JPS61119684A - スパツタエツチング装置 - Google Patents
スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61119684A JPS61119684A JP23862684A JP23862684A JPS61119684A JP S61119684 A JPS61119684 A JP S61119684A JP 23862684 A JP23862684 A JP 23862684A JP 23862684 A JP23862684 A JP 23862684A JP S61119684 A JPS61119684 A JP S61119684A
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- Japan
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- distance
- electrode
- sputter etching
- electrodes
- etching
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は基板面にスパッタエツチング処理を施す装置に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来のこの種装置として、真空室内に、基板を載置した
スパッタエツチング電極と、これに対向する対向電極と
を設け、両電極に電源からＲＦ電力を供給して、両電極
間にプラズマを発生させ該プラズマ内のイオンを該基板
に突入させて、これにスパッタエツチング処理を施すよ
うにしたものが知られる。
スパッタエツチング電極と、これに対向する対向電極と
を設け、両電極に電源からＲＦ電力を供給して、両電極
間にプラズマを発生させ該プラズマ内のイオンを該基板
に突入させて、これにスパッタエツチング処理を施すよ
うにしたものが知られる。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来装置は、両電極間の距離を基板面の材質の如何
にかかわらず常に一定に保つもので、基板面の材質によ
ってはエツチングレートが悪化し効率の良いエツチング
レートでスパッタエツチング処理が行なわれない不都合
があった。
にかかわらず常に一定に保つもので、基板面の材質によ
ってはエツチングレートが悪化し効率の良いエツチング
レートでスパッタエツチング処理が行なわれない不都合
があった。
かかる不都合は、エツチングレートは基板面の材質によ
り異なることのみならず、同一材質であっても電極間距
離が変わるとエツチングレートが異なることが原因であ
ると考えられる。
り異なることのみならず、同一材質であっても電極間距
離が変わるとエツチングレートが異なることが原因であ
ると考えられる。
本発明は上記不都合を解消し効率の良いエツチングを行
なえる装置を提供することを目的とするものである。
なえる装置を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段））
本発明では、真空室内に、基板を載置したスバッタエツ
チング電極と、これに対向する対向電極とを設け、両電
極にＲＦ電力を供給して、両電極間にプラズマを発生さ
せ、該基板面のスパッタエツチング処理を行なうものに
於いて、前記両電極の少なくとも一方を、両電極間の距
離を該基板面の材質に応じて自動的に変化させる該真空
室の外部の距離調節手段に連結するようにした。
チング電極と、これに対向する対向電極とを設け、両電
極にＲＦ電力を供給して、両電極間にプラズマを発生さ
せ、該基板面のスパッタエツチング処理を行なうものに
於いて、前記両電極の少なくとも一方を、両電極間の距
離を該基板面の材質に応じて自動的に変化させる該真空
室の外部の距離調節手段に連結するようにした。
（作 用）
基板はスパッタエツチング電極上に４ｉ！置され、真空
室内に於いてスパッタエツチング処理が施されるが、該
スパッタエツチング電極とこれに対向する対向電極との
距離は、距ＩＩＩＩ調節手段により、該基板面の材質に
応じた最適のエツチングレートとなる適正距離に保持さ
れるので、効率の良いエツチングレートでスバツタエツ
チクング処理を行なうことができる。
室内に於いてスパッタエツチング処理が施されるが、該
スパッタエツチング電極とこれに対向する対向電極との
距離は、距ＩＩＩＩ調節手段により、該基板面の材質に
応じた最適のエツチングレートとなる適正距離に保持さ
れるので、効率の良いエツチングレートでスバツタエツ
チクング処理を行なうことができる。
（実施例）
本発明の実施例を第１図乃至第５図に基づいて説明する
。第１図において、（１）は真空室、（２）は該真空室
（１）内に設けたＳＯ３、Ｃｕ等の導電性材料で形成さ
れたスパッタエツチング電極、（３）は該エツチング電
極（２）に５ｒｏ２、アルミナ等の台板（４〉を介して
載置されその表面に５ｉｎ２、Ｍ、ポリシリコン、
Ｓｉ３Ｎ、等の薄膜（５）を形成したＳｉ等の基板、（
６）は該エツチング電極（２）に対向配置されたＳＯ３
、Ｃｕ等導電性材料で形成された対向電極、（７）はＣ
