TWI246378B - Method of mounting electronic component - Google Patents

Description

1246378 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明，係關於用以形成焊錫突起於各種基板的焊錫 5突起之形成方法、電子零件之安裝方法，及電子零件之安 裝構件。 本说明書中單純指云「基板」時，並非界定於印刷電 路基板和晶圓等狹義之基板，而是指包含可成為焊錫突起 之形成對象物全部的廣義之基板而言者。 10 【先前技術】 發明背景 近幾年，對於電子零件之高密度安裝的要求，變成愈 來愈高，就電子零件之安裝方法而言，可看出從借助引線 接合法之面向上方式的安裝方法，朝向使用有焊錫突起之 w面向下方式的安裝方法變化之趨向。作為形成焊錫突起之 方法者，以往，通常多採用所謂之電鍍法和蒸鍍法等。然 而此等方法，卻存在著不但需要大規模及昂貴之設備，且 難以控制焊錫突起之高度和焊錫組成等之缺點。 於是，為了解決如上述之問題，從以往即提案有利用 2〇耐熱性絕緣膜之方法（特開平號公報）和利用薄板 之方法(特開平9-116257號公報）。 依照特開平Ι-!6·號公報中所記載之焊锡突起形成 方法，一如添附之第9a圖所示，成為焊錫突起之形成對象 的基板9,係在基板本體9〇之表面形成有一用來覆蓋娜線 1246378 91之玻璃膜的表層部92同時，在此表層部92之凹部93内設 10 15 有電極94。為了將焊錫突起形成在上述基板9，而首先如第 9b圖所示’在上述表層部92上形成絕緣膜％。此絕緣膜％ ’係先將液狀之樹脂塗佈於上述表層部92和電極94之表面 全體之後，蝕刻電極94表面上之樹脂而成者。藉此，可在 電極94之上方形成比上述凹部93更深之凹部％，。其次，如 第9c圖所示，待於上述凹部93,内填充焊膏化之後，加熱此 焊膏5e使之再義，其後，使之翻。如依此方法，則在 表層部92上形成絕緣膜95，藉此可使凹部％，之深度加大， 且使填充於此凹部93,之焊f量增加。因此，如第9d圖所示 ，可形成隆起狀之焊錫突起5〇。 然而，第9a至第9d圖所示之方法，卻有如下之問題。 就是，當在表層部92上形成絕緣賴時，㈣把液狀之樹 脂塗佈於表層部92和電她之表面全體，然後#刻-部分 ，以致將上賴_95之厚度t在其全體部分正確地做成所 而之厚度事Μ為有困難。因此，難以使多數個凹部％，之各 處深度做成均勻，使得往後形成的多數焊駭起50之高度 易產生很大的偏差。這種焊錫突起5()之高度的偏差，使得 在利用焊錫突起㈣求與其他零件電接方面，令人無法滿 意0 又，利用焊錫突起來進行同其他零件之電接時，有時 候要求儘量提高焊錫突起之高度俾使其焊錫量增量。然而 ’依照上述習知之方法，㈣要增大藉液狀樹脂之塗佈來 形成絕緣膜95之厚度地有-定之界限，絲將凹部93,形成 20 1246378 到理想之程度。為此，難以形成焊錫突起50之高度至_定 以上之同度。又，依照此習知方法，即使想在絕緣膜％上 再重$形成與之同樣之絕緣棋，藉此使絕緣膜全體之厚度 增大，但在塗佈該用來形成絕緣膜之液狀樹脂時其樹脂也 5被塗佈得在凹部93,内成厚厚度之狀態，以致難以適當地餘 刻此部分之樹脂。 方面特開平9 116257號公報中所記載之焊錫突起 形成方法，係如第⑽圖所示，利用具有貫穿孔⑽之薄膜8 者。要形成焊錫突起時，首先如第糊所示，在上述薄片 10 8上重疊掩蔽層81，藉此利用掩蔽層81把焊膏填充於上述 薄板8之貫穿孔80，其後如第心圖所示，使掩蔽層Η與薄 ^互相分離。其次，如_圖所示，將上述編載置於 基板82上，並把焊膏5f配置在電極83之上方。當以此狀態 ，加熱上述焊f5f使之躲融時，-如㈣6_示，可形 ^焊錫突起51。其後如第1〇f圖所示，從基板82上去掉上述 /專板8。如依此方法的話，不但可把上述薄板8重覆用於多 數次之焊錫突起形成作業’且可使形成在薄板8之多數個貫 穿孔80之深度和開口直徑，在各處成為均勻。 然而，如依照此第10a圖至第1 〇f圖所示之習知方 20法的話，必須預先製作具有多數個貫穿孔80(對應於 基板82之多數個電極83)之薄片8。為此，除了上述薄 片8之製作工夫很費事以外，如隨著積體電路圖案之 微細化而多數個電極83之間距變為微細的話，有上 述薄板8之製作變為困難之可能性。又，如多數個電 1246378 極83之間距變為微細時，此等多數個電極83與薄板8 之多數個貫穿孔80之位置對準精度也會降低。其結 果，依上述後者之手段時，如多數個電極83之間距 被微細化的話，將焊膏^正確地位置對準於各電極Μ 上之事則變成困難，例如可能產生互相鄰接之焊錫 突起51、51不當地導電接觸等之不妥當。 