314600 B7 經漪部中央標準局員工消費合作社印奴 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 I [發明之詳细說明] 1 1 I 本 發 明 係 鼷 於 Μ 高 反 射 率 之 銀 來 作 為 反 射 層 而 層 稹 —S 1 ! 於 透 明 高 分 子 薄 膜 上 t 所 構 成 之 反 射 賵 及 使 用 該 反 射 體 之 請 1 1 閱 | 反 射 構 件 〇 若 說 得 更 詳 细 一 點 » 係 闞 於 使 用 具 有 良 好 m 光 背 | I 性 Λ 耐 熱 性 之 銀 之 反 射 體 及 使 用 該 反 射 體 之 反 射 構 件 〇 作 之 注 1 為 本 發 明 之 反 射 體 及 反 射 構 件 之 使 用 例 9 可 Μ 舉 出 有 用 % 項 1 I 1 於 液 晶 顯 示 裝 置 之 背 照 燈 之 燈 室 > 印 表 櫬 及 FAX等之反射 填 袖 鏡 % 本 裝 鏡 螢 光 燈 之 反 射 傘 .、 閃 光 放 電 管 之 反 射 率 珍 型 頭 頁 1 1 等 除 此 Μ 外 堪 包 括 幾 乎 所 有 之 光 反 射 臞 〇 1 1 [先前技術] 1 1 由 於 銀 在 可 見 光 區 域 及 紅 外 線 區 域 具 有 高 反 射 率 並 1 訂 且 其 電 氣 及 熱 之 傳 導 率 在 金 屬 中 為 最 大 所 Μ 被 視 為 1 I 熱 門 之 可 見 光 線 反 射 材 料 及 紅 外 線 反 射 材 料 電 氣 配 線 衬 1 1 I 料 〇 一 般 在 大 氣 中 其 不 會 氧 化 但 是 會 和 大 氣 中 之 1 1 亞 硫 酸 氣 體 .、 硫 反 應 而 生 成 黑 色 之 硫 化 銀 0 此 外 和 奥 i 氧 反 應 會 生 成 黑 色 之 氧 化 銀 (A g 0) 1 1 1 作 為 防 止 由 於 大 氣 所 堦 成 銀 之 硫 化 之 方 法 已 知 有 使 銀 ] 1 呈 合 金 化 之 方 法 〇 例 如 在 電 氣 接 點 用 途 上 係 使 用 其 含 1 I 1 有 3 〜4 0 w t % C u 之 銀 和 包 含 有 Cd之 銀 甚 至 包 含 有 10 W t % 1 1 Au 之 銀 〇 此 外 在 齒 科 用 途 上 係 使 用 含 有 25 之Pd和 1 1 10 wt!K 之 C U之銀 在裝飾用途上 係使用含有5 20 w t c U 1 1 之 銀 〇 此 外 9 關 於 銀 之 實 用 性 質 在 厂 貴 金 属 之 實 際 知 識 1 I J 山 本 勇 三 編 著 9 東 洋 經 濟 新 報 社 出 版 昭 和 57年 第 72 1 1 I 153頁上 有詳细之敘述 > 1 1 本紙張尺度適用中國國家標举（CNS > Λ4規格（210X297公釐〉 4 〇14600 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 其 他 作 為 硫 化 防 止 方 法 ， 已 知 有 利 用 金 BR 層 或 者 金 屬 1 1 氧 化 層 > 金 靨 硫 化 物 層 Λ 合 金 屬 底 塗 樹 脂 層 保 護 樹 脂 1 1 層 ·% 來 被 覆 銀 之 方 法 〇 例 如 在 玻 璃 上 * 形 成 銀 薄 膜 後 靥 —s. 請 1 1 積 上 由 Cu和 Sn 所 組 成 之 合 金H 再 層 積 上 樹 脂 層 ♦ 以 防 止 閱 讀 背 1 1 銀 之 腐 鈾 此 外 y 已 知 堪 有 提 高 耐 劃 痕 性 之 方 法 (日本專 面 之 注 1 利 特 開 昭 48 -18538號 ) 3此夕卜 •本發明者等 ，也掲示有利 意 事 1 項 1 用 在 銀 薄 膜 層 之 兩 面 使 用 由 鋁 钛 等 所 組 成 之 金 羼 層 9 再 填 寫 裝 1 Μ 能 夠 防 止 其 由 於 光 熱 氣 體 等 所 造 成 銀 薄 膜 層 之 腐 蝕 本 頁 (曰本專利特開平1 -2 7 9 20 1 號） 〇 1 1 近 年 來 使 用 銀 作 為 反 射 體 之 高 反 射 率 之 反 射 體 係 Μ 1 | 液 晶 顯 示 裝 置 之 背 照 光 部 之 燈 光 反 射 器 為 中 心 也 使 用 於 1 訂 螢 光 燈 之 反 射 傘 等 〇 這 些 係 為 由 PET ( 聚 對 笨 二 甲 酸 乙 二 酵 1 I 酯 )/銀 薄 膜 層 /接著劑層/ 鋁 板 層 所 構 成 之 所 謂 反 射 板 (銀 1 1 反 射 板 ) 和由PET/銀薄膜層/接 著 劑 層 /鋁薄膜層/PET/光 1 1 遮 蔽 層 所 組 成 之 所 謂 反 射 薄 板 (銀反射薄板） 〇 1 這 些 係 利 用 透 明 高 分 子 薄 膜 之 PET和接著劑層 來被覆 1 | 銀 9 而 用 以 防 止 為 習 知 之 問 題 點 ， 即 由 於 大 氣 嗶 η 所 造 成 1 i 1 銀 之 硫 化 、 氧 化 而 成 功 地 維 持 高 反 射 率 〇 例 如 將 上 述 銀， 1 r 反 射 板 及 銀 反 射 薄 板 放 置 在 80 TC 之 恒 溫 槽 中 9 1 0 0 0 小 時 1 1 » 並 未 觀 察 到 由 於 硫 化 所 造 成 黑 色 、 黃 色 之 變 色 • 並 且 反 1 I 射 率 也 無 下 降 〇 此 外 f 在 60 f 8 5 % R Η之恒溫恒濕楢中 1 I 1 0 0 0 小 時 9 同 樣 地 未 觀 察 到 變 色 及 反 射 率 之 下 降 〇 1 1 1 但 是 t 本 發 明 人 等 y 在 使 用Q- PANEL公司（ 美 國 )之QUD試 1 1 驗 器 9 在 進 行 上 述 銀 反 射 板 及 銀 反 射 薄 板 之 紫 外 線 照 射 試 1 1 本紙张尺度適用中國國家標隼（（?NS )八4規格（2丨OX297公釐） -5 - A7 B7 314600 五、發明説明（3 ) 驗時，得到反射面變色成所謂赤紫色之结果。這些和到現 在為止，一般所得知的，銀由於硫化、氧化所造成之所謂 黑色、黃褐色、黃色之顔色，有很明顧之不同；此外，和 P E T薄膜本身*由於紫外線劣化所造成之黃變，也不相同 。因為這樣，在光_射下，所引起銀薄膜之反射率下降， 被稱為光劣化。針對瑄些，吾人提案（日本專利特開平5-162227)有，在波畏從380nm起，至300nm為止之光線下， 其穿透率為10¾ Μ下之具可彎曲性之基板之單面上，層積 其含有銀之金屬薄膜，使得在可見光線之反射率，並無顯 著之降低，而可改善其對於熱等之附久性之反射體。 本發明人等*就由透明高分子薄膜/銀所組成之反射體 之紫外線劣化，作更進一步之檢討，結果很驚奇地發現， 在除了紫外線之可見光照射中，同樣地也發現到變色成赤 紫色。並旦發現到，由於該可見光所造成之光劣化，在常 溫下，係Μ非常緩慢之速度來進行，在高溫下，則非常急 速地進行。因此，今後將此種劣化，稱為「光熱劣化」。 第1圖係為，呈光熱劣化之樣本之斷面穿透霄子顯微鏡 相片（斷面ΤΕΜ相片）。試料為由在PET上，設有銀薄膜之 PET/Ag所組成之反射體；在照射強度500mW/cm2 、樣本溫 度為1 0 0 TO下之促進劣化試驗（光熱劣化促進試驗），進行 300小時。在PET和銀之界面，有觀察到直徑數十rim之粒子 。随著其銀薄膜層從PET上，呈部份的剝離，同時，在PET 和銀之界面上，有觀察到直徑數十μ之粒子；可Μ得知， 該粒子係已侵入至PET中。該粒子，利用電子探針顯微分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2]0X297公釐） (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 'V3 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 6 A7 B7 經滴部中央標準局員工消費合作社印製 314600 五、發明説明（4 ) 析儀（ΕΡΜΑ)，來進行分析，可Μ得知為銀。 本發明人等，根據所得到之知識，將光熱劣化之特激| 整理如下。（1)光熱劣化係為•在高分子薄膜和銀薄膜層 之界面，所特有之劣化。（2)利用ΕΡΜΑ來分析光熱劣化部 份時，可Κ得知，並無檢測出其在習知向來之銀劣化中， 所檢測出之硫、氯、氧。（3)在高分子薄膜和銀薄膜層之 界面Μ外之銀薄膜部份，並無観察到劣化。 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的，係為防止由本發明人等所發琨之新問鼸 ，即由於光熱劣化所造成反射體之變色。若說得更詳细一 點，其目的係為，防止在高溫下之光照射所親察到很顯著 的反射體之變色，和維持即使在光照射後，也有π X Κ上 之反射率。 [解決問題之手段] 也就是說，本發明人等，為了解決這樣的間題，經過不 斷努力研究之結果，發現到，利用其含有金羼之電漿，來 對透明高分子薄膜（Α)之單面，進行表面處理*並且在該 表面處理面上，苒形成銀薄膜層（Β)，以能夠抑制住在透 明高分子薄膜和銀薄膜層之界面，所發生之變色*即使在 3 0 0小時之光熱劣化促進試驗後，也能夠實現達到反射率 為90«Μ上之反射體。本發明係根據這樣的看法，而達到 者0 (1 ) 一種反射體係為，Μ至少由透明高分子薄膜（A )、銀 薄膜層(B)所構成ΛΒ之透明高分子薄膜部份•來作為反射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2丨0〆297公犛） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
