TWI233144B - Plasma processing apparatus - Google Patents

Description

1233144 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明與一種進行薄膜形成、蝕刻、表面改質、有機污 染物之去除、清洗、排水化、親水化等表面處理之電漿處 理裝置有關，尤與具有一對平行長尺電極，從此等電極之 一方之長尺側邊彼此間向相對面彼此間導入處理氣體，形 成電漿，從另一方之長尺側邊彼此間向電極外吹出該電 漿，接觸於被處理物之遙控式電漿處理裝置有關。 【先前技術】 已周知將處理氣體導入一對電極間以輝光放電電漿化， 向電極外被處理物吹該流動電漿，進行表面處理之所謂遙 控式電漿處理裝置（例如日本專利特開平1 1-251304號公報 等）。並周知平行配置2隻平板狀電極之電漿處理裝置（特開 平7-85997號公報、特開平9-92493號公報等）。 使用平行平板電極之遙控式電漿處理裝置，由此等電極 之長尺側邊彼此間吹出流動電漿，即能一次進行電極長度 份之表面處理，可提高處理速度。但由施加電場之庫倫力， 有時招致電極彼此例如於長度方向中間部靠近而變形之情 形（參考圖12之虚線）。此現象在電極長度例如50 cm以上時 即明顯呈現，愈長愈顯著。有此種變形時，於電極長度方 向兩端部吹出較多電漿氣體，而中間部則較少，有損處理 之均勻性。 又因電流加熱電極時之熱膨脹差亦可能產生形變。即通 常電極之内部溫度係靠另一方之電極之部分比靠背面部分 86993 -8- 1233144 為高。因應該溫度差產生熱膨脹差，出現形變。又因構成 電極之金屬與以熔射等覆膜於該金屬電極之固體介質層之 熱膨脹係數之差異亦可能產生變形。因而有損處理之均勻 性。 又在電極之製造過程中，有時因以熔射等將固體介質層 覆膜於電極表面時之喷射處理，及電極與熔射材料之熱膨 脹係數之差，致電極產生變形之情形。此外，有時由於將 固體介質體之覆膜面以外之面做為定位用基準面研磨時之 熱等，致電極產生變形之情形。因此種製造過程之變形， 亦無法使流動電漿沿電極長度方向均勻，無法進行均勻之 處理。 【發明内容】 為解決上述問題，本發明之電漿處理裝置.，其係於電場 中將處理氣體電漿化（含活性化、離子化、自由基化）並予吹 出，其特徵為包含：一對電極，其係形成具有第1、第2長 度側邊之長尺狀，彼此平行排列，將上述電場施加於其間， 且上述第1長度側邊彼此間成為處理氣體之收容部，而上述 第2長度側邊彼此間成為處理氣體之吹出部；及阻止變形機 構，其係阻止各電極向上述排列方向變形者。由此能阻止 電極因施加電場時之庫倫力及熱膨脹差等而變形，而可防 止電極間間隔不均勻。故可沿電極之長度方向均勻吹出流 動電漿，甚至可進行均勻之表面處理。 上述阻止變形機構最好含有阻止接近變形機構，其係阻 止各電極向另一方電極接近變形者。因此，能確實阻止電 86993 1233144 極彼此因庫倫力接近而變形。 最好於各電極之另一方電極相反之背部，分別設置剛性 構件，最好上述阻止接近變形機構含有螺栓（螺旋構件），其 係將頭部扣上上述剛性構件，且將腳部旋入上述電極者。 因此，可簡化阻止接近變形機構之結構。又可依螺栓之旋 入量容易調整阻止變形力作用之位置。 最好上述阻止變形機構包括：阻止接近變形機構，其係 阻止各電極向另一方電極接近變形者；及阻止分開變形機 構，其係阻止各電極從另一方電極遠離變形者。由此，能 更確實阻止電極之變形。 最好分別向電極長度方向彼此分離設置複數：接近機 構，其係使各電極靠近另一方電極側者；及分開機構，其 係使其遠離者；上述接近機構由阻止電極分離兼上述阻止 分開變形機構，上述分開機構由阻止電極接近兼上述阻止 接近變形機構。由此，即使電極之製造過程等產生變形亦 可矯正，可沿長度方向均勻調整電極間之間隔。故能沿長 度方向確實使電漿之吹出流動均勻，甚至能確實均勻進行 表面處理。又可加大電極間之間隔使氣體容易流動，或減 小電極間之間隔使放電容易。此外，由接近機構兼阻止分 開變形機構，分開機構兼阻止接近變形機構，即可削減構 件數。由接近機構與分開機構構成「各電極之矯正變形機 構」或「電極間之間隔調整機構」。 最好於各電極之另一方電極相反之背部，分別設有剛性 86993 -10- 1233144 ^牛，上述接近«即阻止相㈣機構含有推壓螺检（推 動=旋構件），其係旋人上述剛性構件，且抵接於上述電極 〈背面，推動電極者，上述分開機構即阻止接近變形機構 含有拉扯螺栓（拉動螺旋構件），其係將頭部扣上上述剛性材 料，且將腳邵旋入上述電極，向剛性構件側拉動電極者。 由此’可簡化接近機構與分開機構之結構。又由調整此等 推拉扯螺栓之旋人量’即容易進行各電極之變形竭正及電 =間之間隔調整。此外’由此等推拉扯螺检之旋入量，即 容易調整阻止變形力之作用位置。 =好上述阻止接近變形機構含有—或複數絕緣性隔片，其 係藉裝於上述-對電極之長度方向大致中間部彼此間者。由 此’能確實防止長度方向中間部之電極間之間隔變窄，能沿 長度方向確實均勻吹域理氣體，甚至能確實均勻進行電装 表面處理。 最好上述隔片係小至可忽視影響處理氣體流動之程度。由 此’能確實確保處理之均勻性。 最好上述隔片係配置於偏向處理氣體收容部侧者。由此， 可使處理氣體繞進隔片之處理氣體吹出部侧，即使於對應隔 片之配置位置處亦能確實進行電漿表面處理。 最好於上述隔片形成氣體引導部，其係引導處理氣體繞進 ^隔片 < 處理氣體吹出部側者。由此，即使於對應隔片之配 置位置處亦能更確實進行電漿表面處理。 最好將上述隔片之電極長度方向兩邊形成愈向處理氣體 86993 -11 - 1233144 吹出部側愈接近之斜度，該斜邊成為上述氣體引導部。由 此，能使處理氣體順暢沿斜邊繞進處理氣體吹出部側。 