1237128 九、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 本發明有關於在高分子基體上積層有選自銀、鋁之金 屬之反射體。亦即有關於由高分子基體、高折射率層、低 折射率層、和以銀或鋁作爲主體之金屬層之構造所形成之 反射體。更有關於使用該反射體之反射器、導光板下反射 體、背照裝置、及液晶顯示裝置。 (二） 先前技術 近年來，使用銀或鋁之作爲反射體之薄膜，以液晶顯 示裝置之背照部之燈泡反射器爲主，被使用在螢光燈之反 射傘等。該等包含由銀或鋁薄膜層/接著層/鋁板形成之反 射板、或由銀或鋁薄膜層/白塗裝/接著層/鋁蒸著層/高分子 膜/白塗裝形成之所謂之反射片，其報告被揭示在例如日本 專利2 5 0 3 1 6 0號公報、特開平7 - 3 2 5 3 7號公報、特開2002-1 1 6 3 1 3號、特開2 0 0 0 - 2 2 1 3 1 1號公報等。 最近，隨著液晶顯示裝置之高像素數化，要求提高背 照之亮度。其中，提高背照之亮度之方法之實例是使用高 反射率之反射體，用來使來自光源之光無剩的利用。現在 最好是使用具有銀薄膜層之反射體，市場上要求有更高反 射率之反射體。 銀成爲單膜時具有高反射率，但是因爲銀之價格高所 以會有成本方面之問題。因此代替銀者，在液晶顯示裝置 之背照部之燈泡反射器使用具有價格較便宜之鋁薄膜之反 射體。但是因爲鋁之反射率比銀低，所以由於上述之理由 1237128 要求提高使用有鋁薄膜層之反射體之反射率。 當在金屬層上以適當之厚度積層低折射率層和高折射 率層時，理論上可以獲得增反射膜爲一般習知者。該增反 射膜，與金屬單體進行比較時，因爲可以獲得高反射率之 反射體，所以可以回應上述之市場之要求。該增反射膜之 基板使用先前技術之玻璃。例如雷射用反射體以特開昭 6 1 - 1 8 5 8 6號公報或特開平1 -767 8 8號公報等之揭示內容作 爲其實例。但是在該等以玻璃作爲基板之情況時，因爲不 能使反射體彎曲，所以會有加工效率之問題，不能滾動的 製造，會有生產效率之問題。爲著解決此種問題，需要使 基板成爲高分子膜之增反射膜。 使用有高分子基體之增反射膜，例如，被揭示在特開 平1 1-27 07號公報或特開2002- 5 5 2 1 3號公報等，但是該等 之反射體之提高反射率之效果較小，所以要求具有更高反 射率之反射體。 (三）發明內容 本發明人等發現，當與基板使用玻璃之增反射膜之情 況比較時，在使用有高分子基體之增反射膜，亦會有反射 率低至1 °/。以上之現象。因此，本發明即使用高分子基體， 如何提供反射率極高之反射體，和使用該反射體之各種製 品成爲檢討之問題。 本發明人等致力檢討用來解決上述之問題。其結果發 現在銀、鋁單層膜即使使用高分子基體反射率亦不會降低 ’此問題是增反射膜特有之問題，更驚奇的發現在高分子 -7- 1237128 基體表面之原子成分和高分子基體之原子成分’對上述之 增反射性能會有很大的影響。另外’亦發現可以解決上述 問題之高分子基體之成分和用以實現其之手段’因而完成 本發明。亦即本發明是一種反射體，其特徵是具有積層構 造，至少包含有：高折射率層（A);低折射率層（B);以選 自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（C);和高分子基體（D) ;(A)層、（B)層、（C)層以（A)/(B)/(C)之順序積層；和高分 子基體（D)可以滿足下列（I)之條件。 (I)在高分子基體（D)之從反射層側起之深度〇〜10nm 部分之以XPS測定觀測到之原子（A 1)(但是排除金屬）中， 與高分子基體（D)之從反射層側起之深度50nm〜ΙΟμιη部分 之以XPS測定觀測到之原子（Α2)(但是排除金屬）相同之原 子之比例（Rn)成爲9 8.0 atom%以上。依照本發明可以獲得反 射率非常高之反射體。 另外，高分子基體（D)最好成爲高分子膜。經由成爲高 分子膜，可以提高反射體之加工效率和生產效率。 另外，本發明是使用有上述之反射體之反射器。依照 本發明時，可以獲得反射率極高之反射器，可以實現高亮 度之顯示裝置，和省能量型之顯示裝置等。 另外，本發明是使用有上述之反射體之導光板下反射 體。依照本發明時，可以獲得反射率極高之導光板下反射 體’可以實現高亮度之顯示裝置，和省能量型之顯示裝置 等。 另外’本發明是使用有上述之反射體之背照裝置。依 1237128 照本發明時，可以實現高亮度之背照裝置，和省能量型之 背照裝置等。 另外，本發明是使用有上述之反射體之液晶顯示裝置 。依照本發明時，可以實現高亮度之液晶顯示裝置，和省 能量型之液晶顯示裝置等。 另外，本發明是一種反射體之製造方法，其特徵是在 可以滿足下列（II)之條件之高分子基體（D1)上，形成反射層 具有使高折射率層（A)、低折射率層（B)、和以選自銀、鋁 之金屬作爲主體之金屬層（C)成爲（A)/(B)/(C)之順序之積 層構造。 (Π)在高分子基體（D1)之形成反射層之表面之以XPS 測定觀測到之原子（Al 1)(但是排除金屬）中，與高分子基體 (D1)之從該表面之反射層側起之深度50nm〜ΙΟμηι部分之 以XPS測定觀測到之原子（Α21)(但是排除金屬）相同之原子 之比例（Rni)成爲98.0atom%以上。 上述之高分子基體（D1)最好是使高分子基體與液體接 觸處理過之高分子基體（D2)。 依照本發明時，由於可以提高增反射效果，所以可以 有效的製造反射率極高之反射體。 (四）實施方式 下面詳細的說明本發明。 本發明之反射體具有高分子基體（D)和反射層之積層 構造，反射層具有高折射率層（A )、低折射率層（B )、選自 銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（C)，以（A)/(B)/(C)之順序 1237128 積層之積層構造。 (高折射率層（A)) 本發明之局折射率是指折射率在1.70以上，4.00 。