7 A7 B7 經濟部中央標隼局負工消f合作社印製 五、發明説明（5 ) 面所成之反射體；除了 390nmM下之波長之光镍，即使K 照射強度500raW/cm2之棋擬太陽光，在反射體溫度100"C 下，於照射300小時後，其反射率可保持在90 ϋίΜ上。 (2) 如第1項所記載之反射體，係利用其含有金靥之電漿 ，在透明高分子薄膜（Α)之單面上，進行表面處理，而形 成一表面處理面；並且，在該‘表面處理面上，形成前述銀 薄膜層（Β )。 (3) 如第2項所記載之反射體，僑利用含有金屬之電漿所 作之表面處理，而使得金靥原子附著於透明高分子薄膜處 理面上；該金屬原子為4X10 14原子/ cm2乃至2X10 18原 子 / c m 2 ° (4) 如第2項或者第3項所記載之反射體，係在由含有金 屬之電漿所進行之表面處理中，該金靨儀從Ti、V、Cr、 Cu、Zn和W中，來選擇出之一種。 (5) 如第1項至第4項所記載之反射體之銀薄膜層（C)部份 ，係藉由接著劑層而層積於支持體上，Μ形成反射構件。 (6) 如第5項所記載之反射構件，其支持體咏為金屬板或 者高分子薄膜。 (7) 如第6項所記載之反射構件，其金羼板係從鋁板、黃 網板、不銹網板和網板中，來選擇出之一種。 (8) —種反射構件，係由如第1項至第4項所記載之反射 體（C)、和接著劑層（D)、和高分子薄膜（Ε)、和光遮蔽層 (F)，按照該順序來層積，而構件CDEF之反射構件；並且 以該反射體（C)之銀薄膜層部份，來作為接著劑層部份。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規掊（210Χ297公釐） (銪先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈· 訂 -8 - 314600 A7 B7 五、發明説明（6 ) (9) 一種反射構件，係由如第1項至第4項所記載之反射 體（C)、和接著劑層（D)、和金饜層（G)、和高分子薄膜（H) 、和光遮蔽層（F)所構成之CDGHF或者CDHGF之反射構件； 並且Μ該反射體（C)之銀薄膜層部份為該接著劑層部份。 (10) 如第1項至第4項中之任何1項所記載之反射體係使 用，在波長380〜300nm下，其光線穿透率為10S!W下之透 明高分子薄膜（A)。 (11) 如第5項至第9項中所記載之任何一項之反射構件· 係使用在波畏380〜300nm下，其光線穿透率為10!CM下之 透明高分子薄膜（A )。 [發明之效果] 本發明如上所述，係利用其含有金鼷之電漿，在透明高 分子薄膜（A)之眾面上，進行表面處理.；並且在該表面處 理面上，肜成銀薄膜層（B)，而能夠極有效果地抑剌在上 述透明高分子薄膜和銀薄膜層之界面，所發生之光熱劣化。 [圖式之簡單說明] 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係為顧示呈光熱劣化之反射體之斷面之微细構造 之相片。 第2圖係本發明之反射體之構造斷面圖。 第3圖係本發明之反射構件之構造斷面圖。 第4圖係本發明之反射構件之構造斷面圖。 第5圖係本發明之反射構件之構造斷面圖。 第6圖係本發明之反射構件之構造斷面圖。 第7圖係本發明之反射構件之構造斷面圖。 本紙悵尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） _ Ω 9 A7 B7 五、發明説明（7 ) 第8圖係顯示透明高分子薄膜表面之微细構造之AFM像相 片。 第9圖係顯示利用其含有金臑之甯漿來作表面處理之透 明高分子薄膜表面之微细構造之AFM像相片。 第10圖係穿透限界波長，通過390nm之[IV截止濾波器而 得到模擬太陽光光譜之圖形。 第11圃係顯示本發明之反射體之光照射時間和反射率之 關係之圖形。 [元件編號之說明] 1 0 :透明高分子薄膜 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 II ^^1 n In n »- In ^^1 —--I- Is— Hi- HI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 20 :利用其含有金靥之電漿所作之表面處理面 30 :銀薄膜層 40 :接著劑層 5 0 :金屬板 60 :高分子薄膜 70 :光遮蔽層 80 :金屬層 [發明之實施衫態] 首先，就所附圖面，來作更詳细之說明。第1圖正如已 敘述者，係發生光熱劣化之反射體之斷面之穿透式電子顧 微鏡相片；第2圖係本發明中最簡單之反射體之構造斷面 圖；第3圖係藉由接著劑層40，將如第2圖所示之反射體和 金臑板50來叠片化，而作成之反射構件之構造斷面圖；第 4圖係藉由接著劑層40，將如第2圈所示之反射體和高分子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐) _ 1 0 _ 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 314600 A? B7 五、發明説明（8) 薄膜60來叠片化，而作成之反射構件之構造斷面圖；第5 圖係在如第4圖所示之反射構件上，再層積上光遮蔽層70 之反射構件；第6圖係在如第5圖所示之反射構件之接著劑 層40和高分子薄膜60之間，設有金屬層80之反射構件；第 7圖係在如第5圖所示之反射構件之高分子薄膜60和光遮蔽 層7 0之間，設有金鼷層8 0之反射構件。第8圖係顯示未施 Μ電漿處理之透明高分子薄膜表面之微细構造之AMIM象； 第9圖係利用其含有金鼷之電漿，胞Μ過表面處理之透明 高分子薄膜表面之微细構造之AMF像；第10圖係顯示通過 其穿透界限波長為390η πι之UV截止漶波器，所得到之模擬 太陽光之光譜之圖形；第11圖係顯示其對反射體之光照射 時間、和反射體之反射率之關係之一個例子之圖形。 吾人此處所稱之反射體係為，可Μ將來自大氣等介質而 入射至反射體之光線，再返回到原來介質之物體；在這褢 ，主要為可見區域之光線之90SSM上，會返回到原來介質 之物體；最好為可見區域之光媒之92SJM上，返回到原來 介質之物體。 使用第2圖來說明利用本發明反射體進行反射之槪略， 首先來自透明高分子薄膜10部份所人射之光線90，其絕大 部份係穿透過透明高分子薄膜10及由含金觴之電漿所處理 過之表面處理面2 0，而到達銀薄膜層3 0 ;被銀薄膜層3 0所 反射，穿透過其由含有金釀之電漿所處理過之表面處理面 20及透明高分子薄膜10，而再一次回到原來之介質中。 _如第3圖所示之反射構件，係藉由接著劑層1 0，而層積 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公漦） -1 1 - ^1. ........ :11 I - (請先閱讀背面之注意事項再填窍本頁)
