之資訊記錄媒體之性能。該實施例中，除 了第’丨甩肢層ό之材料外，其餘與實施例4同樣做法， 製作第3 11所示之資訊記錄媒體27。 形成第2介電體層6之際，係將由（Zr〇2)29(si〇2 )29 (Cr2〇3) 21 (LaF3) 21 (m〇1%)形成之濺錢乾材（直 徑l〇〇mm、厚6mm)安裝於成膜裝4，更在該濺鑛乾材表 放置各自具有l〇mmx 1〇mmx lmm之尺寸之、&

Ni Pd及A1之濺鍍晶片。使用具該濺鍍晶片 賤鍍革巴材’在壓力〇13Pa下、&氣體環境中實施高頻 濺錢t成第2介電體層6。功率為彻w。分析已形成之 層時，發現該層中含（Zr〇2)29(Si〇2)29(Cr2〇3)2i( ⑽）2l9G莫耳％ ’且含3莫耳％之Sl3N4、3莫耳％之Ge 109 1254300 玖、發明說明 、〇·5莫耳％之Au、〇·5莫耳％之Ni、0.5莫耳％之pd及 〇·5莫耳％之A1作為第3成分。 為了做比較，故製作一與實施例1中製作者相同之資 汛"己錄媒體31作為比較樣本。用與實施例1相同條件來評 仏各樣本之第2介電體層6之密著性。又，藉由在各樣本 貝施凹軌記錄與凸軌記錄，並依據實施例1所記載之方法 求知凹執記錄與凸軌記錄之反覆次數，來評價反覆改寫性 能。評價結果顯示於表。 表19 樣本編號 剝離 凹軌記錄 凸執記錄 反覆次數 功率（mW) 反覆次數 — 功率 Ρρ Pb Ρρ Pb 17-1 Ml 100000以上 ------ 13.6 6.3 100000以上 13.8 6.5 比較 100000以上 11.0 5.0 100000以上 11.3 5.2 10 如表19所示，樣本17-1顯示出與比較樣本相同程度 之饴著性與反覆改寫性能。又，樣本17-1之Pp及Pb雖較 比較樣本高，但仍滿足Pp<14mW及Pb<7mW，是可充分 實用者。從該結果可確認，當介電體層中含有選自群gM 之元素之氧化物與選自群GL之元素之氟化物合計90莫耳 15 %以上時，可確保良好密著性、良好反覆改寫性能及良好 記錄感度。 (實施例18) 以上的實施例丨〜;^中，製作了藉光學性裝置記錄資訊 之資rfU己錄媒體。實施例1 8中，則製作如第8圖所示之藉 110 l2543〇〇 玖、發明說明 由電性裝置來記錄資訊之資訊記錄媒體207。這就是所謂 的記憶體。 本實施例之資訊記錄媒體2〇7以如下述方法製作。首 5先’準備表面已進行氮化處理之長5mm、寬5mm及厚 之Si基板2〇1。在該基板2〇ι上於丨〇mm><丨㈣历 之項域内以厚〇·1 # m形成All之下部電極202。在下部電 ° 02上，於直徑〇.2mm之圓形領域中以厚0.1/zm形成

GewSbwTew (作為化合物係以GesSb2Te"表記）之相變化 邛205，又在〇.6mmx 〇 6mm之領域（但除了相變化部2〇5 1〇 )上，以與相變化部2〇5相同厚度形成（ZrSi04) 4〇 ( Cr2〇3 ) 3〇 ( LaF3 ) 3〇 ( m〇l% )之隔熱部 2〇6。更在 〇.6mm X 〇.6mm之領域以厚之厚度形成Au之上部電極 2〇4。下部電極202、相變化部2〇5、隔熱部2〇6及上部電 極204皆以濺鍍法形成。 15 在成膜相變化部205之步驟中，係將Ge-Sb-Te系材料 幵/成之錢鍍|巴材（直徑1 〇〇nim、厚6mm )安裝於成膜裝置 ，以功率100W、導入Ar氣體進行直流濺鍍。濺鍍時之壓 力約0.13Pa。又，在成膜隔熱部206之步驟中，係將由具 有（ZrSi04 ) 40 (Cr203 ) 30 (LaF3) 30 (m〇1%)之組成之 20 材料所形成之濺鍍靶材（直徑10〇mm、厚6mm)安裝於成 膜裝置，在約0_13Pa之壓力下，進行高頻濺鍍。功率為 400W。濺鍍中導入Ar氣體。這些步驟中之濺鍍係以掩蔽 膜（mask jig)覆蓋應成膜之面以外之領域各自進行，以使 相變化部205及隔熱部206相互不積層。相變化部2〇5及 111 l2543〇〇 玖、發明說明 隔熱部206之形成順序並不限制，可先進行任一者。 相變化部205及隔熱部206構成了記錄部203。相變 化。卩205相當於本發明中所說之記錄層，隔熱部2〇6相當 於本發明中所說之氧化物_氟化物系材料層。 