但是，一般使用之高折射率層是折射率在2.0 0以上 以下。此處之折射率可以以橢圓儀測定。 本發明之高折射率層（A)最好使用氧化鈦、硫化鋅 化鈽、氧化銦、氧化鈸、氧化錫、氧化釔、氧化鈮、 鉍、氧化銦和氧化錫之合金、氧化銦和氧化錫之合金 但是並沒有特別之限定，可以使用無機物和有機物之 方。 (低折射率層（B)) 本發明之低折射率是指折射率在1 . 2 0以上，1 . 8 0 。一般使用之低折射率層之折射率是1 . 3 0以上，1 . 6 。此處之折射率可以以橢圓儀測定。 本發明之低折射率層（B)最好使用氧化矽物、氟化 氟化鈉、氟化鋰、氟化鎂、氟化鑭、氟化銨、氧化錯 化鈽等，但是並沒有特別之限定，無機物和有機物均 用。 (選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層） 在以選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（C)，最 用銀或鋁單體，或以銀或鋁作爲主體之合金。銀或錦 最好其純度爲1 〇〇%，但是實際上會稍微含有氧或硫磺 異質原子或其他金屬。因此，在本發明中將銀或鋁單 義成爲純度超過9 9.9 9質量％者。另外一方面，該等以 以下 3.00 、氧 氧化 等， 任一 以下 以下 鈣、 、氟/ 可使 好使 體 等之 定 銀或 1237128 鋁作爲主體之合金例如可以使用含有金、銅1 ' 1古 、鎢、鉅、鉻、銦、錳、鈦、鈀、銨、鎘、鍊、錫、辞、 鈮、鉍等之金屬者。上述方式之銀或鋁其不同金屬等之比 例在考慮到反射率時，最佳爲0.01質量％以上’ 20·〇質量 °/。以下。雜質含量只要在此範圍，該銀合金可以利用其組 合提高耐久性。實質上之銀合金之實例有由銀和金構成之 合金、由銀和銅構成之合金、由銀和鎳構成之合金、由銀 和鈀構成之合金、由銀和鈸構成之合金、由銀和銦構成之 合金、由銀和錫構成之合金、由銀和鎢構成之合金、由銀 和鈦構成之合金、由銀和鉻構成之合金、由銀和銅構成之 合金、由銀和鈀和金構成之合金、由銀和銨和金構成之合 金、由銀和銅和金構成之合金、由銀和鈸和銅構成之合金 、由銀和銦和錫構成之合金、由銀和鉍構成之合金等，但 是並不只限於該等。對於鋁合金，亦可以使用與上述者同 樣之元素之組合所構成之合金。 (反射層之製造方法） 高折射率層（A)、低折射率層（B)、以選自銀、鋁之金 屬作爲主體之金屬層（C)，最好使用真空成膜法形成。真空 成膜法實質上之實例可以使用蒸著法、離子射束蒸著法、 離子電鍍法、濺鍍法、化學氣相成長法。特別適合使用離 子電鍍法或濺鍍法。在離子電鍍法中，利用反應氣體電漿 對所希望之金屬或燒結體進行電阻加熱，或利用電子射$ 加熱，藉以進行真空蒸著。在濺鍍法中，靶標使用所希望 之金屬或燒結體。濺鍍氣體使用氬、氖、氪、m等之惰个生 -11- 1237128 氣體，但是最好使用氬。氣體之純度較佳爲99%以上，更 佳爲99.5 %以上。除了反應所需要之氣體（反應性氣體）外， 亦進行濺鍍。上述之反應性氣體可以依照需要選擇性的使 用習知之氣體。實質上之反應性氣體可以以氧、氫等作爲 代表例。另外，一般在形成導電性薄膜時，大多使用直流 濺鍍法，在形成絕緣性薄膜時，大多使用高頻濺鍍法。 在本發明，在以銀或鋁作爲主體之金屬層（C)上形成低 折射率薄膜層（B)時，最好在未含有氧之環境氣體中，進行 真空成膜。此處之未含有氧之環境氣體是指成膜氣體中， 氧成分所佔之分壓比例爲0.9 %以下者。例如，當在包含有 氧之環境氣體中，進行金屬氧化物之成膜時，變成形成在 膜中包含有比較厚之銀之金屬氧化物薄膜層，失去該低折 射率薄膜層（B)本應具有之高光透過性。 在本發明，產生有金屬層（C)和低折射率薄膜層（B)之 境界區域，亦即產生兩者混合存在之區域。該區域之厚度 最好儘可能的薄。該構造最好是當低折射率薄膜層（B)成爲 由金屬氧化物構成之薄膜層之情況時，對於構成（C)之金屬 和構成（B)之金屬之厚子數之和，構成（C)之金屬之含有率 ，其10〜90atom%之部分之厚度較佳爲15nm以下，更佳爲 0.1〜15nm，最佳爲0.1〜10nm。上述之成分和厚度之決定 在本發明中是以XPS對深度方向進行分析。 另外一方面，高折射率薄膜層（A)之形成方法最好是在 有適量之氧之存在下，利用真空成膜法形成金屬氧化物。 例如，使用氧化鈦，在有氧之存在下，利用真空成膜法反 2 1237128 應氧化鈦薄膜層。 (各層之厚度） 在以選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（c)，其厚度 較佳爲50nm以上、l〇〇〇nm以下。更佳爲8〇nm以上、1〇〇〇nm 以下，最佳爲l〇nm以上、l〇〇〇nm以下。該層之厚度假如 爲lOOnm以上時，金屬層之反射率大致不變，當成爲超迥 lOOOnm之太厚之層時，會產生成本變高之問題。當比5〇nrn 薄之情況時，光會透過金屬層，使反射率變低。 低折射率層（B)之膜厚，隨著提高反射率之波長區域， 或形成低折射率層之物質之折射率而不同，所以不能一槪 的規定，但是在本發明中較好是2〇nm以上、200nm以下， 更佳爲150nm以下。一般之低折射率層之厚度是當所設定 之光之波長爲λ、折射率爲^時，最好具有λ /4nL之增反 射效果’但是在本發明中，最好是成爲λ / 8 n l之情況。因 此’爲者提局波長5 5 0 n m之全光線反射率，較好使膜厚成 爲25nm以上、I20nm以下，更佳爲25nm以上、115nm以 下。另外一方面，對於波長450nm或650nm之光亦需要高 反射率。要提高波長4 5 0 nm之全光線反射率時，該膜厚較 佳爲20nm以上、ii〇nm以下，更佳爲2〇nm以上、95nm 以下。另外’要提高波長6 5 0nm之全光線反射率時，該膜 厚較佳爲3 5 n m以上、2 0 0 n m以下，更佳爲3 0 n m以上、1 5 0 n ni 以下’特佳爲3 〇 n m以上、1 4 5 n m以下，最佳爲3 0 n m以上 、1 4 0 n m以下。