JP2000222775A - ジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜および光記録媒体 - Google Patents
ジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜および光記録媒体Info
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- JP2000222775A JP2000222775A JP11022216A JP2221699A JP2000222775A JP 2000222775 A JP2000222775 A JP 2000222775A JP 11022216 A JP11022216 A JP 11022216A JP 2221699 A JP2221699 A JP 2221699A JP 2000222775 A JP2000222775 A JP 2000222775A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ジッターの増大を抑える硫化亜鉛−二酸化ケ
イ素系光記録媒体用誘電体膜およびこの誘電体膜を積層
した光記録媒体を提供する。 【解決手段】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
有し、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２
種以上を合計で：０．００１〜５ｍｏｌ％を含有し、残
りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体膜およびこの
誘電体膜を積層した光記録媒体。
イ素系光記録媒体用誘電体膜およびこの誘電体膜を積層
した光記録媒体を提供する。 【解決手段】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
有し、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２
種以上を合計で：０．００１〜５ｍｏｌ％を含有し、残
りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体膜およびこの
誘電体膜を積層した光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ジッター（信号
の時間軸上の正規の位置からのズレ）の増大を抑える硫
化亜鉛−二酸化ケイ素系光記録媒体用誘電体膜に関する
ものであり、さらにこの発明はジッター増大を抑える硫
化亜鉛−二酸化ケイ素系光記録媒体用誘電体膜を積層し
た光記録媒体に関するものである。
の時間軸上の正規の位置からのズレ）の増大を抑える硫
化亜鉛−二酸化ケイ素系光記録媒体用誘電体膜に関する
ものであり、さらにこの発明はジッター増大を抑える硫
化亜鉛−二酸化ケイ素系光記録媒体用誘電体膜を積層し
た光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ビームを用いて情報の記録お
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体の膜構造
は、図１の断面図に示されるように、基板１の表面に第
一誘電体膜２を形成し、この第一誘電体膜２の上に記録
膜３を形成し、この記録膜３の上に第二誘電体膜４を形
成し、この第二誘電体膜４の上に反射膜５を形成した構
造となっている。実用の光記録媒体は前記反射膜５を保
護するために反射膜５の上にさらに保護膜（図示せず）
を形成した構造となっている。かかる膜構造の光記録媒
体は、レーザー光の照射により記録膜３を結晶状態と非
晶質状態との間で相変化させ、情報の記録・消去による
書き換え（以下、オーバーライトと云う）を行う。
よび消去を行う光ディスクなどの光記録媒体の膜構造
は、図１の断面図に示されるように、基板１の表面に第
一誘電体膜２を形成し、この第一誘電体膜２の上に記録
膜３を形成し、この記録膜３の上に第二誘電体膜４を形
成し、この第二誘電体膜４の上に反射膜５を形成した構
造となっている。実用の光記録媒体は前記反射膜５を保
護するために反射膜５の上にさらに保護膜（図示せず）
を形成した構造となっている。かかる膜構造の光記録媒
体は、レーザー光の照射により記録膜３を結晶状態と非
晶質状態との間で相変化させ、情報の記録・消去による
書き換え（以下、オーバーライトと云う）を行う。
【０００３】前記光記録媒体を構成する基板１は厚さ：
０．５〜３ｍｍ程度の透明な樹脂やガラスなどからなる
円板で構成されており、基板を構成する樹脂としては、
アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）樹脂、ポリイミド樹脂などが使用されている。
０．５〜３ｍｍ程度の透明な樹脂やガラスなどからなる
円板で構成されており、基板を構成する樹脂としては、
アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）樹脂、ポリイミド樹脂などが使用されている。
【０００４】また、前記記録膜３は、Ｉｎ−Ｓｅ系組成
を有する膜、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系組成を有する膜、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を
有する膜、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、
Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｃｏ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成を有する膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する
膜などが知られており、この記録膜３は通常１０〜４５