最好以彼此不同之絕緣蓋覆蓋除上述一對電極之相對面 之部分，由電極間突出上述隔片之處理氣體收容部側之部 分，該突出部分可固定於一方之絕緣蓋。由此，容易將隔 片以固定於一方之絕緣蓋之狀態組裝。又能將隔片穩定夾 於電極間。 最妤上述隔片一體具有：插入部，其係插入上述一對電 極間者；及跨部，其係跨在一對電極之第1長度側邊彼此間 者。由此，能將隔片穩定央於電極間。 又本發明之電漿處理裝置，其係於電場中將處理氣體電 漿化並予吹出，其特徵為包含：一對電極，其係形成具有 第1、第2長度侧邊之長尺狀，彼此平行排列，將上述電場 施加於其間，且上述第1長度侧邊彼此間成為處理氣體之收 容部，而上述第2長度側邊彼此間成為處理氣體之吹出部； 接近機構，其係向此等電極長度方向分開複數配置，使各 電極接近另一方之電極側者；及分離機構，其係向上述長 度方向分開複數配置，使各電極遠離另一方之電極者。由 此，即使於電極之製造過程等產生變形，能以複數接近機 構與複數分開機構矯正該變形，能沿長度方向均勻調整電 極間之間隔。故能使電漿沿長度方向均勻吹出流動，甚至 能均句進行表面處理。又可加大電極間之間隔使氣體容易 流動，或減小電極間之間隔使放電容易。 最好於各電極之另一方電極相反之背部，分別設有剛性 86993 -12- 1233144 構件，上述接近機構含有推壓螺栓（推動螺旋構件），其係旋 入上述剛性構件，且抵接於上述電極之背面，推動電極者， 上述分開機構含有拉扯螺栓（拉動螺旋構件），其係將頭部扣 上上述剛性材料，且將腳部旋入上述電極，向剛性構件側 拉動電極者。由此，可簡化接近機構與分開機構之結構。 又由調整此等推拉扯螺栓之旋入量，即容易進行各電極之 變形矯正及電極間之間隔調整。 最好具有支座，其係支持上述一對電極者，該支座具有： 上述剛性構件，其係分別設於各電極之背部者；及連結補 強構件，其係將此等剛性構件彼此連結一體化，予以補強 者。由此，能補強一對剛性構件使其不變形，甚至能確實 進行各電極之變形阻止、變形矯正、電極間間隔之調整。 最好上述接近機構係使各電極遠離另一方之電極以阻止 變形。由此，能防止施加電場時熱膨脹差等致電極間間隔 不均，而可確保均勻處理。 最好上述分開機構係使各電極接近另一方之電極以阻止 變形。由此，能防止電極間間隔因施加電場時之庫倫力及 熱膨脹差等而不均勻。故可沿電極之長度方向均勻吹出流 動電漿，甚至可確實均勾進行表面處理。 最好具有絕緣蓋，其係覆蓋除各電極之相對面之部分 者，該絕緣蓋含有：蓋本體，其係由絕緣材料而成者；及 耐電漿構件，其係由比該蓋本體耐電漿性高之絕緣材料而 成者；上述耐電漿構件具有：連在上述一對電極之處理氣 體收容部之處理氣體導入口之形成面；及對各電極之第1長 86993 -13 - 1233144 度側邊侧之抵接面；向電極同方向延伸。由此，能防止絕 緣蓋因電極間空間（電漿化空間）之電漿損傷。一方面，能以 較廉價材料構成曝露於電漿之顧慮少之蓋本體，甚至比以 耐電漿性高之材料構成絕緣蓋本體者，可削減材料成本。 此外，本發明之電漿處理裝置，其中具有氣體導入裝置， 其係向上述一對電極之處理氣體收容部引導來自處理氣源 之處理氣體者，於該氣體導入裝置形成：一對均勻化路， 其係邊將上述處理氣流之大致一半逐一沿上述長度方向彼 此相對流動，從周側部之大致全長區域逐漸向路外戌漏 者；及複數段均勻化窒，其係分別形成沿上述長度方向之 細長狀，且每一段以、連通路連通者；第1段勻化室構成上述 一對均勻化路之路外空間，上述連通路形成細長開缝狀， 其係沿應連通之前後段均勻化室大致全長區延伸者，將最 終段之均勻化室沿上述一對電極之處理氣收容部大致全長 連接。由此，能將處理氣體以向電極之長度方向均勻化之 狀態導入電極間，能確實使吹出電漿流動均勻化，甚至能 確實均勻進行電漿表面處理。又上述連通路亦可形成複數 點狀（細孔狀），其係沿應連通之前後段均勻化室大致全長區 以短間隔配置者。 最好上述氣體導入裝置具有裝置本體，其係呈細長容器 狀向上述電極同方向延伸者，將構成上述一對均句化路之 構件收容於該氣體導入裝置本體内部，提供隔著均勻化路 構成構件與上述電極相反側裝置本體内，做為上述第1段均 勻化室，提供上述電極側裝置本體内，做為第2段且最終段 86993 -14- 1233144 均勻化室，此外，於裝置本體與均勾化路構成構件兩侧部 心間’形成狹窄間隙，提供該間隙做為上述開缝狀連通路。 最好上述均勻化路構成構件含有一對管，其係向上述氣 睹導入裝置本體同方向延伸者，一方之管一端部與另一方 之管之另一端部，分別成為處理氣之入口，於各管之管壁 大致全長形成戌漏孔’其係通至上述第1段均勻化室者。上 述均句化路之流路剖面積亦可沿氣體流動方向逐漸變小。 最好上述處理氣重複分流與合流，此外經複數次曲折 後’被導向上述均勻化路。 最好將上述氣體導入裝置與支持上述一對電極之支座一 體連結。 【實施方式】 以下’參考圖說明本發明之實施形態。 圖1係本發明第1實施形態有關之遙控式常壓電漿處理裝 置Ml者。電漿處理裝置M1具有：工件台4T;電漿噴嘴頭^， 其係配置於工件台4T上方支持於架台（未圖示）者；處理氣 源2，其係連接於該電漿噴嘴頭1者；及電源（電場施加機 構）3。於工件台4Τ上放置大面積之工件（基板、被處理 物）w。將移動機構4一體連接於工件台4Τ。如圖1之箭矢所 不，由該移動機構4向前後方向（圖丨之左右方向）相對移動工 件台4T甚至工件w。亦可固定工件台4T，將電漿噴嘴頭1 連接於移動機構4，使其能移動。 電源3係例如將脈衝狀電壓輸出於後述電極3〇。該脈衝之 昇起時間及/或降落時間以10仰以下、電場強度以1〇〜1〇〇〇 86993 -15- 1233144 kv/cm、頻率以0 5 kHz以上為宜。 於處理氣源2儲存例如電漿清洗用處理氣體，乂之純氣或 N2與微量02之混合氣。#财可分別儲桃與〇2,適量逐一 混合。亦可以液態儲存，適量逐一氣化。 