JPS6012734A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6012734A JPS6012734A JP11829383A JP11829383A JPS6012734A JP S6012734 A JPS6012734 A JP S6012734A JP 11829383 A JP11829383 A JP 11829383A JP 11829383 A JP11829383 A JP 11829383A JP S6012734 A JPS6012734 A JP S6012734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- axis
- electrodes
- parallel plate
- surrounding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は平行平板電極構造のプラズマ処理装置に関し、
特に半導体装置の製造に適したドライエツチング装置に
関するものである。
特に半導体装置の製造に適したドライエツチング装置に
関するものである。
半導体装置の製造技術の一つにエツチング技術があり、
特にプラズマを徂１用したドライエツチング技術が用い
られる。このドライエツチングを行なうエツチング装置
には種々のものが提案されているが、構造、エツチング
性等の点から平行平板電極構造のものが使用されること
が多い。（例えば特開昭５１−７９６５０号公報）この
平行平板電極構造のエツチング装置は、内部を所要のガ
ス雰囲気で所要の真空度に保持【７たチャンバ内に一対
の平板電極を対向配置し、かつこれら両電極間に高周波
電力を印加することにより両電極間にプラズマを生起さ
せ、このプラズマを利用して半導体ウェーハの表面薄膜
等をエツチングする構成となっている。
特にプラズマを徂１用したドライエツチング技術が用い
られる。このドライエツチングを行なうエツチング装置
には種々のものが提案されているが、構造、エツチング
性等の点から平行平板電極構造のものが使用されること
が多い。（例えば特開昭５１−７９６５０号公報）この
平行平板電極構造のエツチング装置は、内部を所要のガ
ス雰囲気で所要の真空度に保持【７たチャンバ内に一対
の平板電極を対向配置し、かつこれら両電極間に高周波
電力を印加することにより両電極間にプラズマを生起さ
せ、このプラズマを利用して半導体ウェーハの表面薄膜
等をエツチングする構成となっている。
ところで、この種のエツチング装置にあっては。
被エツチング材におけるエツチングレートや選択比を最
適に設定する場合、真空度、供給ガス濃度。
適に設定する場合、真空度、供給ガス濃度。
高周波電力等の各要件を変化調節する方法がとられてい
る。しかしながら、これら各要件の変化調節によっても
エツチングレートや選択比を一義的に設定することは困
難であり、しかも被エツチング材に応じズ各要件を変化
調節させ得る構造とすることはエツチング装置全体の構
成を複雑なものにするという問題が生じている。
る。しかしながら、これら各要件の変化調節によっても
エツチングレートや選択比を一義的に設定することは困
難であり、しかも被エツチング材に応じズ各要件を変化
調節させ得る構造とすることはエツチング装置全体の構
成を複雑なものにするという問題が生じている。
本発明の目的は処理速度や選択比を一義的にかつこれを
答゛易に設定でき、しかも装置全体の構成を複雑なもの
にすることのないプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
答゛易に設定でき、しかも装置全体の構成を複雑なもの
にすることのないプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
また、本発明の目的は真空度、ガス濃度、高周波電力等
を一定に保持した状態で処理速度や選択比を任意に設定
することのできるプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
を一定に保持した状態で処理速度や選択比を任意に設定
することのできるプラズマ処理装置を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、平行平板電極の少なくとも一方を分割形成す
ると共に各分割部を退避移動して電極全体としての電極
面積を変化できるように構成することにより、平行平板
電極の有効面積を変化させ。
ると共に各分割部を退避移動して電極全体としての電極
面積を変化できるように構成することにより、平行平板
電極の有効面積を変化させ。
これにより処理速度２選択比の容易な設定を可能にする
ものである。
ものである。
第１図ないし第２図は本発明の一実施例であるエツチン
グ装置を示す。第１図において、１は密封屋のチャンバ
であり、その上部にはＡｒ等の処理ガスを供給するため
のガス供給口２を開設する一方、下部にはポンプ３に接
続してチャンバ１内を所要の真空圧にする真空吸引口４
を開設している。また、前記チャンバ１内には上下に対
向配置した一対の平板電極、即ち上部電極５と下部電極
” ６とを備えて平行平板電極を構成し、上部電極５に
は高周波電力源７を接続する一方下部電極６はアース接
続している。
グ装置を示す。第１図において、１は密封屋のチャンバ
であり、その上部にはＡｒ等の処理ガスを供給するため
のガス供給口２を開設する一方、下部にはポンプ３に接
続してチャンバ１内を所要の真空圧にする真空吸引口４
を開設している。また、前記チャンバ１内には上下に対
向配置した一対の平板電極、即ち上部電極５と下部電極
” ６とを備えて平行平板電極を構成し、上部電極５に
は高周波電力源７を接続する一方下部電極６はアース接
続している。
前記下部電極６は、第２図に平面形状を示すよ５に円形
をした中心部８と、その周囲に同心配置した環状の第１
周辺部９．第２周辺部１ｏとで分割形成第１周辺部９．
第２周辺部１ｏを支持している。更に前記中心軸１１．
第１中空軸１２、第２中空軸１３の下部には夫々独立し
て各軸を上下動するための上下動機構１４，１５．１６
が付設されている。本例では所謂ラックピニオン構造が
採用されており。
をした中心部８と、その周囲に同心配置した環状の第１
周辺部９．第２周辺部１ｏとで分割形成第１周辺部９．
第２周辺部１ｏを支持している。更に前記中心軸１１．
第１中空軸１２、第２中空軸１３の下部には夫々独立し
て各軸を上下動するための上下動機構１４，１５．１６
が付設されている。本例では所謂ラックピニオン構造が
採用されており。
各軸１１，１２，１３に一体形成したラック１７，１８
゜１９に夫々モータ２０，２１．２２にて回動されるビ
ニオン２３，２４，２５を噛合させ、モータ２０．２１
