JPH06274939A

JPH06274939A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH06274939A
Application number: JP5060475A
Authority: JP
Inventors: Shuji Yoshida; 修治吉田; Yasushi Miyazono; 泰宮園
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1993-03-19
Filing date: 1993-03-19
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】記録・消去の繰り返しの回数を多くすること
のできる書換え型の光記録媒体を提供する。【構成】基板上に、少なくとも記録層と、この記録層
よりも上方に少なくとも保護層を設けた光記録媒体であ
って、前記記録層の上面と下面の少なくとも一方に隣接
して中間層を設けたことを特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録、再
生及び消去を行うことの出来る、いわゆる書換え型の光
記録媒体に関する。

【０００２】

【背景技術】光照射、主にレーザ光の照射によって生じ
た物質の非晶質状態と結晶質状態の間の可逆的な構造変
化（相変化）を情報の記録に利用した相変化型の光記録
媒体は、情報の高速処理能力に加えて記録容量が大き
く、将来の情報蓄積装置として期待されている。

【０００３】この光記録媒体には、情報処理の高速化が
一段と進む中で、高速記録した情報を高速で消去する性
能が求められている。さらに、一旦記録した情報を消去
し、さらにその上に別の情報を記録する、いわゆる記録
・消去の繰り返しの安定動作が必要不可欠となる。記録
・消去繰り返し特性には記録層材料や保護層材料等の各
種材料の物性が影響を与える。記録層材料では、記録・
消去前後の体積変化、相分離等が記録・消去繰り返し特
性の劣化要因となることが知られている。

【０００４】例えば、ＧｅＴｅは高速消去が可能な記録
層材料として知られているが、記録・消去動作による体
積変化が大きく、膜ワレが生じるため、１０⁶回に及ぶ
記録・消去繰り返し動作は困難であった。一方、Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｂの３元系でＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ線
上の化合物組成にＳｂを若干加えた記録層材料は上記劣
化要因を解消し、優れた記録・消去繰り返し特性を示す
ことが報告されている。しかし、記録・消去繰り返し特
性の優れた記録層材料であっても、記録層は基板上に単
独で形成されることはなく、記録時の記録層材料の流動
あるいは飛散を抑制するための保護層の形成は良好な記
録・消去繰り返し特性を得るためには必要不可欠なもの
となっている。

【０００５】書換え型光記録媒体は、基板と記録層とを
必須の構成要素とするものであるが、本発明者は、基板
上に、下地の保護層、記録層、上地の保護層、金属から
なる反射層が順次形成された新規な構造を有する光記録
媒体を発明し、特許出願している（特願平３−３３８７
５７号）。

【０００６】この特願平３−３３８７５７号明細書に記
載の光記録媒体において、保護層、特に上地の保護層
は、記録時の記録層材料のレーザ溶融に伴う流動又は飛
散を抑制し、記録・消去の繰り返し特性の向上に寄与す
る。特に保護層材料として、Ｙ₂Ｏ₃を含むものを用い
ると、コントラストが大きくなるとともに、記録・消去
の繰り返しを多数回にわたって安定に行うことが可能と
いう効果が得られる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記のような構成を有
する特願平３−３３８７５７号明細書に記載の光記録媒
体は、それまで公知の光記録媒体よりも記録・消去の繰
り返し特性を大幅に改善したものであるが、この特性を
更に改善することが望まれていた。従って本発明の目的
は、より一層記録・消去の繰り返しの回数を多くするこ
とのできる書換え型の光記録媒体を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は鋭意検討を加えた結果、基板上に、少な
くとも記録層と、この記録層よりも上方に少なくとも保
護層とを設けた光記録媒体において、前記記録層の上面
と下面の少なくとも一方に隣接して中間層を設けること
により、記録層と保護層との化学反応による記録層の組
成の変動が防止され、かつ記録時に保護層が直接熱衝撃
を受けることによる保護層の変形、破壊も防止され、そ
の結果、より一層記録・消去の繰返し特性に優れた光記
録媒体が得られることを見出した。

