TWI693258B - 組成物以及成形品 - Google Patents
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Abstract
本發明為提供一種賦予耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化較小之成形品之組成物。本發明為一種組成物,其特徵為包含:含氟聚合物以及具有特定構造之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物。
Description
[0001] 本發明為關於一種包含含氟聚合物之組成物以及由其所得之成形品。
[0002] 含氟彈性體,尤其是包含四氟乙烯(TFE)單位之全氟彈性體由於顯示優異之耐藥品性、耐溶劑性以及耐熱性,故在航空宇宙領域、半導體製造裝置領域、化學工廠領域等嚴峻的環境下廣泛地作為密封材等來使用。 [0003] 且,為了使密封材所要求之特性提升,熟知在含氟彈性體中添加充填材。 [0004] 專利文獻1中,為了提供一種耐熱性、低氣體透過性、以及即使在氧或CF4
環境下等經電漿照射也具有安定性,且不會發塵之半導體製造裝置用密封元件,有提案對氟系彈性體100重量份添加二氧化矽1~50重量份以及有機過氧化物1~10重量份。 [0005] 專利文獻2中,為了使耐電漿性提升,並同時降低電漿照射後之微粒產生,有提案於交聯性氟系彈性體成分中添加平均粒子徑為0.5μm以下之氧化鋁微粒子。 [0006] 專利文獻3中,以提供一種能夠過氧化加硫之含氟彈性體的白色摻混組成物,且不會使壓縮永久變形惡化之組成物作為目的,有提案於含氟彈性體中添加4~5重量%水溶液之pH為9~12之超微粒子白碳。 [0007] 專利文獻4中,以提供一種如乾蝕刻裝置內部般地直接曝露在電漿之環境下,且維持耐熱性、加工性,進而在半導體之製造步驟中對受曝露之氟系電漿以及氧電漿的重量變化較小,於此等之處理中不會有異物(微粒)產生之含氟彈性體組成物為目的,有提案於含氟彈性體中添加選自由異吲哚啉酮系顏料、喹吖酮系顏料、二酮吡咯並吡咯系顏料、蔥醌系顏料、胺系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑以及磷系抗氧化劑所構成群中至少1種。 [0008] 專利文獻5中有記載一種填料,其係作為於氧電漿照射以及CF4
電漿照射之任一者中重量變化也較小之填料,且由主鏈中具有醯胺鍵結之合成高分子化合物或具有醯亞胺鍵結之合成高分子化合物而成。且,亦有記載將此填料摻混於交聯性彈性體中。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0009] [專利文獻1]日本特開平06-302527號公報 [專利文獻2]國際公開第01/032782號 [專利文獻3]日本特開平2-219848號公報 [專利文獻4]國際公開第2004/094527號 [專利文獻5]國際公開第00/64980號
[本發明欲解決之課題] [0010] 然而,需求一種更能夠對應半導體裝置之微細化之技術。 [0011] 本發明之目的為有鑑於上述現狀,提供一種賦予耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化較小之成形品之組成物以及耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化也較小之成形品。 [解決課題之手段] [0012] 本發明者們進行縝密探討後發現,將具有特定構造之半矽氧烷之超枝化聚合物作為填料使用時,所得之成形品其耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化較小。 [0013] 亦即,本發明為一種組成物,其特徵為包含含氟聚合物以及一般式(1)所表示之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物, 一般式(1):(一般式(1)中,R1
~R8
各自獨立為氫原子、鹵原子或有機基,R1
~R8
之至少1個為有機基),且上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物在分子量中具有分布較佳。 [0014] 上述一般式(1)中,R1
~R8
各自獨立包含一般式(2)所表示之末端基T較佳。 一般式(2):(式中,X1
及X2
各自獨立為-NH2
、-OH、-SH、-H、 -NH-CO-CF3
或下述式所表示之基)。 [0015] 上述一般式(1)中,R1
~R8
包含式(3-1)所表示之2價之基B1較佳。 式(3-1):[0016] 上述含氟聚合物為含氟彈性體較佳。 [0017] 本發明之組成物中,相對於含氟聚合物100質量份為包含0.5~100質量份之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物較佳。 [0018] 本發明之組成物進一步包含交聯劑較佳。 [0019] 本發明之組成物為成形材料較佳。 [0020] 本發明亦為由上述組成物所得之成形品。 [發明效果] [0021] 本發明之組成物由於具有上述構成,故由本發明之組成物所得之成形品,其耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化較小。 [0022] 本發明之成形品由於具有上述構成,故耐熱性優異,進一步在半導體之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化較小。