處理氣源2之處理氣體係送至電漿噴嘴頭1電漿化後，喷 向工件W。因此’在常壓τ施行工❹之清洗等電漿表面處 理。 又本發明之大致常壓（大氣壓㈣近之壓力）係指i 〜10·664 Χ10% 之範圍。尤其 9 331 χ1〇4〜ι〇 397 χΐ〇4ρ^ 範圍，壓力調整容易裝置結構簡便，故甚佳。 處理氣源2與電漿嘴嘴頭丨以氣體供給管機構連接。氣體 供給管機構具有：1支共通管2a，其係從處理氣源2伸出者，· 4支（複數）分岐管2b，其係從共通管2&分岐者；及合流管以， 其係2支分岐管2b合流延伸者。此等管2a、2b、仏以可撓樹 脂管構成。共通管2a與合流管2c比分岐管2b短。各分岐管 2b佔氣體供給管機構長度之大半延長。各分岐管几之流路 剖面積為共通管2a之4分之1。故可將各分岐管几形成細 3使伟置各易。各合流管2c之流路剖面積為各分岐管2匕 之2倍。2支合流管2c係分別連接於電漿噴嘴頭工之左右一對 進氣口 14a。 效詳述電漿1"貧嘴頭1。如圖1〜圖3所示，電衆噴嘴頭1具有 上侧之處理氣導入裝置10 (氣體均勻化部），及下側之處理部 20，向左右方向（與圖1之紙面正交之方向）延長。 電漿喷嘴頭1之處理氣導入裝置1〇具有··裝置本體 86993 -16- 1233144 (鈸）11 ’其係向左右方向延伸之細長容器狀者·及内管組件 (氣植均勻化路構成構件）丨2，其係收容於裝置本體丨丨内者。 如圖1、圖2、圖3、圖4(a)所示，於裝置本體丨丨上面左右 兩端設有一對端件14E，中央部設有中心件14C。於各端件 14E與中心件14c之間前後排列架設各2支頂管13八、ΐ3β。 於左右端件14E分別形成上述進氣口 14a。將各進氣口 14a 分別連於頂管13B之端部。 如圖4(a)所示，於中心件14c形成連通孔14b，其係連通4 支頂管13A、13B之内邵彼此間者。由此，來自2支頂管13β 之處理氣體係於連通孔14b合流後，分流至2支頂管13A内， 向各頂管13A之左右兩端流動。 如圖2所示，於氣體導入裝置本體丨丨之左右端板設有一對 端塊14B。端塊14B係抵接於端件14e下面。如圖i、圖3〜圖 5所π，於左右端件14E及端塊14B形成連至頂管13A之曲折 路14g〜14k(14k，）。即如圖3及圖4(a)所示，於左右端件14E 分別形成：一直線連接於頂管13A兩端之路14§;與從該路 14g向下延伸達端件14E下面之路14h。如圖3及圖4(b)所 示’於左右端塊14B上面形成向前後方向延伸之長圓形狀凹 部，由該長圓形凹部與端件14E下面形成路14i。於路14i前 側端連接上述路14h。如圖3及圖4(b)、（c)所示，於端塊148 形成從路14ι後側端向下延伸之路14j。如圖3及圖5(a)所 示，於左側端塊14B形成從路14』下端向前方延伸之路14k。 一方面，於右端塊14B形成從路i4j下端向後方延伸之路14k， 。如後述，此等左右之路14k、14k，分別連於内管組件12之 86993 -17- 1233144 前後管12A、12B。 玆說明内管組件12。 如圖1、圖3、圖5(a)所示，組件12具有：2支内管（均勻化 路）12 A、12B，其係向左右延伸且彼此前後排列者；及夾持

板（夾管具）12C、12D ’其係從上下夹持此等内管12a、12B 者。將内管12 A、12B之左右兩端部支持於裝置本體丨丨之左 右端板。如圖3及圖5(a)所示，前側内管12 A之左端係連於 左端塊14B之路14k。一方面，管12A之右端係堵塞。如圖 5(a)所示’後側内管12B之右端係連於左端塊14B之路14k，， 左端係堵塞。 如圖1、圖3、圖5(a)所示，於各内管i2A、12B之周方向 上側部形成多數點狀洩漏孔12e，其係從内周面向外周面貫 穿者。此等洩漏孔12e係沿管12A、12B之大致全長區向左 右以短間隔配置。 如圖1所示，上下夾持板12C、12D係分別跨越前後内管 12A、12B。此等夾持板12C、12D係以貫穿在2支内管12A、 12B間之螺检12G連接’央持内管12A、12B。如圖1、圖3、 圖4(c)所示，於上側夾持板12C形成多數洩漏孔12f，其係連 在上述内管12A、12B之孔12e。此等洩漏孔I2f係開口於夾 持板12C上面。又亦可形成向左右長度方向延伸之開缝狀 孔，以代替多數點狀孔12e、12f。 如圖1及圖3所示，以管組件12將處理氣體導入裝置本體 11内部隔成上下2個均勻化室11a、lib。即處理氣體導入裝 置本體Π之内管組件12上侧之左右細長内部空間係構成第 86993 •18- 1233144 1段均勻化室lla。於該均勻化室ila連接上述夹持板12C之 孔12f甚至兩内管12A、12B之孔12e。 如圖1、圖4(c)、圖5(a)所示，於處理氣體導入裝置本體 11之前後侧壁與内管組件12之前後側面間，分別形成開缝 狀間隙（連通路）llc。該間隙llc係沿左右全長形成等厚且狹 窄狀。 如圖1、圖3、圖5(b)所示，處理氣體導入裝置本體21之 内管組件12下側之左右細長内部空間係構成第2段（且為最 終段）均勻化室lib。均勻化室ilb.藉間隙Uc連於上側均 勻化室11 a。 如圖1及圖5(b)所示，於處理氣體導入裝置本體n底板之 前後寬度方向中央部，形成沿左右全長延伸之導入孔丨丨d。 導入孔lid係於裝置本體丨丨底板之上面加寬，愈向下面愈狹 窄。 其次，說明電漿噴嘴頭1之處理部2〇。 處理部20具有：一對長尺電極3〇 ;及支座21，其係保持 此等長尺電極30者。 電極30係例如由不銹鋼等之導電性材料構成。如圖i及圖 3所示，電極30係呈角柱形狀，向左右方向（與圖丨之紙面正 交之方向）細長延伸。一方之電極3〇係藉供電線化連接於脈 衝電源3，另一方之電極30係藉接地線3b接地。 如圖1、圖3、圖6所示，一對電極3〇彼此間係以狹窄間隔 (例如2 mm)彼此平行向前後排列。於兩電極3〇之相對面間 形成電漿化空間30a。