TWI249542B - Polymer compound and polymer light-emitting device using the same - Google Patents

Description

1249542 ， 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種聚合化合物，以及使用該聚合化合 物之電子裝置，特別是使用該聚合化合物之聚合物發光裝 置（後文，稱為聚合物LED)。 【先前技術】 多方面地研究使用聚合化合物之電子材料以作為電子 裝置。例如，與那些具有低分子量者不同於固態具有螢光 之高分子量發光材料（聚合化合物）係可溶於有機溶劑中且 可藉由塗敷方法形成發光裝置中之發光層，因此該高分子 量發光材料已被積極地研究著。至於可使用於聚合物LED 中作為發光材料或電荷傳送材料之聚合物材料，習知有聚 苯撐乙烯撐衍生物、聚芴衍生物、聚苯撐衍生物等。例如， 曰本專利申請案公開（早期公開）第1卜502248號揭露低聚 苯撐之共聚物。其一實例為低聚苯撐乙烯撐。曰本專利申 請案公開第1 1-246660號揭露芳香族胺化合物基與不飽和 雙鍵基之共聚物。更明確地說，係揭示三苯基胺二聚物與 未經取代之三苯撐的共聚物。再者，至於含有2, 5-二烷氧 基苯撐之聚合物材料，已知有共聚物如苯撐、噻吩、吡啶、 聯苯撐、雙噻吩等（合成金屬，第102冊，第1 06 0頁（ 1999))。 在此情形下，需要具有優異特性，換言之，為強烈螢 光及大量電荷傳送性質之聚合化合物；及使用該聚合化合 物之高功能性電子裝置。 其中，尤其需要具有優異特性，換言之，為強烈螢光 6 (修正本）3M143 -1249542 J及大量電荷傳送性質之聚合化人物.月古1 光效率、低带；IM「叙 σ物，及阿效能（例如，高發 UL 較長使用壽命）之聚合物⑽。 " 目的係提供一種具有優異特性，換+之，Α 強烈；光強度及大量電荷傳送性質之聚合化合：= 用此I合化合物之高效能 綮弁及/戎体s + # 千衣置特別疋提供具有強烈 化合物於低 口柳y低弘壓下以高效率 。 又手予以驅動之鬲性能聚合物 【發明内容】 1〇3至本=亡深入研究解決上述問題之結果，發現具有 至10之♦本乙烯折合數目平均分子 合物分別含有-種或多種式⑴及獅 =重 ΑΤ2-- -Ar^N— Ar3

X ,Ν 々广、5 …⑴ 合物L式等中lr 2各自獨立撐基或二價雜環化 土，方撐基、方撐乙料基或二價雜環化合 物基’ X為1至1 〇 ;者 氣9 +兩丄+ U’田X為2或更大時，Ars可相同或不同；

An和An各自獨立為芳基或單價雜環化合物基，

Are <2) 式中，Ar6為苯撐基、芪二基、二 價稠合多環芳香族化人 —一土勿—基、二 化σ物基一彳貝早環雜環基、二價稠合 (修正本）3】4]43 7 1249542 ，之多環雜環化合物其、々_ 朴 入&入榀目士 "或一如、方香族胺化合物基。），哕〒 1合物具有優異特性而完成本發明。尤 J ^ 化合物於固態下能發出營光時，可使用此聚^玄= 低電壓盥离对+ U ♦口化合物獲得 ，、°放辜驅動之高性能聚合物LED。 本發明之聚合化合物具有1{)3至μ 目平均分子署，取 +本乙~折合數 及式⑵所-夕 化合物分別含有—種或多種式⑴ 及式（2)所不之重複 苴 VU； 顯示螢并，日尨入 ^ °亥承5化合物具有於固態 .·、先且適合用作為發光材料（聚合化合物）。

以下說明本發明聚合化合物中式⑴所示之重複單元 該式（1)所示之f益。。-士人 稷早兀彳 為芳俨美。H 重稷早兀中所含的Ar+ Ara自分別 、r诗Γ土 仏雜環化合物基；且ΑΓ3為芳撐基、芳柃乙 烯牙基或二價雜環化合物基。 牙 美。士’芳基為自芳香族烴移除_個氫原子之原子 二方牙基為自芳香族煙移除兩個氫原子之原子基。芳香 =也包含那些具有稠合環者及經由基 ：

細撐基等鍵結之兩個或多個獨立苯環或稠合環者鍵一戈乙 -個中’單價雜環化合物基係指自雜環化合物移除 虱原子之原子基。二價雜環化合物 移除兩個氫原子之原子基。 丨自〜“物 ▲雜環化合物意指具有環狀結構之有機化合物， =環、㈣中除了碳原子以外，包含至少—個㈣子 敬、鼠、磷、硼、砷、矽等作為元素者。 式（1)中，x表示1至10之整數，較佳為i至5，

佳為1至3。 X (修正本）3〗4】43 8 1249542 上述An、An* An可具有取代基。作為取代基者， 例如烷基、烷氧基、烧硫基、烷基石夕烷基、芳基、芳土 、 =基㈣基、芳基烧基、芳基絲基、芳基絲石夕絲、 芳基烯基、芳基炔基、單價雜環化合物基等。當具有 取代基時，該取代基可連接以形成環。當An/Ar5且有取 ^基時，該取代基可連接以形成環，而該環可藉由單鍵鍵 名圭 0 烷基可為直鏈、支鏈或環狀之任一者，且通常具有約 1至20個碳原子’其特定實例包含曱基、乙基、丙美、昱 ^基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、^基Γ %己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3, 7_二

曱基辛基、月桂基等，較佳為戊基、己基 L 己基、癸基及3,7-二甲基辛基。 午土 2乙基 烷氧基可為直鏈、支鏈或環狀之任一者，且 約"1至20個碳原子，且其特定實例包含甲氧基、乙氧基、 :氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊 氧基、異戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、 2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7_二甲基辛氧基、月 桂氧基等’較佳為絲基、異絲基、己氧基、辛氧基、 2-乙基己氧基、癸氧基及3, 7_二曱基辛氧基。 烷硫基可為直鏈、支鏈或環狀之任一者，且通常具有 約1至20個碳原子，其特定實例包含甲硫基、乙硫基、丙 硫基：異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第三丁硫基、戊硫 基、異戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基 (修正本）314】43 9 1249542 V 乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3, 7-二甲基辛硫基、月桂 硫基等，較佳為戊硫基、異戊硫基、己硫基、辛硫基、2_ 乙基己硫基、癸硫基及3，7-二甲基辛硫基。 烧基矽烷基可為直鏈、支鏈或環狀之任一者，且通常 具有約1至60個碳原子，其特定實例包含甲基矽烷基、乙 基矽烷基、丙基矽烷基、異丙基矽烷基、丁基矽烷基、異 丁基矽烷基、第三丁基矽烷基、戊基矽烷基、異戊基矽烷 基、己基矽烷基、環己基矽烷基、庚基矽烷基、辛基矽烷 基、2-乙基己基矽烷基、壬基矽烷基、癸基矽烷基、3,7一 二甲基辛基矽烷基、月桂基矽烷基、三甲基矽烷基、乙基 二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、異丙基二甲基矽烷基、 丁基二甲基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、戊基二曱基 矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二 曱基矽烷基、2-乙基己基一二甲基矽烷基、壬基二甲基矽烷 基、癸基二曱基矽烷基、3, 7一二曱基辛基一二曱基矽烷基、 月衩基一甲基矽烷基等，較佳為戊基矽烷基、己基矽烷基、 辛基矽烷基、2-乙基己基矽烷基、癸基矽烷基、3,7一二甲 基辛基矽烷基、戊基二甲基矽烷基、異戊基二甲基矽烷基、 己基二曱基矽烷基、辛基二曱基矽烷基、2一乙基己基一二甲 基矽烷基、癸基二曱基矽烷基及3, 7一二曱基辛基一二甲基 矽烷基。 芳基為自芳香族烴移除一個氫原子之原子基，通常具 有約6至6M固碳原子。芳基之實例包含苯基、“烧基^ 基（Cw表示1至12個碳原子）、卜萘基、2_萘基等，較佳 (修正本）314143 10 1249542 •為笨基及Cl-12烧基苯基。 芳氧基通常具有約6至60個碳原子。其特定實例包含· 笨氧基、C^2烷氧基苯氧基、Ch 2烷基苯氧基、^萘氧基、 2-奈氧基等，較佳為苯氧基、烷氧基笨氧基及Ci〜烷 基笨氧基。 芳基矽烷基通常具有約7至60個碳原子。其特定實例 包含苯基二甲基矽烷基、ClM2烷氧基苯基二甲基矽烷基、 C^2烷基苯基二曱基矽烷基、卜萘基二曱基矽烷基、=萘- 基-二曱基矽烷基等，較佳為ClM2烷氧基苯基二甲基f ^ 基及Ch2録苯基二甲基錢基。 ^ 芳基烷基通常具有約7至60個碳原子，其特定實例包 含苯基-(:⑼烷基、烷氧基苯基—Cm烷基、Ci 12烷基苯 基-Cw烷基、卜萘基-Cw烷基、2 —萘基—匕心烷基等，較 佳為烷氧基苯基—c1M2烷基及ClM2烷基笨基—Ci i2烷基。 芳胺基通常具有約6至60個碳原子。其特定實例包含 苯胺基、二苯胺基、c^2烷氧基苯胺基、二（Ci i2烷氧基苯 基）胺基、二（C^2烷基苯基）烷基、卜萘胺基、2 —萘胺基等，| 較佳為C!-!2烷基苯胺基及二（Cl_n烷基苯基）胺基。 芳基烷氧基通常具有約7至60個碳原子。其特定實例· 包含苯基-C!-,2烷氧基、ClM2烷氧基苯基—Ci心烷氧基、 烷基苯基-Ci-!2烷氧基、卜萘基—Cw烷氧基、2—萘基— 烷氧基等，較佳為Cl-!2烷氧基苯基—Cm烷氧基及Ci〜烷基 苯基〜(：卜12烷氧基。 土 芳基烷基矽烷基通常具有約7至6〇個碳原子。其特定 (修正本）314143 11 1249542 例包含本基- Ci-i2- —甲基命烧基、Ci-i2统氧基苯基— Cm2 —甲基石夕烧基、Cl-Ι2烧基苯基-Cu二甲基石夕烧基、1 一蔡基 〜Ci-!2二甲基石夕烧基、2-萘基-Cu二f基石夕烧基等，較佳 為C^2烷氧基苯基-Ci-!2二甲基矽烷基及匕_12烷基苯基 〜(：丨-12二甲基石夕烧基。 芳基浠基通常具有約8至6 0個碳原子，其特定實例包 含苯基-Cw烯基、C^2烷氧基苯基—C,—,2烯基、C|12烷基苯 基-C,-,2烯基、卜萘基-Cm烯基、2_萘基_Ci 12烯基等，較 佳為Cl-,2烷氧基苯基-Cl_,2烯基及Ci_u烷基苯基_Ci i2烯基。 芳基炔基通常具有約8至6〇個碳原子’其特定實例包 含笨基吒⑷炔基、Cl-,2烷氧基苯基_ClM2炔基、Cii2烷基苯 基-Cw炔基、卜萘基丄心炔基、2_萘基七12炔基等，較 佳為^烧氧基苯基一 c_炔基及c_烧基苯基_^快基。 單仏雜％化合物基係指自雜環化合物移除一個氫原子 史"^子基妷原子數目通常為約4至60，較佳為4至20。 :2 口物基的石反原子數目不包含取代基的碳原 子數目。 ^寸定地說’可示例噻嗯基、“烷基噻嗯基、吡咯基、 吼口疋基、Cl_12烧基卩比咬基等，較佳為喧嗯基、 燒基嚷嗯基、哦咬基及Cm烧基吼咬基。 < 土的’'例中’含有垸基鏈的取代基可為直鏈、支 乙之任—者或者其組合。絲鏈可示例異戊基、2_ 等了^'3’7~二甲基辛基、環己基、4-CH2烧基環己基 鏈中之部份基可彼此連接以形成環。此外，统基 反原子可以含有雜原子之基團予以取代。此 (修正本）314143 12 1249542 氮原子等 處於雜原子’可示例氧原子、硫原子 3有雜原子之基團實例係包括下列者