【０００９】本発明は、上記の知見に基づいて完成され
たものであり、本発明は、基板上に、少なくとも記録層
と、この記録層よりも上方に少なくとも保護層を設けた
光記録媒体であって、前記記録層の上面と下面の少なく
とも一方に隣接して中間層を設けたことを特徴とする光
記録媒体である。

【００１０】また本発明者は、光記録媒体において記録
層はレーザ光を照射するたびに、高温になり、記録層と
保護層の間あるいは記録層と基板の間で化学反応を起し
やすい状態になるが、中間層として、保護層よりも化学
反応が起りにくく安定な、換言すれば保護層よりも標準
生成ギブスエネルギーが小さい材料を用いると、記録・
消去繰返し動作に伴う記録層と保護層の間あるいは記録
層と基板の間の化学反応が抑制され、その結果、記録・
消去繰返し動作をさらに多数回安定に行うことができる
ことを見出した。従って本発明の光記録媒体の実施態様
によれば、中間層の標準生成ギブスエネルギーが保護層
の標準生成ギブスエネルギーよりも小さいのが好まし
い。さらに本発明者の検討によれば、中間層の標準生成
ギブスエネルギーは−１５００ｋＪ／ｍｏｌ以下である
のが特に好ましいことが明らかとなっている。このよう
な条件を満たすものとして、Ａｌ₂Ｏ₃（標準生成ギブ
スエネルギー約−１６００ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｙ₂Ｏ
₃（標準生成ギブスエネルギー約−１７００ｋＪ／ｍｏ
ｌ）等がある。

【００１１】また本発明者は、中間層の材料として、Ｂ
Ｎ（窒化ホウ素），ＡｌＮ及びＳｉ₃Ｎ₄から選ばれる
少なくとも１種を用いることにより、これらの材料が化
学的に不活性で、耐熱衝撃性に極めて優れ、さらに硬度
が大きいことから、記録・消去の繰り返しに伴う記録層
と保護層あるいは記録層と基板の間の化学反応を抑え、
かつ保護層や基板への熱衝撃や保護層の変形を阻止し
て、上記のものよりさらに一層繰り返し特性が向上する
ことを見出した。従って本発明の光記録媒体の他の実施
態様によれば、中間層の材料がＢＮ，ＡｌＮ及びＳｉ₃
Ｎ₄から選ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。

【００１２】本発明の光記録媒体において中間層は記録
層の上面と下面の少なくとも一方に隣接して設けられる
が、具体的な層構成を示すと以下のとおりである。（イ）基板／保護層／中間層／記録層／保護層／反射層（ロ）基板／保護層／中間層／記録層／中間層／保護層
／反射層（ハ）基板／保護層／記録層／中間層／保護層／反射層（ニ）基板／中間層／記録層／中間層／保護層／反射層（ホ）基板／記録層／中間層／保護層／反射層（ヘ）基板／中間層／記録層／保護層／反射層（ト）基板／保護層／中間層／記録層／保護層（チ）基板／保護層／中間層／記録層／中間層／保護層（リ）基板／保護層／記録層／中間層／保護層（ヌ）基板／中間層／記録層／中間層／保護層（ル）基板／記録層／中間層／保護層（ヲ）基板／中間層／記録層／保護層（ワ）基板／反射層／保護層／中間層／記録層／保護層（カ）基板／反射層／保護層／記録層／中間層／保護層（ヨ）基板／反射層／保護層／中間層／記録層／中間層
／保護層中間層の膜厚は、２〜１５ｎｍとすることが好ましい。
その理由は、２ｎｍ未満の薄膜になると、記録・消去繰
返し回数を改善する効果が著しく小さくなり、また、１
５ｎｍを超えると記録・消去の繰り返し特性又は記録層
の反射率等の光学特性等が悪化する傾向があるためであ
る。

【００１３】本発明の光記録媒体は、上記の中間層を設
けたことを除くと、通常の構成を有するものであり、基
板上に、少なくとも記録層と、この記録層よりも上方に
少なくとも保護層を設けてなる。

