TWI237303B - Substrate processing apparatus - Google Patents

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TWI237303B
TWI237303B TW092126227A TW92126227A TWI237303B TW I237303 B TWI237303 B TW I237303B TW 092126227 A TW092126227 A TW 092126227A TW 92126227 A TW92126227 A TW 92126227A TW I237303 B TWI237303 B TW I237303B
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Takahiro Horiguchi
Ryo Kuwajima
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Tokyo Electron Ltd
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Description

1237303 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關基板處理裝置，特別是關於對基板施以成 膜等處理之基板處理裝置。 【先前技術】 在今日的超高速半導體裝置中，隨著微小化製程之進步 的同時，（M _以下之閘極長逐漸成為可能。一般隨著微 小化之同時，半導體裝置之動作速度亦提高，但於如此相 當微小化之半導體裝置中，隨著微小化使閘極長之縮短， 有必要使閘極絕緣膜之膜厚按照比例原則減少。 C問極長-旦成為〇. i # m以下，閘極絕緣膜之厚度於如 目則使用熱氧化膜之時’亦必須設定為卜2麵或以下，但 在如此極薄之閘極絕緣膜中，會增大通道電 >充，其結果是 無法回避閘極漏電流增大之問題。 因為如此之情況’自以往即提案比電容率係較熱氧化膜 甚^，因此對於閘極絕緣膜適用實際膜厚雖大，但換算成 熱氧化膜時膜厚小之丁心〇5或A12 〇3、Zr 〇2、Hf 〇2，此
Zi*Si〇4或HfSl〇4等之高電介質材料。藉由使用如此之 =私”貝材料’ 一旦閘極長為〇1 # m以下，則儘管是在非 常短之超高速半導體裝置，亦可使用⑶疆左右之物理上的 膜厚之閘極絕緣膜，並可控制通道效果所造成之間極漏電 流。 例如以往所知之丁心〇5膜，係可藉由法將 及02作為氣相原料而形成。典型之場合為，製程係在
O:\87\87877.DOC 1237303 減壓壞境Τ，約480°C、或在其以上之溫度來實行。如此形 成之Ta2 〇5膜，進一步在氧氣氛圍中被熱處理，結果，解除 了膜中氧欠缺的情形，而膜本身亦結晶化。如此結晶化之 〇5膜，顯示出了大的比電容率。 由提昇通道區域中之載波電流移動性之觀點，可在高電 介質閘極氧化膜及矽基板間，隔著lnm以下，較佳為0·8二 以下厚度之極薄的基底氧化膜。基底氧化膜必須為非常 薄其厚度若厚，則與在閘極絕緣膜使用高電介質膜之效 果相抵消。另一方面，如此非常薄的基底氧化膜，必須一 致地覆蓋住矽基板表面，且須要求不會形成界面位準等之 缺陷。 自以彺起，薄閘極氧化膜一般係藉由矽基板之急速熱氧 化（RTO)處理（例如，參照專利文獻1}所形成，但若想形成 期望之1 nm以下厚度之熱氧化膜，則必須降低膜形成時之 處理溫度。但是，以如此低溫所形成之熱氧化膜，容易含 有界面位準等之缺陷，不適合作為高電介質閘極氧化膜之 基底氧化膜。 圖1係顯示含有高電介質閘極絕緣膜之半導體裝置之構 成圖。 參照圖1，半導體裝置1〇係形成於矽基板丨丨上，而於矽基 板11上，隔著基底氧化膜12形成有Ta2〇5、Al2〇3、Zr〇2、
HfO2 ' ZrSl〇4、HfSi〇4等之高電介質閘極氧化膜13，此外 於前述高電介質閘極氧化膜13上形成有閘極電極14。 於圖1之半導體裝置10中，於前述基底氧化膜層12之表面
O:\87\87877.DOC 1237303 部份’在保持矽基板11與基底氧化膜12間之界面平坦性之 範圍，筝雜氮（N)而形成氧氮化膜丨2 a。藉由於基底氧化膜 ^中形成比電容率較矽氧化膜大之氧氮化膜12八，可更加減 少基底氧化膜12之熱氧化膜換算膜厚。 如先前所說明，有關高速半導體裝置1〇中，前述基底氧 化膜12之較佳厚度為儘可能地薄。 但為了均勻地且安定地形成丨nm以下，例如〇·8 nm以 下，進而對應2〜3原子層之〇.4nm左右之厚度之基底氧化膜 12，較以往更來得困難。 另外，為實現於基底氧化膜12上所形成之高電介質閘極 絕緣膜13之機能，係藉由熱處理以結晶化所堆積之高電介 質膜13，且必須進行缺氧補償，但對於高電介質膜13進行 如此之熱處理時，因基底氧化膜12之膜厚會增大，故藉由 使用高電介質閘極絕緣膜13減少閘極絕緣膜之實際膜厚， 實質上即相互抵銷了。 隨著如此熱處理之基底氧化膜12之臈厚增大，暗示了在 石夕基板11與基底氧化膜12之界面’氧原子及石夕原子之相互 擴散，與隨著此之硅酸鹽過渡層的形成，或者因氧對矽基 板中的侵入而使基底氧化膜12成長之可能性。隨著如此基 底氧化膜丨2之熱處理而來之膜厚增大問題，特別是基底1 化膜U之膜厚，在作為基底氧化料希望能減低至二望數 之原子層以下膜厚之時，會成為非常迫切之問題。 特許文獻1特開平5-47687號公報 【發明内容】
O:\87\87877.DOC 1237303 本發明係以提供解決上述課題之新穎且有用之基板處理 裝置為目的。 、本發明更詳細之目的係在於提供一種基板處理裝置，可 於矽基板表面，安定地形成非常薄且典型為2〜3原子層分之 厚度之氧化膜’進而將其氮化並形成氧氮化膜。 此外’本發明更詳細之目的係在於提供—種包含基板處 理裝置之叢集型基板處理系、統，可於梦基板表面，安定地 形成非常薄且典型為2~3原子層分之厚度之氧化膜，進而使 其安定地氮化。 此外’本發明之其他課題之目的，係在於提供—種基板 處理裝置，可解決如上述之課題，構成為可謀求氧化膜之 均一性、產量之改善與污染的防止。 本發明為達成上述目的具有如以下之特徵。 根據本發明’因將被插人於處理空間之被處理基板加熱 至：定溫度之加熱部，係於由石英所形成之透明箱體内部 二容發熱體之構成，故可防止因發熱體所造成之污染並均 呆持被處理基板之溫度分#，抑制被處理基板之彎 I而可女疋且有效率地進行被處理基板之成膜處理，故 能提高生產性。 、另外，根據本發明，藉由減壓處理容器内部並同時減壓 透明箱體之内都处戸弓 ^ , 卩二間，可抑制透明箱體之内外壓力差，而 可使對應減輕仙於透明箱體之力量之透明箱體之厚度變 薄’可提高來自發熱體之熱傳導效率。 另外根據本發明’於透明箱體上面設置由發熱體所加
O:\87\87877.DOC 1237303 熱之slC製之加熱板，加熱板上面係接近而相對著被保持於 保持構件之被處理基板之下面，藉此可提昇熱傳導，可加 熱被處理基板至戰之溫度，且不易使發熱體產生溫度 差，可防止發熱體之破裂。 又 另外，根據本發明，發熱體係具有第1 Sic加熱部，或第 2 3加熱部中之一者，而藉由選擇性地切換對第丨加熱 部或第2、3加熱部之任一方、或者雙方之電源供給，可安 定地加熱並且使被處理基板之邊緣不會彎翹。 另外，根據本發明，藉由在發熱體下方設置熱反射構件， 可有效率且均一地加熱被處理基板之全面。 【實施方式】 以下圖式說明有關本發明之實施形態。 圖2係顯示本發明之基板處理裝置之一實施例構成之前 視圖。圖3係顯示本發明之基板處理裝置之一實施例構成之 側視圖。圖4為沿著圖2中A-A線之橫剖面圖。 如圖2至圖4所示，基板處理裝置2〇如後述，係構成為可 連續進行矽基板之紫外光自由基氧化處理，與使用如此的 紫外光自由基氧化處理所形成之氧化膜之高頻遠距離電漿 之自由基氮化處理。 基板處理裝置20之主要構成，係包含··内部劃分成處理 工間之處理谷器2 2、於特定溫度加熱被插入於處理容芎2 2 内部之被處理基板（矽基板）之加熱部24、被搭載於處理容器 22上部之紫外線照射部26、供給氮自由基之遠距離電漿部 27、令被處理基板旋轉之旋轉驅動部28、使被插入處理空 O:\87\87877.DOC -10- 1237303 間之被處理基板昇降之升降桿機構30、為減壓處理容器κ 内部之排氣路徑32,及為供給氣體（氮氣、氧氣等之製程氣 體）於處理容器22内部之氣體供給部34。 另外，基板處理裝置20係具有為支持上述各主要構成部 之框36。框36為立體地組合鐵架者，由被置放於地面之台 狀之底部框38、由底部框38之後部而被豎立成垂直方向之 垂直框40, 4卜由垂直框40之中間部起延伸於水平方向而被 橫向架設之中間框42,及由垂直框40, 41之上端部橫向架設 於水平方向之上部框44所構成。 於底部框38搭載有冷卻水供給部46、包含電磁閥之排氣 用閥48a、48b、渦輪分子幫浦50、真空管路51、紫外線照 射部26之電源單位52、升降桿機構3〇之驅動部136及氣體供 給部34等。 於垂直框40之内部形成有可穿插各種電纜線之電纜線導 管40a。另外，於垂直框41之内部形成有排氣導管4U。此 外，在被固定於垂直框4〇中間部之托架58上安裝有緊急停 止開關60，而在被固定於垂直框4丨中間部之托架62上則安 裝有由冷卻水進行溫度調整之溫度調整器64。 於中間框42上係支持有：上述處理容器22、紫外線照射 部26、遠距離電漿部27、旋轉驅動部28、升降桿機構3〇、 及UV燈控制器57。另外，於上部框44上則搭載有：可連通 自氣體供給部34所拉出之複數條氣體管路58之氣體箱66、 離子測量控制器68、進行壓力控制之APC控制器70及控制 渦輪分子幫浦5〇之TMP控制器72等。
O:\87\87877.DOC -11- I2373〇3 圖5係顯示被配置於處理容器22下方之機器構成之前視 圖。圖6係顯示被配置於處理容器22下方之機器構成之俯視 圖。圖7係顯示被配置於處理容器22下方之機器構成之側視 圖。圖8A係顯示排氣路徑32之構成之俯視圖；而圖8B則顯 不排氣路徑32之構成之前視圖；圖8C為沿著線之縱剖 面圖。 如圖5至圖7所示，於處理容器22之後部下方設置有排出 處理谷器22内部氣體之排氣路徑32。該排氣路徑32係被安 裝成與橫向尺寸與形成於處理容器22内部之處理空間之橫 向寬幅大致相同而形成之長方形排氣口 74連通。 如此，由於排氣口 74係延伸形成為對應處理容器22内部 之橫向寬幅尺寸之長度，故自處理容器22之前部22a側供給 至内部之氣體，會如後述般，通過處理容器22内部流向後 方’以一定流速（層流）朝排氣路徑32有效率地排氣。 如圖8A〜圖8C所示，排氣路徑32係具有：被連通至排氣 口 74之長方形開口部32a'開口部32a之左右側面朝向下方 而傾斜成錐形狀之錐形部32b、在錐形部32b之下端處通路 面積被集中之底部32c、由底部32c向前方突出之乙字型之主 出口 32e及向錐形 。排出口 32e被連 分流用排出口 32g 排氣管32d、開口於主排氣管32(1下端之排 部32b之下部32f開口之分流用排出口 32g 通至渴輪分子幫浦5〇之吸氣口。另外， 被連通至分流管路5丨a。 如圖5至圖7所示，由處理容器22之排氣口 74所排出之氣 體，係藉由渦輪分子幫浦5〇之吸引力，自形成為長方形:
O:\87\87877.DOC -12- 1237303 再經由主排氣 開口部32a流入，通過錐形部32b至底部32c， 官32d與排出口 326被引導至渦輪分子幫浦⑽ 外渦輪分子幫浦50之吐出管5〇福經由閥他被連通至真空 管路51。因此’充填於處理容器22内部之氣體，8、: 打開時則經由涡輪分子幫浦5G向真空管路51排出。另外， 於排氣路徑32之分流用排出n32g係連接有分流管路 而該分流管路51a會因閥48b之打開而舆真空管路5i連通。 在此，說明有關構成本發明重要部分之處理容器22及其 周邊機器之構成。 【處理容器22之構成】 圖9係擴大顯示處理容器22及其周邊機器之側面縱剖面 圖。圖10為從上方所見到拿掉蓋子構件Μ之處理容器22内 部之俯視圖。 如圖9與圖10所示，處理容器22係藉由蓋子構件以閉塞住 室80上部開口之構成，其内部成為製程空間（處理空間）84。 處理容器22在前部22a形成有可供給氣體之供給口 22g， 而後部22b則形成有搬送口 94。於供給口 22g設置有後述之 氣體噴射噴嘴部93,而於搬送口 94則連通有後述之閘極閥 96 〇 圖11為處理容器22之俯視圖。圖12為處理容器22之前視 圖。圖13為處理容器22之仰視圖。圖14為沿著圖12中€< 線之縱剖面圖。圖15為處理容器22之右側視圖。圖16為處 理容器22之左側視圖。 如圖11至圖16所示，於處理容器22之底部22c設置有：被
