JP2734734B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2734734B2 JP2734734B2 JP9572190A JP9572190A JP2734734B2 JP 2734734 B2 JP2734734 B2 JP 2734734B2 JP 9572190 A JP9572190 A JP 9572190A JP 9572190 A JP9572190 A JP 9572190A JP 2734734 B2 JP2734734 B2 JP 2734734B2
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- electrode
- chamber
- support shaft
- plasma processing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置は、例えば、半導体デバイスの製造
工程などで実用に供されており、この装置を用いてプラ
ズマエッチング（ドライエッチング）、プラズマCVD、
プラズマ表面改質などの処理が行われている。
工程などで実用に供されており、この装置を用いてプラ
ズマエッチング（ドライエッチング）、プラズマCVD、
プラズマ表面改質などの処理が行われている。
このプラズマ処理装置では、第３図にみるように、チ
ャンバー50内に上下一対のプラズマ生成用の電極51と電
極52が対面するようにして設けられており、両電極間の
放電現象によって生成されたプラズマにより、両電極間
に配された被処理体をプラズマ処理するようになってい
る。
ャンバー50内に上下一対のプラズマ生成用の電極51と電
極52が対面するようにして設けられており、両電極間の
放電現象によって生成されたプラズマにより、両電極間
に配された被処理体をプラズマ処理するようになってい
る。
上電極51と下電極52は、この場合、相互の間隔および
平行度の厳密な調整が必要である。そこで、このプラズ
マ処理装置では、上記間隔および平行度の調整を可能と
させる構成が、以下のようになっている。
平行度の厳密な調整が必要である。そこで、このプラズ
マ処理装置では、上記間隔および平行度の調整を可能と
させる構成が、以下のようになっている。
すなわち、下電極52がチャンバー50内において固定し
て設けられているのに対し、上電極51が放電チャンバー
50に対して直接固定されていない。つまり、上電極51の
支持は、チャンバー50に対し可動となっている支持軸54
によりなされているのである。これを詳しく述べると、
第３図にみるように、支持軸54は、先端側に上電極51が
取り付けられ、他端側がボルト55、55を足としてチャン
バー50上面に係止されたるベース部材56に固定されてい
ているのである。
て設けられているのに対し、上電極51が放電チャンバー
50に対して直接固定されていない。つまり、上電極51の
支持は、チャンバー50に対し可動となっている支持軸54
によりなされているのである。これを詳しく述べると、
第３図にみるように、支持軸54は、先端側に上電極51が
取り付けられ、他端側がボルト55、55を足としてチャン
バー50上面に係止されたるベース部材56に固定されてい
ているのである。
なお、真空雰囲気下での放電によりプラズマを発生さ
せる形式では、上電極51の裏面とチャンバー50内面の間
に伸縮ベローズ53が設けられていてチャンバー内の真空
が保たれるようになっている。
せる形式では、上電極51の裏面とチャンバー50内面の間
に伸縮ベローズ53が設けられていてチャンバー内の真空
が保たれるようになっている。
上記ベース部材56は、ボルト55、55を正逆回転させれ
ば傾きおよび高さが変化し、これに伴い支持軸54の上下
位置および傾きが変わる。そして、支持軸54の上下位置
および傾きの変化に伴い、上下電極51、52の間隔および
平行度が変わるのである。したがって、ボルト55、55を
回転操作すれば、上下両電極51、52の間隔および平行度
を所望の値に設定する調整が行えることになる。
ば傾きおよび高さが変化し、これに伴い支持軸54の上下
位置および傾きが変わる。そして、支持軸54の上下位置
および傾きの変化に伴い、上下電極51、52の間隔および
平行度が変わるのである。したがって、ボルト55、55を
回転操作すれば、上下両電極51、52の間隔および平行度
を所望の値に設定する調整が行えることになる。
しかしながら、上記プラズマ処理装置の場合、上下電
極51、52の間隔および平行度を適切な状態に調整するこ
とは簡単ではなかった。これは、ボルト55の回転は高さ
と傾きを同時に変化させるからである。間隔だけを少し
変更しようとしても、平行度も同時に変動してしまうの
で、間隔と平行度の両方を所望の値にすることが中々で
きないのである。
極51、52の間隔および平行度を適切な状態に調整するこ
とは簡単ではなかった。これは、ボルト55の回転は高さ
と傾きを同時に変化させるからである。間隔だけを少し
変更しようとしても、平行度も同時に変動してしまうの