另外，上述之波長5 5 0 n m、波長4 5 0 n m之 光線，與視感具有很大之相關性，成爲高重要度之光線。 1237128 高折射率層（A)之膜厚亦是隨著提高反射率之波長區 域而不同，所以不可以一槪的規定，一般是20nm以上' 1 12〇nm以下。爲著提高波長550nm之全光線反射率，較好 — 是使膜厚成爲25nm以上、90nm以下，更佳爲3〇nm以上 、80nm以下。要提高波長45〇nm之全光線反射率時，較好 是使膜厚成爲20nm以上、80nm以下，更佳爲25nm以上 、65nm以下。另外，要提高波長65〇nm之全光線反射率時 ’較好是使膜厚成爲30nm以上、lOOnm以下，更佳爲40nm 以上、95nm以下。 上述各層之膜厚之測定方法是使用觸針粗度計、重複 反射干涉計、微量天平、晶體振動器法等之方法，特別是 在晶體振動器法中，因爲可以測定成膜中之膜厚，所以可 以適當的獲得所希望之膜厚。另外，所使用之方法亦可以 先決定成膜條件，在試料基材上進行成膜，檢查成膜時間 和厚之關係，利用成膜時間控制膜厚。 該等方法所決定之膜厚之値不限於完全一致，亦可以 使其差成爲數nm程度，視爲誤範圍。 0 (高分子基體） 本發明之高分子基體（D)、（Dl)、（D2)(以下簡稱爲高分 子基體）最好使用例如聚乙烯對苯（PET)等之聚酯類、雙酚a 系聚碳酸酯等之聚碳酸酯類等，但是並不只限於該等。亦 可以使用由聚乙烯、聚丙烯等之聚嫌類、纖維素酮等之纖 維素介質類、聚氯亞乙烯等之乙烯系樹脂、聚醯亞胺類、 聚醯胺類、聚酯磺胺、聚磺胺系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、 -14- 1237128 氟素系樹脂等之各種塑膠所構成之板、片、膜等，只要具 有某種程度之常用耐熱溫度者均可使用。使用高耐熱材料 時，可以獲得能夠在高溫使用之反射體。最好使用以PET 等之聚酯類或雙酚A聚碳酸酯等之聚碳酸酯類之碳、氧、 氫作爲構成元素者。另外，亦可以在以該等之碳、氧、氫 作爲構成元件之高分子基體，包含具有其他元素之耐熱穩 定劑、氧化防止劑等之添加劑。 本發明之高分子基體從提高生產效率之觀點等來看， 最好使用可以成形爲各種形狀之成形加工性具有高自由度 之可以使用滾動和滾動處理等之高分子膜。 本發明之高分子基體之厚度並染有特別之限定，但是 在使用作爲高分子膜之情況時，較佳爲1 0〜2 5 Ο μιη，更佳 爲10〜200μιη，最佳爲20〜200μηι。使用在後面所述之反 射器之情況時，特別是最佳爲1 0〜1 5 0 μ m。在反射體需要 具有剛性和重量輕等之用途時，高分子基體可以以片狀或 板狀使用，其厚度亦可以超過2 5 0 μ m，例如可以利用與市 場販售之玻璃板等同樣厚度者。 另外，在本發明中之反射體亦可以使用在反射層之相 反側之面具有凹凸形狀者。這時之凹凸之高度爲〇.1μηι以 上，較佳爲0·3μπι以上，更佳爲〇·5〜30μιη。經由形成此 種凹凸形狀，除了可以改善操作效率外，亦可以提高接著 力。 形成凹凸形狀之方法可以依照所需要之形狀適當的選 擇：對高分子基體表面施加壓紋加工，藉以形成凹凸構造 1237128 之方法；在高分子基體表面，以高壓空氣吹噴Si 02等之粒 子之噴砂法；蝕刻等之化學方法；和塗布粒子之方法等。 (高分子基體之表面） 本發明中之構成高分子基體之反射側表面之元素之規 定，依照X射線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy : XPS)之測定結果。亦即，在XPS因爲未檢 測氫和氨，所以規定氫和氦以外之元素。另外，爲著儘可 能的排除對反射層之成分之影響，所以最好排除金屬元素 。本發明之金屬元素是一般被稱爲金屬者，在週期表之IA 族〜VIB族元素中，除了上述之氫外，排除B(硼）、C(碳） 、Si(矽）、N(氮）、P(磷）、As(砷）、0(氧）、S(硫）、Se(硒） 、Te(硫）。 本發明之反射體之製造方法之特徵是使用可以滿足下 列條件（II)之高分子基體（D1)。 條件（II)，在高分子基體（D1)之形成反射層之表面之以 XPS測定觀測到之原子（A1 1)(但是排除金屬）中，與高分子 基體（D1)之從該表面之反射層側起之深度50nm〜ΙΟμιη之 部分之以XPS測定觀測到之原子（Α21)(但是排除金屬）相同 之原子之比例（Rn!)成爲98.0at〇m%以上。 此處之原子（A21)在包含有2種以上之原子，例如C (碳）和〇(氧）之情況，Rn!値表示被包含在原子（Al 1)之該等 原子之含有率之和，亦即碳和氧之含有率之和，不需要使 原子（A1])、原子（A2 1)中之各個同族元素進行比較。例如 ，在原子（A2])爲碳和氧之情況時，在原子（A] 1)和原子（A21) 1237128 即使碳之含有率不同，或氧之含有率不同，Rn!値亦可以 滿足上述之條件。 從高分子基體（D1)之該表面之反射層側到深度50 nm 〜ΙΟΟμιη之部分之以XPS測定觀測到之原子（A21)(但是排 除金屬），可以視爲是用以形成高分子基體（D 1 )之主要元素 。例如在聚乙烯對苯（PET)時是指碳、氧。PET亦包含氫， 但是如上所述，XP S "不能檢測氫，所以在本發明中，當高 分子基體爲PET膜之情況時，原子（A21)是指碳、氧，不包 含氫。另外，當使用非常高敏感度之XP S時，可以觀測上 述之穩定劑等之添加劑之本來之元素，但是在一般使用之 XPS裝置，很少可以觀測添加劑等本來之元素，在本發明 中，原子（A21)被視爲形成高分子基體（D1)之主要之元素。 XP S測定經由倂用蝕刻可以進行深度方向之測定，所 以原子（A2 1 )之測定可以使用該方法，但是在高分子基體 (D 1 )使用有機高分子之情況，當蝕刻時會造成高分子構造 之損傷。