TWI253149B - Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

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TWI253149B
TWI253149B TW094101893A TW94101893A TWI253149B TW I253149 B TWI253149 B TW I253149B TW 094101893 A TW094101893 A TW 094101893A TW 94101893 A TW94101893 A TW 94101893A TW I253149 B TWI253149 B TW I253149B
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semiconductor
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electrode
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Atsushi Ono
Norito Fujihara
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Sharp Kk
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1253 M9 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種包含一半導體基底之半導體裝置， 其中係形成一半導體元件及一穿越電極，且一蓋構件被安 裝至半導體基底；以及亦有關一種光學裝置之模組、及半 導體之一種製造方法。 Φ 【先前技術】 傳統上，CCD影像感應器、CMOS影像感應器等之一 組件被使用爲一半導體裝置，而一感應器模組（諸如CCD 影像感應器、CMOS影像感應器等）被使用爲光學裝置之 一模組。 圖1係顯示一習知半導體裝置之結構的一橫斷面視 圖。一光接收元件113被形成於半導體裝置之一半導體基 底1 1 1的一表面（前表面）中，而一微透鏡部分1 1 4被形 φ 成於光接收元件1 1 3之上。 半導體基底111之另一表面（後表面）以黏著劑117 而被接合（晶粒接合）至一由之陶瓷或合成樹脂（晶粒接 合樹脂）所製之盒狀容器1 1 5的內底部表面。盒狀容器 1 1 5之開口係利用黏著劑1 1 9而被密封以一玻璃蓋〗丨2， 以致其盒狀容器1 1 5中之光接收元件1 1 3及微透鏡部分 Π4被防護自外界環境。此外，一安裝在半導體基底in 之前表面上的電極墊109 (接合墊）及一從盒狀容器ι15 之內部引出的電極引線1 1 6係利用一^接合佈線1 1 8而被電 -4- (2) (2)1253 M9 連接。 圖2係顯示光學裝置之習知模組的結構之一橫斷面視 圖。圖2中所示之光學裝置的模組包含透鏡1 23、一固持 透鏡123之圓柱形光學路徑界定裝置122、及一佈線板 1 20。此外，光學裝置之模組包含具有光接收元件1 1 3、微 透鏡部分114、及電極墊109之半導體基底111。半導體 基底1 1 1之後表面係利用黏著劑1 1 7而被晶粒接合至佈線 板1 2 0上，而電極墊1 〇 9係透過接合佈線1 1 8而被電連接 至一設於佈線板120上之導體佈線121。 光學路徑界定裝置122之一開口係藉由其被置於面對 透鏡1 2 3之玻璃蓋1 1 2以及一黏著劑1 1 9而被密封，而另 一開口則藉由佈線板1 20及一黏著劑（未顯示）而被密 封，所以光接收元件1 1 3及微透鏡部分1 1 4被防護自外界 環境。在密封劑光學路徑界定裝置1 22之前，需藉由其他 機構以保護光接收元件i i 3及微透鏡部分1 i 4。 上述半導體裝置及光學裝置之模組需要一空間以供藉 由使用接合佈線1 18而連接電極墊109至電極引線1 16或 導體佈線121。此外，接合佈線118、電極墊109等等無 法被配置於光接收元件1 1 3或微透鏡部分1 1 4上，因爲光 接收元件1 1 3被阻擋自光線。因此，難以減小半導體裝置 及光學裝置之模組。 因此，近年來，有數種用以減小半導體裝置或光學裝 置之模組的尺寸之提議，藉由形成一從前表面至後表面通 過一半導體基底之穿越電極以及形成一佈線及一安裝終端 -5- (3) 1253 H9 於半導體基底之後表面上（參見日本專利申請案公開編號 N〇s。2001-351997 及 2002-94082 )。 圖3A及3B係顯示另一習知半導體裝置之結構的橫斷 面視圖。圖3A中所示之半導體裝置包含一半導體基底 1 1 1，其中係形成一光接收元件1 1 3及一微透鏡部分1 1 4。 然而，從半導體基底111之前表面延伸至後表面之穿越電 極124被形成，且一後表面佈線125及其爲安裝終端之焊 % 接球126被形成於半導體基底111之後表面上。穿越電極 1 2 4及焊接球1 2 6被電連接與後表面佈線1 2 5。 此外，一玻璃蓋1 1 2被裝附至半導體基底1 1 1以致其 半導體基底111與玻璃蓋112係實質上彼此平行而以一適 當距離介於其間。於此情況下，例如，一由黏著劑膏所製 之黏著劑部分1 2 7被印刷於半導體基底1 1 1之前表面上， 玻璃蓋1 1 2被置於印刷之黏著劑部分1 2 7上，且接著黏著 劑部分1 2 7係藉由熱處理而被硬化。硬化的黏著劑部分 φ 127將玻璃蓋112緊固至半導體基底ill並支撐之。 此一黏著劑部分1 27係藉由避開光接收元件i i 3及微 透鏡部分114而被設於半導體基底in之前表面的周邊部 分上。然而，假如黏著劑部分127係藉由使用一具有透光 性質之黏著劑（例如，透明樹脂或低熔點玻璃）而被形 成’則黏著劑部分1 2 7可被形成於半導體基底1 η之前表 面上，包含光接收元件1 1 3及微透鏡部分丨丨4上方之表 面。介於半導體基底1 1 1與玻璃蓋丨i 2之間的空間係由黏 者劑部分1 2 7所密封，而光接收元件1丨3及微透鏡部分 -6- (4) 1253149 1 1 4被防護自外界環境。 然而，習知半導體裝置之黏著劑部分1 2 7在硬化前具 有低硬度，而因此如圖3B中所示，玻璃蓋112有時會沈 入黏著劑部分1 2 7中，如此減小玻璃蓋1 1 2與半導體基底 1 1 1之間的距離，而接觸到微透鏡部分1 1 4、光接收元件 1 1 3，等等。於此情況下，存在有一問題，即其微透鏡部 分1 1 4或光接收元件1 1 3會受損。 g 此外，玻璃蓋1 1 2有時會由於玻璃蓋1 1 2之沈入黏著 劑部分1 27而傾斜。於此情況下，存在有一問題，即其玻 璃蓋1 1 2無法由光接收元件1 1 3所準確地承接。 針對上述問題，考量藉由使用一具有高硬度之黏著劑 來形成黏著劑部分1 2 7，以防玻璃蓋1 1 2沈入黏著劑部分 1 2 7。於此情況下，即使當玻璃蓋1 1 2被安裝至黏著劑部 分1 2 7時，仍得以防止玻璃蓋1 1 2沈入黏著劑部分1 27。 然而，爲了藉由穩固地接合黏著劑部分1 2 7與玻璃蓋U 2 φ 及半導體基底111而密封玻璃蓋112與半導體基底111之 間的空間，則必須對玻璃蓋1 1 2及半導體基底1 1 1施加較 高壓力，相較於藉由使用低硬度之黏著劑以形成時，因此 可能其半導體基底1 1 1會於施加壓力期間受損。 【發明內容】 本發明係爲了解決上述問題而產生，且本發明之一目 的係提供一種半導體裝置，其能夠防止蓋構件之傾斜、由 於蓋構件而對一半導體基底或半導體基底上所形成之部分 -7- (5) 1253 H9 的損害、以及由於壓力之施加而對半導體基底的損害，藉 由插入一形成在半導體基底上的突出部分於半導體基底與 蓋構件之間；及提供一種包含半導體基底之光學裝置的模 組；及一種半導體裝置之製造方法。 本發明之另一目的係提供一種半導體裝置，其能夠藉 由形成厚度大於微透鏡厚度之突出部分以防止由於蓋構件 而對微透鏡之損害；及提供一種半導體裝置之製造方法。 • 本發明之又另一目的係提供一種半導體裝置，其能夠 藉由整體地形成突出部分及一穿越電極以輕易地形成低價 的突出部分，或能夠藉由使用如供形成穿越電極之材料/ 機構的相同材料/機構以形成突出部分；及提供一種半導 體裝置之製造方法。 一種依據本發明之半導體裝置係一種半導體裝置，其 包含一半導體基底，其具有一半導體元件形成於其一表面 中；一穿越電極，其被形成於半導體基底中；及一蓋構 • 件’其被裝附至半導體基底以覆蓋半導體元件，其特徵爲 一從該一表面突出而朝向蓋構件之突出部分被形成於半導 體基底上。 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：一微透鏡被安裝 於該一表面上’及突出部分具有大於微透鏡厚度之厚度。 