【００１４】上記基板としては、特に限定されないが、
石英ガラスなどのガラス、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタク
リレート）樹脂やＰＣ（ポリカーボネート）樹脂などの
樹脂、Ａｌ、Ｃｕなどの金属、ＳｉＡｌＯＮなどのセラ
ミックスなどが好ましく用いられる。

【００１５】また記録層としては、特に限定されない
が、必須成分としてＧｅ、Ｔｅ、Ｓｂを含み、さらに所
望により追加成分としてＢｉ、Ｓｅを含有するものが、
記録・消去の繰り返し回数を多くする上で好ましく用い
られる。

【００１６】保護層としては、特に限定されないが、記
録感度を高くするためには保護層としては熱伝導率が小
さいものが特に好ましく、このような材料として、例え
ばＹ₂Ｏ₃とＺｎＳとの混合物がある。特にＹ₂Ｏ₃と
ＺｎＳとの混合物において、Ｙ₂Ｏ₃の含有量を５〜３
５ｍｏｌ％の範囲とすると、記録感度を特に向上できる
点で好ましい。Ｙ₂Ｏ₃の含有量が５ｍｏｌ％未満ある
いは３５ｍｏｌ％を超す場合には、上記範囲内のものに
比べて、記録感度の低下がある。従ってＺｎＳとＹ₂Ｏ
₃の混合物からなる保護層材料のＹ₂Ｏ₃含有量は５〜
３５ｍｏｌ％の範囲に設定することが望ましい。

【００１７】保護層の材料には、熱伝導率が小さく記録
感度の良い材料として、他にＺｎＳとＳｉＯ₂の混合
物、ＺｎＳとＡｌ₂Ｏ₃の混合物等も用いられる。

【００１８】反射層は、必須ではないが、金属は熱伝導
性に優れていることから記録層の冷却速度の制御が容易
となり記録（非晶）状態及び消去（晶質）状態を良好に
するという効果があり、また金属は記録層を透過したレ
ーザ光を反射させることからレーザ光を記録層に有効に
取り入れることを可能とするという効果があるため、設
けることができる。この反射層は、光記録媒体における
反射層としての機能を有するものであれば、その種類は
問わないが、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ及びＴｉから選ばれる少なくとも一種の金属を用いる
のが好ましい。反射層は、上記の記録層に対して基板側
に設けても又その逆でも良い。前者の場合、レーザ光を
基板側から記録層に照射する構造とし、後者の場合その
逆（記録層の上面側）からレーザ光を入射させるように
する。また、前者の場合、基板は透明にものに限定され
る。

【００１９】

【実施例】

実施例１本発明の光記録媒体の構成例を図１に示す。図１に示す
光記録媒体は透明基板１上に保護層２、中間層３、記録
層４、中間層５、保護層６、反射層７を順次積層したも
ので、中間層３及び５を設けた点で従来の光記録媒体の
構成と異なる。透明基板１には十分洗浄を施した石英ガ
ラス基板、保護層２及び保護層６にはそれぞれＹ₂Ｏ₃
を含有したＺｎＳ（Ｙ₂Ｏ₃１０ｍｏｌ％）、中間層３
及び５にはＹ₂Ｏ₃、反射層７にはＡｌを用いた。基板
材料はガラスに限定されるものではなく、利用可能なも
のであればよく、例えばポリカーボネートやＰＭＭＡと
いった樹脂等を用いることも出来る。保護層２、中間層
３、記録層４、中間層５、保護層６、反射層７の膜厚は
それぞれ１８０、５、２０、５、２５、１００ｎｍ程度
とした。記録層４にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅの
５つを構成元素とした、式Ｇｅ₂₂Ｓｂ₂₀Ｔｅ₅₁Ｂｉ₂Ｓｅ₅ を有する合金を用いた。保護層２及び６、中間層３及び
５、記録層４、そして反射層７は全で高周波マグネトロ
ンスパッタ法により成膜した。なお前記保護層２及び６
は主にＺｎＳとＹ₂Ｏ₃の混合ターゲットを用意して成
膜するか、あるいはＺｎＳターゲットとＹ₂Ｏ₃ターゲ
ットをそれぞれ個別に用意し、２元同時スパッタ法によ
り成膜した。ここで、成膜方法は高周波マグネトロンス
パッタ法に限定されるものではなく、例えば、直流スパ
ッタ法、真空蒸着法、スピンコート法、プラズマＣＶＤ
法等の、成膜を行うことの出来るいかなる方法であって
も差し支えない。記録膜の組成は光電子分光分析法、保
護膜の組成はＥＤＡＸによりそれぞれ確認した。

