JP3238630B2 - ガス供給ノズル及びラジカル反応式精密加工装置 - Google Patents
ガス供給ノズル及びラジカル反応式精密加工装置Info
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- JP3238630B2 JP3238630B2 JP14053696A JP14053696A JP3238630B2 JP 3238630 B2 JP3238630 B2 JP 3238630B2 JP 14053696 A JP14053696 A JP 14053696A JP 14053696 A JP14053696 A JP 14053696A JP 3238630 B2 JP3238630 B2 JP 3238630B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所要のガスを所定
幅で所定位置に供給するガス供給ノズル及びそのガス供
給ノズルを用いたラジカル反応式精密加工装置に関す
る。
幅で所定位置に供給するガス供給ノズル及びそのガス供
給ノズルを用いたラジカル反応式精密加工装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】本発明の出願人は、ラジカル反応式精密
加工装置として、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り
出してワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極
に電圧を印加して支持装置に支持された被加工物との間
に放電を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間
にガス供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上
記放電によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを
生成して該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とを
ラジカル反応させて被加工物を加工するものを開発した
（実願平５−２１１１７号）。
加工装置として、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り
出してワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極
に電圧を印加して支持装置に支持された被加工物との間
に放電を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間
にガス供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上
記放電によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを
生成して該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とを
ラジカル反応させて被加工物を加工するものを開発した
（実願平５−２１１１７号）。
【０００３】この新しいラジカル反応式精密加工装置に
おいて被加工物を精度よく円滑に加工するためには、ワ
イヤ電極とこれに向き合う被加工物との間に反応ガスを
その全長にわたって均一に供給する必要がある。
おいて被加工物を精度よく円滑に加工するためには、ワ
イヤ電極とこれに向き合う被加工物との間に反応ガスを
その全長にわたって均一に供給する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】反応ガスを噴出スリッ
トの各部分から均一に噴出させる基本的な手段として、
ガス供給ノズルの製作精度をあげることが考えられる。
しかしそれだけでは限界があり、満足すべき物が得られ
ていない。
トの各部分から均一に噴出させる基本的な手段として、
ガス供給ノズルの製作精度をあげることが考えられる。
しかしそれだけでは限界があり、満足すべき物が得られ
ていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明に係るガス供給ノズルは、ガス入口から送
り込まれたガスを噴出スリットから外部に噴出させるガ
ス供給ノズルにおいて、上記ガス入口と噴出スリットと
の間に噴出側ガス溜りを設け、該噴出側ガス溜りに、ガ
ス入口から送り込まれたガスを上記噴出スリットの長さ
方向に分散して噴出スリット側に流す分散スリットを仕
切板によって形成した構成とした。
めに、本発明に係るガス供給ノズルは、ガス入口から送
り込まれたガスを噴出スリットから外部に噴出させるガ
ス供給ノズルにおいて、上記ガス入口と噴出スリットと
の間に噴出側ガス溜りを設け、該噴出側ガス溜りに、ガ
ス入口から送り込まれたガスを上記噴出スリットの長さ
方向に分散して噴出スリット側に流す分散スリットを仕