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：突出部分係與穿 越電極被整體地形成。 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：突出部分被形成 於該一表面上。 (6) 1253149 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：穿越電極與突出 4分係藉由使用相问的導電材料而被形成。 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：突出部分係由金 屬所製。 依據本發明之半導體裝置的特徵爲：蓋構件具有一透 光性質，及半導體元件係一光接收元件或一影像拾取元 件° φ 依據本發明之半導體裝置的特徵爲包含：本發明之一 半導體裝置；及用以界定一通至半導體裝置之光學路徑的 一光學路徑界定裝置。 一種依據本發明之一半導體裝置的製造方法係一種製 造一半導體裝置之方法，藉由：形成一半導體元件於一半 導體基底之一表面中；形成一穿越電極於半導體基底中； 及裝附一蓋構件至半導體基底以覆蓋半導體元件，其特徵 爲在裝附蓋構件之前形成一從該一表面突出之突出部分於 φ 半導體基底上；及裝附蓋構件至半導體基底，以其所形成 之突出部分介於該一表面與蓋構件之間。 依據本發明之半導體裝置的製造方法之特徵爲：安裝 一微透鏡於該一表面上，其中當形成突出部分時，所形成 之突出部分的厚度係大於微透鏡的厚度。 依據本發明之半導體裝置的製造方法之特徵爲：突出 fξ) 部分係與穿越電極被整體地形成，在形成穿越電極之後， 或β於芽越電極之形成期間。 依據本發明之半導體裝置的製造方法之特徵爲：突出 (7) 1253149 部分係藉由電鍍半導體基底而被形成。 依據本發明之半導體裝置的製造方法之特徵爲：突出 部分係藉由印刷一金屬膏於半導體基底上並硬化所印刷之 金屬膏而被形成。 依據本發明，提供一通過半導體之一表面及另一表面 的穿越電極。於其中一穿越電極被形成在半導體基底中的 情況下，通常，藉由裝附一供覆蓋半導體元件之蓋構件至 φ 半導體基底而嘗試減小半導體裝置之尺寸。因爲突出部分 被形成於半導體基底上以從半導體基底之一表面突出，其 中半導體元件被形成朝向蓋構件且被插入於半導體基底的 該一表面與蓋構件之間，所以突出部分係作用爲一間隔物 以防盍構件接觸與半導體基底、半導體元件或其安裝於半 導體基底之該一表面上的個別部分（例如，安裝於半導體 元件之表面上的微透鏡）。 依據本發明，一微透鏡被安裝於半導體基底之該一表 φ 面上。於此情況下，爲了防止蓋構件接觸與微透鏡，突出 部分之厚度（從半導體基底之該一表面至突出部分之頂部 的長度）被製成大於微透鏡之厚度（從半導體基底之該一 表面至微透鏡之頂部的長度）。 再者，依據本發明，例如，突出部分係與穿越電極之 一端被整體地形成於半導體基底之一表面側上。 此外’依據本發明，突出部分被形成於半導體元件之 衣面上及/或於除了半導體元件之表面以外的半導體基底 之該一表面上。 -10- (8) 1253149 依據本發明，於其中突出部分係與穿越電極被整體地 形成或者突出部分被形成爲一分離構件的任一情況下，突 出部分係藉由使用與穿越電極相同的導電材料而被形成。 此外’依據本發明，突出部分係由金屬所製，且因此 係藉由電鍍、或印刷並硬化一金屬膏而被形成。 此外’依據本發明之半導體裝置具有其具備透光性質 之蓋構件、及一光接收元件或一影像拾取元件以當作半導 φ 體元件。此一半導體裝置係（例如）CCD影像感應器或 CMOS影像感應器之一組件。 一種依據本發明之光學裝置的模組包含本發明之一半 導體裝置、及一光學路徑界定裝置。此一光學裝置之模組 係（例如）將被安裝於一光學裝置（諸如一相機）中之一 C CD影像感應器模組或一 CM0S影像感應器模組。 依據本發明，因爲其形成於半導體基底上之突出部分 係作用爲一介於半導體基底與蓋構件之間的間隔物，所以 φ 得以防止由於與蓋構件之接觸而對半導體基底、或半導體 基底上所安裝之個別部分（半導體元件、微透鏡，等等） 的損害。 此外，於其中蓋構件係以一黏著劑而被裝附至半導體 基底之情況下，其作用爲一間隔物之突出部分可防止蓋構 件沈入黏著劑，而因此無須使用具有高硬度之黏著劑來防 止蓋構件之沈入，或無須於接合期間過度地施加壓力至蓋 構件及半導體基底。因此，得以防止半導體裝置由於接合 期間施加過度壓力而受損。 -11 - I253M9 Ο) 此外’於其中半導體裝置包含複數突出部分且個別突 出部分具有實質上相同厚度之情況下，或者於其中半導體 裝置包含單一突出部分且突出部分之厚度實質上爲均勻的 情況下’突出部分可支撐蓋構件以平行於半導體基底。因 此’假如蓋構件具有透光性質且半導體元件爲一光接收元 件或一影像拾取元件時，則半導體元件可準確地接收入射 光。此一半導體裝置及光學裝置之模組爲光學上有利的。 φ 此外’於其中複數突出部分被形成以一適當型態之情 況下’或者於其中單一突出部分被形成以一適當形狀之情 況下’突出部分可確實地防止蓋構件下沈且可穩定地支撐 蓋構件。 例如’於其中一平板形式之蓋構件被使用且蓋構件之 一表面的周邊部分被接合至半導體基底之一表面的周邊部 分之情況下’例如，得以藉由蓋構件而保護半導體元件不 接觸與外部物體。於此情況下，因爲半導體元件未被覆蓋 Φ 有黏著劑以供接合蓋構件至半導體基底，故假如蓋構件具 有透光性質且半導體元件爲一光接收元件或一影像拾取元 件時，得以防止由於黏著劑而造成其相對於半導體元件之 入射光的損失。此外，假如蓋構件被接合至半導體基底之 一表面的整個周邊部分，則介於半導體基底與蓋構件之間 的空間被密封，而因此亦得以確實地防護半導體元件自外
界環境（諸如濕氣）。 此外，亦得以接合蓋構件至半導體基底之該整個一表 面。於此情況下，因爲半導體元件被覆蓋有黏著劑以供接 -12- (10) (10)1253 H9 合蓋構件至半導體基底，故得以防止蓋構件脫落。此外， 得以藉由蓋構件及黏著劑而進一步保護半導體元件。 依據本發明’於其中半導體元件爲一光接收元件、一 影像拾取元件等之情況下，一微透鏡被安裝於半導體元件 上。因而得以增進聚集光線於半導體元件上之效率。此 外’因爲突出部分之厚度大於微透鏡之厚度，故得以防止 蓋構件接觸與微透鏡。 此外’依據本發明，因爲突出部分及穿越電極爲單一 構件’故得以於穿越電極形成步驟之同時或於其後形成突 出部分。因此，無須提供用以形成突出部分之一額外步 驟’藉此防止由於突出部分之形成所造成之處理步驟數目 的增加。通常，因爲一表面側上無任何元件安裝於穿越電 極上’故得以形成突出部分於此處，而無須提供用於突出 部分之空間於其他部分。此外，得以防止由於突出部分所 造成之半導體裝置尺寸的增加。 此外，依據本發明，因爲突出部分被形成於半導體元 件之表面上及/或於除了半導體元件之表面以外的一表面 上，故得以防止由於突出部分所造成之半導體裝置尺寸的 增力口。 此外，依據本發明，因爲突出部分係藉由使用與穿越 電極相同的導電材料而被形成，故無須備製其他材料以供 形成突出部分。因此，得以減少由於突出部分之形成所造 成之材料成本的增加。此外，亦得以於穿越電極形成步驟 之同時或於其後形成突出部分。因此，無須提供用以形成 -13- (11) 1253149 突出部分之一額外步驟，藉此防止由於突出部分之形成所 造成之處理步驟數目的增加。 此外’依據本發明，突出部分係由金屬所製，且可藉 由電鍍、或印刷並硬化一金屬膏而被形成。因爲穿越電極 亦可藉由電鑛、或印刷並硬化金屬膏而被形成，故得以使 用其用以形成穿越電極之設備爲用以形成突出部分之設 備。此外’得以於穿越電極形成步驟之同時或於其後形成 Φ 突出部分。因此，無須額外地提供形成突出部分之步驟或 設備’藉此防止由於突出部分之形成所造成之步驟數目及 設備成本的增加。 此外’依據本發明，因爲半導體裝置具有其具備透光 性質之蓋構件及一光接收元件或一影像拾取元件以當作半 導體元件，故得以構成光學裝置之一模組以被結合爲CCD 影像感應器、CMOS影像感應器等等之一組件，於一光學 裝置（諸如一數位相機或一具有相機功能之行動電話） 馨中。 此外，因爲本發明之模組包含本發明之一半導體裝置 及一光學路徑界定裝置，故其可被結合爲一 CCD影像感 應器模組或一 CMOS影像感應器模組，例如，於一光學裝 置（諸如一數位相機或一具有相機功能之行動電話）中。 此外，因爲本發明之半導體裝置係小於一不具穿越電 極之習知半導體裝置，故本發明具備有利的功效，諸如達 成光學裝置之一模組的尺寸之減小，包含一小尺寸的半導 體裝置。 -14 - (12) 1253149 本發明之上述及進一步目的與特徵將從以下詳細敘述 配合後附圖形而變得更淸楚明白。 【實施方式】 下列描述將詳細地解釋本發明，根據顯示其某些實施 例的圖形。一顯示爲此實施例中之一範例的半導體裝置爲 包含一半導體基底的CCD影像感應器之一 CSP (晶片尺 φ 寸組件），其中係形成一影像拾取元件爲一半導體元件。 