【００２０】静止状態における記録・消去繰り返し特性
は図２に示すように８３０ｎｍの波長のレーザを有する
光源２１と開口数がおよそ０．５２の対物レンズ２２よ
りなる光ヘッド２３よりレーザ光線２４をガラス基板１
側より記録層４に集光、照射することにより調べた。記
録・消去繰り返し特性の測定に先立って、レーザアニー
ルあるいは加熱処理によって記録層４に初期結晶化を施
した。加熱処理を施す際には反射層７の表面をさらに別
の保護層（約１００ｎｍ）で覆うようにした。成膜後の
反射率を１０（％）前後そして初期化後の媒体の反射率
を３０−３２（％）程度に設定した。記録・消去条件
は、信号コントラスト、ＣをＣ＝（Ｖ_C−Ｖ_A）／Ｖ_C×１００（％）Ｖ_C：結晶状態の光電変換素子出力電圧（消去信号）Ｖ_A：非晶質状態の光電変換素子出力電圧（記録信号）と定義したとき、コントラストを約３０％、記録パルス
幅を５０ｎｓ、消去パルス幅を５０ｎｓ一定として行っ
た。

【００２１】また、繰り返し回数は、記録した後、その
反射率（Ｒａ）を測定し、次に消去した後、その反射率
（Ｒｃ）を測定し、この操作を繰り返し、コントラスト
比が２５％まで低下したところまでの回数をもって繰り
返し回数とした。

【００２２】図３に本実施例の光記録媒体の測定結果の
一例を記録・消去信号レベルと記録・消去繰り返し回数
の関係として示す。記録・消去繰返し回数は中間層を設
けない従来の光記録媒体では１×１０⁶回程度であった
が、中間層を導入することにより記録・消去繰返し動作
の安定性は改善され、５×１０⁶〜１×１０⁷回に達す
る良好なものとなった。なお記録レーザパワーは１４．
５ｍＷ、消去レーザパワーは７．４ｍＷであった。又、
中間層を基板と記録層あるいは記録層と保護層の間のい
ずれか一方としても、記録・消去繰返し回数は２×１０
⁶回程度とその効果は若干低下するものの、良好な値を
得ることが出来た。Ｙ₂Ｏ₃中間層の膜厚はここで使用
した５ｎｍに限定されるものではなく、上記のように２
〜１５ｎｍ程度の範囲にあれば、およそ同様の効果を得
ることが可能であった。中間層材料Ｙ₂Ｏ₃に代えてＡ
ｌ₂Ｏ₃を用いても記録・消去繰返し動作を５×１０⁶
〜１×１０⁷回にわたって安定に行うことが出来た。記
録層の両側に中間層を設ける場合、一方の材料をＡｌ₂
Ｏ₃、他方をＹ₂Ｏ₃のように異なる種類の材料の組合
わせにしても、同様の良好な特性が得られた。さらに、
この中間層の材料がＡｌ₂Ｏ₃とＹ₂Ｏ₃の混合物にお
いても、同様の良好な特性が得られた。また中間層の材
料として、後記実施例８〜１２に示すようにＢＮ、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ₃Ｎ₄またはこれらの混合物を用いると、特に
優れた結果が得られた。