，1T A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明 (9 ) 1 1 I 如 第 2圖所示之反射體和金屬50所構成者 ;作為銀薄膜層 1 1 1 和 接 著劑 層40 相 連接 之 該 反 射 構 件 之 製 造 方 法， 可 Μ 列 舉 1 I 請 1 | 出 利 用含 有金 靥 之電 漿 9 在 透 明 高 分 子 薄 膜 10之 單 面 進 先 閱 I | 行 表 面處 理， 而 形成 一 表 面 處 理 面 20 並 且 ，在 該 表 面 處 讀 背 面 1 I 理 面 20， 再形 成 銀薄 膜 層 30 在 該 銀 薄 膜 層 30面 上 塗 敷 之 注 意 1 1 有 接 著劑 層40 而使 該 接 著 劑 層 和 金 屬 板 50呈叠 片 化 之 方 事 項 1 I 再 1 法 〇 接著 劑層 和 金屬 板 之 叠 片 化 __· 般 係 在 塗敷 上 接 著 劑 填 寫 本 裝 1 後 接著 才進 行 :但 是 除 了 這 個 Μ 外 也 可Μ 將 塗 敷 作 頁 、_〆 1 | 業 和 叠片 化作 業 分開 進 行 0 例 如 在 使 用 熱 可 塑性 之 聚 酯 系 1 I 接 著 劑時 ，利 用 熱軋 輥 來 溶 融 已 塗 敷 完 畢 之 接著 劑 則 在 1 1 1 任 何 間， 皆能 夠 進行 叠 片 化 處 理 0 1 訂 如 第4圖所示之反射構件 係藉著接著劑層40 而層積 1 1 如 第 2圖所示之反射體和其他的高分子薄膜60所構成者 1 I 銀 薄 膜層 30係 和 接著 劑 層 40相 埋 接 〇 該 反 射 構件 係 將 第 1 1 3圖之金屬板50 來置換成高分子薄膜60 而能夠和第3 圖 人 » 〆*· | 所 示 之反 射構 件 ，來 同 樣 地 製 造 〇 1 1 如 第5圖所示之反射構件 1系可以在第4圖 所示 之 反 射 構 1 1 件 上 ，再 被覆 上 光遮 蔽 層 30 9 而 製 造 出 來 者 0 | 如 第6圖所示之反射構件， 係在如第5圖 所示i反 射 構 件 上 1 I » 於 其接 著劑 層 40和 高 分 子 薄 膜 60 之 間 9 設 有金 屬 層 80 而 1 1 I 構 成 者； 可以 利 用蒸 著 等 方 法 9 預 先 在 高 分 子薄 膜 60上 9 1 1 肜 成 金屬 層80 而 構成 之 薄 膜 * 來 代 替 高 分 子 薄膜 60 • Μ 高 1 1 分 子 薄膜 之金 屬 層80部 份 來 作 為 接 著 劑 層 40部 份 9 而 圼 1 1 疊 Η 化， 所製 造 出來 者 0 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!〇X 297公釐） -12 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 —_B7 五、發明説明（10 ) 如第7圖所示之反射構件，可以預先在第6_中，在高分 子薄膜60上，利用蒸著等方硪，而形成其金腐層80之薄膜 ;將該金靥層80薄膜、高分子薄膜60部份，來作為接著劑 層40部份，而呈叠片化，所製造出來者。 在本發明之透明高分子薄膜，可Μ使用聚乙烯（PE)、聚 丙烯（ΡΡ)、聚苯乙烯（PS)、聚對笨二甲酸乙二酵酯（PET) 、聚醚碱（PES)、聚醚醚嗣（PEEK)、聚碳酸酯（PC)、聚酿 亞胺（P I )、三乙酸纖維素系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚 碾糸樹脂、氟系樹脂等；但是並不僅限定於這些；如果為 透明、某個程度之高玻璃化溫度者，則也可Μ被使用。 透明高分子薄膜之厚度，並無特定的值；但是*最好使 用為10〜200wm程度者，更好為10〜lOOwm程度者；若為 25〜50« m程度者，則會更理想。 作為所使用透明高分子薄膜之光學特性，其波長550nm 之光學穿透率，最好為80JKK上。更理想者，係對於波長 500〜600nm之範圍之光線，其光線穿透率為80S!M上；最 好者，係對於波長400〜800nm範圍之光線，其光嬝穿透率 為80丨以上。當光線穿透率低於80¾時，則作為反射體時之 反射率會低於90¾，並不符合作為反射體所要求之性能。 此外，本發明人已經提案（US -5 276600)有，為了提高銀 之附光性，其透明高分子薄膜，最好具有吸收紫外線之特 性。 所謂在波畏380ηπι〜300nm下*其光腺穿透率為10S!M下 之透明高分子薄膜係為，混合有紫外線吸收劑等之塑膠薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Λ4規格（2IOX297公嫠） --i衣------訂------1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -13 - S14600 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (U ) 1 1 I 膜 和 形 成 有 用 以 截 割 紫 外 媒 吸 收 劑 及 氧 化 鋅 等 之 紫 外 線 1 1 1 之 層 之 塑 膠 薄 膜 等 〇 I I 請 1 1 舉 例 說 明 較 理 想 之 該 透 明 高 分 子 薄 膜 時 9 如 含 有 紫 外 線 先 閱 1 | 吸 收 劑 之 雙 A. ». 軸 拉 伸 聚 丙 烯 同 樣 之 聚 對 苯 二 甲 酸 乙 二 酵 酿 讀 背 1¾ 1 I (PET) 、同樣之聚笨二甲酸乙二酯（PEN) 、 同 樣 之 聚 對 苯 之 注 意 1 1 I 甲 酸 丁 二 醇 酯 (ΡΒΤ) 、同樣之聚醚醢亞胺 >同樣之聚醢 事 項 1 I 再 1 上 亞 胺 等 之 均 聚 物 或 者 共 聚 物 〇 更 理 想 者 最 好 使 用 含 有 紫 填 寫 本 I 外 線 吸 收 劑 之 PET < 1作為紫外線吸收劑係有 苯并三唑系 頁 1 | 紫 外 線 吸 收 劑 和 二 苯 甲 嗣 系 紫 外 線 吸 收 劑 Λ 和 水 楊 酸 醚 1 1 系 紫 外 線 吸 收 劑 〇 1 1 I 作 為 銀 薄 膜 之 成 形 方 法 係 有 濕 式 法 和 乾 式 法 〇 所 謂 濕 1 訂 式 法 係 為 電 鍍 法 之 總 稱 為 從 溶 液 中 析 出 銀 而 形 成 膜 1 1 之 方 法 0 若 更 具 體 地 舉 例 來 說 係 如 銀 鏡 反 應 〇 另 —> 方 面 1 I 9 所 謂 乾 式 法 係 為 真 空 成 膜 法 之 總 稱 若 更 具 體 地 舉 例 1 來 說 係 如 電 阻 加 熱 式 真 空 蒸 著 法 電 子 束 加 熱 式 真 空 蒸 1 Γ 著 法 ·> 離 子 電 鍍 法 離 子 束 加 速 真 空 蒸 著 法 、 濺 鍍 法 等 〇 1 I 特 別 是 在 本 發 明 中 最 好 使 用 可 以 連 壤 地 形 成 膜 之 捲 縝 迆 1 出 式 之 真 空 成 膜 法 〇 | 在 真 空 蒸 著 法 \% 利 用 電 子 束 電 阻 加 熱 > 感 應 加 热 等 方 1 I 式 來 熔 融 原 材 料 的 銀 使 蒸 氣 壓 上 昇 最 好 在 0 . 1 m To r r 1 1 I (大約0 .0 1 Pa ) Μ 下 之 狀 態 下 使 銀 蒸 著 在 底 材 表 面 〇 1 1 在 離 子 電 鍍 法 中 係 在 真 空 中 導 入 0 . 1 m To Γ Γ (大約 1 1 0 . 0 1 P a )M上之氤氣等氣體 發生高週波或者直汍i輝光放 1 | 電 >x 電 子 束 、 電 胆 加 熱 感 應 加 熱 等 方 式 來 熔 融 原 材 1 本紙張尺度適用中國國家標窣（CNS > Λ4規格（210X297公婕） -14 - B7 五、發明説明（l2 ) 料的銀，使蒸氣壓上昇，而使銀形成膜於底材表面上。 在濺鍍法•可Μ使用DC磁控管濺鍍法、RF磁控管濺鍍法 、離子束濺鍍法、GCR濺鍍法、通用RF濺鍍法、通用DC濺 鍍法等。在濺鍍法，其原材料可Μ使用板狀銀的靶；在濺 鍍用氣體，可Μ使用氦、氖、氤、隱品萌、氙等；但是， 最好使用氩氣。氣體之純度，取好為99S；;更理想者，為 99 . 5ίϊΜ 上。 本發明銀薄膜層之厚度，最好為70nm〜300nm;更理想 者，為ΙΟΟηπι〜200nm。當這個銀薄膜層大薄的話*由於銀 之膜厚並不足夠，會存在有穿透的光線，而使得反射率下 降。另一方面，當這個銀薄膜層過厚時*則反射率並不會 上昇，而顯示出有飽和傾向，並且，從所謂有效地利用銀 資源之觀點來看，這樣並不適當。 在銀薄膜層，於不危害到性能之程度下，可Μ含有金、 、铜、鎳、锁、鈷、鎢、鉬、钽、鉻、絪、錳、钛、鋁等 金屬不純物。所使用銀層之純度最好為99»：Μ上，更好者 ，為99.9J!M上，最理想者，為99.99ϋ!Μ上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之銀薄膜層等之各膜厚之測定，可Μ利用觸針 式粗度計、往復式反射干涉計、微量天平、晶體振子法等 來進行。