切板によって形成した構成とした。
【０００６】噴出スリットから噴出されたガスを吸引す
る吸引スリットを、噴出スリットに隣接して形成し、該
吸引スリットに、吸引側ガス溜りを介して吸引口を連絡
した構成とすることができる。噴出側ガス溜りと吸引側
ガス溜りを隔壁板によって区画する。隔壁板の楔状とさ
れた下端部の傾斜面と、噴出側および吸引側ガス溜りを
形成する箱状の底板の傾斜面との間に、噴出スリットと
吸引スリットとを形成する。また、隔壁板に冷却媒体の
通路を形成することが好ましい。
る吸引スリットを、噴出スリットに隣接して形成し、該
吸引スリットに、吸引側ガス溜りを介して吸引口を連絡
した構成とすることができる。噴出側ガス溜りと吸引側
ガス溜りを隔壁板によって区画する。隔壁板の楔状とさ
れた下端部の傾斜面と、噴出側および吸引側ガス溜りを
形成する箱状の底板の傾斜面との間に、噴出スリットと
吸引スリットとを形成する。また、隔壁板に冷却媒体の
通路を形成することが好ましい。
【０００７】また、本発明に係るラジカル反応式精密加
工装置は、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り出して
ワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極に電圧
を印加して支持装置に支持された被加工物との間に放電
を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間にガス
供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電
によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを生成し
て該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカ
ル反応させて被加工物を加工するラジカル反応式精密加
工装置において、上記支持装置を、上記ワイヤ電極に対
して被加工物を一方向に直線移動させるＹ軸移動機構
と、該Ｙ軸移動機構の移動方向と直交する方向に被加工
物をワイヤ電極に対して直線移動させるＸ軸移動機構
と、上記Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工物の
移動平面内において被加工物をワイヤ電極に対して回転
させる回転機構とで構成し、上記ガス供給ノズルは、上
述のガス供給ノズルとした構成とした。Ｙ軸移動機構と
Ｘ軸移動機構による被加工物の移動平面に対して垂直に
ガス供給ノズルを被加工物に対して相対的に移動させる
Ｚ軸移動機構を設けることができる。
工装置は、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り出して
ワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極に電圧
を印加して支持装置に支持された被加工物との間に放電
を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間にガス
供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電
によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを生成し
て該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカ
ル反応させて被加工物を加工するラジカル反応式精密加
工装置において、上記支持装置を、上記ワイヤ電極に対
して被加工物を一方向に直線移動させるＹ軸移動機構
と、該Ｙ軸移動機構の移動方向と直交する方向に被加工
物をワイヤ電極に対して直線移動させるＸ軸移動機構
と、上記Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工物の
移動平面内において被加工物をワイヤ電極に対して回転
させる回転機構とで構成し、上記ガス供給ノズルは、上
述のガス供給ノズルとした構成とした。Ｙ軸移動機構と
Ｘ軸移動機構による被加工物の移動平面に対して垂直に
ガス供給ノズルを被加工物に対して相対的に移動させる
Ｚ軸移動機構を設けることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を実施例に基づ
き図面を参照して説明する。図１ないし図４は本発明に
係るガス供給ノズルの一実施例を示す。このガス供給ノ
ズルＡは、側板１，１と端板２，２と上板３及び底板
４，４を箱状に組み立てて内部に隔壁板５を設け、一方
の側板１と隔壁板５との間に仕切板６を設けて成る。
き図面を参照して説明する。図１ないし図４は本発明に
係るガス供給ノズルの一実施例を示す。このガス供給ノ
ズルＡは、側板１，１と端板２，２と上板３及び底板
４，４を箱状に組み立てて内部に隔壁板５を設け、一方