一0 - —S R·

X R.

〇 II 一C 一0 R. ^處’R’係示例氫原子、具有i至別個碳原子之燒基 至6。個碳原子之芳基及具有4至6。個碳原 4貝雜環化合物。 + 至於芳撐基，係示例苯撐基（例如下式1至3)、蔡二 ，（下式4至13)、蒽樓基（下式14至19)、聯苯撐基d 〇至25)、聯三苯撐基（下<26纟28)、稠合環化合物基ο 式29至38)等。其中’較佳為苯撐基、聯苯撑基、苟 (下式36至38)及茚并苟二基（下式38A至38b)。 ^

R

•R

R

(修正本）3]4]43 13 1249542

R R R R 1249542

本發明中，至於二價雜環化合物基係示例如 含有氮作為雜原子之基：批咬二基（下式下 二吖笨撐（下式45至48)、喹啉二基（下式49 9至44) ' 啉二基（下式64至68)、口丫咬二基（下式69 ㈡）、嗤 73^ 76^ 78 ；；Mt； 歹1如乳、石夕、氮、硫、碼等雜原子及具有寺，合, 79至93);含有例如氧 〜構之基（下：

裱濉環化合物基（下式料至 寻雄原子之5 β 硒等雜原子之5員 ，3例如矽、氮、硫、 及其中含有石夕、氮、：:：！化合物基(下式99 至 110) 合物基之基團係於該雜/寺作為雜原子之5員環雜環化 111至1〗9)。 ’、子之〇位置上與苯基連接（下式 (修正本）314143 15 1249542

1249542

17 (修正本）314143 1249542

18 (修正本）314143 1249542

工逆ΛΓ3甲 万传丞G歸镙基係指基 7傅丞興 烯撐基連接之基 上述An、An及An之各實例中，R包含氫原子、浐其 基、芳基、芳氧基、芳総基、芳基烧氧^ 方土烯基、方基炔基、單價雜環化合物基、氰基等。

R，Jr」、Ar2*Ar3之上述實财，儘管結構含胁 旦k些R可相同或不同，且可各自獨立選取。紅I、A 之取代基中的碳原子可被氧原子或硫原子取代。月 者，虱原子可被氟原子取代。 在A。及紅2中，較佳為笨撐基、萘二 吼。定二基、嗤轉I財基、非 一 土、更仏為苯樓基、D比η定二基、考 一基，且特佳為苯撐基。 77 上式（1)之An較佳為下式（3)所示之基， ~~{jy 式中’環⑽基、聯苯撐基：苯樓基、、 (修正本）314143 19 1249542 奈二基、蒽二基、菲基、吼。定二基、嗤。若琳二基及嚷嗯基，

且較佳為苯撐基、聯苯撐基、聯三苯撐基或苟二基；W ^基、燒氧基、烧硫基、垸基㈣基、芳基、芳氧基、芳 二碎絲、方㈣基、芳基燒氧基、芳基烧基魏基、芳 土絲、芳基块基、單價雜環化合物基或氰基；y示〇至4 之整數，且當y為2或更大時，複數個匕可相同或不同。 R1中’較佳為烧基、垃 pi 沉虱基、方基、芳氧基、芳基矽 芳基貌氧基，且更佳為一氧基、 基者至於特定實例’係示例與An、—及-相同之取代 式（1)之An較佳為下式（4)所示之基，

—""( 4 ) 式中，R2及r3各自獨立表 立表示氫原子、m/、Rl相问之基m各自獨 基或氰基。烧基、；基、；單價雜環化合物 特定實例係與1相同者。基及早價雜環化合物基之 =〇)中Ar3為式⑷時，χ適合者為！ 者為1至3’且特別適合者為卜 更乙口 此處’ An或Ars所示之芸装 為6至30個以^ 方基具有約6至60個，較佳 芳香族化合物=::::=化合物或稱合多環 求子之原子基。特定言之，較佳 (修正本）3MM3 20 1249542 為苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、茈基、丁省基、戊省 基、蒯基、暈苯基等，較佳為苯基、萘基及蒽基。再者， 更佳為苯基。

Ar4及Ars所示之單環雜環化合物及稠合之多環雜環化 合物基表示彼等在該環結構中除了碳原子以外，具有至少 一個雜原子如氧、硫、氮、磷、硼等作為成員者。在該環 結構中所含之碳原子數較佳為約4至60，更佳為4至30。 特定言之，係示例吡啶基、嘧啶基、吡啡基、噻嗯基、呋 喃基、吡咯基、咪唑基、噁二唑基、喹啉基、喹喔啉基、 吖啶基、菲繞啉基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二 唑基、苯并噻二唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻嗯基、咔 σ坐基等，較佳為吼σ定基、,σ定基、嗟嗯基、σ惡二σ坐基、喹 啉基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基及咔唑基。Ar4及Ars 可具有取代基，係示例烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷 基、芳基、芳氧基、芳基石夕烧基、芳基烧基、芳基烧氧基、 芳基烷基矽烷基、芳基烯基、芳基炔基、單價雜環化合物 基等。相鄰取代基可彼此連接以形成環。再者，Ar4及Ar5 可藉由碳-碳單鍵連接以形成咔唑環。 其次，說明本發明之聚合化合物中所包含式（2)所示之 重複單元。 式（2)所示之Are係芳撐基、芪二基、二芪二基、芴二 基、二價稠合多環芳香族化合物基、二價稠合之多環雜環 化合物基、或二價芳香族胺化合物基。Are可具有取代基， 係示例烧基、烧氧基、烧硫基、统基石夕炫基、芳基、芳氧 (修正本）314143 1249542 基、^基我基、芳基絲、芳㈣氧基、芳纽基石夕烧 基、芳基烯基、芳基炔基、單價雜環化合物基等。當 具有複數個取代基時，該等取代基可彼此連接以形成環。 當該取代基係含有烷基鏈之基團時，該烷基鏈可由雜原子 之基所中斷。 至於苯撐基，較佳為下式（5)或（6)所示之基。

(5) 表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、芳氧基、受 基残基、芳隸基、芳錢氧基、芳基録⑦烧基、^ 基烯基:芳基炔基、單價雜環化合物基或氰基，較佳為太 基、烧氧基、院硫基、芳氧基、芳基絲、芳基院氧基 更佳為烧基、烧氧基、烧硫基、芳氧基、芳基絲基，^ 特佳為烧氧基；η表示〇至4之整數；當n為2或更大時 複數個Re可彼此相同或不同。

(R〇m -----(6) m各自獨立表示與1相同之基;1表示〇至5之整數; m表示0至3之整數；當1為2或更大時，複數個r7可相 同或不同’田m為2或更大時’複數個r8可相同或不同。 (修正本）314143 22 1249542 ==“二==; 由溶解度的觀點來看，〇較 點來看，η較佳為丨至2。 乂為1，而由合成的觀 式（）中1表不〇至5之整數且爪表示〇至 由合成的觀點來看’1及Μ交佳為0至2。 正數。 之取代基相同之:取代基’该取代基可選擇與上述苯撐基 至於S二基’較佳為下式⑻所示之基。

(8) 示與Rl相同之基；…各自 之整數；當c為2或更夬种、卜也 杏d A ? 士审4· 士 可’稷數個丨可彼此相同或不同，·

g d為2或更大時，福金+ D p . ό ^ .卜 數们Rl4可彼此相同或不同，· n Rn各自獨立表不氣原子、 ^ ^ ^ 環化合物基或氰基。^ *基、方纽基、單價雜 至於Rn及Rl4，較佳為烧基、烧氧基、院硫基、芳基、 芳氧基'芳基㈣^^氧基；更佳為絲、烧氧基、 (修正本）3Ϊ4Ι43 23 1249542 且又更佳為烷氧基、芳基 烷硫基、芳氧基及芳基烷氧基 烧氧基及芳氧基。 式（8)中’R丨2及R丨3各自獨立± 若美俨其。。伸 蜀立表不虱原子、烷基、芳基、 方暴烷基、早價雜環化合物基或氰基。 J於式⑻中的RI2及Ru’較佳為氫原子、烧基、芳基 ::，更佳為氫原子及氰基。…各自獨立表示〇至4 由：成觀Si度的觀點來看，…較佳為1或更大， = '，，、占來看’較佳為3或更小。c及d更佳為U2。 昆一基較佳為下式（9)所示之基。