在這當中，由於利用晶體振子法，可以測定在成 膜中之膜厚，所Μ為了得到所要求之膜厚，最適合用晶體 振子法。此外，遒有一種方法*係預先決定好成膜條件， 茌試料底材上，來形成膜，在調査其成膜時間和之膜厚之 關係後，Κ利用成膜時間，來控制膜。_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐) -15 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（13 ) 1 1 在 本 發 明 f 利 用 其 含 有 金 屬 之 電 漿 來 對 透 明 高 分 子 薄 1 1 瞑 ， 進 行 表 面 處 理 最 好 在 表 面 處 理 面 上 設 有 銀 薄 膜 層 1 1 0 在 本 發 明 9 可 被 認 為 t 利 用 其 進 行 這 樣 的 表 面 處 理 » /--S 請 1 I 閲 I 能 夠 抑 制 其 在 透 明 高 分 子 薄 膜 和 銀 薄 膜 餍 之 界 面 所 發 生 之 讀 背 1 1 光 熱 劣 化 〇 Μ 下 係 就 在 本 發 明 所 談 到 其 含 有 金 屬 之 電 漿 面 之 1 1 處 理 如 下 舉 例 來 詳 细 說 明 0 意 事 項 ί 1 含 有 金 靥 之 電 漿 可 kk 由 例 如 將 放 電 用 氣 體 來 導 入 至 再 % 真 空 裝 置 内 利 用 D C輝光放電或者RF輝光放窜 來 生 成 電 未 I 1 漿 時 將 利 用 電 子 束 Λ 電 阻 加 熱 感 應 加 熱 等 方 法 所 蒸 發 1 1 之 金 屬 蒸 發 粒 子 來 導 入 而 得 到 者 〇 此 外 在 由 於 輝 光 放 1 I 電 所 產 生 之 電 漿 中 可 Μ 利 用 使 鹵 化 物 氫 化 物 等 呈 分 解 1 訂 反 應 而 得 到 含 有 金 臑 之 電 漿 〇 並 且 也 可Μ利用DC輝光 1 放電或者RF輝光放 電 以 所 希 望 之 金 屬 為 陰 極 而 產 生 電 1 1 漿 而 得 到 其 含 有 金 鼷 之 電 漿 〇 作 為 簡 單 之 方 法 除 以 1 1 所 希 望 金 饜 為 陰 極 而 利 用 濺 鍍 法 來 得 到 Μ 外 ， 也 可 Μ 與 1 利 用 上 述 以 外 之 既 有 之 蒸 著 法 (電弧蒸著法、 雷射蒸著法 ί Ι .、 線束離子束蒸著法等）和RF及DC輝光放電所電漿相組合 I I 9 而 得 到 含 有 金 靥 之 電 漿 〇 1 在 本 發 明 中 作 為 使 用 於 由 含 有 金 靥 之 電 漿 來 進 行 之 表 1 1 面 處 理 方 法 之 金 靥 係 如 T i 、 V C Γ 、 Μ η、 F e、 C 0 、 Ν ί、 1 1 Cu > Ζ η Ga > Ge Λ Υ、 Ζ Γ Nb、 Μ 0、 Rh、 Pd、 Cd、 I η、 S η 1 I ·> Sb Te 、 Nd 、 S m Eu > Gd Ta 、 W、 R e、 0 S、 I Γ、 Pt、 1 1 Ι Au > Pb B i等 〇 其 中 1 最 好 使 用 Τί V、 c Γ、 V Ζ η Cu 〇 1 1 此 外 f 在 使 用 Mg Λ Ail、 s i之場合時 則無法達成本發明 1 1 本紙張尺度適用中國國家標擎（CNS > Λ4現格（2丨0X297公釐） -JR- 314600 A7 B7 五、發明説明（14) 之目的。 在本發明所謂利用含有金臑之電漿所進行之表面處理， 可Μ利用在含有上述金屬之锺漿中，曝露其透明高分子薄 膜表面而達成。此時，為了不使薄膜之溫度昇高，所Μ會 從褢面，來冷卻透明高分子薄膜。此外，由於使用捲繞進 出式裝置，而可以利用含有金饜之電漿*來對長尺狀之薄 膜，進行處理，所Μ在工業上，最好使用該裝置，Μ達到 工業上之目的。 由含有金靥之電漿所進行表面處理之處理量，可Μ用附 著於透明高分子薄膜之處理面上之金屬原子量來表示。附 著於該處理面上之金靨量，最好為4x10 14原子/cm2乃至 2X10 16原子/ cm2 ;更好者，為5X10 14原子/ cm2乃至1 X 10 16原子/cm2 ;更理想者，為IX 10 15原子/ cm2乃至8 X 10 15原子/cm2 ;最理想者，為2X10 1S原子/ cm2乃至6 X 10 15原子/ cm2 。當附著於表面處理面上之金鼸量太少 時，則對本發明之目的，即對於光熱劣化，無法得到充份 之效果。此外，當太多時，則初期反射率會下降，而無法 經濟部中央榡準局貝工消費合作社印製 1! n^— ^^1 t^— ^^1 ^^1 1^1 1^1 4 —. ί 1^— ί an ί n - J ^ 、1 (請先閱讀背面之注意事項再填鸡本頁) 得到本發明之一個目的*即90S!M上之反射率。 所附著金鼷的量，可Μ利用膜厚顯示器來測定；但是， 在上述範圍内之金靥原子量，由於係被認為其蒸著金颺層 並無圼連續膜，所Μ —般係Μ連結膜來考最，在形成 lOOniD程度之膜時，所需要之時間，來作為參考，而可Μ 由表面處理時間之計算，來求出其附著金腸量。 更具體的說，在t秒、某特定條Ν-下，來進行表面處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0 X 297公犛） -17 - S14600 B7 經濟部中央標準局K工消費合作社印製 五、發明説明 (15 ) 1 1 1 時 9 其 所 附 著 之 金 屬 層 之 膜 厚 為 D ( η π )時 •則由該金屬之 1 1 1 密 度 Ρ (g / C m 9 ) 、 原 子 里 Μ 、其所附著金臑量H (原子/cn 2 ) 1 I 來求出 請 1 1 ， 可 Μ 由 N = D X Ρ X 6 . 02 X 10 16 /Μ之 式子 。因此 9 先 閱 1 I 為 了 使 所 希 望 之 金 屬 虽 η (原 子 / C n.2 ) 來附 著於表 面時， 可 背 面 1 1 I 在 相 同 之 處 理 條 件 下 t m 行 t X ( n / N )秒 之處理 。此外 t 之 注 素 1 ! 在 使 用 其 採 用 晶 體 振 子 之 膜 厚 顧 示器 之場 合，所 測定頻 率 項 1 I 再 1 之 減 少 為 δ f (Hz )時 ，若所附著之金屬量為Ν(原子/ cm2 ) 填 本 I 的 話 ， 則 為 在 實 際 上 9 僅 使 η (原子 /cm2 )之金 靨來附 著 賁 •S__^ 1 I 9 其 所 需 要 之 頻 率 之 減 少 則 可 Μ由 δ f > < (n / Η )來計算 出。 1 1 1 當 顯 示 實 際 之 計 算 實 例 時 對 PET表面 施Μ含有鈦之 1 1 電 漿 處 堙 而 形 成 為 連 鱭 膜 來 考 虽， 則形 成厚度 1 0 0 η π 膜 1 訂 時 附 著 鈦 原 子 時 則 需 要 1 0 0 0秒鐘 之時 間。所 附著鈦 的 1 1 量 根 據 上 列 式 子 大 約 為 6 X 1 0 17 原子 / cm2 ° 因此， 利 1 I 用 該 含 有 鈦 之 電 漿 處 理 條 件 來 附著 上3x 10 15原子/ cm 2 1 I 之 鈦 原 子 則 根 據 1 0 0 0 秒 X (3 X 10 15 原子 /cm2) / (6 X 10 17 1 原 子 / C m2 )= 5秒 則需要處理5秒鐘 〇 1 1 在 利 用 含 有 金 屬 之 電 漿 來 進 行表 面處 理時， 其重點 有 1 Μ 下 2點（ 第1點 當 初 期 反 射 率 為9 0 3； W下時，則不進行 I 該 表 面 處 理 〇 第 2點 在層積有透明高分子薄膜之銀薄膜 1 | 暦 之 面 上 為 了 抑 制 光 熱 劣 化 須進 行充 份之表 面處理 〇 1 1 此 外 t 在 利 用 含 有 金 靥 之 電 漿 來進 行表 面處理 之前， 作 1 1 為 提 高 銀 薄 膜 層 和 高 分 子 薄 膜 之 密著 性之 手段， 現在業 者 1 1 所 時 常 使 用 之 手 段 1 係 在 透 明 高 分子 薄膜 表面上 ，進行 電 1 I 簞 放 電 處 理 Λ 輝 光 放 電 處 理 Λ 表 面化 學處 理、粗 面化處 理 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（2I0X 297公旋} 一 18 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（16 ) 等。 