O:\87\87877.DOC ]3 - 1237303 插入加熱部24之開口 73，及前述開口成長方形之排氣口 74。於排氣口 74連通有前述之排氣路徑32。另外，室8〇與 蓋子構件82，係例如切割加工鋁合金’並加工成如上述之 形狀者。 另外，於處理容器22之右側面22e係安裝有：為窺視製程 空間84之第1、第2窗口 75,76，及為測定製程空間84之溫度 之感應器單元77。 於本實施例中，由於在右側面22e中央之左側配置有形成 為橢圓形之第1窗口 75，而右側面22e中央之右側配置有形 成為圓形之第2窗口 76,因而可由兩方面直接目視被保持於 製私空間84之被處理基板w之狀態，故有利於觀測被處理 基板W之成膜狀況等。 另外，由口 75，76之構成為在插入有熱電偶等之溫度測定 器具時，可由處理容器22拆掉。 另外，於處理容器22之左側面22d，係安裝有為測定製程 空間84之壓力之感應器單元85。於該感應器單元85設置有 測定範圍不同的3個壓力計85a〜85c，可高精密度地測定製 程空間84之壓力變化。 另外，於形成製程空間84之處理容器22之内壁之四個角 落，設置有形成為R形狀之彎曲部22h，其不僅可藉由該弯 曲部22h迴避應力集申’並可發揮使由氣體喷射喷嘴部93 所射喷出之氣體流安定之作用。 【紫外線照射部26之構成】 如圖8至圖11所示，紫外線照射部26係被安裝於蓋子構件 O:\87\87877.DOC -14- 1237303 8 2之上面。於该I、外線射部2 6之筐體2 6 a内部，以特定間 隔平行地配置有形成為圓筒狀之2根紫外線光源（UV燈）86, 87 〇 該紫外線光源86，87具有發出波長為172 ηπι之紫外線之 特性，被設置於經由形成於蓋子構件82之橫向延伸之長方 形開口 82a，82b，可對與保持於製程空間84之被處理基板w 上面相對之製程空間84之前半側（於圖8左半部）區域照射紫 外線之位置。 另外，由延伸成直線狀之紫外線光源86,87照射在被處理 基板W上之紫外線之強度分佈並不一致，而是因被處理基 板W之半徑方向之位置而變化，一方是越往被處理基板w 之外周圍側則越減少，另一方則是越往内周圍側則越減 少。如此紫外線光源86, 87雖在被處理基板评上形成單獨且 單調地變化之紫外線強度分佈，但對於被處理基板W之紫 外線強度分佈之變化方向則成相反。 因此藉由UV燈控制器57的控制來最適化紫外線光源％， 87之驅動能量，故可在被處理基板w上實現非常地一致之 紫外線強度分佈。 另外，如此的驅動能量之最適值，係變化對紫外線光源 86, 87之驅動輸出而評估成膜結果，來求得最適值。 另卜被處理基板w與紫外線光源86, 87之圓筒狀圓筒芯 中心之距離’例如係設定成5〇〜酿，較佳為i 0。〜200 mm 左右。 圖17係擴大顯示紫外線光源86, 87之安裝構造之縱剖面
O:\87\87877.DOC -15- 1237303 如圖17所示，紫外線光源S6,87係被保持於 照射部26筐體26a之底 系外線 、、之底邛開口 2补之位置。並且，底部開口 ^成為於相對於被保持在製程空間以之被處理基板 入 位置處開口 ’且橫向寬幅尺寸較紫外線光源86, 87 全長更長之長方形。 ’ 於底部開口 2·邊緣部2心，安裝有由透明石英所形成 之透明固88。透明窗88將由紫外線光源队所照射之紫外 線透射入製程空間84，並且具有可承受製程空賴減壓 之壓力差之強度。 另外於透明由88下面邊緣部，形成有抵接被安裝於底 ]6b之邊緣部26c之溝内之密封構件（〇環）89之密封 面88a。該密封面88a係由為保護密封構件89之塗層或由黑 石英所形成。藉此，密封構件89之材質不會分解，可防止 劣化保護密封性能’同時並防止密封構件的之材質侵入至 製程空間84。 · 另卜於透明®88上面邊緣部與不銹鋼製之防護罩88b 抵接’以提高鎖緊構件91夾住透明窗88時之錢，防止因 鎖緊時之擠壓力造成透明窗88破損。 另外，於本實施例中，係將紫外線光源86, 87與透明窗88 配置為於與由氣體噴射噴嘴部93所噴射之氣體流之流動方 向垂直而延伸之方向，但不限於此，例如亦可配置成使紫 外線光源86,87與透明窗88延伸於氣體流之流動之方向。 【氣體喷射噴嘴部93之構成】
O:\87\87877.DOC -16- 1237303 如圖9與圖10所示，處理容器22在開口於前部山之供給 = 22g處，$置有對製程空間84㈣喷射氮氣或氧氣之氣體 喷射喷嘴部93。該氣體喷射喷嘴部93係如後述，在製程空 間84之橫向方向配置有一列的複數個噴射口 ，可使由複 數個的喷射口 93a所喷射之氣體，以層流狀態通過被處理基 板w表面，而在製程空間84内部產生安定的氣流。 另外，閉塞製程空間84之蓋子構件82之下面與被處理基 板w之距離，係例如被設定成5〜1〇〇 mm，較理想為25〜85 mm左右。 【加熱部24之構成】 如圖9與圖1〇所示，加熱部24之構成為具備有：鋁合金製 之底座110、被固定於底座Π0上之透明之石英鐘罩112、被· 收容於石英鐘罩112之内部空間113之SiC加熱器114、由不 透明石英所形成之熱反射構件（反射器）116、由被裝載於石 英4里罩112上面之S i C加熱器114所加熱之S i C基板設置台 (加熱構件）118。 ， 因此’ SiC加熱器114與熱反射構件116係由石英鐘罩112 之内部空間11 3所隔離，可防止在製程空間84之污染。另 外’於洗淨步驟，因僅需洗淨被露出於製程空間84内之SiC 基板設置台118即可，故可省略洗淨SiC加熱器114與熱反射 構件116之作業。
被處理基板W係由保持構件120保持在相對於SiC基板設 置台11 8之上方。另一方面，SiC加熱器u4被裝載於熱反射 構件116之上面，而SiC加熱器114所發散之熱係放射至SiC O:\87\87877.DOC -17- 1237303 基板設置台118，且熱反射構件116所反射之熱亦放射至sic 基板設置台118。此外，本實施例之Sic加熱器H4係在稍稍 離開SiC基板設置台us之狀態下加熱至約7〇〇。〇。 S i C基板设置台11 8因其熱傳導率佳，故可有效率地將來 自SiC加熱器114之熱傳達至被處理基板w，並消除被處理 基板W邊緣部份與中心部份之溫度差，防止被處理基板▽ 因溫度差而彎曲。 【旋轉驅動部28之構成】 如圖9與圖1〇所示，旋轉驅動部28係由以下所構成：在Sic 基板設置台118之上方保持被處理基板w之保持構件12〇、 被固疋於底座11〇下面之外殼122、對在由外殼122所劃分之 内部空間124内結合於保持構件12〇之軸12〇d之陶瓷軸126 進订旋轉驅動之馬達128、及傳達馬達128之旋轉之磁鐵聯 結 Is 13 0。 於旋轉驅動部28中，保持構件12〇之軸12〇d係貫通112石 英鐘罩並結合於陶瓷軸126,而於陶瓷軸126與傳達馬達128 之旋轉軸間則是經由磁鐵聯結器i 3〇以非接觸之方式傳達 驅動能量，故使旋轉驅動系統之構成變得簡潔，亦有助於 裝置全體之小型化。 保持構件120自軸120d上端起，具有於水平方向延伸成放 射狀之臂部120a〜120c。被處理基板w以被裝載於保持構件 ⑽之臂部120a〜120c之狀態保持著。如此，被保持之被處 理基板W與保持構件1 20—起由傳達馬達128以特定之旋轉 速度來旋轉，藉此可平均因114 SlC加熱器發熱之溫度分
O:\87\87877.DOC •18- 1237303 佈’並使來自紫外線光源86, 87所照射之紫外線之強度分佈 均一，且可對表面施以均一之成膜。 【升降桿機構30之構成】 如圖9與圖1〇所示，升降桿機構30係被設置於室8〇之下方 且112石英鐘罩之側面，由被插入於室8〇内之昇降臂132、 被連結於昇降臂13 2之昇降軸1 3 4、使昇降軸1 3 4昇降之|區動 部136所構成。昇降臂132係例如由陶瓷或石英所形成，如 圖10所示’具有：結合著昇降軸134上端之結合部i32a，及 包圍SiC基板設置台118外周之環狀部i32b。並且，於昇降 臂132 ’在圓周方向上以12〇度之間隔，設置有由環狀部132b 之内周起向中心延伸之3支抵接銷138a〜138c。 抵接銷138a〜138c會下降至嵌合由SiC基板設置台118之 外周向中心延伸而形成之溝118a〜；[18c之位置，藉由昇降臂 132上昇而再移動至Sic基板設置台U8之上方。另外，抵接 銷138a〜138c係配置成不干涉到較Sic基板設置台U8中 心’延伸於外周側所形成之保持構件12〇之臂部12〇a〜12〇c。 昇降臂132其搬送自動機98之機械臂在取出被處理基板 w之前，係使上述抵接銷138a〜138c抵接於被處理基板▽之 下面’再由保持構件12〇之臂部12〇a〜120c拿起被處理基板 W。藉此，搬送自動機％之機械臂可移動至被處理基板w 之下方’而可以降下昇降臂132來搬送並保持被處理基板 W。 【石英墊圈100之構成】 如圖9與圖10所示，於處理容器22之内部，為遮蔽紫外線 O:\87\87877.DOC -19- 1237303 而安裝有例如由白色等之不透明石英所形成之石英墊圈 100又，石彡墊圈1〇〇係如後所述，為組合下部盒體、 側面盒體10 4、上部各辦1 π a jR 6面 I 1體106及包覆石英鐘罩112外周之圓筒 狀盒體108之構成。 。玄石英墊圈100 ’藉由覆蓋形成製程空間84之處理容器Μ 與蓋子構件82之内壁，可得到防止處理容器22與蓋子構件 82之熱膨脹之隔熱效果，並防止處理容器22與蓋子構件μ 之内壁因紫外線而氧化，且具有防止金屬污染之任務。 【遠距離電漿部27之構成】 如圖9與圖10所示，於製程空間84供給氮自由基之遠距離 電漿部27，係被安裝於處理容器22之前部22a，並經由供給 管路90連通至處理容器22之供給口 92。 於該遠距離電漿部27中，供給有Ar等之惰性氣體與氮氣 體，藉由電漿將此活性化，可形成氮自由基。如此所形成 之氮自由基會沿著被處理基板W之表面流動而氮化基板表 面。 另外，於其他之氮氣體，亦可實施使用〇2、NO、n2〇、 NH3氣體等之氧化、氮氧化自由基製程。 【閘極閥96之構成】 如圖9與圖10所示，於處理容器22之後部設置有為搬送被 處理基板W之搬送口 94。該搬送口 94係由閘極閥96所閉塞 住，僅於搬送被處理基板W時由閘極閥96之打開動作而開 放。 於閘極閥96之後方設置有搬送自動機98。並且，配合閘 O:\87\87877.DOC -20- 1237303 極閥96之打開動作，搬送自動機98之機械臂會由搬送口 ％ 進入至製程空間84之内部，並進行送被處理基板w之交換 作業。 、 【上述各構成部之詳細】 (1)在此，誶細說明關於上述氣體喷射喷嘴部93之構成。 圖18係擴大顯示氣體喷射喷嘴部93之構成之縱剖面圖。 圖19係擴大顯示氣體噴射喷嘴部93之構成之橫剖面圖。圖 20係擴大顯示氣體噴射喷嘴部93之構成之前視圖。 如圖18至圖20所示，氣體喷射喷嘴部％於前面中央，具 有可連通上述遠距離電漿部27之供給管路9〇之連通孔％， 而於連通孔92之上方，則安裝有複數個喷射孔93心〜93^於 橫方向配設成一列之噴嘴板93bi〜93b3。喷射孔93a广93%係 例如為直佐1 mm的小孔，而以1 〇 mm之間隔設置。 另外，於本實施例中，雖設有包含小孔之射噴孔 93ai〜93an ’但不限於此，例如亦可為以細小狹縫做為射噴 孔之構成。 、 另外，喷嘴板9313^931^係被鎖緊於氣體喷射喷嘴部％之 壁面。因此，自射喷孔93ai〜93an所射喷之氣體會由氣體噴 射噴嘴部93之壁面流向前方。 、 例如，在射噴孔設置於管狀之噴嘴管路時， 2射喷孔93ai〜93an所射噴之氣體一部份會發生回流至噴嘴 管路之後方，而在製程空間84產生氣體滯留，引發被處理 基板W周邊之氣體流不安定之問題。 但於本實施例中，因射嗔孔93ai〜93an為形成於氣體嘴射
O:\87\87877.DOC -21 - 1237303 喷嘴部93之壁面之構成，故不會產生如此之氣體返回到喷 嘴後方之現象，可保持於安定被處理基板W周邊氣體流之 層流狀態。藉此，可均一地形成被處理基板W上之成膜。 另外，在各喷嘴板93bi〜93b3相對之内壁，形成有具有使 氣體滯留之機能之凹部93ci〜93c3。因該凹部93Cl〜93c3係被 設置於射喷孔93ai〜93an之上流，故可平均自各射喷孔 93ai〜93an所射喷之氣體之流速。藉此，能平均於製程空間 84全區域之流速。 此外，各凹部93c 1〜93c3可連通貫穿氣體喷射喷嘴部93之 供給孔93dl〜93d3。又，中央之氣體供給孔93d2不與連通孔 92交叉而形成於錯開之位置，折彎成彎曲形狀。 並且，於中央之氣體供給孔93d2,藉由第1質量控制器97a 而被控制其流量之氣體經由氣體供給管路992而被供應。 又，於被配置於氣體供給孔93d2左右之氣體供給孔93dl， 93d3，藉由第2質量控制器97b而被控制其流量之氣體經由 氣體供給管路991、993而被供應。 另外，第1質量控制器97a與第2質量控制器97b，係經由 氣體供給管路994、995與氣體供給部34連接，並將來自氣 體供給部34所供給之氣體流量控制於預先所設定之流量。 第1質量控制器97a與第2質量控制器97b所供給之氣體， 係經由氣體供給管路991〜993到達氣體供給孔93dl〜93d3， 而充填於各凹部93cl〜93c3後，再由射喷孔93al〜93an噴向 製程空間84。 製程空間84内之氣體，為了可由延伸於處理容器22之前 O:\87\87877.DOC -22- 1237303 部22a之橫向寬幅方向之各喷嘴板93μ〜9儿3之射喷孔 93a 1〜93an向製程空間84之全區域喷射，在製程空間料之全 區域以特定流速（層流）流向處理容器22之後部2几側。 此外，於處理谷器22之後部22b側，由於延伸於後部22b 之橫向寬幅方向之長方形排氣口 74呈現開口，故製程空間 84内之氣體紇成流向後方，照特定流速（層流）朝排氣路徑 排氣。 另外，於本實施例中，因可控制2個系統之流量，故例如 亦可以第1質量控制器97a與第2質量控制器97 b控制不同之 流量。 藉此，設定使供給於製程空間84内之氣體流量（流速）不 同，亦可使製程空間84内之氣體濃度分佈變化。此外，亦 可以第1質量控制器97a與第2質量控制器97 b供給不同種類 之氣體，例如亦可以第i質量控制器97a進行氮氣體之流量 控制，而以第2質量控制器97 b進行氧氣體之流量控制。 使用之氣體例如可為含氧氣體、含氮氣體及稀有氣體等。 (1)在此，詳細說明關於加熱部24之構成。 圖2 1係擴大顯示加熱部24構成之縱剖面圖。圖22係擴大 顯示加熱部24之仰視圖。 如圖2 1及圖22所示，加熱部24係於鋁合金製之底座11 〇 裝載石英鐘罩112，經由凸緣140固定於處理容器22之底部 22c。並且’於石英鐘罩112之内部空間113，收容有siC加 熱器114與熱反射構件116。因此，Sic加熱器114與熱反射 構件116 ’與處理容器22之製程空間84隔離，不與製程空間 O:\87\87877.DOC -23- 1237303 84之氣體接觸，而為不會產生污染之構成。