然而，本發明並不限定於此，而可（例如）爲一包含一半 導體基底之半導體裝置，其中係形成一光接收元件、一光 發射元件，等等。 實施例1 圖4係一平面視圖，其顯示依據本發明之實施例1的 一半導體裝置14之結構。圖5係一橫斷面視圖，其顯示 φ 半導體裝置14之結構，及沿著圖4之Π-Π線段的橫斷 面。此外，圖6係一放大的橫斷面視圖，其顯示圖5中所 示之半導體裝置14之一穿越電極3及一突出部分3a的結 構，以及穿越電極3及突出部分3 a附近的一放大視圖。 然而’於圖5中，省略了圖6中所示之一通孔絕緣膜2、 一後表面絕緣膜5、一電極墊8、及一前表面保護膜9的 圖示。 如圖4及5中所示，半導體裝置14包含一具有平面 視圖上爲矩形形狀的半導體基底1。半導體基底1係由 -15- (13) 1253149 (例如）矽所製之一平板，而具有平面視圖上爲矩形形狀 的一影像拾取元件1 2被形成於半導體基底1之一表面 中。影像拾取元件1 2具有許多像素陣列，且各像素陣列 係作爲一光接收感應器。爲了增進影像拾取元件1 2之光 聚集效率，一包含許多微透鏡（其係一對一地對應與影像 拾取元件1 2之像素）之微透鏡部分1 3被形成於影像拾取 元件1 2之表面上。 I 於此，其中形成有影像拾取元件1 2之半導體基底1 的一表面被稱爲半導體基底1之前表面，而其中未形成影 像拾取元件1 2之另一表面被稱爲半導體基底1之後表 面。半導體基底1包含複數穿越電極3、3、…，其係穿越 前表面及後表面。穿越電極3、3、…之間設有一適當距 離，且與影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3間設有一適當 距離以包圍影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3。穿越電極 3、3、...之數目及佈局係依據影像拾取元件i 2之佈線的 φ 需求而被設定。
半導體基底1包含突出部分3a、3a、…’其係一對一 地對應與穿越電極3、3、…。各突出部分3 a被整體地形 成與一相應的穿越電極3，並從半導體基底1之前表面突 出而朝向一將描述於後之玻璃蓋1 1。各突出部分3 a具有 平面視圖上之矩形形狀’於頂部上之一水平表面，及大於 微透鏡部分1 3之厚度的厚度。個別突出部分3a、3a、..· 之厚度係實質上彼此相等。於此實施例中，突出部分3 a、 3 a、...被形成於穿越電極3、3、…之一末端上（於半導體 -16- (14) 1253149 基底1之前表面側上），而突出部分3 a、3 a、…之厚度、 數目及佈局被設定以穩定地支撐玻璃蓋1 1。因此’半導體 基底1可具有一穿越電極3，於此穿越電極3上並未形成 突出部分3 a。 除了穿越電極3、3、…之上的突出部分3 a、3 a、… 以外（或取代突出部分3 a、3 a、···） ’半導體基底1亦可 具有形狀上不同於突出部分3 a、3 a、…之突出部分，於半 φ 導體基底1之前表面上，以一適當距離隔開自穿越電極 3、3、…；影像拾取元件12及微透鏡部分1 3。突出部分 之形狀、厚度、數目及佈局被設定以穩定地支撐玻璃蓋 11。突出部分之材料可與穿越電極3、3、…（及突出部分 3 a、3 a、…）爲相同或不同的導電材料，且不限定於金屬 材料或非金屬材料。於任一情況下，因爲各突出部分未被 形成於影像拾取元件1 2之上，所以其不會千擾與影像拾 取元件i 2之光接收。 φ 半導體裝置14包含具有矩形平板形式之玻璃蓋幻 (具有透光性質之蓋構件），其平面視圖上之尺寸係實質 上等於半導體基底1之尺寸。藉由放置玻璃蓋11於突出 部分3a、3a、…上，其被實質上定位平行於半導體基底 1，以一適當距離介於其間。於此情況下，玻璃蓋1 1覆棻 影像拾取元件12及微透鏡部分1 3，而突出部分3 a、 3 a、…係作用爲半導體基底丨與玻璃蓋1 1之間的間隔 物。 此外，各突出部分3 a與玻璃蓋1 1、及半導體基底1 -17- (15) 1253149 與玻璃蓋1 1係藉由一黏著劑密封部分1 0而被彼此黏附， 此黏著劑密封部分1 0係由一種合成樹脂黏著劑所製。黏 著劑密封部分1 0被形成於半導體基底1之周邊部分上， 以適當距離隔開自影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3。此 外’黏著劑密封部分1 0密封半導體基底1及玻璃蓋1 1之 周邊部分。因此，介於半導體基底1與玻璃蓋1 1之間的 影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3被防護自濕氣、黏合或 Ρ 外物之接觸，等等。 因此，在裝附玻璃蓋11至半導體基底1之後，無須 額外的步驟以保護影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3，藉 此簡化半導體裝置14之製造程序。此外，半導體裝置14 之產量被增進，且半導體裝置14之可靠度被增進。 如圖6中所示，於半導體基底1中，從半導體基底1 之前表面穿越後表面的通孔被形成，通孔絕緣膜2被形成 於通孔之內壁上，而穿越電極3被形成於通孔中，以通孔 φ 絕緣膜2介於其間。因此，穿越電極3與半導體基底1被 彼此電絕緣。 突出部分3 a之面積大於前表面側上之一通孔開口的 面積，而因此突出部分3a被形成於穿越電極3上以及半 導體基底1之前表面上。然而，一膜形式之電極墊8被插 入於突出部分3 a與半導體基底1的前表面之間。此外， 前表面保護膜9被形成於半導體基底1之前表面上，除了 電極墊8之外，而一絕緣膜（未顯示）被形成於電極墊8 及前表面保護膜9底下。黏著劑密封部分1 0與半導體基 -18- (16) 1253149 底1被接合在一起，以前表面保護膜9及絕緣膜介於其 間。 一後表面保護膜5係藉由避免通孔之後表面側開口而 被开成於丰導體基底1之後表面上，且一從通孔後表面側 電連接至穿越電極3之膜形式的後表面佈線4被堆疊於通 孔之後表面側開口的中央部分上以及後表面絕緣膜5之一 部分上。此外，一後表面保護膜6被堆疊於後表面絕緣膜 φ 5之另一部分上以及後表面佈線4之一部分上，且一電連 接至後表面佈線4之焊料球7被形成爲一凸塊，其係使用 焊料於後表面佈線4之另一部分上。 於如上所述之半導體裝置1 4中，穿越電極3係電連 接半導體基底1之前表面側及後表面側。半導體裝置1 4 之外界光線依序通過玻璃蓋1 1、玻璃蓋1 1與微透鏡部分 1 3之間的空間、及微透鏡部分1 3，且入射至影像拾取元 件i 2上。於此情況下，影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3 φ 作用爲一 CCD，而光電轉變的電信號係通過穿越電極3、 3.....後表面佈線4、及焊料球7而被取出自半導體裝置 14。 此外，因爲玻璃蓋1 1被置於穿越電極3、3、…之 上，所以半導體基底1與玻璃盖11係貫質上平行的，而 玻璃蓋1 1與微透鏡部分1 3係彼此分離。因此，得以防止 玻璃蓋1 1接觸與影像拾取兀件1 2或微透鏡部分1 3而損 害之，且入射通過玻璃室1 1之光線係由影像拾取元件1 2 所正確地接收。 -19- (17) 1253149 此外，黏著劑密封部分1 0被形成於半導體基底1及 玻璃蓋11之周邊部分上，一空間被提供於玻璃蓋11與影 像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3之間。換言之，無黏著劑 部分存在於玻璃蓋1 1與影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3 之間。因此，得以防止其由於黏著劑部分所造成之入射光 的減弱及分散，且入射光係由影像拾取元件1 2所正確地 接收。 注意雖然此實施例之蓋構件係由玻璃所製’其亦得以 使用由一合成樹脂所製之蓋構件。此外，蓋構件具有透光 性質以容許光線被入射至影像拾取元件1 2上，但假如光 線並非入射於其半導體基底1中所形成之半導體元件上； 或假如半導體元件並未輻射光線，則無須使蓋構件具有透 光性質。 圖 7A-7C、圖 8A-8C、及圖9 A - 9 Β係半導體裝置1 4 之一種製造方法的解釋圖，且圖7A-7C、圖8A-8C、及圖 9A-9B係顯示個別部分之橫斷面。然而，於圖7A-7C、圖 8 A - 8 C、及圖 9 A - 9 B中，省略了通孔絕緣膜2、後表面絕 緣膜5、電極墊8及前表面保護膜9之圖示。 半導體裝置14之製造係藉由形成複數半導體裝置 1 4、1 4、…於一件半導體基底（半導體晶圓）上並將半導 體基底分割爲個別的半導體裝置14。另一方面’半導體裝 置1 4 ( C S P )之製造係藉由形成複數影像拾取元件1 2、微 透鏡部分1 3、穿越電極3、突出部分3 a等等於一半導體 晶圓上；將半導體晶圓分割爲個別的半導體基底1 (半導 -20- (18) 1253149 體晶片）；裝附玻璃蓋1 1至每一個別的半導體基底1 ;及 形成焊料球7於每一個別的半導體基底1上。