闢於利用含有金臑之電漿來進行表面處理之透明高分子 薄膜表面，會呈現什麽樣的變化，目前堪不清楚。但是， 本發明人等，利用原子間力顧微鏡（Atomic Force Microscope; AFM)>而成功地得到表面之微细構造。利用 A F Μ，來檢測出其在具有原子排列前端形狀之探針前端和 表面原子之間，所工作之排斥力或者吸引力，而得到表面 形狀之狀態。第8圖係尚未進行過該表面處理之透明高分 子薄膜（PET)表面之微細構造；第9圖僑進行過該表面處理 之透明高分子薄膜（PET)表面。在第8圖，可Μ發現探針拉 鈎過高分子表面之痕跡，而無法得清楚之影像；在第9圖 可以得到無由於探针所造成之傷痕，而可Μ清楚之影像。 在第8圖和第9圖之影像之差異•可以直覺地被認為是由於 該表面處理所造成高分子表面之硬度變化，而導致探針之 咬入減少；在物理上，係可Μ被認為，由於在表面附近之 探針和表面之間，所工作之力量發生變化。在比較其探針 和表面之間，所工作之力量之曲線（力曲線）時，可以很清 楚地發琨到，相對於在未進行表面處理之Ρ Ε Τ薄膜，於表 面附近，會產生急速之變化，而在進行過表面處理之Ρ Ε Τ 薄膜，則圼規平樓之變化。此外，由第9圖，可Μ得知， 其PET薄膜表面之凹凸，大約有10nm之位差。 由於附著在高分子表面之金鼷，非常少量，所Μ可Μ被 認為係局部存在於表面。即使假設很理想地，金屬原子係 一層一層很整齊地堆積在平坦之表面上，則在金屬原子之 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） ^^1· m i in ^—^1* 1^1 ^^^^1 HI UK ^^^1 (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) -19 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (17 ) 1 1 I 附 著 量 為 5 X 1 〇 14〜 X1016 原子 / era2 下 ，金靨原 子 頂 多 堆 積 1 1 1 0 . 5層〜1 0層 ，該高度至多為0.1〜 數 n m。這個 值 正 如 第 1 I 請 1 1 9 _所明白顯示的 ，和P E T薄膜表面 之 凹凸大約 為 10 n m 比 較 先 閱 1 I 起 來 > 係 非 常 地小 〇 因此，自然也 就 可Μ認為 根 據 本 發 明 背 τδ 1 I 之 含 有 金 屬 之 電漿 所 胞Μ過表面處 理 後之透明 高 分 子 薄 膜 之 注 意 1 1 表 面 上 * 金 臑 係呈 局 部地附著（例如 構成高分子薄膜之 項 1 I 官 能 基 上 ) 也可以說是較理想形態 >例如L . J G e re n s e r 再 填 寫 1 上 | (J a υ r η a 1 0 f V a c c u m Science and Τ e c h η 〇 1 〇 g y A， 8號 刊 頁 、y 1 I 9 36 8 2 頁 U 990 年） ) 調査PET薄膜 上 之銀原子 之 反 應 視 野 1 1 I 9 而 作 出 銀 原 子容 易 和羧基反應之 結 論。 I 1 1 附 著 在 透 明 高分 子 薄膜表面之金 屬 量，可以 利 用 X 射 線 1 訂 光 電 子 能 譜 法 (XPS) 、慮瑟福後方散射能譜法（R B S ) Λ 在 熔 1 1 解 所 附 著 之 金 屬後 則可Μ利用感 應 耦合電漿 (ICP)發光 1 I 光 譜 法 Λ 次 级 離子 質 譜法（S IM S )、 雷 射激發螢 光 能 譜 法 1 I (L IF) 螢光X射線分析法（XRF)等 9 來逬行調査 〇 實 際 之 定 1 最 分 析 最 好 使用 ICP和RBS;在實 用 上，最好 使 用 XPS ( 1 1 在 利 用 XPS來實際進行測定時，考量0電子之 脫 出 深 度 9 1 而 進 行 所 附 著 金靥 量 之評價。例如 » 在進行其 含 有 Τ ί 之 電 I 漿 處 理 後 I 利 用XPS所評價Ti之表面漶度，為80¾ 〇 由 於 光 1 I 電 子 之 平 均 脫 出深 度 ，為2原子層， 所Κ能夠評價出，係、 1 1 附 著 有 3 X 1 015(2 原子層）X〇.8=2 .4 X 1 0 15 原 子 / C m 2 之 1 1 原 子 〇 此 外 f 可K 預 先利用ICP，來校正XPS之 測 定 值 t 而 1 1 提 高 其 測 定 精 度。 1 I 對 於 透 明 高 分子 薄 膜，利用其含 有 金屬之霣 漿 » 來 進 行 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!OX297公梦 —> -20 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 314600 at B7 五、發明説明（18) 表面處理，在該表面處理面上，形成銀薄膜層後，為了更 進一步提高銀薄膜層之保護和薄膜之可滑動性之目的，可 K層積10nm〜30ηπι之铬、鎳、鈦、鋁、鉬、鎢等單金屬或 者合金、或者鉻鎳娥合金、高溫鐵鎳鉻基合金、飼鎳合金 、哈斯特萊鎳基合金、不銹鋼、杜拉鋁等合金層，係非常 有效。 像這樣所製作之本發明發射體之反射率，最好為90¾以 上，更理想者為92¾，最理想者，係9UM上。 此外，在本發明中•其反射率並沒有特別之明白敘述* 係指對5 5 0 n m波長之光線的值而言。 作為用以調査光照射後之反射體之劣化程度之光熱劣化 促進試驗（也稱為光促進劣化試驗）之照射光，除了 3 9 0 η « Μ下之波長之光線W外，可使用照射強度500mW/cio2之模 擬太陽光。所謂模擬太陽光，係指具有和在室外，晴天時 之太陽光相同光譜之光線。更具體的說，係將光學濾波器 ，來組合在氙氣燈，而得到之横擬太陽光譜。並且，利用 UV截止濾波器，來截斷390nmW下波長之光線。像這樣所 得到光線之照射強度，在樣品表面，大約為500mW/Cm2 ， 以進行光熱劣化促進試驗。利用這樣之試驗，能夠使產業 上之問題，即在透明高分子薄膜和銀薄膜之界面所發生之 光劣化，在短時間内，就可Μ發生。 在這褢所必須注意的，即雖然寫著，光熱劣化促進試驗 之照射光係為，除了 390nraM下波長之光線以外，照射強 度為50〇mW/cn·2之模擬太陽光，但是，實際上，在光熱劣 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )八4規格（210X297公犛） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-21 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（l9 ) 化促進試驗，係使用其穿透限界波長為3 90 n m之U V截濾波 器，而截斷紫外線之照射強度500mW/cni2之横擬太陽光。 因此，本發明之反射體，係指在使用保持其反射體溫度 為100t：，使用穿透限界波畏為390nm之UV截止濾波器，而 截斷紫外線之照射強度500mW/cm2之模擬太陽光，來照射 300小時的時候，在波長550nm下，其反射率可Μ保持在90¾ 之反射體。 所謂穿透限界波長，大多係Μ，當穿透率為A%之波長和 穿透率為波長的中間值來表示（例如是指穿透率為723： 之波長和穿透率為5¾之波長的中間波長而言）；就如同現 在業者所知道者，這些值和實際上所除去之波畏的值，並 不相同。 第1 0圖係顯示，在本發明所使用，並且，在如Μ下所述