で、間隔と平行度の両方を所望の値にすることが中々で
きないのである。
この発明は、上記事情に鑑み、一対のプラズマ生成用
電極の平行度および間隔の調整が容易なプラズマ処理装
置を提供することを課題とする。
電極の平行度および間隔の調整が容易なプラズマ処理装
置を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、この発明にかかるプラズマ
処理装置は、チャンバーと、このチャンバーに対し一定
の姿勢を取る固定球面座と、この固定球面座によりユニ
バーサルな傾きを可能とするようにして支持された軸受
け部材と、この軸受け部材にスラスト軸受けされてその
先端がチャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、
この支持軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャ
ンバー内において前記一方の電極に対面する他方の電極
を備え、両電極間に放電が行われるようになっていると
ともに、前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段
の働きで前記他方の電極に対し離接可能となっている構
成をとるようにしている。
処理装置は、チャンバーと、このチャンバーに対し一定
の姿勢を取る固定球面座と、この固定球面座によりユニ
バーサルな傾きを可能とするようにして支持された軸受
け部材と、この軸受け部材にスラスト軸受けされてその
先端がチャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、
この支持軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャ
ンバー内において前記一方の電極に対面する他方の電極
を備え、両電極間に放電が行われるようになっていると
ともに、前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段
の働きで前記他方の電極に対し離接可能となっている構
成をとるようにしている。
この発明のプラズマ処理装置では、一方の電極の支持
軸が軸受け部材にスラスト軸受けされ、この軸受け部材
が球面座によりユニバーサルな傾きを可能とするように
支持されているため、電極は、球面座を支点として自由
に傾きを変えることができる。
軸が軸受け部材にスラスト軸受けされ、この軸受け部材
が球面座によりユニバーサルな傾きを可能とするように
支持されているため、電極は、球面座を支点として自由
に傾きを変えることができる。
そこで、この一方の電極（可動電極）を他方の電極
（固定電極）に押し付けると、この一方の電極は他方の
電極に対して面接触して平行度を自動的に調える。
（固定電極）に押し付けると、この一方の電極は他方の
電極に対して面接触して平行度を自動的に調える。
この発明のプラズマ処理装置では、支持軸が軸受け部
材によりスラスト軸受けされているので、支持軸をスラ
ストさせると、一方の電極は他方の電極に対して平行度
を保った状態で離接する。
材によりスラスト軸受けされているので、支持軸をスラ
ストさせると、一方の電極は他方の電極に対して平行度
を保った状態で離接する。
ついで、この発明にかかるプラズマ処理装置の一実施
例を図面を参照しながら詳しく説明する。
例を図面を参照しながら詳しく説明する。
第１図は、実施例のプラズマ処理装置の構成の概略を
あらわし、第２図は、この実施例のプラズマ処理装置の
構成の詳細をあらわす。
あらわし、第２図は、この実施例のプラズマ処理装置の
構成の詳細をあらわす。
このプラズマ処理装置では、チャンバー１内に上下一
対のプラズマ生成用の電極（一方の電極）２と電極（他
方の電極）３が対面するようにして配設されている。両
電極２、３間の放電現象により生成させたプラズマによ
り、両電極２、３間に配された被処理体（ウエハなど）
25をプラズマ処理する。1bは排気口である。
対のプラズマ生成用の電極（一方の電極）２と電極（他
方の電極）３が対面するようにして配設されている。両
電極２、３間の放電現象により生成させたプラズマによ
り、両電極２、３間に配された被処理体（ウエハなど）
25をプラズマ処理する。1bは排気口である。
このプラズマ装置でも、上電極２がチャンバー外から
チャンバー内に臨む支持軸５の先端に取り付けられて支
持されている。
チャンバー内に臨む支持軸５の先端に取り付けられて支
持されている。
しかし、この支持軸５は軸受け部材６でスラストベア
リング19を介してスラスト軸受けされ、この軸受け部材
６は下面に球面6aを有して、この球面6aで、チャンバー
１の天井壁部材1aの上面に固定された球面座７上に載置
支持されており、この点で従来と異なる。軸受け部材６
は、その球面6aで球面座７に支持されているために、ユ
ニバーサルな傾きを可能とする。すなわち、支持軸５が
第１図に矢印Ａで示すように左ないし右に振れて上電極
２の下電極３に対する傾きが自由に変化し平行度が変わ
るようになっているのである。