SiC基板設置台118係被載置於與SiC加熱器114相對之石 英鐘罩11 2上’並可藉由高溫計11 9來測定溫度。該高溫計 119係藉由隨著SiC基板設置台118被加熱而產生之熱電效 果來測疋S i C基板设置台11 8之溫度者，而於控制電路中， 由藉由高溫計119所檢測之溫度信號來推測被處理基板w 之溫度，再根據該推測溫度控制SiC加熱器n4之發熱量。 另外’石英鐘罩112之内部空間113，如後述於處理容器 22之製程空間84減壓時，減壓系統作動並同時減壓以使與 製程空間84之壓力差變小。因此，石英鐘罩}丨2不必考慮減 壓步驟時之壓力差而加大殼厚（例如3〇 mm左右），熱容量小 即可，也因此可提高加熱時之反應性。 底座11〇形成為圓盤狀，於中央具有穿插有保持構件12〇 之軸120d之中央孔142，而於内部則設置有在圓周方向延伸 而形成之冷卻水用之第1水路144。因底座u〇為鋁合金製， 其熱膨脹率雖大，但可藉由在第丨水路144流動冷卻水來冷 卻。 另外’凸緣140為組合介於底座11〇與處理容器22之底部 22c間之第1凸緣146，與嵌合於第1凸緣ι46之内周之第2凸 緣148之構成。於第}凸緣146之内周面，係設置有在圓周方 向延伸而形成之冷卻水用之第2水路15〇。 上冷卻水供給部46所供給之冷卻水，係藉由在上述水路 144與150流動，冷卻由sic加熱器n4發熱所加熱之底座丨1〇 與凸緣140 ’並抑制底座110與凸緣140之熱膨脹。
O:\87\87877.DOC -24- 1237303 另外，於底座110下面設置有：連通有使冷卻水流入於水 路144之第1流入管路152之第1流入口 154,與連通有排出通 過水路144之冷卻水之流出管路156之第1流出口 158。此 外，於底座110下面之外周附近，在圓周方向設置有複數個 (例如8〜12處左右）用於穿插鎖緊於第！凸緣146之螺栓ι6〇 之安裝孔162。 另外’於底座110下面之半徑方向上之中間位置附近設置 有··包含測定SlC加熱器114之溫度用之熱電偶之溫度感應 器164，與供給電源至siC加熱器114之電源纜線連接用端子 166a〜166f。又，在SiC加熱器114形成有3個區域，而電源 纜線連接用端子166a〜166f則分別設置有提供電源至各區 域之+側端子、一側端子。 另外，於凸緣140下面設置有··連通有使冷卻水流入於水 路150之第2流入管路168之第2流入口 170，與連通有排出通 過水路150之冷卻水之流出管路172之第2流出口 174。 圖23係擴大顯示第2流入口 170，及第2流出口 174之安裝 構造之縱剖面圖。圖24係擴大顯示凸緣14〇之安裝構造之縱 剖面圖。 如圖23所示’於第1凸緣146係設置有可連通第2流入口 170之L子形之連通孔146a。該連通孔146a之邊緣部則被連 通至水路150。又，第2流出口 174亦以與上述第2流入口 170 相同之構成被連通至水路15 0。 由於水路150係在凸緣14〇之内部延伸形成於圓周方向， 故藉由冷卻凸緣140，亦間接地冷卻在第丨凸緣丨46之階狀部 O:\87\87877.DOC -25- 1237303 146b與底座110間所挾持之石英鐘罩} I]之突出部11。之溫 度。藉此，石英鐘罩U2之突出部112&可在半徑方向抑制熱 膨脹。 如圖23及圖24所示，於石英鐘罩！ 12之突出部丨12a下面， 在圓周方向於特定間隔設置有複數個位置決定孔丨78。該位 置決定孔178係嵌合被螺入於底座丨1〇上面之栓176之孔，但 熱膨脹率大之底座110,在半徑方向熱膨脹時為不增加突出 部112a之負荷，故形成為較栓176之外徑更大之大口徑。 即，僅能容許栓176與位置決定孔178之間隙部份，對石英 鐘罩112之突出部n2a之底座11〇之熱膨脹。 另外，因石英鐘罩112之突出部112a，對第}凸緣146之階 狀部146b設置有半徑方向之間隙，故因此點之故亦僅能容 許間隙之份之底座11 〇之熱膨脹。 石英4里罩112之突出部112a下面，係藉由被安裝於底座 110上面之密封構件（〇環）丨8〇而密封，石英鐘罩1丨2之突出 部112a上面，則藉由被安裝於第1凸緣ι46之密封構件⑴ 環）182而密封。 此外，第1凸緣146與第2凸緣148之上面，係藉由被安裝 於處理容器22之底部22c之密封構件（〇環）184，186所密 封。而第2凸緣148之下面，則是藉由被安裝於底座11〇上面 之密封構件（〇環）188所密封。 如此’由於在底座11〇與凸緣14〇之間及凸緣14〇與處理容 器22之底部22c之間成為雙重密封構造，無論其中何者的密 封構件有破損時亦可由其他密封構件來密封住，故更能提
O:\87\87877.DOC -26- 1237303 问處理谷态22與加熱部24間密封構造之信賴性。 例如’石英鐘罩i丨2破裂時或突出部丨丨2a產生裂痕時，可 由被配置於較突出部112a更外侧之密封構件18〇，確保石英 鐘罩112内部之氣密性，並阻止處理容器22内之氣體流出至 外部。 或者’即使是接近加熱部24之密封構件180, 182產生劣化 日t ’亦可藉由安裝於較加熱部24更為遠遠之位置處之外側 也封構件1 86，1 88，維持處理容器22與底座11〇間之密封性 能而’故亦能防止因長年變化之氣體漏洩。 如圖21所示，SiC加熱器114於石英鐘罩112之内部空間 113中’係被載置於熱反射構件ι16之上面，且藉由立在底 座Π 0上面之複數個夾钳機構19 〇，而被保持於特定高度。 該夾鉗機構190係具有：抵接於熱反射構件11(5下面之外 筒190a，貫通外筒190a並抵接於SiC加熱器114上面之軸 190b ’及對著軸19〇b擠壓外筒190a之螺旋彈簧1 92。 並且，由於夾钳機構190之構成係以螺旋彈簧192之彈菁 力夾住SiC加熱器114與熱反射構件116，故例如即使在搬運 時有所振動，SiC加熱器114與熱反射構件116亦能保持不會 接觸到石英鐘罩112。另外，因上述螺旋彈簧192之彈菩力 為經常保持作用著，故亦可防止因熱膨脹而引起之螺絲鬆 弛，SiC加熱器114與熱反射構件116可被保持於不會鬆動之 安定狀態。 另外，各夾鉗機構190係構成為可對底座11〇調整ye加熱 器114與熱反射構件116之南度位置於任意位置，藉由調整 O:\87\87877.DOC -27- 1237303 複數個夾鉗機構190之高度位置，能保持於Sic加熱器114與 熱反射構件116之水平。 此外，於石英鐘罩112之内部空間113中安裝有：Sic加熱 器114之各端子，與用於電連接被穿插於底座11〇之電源纜 線連接用端子166a〜166f之連接構件194a〜194f(但，於圖21 圖示有連接構件1 94a、194c)。 圖25係擴大顯示夾钳機構190上端部之安裝構造之縱剖 面圖。 如圖25所示，夹钳機構190係鎖緊被栓入於穿插於熱反射 構件116之穿插孔116a與SiC加熱器114之穿插孔114e之軸 190b上端之螺母193,經由墊片195於軸方向擠壓L字形墊片 197，199並挾持SiC加熱器114。
SiC加熱器114，於穿插孔U4e插入有L字形之墊片197, 199之圓筒部197a，199a，而於圓筒部197a，199a内則穿插有 夾鉗機構190之軸190b。並且，L字形墊片197, 199之突出部 197b，199b係抵接於SiC加熱器114之上面、下面。 夾甜機構190之軸190b，係藉由上述螺旋彈簧192之彈簧 力而被施予向下方之力，且夾鉗機構190之外筒19〇a藉由上 述螺旋彈簧192之彈簧力而被施予向上方之力。如此，使螺 旋彈簧192之彈簧力產生做為夾鉗力之作用，故熱反射構件 116與SiC加熱器114安定地被保持著，可防止因搬運時之振 動所引起之破損。
SiC加熱器114之穿插孔114e，係較l字形之墊片197& 197b之圓筒部197c，197d之口徑大，故設有間隙。因此，在 O:\87\87877.DOC -28- 1237303 因SiC加熱器114之發熱而產生之熱膨脹，使穿插孔114e與 軸190b相對地變位時，穿插孔1146可在抵接l字形墊片197, 199之突出部197b，199b之狀態下於水平方向錯位，防止隨 著熱膨脹之應力的發生。 (3)在此，針對sic加熱器114說明。 如圖26所示，SiC加熱器114係由：中心部形成為圓形狀 之第1發熱部114a，及包圍住第1發熱部114a之外周而形成 為圓弧狀之第2、第3發熱部114b，114c所構成。又，於SiC 加熱器114中心係設置有：被穿插保持構件12〇之軸12〇(1之 穿插孔114d。 發熱部114a〜114c係並列地連接至發熱控制電路196，再 由溫度調整器198控制於所設定之任意溫度。於發熱控制電 路196中，係藉由控制由電源2〇〇供給至發熱部U4a〜114ci 電壓’來控制自SiC加熱器114所放射之發熱量。 另外，若因發熱部114a〜114c之容量不同則會增大電源 2〇〇之負擔，故於本實施例中，可設定使各發熱部U4a〜n4c 之容量（2 KW)成為相同之電阻。 發熱控制電路196係可選擇··控制方法j，同時使發熱部 114a〜114c通電並發熱；控制方法立，配合被處理基板…之 酿度为佈狀況’使中心之第1發熱部丨丨4a，或外側之第2、 第3發熱部114b，114c之其中一者發熱；控制方法皿，配合 被處理基板w之溫度變化，同時使發熱部U4a〜U4c發熱， 及使第1發熱部114a或第2、第3發熱部ii4b，114c之任一發 敎0
4 "N
O:\87\87877 DOC 29- 1237303 被處理基板W在藉由上述保持構件12 〇保持之狀態，邊旋 轉邊由各發熱部114a〜11 4c發熱而被加熱之際，會因外周侧 與中心部份之溫度差而使周邊部份朝上方彎勉。但，於本 實施例中，由於SiC加熱器114係經由熱傳導率佳之Sic基板 设置台11 8來加熱被處理基板W，故被處理基板W全體是以 來自SiC加熱器114之熱來加熱，可將被處理基板w之周邊 口 P伤與中心部份之溫度差抑制到最小，以防止被處理基板 W的彎魅。 (4)在此，詳細說明有關ι12石英鐘罩之構成。 圖27A係顯不石英鐘罩ι12之構造之俯視圖。圖27B係顯 示石英鐘罩112之構造之縱剖面圖。圖28A為從上方所見石 英鐘罩112之構造之立體圖；圖28B為從下方所見石英鐘罩 112之構造之立體圖。 如圖27A、圖27B與圖28A、圖28B所示，石英鐘罩ιΐ2由 透明石英所形成，其係具有··於前述突出部上方形成 之圓筒部112b、覆蓋圓筒部112b上方之頂板112〇、延伸於 較頂板U2c中央之下方之中空部U2d、及為補強被橫向架 设於突出部112a所形成之開口之樑部i 12e。 由於突出部U2a與頂板112e承受荷重，故形成為較圓筒 部112b為厚。又，石英鐘罩112因延伸於縱方向之中空部 112d與延伸於橫方向之樑部丨丨。在内部交又，故可提高 下方向與半徑方向之強度。 另外，於樑部112e之中間位置可結合中空部U2d之下妒 部份，而中空部U2d内之穿插孔112f亦貫通樑部112。於：
O:\87\87877.DOC -30- 1237303 穿插孔112f可穿插保持構件i2〇之軸12〇d。 並且，於石英鐘罩112之内部空間113插入有前述sic加熱 器Π4與熱反射構件116。又，雖sic加熱器114與熱反射構 件116形成為圓盤狀，但為可分割成圓弧狀之構成，可避開 樑部112e並於被插入内部空間u 3後組裝。 此外，於石英鐘罩112之頂板112c有3處（120度間隔）突 出’其係為支持SiC基板設置台118之輪轂H2g〜112i。因 此，由輪轂112g〜112i所支持之SiC基板設置台118，係被載 置成稍微自頂板112c突出之狀態。因此，即使處理容器22 之内部壓力有變化，或因產生溫度變化之Sic基板設置台 π 8變動至下方時，亦可防止接觸到頂板112c。 另外，石英鐘罩112之内部壓力，係如後述為進行藉由減 壓糸統進行排氣流量的控制，使與處理容器22之製程空間 84之壓力差成為5〇 τ〇ΓΓ以下，故可將石英鐘罩i 12之厚度製 作成比較薄。因此，由於可將頂板112〇之厚度做成薄約6〜1〇 mm左右，故使得石英鐘罩112之熱容量變小並可藉由提高 加熱日T之熱傳導效率提昇反應性。另外，本實施例之石英 知罩112 ’係設計成具有可承受100 Torr壓力之強度。 圖29係顯示減壓系統之排氣系統構成之系統圖。 如圖29所示，處理容器22之製程空間料，係如前所述， 閥48a打開後，經由被連通至排氣口 74之排氣路徑32，藉由 渦輪分子幫浦50之吸引力而減壓。此外，被連接至渦輪分 子幫浦50之排氣口之真空管路51下游，連通至吸引被排氣 氣體之幫浦（MBP)201。