之實施例中所使用，其通過該穿透限界波長為3 9 0 n m之U V 截止濾波器而得到模擬太陽光之光譜之一個例宇。由該光 譜圖來看，這些所使用之照射光，在實際上，也可Μ使用 除了 36〇nmW下之紫外線Μ外之光線。 作為穿透限界波長為390nm之UV截止漶波器，係為Sigma 光機（株）之銳截止式濾波器、品號SCF-50S-39L (穿透限界 波長390nm、在波畏360nm下，其穿透率為1¾以下），堪有 也可Μ使用東芝化成工業（株）之銳截止式濾波器、L-39( 穿透臨界波長390nm、在波畏360nm下，其穿透率為1XK下 )。其在光學特性上，幾乎都相同，不論使用那一種，都 可以得到相同之試驗結果。_ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-22 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 S14600 A7 B7 五、發明説明（20) 光熱劣化促進試驗，用上述光線，來照射試料，同時， 更將樣本加熱至ιοου。由加熱至loot，來更促進劣化之 進行。試料之加熱，係在用Μ保持注試料之鋁板下，設置 苻板狀之加熱器，而利用溫度調節機（溫度控制器）來控制 該加熱器，以進行加熱。溫度調節係利用其密接於鋁板上 之熱電隅，來測定溫度，Μ進行溫度調節。 本發明之反射構件，係將上述本發明之反射板，藉由接 著劑層，而固定於例如由金鼷板或者高分子薄板所組成之 支持體上。作為使用於叠Η化之接著劑（也包含粘著劑）係 有，聚酯糸接著劑、丙烯基条接著劑、尿烷系接著劑、矽 硐系接著劑、環氧系接著劑、三聚氰胺系接著劑等；但是 並不一定僅限定於這些種類，如果可Μ達到實用上之接著 強度•則可Μ使用任何一種。作為接著強度，若1 80度耐 剝離強度之測定值為1 0 0 g / c m，則已經可Μ滿足要求；但 是最好為500g/cm，更理想的話為lOOOg/cm。當接著強度 太小時，則作為反射體，在彎曲成曲率半徑1〜5mm程度時 ，在透明高分子薄膜部份，會從金羼板或者髙分子薄板開 始，發生浮起等事故，所Μ並不太適合。 作為接著劑層之厚度，最好為〇.5Wm〜50/un;更好者 ，為lwra〜2〇i/m;最理想者，為2wm〜l〇wm。如果太厚 的話，從材料費的觀點來看，造成成本增加，所Μ並不適 合。太薄的話，則無法得到足夠之接著強度。 作為接著劑之塗敷方法，係有棒式塗敷法、大主軸棒式 塗敷法、逆向塗敷法、轉輪凸印塗敷法、模具塗敷法等； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公嫠） ----------少 表-- (請先閲讀背面之注意事項再填筠本頁) ,1Τ -23 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( 21 ) 1 1 | 係 考 量 這 些 所 使 用 接 著 劑 之 種 類 _、 粘 度 、 塗 敷 量 塗 敷 速 1 1 1 度 所 得 到 之 面 狀 態 等 9 來 作 選 定 0 1 | 請 1 I 在 本 發 明 之 反 射 驊 可 Μ 在 銀 薄 膜 層 和 呈 相 反 邊 部 份 之 先 閱 I | 透 明 高 分 子 薄 膜 上 » 來 設 置 透 明 之 保 護 層 〇 利 用 這 樣 的 保 背 1 1 I 護 層 能 夠 更 進 一 步 抑 制 反 射 體 之 表 面 硬 度 附 光 性 耐 之 注 意 1 1 氣 體 性 附 水 性 Μ 外 之 瑁 境 因 子 之 影 m 〇 作 為 能 夠 被 利 用 事 項 1 I 再 1 來 形 成 這 樣 的 伲 護 層 之 物 質 之 例 子 例 如 除 了 有 聚 甲 基 丙 填 寫 本 装 t 烯 酸 甲 酷 等 之 丙 烯 基 % 樹 脂 、 聚 丙 烯 腈 樹 脂 Λ 聚 鵂 丁 腈 樹 頁 '·_^ 1 | 脂 由 乙 基 矽 酸 鹽 所 得 到 之 聚 合 體 等 矽 素 樹 脂 Λ 聚 酷 樹 脂 1 I \ 氟 糸 樹 脂 等 有 機 物 質 外 遒 有 氧 化 矽 氧 化 鋅 氧 化 1 1 I 鈦 等 無 機 物 質 可 使 用 〇 為 防 止 鍍 銀 層 之 光 劣 化 (紫外 1 訂 線 劣 化 ) 最好層積具有可Μ將400 n m 下 更 好 者 為 1 1 3 80 η mM下波長之光線 來進行截斷者 最理想者 愫可 1 I 截 斷 至 ΙΟίϋΜ下者 y 1 1 作 為 透 明 保 護 層 之 成 形 方 法 係 有 塗 敷 法 薄 膜 之 II 片 JU ο- Ι 化 等 既 有 之 方 法 〇 此 外 該 透 明 保 護 層 之 厚 度 必 須 在 不 1 降 低 光 反 射 能 並 且 無 損 害 可 彎 曲 性 之 範 圃 内 來 發 揮 其 保 1 1 護 效 果 其 可 Μ 配 合 材 料 > 用 途 而 作 適 當 之 變 更 〇 | 作 為 用 於 支 持 體 之 金 國 板 係 如 鋁 板 鋁 合 金 板 黃 銅 1 I 板 飞 不 m 鋼 板 .、 網 板 等 但 並 不 一 定 僅 限 定 使 用 這 些 金 靨 1 1 I 板 而 可 Μ 随 著 反 射 構 件 之 用 途 來 作 m 擇 0 例 如 鋁 板 9 1 1 質 輕 並 且 加 工 性 良 好 9 而 且 熱 傳 導 率 高 所 Μ 能 夠 將 所 關 1 1 到 之 熱 能 來 很 有 效 果 地 排 放 至 大 氣 中 因 此 可 適 合 1 1 利 用 於 筆 記 薄 m 個 人 電 腦 等 之 LCD之背照光上所使用之反 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2I0X 297公釐） -24 — 314600 A7 B7 輕並且機械強度大，所以可以適合 構件之反射構件上。不锈網有相當 耐腐蝕性良好，所Μ除了作為在屋 外，也可Κ適用於需要材料薄板化 是銅鋅合金，由於其機械強度大， Μ適合用於其需要诗地之反射構件 宜，所Μ遒合用於以成本為優先考 用反射傘等。 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 五、發明説明（22 ) 射構件。由於鋁合金質 利用於其兼作為構造用 高度之機械強度，並旦 外所使用之反射構件之 之用途上。黃飼，也就 再加上焊錫性良好，所 上。铜板，由於價格便 量之用途上，如螢光燈 作為用於當作支持體 延伸聚丙烯、聚對苯二 乙二酯（P E N )、聚對笨 脂、偏丙烯酸樹脂、聚 丙烯酸酯、聚醚_亞胺 。特別最好是使用聚對 高分子薄膜為最外層時 持體之高分子薄膜之厚 ，是越薄越好；但是若 處理（操作）性及肜狀保 好。所希望薄膜之厚度 〜200ϋηι;最理想者， 由於在銀薄膜層，存 之光線穿透過。因為這 體之場合時，為了遮蔽 遮蔽層。此外，為了防 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所使用之高分子薄膜，係有圼雙軸 甲酸乙二酵酯（PET)、聚禁二甲酸 二甲酸丁二酵酯（PBT)、丙烯基系樹 醚碱（PES)、聚醚醚萌（PEEK)、聚 、聚醯亞胺等之均聚物或者共聚物 笨二甲酸乙二酵_薄膜，因為當該 ，在外覿上*以白色較佳。作為支 度，若從成本降低及易彎曲度來看 從和銀薄膜層等作疊片化作業時之 持性來看的話，則厚度是K越厚越 為5w m〜500« m;更好者，為10« 係使用15/Lim〜l〇〇am。 在有針孔等缺陷，所Μ會有非常少 樣，在使用高分子薄膜來作為支持 注這些光線，所Μ使用金屬層和光 止其由支持體部份，來入射至反射 本紙悵尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（210Χ 297公嫠） 25 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 (23 ) 1 I | 構 件 之 光 線 產 生 反 射 9 所 Μ 可 Μ 使 用 光 遮 蔽 〇 其 金 靥 係 使 1 1 1 用 A A C 53* r等 1 I 請 1 I 作 為 光 遮 蔽 層 » 係 使 用 其 在 樹 脂 中 9 分 散 有 白 色 顔 料 之 A 閱 I 白 色 塗 裝 〇 作 為 白 色 顔 料 9 可 如 氧 化 鋁 、 氧 化 钛 (钛白） Λ 背 1 1 氧 化 鉛 (鉛白） 氧 化 梓 (鋅白） 碳 酸 鈣 碳 酸 鋇 硫 酸 鋇 之 注 意 1 Λ 鈦 酸 鉀 、 硅 酸 蘇 打 等 〇 作 為 樹 脂 者 可 使 用 丙 烯 基 系 樹 事 項 1 I 再 脂 Λ 和 聚 酯 系 樹 脂 Λ 和 尿 烷 % 樹 脂 〇 填 % 本 裝 I 本 發 明 品 之 銀 反 射 體 之 構 成 > 及 組 成 之 代 表 性 之 評 價 方 頁 ----- 1 | 法 係 由 Μ 下 來 作 說 明 〇 1 I 銀 薄 膜 層 Λ 接 著 劑 層 支 持 體 各 部 之 厚 度 可 Μ 利 用 穿 1 1 I 透 型 電 子 顯 微 鏡 (ΤΕΜ)來觀察其斷面 •而直接進行測定 ) 1 訂 高 分 子 薄 膜 之 材 料 分 析 係 可 利 用 紅 外 線 能 譜 儀 (IR ) 而 1 1 來 進 行 〇 此 外 接 著 劑 之 材 料 分 析 剝 除 掉 銀 薄 膜 層 和 支 1 I 持 體 而 露 出 接 著 劑 將 其 溶 解 在 適 當 之 溶 劑 中 來 作 成 1 L 試 料 以 能 夠 進 行 該 紅 外 線 能 譜 儀 (IR) 〇 銀 薄 膜 層 和 支 持 1 體 之 材 料 分 析 可 Μ利 用 螢 光 X 射 線 能 譜 儀 (X R F )來進行 1 〇 此 外 在 電 子 探 針 X 射 線 顯 微 分 析 儀 (ΕΡΜΑ) 係 由 螢 光 1 1 X 射 線 能 譜 來 進 行 其 微 细 部 份 之 元 素 分 析 〇 此 外 若 將 I 由 銀 薄 膜 層 所 形 成 之 高 分 子 薄 膜 從 接 著 劑 層 開 始 钊 離 t 1 1 而 露 出 銀 薄 膜 層 則 可 以 利 用 原 子 發 射 光 譜 法 (AES ) 來 1 1 ! 