ｎｍの厚さを有し、スパッタにより形成される。Ｉｎ−
Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成を有する膜にさらに微量のＨ，
Ｓｉ，Ｃ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｂおよ
びＹの内の１種または２種以上を含有させると、高温、
高湿などの悪条件下での信頼性が向上するとともに書き
換え耐久性が向上すると言われている。
を有する膜、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系組成を有する膜、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を
有する膜、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、
Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｃｏ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する膜、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓ
ｂ系組成を有する膜、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成を有する
膜などが知られており、この記録膜３は通常１０〜４５
ｎｍの厚さを有し、スパッタにより形成される。Ｉｎ−
Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成を有する膜にさらに微量のＨ，
Ｓｉ，Ｃ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｂおよ
びＹの内の１種または２種以上を含有させると、高温、
高湿などの悪条件下での信頼性が向上するとともに書き
換え耐久性が向上すると言われている。
【０００５】前記基板１の上に形成される第一誘電体膜
２は記録時に記録膜３から基体１に伝わる熱を遮断して
基体１を保護する作用をなし、一方、記録膜３の上に形
成される第二誘電体膜４は記録膜３を保護すると共に、
記録後、記録膜に残った熱を熱伝導により放出する作用
を有する。前記第一誘電体膜２および第二誘電体膜４
は、通常、二酸化ケイ素を１０〜３０ｍｏｌ％を含有す
る硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜で構成されている
が、近年、０．０１〜１．５原子％のＣｅ，Ｃａ，Ｎ
ｇ，ＢａおよびＮａの内の１種または２種以上を含有し
た硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜を第一誘電体膜２
および第二誘電体膜４として形成することによりジッタ
ーの増大を抑えた光記録媒体が提供されている。
２は記録時に記録膜３から基体１に伝わる熱を遮断して
基体１を保護する作用をなし、一方、記録膜３の上に形
成される第二誘電体膜４は記録膜３を保護すると共に、
記録後、記録膜に残った熱を熱伝導により放出する作用
を有する。前記第一誘電体膜２および第二誘電体膜４
は、通常、二酸化ケイ素を１０〜３０ｍｏｌ％を含有す
る硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜で構成されている
が、近年、０．０１〜１．５原子％のＣｅ，Ｃａ，Ｎ
ｇ，ＢａおよびＮａの内の１種または２種以上を含有し
た硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜を第一誘電体膜２
および第二誘電体膜４として形成することによりジッタ
ーの増大を抑えた光記録媒体が提供されている。
【０００６】前記第一誘電体膜２および第二誘電体膜４
はいずれも純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ
素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、必要に応じてＣｅ，
Ｃａ，Ｎｇ，ＢａまたはＮａの硫化物の内の１種または
２種以上：０．０１〜１．５ｍｏｌ％を含有し、残部が
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相
対密度が９０％以上有する焼結体で構成されたターゲッ
トをスパッタすることにより形成される。
はいずれも純度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ
素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、必要に応じてＣｅ，
Ｃａ，Ｎｇ，ＢａまたはＮａの硫化物の内の１種または
２種以上：０．０１〜１．５ｍｏｌ％を含有し、残部が
純度：９９．９９９重量％以上の硫化亜鉛からなり、相
対密度が９０％以上有する焼結体で構成されたターゲッ
トをスパッタすることにより形成される。
【０００７】さらに、前記反射膜５は、通常、Ａｌ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｃｕなど単体あるいはこれら１種以上の合金
など高反射率金属からなる厚さ１〜２００ｎｍのスパッ
タ膜で構成されている。また実用に際して反射膜５の上
に形成する保護膜（図示せず）は耐摩耗性および耐食性
を有する種々の有機化合物をスピンコート、スプレーコ
ート、ディピングすることにより形成する。
ｕ，Ｐｔ，Ｃｕなど単体あるいはこれら１種以上の合金
など高反射率金属からなる厚さ１〜２００ｎｍのスパッ
タ膜で構成されている。また実用に際して反射膜５の上
に形成する保護膜（図示せず）は耐摩耗性および耐食性
を有する種々の有機化合物をスピンコート、スプレーコ
ート、ディピングすることにより形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】これら光記録媒体は、
オーバーライトを繰り返して使用するが、所定のオーバ