Ｆ、等のエツチングガスの導入口、（８）は両電極（２
） （６）にＲＦ電力を供給する電源、（９）は真空ポ
ンプを示すもので、真空室（１）内を真空排気してそこ
に多少のＣＦ４等のエツチングガスを導入し、スパッタ
エツチング電極（わと対向電極（６）とに電源（８）か
らＲＦ電力を供給すると、両電極（２） （０）間にプ
ラズマが発生し、該プラズマ中のイオンが基板（３）面
に突入して、５ｉ０２等の薄膜（５）がエツチングされ
る。
。第１図において、（１）は真空室、（２）は該真空室
（１）内に設けたＳＯ３、Ｃｕ等の導電性材料で形成さ
れたスパッタエツチング電極、（３）は該エツチング電
極（２）に５ｒｏ２、アルミナ等の台板（４〉を介して
載置されその表面に５ｉｎ２、Ｍ、ポリシリコン、
Ｓｉ３Ｎ、等の薄膜（５）を形成したＳｉ等の基板、（
６）は該エツチング電極（２）に対向配置されたＳＯ３
、Ｃｕ等導電性材料で形成された対向電極、（７）はＣ
Ｆ、等のエツチングガスの導入口、（８）は両電極（２
） （６）にＲＦ電力を供給する電源、（９）は真空ポ
ンプを示すもので、真空室（１）内を真空排気してそこ
に多少のＣＦ４等のエツチングガスを導入し、スパッタ
エツチング電極（わと対向電極（６）とに電源（８）か
らＲＦ電力を供給すると、両電極（２） （０）間にプ
ラズマが発生し、該プラズマ中のイオンが基板（３）面
に突入して、５ｉ０２等の薄膜（５）がエツチングされ
る。
しかし乍ら、エツチングレートは薄Ｎｕ （５）の材質
と両電極間の距離によって異なるものであり、前記従来
装置においては、材質に応じた調節手段が備えられてい
ないので、材質によってはエツチングレートが悪化する
不都合があったが、本発明の装置では両電極（２） （
６）の少なくとも一方を、真空室（１）の外部の距離調
節手段（１１）に連結したので、両電極（２） （６）
＠の距離を基板（３）面の薄膜（５）の材質に応じた
最適のエツチングレートとなる適正距離に保持すること
ができる効率の良いエツチングレートでスパッタエツチ
ング処理を行なえる。
と両電極間の距離によって異なるものであり、前記従来
装置においては、材質に応じた調節手段が備えられてい
ないので、材質によってはエツチングレートが悪化する
不都合があったが、本発明の装置では両電極（２） （
６）の少なくとも一方を、真空室（１）の外部の距離調
節手段（１１）に連結したので、両電極（２） （６）
＠の距離を基板（３）面の薄膜（５）の材質に応じた
最適のエツチングレートとなる適正距離に保持すること
ができる効率の良いエツチングレートでスパッタエツチ
ング処理を行なえる。
該距離調節手段（ＩＧは、第２図示の実施例では、対向
電極（６）の中心部上面に、真空室（１）の外部に突出
する中空の昇降杆（１１）を固着し、その先端をボール
ねじ０．平歯車（１３（ＩΦ、減速機ａ９を順に介して
モータａｅの回転軸に連結し、該平歯車（１３にその回
転角を検出するポテンショメータ■を取付け、さらに該
ポテンショメータ１１力からの検出信号を入力して該モ
ータ（ＩＧを制御する公知の制御器■を設けて構成する
ようにし、該制御器（ｌａからの駆動指令信号により該
モータ１１Ｇが回転されると、該対向電極（６）が昇降
されると共にその移動距離が該ポテンショメータａ力か
ら該平歯車ａ３の回転角の形で該制御器Ｃεに入力され
、スパッタエツチング電極（２）と該対向電極（６）と
の距離が基板（３）面の薄膜（５）の材質に応じた最適
エツチングレートとなる適正距離に達したときに該制御
器■から停止指令信号が発せられて、該モータＣＩｅが
停止され、該対向電極（６）の昇降も停止されるように
した。
電極（６）の中心部上面に、真空室（１）の外部に突出
する中空の昇降杆（１１）を固着し、その先端をボール
ねじ０．平歯車（１３（ＩΦ、減速機ａ９を順に介して
モータａｅの回転軸に連結し、該平歯車（１３にその回
転角を検出するポテンショメータ■を取付け、さらに該
ポテンショメータ１１力からの検出信号を入力して該モ
ータ（ＩＧを制御する公知の制御器■を設けて構成する
ようにし、該制御器（ｌａからの駆動指令信号により該
モータ１１Ｇが回転されると、該対向電極（６）が昇降
されると共にその移動距離が該ポテンショメータａ力か
ら該平歯車ａ３の回転角の形で該制御器Ｃεに入力され
、スパッタエツチング電極（２）と該対向電極（６）と
の距離が基板（３）面の薄膜（５）の材質に応じた最適
エツチングレートとなる適正距離に達したときに該制御
器■から停止指令信号が発せられて、該モータＣＩｅが
停止され、該対向電極（６）の昇降も停止されるように
した。
第２図中（１！Ｊは昇降杆（′１１１のまわり止め用部
材を示す。
材を示す。
さらに、距離調節手段ＧＯは、第３図示のように、対向
電極（６）の中心部上面に、真空室（１）の外部に突出
する昇降杆■を固着し、その先端を直列に連結された２
台のエアシリンダ■■に連結して構成しても良く、この
場合、各エアシリンダ■■を作動或は不作動にすること
により、対向電極（６）をＡ、Ｂ、Ｃの３位置のうらの
１位厘に保持できるようにし、換言すれば、スパッタエ
ツチング電ｍ （２）と対向電極（６〉との距離が基板
（３）面の薄膜（５）の材質に応じた最適エツチングレ
ートとなる適正距離に保持できるようにした。