又，下部電極202及上部電極204在電極形成技術之 7貝域中可藉一般所採用之濺鍍方法成膜，故該等之成膜步 驟即省略其詳細說明。 藉第9圖所示之系統可確認，藉由在以上述方法製作 之貝汛記錄媒體2〇7施加電能而使得相變化在相變化部 10 205產生。第9圖所示之資訊記錄媒體之截面圖，是 顯不出沿第8圖所示之資訊記錄媒體207之線A-B於厚度 方向切斷時之截面。 15 20 更洋而&之，如第9圖所示，藉由將2個施加部212 各自以Au引線接合於下部電極2〇2及上部電極綱，而將 電性寫入/讀出裝置214隔著施加部212連接於資訊記錄媒 體（€ fe'體）207。在該電性寫人/讀出襄置214中，在各 自連接於下部電極202與上部電極204之施加部212之間 ’脈衝產生部208隔著電源21〇連接於其間，又，電阻測 定器謝隔著電源211連接於其間。電阻測定器彻連接 於一用來判定藉電阻測定器測定之電阻值之高低之判 定部213 °藉脈衝產生部咖使電流脈衝隔著施加部212 流至上:電極2〇4及下部雜2〇2《間，藉電阻測定器 209測疋出下部電極2()2與上部電極⑽之間之電阻值， 再由判定冑213判定該電阻值之高低。-般來說，電阻值 112 1254300 玖、發明說明 會因相變化部2G5之相變化而產生變化，故依據該判定結 果，可得知相變化部2〇5之相狀態。 本實施例之情況，相變化部2〇5之熔點為63〇它、結 晶化溫度為17(TC、結晶化時間為13〇ns。下部電極2〇2與 5上部電極2G4之間之電阻值在相變化部為非晶質相狀 ，夺為1000 Ω、a曰體相狀態時為2〇 〇。當相變化部205為 非晶質相狀態（亦即高電阻狀態）時，若在下部電極2〇2 ”上。卩電極204之間施加2〇mA、150ns之電流脈衝，則下 部電極202與上部電極2〇4之間之電阻值降低，相變化部 1〇 2〇5從非晶質相狀態轉移為晶體相狀態。接著，當相變化 部205為晶體相狀態（亦即低電阻狀態）時，若在下部電 極202與上部電極2〇4之間施加2〇〇mA、i〇〇ns之電流脈 衝則下°卩包極202與上部電極204之間之電阻值上升， 相變化部205從晶體相轉移為非晶質相。 15 *以上結果可確認，藉由使用含有具（ZrSi04) 4。（ 2 3 ) 30 ( LaF3 ) 3G ( m〇i% )組成之材料之層來作為相變 化口P 205之周圍之隔熱# 2()6，可在相變化部（記錄層） 使相變化產生，因此，資訊記錄媒體207具有記錄資訊之 機能。 如本貝Μ例所示’在圓柱狀之相變化部2〇5周圍設置 二電體之（ZrSl〇4 ) 4〇 ( Cr2〇3 ) 30 ( LaF3 ) 30 ( mol% )之 隔…、。卩206，可有效地抑制因施加電壓於上部電極2⑽與 下4電極202之間而導致流入相變化部2()5之電流逸出到 周邊邛…果，可藉由因電流產生之焦耳熱使相變化部 113 1254300 玖、發明說明 之概度有效牛地上升。尤其是使相變化部2〇5轉移至 非晶^狀態時’必須有使相變化部加之Ge38Sbl〇Te52暫 夺炫㈤再急速冷;東之過程。藉由在相變化部2⑽周圍設置 隔熱部鳩’可以較小之電流產生該相變化部2〇5之該炼 融0 30 隔熱部206之（ZrSl〇4) 4〇(Cr2〇3)以㈣）… 10 15 m〇1%)為高熔點，也不易因熱而產生原子擴散，故可適用 於如資訊記錄媒體斯t電性記憶體。又，一旦相變化部 2〇5周圍存在有隔熱部寫，則隔熱部206成為障壁，使相 交化。P 205在記錄部2G3面内實質地電性及熱性質地隔離 。利用這一點’資訊記錄媒體斯t，利用隔熱部206將 夕數之相i化部2G5設置成相互隔離之狀態，可增加資訊 。己錄媒體2G7之讀容量、提昇存取機能及交換機能。或 者，可將多數個資訊記錄媒體2〇7本身連接。 以上通過各種貫施例說明了本發明之資訊記錄媒體， 如上所述’以光學性裝置記錄之資訊記錄媒體及以電性裝 置記錄^訊記錄媒體任_者皆可使用氧化物氟化物系材 料層藉著3有该氧化物_氟化物系材料層之本發明之資訊 記錄媒體，可實現目前為止無法實現之構成，及/或得到較 習知之資訊記錄媒體優異之性能。 發明之效果 本發明之特徵宜在於：與記錄層直接鄰接而形成之層 係以混合了選自由Ti、Zr、Hf、NbTa、cu si構成： 群GM之至少1種元素之氧化物與選自由La、Ce、pr、Nd 114 20 1254300 玖、發明說明 "Gd 〇7、11。