(9) 15及各自獨立表示與Rl相同之基。e表示〇至5之整 數f表不0至3之整數。當e為2或更大時，複數個^ 可彼此相同或不同。當亡為2或更大時，複數個Ri8可彼此 相同或不同。Rle及Rn各自獨立表示氫原子、烷基、芳基、 ，基、芳氧基、芳胺基、芳基烷基、單價雜環化合物^或

Ru及Ru較佳為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧 基、芳胺基、芳基烷基、芳基烷氧基及氰基；更佳為燒羊氧 基、芳基、芳氧基、芳胺基、芳基烷氧基及氰基。 (修正本）314143 24 1249542 e表示〇至5之敕 1或更大，由。〉容解度的觀點來看，e較佳為 為^至^表看’e^為3或更小。e更佳 較佳為1或更大、，二1、之整數。由溶解度的觀點來看，ί 〆 5成的觀點來看，f較佳Λ 3φ丨 f更佳為〇至2。 +屏1铋彳土為3或更小。 及各自獨立矣 & 基、單價雜^卜人私 烧基、芳基、芳基烷 °基或氰基。R,6及1^較佳為氫原子、 说基^基及氰基，更佳為氫原子及氰基。

-S—基在中心具有芳樓基或二價雜環化 自为別在苯撐基及上述芳撐 "·各 且古不如, 方存基之間，或二價雜環化合物基 八兩個乙烯撐基。芳撐基可_1_右/g, . 牙個或兩個取代基。至 者。寺疋只例’示例為與彼等Arl、Ar3之相同取代基 該 •S—基係下式（12)所示之基 (R27) ^28

» 尺30

义31 (Μ Γ —(12) :為方撐基或二價雜環化合物基；R”及R32各自獨立表示 人1相同之基；q及r各自獨立表示0至4之整數；當q 為2或更大時，複數個R27可相同或不同；當厂為2或更大 時，複數個R32可彼此相同或不同；R28至L各自獨立表示 氫原子、烷基、芳基、芳基烷基，或單價雜環化合物或氰 (修正本）314143 25 1249542 基。 式（12)中An係芳撐基或二價雜環化合物基。此等基 之特定實例係與An至Ars之上述實例相同。式（12)中， 及R32各自獨立表示與Rl相同之基。R27及R32較佳為烧基、 垸氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳基烧基及芳基院氧基， 更佳為炫基、絲基、烧硫基、芳^基及芳基烧氧基，又 更佳為烷氧基、芳基烷氧基及芳氧基。 式（12)中，q&r各自獨立表示〇至4之整數，由合 $的觀點來看，較佳為3或更小。更佳為，9及『為〇至2。 當q為2或更大時，複數個I7可彼此相同或不同。當厂 為2或更大時，複數個I2可彼此相同或不同。 式（12)中，R28至RS1各自獨立表示氫原子、烧基、芳 基、f基烷基，單價雜環化合物基或氰基。此等取代基之 特疋貝例係與L之取代基相同。至於R28至，較佳為氫 原子、烷基芳基及氰基，更佳為氫原子及氰基。 至於芴二基，較佳為下式（13)所示之基。

34、K35及R36各自獨立表示與Ri相同之基；⑽及仙 各自獨立表示0至4之整數。 斗至於R33、R34、^及R36較佳為烷基、烷氧基、烷硫基、 芳基、芳氧基、芳総基及芳基絲基；更佳為烧基、烧 (修正本）314143 26 1249542 二、烷硫基、芳氧基及芳基 乳基、芳氧基及芳基燒氧基。 ^ ^ 0 ^3 ° ^ 為（1。去 、 bb較仏為2或更小。aa及bb更佳 二bb: Γ為2或更大時’複數個R33可彼此相同或不同。 “匕為2或更大時’複數個R34可彼此相同或不同。

化合物的環中#八原子基。^6所示之稠合多環芳香族 至所含碳原子數通常約為6至60個。較佳為2 遺、;:本;之f香族化合物。具體而言，示例有蔡、 蒽。由、、六的北丁名、戊省、蒯、暈苯等，較佳為萘及 η度的觀點來看，較佳為含有至少-個取代基者。 所示之^價拥合多環芳香族化合物基，較佳為下式⑺ r9 a

Rio) b (7) 獨 之敕I A 立表示Ri相同之基；a及b各自表示〇至 ^ ^為2或更大時，複數個Rg可彼此相同或不同 田為2或更大日寺，複㈣Ri〇可彼此相同或不同。 —:於匕及Rl。較佳為烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 方乳基、芳錢基及芳纽氧基；更佳為烧基、烧氧基、 (修正本）3〗4】43 27 1249542 烷硫基、芳氧基及芳基烷氧基；又更佳為燒氧爲 — 及芳基烷氧基。 羊土方氧基

式（7)中，由溶解度的觀點來看，較# A 丨土冷a及b兩者苴 中之一不為〇,更佳為a及b各自獨立為1至2。 “ 二價稠合多環雜環化合物基為自稠合 移除兩個氯原子之原子基士6所示之祠合多；== 意指具有環狀結構之有機化合物，此處 : 结構中除了碳原子以外’亦包含雜原子如 氣、鱗、石朋、坤、妙等作為 ，寻作马兀素者。該環中 數較佳約為6至60,更佳A 斤各之石反原子 _ 文彳為6至3〇。具體而言，較俨A _ 啉、喹喏啉、^丫咬 軚仏為喹 非繞啉、笨开噁唑、笨并噻唑、芏並 土土本开噻—唑、二苯并呋喃、-y ^ 較佳Λ眩·—, 一本开11卷吩、咔唑等， L為喹啉、本开喔嚷唾、咳 的觀點來看，妒杜人士 土一丄及味唾。由溶解度 規2耒看較佳含有至少一個取代基。

(11)

Μ及R£I各自獨立表示與L 示0至4之整數。杏〇 : " 土。0及Ρ各自獨立表 同或不同，·者η及9 :、或更大日丁，被數個h。可彼此相 田Ρ為2或主、一 同；X?為〇、S或Μ p 、’设數個Rn可彼此相同或不 u -X IV-K22 ή/ ς i π π 或所示之Λ。^ 一 lR23R2"L及L各自獨立表示Ν "22至R25各自獨立表示氫原子、烷基、 (修正本）3 MM3 28 1249542 芳基、芳基烷基，或單價雜環化合物基。 R2〇及R2!各自獨立表示烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、 芳基烷基、芳基烷氧基及氰基，更佳為烷氧基、芳氧基、 芳基烷氧基及氰基。 式（11)中，0及p各自獨立表示0至4之整數。由合 成的觀點來看，〇及p各自獨立較佳為3或更小，且 為0至2。 &

Ru至R25各自獨立表示氫原子、具有i至2〇個碳原子 之烧基二具有6至6G個碳原子之芳基、具有7至6〇個碳 原子之方基烷基及具有4至60個碳原子之單價雜環化合物 基。Rn至R24較佳為芳基。 至於在式（⑴重複單元中心之5員環的實例，包括。惡 一唑、二唑、噻吩、呋喃、矽烷醇（si丨01)等。 至於二價稠合多環雜環化合物基，較佳為下式（1〇)所 示之基。

(10)

及An各自獨立表示可具有取代基之芳撐基，或二價雜 環化合物基；Rl9表示與Rl相同之基。g表示〇至^之整數。 當g為2或更大時，複數個Ri9可彼此相同或不 自0或S。 … 較佳為烧基、烧氧基、芳基、芳氧基、芳基烧基 (修正本）3 Μ M3 29 1249542 芳基烧氧基及氰基；更佳為燒基、芳基、芳基烧基及氛基。 式（10)中，L較佳為S。 一 =(1 0)中的An及An，例如為苯撐基、噻吩撐基、萘 -基等。至於含有Ar7及Ar8之結構，更特定言之，示例有 下列結構。

=芳香族胺化合物基為自經2個或多個芳基取代之 月女化5物移除兩個氫原 甚苴〜 |乳原于之原子基。不例有芳基、苯基、 π基、恩基、菲基等。 基 ；仏芳香私胺化合物基，較佳為下式（14)所示之

"(14) 自獨:二及::各自獨立表示與1"相同之基”及j 或2。當：之整數°k表示◦至5之整數。… 當』為2//或更大時，複數個^可彼此相同或不斤 為2或更^大時’複魏可彼此相同或不同。當: τ，複數個I可彼此相同或不同。 (修正本）3】4143 30 1249542 至於 基、芳氧基 基、烷硫基 基0 、尺38及R39較佳為烷基、烷氧基、烷硫基、芳 芳基烷基及芳基烷氧基；更佳為烷基、烷氧 芳氧基及芳基烷氧基；又更佳為烷基及烷氧 為〇 ΐ2/自示0至4之整數’較佳 =;之取代位置，由合成的觀點來看，較佳為丄 二由碳—碳單鍵使鄰近於-個Ν之兩個苯環連 咔唑環較好由合成的觀點來看，藉由連接所生成之 車乂好具有包含在主鏈中的結構。 之 基。；饧方香族胺化合物基，較佳為下式（15)所示 (R4L ( R4L (

Mgg R 4 0 至 R 4 4 久 一（15) κ“。自獨立表示與R丨相同之基。 獨立表示〇至4之整數。 ：…:各自 可彼此相P1斗、 勹乙及更大日寸，複數個R4〇 此相同心不：。當⑸為2或更大時，複數個^可彼 同或不同=及“:：2或更大時’複數個R42可彼此相 2或更大t、-*gg獨立表不〇至5之整數。當ff為 更大可彼此相同或不同。當祕或 T，锼數個R44可相同或不同。 (修正本）314] 43 31 1249542 芳氧= 較佳為燒基、炫氧基、貌硫基、芳基、 氧:基二基炫氧基;更佳為一氧基、 ★ 方基—基，·又更佳為炫基及统氧基。 2 )中，CC、dd及ee各自獨立表示〇至4之整數， :=2。〜表示。至5之整數，較佳為。至2, 看之取代w觀點來 一個N'原子之對位位置。可藉由碳-碳單鍵使鄰近於 一们N之兩個苯環連接以形成咔唑環。 彼等包括上述式⑴所示之重複單元及至少一個上式 至（15)所示之重複單元者，亦為本發明之實施形能。 基、Lttl聚合化合物之重複單元中，當芳香族化^物 代美；：桩σ物基、或乙烯撐基具有取代基時，相鄰之取 代基可連接以形成環。 基所2取代基含有烧基鍵時，該院基鍵可由含雜原子之 =’由於若聚合活性基保持完整時，當該營光物質 衣“置可能會降低發光特性及壽I，因此聚合化合物之 也可用安定基予以保護。較佳為具有連接至主鏈共 £、，·。冓之共輛鍵者，示例之結構有藉由碳—碳鍵連 或雜環化合物基者。特定言之，示例有日本 = 9-45478號中化學式1〇之取代基。 申。月木弟 再者’在不使螢光性f及電荷傳送性f劣化的範圍 内’此聚合化合物可含有式⑴至（15)所示之重複單元以外 之重複單元。再者，式⑴至（15)所示之重複單元及复他重 (修正本）314143 32 1249542 可=輛單元或重複單元中所含之此等非共扼部 ^結結構’可示例那些^於下述化學式者、 =下述化學式者與乙稀樓基之組合者、那些示於下 ^匕:式者之兩個或更多個之組合者等。此處，r表示盘 相同之基…表示具有6至60個碳原子之炉基。

R -0- -S- 一☆一一 一丄·

R

R ?