の側板１と隔壁板５との間に仕切板６を設けて成る。
【０００９】すなわち、側板１，１は互いに間隔をあけ
て平行にされ、その上端に上板３が複数本のボルト８
（図３では１本しか示されていない。）で気密に固定さ
れ、また下端には底板４，４がそれぞれ複数本のボルト
９（図３では１本しか示されていない。）により気密に
固定されるとともに、側板１，１、上板３、底板４，４
の端面に端板２，２がそれぞれ複数本のボルト１０（図
２では１本しか示されていない。）で気密に固定されて
箱体を形成している。
て平行にされ、その上端に上板３が複数本のボルト８
（図３では１本しか示されていない。）で気密に固定さ
れ、また下端には底板４，４がそれぞれ複数本のボルト
９（図３では１本しか示されていない。）により気密に
固定されるとともに、側板１，１、上板３、底板４，４
の端面に端板２，２がそれぞれ複数本のボルト１０（図
２では１本しか示されていない。）で気密に固定されて
箱体を形成している。
【００１０】また、隔壁板５は、上記箱体の内部に、噴
出側ガス溜りＦと吸引側ガス溜りＫとを区画するととも
に、楔状とされた下端部の傾斜面５ａ，５ｂと底板４，
４の傾斜面４ａ，４ｂとの間に噴出Ｆｓと吸引スリット
Ｋｓを形成して上板３と端板２に複数本のボルト１１
（図１では１本しか示されていない。）で気密に固定さ
れている。
出側ガス溜りＦと吸引側ガス溜りＫとを区画するととも
に、楔状とされた下端部の傾斜面５ａ，５ｂと底板４，
４の傾斜面４ａ，４ｂとの間に噴出Ｆｓと吸引スリット
Ｋｓを形成して上板３と端板２に複数本のボルト１１
（図１では１本しか示されていない。）で気密に固定さ
れている。
【００１１】また、仕切板６は、側板１の近くに分散ス
リットＢｓを形成して側板１と端板２にボルト等によっ
て気密に取り付けられている。各スリットＦｓ，Ｋｓ，
Ｂｓは互いに平行に隔壁板５の全長にわたって形成さ
れ、また噴出スリットＦｓと吸引スリットＫｓとは同一
形状とされている。
リットＢｓを形成して側板１と端板２にボルト等によっ
て気密に取り付けられている。各スリットＦｓ，Ｋｓ，
Ｂｓは互いに平行に隔壁板５の全長にわたって形成さ
れ、また噴出スリットＦｓと吸引スリットＫｓとは同一
形状とされている。
【００１２】上板３には、ガス入口３ａ，３ａと吸引口
３ｂ，３ｂ、及び水等の冷却媒体の流入口３ｃと流出口
３ｄが設けられている。ガス入口３ａと吸引口３ｂとは
隔壁板５に近い中央寄りに形成され、噴出側ガス溜りＦ
と吸引側ガス溜りＫにそれぞれ個々に連通している。ガ
ス入口３ａと吸引口３ｂと流入口３ｃと流出口３ｄに
は、シールコネクタ１３，１４，１５，１６がそれぞれ
個々に気密に螺着され、シールコネクタ１３，１４はガ
ス供給装置（図示せず）に、また他のシールコネクタ１
５，１６は冷却媒体供給装置（図示せず）にそれぞれ連
絡されている。
３ｂ，３ｂ、及び水等の冷却媒体の流入口３ｃと流出口
３ｄが設けられている。ガス入口３ａと吸引口３ｂとは
隔壁板５に近い中央寄りに形成され、噴出側ガス溜りＦ
と吸引側ガス溜りＫにそれぞれ個々に連通している。ガ
ス入口３ａと吸引口３ｂと流入口３ｃと流出口３ｄに
は、シールコネクタ１３，１４，１５，１６がそれぞれ
個々に気密に螺着され、シールコネクタ１３，１４はガ
ス供給装置（図示せず）に、また他のシールコネクタ１
５，１６は冷却媒体供給装置（図示せず）にそれぞれ連
絡されている。
【００１３】隔壁板５は冷却媒体の通路５ｃを有する。
通路５ｃの両端は流入口３ｃと流出口３ｄに連通されて
いる。隔壁板５の下端面の中央には溝５ｄが形成されて
いる。図１の符号１７は密封栓であり、図１の左の端板
２の部分にも設けられている。
通路５ｃの両端は流入口３ｃと流出口３ｄに連通されて
いる。隔壁板５の下端面の中央には溝５ｄが形成されて
いる。図１の符号１７は密封栓であり、図１の左の端板
２の部分にも設けられている。
【００１４】側板１、端板２、上板３、底板４、隔壁板
５及び仕切板６は、通常、金属やセラミックス或いは樹
脂系材料等によって製作する。
５及び仕切板６は、通常、金属やセラミックス或いは樹
脂系材料等によって製作する。
【００１５】図５は本発明に係るラジカル反応式精密加
工装置の一実施例を示す。このラジカル反応式精密加工
装置は、上述のガス供給ノズルＡと、ワイヤ電極Ｗ（例
えば、ＳＵＳ３０４製、直径０．３ｍｍ）を送り出すワ
イヤ供給機構２１と、ワイヤ電極Ｗを引き取るワイヤ引
取機構２２と、ウェハ等の被加工物Ｈを支持する支持装
置２３を主体とする。
工装置の一実施例を示す。このラジカル反応式精密加工
装置は、上述のガス供給ノズルＡと、ワイヤ電極Ｗ（例
えば、ＳＵＳ３０４製、直径０．３ｍｍ）を送り出すワ
イヤ供給機構２１と、ワイヤ電極Ｗを引き取るワイヤ引
取機構２２と、ウェハ等の被加工物Ｈを支持する支持装
置２３を主体とする。
【００１６】ガス供給ノズルＡはＺ軸移動機構２５の保
持部材２６に保持されている。Ｚ軸移動機構２５は、モ
ータ２７でねじ軸を回転させて該ねじ軸に螺着されたナ
ットを上又は下に動かすことにより、そのナットに介在