、£,及外構成之群沉之至少1種元素之 氟化物之材料來形成。藉該特徵，可刪去習知之光資訊記 錄媒體所具有之記錄層與介 ，同時可實現一可靠性高、 錄感度之光資訊記錄媒體。 電體層間之界面層以減少層數 確保優異反覆改寫性能及高記 又’若在施加電能之資訊記錄 ㈣中’將該氧化物·氟化物系材料層作為用以隔熱記錄層 之’丨電體層來使用，目丨I 7 —々立 貝J 了使5己錄層之相變化以較小電能產 生。 【圖式簡單說明】 10 、第1圖是顯示本發明之光資訊記錄媒體之一例之局部 截面圖。 第2圖{顯示本發明之光資訊記錄媒冑之其他例之局 部截面圖。 第3圖是顯示本發明之光資訊記錄媒體之又一其他例 之局部截面圖。 第4圖是顯示本發明之光資訊記錄媒體之又一其他例 之局部截面圖。 第5圖是頌示本發明之光資訊記錄媒體之又一其他例 之局部截面圖。 20 ^ 第6圖是顯示本發明之光資訊記錄媒體之又一其他例 之局部截面圖。 第7圖是顯示以式（5)顯示之材料之組成範圍之三角 第8圖是_示藉施加電能來記錄資訊之本發明之資訊 115 1254300 玖、發明說明 記錄媒體之一例之模式圖。 第9圖是顯示使用第8圖所示之資訊記錄媒體之系統 之一例之模式圖。 第10圖是顯示習知之資訊記錄媒體之一例之局部截面 5 圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 l，101，20l···基板 20…第2反射層 2，102…第1介電體層 21…第1資訊層 3，103…第1界面層 22…第2資訊層 4…記錄層 23…導引溝之底面（凹軌面） 5，105…第2界面層 24···導引溝之頂面（凸軌面） 6，106…第2介電體層 25,26,27,28,29,30,31，207 …資訊記錄 7…光吸收補正層 媒體 8…反射層 202···下部電極 9…接著層 203…記錄部 10，110…偽基板 204…上部電極 12…雷射光 205…相變化部（記錄層） 13…第1記錄層 206···隔熱部（介電體層） 14…第1反射層 208···脈衝產生部 15…第3介電體層 209···電阻測定器 16···中間層 210,211…開關 17…第4介電體層 212·· ·施加部 18…第2記錄層 213···判定部 19…第5介電體層 214…電性寫入/讀出裝置 116

Claims (1)

1254300 拾、申請專利範匱 1· 一種資訊記錄媒體，包含基板及記錄層，而該記錄層 藉照射光或施加電能而於晶體相與非晶質相之間產生 相變化者，其更含有氧化物_氟化物系材料層，該氧化 物-敗化物系材料層含有：.選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta 5 、Cr及义構成之群GM之至少1種元素；氧原子；選 自由 La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、H〇、Er 及 Yb 構成 之群GL·之至少！種元素；及氟原子。 2·如申請專利範圍第丨項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有以下式： 10 mh〇iLjFk (原子％) (式中’ Μ表示選自前述群gm之至少1種元素，l表示 選自前述群GL之至少1種元素，η、I、J及κ滿足i〇gH $ 45、24$ 1$ 76、0<J$ 19、0<K$ 48 ) 表示之氧化物-氟化物系材料。 15 3·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群Gm之元素 之選自由Ti、Zr、Hf及Ta構成之群GM1之至少！種 元素及Cr，並含有作為選自前述群GL之元素之選自 由La、Ce、Pr、及Nd構成之群GL1之至少1種元素 20 ，且含有以下式： M'CrQO^L^FK (原子％) (式中’M1表示選自GM1之至少1種元素，l1表示選自 GL1之至少！種元素，p、q、j、】及〖滿足〇<ρ$ %、 〇<Q S 45、24^1^76、0$J$19、〇<KS 48) 117 1254300 拾、申請專利範圍 表示之材料。 