電漿化空間3〇a係沿電極3〇之全長區 86993 -19- 1233144 形成等厚狀。電極30上側之長度側邊（第1長度側邊）彼此間 係成為將由處理氣導入裝置丨〇來之處理氣體收容於電漿化 空間30a<左右細長開缝狀之處理氣收容部3〇b。以脈衝電 源3將脈衝電場施加於電漿化空間3〇a。在該電場中將處理 氣體電漿化。電極30下側之長度側邊（第2長度側邊）彼此間 係成為處理氣吹出部3〇c，其係吹出空間3〇a電漿化之處理 氣體之左右細長開縫狀者。 又於電極30之相對面及下面，覆蓋固體介質層31膜，其 係施仃噴砂後熔射陶瓷等介質體，以防止電弧放電之用 者。（固體介質層31亦可設於電極3〇上面及長度方向兩端 面。）電極30之上述相對面相反侧之背面（外侧面）及上面係 分別研磨成真平平面，且彼此成真直角。電極3〇各面所形 成之角係施行防止電弧放電用之R加工。於電極3〇内部形成 電極冷卻（溫度調整）用之冷媒路30d。 其次，說明處理部20之電極支座21。 如圖1〜圖3所示，電極支座21具有：前後一對絕緣蓋22， 其係覆盍於各電極30者；前後一對侧板（剛性材料）24，其係 攀附於各絕緣蓋22者；及頂板（連結補強構件）23，其係跨越 側板24與絕緣蓋22之上面間者；向左右方向延長。 絕緣蓋22具有蓋本體22A與底板27。蓋本體22八係由聚四 氟乙稀等絕緣性樹脂製成，具有上片部22χ及縱片部22乂， 剖面形成逆L字形狀。上片部22χ係覆於電極3〇上面，縱片 部22y係覆於電極30背面。詳言之，上片部22χ之下面與縱 片部22y之内侧面係彼此成真直角，緊貼於電極3〇之形成上 86993 -20- 1233144 述真直角之研磨面。又如圖2及圖3所示，於蓋本體22 A之長 度方向兩端部一體設有端板部22z，將該端板部22z覆於電 極3 0兩端面。 如圖1所示，於一對絕緣蓋本體22A之上片部22x彼此間， 沿全長區形成等間隔之狹窄間隙22a。間隙22a係連於一對 電極30之處理氣收容部30b甚至電極間空間30a。 於絕緣蓋本體22A之縱片部22y下端面，以螺栓固定上述 底板27。底板27係以聚四氟乙婦等絕緣性樹脂製成，形成 細長板狀。底板27係稍向縱片部22y内側突出。將電極30之 下侧且外側角部置於該底板27之突出部分並予支持。 頂板23係以鋼材等剛性材料構成。於頂板23之前後寬度 方向中央部，形成左右細長之開缝23a。將該開缝23a之上 端部連於上述處理氣導入裝置10之導入孔lid，並將下端部 連於一對絕緣蓋22間之間隙22a甚至電極間空間30a。 侧板24係以鋼材等剛性材料形成長板狀，使寬度方向向 上下並向左右方向筆直延伸。侧板24係覆於絕緣蓋22之縱 片部22y外側面（背面），並將上側邊抵接於頂板23以螺栓鎖 緊。由此，藉頂板23將前後一對側板24連成一體，不致相 對變形予以補強。 於電漿喷嘴頭1之處理部20，設有：矯正變形機構，其係 矯正電極30之製造階段等產生之原先之變形者；及阻止變 形機構，其係阻止因施加電場時產生之變形者。矯正變形 機構包括：複數分開機構，其係將電極30從另一方之電極 分開者；及複數接近機構，其係使其靠近者。阻止變形機 86993 -21 - 1233144 構包括：複數阻止接近變形機構，其係阻止電極3〇接近另 一方之電極而變形者；及複數阻止分開變形機構，其係阻 止從另一方之電極遠離而變形者。分開機構與阻止接近變 形機構係以同一構件構成，接近機構與阻止分開變形機構 係以同一構件構成。又矯正變形機構（複數分開機構與複數 接近機構）亦構成調整間隔機構，其係調整一對電極3〇彼此 間間隔者。 詳Τ之’如圖1、圖2、圖6所示，於側板24設有複數分別 向長度方向分開之電極推壓螺栓51與電極拉扯螺栓52。電 極推壓螺栓51(矯正變形機構（或調整間隔機構）之接近機 構、阻止變形機構之阻止分開變形機構）係旋入侧板24之螺 旋孔24a，並抵接於絕緣蓋22背面之凹部22c，甚至藉絕緣 蓋22抵接於電極3〇背面。由於更旋入電極推壓螺栓5丨，即 可藉絕緣蓋22將電極30推向另一方之電極。 於侧板24與絕緣蓋22設有複數向長度方向彼此分開之螺 检支座收容孔24b、22b。於此等收容孔24b、22b收容附有 階梯筒狀之拉扯螺栓支座53。於螺栓支座53外端部設有凸 緣53a ’將該凸緣53a抵接於側板24之收容孔24b之階差 24c。於螺栓支座53沿其中心軸於外端侧形成大徑孔53b， 於内端侧形成小徑孔53c。將拉扯螺栓52插穿於此等孔 53b、53c。拉扯螺栓52之頭部係抵接於孔53b、53c彼此間 之階差’腳邵係貫穿小徑孔53()旋入電極3〇之螺旋孔3(^。 電極30因製造過程等變形在與蓋縱片部22y之間產生間 隙時，若鎖緊拉扯螺栓52則可拉近電極30抵接於縱片部 86993 -22- 1233144 22y(即遠離另一方之電極30)’予以鱗正。又電極3〇因庫倫 力等欲靠近另一方之電極30側而變形時，拉扯螺栓52頭部 鉤於螺栓支座53之53b、53c彼此間之階差，進一步螺栓支 座53之凸緣53a扣上侧板24之階差24c。（甚至拉扯螺栓52之 頭部藉螺栓支座53扣上侧板24。）因此，阻止該電極3〇向另 一方之電極30侧靠近（變形）。 拉扯螺栓52及螺栓支座53係構成「矯正變形機構（或調 整間隔機構）之分開機構」並構成「阻止變形機構之阻止接近 變形機構」。 玆說明如上述構成之電漿處理裝置Ml之動作。 來自處理氣體源2之處理氣體係經共通管2a，於分岐管2b 分流為4，然後分別合流為2流經2支合流管2c内部。經此等 合流管2c，導入電漿噴嘴頭1之左右進氣口 14a，經左右頂 管13B内分別向裝置10之中央部流動。而於中心件14c之連 通孔14b内合流為1後，大致各分流為一半，分別導至左右 之頂管13A内部，分別向左右之端件me流動。此外，處理 氣體係經左右曲折路14g〜14k(14k，）複數次以直角曲折。