O:\87\87877.DOC 1237303 石央4里罩11 2之内部空間i i 3係經由排氣管路2〇2而被連 接至分流管路51a，而由旋轉驅動部28之外殼122所劃分成 之内部空間124，則經由排氣管路2〇4被連接至分流管路 51a。 排氣官路202係設置有：測定内部空間i丨3壓力之壓力計 205及於石英鐘罩112之内部空間113減壓之際會打開之閥 206又，於分流官路51a，如前述係設置有閥48b，且設有 分流閥48b之分歧管路208。而於該分歧管路2〇8設有：在減 壓步驟之初期階段所打開之閥21〇、及為能較閥48b更集中 流量之可變隔膜2 11。 另外’於渦輪分子幫浦50之排氣側設有：開關用之閥 212、測定排氣側之壓力之壓力計2丨4。並且，於渦輪軸清 除用之N2線連通至渦輪分子幫浦5〇之渦輪管路216上設置 有：逆止閥218、隔膜220及閥222。 另外’上述閥206、210、212、222係包含電磁閥，依據 來自控制電路之控制信號而打開。 在如上述所構成之減壓系統中，於進行處理容器2 2、石 英鐘罩112與旋轉驅動部28之減壓步驟時，並非一口氣地減 壓’而是階段地減壓，使其漸漸地接近真空而減壓。 首先’以打開被設置於石英鐘罩112之排氣管路202之閥 206 ’使石英鐘罩112之内部空間in與製程空間84之間經由 排氣路徑32成為連通狀態，進行壓力之均一化。藉此，使 得在減壓步驟之開始階段之石英鐘罩H2之内部空間丨13與 製程空間84間之壓力差變小。 O:\87\87877.DOC -32- 1237303 其次’使被設置於上述分歧管路208之閥210打開，由可 k隔膜211進行被集中之小流量之減壓。之後，使被設於分 流官路5 1 a之閥48b打開，並階段性地增大排氣流量。 另外’比較由壓力計2〇5所測定之石英鐘罩112之壓力， 與由感應為單元85之壓力計85a〜85c所測定之製程空間84 之壓力，當兩壓力差為50 T〇rr以下時，即令閥48b打開。藉 此’於減壓步驟，緩和作用於石英鐘罩n 2之内外之壓力 差’並使不需要之應力不會作用於石英鐘罩112以進行減壓 步驟。 並且’於經過特定時間後使閥48a打開，並增大渦輪分子 幫浦50之吸引力所造成之排氣流量，減壓處理容器22、石 英鐘罩112與旋轉驅動部28之内部直到變為真空為止。 (5)在此，針對上述保持構件12〇之構成做說明。 圖30A係顯示保持構件12〇構成之俯視圖；圖3〇b係顯示 保持構件120構成之側面圖。 如圖30A、圖30B所示，保持構件120係由支持被處理基 板W之臂部i2〇a〜120c，及可結合臂部i2〇a〜120c之軸i2〇d 所構成。臂部120a〜120c為防止於製程空間84之污染，且為 了不遮蔽住來自SiC基板設置台us之熱，而由透明石英所 形成’以軸120d之上端為中心軸而以120度間隔在水平方向 成放射狀延伸。 此外，於臂部120a〜120c之長方向之中間位置，突出有抵 接於被處理基板W下面之輪轂12〇e〜I20g。因此，被處理基 板W係由其抵接輪轂12(^〜120§之3點所支持。 O:\87\87877.DOC -33 - 1237303 如此’由於保持構件丨2〇為以點接觸支持被處理基板，之 構成，故對SiC基板設置台U8可僅以些許之距離保持被處 理基板w於離開之位置。又，siC基板設置台118與被處理 基板W之離開距離，例如為丨〜刈mm，較佳為3〜1〇 mm左右。 即’被處理基板W成為以浮在SiC基板設置台11 8上方之 狀態旋轉’比起直接被載置於sic基板設置台118者，來自 SiC基板設置台us之熱可更均一地放射，不易產生周邊部 份與中心部份之溫度差，亦可防止因溫度差而產生之被處 理基板W之f翹。 因被處理基板w係被保持在自Sic基板設置台U8離開之 位置，故即使因溫度差而產生彎翹，亦不會接觸到Sic基板 設置台118,而隨著定常時之溫度均一化，可恢復至原來之 水平狀態。 另外，保持構件120之軸I20d係以不透明石英形成為棒 狀，穿插於上述SiC基板設置台11 8與石英鐘罩丨12之穿插孔 112f並延伸於下方。如此，雖保持構件12〇為在製程空間料 内保持被處理基板W者，但因係由石英所形成，故亦無須 擔心由金屬製品所造成之污染。 (6)在此，詳細說明有關上述旋轉驅動部28之構成。 圖3 1係顯示被配置於加熱部24下方之旋轉驅動部28之構 成之縱剖面圖。圖32則擴大顯示旋轉驅動部28之縱剖面圖。 如圖31與圖32所不，在加熱部24之底座11〇下方鎖緊有用 於支持旋轉驅動部28之托架230。於該托架23〇係設有：旋 轉位置檢測機構232，及托架冷卻機構234。 O:\87\87877.DOC -34- 1237303 此外，於托架23〇下方插入有穿插固定了保持構件i2〇之 軸丨20d之陶曼軸丨26，可藉由螺栓24〇來固定保持了可轉動 地支持陶瓷軸126之陶瓷軸承236, 237之固定側之外殼a]。 於外殼122内，因旋轉部份係由陶瓷軸126與陶瓷轴&承 237所構成，故可防止金屬之污染。 外殼122係具有：穿插有螺栓24〇之凸緣242，及延伸形成 於凸緣238下方之有底筒狀之間隔壁244。於間隔壁244之外 周面，設置有可連通前述減壓系統之排氣管路2〇4之排氣孔 246,而外殼122之内部空間124之氣體，係於前述減壓系統 之減壓步驟中，被排氣而減壓。因此，可防止製程空間料 内之氣體沿著保持構件120之軸l2〇d流出於外部。 此外，於内部空間124收容有磁鐵聯結器u〇之從動側磁 鐵248。該從動側磁鐵248為防止污染，係由在陶曼軸126 外周所嵌合之磁鐵罩250所覆蓋住，並安裝成不會與内部空 間124之氣體接觸。 磁鐵罩2 5 0係由铭合金形成為環狀之護罩，在内部形成有 收容用之環狀空間。收容成内部不會搖晃之狀態。另外， 磁鐵罩2 5 0之接合部份係以電子射束溶接成無間隙結合，係 不會如纤焊般地流出銀而造成污染地加工。 此外’於外殼122之外周’嵌合地設置有形成為筒狀之氛 圍側旋轉部252，經由軸承254, 255可旋轉地支持著。並且， 於氛圍側旋轉部252之内周，安裝有磁鐵聯結器13〇之驅動 側磁鐵256。 氛圍側旋轉部252下端部252a係經由傳達構件257可結合 O:\87\87877.DOC -35 - 1237303 馬達128之驅動軸128a。因此，馬達128之旋轉驅動能量， 係經由被設在氛圍側旋轉部252之驅動側磁鐵256，與被設 在外殼122内部之從動侧磁鐵248間之磁力，被傳達至陶瓷 轴126並傳達到保持構件120與被處理基板W。 另外，於氛圍側旋轉部252之外側，安裝有檢測氛圍側旋 轉部252旋轉之旋轉檢測單元258。該旋轉檢測單元258係由 被安裝在氛圍側旋轉部252下端部外周之圓盤狀之狹縫板 260, 261，與光學性地檢測狹缝板260, 261之旋轉量之光斷 續器262, 263所構成。 光斷續器262, 263係由軸承架264被固定在固定側之外殼 122。並且，於旋轉檢測單元258中，因由一對的光斷續器 262, 263可同時檢測出配合旋轉速度之脈衝，故藉由比較兩 脈衝能提高旋轉檢測精密度。 圖33 A係顯示托架冷卻機構234構成之橫剖面圖，圖33B 則顯示托架冷卻機構234構成之側面圖。 如圖33A、圖33B所示，托架冷卻機構234在托架230之内 部，形成有於圓周方向延伸之冷卻水用之水路230a。並且， 於水路230a之一端連通有冷卻水供給孔230b，而在水路 23 0a之另一端則連通有冷卻水供給排出孔230c。 自冷卻水供給部46所供給之冷卻水，由冷卻水供給孔 230b起通過水路230a後，由於是從冷卻水供給排出孔230c 排出，故可冷卻托架230全體。 圖34係顯示旋轉位置檢測機構232構成之橫剖面圖。 如圖3 4所示，於托架2 3 0之一側面安裝有發光元件2 6 6， O:\87\87877.DOC -36- 1237303 而在托架230之另一側面則安裝有接受來自發光元件266之 光之受光元件268。 另外，於托架230中央，在上下方向貫穿可穿插保持構件 120之軸120d之中央孔230d，而在該中央孔230d處設有交叉 般在橫方向貫穿之貫通孔230e，23Of。 發光元件266係被插入在一方之貫通孔23 0e之邊緣部，而 受光元件268則被插入於另一方之貫通孔230f之邊緣部。於 貫通孔230e與230f間由於穿插有軸i2〇d，故可由受光元件 268之輸出變化檢測出軸i2〇d之旋轉位置。 (7)在此，詳細說明有關旋轉位置檢測機構232之構成與 作用。 圖35A係顯示旋轉位置檢測機構232之非檢測狀態之圖， 而圖35B則顯示旋轉位置檢測機構232之檢測狀態之圖。 如圖35A所示’保持構件120之軸120d於外周被施以切線 方向之倒角加工。在發光元件266與受光元件268之中間位 置轉動時，該倒角加工部12〇i會與自發光元件266所發出之 光平行。 此時，來自發光元件266之光，通過倒角加工部12〇i之旁 邊而被照射到受光元件268。藉此，受光元件268之輸出信 號S會變成ON並傳達至旋轉位置判定電路27〇。 如圖35B所示’當保持構件12〇之軸I20d轉動，倒角加工 部120ι之位置自中間位置偏離時，來自發光元件266的光會 被軸120d所遮蔽，使得對旋轉位置判定電路27〇之輸出信號 S變成OFF。
O:\87\87877.DOC •37- 1237303 圖36A係11示旋轉位置檢測機構232之受光元件268之輪 出k號S之波形圖，而圖遍則是從旋轉位置判定電路27〇 所輸出之脈衝信號P之波形圖。 如圖36A所示，受光元件268因軸12〇d之轉動位置，使得 來自發光兀件266的光之受光量（輸出信號s)成放射線狀變 化。於旋轉位置判定電路27〇中，設定對該輸出信號3之間 值H，§輸出信號3成為閥值]9[以上時則輸出脈衝p。 該脈衝P係做為檢測保持構件12〇轉動位置之檢測信號而 被輸出。即係如圖i 〇所示，旋轉位置判定電路判定保持 構件120之臂部12〇a〜12〇c不會干涉到昇降臂132之抵接銷 138a〜138c，且在未干涉到搬送自動機％之機械臂之位置， 而輸出該檢測信號（脈衝P)。 (8)在此，根據由上述旋轉位置判定電路27〇所輸出之檢 測信號（脈衝P)，針對進行控制電路之旋轉位置控制處理作 說明。 圖3 7是為了說明控制電路所進行之旋轉位置控制處理之 流程圖。 如圖37所示，控制電路於su中，當有指示被處理基板w 轉動之控制信號時，則前進至S12使馬達128啟動。接著， 别進至S13，確認受光元件268之信號是否為〇N。當在S13 受光元件268之信號為ON時，則前進至S14,自檢測信號（脈 衝P)之周期計算出保持構件120與被處理基板w之轉動數。 接著，則進至S 1 5，確認保持構件120與被處理基板w之 轉動數η是否為預先所設定之目標轉動數na。於S15，當保 O:\87\87877.DOC -38- 1237303 持構件120與被處理基板w之轉動數η為達到目標轉動數⑽ 時，則返回上述S 13，再度確認馬達128之轉動數是否有上 昇。 另外，於上述S15中，當n=na時，由於保持構件12〇與被 處理基板w之轉動數11達到目標轉動數加，故前進至μ?， 確認是否有馬達停止之控制信號。於s丨7，當無馬達^止之 控制信號時則返回上述S13，而當有馬達停止之控制信號時 則前進至S18，令馬達128停止。緊接著，在Sl9確認受光元 件268之信號是否為0N，不斷的重複直到受光元件之信 號變成ON為止。 ° 如此，保持構件丨20之臂部120a〜120c不會干涉到昇降臂 132之抵接銷138a〜138c，且可使其停止在未干涉到搬送自 動機98之機械臂之位置。 另外，於上述旋轉位置控制處理中，雖係說明了使用由 來自受光元件268之輸出信號之周期求出轉動數之方法之 情形，但例如亦可積算由前述光斷續器262, 所輸出之信 號求出轉動數。 (9)在此，詳細說明有關於處理容器122之側面所 窗口 75, 76之構成。 圖38為從上方所見窗σ75、76之安裝處之橫剖面圖。圖 39係擴大顯示窗口75之橫剖面圖。圖4()係擴大顯示窗口％ 之橫剖面圖。 如圖38、圖39所示，第1窗口乃係可提供氣體於處理容器 122内部所形成之製程空間84 ’由於被減a成真空，故成氣 O:\87\87877.DOC -39- 1237303 密性更高之構成。 窗口 75為具有透明石英272，與遮蔽紫外線UV之玻璃274 之二重構造。透明石英272係於抵接於窗口安裝部276之狀 態下，第1窗框278由小螺釘277栓住而固定於窗口安裝部 276。於窗口安裝部276之外面，安裝有氣密地密封住與透 明石英272之間之密封構件（0環）280。此外，於第1窗框278 之外面，於使UV玻璃274抵接之狀態下，由小螺釘284拴住 固定第2窗框282。 如此，窗口 75藉由UV玻璃274可遮蔽由紫外光源（UV 燈）86，87所照射之紫外線，防止其洩漏至製程空間84之外 部，並藉由密封構件280之密封效果，防止被供給至製程空 間84之氣體流出於外部。 另外，貫穿處理容器22側面之開口 286，係以向著處理容 器22之中央，亦即向著被保持於保持構件120之被處理基板 W之中心，斜斜地貫穿。因此，窗口 7 5係被設置在從處理 容器22之側面中心偏離之位置，但形成為於橫向可看得較 寛廣之橢圓形狀，而可由外部確認被處理基板W之狀態。 另外，第2窗口 76係與上述窗口 75為相同之構成，具有透 明石英292，與遮蔽紫外線UV玻璃294之二重構造。透明石 英292係以抵接於窗口安裝部296之狀態，將第1窗框298以 小螺釘297鎖住並固定於窗口安裝部296。於窗口安裝部296 之外面，安裝有氣密地密封住與透明石英292之間之密封構 件（0環）300。此外，於第1窗框298之外面，以使UV玻璃294 抵接之狀態，用小螺釘304鎖住並固定第2窗框302。