再者，在特開平7-273439號公報中，揭露有可解 決上述兩個習知例之問題的焊錫突起形成方法。即 ，依照該公報中所揭露之焊錫突起形成方法，首先 在形成有電路圖案之基板表面形成第一耐焊劑層之 後，蝕刻該第一耐焊劑層，使開口孔形成於一對應 10 15 於電路圖案中之電極的部分。其次，在第一耐焊劑 之表面貼上第二耐焊劑層之後，蝕刻此第二耐焊劑 層’使開口孔形成於一對應於第一耐焊劑層之開口 孔的部分。接著，在兩耐焊劑層之開口孔填充焊膏 ，加熱熔融後使之凝固，藉此在電路圖案之各電^ 上形成烊錫突起。最後，在不溶解第一耐焊劑下， 藉由用來溶解第二耐焊劑層之溶解液，使第二耐焊 劑層溶解除掉。 20 如依照上述之方法，則可利用第一耐焊劑層之厚度及 苐二耐烊劑層之厚度，使用以填充烊f之凹部（由兩耐洋層 之開口孔所形成)之深度增大，以形成烊錫突起成充份之^ J而且，在》谷解除去第二耐焊劑層後第一耐焊劑層仍留 下來，所以可防止焊錫突起間之短路，從而可應付電極間 1246378 之微細間距化。 然而，依照上述特開平7-273439號公報中所記載 之方法，若基板係將跟第二耐焊劑層同一性質之樹 脂作為主成分時，在溶解第二耐焊劑層時也溶解到 5 基板之一部分，而成為不良之原因。又，必需要進 行用來溶解除去第二耐焊劑之處理，難謂有良好之 作業效率。再者，當要接合電子零件時，必須將電 子零件側之焊錫突起位置對準於基板側之焊錫突 起，所以有位置對準不佳之情況時，製品之可靠性 10 則降低。 【發明内容】 發明概要 於是，本發明之目的之一，係在於提供一種新穎之焊 錫之突起之形成方法，俾一面可藉簡易之作業來正確地形 15 成多數個焊錫突起成所需之高度，一面防止基板不當地被 溶解。 本發明之另一目的，係在提供新穎之方法及構造，俾 可在不伴隨用來溶解除去為形成焊錫突起而使用的樹脂層 之工程下，把電子零件有效地安裝在基板。 20 依照本發明之第一側面，提供一種焊錫突起之形成方 法，其係包含一將焊錫填充於設在基板表面部的多數個凹 部内之工程、及一使該焊錫熔融•凝固藉此在上述各凹部 内形成焊錫突起之工程的、焊錫突起之形成方法者；其特 徵在於： 1246378 作為填充焊錫於上述多數個凹部内以前之工程者，係 纟上述表層部上貼上或載置薄膜之王程；及一在 該薄膜設置多數個連通於上述多數個凹部的窗口部之工程 > 丨迷溥膜，係由其主成份跟構成上述基板之材料相異 之材料所構成。 10 15 如依照本發明之上述第一侧面，由於在填充焊錫 於基板表層部之多數個凹部内以前之階段，將薄膜 貼上或載置於上述表層部，在此薄膜設置多數個連 通於上述多數個凹部之窗口部；所以在填充焊錫於 上述多數個凹部内時’也可將焊錫填充於上述薄膜 之多數個窗口部内’因此，可使配在基板之電極上 的焊錫之高度變高。又，只要使用各處之厚度均句 之薄膜即6又在该薄膜之多數個窗口部之深度也必 然在各處成為均勻’可使配在基板之多數個電極上 的知錫之咼度在各處均齊備一定之高度。因此，可 防止多數個焊錫突起之高度尺寸產生大偏差。又， 於本土明’焊錫突起之高度成為對應於薄膜厚度之 尺寸’使得將焊錫突起設定於所需之高度也變為容 易。再者’使用厚厚度者作為上述薄臈，或將上述 缚膜重疊多數張，藉此使焊錫突起之 高之高度也可。 田 、而且，由於上述薄膜，係由跟基板之構成材料相異之 材料所構成’所以用溶解液溶解除去該薄膜時不會有不小 20 1246378 心侵蝕基板之事。從這種觀點，例如基板由環氧系樹脂所 成時，上述薄膜則用兩烯酸系或醯亞胺樹脂來構成即可。 又，若將上述薄膜載置(代替貼上)於基板表層部時，在焊錫 突起形成後可輕易剝離除掉該薄膜，可減低薄膜之餘渣因 5 附著於電極而引起連接不良之可能性。 較為理想者，上述基板之表層部，宜在基板本體之表 面含有财焊劑層，而此财焊劑層則被露光及顯像以便在上 述各電極之上方形成開口孔。 較為理想者，上述薄膜，宜為感光性薄膜，而在上述 10 薄膜設置上述多數個窗口部之工程則為，對於上述薄膜進 行露光及顯像之工程。又，代之，在上述薄膜設置上述多 數個開口孔之工程也可為，對於上述薄膜進行雷射照射之 工程。 將焊錫填充於上述基板表層部之凹部的工程，宜 15 藉著從上述薄膜之窗口填充焊膏、或焊錫粉末、或 熔融焊錫來進行。又，填充熔融焊錫時，待在上述 薄膜形成窗口之後，在常壓或減壓下將上述基板浸 潰於熔融焊錫浴即可。 依照本發明之第二側面，提供一種電子零件之安 20 裝方法，其係用來裝載電子零件於一具有形成有多 數個凹部之表層部的基板上，透過焊錫來連接該電 子零件之電極與上述各凹部之電極的安裝方法者； 其特徵在於： 其作為裝載電子零件於上述基板上以前之工程 11 1246378 ，係包含.