[0023] 以下具體說明本發明。 [0024] 本發明之組成物,其特徵為包含含氟聚合物以及具有特定構造之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物。 [0025] 作為上述含氟聚合物,以密封元件性、耐藥品性以及耐熱性較優異來看,為含氟彈性體較佳。 [0026] 作為上述含氟彈性體,亦可為部分氟化彈性體,亦可為全氟彈性體,但以耐藥品性、耐熱性更優異之觀點來看,使用全氟彈性體較佳。 [0027] 作為部分氟化彈性體,有舉出二氟乙烯(VdF)系氟橡膠、四氟乙烯(TFE)/丙烯(Pr)系氟橡膠、四氟乙烯(TFE)/丙烯/二氟乙烯(VdF)系氟橡膠、乙烯/六氟丙烯(HFP)系氟橡膠、乙烯/六氟丙烯(HFP)/二氟乙烯(VdF)系氟橡膠、乙烯/六氟丙烯(HFP)/四氟乙烯(TFE)系氟橡膠等。其中,選自由二氟乙烯系氟橡膠以及四氟乙烯/丙烯系氟橡膠所成群中至少1種較佳。 [0028] 上述二氟乙烯系氟橡膠係由二氟乙烯45~85莫耳%與、能夠與二氟乙烯共聚合之至少1種其他單體55~15莫耳%所成之共聚合物較佳。較佳係由二氟乙烯50~80莫耳%、與能夠與二氟乙烯共聚合之至少1種其他單體50~20莫耳%所成之共聚合物。 [0029] 本說明書中,構成氟聚合物之各單體的含量能夠依照單體的種類適當地組合NMR、FT-IR、元素分析、螢光X線分析來算出。 [0030] 作為上述能夠與二氟乙烯共聚合之至少1種其他單體,有舉出四氟乙烯〔TFE〕、六氟丙烯〔HFP〕、氟烷基乙烯醚、氯三氟乙烯〔CTFE〕、三氟乙烯、三氟丙烯、五氟丙烯、三氟丁烯、四氟異丁烯、六氟異丁烯、氟化乙烯、一般式(6):CH2
=CFRf61
(式中,Rf61
為碳數1~12之直鏈或分支之氟烷基)所表示之氟單體、一般式(7):CH2
=CH-(CF2
)n
-X2
(式中,X2
為H或F,n為3~10之整數)所表示之氟單體、賦予交聯部位之單體等之單體;乙烯、丙烯、烷基乙烯醚等之非氟化單體。能夠分別單獨使用此等,或任意組合此等來使用。此等之中,使用選自由TFE、HFP、氟烷基乙烯醚以及CTFE所成群中至少1種較佳。 [0031] 作為氟烷基乙烯醚,係選自由 一般式(8):CF2
=CF-ORf81
(式中,Rf81
表示數1~8之全氟烷基)所表示之氟單體、 一般式(10):CF2
=CFOCF2
ORf101
(式中,Rf101
為碳數1~6之直鏈或分支狀全氟烷基、碳數5~6之環式全氟烷基、包含1~3個氧原子之碳數2~6之直鏈或分支狀全氟氧基烷基)所表示之氟單體、以及 一般式(11):CF2
=CFO(CF2
CF(Y11
)O)m
(CF2
)n
F (式中,Y11
表示氟原子或三氟甲基,m為1~4之整數,n為1~4之整數)所表示之氟單體所成群中至少1種較佳,係一般式(8)所表示之氟單體再較佳。 [0032] 作為二氟乙烯系氟橡膠之具體例,有舉出VdF/HFP系橡膠、VdF/HFP/TFE系橡膠、VdF/CTFE系橡膠、VdF/CTFE/TFE系橡膠、VDF/一般式(6)所表示之氟單體系橡膠、VDF/一般式(6)所表示之氟單體/TFE系橡膠、VDF/全氟(甲基乙烯醚)〔PMVE〕系橡膠、VDF/PMVE/TFE系橡膠、VDF/PMVE/TFE/HFP系橡膠等。作為VDF/一般式(6)所表示之氟單體系橡膠,為VDF/CH2
=CFCF3
系橡膠較佳,作為VDF/一般式(6)所表示之氟單體/TFE系橡膠,為VDF/TFE/CH2
=CFCF3
系橡膠較佳。 [0033] 上述VDF/CH2
=CFCF3
系橡膠係由VDF40~99.5莫耳%以及CH2
=CFCF3
0.5~60莫耳%所成之共聚合物較佳,由VDF50~85莫耳%以及CH2
=CFCF3
15~50莫耳%所成之共聚合物再較佳。 [0034] 上述四氟乙烯/丙烯系氟橡膠係由四氟乙烯45~70莫耳%、丙烯55~30莫耳%以及給予交聯部位之氟單體0~5莫耳%所成之共聚合物較佳。 [0035] 上述含氟彈性體亦可為全氟彈性體。作為上述全氟彈性體,係包含TFE之全氟彈性體,例如選自由TFE/一般式(8)、(10)或(11)所表示之氟單體共聚合物以及TFE/一般式(8)、(10)或(11)所表示之氟單體/給予交聯部位之單體共聚合物所成群中至少1種較佳。 其組成為TFE/PMVE共聚合物時,較佳為45~90/10~55(莫耳%),再較佳為55~80/20~45,更較佳為55~70/30~45。 為TFE/PMVE/給予交聯部位之單體共聚合物時,較佳為45~89.9/10~54.9/0.01~4(莫耳%),再較佳為55~77.9/20~49.9/0.1~3.5,更較佳為55~69.8/30~44.8/0.2~3。 為TFE/碳數為4~12之一般式(8)、(10)或(11)所表示之氟單體共聚合物時,較佳為50~90/10~50(莫耳%),再較佳為60~88/12~40,更較佳為65~85/15~35。 為TFE/碳數為4~12之一般式(8)、(10)或(11)所表示之氟單體/給予交聯部位之單體共聚合物時,較佳為50~89.9/10~49.9/0.01~4(莫耳%),再較佳為60~87.9/12~39.9/0.1~3.5,更較佳為65~84.8/15~34.8/0.2~3。 若在此等之組成範圍之外,則作為橡膠彈性體之性質會喪失,有成為接近樹脂之性質的傾向。 [0036] 作為上述全氟彈性體,選自由TFE/一般式(11)所表示之氟單體/給予交聯部位之氟單體共聚合物、TFE/一般式(11)所表示之全氟乙烯醚共聚合物、TFE/一般式(8)所表示之氟單體共聚合物以及TFE/一般式(8)所表示之氟單體/給予交聯部位之單體共聚合物所成群中至少1種較佳。 [0037] 作為上述全氟彈性體,亦有舉出國際公開第97/24381號、日本特公昭61-57324號公報、日本特公平4-81608號公報、日本特公平5-13961號公報等所記載之全氟彈性體。 [0038] 給予交聯部位之單體意指具有交聯性基之單體(cure-site monomer),該交聯性基係對氟聚合物給予用來以交聯劑而形成交聯之交聯部位。 [0039] 作為給予交聯部位之單體,係選自由 一般式(12):CX3 2