以下解釋係 參考一半導體裝置14。 首先，影像拾取元件1 2、一包含電極墊8之周邊電路 (未顯示）、微透鏡部分13等被形成於一半導體基底1〇〇 之一表面上（圖7A)。半導體基底100較圖4至圖6中 所示之半導體基底1更厚；爲矽所製之一平板；且於圖 • 8A之時點變爲一半導體基底1，如以下將描述。半導體基 底1 〇〇之該一表面係相應於半導體基底1之前表面，而影 像拾取元件12被形成於半導體基底1〇〇之該一表面中。 在形成影像拾取元件1 2及包含電極墊8之周邊電路以 後’ 一透光絕緣膜（未顯示）被形成於其包含影像拾取元 件12之半導體基底1〇〇的該一表面上。 在形成絕緣膜之後，微透鏡部分1 3被安裝於影像拾 取元件1 2上，以絕緣膜、一透光平坦化膜及濾色器（均 φ 未顯示）介於其間。在形成微透鏡部分1 3之後，一保護 膜係藉由使用 Si〇2，SiN4等而被形成，且接著前表面保 護膜9係藉由從所形成的保護膜移除電極墊8上之保護膜 而被形成。 在形成前表面保護膜9之後，複數孔1 a、1 a…被形成 於半導體基底1〇〇之該一表面中（圖7B)。首先’一抗 蝕劑被塗敷至半導體基底1 0 0之該一表面’且接著執行曝 光及顯影以開啓一窗於電極墊8上。接下來，一抗蝕劑窗 開口部分係藉由乾式蝕刻而被鈾刻以移除電極墊8、電極 -21 - (19) 1253149 墊8底下之絕緣膜及窗開口部分中之半導體基底1 00的 矽；而因此孔1 a、1 a...被形成且抗蝕劑最終被移除。注意 其亦得以藉由濕式蝕刻（例如，在乾式蝕刻之前）來移除 電極墊8及窗開口部分中之絕緣膜。亦得以移除絕緣膜或 電極墊8於其中孔區段1 a、1 a…所被事先形成的部分，當 形成絕緣膜於電極墊8底下時；或者當形成電極墊8時。 孔區段la、la···並不穿透半導體基底100，且各孔la g 之開口具有50μιη至ΙΟΟμηι於其四個側邊以及ΙΟΟμιη至 1 5 0 μιη之深度。各孔區段1 a之位置及深度係實質上等於 半導體基底1之各通孔的位置及深度。 在形成孔1 a、1 a…之後，金屬部分3 3、3 3、…及將於 圖8A之時點成爲穿越電極3、3、…的突出部分3a、 3a、…係藉由使用 Cu之電鍍而被形成於孔la、la···中 (圖7C )。金屬部分33、33、…及突出部分3a、3a、… 之形成係藉由：以各金屬部分3 3塡充各孔1 a並使得其突 φ 出於半導體基底100之該一表面上的突出部分3a之厚度 實質上彼此相等且較微透鏡部分13之厚度更厚。注窻其 金屬部分 3 3、3 3、…及突出部分 3 a、3 a、…之材料不一 定是Cu，且得以使用適於電鍍之導電材料。 以下描述將詳細地說明以一孔1 a爲例而形成金屬部 分3 3及突出部分3 a的程序。在形成孔1 a之後，〜將於 圖8A之時點成爲通孔絕緣膜2的絕緣膜（未顯示）被形 成於孔1 a之內壁及底部上。此一絕緣膜之形成係藉由 (例如）以一CVD方法形成一諸如Si02及Si3N4之無機 -22- (20) 1253149 膜於孔1 a中·，或藉由以一聚醯亞胺基或環氧基的有機膜 塗敷孔1 a。在形成絕緣膜之後，一作用爲供電鍍之晶種層 及障蔽金屬層的金屬層被形成於包含孔1 a之內壁及底部 的半導體基底100之前表面上，藉由一種使用Ti及Cu之 濺射方法。 在形成金屬層之後，一抗蝕劑被塗敷較微透鏡部分1 3 之厚度更爲厚，且接著執行曝光及顯影以開啓一窗於其中 0 形成有孔1 a及電極墊8之位置，亦即，於其中形成有將 在圖8A之時點成爲電極墊8之金屬部分33及突出部分 3 a的位置，而因此形成一抗蝕劑窗區段。 在形成抗蝕劑窗區段之後，Cu係藉由Cu電鍍而被沈 積於抗蝕劑窗區段中以及於孔1 a中之金屬層上。此刻， 因爲抗蝕劑窗區段及孔1 a被塡充以其當作導電材料之 Cu，所以金屬部分33及由金屬所製之突出部分3a被形 成。所塗敷之抗蝕劑在形成金屬部分3 3及突出部分3 a之 φ 後被移除。因爲突出部分3 a、3 a、…係藉由電鍍而被同時 地形成，所以突出部分3 a、3 a、…之厚度係實質上彼此相 等。 在形成金屬部分33、33、…及突出部分3a、3a、… 之後，半導體基底變爲半導體基底1，且金屬部分 33、33、…變爲穿越電極3、3、…（圖8A )。更明確 地，半導體基底1之形成係藉由··拋光半導體基底1 00之 另一表面並移除其包含孔1 a、1 a…之底部及孔1 a、1 a… 底部上之絕緣膜的半導體基底1 〇 〇之另一表面上的砂。此 -23- (21) 1253149 刻，金屬部分3 3、3 3、…之底部（半導體基底1之後表面 側上的末端）被暴露，並使得穿越電極3、3、…通過半導 體基底1。同時，孔1 a、1 a…所剩餘的絕緣膜變爲通孔絕 緣膜2。 半導體基底100之另一表面被拋光直到金屬部分33、 33、···之底部被暴露。另一方面’半導體基底100之另一 表面被拋光，且拋光係藉由留下僅5μιη至30μιη厚之矽於 φ 半導體基底100之另一表面上而不暴露金屬部分 33、 33、…來完成。接著，另一表面上之剩餘的砂係藉由RIE (反應性離子触刻）而被蝕刻以暴露金屬部分3 3、3 3、… 之底部，且最後另一表面係藉由CMP方法而被進一步拋 光以淸潔半導體基底1之後表面。 於上述方式中，穿越電極3及突出部分3a被整體且 同時地形成。注意其亦得以整體地形成金屬部分 33、 3 3、…及突出部分3 a、3 a、…，藉由：形成一印刷遮罩於 Φ 除了孔1 a、1 a…的開口以及開口的周邊之外的前表面保護 膜9上，以取代電鍍，在形成絕緣膜於孔1 a、1 a…中之 後；印刷一導電金屬膏於其中未形成印刷遮罩之部分上， 亦即，於孔1 a、1 a…中以及開口之周邊；以及硬化印刷的 金屬膏。於此情況下，突出部分3 a、3 a、…可藉由調整印 刷遮罩之厚度而具有一均勻的厚度。再者，亦得以藉由鈾 刻、雷射照射或其他方法而形成一通孔於半導體基底1 中；藉由CVD方法、電鍍或其他方法而形成穿越電極3 於所形成的通孔中；及接著形成突出部分3 a。 一 24- (22) 1253149 在开> 成分及芽越電極3、3、…之後，後表面佈線4及 後表面保護膜6被形成於半導體基底1之後表面上（圖 8B)。於此情況下，後表面絕緣膜5被首先形成，且接著 其連接至穿越電極3、3、…之後表面佈線4被形成。接下 來’後表面保護膜6被堆疊於後表面絕緣膜5及後表面佈 線4之上，除了其中焊料球7、7、…被形成於圖9 B的部 分（陸部分）以外。 B 於此，後表面佈線4、後表面絕緣膜5及後表面保護 膜6之形成將以一穿越電極3爲例而被詳細地描述。在形 成穿越電極3及突出部分3 a之後，後表面絕緣膜5被堆 疊於半導體基底1之後表面上，除了穿越電極3之底部 (於半導體基底1之後表面側上的末端）以外。後表面絕 緣膜5係一絕緣膜，用以絕緣其接下來將從半導體基底1 被形成之後表面佈線4。 例如，此一後表面絕緣膜5之形成係藉由：執行曝光 φ 及顯影於堆疊一光敏感有機膜在其包含電極墊8之底部的 半導體基底1之後表面上以後；開啓一窗於一相應於穿越 電極3之底部的部分中；及接著藉由以熱處理執行硬化 (熱硬化）而硬化有機膜。另一方面’後表面絕緣膜5之 形成係藉由：塗敷一抗蝕劑並執行曝光及顯影在堆疊一無 機膜（諸如Si〇2及SiN4 )於其包含穿越電極3之底部的 半導體基底1之後表面上以後；藉由在開啓一窗於一相應 於穿越電極3之部分中以後執行蝕刻而移除其覆蓋穿越電 極3之底部的無機膜；及最後移除抗蝕劑。 -25- (23) 1253149 在形成後表面絕緣膜5之後，後表面佈線4 形成於穿越電極3之底部上以及後表面絕緣膜5 定位置。爲了形成後表面佈線4，首先，一作用 之晶種層及障蔽金屬層的金屬層被形成於穿越電 部上以及後表面絕緣膜5上，藉由一種使用Ti万 射方法。接下來，一抗蝕劑被塗敷，且一窗開口 由執行曝光及顯影而被形成於穿越電極3之底部 絕緣膜5上之預定位置。在形成窗開口區段之後 區段係藉由Cu電鍍而被塡充以Cu，且後表面佈 成。最後，在移除抗蝕劑之後，由抗触劑所覆蓋 的金屬層係藉由蝕刻而被移除。 注意其亦得以形成後表面佈線4藉由：堆疊 於穿越電極3及後表面絕緣膜5之底部上，其係 使用金屬（諸如Cu，CuNi及Ti )以形成後表面 濺射方法；在塗敷一抗蝕劑後執行曝光及顯影；： 在形成後表面佈線4之後，用以保護後表面 後表面保護膜6被堆疊於本發明之一實施例中及 緣膜5之上，除了其中於圖9B之時點形成有7 以外。後表面保護膜6之形成係藉由：開啓一窗 藉由執行曝光及顯影而形成焊料球7的位置上， 光敏感有機膜於後表面佈線4及後表面絕緣膜 後；及接著藉由熱硬化而硬化有機膜。注意其亦 後表面保護膜6藉由：塗敷一抗蝕劑並執行曝光 堆疊一諸如Si 02及SiN4之無機膜於後表面佈線 之一層被 上之一預 爲供電鍍 極3之底 I Cu之濺 區段係藉 及後表面 ，窗開口 線4被形 之不必要 一金屬層 藉由一種 佈線4之 反蝕刻。 