得 到 組 成 分 析 > 和 深 度 側 面 • 而 也 能 夠 得 知 其 厚 度 〇 1 作 為 反 射 率 之 測 定 方 法 可 有 各 種 方 法 如 下 所 述 之 實 1 1 胞 例 9 係 在 光 譜 光 度 計 上 設 置 積 分 球 9 來 進 行 測 定 〇 更 1 1 具 體 的 說 在 曰 立 白 動 記 錄 光 譜 光 度 計 (型式 U -3400) 上 1 _ o a 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 26 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 〇1460〇 at B7 五、發明説明（24) ，設置有1504樓分球（型式ί 150-0901)，Μ進行測定。 在標準樣本（參考）上，係使用由氧化鋁所組成之檷準白色 板。 此外，透明高分子薄膜等之光線穿透率（平行光線穿透 率），係例如在日立自動記錄光譜光度針（型式：U-3400) 上，設置薄膜座（型式：210-2112)，Κ進行測定。並旦， 全光線穿透率（平行光線穿透率+擴散穿透率），係設置有 150必積分球，將樣本画定在積分球之試料部份光束入口 處· Μ進行測定。 [實胞例] 使用Κ下實施例，對本發明來作說明。 光熱劣化促進試驗，係使用除了 3 9 0 n m Κ下之波長之光 線外，照射強度500 mW/Cin2之祺擬太陽光。並且，將反射 體加熱至1 0 0 C。其光源，係使用山下電裝（株）之太陽能 横擬器型式YSS-505H。並且，使用東芝化成工業（株）銳截 止式濾波器L-39，以除去390nmM下波長之光線。 反射體之反射率，係在日立自動記錄光謅光度計（U-3400)上，設置150必積分球，而進行測定。在標準試料（ 參考），係使用由氧化鋁所組成之標準白色板。 透明高分子薄膜之光線穿透率（平行光線穿透率+擴散 穿透率），係在日立自動記錄光譜光度計（ϋ-3400)上，設 置有薄膜座（型式：210-2112)，將作為試料之透明高分子 薄膜，保持在薄膜座上，Μ進行澜定。 [實施例1]__ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐} (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 策· 訂 -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25) 將作為放電用氣體之純度99.53!之氧氣、2X 10 - 3 Torr 來導至真空裝置内，利用DC輝光放電，K產生電漿。此時 ，在陰極，使用钛*而作出其含有钛之電漿氣氛。迕透明 高分子薄膜（帝人（株）製聚酯薄膜，'it多龍薄膜型HB3、厚 度25/im、光線穿透率= 87.3¾)之簞面上，使用該含有钛 之電漿，對其進行處理，而使得表面所附著钛之量為5 X 1 0 14原子/ c m 2 。接著，利用蒸著法將作為蒸著材料之純 度99.9!«之銀，層積150nm厚度銀於該電漿處理面上。由透 明高分孚薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時，其反射 率=9 5 . 5 。在進行光熱劣化促進試驗3 0 0小時後，其反射 率為 91 . 53!。 [實胞例2] 除了進行對其附著在表面上之钛量為5X 10 15原子/ cm2 之處理Μ外，和實胞例在相同之方法下*來製作試料。由 透明高分子薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時，其 反射率為95.4¾。在進行光热劣化促進試驗後，其反射率 為 94.7¾。 [實胞例3] 除了進行對其附著在表面之鈦量為IX 10 16原子/era2之 處理以外，和實胞例1在相同之方法下，來製作試料。由 透明高分子薄膜部份，來測定所得到之試料之反射率時， 其反射率為9 1 . 1S!。在進行光熱劣化促進試驗3 0 0小時後， 其反射率為91 . 0¾。 [實施例4]__ 本紙張K度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（2丨0〆297公婕） S —- = - 1^1 I- ......1- -^衣 I- I...... - ! ----- 1 - 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 314600 A7 B7 五、發明説明（26) 將作為放電氣體之純度99.5¾之氤氣2X10 - 3 Torr，來 導入至真空裝置内，利用DC觯光放電，而生成電漿。此時 |在陰極，使用钛而作出其含有钛之電漿氣氛。在透明高 分子薄膜（帝人（株）製聚酯薄膜、特多龍薄膜型HB3、厚度 25w·、光線穿透率= 87.6¾)之單面上，使用該含有鈦之 電漿，對其進行處理，Μ使得在表面上，所附著钛之量為 5X10 15原子/cm2 。接著，W純度99.9¾銀為靶，使用其 作為濺鍍用氣體之純度99.5%之氛氣，利用DC磁控管濺鍍 法，而層積厚度150nm之銀，於該電漿處理面上。由透明 高分子薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時*其反射 率=9 5 . 6 %。在進行光熱劣化促進試驗3 0 0小時後，其反射 率為95 . U。 [實施例5] 將作為放電用氣體之純度99.5¾之氬氣、2X10 - 3 Torr ，來導人至真空裝置内，利用DC輝光放電，而生成電漿。 此時，在陰極，使用鈦，而作出其含有钛之電漿氣氛。在 透明高分子薄膜（東洋纺紗（株）製聚酯薄膜、型式A4100、 厚度25wm、光線穿透率= 87.6%)之單面上，使用該含有 鈦之電漿，對其進行處理，而使得其附著在表面上之钛量 為5X10 15原子/ cm2 。接著，Μ純度99.9¾之銀為靶，使 用其作為濺鍍用氣體之純度99.5¾之氤氣，利用DC磁控管 濺鍍法，在該電漿處理面上，層積上厚度150ηιπ之銀。由 透明高分子薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時，其 反射率= 96.0S!。在進行光熱劣化促進試驗300小時後，其 本紙張尺度遙用中國國家標率（CNS > Λ4規格（210Χ 297公釐） -?〇 - ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-t A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（2了） 1 1 反 射 率 為 96 .0¾ 0 1 1 I [實施例6] 1 1 I 除 了 改 變 鈦 而 使 用 純 度99 .9 χ之釩Μ外•和實施例5在同 請 先 1 1 樣 之 方 法 下 來 製 作 試 料。 由透明高分子薄膜部份，來測 閱 背 1 I 定 所 得 到 試 料 之 反 射 率 時， 其反射率= 94.73；。在進行光 之 注 1 I 熱 劣 化 促 進 試驗3 0 0小時後 其反射率為94.3S；。 拳 項 ί 1 [實施例7] 再 填 % 除 了 改 變 钛 而 便 用 純 度99 .9¾之鉻以外，和實施例5在相 本 頁 1 同 之 方 法 下 來 製 作 試 料。 由透明高分子薄膜部份，來測 1 1 定 所 得 到 試 料 之 反 射 率 時， 其反射率為95.73!。在進行光 1 1 熱 劣 化 促 進 試驗3 00小時後， 其反射率為91 . 6X。 1 訂 [實施例8 ] 1 | 除 了 改 變 钛 而 使 用 純 度99 .99¾銅以外*和實胞例5在相 1 1 同 之 方 法 下 來 製 作 試 料。 