【００２３】記録層材料をＧｅ₂₂Ｓｂ₂₀Ｔｅ₅₆Ｂｉ₂，
Ｇｅ₂₂Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｓｅ₅，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅やＧｅ
₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₂Ｓｂ₄Ｔｅ₇等にしても同様の
効果が認められた。ＺｎＳとＹ₂Ｏ₃の混合物からなる
保護層材料のＹ₂Ｏ₃含有量は前記の１０ｍｏｌ％に限
定されるものではなく、５−３５ｍｏｌ％の範囲のＹ₂
Ｏ₃含有量を有する保護層材料を用いることが可能であ
る。光記録媒体の構成において、基板と記録層の間に位
置する保護層または記録層と反射層の間に位置する保護
層のＺｎＳの含有量は必ずしも同じである必要はなく、
保護層の効果が得られるものであれば良い。例えば、基
板側の保護層のＹ₂Ｏ₃含有量を２０ｍｏｌ％、反射層
側の保護層のそれを３０ｍｏｌ％にしても差支えない。

【００２４】実施例２光記録媒体の構成を基板／中間層／記録層／中間層／保
護槽／反射層とし、用いた基板材料、保護層材料、中間
層材料、記録層材料、反射層材料は実施例１と同様とし
た。実施例１と同様の良好な記録・消去繰返し動作の安
定性が得られ、中間層を設けない従来の光記録媒体では
５×１０⁵回であったが、記録・消去繰返し回数は５×
１０⁶回に達するものであった。中間層を基板と記録層
あるいは記録層と保護層の間のいずれか一方としても、
その効果は若干低下するものの、記録・消去繰返し回数
は１．５×１０⁶回程度の良好な値であった。なお、記
録・消去レーザパワーは実施例１と同様であった。

【００２５】実施例３光記録媒体の構成ならびに用いた記録層材料、保護層材
料、反射層材料、中間層材料は実施例１と同様とした光
ディスクを用意した。基板には直径１３０ｍｍφのフォ
ーマット付きのガラス基板を用いた。線速度９ｍ／ｓ、
キャリア周波数ｆ１／ｆ２＝５．１／１．９（ＭＨ
ｚ）、記録パルス幅７０ｎｓ、記録パワー１９ｍＷ、バ
イアスパワー１２ｍＷとし、１ビームオーバーライト繰
返し特性の測定をランド部で行った。その結果、約２０
０万（２×１０⁶）回にわたって繰返し動作は安定に行
われ、Ｃ／Ｎは約５４ｄＢ程度、消去率２３ｄＢ以上の
良好な状態が維持出来た。一方、中間層のない比較の光
ディスクの場合、繰返し動作は１００万（１×１０⁶）
回程度の安定性に止まった。

【００２６】実施例４光記録媒体の構成は、石英ガラス基板／保護層／中間層
／記録層／中間層／保護層／反射層とし、各層の材料及
び膜厚はそれぞれ、基板側から保護層がＺｎＳで１８０
ｎｍ、中間層がＹ₂Ｏ₃で５ｎｍ、記録層が実施例１と
同じもので２０ｎｍ、中間層がＹ₂Ｏ₃で５ｎｍ、さら
にその上の保護層がＺｎＳで２５ｎｍ、反射層がＡｌで
１００ｎｍとして試料を作製した。すなわち、本実施例
は、保護層として記録層にも反射層にも密着性の悪いＺ
ｎＳを用い、この保護層と記録層との付着力を高めるた
め中間層としてＹ₂Ｏ₃を用いたものである。このよう
にして作製した試料を、実施例１と同様にして記録・消
去の繰り返し回数を求めた。この結果、中間層を設ける
ことにより、保護層と記録層との間の密着性が強くな
り、記録・消去の繰り返し回数が増加し、Ｙ₂Ｏ₃の中
間層を設けない場合の記録・消去の繰り返し回数が１×
１０⁴回であったのに対して、中間層を設けると２×１
０⁶回に増加した。なお、記録レーザパワー及び消去レ
ーザパワーは中間層の有無で変わらずそれぞれ１８．２
ｍＷ，９．２ｍＷであった。