佈線4之 後表面絕 的一位置 於其中將 在堆疊一 5之上以 得以形成 及顯影在 4及後表 -26- (24) 1253149 面絕緣膜5之上以後；及接著執行蝕刻以開啓一窗於其中 將开彡成焊料球7之位置上。 在形成後表面保護膜6之後，由合成樹脂所製之一黏 著1劑部分1 〇丨被形成離開影像拾取元件1 2及微透鏡部分 1 3，於其包含突出部分3 a、3 a、…之頂部表面的半導體基 底1之前表面上（圖8 C )。黏著劑部分1 0 1係藉由印刷 而轉移半導體基底1之前表面上之黏著劑膏而被形成，且 _ 於圖9 A之時點變爲黏著劑密封部分1 〇。如此所形成之黏 著齊！1部分1 0 1具有適當的彈性直到其變爲黏著劑密封部分 10° 在形成黏著劑部分1 〇 1之後，玻璃蓋1 1被裝附至半 導體基底1，且黏著劑部分1 〇 1被硬化以成爲黏著劑密封 部分1 0 (圖9 A )。於此情況下，玻璃蓋1 1被置於突出部 分3 a、3 a、…上，以黏著劑部分1 〇 1介於其間，而接著施 加壓力至半導體基底1及玻璃蓋1 1直到玻璃蓋1 1之一表 φ 面（半導體基底1側上之表面）接觸與突出部分3a之頂 部表面，且最後黏著劑部分1 0 1藉由熱硬化而被硬化。因 此，黏著劑密封部分1 0被形成，且半導體基底1、突出部 分3a、3a.....及玻璃蓋11透過黏著劑密封部分10而被 緊固。結果’介於半導體基底1與玻璃蓋1 1之間的空間 係由黏著劑密封部分1 〇所密封。 注意其亦得以形成黏著劑密封部分1 0藉由：塗敷〜 光敏感黏著劑至半導體基底1之前表面並執行曝光及顯 影。 -27- (25) 1253149 爲了裝附玻璃蓋1 1至半導體基底1，黏著劑部分1 Ο 1 具有彈性’而因此得以防止於施加壓力至半導體基底1及 玻璃蓋1 1期間對半導體基底1之損害。雖然黏著劑部分 1 〇 1具有彈性，但亦得以防止玻璃蓋1 1沈入黏著劑部分 1 0 1、傾斜及接觸與微透鏡部分1 3或影像拾取元件1 2，因 爲突出部分3a、3a、…被插入而成爲半導體基底1與玻璃 蓋1 1之間的間隔物。 有關待裝附至半導體基底1之玻璃蓋11，玻璃蓋11 之一件可被裝附至一獨立的半導體基底1 ;或者玻璃板之 一件可被裝附至複數1、1、…並接著被分割爲玻璃蓋 11、11、…。玻璃蓋11之面積可小於半導體基底1之面 積’假如其確保接觸與突出部分3 a、3 a、…。於此情況 下，半導體裝置14之尺寸被減小。然而，半導體基底1 之面積無須大於影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3以供覆 蓋之。 在裝附玻璃蓋1 1至半導體基底1之後，焊料球7、 7、…被形成於半導體基底1之後表面上（圖9 B )。於此 情況下，首先，一松香基的助熔劑被塗敷至陸部分（亦 即，後表面佈線4，其未被覆蓋以後表面保護膜6 )，且 接著Sn-Ag-Cii焊料被形成爲球形狀而最後熱處理被執行 以淸潔及移除助熔劑。 圖1 0係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之實施例1 的光學裝置之一模組的結構。光學裝置之模組包含一圓柱 形光學路徑界定裝置1 7。光學路徑界定裝置1 7固持透鏡 -28- (26) 1253149 1 8於一端，且於另一端具有一開口，其係藉由一佈線基底 1 5而被封閉自光學路徑界定裝置1 7之外部。光學路徑界 定裝置1 7之另一端及佈線基底1 5係藉由一黏著劑部分 (未顯不）而被接合及密封。一導體佈線1 6被圖案化至 少於佈線基底1 5之一表面上，在光學路徑界定裝置1 7之 內部。 半導體裝置14被配置於光學路徑界定裝置I?中以致 ^ 其半導體基底1之後表面面對著佈線基底1 5，且焊料球 7、7、…與導體佈線16係藉由覆晶（flip-chip)接合而被 電連接。 此一光學裝置之模組中的光學路徑界定裝置1 7界定 一通至微透鏡部分1 3及影像拾取元件1 2的光學路徑。光 學路徑界定裝置1 7亦作用爲一固持器，用以固持透鏡 1 8 ;及作用爲保護工具，用以保護半導體裝置1 *、導體佈 線1 6等自外界環境。 Φ 如上所述之光學裝置的模組無須〜藉由接合佈線之介 於電極間的連接。因此，相較於其需要一接合佈線連接的 光學裝置之白知模組，其寬度方向（圖中之箭號方 向）的面積及厚度方向（圖10中之寬箭號方向）的長度 被減少以一相應於接合佈線連接所需之空間的量。 於半導體裝置14中，半導體基底丨及玻璃蓋n被整 體地建構。此外’因爲半導體裝置1 4可被放置接近於光 學路徑界定裝置1 7直到玻璃蓋丨丨接觸與光學裝置之模組 的光學路徑界定裝置1 7之一端（於透鏡丨8側上）中的開 -29 - (27) 1253149 口，所以光學裝置之模組的厚度被進一步減小。 此外，因爲影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3被保護 於當其被玻璃蓋Π及黏著劑密封部分1 〇所密封時，在半 導體裝置1 4被置於光學路徑界定裝置i 7中以前，所以得 以防止外物黏附或接觸與影像拾取元件1 2或者微透鏡部 分1 3，並防止影像拾取元件1 2及微透鏡部分1 3破損於光 學裝置之模組的製造期間。結果，光學裝置之模組的製造 p 程序被簡化。再者，光學裝置之模組的生產率增進，且光 學裝置之模組的可靠度增進。 注意其亦得以建構半導體裝置14藉由：塗敷一焊料 膏以形成焊料電極之一層（以取代焊料球7、7、…），且 電連接所形成的焊料電極與導體佈線1 6。於此情況下，光 學裝置之模組的厚度被進一步減小。 此外，半導體裝置14、或包含半導體裝置14之光學 裝置的模組亦可具有形成於玻璃蓋1 1或微透鏡部分1 3上 φ 之濾色器、及一光學過濾器（諸如一紅外線阻擋膜）。 此外，亦得以建構無佈線基底1 5之光學裝置的模 組，藉由接合並密封半導體基底1，其後表面被暴露至光 學路徑界定裝置17之外部及光學路徑界定裝置17之另一 端。於此情況下，光學裝置之模組的尺寸被減小以一相應 於佈線基底1 5之量。 包含上述半導體裝置14之光學裝置的模組被安裝於 一光學裝置，諸如一數位相機或者一具有相機功能之行動 電話。因爲相對於影像拾取元件1 2區域之佈線基底1 5及 -30- (28) 1253149 光學路徑界定裝置1 7的平面投影區域可被減至最小’所 以得以實現高密度的封裝。 實施例2 圖1 1係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之實施例2 的一半導體裝置14之結構。本實施例之半導體裝置14與 實施例1之半導體裝置14間的差異在於半導體裝置14是 否具有突出部分30、30、…。因此，相應於實施例1之部 分被指定以相同的參考碼，並省略其解釋。 半導體基底1具有穿越電極3、3、…及突出部分 3 a、3 a、…，其係一對一地彼此相應。然而，穿越電極 3、3、…之數目少於實施例丨之半導體裝置丨4中的穿越 電極3、3、…之數目，或者穿越電極3、3、…之佈局被 補ί員相較貝施例1之半導體裝置1 4中的穿越電極3、 3、…之佈局，而因此無法僅藉由突出部分、…來 穩定地支撐玻璃蓋11。 因此，半導體基底1具有突出部分30、3〇、…，其突 出朝向影像拾取元{牛12之表面上的玻璃蓋"。突出部分 30、30' ...具有實質上等於突出部分3卜&、…之厚度， 且哭出部分30、30、…之形狀、同咕 ^ 之开/狀厚度、數目及佈局被設定 以利穩定地藉由突出部分3 a、3 a、 3 0 …及突出部分、 〜…來支撐玻璃蓋〗i。