O:\87\87877.DOC -40- 1237303 此窗口 76藉由UV玻璃294遮蔽由紫外光源（UV燈）86 87=照射之紫外線防止其洩漏至製程空間84之外部，並藉 由密封構件3〇〇之密封效果，防止被供給至製程空間料之 體流出於外部。 ' '另外，於本實施例中，雖係以處理容器Μ之側面配置一 對的囪口 75, 76之構成做為例子作說明，但不限於此，亦可 叹置3個以上的窗口，或者當然亦可設置在側面以外之 所。 (10)在此，說明關於構成石英墊圈1〇〇之各盒體 102，1〇4，1〇6，1〇8。 如圖9與圖1〇所示，石英墊圈1〇〇為組合下部盒體、側 面盒體104、上部盒體ι〇6與1〇8圓筒狀盒體之構成，其各自 係由不透明石英所形成，以保護鋁合金製之處理容器22不 叉氣體與紫外線傷害，並防止因處理容器22之金屬污染為 目的而設置。 圖41A係顯示下部盒體ι〇2構成之俯視圖，圖41B係顯示 下部盒體1 02構成之側面圖。 如圖41A、圖41B所示，下部盒體102其輪廓形狀係形成 為對應處理容器22之内壁形狀之板狀，而於其中央則形成 有相對於SiC基板設置台11 8與被處理基板w之圓形開口 310。該圓形開口 310形成為可插入圓筒狀盒體1〇8之尺寸， 於内周以120度間隔，設置有用於插入保持構件ι2〇之臂部 120a〜120c之前端部之凹部310a〜310c。 另外，凹部310a〜3 10c之位置，係保持構件ι2〇之臂部 O:\87\87877.DOC -41 1237303 i2〇a〜12〇c不會干涉到昇降臂i32之抵接銷im，且不 干涉到搬送自動機98之機械臂之位置。 另外’於下部含體102設置有相對於形成在處理容器22 ―P之排孔口 74之長方形開口 312。此外’下部盒體呢在 下面於非對稱位置設置有決定位置用之突起仙，⑽。 另外，於上述圓形開σ31〇之内周，形成有嵌合後述圓筒 狀盒體108之突起之凹.. 大纥之凹邛31〇d。此外，於下部盒體1〇2之邊 緣部，設置有嵌合於側面盒體104之階狀部化。 圖似係顯示側面盒體104構成之俯視圖，圖42B為側面 盒體H)4之前視圖’圖42c為側面盒體ι〇4之後視圖，圖仙 為側面盒體1 〇 4之左側顏圖，闰J ο t & 彳]視圖圖42E為側面盒體1 04之右側視 圖。 如圖42A〜圖42E所示，側面盒體1〇4其外形狀係形成為對 應處理容器22之内壁形狀，四角落成R字狀之大致四角形之 框形狀。在内側形成有製程空間8 *。 另外，側面盒體1〇4於正面104a設置有：與前述氣體喷射 喷嘴部93之複數個的射噴口 93a相對並於橫方向延伸之細 長形之狹縫316,及設置在與被連通至遠距離電漿部η之連 通孔92相對之位置之U字形開口317。又，於本實施例中， 係狹缝316與開口317為連通之構成，但亦可形成為各自獨 立之開口。 另外’側面盒體104在背面祕上，於與搬送口 ％相對之 位置形成有前述搬送自動機98之機械臂通過之凹部 另外，側面盒體ΠΜ在左側面1〇4c，形成有相對於前述感
O:\87\87877.DOC -42- 1237303 f器單元85之圓形孔319,在右側面1〇4(1，則形成有相對於 所述窗口 75,76，與感應器單元77之孔32〇〜322。 圖43A係顯示上部盒體1〇6構成之仰視圖，圖43β則顯示 上部盒體106構成之側面圖。 如圖43A、圖彻所示，上部盒體1〇6其輪磨形狀形成為 對應處理容器22之内壁形狀之板狀，而於相對紫外線光源 (UV燈）86, 87之位置則形成有長方形開口 324, 325<>此外， 於上部盒體1G6之邊緣部設置錢合側面盒體1()4之階狀部 326。 另外，上部盒體1〇6設有對應蓋子構件82之形狀之圓形孔 3 2 7〜329 ’與長方形之四角孔33〇。 圖44入係顯示圓筒狀盒體1〇8構成之俯視圖，圖桃為圓 筒狀盒請之側面縱剖面圖’圖44C則是圓筒狀盒體⑽ 之側面圖。 如圖44A〜圖从所示，圓筒狀盒體1〇8形成為如覆蓋住石 英鐘罩112之外周之筒狀，於上端邊緣部設有被插入昇降臂 ⑴之抵㈣138a〜138e之凹部咖〜版。此外，圓筒狀盒 體⑽於上端部之外周，形成有嵌合下部盒體⑽之凹部 310d之配合位置用之突起。 ου在此，說明關於升降桿機構3G之密封構造。 圖45係擴大顯示升降桿機構3q之縱剖面圖。圖侧擴大 顯示升降桿機構30之密封構造之縱剖面圖。 如圖45與圖46所示，升降桿機構3〇係構成為由驅動部136 令昇降軸m昇降使被插入請内之昇降臂132昇降之際，
O:\87\87877.DOC -43 - 1237303 由蛇腹形狀之伸縮管332覆蓋住被插入室8〇之貫通孔8如内 之昇降軸134之外周，防止在室8〇内之污染。 伸縮管332其蛇腹部份為可伸縮之形狀，例如由鎮絡鐵对 熱合金或耐蝕鎳合金等所形成。另外，貫通孔8如由被穿插 昇降軸134之蓋子構件34〇所閉塞住。 此外，於藉由螺栓334鎖住昇降軸134之上端之昇降臂132 之連接構件336，係嵌合固定有圓筒形狀之陶瓷蓋338。該 陶瓷蓋338為延伸形成於較連接構件336更下方，係被設置 成由覆蓋住伸縮管332之周圍而不在室8〇内直接露出。 因此，伸縮管332於製程空間84在使昇降臂132上昇之際 會延伸至上方，而由陶瓷所形成之圓筒狀蓋338所覆蓋住。 故，伸縮管332藉由可昇降地被插入貫通孔8〇a之圓筒狀蓋 338 —而不會直接曝晒在製程空間84之氣體與熱中，故可防 止因^氣體與熱而造成劣化。 (12)以下，說明關於使用基板處理裝置2〇，進行被處理 基板W表面之紫外光自由基氧化處理，與之後所進行之遠 距離電漿自由基氮化處理。 【紫外光自由基氧化處理】 圖47A係顯示使用圖2之基板處理裝置2〇，進行被處理基 板w之自由基氧化情形之側面圖及俯視圖，圖47B係顯示圖 4 7 A構成之俯視圖。 如圖47 A所不，於七述製程空間§4中，可由氣體喷射喷嘴 9 3供給氧氣體’並於沿者被處理基板界之表面流動後， 經由排氣口 74、渦輪分子幫浦50與幫浦201排氣。藉由使用 O:\87\87877.DOC -44- 1237303 卿子幫浦50 ’前述製程空間84之製程麼力，係被設定 口基板w之乳自由基之氧化所需之1〇_3〜1〇-6丁。厂之範圍。 同時’較理想的係藉由驅動產生172麵之波長之紫外光 之紫外線光祕，87,而在如此形成之氧氣流 基。所形成之氧自由基在延著前述被處理基訪之= 動之際：會氧化旋轉之基板表面。藉由因如此之被處理基 板W之氧自由基之氧化’在石夕基板表面，可安定且再現性 佳地形成i細以下之膜厚非常薄之氧化膜，特別是相當於 2〜3原子層之約〇·4 11111膜厚之氧化膜。 如圖47Β所示，可知紫外線光源8M7為延申於與氧氣流 方向交又之方向之管狀光源，渦輪分子幫浦5〇會經由排氣 口 74排出製程空間84之氣體。另 直接通至幫浦5〇之圖OB中以點 關閉住闊4 8 b而被遮蔽。 一方面，由前述排氣口 74 線所示之排氣路徑係藉由 圖48係顯示於圖2之基板處理裝置2〇中，藉由圖“A、圖 47B之步驟設定基板溫度κ45(Γ(：，並一邊使紫外光照射強 度與氧氣流量，或氧分壓作各種變化一邊於矽基板表面形 成矽氧化膜之情形時，膜厚與氧化時間之關係。但於在圖 48之實驗中，係在自由基氧化之前除去矽基板表面之自然 氧化膜又有日守，於紫外光激發氮自由基中除去殘留於基 板表面之碳，此外，更於Ar氛圍中，藉由進行於約95〇。〇之 咼溫熱處理，平坦化基板表面。另外，作為前述紫外線光 源86，87係使用波長為172 nm之激分子燈。 參照圖48，系列1之資料，係顯示將紫外光照射強度設定 O:\87\87877.DOC -45- 1237303 於紫外光源24B之窗面之基準強度（5〇 mW/cm2)之5%，製程
壓力設定成665 mPa(5 m Torr)、氧氣流量設定成30 SCCM 時之氧化時間與氧化膜厚之關係，而系列2之資料，則顯示 將紫外光強度設定成〇，製程壓力設定成133 pa(l T〇rr)、氧 氣流量設定成3 SLM之情形之氧化時間與氧化膜厚之關 係。又’系列3之資料，係顯示將紫外光強度設定成〇，製 程壓力設定成2.66 Pa(20 mTorr)，氧氣流量設定成15〇 SCCM之情形之氧化時間與氧化膜厚之關係，而系列4之資 料，則顯示將紫外光強度設定成1 〇〇%，即設定成前述基準 強度，製程壓力設定成2.66 Pa(20 mTorr)、氧氣流量設定成 1 50 SCCM之情形之氧化時間與氧化膜厚之關係。此外，系 列5之資料’係顯示將紫外光強度設定成基準強度之20%， 製程壓力設定成2.66 Pa(20 mToir)、氧氣流量設定成15〇 SCCM之情形之氧化時間與氧化膜厚之關係，而系列6之資 料，則顯示將紫外光強度設定成基準強度之2〇%，製程壓 力約為67 Pa(0.5 Ton*)、氧氣流量為〇·5 Slm時之氧化時間 與氧化膜厚之關係。此外，系列7之資料，係顯示將紫外光 強度设定成基準強度之20%，製程壓力設定成665 Pa (5 Ton·)、氧氣流量設定成2 時之氧化時間與氧化膜厚 之關係，而系列8之資料，則顯示將紫外光強度設定成基準 又之5/ί>製程壓力為2_66Pa(20 mTorr)、氧氣流量為15〇 SCCM時之氧化時間與氧化膜厚之關係。 於圖48之實驗中，氧化膜之膜厚係由XPS法所求得，但 目刖並沒有可求取如此低於1 nm非常薄的氧化膜膜厚之統
O:\87\87877.DOC -46- 1237303 一的方法。 因此本發明之發明者，
λ —2.96 β = 0.75
示之例中，被設定成30。。 譜峰值之積分強度（I lx+ I 但於式（1)中，α為圖55所示之XPS光譜之測出角，於圖 又數1中，I x+為對應氧化膜之光 2X+I3x+I4x)，係對應圖50中於 102〜104 eV之能量區域所能見到之峰值。另一方面，ι〇+為 對應100 eV附近之能量區域中，對應起因於矽基板之光譜 峰值之積分強度。 θ 再度參照圖48可確認，相對於紫外光照射光度小，因而 形成之氧自由基密度小之情形下（系列丨，2, 3, 8)，雖最初氧 化膜之氧化膜厚為〇 11111者，但隨著氧化時間氧化膜厚會漸 漸地持續增加者，在將紫外光照射光度設定為基準強度之 2〇%以上之系列4, 5, 6, 7中，如於圖51概略所示，氧化膜成 長於成長開始後會在大致到達〇·4 nm之膜厚之時停滞，而 在經過某種程度的停滯時間後，會再急速的開始成長。 圖48或圖5 1之關係，係意味著於矽基板表面之氧化處 理’可安定地形成〇·4 nm左右之膜厚非常薄的氧化膜。又，
O:\87\87877.DOC -47- 1237303 斤見 τ知由於如此之停滯時間# 度，故所# # + & ίτ |吋間持績了某種程 反故所形成之氧化膜且右 Λ, . ^ /、有相同之厚度。即，根據本發明， b 、 土反上$成厚度約0·4 _之相同厚度之氧化膜。 圖52Α、圖52Β係概略地顯示於該碎基板上形成薄氧化膜 之製程。於該等圖中， 立 湏/主思已非爷地皁純化矽（1 00)基板 上之構造。 α 2Α於矽基板表面每丨個矽原子結合 而形成有！原子層之氧 ^ 曰《乳層於其代表性之狀態中，基板表面 之石夕科係由基板内部的2個石夕原子與基板表面的2個氧原 子所定位，形成副氧化物。 對此’於圖52Β之狀態中，石夕其始曰 7基板取上層之矽原子係由4 個氧原子所定位，取得安定的 〇 理▲由，於圖52A之狀態中快速地進行氧化，變成為圖別 之狀態中氧化停滯。於圖52B之狀態之氧化膜之厚度為“ _，此係、與於圖48所觀察到之停滞狀態之氧化膜厚一致。 %伃女疋的h之狀態。可能係由於此 於圖50之XPS光譜，於氧化膜厚狀—或〇2職之情況 下=101〜HMeV之能量範圍中可見之低峰值係對應圖52A 之副氧化物，而在氧化膜厚超過〇.3 nm2情形下，由於在 該能量範圍所顯示之峰值係起因於Si 4+，故可認為顯示超 過1原子層之氧化膜的形成者。 如此於0.4 nm之膜厚上之氧化膜厚停滯現像，並不限定 於圖47A、圖47BiUV〇2自由基氧化製程，應為只要可以良 好精細度形成同樣薄的氧化膜之氧化膜形成方法，皆可見 到相同之情況。