一將薄膜貼上或載置於上述表層部之工 · 程；-在此薄膜設置連通於上述多數個凹部之多數 個窗口部的工程；及-將焊錫填充於上述多數個窗 ^ 口部及上述多數個凹部之工程； 5彳錄載1子科於上述基板上之後，使上述焊錫炫融 0 依照以上之安裝方法’由於在4吏配置在電極上之 焊錫炼融之階段，在基板上已裝載有電子零件，所 以一使上述焊錫熔融，即可藉該焊錫來機械地及電 鲁 10地連接上述電子零件之電極與基板之電極。因此， 不需要在基板側獨立地形成焊錫突起，或去掉薄膜 ，可藉較少之作業工程來安裝電子零件於基板。肖 . 果，可提高電子零件之安裝作業效率，而且，可Z 上述薄膜之窗口部利用於位置對準電子零件側之焊 15錫突起，因此較之突起對突起之面對面之場面，更 易於位置對準，可靠性也提高。 不用》兒由本發明之第二側面所提供之電子零4牛 Φ 之安裝方法中’其將焊錫填充於基板表層部所形成之 多數個凹部為止之作業工程，係因共同於由本發明之 20第·^面所提供之辉錫突起形成方法之作業工程，而 可獲仔與由上述本發明之第一側面所獲得者相同之優 點#即’依照由本發明第二側面所提供之電子零件的 由於可使貼上在基板表層部之薄膜的多數 個窗口部深度成為各處均勻，所以也可使用來連接基 12 1246378 板之多數個電極與電子零件的焊錫之量，在各 。又’將薄膜之厚度增大等，也可簡單地進行將用來1 基板之多數個電極與電子零件之焊錫的量增量之事接 ，在薄膜設置多數個窗口部以便對應於基板之多數個2 的作業，也可簡單且正確地進行，且可適當地應付多數= 電極之微細間距化。

依照本發明之第三側面，提供一種電子零件之安裳構 造’其係在具有表層部(形成有多數個凹部）的基板上裝载有 電子零件，且透過焊錫來連接該電子零件之電極與j述各 10基板之各凹部電極的、電子零件之安裝構造者；其特徵在 於： 在上述表層部，形成有具有連通於上述各凹部的多數 個窗口部的薄膜。 本發明之上述第三側面，係將由上述第二側面之安爭 15方法所得之安裝構造作為對象者，因而可期待同於由上述 第二側面所得之效果。

本發明之其他特徵及優點，可從以下說明之本發明之 實施形態，更加明瞭。 圖式簡單說明 20 第1a至If圖，為要部斷面圖，係顯示本發明焊錫突起 之形成方法的一例。 第2a至2c圖，為要部斷面圖，係顯示第la圖所示之電 路基板的製作工程。 第3圖，為要部斷面圖，係顯示藉由第“至^圖所示之 13 1246378 方法將電子零件安裝於形成有焊錫突起之基板的方法之一 例。 第4圖為一要部斷面圖，係顯示由第3圖之安裝方法所 得之電子零件的安裝構造。 5 第5a圖及第5b圖，為要部斷面圖，係顯示藉由第la至

If圖所示之方法將電子零件安裝於形成有焊錫突起之基板 的其他例。 第6a至第6e圖，為要部斷面圖，係顯示本發明焊錫突 起之形成方法的其他例。 10 第7圖為一要部斷面圖，係顯示使用熔融焊錫之焊錫填 充作業之一例。 第8a至8f圖為斷面圖，係顯示本發明電子零件之安裝 方法之一例。 第9a至9d圖為要部斷面圖，係顯示習知焊錫突起形成 15 方法之一例。 第10a至10f圖，為斷面圖，係顯示習知方法之其他例。 I：實施方式3 較佳實施例之詳細說明 以下，一面參照圖式，一面具體地說明本發明之合適 20 的實施形態。 第la至If圖為要部斷面圖，係顯示本發明焊錫突起之 形成方法的一例。第2a至2c圖為要部斷面圖，第2a至2c圖 為要部斷面圖，係顯示第la圖所示之電路基板的製作工程 14 1246378 第la圖所示之電路基板1，係在基板本體i〇之表面形成 有一形成有多數個凹部11的一定厚度之表層部12。上述基 板本體10,為例如玻璃纖維（或玻璃編織物)增強環氧樹脂製 〇 5 上述電路基板1，係如第2a圖所示，本來就在基板本體 10之表面具有一形成有多數個電極2和導通於該等電極2之 配線部（省略圖示）的構造。將上述表層部12形成於上述基板 本體10上之作業，係首先如第2b圖所示，在基板本體1〇之 表面，形成一厚度大於各電極2之光致抗蝕劑層12,。其次 10 ，如第2c圖所示，進行使用光掩模3的光致抗蝕劑層12，之 露光處理、及其顯像處理。若使用例如正型者作為上述光 致抗蝕劑層12’時，在上述光致抗蝕刻層12,中，於上述各電 極2之形成處及其周邊進行露光，藉此可藉其後之顯像處理 ，在上述各電極2之上方及其周邊部除掉光致抗蝕劑。在這 15種一連串之工程下，如第la圖所示，可在基板本體10之表 面作成設有由光致抗蝕劑層所成之上述表層部12的構成。 後述之焊錫突起之形成作業，可接下來進行設置上述表層 部12之作業。 當要在上述第la圖所示之基板丨形成焊錫突起時，首先 2〇如第1b圖所示，在上述表層部12之表面貼上或载置一具有 —定厚度之薄膜4。