如 此，重複分流、合流、曲折，即可使處理氣體流動均勻。 通過左右曲折路14g〜14k(14k’）後之流動處理氣體，分別 送至内管12 A、12 B内部。從左側路14 k進入前侧内管12 A左 端部之處理氣體，邊向右流經管12A内，通過管12A之多數 洩漏孔12e及其所連之孔12f，逐漸向上側室iia(均勻路外） 漏出。同樣，從右側路14k，進入後側内管12B右端部之處理 氣體，邊向左流經管12B内，通過管12B之洩漏孔12e及其所 86993 -23 - 1233144 連之孔1 2f，逐漸向上侧室1 1 a(均勾路外）漏出。此時，於各 管12A、12B，處理氣體之流量及流速沿著流動逐漸變化， 惟於2支管12A、12B相對流動處理氣體，即可彼此打消上 述流量及流速之變化傾向。由此，可將處理氣體向左右方 向大致均勻導入上侧室11 a内。因上側室11 a具有充分廣大 之容積，故可使處理氣體在上侧室11 a内一旦成為靜壓。 此外，處理氣體係從上侧室11 a之全長區通過狹窄之間隙 11c流向下侧室lib。此時，於間隙11c產生壓力損失，壓力 大處之氣體欲流入更小處。由此，可使流動氣體向左右方 向更均勻化送入下侧室1 lb。處理氣體在上侧室丨la内再成 為靜壓。而依序經下側室lib之導入孔lid、處理部20之開 缝23a、及間隙22a，被收容至一對電極30之上側長度側邊 彼此間之收容邵3Ob。由此，可沿左右長度方向將處理氣體 均勻導入電極30間之電漿化空間30a。 一方面’由於來自脈衝電源3之脈衝電壓施加於電極3〇， 故於空間30a形成脈衝電場。由此，於空間3〇a内產生輝光 放電，將上述處理氣體電漿化。因該處理氣體向左右方向 均勻化，故電漿亦可向左右方向均勻化。由於將該均勻化 流動電漿從吹出部30c吹向工件…，故可於工件…上面進行 均勻之表面處理。 而且即使因施加電場而庫倫引力作用於長尺電極間， 惟旋入電極30之拉扯螺栓52頭部藉螺栓支座53扣上侧板 24故可阻止將各電極30拉向另一方之電極30。又即使於 長尺包極30内邵另一方之電極側部分比靠背面之部分高 86993 -24- 1233144 溫，或因與固體介質層3 1間之熱膨脹係數之差異，接近另 一方之電極變形，惟與上述同樣可以以拉扯螺栓52，阻止 該接近方向之變形。一方面，若長尺電極3〇因上述熱膨脹 差等而欲遠離另一方電極變形時，由推壓螺拴51藉絕緣蓋 22從背部抵接，故可阻止該分離方向之變形。由此，可維 持長尺電極30為筆直狀態，能均勻維持電極3〇間之間隔即 電漿化空間30a之厚度。結果，能沿長度方向更確實均勻吹 出流動電漿，更能確實進行均勻之表面處理。 電漿噴嘴頭1即使因電極3〇之製造過程中固體介質層31 I熔射處理，或基準面之研磨等致電極3〇產生變形，惟由 凋整推、拉扯螺栓51、52，即可矯正電極30之變形，而可 使其成為筆直、狀。甚至可使一對電極3〇彼此間之空間3〇说 長度万向確實成為均勻之厚度。因此，能使吹出之流動電 漿更確實均勻，而能進行更均勻之表面處理。又亦可加大 空間30a之厚度使氣體容易流動，或減 小空間30a之厚度使 其谷易引起輝光放電。 〜說明本發明之其他實施形態。於以下實施形態， 有關《已逑實施形態同樣之結構，則於圖面附予同一符號 而省略說明。 圖7圖12係本發明之其他實施形態。如圖8及圖9所示， 第2實犯形悲准關之遙控式常壓電漿處理裝置M2之移動機 構（工^輸1^機構）4係由含滚子4a等之滚子運送機構成。將 (被處理物）置於滾子4a上，向前後（圖8、圖 9上之左右）輸送。 86993 -25 - 1233144 如圖7及圖10所示，遙控式常壓電漿處理裝置m2之電裝 噴嘴頭1，於處理氣導入裝置10之本體（殼）U之左右端面， 分別設有進氣口 14a。於此等進氣口 14a連接分為二之來自 處理氣源2之供氣管2A。 於左側進氣口 14a連接内管組件12之一方之内管12A左端 邵。於右側進氣口 14a連接另一方内管12B之右端部。各管 12A、12B之進氣口 14a側相反側之端部係以塞子16(圖7)堵 塞。 當然，於第2實施形態之裝置M2，亦可與第1實施形態同 樣，經分岐、合流路2b、2c、頂管13A、13B、曲折路14g〜14k (14k，），導入内管 12A、12B。 如圖8、圖9、圖12所示，裝置M2之一對電極3 0彼此係例 如以約2 mm之狹窄間隔彼此平行配置。又各電極3〇之左右 長度係例如約1 ·5 m，上下方向尺寸係例如約3 5 mm。（於圖 12，電極30間之間隔及後述隔片60之厚度係以誇張顯示）。 如圖8所示，於各電極30不僅相對面及下面，且上面亦覆 蓋氧化鋁等熔射膜而成之固體介質層31。 如圖7〜圖9所示，各電極30用之絕緣蓋22具有：蓋本體 22 A、填塞構件（耐電漿構件）2 6、及底板27。於聚四氟乙烯 等絕緣性樹脂製蓋本體22A之上片部22x，形成凹溝（缺 口）22d。凹溝22d係開口於上片部22x之内端面及下面，並 沿蓋構件22之左右長度方向之大致全長延伸。將細板狀之 填塞構件26嵌入凹溝22d。 如圖8、圖9所示，填塞構件26下面（抵接面）係抵接於電 86993 -26- 1233144 極30上面（第1長度侧邊側之侧面）。填塞構件26之内端面（向 處理氣收容部30b之處理氣體導入口形成面）係與絕緣蓋本 體22 A之上片部22x内端面形成同一面。於前後一對絕緣蓋 22之本體22A及填塞構件26之内端面彼此間，形成向左右延 伸之間隙（處理氣體導入口）22a。 填塞構件26係以比絕緣蓋本體22A耐電漿性高之絕緣性 材料、例如陶資構成。一般，如陶瓷之耐電漿性高之材料， 與非如此之聚四氟乙婦等樹脂比較價昂。因此，可防止電 漿之損傷，並能以廉價材料構成曝露於電漿顧慮小之蓋本 體22 A，甚至比以耐電漿性高之材料構成蓋本體22 A與填塞 構件26全部，可削減材料成本。 