゜２２を制御回路２６にて独立して正反転させることに
より中心軸１１．第１中空軸１２．第２中空軸１３を独
立して上下動させ、更にこれらと一体の中心部８゜第４
周辺部９、第２周辺部１ｏを独立して上下ｉすることが
できる。なお、中心部８は上下動させずに固定した電極
部としてもよく、ラック１７．モータ２０．ピニオン２
３を設けなくともよい。また、中心部８上面には被エツ
チング材としての半導体ウェーハＷを載買できる。
゜１９に夫々モータ２０，２１．２２にて回動されるビ
ニオン２３，２４，２５を噛合させ、モータ２０．２１
゜２２を制御回路２６にて独立して正反転させることに
より中心軸１１．第１中空軸１２．第２中空軸１３を独
立して上下動させ、更にこれらと一体の中心部８゜第４
周辺部９、第２周辺部１ｏを独立して上下ｉすることが
できる。なお、中心部８は上下動させずに固定した電極
部としてもよく、ラック１７．モータ２０．ピニオン２
３を設けなくともよい。また、中心部８上面には被エツ
チング材としての半導体ウェーハＷを載買できる。
次に以上の構成のエツチング装置を利用したエツチング
方法について説明する。
方法について説明する。
先ず本発明者にｊる予備実験によれば、平行平板電極に
おけるエツチング時の陰極降下電極■４゜とエツチング
レートおよび選択比は、第３図（Ａ）のように相関関係
のあることが判明した。そして。
おけるエツチング時の陰極降下電極■４゜とエツチング
レートおよび選択比は、第３図（Ａ）のように相関関係
のあることが判明した。そして。
この■ｄｃは第３図（Ｉ３）のように平行平板電極の小
さい方の面積と相関のあることが判明した。このことか
ら、平行平板電極の面積を適宜変化すれば、エツチング
レート、選択比を任意に変化できることが判る。
さい方の面積と相関のあることが判明した。このことか
ら、平行平板電極の面積を適宜変化すれば、エツチング
レート、選択比を任意に変化できることが判る。
したがって、中心部８．第１．第２の各周辺部９．１０
を全て上動位置に設定１．た第１図の状態に対し、第２
周辺部１０のみを下動した第４図（Ａ）の状態、更に第
１．第２の両局辺部９，１０を下動した第４図ＣＢ）の
状態では、夫々下部電極６の有効な面積は順次低減され
る。これにより、前述のＶ、。も順次低下され、エツチ
ングレート、選択比をこれに対応して変化することがで
きる。この場合、下動させた電極部は充分下方位置に移
動させ、下部電極の一部として作用しないようにする。
を全て上動位置に設定１．た第１図の状態に対し、第２
周辺部１０のみを下動した第４図（Ａ）の状態、更に第
１．第２の両局辺部９，１０を下動した第４図ＣＢ）の
状態では、夫々下部電極６の有効な面積は順次低減され
る。これにより、前述のＶ、。も順次低下され、エツチ
ングレート、選択比をこれに対応して変化することがで
きる。この場合、下動させた電極部は充分下方位置に移
動させ、下部電極の一部として作用しないようにする。
また、中心部８或は第１．第２周辺部９，１０を含めた
下部電極を全体的に上下動することにより上部電極５と
の対向間隔を変化させ、これによりエッチレート１選択
比の制御を行なうことも可能である。
下部電極を全体的に上下動することにより上部電極５と
の対向間隔を変化させ、これによりエッチレート１選択
比の制御を行なうことも可能である。
（１）平行平板電極の一方を分割形成してこれを夫々移
動できるようにし、電極の実質的な面積を変化できるよ
うにしているので１面積に相関を有する処理速度１選択
比を任意に設定することができる。
動できるようにし、電極の実質的な面積を変化できるよ
うにしているので１面積に相関を有する処理速度１選択
比を任意に設定することができる。
（２）分割した電極を移動させるだけで処理速度。
選択比を変化でき、真空度、ガス濃度、高周波電力等を
変化させる必要がないので極めて容易にその調節を行な
って処理速度１選択比を一義的に設定することができる
。
変化させる必要がないので極めて容易にその調節を行な
って処理速度１選択比を一義的に設定することができる
。
（３）分割した電極を夫々移動できるように構成すれば
よく、真空度、ガス濃度、高周波電力等の調節用の構造
を設ける必要がないので全体構造の簡易化を達成できる
。
よく、真空度、ガス濃度、高周波電力等の調節用の構造
を設ける必要がないので全体構造の簡易化を達成できる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、上部電極を
分割構成してもよく、或いは両電極を分割構成してもよ
い。また１分割数は図示の３個に拘わらず適当数分割で
きるようにすればよい。更に電極の上下動機構は種々に
変更できる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、上部電極を
分割構成してもよく、或いは両電極を分割構成してもよ
い。また１分割数は図示の３個に拘わらず適当数分割で
きるようにすればよい。更に電極の上下動機構は種々に
変更できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のエツチング装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、プラズマを利用して試
料表面上に薄膜を形成するような装置にも適用すること
ができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
のエツチング装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、プラズマを利用して試
料表面上に薄膜を形成するような装置にも適用すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の断面部、
第２図は下部電極の平面図。
第３図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の詳細な説明するため
のグラフ。 第４図（Ａ）、 （Ｂ）は作用を説明するための模式的
な断面図である。 １・・・チャンバ、５・・・上部電極、６・・・下部電
極、７・・・高周波電力源、８・・・中心部、９・・・
第１周辺部、１０・・・第２周辺部、１４．１５．１６
・・・上下動機構、Ｗ・・・ウェーハ。 第 ２ 図 第 ３ 図 （Ａ＞ （の 第 ４ 図 （Ａン （Ｂ）
のグラフ。 第４図（Ａ）、 （Ｂ）は作用を説明するための模式的
な断面図である。 １・・・チャンバ、５・・・上部電極、６・・・下部電
極、７・・・高周波電力源、８・・・中心部、９・・・
第１周辺部、１０・・・第２周辺部、１４．１５．１６
