KR101385258B1 - 화학기상 증착장치 - Google Patents

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Abstract

기판을 향해 공급되는 반응가스가 반응챔버의 내부로 확산되는 것이 방지되며, 반응챔버 내부의 파티클이 샤워헤드와 기판의 사이로 유입되는 것이 방지되도록 한 화학기상 증착장치가 개시된다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 반응챔버, 상기 반응챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터에 대향되어 상기 반응챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 샤워헤드 및 상기 반응챔버의 내벽으로부터 이격되고 상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 배치되는 차폐막을 포함한다.

Description

화학기상 증착장치{APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 박막을 형성하는 데 사용되는 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층 구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 이러한 각 결정층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다.
한편, 화학기상 증착장치에 대해서는 이미 "대한민국 등록특허 제10-1004927호;CVD용 샤워헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치"에 의해 개시된 바 있다. 상기 등록특허는 반응챔버, 반응챔버로 반응가스를 공급하는 샤워헤드, 샤워헤드에 대향되어 기판을 지지하는 서셉터 및 기판을 가열하는 가열수단 등을 포함한다.
이러한 화학기상 증착장치는 서셉터에 지지되는 기판이 공정온도로 가열되고, 반응챔버의 내부로 반응가스가 공급됨으로써, 반응가스가 화학적으로 반응하여 기판에 박막이 형성되도록 한다.
하지만, 반응챔버의 내부로 공급되는 반응가스는 기판으로 공급될 뿐만 아니라, 반응챔버의 내부에서 확산될 수 있다. 이와 같이 반응챔버의 내부 전체에 반응가스가 확산됨에 따라, 고가의 반응가스가 불필요하게 소모되어 생산비용이 증가되는 문제점이 있다.
또한, 반응챔버의 내부에서 반응가스가 확산되면, 반응챔버의 내벽에 파티클이 증착될 수 있다. 이와 같이 반응챔버의 내벽에 증착된 파티클은 이후의 증착공정에서 기판을 오염시키고, 박막의 품질을 저하시키는 요소로 작용한다. 또한, 반응챔버의 내벽에 파티클이 증착되면, 장비의 유지관리에 번거로운 문제점이 있다.
대한민국 등록특허 제10-1004927 (2009. 10. 28. 공개)
본 발명의 목적은 기판을 향해 공급되는 반응가스가 반응챔버의 내부로 확산되는 것이 방지되며, 반응챔버 내부의 파티클이 샤워헤드와 기판의 사이로 유입되는 것이 방지되도록 한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 반응챔버, 상기 반응챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터에 대향되어 상기 반응챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 샤워헤드 및 상기 반응챔버의 내벽으로부터 이격되고 상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 배치되는 차폐막을 포함한다.
상기 차폐막은 가스공급구가 형성되어 상기 반응가스의 공급경로가 확보되는 플레이트 및 상기 플레이트의 둘레를 지지하는 측벽을 포함할 수 있다.
상기 측벽은 상기 서셉터에 지지될 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 측벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 측벽과 상기 서셉터를 이격시키는 이격돌기를 더 포함할 수 있다.
상기 반응챔버 내벽에 지지되고 상기 측벽을 지지하는 지지링을 더 포함할 수 있다.
상기 지지링은 상기 서셉터의 상단면보다 상측에 배치될 수 있다.
상기 지지링에는 상하로 관통되는 배기구가 형성될 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 가스공급구에 연통되어 상기 차폐막의 내부로 제 1반응가스와 제 2반응가스를 공급하는 반응가스 공급부를 포함할 수 있다.
상기 반응가스 공급부는 상기 제 1반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 제 1반응가스챔버 및 상기 제 2반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 제 2반응가스챔버를 포함할 수 있다.
상기 반응가스 공급부는 상기 제 1반응가스와 상기 제 2반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 반응가스챔버를 포함할 수 있다.
상기 반응가스 공급부는 상기 반응가스챔버에 결합되고 냉매가 공급되는 냉각챔버를 더 포함할 수 있다.
상기 반응가스 공급부는 상기 서셉터를 향하는 상기 샤워헤드의 일면으로부터 돌출되어 상기 차폐막의 내부에서 상기 반응가스가 토출되도록 하는 돌출면을 포함할 수 있다.