突出部分3 0、3 0、…之形成係雜 系f曰由使用其m穿越電極 ;、···及突出部分3a、3a、...相 ^ 相问的材料’其係藉由電 -31 - (29) •1253149 鍍或印刷及硬化金屬膏而與穿越電極3、3、···及突出部分 3 a、3 a、…之形成同時，或者在穿越電極3、3、…及突出 部分3a、3a、…之形成以後。 於其中設置有突出部分3 0、3 0、…之影像拾取元件 1 2的表面上，未形成微透鏡部分1 3之微透鏡。此外，因 爲玻璃蓋1 1及半導體基底1係藉由黏著劑密封部分1 〇而 被穩固地接合在一起且密封’故得以接合或者不接合突出 φ 部分3 0、3 0、…之頂部表面與玻璃蓋1 1。黏著劑密封部 分未被形成於突出部分30、3〇、…之周邊以不致於干 擾與影像拾取元件1 2之光接收。 如上所述，其中將形成突出部分3a、3a、…及突出部 分30、30、…之位置不限定於影像拾取元件12之表面以 外，而得以適當的形狀、厚度、數目及佈局來形成突出部 分3a、3a、…及突出部分30、3〇、…於半導體基底1之 前表面上。 φ 注思其雖然貫施例1或2之半導體裝置1 4具有複數 突出部分，但其亦可具有單一突出部分。於此情況下，突 出部分被形成以（例如）一方形或C形壁之形式（其封入 影像拾取元件12及微透鏡部分13)、並穩定地支撐玻璃 蓋1 1。 此外，形成於半導體基底1之前表面上的突出部分之 一部分可被整體地形成與至少一穿越電極3，或者被形成 爲〜分離的組件。再者，與穿越電極3整體地形成之突出 部分可不被形成於半導體基底1之前表面上。於其中突出 -32、 (30) ί2531·49 J允不被形成於半導體基底丨之前表面上的情況下，例 如，其得以形成一 L形突出部分於半導體基底丨之邊緣 上。亦得以形成突出部分於玻璃蓋〗丨上，以取代形成突 出部分於半導體基底1上。此外，得以插入間隔物（其爲 不同於半導體基底1及玻璃蓋i i之分離組件）於半導體 基底1與玻璃盍1 1之間，以取代突出部分。 假如突出部分及穿越電極3爲分離組件，或即使假如 • 突出部分及穿越電極3被形成爲單一組件，無須以完全相 同的材料來形成突出部分及穿越電極3。此外，突出部分 可由C U以外的金屬、或非金屬材料所製。 【圖式簡單說明】 圖1係一橫斷面視圖，其顯示一習知半導體裝置之p 構； 圖2係一橫斷面視圖，其顯示光學裝置之一習知模組 φ 的結構； 圖3A及3B係橫斷面視圖，其顯示另一習知半導體裝 置之結構； 圖4係一平面視圖’其顯示依據本發明之實施例1的 一半導體裝置之結構； 圖5係一橫斷面視圖，其顯示依據本發明之實施例j 的半導體裝置之結構； 圖6係一放大的横研面視® ’其顯示依據本發明之實 施例1的半導體裝置之一穿越電極及突出部分的,結構； -33- (31) ‘1253149 圖7 A至7 C爲一種依據本發明之實施例1的半導體裝 置之製造方法的解釋圖； 圖8 A至8 C爲一種依據本發明之實施例1的半導體裝 置之製造方法的解釋圖； 圖9A及9B爲一種依據本發明之實施例的半導體裝置 之製造方法的解釋圖； 圖1 0係一橫斷面視圖，其顯示休 顯不依據本發明之實施例1 的光學裝置之一模組的結構； 圖1 1係一橫斷面視圖，苴_亍 的一 半導 體 裝 置 之 結 構。 【主 要元 件 符 號 說 明 ] 1 半 導 體 基 底 2 通 孔 絕 緣 膜 3 穿 越 rr; m 極 3 a 突 出 部 分 4 後 表 面 佈 線 5 後 表 面 絕 緣 膜 6 後 表 面 保 護 膜 7 焊 接 球 8 電 極 墊 9 1 刖 表 面 保 護 膜 10 黏 著 劑 密 封 部 分 11 玻 璃 蓋 /、痛不依據本發明之實施例2 - 34- (32) 影像拾取元件 微透鏡部分 半導體裝置 佈線基底 導體佈線 光學路徑界定裝置 透鏡
突出部分 金屬部分 半導體基底 黏著劑部分 電極墊 半導體基底 玻璃蓋 光接收元件 微透鏡部分 盒狀容器 電極引線 黏著齊II 接合佈線 黏著齊!1 佈線板 導體佈線 光學路徑界定裝置 -35- (33) (33)1253149
123 透鏡 124 穿越電極 125 後表面佈線 126 焊接球 12 7 黏著劑部分
-36-

Claims (1)

  1. (1) 1253149 十、申請專利範圍 ]· 一種半導體裝置，其包含： 一半導體基底’其具有一半導體元件形成於其一表面 中； 一穿越電極，其被形成於半導體基底中； 一蓋構件，其被裝附至半導體基底以覆蓋半導體元 件；及 • 一突出部分，其被形成於半導體基底上以從該一表面 突出而朝向蓋構件。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體裝置，進一步包 含一安裝於該一表面上之微透鏡， 其中突出部分具有大於微透鏡厚度之厚度。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其φ 突出部分係與穿越電極被整體地形成。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，# + Φ 突出部分被形成於該一表面上。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之半導體裝廈，_ + 穿越電極與突出部分係藉由使用相同的導電材料 成。 6. 如申請專利範圍第1或2項之半導體裝·，# 區，其中 突出部分係由金屬所製。 7. 如申請專利範圍第1或2項之半導體裝釐，_ + 蓋構件具有一透光性質，且半導體元件係一光接收 一影像拾取元件。 -37- (2) 1253149 8 · —種光學裝置之模組，其包含： 如申請專利範圍第1或2項所述之一半導體裝置；及 一光學路徑界定裝置，用以界定一通至半導體裝置之 光學路徑。 9. —種半導體裝置之製造方法，包含下列步驟： 形成一半導體兀件於一半導體基底之一表面中； 形成一穿越電極於半導體基底中； φ 形成一從半導體基底上之該一表面突出之突出部分； 及 裝附一蓋構件至半導體基底，以其所形成之突出部分 介於該一表面與蓋構件之間以覆蓋半導體元件。 10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造方 法’進一步包含安裝一微透鏡於該一表面上之步驟， 其中當形成突出部分時，所形成之突出部分的厚度係 大於微透鏡的厚度。 φ 11.如申請專利範圍第9或1 0項之半導體裝置之製 造方法，其中突出部分係與穿越電極被整體地形成，在形 成穿越電極之後，或者於穿越電極之形成期間。 1 2 .如申請專利範圍第9或1 0項之半導體裝置之製 造方法，其中突出部分係藉由電鍍半導體基底而被形成。 1 3 .如申請專利範圍第9或1 0項之半導體裝置之製 造方法，其中突出部分係藉由印刷一金屬膏於半導體基底 1並硬化所印刷之金屬膏而被形成。 -38-
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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4468609B2 (ja) * 2001-05-21 2010-05-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US7215018B2 (en) 2004-04-13 2007-05-08 Vertical Circuits, Inc. Stacked die BGA or LGA component assembly
US7547978B2 (en) * 2004-06-14 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill and encapsulation of semiconductor assemblies with materials having differing properties
EP1624493A3 (fr) * 2004-07-23 2006-09-13 Stmicroelectronics Sa Procédé de fabrication de module optique pour boîtier semiconducteur à capteur optique
CN101065844B (zh) 2005-01-04 2010-12-15 株式会社映煌 固体摄像装置及其制造方法
JP2006228837A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
TWI264807B (en) * 2005-03-02 2006-10-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and method for manufacturing the same
JP2006276463A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Sharp Corp 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法
KR100785488B1 (ko) * 2005-04-06 2007-12-13 한국과학기술원 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법
TW200644261A (en) 2005-06-06 2006-12-16 Megica Corp Chip-package structure and manufacturing process thereof
JP4486005B2 (ja) * 2005-08-03 2010-06-23 パナソニック株式会社 半導体撮像装置およびその製造方法
KR100738653B1 (ko) * 2005-09-02 2007-07-11 한국과학기술원 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법