・・・上下動機構、Ｗ・・・ウェーハ。 第 ２ 図 第 ３ 図 （Ａ＞ （の 第 ４ 図 （Ａン （Ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平行に対向配置した一対の電極からなる平行平板電
極を有するエツチング装置において、少なくとも一方の
電極を複数個の部分に分割形成すると共に、夫々の分割
部分を独立して移動できるように構成して一方の電極の
有効面績を変化できるようにしたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 ２６電極を円形の中心部と、その周囲に同心的に配設し
た複数個の環状の第１．第２の周辺部とで構成してなる
特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３、電極を真空チャンバ内に配置する一方、電極間に高
周波電力を印加したプラズマドライエツチング装置であ
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11829383A JPS6012734A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11829383A JPS6012734A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012734A true JPS6012734A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14733087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11829383A Pending JPS6012734A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012734A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0266288A2 (en) * | 1986-10-30 | 1988-05-04 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing method and apparatus |
| JPS63248130A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-10-14 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | プラズマ反応器 |
| JPH0794495A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-04-07 | Hughes Aircraft Co | プラズマ補助化学的エッチング処理に使用される電極 |
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| KR100888187B1 (ko) | 2007-09-05 | 2009-03-10 | 주식회사 테스 | 전극 조립체 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 |
| US8138444B2 (en) | 2008-04-03 | 2012-03-20 | Tes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| WO2015169385A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten |
| JP2016509330A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-24 | 旭硝子株式会社 | Ｄｂｄプラズマ法のための電極対 |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP11829383A patent/JPS6012734A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0266288A2 (en) * | 1986-10-30 | 1988-05-04 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing method and apparatus |
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| JPH0794495A (ja) * | 1993-05-14 | 1995-04-07 | Hughes Aircraft Co | プラズマ補助化学的エッチング処理に使用される電極 |
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| US6916401B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-07-12 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| KR100888187B1 (ko) | 2007-09-05 | 2009-03-10 | 주식회사 테스 | 전극 조립체 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 |
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| WO2015169385A1 (de) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten |
| KR20170002396A (ko) * | 2014-05-09 | 2017-01-06 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판의 플라즈마 처리 방법 및 장치 |
| US20170047203A1 (en) * | 2014-05-09 | 2017-02-16 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for plasma treatment of substrates |
| US10707059B2 (en) | 2014-05-09 | 2020-07-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for plasma treatment of substrates |
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