若使用玻璃纖維增強環氧樹脂來構成電 路基板1時，使用例如丙烯酸系樹脂或醯亞胺系樹脂等之感 光性材料來構成該薄膜4的話，隨後用溶解除掉薄膜辦可 防止電路基板1被侵蝕之事。藉該薄4之貼上或載置來封閉 15 1246378 上述表層部之各凹部11的上部開口。 其次，如第1C圖所示，在上述薄膜4，設置連通於上述 多數個凹部η之多數個窗口部40。各窗口部4〇之開口直徑 係與上述各凹部η同-或大致同一。在上述薄膜4設置多數 5個窗口部4〇之作業，係採用跟在上述光致抗钱劑層12，形成 凹部η之情況相同之手法，對於上述薄膜4進行露光處理及 其顯像處理，藉此除掉上述薄膜4之各凹部^的正上面部 分即可。例如於上述光致抗餘劑層12，為正型時，關 於上述薄膜4也使用與之同樣之正型感光性者的話 ίο如第1b圖之虛線所示，可使用對於光致抗蝕劑層 12’之露光處理時使用之光掩膜3。因此，可兼用光掩 模3而很方便。再者，如使用同一之光掩模來形成凹 部11及窗口部4〇的話，可正確地位置對準。 述囪#40之形成後，如第1 d圖所示，在該等窗口 15部40及其下方之凹部η的内部，填充焊膏5。當填充此焊膏 5時車又理想者為，在上述薄膜4之上面不要留下多量之多 餘的知β為此，例如使用刮墨刀來進行刮取薄膜4上面之 夕餘太干月之作業即可。又，依照本實施形態，使焊錫粉末 填充於上述各窗口部40内，以代替上述焊膏5也可。 2〇 ^其後，加熱上述焊膏5使之再熔融。藉此，使含在此焊 月5之太干錫以外之成分揮發消失同時，如第le圖所示，焊錫 成刀因其表面張力而成為略球狀，其後在自然冷卻下凝固 成照原樣之形狀。結果，形成多數個固定於各電極2之焊錫 犬起5A °上述各焊錫突起5A，係從填充在上述凹部11及上 16 1246378 述窗口部40内之焊膏5形成者，所以可提升其高度。又，上 述囪口部40之深度為各處均勻，所以可使上述各焊錫突起 5A之南度不產生大偏差。 上述焊錫突起5A之形成後，如第lf圖所示，從表層部 5 12除掉薄膜4。要除掉薄膜4時，使薄膜4剝離，或用適當之 溶劑來溶解薄膜即可。特別，僅將薄膜4載置(代替貼上)於 電路基板之表層部12時，可使薄膜4輕易剝離。但，使上述 薄膜4貼在表層部12之狀態留下來也無妨。若上述薄膜斗為 電絕緣性之材質的話，即使將該薄膜4貼在表層部12之狀態 1〇留下來，也不會使藉助各焊錫突起5A之電接產生障礙。 由上述一連串之作業工程所得之電路基板丨，可用於倒 裝晶片方式之電子零件的安裝。即，一如第3圖所示，要安 裝半導體晶片6於上述電路基板時，首先使半導體晶片6側 突起電極61對向接觸於上述多數個焊錫突起5A，然後將該 15半導體晶片6裝配於上述電路基板1上。上述半導體晶片ό側 之突起電極61為，例如焊錫突起電極；關於此等突起電極 61 ’也可使用本發明之焊錫突起形成方法來形成。接著， 如第4圖所示，一加熱上述多數個焊錫突起5人及突起電極61 使之熔融，即形成使構成有上述各焊錫突起5Α及各突起電 20 極61之焊錫一體化之突起5Β ;藉此，透過此突起5Β來連接 電路基板1之各電極2與半導體晶片6之電極。 若要進行上述半導體晶片6之安裝作業時，宜在上述各 焊錫突起5Α之前端，預先塗佈助熔劑以提高所謂之潤濕性 。就助熔劑之一例而言，可使用一種以松脂作為主 17 1246378 音 Λ $加乙醇等之溶劑、有機酸、有機ώ 素之活性劑者。又，除了上述 或者代替㈣劑之塗佈，在上述各焊錫Cl: 5 10 塗佈合劑時’可利用_合劑之枯附性來 錫突起5Α與各突起電極 I保持各焊 用者，例如可適用松脂。。作為上述點合劑

^且’若要進行半導體晶片6之安裝作業時，如 心圖所示’在上述㈣突起从之上部形成平均部 55也可^述平坦糾，例如可藉著從上方按壓上 述焊錫突起5Α來形成之。只要預先形成這種平坦部 55’即可使半導體晶片6之突起電極6ι穩定地配置在 焊錫突起5Α之平坦部55上。又，在塗佈助熔劑或為 合劑時’將該等塗佈於平面部55即可，其作業也變 成容易。 15 帛為要部斷面圖，係顯示本發明之焊錫突起

形成方法之其他例。又，在第6u6e圖及其以後之圖方面 ，其與先前之實施形態同一之部分附註同一符號。 第6a至6e圖所示之方法，係在電路基板丨之表層部12上 貼上或載置二張薄膜4、4A之方法。更具體言之，首先如第 20 6a圖所示，在電路基板1之表層部12上貼上或載置第一張之 薄膜4，接著在此薄膜4設置多數個窗口部4〇。此電路基板j 之構成，係與第lc圖所示之構成同一；到那階段之作業工 程則與先前之實施形態同一。 其次，如第6b圖所示，在上述薄膜4之上面，貼上或載 18 1246378 置一具有與之同樣材質之感光性的第二張薄膜4 A。 其後，如第6C圖所示，進行此第二張之薄膜4A的露光 處理及其顯像處理。