因此，要利用XP S測定從高分子基體（D 1 )之反射 層側表面起之深度50nm〜ΙΟμιη之部分時，最好是以50nm 〜10 μηι之厚度，利用鑽石切割器等切取該高分子基體表面 ，利用XPS測定切取後之表面用來決定上述之深度之原子 (Α21)。這時，原子（Α21)之成分是測定上述之表面部分之 任意3個位置，以其平均値決定。從上述之反射層側表面 起之深度之決定需要考慮到高分子基體之材質或厚度，以 及在局分子基體爲多層構造之情況時之其最表層之厚度。 另外，上述深度之較佳下限値爲1 〇 〇 n m，更佳爲2 0 0 n m。 1237128 本發明中之用以決定Rn!和後面所述之Rn所進行之 XPS測定，通常是使用VG公司製之ESCALABiXL220裝置 ，測定條件是X射線源爲MgK α (雙陽極），分析區域爲直 徑150μηι之範圍，通過能量爲l〇〇eV，步距幅度爲i.〇ev ，掃瞄範圍爲〇〜1 l〇〇eV。依照所使用之材料可以適當的 變更上述之測定條件。 ~ 在本發明，高分子基體（〇1)之11111爲98.0&1〇111%以上， 換言之表示高分子基體（D1)之表面和內部之構成元件實質 上大致相同，Rn!可以視爲是規定其程度之指標。 馨 在本發明’進行上述規疋之重要理由可以以下面所述 之方式推測。亦即，未能滿足上述規定之高分子基體，可 以推想在其反射層側表面，會存在有來自外部之灰塵或異 物，或來自高分子基體內部之放出之穩定劑等，該等物質 會造成反射率之降低。因此，本發明之反射體之製造最常 使用之高分子基體（D1)是使用表面可以滿足上述條件者進 行製造，上述條件外之高分子基體經由對其進行前處理， 用來獲得可以滿足上述（II)之條件之高分子基體，利用本發 · 明人之檢討結果支持上述之推測。亦即，利用前處理，去 除存在於高分子基體表面之上述異物等，用來獲得可以滿 足作爲高分子基體（D1)之條件者。對上述之高分子基體進 行前處理之方法可以使用與液體接觸之方法，或電漿處理 或組合該等之方法等。特別是最好使用以與液體接觸之方 法所獲·得之高分子基體（D2)。另外較佳之實例之進行退火 處理’促進穩定劑之放出後，與液體接觸之方法。在與液 -18- 1237128 體接觸之方法之情況，液體除了使用水外，最好使用乙醇 之乙醇系、丙酮等之酮類，但是並不只限於該等，只要能 夠獲得滿足上述之（11)之條件之高分子基體者均可使用。另 外’只要高分子基體之表面形狀實質上未變化者均可使用 〇 在本發明之反射體，高分子基體（D1)需要高Rni値之 實質上之理由例如可以成立以下之假說。 在本發明之反射體，用以獲得高增反射效果之低折射 率層（B)、高折射率層（A)之膜厚如上所述，需要較厚，在 利用真空成膜法形成該等之層時，製膜時間需要較長。在 成膜中因爲高分子基體（D1)曝露到較高之溫度，所以不能 滿足上述（II)之要件，亦即低Rn!値之高分子基體表面之異 物或放出之穩定劑較多，因此，金屬層（1)、低折射率層（B) 、高折射率層（A)容易變質，反射率之提高受到阻礙。 如依照本發明人等之檢討，當使用不能滿足（II)之條件 之闻分子基體時，即使在該高分子基體表面設置銦•錫氧 化物（I TO)層等之底層，亦不能獲得達成本發明之目的之高 反射率之反射體。上述之假說可以以其結果支持。 本發明之咼分子基體（D1)之Rni假如爲98.0atom%以 上時，可以獲得具有極高之反射率之反射體。更佳爲9 8 . 5 a t 〇 m %以上，最佳爲9 9 · 0 a t 〇 m %。例如，在使用p E T膜作 爲高分子基體之情況時，利用XPS測定其表面，在檢測到 之全部元素中，假如碳和氧之比例爲9 8 . 〇 a t 〇 m %以上時， 可以用在本發明之反射體之製造。 -19- 1237128 在本發明中，表面是指至X P S通常測定之深度之區域 ’貫質上從表面到該深度之範圍是1〜10nm，較佳爲1〜8nm 〇 (反射體） 本發明之反射體之反射層至少由高折射率層（A)、低折 射率層（B)、和以選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（C) 構成，成爲3層以上、31層以下，較佳爲3層以上、21層 以下，更佳爲3層以上、11層以下。金屬層基本上可以爲 1層，但是亦可以爲2層以上。當高折射率層、低折射率 層之積層數增加時，反射率會有變高之傾向，但是生產效 率或成本會成爲問題，另外，由於高折射率層或低折射率 層會稍微吸收光，所以會有折射率降低之問題。 上述之多層構造之各層之位置關，可以順序的組合1 個以上之高折射率層（A)/低折射率層（B)/以銀、鋁作爲主體 之金屬層（C)。實質上較佳之實例是：金屬層（C)/低折射率 層（B)/高折射率層（A);金屬層（C)/低折射率層（B)/高折射率 層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A);金屬層（C)/低折射率 層（B)/®#射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折 射率層（B)/高折射率層（A);或金屬層（C)/低折射率層（B)高 折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層 (B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)。 