KR101493449B1 - 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 - Google Patents

샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101493449B1
KR101493449B1 KR20120097826A KR20120097826A KR101493449B1 KR 101493449 B1 KR101493449 B1 KR 101493449B1 KR 20120097826 A KR20120097826 A KR 20120097826A KR 20120097826 A KR20120097826 A KR 20120097826A KR 101493449 B1 KR101493449 B1 KR 101493449B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
process chamber
chamber
susceptor
vapor deposition
Prior art date
Application number
KR20120097826A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130026398A (ko
Inventor
이창엽
이재무
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Publication of KR20130026398A publication Critical patent/KR20130026398A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101493449B1 publication Critical patent/KR101493449B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated

Abstract

기판을 향해 공급되는 가스가 공정챔버의 내측벽을 향하는 것이 방지되도록 한 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치가 개시된다. 본 발명에 따른 샤워헤드는 제 1가스가 공급되고 일측벽에 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버 및 상기 제 1가스챔버의 둘레에 배치되어 제 2가스가 공급되며, 상기 제 1가스챔버의 외측을 향해 경사지는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함한다.

Description

샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 {Showerhead and chemical vapor deposition apparatus}
본 발명은 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 박막을 형성하는 데 사용되는 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층 구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다.
이러한 각 결정층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다. 화학기상 증착장치는 공정챔버, 공정챔버로 공정가스를 분사하는 샤워헤드, 샤워헤드에 대향되어 기판을 지지하는 서셉터 및 기판을 가열하는 가열기를 포함한다. 이러한 화학기상 증착장치는 공정챔버의 내부로 공정가스가 공급되고, 서셉터에 지지되는 기판이 가열됨으로써, 공정가스에 포함되는 원료물질이 기판 표면에서 화학적으로 반응하여 결정층이 형성되도록 한다.
한편, 화학기상 증착장치에 사용되는 샤워헤드에 대해서는 이미 대한민국 공개특허 제10-2011-0054833호 (2011. 05. 25. 공개)(이하, '선행기술문헌'이라 함.)에 의해 개시된 바 있다.
상기 선행기술문헌을 참조하면, 샤워헤드 어셈블리는 복수의 가스분사기를 포함하는데, 복수의 가스분사기는 서셉터가 회전되는 방향으로 배치되어 서셉터를 향해 가스를 분사하도록 구성된다.
하지만, 상기 선행기술문헌에 기재된 바로는, 샤워헤드 어셈블리와 공정챔버의 내측벽의 사이에는 공정챔버의 내측벽으로 가스가 확산되는 것을 차단하는 그 어떤 수단에 대해서 개시되지 않고 있다.
이와 같이 공정챔버의 내부로 공급되는 가스가 공정챔버의 내측벽으로 확산되면, 가스와 함께 파티클이 공정챔버의 내측벽에 쌓이게 되고, 이 파티클은 장비의 유지관리에 번거로움을 발생시킬 뿐만 아니라, 공정효율을 저하시키는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허 제10-2011-0054833호 (2011. 05. 25. 공개)
본 발명의 목적은 기판을 향해 공급되는 가스가 공정챔버의 내측벽을 향하는 것이 방지되도록 한 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 샤워헤드는 제 1가스가 공급되고 일측벽에 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버 및 상기 제 1가스챔버의 둘레에 배치되어 제 2가스가 공급되며, 상기 제 1가스챔버의 외측을 향해 경사지는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함한다.
상기 복수의 제 2토출구는 상기 제 1가스챔버의 중앙을 중심으로 하는 나선형으로 배열될 수 있다.
상기 복수의 제 1토출구는 상기 제 1토출구의 중심축에 대하여 15~25°로 경사질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정챔버, 상기 공정챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터 및 상기 기판 상이 박막을 형성하는 데 사용되는 제 1가스와 상기 제 1가스가 상기 공정챔버의 내벽으로 향하는 것을 방지하는 제 2가스를 상기 공정챔버의 내부로 공급하는 샤워헤드를 포함하며, 상기 샤워헤드는 제 1가스가 공급되고 일측벽에 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버 및 기 제 1가스챔버의 둘레에 배치되어 제 2가스가 공급되며, 상기 제 1가스챔버의 외측을 향해 경사지는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함한다.
상기 복수의 제 2토출구는 상기 제 1가스챔버의 중앙을 중심으로 하는 나선형으로 배열될 수 있다.