Ο 〇 一 C- —C-〇— —0-C— —N-C— I R R I 一 C- I R 〇 II -C-N- ? 0 C 11 <3>一 —A(C II 〇 0

R

II π Η - n:ca々n 一一 c=c— 此聚合化合物亦可為無規、嵌段或接枝共聚物 ::中間體結構之聚合物’例如’具有封阻性質之無規共 :v得具有高螢光量子產率之聚合化合物的觀點來 :具有封阻性質之無規共聚物及歲段或接枝共聚物比完 全無規共聚物更佳。且該聚合化合物可具有分支域及: 個=上之末端基。再者，該聚合化合物亦包含正規地成長 之树狀物（dendrimer)或具有無規分支之結構。 &再者，由於係利用自薄膜發光之故，因此適合使用於 固態下顯示螢光之聚合化合物。 、 至方；承合化合物的良好溶劑，可示例氣仿、二氣甲烷、 二乳乙垸、四氫咲喃、甲苯、三甲苯、均三甲苯、蔡滿、 奈烷、正-丁基苯等。雖然用量視聚合化合物之結構及分子 (修正本）3MM3 33 1249542 量溶 量而定’但聚合化合物通常可以〇, i重量%或更大的用 解於這些溶劑中。 、水口4化合物具有1〇3至1〇8,較佳為104至10、且更佳 為2x1 〇至1Q之聚苯乙烯折合數目平均分子量。 士當使用這些聚合化合物作為聚合物LED之發光材料 π 一1光f生貝叉其純度影響，因此，較佳在聚合前先藉由 士:知幵華純化、再結晶等方法純化單體，再者，較佳 在合成之後進行如再沈殿純化、色層分離等純化處理。· 本發明之聚合化合物不僅可作為發光材料，亦可作為| 有機半導體材料、光學材料，或藉由摻雜作為導電材料。 以下將說明本發明之聚合化合物的製造方法。 至於本發明之聚合化合物的製造方法，例如，當主鏈 中含有乙烯撐基時，可述及曰本專利申請案第5 —2〇2355 唬所述之方法。亦即，可示例方法如依據威提格 反應之具有醛基之化合物與具有鱗鹽基之化合物的聚合反 應，或具有醛基及鐫鹽基之化合物的聚合反應，依據黑克 (Heck)反應之具有乙烯基之化合物與具有函素基之化合物| 的水合反應’或具有乙稀基及鹵素基之化合物的聚合反 應’依據侯納-瓦沃氏—依曼斯（H〇rner—wadsw〇rth—E_〇ns). 反應之具有醛基之化合物與具有烷基膦酸酯基之化合物的· ♦ 3反應’或具有搭基及烧基膦酸g旨基之化合物的聚合反 應’依據去氫鹵化方法之具有兩個或更多個鹵化甲基之化 合物的縮聚反應，依據鎏鹽分解方法之具有兩個或更多個 签鹽基之化合物的縮聚反應，依據諾溫那捷（Knoevenagel) 34 (修正本）314143 1249542 ，反應之具有醛基之化合物與具有乙腈基之化合物的聚合反 · 應，或具有醛基及乙腈基之化合物的聚合反應，依據麥莫 利（McMurry)反應之具有兩個或更多個醛基之化合物的聚、 合反應等。 ~

當主鏈中不含乙烯撐基時，例如，可示例藉由鈐木偶 合反應之由對應單體聚合的方法，藉由格里納反應的聚合 方法，使用Ni(〇)觸媒的聚合方法，使用氧化劑如FeCh B 等的聚合方法，電化學之氧化聚合方法，具有適合釋放基· 之中間體聚合物的分解方法等。 | 其中’較佳為藉由威提格反應的聚合方法，藉由專克 反應的聚合方法，藉由侯納—瓦沃氏—依曼斯方法的聚合方 法，藉由諾溫那捷反應的聚合方法，藉由鈴木偶合反應的 聚合方法，藉由格里納反應的聚合方法及使用Ni(〇)觸媒 的聚合方法，此乃由於這些方法中結構控制容易之故。 特定言之，例如，需要的話，將使用作為單體之具有 複數個反應性取代基之化合物溶解於有機溶劑中，且可使 用驗或適合觸媒在熔解溫度或更高溫度及有機溶劑的滞點# 或更低溫度下反應。例如，可使用見述於，，有機反應，，，第 14 冊第 270 至 490 頁，J〇hn Wiley & Sons，lnc·，1 965， · “有機反應”，第 27 冊第 345 至 390 頁，JohnWlley&S〇ns， · Inc·，1 982，“有機合成”，集合冊vi，第407至411頁，John Wiley & Sons，lnc·，1 988，化學回顧，第 95 冊，第 245 7 頁（1 995)，有機金屬化學期刊，第576冊，第147頁（1 999)， 實用化學期刊，第336冊，第247頁（1994)，大分子化學 35 (修正本）3】4丨43 1249542 大分子論集，第12冊，第229頁（ 1 987)等已知方法。 較佳係使所使用的有機溶劑進行充分的去氧化處理且 反應係在惰性氣氣下進行（通常係為了抑制副反應、），傳管 此處理係視所使用之化合物及反應而不同。再者，同樣地 係以進行脫水處理（然而，此在具有水之兩相系統之反應， 如鈴木偶合反應的情形下不適用）為較佳。 就反應而言，可適當地添加鹼或適合的觸媒。這些可 依據所使用的反應予以選擇。鹼或觸媒較佳可充分地溶解 於反應所使用的溶劑中。至於混合鹼或觸媒的方法，可示 例缓慢地添加鹼或觸媒之溶液同時在氬及氮等之内部氣氛 籠罩下授拌的方法或相反地將反m岐地添加至驗或 觸媒之溶液中的方法。 更特定言之，關於反應條件，在威提格反應、侯納反

應、諾溫那捷反應等情形下，以單體之官能基量計，係使 用相等或更大用量，較佳為u 3當量之驗並使其反應。 鹼亚無特別限制，例如，可使用金屬烷醇鹽如第三丁醇鉀、 第三丁醇鈉、乙醇鈉、曱醇鋰等’氫化物試劑如氫化鈉等， 醯胺如胺基鈉等。至於溶劑，可使用m基曱酿胺、 四氯咲°南、二。惡烧、甲苯等。反應通常可在室溫至約150 C之反應溫度下進行。反應時間為’例如，5分鐘至40小 時乂可允許聚合反應充分進行的時間，而由於在反應完 成後無需留下長時間，故反應時間較佳為10分鐘至24小 =。士應中的濃度可有利地在約G.G1重量％至最大溶液濃 又之犯圍内予以適當地選擇’此乃由於當濃度太低時，反 (修正本）3】4143 36 1249542 :旦。〃而田太呵％，反應控制困難，一般範圍為〇· 1 ^里1 f量％°在黑克反應的情形下，使⑽觸媒，在 二；：Γ寺ΐ存在中使單體反應。此反應係使用具有相 等，乂Γ约Γ之浴剩如Ν’Ν一二甲基？酿胺、基叶卜各烧酮 、0至160C之反應溫度進行約J至1〇 應時間。 τ *在龄木偶合反應之情形下，例如使用纪[肆（三苯基 一 等作為觸媒，而無機驗如碳酸鉀、碳酸納、 二：::等#機鹼如二乙胺等’及無機鹽如氟化鉋等較' =相寺量’更佳為以單體計之U1Q當量之用量添加及 反應。亦可使用呈水溶液之無機鹽並於兩相 至於溶劑’可示例以-二甲基甲醒胺、曱苯、二曱氧紅 烷、四虱咲。南等。視溶劑而定，較佳使用5〇至16代之、、田 度。亦可使溫度提升至接近於溶劑的彿點， ^ 反應時間為約1至200小時。 ΓΜ、^ ^里内反應之情形下，可示例其中函化物與金屬鎂 (g)在Μ溶劑如四氫咲喃、二乙趟、二甲氧基乙烧等中{ 反應以製備與分別製備之單體溶液混合之格里納試劑，再 :加鎳或！巴觸媒同時注意過度反應，然後，使反應溫度提 升至迴2使反應進行。以相等量，較佳為以單體計之】 “ 1更it為1至1. 2當量之用量使用格里納試劑。 卜藉由上述以外之方法之聚合反應的情形下，亦可藉 由已知方法進行反應。 曰 其次，將說明本發明之聚合物LED。關於本發明之聚 (修正本）3M143 37 1249542 合物LED的、纟士播 # + , 吟極 、、°， 、在至^、一者為透明或半透明之陽極與 ;中：子發光層，而本發明之聚合化合物係包含於發光 發光=二聚:物：可列出具有設置在陰極與 ::θ間之電洞傳送層之聚合物LED，具有設 * 發光層間之雷；嫂、、，陆、， κ枉14 、、同傳、以 層亚具有設置在陽極與發光層間之電 洞傳达層之聚合物led。 包

