TWI237047B

TWI237047B - Elastomer molded article and crosslinkable fluorine-containing elastomer composition for semiconductor production apparatuses

Info

Publication number: TWI237047B
Application number: TW089123065A
Authority: TW
Inventors: Katsuhiko Higashino; Masanori Hasegawa; Hiroyuki Tanaka; Tsuyoshi Noguchi
Original assignee: Daikin Ind Ltd
Priority date: 1999-11-04
Filing date: 2000-11-02
Publication date: 2005-08-01
Also published as: US6803402B2; WO2001032782A1; EP1253172B1; US20030045623A1; JP3303915B2; EP1253172A1; KR20020034189A; EP1253172A4; KR100646151B1

Description

1237047 五、發明說明【技術領域本發明該組合物所品’上述組來密封半導潔淨的摻合【習知技術半導體僅止於半導其零件。半洗淨等方式讓零件高度置用之零件零件產生或分解或變質 (out gas〕造成影響。係有關於一種交聯性含得到之耐雷漿性倦F 彈性體組合物以及由人物& & # # 優〃且微粒數已低減化之成型在半導體製造裝置上之例如用古朽π裝置之封裝材等之彈性體成型品，並為】乳.鋁微粒之交聯性含氟彈性體組合物。求極高潔淨度，潔淨度之要求不 ! “步驟之管理需從製造裝置本身及於製造裝置用之零件在組裝入裝置後，利用 =淨化之程度有❿’因此要求在組裝之前即潔淨化。在半導體製造中肇因於半導體製造裝的f染源雖然有各式各樣的情形，但以例如由脫落之塵粒所產生的微粒以及因為零件材料之而混入氛圍氣體中的雜質氣體（析出氣體 1 )等特別會對半導體元件之微細蝕刻處理等本發明之可特別適用之半導體製造設備用之密封 (seal )材等之成型品也同樣地要求高潔淨度，本案申請人係將密封材本身的高潔淨化藉由對成型後之密封材施以特殊的洗淨方法來達成目的（W0 99/49997號公報）。但是習知以來，要求耐熱性及耐藥品性之密封材乃係由含I橡膠等之交聯性含氟彈性體組合物經交聯成型而製出’且為了改善其壓縮永久形變等之機械特性，故會在組

1237047 五、發明說明（2) 合物中填充以金屬氧化物填料。以上述填料而言，已知可利用氧化鈦或氧化矽（白碳）、氧化鋁（鋁土）等來調配之（專利第2783576號公報、美國專利第5 1 87222號說明書、特開平1 - 1 1 8560號公報、特開昭56-1 6625 1號公報、美國專利第4525539號說明書）。又，上述的填料由於白色度高，亦可摻合來改善耐電漿性等（專利第2858 1 98號公報、特開20 0 0-502 1 22號公報、美國專利第5696 1 8 9號誤明書）。 ° 此外，為了在半導體的製造步驟中達到製程 (process )内之潔淨化，故施加利用含氟電漿、特別是好3電聚之潔淨製程。隨著半導體之高度積體化進步，製程内亦必須保持高度的潔淨度，因此潔淨製程的的頻率亦增^ 了。在上述之潔淨製程中，會發生所謂的前述氧化鈦 $氧化石夕氣化之問題，導致會由摻合有上述物質之彈性體製之成型零件產生出析出氣體（〇ut gas )。此外，由彈陘體製之成型零件也會產生微粒（雜質微粒），此亦污染源之一而必須排除。又

一〜在電漿餘刻製程中，為了對伴隨著微細化而高

2 l (aspect)化之圖案進行蝕刻，故必須更進一步提因此採用了使用高密度電漿之㈣製程。所謂 #度，漿，即例如在壓力10毫拖耳（mt〇rr )、輸出8〇〇 =用氬氣氣體之電漿密度為1〇〇χ 1〇U/cm3以上之f 電下使用各種氣體的電衆製程。在如上述般的高密摻σ有上述氧化鈦或氧化矽之含氟彈性體成型

1237047 五、發明說明（3) 不僅是在如NF3般的含氟電漿中會急遽劣化，在氧電漿箄之電漿製程中亦如此。本發明之目的係提供一種财電漿性優異、特別是耐含氟電漿性優異且能降低電漿照射後微粒之產生的含有氧化鋁微粒之含氟彈性體成型品其所使兩的交聯性含氟彈性體組合物。此外，本發明之又一目的係提供一種耐高密度電漿性特別優異且能降低電漿照射後微粒之產生的含有氧化鋁微粒之3氟彈性體成型品以及其所使用的交聯性含就彈性體組合物。【發明揭示】亦即，本發明係有關於一種半導體製造裝置用彈性體成型品，其係由交聯性含氟彈性體成份與包括有氧化鋁微粒之父聯性含氟彈性體組合物進行交聯成型而得，該氧化鋁微粒之平均粒徑為〇·5微米（以下，並以〇〇〇5〜〇 0 5微米較佳。 ^ 上述成型品非常適合用來作為密封半導體製造裝置、特別是密封施行高密度電漿照射之半導體製造裝置用之密封材來使用。 /本發明又係有關於一種交聯性含氟彈性體組合物，其係包括有交聯性含氟彈性體成份與平均粒徑為〇 · 5微米以下之氧化鋁微粒，並係使用在用以製造半導體製造裝置用彈性體成型品上。 < 以所使用的交聯性含氟彈性體組合物而言，交聯性含