=CX3
-Rf 121
CHR121
X4
(式中,X3
為氫原子、氟原子或CH3
,Rf 121
為氟伸烷基、全氟伸烷基、氟(聚)氧基伸烷基或全氟(聚)氧基伸烷基,R121
為氫原子或CH3
,X4
為碘原子或溴原子)所表示之氟單體、 一般式(13):CX3 2
=CX3
-Rf 131
X4
(式中,X3
為氫原子、氟原子或CH3
,Rf 131
為氟伸烷基、全氟伸烷基、氟聚氧基伸烷基或全氟聚氧基伸烷基,X4
為碘原子或溴原子)所表示之氟單體、 一般式(14):CF2
=CFO(CF2
CF(CF3
)O)m
(CF2
)n
-X5
(式中,m為0~5之整數,n為1~3之整數,X5
為氰基、羧基、烷氧基羰基、碘原子、溴原子或-CH2
I)所表示之氟單體以及 一般式(15):CH2
=CFCF2
O(CF(CF3
)CF2
O)m
(CF(CF3
))n
-X6
(式中,m為0~5之整數,n為1~3之整數,X6
為氰基、羧基、烷氧基羰基、碘原子、溴原子或-CH2
OH)所表示之氟單體以及 一般式(16):CR162
R163
=CR164
-Z-CR165
=CR166
R167
(式中,R162
、R163
、R164
、R165
、R166
以及R167
為相同或相異之氫原子或碳數1~5之烷基。Z為直鏈或分支狀且亦可具有氧原子之碳數1~18之伸烷基、碳數3~18之環伸烷基、至少部分有氟化之碳數1~10之伸烷基或者氧基伸烷基或 -(Q)p
-CF2
O-(CF2
CF2
O)m
(CF2
O)n
-CF2
-(Q)p
- (式中,Q為伸烷基或氧基伸烷基。p為0或1。m/n為0.2~5)所表示,且分子量為500~10000之(超)氟聚氧基伸烷基)所表示之單體所成群中至少1種較佳。 [0040] X3
為氟原子較佳。Rf121
以及Rf131
為碳數1~5之全氟伸烷基較佳。R121
為氫原子較佳。X5
為氰基、烷氧基羰基、碘原子、溴原子或-CH2
I較佳。X6
為氰基、烷氧基羰基、碘原子、溴原子或-CH2
OH較佳。 [0041] 作為給予交聯部位之單體,係選自由CF2
=CFOCF2
CF(CF3
)OCF2
CF2
CN、CF2
=CFOCF2
CF(CF3
)OCF2
CF2
COOH、CF2
=CFOCF2
CF(CF3
)OCF2
CF2
CH2
I、CF2
=CFOCF2
CF2
CH2
I、CH2
=CFCF2
OCF(CF3
)CF2
OCF(CF3
)CN、CH2
=CFCF2
OCF(CF3
)CF2
OCF(CF3
)COOH、CH2
=CFCF2
OCF(CF3
)CF2
OCF(CF3
)CH2
OH、CH2
=CHCF2
CF2
I、CH2
=CH(CF2
)2
CH=CH2
、CH2
=CH(CF2
)6
CH=CH2
以及CF2
=CFO(CF2
)5
CN所成群中至少1種較佳,選自由CF2
=CFOCF2
CF(CF3
)OCF2
CF2
CN以及CF2
=CFOCF2
CF2
CH2
I所成群中至少1種再較佳。 [0042] 上述含氟彈性體以高溫下之壓縮永久變形特性較優之觀點來看,玻璃轉移溫度為-70℃以上較佳,為 -60℃以上再較佳,為-50℃以上更較佳。且,以耐寒性良好之觀點來看,為5℃以下較佳,為0℃以下再較佳,為 -3℃以下更較佳。 [0043] 上述玻璃轉移溫度能夠使用示差掃描型熱量計(Mettler-Toledo 公司製、DSC822e),藉由將試料10mg以10℃/min升溫,得到DSC曲線,作為表示DSC曲線之二次轉移前後的基準線之延長線與DSC曲線之反曲點中的接線之2個交點的中點之溫度來求出。 [0044] 上述含氟彈性體以耐熱性良好之觀點來看,170℃中之木尼黏度ML(1+20)為30以上較佳,為40以上再較佳,為50以上更較佳。且,以加工性良好之觀點來看,為150以下較佳,為120以下再較佳,為110以下更較佳。 [0045] 上述含氟彈性體以耐熱性良好之觀點來看,140℃中之木尼黏度ML(1+20)為30以上較佳,為40以上再較佳,為50以上更較佳。且,以加工性良好之觀點來看,為180以下較佳,為150以下再較佳,為110以下更較佳。 [0046] 上述含氟彈性體以耐熱性良好之觀點來看,100℃中之木尼黏度ML(1+10)為10以上較佳,為20以上再較佳,為30以上更較佳。且,以加工性良好之觀點來看,為120以下較佳,為100以下再較佳,為80以下更較佳。 [0047] 上述木尼黏度能夠使用ALPHA TECHNOLOGIES公司製 木尼黏度計MV2000E型,並於170℃或140℃、100℃中,根據JIS K6300來測定。 [0048] 上述部分氟化彈性體以及全氟彈性體能夠以常法來製造,但所得之聚合物其分子量分布較窄,以分子量之控制較容易之觀點來看,以能夠在末端導入碘原子或溴原子之觀點來看,亦能夠使用碘化合物或溴化合物作為鏈轉移劑。作為使用碘化合物或溴化合物來進行之聚合方法,有舉例如以實質上無氧狀態,於碘化合物或溴化合物之存在下,一邊加壓一邊在水媒體中進行乳化聚合之方法(碘移動聚合法)。作為使用之碘化合物或溴化合物之代表例,有舉例如一般式: R13
Ix
Bry
(式中,x以及y各自為0~2之整數,且滿足1≦x+y≦2,R13