再者，至於本發明之聚合物LED , 處具有—層包含設置在:在4近於電極 物的裝置；在鄰…極；且：=發先層間之導電聚合 層間之2nm或设置在至少一電極與發光 戈更小居度之絕緣層的裝置。 θ例如，可特定地示例下述結構a)至d)。 陽極/發光層/陰極 » 陽極/電洞傳送層/發光層/陰極 ，極/發光層/電子傳送層/陰極 陽極/電洞傳送層/發光層/電子傳送層/陰極 中，/表示相鄰之層合層。） 本文中，發光層為具有發光功 呈有值if η此之層，電洞傳送層A ::傳…功能之層，電子傳送層為具 二層為 之層。本文中，電子傳送層及電洞傳送 ^子功能 層。發光層、電洞傳送層及電子 :％為氣荷傳送 用於兩層或更多層中。 ’ k/、可各自獨立地使 設置在鄰近於電極之電荷 盾具有自電極改良電 (修正本）314143 38 1249542 荷注入效率之功能及具有降低裝置之驅動 常有時特別稱為電荷注入電、、 ^功效者通 ^了压人層“射人層、電子注入層）。 亦可電極的黏附性並改良自電極之電荷注入， 亦了在鄰近於電極處提供上述之電荷注入 更小厚度之絕緣層，進一步，為 有ηιη或 止、、e入聱彳叮— 為了 k歼界面的黏附性，防 衝：亦可在電荷傳送層與發光層的界面中插置薄緩 層合之層的次序和數目及各層的厚度可 用但需同時考慮到裝置的發光效率及壽命。u心 本發明中，至於所提供之具有電荷注 層、電洞注入層）之聚合物LED, ^入 形诸夕雪尸a „ 幻出具有鄰近於陰極所 二=T 合物LED及具有鄰近於陽極所形成 之兒何注入層之聚合物LED。 例如，可特定地示例下述結構e)至p)。 e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極 Ο陽極/發光層/電荷注入層/陰極 h) j^ °包何/主入層/發光層/電荷注入層/陰極 丨 θ亟/包何〉主入層/電洞傳送層/發光層/陰極 ^極/電洞傳送層/發光層/電荷注入層/陰極 /陰j /電荷注入層/電洞傳送層/發光層/電荷注入層 )，極/兒何注入層/發光層/電子傳送層，陰極 陽極/發光層/電子傳送層/電荷注入層/陰極 ㈤陽極/電荷注入層/發光層/電子傳送層/電荷注入層 (修正本）314143 39 • 1249542 . /陰極 η) 1%極/電荷注入、 /陰極 & 日/电洞傳送層/發光層/電子傳送層 〇)陽極/電洞傳送厣 /陰極 3务光層/電子傳送層/電荷注入層 Ρ)陽極/電荷注 /電荷注入層/陰極 電洞傳送層/發光層/電子傳送層 之層至層的特定實例，可示例含有導電聚合物

料之電離電位與含於 有/、有；丨於1%極材 ^ . Pe _ 、电/同傳送層中之電洞傳送材料之電籬 電位=之電離電位之材料之層等。 料之私離 取人^述之電荷注入層為含有導電聚合物之層時，導電 :二=電為率較!為1〜 佳為1 r S/Cm或了更:低=口 (。1 Xel)間的漏”流’更 s/cm或 一更大’或者los/cm或更小，又更佳為10-5 次更大，或者l〇is/cm或更小。

，常’為了提供nr5s/c：m或更大，或者1G3s/cm ’、^電聚合物的導電率，可摻雜適合量之離子至 合物中。 里<雕子至導電聚 ::摻雜之離子的種類，在電洞注入層中使用陰離子 只二注入層中使用陽離子。至於陰離子的實例，可示 乙稀續酸鹽離子、烧基苯續酸鹽離子、樟腦續酸鹽 ’’至於陽離子的實例，可示例兹離子、鋼離子 離子、四丁基銨離子等。 (修正本）3丨4143 40 1249542 nm至1 〇〇nm，較佳為2nm 電荷注入層的厚度為例如 至 50nm 。 …使用於甩荷注入層之材料可鑑於與電極及相鄰層之 ::關係而予以適合地選擇，可示例導電聚合物如聚笨胺 含/、ή生物+ 〇卷吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚（苯 撐乙烯撐）及其衍生物、聚（噻吩樓乙晞樓）及其衍生^ f林=其衍生物、聚嘆。若啉及其衍生物，在主鏈或側鏈中. "芳曰知知、纟°構之聚合物等，及金屬酞菁（銅献菁等）、

碳等。 I 八有2nm或更小厚度之絕緣層具有使電荷容易注入的 功月b。至於上述絕緣層的材料，可列出金屬氟化物、金屬 氧化物、有機絕緣材料等。至於具有厚度為2_或更小之 絶緣層之聚合物LED，可列出具有相鄰於陰極提供之厚度 f 2nm或更小之絕緣層之聚合物LED，及具有相鄰於陽極 提供之厚度為2nm或更小之絕緣層之聚合物LED。 更特定地說，可列出，例如下述結構q)至ab)。 Q)陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/發光層/陰極· r) 陽極/發光層/具有2nm或更小厚度之絕緣層/陰極 s) 陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/發光層/具有 . 2nm或更小厚度之絕緣層/陰極 · t) 陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/電洞傳送層/ 發光層/陰極 U)陽極/電洞傳送層/發光層/具有2nm或更小厚度之 絕緣層/陰極 41 (修正本）314143 1249542 V) 陽極/具冑2-或更小厚度之絕緣層/電洞傳送層/ 兔光層/具有2nm或更小厚度之絕緣層/陰極 W) 陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/發 傳送層/陰極 X) 陽極/發光層/電子傳送層/具有2随或 絕緣層/陰極 /)陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/發光層/電子 專达層/具有2⑽或更小厚度之絕緣層/陰極

Z)陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/電洞傳送層/ 务光層/電子傳送層/陰極 aa) 陽極/電洞傳送層/發光層/電子傳送層/具有^ 或更小厚度之絕緣層/陰極 ab) 陽極/具有2nm或更小厚度之絕緣層/電洞傳送層/ 备先=電子傳送層/具有2nm或更小厚度之絕緣層/陰極 之二t =合物⑽中，當由使用該種可溶於有機溶劑

==乾燥移除溶劑，而且即使在混合電荷傳送 時’亦可應用相同方法，導致在製造 利： 溶液形成膜之方法，可使用塗覆法如旋轉塗覆法、 =二ΤΓ覆法、凹版印刷塗覆法 滚同塗復法、錦棒塗覆法、浸潰塗覆法、 網版印刷法、矛肱m W ,Χ 牙务土復去、 刷法等。本版⑴咖）印刷法、平版印刷法、噴墨印 關於發光層的厚度，最佳值視所使用的材料而不同， (修正本）314143 42 1249542 且了予以適當地選擇使得听+ A 7义， 動电屋及發光效率變成最佳 土 A …、、lnm至^ ’較佳為2nm至500歷，又更 Y土為 5ηιη 至 20Gnin。 化人=㈣之聚合物LED中，發光層中亦可混合上述聚合 外之發光材料。再者，本發明之聚合物⑽中， 物以外之發光材料之發光層亦可與含有 上述♦合化合物之發光層層合。 仆人：！用已知材料作為發光材料。在具有較低分子量之 :物=可使用’例如，萘衍生物、Μ或其衍生物、花 何生物；染料如聚次甲基染料、㈣染料、香豆素毕 ^ Μ監㈣；8_經基_或料生物之金屬錯合物、 :曰無胺、四苯基環錢或其衍生物 其衍生物等。 +丞〗—肺或 JP = 定言之’例如，可使用已知化合物如那些見述於 JP-Aj 57-51 78卜 59_1 95393 號者等。

物或層含^本發明之聚合化合物時，可與已知聚合 2、ϋ子！電荷傳送材料混合。至於電荷傳送材 粗：I使用下列正電洞傳送層及電子傳送層所使用之材 人者’在不知及發光性質之範圍内，可於發光層中混 二。不具發光性f也沒有電荷傳送性質的有機或無機封 :本發明之聚合物LED具有電洞傳送層時，使用作為 rrt材料者’可示例聚乙稀基味唾或其衍生物、聚石夕 W -何生物、在側鏈或主鏈中具有芳香族胺之聚石夕氧烷 (修正本）3】4】43 43 1249542 2生物、吡哇啉衍生物、芳基胺衍生物 ««各或其衍生物物、㈣吩或其衍生物、 吩乙料）或其衍生物、聚 63 7ί^Γ傳达材料的特定實例包含那些見述於JP — A第 ^ 37992 及 3-152184 號者。 一中至方、使用於電洞傳送層中之電洞傳送姑粗，私 佳為聚合物電洞傳送材料 ’、 又 ㈣如伞乙細基昨唾或其衍生物、聚 :或二、舟生物、在側鏈或主鏈甲具有芳香族胺化合物基 之承矽乳烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚咦一二 =、聚（對-苯撐乙烯撐）或其衍生物、聚α5:噻；^烯 撐）或其衍生物等，又更佳為聚乙烯基昨唾或其衍生物、聚 石夕烧或其衍生物及在側鏈或主鏈中具有芳香族胺化合物基 产二1何t物。在具有較低分子量之電洞傳送材料i 月/下，其較佳分散於所使用之聚合物黏合劑中。 聚乙烯基咔唑或其衍生物係藉由，例如，自乙烯基單 體之陽離子聚合反應或自纟絲合反應所獲料。土早 至於聚矽烷或其衍生物，可示例見述於化學回顧，89 1359(1989)及GB23001 96公開之專利說明書中等化合物二， 至於合成’可使用見述於其中之方法’且特別適合使用吉 平（Kipping)法。 口 至於聚矽氧烷或及衍生物，係那些在側鏈或主鏈中具 有上述較低分子量之電洞傳送材料之結構者，此乃由於ς (修正本）3Μ143 44 1249542 =主結構具有不良電洞傳送性質之故 二在側鏈或主鏈中具有電洞傳送性質之，可示例那 電洞傳送層的形成方法並I:::族胺者。 ，傳送層的情形下，可示例由j有；：有，低分子量 合洛液形成層之方、去。 人 ♦口物黏合劑之混 了不例由溶液形成層之方法。 才抖之&形下， 由溶液形成膜所使用之溶劑並 溶解電洞傳送材料即可。至於溶 ：:二只要其可 二氯甲燒、二氣乙炫等，劑如四氯二如氯仿、 溶劑如甲苯、二甲苯等，嗣溶劑如丙酮、甲南=乙:香族烴 及酯溶劑如乙酸乙酯、 甲基乙基鲷等， ,^ ι丁®曰、乙基溶纖素乙酸酯箄。 至於自溶液形成膜之方法 冷 久®曰寺。 法、澆鑄法、忾凹卩幻条φ 用主復法如旋轉塗覆 淹，本 相印刷塗覆法、凹版印刷塗覆法、修挟 卫復法、滾筒塗覆法、 仏払 覆法、網版印刷法、矛版二塗覆法、嘴霧塗 法等。 *版印刷法、平版印刷法、噴墨印刷 混合之聚合物黏合劑較佳為不會極端 :物使用不具有強烈可見光吸收性者二 ;了不例反酸酯、聚丙烯酸醋、聚(丙烯酸甲 氧i等 稀酸甲酉旨）、聚苯乙稀、聚（氣乙烯）、聚石夕 3關於电洞傳送層的厚度，最佳值視所使用之材料而不 ^且可予以適當地選擇使得驅動電壓及發光效率變成最 u直，且至少冑為不產生針孔之厚纟m的厚度亦不 (修正本）314143 45 1249542 佳’此乃由於會增加裝置的驅動電壓之故。因&，電洞傳 送層的厚度為’例如職至，較佳為2關至5〇〇⑽， 更佳為5ηιη至200nm。 當本發明之聚合物LED具有電子傳送層時，可使用已 知化合物作為電子傳送材料，且可示例。惡二唾衍生物、菌 醒二W或其射物、苯㈣其街生物、萘㈣其衍生物、 恩酉昆或其衍生物、四氰青蒽醒二甲烧或其衍生物、努啊衍 生物、二苯基二氰基乙稀或其衍生物、聯對苯酉昆衍生物， 或8-經基嗤啉或其衍生物的金屬錯合物、聚嗤 物、聚_啉及其衍生物、聚以其料物等。-…f特定地說’可示例那些具述於JP-A第63 —70257、 1 75860、2-13535Q、9 1 π⑽。 3-刷84 號者 135361、2—2〇"88、3-3聰及 二 軏佺為噁一唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌 i啉：i: 8—羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚

:爭伴：何生物、聚喹喏啉及其衍生物、聚芴或其衍生物’ 唾、ΐϋ4醉聯笨）—5—(4 一第三丁基苯基卜1，3,4-。惡二 ^ *bb恩i、苓（8—喹啉酚）鋁及聚喹啉。 旦㊆傳〔層的形成方法並無特別限制，在具有較低分 法或Γ子傳达材料之情形下’可示例自粉末之蒸氣沈積 送_之=或炫融狀態之膜形成法，及在聚合物電子傳 法。 Θ /下，可分別示例自溶液或熔融狀態之膜形成 以 文或蛤嘁狀態形成膜時，可一起使用聚合物黏合 (修 JL 本）314143 46 1249542 劑。 溶’夜形成膜所使用的溶劑並I #

溶解電子偉d卫”、、知別限制，只要Α可 电子傳延材料及/或聚合物黏 U 不例氯溶劑如氣仿'二氣甲烧二至於叫可 氯咲喃等，芳香族烴溶劑如甲笨：=;，，容劑如四 m、甲基乙基酉同等，及护、…十t 一甲本寺，酮溶劑如丙 基)谷纖素乙酸酯等。 _ 知、乙 至於自溶液或㈣狀態形絲之方法 如旋轉爹覆、、表、％ Μ定用塗覆法 轉：设法、邊鑄法、微凹版印刷塗覆法、 设法、條棒塗覆法、滾筒塗覆法 b 1 法、嘴霧塗覆法、網版印刷法、羊版印刷心貝塗覆 喷墨印刷法等。 屬刷法、平版印刷法、 、“ 2合之聚合物黏合缝佳為不會極端地干擾電荷傳 ^貝，且且使用不具有強烈可見光吸收性者。至於此 種聚合物黏合劑，可示例聚(N_乙烯基咔唑）、聚苯胺或其 何生物、聚噻吩或其衍生物、聚（對—苯撐乙烯撐）或其衍生 物、聚（2, 5-噻吩樓乙稀樓）或其衍生物、聚碳酸酷Γ聚丙 烯酸酯、聚（丙烯酸甲酯）、聚（曱基丙烯酸曱酯）、聚苯乙 烯、聚（氯乙烯）、聚石夕氧烧等。 一關於電子傳送層的厚度，最佳值視所使用的材料而不 同，且可予以適當地選擇使得驅動電壓及發光效率變成最 佳值，且厚度至少需不產生針孔者，而太大的厚度亦不佳， 此乃由於會增加裝置的驅動電壓之故。因此，電子傳送層 的厚度為，例如，lnm至1 //in，較佳為2nm至50〇nm ,又 (修正本）314143 47 1249542 更仏為5nm至200測。 形成本發明聚合物L E D之基材較佳 有機材料層時不改從去 為在形成電極及 竹卄層日守不改.交者，且可示例玻璃、塑膠、取 I:者在则基材的情形下，對側電極二： 本發明中，陽極較佳為透明 子導電金屬1U卜骗π丄 #且可使用電 、， 物胰、半透明金屬薄膜等作為此陽 料。更特定地說，可使用顏化如" 下為此％極的材 ^ 吏用乳化銦、氧化鋅、氧化錫，及使 n舲，.乳化物（IT〇)、銦.鋅.氧化物等（1為全屬 i)，二物):組成之電子導電玻璃所製成之膜材咖 M /h 4^n ^ ，、中，較佳為I TO、銦·鋅· 乳化物、氧化錫。至於製造方法，可使用直，辛 濺鍍法、離子電鍍法、带 ”工瘵軋沈積法、 機透明導電膜如个笨月^:寻於陽極’亦可使用有 〜錢或其何生物、聚齡或其射物等。 心及透光率及導雷率 擇例如，1〇咖至1G/ * 厚度可予以適當地選 W5_ra。㈣’較佳為2一"，又更佳為彳 菁衍=導可在陽極上提供包括： 屬气作° 奴寺之層、或包括金屬氧化物、金 =化物、有機絕緣材料等之平均膜厚度為^或更小之 為且使用於本發明聚合物⑽中之陰極的材料，較佳 :、、雜乂氐功函數者。例如’可使用金屬如鋰、鈉、鉀、 …鉋、鈹、鎂，、銷、鋇、紹、銳、鈒、鋅、妃、銦、 (修正本）314143 48 1249542 姉、髟、銷、試、镱等，或包括其中之兩個或更多個之合 金’或包括其中之-個或多個與金、銀、翻、銅、猛、欽° 始、錄二鎮及錫中之一個或多個之合金、石墨或石墨嵌加 化合物等。合金的實例包含鎂_銀合金、鎂-銦合金、鎂 紹合金、銦-銀合金ϋ合金H合金 心呂合金等。陰極可形成成兩層或更多層的層合結構。

擇例：及IT率及導電率下，陰極的厚度可予以適當地選 擇例如，W至1Mm，較佳為別⑽至丨^，又 50龍至500nm。 1為 陰極的製造方法’可使用真空蒸氣沈積法、濺鍍 …在…、及壓力下黏附金屬薄膜之層合法等。再者： 在陰極與有機層間提供包括導電聚合物之層，或包括全: 氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材料 、，屬 或更小之層，而且在險極制女 』胰/子度為

之保谁# ml衣 亦可提供保護聚合物LED '、又_為了長4穩定使用該聚合物LED，較佳提#用

於保護裝置之保護層及/或保護蓋以防止其受到:二用。 ::保護層’可使用聚合物化合物、金屬氧化物、、； ^匕物、金屬顯鹽等。至於保護蓋，可使 : 低水份渗透處理之塑膠板等，且適合使用藉由 熱固性樹脂或光固性樹脂使保護蓋與裝置基材封 、方：。若使用間隔板保持空間，則容易防止 铴σ。右在此空間中封入 防止陰極氧化，再 二““乳及職，則可能 化鋇等，容易抑=置空間中放置乾燥劑如氧 衣置叉到製造過程中所附著之水氣的損 (修正本）3MM3 49 1249542 害。其中，較佳採用任一種或更多種方法。 一本發明之聚合物LED可適當地作為平面光源、分段顯 不益、、點陣顯示器、以及液晶顯示器之背光。 、 木為了使用本發明之聚合物LE〇獲得平面狀發光，可適 *地放置平面狀之陽極與陰極使得其彼此層合。再 、=得圖樣狀發光，有將具有圖樣狀視窗之光罩放置在： 二裝置上之方法，形成非發光部份之有機層以獲 于提ί、Λ貝上非發光之極大厚产 榀式险κ , 位穴y子度之方法，及以圖樣形成陽 ::極之任一者’或其兩者之方法。藉由以這些方法之 ^者形成圖樣或放置—些電極使得獨立開啟/閉合成為 可月b，而獲得可顯示數字、字母、、 示哭驻耍 3早付號專S段型的顯 /、时t 。再者，為了形成點矩陣裝置，可有利地將陽搞 與陰極製成條狀再予以放置使得1 、 〇 放置複數種發出不同顏色光之:::二角父叉。藉由分開 色态或务光轉換過濾器的方法，庐 __ 心

重顏色顯示器。點陣顯示器可藉^皮色顯不器及多 合之主動驅動等…，或與TFT組 腦、電視機、攜帶式終二;装置可使用作為電 影像相機之取景器等的顯示器、汽車領航器、 再者，上述之平面狀發光裝置為薄的自身發 且可適合地使用作為液晶顯示哭 " 為日召明用Μ单Af% , „ 。。之月先的平面光源，或作 芍…月用的千面先源。再者 用作為曲面光源或顯示器。 -曲板’則其亦可使 【實施方式】 (修正本）3〗4】43 50 1249542 •下述實施例進一步詳細說明本發明但不侷限其範圍。 此處，關於數目平均分子量、聚苯乙烯折合平均分子 I係使用氯仿作為溶劑藉由凝膠滲透層析術（GPC)所獲得 者。 ^ 實施例1

