JPH0877604A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐環境性に優れ、長寿命で信頼性の高い再生
専用の情報記録媒体を提供する。 【構成】 樹脂基板１と金属反射層３との間、ならびに
金属反射層３と有機樹脂保護層５との間に、ＣｅＯ₂，
Ｌａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂などの誘電体層２，４を設
けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は再生専用の情報記録媒体
に係わり、さらに詳しくはその耐環境性の向上および再
生特性の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の媒体においては、樹脂基
板上に直接金属反射膜を形成し、有機樹脂保護膜を金属
反射膜上に塗布し硬化させていた。この構造の媒体は安
価に製造できるが、基板および保護膜からの透水あるい
は有機物中のハロゲン等の不純物により、腐食によるピ
ンホール等の欠陥が発生しやすくまたその欠陥の成長速
度も大きいという欠点があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
媒体が持っていた腐食をしやすくかつその成長速度が速
いという欠点を解決し、以て耐環境性に優れ、長寿命で
信頼性の高い再生専用の情報記録媒体を提供することを
目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】反射層である金属膜の腐
食を防止するために、基板や保護膜に用いる樹脂の吸水
率や透水率を下げたり、樹脂内の不純物濃度を下げるこ
とによってある程度腐食を防止できるが、それでも充分
ではない。

【０００５】金属の腐食を防止するには、腐食に特に関
与する物質や、元素、イオン等を金属膜から遮断するこ
とが最も効果的である。

【０００６】金属膜を基板や保護膜から遮断する誘電体
材料としては、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，
Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｒおよびＷより成る群より選ばれた少
なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓ
ｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉより成る群より選ばれた少
なくとも一元素の硫化物、またはセレン化物、Ｍｇ，Ｃ
ｅ，Ｃａなどのふっ化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなどの
窒化物、Ｂ，Ｓｉなどの炭化物、Ｔｉなどのホウ化物、
ホウ素、炭素より成るものである。

【０００７】具体的には、例えば主成分がＣｅＯ₂，Ｌ
ａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｇｅ
Ｏ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｔ
ｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ
₂，Ｖ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｃｄ
Ｓ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓ
ｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，
ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳ₂，Ｓｎ
Ｓｅ，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂ
ｉ₂Ｓ₃，ＭｇＦ₂，ＣｅＦ₃，ＣａＦ₂，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ
₄，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，
Ｂ，Ｃのうちの一者に近い組成を持ったものおよびこれ
らの混合物である。

【０００８】これらのうち硫化物ではＺｎＳに近いもの
が屈折率が適当な大きさで、膜が安定である点で好まし
い。

【０００９】窒化物では表面反射率があまり高くなく、
膜が安定であり強固である点で、ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａ
ｌＮまたはＡｌＳｉＮ₂に近い組成のものが好ましい。
酸化物で好ましいのはＹ₂Ｏ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｔ
ｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂
Ｏ₃，ＳｎＯ₂またはＳｉＯ₂に近い組成のものである。

【００１０】この誘電体膜は、一層で構成しても良いし
膜厚方向に組成が変化していても良い。この変化は、連
続的であっても良いし複数の層で構成された多層膜であ
っても良い。

【００１１】

【作用】前述のように本発明では、基板と反射層の間お
よび反射層と有機保護層の間に誘電体層を設けることに
より、情報記録媒体の耐環境性を向上させて、充分に高
いデータの信頼性を確保することができる。

【００１２】

【実施例】以下、図１と共に本発明の一実施例を詳細に
説明する。

【００１３】直径１２ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのＲＯＭデ
ータを位相ピットで記録してあるプリグルーブ付きのポ
リカーボネート基板１を、複数のターゲットを持ち、膜
厚の均一性、再現性の良いマグネトロンスパッタリング
装置に入れる。そして基板１上に屈折率１．７の窒化珪
素層２を約５０ｎｍ形成し、次にＡｌ反射層３を約５０
ｎｍ形成し、その上に窒化珪素層４を約１００ｎｍ形成
した。最後に、紫外線硬化樹脂による保護層５を１００
μｍの厚さに形成した。