O:\87\87877 DOC -48 - 1237303 由 增大 圖52B之狀態更加繼續氧化， 則會使氧化膜之厚度再度 圖53係顯示在由使用如 & <基板處理裝晉2|) 仍之紫外光自由基氧 圖47A、圖 .n , 所形成之氧化膜上，形成厚戶 為〇·4 nm之ZrSl〇x膜與電極 攻与度 膘U如後面所說明之圖54B)， 對所付到之積層構造，所求 ) 洩電、、古Ie之Μ禕, 、…虱化膜換算膜厚丁eq與漏 β冤/爪Ig之關係。但，圖 胺偽…， 洩電流特性係於前述電極
膜與石夕基板間，以平帶電壓V 為基準，以施加之狀態測 疋V f b— 0.8V之電壓。為了 勹J比季乂，於圖53亦顯示有熱氧化 膜之漏洩電流特性。另外，岡- # 圖不之換异膜厚係關於組合氧 化膜與ZrSiOx膜之構造者。 …、、圖53可知，省略氧化膜時，#即於氧化膜膜厚為〇。订 之情形下，漏洩電流密度超過熱氧化膜之漏洩電流密度， 又熱氧化膜換算膜厚Teq亦變成約17 nm&右之比較大之 值。 對此，可知若使氧化膜之膜厚由〇 nm增大至〇4 nm，則 熱氧化膜換算膜厚Teq之值開始減少。於如此之狀態中，氧 化膜會成介於矽基板與ZrSi〇x膜之間，其物理膜厚實際上 應是增大但換算膜厚Teq卻呈現減少，此點在矽基板上直接 形成Zr〇2膜之情形下，意味著如圖54A所示，大規模地產生 Zr向著石夕基板中的擴散或是Si向著ZrSi〇x膜中的擴散，在矽 基板與21^丨0,膜之間形成有厚界面層。對此，可考慮如圖 54B所示，藉由使厚度0.4 nm之氧化膜介在其中，可抑制如 此之界面層的形成，結果減少換算膜厚者。隨之，可知漏 O:\87\87877.DOC -49- 1237303 編之值亦隨著氧化膜之厚度減少。但圖“a、圖刪 顯不出如此所形成之實驗材料之概略的剖面，並且顯示在 石夕基板州上形成有氧化膜442，而於氧化膜⑷上則形成有 ZrSiOx膜443之構造。 ，當前述氧化膜之膜厚超過0_4 nm，則熱氧化 膜換算膜厚之值會開始再度增大。於氧化膜之膜厚超過㈠ 麵之範圍’隨著膜厚之增大_流之值亦會減少，可想 成其換算膜厚的增大係起因於氧化膜之物理膜厚的增大。 另一方面 如此’在圖48所觀察到之氧化膜成長所停滞之Q4 nm附 ，之膜厚，係對應包含氧化膜與高電介質膜之系之換算膜 厚，最小值，可得知藉由圖5耶)所示之安定的氧化膜，可 有效也阻止Zr等之金屬凡素對石夕基板中的擴散，並且即使 氧化膜的厚度更大，其金屬元素之擴散阻止效果亦不會提 高許多。 此外，可知使用〇·4 11111厚度之氧化膜時之漏洩電流之 值，，較對應之厚度之熱氧化膜之漏$電流之值小約2位 數藉由使用如此構造之絕緣膜於M0S電晶體之閘極絕緣 膜中，可最小化閘極漏洩電流。 卜於圖48或5 1所說明之氧化膜成長〇·4 nm之停滞現 象之結果，即使如圖55 A所示於矽基板441上所形成之氧化 膜442存在著最初之膜厚未變化之凹凸，在氧化膜成長之 Λ膜厚立曰大係如圖55Β所示停滞在〇·4 nm之附近，故藉由 在^冗期間内繼續氧化膜成長，可得到如圖55C所示非常地 平坦、相同膜厚的氧化膜442。
O:\87\87877.DOC -50- 1237303 如先前所說明，對你 — ^ ;非吊溥之氧化膜，目前尚未有統一 之膜厚測定方法。 ，圖55C之氧化膜442之膜厚值可能
會因測定方法 >日I ,θ /、而有所不同。但由先前所說明之理由可 :知’在氧化膜成長中發生停滯之厚度為2原子層份之厚 又:故’可認為較理想之氧化膜W之膜厚約為2原子層份 〇 ;該I理想之厚度係為於氧化膜442整體確保有2 原子層份之厚度’而有在某部份形成有3原子層份厚度區域 之障形。即，可認為較理想之氧化膜442之厚度實際上是2〜3 原子層之範圍。 【遠距離電漿自由基氮化處理】 3 6係,、、、員示於基板處理裝置2〇所使用之遠距離電漿部η 之構成。 如圖56所不，遠距離電漿部27係於内部形成有氣體循環 通路27a、與此連通之氣體入口 27b、及氣體出口 2 &之典型 的包含有由鋁構成之區塊27A，而在前述區塊27A之一部份 形成有鐵氧體磁心27B。 於前述氣體循環通路27a、氣體入口 27b及氣體出口 27c之 内面’係配設有氟素樹脂加工27d，由捲繞在前述鐵氧體磁 心27B之線圈提供頻率為4〇〇 kHz之高頻，而於前述氣體循 環通路27a内形成電漿27C。 隨著電漿27C之激發，於前述氣體循環通路27a中雖形成 有氮自由基與氮離子，但氮離子會於循環於前述氣體循環 通路27 a之際消失，故由前述氣體出口 27c主要是釋放出氮 自由基N/。此外，於圖56之構成中，係藉由設置接地於前 O:\87\87877.DOC -51 - 1237303 述氣體出口 27c之離子過濾器27e，而除去如氮離子等之帶 電粒子，而於前述製程空間84僅供給有氮自由基。另外f 即使在未使前述離子過濾器27e接地之情形下，前述離子過 濾器27e之構造亦有作為擴散板作用，可充分地除去如氮離 子等之帶電粒子。 圖57係顯示由遠距離電漿部27所形成之離子數與電子能 量之關係，與微波電漿源之比較。 如圖57所示，在由微波激發電漿之情形下，會促進氮分 子之氮離子化，而形成有量多的氮離子。對此，在由5〇〇 以下之高頻激發電漿之情形下，會大幅度地減少所形成之 氮離子數。在以微波進行電漿處理時，如圖58所示，則需 要1.3 3父103〜1.3 3\1〇-%(1〇-1〜1〇-41^1〇的高真空，高頻電漿 處理，係可以13.3〜13.3 kPa(0.1〜100 T〇rr)之比較高之壓力 來進行。 以下之表1 ’糸顯不在由微波激發電衆之情形，與由高頻 激發電激之情形間，離子化能量變換效率、放電可能壓力 範圍、電漿消耗電力及製程氣體流量的比較。 表1
離子化能量 變換效率 放電可能 壓力範圍 電漿 消耗電力 製程 氣體流量 微波 Ι.ΟΟχΙΟ'2 0.1m〜O.lTor? 1 〜500W 〇 〜100SCCM 南頻 1.00x10-7 0.1 〜lOOTorr 1 〜10kW 〇·1 〜10SLM 參照表1 ’可知關於離子化能量變換效率，相對於在微波 激發之情形時約為lxl0-2左右，於RF激發之情形則減少至 約lxl(T7為止，另外，關於放電可能壓力，相對於為微波激
O:\87\87877.DOC -52- 1237303 發之 O.lmTorr〜〇·ΐ τ〇ιτ(133 mPa〜13.3 Pa)左右，RF激發之情 形則是0·1〜1〇〇 T〇rr(13.3 Pa〜13.3 kPa)左右。隨之，電漿消 耗電力係RF激發時較微波激發時為大，而製程氣體流量係 RF激發時亦較微波激發時大出很多。 於基板處理裝置20中，係以氮自由基N/而非氮離子來進 行氧化膜之氮化處理，因此被激發之氮離子數量少較為理 想。又，由最小化被加諸於被處理基板之損害之觀點來看， 亦是被激發之氮離子數量少較為理想。此外，於基板處理 裝置20中，以被激發之氮自由基數量少，於高電介質閘極 絕緣膜下非常薄之最多2〜3原子層左右厚度之基底氧化 膜，非常適合於氮化。 圖59A、圖59B係分別顯示使用基板處理裝置2〇進行被處 理基板W之自由基氮化時之側面圖與俯視圖。 如圖59A、圖59B所示，於遠距離電漿部27供給有Ar氣體 與氮氣體，故以數100 kHz之頻率藉由高頻激發電漿，形成 氮自由基。而被形成之氮自由基係延著前述被處理基板W 之表面流動，經由前述排氣口 74與幫浦201被排出。結果， 前述製程空間84可被設定於適合基板w之自由基氮化之 1.33Pa〜13.3kPa(0.01〜lOOTorr)範圍的製程壓力。如此被形 成之氮自由基會在延著前述被處理基板W之表面流動之 際，氮化被處理基板W之表面。 於圖59A、圖59B之氮化步驟中，於氮化步驟之前的清淨 步驟中，前述閥48a與2 12為被開放，藉由關閉閥48a使前述 製程空間84之壓力減壓至〜之壓力為 O:\87\87877.DOC -53- 1237303 止，殘留於製程空間84中之氧及水分會被清除，但於其後 氮处里中，其閥4 8 a與212被關閉，而渴輪分子幫浦5 〇 則不包含於製程空間84之排氣路徑。 如此，藉由使用基板處理裝置2〇，可在被處理基板貿之 表面开y成非吊薄之氧化膜，並進一步氮化其氧化膜表面。 圖60A係顯示使用遠距離電漿部27，並以表2所示條件氮 化藉由基板處理裝置20在矽基板上進行熱氧化處理而形成 之2.0 nm厚之氧化膜時之前述氧化膜中之氮濃度分佈，圖 6〇B則顯示於相同氧化膜中之氮濃度分佈與氧濃度分佈之 關係圖。 表2
'"、、表2’於使用基板處理裝置2〇進行rf氮化處理之際， 對製程空間84内，以50 SCCM之流量供給氮或〕^%之流量 供給Ar，在丨Torr(133 Pa)之壓力下進行氮化處理，但於氮 化處理開始前暫時將製程空間84之内壓減壓至1〇·ό (.33x10 Pa)左右為止，並充分地清除殘留於内部之氧或 水份。因此，於以前述i 丁0〇*左右之壓力所進行之氮化處理 之際，於製程空間84中，其殘留氧可由^或氮來稀釋，殘 遠氧浪度’故殘留氧之熱力學上之活動度變的非常地小。 對此，在使用微波電漿之氮化處理中，氮化處理時之處 理壓力係與清除壓為同樣程度，故可認為於電漿氛圍中， 殘邊氧係具有向熱力學上活動度者。
O:\87\87877.DOC -54- 1237303 參照圖60A，於藉由微波激發電漿而氮化之情形時，其被 導入於氧化膜中之氮的濃度為有限的，故可知實質上並未 進行氧化膜之氮化。對此如同本實施例般，於藉*RF激發 電浆而氮化之情形時’可知於氧化膜中其氮濃度會隨著深 度呈現線性變化，而在表面附近則達到將近2〇%之濃度。 圖61係顯示使用XPS (X射線光譜）所進行之圖6〇a之測定 原理。 參照圖61，於矽基板411上形成氧化膜412之試驗材料， 係由X射線以特定角度斜斜地照射，再由檢測器deti、 DET2以各種角度檢測被激發之乂射線光譜。此時，例如由 被設定成90°之深檢測角之檢測器DET1中，其於激發χ射線 之氧化膜412内之路徑短，故於以前述檢測器DETl所檢測 之X射線光譜中包含有許多氧化膜412之下部資訊，相對於 此，在被設定成淺檢測角之檢測器DET2中，其於激發X射 線之氧化膜412中之路徑長，故檢測器DET2主要是檢測氧 化膜41 2表面附近之資訊。 圖60B係顯示於前述氧化膜中之氮濃度與氧濃度之關 係。但圖_中’氧濃度係由對應Ols執道之X射線強度所 表示。 參照圖60B，在如本發明般以RF遠距離電漿進行氧化膜 氮化之隋开y中’卩思著氮濃度的增大會使氧濃度減少，故可 知於乳化膜中氮原子會置換氧原子。對此，在以微波電漿 進订氧化膜氮化之情形中，無法見到如此之置換關係，亦 不見氧濃度隨著氮濃度而降低之關係。另外，特別是於圖
O:\87\87877.DOC -55- 1237303 60B中，在由微波氮化導入5〜6%的氮之例中可見到氧濃度 的增加’此係意味著隨著氮化而引起氧化膜之增加。隨著 :此之微波氮化之氧濃度的增加，係於高真空中進行微波 氮化，故可認為殘留於處理空間中之氧或水份並非藉由如 高頻遠距離電|氮化情形之域體與氮氣體來稀釋，而是 因在氛圍中具有高活動度者。 圖62係顯示於基板處理裝置20形成厚度為4A(0.4 nm)與7 A(〇.7 nm)之氧化膜’並由使用前述遠距離電漿部之圖 5从曲、圖59B之氮化㈣，將錢化時之氮化時間與膜中之 亂濃度之關係。又圖63係顯示對隨著圖62之氮化處理之氮 對氧化膜膜表面之偏析情形。另外，於圖62、圖63亦顯示 出以急速熱氧化處理將氧化膜形成為5概5·)或7A(〇7 nm)的厚度之情形。 參照圖62’膜中之氮濃度係任—氧化膜皆會隨著氣化處 理時間而一起上昇，但特別是在具有對應由紫外光自由基 氧化所形成之2原子層份之〇.4腿膜厚之氧化膜的情形，或 具有接近於此之0.5 nm膜厚之熱氧化膜的情形時，由於氧 化膜薄，故於相同成膜條件下膜中之氮濃度會變高。 圖63係顯不於圖61分別將檢測器deti& 設定成川。 及90之檢測角所檢測出之氮濃度之結果。 由圖63可知，圖63之縱軸係以9〇。之檢測角所得到由分散 在膜全體之氮原子而來之χ射線光譜強度之值，除3〇。之檢 測^所得到之由偏析於膜表面之氮原子之χ射線光譜強度 所传到者，並將此定義為氮偏析率。在該值為工以上之情形
O:\87\87877.DOC -56- 1237303 下，會產生對表面之氮偏析。 /照圖63,藉由紫外光激發氧自由基處理而將氧化臈之 Μ形成為7 A之情形下，其氮偏析率成為i以上，氮原子 2初之表面偏析’可認為是如旧中之氧氮化膜以之狀 〜、另外，可知在進行9G秒間之氮化處理後，於膜令之 相同又可知即使是其他之膜’以9G秒之氮化處 3使氮原子之膜中分佈變成大致相同。 於圖64之實驗中，在基板處理裝置2 圓#1〜晶圓叫，重複進行前述紫外光自由基氧化處理及; 距Γ電聚氮化處理。圖64係顯示如此得到之氧氮化膜之: 厚變動。但’圖64之結果係關於在基板處理裝 = ‘=、外線光源86,87而進行紫外光自由基理 :接:成广測定所求得之心^ :二將r此所形成之氧化膜，藉由驅動前述遠距離 膜電：者一處理’變換成包含約4%氮原子之氧氮化 此所求得之氧氮化_ 安定-α(081)"但由圖64可知所求得之膜厚係大致 二=藉由基板處理裝置20,基板上藉由使用 氧 V 87之自由基氧化處理形成臈厚為0.4 nm之 1田 由遠距離電聚部27將其加以氮化之情形，所 侍的因虱化之獏厚增加之調查結果。 參照圖…可知最初（進行氮化處理前）膜厚約為〇.38nm