상기 샤워헤드는 상기 가스공급구의 주변으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 서셉터에 설치되고 발열되는 제 1히터, 상기 샤워헤드에 설치되어 발열되는 제 2히터를 더 포함하며, 상기 기판은 상기 제 1히터와 상기 제 2히터에 의해 함께 가열될 수 있다.
상기 차폐막은 쿼츠로 이루어질 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 반응챔버 벽 및 상기 샤워헤드를 관통하는 뷰 포트 및 상기 반응챔버의 외측에 배치되고 상기 뷰포트를 통해 광을 입사시켜 상기 기판의 온도를 측정하는 온도센서를 더 포함할 수 있다
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 반응가스가 반응챔버의 내부에서 확산되는 것이 방지되므로, 불필요한 반응가스의 소모을 줄여 생산비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 반응챔버 내부의 파티클이 기판에 유입되는 것이 방지되어 양질의 박막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 반응챔버 내부에 파티클이 증착되는 것이 방지되므로, 장비를 간편하게 유지관리할 수 있는 편의를 제공한다.
도 1은 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이다.
도 2는 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부를 나타낸 분해사시도이다.
도 3은 제 2실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이다.
도 4는 제 3실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이다.
이하, 본 발명에 따른 화학기상 증착장치의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 이하에서 설명되는 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
제 1실시예
도 1은 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이며, 도 2는 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 일부를 나타낸 분해사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치(이하, '화학기상 증착장치'라 함.)(100)은 반응챔버(110), 서셉터(130), 샤워헤드(150) 및 차폐막(170)을 포함한다.
반응챔버(110)의 내부에는 반응챔버(110)의 외부로부터 차폐되는 독립적인 공간이 형성된다. 도시되지 않았지만, 반응챔버(110)에는 기판(10)의 반입 및 반출을 위한 게이트 밸브(Gate Valve), 또는 리드(Lid)가 설치될 수 있다. 이러한 반응챔버(110)의 하부에는 배기관(111)이 연결될 수 있다. 배기관(111)은 반응챔버(110)의 외부에 배치되는 진공펌프(112)에 연결될 수 있다. 따라서 반응챔버(110) 내부에는 상측에서 하측으로 향하는 기류가 형성될 수 있다.
서셉터(130)는 반응챔버(110)의 내부에 배치된다. 서셉터(130)에는 적어도 하나의 기판(10)이 지지될 수 있다. 서셉터(130)의 하부 중심에는 회전축(131)이 결합된다. 회전축(131)은 반응챔버(110)를 관통하여 반응챔버(110)의 외부로 연장된다. 회전축(131)은 회전모터(132)에 연결될 수 있다. 반응챔버(110)의 외벽에는 회전축(131)과 반응챔버(110)의 내벽의 사이로 반응챔버(110)의 기밀이 누출되는 것을 방지하는 벨로우즈와 같은 기밀부재(133)가 설치될 수 있다.
샤워헤드(150)는 서셉터(130)에 대향되도록 반응챔버(110)의 내부에 배치된다. 샤워헤드(150)는 반응가스 공급부 및 퍼지가스 공급부를 포함한다.
반응가스 공급부는 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)를 공급한다. 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)는 서로 반응하여 기판(10)에 막이 형성되도록 한다. 제 1반응가스(G1)로는 트리메탈갈륨(Trimethyl-gallium;TMGa), 트리메탈인듐(Trimethyl-Indium;TMI), 트리메탈알루미늄(Trimethyl-aluminium;TMA 등의 Ⅲ족 가스가 사용될 수 있으며, 제 2반응가스(G2)로는 암모니아(NH3) 등의 Ⅴ족 가스가 사용될 수 있다.
반응가스 공급부는 제 1반응가스챔버(151) 및 제 2반응가스챔버(152)를 포함한다. 제 1반응가스챔버(151)는 제 2반응가스챔버(152)에 적층된다. 제 1반응가스챔버(151)에는 제 1반응가스공급관(151a)이 연결된다. 제 1반응가스챔버(151)에는 제 2반응가스챔버(152)를 관통하여 제 1반응가스챔버(151)에 연통되고, 반응챔버(110) 내부로 개방되는 적어도 하나의 제 1반응가스토출관(151b)이 결합된다. 제 2반응가스챔버(152)에는 제 2반응가스공급관(152a)이 연결된다. 제 2반응가스챔버(152)는 제 2반응가스챔버(152)에 연통되고, 반응챔버(110) 내부로 개방되는 적어도 하나의 제 2반응가스토출관(152b)이 결합된다. 반응가스 공급부는 이후에 설명될 퍼지가스챔버(153)로부터 서셉터(130)를 향해 돌출되는 돌출면(155)이 형성된다. 돌출면(155)은 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 차폐막(170)의 외부로 누출되지 않고 차폐막(170)의 내부로 공급될 수 있도록 한다.