為碳數1~16之飽和或不飽和之氟烴基或氯氟烴基、或碳數1~3之烴基,亦可包含氧原子)所表示之化合物。藉由使用碘化合物或溴化合物,能將碘原子或溴原子導入聚合物,作為交聯點之功能。 [0049] 作為碘化合物以及溴化合物,有舉例如1,3-二碘全氟丙烷、2-碘全氟丙烷、1,3-二碘-2-氯全氟丙烷、1,4-二碘全氟丁烷、1,5-二碘-2,4-二氯全氟戊烷、1,6-二碘全氟己烷、1,8-二碘全氟辛烷、1,12-二碘全氟十二烷、1,16-二碘全氟十六烷、二碘甲烷、1,2-二碘乙烷、1,3-二碘-n-丙烷、CF2
Br2
、BrCF2
CF2
Br、CF3
CFBrCF2
Br、CFClBr2
、BrCF2
CFClBr、CFBrClCFClBr、BrCF2
CF2
CF2
Br、BrCF2
CFBrOCF3
、1-溴-2-碘全氟乙烷、1-溴-3-碘全氟丙烷、1-溴-4-碘全氟丁烷、2-溴-3-碘全氟丁烷、3-溴-4-碘全氟丁烯-1、2-溴-4-碘全氟丁烯-1、苯之單碘單溴取代物、二碘單溴取代物、以及(2-碘乙基)及(2-溴乙基)取代物等,此等之化合物亦能夠單獨使用,亦可相互組合來使用。 [0050] 此等中,以聚合反應性、交聯反應性、取得容易性等之觀點來看,使用1,4-二碘全氟丁烷、1,6-二碘全氟己烷、2-碘全氟丙烷較佳。 [0051] 本發明之組成物包含一般式(1)所表示之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物。藉由包含上述超枝化聚合物,本發明之組成物。能夠賦予一種成形品,其係耐熱性優異,進而對氧電漿之重量變化較小。且,若包含上述超枝化聚合物,則能夠將對氟系電漿之重量變化變小。 [0052] 一般式(1): [0053](一般式(1)中,R1
~R8
各自獨立為氫原子、鹵原子或有機基,R1
~R8
之至少1個為有機基)。 [0054] 上述有機基為烷基、烷氧基或苯基較佳。 上述烷基以及烷氧基之碳數為1~1000較佳,為1~600再較佳,為1~400更較佳。且,碳數為2以上時,2個碳原子亦可以醯胺鍵結、醯亞胺鍵結、酯鍵結、氨基甲酸乙酯鍵結、碳酸酯鍵結等鍵結。 [0055] 上述R1
~R8
亦可包含芳香族環等之環狀構造。且,上述R1
~R8
亦可包含胺基、硝基、羧基、磺基、羥基、乙烯基、環氧基、矽烷基、異氰酸酯基等。 上述苯基亦可經1個以上取代基取代。 [0056] R1
~R8
包含芳香族環等之環狀構造較佳。 R1
~R8
藉由包含芳香族環等之環狀構造,由於能在籠型半矽氧烷格子之頂點放射狀地配置剛直的構造,故耐熱性、耐電漿性較優異。 [0057] 上述R1
~R8
包含伸烷基、氧基伸烷基或 -C6
H4
-NH-所表示之2價之基、與2~6價之苯環再較佳。上述苯環為3價更較佳。上述伸烷基以及氧基伸烷基之碳數亦可各自為1~10,為1~5較佳。 且,本說明書中記載作「n價之苯環」時,意指苯環之n個氫原子經其他有機基取代。 [0058] 上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物通常在分子量與分子構造存在分布。超枝化聚合物,其分支較不規則,另一方面,相較於自核心開始規則正確地完全為樹狀分支之樹枝狀聚合物(單一分子量之高分子,且不存在分子量分布),非常容易合成。上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物之分子量分布(Mw/Mn)亦可為1~20,超過1較佳,為2以上再較佳。 上述分子量分布能夠藉由膠體浸透色層分析來求出。 [0059] 上述超枝化聚合物以溶解性之觀點來看,具有2,000~300,000之數平均分子量較佳。再較佳為4,000~30,000。 上述數平均分子量能夠藉由膠體浸透色層分析來求出。 [0060] 上述超枝化聚合物具有高度分支的分子構造,且為非晶質。且,具有多數能夠導入機能性基之鏈末端。 上述超枝化聚合物相較於使具有多官能基之單體以每一個階段來進行化學反應,使其形成規則的分支構造(具有將核心部分於中心複數分支之鏈狀部分之構造)之樹枝狀聚合物,能夠一口氣地自單體開始以縮聚來製造,故比樹枝狀聚合物更容易製造。且,製造成本也較低價。 進而,藉由適當地調整合成條件,能夠控制分支數,也容易實施因應用途之分子設計。 [0061] 上述超枝化聚合物具有籠型半矽氧烷骨架作為核心,具有R1
~R8
作為超枝。 上述組成物若包含籠型半矽氧烷之超枝化聚合物,則能夠得到在半導體裝置之製造步驟中對受曝露之氧電漿以及氟系電漿的重量變化也較小之成形品。且,藉由控制分支數,也具有能夠控制分子大小之優點。 [0062] 作為上述超枝化聚合物,一般式(1)中,R1
~R8
各自獨立包含一般式(2)所表示之末端基T較佳。 [0063] 一般式(2): [0064][0065] 一般式(2)中,X1
以及X2
各自獨立為-NH2
、 -OH、-SH、-H、-NH-CO-CF3
或下述式 [0066][0067] 所表示之基,為-NH2
較佳。 [0068] 上述R1
~R8
為包含下述式:所表示之末端基T之有機基較佳。式中,R9
為相同或相異,為-NH2
、-NHR10
、-OH或-SH,R10
為氟原子或1價之有機基)。 作為上述R10
中之1價之有機基,有舉例如脂肪族烴基、苯基或苄基。具體來說,例如R10
之至少1個為-CH3
、-C2
H5
、-C3
H7
等之碳數1~10,尤其是1~6之低級烷基; -CF3
、-C2
F5
、-CH2
F、-CH2
CF3
、-CH2
C2
F5
等之碳數1~10,尤其是1~6之含氟原子之低級烷基;苯基;苄基; -C6
F5
、-CH2
C6
F5
等之氟原子經1~5個氫原子取代之苯基或苄基;-C6
H5-n
(CF3
)n
、-CH2
C6
H5-n