1237047 五、發明說明（4) 氟彈性體係以例如包括有以下成份之組合 =成麵重量份（以下簡稱為「份」），以及以該= 為基準之有機過氧化物〇· 05〜10份、交聯助劑〇·卜10份上述乳化铭微粒1〜150份。 /更進一步，本發明亦係有關於一種半導體製造裝置，其係組入有上述半導體製造裝置用彈性體成型品。【發明之較佳實施例】本發明中所使用的氧化鋁微粒其平均粒徑為〇 · 5微米二下二並以0.005〜〇.1微米較佳。固然習知以來認為微粒装1=變小的話，交聯性彈性體組合物之使用性就會變店田但是在本發明中卻意外的發現交聯性彈性體組合物之使用性（混煉性等）並未降低。 ^別是在使用平均粒徑為〇· 00 5〜0· 05微米程度之微粒 2洽即*是在將例如線間距·（線寬）剔.2微米之圖案粒 =;於卞導體兀件上時亦不會發生連線（tie_H 線間距）的現象。 ’、热又，以氧化鋁之結晶型而言，有α型、召型、多種結晶型，在本發明中並未特別限定用哪-i，·、、、若由交聯性彈性體組合物之調製（混煉性等）及加工時之使用性較優的觀點來看，係以0型氧化鋁較佳。㈣，ί使：於要求極潔淨成型品之半導體製造裝置用的零件上時，氧化銘微粒其铭以外之雜f金屬 y 分析法）係調整為70卿以下，並以5〇_ 佳、1 Oppm以下更佳。 r竿又

1237047 五、發明說明（5) 接著，就用以製造本發明之半導體製造裝置用彈性體成型品的交聯性含氟彈性體組合物進行說明。本交聯性含氟彈性體組合物基本上係由交聯性含氟彈性體成份以及上述氧化鋁微粒所構成。以交聯性含氟彈性體成份而言，可舉例如下·· U)由包括四氟乙烯40〜90莫耳％、式（1) ·· CF2 = CF-ORf (式中’匕為碳數卜5之全氟烷基或碳數3〜12且含氧原子 1〜3個之全氟烷（聚）醚基）中所示之全氟乙烯醚1〇〜6〇莫耳 %以及賦予交聯部位之單體〇〜5莫耳％所各自衍生之反覆單元構成之全氟彈性體。、六乱丙缚15〜40 衍生之反覆單元構

(2)由包括二氟乙烯30〜90莫耳0/〇莫耳。/。以及四氟乙烯〇〜3〇莫耳％所各自成之二氟乙烯彈性體。〇 (3 )由具有彈性含氟聚合物鏈段節（segment )及彈性含氟聚合物鏈段節之含氟多元段節化聚合物所 :氟系熱可塑性彈性體，其+，彈性體性含氟聚合即係包括由四氟乙烯4〇〜90莫耳％、式d): 丰又 CF2=CF - ORf (式中、Rf為碳數1〜5之全氟烷基或碳數3〜12且人卜3個之全氟烧（聚）_基）中所示之全氟乙稀鱗i j 1以及賦予交聯部位之單體〇〜5莫耳％所各自扩 0莫耳單元構成，而非彈性含氟聚合物鏈段節則 /了之反覆乙烯85〜100莫耳％以及式（2): 、’、馬由包括四氟

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CF^CF-Rf1 (式中，Rf1為CF3或0Rf2 (Rf2為唉數j 化合物0〜15莫耳％所各自衍生之性彈性體。〜5之全氟烷基））中所示反覆單元構成的全氤熱塑 (4 )由彈性含氣聚合物鏈p # 鏈段節所構成之含氟多元段節化\即入與：彈性含氟聚合物 i聚合物鏈段節係含有由二氟乙，，中，該彈性含二氣乙稀共聚合之至”種二乙單歸:所=耳…與該元構成之非全氣熱可塑性彈性體的重覆單說，可舉例如：六i丙稀、四氣，之他早體來乙稀、三氟丙稀1氟丙烯、；= = =、：氟異丁稀、全氟(烧基乙烯⑹、心婦：氣丁稀、四乱乙豨謎等。心）氣乙稀、乙烯、丙烯及烧基 (5) 在二填化合物存在下藉由自由基（㈤⑹丄）聚合所得到之由含碘氟化乙烯醚〇〇〇5〜15莫耳％、二氟乙烯40 90莫耳/以及全氟（甲基乙烯醚）3〜35%莫耳％ (也可依情況需要，含有達25莫耳％之六氟丙烯及/或含有達4〇莫耳％之四氟乙烯）所各自衍生的重覆單元構成之耐窠性含氟彈性體（特開平8M 5753號公報' (6) 由包括乙烯、四氟乙烯以及全氟（烷基乙烯醚 )所各自衍生的重覆單元構成之共聚合物等等。 (7) 由包括四氟乙烯與丙烯所各自衍生的重覆單元構成之共聚合物（美國專利第3, 467, 635號說明書）以及由包括四氟乙烯、丙烯與二氟乙烯所各自衍生的重覆單元構