여기서, 차폐막(170)은 반응챔버(110)의 내벽으로부터 이격되고 샤워헤드(150)와 서셉터(130)의 사이에 배치된다. 차폐막(170)은 플레이트(171) 및 측벽(173)을 포함한다. 플레이트(171)에는 돌출면(155)이 삽입되는 가스공급구(172)가 형성된다. 측벽(173)은 플레이트(171)의 둘레를 지지한다. 차폐막(170)은 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)에 반응하지 않는 쿼츠(Quartz)로 이루어질 수 있다.
차폐막(170)은 서셉터(130)에 지지될 수 있다. 즉, 측벽(173)이 서셉터(130)에 지지됨으로써 차폐막(170)은 서셉터(130)에 지지될 수 있다. 그리고 측벽(173)의 하부면에는 이격돌기(174)가 형성될 수 있다. 이격돌기(174)는 서셉터(130)의 상단면과 측벽(173)의 하단면이 이격되도록 하여 차폐막(170) 내부의 폐가스가 차폐막(170)의 외부로 배기될 수 있도록 한다.
도 1 및 도 2에서 이격돌기(174)는 측벽(173)으로부터 돌출되는 것으로 도시되고 있으나, 다른 실시예로 서셉터(130)의 상단면으로부터 돌출될 수 있다.
이러한 차폐막(170)은 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 반응챔버(110)의 내벽을 향하는 것을 방지하고, 반응챔버(110) 내부의 파티클이 샤워헤드(150)와 기판(10)의 사이로 유입되는 것을 방지한다.
한편, 퍼지가스 공급부는 퍼지가스챔버(153)를 포함한다. 퍼지가스챔버(153)는 돌출면(155)의 주변부에 배치되어 제 2반응가스챔버(152)의 하부에 결합된다. 퍼지가스챔버(153)에는 퍼지가스공급관(153a)이 결합된다. 퍼지가스챔버(153)에는 퍼지가스챔버(153)에 연통되고 반응챔버(110)의 내부로 개방되는 복수의 퍼지가스토출관(153b)이 결합된다. 퍼지가스(G3)로는 질소(N2), 수소(H2) 등의 불활성 가스가 사용될 수 있다. 이러한 퍼지가스 공급부는 가스공급구(172)의 주변, 즉 플레이트(171)로 퍼지가스(G3)를 공급하여 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 샤워헤드(150)와 차폐막(170)의 사이로 누출되는 것을 방지하며, 샤워헤드(150)와 차폐막(170)의 사이로 파티클이 침투되는 것을 방지한다.
그리고 화학기상 증착장치(100)는 제 1히터(191), 제 2히터(192), 온도센서(195) 및 뷰포트(197)를 포함한다.
제 1히터(191)는 서셉터(130)에 설치되어 발열된다. 제 1히터(191)가 발열됨에 따라 서셉터(130)에 지지되는 기판(10)은 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 원활하게 반응할 수 있는 공정온도에 도달 할 수 있다. 제 2히터(192)는 퍼지가스 공급부에 설치되어 발열된다. 제 2히터(192)는 제 1히터(191)와 함께 기판(10)을 가열하여 기판(10)이 공정온도에 신속하게 도달할 수 있도록 한다.
온도센서(195)는 반응챔버(110)의 외부에 배치되어 기판(10)의 온도를 측정한다. 온도센서(195)로는 반응챔버(110)의 내부로 광을 조사하여 기판(10)의 온도를 측정하는 광학 온도센서를 사용할 수 있다. 따라서 뷰포트(197)는 반응챔버(110) 및 샤워헤드(150)를 관통하도록 설치될 수 있다. 상술된 바와 같이, 차폐막(170)은 광 투과성 재질인 쿼츠로 이루어지므로, 기판(10)의 온도 검출을 위해 사용되는 광은 반응챔버(110), 뷰포트(197) 및 차폐막(170)을 원활하게 투과할 수 있다.