<N，N-雙（4-溴苯基）-N’，N，—二苯基—丨，4—苯二胺之合成〉 將醋酸雀巴〇· 09g(0. 4mmol)、參（2~甲基苯其）鱗 (0.268g，0.85mm〇l)以及甲苯20ml置入反應器中，然後於 室溫攪拌30分鐘，當此混合溶液轉為均一之黃色溶液時， 加入參（4-溴苯基）胺（9.64g，20mmol)、第三丁氧化鈉 (2.75g，28_〇1)及甲苯70ml並加熱。當開始迴流時滴加 入溶於50ml甲苯之二苯基胺（3.32g，19 6_〇1);於此滴 加步驟結束後加熱持續迴流9小時。然後冷卻至室溫，以 鹽酸處理並以甲苯萃取而後乾燥。將甲苯蒸餾掉而得棕色 之油狀物。以石夕膠管柱層析法純化，而以曱苯：環己烧=1 :

10之混和溶液作洗提液，而得白色固體（3. 16g，28%)。 〈聚合化合物1之製造〉 將N，N-雙（4-溴苯基）-N’，Ν’-二苯基—1，4-笨二胺 0· 64g、2, 7-二溴-9, 9-二辛基芴 1· 44g 及 2, 2，-聯二吡啶 1· 38g溶解於四氫呋喃（無水物）100ml中，並以氮氣吹泡入 内使系統内脫氣。於此溶液中添加2 · 5 g雙（1，5 -環辛二稀） 鎳（0)’於室溫攪拌此混合物1 〇分鐘，然後，將溫度升高 至60°C反應3小時。 冷卻此反應液後，加入15〇ml曱醇/150ml離子交換水 51 (修正本）314143 1249542 之混合溶液，攪拌約一小時。之後使之於室溫下靜置一晚， 而得到沉澱物並將之濾取。接下來將沉澱物乾燥並以曱苯 溶解。將不溶物濾掉後用矽膠/氧化鋁充填之管柱來純化。 藉由將該曱苯溶液倒入曱醇進行再沉澱純化。收集所得之 沉澱物以及以減壓方式乾燥，而得〇· 8g之聚合物。所得之 聚合物即為聚合化合物1。

此聚合化合物1之聚苯乙烯折合數目平均分子量為 3· 7x 1〇4。 聚合化合物1所包含之結構由所置入之物質單體推 估，係如下所述。 實施例2 <N，N-雙（4-漠苯基）-Ν’-（3-曱基苯基）- Ν’ -苯基聯苯胺之 合成〉 ~ 將雙（4-溴苯基）胺（1.29g，3· 9mmol)、Ν-(4，-峨聯苯 _4-基）-N-（間-甲苯基）苯胺（2.0g，4· 3mmol )、1，1 〇-菲繞 啉（0· 052g，〇· 29mmol )、氯化亞銅（〇.〇28g，〇· 29mmol)、 氫氧化鉀（1· 71g，30. 4mmol)及甲苯10ml放入一避光之反 應容器中，將該反應容器置於油浴中，加熱125°C迴流12 小時，冷卻至室溫，並以曱苯及水將混和反應液分離，以 及將有機層以硫酸鈉脫水。將有機層濃縮至200ml，加入 52 (修正本）3MH3 1249542 _ 鈽矽石（cerite)及經活化之氧化鋁，於75°c下攪拌2小時 以進行脫色；以矽膠管柱層析法純化，而以曱苯：環己烧 =1 ·· 5之混和溶液作洗提液，得黃色透明玻璃狀固體 (2.38g ， 50%)。 〈聚合化合物2之製造〉 將N，N-雙（4-溴苯基）-N’-（3-曱基苯基）—N，-苯基聯笨 月女0· 30g、2, 7-二溴-9, 9-二辛基芴〇· 59g及2, 2，—聯吡啶 〇.55g溶解於四氫呋喃（無水物）4〇ml中，並以氮氣吹泡入 内使系統内脫氣。於此溶液中添加〇· g雙（1，5 —環辛一 烯）鎳，於室溫攪拌此混合物10分鐘，然後’，將溫度^ 高至60°C反應3小時。

冷卻此反應液，加入50ml甲醇/50ml離子交換水之、e 合溶液，攪拌約-小時。濾取沉殿物。接下來將沉殿物; ，並以曱苯溶解。將不溶物濾掉後，用氧化銘充填之管相 ^屯化。藉由將該甲苯溶液倒人甲醇進行再沉殿純化 ^斤得之沉殿物以及以減壓方式乾燥，而得Q 35g之以 物。所得之聚合物即為聚合化合物2。 此聚合化合物2之聚茉；7 士备> 4乙人土 4.3x1〇4。 …細之折合數目平均分子量3 聚合化合物2所包含之結構由 如下所述。 所置入之物質單體推估 ，係 (修正本）314143 53 1249542

貫施例 3 <N，N_雙（4-溴聯苯基）-Ν’，Ν’-雙（4-丁基苯基）—1，4-苯二 胺之合成〉 於鈍氣氣氛下，將簦（二Τ叉丙酮）二I巴 〇· 24g(0· 27mmol )、一 本基膦一戊鐵 0.22g(0· 4mmol)、第 三丁氧化鈉2· 56g (26· 7mmol)及曱笨125ml放至3〇〇ml之 三頸燒瓶中，並於室溫下攪拌30分鐘。然後加入鑫（4一漠 笨基）胺12.9g (26.7inmol)，於室溫下再攪拌1〇分鐘。然 後加入雙（4-丁基苯基）胺5g(17.8_〇1)，將此混合反應液 加=至125°C迴流9小時。反應後，㉟遽此反應液以除去 不冷物質’且以充填石夕膠之短管柱純化，然後再次進行石夕 膠管柱層析，以環己烷作為洗提液，而得到白色粉末 (2·96g ， 24%)。 〈聚合化合物3之製造〉 〜將N，N-雙（4〜填聯苯基）一N，，N，一雙（4一丁基 ^ =胺G.21以卜二溴—Μ-二辛基苟〇.峋及2；^ 液中：力解於四氫呋喃(無水物)1〇〇ml中，於此$ (修正本）3M143 54 1249542 -60°C反應3小時。反應後，冷卻此反應液’並將此反應液 滴加入25%之氨水10ml/甲醇120ml /離子交換水5〇mi之 混合溶液中，攪拌約一小時。之後得到沉澱物並將之濾 取；接下來將沉澱物減壓乾燥2小時，並以5〇ml曱苯溶解。 於該溶液中加入30ml之1N鹽酸，且於室溫攪拌3小時。 將水層移除後加入3 〇 m 1之4 %氨水且於室溫授掉3小時， 然後將水層移除。藉由將該剩餘的曱笨溶液逐滴加至甲醇 150ml中而進行再沉澱，過濾此溶液以移除不溶物質。缺 後再度將其溶於甲苯並以氧化鋁填充之管柱來純化('1〇^' 之經活化之氧化鋁）。將此回收之曱苯溶液逐滴加至曱醇 200ml中，攪拌30分鐘然後過濾沉積之沉澱物並減壓乾燥 2小時。得到30〇mg之聚合物。此聚合物即為聚合化合物& 此聚合化合物3之聚苯乙烯之折合數目平均分子 4. 8x 104。 聚合化合物3所包含之結構由所置入之物質推估’係 如下所述。

實施例4 <U-雙（4-填聯笨基）_『，『_雙（4_甲基苯基笨二 (修正本）314143 55 1249542 於鈍氣氣氛下，將鑫（二节叉丙酮）二I巴 〇· 35g(0· 38mniol)、一 本基膦—戊鐵 0· 32g(0. 57mmol)、第 二丁氧化鈉7· 3lg (76mm〇l)及曱笨178ml放至500ml之二 二貝燒瓶中’並於至溫下攪拌3 0分鐘。然後加入皇（4 —漠笨 基）胺12· 2g(25· 3mmol)，於室溫下再攪拌1〇分鐘。然後 加入對-曱苯基二苯基胺5g(17.8mm〇l)，此混合反應液加 熱至125t迴流9小時。反應後，過濾此反應液以除去不 4物質，以充填矽膠之短管柱純化，然後再進行矽膠管才主 層析，以環己烷作為洗提液，而得到白色粉末〇2〇g，8%)。 〈聚合化合物4之製造〉 將N，N-雙（4-溴聯苯基）-n，，N，-雙（4一甲基苯基）一；[，4一 笨二胺0.18§、2,7-二溴-9,9-二辛基芴 0 38§及2,2，一聯 二吡啶390mg溶解於四氫呋喃（無水物）28ml _，於此溶液 中添加69〇mg雙（1，5-環辛二烯）鎳（〇)，提高溫度至6〇它 反應3小時。反應後，冷卻此反應液，並將此反應液滴加 =25%之氨水10ml/甲醇12〇ml /離子交換水5〇mi之混合 容液中，且攪拌約-小時。藉由過渡收集所得之沉殿物且 將沉殿物減壓乾燥2小時，然後以甲笨5〇ml溶解，加入 30ml之1N鹽酸於室溫攪拌3小時。將水層移除後，加入 3〇ml之4%氨水且於室溫攪拌3小時，將水層移除。藉由將 f剩餘之甲苯溶液逐滴加人甲醇15()ml中進行再沉殺，過 遽此溶液以移除不溶物質。然後再度將其溶於甲苯並以氧 化鋁填充之管柱來純化(1〇g之經活化之氧化鋁）。將此回 收之甲苯溶液逐滴加至甲醇2〇_中，攪拌3〇分鐘然後過 (修正本）314丨43 56 1249542 濾沉積之沉澱物並減壓乾燥2小 此聚合物即為聚合化合物4。 此聚合化合物4之聚笨乙 5· 1χ 104。 聚合化合物4所包含之、结 如下所述。 時。得到270mg之聚合物 烯折合數 目平均分子量為 置入之物質推估，係 構由所