4.如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群⑽之元素 之選自由^卜財及^構成之群㈣之至少上種 一素Cr及Si ’並含作為選自前述群gl元素之選自 Ce pr、及Nd構成之群之至少1種元素 ，且含有以下式： M^CrsSiTOuLivFw (原子0/〇) 10 15 20 (式中，M1表示選自咖之至少傻元素，示選自 GL1之至J i種兀素，R、s、丁、^、乂及界滿足〇〈汉$ 28、0<S^33、〇<τ$ 19、25$U$7〇、〇<Vg 18、〇<w $45) 表示之材料。 5.如申請專·圍第！項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物糸材料層含有： (a )選自由 Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr及 Si構成之 群GM之至少1種元素之氧化物；及 (b )選自由 La、Ce、pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er 及Yb構成之群GL之至少丨種元素之氟化物。 6_如申請專利範圍第5項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有選自前述群GM之元素之氧 化物群與自前述群GL之元素之氟化物群合計9〇莫 耳％以上。 7·如申請專利範圍第5項之資訊記錄媒體’其中前述氧 118 1254300 拾、申請專利範圍 化物氣化物系材料層含有選自前述群Gm之元素之氧 化物群50莫耳％以上。 8·如申請專利範圍第5項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群Gm之元素 之氧化物之選自由Tl、Zr、Hf、及Ta構成之群_ 之至少1種元素之氧化物及Cr之氧化物，並含有作為 選自前述群GL之元素之說化物之選自ώ La、Ce、Pr 及Nd構成之群Gu之至少】種元素之氣化物。 10 15 20 9·如申請專利範圍第8項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群gm之元素 之氧化物之選自由Ti、Zr、Hf、及Ta構成之群讓 之元素之氧化物群及Cr之氧化物合計5〇莫耳％以上。 10如申請專利範圍第9項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層更含有81之氧化物作為選自前述 群GM之元素之氧化物。 ·· 如申π專利範圍第5項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群GM之元素 之氧化物之選自Zr〇2、Hf〇2、及Ta2〇5之至少i種氧 化物、sa及Cr2〇3，並含有作為選自前述群见之元 素之氟化物之LaF3。 12·如申請專利範圍第U項之資訊記_體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有以下式： x(Sl〇2) Y(Cr203 ) z(LaF3) 1〇〇.χ γ_2 ( m〇1% 119 1254300 拾、申請專利範圍 (式中，D係表示選自Zr〇2、Hf〇2&Ta2〇5之至少ι種之 氧化物，X、Y及 Z 滿足20gXg70、1〇$γ‘5〇、1〇幺 60、50$ χ+γ+ζ$ 90) 表示之材料。 5 U.如申請專利範圍第5項之資訊記錄媒體，其中前述氧 化物-氟化物系材料層含有作為選自前述群GM之元素 之氧化物之ZrSi〇4、及ChO3，並含有作為選自前述群 GL之元素之氟化物之LaF3。 14·如申請專利範圍第13項之資訊記錄媒體，其中前述氧 1〇 化物-氟化物系材料層含有以下式： (ZrSi04) A (Cr203 ) B (LaF3) 100.A.B (m〇i〇/0) (式中，A及 B滿足 20$Α$70、1〇^β$50、5〇$a+b $90) 表示之材料。 15 15.如中請專利範圍第i項之資訊記錄媒體，其中在前述 C錄層中，相變化為可逆地產生。 