O:\87\87877 DOC -57- 1237303 之氧化膜，係在氮化處理中導入4〜7%之氮原子之時，膜厚 約增大至0.5 nm為止。另一方面，在氮化處理中導入約15% 之氮原子時’其膜厚約增大至"nm為止，於該情形時可 認為被導人之氮原子通過氧化膜侵人至⑦基板中而形成氮 化膜。 於圖65中係以▲顯示有關僅導入一層份之氮於厚度為 0.4 nmi氧化膜中之理想的模型構造中之氮濃度與膜厚之 關係。 參照圖65 ,於該理想的模型構造中，氮原子導入後之膜 厚約變成0.5nm，該情形時之膜厚增加約為〇lnm，而氮濃 度約為12%。若以該模型為基準，則結論為：藉由基板處 理裝置20進行氧化膜之氮化時，其膜厚增加以抑制在相同 耘度之0.1〜0.2 nm者為較理想。另外此時亦可預估被取入於 膜中之氮原子量最大為12%左右。 另外，於以上之說明中，係說明使用基板處理裝置2〇而 形成非常薄之基底氧化膜之例，但本發明並未限定於如此 特疋之實施例，亦可適用在矽基板或矽膠層上，形成所希 望臈厚之高品質氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。 以上’以較佳之實施例說明了本發明，但本發明並未限 疋於上述之特定實施例，於揭示在申請專利範圍之要旨内 白可作各種變化、變更。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示含有高電介質閘極絕緣膜之半導體裝置之構 成圖。
O:\87\87877.DOC -58- 1237303 、圖2係顯示本發明之基板處理裝置之一實施例構成之前 視圖。 、圖3係顯示本發明之基板處理裝置之一實施例構成之側 視圖。 圖4為沿著圖2 A-A線之橫剖面圖。 圖5係顯示配置於處理容器22下方之機器構成之前視圖。 圖6係顯示配置於處理容器22下方之機器構成之俯視圖。 圖7係顯示配置於處理容器22下方之機器構成之側視圖。 圖8八係顯示排氣路徑32之構成之俯視圖。 圖犯係顯示排氣路徑32之構成之前視圖。 圖8C為沿著b-B線之縱剖面圖。 圖9係擴大顯示處理容器22及其周邊機器之側面縱剖面 團0 圖1〇為從上方所見拿掉蓋子構件82後之處理容器22内部 之俯視圖。 圖11為處理容器22之俯視圖。 圖12為處理容器22之前視圖。 圖13為處理容器22之仰視圖。 圖14為沿著圖12中C - C線之縱剖面圖。 圖15為處理容器22之右側視圖。 圖16為處理容器22之左側視圖。 圖17係擴大顯示紫外線光源86、87之安裝構造之縱剖面 圖。 圖18係擴大顯示氣體喷射喷嘴部93之構成之縱剖面圖。 O:\87\87877.DOC -59- 1237303 圖19係擴大顯示氣體喷射喷嘴部％之構成之橫剖面圖。 圖20係擴大顯示氣體喷射喷嘴部93之構成之前視圖。 圖2 1係擴大顯示加熱部24之構成之縱剖面圖。 圖22係擴大顯示加熱部24之仰視圖。 圖23係擴大顯示第2流入口 17〇，及第2流出口 之安裝 構造之縱剖面圖。 圖24係擴大顯示凸緣14〇之安^構造之縱剖面圖。 圖25係擴大顯示夹鉗機構19〇之上端部之安裝構造之縱 剖面圖。 圖26係顯示Sic加熱器114，及Sic加熱器ιΐ4之控制系統 構造之圖。 圖27A係顯示石英鐘罩^之構造之俯視圖。 圖27B係顯示石英鐘罩112之構造之縱剖面圖。 圖28A為從上方所見石英鐘罩112之構造之立體圖。 圖28B為從下方所見石英鐘罩112之構造之立體圖。 圖29係顯示減壓系統之排氣系統構成之系統圖。 圖3〇人係顯示保持構件120構成之俯視圖。 圖3〇B係顯示保持構件12〇構成之側面圖。 圖31係顯示配置於加熱部24下方之旋轉驅動部28之構成 之縱剖面圖。 圖32係擴大顯示旋轉驅動部28之縱剖面圖。 圖33A係顯示托架冷卻機構234構成之橫剖面圖。 ®33B係顯示托架冷卻機構234構成之側面圖。 圖34係顯示旋轉位置檢測機構232構成之橫剖面圖。
O:\87\87877.DOC 1237303 圖35A係顯示旋轉位置檢測機構232之非檢測狀態之圖。 圖35B係顯示旋轉位置檢測機構232之檢測狀態之圖。 圖36A係顯示旋轉位置檢測機構232之受光元件之 出信號S之波形圖。 1 圖36B為從旋轉位置判定電路270所輸出之脈衝信號p之 波形圖。 圖37為說明控制電路所進行旋轉位置控制處理之流程 圖0 圖38為從上方所見窗口 75、76之安裝處之橫剖面圖 圖39係擴大顯示窗口 75之橫剖面圖。 圖4〇係擴大顯示窗口 76之橫剖面圖。 K41A係顯示下部盒體1〇2構成之俯視圖。 圖41B係顯示下部盒體1〇2構成之侧面圖。 圖42A係顯示側面盒體1〇4構成之俯視圖。 圖42B係顯示側面盒體1〇4構成之前視圖。 圖42C係顯示側面盒體1〇4構成之後視圖。 圖42D係顯示側面盒體ι〇4構成之左側視圖。 圖42E係顯示側面盒體1〇4構成之右側視圖。 圖4从係顯示上部盒體1G6構成之仰視圖。 圖儲係顯示上部盒體1〇6構成之侧面圖。 圖44A係顯不圓筒狀盒體⑽構成之俯視圖。 圖44B係顯示圓筒狀盒體1〇8構成之側面縱剖面圖。 圖44。係顯不圓筒狀盒體1〇8構成之側面圖。 圖45係擴大顯示升降桿機構％之縱剖面圖。
O:\87\87877.DOC -61 - 1237303 圖 46 4i# . ”、、g大顯示升降桿機構30之密封構造之縱剖面圖。 圖47A俏骷- 承-員不使用圖2之基板處理裝置20，進行被處理美 板W之自由土 卷氣化情形之側面圖及俯視圖。 圖47：8係顯示圖47A之構成之俯視圖。 圖4 8係顯；α ’’、、/、使用基板處理裝置2〇，所進行之基板氧化# 理步驟之圖。 & 圖4 9係鞋；4 a …、貝不根據本發明所使用之XPS之膜厚測定方法之 其= 系顯示根據本發明所使用之xps之膜厚測定方法之 圖5 1係概略地顯示藉由基板處理I置20形《氧化，膜之 牙、所觀/則到氧化膜厚成長之停滯現象之圖。 係顯不於矽基板表面之氧化膜形成過程1之圖。 圖52β係顯示於矽基板表面之氧化膜形成過程2之圖。
洩 圖53係顯示於本纟明第1實施例中’所得到之氧化膜之 電流特性之圖。 圖54Α為說明圖53之漏洩電流特性原因之圖。 為。兒明圖5 3之漏洩電流特性原因之圖。 圖55Α係顯示於基板處理裝置2〇所產生之氧化膜形成步 圖55Β係顯 驟2之圖。 示於基板處理裝置20所產生之氧化膜形成步 生之氧化膜形成步 圖5 5C係顯示於基板處理裝置20所產 驟3之圖。
O:\87\87877.DOC -62- 1237303 圖56係顯示於基板處理裝置2G所使用之遠距離電裝源構 成之圖。 圖5 7為比較RF遠距離電漿與微波電漿特性之圖。 圖58為比較RF遠距離電漿與微波電漿特性之其他圖。 圖59A係顯示使用基板處理裝置2〇所進行之氧化膜之氮 化處理之側面圖。 圖5 9B係顯示使用基板處理裝置2〇所進行之氧化膜之氮 化處理之俯視圖。 圖60A係顯示使用遠距離電漿部27，以表2所示條件對藉 ^基板處理裝置20在石夕基板上以熱氧化處理形成之2.0 nm 厚之氧化臈，進行氮化時之前述氧化財之氮濃度分佈圖。
圖6〇B係顯示於相同氧化膜中之氮濃度分佈與氧濃度分 佈之關係圖。 X 圖61係顯示在本發明所使用之xps之概略圖。 圖62係顯示根據氧化膜之遠距離電聚之氮化時間與膜中 氮濃度之關係圖。* 圖63係顯示氧化膜之氮化時間與氮之膜内分佈之關係 圖。 圖Μ係顯示根據氧化膜之氮化處理所形成之整個氧氮化 膜之晶圓之膜厚變動圖。 減化 圖65係顯不隨著因本實施例之氧化膜氮化處理之膜厚辦 加圖。 、曰 【圖式代表符號說明】 10 半導體裝置
O:\87\87877.DOC -63- 1237303 11 12 12A 13 14 20 22 22a 22b 22c 22d 22e 22g 24 26 26a 26b 26c 27 27a 27b 27c 27d 27e
Si基板 基底氧化膜 氧氮化膜 高電介質膜 閘極電極 基板處理裝置 處理容器 前部 後部 底部 左側面 右側面 供給口 加熱部 紫外線照射部 筐體 底部開口 邊緣部 遠距離電漿部 氣體循環通路 氣體入口 氣體出口 氟素樹脂加工 離子過濾器 O:\87\87877.DOC -64- 1237303 27A 區塊 27B 鐵氧體磁心 27C 電漿 28 旋轉驅動部 30 升降桿機構 32 排氣路徑 32a 開口部 32b 錐形部 32c 底部 32d 主排氣管 32e 排出口 32f 下部 32g 分流用排出口 34 氣體供給部 36 框 38 底部框 40, 41 垂直框 40a 電纜線導管 41a 排氣導管 42 中間框 44 上部框 46 冷卻水供給部 48a，48b 電磁閥之排氣用閥 50 渦輪分子幫浦 O:\87\87877.DOC -65- 1237303 50a 吐出管 51 真空管路 51a 分流管路 52 電源單位 57 UV燈控制器 58 托架 58 氣體管路 60 緊急停止開關 62 托架 64 溫度調整器 66 氣體箱 68 離子測量控制器 70 APC控制器 72 TMP控制器 74 排氣口 75 第1窗口 76 第2窗口 77 感應器單元 80 室 80a 貫通孔 82 蓋子構件 84 製程空間（處理空 85 感應器單元 85a〜85c 壓力計 O:\87\87877.DOC -66- 1237303 86 > 87 外線光源（紫外線光源） 88 透明窗 88a 密封面 88b 防護罩 89 密封構件（〇環） 90 供給管路 91 鎖緊構件 92 供給口 93 氣體喷射喷嘴部 93al〜93an 射喷孔 93bl〜93b3 喷嘴板 93cl〜93c3 凹部 93dl〜93d3 供給孔 94 搬送口 96 閘極閥 97a 第1質量控制器 97b 第2質量控制器 98 搬送自動機 991〜995 氣體供給管路 100 石英墊圈 102 下部盒體 104 側面盒體 104a 正面 104b 背面 O:\87\87877.DOC -67- 1237303 106 上部盒體 108 圓筒狀盒體 108a〜108c 凹部 108d 突起 110 底座 112 石英鐘罩 112a 突出部 112b 圓筒部 112c 頂板 112d 中空部 112e 樑部 112f 穿插孔 112g〜112i 輪轂 113 内部空間 114 SiC加熱器 114a 第1發熱部 114b，114c 第2、第3發熱部 114d 穿插孔 114e 穿插孔 116 熱反射構件（反射器） 116a 穿插孔 118 SiC基板設置台（加熱構件） 119 南溫計 120 保持構件 O:\87\87877.DOC - 68 - 1237303 120a〜120c 臂部 120d 軸 120e〜120g 輪轂 120i 倒角加工部 122 外殼 124 内部空間 126 陶瓷軸 128 馬達 128a 驅動軸 130 磁鐵聯結 132 昇降臂 134 昇降軸 136 驅動部 138a〜138c 抵接銷 140 凸緣 142 中央孔 144 第1水路 146 第1凸緣 146a L字形之連通孔 146b 階狀部 148 第2凸緣 150 第2水路 152 第1流入管路 154 第1流入口 O:\87\87877.DOC -69- 1237303 156 流出管路 158 第1流出口 160 螺栓 162 安裝iL 164 溫度感應器 166a〜166f 電源纜線連接用端子 170 第2流入口 174 第2流出口 176 栓 178 位置決定孔 180 密封構件（〇環） 182 密封構件（0環） 184 密封構件（0環） 186 密封構件（0環） 188 密封構件（0環） 190 夾钳機構 190a 外筒 190b 軸 192 螺旋彈簧 193 螺母 195 墊片 196 發熱控制電路 197,199 L字形墊片 197a，199a 圓筒部 O:\87\87877.DOC -70- 1237303 197b，199b 突出部 197c，197d 圓筒部 198 溫度調整器 201 幫浦 202 排氣管路 204 排氣管路 205 壓力計 206 閥 208 分歧管路 210 閥 211 可變隔膜 212 閥 214 壓力計 216 滿輪管路 218 逆止閥 220 隔膜 222 閥 230 托架 230a 冷卻水用之水路 230b 冷卻水供給孔 230c 冷卻水供給排出孔 230d 中央孑L 230e，230f 貫通孔 232 旋轉位置檢測機構 O:\87\87877.DOC -71 - 1237303 234 托架冷卻機構 236, 237 陶竞轴承 238 凸緣 240 螺栓 242 凸緣 244 間隔壁 246 排氣孔 248 從動側磁鐵 250 磁鐵罩 252 氛圍側旋轉部 252a 下端部 254, 255 轴承 256 驅動側磁鐵 257 傳達構件 258 旋轉檢測單元 260, 261 狹縫板 262, 263 光斷續器 264 軸承架 266 發光元件 268 受光元件 268 受光元件 270 旋轉位置判定電路 272 透明石英 274 UV玻璃 O:\87\87877.DOC -72- 1237303 276 277 278 280 282 284 286 292 294 296 297 298 300 302 304 310 310a-310d 312 314a， 315 316 317 318 窗口安裝部 小螺釘 第1窗框 密封構件 第2窗框 小螺釘 開口 透明石英 UV玻璃 窗口安裝部 小螺釘 第1窗框 密封構件（〇環） 第2窗框 小螺釘 圓形開口 310c 凹部 凹部 開口（長方形） 314b 突起 階狀部 狹縫 開口 凹部