ーライト回数を越えるとジッターが急激に増大して寿命
に至る。そのため、オーバーライトを繰り返してもジッ
ターが増大することのない記録膜を開発する必要があ
る。一方、光記録媒体のジッターの増大は記録膜の両面
に形成する誘電体膜によっても左右されると言われてい
るところから、ジッター増大を抑制する誘電体膜の開発
も急がれている。ジッター増大を抑制する誘電体膜の一
つとして、前述のＣｅ，Ｃａ，Ｎｇ，ＢａおよびＮａの
内の１種または２種以上を０．０１〜１．５原子％含有
した硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜が提供されてい
るが、この誘電体膜ではジッターの増大を抑制するには
十分でなく、さらにジッター増大抑制効果のある光記録
媒体用誘電体膜が求められている。
オーバーライトを繰り返して使用するが、所定のオーバ
ーライト回数を越えるとジッターが急激に増大して寿命
に至る。そのため、オーバーライトを繰り返してもジッ
ターが増大することのない記録膜を開発する必要があ
る。一方、光記録媒体のジッターの増大は記録膜の両面
に形成する誘電体膜によっても左右されると言われてい
るところから、ジッター増大を抑制する誘電体膜の開発
も急がれている。ジッター増大を抑制する誘電体膜の一
つとして、前述のＣｅ，Ｃａ，Ｎｇ，ＢａおよびＮａの
内の１種または２種以上を０．０１〜１．５原子％含有
した硫化亜鉛−二酸化ケイ素系誘電体膜が提供されてい
るが、この誘電体膜ではジッターの増大を抑制するには
十分でなく、さらにジッター増大抑制効果のある光記録
媒体用誘電体膜が求められている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
従来よりも一層ジッターの増大を抑制することのできる
誘電体膜を得るべく研究を行なっていところ、 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらにＰ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上
の合計（以下、Ａと記す）：０．００１〜５ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体膜
を積層した光記録媒体は、従来のＣｅ：０．０１〜１．
５ｍｏｌ％含有し、二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体
膜を形成した光記録媒体よりも一層ジッターの増大を抑
えることができる、という研究結果が得られたのであ
る。
従来よりも一層ジッターの増大を抑制することのできる
誘電体膜を得るべく研究を行なっていところ、 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含有し、さらにＰ
ｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種または２種以上
の合計（以下、Ａと記す）：０．００１〜５ｍｏｌ％を
含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体膜
を積層した光記録媒体は、従来のＣｅ：０．０１〜１．
５ｍｏｌ％含有し、二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％
を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する誘電体
膜を形成した光記録媒体よりも一層ジッターの増大を抑
えることができる、という研究結果が得られたのであ
る。
【００１０】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、 （１）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ａ：０．０
０１〜５ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組
成を有する光記録媒体用誘電体膜、に特徴を有するもの
である。
されたものであって、 （１）二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ａ：０．０
０１〜５ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組
成を有する光記録媒体用誘電体膜、に特徴を有するもの
である。
【００１１】また、この発明は、前記（１）記載の光記
録媒体用誘電体膜を積層した光記録媒体、に特徴を有す
るものである。
録媒体用誘電体膜を積層した光記録媒体、に特徴を有す
るものである。
【００１２】この発明の光記録媒体用誘電体膜に含まれ
るＡを０．００１〜５ｍｏｌ％に限定したのは、これら
Ａの含有量が０．００１ｍｏｌ％未満では遊離の硫黄が
記録膜への拡散を防止するのに十分でないことから十分
なジッター増大抑制効果が得られず、一方、Ａを５ｍｏ
ｌ％を越えて含有するとターゲットにおいて２元化合物
を作ってしまい、このターゲットを用いてスパッタして
得られた誘電体膜によるジッター増大抑制効果が減少す
るので好ましくない理由によるものである。このＡの含
有量の一層好ましい範囲は０．０１〜５ｍｏｌ％であ
り、さらに一層好ましい範囲は１〜５ｍｏｌ％である。
るＡを０．００１〜５ｍｏｌ％に限定したのは、これら
Ａの含有量が０．００１ｍｏｌ％未満では遊離の硫黄が
記録膜への拡散を防止するのに十分でないことから十分
なジッター増大抑制効果が得られず、一方、Ａを５ｍｏ
ｌ％を越えて含有するとターゲットにおいて２元化合物
を作ってしまい、このターゲットを用いてスパッタして
得られた誘電体膜によるジッター増大抑制効果が減少す
るので好ましくない理由によるものである。このＡの含
有量の一層好ましい範囲は０．０１〜５ｍｏｌ％であ
り、さらに一層好ましい範囲は１〜５ｍｏｌ％である。
【００１３】なお、この発明の光記録媒体用誘電体膜に
含まれる二酸化ケイ素の含有量は１０〜３０ｍｏｌ％で