部材２８を介して取り付けられた保持部材２６と一緒に
ガス供給ノズルＡを鉛直に上下させる構造となってい
る。
持部材２６に保持されている。Ｚ軸移動機構２５は、モ
ータ２７でねじ軸を回転させて該ねじ軸に螺着されたナ
ットを上又は下に動かすことにより、そのナットに介在
部材２８を介して取り付けられた保持部材２６と一緒に
ガス供給ノズルＡを鉛直に上下させる構造となってい
る。
【００１７】保持部材２６の左右両端には、ガス供給ノ
ズルＡの溝５ｄ（図４）の真下にワイヤ電極Ｗを位置決
めする位置決めローラ２９，３０が設けられている。ガ
ス供給ノズルＡは、ほぼ溝５ｄを中心に上下に傾斜自在
であり、また溝５ｄとワイヤ電極Ｗとの間隔を調整可能
とされている。
ズルＡの溝５ｄ（図４）の真下にワイヤ電極Ｗを位置決
めする位置決めローラ２９，３０が設けられている。ガ
ス供給ノズルＡは、ほぼ溝５ｄを中心に上下に傾斜自在
であり、また溝５ｄとワイヤ電極Ｗとの間隔を調整可能
とされている。
【００１８】ワイヤ供給機構２１は、モータ３２で回転
させられるワイヤ供給ボビン３３と、ガイドローラ３
４，３５，３６，３７等によって構成されている。
させられるワイヤ供給ボビン３３と、ガイドローラ３
４，３５，３６，３７等によって構成されている。
【００１９】また、ワイヤ引取機構２２は、モータ３９
で回転させられるワイヤ引取ボビン４０と、モータ４１
で回転されるピンチローラ４２と、シリンダ等の移動手
段４３でワイヤ引取ボビン４０の中心軸線方向に動かさ
れるトラバースローラ４４、及びガイドローラ４５，４
６，４７等によって構成されている。
で回転させられるワイヤ引取ボビン４０と、モータ４１
で回転されるピンチローラ４２と、シリンダ等の移動手
段４３でワイヤ引取ボビン４０の中心軸線方向に動かさ
れるトラバースローラ４４、及びガイドローラ４５，４
６，４７等によって構成されている。
【００２０】ガイドローラ３４，３５，３６，３７，４
５，４６等はセラミックス板４９，５０に取り付けられ
ている。ワイヤ電極Ｗは、フレーム５１に対し絶縁され
て上記ローラ３４等に張設されており、位置決めローラ
（給電ブラシ）２９，３０、或いは図示されていない給
電ブラシを介して高周波電源（例えば、１５０ＭＨｚ）
より電力（例えば、８００〜１０００ｗ）を供給するこ
とができるようになっている。
５，４６等はセラミックス板４９，５０に取り付けられ
ている。ワイヤ電極Ｗは、フレーム５１に対し絶縁され
て上記ローラ３４等に張設されており、位置決めローラ
（給電ブラシ）２９，３０、或いは図示されていない給
電ブラシを介して高周波電源（例えば、１５０ＭＨｚ）
より電力（例えば、８００〜１０００ｗ）を供給するこ
とができるようになっている。
【００２１】支持装置２３は、平面視においてガス供給
ノズルＡの長さ方向に直交する水平方向に移動自在に基
盤５３上に設けられたＹ軸移動部材５４と、該Ｙ軸移動
部材５４の移動方向に直交する水平方向（ガス供給ノズ
ルＡの長さ方向）に移動自在にＹ軸移動部材５４上に設
けられたＸ軸移動部材５５と、該Ｘ軸移動部材５５の上
に両部材５４，５５の移動平面（水平面）内において回
動自在に設けられた回転部材５６とを備える。
ノズルＡの長さ方向に直交する水平方向に移動自在に基
盤５３上に設けられたＹ軸移動部材５４と、該Ｙ軸移動
部材５４の移動方向に直交する水平方向（ガス供給ノズ
ルＡの長さ方向）に移動自在にＹ軸移動部材５４上に設
けられたＸ軸移動部材５５と、該Ｘ軸移動部材５５の上
に両部材５４，５５の移動平面（水平面）内において回
動自在に設けられた回転部材５６とを備える。
【００２２】Ｙ軸移動部材５４は、ねじ軸に螺着された
ナットに結合され、モータ等によるねじ軸の回転でナッ
トと一緒にＹ軸方向に移動させられるようにされてお
り、ねじ軸等と共にＹ軸移動機構を構成している。
ナットに結合され、モータ等によるねじ軸の回転でナッ
トと一緒にＹ軸方向に移動させられるようにされてお
り、ねじ軸等と共にＹ軸移動機構を構成している。
【００２３】同様に、Ｘ軸移動部材５５は、ねじ軸に螺
着されたナットに結合され、モータ等によるねじ軸の回
転でナットと一緒にＸ軸方向に移動させられるようにさ
れており、ネジ軸等に共にＸ軸移動機構を構成してい
る。
着されたナットに結合され、モータ等によるねじ軸の回
転でナットと一緒にＸ軸方向に移動させられるようにさ
れており、ネジ軸等に共にＸ軸移動機構を構成してい
る。
【００２４】また、回転部材５６は、モータ等によって
回転させられるようになっており、そのモータ等と共に
回転機構を構成している。回転部材５６には被加工物Ｈ
の取付固定機能が付与されている。
回転させられるようになっており、そのモータ等と共に
回転機構を構成している。回転部材５６には被加工物Ｈ
の取付固定機能が付与されている。
【００２５】ワイヤ供給機構２１とワイヤ引取機構２
２、及び各移動機構２５，５４，５５と回転機構５６の
モータには、通常、サーボモータを使用し、またねじ軸
にはボールねじ軸を、ナットにはボールナットを通常使