상기 복수의 제 1토출구는 상기 제 1토출구의 중심축에 대하여 15~25°로 경사질 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 서셉터를 회전시키는 회전부 및 상기 공정챔버 내부의 폐가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 상기 공정챔버의 측벽을 관통하는 배기관을 더 포함하며, 상기 복수의 제 2토출구는 상기 서셉터가 회전되는 방향과 동일한 방향으로 회전되는 형태의 나선형으로 배열될 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 챔버의 내측벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 폐가스를 상기 배기관으로 안내하는 라이너를 더 포함하며, 상기 배기관은 상기 챔버와 상기 라이너를 관통할 수 있다.
상기 라이너는 석영으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치는 챔버의 내측벽, 또는 라이너에 파티클이 증착되는 것이 방지되어 장비의 유지관리의 편의를 제공하고 공정효율을 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 저면도이다.
도 3은 도 1에 표기된 "I"부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 다른 본 실시예에 따른 샤워헤드를 나타낸 저면도이다.
도 5는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에서의 가스흐름을 나타낸 단면도이다.
이하, 본 실시예에 따른 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)는 공정챔버(110), 서셉터(120), 회전부(130), 라이너(140) 및 샤워헤드(200)를 포함한다.
공정챔버(110)는 상단이 개방되는 용기형상으로 이루어져 내부에 기판(10)의 박막 형성을 위한 공정공간이 형성된다. 공정챔버(110)의 상단에는 리드(111)가 배치된다. 리드(111)는 도시되지 않은 힌지축을 중심으로 회전되도록 설치되어 공정챔버(110)가 개폐 가능하도록 한다. 따라서 기판(10)은 공정챔버(110)의 내부로 로딩 또는 언로딩될 수 있다.
본 실시예에서 기판(10)의 로딩 또는 언로딩을 위해 공정챔버(110)의 상단이 개방되고 공정챔버(110)의 상단에 리드(111)가 설치되는 것으로 설명하고 있으나, 다른 실시예로 공정챔버(110)의 측벽에 기판(10)의 로딩 또는 언로딩을 위한 별도의 출입구(미도시)가 형성될 수 있다.
서셉터(120)는 공정챔버(110)의 내부에 배치된다. 서셉터(120)는 공정챔버(110)의 내부에서 기판(10)을 지지한다. 서셉터(120)는 상면에는 기판(10)이 수용되는 수용홈(121)이 형성된다. 수용홈(121)은 서셉터(120)에 복수의 기판(10)을 함께 지지할 수 있도록 복수개로 형성될 수 있다. 서셉터(120)의 하부에는 기판(10)을 공정온도에 도달하도록 하는 가열기(122)가 배치된다. 가열기(122)로는 히팅블록, 히팅코일, 히팅배관 등을 사용할 수 있다.
회전부(130)는 서셉터(120)를 지지하며, 서셉터(120)를 회전시킨다. 회전부(130)는 공정챔버(110)의 하부벽을 관통하여 서셉터(120)를 지지하는 회전축(131)과 공정챔버(110)의 하부에 결합되어 회전축(131)을 회전시키는 회전모터(132)의 조합으로 이루어질 수 있다.
라이너(140)는 공정챔버(110)의 내측벽과 서셉터(120)의 사이에 배치된다. 라이너(140)는 "J"자 형태의 단면형상을 가진다. 즉, 라이너(140)는 서셉터(120)의 외측벽에 근접하는 내주부(141), 공정챔버(110)의 내측벽에 근접하는 외주부(142) 및 내주부(141)로부터 만곡되어 외주부에 연결되는 만곡부(143)로 이루어질 수 있다. 만곡부(143)와 외주부(142)가 연결되는 지점에는 공정챔버(110) 내부의 폐가스가 공정챔버(110)의 외부로 배출될 수 있도록 개구되는 배기구(144)가 형성되며, 공정챔버(110)의 측벽에는 배기구(144)와 연통되는 연통구(112)가 형성된다. 연통구(112)와 배기구(144)에는 공정챔버(110)의 폐가스의 배기경로를 형성하는 배기관(112)이 관통되며, 배기관(112)은 라이너(140)의 내측에서 개방된다.
이러한 라이너(140)는 공정챔버(110)의 외부로 배기되는 폐가스에 와류가 발생되는 것을 방지하여 폐가스가 원활하게 배기구(144)로 배출될 수 있도록 안내하며, 폐가스에 포함되는 파티클이 공정챔버(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(140)는 공정에 영향을 끼치지 않기 위해 내화학성, 내열성이 뛰어난 석영으로 이루어질 수 있다.
샤워헤드(200)는 공정챔버(110)의 내부를 향하는 리드(111)의 일면에 결합된다. 샤워헤드(200)의 내부에는 제 1가스챔버(210)와 제 2가스챔버(220)가 형성된다. 제 1가스챔버(210)는 샤워헤드(200)의 중앙부에 배치되며, 제 2가스챔버(220)는 제 1가스챔버(210)의 둘레에 배치될 수 있다. 제 1가스챔버(210)에는 제 1가스(G1)가 공급되며, 제 2가스챔버(220)에는 제 2가스(G2)가 공급된다. 서셉터(120)를 향하는 샤워헤드(200)의 일면에는 제 1가스챔버(210)를 관통하는 복수의 제 1토출구(211)가 형성되며, 제 2가스챔버(220)를 관통하는 복수의 제 2토출구(221a))가 형성된다.
이때, 제 1가스(G1)는 기판(10)에 박막을 형성하는 데 사용된다. 제 1가스(G1)로는 Ⅲ족 가스(트리메탈갈륨(Trimethyl-gallium;TMGa), 트리메탈인듐(Trimethyl-Indium;TMI), 트리메탈알루미늄(Trimethyl-aluminium;TMA)) 가스 중 어느 하나, 또는 Ⅴ족 가스(암모니아(NH3) 가스)를 사용할 수 있다. 제 2가스(G2)는 공정챔버(110) 내부의 폐가스가 공정챔버(110)의 측벽을 향하는 것을 방지하는 에어커튼의 역할을 한다. 제 2가스(G2)로는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