高分子基體（D)可以配置在該反射層之多層構造中之 任意之位置，最佳之構造是在高分子基體之一面形成該反 射層，亦即最佳之實例是形成包含（A)/(B)/(C)/(D)之順序之 1237128 積層構造，其方式是：高分子基體（D)/金屬層（C)/低折射率 層（B)/高折射率層（A);高分子基體（D)/金屬層（C)/低折射率 層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A);高分 子基體（D)/金屬層（C)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折 射率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A) ;或高分子基體（D)/金屬層（C)/低折射率層（B)/高折射率層 (A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射 率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)。在該等之情況， 上述之反射體用來反射從最表面之高折射率層（A)側射入 之光。 另外，較佳實例之構造可以成爲：金屬層（C)/低折射 率層（B)/高折射率層（A)/高分子基體（D);金屬層（C)/低折射 率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/高 分子基體（D);或金屬層（C)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/ 低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率 層（A)/高分子基體（D);或金屬層（C)/低折射率層（B)/高折射 率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/低折射率層（B)/高 折射率層（A)/低折射率層（B)/高折射率層（A)/高分子基體 (D)之構造。在該等之情況，上述之反射體用來反射從高分 子基體側射入之光。因此，在上述之情況’高分子基體（D) 最佳具有高透過率。較佳是使高分子基體之全光線透過率 具有70%以上。更佳爲75 %以上，最佳爲80%以上。另外 ，此種‘情況時之筒分子基體之霧値因爲隨者反射體之用途 而異，所以不能一槪的規定，但是在本發明之反射體之情 -21- 1237128 況，大多是希望較低。較佳之霧値是2 Ο %以下，更佳爲1 Ο % 以下，特別佳是8%以下，最佳爲6%以下。 另外，在不會有損本發明之目的之範圍亦可以形成其 他之層。該等之層實質上有鉻、鈦、鎢等之金屬層或氧化 鋅、氧化鋁等之金屬氧化物層，例如用來提高界面接著性 之層，用來提高耐受傷性之硬塗膜層等。 本發明之反射體之實例如第1圖、第2圖所示。第1 圖之反射體是在高分子膜40上積層以銀或鋁作爲主體之 金屬層3 0、低折射率層2 0、和高折射率層1 〇。在此種情 況，反射層側成爲反射面。另外第2圖之反射體是高折射 率層10上之高分子膜40。此種情況之反射面成爲高分子 膜側。 另外，上述方式之在高分子膜具有凹凸形狀之反射體 之實例如第3圖所示，第3圖之反射體是在具有易滑層50 之高分子膜40上，積層以銀或鋁作爲主體之金屬層30、 低折射率層2 0、高折射率層1 0。 本發明之構成反射體之高分子基體（D)滿足（I)之條件。 (I)在高分子基體（D)之從反射層側起之深度0〜10nm 之部分之以XPS測定觀測之原子（A 1)(但排除金屬）中，與 高分子基體（D)之從反射層側起之深度50nm〜ΙΟμηι之部分 之以XPS測定觀測之原子（Α2)(但排除金屬）相同之原子之 比例（Rn)成爲98.〇atom%以上。 上述之（I)之條件成爲重要之理由，與上述之（Π)之條 件成爲重要之理由相同。另外，上述之Rn値與前述.之Rni -22- 1237128 値本質上沒有大的差異。因此，使用能滿足條件（Π)之高分 子基體（D 1 )所製造之反射體，可以視爲亦能夠滿足上述之 條件（I)。 要規定「高分子基體（D)之從反射層側起之深度0〜 10nm之部分」或高折射率層（Α)、低折射率層（Β)、金屬層 (C) 之厚度時，需要定義各個之界面。本發明以高分子基體 (D) 和金屬層（C)形成界面之情況爲例說明該等之定義。在 本發明中，高分子基體（D)之碳之元素含有率爲Θ atom%， 形成金屬層（C)之物質之金屬之元素含有率爲a atom%， (α/(α+/3))之値成爲0.5之面作爲界面。上述之元素含有 率可以利用上述之XPS等習知之分析方法決定。 在其他之界面之情況亦可以以同樣之方法決定。亦即 ，使各層之欲決定之金屬等之元素之含有率分別爲^：、冷 可以用來決定界面。例如，銀層（金屬層（C)之一實例）和氧 化矽層（低折射率層（Β)之一實例）之界面可以經由測定銀和 矽之含有率用來決定界面。氧化矽層和氧化鈦層（高折射率 層（Α)之一實例）之界面可以經由測定矽和鈦之含有率用來 決定界面。 另外，上述之原子（A 1)之測定之決定可以蝕刻上述之 (A)層' (B)層、（C)層同時進行XPS測定。另外一方面’原 子（A2)之測定最佳採用與上述方法同樣之方法’以離開與 反射層之界面50 nm〜1 Ομιη之厚度，切取反射體表面’測 定切取後之表面。其理由亦同樣’的’用來避免由於高分子 基體（D)之蝕刻造成損傷之影響。原子（Α1)、原子（Α2)之値 1237128 之決定是分別經由以X P S測定該表面部分之任意3個位置 ，以該等之平均値決定。 (反射體之反射率） 利用以上述方法製作之反射體，從反射面側測定到之 全光線反射率典型的，在使用以銀作爲主體之金屬層之情 況，對5 5 0nm之波長之光爲97%以上，更佳爲98%以上， 最佳爲9 8.5 %以上。另外，在使用以鋁作爲主體之金屬層 之情況，對5 5 0nm波長之光爲91%以上，更佳爲92%以上 ，最佳爲9 3 %以上。 在一般之反射體，爲著防止金屬層之劣化.，需要在金 屬層上積層由透明金屬氧化物等構成之保護層。但是在本 發明之反射體中，在以銀爲主體之金屬層上、積層低折射 率層、高折射率層、該等擔任保護層之任務。因此，保護 層可以省略。 (對反射器之應用） 本發明之反射器可以使上述之反射體直接作爲反射器 ，但是亦可以將反射體內之框架或片狀者（以下稱爲反射片） 固定在板狀或片狀成形體之支持體。