如圖8、圖9所示，絕緣蓋22之底板27係分割為内側之寬 度狹窄之板27A與外側之寬度寬大之板27B。此等底板 27A、27B彼此係以搭接連接並以螺栓27G接合。 寬度寬大之外侧板27B係突出電極30及絕緣蓋本體22A 下面外側，達侧板24下面。寬度狹窄之内侧板27 A係攀附於 電極30下面靠内側之部分。於前後一對内侧板27 A之彼此相 對之内端面彼此間，形成吹出口 27c。吹出口 27c係連於一 對電極30之吹出部30c(第2長度側邊彼此間），甚至連於電漿 化空間30a。 底板27之内外板27 A、27B均以絕緣性材料構成，且以比 外側板27B耐電漿性高之材料構成。例如内側板27 A係以石 英構成，外側板27B係以氯化乙烯基構成。一般如石英之耐 電漿性高之材料比非如此之氯化乙烯基等價昂。由此，可 86993 -27- 1233144 防止電漿之損傷，並能以廉價材料構成曝露於電聚顧慮少 <外側板27B，甚至比以耐電漿性高之材料構成底板η全 邵’可削減材料成本。 展板27之下面係以放電遮蔽板29覆蓋。放電遮蔽板⑽ Η如以不銹鋼等導電金屬構成。使該放電遮蔽板μ與工件 W直接面對。如圖9所示，纟電遮蔽㈣係藉接地線城 由此可邊防止從電極30向工件w以電弧放電邊使電 漿噴嘴頭！充分#近工件w。由此可提高處理效率。 /放電遮蔽板29之内端面係比板27A之内端面（吹出口 27〇 形成面）縮進。由此，能確實防止從電極3〇向放電遮蔽板29 放電。 如圖7、圖8、圖12所示，第2實施形態係於一對電極3〇 之長度方向中間部彼此間，設有2個（複數）隔片6〇(阻止接近 變形機構）。此等隔片60係分開左右配置。各隔片6〇係例如 以陶资等絕緣性且耐電漿性之硬質材料構成。如圖丨i所 不’隔片60係向上下形成細長板狀。隔片6〇之左右寬度例 如約為4 mm。隔片60之下側部左右邊係愈向下方愈接近形 成斜度设置’構成斜邊6 〇 a(氣體引導部）。 如圖7、圖8、圖11所示，隔片6〇係偏向電極間空間30a 之上側配置。即將隔片60之含斜邊60a之下側部配置於空間 30a内，一方面，隔片6〇之上側部係從空間3〇a突出，配置 於一對絕緣蓋22之間隙22a内。隔片60之空間30a内配置部 分之上下長度例如約為 10 mm ° 如圖8、圖11所示，於隔片60之上側部上下形成一對梢孔 86993 -28- 1233144 60b。將梢61插穿於各梢孔6〇b。上側梢6丨之兩端部分別插 入一對絕緣蓋本體22A内端面之孔部22e。下侧梢61之兩端 部分別插入一對填塞構件26内端面之孔部26e。由此，將隔 片60固足於絕緣盖22。又藉隔片6〇接合蓋本體22A與填塞構 件26 〇 依上述構成之電漿處理裝置M2，即使因電漿處理時之施 加電埸致一對電極30之中間部彼此靠近變形（參考圖12之 虛線）准不僅以拉扯螺栓52予以阻止，且可以以電極3〇間 之隔片60確實阻止。因此，可將一對電極川彼此之間隔（空 間30a之厚度）沿長度方向確實維持一定。又可由推壓螺栓 51與拉扯螺栓52調整電極30間之間隔沿長度方向均勻。由 此，亦可在空間30a内維持依處理氣導入裝置1〇之均勻狀 怨，可在空間30a内將電漿化之處理氣體沿左右長度方向均 勻吹出。結果，可確實均勾將工件w電漿處理。 而且因隔片60係小至可忽视影響處理氣體流動之程度， 故把確貫確保處理之均勻性。 又如圖11所不，因隔片60係偏向電極間空間3〇a之上側部 配置’故如同圖箭矢所示’可向隔片6〇下侧之空間3〇a繞進 處理氣體。而且能以—對斜邊6〇a向隔片6()下側順暢繞進處 理氣體。由此’即使於隔片6〇之配置位置，亦可與其他位 置同樣吹出處理氣體。 圖13係比較於裝置M2設隔片6〇時（同圖⑷），與未設時（同 圖⑻)之處理結果者。如同圖（b)所示，未設隔片⑽時，於 工件W表面之電極30之長度方向對應中央部位置之接觸角 86993 -29- 1233144 度起大之變動。針對此，如同圖（a)所示，設隔片60時，電 極30之長度方向對應中央部位置之接觸角度，與對應兩端 部位置之接觸角度大致一致之時效變化。由此，判明由於 設隔片60可向長度方向均勻處理。 在此，「接觸角度」係指連接滴至處理後工件W表面之 液滴邊與頂點之線表示與工件W表面形成之角度，成為濕 潤性之指標。 組合電漿噴嘴頭1之處理部20時，以梢61預先將隔片60 裝於任何一方之絕緣蓋22之本體22A及填塞構件26。然後， 將蓋本體22 A覆蓋於電極30，使一對蓋本體22A及電極30相 對。而將梢61插入另一方之絕緣蓋22之本體22 A及填塞構件 26之梢孔22e、26e。由此，能簡單組裝隔片60。然後，將 一對絕緣蓋本體22A連接於頂板22。 圖14及圖15係隔片之變形例。該變形例有關之隔片70(阻 止接近變形機構）具有：水平跨部72 ;及插入部71，其係從 跨部72中央部向下方垂直突出者；形成側面視T字形小片 狀。隔片70左右方向長度例如約為4 mm。隔片7 0之插入部 71上下長度例如約為3〜4 mm。故隔片70小至可忽視影響處 理氣體流動之程度。隔片70之材質係與上述隔片60同樣為 陶瓷。 如圖14所示，隔片70之跨部72係跨越在一對電極30之上 面間。於填塞構件26形成嵌入跨部72之凹部26f。 隔片70之插入部71係插入、夾持於一對電極30之上則部 彼此間。 86993 -30- 1233144 本發明不限於上述實施形態，而可予各種改變。 例如，電極30在上述實施形態，形成角柱形狀（厚板狀）， 惟亦可形成薄板狀。由此，可達成電漿噴嘴頭丨整體之細長 化及輕量化。即使電極3〇成薄板狀，惟以拉扯螺栓52及隔 片60等之阻止機構能對抗庫儉力，而可防止變形。 電極30之長度可因應工件w之大小設定。因電極3〇之長 度愈加長，產生之庫倫力愈大，故可因應該庫倫力設定拉 扯螺栓52之個數。 阻止接近變形機構之隔片不限於彼此分開設2個於電極 長度方向之中間部，亦可彼此分開設3個以上，亦可僅設j 個於長度方向之中央部。 