あるが、この二酸化ケイ素の含有量は通常の含有量であ
るからその限定理由の説明は省略する。また、この発明
の光記録媒体において、基板、記録膜および反射膜は先
に述べた通常の材質のものを使用することができるので
その製造方法の説明は省略する。
含まれる二酸化ケイ素の含有量は１０〜３０ｍｏｌ％で
あるが、この二酸化ケイ素の含有量は通常の含有量であ
るからその限定理由の説明は省略する。また、この発明
の光記録媒体において、基板、記録膜および反射膜は先
に述べた通常の材質のものを使用することができるので
その製造方法の説明は省略する。
【００１４】次に、この発明の光記録媒体で使用する誘
電体膜の製造方法について詳細に説明する。まず、Ａｒ
雰囲気中で加熱して脱ガスした純度：９９．９９９重量
％以上を有する硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９
９重量％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％
およびＡ：０．００５〜５ｍｏｌ％を添加し、これをポ
リポットに入れ、４〜６時間乾式混合を行うことにより
均一に混合し、得られた混合粉末を真空またはＡｒガス
雰囲気中、圧力：１５０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ 2 、温
度：９５０〜１０００℃（好ましくは、９５０〜９７０
℃）、３〜５時間保持し、この保持温度から冷却速度：
１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却する条件でホットプレ
スすることによりホットプレス焼結体を製造する。
電体膜の製造方法について詳細に説明する。まず、Ａｒ
雰囲気中で加熱して脱ガスした純度：９９．９９９重量
％以上を有する硫化亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９
９重量％以上の二酸化ケイ素粉末：１０〜３０ｍｏｌ％
およびＡ：０．００５〜５ｍｏｌ％を添加し、これをポ
リポットに入れ、４〜６時間乾式混合を行うことにより
均一に混合し、得られた混合粉末を真空またはＡｒガス
雰囲気中、圧力：１５０〜２５０ｋｇｆ／ｃｍ 2 、温
度：９５０〜１０００℃（好ましくは、９５０〜９７０
℃）、３〜５時間保持し、この保持温度から冷却速度：
１〜３℃／ｍｉｎで常温まで冷却する条件でホットプレ
スすることによりホットプレス焼結体を製造する。
【００１５】得られたホットプレス焼結体は所定の寸法
に研削してターゲットを作製し、このターゲットを用い
てスパッタリングを行い、誘電体膜を形成する。
に研削してターゲットを作製し、このターゲットを用い
てスパッタリングを行い、誘電体膜を形成する。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施例１ 直径：２００ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍのポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭＡ）樹脂製基板を用意した。
クリレート（ＰＭＭＡ）樹脂製基板を用意した。
【００１７】さらにＳｉＯ2 粉末、ＺｎＳ粉末、Ｐｒ粉
末、Ｎｄ粉末、Ｓｍ粉末およびＧｄ粉末を用意した。前
記ＺｎＳ粉末についてはガスを除去する目的でＡｒ雰囲
気中、昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱したのち６５
０℃で１時間保持の熱処理を施した。これらＳｉＯ2 粉
末、ＺｎＳ粉末、Ｐｒ粉末、Ｎｄ粉末、Ｓｍ粉末、Ｇｄ
粉末を所定の割合で配合し、この配合粉末をポリポット
の中に入れ、５時間乾式混合し、得られた混合粉末をホ
ットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中でホッ
トプレスすることによりホットプレス体を作製し、この
ホットプレス体を機械加工することにより直径：２００
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円板状の誘電体膜形
成用ターゲットを作製した。
末、Ｎｄ粉末、Ｓｍ粉末およびＧｄ粉末を用意した。前
記ＺｎＳ粉末についてはガスを除去する目的でＡｒ雰囲
気中、昇温速度：２．２℃／ｍｉｎで加熱したのち６５
０℃で１時間保持の熱処理を施した。これらＳｉＯ2 粉
末、ＺｎＳ粉末、Ｐｒ粉末、Ｎｄ粉末、Ｓｍ粉末、Ｇｄ
粉末を所定の割合で配合し、この配合粉末をポリポット
の中に入れ、５時間乾式混合し、得られた混合粉末をホ
ットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中でホッ
トプレスすることによりホットプレス体を作製し、この
ホットプレス体を機械加工することにより直径：２００
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円板状の誘電体膜形
成用ターゲットを作製した。
【００１８】前記ＰＭＭＡ製基板を高周波マグネトロン
スパッタリング装置にセットし、さらに前記誘電体膜形
成用ターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレ
ートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材に
てハンダ付けしてこれを高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2 ）、 の条件でスパッタリングを行い、前記ＰＭＭＡ製基板の
上に厚さ：１７０ｎｍを有し、表１に示される組成の第
一誘電体膜を形成した。
スパッタリング装置にセットし、さらに前記誘電体膜形
成用ターゲットをモリブデン製の冷却用バッキングプレ
ートに純度：９９．９９９重量％のイリジウムろう材に
てハンダ付けしてこれを高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置にセットし、 ・スパッタガス：Ａｒ、 ・スパッタガス圧力５×１０-3Ｔｏｒｒ、 ・スパッタ電力：１３．５６ＭＨｚの高周波電力１５０