固定反射片之方法可 以利用接著劑或黏著劑貼合，在經由高分子基體（D)固定之 情況時，使用熱融著或溶劑，使膜表面選擇性的溶解後進 行接著，但是其中最佳使用接著劑、黏著劑之方法° 本發明之反射器之一實例以第4圖、第5圖表示。第 4圖之反射器是在高分子膜40上，積層以銀或銘作爲主體 之金屬層3 0、低折射率層2 0、高折射率層1 0成爲反射片 1237128 ，利用接著材質6 0貼合反射片和支持體7 〇。另外，第5 圖之反射器是使高分子膜4 〇成爲反射面側，利用接著材質 60貼合以銀、銘之金屬作爲主體之金屬層3〇和支持體7〇 。在此種情況，在以選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層 和接著材質之間’可以蒸著上述者以外之金屬或金屬氧化 物，用來提高密著性。 上述之接著劑、黏著劑、支持體可以使用習知者。實 質上之實例被揭示在日本專利特開2002-117725號公報等 〇 本發明之反射器因爲反射率、耐久性、成形性優良， 所以適於使用在液晶顯示裝置之側照型之背照用燈泡反射 器，可以以高亮度提供美觀之圖像。本發明之燈泡反射器 之製作可以將反射器（由上述之反射體和依照需要貼合之 支持體構成）衝切加工成指定之形狀，例如彎曲加工成第6 圖所示之形狀，最好將燈泡反射器8 0製作成可以覆蓋在冷 陰極管之形狀。另外，在進行上述衝切加工之情況時，可 以在事前葉片化成適當之大小。由於以不同之設備進行葉 片加工、衝切加工、彎曲加工等之理由，在需要輸送之情 況，最佳使數十片單位之片重疊後，進行真空包裝和輸送 。這時，包裝材料最佳具有良好之平滑性，當使用具有空 氣泡等凹凸者時，在片表面會發生稍微之變形，作爲燈泡 反射器時會使性能降低。 在上述之彎曲加工時，如第7圖之剖面圖所示，由以 銀或鋁作爲主體之層> 3 0、低折射率層2 〇、和高折射率層 -25- 1237128 1 〇構成之反射層成爲最內側，支持體被配置成爲最外側。 另外，亦可以如第8圖所示，將高折射率層1 0上之高分子 膜4 0配置成爲最內側。另外，亦可以依照需要增加開孔加 工等之步驟。 彎曲加工後之形狀依照使用方法之不同最佳成爲U字 型、：π字型、ν字型等。這時之彎曲加工之曲率半徑較佳 爲5mm以下，更佳爲4mm以下。 實質之加工法是使用壓製機，以V字彎曲、U字彎曲 、或切線彎曲器進行折疊彎曲等。 # 在上述之高分子基體（D)、（Dl)、（D 2)爲高分子片或高 分子膜之情況時，本發明之反射體之成形性特別優良，即 使進行上述方式之加工亦不會使反射層發生鈹紋或浮上。 依照此種方式，利用本發明之反射體所獲得之燈泡反射器 當組入到側照型背照裝置時，可以以高亮度實現不會發生 亮線之美觀之影像。 所使用之光源例如可以使用白熱燈泡、發光二極體 (LED)、電致發光體（EL)、發光燈、金屬高光量燈等，其中 W 最佳使用螢光燈。在螢光燈依照其電極構造，點亮方式大 致分爲熱陰極型和冷陰極型、電極、反相器在熱陰極型會 有變大之傾向。熱陰極型不發光電極近傍之損失較小，效 率優良，當與冷陰極型比較時，發光效率優良數倍，壽命 較冷陰極型優良，在低消耗電力性、耐久性等方面，亦比 冷陰極型好用。 用來將電流供給到螢光燈之導線使用一般之被覆導線 -26- 1237128 ，當在被覆材料含硫磺時，由於長時間劣化，會產生硫化. 氫等之硫化物，因爲有可能使反射層或其他之構件劣化’ 所以最好使用沒有硫磺之被覆材料之導線。 利用本發明之燈泡反射器，如第7圖所示，在薄膜狀 之反射層位於光源側最外層之情況時，如同被透明樹脂等 保護之反射器，光不會被封閉在樹脂中。因此，即使提高 亮度亦不會產生亮線等，可以以高亮度實現美觀之影像。 另外，本發明之燈泡反射器因爲具有高反射率，所以 內部溫度變低，具有可以提高耐久性之效果。 β 本發明之反射體或反射器可以使用在側照型之背照裝 置。本發明之側照型之背照裝置之實例以第9圖表示。亦 即，所具有之構造設置有燈泡反射率8 0，覆蓋在被配置於 導光板100之橫向之光源90。 (對導光板下反射體之應用） 本發明之反射體因爲反射率極高，所以可以利用作爲 導光板下反射體。在利用作爲導光板下反射體之情況時， 最佳具有擴散反射之功能。實質上以 ® l〇〇x(擴散反射率）/(全反射率） 算出之反射霧値較佳爲70%以下，更佳爲50%以下，最佳 爲20%以下，特佳爲10%以下。控制上述之擴散霧値之方 法可以無限制的採用在高分子基體形成凹凸之方法，或在 平面上之反射體設置透明之凹凸層等之習知之方法。在高 分子基體形成凹凸之較佳方法之實例有在使樹脂和樹脂小 珠混合之後’以壓出機成型爲板狀、片狀、膜狀之方法， -27- 1237128 或在平面狀之高分子基體塗布樹脂小珠和黏合劑樹脂之混 合物藉以形成凹凸層之方法。上述之結合劑樹脂最好是與 高分子膜所使用之樹脂同樣種類者。 形成凹凸層之方法，除此之外亦可以採用上述之壓紋 成形法、噴砂法、蝕刻法等。 本發明之導光板下反射體之一實例以第10圖表示。亦 即，在具有易滑層50之高分子膜40，形成由樹脂小珠和 結合劑樹脂構成之凹凸層1 20，在其上順序的積層、低折 射率層、高折射率層，用來形成反射層110。 (本發明之評估方法） 下面說明本發明之反射體之反射率、構造等之代表性 之評估方法。本發明品之反射體之反射率可以在日立自記 分光光度計（型式U-3 400)設置150Φ之積分球，於反射層側 進行測定。此處之反射率之換算是以鋁白板之反射率作爲 100%。以選自銀、鋁之金屬作爲主體之金屬層（C)、高折射 率層（A)、低折射率層（B)、接著層、板狀成形體之各個部 分之厚度，可以利用透過型電子顯微鏡（TEM)觀測其剖面， 用來直接測定。金屬層（C)、高折射率層（A)、低折射率層 (B)之材料之折射率可以利用橢圓儀測定。高分子基體（D) 之表面之元素濃度可以利用X射線光電子分光法（XPS)測 定進行分析。