用する。フレーム５１の外に突出したＺ軸移動機構２５
の部分と、フレーム５１内部の介在部材２８とは金属の
蛇腹５８，５９によって気密に覆われている。
２、及び各移動機構２５，５４，５５と回転機構５６の
モータには、通常、サーボモータを使用し、またねじ軸
にはボールねじ軸を、ナットにはボールナットを通常使
用する。フレーム５１の外に突出したＺ軸移動機構２５
の部分と、フレーム５１内部の介在部材２８とは金属の
蛇腹５８，５９によって気密に覆われている。
【００２６】符号６０は本ラジカル反応式精密加工装置
が収められた器枠（チャンバ）である。
が収められた器枠（チャンバ）である。
【００２７】次に、上記の構成とされた本ガス供給ノズ
ルＡと本ラジカル反応式精密加工装置の作用を説明す
る。図５の状態からＺ軸移動機構２５の保持部材２６を
下降させて、回転部材５６に支持された被加工物Ｈの上
面にガス供給ノズルＡとワイヤ電極Ｗを近づけ、ワイヤ
供給機構２１とワイヤ引取機構２２を作動させてワイヤ
供給ボビン３３に巻かれたワイヤ電極Ｗをワイヤ引取ボ
ビン４０に巻き取りながら、ワイヤ電極Ｗに電圧を印加
して被加工物Ｈとの間に放電を発生させるとともに、反
応ガスをガス供給ノズルＡのガス入口３ａに送って噴出
スリットＦｓからワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈの間に供給
し、またワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈ間のガス等を吸引ス
リットＫｓで吸引する。
ルＡと本ラジカル反応式精密加工装置の作用を説明す
る。図５の状態からＺ軸移動機構２５の保持部材２６を
下降させて、回転部材５６に支持された被加工物Ｈの上
面にガス供給ノズルＡとワイヤ電極Ｗを近づけ、ワイヤ
供給機構２１とワイヤ引取機構２２を作動させてワイヤ
供給ボビン３３に巻かれたワイヤ電極Ｗをワイヤ引取ボ
ビン４０に巻き取りながら、ワイヤ電極Ｗに電圧を印加
して被加工物Ｈとの間に放電を発生させるとともに、反
応ガスをガス供給ノズルＡのガス入口３ａに送って噴出
スリットＦｓからワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈの間に供給
し、またワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈ間のガス等を吸引ス
リットＫｓで吸引する。
【００２８】ガス供給ノズルＡの噴出スリットＦｓから
ワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈ間に供給された反応ガスは、
上記放電によりプラズマ状態となって活性化されてラジ
カルを生成し、該ラジカルと被加工物Ｈの構成原子又は
分子とのラジカル反応で被加工物Ｈが加工される。
ワイヤ電極Ｗと被加工物Ｈ間に供給された反応ガスは、
上記放電によりプラズマ状態となって活性化されてラジ
カルを生成し、該ラジカルと被加工物Ｈの構成原子又は
分子とのラジカル反応で被加工物Ｈが加工される。
【００２９】上記において、ガス入口３ａから噴出側ガ
ス溜りＦに送り込まれた反応ガスは、仕切板６の分散ス
リットＢｓにより隔壁板５の長さ方向に分散されて噴出
スリットＦｓに流れるので、噴出スリットＦｓからその
全長にわたって均等に噴出されるようになる。このた
め、ガス供給ノズルＡの全長にわたって加工が均一に進
行することとなり、加工精度が向上する。
ス溜りＦに送り込まれた反応ガスは、仕切板６の分散ス
リットＢｓにより隔壁板５の長さ方向に分散されて噴出
スリットＦｓに流れるので、噴出スリットＦｓからその
全長にわたって均等に噴出されるようになる。このた
め、ガス供給ノズルＡの全長にわたって加工が均一に進
行することとなり、加工精度が向上する。
【００３０】また、吸引スリットＫｓは、ラジカル反応
により生成された反応生成物を吸引するので、反応生成
物等によってラジカル反応が阻害されることがなく、し
たがって迅速に加工することができる。また、研磨面の
粗度向上を目的として同一面を複数回研磨加工するよう
な場合、研磨面に反応終了後のガスが再付着し、面に曇
りが生じることがあるが、本ガス供給ノズルでは、供給
反応ガスが反応終了とほぼ同時に吸引されるため、研磨
面が曇るようなことがなく、清浄に保たれる。
により生成された反応生成物を吸引するので、反応生成
物等によってラジカル反応が阻害されることがなく、し
たがって迅速に加工することができる。また、研磨面の
粗度向上を目的として同一面を複数回研磨加工するよう
な場合、研磨面に反応終了後のガスが再付着し、面に曇
りが生じることがあるが、本ガス供給ノズルでは、供給
反応ガスが反応終了とほぼ同時に吸引されるため、研磨
面が曇るようなことがなく、清浄に保たれる。
【００３１】被加工物Ｈの面加工の場合、加工の進行に
つれて、Ｙ軸移動機構５４とＸ軸移動機構５５及び回転
機構５６の単独作動、若しくは２以上の同時作動で被加