０Ｋｗ（約８．５Ｗ／ｃｍ2 ）、 の条件でスパッタリングを行い、前記ＰＭＭＡ製基板の
上に厚さ：１７０ｎｍを有し、表１に示される組成の第
一誘電体膜を形成した。
【００１９】次にＩｎ6 Ａｇ7 Ｓｂ58Ｖ1 （原子比）の
組成を有する記録膜形成用ターゲットを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、前記ＰＭＭＡ製基
板上に形成した第一誘電体膜の上に同じスパッタリング
条件でＩｎ6 Ａｇ7 Ｓｂ58Ｖ 1 の組成を有する厚さ：２
４ｎｍの記録膜を形成し、さらにこの記録膜の上に第一
誘電体膜と同じスパッタリング条件で第一誘電体膜と同
じ組成を有する厚さ：２１ｎｍの第二誘電体膜を形成し
た。
組成を有する記録膜形成用ターゲットを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、前記ＰＭＭＡ製基
板上に形成した第一誘電体膜の上に同じスパッタリング
条件でＩｎ6 Ａｇ7 Ｓｂ58Ｖ 1 の組成を有する厚さ：２
４ｎｍの記録膜を形成し、さらにこの記録膜の上に第一
誘電体膜と同じスパッタリング条件で第一誘電体膜と同
じ組成を有する厚さ：２１ｎｍの第二誘電体膜を形成し
た。
【００２０】さらにこの第二誘電体膜の上に純アルミニ
ウム製ターゲットを用い、前記第一誘電体膜と同じスパ
ッタリング条件で厚さ：１５０ｎｍの純アルミニウムか
らなる反射膜を形成し、表１に示される構成の本発明光
記録媒体１〜４のサンプルを作製した。
ウム製ターゲットを用い、前記第一誘電体膜と同じスパ
ッタリング条件で厚さ：１５０ｎｍの純アルミニウムか
らなる反射膜を形成し、表１に示される構成の本発明光
記録媒体１〜４のサンプルを作製した。
【００２１】このようにして得られた本発明光記録媒体
１〜４のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、線
速度：６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．０
ｍＷ、消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号を
記録するオーバーライトを繰り返し行い、オーバーライ
ト回数とその時のジッター数をオーバーライト回数を横
軸にとり、ジッター数を縦軸にとってグラフを作製し、
これを図２に示した。
１〜４のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、線
速度：６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．０
ｍＷ、消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号を
記録するオーバーライトを繰り返し行い、オーバーライ
ト回数とその時のジッター数をオーバーライト回数を横
軸にとり、ジッター数を縦軸にとってグラフを作製し、
これを図２に示した。
【００２２】従来例１ Ｃｅ粉末を用意し、実施例１で用意したＳｉＯ2 粉末お
よびＺｎＳ粉末と共に配合し、この配合粉末をポリポッ
トの中に入れ、５時間乾式混合し、得られた混合粉末を
ホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中でホ
ットプレスすることによりホットプレス体を作製し、こ
のホットプレス体を機械加工することにより直径：２０
０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円板状の誘電体膜
形成用ターゲットを作製し、この誘電体膜形成用ターゲ
ットを用い、実施例１と同様にして表１に示される組成
の第一および第二誘電体膜を形成することにより従来光
記録媒体１のサンプルを作製した。
よびＺｎＳ粉末と共に配合し、この配合粉末をポリポッ
トの中に入れ、５時間乾式混合し、得られた混合粉末を
ホットプレスの黒鉛型に充填し、Ａｒガス雰囲気中でホ
ットプレスすることによりホットプレス体を作製し、こ
のホットプレス体を機械加工することにより直径：２０
０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円板状の誘電体膜
形成用ターゲットを作製し、この誘電体膜形成用ターゲ
ットを用い、実施例１と同様にして表１に示される組成
の第一および第二誘電体膜を形成することにより従来光
記録媒体１のサンプルを作製した。
【００２３】このようにして得られた従来光記録媒体１
のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、線速度：
６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．０ｍＷ、
消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号を記録す
るオーバーライトを繰り返し行い、オーバーライト回数
とその時のジッター数をオーバーライト回数を横軸にと
り、ジッター数を縦軸にとってグラフを作製し、これを
図３に示した。
のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、線速度：
６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．０ｍＷ、
消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号を記録す
るオーバーライトを繰り返し行い、オーバーライト回数
とその時のジッター数をオーバーライト回数を横軸にと
り、ジッター数を縦軸にとってグラフを作製し、これを
図３に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】図２および図３から明らかなように、Ｐ
ｒ：１．１６ｍｏｌ％を含有する第一および第二誘電体