【００２７】実施例５光記録媒体の構成を、石英ガラス基板／保護層／中間層
／記録層／保護層／反射層とし、各層の材料及び膜厚は
それぞれ、基板側から保護層がＺｎＳで１８０ｎｍ、中
間層がＹ₂Ｏ₃で５ｎｍ、記録層が実施例１と同じもの
で２０ｎｍ、その上の保護層がＹ₂Ｏ₃で２５ｎｍ、反
射層がＡｌで１００ｎｍとして試料を作製した。すなわ
ち本実施例は基板と記録層との間の保護層は記録層との
密着性の悪いＺｎＳを用い、記録層と反射層との間の保
護層は両者に密着力の高いＹ₂Ｏ₃を用い、そしてＺｎ
Ｓの保護層と記録層との間に中間層として密着力の高い
Ｙ₂Ｏ₃を用いた。このようにして作製した試料を、実
施例１と同様にして記録・消去の繰り返し回数を求め
た。この結果、Ｙ₂Ｏ₃中間層を設けないものの記録・
消去の繰り返し回数が１×１０⁴回であったのに対し
て、中間層を設けると、２×１０⁶回と増加した。な
お、記録レーザパワー及び消去レーザパワーは、中間層
の有無で変化せず、それぞれ１８．８ｍＷ，９．５ｍＷ
であった。

【００２８】実施例６光記録媒体の構成は、石英ガラス基板／保護層／中間層
／記録層／中間層／保護層／中間層／反射層とし、各層
の材料及び膜厚はそれぞれ、基板側から保護層がＺｎＳ
で１８０ｎｍ、中間層がＹ₂Ｏ₃で５ｎｍ、記録層が実
施例１と同じもので２０ｎｍ、中間層がＹ₂Ｏ₃で５ｎ
ｍ、さらにその上の保護層がＺｎＳで２５ｎｍ、中間層
がＹ₂Ｏ₃で５ｎｍ、反射層がＡｌで１００ｎｍとして
試料を作製した。すなわち、本実施例は実施例５におい
てさらに保護層と反射層との間にもＹ₂Ｏ₃の中間層を
設けたものである。このようにして作製した試料を、実
施例１と同様にして記録・消去の繰り返し回数を求め
た。この結果、実施例５と比較して、保護層と記録層と
の間にも中間層を設けることにより、さらに記録・消去
の繰り返し回数が増加し、５×１０⁶回に達した。な
お、記録レーザパワーは１８．５ｍＷ，消去レーザパワ
ーは９．３ｍｗであった。

【００２９】実施例７光記録媒体の構成を、石英ガラス基板／保護層／中間層
／記録層／中間層／保護層／中間層／反射層とし、各層
の材料及び膜厚はそれぞれ、基板側から保護層がＺｎＳ
で１８０ｎｍ、中間層がＡｌ₂Ｏ₃で５ｎｍ、記録層が
実施例１と同じもので２０ｎｍ、中間層がＡｌ₂Ｏ₃で
５ｎｍ、さらにその上の保護層がＺｎＳで２５ｎｍ、中
間層がＡｌ₂Ｏ₃で５ｎｍ、反射層がＡｌで１００ｎｍ
として試料を作製した。すなわち、本実施例は実施例６
において中間層の材料をＹ₂Ｏ₃から密着性のより高い
Ａｌ₂Ｏ₃に置換させたものである。このようにして作
製した試料を、実施例１と同様にして記録・消去の繰り
返し回数を求めた。この結果、実施例６と比較して、さ
らに記録・消去の繰り返し回数が増加し、１×１０⁷回
に達した。なお、記録レーザパワーは１９．２ｍＷ，消
去レーザパワーは９．４ｍＷであった。