電極（６）の中心部上面に、真空室（１）の外部に突出
する昇降杆■を固着し、その先端を直列に連結された２
台のエアシリンダ■■に連結して構成しても良く、この
場合、各エアシリンダ■■を作動或は不作動にすること
により、対向電極（６）をＡ、Ｂ、Ｃの３位置のうらの
１位厘に保持できるようにし、換言すれば、スパッタエ
ツチング電ｍ （２）と対向電極（６〉との距離が基板
（３）面の薄膜（５）の材質に応じた最適エツチングレ
ートとなる適正距離に保持できるようにした。
尚、図示してはないが、スパッタエツチング電極（２）
に距離調節手段（ＩＯを設けて両電極間距離を調節する
ように構成することも可能であり、各電極（２） （６
）に距離調節手段ＧＯを夫々設けることも可能である。
に距離調節手段（ＩＯを設けて両電極間距離を調節する
ように構成することも可能であり、各電極（２） （６
）に距離調節手段ＧＯを夫々設けることも可能である。
ＩＣ製造工程に於ける基板（３）面の構成の１例として
第４図示のようにＳｉ基板上のＭ導膜層■上ニＳｉＯ，
ノ第１７ａＭＡ＠ ト５ｉ３８４ （１）第２薄膜ＣＯ
ヲ重層し、さらにその上にマスク用のレジストのを施し
たものが知られているが、これにスパッタエツチング処
理を行なって同図点線水の部分Ｑのをコンタクトホール
に形成する場合、まず距離調節手段（ＩＯにより両電極
（２）、（６）間を約６０Ｍに調節してレジストの間か
ら露出する第２薄膜■をＲＦ電源からのｓｏｏｗの電力
でスパッタエツチングし、第２薄膜■が除去されると距
離調節手段（ＩＯにより両電極（２） （６）間を約２
０ｍに調節して第１薄膜（５１）を同電力でスパッタエ
ツチングする。
第４図示のようにＳｉ基板上のＭ導膜層■上ニＳｉＯ，
ノ第１７ａＭＡ＠ ト５ｉ３８４ （１）第２薄膜ＣＯ
ヲ重層し、さらにその上にマスク用のレジストのを施し
たものが知られているが、これにスパッタエツチング処
理を行なって同図点線水の部分Ｑのをコンタクトホール
に形成する場合、まず距離調節手段（ＩＯにより両電極
（２）、（６）間を約６０Ｍに調節してレジストの間か
ら露出する第２薄膜■をＲＦ電源からのｓｏｏｗの電力
でスパッタエツチングし、第２薄膜■が除去されると距
離調節手段（ＩＯにより両電極（２） （６）間を約２
０ｍに調節して第１薄膜（５１）を同電力でスパッタエ
ツチングする。
Ｓｉ３Ｎ４の第２１１■のエツチングレートは、エツチ
ングガスがＣＦ、と０□の混合ガスで投入ＩＦ主電力ｓ
ｏｏｗの場合、第５図（ａ）の曲線ので示すように両電
極（２） （６）間の距離が大きくなるにつれて増加す
る特性を有し、また５ｉ０２の第１１ｇ１１３１）のエ
ツチングレートは、エツチングガスがＣ１１Ｆ３ガスで
投入ｎＦ電力が５００Ｗの場合、第５図（ｂ）の曲線■
で示すように両電極（２） （６）間の距離が小さくな
るにつれて増加する特性がある。
ングガスがＣＦ、と０□の混合ガスで投入ＩＦ主電力ｓ
ｏｏｗの場合、第５図（ａ）の曲線ので示すように両電
極（２） （６）間の距離が大きくなるにつれて増加す
る特性を有し、また５ｉ０２の第１１ｇ１１３１）のエ
ツチングレートは、エツチングガスがＣ１１Ｆ３ガスで
投入ｎＦ電力が５００Ｗの場合、第５図（ｂ）の曲線■
で示すように両電極（２） （６）間の距離が小さくな
るにつれて増加する特性がある。
従って前記の如く両電極（２） （６）間を約６０ｍと
約２０８とに距離調節手段（１Ｇにより可変すれば、従
来のもののように例えば４０．に電橋間距離を固定して
エツチング処理する場合に比ベエッチングレートを向上
させ得、生産性を向上させることが出来る。
約２０８とに距離調節手段（１Ｇにより可変すれば、従
来のもののように例えば４０．に電橋間距離を固定して
エツチング処理する場合に比ベエッチングレートを向上
させ得、生産性を向上させることが出来る。
（発明の効果）
このように本発明によりときは、基板をｉｌＥ置したス
パッタエツチング電極と、これに対向する対向電極との
少なくとも一方を、両電極間の距離を該基板面の材質に
応じて変化させる真空室の外部の距離調節手段に連結し
たので、該基板面の材質に応じた最適のエツチングレー
トでスパッタエツチング処理を行なうことができ両電極
間距離を基板面の材質の如何にかかわらず一定とする前
記従来のちのに比してエツチングレートが向上する効果
を有する。
パッタエツチング電極と、これに対向する対向電極との
少なくとも一方を、両電極間の距離を該基板面の材質に
応じて変化させる真空室の外部の距離調節手段に連結し
たので、該基板面の材質に応じた最適のエツチングレー
トでスパッタエツチング処理を行なうことができ両電極
間距離を基板面の材質の如何にかかわらず一定とする前
記従来のちのに比してエツチングレートが向上する効果
を有する。
第１図は本発明の詳細な説明線図、第２図はその要部の
絨断側面図、第３図は本発明の他の実施例の要部武断側
面図、第４図は本発明をＩＣ製造工程のうち、コンタク
トホール形成に適用する場合の基板面の構造の側面図、
第５図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・スパッタエツチング電極 （３）・・・基板 （５）・・・薄膜 （６）・・・対向電極 （１０・・・距離調節手段 特 許 出 願 人 日本真空技術株式会社代