膜を形成した本発明光記録媒体１、Ｎｄ：２．１３ｍｏ
ｌ％を含有する第一および第二誘電体膜を形成した本発
明光記録媒体２、Ｓｍ：１．７８ｍｏｌ％を含有する第
一および第二誘電体膜を形成した本発明光記録媒体３お
よびＧｄ：０．２１ｍｏｌ％を含有する第一および第二
誘電体膜を形成した本発明光記録媒体４は、オーバーラ
イト回数が１００万回に至ってもジッター数に大きな増
大は見られないが、Ｃｅ：１．２２ｍｏｌ％を含有する
第一および第二誘電体膜を形成した従来光記録媒体１
は、オーバーライト回数が１万回を越えるとジッター数
が大きく増大し、光記録媒体の寿命に至ることが分か
る。
ｒ：１．１６ｍｏｌ％を含有する第一および第二誘電体
膜を形成した本発明光記録媒体１、Ｎｄ：２．１３ｍｏ
ｌ％を含有する第一および第二誘電体膜を形成した本発
明光記録媒体２、Ｓｍ：１．７８ｍｏｌ％を含有する第
一および第二誘電体膜を形成した本発明光記録媒体３お
よびＧｄ：０．２１ｍｏｌ％を含有する第一および第二
誘電体膜を形成した本発明光記録媒体４は、オーバーラ
イト回数が１００万回に至ってもジッター数に大きな増
大は見られないが、Ｃｅ：１．２２ｍｏｌ％を含有する
第一および第二誘電体膜を形成した従来光記録媒体１
は、オーバーライト回数が１万回を越えるとジッター数
が大きく増大し、光記録媒体の寿命に至ることが分か
る。
【００２６】実施例２ Ｐｒ粉末、Ｎｄ粉末、Ｓｍ粉末、Ｇｄ粉末、Ｐｍ粉末、
Ｅｕ粉末、Ｔｂ粉末、Ｄｙ粉末、Ｈｏ粉末、Ｅｒ粉末、
Ｔｍ粉末、Ｙｂ粉末、Ｌｕ粉末を用意し、実施例１で用
意したＳｉＯ2 粉末およびＺｎＳ粉末と共に配合し、こ
の配合粉末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合
し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中でホットプレスすることによりホ
ットプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工
することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法
を有する円板状の誘電体膜形成用ターゲットを作製し、
この誘電体膜形成用ターゲットを用い、実施例１と同様
にして表２および３に示される組成の第一および第二誘
電体膜を形成することにより本発明光記録媒体５〜１７
のサンプルを作製した。
Ｅｕ粉末、Ｔｂ粉末、Ｄｙ粉末、Ｈｏ粉末、Ｅｒ粉末、
Ｔｍ粉末、Ｙｂ粉末、Ｌｕ粉末を用意し、実施例１で用
意したＳｉＯ2 粉末およびＺｎＳ粉末と共に配合し、こ
の配合粉末をポリポットの中に入れ、５時間乾式混合
し、得られた混合粉末をホットプレスの黒鉛型に充填
し、Ａｒガス雰囲気中でホットプレスすることによりホ
ットプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工
することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法
を有する円板状の誘電体膜形成用ターゲットを作製し、
この誘電体膜形成用ターゲットを用い、実施例１と同様
にして表２および３に示される組成の第一および第二誘
電体膜を形成することにより本発明光記録媒体５〜１７
のサンプルを作製した。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】このようにして得られた本発明光記録媒体
５〜１７のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、
線速度：６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．
０ｍＷ、消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号
を記録するオーバーライトを繰り返し行い、この時のオ
ーバーライト回数とその時のジッター数を測定した結
果、オーバーライト回数が１００万回に至ってもジッタ
ー数に大きな増大は見られなかった。
５〜１７のサンプルを光記録媒体評価装置の上に載せ、
線速度：６ｍ／ｓで回転させながら記録パワー：１２．
０ｍＷ、消去パワー：５．０ｍＷで８．１６ＲＬＬ信号
を記録するオーバーライトを繰り返し行い、この時のオ
ーバーライト回数とその時のジッター数を測定した結
果、オーバーライト回数が１００万回に至ってもジッタ
ー数に大きな増大は見られなかった。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、この発明の誘電体膜を形
成した光記録媒体は、オーバーライト回数の増加に対し
てジッターの増大を従来より一層抑制することができ、
光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
成した光記録媒体は、オーバーライト回数の増加に対し
てジッターの増大を従来より一層抑制することができ、
光メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
【図１】通常の光記録媒体の膜構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】この発明の光記録媒体のオーバーライト回数と
その時のジッター数との関係を示すグラフである。
その時のジッター数との関係を示すグラフである。
【図３】従来の光記録媒体のオーバーライト回数とその
時のジッター数との関係を示すグラフである。
時のジッター数との関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ 第一誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 第二誘電体膜 ５ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真島 宗位 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 小田 淳一 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 5D029 LA12 LA13 LA14 LA15 LA19 LC11 LC21