_比較例1 〈聚合化合物5之製造〉 將2,7-二漠-9,9-二辛基苟〇82§及2,2，_聯二吼咬 〇.56g置人反應容器中’此反應系統以氬氣置換其他氣 體。於反應容器中加人以氬氣吹泡處理之經脫氣的四氣咲 喃(THE)(無水物)15πα。接著’於此混合溶液中添加〇.塒 雙（1，5-環辛二烯）鎳（0)，並於室溫下攪拌1〇分鐘，提高 溫度至6CTC下反應8小時。此反應係在氯氣氣氛下進行二 反應後，冷卻此反應液，並將此反應液倒入2 5 %之氨水 10ml/乙醇50ml /離子交換水50ml之混合溶液中，攪拌約 一小％。藉由過濾收集所得之沉澱物。將沉澱物乾燥並以 氯仿溶解。過濾此溶液以移除不溶物質後，藉由將此溶液 倒入甲醇進行再沉殿。將得到之沉殿物以減壓乾燥，且得 (修正本）314143 57 1249542 到0. 35g之聚合物。所得之聚合物即為聚合化合物5。 此聚合化合物5之聚苯乙烯折合數目平均分子量為 1. 5x 105。 聚合物5所包含之結構由所置入之物質推估，係如下 所述。

實施例5 〈離子電位之評估〉 離子電位之測量是以下列方程式所測得知氧化電位 (Eox)來推估的。

Ip(eV)=Eox+Ag/AgCl 蒼考電極電位+正常氮電極電位=Eox+0. 196 + 4. 5 氧化電位之測量如以下之方式操作。測試樣本之製備 是將一電極浸入聚合化合物1之氯仿溶液，並將其乾燥而 得一層薄膜形成在電極上。使用0.1M四氟硼酸四正丁基銨 之丙腈溶液作為協助電解質，藉由循環伏安法（cyclic v〇l tammetry)以決定伏安法（vol tammogram)之單一電壓 (stand叩voltage)(工作電極與對電極：始，參考電極： Ag/AgCl 電極、掃描速度：50mV/sec)。 聚合化合物1、2、3和4之電離電位分別為5. 45、 5.55、5.35和5.31eV。另一方面，聚合化合物5之電離電 位為6. 01 eV。此結果顯示出本發明之聚合化合物具有優異 58 (修正本）314143 1249542 的電荷傳送性質。 本發明之聚合化合物具有強烈螢光及/或優異電荷傳 送性質。而可適合使用作為聚合物LED之發光材料或電荷 傳送材料。本發明之聚合化合物亦可使用作為雷射的染 料、有機太％電池的材料、有機電晶體的有機半導體、導 電薄膜的材料、及電子裝置的材料。 再者，使用本發明之聚合化合物所獲得之聚合物LED 係可在低電壓下驅動之高效能聚合物LED。因此，此聚合 物LED可適合使用作為如液晶顯示器之背光或照明用之曲 面狀或平面狀的光源、分段型顯示裝置及點陣之平面顯示 器等裝置。 59 (修正本）314M3

Claims (1)

1. 申請專利範圍： —禋4合化合物，係具有103至108之 :均分子量’其中’此聚合化合物含有-種4= 2):所示之重複單元及-種或多種式⑵所Λ重Γ

   一-⑴ =’ An和Ar2各自獨立表示芳撐基或二價雜環化合 :·’ An表示芳撐基、芳撐乙烯撐基或二價雜環化合 :’X為1至10;當X為2或更大時，Ar_3可相同或 不同；An* Ars各自獨立為芳基或單價雜環化合物基， -An- ---（2) 式中，Are為苯撐基、莲二基、二莲二基、努二基、二 =稠合多環芳香族化合物基、二價單環雜環基、二價稠 口之夕環雜環化合物基、或二價芳香族胺化合物基。 如申凊專利範圍第1項之聚合化合物，其中，Ar3為下 式（3)所示之基， (产 i)y \----/ ----(3 ) 式中’環A示苯撐基、聯苯撐基、聯三苯撐基、芴二基、 奈一基、蒽二基、菲二基、吡啶二基、喹喏啉二基及噻 嗯二基；Rl示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、芳 60 (修正本）314143 1249542 基樹、繼基、芳基嶋、芳 :、方基稀基、芳基炔基、單價雜環化合物 土或亂基’ y示〇至4之整數，且當y為2或更大日士 複數個Ri可相同或不同。 才 3·如申請專利範圍第丄項之聚合化合物，其中 所示之基， ~

   ----(4) 弋中R2及R3各自獨立表示與Ri相同之基；L及各 獨立表示氫原子、烧基、芳基、芳基烧基、單價雜環 化口物基或氰基；z&w各自獨立表示〇至4之整數。 4·如申睛專利範圍第1至3項中任一項之聚合化合物，其 中，式（2)所示之重複單元係下式（5)或（6)所示之重複 單元： Re 八甲，h表示烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、芳 氧基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基 夕烷基、芳基烯基、芳基炔基、單價雜環化合物基或氰 基，η表不〇至4之整數；當11為2或更大時，複數個 Re可相同或不同； 61 (修正本）3】4143 1249542

   式中 及r8各 -(6) 自獨立表示與r · 至5之整數· /、 1相同之基；1表示〇 心正數，m表不〇至3之 $ 複數個R7可相同或不同 ，虽1為2或更大時’ R8可相同或不同。 田' 2或更大時，複數個 5·如申請專利範圍第1 i 3項中任—s取 中，式〇彳％ _ 、 項之4合化合物，其 甲式（2)所不之重複單元係 丁广武C7)所不之重複單元： Rg a Ri °) b (7)

   式中 R9及Rio各自獨立表示與Ri相同之基；3及匕各 自獨立表示〇至3之整數；當a為2或更大時，複數個 R9可相同或不同；當b為2或更大時，複數個Ri。可相 同或不同。 6 ·如申请專利範圍第1至3項中任一項之聚合化合物，其 中’式（2)所示之重複單元係式（8)所示之重複單元： 62 (修正本）314143 1249542

   (8) 式中，Ru及Rh各自獨立表示與Rl相同之基；c & d各 自獨立表示0至4之整數；當c為2或更大時，複數： 可相同或不同^為2或更大日夺，複數個R“可相 :或不同；R12及Ru各自獨立表示氫原子、烷基、芳基' 方基烷基、單價雜環化合物基或氰基。 7·ζ申請專利第項中任—項之聚合化合物，复 ’式⑵所示之4複單元係、式⑻所示之重複單元^

   及Rl8各自獨立表 至5之整數表示〇 Rl相同之基；e 複數個R】5可相同或不同整數；當6為2或； L可相同或不同；。“為2或更大時，, 基、芳基、芳基烷基17各自獨立表示氫原子 早價雜環化合物基或氰基 (修正本）3I4M3 63 1249542 8.如申凊專利範圍第1至3項中任一項之聚合化合物，其 中，式（2)所示之重複單元係下式（1〇)所示之重複單元： Λ —Ah

   •Ara_ (Rl9) 8 -----(10) 式中，An及Ars各自獨立表示可具有取代基之芳撐基， 或二價雜環化合物基；R!9表示與Ri相同之基；g表示〇 至2之整數，當g為2時，兩個可相同或不同；及 Χι為0或S。 9.如申請專利範圍第u 3項中任一項之聚合化合物，其 中，式（2)所示之重複單元係下式⑴）所示之重複單元··

   (11)

   =::°及R"各自獨立表示與Rl相同之基;。及P各 二：0至4之整數’·當。為2或更大時，複數個 ^相同或不同；當口為2或更大時，複數個心可相 同:X广、SU切一自 氯料丁…C~R25所不之基；心至r25各自獨立表示 ^5專=、芳基、芳錢基，或單價雜環化合物基。 中，式所把圍弟1 i 3項中任—項之聚合化合物，其 ()所不之重複單元係下式⑽所示之重複單元： (修正本）3】4】43 64 * 1249542

   (12) 式中An為芳撐基或二價雜環化合物基；及Rw各 自：立表，與Rl相同之基；(1及r各自獨立表示〇至4 2正數，當q為2或更大時，複數個r27可相同或不同； 田r為2或更大時，複數個匕2可相同或不同；—至. 各自獨立表示氧眉； ^ A原子、烷基、芳基、芳基烷基、單價雜 ί哀化合物或氰基。 11 ·如申晴專利範圍第1 ;』，、 至3項中任一項之聚合化合物，其 中’式（2)所示之曹济登^ 更I早兀係下式（13)所示之重複單元：

   式中，R33、R34、R35 及 R36 夂 σ自獨立表示與Rl相同之J aa及bb各自獨立表示〇 u主3之整數。 12·如申請專利範圍第！至3項 cb ^ ί9Λ 6r^ - 、任一項之聚合化合物， 中，式（2)所不之重複單 观 早兀係下式（14)所示之重複單7 (修正本）314M3 65 1249542

   (14) . Ru及r39各自獨立表示與I相同之基；i 1各自獨立表示〇至4之整數;k表示…之整數;h 、不1或2，當1為2或更大日寺，複數個R37可相同戍 =當j為2或更大時，複數個R38可相同或不同戍 13. n 2或更大時，複數個R39可相同或不同。 • ϋ申睛專利範圍第1 中，戈⑺所-項中任一項之聚合化合物，其 式⑵”複單元係下式⑽所示之重複單元: "(?七（?也

   •Ν- (Μ ff ( R44) 4、丄 N 1 gg 工’心至各自獨立表示與&相 (15) 及⑼各自獨立表示〇至4之整 。土 ’ cc、dd 複數個L可相同或不同，·，田cc為2或更大時， ^可相同或不同，·當ee田，、、、2或更大時，複數個 相同或不同；if及gg各自獨大時，複數個L可 "為2或更大日士 . 蜀表不〇至5之整數；去 乂文大4，稷數個匕丨 正数，田 或更大時，複數個R ”不同，·當gg為2 J伯呵或不同。

   (修正本）3丨4M3 66 1249542 14. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之聚合化合物，其 中，該聚合化合物包括至少一種以上式（丨）所示之重複 單元，以及至少一種選自上式（5)至（15)所示之重複單 元0 15. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之聚合化合物，其 中’該聚合化合物係於固態顯示螢光。 16· —種聚合物發光裝置，係包括： 由陽極及陰極所組成之一對電極，其中陽極及陰極中之 至少一者為透明或半透明；以及 設置在電極間之包括申請專利範圍第15項之聚合化合 物之至少一發光層。 17·種平面光源，係包括申請專利範圍第1 6項之聚合物 發光裝置。 18·-種分段顯示器’係包括巾請專利範圍第㈣之聚合 物發光裝置。 19. -種點陣顯示器’係包括中請專利範圍第㈣之聚合 物發光裝置。 20. -種液晶顯示器，係使用申請專利範圍第⑺項之聚合 物發光裝置作為背光。 (修正本）314143 67