阻止接近變形機構亦可為停止器，其係扣上電極，設於 侧板24者。 亦可將矯正變形機構（或調整間隔機構）之分開機構與阻 止接近變形機構分開設置，或將接近機構與阻止分開變形 機構分開設置。 施加電場機構使用脈衝電源，惟亦可使用諧振電源等高 頻電源。 本發明不僅在常壓下，亦可適用於減壓下之電裝處理， 不僅輝光放電，亦可適用於電量放電及沿表面放電之電裝 處理，不僅清洗，亦普遍適用於蝕刻、成膜、表面改質、 研磨加工等各種電漿處理。 本發明有關之電漿處理裝置例如可利用於半導體基板之 表面處理裝置。 86993 -31 - 1233144 【圖式簡單說明】 圖1係沿圖6之曲折I-Ι線表示本發明第1實施形態有關之 電漿處理裝置之側視階段剖面圖。 圖2係上述電漿處理裝置之電漿噴嘴頭透視圖。 圖3係沿圖1之III-III線之上述電漿喷嘴頭之正視剖面圖。 圖4(a)係沿圖1之IVA-IVA線之上述電漿噴嘴頭之處理氣 導入裝置平面剖面圖。 圖4(b)係沿圖1之IVB-IVB線之上述電漿噴嘴頭之處理氣 導入裝置平面剖面圖。 圖4(c)係沿圖1之IVC-IVC線之上述電漿噴嘴頭之處理氣 導入裝置平面剖面圖。 圖5(a)係沿圖1之VA-VA線之上述電漿噴嘴頭之處理氣 導入裝置平面剖面圖。 圖5(b)係沿圖1之VB-VB線之上述電漿噴嘴頭之處理氣導 入裝置平面剖面圖。 圖6係沿圖1之VI-VI線之上述電漿喷嘴頭之支座平面剖 面圖。 圖7係本發明第2實施形態有關之常壓電漿處理裝置之喷 嘴頭，沿圖8之VII-VII線之正視剖面圖。 圖8係沿圖7之VIII-VIII線之上述第2實施形態有關之常 壓電漿處理裝置側視剖面圖。 圖9係沿圖7之IX-IX線之上述常壓電漿處理裝置之側視 剖面圖。 圖10係上述第2實施形態之噴嘴頭透視圖。 86993 -32- 1233144 圖11係上述第2實施形態有關之常壓電漿處理裝置之隔 片放大正視圖。 圖12係上述第2實施形態有關之常壓電漿處理裝置之一 對電極與隔片模式平面圖。 圖13(a)係以附隔片之電漿處理裝置處理之工件之接觸角 度之時效變化之測定結果曲線圖。 圖13(b)係以無隔片之電漿處理裝置處理之工件之接觸 角度之時效變化之測定結果曲線圖。 圖14係隔片之變形例有關常壓電漿處理裝置之側視剖面 圖。 圖15係圖14之變形例有關之隔片之透視圖。 【圖式代表符號說明】

Ml 電漿處理裝置 M2 遙控式常壓電漿處理裝置 1 電漿喷嘴頭 2 處理氣源 2A 供氣管 2a 共通管 2b 分岐管 2c 合流管 3 電源(電場施加機構） 3a 供電線 3b 接地線 4 移動機構(工件輸送機構) 86993 - 33 - 1233144 4a 滾子 4T 工件台 W 工件(基板、被處理物） 10 處理氣導入裝置(氣體均勻化部） 11 裝置本體(殼） 11a，lib 均勻化室(上、下側室） 11c 間隙(連通路） lid 導入孔 12 内管組件(氣體均勻化路構成構件) 12A， 12B 前、後内管(均勾化路） 12C， 12D 夾持板(爽管具） 12e， 12f 戌漏孔 12G 螺栓 13A， 13B 頂管 14a 進氣口 14b 連通孔 14 g〜 14k(14k，） 曲折路 14B 端塊 14C 中心件 14E 端件 16 塞子 20 處理部 21 電極支座 22 絕緣蓋 86993 34- 1233144 86993 22A 蓋本體 22a 間隙 22b, 24b 螺栓支座收容孔 22c， 26f 凹部 22d 凹溝(缺口） 22e， 26e 孔部 22x 上片部 22y 縱片部 22z 端片部 23 頂板(連結補強構件） 23a 開縫 24 側板(剛性構件） 24a 螺絲孔 24c 階差 26 填塞構件 27 底板 27A， 27B 内、外側板 27c 吹出口 27G 螺栓 29 放電遮敝板 30 電極 30a 電極間空間(電漿化空間) 30b 處理氣收容部 30c 處理氣吹出部 -35- 1233144 30d 冷媒路 30e 螺栓孔 31 固體介質層 51 電極推壓螺栓 52 電極拉扯螺栓 53 拉扯螺栓支座 53a 凸緣 53b 大孔徑 53c 小孔徑 60 - 70 隔片 60a 斜緣 60b 梢孔 61 梢 71 插入部 72 跨部 -36- 86993

Claims (1)

1233144 拾、申請專利範園： 1 · 一種電漿處理裝置，其係於電場中將處理氣體電漿化並 吹出者，其特徵在於具備： 對電極，其係形成具有第1、第2長度側邊之長形狀， 彼此平行排列，將上述電場施加於其間，且上述第1長度 側邊彼此間成為處理氣體之收容部，上述第2長度側邊彼 此間成為處理氣體之吹出部；及 變形阻止機構，其係阻止各電極向上述排列方向變形 者。 2·如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中上述阻止變 形機構含有接近變形阻止機構，其係阻止各電極如向另 一方電極接近般地變形者。 3，如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中於各電極之 與另一方電極相反之背部分別設置剛性構件； 上述接近變形阻止機構含有螺栓，其係將頭部扣上上 述剛性構件，且將腳部旋入上述電極者。 4·如申請專利範圍第丨項之電漿處理裝置，其中上述變形阻 止機構包括：接近變形阻止機構，其係阻止各電極如向 另一方電極接近般地變形者；及分開變形阻止機構，其 係阻止各電極如從另一方電極遠離般地變形者。 5·如申請專利範園第4項之電漿處理裝置，其中分別於電極 長度方向彼此分離設置複數：接近機構，其係使各電極 靠近另一方電極侧者；及分開機構，其係使其遠離者； 上述接近機構藉由阻止電極分離兼作上述分開變形阻 86993 1233144 止機構； I刀開機構藉由阻止電極接近兼作上述接近變形阻 止機構。 