US7393758B2 (en) * 2005-11-03 2008-07-01 Maxim Integrated Products, Inc. Wafer level packaging process
US7354799B2 (en) * 2005-11-08 2008-04-08 Intel Corporation Methods for anchoring a seal ring to a substrate using vias and assemblies including an anchored seal ring
KR100691398B1 (ko) 2006-03-14 2007-03-12 삼성전자주식회사 미소소자 패키지 및 그 제조방법
US8653612B2 (en) * 2006-08-25 2014-02-18 Sanyo Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device
JP5270349B2 (ja) * 2006-08-25 2013-08-21 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置及びその製造方法
KR100769722B1 (ko) * 2006-10-10 2007-10-24 삼성전기주식회사 이미지센서의 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 그제조방법
JP2008130738A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
US7566854B2 (en) * 2006-12-08 2009-07-28 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor module
US20080169556A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Xin Tec Inc. Chip package module heat sink
JP4958273B2 (ja) * 2007-01-23 2012-06-20 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 発光装置及びその製造方法
JP5008998B2 (ja) * 2007-02-05 2012-08-22 株式会社フジクラ 電子部品
WO2008108970A2 (en) * 2007-03-05 2008-09-12 Tessera, Inc. Chips having rear contacts connected by through vias to front contacts
TW200839982A (en) * 2007-03-19 2008-10-01 Xintec Inc Integrated circuit package and method for fabricating thereof
US8723332B2 (en) 2007-06-11 2014-05-13 Invensas Corporation Electrically interconnected stacked die assemblies
US7923349B2 (en) * 2007-06-19 2011-04-12 Vertical Circuits, Inc. Wafer level surface passivation of stackable integrated circuit chips
TW200917391A (en) * 2007-06-20 2009-04-16 Vertical Circuits Inc Three-dimensional circuitry formed on integrated circuit device using two-dimensional fabrication
KR101538648B1 (ko) 2007-07-31 2015-07-22 인벤사스 코포레이션 실리콘 쓰루 비아를 사용하는 반도체 패키지 공정
JP2009064839A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Panasonic Corp 光学デバイス及びその製造方法
US7923298B2 (en) * 2007-09-07 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Imager die package and methods of packaging an imager die on a temporary carrier
US8704379B2 (en) 2007-09-10 2014-04-22 Invensas Corporation Semiconductor die mount by conformal die coating
US20090102038A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 Vertical Circuits, Inc. Chip scale stacked die package
JP5197219B2 (ja) * 2007-11-22 2013-05-15 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4799543B2 (ja) * 2007-12-27 2011-10-26 株式会社東芝 半導体パッケージ及びカメラモジュール
CN103325764B (zh) 2008-03-12 2016-09-07 伊文萨思公司 支撑安装的电互连管芯组件
US7598580B1 (en) * 2008-05-15 2009-10-06 Kingpak Technology Inc. Image sensor module package structure with supporting element
US9153517B2 (en) 2008-05-20 2015-10-06 Invensas Corporation Electrical connector between die pad and z-interconnect for stacked die assemblies
US7863159B2 (en) * 2008-06-19 2011-01-04 Vertical Circuits, Inc. Semiconductor die separation method
JP2010040621A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Toshiba Corp 固体撮像デバイス及びその製造方法
CN102132409A (zh) * 2008-11-21 2011-07-20 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
US9142586B2 (en) 2009-02-24 2015-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad design for backside illuminated image sensor
JP2011003828A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Panasonic Corp 光半導体装置、及びそれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器
JP5963671B2 (ja) 2009-06-26 2016-08-03 インヴェンサス・コーポレーション ジグザクの構成でスタックされたダイに関する電気的相互接続
US8421175B2 (en) * 2009-09-10 2013-04-16 STMicroelectronics ( Research & Development) Limited Wafer level packaged integrated circuit
TWI520213B (zh) 2009-10-27 2016-02-01 英維瑟斯公司 加成法製程之選擇性晶粒電絕緣
TWI544604B (zh) 2009-11-04 2016-08-01 英維瑟斯公司 具有降低應力電互連的堆疊晶粒總成