2066-3549-PF.ptd 第10頁 1237047 五、發明說明（7) 成之共聚合物等等。聯成型為半導體製造裝可為一般的過氧化物交例如··使用導入硝基作機錫化合物使形成三嗪昭58-1 5204 1號公報作為交聯點之含氟彈性環之噁唑交聯系（例、藉甴四胺化合物使參照特開昭5 9 -1 0 9 5 4 6 成噻唾環之噻唾交聯系報）等方法，此外，也，或使用其他放射線交、噻唑交聯系中所使用

父聯性含氟彈性體組合物可交置同之期望製品的形狀。交聯方法聯法’而其他習知之交聯方法可舉為交聯點之含氟彈性體，再藉由有環之三嗪交聯系（例如，參照特開 )·’以及同樣地分別使用導入硝基 ^ ’ #11由雙胺基苯酚使形成噁唑扣7 ’參照特開昭59- 1 09546號公報）形=味唾環之咪唑交聯系（例如，號公報）、藉由雙胺基苯硫酚使形 (例如，炎，丄參知特開平8-1 04789號公可精由聚醢儿人. 聯、雷；ί 物來進行聚醇交聯 ^ 射線交聯等方法。 & # = f °坐交聯系、味唆交聯系可舉例如：在式的父聯劑而言， R 1

R

3

^式^ ’ R3為〜S02-、-〇—、—⑶—、玎取代的碳數卜6的烷撐土反數^10的全氟烷撐基、

1237047 五、發明說明（8)

或單鍵，R1與R2則係當一方為-NH2時，另一方就為-NH2、 -0H或-SH，並以R1與R2皆為-NH2較佳）中所示之雙二胺基苯系交聯劑、雙胺基苯酚系交聯劑、雙胺基苯硫酚系交聯

〆 N Η Ν Η Ν Η

(式中，R3與前述者相同，R6為一 C 或一 C 中所示之雙脒腙（bisamidrazone)系交聯劑，以及在式 (5 )： Η Ν Η Ν Ν Η Ν 2 Η

R I C

Η Ν Η Ν I π C 5 (式中，V係碳數卜ίο之全氟烷撐基）或式（6 ):

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(式中，η為卜10的整數）中所示之雙胺肟 (tnsamidoxime)系交聯劑等。上述之雙胺基笨酚系交聯劑、雙胺基苯硫I系交聯劑或雙：胺基苯系交聯劑等雖係使用於習知之以硝基作為交聯點之交聯系中’但由於亦可 Ϊ叛基以^氧幾基反應，故亦能在以上述之官能基作為 :聯點的乂 ^•系中形成噁唑環、噻唑環以及咪唑環，以得出交聯物。 — 以特佳之父聯劑而言 - Μ平例如：且 4 一經基苯I、3—胺基+氫硫基笨基或式 ΗΟ

(式中，R3與前述者相同）合物’具體來說可舉例如Ή:，3;4-二胺基笨基之化 )六氟丙⑯（俗名：雙（胺胺基+羥基本基基-4-氫硫基笨基）六氧(丙胺燒基本盼）AU 、2,2-雙（3-胺苯基甲烷、雙-3,4一二胺基笨四胺基笨、雙一3, 4一二胺基基）六氟丙烷等。 ·、、2,2—雙（3, 4 -二胺基苯交聯劑之摻合量，魴4 100份而言為〇·丨〜1〇份。糸相對於交聯性含氟彈性體在進行過氡化物交聯時，土在加硫溫度條件下會產生過物皆可，較佳之有機過氧化合与機過氧化物而言，凡屬基之習知有機過氧化合 :二-第3 丁基過氧化