6·如申请專利範圍第5項之電聚處理裝置，其中於各電極之 與另一万電極相反之背部，分別設有剛性構件； 上述接近機構，即分開變形阻止機構含有推壓螺栓， 其係旋入上述剛性構件，且抵接於上述電極之背面而推 壓電極者， 上述分開機構，即接近變形阻止機構含有拉扯螺栓， 其係將頭部扣上上述剛性構件，且將腳部旋入上述電極 而向剛性構件侧拉扯電極者。 7.如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中上述接近變 形阻止機構含有一或複數絕緣性隔片，其係介於上述一 對電極之長度方向之大致中間部彼此間者。 8·如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中上述隔片係 小至可忽視給與處理氣體流動之影響之程度。 9·如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中上述隔片偏 向處理氣體收容部側配置。 10·如申請專利範圍第9項之電漿處理裝置，其中於上述隔片 形成氣體引導部，其係將處理氣體引導成繞進該隔片之 處理氣體吹出部側者。 U·如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置，其中將上述隔 片之電極長度方向之兩邊斜設成隨著向處理氣體吹出部 側而接近，該斜邊成為上述氣體引導部。 86993 1233144 12.如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中以彼此不同 〈絕緣蓋覆蓋除上述-對電極之相對面之部分，由電極 間突出上述隔片之處理氣體收容部側之部分，該突出部 分可固定於一方之絕緣蓋。 13·如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中上述隔片一 體具有··插入部，其係插入上述一對電極間者；及跨部， 其係跨在一對電極之第1長度侧邊彼此間者。 14·種电漿處理裝置，其係於電場中將處理氣體電漿化並 吹出者，其特徵在於具備： 一對電極，其係形成具有第丨、第2長度侧邊之長形狀， 彼此平行配置，將上述電場施加於其間，且上述第丨長度 側邊彼此間成為處理氣體之收容部，上述第2長度侧邊彼 此間成為處理氣體之吹出部； 接近機構，其係於此等電極長度方向分開而配置複 數，使各電極接近另一方之電極側者；及 刀離機構’其係於上述長度方向分開而配置複數，使 各電極遠離另一方之電極者。 15·如申請專利範圍第14項之電漿處理裝置，其中於各電極 之與另一方電極相反之背部，分別設有剛性構件； 上述接近機構含有推壓螺栓，其係旋入上述剛性構 件’且抵接於上述電極之背面而推壓電極者， 上逮分開機構含有拉扯螺栓，其係將頭部扣上上述剛 性構件，且將腳部旋入上述電極而向剛性構件侧拉扯電 極者。 86993 1233144 16·如申凊專利範圍第3、6或i5項之電漿處理裝置，其中具 有支屋’其係支持上述一對電極者，該支座具有:上述 剛性構件，其係分別設於各電極之背部者；及連結補強 構件，其係將此等剛性構件彼此連結一體化而補強者。 17.如申叫專利範圍第14或15項之電漿處理裝置，其中上述 接近機構阻止各電極如遠離另一方之電極般地變形。 18·如申明專利範圍第14或15項之電漿處理裝置，其中上述 分開機構阻止各電極如接近另一方之電極般地變形。 19.如申睛專利範圍第丨或14項之電漿處理裝置，其中具有絕 、、彖二，其係覆蓋除各電極之相對面之部分者； 蔹絕緣蓋含有：蓋本體，其係由絕緣材料構成者；及 耐電漿構件，其係由比該蓋本體耐電漿性高之絕緣材料 構成者； 上述耐電漿構件具有：連接上述一對電極之處理氣體 收容部之處理氣體導入口之形成面；及對各電極之第1長 度侧邊侧之侧面之抵接面，向與電極同方向延伸。 2〇.如申請專利範圍第1或14項之電漿處理裝置，其中具有氣 體導入裝置，其係向上述一對電極之處理氣體收容部引 導來自處理氣體源之處理氣體者， 於該氣體導入裝置形成：一對均勻化路，其係邊將上 述處理氣流之大致一半逐一沿上述長度方向彼此相對般 地流動，邊從周侧部之大致全長區域逐漸向路外线漏 者；及複數段均勻化室，其係分別形成沿上述長度方向 之細長狀，且每一段以連通路連通者； 86993 1233144 第1段均勻化室構成上述一對 、 巧岣勻化路之路外空間； 上述連通路形成：細長開缝狀， /、係遍及應連通之前 後段均勻化室大致全長區延伸者· 衣匕、评耆，或複數點狀，其係遍 及大致全長區每隔短間隔配置者； 取終&《均勻化室遍及上述—對電極之處理氣體收容 邵大致全長連接。 21. 理裝置，其中上述氣體 體，其係向與上述電極 如申請專利範圍第2 〇項之電漿處 導入裝置具有細長容器狀裝置本 同方向延伸者； 氣體導入裝 將構成上述一對均勾化路之構件收容於該 置本體内部； 提供隔著該均勻化路構成構件與上述電極相反侧之裳 置本體内做為上述第1段均勻化室； 提供上述電極側之裝置本體内做為第2段且最終段 勻化室； 此外，於裝置本體與均勻化路構成構件兩侧部之間形 成狹窄間隙，提供該間隙做為上述開缝狀連通路。 22.如申請專利範圍第21項之電漿處理裝置，其中上述均勻 化路構成構件含有一對管，其係向與上述氣體導入裝置 本體同方向延伸者； 一万 < 管之一端部與另一方之管之另一端部分別成為 處理氣體之入口； 於各管之管壁大致全長區形成洩漏孔，其係通至上述 第1段均勻化室者。 86993 1233144 23. 如申請專利範圍第20項之電漿處理裝置，其中上述處理 氣體重複分流與合流，並且複數次地曲折後，被導入上 述均勻化路。 24. 如申請專利範圍第20項之電漿處理裝置，其中將上述氣 體導入裝置與支持上述一對電極之支座一體連結。 86993 6 -