한편, 제 2가스(G2)는 에어커튼의 역할을 수행해야 하므로 공정챔버(110)의 내측벽과 서셉터(120)의 사이에서 라이너(140)의 만곡부(143)를 향해 분사되되, 제 1가스(G1)가 공정챔버(110)의 측벽을 향하는 것을 차단하는 기류를 형성하며 토출되어야 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 샤워헤드를 나타낸 저면도이며, 도 3은 도 1에 표기된 "I"부를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 복수의 제 2토출구(221a)는 제 1가스챔버(210)의 외측을 향해 배열되는 복수의 제 1토출구(211)와 평행하지 않게 배열된다. 즉, 복수의 제 2토출구(221a)는 복수의 제 1토출구(211)를 연결하는 선(212)에 교차되는 선(222) 상에 배열된다. 다시 말해, 복수의 제 1토출구(211)는 샤워헤드(200)의 중심을 중심으로 하는 방사형으로 배열될 수 있으며, 복수의 제 2토출구(221a)는 샤워헤드(200)의 중심을 중심으로 하는 나선형으로 배열될 수 있다.
여기서, 서셉터(120)는 회전부(130)에 의해 회전되므로 라이너(140)와 서셉터(120)의 사이에는 회전 기류가 발생될 수 있다. 따라서 복수의 제 2토출구(221a)는 제 2가스(G2)가 난류를 발생시키지 않으면서 원활하게 배기구(144)를 향할 수 있도록 서셉터(120)가 회전되는 방향과 동일한 방향으로 회전되는 형태로 배열될 수 있다.
도 2에서 복수의 제 2토출구(221a)는 샤워헤드(200)의 중심을 중심으로 하는 나선형으로 배열되는 것으로 도시하고 있으나, 다른 실시예로 복수의 제 2토출구(221a)는 회오리형, 와선형, 소용돌이형, 회전형, 트위스트형, 코일형, 컬(curl)형 및 이들의 파생형의 원형 기하학 구조로 배열될 수 있다.
또한, 복수의 제 2토출구(221a)는 제 1가스챔버(210)의 외측을 향해 경사지도록 제 2가스챔버(220)를 관통할 수 있다. 이때, 복수의 제 2토출구(221a)는 제 1가스챔버(210)의 중심축에 대하여 15~25°로 경사질 수 있다. 따라서 복수의 제 2토출구(221a)를 통해 공정챔버(110) 내부로 토출되는 제 2가스(G2)는 공정챔버(110)의 내벽 및 라이너(140)의 내벽에 공정챔버(110) 내부의 가스들이 접촉되는 것을 방지한다.
상술된 설명에서 복수의 제 2토출구(221a)는 샤워헤드(200)의 중심을 중심으로 하는 나선형, 회오리형, 와선형, 소용돌이형, 회전형, 트위스트형, 코일형, 컬(curl)형 및 이들의 파생형의 원형 기하학 구조로 배열되는 것으로 설명하고 있으나, 다른 실시예로 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제 2토출구(221b)는 제 1가스챔버(210)의 중심을 중심으로 하는 방사형으로 배치될 수 있다.
물론, 제 1가스챔버(210)의 중심을 중심으로 하는 방사형으로 배치되는 복수의 제 2토출구(212b)는 제 1가스챔버(210)의 외측을 향해 경사지도록 제 2가스챔버(220)를 관통할 수 있다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증차장치의 작동에 대해 설명하도록 한다.
먼저, 리드(111)가 회전되어 공정챔버(110)가 개방되고 기판(10)이 챔버의 내부로 로딩된다. 기판(10)은 서셉터(120)에 지지된다. 기판(10)이 서셉터(120)에 지지되면, 공정챔버(110)는 폐쇄된다. 가열기(122)는 기판(10)이 공정온도에 도달할 수 있도록 기판(10)을 가열한다.
이와 같이 공정챔버(110) 내부에 기판(10)이 지지되고 기판(10)이 공정온도에 도달하면, 공정챔버(110)의 외부에 배치되는 가스공급장치(미도시)는 제 1가스(G1)와 제 2가스(G2)를 공급한다.
도 5은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에서 가스의 흐름상태를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 샤워헤드(200)로 제 1가스(G1)와 제 2가스(G2)가 공급된다. 즉, 제 1가스(G1)는 제 1가스챔버(210)의 내부로 공급되고, 제 2가스(G2)는 제 2가스챔버(220)의 내부로 공급된다. 제 1가스(G1)와 제 2가스(G2)는 제 1가스챔버(210)와 제 2가스챔버(220)의 내부에서 각각 확산되며 균일한 분포로 샤워헤드(200)로부터 토출될 수 있다.
제 1가스챔버(210)의 내부에서 확산되는 제 1가스(G1)는 복수의 제 1토출구(211)를 통해 서셉터(120)를 향해 토출된다. 이와 함께 회전부(130)는 서셉터(120)를 회전시켜 서셉터(120)에 지지되는 복수의 기판(10)에 박막이 증착되도록 한다.
한편, 제 1가스챔버(210)의 내부에서 확산되는 제 2가스(G2)는 복수의 제 2토출구(221a)를 통해 라이너(140)를 향해 토출된다. 따라서 제 2가스(G2)는 공정챔버(110)의 내측벽으로 향한다 하더라도 제 2가스(G2)에 가로막히고 제 2가스(G2)와 함께 배기구(144)로 안내된다.
이때, 복수의 제 2토출구(221a)는 서셉터(120)가 회전되는 방향과 동일한 방향으로 회전되는 형태로 배열되므로, 제 2가스(G2)는 서셉터(120)의 회전에 따라 발생되는 회전 기류에 난류를 발생시키지 않으며 원활하게 배기구(144)로 안내될 수 있다.
또한, 복수의 제 2토출구(221a)는 제 1가스챔버(210)의 외측을 향해 경사지므로, 제 2가스(G2)는 공정챔버(110)의 내벽 및 라이너(140)의 내벽에 공정챔버(110) 내부의 가스들이 접촉되는 것을 사전에 방지하여 공정챔버(110)의 내벽 및 라이너(140)의 내벽에 파티클이 증착되는 것을 방지한다.
또한, 라이너(140)는 배기구(144)를 통해 배출되는 폐가스에 와류가 발생되는 것을 방지하며 폐가스가 배기구(144)를 통해 원활하게 공정챔버(110)의 외부로 배출될 수 있도록 한다.
상술한 바와 같이, 본 실시예는 제 2가스(G2)가 토출되는 복수의 제 2토출구(221a)가 복수의 제 1토출구(211)를 연결하는 가상의 중심선(212)에 교차되는 가상의 중심선(222) 상에 연결되도록 배열되고, 제 1가스챔버(210)의 외측을 향해 경사지므로, 공정챔버(110) 내부의 가스들이 공정챔버(110)의 내측벽을 향하는 것이 방지되어 라이너(140), 또는 공정챔버(110)의 내측벽에 파티클이 증착되는 것이 방지된다. 따라서 본 실시예에 따르면, 장비의 유지관리가 간편하며, 공정 효율이 향상될 수 있다.
100 : 화학기상 증착장치 110 : 공정챔버
120 : 서셉터 130 : 회전부
140 : 라이너 200 : 샤워헤드
210 : 제 1가스챔버 211 : 제 1토출구
220 : 제 2가스챔버 221a, 221b : 제 2토출구