(CF3
)n
(n為1~5之整數)等之-CF3
經1~5個氫原子取代之苯基或苄基較佳。 由於交聯反應性良好,故上述R9
為-NH2
或-OH較佳,為-NH2
再較佳。 [0069] 上述末端基T之苯基中,-NH2
與R9
若位於鄰位,則上述超枝化聚合物亦會作為交聯劑來作用。因此,不需使用如後述之一般的交聯劑,能夠賦予耐熱性以及耐電漿性更加優異之成形品。 [0070] 將上述超枝化聚合物作為交聯劑來使用時,上述含氟聚合物為由包含基於上述給予交聯部位之氟單體之聚合單位而成之共聚合物較佳,上述給予交聯部位之氟單體為具有氰基之單量體再較佳。 [0071] 作為上述末端基T,為下述式 [0072][0073] 所表示之基、下述式[0074] 所表示之基、下述式 [0075][0076] 所表示之基或下述式 [0077][0078] 所表示之基再較佳。 [0079] 作為上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物,有舉出一般式(1)中,R1
~R8
包含下式所表示之2價之基B1者。 [0080][0081] 式中,L為-NH-CO-、-O-CO-、-O-、-CO-或 -OCH2
-所表示之2價之基。L為-NH-CO-所表示之2價之基較佳。式中,X3
與上述X1
以及X2
相同。式中,X3
為-NH2
較佳。 [0082] 上述2價之基B1為式(3-1)所表示者較佳。 [0083] 式(3-1): [0084][0085] 上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物亦可為一般式(1)中,R1
~R8
包含下式所表示之3價之基B2者。 [0086][0087] 式中,L1
以及L2
各自獨立為-NH-CO-、-O-CO-、-O-、-CO-或-OCH2
-所表示之2價之基。L1
以及L2
為-NH-CO-所表示之2價之基較佳。 [0088] 上述3價之基B2為式(3-2)所表示者較佳。 [0089] 式(3-2): [0090][0091] 作為上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物,為一般式(1)中,上述R1
~R8
之至少1個包含2價之基B1者或包含3價之基B2之L1
以及L2
之任一者鍵結於末端基T,且另一側有鍵結2價之基B1或3價之基B2之構造者較佳。 [0092] 上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物為2價之基B1或3價之基B2介隔著下述式: [0093]所表示之2價之基A1、或-(CH2
)l
-NH-CO-(l為1~5之整數)所表示之2價之基A2鍵結於籠型半矽氧烷之矽原子者較佳、2價之基B1或3價之基B2介隔著上述2價之基A1或A2鍵結於籠型半矽氧烷之矽原子,且末端基T介隔著2價之基B1或3價之基B2鍵結於2價之基A1或A2者較佳。複數2價之基B1或3價之基B2亦可鍵結。 [0094] 以溶解性之觀點來看,上述R1
~R8
包含合計為1~250個2價之基B1以及3價之基B2較佳,包含1~60個再較佳。 [0095] 作為R1
~R8
,有舉例如具有以下構造者。以下式中A為上述A1或A2。式中B為2價之基時,為2價之基B1,為3價之基時,為3價之基B2。 [0096][0097][0098][0099] 作為例,下述表示超枝化聚合物所具有之R1
~R8
之構造的具體例。 [0100][0101] 式中,A、X1
、X2
、X3
以及L與上述相同。 以下更表示具體的例。 [0102]且,上述R1
~R8
之任一者亦可具有以下構造。 [0103][0104][0105][0106][0107][0108] 上述超枝化聚合物能夠藉由一邊於籠型半矽氧烷漸漸地少量添加具有多官能基之單體,一邊使其反應所得。且,使籠型半矽氧烷與具有多官能基之單體混合後,能夠藉由使其反應所得。 [0109] 上述組成物中,相對於上述含氟聚合物100質量份包含0.5~100質量份之上述籠型半矽氧烷之超枝化聚合物較佳。再較佳為5~50質量份,更較佳為5~25質量份。籠型半矽氧烷之超枝化聚合物若過少,則缺乏補強性,籠型半矽氧烷之超枝化聚合物若過多,則較硬且密封元件性會降低。 [0110] 上述組成物進一步包含交聯劑較佳。作為上述交聯劑,有舉出在過氧化交聯、多元醇交聯、多胺交聯、三嗪交聯、噁唑交聯、咪唑交聯以及噻唑交聯中所使用之交聯劑。 [0111] 過氧化交聯中所使用之交聯劑,只要是在熱或氧化還原系之存在下能夠容易產生過氧自由基之有機過氧化物即可,具體來說能夠舉例如1,1-雙(t-丁基過氧基)-3,5,5-三甲基環己烷、2,5-二甲基己烷-2,5-二氫過氧化物、二-t-丁基過氧化物、t-丁基異丙苯基過氧化物、二異丙苯基過氧化物、α,α-雙(t-丁基過氧基)-p-二異丙基苯、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧基)己烷、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基過氧基)-己烯-3、苯甲醯基過氧化物、t-丁基過氧基苯、2,5-二甲基-2,5-二(苯甲醯基過氧基)己烷、t-丁基過氧基馬來酸酯、t-丁基過氧基異丙基碳酸酯、1,3-雙(t-丁基過氧基異丙基)苯等。一般考慮到活性-O-O-之量、分解溫度等,來選擇有機過氧化物之種類以及使用量。 [0112] 且,作為此時能夠使用之交聯助劑,只要是對過氧自由基與聚合物自由基具有反應活性之化合物即可,有舉例如具有CH2
=CH-、CH2
=CHCH2
-、CF2
