JP6702886B2 - 含フッ素エラストマー組成物、成形品、シール材及び装置 - Google Patents
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Description
半導体製造工程では、酸素あるいはフッ化炭素系ガスなどによるプラズマ照射がなされる。そのため、半導体製造装置用シール材は、プラズマ照射を受けて劣化することがある。またプラズマ照射を受けたシール材の表面が脆くなり、劣化物あるいは脆化物が飛散してシリコンウェハー上に付着するなどの不具合が生じることがある。したがって、半導体製造装置用シール材としては、耐熱性などの上記特性に加えて耐プラズマ性も要求される。
(2) 含フッ素エラストマーが、パーフルオロエラストマーを有する前項(1)に記載の含フッ素エラストマー組成物。
(3) 架橋用添加剤をさらに含む前項(1)または(2)に記載の含フッ素エラストマー組成物。
(4) 含フッ素エラストマーとフラーレンと架橋用添加剤とからなる前項(3)に記載の含フッ素エラストマー組成物。
(5) 前項(1)〜(4)のいずれかに記載の組成物を架橋した成形品。
(6) 前項(5)に記載の成形品からなるシール材。
(7) 前項(5)に記載の成形品または(6)に記載のシール材が組み込まれた装置。
本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物は、含フッ素エラストマーと、含フッ素エラストマー100質量部に対して0.0001質量部〜3質量部のフラーレンとを含んでいる。また本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物は、特に発塵を生じやすいシリカ、アルミナ、チタニアから選ばれる少なくとも1種からなるフィラーを含まない。さらに、他のフィラーをも含まないことが、より発塵を抑えるために好ましい。
本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物は、含フッ素エラストマーとフラーレンとを混合することにより得られる。混合方法は、特に限定されないが、例えば、ドライブレンドして溶融混練する方法、含フッ素エラストマー重合時にフラーレンを混合する方法、溶剤にフラーレンと含フッ素エラストマーとを溶解し、溶解後溶媒を除去する方法がある。その中でも溶剤にフラーレンと含フッ素エラストマーとを溶解し、溶解後溶媒を除去する方法が、フラーレンの凝集粒子が生じ難く好ましい。含フッ素エラストマーとフラーレンとを混合するのは、含フッ素エラストマーの架橋前が好ましく、特に含フッ素エラストマーが生ゴムの段階で混合するのがより好ましい。
フラーレンはラジカルを捕捉する働きがあり、プラズマ照射時に発生するラジカルを捕捉するため含フッ素エラストマーの劣化を抑制する効果がある。
含フッ素エラストマー組成物において、フラーレンの添加量が多くなると、シリカ、アルミナ又はチタニア程ではないが、フラーレンが凝集することがある。フラーレンが凝集すると、フラーレン添加量に対するラジカル捕捉性能が低下する。また大きな凝集粒子は、飛散粒子になりやすく不具合が生じる恐れが高まる。そのため、含フッ素エラストマー100質量部に対するフラーレンの含有量は、0.0001質量部〜4質量部、好ましくは0.001質量部〜3質量部、より好ましくは0.1質量部〜2質量部である。フラーレンの含有量が上記の範囲内であれば、高い耐プラズマ性を得ることができると共に、飛散粒子の発生を避けることができる。なお、フラーレンの含有量が4質量部より多くても、添加量に応じた耐プラズマ性の向上効果が得られることはない。
本発明の一態様に係る含有フッ素エラストマー組成物に好適に使用され得る含フッ素エラストマーとしては、フッ素ゴムおよびフッ素ゴムからなるゴム組成物などが挙げられる。
本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物には、必要に応じて、架橋のための架橋用添加剤を含有させることができる。架橋用添加剤は、架橋剤を含み、さらに、架橋促進剤、加工助剤及び受酸剤から選ばれる少なくとも1種の添加剤等を含んでいてもよい。
本発明の一態様に係る成形品は、本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物および必要に応じて上記添加剤等の成形用材料を混合し、架橋成形して得られる。また、本発明の一態様に係る成形品は、本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物でエラストマー性成形物を被覆し架橋した被覆成形品であってもよい。本発明の一態様に係る含フッ素エラストマー組成物は、各種成形品の成形材料としてだけでなく、コーティング材料としても有用である。
本発明の一態様に係る成形品は、特にシール材として好ましく用いられ、装置に組み込まれて使用されることに適する。シール材は、一般にその適用箇所が可動部材であるか固定部材であるかによって、パッキン、ガスケットと呼ばれたり、またその形状からOリング、Dリング、Uパッキン、Vパッキンなどと呼ばれたりすることがある。
本発明の一態様に係る成形品は、耐プラズマ性に優れるため、一般にエラストマーが使用される成形品においても好適に使用することができ、長期に渡って発塵を抑制することが出来る。
O−リングに以下の条件下でプラズマ照射し、精密天秤で質量を測定した。この質量と照射前にあらかじめ測定しておいた質量と比較した。
O−リングに以下の条件下でプラズマ照射した。照射後の試料を25℃で1時間超純水中超音波をかけてO−リング表面に付着している粒子を水中に取り出した。液中パーティクルカウンター(LiQuilaz-S05-HF(PMS社製))を用いて粒径1μm以上の粒子数を測定した。超音波を照射せずに同様にして測定した粒子数をブランク値とした。
プラズマ照射雰囲気:酸素プラズマまたはCF4プラズマ
放電電力:150W
周波数:13.56MHz
圧力:40Pa
照射時間:5時間
フラーレン(フロンティアカーボン社製 nanom(登録商標) mix ST; C60を主成分としてC70以上の高次フラーレンを含む混合物)1質量部をヘキサフルオロベンゼン1600質量部に添加し、超音波を照射しながら3時間撹拌し、フラーレン溶液を得た。フラーレン溶液には未溶解部分がないことを目視で確認した。フラーレン溶液に含フッ素エラストマー(ダイエル(登録商標)パーフロGA−105)を100質量部加え、さらに超音波を照射しながら24時間撹拌を継続し、フラーレン含有含フッ素エラストマー溶液を得た。この溶液からロータリエバポレーターで溶媒を除去し、フラーレン含有含フッ素エラストマーを得た。
フラーレンの添加量を表1に示す量に変更した以外は、実施例1と同様に実施した。結果を表1に示す。
フラーレンを添加しなかった以外は、実施例1と同様に調製し、含フッ素エラストマー組成物を得た。結果を表1に示す。
フラーレンの代わりに、シリカ、アルミナあるいはチタニアからなるフィラーを各々混合した以外は実施例1と同様に実施した。結果を表1に示す。
Claims (7)
- プラズマ照射装置を備えた半導体製造装置用のシール材に用いることができる含フッ素エラストマー組成物であって、
含フッ素エラストマーと、
前記含フッ素エラストマー100質量部に対して0.0001〜3質量部のフラーレンと、を含み、
シリカ、アルミナ及びチタニアから選ばれる少なくとも1種からなるフィラーを含まない、含フッ素エラストマー組成物。 - 前記含フッ素エラストマーが、パーフルオロエラストマーを有する請求項1に記載の含フッ素エラストマー組成物。
- 架橋用添加剤をさらに含む請求項1または2に記載の含フッ素エラストマー組成物。
- 含フッ素エラストマーとフラーレンと架橋用添加剤とからなる請求項3に記載の含フッ素エラストマー組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の組成物を架橋した成形品。
- 請求項5に記載の成形品を用いたシール材。
- 請求項5に記載の成形品又は請求項6に記載のシール材が組み込まれた装置。
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