1237047 五、發明說明（10) 物、二異丙苯基過氧化物、2, 5 -二甲基-2, 5 -二（笨醯過氧基）己烷、2, 5-二甲基—2, 5 -二（第3 丁基過氧基）己烷、1，卜雙（第3 丁基過氧基）-3, 5, 5-三甲基環己烷、2, 5-二甲基己烷-2, 5_二羥基過氧化物、第3 丁基異丙苯基過氧化物、α，α’-雙（第3 丁基過氧基）—對-二異丙基苯、 2, 5-二甲基—2, 5 -二（第3 丁基過氧基）己炔一 3、苯醯過氧化物、第3 丁基過氧基苯、第3 丁基過氧基馬來酸、第3 丁基過氧基異丙基碳酸酯等。有機過氧化物之 100份而言為0.05〜10 有機過氧化物之氟彈性體就無法充份則交聯物之物性會劣在上述之過氧化之交聯助劑。就所使在交聯性含氟彈性體起使用的多官能性共 8旨、二甲基稀丙基三醋、三烯丙基曱縮醛酸酯份，並含量若交聯；化。物交聯甩之多之過氧交聯劑聚異氰稀 Ν，Ν’-間-苯撐雙馬來甲酸酯、二烯丙基鄰笨二曱酯、二（二婦丙基胺）-S-」二稀丙基丙烯基醢胺以及1，雙烯烴等。 ’ 常係相對於交聯性含氟彈性楚以1〜5份較佳。少於0 · 0 5份的話，則交聯性令另一方面，若超過10份的話，中可使用多官能性共交聯劑筹官能性共交聯劑來說，可使用化物交聯中與有機過氧化物一 ’例如··三稀丙基三聚氰酸酸酯、三烯丙基三聚異氰酸丙基碟酸酯、三稀丙基偏笨三酸酐縮亞胺、二炔丙基對笨二酸酯、四烯丙基對甲醯胺笨〒二嗪、亞鱗酸三婦丙醋、Μ，N〜 6 一二乙烯十二氟己烷所代表$

1237047 丙基三聚異氰酸酯的3個烯丙基中熱性更高的氟原子來取代而構成之酸酯等亦非常適合（參照美國專利 W098/00407 公報、Klenovic h， Khim· (Leningrad) (1987, 60 五、發明說明（11) 此外，例如將三烯之一部份的氫原子以耐含氟三烯丙基三聚異氰第4, 320, 2 1 6號說明書、 S· V·等、Zh· Prikl， (3 )，656-8 ) ) 〇交聯助劑之含量通份而言為0.1〜10份，並此外，也可摻合加交聯則可利用習知方法將本發明之成型品中所述之特殊的洗淨法之方法、在洗淨溫度下水溶液來洗淨之方法、等，即可得到極高度潔的耐電漿性優異之半導本發明之交聯性彈置用之成形品，特別是置，且特別可適用於施置密封用封裝材之製造環（〇-ring)、角型環、漏封裝材等等。除此以外，也可用的各種彈性體製品，例常係相對於交聯性含氟彈性以0 · 5〜5份較佳。工助劑、内添脫膜劑等。過來進行。利用例如上述之W099/49997 來施行處理’亦即利用超純利用液狀潔淨的有機化合物乾式蝕刻洗淨方法、萃取洗淨化且析出氣體（outgas) 體製造裝置用成型品。性體組合物可使用於半導體要求高度潔淨度之半導體製行高密度電漿照射之半導艘上。以封裝材而言，可舉例塾片、填充物、油封、轴承體100 氧化物號公報水洗淨或無機淨方法量很少製造裝造裝製造裝如0型封及止來作為在半導體製造裝置上所使用如隔獏、管件、軟管及各種橡膠滾

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置，並未特別五、發明說明（12)

而言’還包括了用來要求高度清潔度的半導體領域中所使用之全部製造裝置在内。具體而言，可舉例如下述之半導體製造裝置。 (1 )餘刻裝置一乾式蝕刻裝置電漿蝕刻裝置反應性離子餘刻裝置反應性離子束蝕刻裝置賤鑛餘刻裝置離子束餘刻裝置濕式蝕刻裝置去灰裝置 (2 )洗淨裝置乾式飯刻洗淨裝置 UV/〇3洗淨裝置離子束洗淨裝置雷射光束洗淨裝置電製洗淨袭置氣體蝕刻洗淨裝置萃取洗淨裝置索司勒（S〇Xhiet)萃取洗淨裝置

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五、發明說明（13) 兩溫高壓萃取洗淨裝置微波卒取洗淨裝置^ 超臨界萃取洗淨裝^ (3 )曝光裝置步進（stepper)式辦準機科達顯影液 ' (4 )研磨裝置 CMP裝置 (5 )成膜裝置 CVD裝置濺鍍裝置 (6)擴散·離子注入裂置氧化擴散裝置離子注入裝置接著，列舉實施例來對本發明進行說明，沙實施例並非用以限定本發明。 ^「實施例1 在四氟乙烯/全氟（甲基乙烯醚）共聚合物彈性體1〇〇克中加入氧化铭微粒（住友化學工業（股份有限公司）製之AKP-G008。比表面積80平方公尺/克（m2/g)，平均粒徑0· 02微米（)。結晶型0型。以下稱為「填料i ·、 10克、Perhexa2· 5B (日本油脂工業（股份有限公司」 )1.0克以及三烯丙基三聚異氰酸酯（TAIC ) 3. 〇 / 煉，即可調製出本發明之彈性體組合物。進行混