【００１４】上記のように作製したディスクについて次
のようにして高音高湿環境下で耐環境寿命試験を行っ
た。ディスクの線速を１．２ｍ／ｓとし、半導体レーザ
（波長７８０ｎｍ）の光を約１ｍＷに保って、記録ヘッ
ド中のレンズで集光して基板を通して反射層に照射し、
反射光を検出することによってトラッキングを行いなが
ら反射光の強弱を検出し、情報を再生した。そのデータ
のエラーレートを測定した。

【００１５】その後、８０℃相対湿度９０％の環境に設
定した高温高湿炉に一定期間放置した後、再びエラーレ
ートの測定を行った。その操作をエラーレートの悪化す
るまで繰り返した。

【００１６】その結果、図３に示した従来の構造の媒体
と比べて２倍以上の寿命が得られた。結果の１例を図４
に示す。図中のＡは本発明、Ｂは従来のものである。

【００１７】基板としては、図２に示したようにプリグ
ルーブを持たず、ＲＯＭデータを記録した位相ピットの
みのポリカーボネート基板でも同様の結果が得られた。

【００１８】また、反射膜としては、高反射率の得られ
るＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔよりなる群より選ばれ
た少なくとも一元素を用いたときで、同様の結果が得ら
れた。

【００１９】金属膜を基板や保護膜から遮断する誘電体
材料としては、金属膜を基板や保護膜から遮断する誘電
体材料としては、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇ
ｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｒおよびＷなり成る群より選ばれた
少なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，
Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉより成る群より選ばれた
少なくとも一元素の硫化物、またはセレン化物、Ｍｇ，
Ｃｅ，Ｃａなどのふっ化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなど
の窒化物、Ｂ，Ｓｉなどの炭化物、Ｔｉなどのホウ化
物、ホウ素、炭素より成るものである。

【００２０】具体的には、例えば主成分がＣｅＯ₂，Ｌ
ａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｇｅ
Ｏ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｔ
ｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ
₂，Ｖ₂Ｏ₅，Ｎｂ₂Ｏ₅，Ｃｒ₂Ｏ₃，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｃｄ
Ｓ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓ
ｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，
ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳ₂，Ｓｎ
Ｓｅ，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂ
ｉ₂Ｓ₃，ＭｇＦ₂，ＣｅＦ₃，ＣａＦ₂，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ
₄，ＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，
Ｂ，Ｃのうちの一者に近い組成を持ったものおよびこれ
らの混合物を用いたときに耐環境性が向上した。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では基板と
反射層の間および反射層と有機保護層の間に誘電体層を
設けることによって、再生専用の情報記録媒体の耐環境
性を向上させ、充分に高いデータの信頼性を確保するこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る再生専用情報記録媒体の
断面図である。

【図２】本発明の他の実施例に係る再生専用情報記録媒
体の断面図である。

【図３】従来の再生専用光記録媒体の断面図である。

【図４】本発明の情報記録媒体のエラーレートの環境試
験結果を示す特性図である。

【符号の説明】

１ ポリカーボネート基板 ２ 窒化珪素層 ３ Ａｌ反射層 ４ 窒化珪素層 ５ 保護層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光スポットの追従用の溝と情報を記録し
   た位相ピットのいずれかあるいはその両方を有する樹脂
   基板と光を反射する反射層である金属膜を有し、光源か
   ら照射した光を反射層に絞り込み、位相ピットの有無に
   よって生じる反射光量の違いにより情報を再生する再生
   専用の情報記録媒体において、 樹脂基板と金属反射膜との間および金属膜上に、誘電体
   層を設けて金属反射膜を覆ったことを特徴とする情報記
   録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１記載において、前記誘電体層の
   材料として、その主成分が、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，
   Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，
   Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ＣｒおよびＷよりなる群よ
   り選ばれた少なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇ
   ａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉよりなる群よ
   り選ばれた少なくとも一元素の硫化物、またはセレン化
   物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどのふっ化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｔ
   ａ，Ｂなどの窒化物、Ｂ，Ｓｉなどの炭化物、Ｔｉなど
   のホウ化物、ホウ素、炭素より成ることを特徴とする情
   報記録媒体。