高分子基體之材料分析可以利用紅外分光（IR) 測定進行分析。另外，接著劑之材料分析之進行可以經由 剝開金屬’薄膜層和板狀成形體，使接著劑露·出，使其溶解 在適當之溶媒，用來製成試料，藉以進行其紅外分光（IR) 1237128 測定。金屬薄膜層和板狀成形體之材料分析可以利用螢光 X射線分光（XRF)測定。另外，在X射線微分析器（ΕΡΜΑ) 可以利用螢光X射線分光用來進行微細之部分之元素分析 。另外，利用俄歇（Auger)電子分光法（AES)、二次離子質 量分析法（SIMS)進行成分析，可以得知深度型樣和厚度。 (實施例） 下面以實施例具體的說明本發明。 另外，反射率之測定可以在日立自記分光光度計（型式 U-3 400)設置150φ之積分球，於反射層側進行測定。 馨 另外，XPS測定使用VG公司製之ESCALABiXL220裝 置。 實施例1 以丙酮洗淨市場販售之PET片（厚度：125μπι)。以XPS 測定其主表面，只檢測碳和氧。以XPS測定切取其表面成 爲5 μιη後之面，亦只檢測碳和氧。亦即所獲得之PET片之 Rm値爲100%。在該PET片之主表面上，利用DC磁控管 法，以銀（純度9 9.99%)作爲靶標，以純度99.5%之氬作爲 ® 濺鍍氣體，形成膜厚150nm。然後，不從濺鍍裝置取出該 片，利用RF磁控管濺鍍法，以純度99.9 %之Si 02作爲靶 標，以純度99.5%之氬作爲濺鍍氣體，使Si02形成爲膜厚 4 8 n m 〇然後，不從濺鍍裝置取出該片，以T i 0 2 (純度99.9%) 作爲靶標，以純度99.5°/。之氬和氧作爲濺鍍氣體，使Ti02 形成爲膜厚5 5 nm。這時，調整氧濃度成爲3 %。進行以此 方式獲得之反射片之5 5 0 nm之反射層側之全光線反射率之 -29- 1237128 測定，其反射率爲98.9%。 實施例2 在實施例1所使用之PET片上，利用DC磁控管濺鍍 法，以銀（純度99.99%)作爲靶標，以純度99.5%之氬作爲 濺鍍氣體，形成膜厚150nm。然後，不從濺鍍裝置取出該 片，利用RF磁控管濺鍍法，以純度99.9%之Si02作爲靶 標，以純度99.5 %之氬作爲濺鍍氣體，使Si02形成爲膜厚 4 8 nm。然後，不從濺鍍裝置取出該片，以Ti02(純度99.9%) 作爲靶標，以純度99.5%之氬和氧作爲濺鐽氣體，使Ti02 形成爲膜厚5 5 nm。這時，調整氧濃度成爲3 %。進行以此 方式獲得之反射片之5 5 Onm之反射層側之全光線反射率之 測定，其反射率爲93.6%。 比較例1 直接使用以與實施例1同樣之方法測定到之Rn 1値爲 9 7.8atom%(除了碳、氧外，亦檢測氮、硫等之多種元素）之 市場販售之P E T片，除此之外，以實施例1爲準獲得反射 片。該片之5 5 Ο η之反射層側之全光線反射率爲9 6 · 4 %。 比較例2 使用與比較例1同樣之ρ Ε τ片’除此之外’以實施例 2爲準獲得反射片。該片之5 5 On之反射層側之全光線反射 率爲8 8 . 5 %。 比較例3 在與實施例1同樣之Ρ Ε T片上，利用D C磁控管濺鍍… 法，以銀（純度9 9.9 9 % )作爲靶標’以純度9 9.5 %之氬作爲 1237128 濺鍍氣體，形成膜厚150nm。進行此方式獲得之反射片之 5 5 Onm之反射層側之全光線反射率之測定，其反射率爲 96.5%。 比較例4 在與實施例1同樣之PET片上，利用DC磁控管濺鍍 法，以銀（純度99.9 9%)作爲靶標，以純度99.5%之氬作爲 濺鍍氣體，形成膜厚15〇nm。進行此方式獲得之反射片之 5 5 Onm之反射層側之全光線反射率之測定，其反射率爲 96.6%。 比較例5 在與實施例1同樣之PET片上，利用DC磁控管濺鍍 法，以銀（純度99.9 9%)作爲靶標，以純度99.5%之氬作爲 濺鍍氣體，形成膜厚150nm。進行此方式獲得之反射片之 5 5 Onm之反射層側之全光線反射率之測定，其反射率爲 8 8 · 7 % 〇 比較例6 在與比較例1同樣之PET片上，利用DC磁控管濺鍍 法，以銀（純度99.99%)作爲靶標，以純度99.5%之氬作爲 濺鍍氣體，形成膜厚1 5 Ο n m。進行此方式獲得之反射片之 5 5 Onm之反射層側之全光線反射率之測定，其反射率爲 8 8.5%。 以上之結果以表1表示。 1237128 表1 \ Rn ] (atom%) 反射層 全光線反射率 (@550nm) 實施例1 100 銀增反射膜 98.7 比較例1 97.8 銀增反射膜 96.4 比較例3 1 00 銀單餍膜 96.5 比較例4 97.8 銀單層膜 96.6 實施例2 1 00 鋁增反射膜 93.6 比較例2 97.8 鋁增反射膜 88.5 比較例5 100 鋁單層膜 88.7 比較例6 97.8 鋁單層膜 88.5
比較例7 在形成銀薄膜層之前，在PET上，利用DC磁控管灘 鍍法，以AZ0(Zn0:Al203 = 9 8 wt%:2wt°/。）作爲靶標’以純度 99.5%之氬作爲濺鍍氣體，使八20形成爲膜厚2〇11111，除此 之外，與比較例1同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Onm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲9 6.8 %。 比較例8 在形成銀薄膜層之前’在PET上，利用RF磁控管縣 鍍法’以純度99.9%之Ti〇2作爲靶標，以純度99,5 %之氬 和氧作爲織鑛氣體（氧濃度使Ti〇2形成爲膜厚2〇nm ，除此之外，與比較例1同樣的獲得反射片。 - 32 - 1237128 進行所獲得之反射片之5 5 0nm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲9 6.6 %。 