=CF-等之官能基之多官能性化合物。具體來說有舉例如三烯丙基氰尿酸酯、三烯丙基異氰尿酸酯(TAIC)、1,3,5-三丙烯醯基六氫-1,3,5-三嗪、三烯丙基偏苯三酸酯、N,N’-n-伸苯基雙馬來醯亞胺、二丙基對苯二甲酸酯、二烯丙基苯二甲酸酯、三烯丙基對苯二甲酸醯胺、三烯丙基膦酸酯、雙馬來醯亞胺、氟化三烯丙基異氰尿酸酯(1,3,5-參(2,3,3-三氟-2-丙烯基)-1,3,5-三嗪2,4,6-三酮)、參(二烯丙基胺)-S-三嗪、亞磷酸三烯丙酯、N,N-二烯丙基丙烯酸醯胺、1,6-二乙烯基十二基氟己烷等。 [0113] 作為多元醇交聯所使用之交聯劑,有舉出雙酚A、雙酚AF等之多元醇化合物。 [0114] 作為多胺交聯所使用之交聯劑,有舉出六亞甲基二胺氨基甲酸酯、N,N’-二亞肉桂基-1,6-己烷二胺、4,4’-雙(胺基環己基)甲烷氨基甲酸酯等之多元胺化合物。 [0115] 作為三嗪交聯所使用之交聯劑,有舉出四苯基錫、三苯基錫等之有機錫化合物。 [0116] 作為噁唑交聯系、咪唑交聯系、噻唑交聯系所使用之交聯劑,有舉例如一般式(20): [0117][0118] (式中,R4
為-SO2
-、-O-、-CO-、碳數1~6之伸烷基、碳數1~10之全氟伸烷基或單鍵或 [0119][0120] 所表示之基,R5
以及R6
中一者為-NH2 ,
另一者為-NHR7
、-NH2
、-OH或-SH,R7
為氫原子、氟原子或一價之有機基,較佳為R5
為-NH2
,R6
為-NHR7
。作為碳數1~6之伸烷基的較佳具體例,能夠舉出亞甲基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基等,作為碳數1~10之全氟伸烷基,有舉出 [0121][0122] 等。且,此等之化合物係在日本特公平2-59177號公報、日本特開平8-120146號公報等中作為雙二胺基苯基化合物之例示所熟知者)所表示之雙二胺基苯基系交聯劑、雙胺基酚系交聯劑、雙胺基硫酚系交聯劑、一般式(21): [0123][0124] 所表示之雙醯胺脒腙系交聯劑、一般式(22): [0125][0126] (式中,Rf 3
為碳數1~10之全氟伸烷基)、或一般式(23): [0127][0128] (式中,n為1~10之整數)所表示之雙醯胺肟系交聯劑等。此等之雙胺基酚系交聯劑、雙胺基硫酚系交聯劑或雙二胺基苯基系交聯劑等係以往將氰基作為交聯點之交聯系所使用者,但也會與羧基以及烷氧基羰基反應,形成噁唑環、噻唑環、咪唑環,賦予交聯物。 [0129] 作為特別佳之交聯劑,有舉出具有複數個3-胺基-4-羥基苯基或3-胺基-4-巰基苯基之化合物、或一般式(24): [0130][0131] (式中,R4
、R5
、R6
與上述相同)所表示之化合物,具體來說,例如2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷(一般名:雙(胺基酚)AF)、2,2-雙(3-胺基-4-巰基苯基)六氟丙烷、四胺基苯、雙-3,4-二胺基苯基甲烷、雙-3,4-二胺基苯基醚、2,2-雙(3,4-二胺基苯基)六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-苯基胺基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-甲基胺基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-乙基胺基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-丙基胺基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-全氟苯基胺基)苯基]六氟丙烷、2,2-雙[3-胺基-4-(N-苄基胺基)苯基]六氟丙烷等。 [0132] 此等之中,作為交聯劑,以耐熱性、耐蒸氣性、耐胺性良好之交聯性之觀點來看,為2,2-雙[3-胺基-4-(N-苯基胺基)苯基]六氟丙烷較佳。 [0133] 上述交聯劑相對於含氟聚合物100質量份為0.05~10質量份較佳,為0.5~5質量份再較佳。交聯劑若比0.05質量份少,則含氟聚合物會有無法充分交聯之傾向,若超過10質量份,則交聯物之物性會有惡化之傾向。 [0134] 上述組成物亦可含有一般的充填劑。 [0135] 作為上述一般的充填劑,有舉出聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺等之具有醯亞胺構造之醯亞胺系填料;聚芳香酯、聚碸、聚醚碸、聚亞苯基硫醚、聚醚醚酮、聚醚酮、聚氧基苯甲酸酯等之工程塑膠製之有機填料;氧化鋁、氧化矽、氧化釔等之金屬氧化物填料;碳化矽、碳化鋁等之金屬碳化物、氮化矽、氮化鋁等之金屬氮化物填料;氟化鋁、氟化碳等之無機填料。 [0136] 此等之中,以各種電漿的遮蔽效果之觀點來看,為氧化鋁、氧化釔、氧化矽、聚醯亞胺、氟化碳較佳。 [0137] 且,亦可單獨為上述無機填料、有機填料或組合2種以上來摻混。 [0138] 上述一般的充填劑之摻混量相對於含氟聚合物100質量份較佳為0.5~100質量份,再較佳為5~50質量份。 [0139] 尤其是在要求高純度且非汙染性之領域中,因應必要,能夠摻混於含氟聚合物組成物中所摻混的一般添加物,例如充填劑、加工助劑、可塑劑、著色劑等,亦可摻混1種或其以上與上述相異的常用交聯劑或交聯助劑。 [0140] 上述組成物能夠藉由使用一般的聚合物用加工機械,例如開放式軋輥、班柏立攪拌器、捏合機等混合上述各成分來調製。另外,也能夠藉由使用密閉式混合機之方法來調製。上述組成物能夠適當地作為用來成形後得到成形品之成形材料來使用,或是適當地作為用來交聯成形後得到成形品之成形材料來使用。 [0141] 將上述組成物作為成形材料得到預備成形體之方法亦可為一般之方法,能夠以模具加熱壓縮之方法、壓入經加熱之模具之方法、以擠出機擠出之方法等公知的方法來進行。為軟管或電線等之擠出製品時,藉由於擠出後進行蒸氣等之加熱交聯,能夠得到成形品。 [0142] 作為上述交聯條件,為如下: [0143] (標準摻混) 含氟聚合物 100質量份 交聯劑 2,2-雙[3-胺基-4-(N-苯基胺基)苯基]六氟丙烷 1質量份 矽化合物 15質量份 [0144] (標準交聯條件) 混練方法:軋輥混練 加壓交聯:於180℃下30分鐘 烘箱交聯:於290℃下18小時 並無特別限制,以此條件來交聯。 [0145] 本發明亦為由上述組成物所得之成形品。 本發明之成形品能夠適當地作為特別要求高度清潔度之半導體製造裝置,尤其是進行高密度電漿照射之半導體製造裝置的密封材來使用。作為上述密封材,有舉出O-環、角-環、密封墊、包裝、油封、軸承封、端頭密封等。 此外,也能夠作為半導體製造裝置中使用的各種聚合物製品,例如光圈、管子、軟管、各種橡膠軋輥、傳送帶等來使用。且,也能夠作為塗布用材料、內襯用材料來使用。 [0146] 且,本發明中之半導體製造裝置並不限定於特別用於製造半導體之裝置,廣泛地包含用來製造液晶面板或電漿面板之裝置等、要求高度清潔度之半導體領域中所使用的製造裝置全部,能夠舉例如以下者。 [0147] (1)蝕刻裝置 乾蝕刻裝置 電漿蝕刻裝置 反應性離子蝕刻裝置 反應性離子束蝕刻裝置 噴濺蝕刻裝置 離子束蝕刻裝置 濕蝕刻裝置 灰化裝置 (2)洗淨裝置 乾式蝕刻洗淨裝置 UV/O3
洗淨裝置 離子束洗淨裝置 雷射光束洗淨裝置 電漿洗淨裝置 氣體蝕刻洗淨裝置 萃取洗淨裝置 索式(Soxhlet)萃取洗淨裝置 高溫高壓萃取洗淨裝置 微波萃取洗淨裝置 超臨界萃取洗淨裝置 (3)曝光裝置 步進機 塗布機.顯影劑 (4)研磨裝置 CMP裝置 (5)成膜裝置 CVD裝置 噴濺裝置 (6)擴散・離子注入裝置 氧化擴散裝置 離子注入裝置 [0148] 本發明之成形品作為例如CVD裝置、電漿蝕刻裝置、反應性離子蝕刻裝置、灰化裝置或準分子雷射曝光機之密封材,能夠發揮優異之性能。 [實施例] [0149] 接著,舉出實施例說明本發明,但本發明不限定於相關之實施例。 [0150] (分子量、分子量分布) 分子量以及分子量分布藉由膠體浸透色層分析(管柱:Tosoh股份公司製TSKgel GMHHR
-M),作為標準聚苯乙烯換算值來測定。 [0151] 合成例1(超枝化聚合物之製造) 參照Polymer,2003,44,4491-4499所記載之方法,以下述式:所表示之順序,合成具有胺基之POSS。之後,使具有胺基之POSS(0.043mmol)溶解於N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)1mL。將此溶液於氮環境下加熱至120℃,於此,將有溶解亞磷酸三苯酯(2.7mmol)以及DMAc2mL之3,5-二胺基安息香酸(2.4mmol)以1小時來滴落。滴落結束後,於120℃下進而使其反應1.5小時。反應結束後,使反應溶液再沉澱於5%小蘇打水中,藉由過濾析出後之固體來回收。將固體置入5%小蘇打水,以攪拌並過濾來進行回收之洗淨操作後,藉由於室溫下使其減壓乾燥,得到目的之相當於第3世代之m-苯二胺末端超枝化聚合物。收率為88%。所得之超枝化聚合物的重量平均分子量(Mw)以及分子量分布(Mw/Mn)分別為Mn=80,600、Mw/Mn=4.1。 [0152]且,上述式中,n為下述式(A): [0153]下述式(B): [0154]下述式(C): [0155]所表示之基之合計數。有標示n且以括弧括起來的部分當中,一定包含B以及C之構造。且,上述具有胺基之POSS係於下述式: [0156]中,R1
~R8
為-C6
H4
-NH2
之化合物。 [0157] 合成例2 使具有胺基之POSS(0.095mmol)溶解於DMAc1mL中。將此溶液於氮環境下加熱至120℃,於此,將有溶解亞磷酸三苯酯(2.7mmol)以及DMAc2mL之3,5-二胺基安息香酸(2.4mmol)以1小時來滴落。滴落結束後,於120℃下進而使其反應1.5小時。於此反應溶液中添加有溶解亞磷酸三苯酯(3.7mmol)以及DMAc2mL之3,4-雙(三氟乙醯胺)安息香酸(3.3mmol),進而使其反應3小時。反應結束後,使反應溶液再沉澱於5%小蘇打水中,藉由過濾析出後之固體來回收後,於室溫下使其減壓乾燥。使所得之固體溶解於DMAc4mL中,添加聯氨5mL使其於50℃下反應2小時。反應結束後,使反應溶液再沉澱於5%小蘇打水中,藉由過濾析出後之固體來回收。藉由於室溫下使其減壓乾燥,得到目的之相當於第3世代之o-苯二胺末端超枝化聚合物。收率為92%。所得之超枝化聚合物之Mw以及Mw/Mn分別為Mw=58,900、Mw/Mn=3.8。 [0158] 合成例3 使合成例1所得之m-苯二胺末端超枝化聚合物(0.02mmol)溶解於DMAc3mL中,於此添加三氟乙酸酐(2.6mmol),使其於室溫下反應6小時。使反應溶液再沉澱於5%小蘇打水中,藉由過濾析出後之固體來回收。將固體置入5%小蘇打水,以攪拌並過濾來進行回收之洗淨操作後,藉由於室溫下使其減壓乾燥,得到目的之相當於第3世代之m-亞苯基雙(三氟乙醯胺)末端超枝化聚合物。收率為91%。所得之超枝化聚合物之Mw以及Mw/Mn分別為Mw=60,100、Mw/Mn=3.3。 [0159] 實施例1 相對於含氟彈性體(TFE/PMVE/含氰基之單量體=59.4/40.1/0.5(莫耳比))100質量份,將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物(m-苯二胺末端超枝化聚合物)10質量份、交聯劑2,2-雙[3-胺基-4-(N-苯基胺基)苯基]六氟丙烷0.8質量份於1500質量份之含氟之溶劑中進行預備混合後,於60℃下使含氟之溶劑揮發,以開放式軋輥混練,得到含氟彈性體組成物。且,含氟之溶劑為使用R-318(Daikin工業(股)製、主成分:C4