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;및
    상기 기판 상에 박막을 형성하는 데 사용되는 제 1가스와 상기 제 1가스가 상기 공정챔버의 내벽으로 향하는 것을 방지하는 제 2가스를 상기 공정챔버의 내부로 공급하는 샤워헤드;
    상기 서셉터를 회전시키는 회전부;및
    상기 공정챔버 내부의 폐가스가 상기 공정챔버의 외부로 배출되도록 상기 공정챔버의 측벽을 관통하는 배기관;을 포함하며,
    상기 샤워헤드는
    제 1가스가 공급되고 일측벽에 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버;및
    상기 제 1가스챔버의 둘레에 배치되어 제 2가스가 공급되며, 상기 서셉터가 회전되는 방향과 동일한 방향으로 회전되는 형태의 나선형으로 배열되는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서, 상기 복수의 제 2토출구는 상기 제 1토출구의 중심축에 대하여 15~25°로 경사지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  7. 삭제
  8. 제 4항에 있어서, 상기 공정챔버의 내측벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 폐가스를 상기 배기관으로 안내하는 라이너를 더 포함하며,
    상기 배기관은 상기 공정챔버와 상기 라이너를 관통하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 라이너는 석영으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
KR20120097826A 2011-09-05 2012-09-04 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 KR101493449B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110089518 2011-09-05
KR1020110089518 2011-09-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130026398A KR20130026398A (ko) 2013-03-13
KR101493449B1 true KR101493449B1 (ko) 2015-02-16