O:\87\87877.DOC -73 - 1237303 319 圓形子L 320〜322 子L 324, 325 長方形開口 326 階狀部 327〜329 圓形？L 330 四角孑L 332 伸縮管 334 螺栓 336 連接構件 338 陶瓷蓋 340 蓋子構件 411 z夕基板 412 氧化膜 441 $夕基板 442 氧化膜 443 ZrSiOx
O:\87\87877.DOC -74-

Claims (1)

  1. I2373〇3 拾、申請專利範園： i-種基板處理裝£，其肖徵係具備有： 内部劃分有處理空間之處理容器、 將被插人於前述處理空間之被處理基板加熱至特* 溫度之加熱部、 、疋 件及保持前述被處理基板於前述加熱部上方之保持構 前述加熱部將發熱體收容於由石英所形成之透明箱 體之内部。 2·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中 ±具備有減壓手段，其減壓前述處理容器内部，並同 時減壓前述透明箱體之内部空間。 3·如申請專利範圍第丨項之基板處理裝置，其令 •;引述透明箱體之上面設置由前述發熱體所加熱之 製之加熱板，而該加熱板之上面接近相對著被保持 於則述保持構件之前述被處理基板之下面。 4.如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中 則述發熱體於被處理基板上具備有··形成為以前述 保持構件之軸為中心之圓形之第丨义匸發熱部、 及包圍住前述第1 SiC發熱部之外圍而形成之第2、 第3 Sic發熱部； 其可選擇性地切換對前述第丨Sic發熱部或前述第 2第3 SlC發熱部之任一方，或雙方之電源供給。 5·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中 O:\87\87877.DOC 1237303 則述透明箱體係被設置於基底上，具備有抵接前述 基底上之圓筒部，及覆蓋住該圓筒部上面之頂板，而 形成為覆蓋住前述基底與内部空間。 6·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中 月|J述保持構件具有由透明石英所形成之複數個臂 ^藉由5亥複數個臂部支持前述被處理基板之下面。 7·如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中 月述加熱板係與由前述保持構件之複數個臂部所支 持之則述被處理基板下面相對之方式，而設置於前述 透明箱體之頂板。 8 ·如申凊專利範圍第1項之基板處理裝置，其中 於則述發熱體之下方設置將來自前述發熱體之熱反 射至上方之熱反射構件。 9·如申租專利範圍第8項之基板處理裝置，其中 則述熱反射構件係以相對前述發熱體之下方之狀態 而被挟持著。 10·如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中 刖述透明箱體具有可沿著前述圓筒部之圓周方向供 給冷卻水之水路。 O:\87\87877.DOC -2 -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI387402B (zh) * 2008-06-13 2013-02-21 Shibaura Mechatronics Corp A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a manufacturing method of an electronic component

Families Citing this family (272)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3877157B2 (ja) * 2002-09-24 2007-02-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4870604B2 (ja) * 2007-03-29 2012-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP2008297615A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 基板載置機構及び該基板載置機構を備えた基板処理装置
KR20090024866A (ko) * 2007-09-05 2009-03-10 주식회사 코미코 기판 지지유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치
US7911213B2 (en) 2007-10-05 2011-03-22 Lam Research Corporation Methods for measuring dielectric properties of parts
US7777500B2 (en) * 2007-10-05 2010-08-17 Lam Research Corporation Methods for characterizing dielectric properties of parts
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101128737B1 (ko) * 2009-12-30 2012-03-23 엘아이지에이디피 주식회사 증착장치
KR101121429B1 (ko) * 2009-12-30 2012-03-16 엘아이지에이디피 주식회사 증착장치
KR101128738B1 (ko) * 2009-12-30 2012-03-23 엘아이지에이디피 주식회사 증착장치
JP5802052B2 (ja) * 2011-05-19 2015-10-28 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置及び半導体製造方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101493449B1 (ko) * 2011-09-05 2015-02-16 엘아이지에이디피 주식회사 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
SG11201508512PA (en) * 2013-05-23 2015-12-30 Applied Materials Inc A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
JP5835533B2 (ja) * 2013-07-23 2015-12-24 千住金属工業株式会社 はんだ付け装置及び真空はんだ付け方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN110355016A (zh) * 2018-04-09 2019-10-22 普罗科技有限公司 晶片级分配器
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP7411699B2 (ja) 2022-01-28 2024-01-11 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0756863B2 (ja) * 1989-07-04 1995-06-14 日新電機株式会社 気相成長装置
JPH0377315A (ja) 1989-08-21 1991-04-02 Daiwa Handotai Sochi Kk Ｍｏ―ｃｖｄ法による半導体製造装置
JP2662722B2 (ja) * 1990-01-12 1997-10-15 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置
JP3179806B2 (ja) 1991-08-16 2001-06-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法および熱処理装置
US5215588A (en) * 1992-01-17 1993-06-01 Amtech Systems, Inc. Photo-CVD system
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
TW444922U (en) * 1994-09-29 2001-07-01 Tokyo Electron Ltd Heating device and the processing device using the same
DE4437361C2 (de) * 1994-10-19 1997-05-15 Ast Elektronik Gmbh Verfahren und Vorrichtung für die optische Schnellheizbehandlung empfindlicher elektronischer Bauelemente, insbesondere Halbleiterbauelemente
JPH0930893A (ja) * 1995-05-16 1997-02-04 Hitachi Electron Eng Co Ltd 気相成長装置
DE19622322C2 (de) * 1995-06-15 1999-02-25 Toshiba Ceramics Co Vorrichtung zum Züchten aus der Dampfphase
JPH093893A (ja) 1995-06-22 1997-01-07 Yoshio Tanaka 回転式杭圧入及び引き抜き装置における杭のチャッキング装置
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
WO1997031389A1 (fr) * 1996-02-23 1997-08-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement thermique
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
US6198074B1 (en) * 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
CN1177830A (zh) * 1996-09-23 1998-04-01 三星电子株式会社 半导体晶片热处理设备
JPH10270436A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US6372048B1 (en) * 1997-06-09 2002-04-16 Tokyo Electron Limited Gas processing apparatus for object to be processed
TW452826B (en) * 1997-07-31 2001-09-01 Toshiba Ceramics Co Carbon heater
JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US6165273A (en) * 1997-10-21 2000-12-26 Fsi International Inc. Equipment for UV wafer heating and photochemistry
US6300600B1 (en) * 1998-08-12 2001-10-09 Silicon Valley Group, Inc. Hot wall rapid thermal processor
US6315833B1 (en) * 1999-07-01 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon carbide sleeve for substrate support assembly
US6554905B1 (en) * 2000-04-17 2003-04-29 Asm America, Inc. Rotating semiconductor processing apparatus
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI387402B (zh) * 2008-06-13 2013-02-21 Shibaura Mechatronics Corp A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a manufacturing method of an electronic component

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