이하, 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 작동에 대해 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 기판(10)은 반응챔버(110)의 내부로 반입되어 서셉터(130)에 지지된다. 기판(10)은 제 1히터(191)와 제 2히터(192)에 의해 공정온도에 도달할 수 있다. 이때, 온도센서(195)는 뷰포트(197)를 통해 기판(10)으로 광을 조사하여 기판(10)의 온도를 검출한다.
이어, 회전모터(132)는 서셉터(130)를 회전시키며, 제 1반응가스(G1), 제 2반응가스(G2)는 샤워헤드(150)로 공급된다.
즉, 제 1반응가스(G1)는 제 1반응가스공급관(151a)을 따라 제 1반응가스챔버(151)로 공급되고, 제 2반응가스(G2)는 제 2반응가스공급관(152a)을 따라 제 2반응가스챔버(152)로 공급된다. 제 1반응가스(G1)는 제 1반응가스토출관(151b)을 따라 차폐막(170)의 내부로 공급되며, 제 2반응가스(G2)는 제 2반응가스토출관(152b)을 따라 차폐막(170)의 내부로 토출된다. 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)는 기판(10)의 표면 상에서 서로 반응하여 박막을 형성한다.
이와 함께, 퍼지가스(G3)는 퍼지가스공급관(153a)을 따라 퍼지가스챔버(153)로 공급된다. 퍼지가스(G3)는 퍼지가스토출관(153b)을 따라 차폐막(170)의 외부로 토출된다. 퍼지가스(G3)는 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 반응챔버(110)의 내부로 확산되는 것을 방지하며, 반응챔버(110) 내부의 파티클이 샤워헤드(150)와 기판(10)의 사이로 유입되는 것을 방지한다.
그리고 차폐막(170) 내부의 폐가스는 이격돌기(174)에 의해 형성되는 서셉터(130)의 상단면과 차폐막(170)의 하부면의 사이에 형성되는 공간으로 배기되고, 배기관(111)을 따라 반응챔버(110)의 외부로 배출된다.
이와 같이, 화학기상 증착장치(100)는 차폐막(170) 및 퍼지가스(G3)에 의해 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 반응챔버(110)의 내부로 확산되는 것이 방지된다. 따라서, 반응챔버(110)의 내벽에 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 증착되는 것이 미연에 방지되어, 화학기상 증착장치(100)는 장비를 간편하게 유지관리할 수 있다.
또한, 화학기상 증착장치(100)는 차폐막(170) 및 퍼지가스(G3)에 의해 반응챔버(110) 내부의 파티클이 샤워헤드(150)와 기판(10)의 사이로 유입되는 것이 방지된다. 따라서, 화학기상 증착장치(100)는 양질의 박막을 형성할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하의 설명에서는 상술된 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대한 설명에서 설명된 유사한 구성요소에 대해서는 동일 참조부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략하도록 한다. 따라서, 이하의 설명에서 상세한 설명이 생략된 구성요소에 대해서는 상술된 제 1실시예에 따른 화학기상 증착장치의 설명을 참조하여 이해할 수 있을 것이다.
제 2실시예
도 3은 제 2실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이다.
도 3을 참조하면, 제 2실시예에 따른 화학기상 증착장치(200)는 차폐막(170)이 반응챔버(110)의 내벽에 지지되도록 하는 지지링(210)을 더 포함할 수 있다.
즉, 지지링(210)은 반응챔버(110)의 내벽에 결합되고, 측벽(173)은 지지링(210)에 지지될 수 있다. 이때, 지지링(210)은 서셉터(130)와 차폐막(170)의 사이로 폐가스가 배기될 수 있도록, 측벽(173)의 하단면이 서셉터(130)의 상단면으로부터 이격되는 위치에서 차폐막(170)을 지지할 수 있다. 또한, 지지링(210)에는 퍼지가스(G3)가 배기관(111)으로 향할 수 있도록 하는 배기구(211)가 형성될 수 있다.
한편, 제 1, 2실시예에 따른 화학기상 증착장치(100, 200)는 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 별도의 유로를 따라 차폐막(170)의 내부로 각각 토출되어 차폐막(170)의 내부에서 혼합되는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예로, 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)는 샤워헤드 내부에서 혼합되어 차폐막(170)의 내부로 공급되도록 변형실시 될 수 있다.