藉此，如第6d圖所示，在各窗口部仙 之正上面形成上述第二薄膜4八之窗口部4〇A。因此，在上 5述薄膜4A ’可藉其露光及顯像處理來適當地形成上述多數 個窗口部40A。 待形成了上述窗口部嫩之後，如第6e圖所示，在該等 ® 口 #40A與之連通之窗口部4〇、及多數個凹部η内，填 充焊膏5。其後，按照切之第le圖所示之卫程，加熱上述 1〇焊膏5使之再炫融後使之凝固。藉此可形成焊錫突起。 如依上述方法，則可將為形成焊錫突起而使用之 知員5柁i至使用第二張薄膜4a來形成之窗口部 的深度之份兒，可更加提高焊錫突起之高度。像這 樣，本實施形態不只是使用一張之薄膜，且使用二 15張之薄膜，或使用其以上之多數張薄膜依次重疊於 該電路基板之表層部，於該等多數張薄膜之各個分 別設置窗口部也無妨。 第7圖為一說明圖，係顯示焊錫填充作業之其他例。該 圖所示之作業工程，係使電路基板丨浸潰於焊錫儲備槽丨9内 20之熔融錫浴5C。此電路基板1，係將薄膜貼於其表層部12 上以用來叹置多數個窗口部C者，而與先前之第⑴圖及第 6a圖所示之電路基板的構成同一。此時，為使炼融焊錫讀 實流入U小之薄膜4的窗口部4〇中，而宜在減壓下進行此作 業0 19 I246378 、如依第7圖所示之作業工程的話，可使炫融焊錫冗填充 於上述各窗口部40及表層部12之各四部_。如從上述焊 錄儲備槽！9拉起電路基板i後使上迷所填充之溶融焊錫自 $然冷卻的話，如該圖之虛線所示，可照原樣形成焊錫突起 5A。本實施形態不但不需要再度加熱焊錫使之熔融，且不 會像使用焊膏之情形那樣，因焊錫成分以外之成分揮發消 失，而減少其份兒之焊錫突起。但，若從焊錫健備槽19拉 起電路基板1之後未使電路基板！之姿勢提前穩定時，焊錫 突起5A則有可能在電極2之偏倚位置凝固。在這種情形時， 10先使電路基板丨成水平狀‘I、之後，再加熱上述焊錫突起A ’進行其補正即可。 像這樣，依照本發明，就焊锡之填充方法來說， 並不-定使料膏或焊錫粉末，填充溶融焊錫也無 妨。本發明所稱之焊錫，並不一定以Sn、或η· ^ 15等為主成分’也包含以用於電子零件之接合的Α§等 作為主成分者。 如至8f圖為斷面圖，係顯示本發明電子零件之安裝 此電子零件之安裝方法，係首先如第8_d 20 夕數:1在電路基板1上貼上或載置_，於此薄膜4設置 1個㈣部4G，將焊膏5填充於此等多數個窗π部40絲 之連通之凹部n内。此等一連 。^ 一 第1所示之作業卫程同_。& #與先則之 待上述焊膏5之填充作業後，如第 20 1246378 膏5。 在此狀態下一加熱上述焊膏5使之熔融，其後，使之凝 固，即如第8f圖所示，可透過成為略球狀之焊錫5d來連接 電路基板1之各電極2與半導體晶片6之電極。上述焊錫D， 5係從一連串地填充於凹部11及窗口部40之多量焊膏來形成 者，所以可使其量成為充足之狀態。上述薄膜可貼上或載 置於電路基板之狀態留下來也無妨。但使用熔劑使該薄膜4 溶解，藉以除掉也可。 本發明之焊錫突起之形成方法及電子零件安裝方法之 10 各作業工程的具體構成，並不限定於上述之實施形態。 依照本發明，例如形成於薄膜之各窗口部之直徑，可 為與基板表層部之凹部直徑不同或略不同，且其直徑大於 凹部或小於凹部也無妨。 又，依照本發明，基板之表層部，也可為基板其本身 15之表層部（表面）。例如，就形成電極於矽基板表面之手法來 說’也有在矽基板之表面施行氧化處理，藉此在矽基板表 面形成絕緣層（氧化矽層）之同時，在此絕緣層施行蝕刻處理 以形成凹部’其後在此凹部内形成鋁製等之電極的手法； 像這樣，本發明也可適用於基板。 -〇 依照本發明，設在基板表層部之凹部的具體構成，也 不文上述之實施形態所限制。例如，將此凹部之開口直徑 尺寸作成小於電極，只電極表面之一部分透過上述各凹部 來路出之構成也可。又，如用來表示習知例第％圖所示， 作成電極本身具有凹部之構成也可。 21 Ϊ246378 ,再者’就本發明之將窗口部設在-貼於基板表層部之 相之方法來說，例如採用-種將雷射照射於薄膜之手段 也可。作為雷射用者，可使用激元雷射和YAG雷射等之各 $種雷射。若藉雷射之照射將窗口部設在薄膜時，作為薄膜 用者，並不需要具有感光性者，例如使用聚醯亞胺薄 可。 ' 其次，說明本發明之實施例。 [實施例1] 10 於以15G_間距將直徑之多數個銅製電極形成 10在表面之玻璃纖維增強環氧樹脂製基板的表面，形成厚度 25//m之光致抗蝕劑層之後，進行其露光•顯像處理，藉此 在上述光致抗蝕劑層形成了使該電極露出於外部之多數個 之凹部。上述光致抗㈣層係採用了環氧丙稀酸 酯樹脂系。最後，將厚度5〇/zm之丙烯酸樹脂系⑤光性薄膜 熱壓枯（105°C、壓力3.5kg/cm2)於上述光致抗姓劑層之上面 ·’、待使用玻璃掩模來露光之後，用1%之碳酸納溶液將上述 感光性薄膜加以蝕刻顯像，形成了重疊於上述凹部之直徑 8〇"—窗口部。