【００３０】実施例８石英ガラス基板上に、保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂（Ｓｉ
Ｏ₂２０ｍｏｌ％）を１７０ｎｍ、中間層のＡｌＮを５
ｎｍ、記録層のＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔ₅を２０ｎｍ、中間層の
ＡｌＮを５ｎｍ、保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂
２０ｍｏｌ％）を２０ｎｍ、反射層のＡｕを１００ｎｍ
の順でＲＦマグネトロンスパッタ法により成膜した。成
膜後、Ｎ₂中で２００℃１０分間加熱し、初期結晶化し
た。この初期結晶化した光記録媒体について、実施例１
と同様にして記録・消去の繰り返し回数を求めた。この
結果、繰り返し回数は、中間層を設けない従来の光記録
媒体では５×１０⁵回であったのに対し、２×１０⁷回
と著しく増加した。なお、記録レーザパワーは１５．１
ｍＷ，消去レーザパワーは７．６ｍＷであった。

【００３１】実施例９中間層をＳｉ₃Ｎ₄とした以外は実施例８と同様にして
光記録媒体を作製した。記録レーザパワー１４．５ｍ
Ｗ、消去レーザパワー７．１ｍＷで実施例８と同様に繰
り返し回数を求めたところ、２×１０⁷回であった。

【００３２】実施例１０中間層をＢＮとした以外は実施例８と同様にして光記録
媒体を作製した。記録レーザパワー１４．３ｍＷ、消去
レーザパワー７．１ｍＷで実施例８と同様に繰り返し回
数を求めたところ１．５×１０⁷回であった。

【００３３】実施例１１保護層をＺｎＳ−Ａｌ₂Ｏ₃（Ａｌ₂Ｏ₃１０ｍｏｌ
％）、記録層をＧｅ₂₂Ｓｂ₂₀Ｔｅ₅₁Ｂｉ₂Ｓｅ₅とし、
記録レーザパワー１５．７ｍＷ、消去レーザパワー７．
８ｍＷで実施例８と同様に繰り返し回数を求めたとこ
ろ、中間層を設けない従来の光記録媒体では１×１０⁶
回であったのに対し、２×１０⁷回と著しく増加した。

【００３４】実施例１２１３０ｍｍφのフォーマット付きのポリカーボネート基
板上に、保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂２０ｍｏ
ｌ％）を１７０ｎｍ、中間層のＡｌＮを５ｎｍ、記録層
のＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を２０ｎｍ、中間層のＡｌＮを５
ｎｍ、保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂（ＳｉＯ₂２０ｍｏｌ
％）を２０ｎｍ、反射層のＡｕを１００ｎｍの順で、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタ法により成膜し、光ディスクを
作製した。線速度６ｍ／ｓ、記録パワー１７ｍＷ、バイ
アスパワー９ｍＷ、記録パルス幅７０ｎｓ、３．９ＭＨ
ｚ／１．５ＭＨｚのオーバライト条件で、オーバライト
繰り返し特性を測定した。Ｃ／Ｎが５５ｄＢ、消去率２
８ｄＢの状態が約２００万（２×１０⁶）回にわたって
維持できた。

【００３５】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、記録層に接して
両側あるいは片側に中間層を形成することによって、記
録感度を低下させることなく記録・消去繰り返し動作の
安定性を改善し、記録・消去繰返し回数を延ばすことが
可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例の光媒体の構成を示す図。

【図２】静止状態での記録・消去特性の測定系を示す
図。

【図３】中間層にＹ₂Ｏ₃を用いた場合の記録・消去繰
返し特性の測定結果の一例を示す図。

【符号の説明】

１透明基板２，６保護層３，５中間層４記録層７反射層２１レーザ光源２２対物レンズ２３光ヘッド２４レーザ光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも記録層と、この記
録層よりも上方に少なくとも保護層を設けた光記録媒体
であって、前記記録層の上面と下面の少なくとも一方に
隣接して中間層を設けたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】中間層の材料の標準生成ギブス（Ｇｉｂ
ｂｓ）エネルギーが保護層の材料の標準生成ギブスエネ
ルギーよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。
【請求項３】中間層の材料の標準生成ギブスエネルギ
ーが−１５００ｋＪ／ｍｏｌ以下であることを特徴とす
る請求項２記載の光記録媒体。
【請求項４】中間層の材料が、ＢＮ，ＡｌＮ及びＳｉ
₃Ｎ₄の群から選ばれた少なくとも一種であることを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体。