F8
Cl2
)。 [0160] 將所得之含氟彈性體組成物於180℃下加壓30分鐘進行交聯後,進而於290℃之烘箱中以18小時來進行烘箱交聯,得到成形品。 針對所得之成形品,進行後述之耐電漿性評價。將耐電漿性評價之結果表示於表1。 [0161] 實施例2 除了將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物變更為合成例2所得之相當於第3世代之o-苯二胺末端超枝化聚合物以外,其餘與實施例1同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例1同樣地得到成形品。對所得之成形品進行後述之耐電漿性評價。將耐電漿性評價之結果表示於表1。 [0162] 實施例3 除了將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物變更為合成例3所得之相當於第3世代之m-亞苯基雙(三氟乙醯胺)末端超枝化聚合物以外,其餘與實施例1同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例1同樣地得到成形品。對所得之成形品進行後述之耐電漿性評價。將耐電漿性評價之結果表示於表1。 [0163] 比較例1 除了不摻混合成例1所得之超枝化聚合物以外,其餘與實施例1同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例1同樣地得到成形品。對所得之成形品進行後述之耐電漿性評價。將耐電漿性評價之結果表示於表1。 [0164] (耐電漿性評價) 對實施例1~3、比較例1所得之成形品,一部分以凱通電氣絕緣用膠帶來覆蓋,於下述之條件下,進行氧電漿以及CF4
電漿照射處理,測定覆蓋面與曝露面之段差,來調查蝕刻量。將結果表示於表1。 [0165] 氧電漿照射條件: 氣體流量:16sccm RF輸出:400W 壓力:2.6Pa 蝕刻時間:30分鐘 CF4
電漿照射條件: 氣體流量:16sccm RF輸出:400W 壓力:2.6Pa 蝕刻時間:30分鐘 [0166] 蝕刻量測定: 使用股份公司Keyence製 Laser microscope VK-9700,測定覆蓋面與曝露面之段差,來調查蝕刻量。 [0167][0168] 實施例4 相對於含氟彈性體100質量份,將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物(m-苯二胺末端超枝化聚合物)10質量份於1500質量份之含氟之溶劑中進行預備混合後,於60℃下使含氟之溶劑揮發,以開放式軋輥混練,得到含氟彈性體組成物。且,含氟彈性體為由Daikin工業(股)製 Dael PerfloGA-105、四氟乙烯/全氟烷基乙烯醚而成之全氟彈性體。且,含氟之溶劑為使用R-318(Daikin工業(股)製、主成分:C4
F8
Cl2
)。 [0169] 將所得之含氟彈性體組成物於85℃下以10分鐘進行加壓成形。對所得之成形品進行50%質量減少溫度之測定。將測定結果表示於表2。 [0170] 實施例5 除了將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物變更為合成例2所得之相當於第3世代之o-苯二胺末端超枝化聚合物以外,其餘與實施例4同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例4同樣地得到成形品。對所得之成形品進行50%質量減少溫度之測定。將測定結果表示於表2。 [0171] 實施例6 除了將合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物變更為合成例3所得之相當於第3世代之m-亞苯基雙(三氟乙醯胺)末端超枝化聚合物以外,其餘與實施例4同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例4同樣地得到成形品。對所得之成形品進行50%質量減少溫度之測定。將測定結果表示於表2。 [0172] 比較例2 除了不摻混合成例1所得之相當於第3世代之超枝化聚合物以外,其餘與實施例4同樣地,得到含氟彈性體組成物。自所得之含氟彈性體組成物與實施例4同樣地得到成形品。對所得之成形品進行50%質量減少溫度之測定。將測定結果表示於表2。 [0173] (50%質量減少溫度) 使用熱質量計(Seiko Instruments公司製 TG-DTA6200),以空氣200ml/min、升溫速度10℃/min、溫度範圍20~600℃之條件測定質量變化,測定50%質量減少時之溫度。將結果表示於表2。 [0174]
Claims (8)
- 如請求項1之組成物,其中,籠型半矽氧烷之超枝化聚合物在分子量中具有分布。
- 如請求項1或2之組成物,其中,含氟聚合物為含氟彈性體。
- 如請求項1或2之組成物,其中,相對於含氟聚合物100質量份為包含0.5~100質量份之籠型半矽氧烷之超枝化聚合物。
- 如請求項1或2之組成物,其中,進一步包含交聯劑。
- 如請求項1或2之組成物,其係成形材料。
- 一種成形品,其係由如請求項1或2之組成物所得。
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