接著，藉由印刷法，將含有63%Sn-Pb 之焊錫（體積比為大約5〇%)之焊膏填充於上述窗口部及凹 P進而以210 c之溫度加熱使之炫融。其後，使用3%氫 氧化鈉溶液以除掉了上述感光性薄膜。 其釔果，可形成平均高度為60//m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊锡突起之高度之偏差則在2//m以内。又溶解 去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵蝕之事。 22 1246378 [實施例2] 於以I5“m間距將直徑5〇㈣之多數個銅製電極形成 在表面之破璃纖維增強環氧樹脂製基板之表面，形成厚度 ㈣之光致抗韻劑層之後，進行其露光•顯像處理，藉此 5在上述光致抗餘劑層形成了使上述電極露出於外部之多數 分直裎80# m之凹部。上述光致抗蝕劑層係採用了環氧丙烯 · · /曰系其後，將厚度50#m之丙烯酸樹脂系感光性薄 膜熱壓枯⑽。c、壓力3 5kg/cm2)於上述光致抗触劑層之上 丨面待使用破璃掩模來露光之後，用2.3%四甲銨氫氧化物 1〇 /谷，將上述感光性薄膜加以姓刻顯像，形成了重疊於上述 凹口P之直搜12〇//m的窗口部。接著，藉由印刷法，將含有 63/〇Sn-Pb之焊錫（體積比為大 約50%)的焊膏填充於上述 固^及凹部，進行以210。(：之溫度加熱使之溶融。其後， 使用1〇%—乙醇胺溶液，以除掉了上述感光性薄膜。 其^果’可形成平均高度為75//m之多數個焊錫突起。 :等多數個焊錫突起之高度之偏 差則在1.5//m以内。又， /合解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵餘之事。 [實施例3] 於以15〇 “ m間距將直徑50 // m之多數個銅製電極形成 2〇在表面的坡璃纖維增強環氧樹脂製基板的表面，形成厚度 25//m之光致蝕刻劑層之後，進行其露光•顯像處理，藉此 在上述光致抗餘劑層形成了使上述電極露出於外部之多數 個直么80 之凹部。上述光致抗蝕劑層係採用了環 酸醋樹脂系。^ 後，將厚度50 // m之丙稀酸樹脂系感光性薄 23 1246378 膜載置(25 C)於上述光致抗钱劑層之上面，待使用玻璃掩模 來路光之後，用2.3〇/0之四甲銨氫氧化物溶液將上述感光性 薄，加以㈣顯像，形成了重疊於上相部之直徑12〇_ 的囪口 °卩接著，藉由印刷法，將含有63%Sn—Pb之焊錫（ 體積比為大約50%)之焊膏填充於上述窗口部及凹部，進而 、1〇C之/JttL度加熱使之熔融。其後，使用5〇/。一乙醇胺溶 液以除掉了上述感光性薄膜。 其、、、"果，可形成平均高度為75//m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度之偏差則在i · 5 /z m以内。又， 10溶解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵姓之事。 [實施例4] 於以150 // m間距形成多數個直徑7〇 # m及凹形狀表面 之二之電極’且將厚度5Q#m之丙烯酸樹脂系感光性薄膜， 熱[點（15GC ’壓力3.5kg/em2)於用聚醯亞胺來被覆電極上 P以外之基板的表面，待使用玻璃掩模來露光之後，用2·3% 四甲知氫氧化物溶液將上述感光性薄膜加以餘刻顯像，形 成了重豐於上述凹部之直徑12〇#狀窗口部。接著，藉由 Ρ刷法’將含有63%Sn〜pb之焊錫（體積比為大約5〇%)之焊 ㈢填充於上述窗π部及凹部，進而以21(Γ(：之溫度加熱使之 °其後’使用乙醇胺溶液，以除掉了上述感光 性薄膜。 其九果，可形成平均高度為70/zm之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度之偏差則在i · 5 // m以内。又， 心解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵姓之事。 24 1246378 [實施例5] 以150 # m間距形成多數個直徑70 // m及凹形狀表面為 Νι之電極，且將厚度5〇“m之丙烯酸樹脂系感光性薄膜，載 置(25°C)於用聚醯亞胺來被覆電極上部以外之基板的表面 5 ，待使用玻璃掩模來露光之後，用2·3%四甲銨氣氧化物將 上述感光性薄膜加以餘刻顯像，形成了重疊於上述凹部之 直徑120//m之窗口部。接著，藉由印刷法，將含有幻％如 -Pb之焊錫（體積比為大約5〇%)之焊膏填充於上述窗口部 及凹部，進而以210°c之溫度加熱使之熔融。