1237047 五、發明說明（14) 另外[所使用的氧化紹微粒（填料1 )其經由電漿照射之重量變化係利用下述之方法來檢測之。結果如表i所示。在該表中的「-」號表示重量減少，「+」號表示重量增加。使用的電漿照射裝置： (1 )氧電漿以及cf4電漿之情況下 8&11^〇(股份有限公司）國際研究所製之？乂一1〇〇〇 (2 ) NF3電漿之情況下餘刻艙室（etching chamber) 照射條件：氧（〇2 )電漿照射處理氣體流量：200sccm RF輸出：400瓦壓力：300毫托耳蝕刻時間·· 1小時、2小時、3小時頻率：13.56 MHz CF4電漿照射處理氣體流量：200sccm RF輸出：400瓦壓力：300毫托耳蝕刻時間：1小時、2小時、3小時頻率：13. 56 MHz NF3電漿照射處理氣體流量：51 s c c m

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RF輸出：600瓦壓力：100毫托耳钱刻時間·· 0· 5小時

頻率·· 13. 56 MHZ 照射操作：使電漿照射装置艙室内的氛圍穩定，㈣分鐘 κ氣體二放電以作為艙室前處理。接著將已置入樣品會ί = ϊ置於RFf極的巾心、部，並以上述之條件照射之。里里剛疋·

2用擻特力斯（Sart〇rius · GMM )股份有限公司製、分析天平2006MPE，測定到〇·01毫克並於0 01毫克之位數四捨五入。 ^外，在實施例2以及比較例卜3中所使用的氧化鋁微粒填料2 '填料3、填料4以及填料5 )其經由電漿照射之重量變化亦合併示於表1中。表1中之各填料係說明如下。

•真料1 ·氧化鋁微粒（住友化學工業（股份有限公司 )製之AKP-G008。比表面積80平方公尺/克，平均粒徑〇 · 0 2微米。結晶型0型：單斜晶系） •填料2 ·氧化紹微粒（住友化學工業（股份有限公司 )製之AKP-G015。比表面積150平方公尺/克，平均粒徑〇· 〇 2微米。結晶型r型··正方晶系）填料3 ··氧化鋁微粒（龍森（股份有限公司）製之

Adoma Fine ΑΟ-802。比表面積6〜8平方公尺/克，平均粒

1237047 五、發明說明（16) 彼0 · 7微米。結晶型型：三方晶系）填料4 :氧化矽微粒（龍森（股份有限公司）製之 1 -FX。比表面積29平方公尺/克，平均粒徑〇· 38微米）填料5 :氧化鈦微粒（日本r工tr ^几（股份有限公司）製之Ti02 P-25。比表面積50平方公尺/克，平均粒徑〇 · 0 2 1微米）表1 樣品填科之f董變化i f量％ ) 氧電漿 CF4電漿 MF3電漿照射時間（小時）晚射時«(小時）照射時間（小時） 1 2 3 1 2 3 0.5 填科1 -0.04 -0.05 -0.06 0.42 0.53 0.61 0.62 填科2 -0.05 -0.10 -0.12 0.58 0.68 0.79 0.95 填科3 -0.03 -0.07 -0.09 0.26 0.35 0.46 0.44 填科4 -0.08 -0.11 -0.11 -1.97 -3.12 -4.67 -76.7 填科5 -0.04 -0.06 -0.08 -1.51 -2.55 -3.82 -100 ❿ 表1中，在含氟電漿（CF4電漿以及nf3電漿）下僅氧化鋁被確認有重量增加，此被認為乃因含氟電漿使氧化鋁變為氟化鋁（固體）之故。故而，其顯示出氧化鋁對含氟電漿之遮蔽效果。第20頁 2066-3549-PF.ptd 1237047 五、發明說明（Π) 其次’將該彈性體組合物施行1 6 〇艺下1 〇分鐘之加壓 (press )交聯（一次交聯），再接著施行18〇下4小時之爐内（oven )交聯（二次交聯），而製出〇型環 (AS-568A - 214)。此外，利用JSr 型 q 拉斯特（q Rast) 量測儀II型來求出組合物在16〇 t下之加硫曲線，以求得最低粘度（ML )、加硫度（MH )、誘導時間以及最適加硫時間（T9。）。更進一步，μ用以下之方法來檢測其使用性。結果如表2所示。 (使用性）利用目視對交聯性彈性體使用難易度進行綜合評鑑，例捲附難易度、左右切翻之難易性等。組合物由混煉到交聯操作的 0 如混煉時對滾筒（rol 1 )之度以及交聯時之彈性體流動評價係基於下述之其進& Q、 AA .益心視來進行之。 AA ·無任何缺點，加工操料亦被認定為對於滾筒全無貼附：壞七的進行。此外，填 A ·無任何缺點，加工操作 B :幾乎$右„ % 乂备頃^的進行。夫。琛刼作時會花費一點工 C :在由混煉到交聯操作中工。買工夫，但仍然可加 D .若不用相當嚴格的加工示對該〇型環施行下述之機械特就無法加工的檢測。結果如表2