比較例9 在形成銀薄膜層之前，在PET上，利用RF磁控管濺 鍍法’以純度99.9 %之Al2〇3作爲靶標，以純度99.5 %之氬 和氧作爲濺鍍氣體（氧濃度：3%)，使Al2〇3形成爲膜厚20nm ，除此之外，與比較例1同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Onm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲9 6.4 %。 馨 比較例1 〇 在形成銀薄膜層之前，在PET上，利用DC磁控管濺 鍍法，以 N i C r (N i: C r = 6 5 w t % : 3 5 w t % )作爲粑標，以純度 99.5%之氬作爲濺鍍氣體，使^(：1形成爲膜厚2〇11111，與比 較例1同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 0nm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲96.6%。 比較例11 ® 在形成鋁薄膜層之前，在PET上，利用DC磁控管濺 鍍法，以AZ0(Zn0:Al203 = 9 8wt%:2wt%)作爲靶標，以純度 9 9.5%之氬作爲濺鍍氣體，使八20形成爲膜厚2〇11111，除此 之外，與比較例2同樣的·獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Ο n m之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲8 8 . 6 %。 -33- 1237128 比較例1 2 在形成銘薄膜層之前，在P E T上，利用R F磁控管職 鍍法，以純度99.9%之丁丨02作爲靶標，以純度99.5%之氬 和氧作爲濺鍍氣體（氧濃度：3%)，使Ti02形成爲膜厚20nm ，除此之外，與比較例2同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Onm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲8 8 . 5 %。 比較例1 3 在形成鋁薄膜層之前，在PET上，利用RF磁控管濺 鍍法，以純度99.9%之A1203作爲靶標，以純度99.5 %之氬 和氧作爲濺鍍氣體（氧濃度：3 % )，使A 1 2 Ο 3形成爲膜厚2 Ο n m ，除此之外’與比較例2同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Onm之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲8 8 . 5 %。 比較例1 4 在形成鋁薄膜層之前，在PET上，利用DC磁控管濺 鍍法，以 NiCr(Ni:Cr = 65wt°/〇:35wt%)作爲靶標，以純度 9 9.5%之氬作爲濺鍍氣體，使>^(^形成爲膜厚2()11111，除 此之外’與比較例2同樣的獲得反射片。 進行所獲得之反射片之5 5 Ο n m之反射層側之全光線反 射率之測定，其反射率爲8 8.4 %。 以上之結果以表2表示。 -34- 1237128 表2 \ Rn 1 (atom%) 底層 反射層 全光線反射 率 (@550nm) 實施例1 100 鋒 銀增反射膜 98.7 比較例1 97.8 • 銀增反射膜 96.4 比較例7 97.8 AZO 銀增反射膜 96.8 比較例8 97.8 Ti02 銀增反射膜 96.6 比較例9 97.8 A 1 2 〇 3 銀增反射膜 96.4 比較例1 〇 97.8 NiCr 銀增反射膜 96.6 實施例2 100 • 鋁增反射膜 93.6 比較例2 97.8 • 鋁增反射膜 88.5 比較例1 1 97.8 AZO 鋁增反射膜 88.6 比較例1 2 97.8 Ti02 鋁增反射膜 88.5 比較例1 3 97.8 A 1 2 〇 3 鋁增反射膜 88.5 比較例1 4 97.8 NiCr 鋁增反射膜 88.4
由以上之結果可以明白，本發明之反射體可以使用以 上述方式之XPS測定所指定之高分子基體製造，可以實現 極高之反射率。另外一方面，在金屬單層膜，大致不會對 高分子基體之表面成分之反射率造成影響。因此，高分子 基體之表面之影響是具有本發明之構造之反射體所持有者 〇 另外，在由高折射率層（A)、低折射率層（B)、金屬層 -35- 1237128 (C)構成之反射層、和高分子基體（D)之間，即使形成有金 屬或金屬氧化物等之底層，高分子基體之表面成分亦會對 反射體之反射率造成重大之影響。因此，高分子基體之表 面成分之控制對於具有高折射率層（A)/低折射率層（B)/金 屬層（C)之所謂之增反射構造之反射體之反射率之提高極 爲重要。 (五）圖式簡單說明 第1圖是表示本發明之反射體之實例之剖面圖之1。 第2圖是表示本發明之反射體之實例之剖面圖之2。 第3圖是表示本發明之反射體之實例之剖面圖之3。 第4圖是表示本發明之反射器之實例之剖面圖之1。 第5圖是表示本發明之反射器之實例之剖面圖之2。 第6 .圖是本發.明之反射器被成形加工後之燈泡反射器 之一實例。 第7圖是本發明之塊形反射器之剖面構造之實例之i 〇 第8圖是本發明之塊形反射器之剖面構造之實例之2 〇 第9圖是被安裝在側照型背照單位之本發明之燈泡反 射器之一實例之。 第1〇圖是本發明之導光板下反射體之剖面圖之實例。 主要元件符號說明 10 高折射率層 2 0 低折射率層 -36- 1237128 3 0 金 屬 層 40 局 分 子 膜 50 易 消 層 60 接 著 材 層 70 支 持 體 80 燈 泡 反 射器 90 光 源 100 導 光 板 110 反 射 層 120 凹 凸 層
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