工物Ｈをガス供給ノズルに対して移動させる。ガス供給
ノズルを冷却する必要がある場合は、隔壁板５の通路５
ｃに水等の冷却媒体を流す。
つれて、Ｙ軸移動機構５４とＸ軸移動機構５５及び回転
機構５６の単独作動、若しくは２以上の同時作動で被加
工物Ｈをガス供給ノズルに対して移動させる。ガス供給
ノズルを冷却する必要がある場合は、隔壁板５の通路５
ｃに水等の冷却媒体を流す。
【００３２】図のガス供給ノズルの傾斜面４ａ，４ｂ、
５ａ，５ｂの傾斜角度は３０度、傾斜面４ａ，５ａ、４
ｂ，５ｂの間隔（隙間）と分散スリットＢｓは共に０．
５ｍｍとされているが、一例に過ぎず、上記に限られる
ものではない。仕切板６の上のガス入口３ａ側の噴出側
ガス溜りＦの溜り部分Ｆａと、仕切板６の下の噴出スリ
ットＦｓ側の溜り部分Ｆｂの容積はノズルの高さに制約
がある場合（例えば、Ｆａ＋Ｆｂ＝約５０ｍｍ以下）は
一般にＦａ≦Ｆｂとされる。
５ａ，５ｂの傾斜角度は３０度、傾斜面４ａ，５ａ、４
ｂ，５ｂの間隔（隙間）と分散スリットＢｓは共に０．
５ｍｍとされているが、一例に過ぎず、上記に限られる
ものではない。仕切板６の上のガス入口３ａ側の噴出側
ガス溜りＦの溜り部分Ｆａと、仕切板６の下の噴出スリ
ットＦｓ側の溜り部分Ｆｂの容積はノズルの高さに制約
がある場合（例えば、Ｆａ＋Ｆｂ＝約５０ｍｍ以下）は
一般にＦａ≦Ｆｂとされる。
【００３３】本ガス供給ノズルは、ラジカル反応式精密
加工装置に限らず、例えば乾燥装置等の他の装置にも使
用することができる。この場合、供給ガスは使用装置に
対応して変更されることは言うまでもない。
加工装置に限らず、例えば乾燥装置等の他の装置にも使
用することができる。この場合、供給ガスは使用装置に
対応して変更されることは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の係るガス
供給ノズルは、ガス入口から送り込まれたガスを噴出ス
リットから外部に噴出させるガス供給ノズルにおいて、
上記ガス入口と噴出スリットとの間に噴出側ガス溜りが
設けられ、該噴出側ガス溜りには、ガス入口から送り込
まれたガスを上記噴出スリットの長さ方向に分散して噴
出スリット側に流す分散スリットが仕切板によって形成
された構成とされているので、噴出スリットからガスを
その全長にわたって均一に噴出させることができる。
供給ノズルは、ガス入口から送り込まれたガスを噴出ス
リットから外部に噴出させるガス供給ノズルにおいて、
上記ガス入口と噴出スリットとの間に噴出側ガス溜りが
設けられ、該噴出側ガス溜りには、ガス入口から送り込
まれたガスを上記噴出スリットの長さ方向に分散して噴
出スリット側に流す分散スリットが仕切板によって形成
された構成とされているので、噴出スリットからガスを
その全長にわたって均一に噴出させることができる。
【００３５】噴出スリットから噴出されたガスを吸引す
る吸引スリットを、噴出スリットに隣接して形成し、該
吸引スリットに、吸引側ガス溜りを介して吸引口を連絡
した構成とした場合は、ガス供給箇所の滞留を防止し
て、常に新鮮なガスを目的の箇所に供給することができ
る。
る吸引スリットを、噴出スリットに隣接して形成し、該
吸引スリットに、吸引側ガス溜りを介して吸引口を連絡
した構成とした場合は、ガス供給箇所の滞留を防止し
て、常に新鮮なガスを目的の箇所に供給することができ
る。
【００３６】また、噴出側ガス溜りと吸引側ガス溜りを
隔壁板によって区画した場合は、構造が簡単になり、コ
ストの低減が容易になる。更に、隔壁板に冷却媒体の通
路を形成した構成とすると、温度制御が容易になり、常
に一定の温度に保つことができる。
隔壁板によって区画した場合は、構造が簡単になり、コ
ストの低減が容易になる。更に、隔壁板に冷却媒体の通
路を形成した構成とすると、温度制御が容易になり、常
に一定の温度に保つことができる。
【００３７】また、本発明に係るラジカル反応式精密加
工装置は、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り出して
ワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極に電圧
を印加して支持装置に支持された被加工物との間に放電
を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間にガス
供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電
によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを生成し
て該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカ
ル反応させて被加工物を加工するラジカル反応式精密加
工装置において、上記支持装置は、上記ワイヤ電極に対
して被加工物を一方向に直線移動させるＹ軸移動機構
と、該Ｙ軸移動機構の移動方向と直交する方向に被加工
物をワイヤ電極に対して直線移動させるＸ軸移動機構