Family

ID=48177717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20120097826A KR101493449B1 (ko) 2011-09-05 2012-09-04 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101493449B1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102033735B1 (ko) 2013-11-20 2019-10-17 엘지디스플레이 주식회사 기판 냉각장치 및 이를 포함하는 화학기상 증착장치
KR102022860B1 (ko) 2013-11-20 2019-09-19 엘지디스플레이 주식회사 샤워헤드 어셈블리 및 이를 포함하는 화학기상 증착장치
KR102028478B1 (ko) 2013-11-20 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 화학기상 증착장치
KR101635759B1 (ko) 2013-11-25 2016-07-04 주식회사 선익시스템 물질이동 가스의 분리장치 및 이를 포함하는 화학기상 증착장치
KR102019303B1 (ko) 2013-12-18 2019-09-06 엘지디스플레이 주식회사 화학기상 증착 시스템
KR20210122308A (ko) * 2019-02-25 2021-10-08 코닝 인코포레이티드 다중-샤워헤드 화학 증기 증착 반응기, 공정 및 제품
CN113088928A (zh) * 2019-12-23 2021-07-09 上海思擎企业管理合伙企业(有限合伙) 内筒壁吹扫装置
US11971057B2 (en) * 2020-11-13 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas transport system

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050069998A (ko) * 2002-09-24 2005-07-05 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치
KR20070098104A (ko) * 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 가스커튼을 구비한 박막증착장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050069998A (ko) * 2002-09-24 2005-07-05 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치
KR20070098104A (ko) * 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 가스커튼을 구비한 박막증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130026398A (ko) 2013-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101493449B1 (ko) 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
TWI435948B (zh) 氣體噴射單元及使用該氣體噴射單元沈積薄層之裝置及方法
US20100116209A1 (en) Film deposition apparatus
US20050241580A1 (en) Method for depositing thin film and thin film deposition system having separate jet orifices for spraying purge gas
JP5710002B2 (ja) 薄膜蒸着装置
JP2010135420A (ja) 成膜装置
TW201025481A (en) Film deposition apparatus and substrate process apparatus
JP2012533876A (ja) 半導体製造装置
US10519550B2 (en) Film formation apparatus
KR101412034B1 (ko) 가스분사조립체 및 이를 이용한 박막증착장치
JP4600820B2 (ja) エピタキシャル成長装置
KR20110084644A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
KR102080761B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150098454A (ko) 기판 처리 장치
KR101385258B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20110116900A (ko) 서셉터 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
KR101097160B1 (ko) 화학기상 증착장치
JP2010272889A (ja) エピタキシャル成長装置
KR101281124B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101828989B1 (ko) 기판처리장치
KR101179453B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101232908B1 (ko) 화학기상증착장치
KR20150077107A (ko) 화학기상증착장치
KR102115500B1 (ko) 기판처리장치
KR101227673B1 (ko) 화학기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
LAPS Lapse due to unpaid annual fee