其後，使用5i/〇 10 一乙醇胺溶液以除掉了上述感光性薄膜。 〇 其結果，可形成平均高度為70//m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度之偏差則在以内。又， 溶解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵蝕之事。 [實施例6] 15 於以150 # m之間距將直徑50 # m之多數個銅製電極形 成在表面之玻璃纖維增強環氧樹脂製基板之表面，形成厚 度25# m之光致抗蝕劑層之後，進行其露光•顯像處理，藉 此在上述光致抗蝕劑層形成了使上述電極露出於外部之多 數個直徑80/zm之凹部。上述光致抗蝕劑層係採用了一種將 2〇硫酸鋇作為填料包含之環氧丙烯酸_樹脂系。其後，將厚 度50// m之聚醯亞胺薄膜载置於上述光致抗蝕劑層之上面 ，使用激元雷射將直徑12〇# m之窗口部形成於電極上部。 接著，藉由印刷法，將含有63%Sn_pb之焊錫（體積比為大 約50%)的焊貧填充於上述窗口部及凹部，進而以21〇它之溫 25 1246378 度加熱使之熔融。其後，使用5%—乙醇胺溶液，以除掉 上述聚醯亞胺薄膜。 了 、 其結果，可形成平均高度為75//m之多數個焊錫突 · 此等多數個焊錫突起之高度之偏差則在以内。又 5溶解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵蝕之事。 [實施例7] 於以150 // m之間距形成多數個直徑7〇以m及凹形狀夺 面為Νι之電極，且將厚度5〇"mt丙烯酸樹脂系薄厲，x 於用聚醯亞胺被覆電極上部以外之基板的表面，進而使置 10碳酸氣體雷射，在電極上部形成了直徑12〇//m之窗口部_ 馨 接著，藉由印刷法，將含有63%Sn_Pb之焊錫（體積比為大 約50%)之焊膏填充於上述窗口部及凹部，進而以21〇亡之、 度加熱使之_。其後，使用5%-乙醇胺溶液以除掉了 ^ 述感光性薄膜。 15 其結果，可形成平均高度為7〇#rn之多數個焊錫突起。 此等多數個焊锡突起之高度之偏差則在15 // m以内。又， 溶解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵蝕之事。 · [實施例8] 使用平徑粒徨15#πι之焊錫粉末(63%Sn — Pb)，以替代 20實施例1中的上述焊膏。又，將此焊錫粉末填充於感光性薄 膜窗口部及光致抗蝕劑層之凹部之前，先將若干量之助熔 劑（田村化研公司製之商品111^_5〇〇¥8)塗佈於上述窗口部 及凹邛之内面其以外之條件，係與實施例1同一。 其、结果’與實施例旧樣，可形成平均高度為60”之 26 1246378 多數個焊錫突起。此等多數個焊锡突起之高度之偏差則在2 ㈣以内’又，溶解去掉感級_時，完全沒有基板被侵 钱之事。 [實施例9] 5 級基板全體浸潰於：贼之炫融焊錫(63%Sn-Pb)後

再拉起來，以此狀態在自然冷卻下使之凝固，以替代實施 例1中將焊膏填充於感光性薄膜之窗口部的工程。而，使基 板全體浸潰於炼融焊錫以前，即按照實施例2進行祕劑之 塗佈處理。其以外之條件則與實施例丨同一。 …·、σ果可升V成平均南度為7〇#m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度的偏差則在以内。又，溶 解去掉感光性薄膜時，完全沒有基板被侵姓之事。 [實施例10] 15 20 使用與實施例1同一材 質之厚度40//m的感光性薄膜， 以代替實施例1之卫程中的厚度5G//m之感光性薄膜。於此 感光性薄膜形成多數個直獅_的窗口部之後，將跟上述 感光性薄膜同-材質之厚度4G//m的第二張感紐薄膜加

以熱壓枯，使之成為重聂-往$ 里且一張感光性溥臈之狀態。關於， 弟二張之感光性薄膜’即按照第—張感光性薄膜之條件: 行露光•祕處理’形成了重疊於第—張感光性薄膜之 數個直徑之窗π部。其後，藉由印刷法，將含㈣ -Ρη之焊錫(體積比為大約5〇%)的焊膏，填充於上述二張感 光性薄膜之各窗口部及歧抗㈣之凹部，進行以21叱之 溫度加熱使之㈣。其後，使用3%氫氧化赌液，以除掉 27 Ϊ246378 了上述二張感光性薄膜。 、 4 ”、、、"果，可形成平均高度為80#m之多數個焊錫突起。 > 此等多數個焊錫突起之高度之偏差，則在2,以内。又， 在除掉了第二張感光性薄膜時，完全沒有基板被侵蝕之事 ^ 〇 [實施例11] 〜使用平均粒控15/zm之焊錫粉末(63%Sn — Pb)，以替代 實知例4中的上述焊膏。又，將此焊錫粉末填充於窗口部之 1引 將右干1之助熔劑按照實施例2塗佈於二張感光性薄 鲁 10膜之窗口部及光致抗餘劑層之凹部的内面。