1237047 五、發明說明（18) (機械特性）根據J IS K 630 1來測定常態物性以及壓縮永久應變 (200 °C、70小時、壓縮25 % )。〜實施例2 除了改在貫施例1中之乳化紹微粒（住友化學工業 (股伤有限公司）製之AKP-G015。比表面積15〇平方公尺/ 克，平均粒徑0· 02微米。結晶型y型。填料2 )以外，其餘步驟皆與實施例1相同而製出交聯性彈性體組合物，並進二步同實施例1般成型為〇型環。與實施例i同樣般檢測上述組合物以及成型品之各種特性。其結果如表2所示。比較例1 除了將在實施例1中之氧化鋁微粒改為摻合以平均粒徑比較大的氧化鋁微粒（龍森（股份有限公司）製之 Adonrn Fine AO-802。比表面積6〜8平方公尺/克平均粒徑0. 7微米。結晶型α型。填料3 )以外，其餘步驟皆盥實施例1相同而製出交聯性彈性體組合物，並進一步同實施 Π般刊成口型為0型環。與實施例1同樣般檢測上述組合物以及成垔°〇之各種特性。其結果如表2所示。比較例2 填料4除之了氧將Α實施例1中之氧化鋁微粒改為表2中所示作為所示之量來ρΐί 平均粒徑G.38微米）並以同表 Μ出$碑# ί仃摻0以外，其餘步驟皆與實施例1相同而 "彈性體組合物，並進一步同實施例1般成型為〇

1237047 五、發明說明（19) ---------- 型環。與實施例〗同樣般檢測上述組合物以及成型品之種特性。其結果如表2所示。比較例3 除了將在實施例1中之氧化鋁微粒改為表2中所示作為填料5之氧化鈦微粒（日本(股份有限公司）製之Τι〇2 P-25。比表面積5〇平方公尺/克，平均粒徑〇· 021微米）並以同表所示之量來進行摻合以外，其餘步驟皆與實施例1相同而製出交聯性彈性體組合物，並進一步同實施例1般成型為0型環。與實施例丨同樣般檢測上述組合物以及成型品之各種特性。其結果如表2所示。 ⑩ 表2 贄施例1 資施例2 比較例1 比較例2 比敕例3 级成 (重量徐）交聯性弹性» 100 100 100 100 100 交聯谢 3 3 3 3 3 交聨助Λ 1 1 1 1 1 蟥料 10 (塡科1〕 10 (塡科2) 10 (蟥料3〕 10 (填料4) 10 (蟥料5) 加工性 AA A B B B 和碟待性 ML ( kg f〕 0.66 0.22 0.12 0.11 0.15 ΜΗ (kg f) 6.50 5.72 6.30 5.81 5.37 0.6 0.6 0.5 0.7 0.6 T和（練） 1.0 1.0 1.2 1.2 1.0 常憨物性 M100 ( kg f) 57 81 63 79 60 拉甘強度（kgf ) 250 200 184 170 201 伸長车 165 143 1 160 155 153 硬度（JISA) 63 62 59 65 59 壓觭永久形變 20 20 12 12 20

2066-3549-PF.ptd 第23頁 1237047 五、發明說明（20) 實施例3〜4以及比較例4〜6 將在實施例卜2以及比η電漿性：重量變化^ (AS-568A-214)利用充八乂例1〜3中所分別製造的〇型環比）在loot：、攪拌15八镑且夕量的ISO4〆(6/4，重量 HF在25。(：下進行洗淨15刀八；的條件下進行洗淨，接著以5% 煮沸洗淨2小時之後，於進而再以超純水在100艺下時，即製得一樣品。、乳瑕4氣體氣流下以200 °C加熱24小在下述的條件下對該样u 照射前後之重量減少（重1^靶以電漿照射處理，測定其如表3所示。里/G )以檢測其重量變化。結果使用的電漿照射裝置·· (1 )氧電漿以及Cl電漿之情況下 S=mco (月又伤有限公司）國際研究所製之ρχ一 (2 ) NF3電漿之情況下蝕刻艙室照射條件： « 氧（〇2 )電漿照射處理氣體流量：200sccm RF輸出：400瓦 2小時、3小時壓力：300毫托耳蝕刻時間：1小時頻率：13.56 MHz CF4電漿照射處理氣體流量·· 200sccm