と、上記Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工物の
移動平面内において被加工物をワイヤ電極に対して回転
させる回転機構とを備え、上記ガス供給ノズルは、請求
項１ないし４のいずれかに記載のガス供給ノズルとされ
た構成とされているので、ガス供給ノズルの噴出スリッ
トからワイヤ電極と被加工物との間に反応ガスを噴出ス
リットの全長にわたって均一に供給することができ、研
磨等の加工を精度よくかつ能率的に行うことができる。
工装置は、ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り出して
ワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極に電圧
を印加して支持装置に支持された被加工物との間に放電
を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間にガス
供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電
によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを生成し
て該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカ
ル反応させて被加工物を加工するラジカル反応式精密加
工装置において、上記支持装置は、上記ワイヤ電極に対
して被加工物を一方向に直線移動させるＹ軸移動機構
と、該Ｙ軸移動機構の移動方向と直交する方向に被加工
物をワイヤ電極に対して直線移動させるＸ軸移動機構
と、上記Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工物の
移動平面内において被加工物をワイヤ電極に対して回転
させる回転機構とを備え、上記ガス供給ノズルは、請求
項１ないし４のいずれかに記載のガス供給ノズルとされ
た構成とされているので、ガス供給ノズルの噴出スリッ
トからワイヤ電極と被加工物との間に反応ガスを噴出ス
リットの全長にわたって均一に供給することができ、研
磨等の加工を精度よくかつ能率的に行うことができる。
【００３８】Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工
物の移動平面に対して垂直にガス供給ノズルを被加工物
に対して相対的に移動させるＺ軸移動機構を設けた構成
とすると、被加工物に対するガス供給ノズルの位置を最
適に設定することができ、よりよい加工が可能となる。
物の移動平面に対して垂直にガス供給ノズルを被加工物
に対して相対的に移動させるＺ軸移動機構を設けた構成
とすると、被加工物に対するガス供給ノズルの位置を最
適に設定することができ、よりよい加工が可能となる。
【図１】 本発明に係るガス供給ノズルの一実施例を示
すもので、右半分を断面にした正面図である。
すもので、右半分を断面にした正面図である。
【図２】 図１のガス供給ノズルの右半分を断面にした
平面図である。
平面図である。
【図３】 図１の（III−III）部分の断面図である。
【図４】 隔壁板と底板の関係を示す図である。
【図５】 本発明に係るラジカル反応式精密加工装置の
一実施例を示す外観図である。
一実施例を示す外観図である。
３ａ ガス入口 ３ｂ 吸引口 ５ 隔壁板 ５ｃ 通路 ６ 仕切板 ２１ ワイヤ供給機構 ２２ ワイヤ引取機構 ２３ 支持装置 ２５ Ｚ軸移動機構 ５４ Ｙ軸移動部材（Ｙ軸移動機構） ５５ Ｘ軸移動部材（Ｘ軸移動機構） ５６ 回転部材（回転機構） Ａ ガス供給ノズル Ｈ 被加工物 Ｆ 噴出側ガス溜り Ｋ 吸引側ガス溜り Ｗ ワイヤ電極 Ｆｓ 噴出スリット Ｋｓ 吸引スリット Ｂｓ 分散スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 神崎 孝之 (56)参考文献 特開 平５−78894（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−68226（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−120025（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263407（ＪＰ，Ａ) 実開 平６−79143（ＪＰ，Ｕ) 特公 平３−19015（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平３−72411（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平４−60767（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23H 7/02 H01L 21/3065
Claims (4)