リング19を介してスラスト軸受けされ、この軸受け部材
６は下面に球面6aを有して、この球面6aで、チャンバー
１の天井壁部材1aの上面に固定された球面座７上に載置
支持されており、この点で従来と異なる。軸受け部材６
は、その球面6aで球面座７に支持されているために、ユ
ニバーサルな傾きを可能とする。すなわち、支持軸５が
第１図に矢印Ａで示すように左ないし右に振れて上電極
２の下電極３に対する傾きが自由に変化し平行度が変わ
るようになっているのである。
支持軸５の他端に設けられたベース部材10は、パルス
モータ11で正逆回転駆動されるネジ棒12にネジ結合して
いて、ネジ棒12の正逆回転に伴い第１図に矢印Ｂで示す
ように上下に移動する。そして、ベース部材10の上下移
動に伴い、支持軸５が上下移動して、上電極２と下電極
３の間隔が変わるようになっている。つまり、上記ベー
ス部材10、パルスモータ11およびネジ棒12は、電極２、
３が離接する方向に支持軸５を動かす駆動手段を構成し
ているのである。
モータ11で正逆回転駆動されるネジ棒12にネジ結合して
いて、ネジ棒12の正逆回転に伴い第１図に矢印Ｂで示す
ように上下に移動する。そして、ベース部材10の上下移
動に伴い、支持軸５が上下移動して、上電極２と下電極
３の間隔が変わるようになっている。つまり、上記ベー
ス部材10、パルスモータ11およびネジ棒12は、電極２、
３が離接する方向に支持軸５を動かす駆動手段を構成し
ているのである。
この場合も、上電極２の裏面とチャンバー１内面との
間に伸縮ベローズ４が設けられているが、この伸縮ベロ
ーズ４は、支持軸５の動きに応じて柔軟に伸び縮みする
ため、上電極２の動きを妨げることがない。
間に伸縮ベローズ４が設けられているが、この伸縮ベロ
ーズ４は、支持軸５の動きに応じて柔軟に伸び縮みする
ため、上電極２の動きを妨げることがない。
パルスモータ11の働きで支持軸５がチャンバー１内に
伸びて上電極２が下電極３に密接して、上電極２は自然
に下電極３に対して完全に平行するので、ここでクラン
プ15で軸受け部材６の球面座７に対する傾きを固定す
る。この状態でパルスモータ11を駆動し支持軸５を上下
方向に動かせば、上電極２は下電極３に対し完全に平行
を保った状態で離接する。
伸びて上電極２が下電極３に密接して、上電極２は自然
に下電極３に対して完全に平行するので、ここでクラン
プ15で軸受け部材６の球面座７に対する傾きを固定す
る。この状態でパルスモータ11を駆動し支持軸５を上下
方向に動かせば、上電極２は下電極３に対し完全に平行
を保った状態で離接する。
このプラズマ処理装置では、支持軸５の軸線は球面6a
の法線に一致している。このようになっていると、平行
度を変えたときの上下の移動量と下電極に対する上電極
の軸芯のズレのいずれもが最小にできるといった利点が
ある。
の法線に一致している。このようになっていると、平行
度を変えたときの上下の移動量と下電極に対する上電極
の軸芯のズレのいずれもが最小にできるといった利点が
ある。
続いて、実施例のプラズマ処理装置のその他の構成に
ついて説明する。
ついて説明する。
上電極２および下電極３は、流路2a、3aを流れる水で
冷却される。また、上電極２の流路2bおよびパイプ16を
介して必要な処理ガスの導入がなされる。上電極２の下
面には処理ガスを噴出させるための多数の細孔2c…が設
けられている。下電極３には高周波電力の供給手段RFが
設けられている。また、下電極３の中央付近には被処理
体25を下電極３上に載置するための昇降手段（例えば、
ウエハつき上げピン）26が設けられている。
冷却される。また、上電極２の流路2bおよびパイプ16を
介して必要な処理ガスの導入がなされる。上電極２の下
面には処理ガスを噴出させるための多数の細孔2c…が設
けられている。下電極３には高周波電力の供給手段RFが
設けられている。また、下電極３の中央付近には被処理
体25を下電極３上に載置するための昇降手段（例えば、
ウエハつき上げピン）26が設けられている。
ダイアルゲージ20は、ベース部材10の上下方向の移動
量（すなわち上下電極２、３間の間隔に対応する量）を
示す。すなわち、ベース部材10の肩10aに上から当接す
る測定棒21がベース部材10の上下動に伴って上下移動
し、この動きがダイアルゲージ20で表示されるのであ
る。パルスモータ11の回転は、プーリー17および伝達ベ
ルト18を介してネジ棒12に伝えられる。絶縁材Ｇは電極
２、３の必要な電気的絶縁状態を確保するためのもので
ある。
量（すなわち上下電極２、３間の間隔に対応する量）を
示す。すなわち、ベース部材10の肩10aに上から当接す
る測定棒21がベース部材10の上下動に伴って上下移動
し、この動きがダイアルゲージ20で表示されるのであ
る。パルスモータ11の回転は、プーリー17および伝達ベ
ルト18を介してネジ棒12に伝えられる。絶縁材Ｇは電極
２、３の必要な電気的絶縁状態を確保するためのもので
ある。
なお、上記プラズマ処理装置には、図示の構成以外
に、チャンバー１内を必要な真空雰囲気にするための真
空排気手段、不活性ガスや使用材料ガス等の供給手段、