2066-3549-PF.ptd 第24頁 1237047

RF輸出：400瓦壓力：300毫托耳钱刻時間：1小時、2小時、頻率：13. 56 MHz ^ ^ NF3電漿照射處理氣體流量：51sccm RF輸出：600瓦壓力：100毫托耳蝕刻時間：0 · 5小時頻率：13.56 MHz 照射操作： ⑩ 為了使電漿照射裝置艙室進行實氣體空放電以作為艙室 RF電極的中心部，並以上述之重量測定： =的氛圍穩定，故用5分鐘前處理。接著將樣品配置於條件照射之。 ' 使用撒特力斯（Sartorius · GMBH )股份有限公司製之電子分析天平2006MPE，測定到〇· 01毫克並於〇· 〇1亳克之位數四掩五入。將樣品每1種類取3個來使用，再平均後評價之。

1237047 五、發明說明（22) 表3 樣品 ---------^ 〇型環之重量變化（重量％) 氣電漿 CF4電漿照射n 寺間（小時）照射時間（小時> —— 照射時間（小時） 1 2 3 1 2 3 0.5 ' 實施例3 -0.15 -0.21 -0.28 -0.09 -0.16 -0.20 -0.22 實施例4 -0.16 -0.26 •0.31 -0.09 -0.15 -0.20 -0.22^ 比較例4 -0.17 -0.23 -0.30 -0.08 -0.17 -0.20 -0.23 比較例5 -0.17 •0.26 -0.34 -0.17 -0.29 -0.38 -1.09 比較例6 -0.17 -0.25 -0.35 -0.12 -0.25 -0.32 -0.82 實施例5〜6以及比較例7〜9 (耐電漿性：微粒產生數）利用下述之方法來對在實施例1〜4、比較例1、實施例 5以及比較例2中所分別製造的〇型環（AS-568A-214)施行财電漿性（塵粒產生數）之檢測。結果如表4所示。 (耐電漿性試驗：塵粒產生數）關於耐氧電漿性試驗以及耐CF4電漿性試驗，係使用 Samco (股份有限公司）國際研究所製之電聚乾式洗淨器模型PX-1 000，並在真空壓力50毫托耳、氧或CF4流量 200sccm、電力400瓦以及頻率13·56ΜΗζ的條件下來彦座相對應之電漿，以該電漿在反應離子蝕刻（RIΕ )條件下對試料（0型環）施行3小時的照射。關於耐nf3電漿性試

1237047 五、發明說明（23) --------- 驗，則係使用蝕刻艙室，並在真空壓力丨〇〇毫托耳、冷量51sccm、電力600瓦以及頻率13· 56MHz的條件下來產電漿，以該電漿在反應離子蝕刻（R丨E )條件下對試料（〇型環）施行0· 5小時的照射。照射後，將試料在25 t下置於超純水中並以超音波震盪1小時，再取出游離於水中的塵粒’利用微粒測定器法（在光的照射下，使含有塵粒之超純水流入感應器部份，再藉由液中的塵粒計數器以電氣方式測定其透過光或散射光之量的方法）來檢測粒徑為〇; 2微米以上的塵粒數（個/升）。另外，在表4中係表示 '有每1個0型環之塵粒數換算值。耒4 樣品微轾數（xlO4锢/0盤環）照射前氧電漿照射3 + 時後 CF4電漿照射3小時後 NF3電漿照射0.5小時後實施例5 7.23 14.62 14.81 38.21 實施例6 7.89 14.71 15.01 39.01 比較例7 8.21 74.70 74.23 79.82 比較例8 6.98 21.23 17.32 41.30 比較例9 6.92 83.20 18.40 42.15 實施例7〜8以及比較例1 〇〜1 2

2066-3549-PF.ptd 第27頁 1237047 五、發明說明（24) 在下述之條件下對與實施例3〜4以及比較例4〜6進行同樣地洗淨之0型環（AS-568A-214)施行高密度電漿照射處理，測定其照射前後之重量減少（重量％ )以檢測其重量變化（表5 )，此外並利用與實施例5相同之方法來檢測耐電漿性（塵粒產生數）（表6 )。使用之電漿照射裝置：

Samco (股份有限公司）國際研究所製之ICP高密度電漿裝置 MODEL RIE-10JJPH 照射條件：電漿密度在壓力10毫托耳、輸出800瓦時，氬氣電漿之電漿密度為6. 00 X 1011 [cnr3] 氧（〇2 )電漿照射處理氣體流量：1 6 s c c m RF輸出：800瓦壓力：1 0毫托耳蝕刻時間：3 0分鐘頻率：13.56 MHz cf4電漿照射處理氣體流量：1 6sccm RF輸出：800瓦壓力：1 0毫托耳餘刻時間：3 0分鐘頻率：13. 56 MHz