Claims (2)
- 【請求項１】 二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％を含
有し、さらにＰｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｐｍ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの内の１種ま
たは２種以上を合計で：０．００１〜５ｍｏｌ％を含有
し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴と
するジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜。 - 【請求項２】 請求項１記載のジッター増大を抑える光
記録媒体用誘電体膜を積層したことを特徴とする光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022216A JP2000222775A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | ジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜および光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022216A JP2000222775A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | ジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜および光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000222775A true JP2000222775A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12076619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022216A Pending JP2000222775A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | ジッター増大を抑える光記録媒体用誘電体膜および光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000222775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002083973A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique a base de zns-sio2 et support d'enregistrement optique comportant une couche protectrice a base de zns-sio pour disque optique a transitions de phase formee au moyen de ladite cible |
| CN1314028C (zh) * | 2002-03-19 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法 |
| JP2007308804A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-29 | Nikko Kinzoku Kk | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11022216A patent/JP2000222775A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002083973A1 (fr) * | 2001-04-13 | 2002-10-24 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique a base de zns-sio2 et support d'enregistrement optique comportant une couche protectrice a base de zns-sio pour disque optique a transitions de phase formee au moyen de ladite cible |
| CN1314028C (zh) * | 2002-03-19 | 2007-05-02 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质及其制造方法 |
| JP2007308804A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-29 | Nikko Kinzoku Kk | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット |
| JP4625050B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2011-02-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | ＺｎＳ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲット |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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