16·如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體，其中前述記 錄層含有選自：Ge_Sb_Te、Ge-Sn_sb_Te、Ge-Bi-Te、 G^Sn-Bi.Te . Ge-Sb-Bi-Te > Ge-Sn-Sb-Bi-Te ^ Ag.In. Sb-Te及Sb-Te中任一者之i之材料。 17 •如申請專利範圍第15項之資訊記錄媒體，其中前述記 、条層之膜厚在15nm以下。 18 女 〇申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其具有2個 以上之前述記錄層。 120 1254300 呈 拾、申目靑專利車β 19•如申請專利範圍第丨項之資訊記錄媒體，其係在前述 基板一側之表面上依序形成有第1介電體層、記錄層 第2 71私體層、及反射層，該第1介電體層及該第2 ”電體層中至5 1個介電體層為前述氧化物-氟化物系 材料層，且與該記錄層界面相接。 20.如申明專利辄圍第丨項之資訊記錄媒體，其係在前述 基板一側之表面上依床； 序屯成有弟1介電體層、界面層 2記錄層 '第2介電體層、光吸收補正層及反射層， 10 15 20 X第；丨电月丑層為刚述氧化物-氟化物系材料層，且與 該記錄層界面相接。 申月專〜15第1項之資訊記錄媒體，其係在前述 基板一側之表面上依序形成有反射層、第2介電體層 、記錄層及第1介雷雕 私肢層，該第1介電體層及該第2 ’丨電體層中至少i / 個介電體層為前述氧化物-氟化物系 材料層，且與該記錄層界面相接。 22. 如申請專利範圍第i 基板-側之表面上依广記錄媒體，其係在前述 、嵬 予形成有反射層、光吸收補正層 )丨電體層、印糕·昆 談第7人 σ、彔g、界面層及第1介電體層， ’ ’丨電體層為前述Μ各札尸 該,# 化物-氟化物系材料層，且與 邊尤綠層界面相接。 23. 如申請專利範圍第 基板— 貞之-貝訊記錄媒體，其係在前述 記錄層，且依序形成有第2記錄層及第i 第1記錄層或^第述氧化物-氣化物系材料層與該 °己錄層界面相接而形成。 121 !2543〇〇 拾、申請專利範圍 24·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其係在前述 基板一：之表面上依序形成有第2反射層、第5介電 體層第2記錄層、第4介電體層、中間層、第3介 電體層、第1反射層、第2介電體層、第"己錄層及 第/介電體層，該第1介電體層、該第2介電體層、 A第4介電體層及該第5介電體層中至少1個介電體 、二、〕述氧化物-氟化物系材料層，且與該第1記錄層 或第2記錄層界面相接而形成。 10 15 貝口孔口己錄媒體之製造方法，f玄資訊記錄媒體係含 基板及記錄層，且更包含氧化物_氟化物系材料層，該 氧化物-亂化物系材料層含有：選自由Ti、m、灿 Cr及Sl構成之群GM之至少1種元素；氧原子 由 La Ce、pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er 及 Yb 構成之群GL之至少丨種元素；及氟原子，該製造方法 〇 ^使用含有選自群GM之至少一種元素、氧原子 込自群GL·之至少一種元素與氟原子之濺鍍靶材，以 濺鍍法形成該氧化物-氟化物系材料層之步驟。 26·如申.月專利辈已圍第25項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材含有以下式： Mh〇iLjFk (原子 ％ ) (式中，Μ表示選自前述群〇“之至少丨種元素，l表示 選自月il述群GL之至少1種元素，h、丨、』及化滿足1〇$匕 ^45 ' 24^^76 > 0<j^i9 . 〇<k^48) 表示之材料。 122 20 1254300 拾、申請專利範圍 27·如申請專利範圍第25 甘士么、、 員之貝訊記錄媒體之製造方法， 八中則述濺鍍靶材含有 選自由ΤΙ、有作為堤自丽述群⑽之元素之 及Ta構成之群GM1之至少1種亓 素及並含作為選自前述群GL元素之選自由u、 e、Pr、及⑽構成之群阳之至少 有以下式： 3 MlpCrq0lLl」Fk (原子 ％) (式中Μ表不選自_之至少i種元素，^表示選自 GL1之至少1種-妄 10 15 20 兀常，P、q、i、j及k滿足〇<ρ^38、0<α 24^^76 Ν 19 > 0<k^48) 表示之材料。 