理 人 北 村 欣 −外
２名 第１図 第２図
絨断側面図、第３図は本発明の他の実施例の要部武断側
面図、第４図は本発明をＩＣ製造工程のうち、コンタク
トホール形成に適用する場合の基板面の構造の側面図、
第５図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１）・・・真空室 （２）・・・スパッタエツチング電極 （３）・・・基板 （５）・・・薄膜 （６）・・・対向電極 （１０・・・距離調節手段 特 許 出 願 人 日本真空技術株式会社代
理 人 北 村 欣 −外
２名 第１図 第２図
Claims (1)
- 真空室内に、複数の基板を載置したスパッタエッチン
グ電極と、これに対向する対向電極とを設け、両電極に
ＲＦ電力を供給して、両電極間にプラズマを発生させ、
該基板面のスパッタエッチング処理を行なうものに於い
て、前記両電極の少なくとも一方を、両電極間の距離を
該基板面の材質に応じて変化させる該真空室の外部の距
離調節手段に連結して成るスパッタエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862684A JPS61119684A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23862684A JPS61119684A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119684A true JPS61119684A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17032937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23862684A Pending JPS61119684A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119684A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444020A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Nec Corp | Separate discharge chamber type dry etching apparatus |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JP2012009624A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776187A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Fujitsu Ltd | Treatment by etching |
| JPS57131373A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS5814939A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-28 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23862684A patent/JPS61119684A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5776187A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Fujitsu Ltd | Treatment by etching |
| JPS57131373A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Plasma etching device |
| JPS5814939A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-28 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444020A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-16 | Nec Corp | Separate discharge chamber type dry etching apparatus |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JP2012009624A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| US9524847B2 (en) | 2010-06-24 | 2016-12-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
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