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
CN102782862B (zh) * 2010-02-26 2015-08-26 精材科技股份有限公司 芯片封装体及其制造方法
JP2011205222A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp カメラモジュール
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
JP2012044091A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ
JP5721981B2 (ja) 2010-09-10 2015-05-20 オリンパス株式会社 撮像ユニットおよび撮像ユニットを具備する内視鏡
US8847380B2 (en) 2010-09-17 2014-09-30 Tessera, Inc. Staged via formation from both sides of chip
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
US8604578B2 (en) * 2010-10-25 2013-12-10 Hsin-Chih CHIU Chip package
US8736066B2 (en) 2010-12-02 2014-05-27 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assemby with TSVS formed in stages and carrier above chip
US8587126B2 (en) 2010-12-02 2013-11-19 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assembly with TSVs formed in stages with plural active chips
US8610264B2 (en) 2010-12-08 2013-12-17 Tessera, Inc. Compliant interconnects in wafers
TWI414062B (zh) * 2011-02-24 2013-11-01 Kingpaktechnology Inc 降低透光板傾斜度之影像感測器製造方法
TWI485818B (zh) * 2011-06-16 2015-05-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法
US9052476B2 (en) * 2012-07-04 2015-06-09 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Wafer-level packaged optical subassembly and transceiver module having same
CN103943640A (zh) * 2013-01-22 2014-07-23 胜开科技股份有限公司 降低光学单元倾斜度的影像感测器制造方法
US9640709B2 (en) 2013-09-10 2017-05-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
JP2015115386A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 ソニー株式会社 固体撮像素子、電子機器、および固体撮像素子の製造方法
TW201607014A (zh) * 2014-08-08 2016-02-16 精材科技股份有限公司 半導體結構及其製造方法
CN105514129B (zh) * 2014-09-25 2018-10-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种图像传感器装置及其制造方法
US9825002B2 (en) 2015-07-17 2017-11-21 Invensas Corporation Flipped die stack
US9490195B1 (en) 2015-07-17 2016-11-08 Invensas Corporation Wafer-level flipped die stacks with leadframes or metal foil interconnects
US9871019B2 (en) 2015-07-17 2018-01-16 Invensas Corporation Flipped die stack assemblies with leadframe interconnects
US9508691B1 (en) 2015-12-16 2016-11-29 Invensas Corporation Flipped die stacks with multiple rows of leadframe interconnects
US10750060B2 (en) 2016-03-31 2020-08-18 Sony Corporation Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
US10566310B2 (en) 2016-04-11 2020-02-18 Invensas Corporation Microelectronic packages having stacked die and wire bond interconnects
US9595511B1 (en) 2016-05-12 2017-03-14 Invensas Corporation Microelectronic packages and assemblies with improved flyby signaling operation
US10170508B2 (en) * 2016-06-21 2019-01-01 Kingpak Technology Inc. Optical package structure
US9728524B1 (en) 2016-06-30 2017-08-08 Invensas Corporation Enhanced density assembly having microelectronic packages mounted at substantial angle to board
US20180315894A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and a method of manufacturing the same
DE102017210379A1 (de) * 2017-06-21 2018-12-27 Robert Bosch Gmbh Bildsensormodul

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2991172B2 (ja) * 1997-10-24 1999-12-20 日本電気株式会社 半導体装置
JP3542311B2 (ja) * 2000-01-28 2004-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2001351997A (ja) 2000-06-09 2001-12-21 Canon Inc 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
JP2002094082A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Seiko Epson Corp 光素子及びその製造方法並びに電子機器
JP3839271B2 (ja) 2001-05-01 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR100389630B1 (ko) * 2001-05-04 2003-06-27 삼성전기주식회사 촬상소자 모듈 팩키지
JP2002343861A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路およびその製造方法
US7074638B2 (en) * 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device

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