28·如申請專利範 一 ^ 闓弗25項之貧訊記錄媒體之製造方法， 八〕迟焱鍍靶材含有作為選自前述群GM之元素之 選自由Ti、Zr、財及化構成之群刪之至少1種元 素、Cr及Si，並含有作為選自前述群元素之選自 0 Pl、及Nd構成之群GL1之至少1種元素 ,且含有以下式： 、 M^CrsSitOj^w (原子％) (式中，W表示選自GM1之至少”重元素，"表示選自 GL1之至少1插士本 禋兀素，1^、3、{、11、乂及^¥滿足〇<1^28、 0<t$ 19、25Su$70、〇<v$ 18、0<wg 45 ) 表示之材料。 29·如申請專利範圍第 25項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材含有： 123 1254300 拾、申請專利範圍 (、自由 Tl、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr 及 Si構成之 群GM之至少素之氧化物；及 (b)選自由η ® Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er 及抑構成之群证之至少i種元素之氟化物。 申月專利乾圍* 29項之資訊記錄媒體之製造方法， -中刚述濺鍍靶材含有選自前述群gm之元素之氧化 物群與選自前述群GL之元素之氣化物群合計9〇莫耳 %以上。 10 15 20 31·如申請專利範圍第29項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍μ含有選自前述群⑽之元素之氧化 物群50莫耳％以上。 32·如申請專利範圍第29項之資訊記錄媒體之製造方法’ 其中前述減鍵革巴材含有作為選自前述群GM之元素之 乳化物之選自由丁卜^財^構成之群㈣之 二1種元素之氧化物及。之氧化物，並含有作為選 則述群GL之凡素之氟化物之選自由La、ce、Pr及 灿構成之群GL1之至少i種元素之氣化物。 33.如申料利範圍第32項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述_革巴材含有作為選自前述群GM之元素之 氧化物^選自由丁〜省^構成之群⑽^ 34 ^素之乳化物群及^之氧化物合計5〇莫耳%以上。 ·=請專利範圍第33項之資訊記錄媒體之製造方法， 八中别述濺鍍靶材更含有Si之氧化物作為 ⑽之元素之氧化物。 _為選自别逑鮮 124 1254300 拾、申請專利範圍 35.如申請專利範圍第29項之次％ 4 μ 貞之貝5fU己錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材冬右你&、pe ^ 何口百作為廷自珂述群GM之元素之 氧化物之選自Zr0 Hf〇,、⑦τ a 2及Ta2〇5之至少1種氧化 物、Si02及Cr2〇3，並冬右作盔、阳， 口有作為砥自珂述群GL之元素 之氟化物之LaF3。 36·如申睛專利範圍第35項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材含有以下式： ^ D ) X ( Si02 ) y ( Cr2〇3 ) z ( LaF3 ) 1〇〇.x.y.z ( m〇i〇/〇 ) 10 15 20

(式中，D係表示選自η%、Hf〇2& τ&2〇5之至少i種之 氧化物，X、丫及2 滿足2〇$χ$7〇、1〇S05〇、i〇h S 60、50 $ x+y+z $ 9〇 ) 表示之材料。 37.如申請專利範圍第29項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材含有作為選自前述群GM之元素之 氧化物之ZrSiCU、及CuC»3，並含有作為選自前述群 GL之元素之氟化物之LaF3。 38·如申請專利範圍第37項之資訊記錄媒體之製造方法， 其中前述濺鍍靶材含有以下式： (ZrSi〇4) a (Cr2〇3) b (LaF3) 100_a_b (mol%) (式中，a及b 滿足 20$ 70、10$ bg 50、50$ a+bg 90) 表不之材料 125