제 3실시예
도 4는 제 3실시예에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 간략하게 나타낸 단도면이다.
도 4를 참조하면, 제 3실시예에 따른 화학기상 증착장치(300)의 반응가스 공급부는 단일 반응가스챔버(310)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)는 반응가스챔버(310)로 공급되어 반응가스챔버(310)의 내부에서 혼합되고, 혼합된 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)는 반응가스챔버(310)에 연통되는 반응가스토출관(311)을 통해 차폐막(170)의 내부로 토출될 수 있다.
이와 같이 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 반응가스챔버(310)에서 혼합될 경우, 반응가스챔버(310)에는 냉매(C)가 공급되는 냉매공급관(321)이 결합되는 냉각챔버(320)가 설치될 수 있다. 냉각챔버(320)는 제 1반응가스(G1)와 제 2반응가스(G2)가 반응가스챔버(310)의 내벽에 증착되지 않도록, 반응가스챔버(310)를 공정온도보다 낮은 온도로 유지시킨다.
이러한 제 3실시예에 따른 화학기상 증착장치(300)의 반응가스 공급부는 상술된 제 1, 2실시예에 따른 화학기상 증착장치(100, 200)에 각각 적용될 수 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호 범위에 속하게 될 것이다.
10 : 기판 100, 200, 300 : 화학기상 증착장치
110 : 챔버 130 : 서셉터
150 : 샤워헤드 151 : 제 1반응가스챔버
152 : 제 2반응가스챔버 153 : 퍼지가스챔버
155 : 돌출면 170 : 차폐막
171 : 플레이트 172 : 가스공급구
173 : 측벽 174 : 이격돌기
191 : 제 1히터 192 : 제 2히터
195 : 온도센서 197 : 뷰포트
210 : 지지링 211 : 배기구
320 : 냉각챔버

Claims (16)

  1. 반응챔버;
    상기 반응챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터에 대향되어 상기 반응챔버의 내부로 반응가스를 공급하는 샤워헤드;
    가스공급구가 형성되어 상기 반응가스의 공급경로가 확보되는 플레이트와, 상기 플레이트의 둘레를 지지하는 측벽으로 이루어져 상기 반응챔버의 내벽으로부터 이격되고 상기 서셉터와 상기 샤워헤드의 사이에 배치되는 차폐막;
    상기 샤워헤드는
    상기 가스공급구에 연통되어 상기 차폐막의 내부로 제 1반응가스와 제 2반응가스를 공급하는 반응가스 공급부를 포함하며,
    상기 반응가스 공급부는
    상기 제 1반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 제 1반응가스챔버;및
    상기 제 2반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 제 2반응가스챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 측벽은 상기 서셉터에 지지되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 측벽과 상기 서셉터의 사이에 배치되어 상기 측벽과 상기 서셉터를 이격시키는 이격돌기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 반응챔버 내벽에 지지되고 상기 측벽을 지지하는 지지링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 지지링은 상기 서셉터의 상단면보다 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 지지링에는 상하로 관통되는 배기구가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1항에 있어서, 상기 반응가스 공급부는
    상기 제 1반응가스와 상기 제 2반응가스가 공급되고 상기 가스공급구에 연통되는 반응가스챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 반응가스 공급부는
    상기 반응가스챔버에 결합되고 냉매가 공급되는 냉각챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 반응가스 공급부는
    상기 서셉터를 향하는 상기 샤워헤드의 일면으로부터 돌출되어 상기 차폐막의 내부에서 상기 반응가스가 토출되도록 하는 돌출면을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 샤워헤드는
    상기 가스공급구의 주변으로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터에 설치되고 발열되는 제 1히터;
    상기 샤워헤드에 설치되어 발열되는 제 2히터;를 더 포함하며,
    상기 기판은 상기 제 1히터와 상기 제 2히터에 의해 함께 가열되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 차폐막은 쿼츠로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 반응챔버 벽 및 상기 샤워헤드를 관통하는 뷰 포트;및
    상기 반응챔버의 외측에 배치되고 상기 뷰포트를 통해 광을 입사시켜 상기 기판의 온도를 측정하는 온도센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
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