其以外之條件 ’係與實施例4同一。 八、、、"果，可形成平均高度為80//m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度的偏差，則在以内。又， 心解去掉感紐薄料，完全沒有基板被健之事。 15 [實施例12] 先使基板全體浸潰於21〇°C之熔融焊錫（63%Sn — Pb)後 再拉起來，以此狀態在自然冷卻下使之凝固，以替代實施 % 例4中將焊膏填充於二張感光性薄膜之窗口部。而，使基板 全體浸潰於炫融焊錫以前，即按照實施例5將若干量之助熔 Μ劑塗佈於感光性薄膜之窗口部及光致抗钱劑層之凹部的内 面。其以外之條件則與實施例4同一。 果可形成平均尚度為90#m之多數個焊錫突起。 此等多數個焊錫突起之高度的偏差則在2”以内。又，溶 解去掉第二張感光性薄膜時，完全沒有基板被侵餘之事。 28 1246378 [實施例13] 在與實施例1之前段工程同一條件下，將厚度5〇#m2 感光性薄膜熱壓粘於基板之光致抗蝕劑層上同時，於此感 光性薄膜形成了直徑80 之多數個窗口部之後，將焊膏填 充於多數個窗口部内。其後，將具有多數個突起電極之半 導體曰曰片載置在上述基板上，以使多數個突起一部分進入 述® 口相之*干膏内之狀態，用21〇c>c之溫度加熱溶融上 述焊膏，其後在自然冷卻τ使之凝固。

其、、Ό果’可將上述半導體晶片機械且電池，適當地連 1〇 接於上述基板。 【圖式簡單說明】 15 苐la至If圖，為要部斷面 之形成方法的'例。 第2a至2c圖’為要部斯面 路基板的製作工程。 圖，係顯示本發明焊錫突起 圖，係顯示第la圖所示之電 第3圖，為要部斷面 圖 方法將電子零件安裝於形 例。 ~ ’係顯示藉由第la至If圖所示之 錫突起之基板的方法之_

第4圖為一要部斷面 20得之電子零件的安裝_。’係顯㈣第3®之安裝方法所 第5a圖及第5b圖，為 if圖所示之方法將電子=部斷面圖’係顯示藉由第h至 的立他例。 v牛安裝於形成有焊錫突起之基板 第6a至第6e圖，為要 斷面圖，係顯示本發明焊锡突 29 1246378 起之形成方法的其他例。 第7圖為一要部斷面圖，係顯示使用熔融焊錫之焊錫填 充作業之一例。 第8a至8f圖為斷面圖，係顯示本發明電子零件之安裝 5 方法之一例。 第9a至9d圖為要部斷面圖，係顯示習知焊錫突起形成 方法之一例。 第10a至10f圖，為斷面圖，係顯示習知方法之其他例。 【圖式之主要元件代表符號表】 1...電路基板 10...基板本體 2...電極 11··.凹部 3...光掩模 12...表層部 4,4A...薄膜 12’…光致抗钱劑層 5.··焊膏 19...儲備槽 5A，5B...焊錫突起 40540A·.·窗口部 5C...熔融焊錫 55.·..平坦部 6...半導體晶片 61...突起電極 30

Claims (1)

1246378 拾 1. 5 10 15 2. 20 、申請專利範圍： 一種電子零件之安裝方法，其係用來裝載電子零件於一 具有表層部（形成有多數個凹部）的基板上，透過焊錫來 連接該電子零件之電極與上述各凹部之電極的方法者 ’其特徵在於· 其作為裝載電子零件於上述基板上以前之步驟，係 包含：一將薄膜貼上或載置於上述表層部上之步驟；一 在此薄膜設置多數個連通於上述多數個凹部之窗口部 的步驟；及一將焊錫填充於上述多數個窗口部及上述多 數個凹部之步驟；且， 上述貼上或載置薄膜之步驟係在維持至少一部分 上述多數個凹部之空間下進行， 待裝載電子零件於上述基板上之後，使上述焊錫熔 融。 如申請專利範圍第1項所述之電子零件之安裝方法，其 特徵在於： 上述基板表層部，包含有一形成在基板本體表面之 抗姓劑層； 此抗#劑層，係為在上述電極上方形成開口孔，而 被露光及顯像。 如申請專利範圍第1項所述之電子零件之安裝方法，其 特徵在於· 上述薄膜為感光性薄膜；在上述薄膜設置上述多數 個窗口部之步驟，係為對於上述薄膜進行露光及顯像之 31 3. 1246378 步驟。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電子零件之安裝方法，其 特徵在於： 在上述薄膜形成上述多數個窗口部之步驟，係為對 5 於上述薄膜進行雷射照射之步驟。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電子零件之安裝方法，其 特徵在於： 在上述基板表層部之凹部填充焊錫之步驟，係藉著 從上述薄膜之窗口部填充焊膏而進行者。 10 6.如申請專利範圍第1項所述之電子零件之安裝方法，其 特徵在於： 在上述基板表層部之凹部填充焊錫之步驟，係藉著 從上述薄膜之窗口部填充焊錫粉末而進行者。 32