- 【請求項１】 ガス入口から送り込まれたガスを噴出ス
リットから外部に噴出させるガス供給ノズルにおいて、
上記ガス入口と噴出スリットとの間に噴出側ガス溜りが
設けられ、該噴出側ガス溜りには、ガス入口から送り込
まれたガスを上記噴出スリットの長さ方向に分散して噴
出スリット側に流す分散スリットが仕切板によって形成
され、上記噴出スリットから噴出されたガスを吸引する吸引ス
リットが、上記噴出スリットに隣接して形成され、該吸
引スリットには、吸引側ガス溜りを介して吸引口が連絡
され、 上記噴出側ガス溜りと上記吸引側ガス溜りが隔壁板によ
って区画され、 該隔壁板の楔状とされた下端部の傾斜面と、上記噴出側
および吸引側ガス溜りを形成する箱状の底板の傾斜面と
の間に、上記噴出スリットと上記吸引スリットとが形成
されていること を特徴とするガス供給ノズル。 - 【請求項２】 隔壁板に冷却媒体の通路が形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載のガス供給ノズル。 - 【請求項３】 ワイヤ供給機構からワイヤ電極を送り出
してワイヤ引取機構に引き取りながら、該ワイヤ電極に
電圧を印加して支持装置に支持された被加工物との間に
放電を発生させるとともに、ワイヤ電極と被加工物間に
ガス供給ノズルで反応ガスを供給して該反応ガスを上記
放電によって活性化させ、上記反応ガスでラジカルを生
成して該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラ
ジカル反応させて被加工物を加工するラジカル反応式精
密加工装置において、上記支持装置は、上記ワイヤ電極
に対して被加工物を一方向に直線移動させるＹ軸移動機
構と、該Ｙ軸移動機構の移動方向と直交する方向に被加
工物をワイヤ電極に対して直線移動させるＸ軸移動機構
と、上記Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加工物の
移動平面内において被加工物をワイヤ電極に対して回転
させる回転機構とを備え、上記ガス供給ノズルは、請求
項１または２に記載のガス供給ノズルとされたことを特
徴とするラジカル反応式精密加工装置。 - 【請求項４】 Ｙ軸移動機構とＸ軸移動機構による被加
工物の移動平面に対して垂直にガス供給ノズルを被加工
物に対して相対的に移動させるＺ軸移動機構が設けられ
たことを特徴とする請求項３記載のラジカル反応式精密
加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14053696A JP3238630B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ガス供給ノズル及びラジカル反応式精密加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14053696A JP3238630B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ガス供給ノズル及びラジカル反応式精密加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09323221A JPH09323221A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3238630B2 true JP3238630B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=15270961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14053696A Expired - Fee Related JP3238630B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | ガス供給ノズル及びラジカル反応式精密加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3238630B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1448030A4 (en) | 2002-08-30 | 2006-11-22 | Sekisui Chemical Co Ltd | PLASMA PROCESSING SYSTEM |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP14053696A patent/JP3238630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09323221A (ja) | 1997-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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