由透明高分子薄膜部份，來測 1 1 定 所 得 到 試 料 之 反 射 率 時， 其反射率= 95. 2JU。在進行光 1 熱 劣 化 促 進 試驗300小時後， 其反射率為95.0¾。 1 I [實施例9] I 除 了 改 變 鈦 而 使 用 純 度99 .9¾之鋅以外，和實豳例5在相 1 同 之 方 法 下 9 來 製 作 試 料。 由透明高分子薄膜部份，來測 1 1 定 所 得 到 試 料 之 反 射 率 時， 其反射率= 95.0S：。在進行光 1 1 熱 劣 化 促 進 試驗300小時後， 其反射率為9 4 . 7 ϋί。 1 I [實_例1 0 ] 1 1 I 除 了 改 變 鈦 而 使 用 純 度99 .9 S：之轉Μ外，和實施例5在相 1 1 同 之 方 法 下 9 來 製 作 試 料0 由透明高分子薄膜部份，來測 1 1 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Λ4現格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（2 8) 定所得到試料之反射率時，其反射率= 95.5!«。在進行光 熱劣化促進試驗3 0 0小時後，其反射率為9 5 . 4 。 [比較例1 ] 利用蒸著法，將作為蒸著材料之純度99. 9»；之銀，層積 150nm厚度之銀，於透明高分子薄膜（帝人（株）製聚酷薄膜 、兮1多龍薄膜型^3、厚度25«111、光線穿透率=87.3!1!)上 。由透明高分子薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時 ，其反射率=9 6 . 0 %。在進行光熱劣化促進試驗3 0 0小時後 ，其反射率為5 1.2¾。初期反射率為96.0«，係相當理想的 值；但是，在光熱劣化促進試驗後之反射率為5 1 . 2 S：，已 經不適合作為反射性。 [比較例2 ] 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 -----I !-- - IX ’衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在透明高分子薄膜（東洋纺紗（株）製聚_薄膜，型號 A4100、厚度25ϋΐπ、光線穿透率= 87.6¾)上，Μ純度99.9 %之銀來作為靶，使用純度99.5¾之氤來作為濺鍍用氣體、 而利用DC磁控管濺鍍法，而層積150nra厚度之銀。由透明 高分子薄膜部份，來測定所得到試料之反射率時，其反射 率為9 6 . 1 »；。在進行光熱劣化促進試驗3 0 0小時後，其反射 率為60.2S!。初期之反射率為96.U，係相當理想的值；但 是，在光熱劣化促進試験後之反射率為60.2!ϋ;已經不缠 合作為反射體。 [比較例3 ] 除了進行其附著在表面之鈦之量，為5X10 16原子/ cm2 之處理K外，和實施例1在同樣方法下|來製作試料。由 木紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公婕） -31 - 314600 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消f合作杜印製 五、發明説明 (29 ) 1 1 I 透 明 高 分 子薄 膜 部份 來測定所得到試料之反射率時，其 1 1 I 反 射 率 為 82.9¾ 、初期之反 射率低，並 不適 合作為反射體。 1 I [比較例4 ] 請 先 1 1 閱 | 除 ~jT 改 變钛 而 使用 純 度99.9S：之鎂以 外， 和實施例5在同 讀 | 面 I 揉 之 方 法 下， 來 製作 試 料 ，由透明高分子薄膜部份，來測 之 注 1 1 定 所 得 到 試料 之 反射 宰 時 •其反射率=95 . 8Χ。在進行光 1 XS ! I 熱 劣 化 促 進試 驗 300小時後 ，其反射率 為31 .2J!。初期之反 再 填 % 1 射 率 為 95 .8¾ 係相當理想 之值：但是 在光 熱劣化促進試 本 頁 、' 1 驗 後 為 3 1.2¾ 並不適合 作為反射體 〇 1 1 [比較例5 ] 1 1 除 了 改 變鈦 而 使用 純 度99.9¾之鋁Μ 外， 和實胞例5在相 1 訂 1 I 同 之 方 法 下， 來 製作 試 料 ，由透明高分子薄膜部份，來測 定 所 得 到 試料 之 反射 率 時 其反射率=96 . 2«。在進行光 1 1 I 熱 劣 化 促 進試 驗 300小時後 ，其反射率 為24 .9J!。初期之反 1 1 射 率 為 96 .2% 係相當理想 之值；但是 光熱 劣化促進試驗 1 後 為 24 .9¾ 並不適合作 為反射體。 1 I [比較洌6 ] I · I 除 了 改 變鈦 而使 用 純度99.9¾之矽 Μ外 •和實胞例5同 1 1 樣 條 件 下 來製 作 。從 透 明高分子薄膜部份* 來測定所得到 1 1 試 料 之 反 射率 而其 反 射率=9 6 . 2 ί；。 在進 行3 0 0小時之光 1 1 熱 劣 化 促 進試 驗 後， 其 反射率為29 . 2% 。初 期之反射率為 1 | 96 .2%> 為相當理想的值； 但是在光熱 劣化 促進試驗後， 1 I 為 29 .2¾ > 則不適合作為反 射體。 1 1 I 將 上 述 實胞 例 和比 較 例 整理如下。 1 1 本紙張尺度適用中國國家標牟（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公羡） 32 - 五、發明説明（30 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 電 漿表面 處 附 著 金牖 量 初 期 光 熱劣 化 理 所用金 臈 (原子/ c η 丨2 )反射率 促 進試 驗後 實 胞 例 1 T i 5 X 10 14 95 . 5¾ 91 · 5¾ 實 施 例 2 T 1 5 X 10 15 95 . 4¾ 94. Ί% 實 施 例 3 τ i 1 X 10 18 91 . 1% 91 . 0% 實 施 例 4 T i 5 X 10 15 95 . 6¾ 95 . 4¾ 實 施 例 5 T i 5 X 10 15 96 . 0JU 96 . 0!K 實 施 例 6 V 5 X 10 ,5 94 . Ί% 94. 3% 實 施 例 7 Cr 5 X 10 15 95 . 7% 91 . 6!ϋ 實 施 例 8 Cu 5 X 10 15 95 . 2% 95 . 0¾ 實 施 例 9 Z n 5 X 10 15 95 . 0% 94 . 7* 實 施 例 10 V 5 X 10 15 95 . 5¾ 95 . 4X 比 較 例 1 無 96 . 0¾ 51 . 2% 比 較 例 2 無 96 . 1% 60 . 2% 比 較 例 3 Τ ί 5 X 10 16 82 . 9¾ 比 較 例 4 Mg 5 X 1 0 15 95 . 8X 31 . 2% 比 較 例 5 A 1 5 X / 10 15 96 . 2% 24 . 9% 比 較 例 6 Si 5 X 10 15 96 . 2% 29 . 2% 根 據 Μ 上 結果， 可Μ得知，其利用含 有Τί V、C Γ 、 Cu Λ Ζ η 、 W之電漿| 來 處 理 透明 高 分子薄膜之表面， 能夠 抑 制 其 由 於 光熱劣 化所造成反射率之降 低； 在 實胞 光熱劣 化 促 進 試 驗 300小時後 » 也 可Μ 保 持90S!M上 之 反射 率。此 外 如 第 1圖所示， 係 關 於 在實 胞 例5〜 10及 tb 較例 2所顧 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -----------X------IT------嫜 r (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（3 1) 示之樣本所進行光熱劣化促進試驗結果（横袖為試驗時間 、縱袖為反射率）。由這個可Μ得知，作為在含有金臑之 電漿所作之表面處理方法中，所使用之金羼MW和Ti為最 良好，接著為Cu、V、Zn、Cr。 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁)
J --口 經濟部t央標準局員工消费合作社印製 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公嫠）