あるいは、プラズマ生成用の高周波電圧を各電極に印加
する電源手段等がそれぞれ、通常用いらる構成でもって
設けられていることはいうまでもない。
に、チャンバー１内を必要な真空雰囲気にするための真
空排気手段、不活性ガスや使用材料ガス等の供給手段、
あるいは、プラズマ生成用の高周波電圧を各電極に印加
する電源手段等がそれぞれ、通常用いらる構成でもって
設けられていることはいうまでもない。
この発明は、上記実施例に限らない。例えば、上記支
持軸５の軸線が球面6aの法線と一致していなくてもよい
のである。
持軸５の軸線が球面6aの法線と一致していなくてもよい
のである。
この発明のプラズマ処理装置では、プラズマ生成用の
一対の電極の間の間隔が平行度の調整とは独立に変える
ことができるため、電極極の間隔の調整が極めて容易で
ある。
一対の電極の間の間隔が平行度の調整とは独立に変える
ことができるため、電極極の間隔の調整が極めて容易で
ある。
第１図は、この発明の実施例にかかるプラズマ処理装置
の構成をあらわす概略断面図、第２図は、このプラズマ
処理装置の構成の詳細をあらわす一部断面図、第３図
は、従来のプラズマ処理装置の構成をあらわす概略断面
図である。 １……チャンバー、２……上電極（一方の電極）、３…
…下電極、５……支持軸、６……軸受け部材、6a……球
面、７……球面座（固定球面座）、10……ベース部材、
11……パルスモータ、12……ネジ棒、25……被処理体
の構成をあらわす概略断面図、第２図は、このプラズマ
処理装置の構成の詳細をあらわす一部断面図、第３図
は、従来のプラズマ処理装置の構成をあらわす概略断面
図である。 １……チャンバー、２……上電極（一方の電極）、３…
…下電極、５……支持軸、６……軸受け部材、6a……球
面、７……球面座（固定球面座）、10……ベース部材、
11……パルスモータ、12……ネジ棒、25……被処理体
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバーと、このチャンバーに対し一定
の姿勢を取る固定球面座と、この固定球面座によりユニ
バーサルな傾きを可能とするようにして支持された軸受
け部材と、この軸受け部材にスラスト軸受けされてその
先端がチャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、
この支持軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャ
ンバー内において前記一方の電極に対面する他方の電極
を備え、両電極間に放電が行われるようになっていると
ともに、前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段
の働きで前記他方の電極に対し離接可能となっているプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572190A JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572190A JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292731A JPH03292731A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2734734B2 true JP2734734B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=14145342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9572190A Expired - Fee Related JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734734B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5075793B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 |
| CN102903606B (zh) * | 2011-07-29 | 2016-03-30 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 多腔室半导体处理装置 |
| US10699879B2 (en) * | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9572190A patent/JP2734734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03292731A (ja) | 1991-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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