2066-3549-PF.ptd 第28頁 1237047 五、發明說明（25) NF3電漿照射處理氣體流量：16sccm RF輸出：800瓦壓力：1 0毫托耳蝕刻時間：3 0分鐘頻率：13.56 MHz 照射操作：與實施例3相同。表5 Φ 樣品塡料〇型環之重量變化 (照射時間：30分缓*重量％ ) 氣電漿 CF4電漿 NF3電漿實施例7 塡料1 0.90 0.98 1.03 實施例8 塡料2 0.92 1.08 1.65 比較例10 填料3 0.94 1.12 1.68 比較例11 塡料4 1,39 3.68 5.82 比較例12 填料5 1.2S 3.78 6.31

2066-3549-PF.ptd 第29頁 1237047 五、發明說明（26) 樣品照射30分鐘後之微粒數（xl〇4锢/0螌環）照射前氧電漿 cf4電漿 nf3|電漿實施例7 7.23 12.84 23.53 23.72 實施例S 7.89 13.81 25.12 24.23 比較例10 8.21 78.71 78.69 81.23 比較例11 6.98 23.82 25.81 24.89 比較例12 6.92 92.18 32.28 28.48 由實施例卜8以及比較例1〜12之結果來看，可分述如下首先，由表1的結果（電漿處理中之填料的重量變化 )來看可得知，在除了氧化鋁以外的氧化矽填料4以及化鈦填料5之情況下，得不到對含霞電聚之遮蔽效果。性）=的Λ果（加工性、加硫性以及成型品之機械物法）來看可付知’㉟了在本發明中所使用的氧化以及2以外之填料3〜5其加工性报差，更進#、二利用平均粒徑超過〇 5微平之g* 步來說’可知 r…仏機二:伸= 中生::種 2066-3549-PF.ptd 第30頁 1237047 五、發明說明（27) 性上特別優異。由表3的結果（强地，知’在為除了氧化二外Λ型品之重㈣

般=氣型品亦猶如可由表1之結果來推測 J 3亂冤漿性非常低劣C 用粒ii4較理時之微粒產生數）來看可得知，使粒產生填料3時因為在電裝處理中必須迴避之微上。、夕’故無法使用在半導體製造之超微細加工少以ίί5粒(Λ密/、電浆處理時之彈性體成型品的重量減中;线）來看可發現，在愈高密度之電蒙處理效，此化紹填料之遮蔽效果依然有 :yT知微粒之產生數與表4之傾向相同。米以下、特口〇果得知’ f使用平均粒徑為〇.5微下，彈性體电=物只以下之氧化鋁微粒的本發明情況成型品即使是在高密度電漿環境；um; ?彈性體粒的產生也最少。衣兄下重里鉸化亦很小，且微中所：$ ’ ί發明之成型品乃係具有符合半導體製造領域 2^求之極嚴格的製造環境之最適的物ι ^貝域 l屋業上之可利用性】其耐合了氧化銘微粒之交聯性彈性體組合物，微粒數很少之極嗲淨的本』：f °用朿當作經電漿照射後偎 > 之極潔孕的丰導體製造裝置用之成型品材料的第31頁 2066-3549-PF.ptd 1237047 五、發明說明（28) 彈性體成型物。 2066-3549-PF.ptd 第32頁

Claims

^ I 6 Η (以上各欄由本局填註) 中文發明名稱英文 1237047 發明專利說明書半導體製錢交麟含丽性體组合物 AND CR0SSLINKABLE FLU0RINE-C0NTAINING LAoiuoaLK LUMTOSITION FOR SEMI-CONDUCTOR PRODUCTION APPARATUSES 姓名 (中文）人、明發姓英名幻 1.東野克彥 2·長谷川雅典 3. 田中宏幸丄· 2· 3· 4· 一籍國 Η 居住本一本本本 i虎虎虎虎 -IX 11 1x ^1* 11 11 11 屋屋屋屋 ||^一^一^二^一一二二西西西西市市市市 •^二^二^一一 -^一 |3滓滓3 -Γ&^ΙΓΚΐν 攝攝攝攝 J〆·»·-·〆蠓 J%4 阪阪阪阪大大大大國國國國本本本本 CI曰曰曰 JL.2· 3· 4· 姓名 (』稱） (中文） •大金工業股份有限公司三申請人姓名 4稱) Ihx) 國籍住、居所 (事務所) 1.曰本日本國大阪府大阪市北區中崎西2丁目1番12號梅田中‘ ί·井上禮之代表人姓名 (中文）一·· 一— 代表人姓名 (英文） ΙϋΒΙΙ 2066-3549-PF.ptd 第1頁 1 野口剛 1237047 本案已向國（地區）申請專利日本JP 申請曰期案號1999/11/04 11-314273 主張優先權有有關微生物已寄存於寄存曰期寄存號碼無 ❿ 1^11 2066-3549-PF.ptd 第4頁