JP2004052045A - プラズマ加工装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】加工むらが少なく、速い加工速度で、少ないガス消費量で加工を行う。
【解決手段】加圧又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置1である。内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置6と排出装置を備えたチャンバー4と、このチャンバー4内に配置された円盤状電極部5と、この円盤状電極部5と対向すべくチャンバー4内に配置されたウェハ9の移動機構10,11を備えた。
【効果】加工むらが少なく、速い加工速度で、しかも、少ないガス消費量で、難削材の表面を平面加工したり鏡面加工できるようになる。
【選択図】 図1
【解決手段】加圧又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置1である。内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置6と排出装置を備えたチャンバー4と、このチャンバー4内に配置された円盤状電極部5と、この円盤状電極部5と対向すべくチャンバー4内に配置されたウェハ9の移動機構10,11を備えた。
【効果】加工むらが少なく、速い加工速度で、しかも、少ないガス消費量で、難削材の表面を平面加工したり鏡面加工できるようになる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばSiインゴットやセラミックス等の難削材の表面を平面加工或いは鏡面加工するプラズマ加工装置及びこの装置を用いたプラズマ加工方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えばシリコンウェハの表面を平坦化する技術として、特開平11−67736号、特開2000−68256号、特開2000−124193号、特開2000−256094号、特開2001−244240号、特開2002−25980号で提案されたものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら提案された技術は、何れも電極であるノズルNの縁に集中してプラズマPを発生させているため、図14に示したように、加工物WにおけるプラズマPの集中する部分が他の部分よりも凹み、加工むらができるという問題がある。
【0004】
また、例えば電極が加工物に対して小さい場合、例えば特開平11−67736号の図2に示されたようなX−Y方向に交互に移動させることで電極を走査するしかなく、加工に時間を要するという問題もある。
【0005】
加工に時間を要すると、加工に使用する反応ガスが加工物上に留まり、白濁した鏡面になることから、上記の技術では、真空にして分子の動きを活発にすることで、前記反応ガスを加工物上から速く離れるようにしている。
【0006】
しかしながら、このような方法では、加工物上での反応に必要なガス濃度が早期に薄くなるため、常に新しい反応ガスを吹き込む必要があり、ガス消費量が多くなってしまう。
【0007】
本発明は、上記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、加工むらが少なく、速い加工速度で、少ないガス消費量で加工を行うことができるプラズマ加工装置及びこの装置を用いたプラズマ加工方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明に係るプラズマ加工装置は、内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置と排出装置を備えたチャンバーと、このチャンバー内に配置された円盤状電極部と、この円盤状電極部と対向すべくチャンバー内に配置された加工物の移動機構を備えさせている。そして、このようにすることで、加工むらが少なく、速い加工速度で、少ないガス消費量で平面加工ができるようになる。
【0009】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置を用いて加工物の表面を加工するに際しては、加工を施す加工物の外周にプラズマにより加工されないダミー板を設置した状態で加工を行えば、加工始端及び加工終端と中央部が略均一な厚さに加工できるようになる。これが本発明に係るプラズマ加工方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明に係るプラズマ加工装置は、加工又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置において、内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置と排出装置を備えたチャンバーと、このチャンバー内に配置された円盤状電極部と、この円盤状電極部と対向すべくチャンバー内に配置された加工物の移動機構を備えたものである。
【0011】
本発明に係るプラズマ加工装置によれば、発生するプラズマを、円盤状電極部の円周上に分散させるので、加工物と比較して小さい従来の電極を使用する場合に比べて、加工むらが少なくなる。
【0012】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、円盤状電極部に効率良くプラズマを発生させることが重要となるが、このためには、円盤状電極部は、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持され、前記環状空間内をガスが供給される構造となすことで、加工物と電極部を通過する混合ガスは、効率良く常に安定したフレッシュな状態が維持できるようになる。
【0013】
そして、上記の構成の円盤状電極部において、円盤状電極部を構成する絶縁体と電極との環状空間にポーラス材を介設し、このポーラス材を通ってガスが供給されるように構成した場合には、発生するプラズマの分散がより促進されて加工むらが少なくなる。
【0014】
また、上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、前記ガスの排出装置として、ガス吸引口を円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置した吸引式とした場合には、排出ガスを効果的に吸引でき、プラズマ通過後の未反応ガスによる再加工が防止できる。
【0015】
また、上記ガスの供給、排出構造に代えて、前記円盤状電極部を、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持するようになし、前記環状空間内をガスが排出される構造となすと共に、前記ガス供給口を裏面側にポーラス電極部を設けた電極の内部空間に連通すべく配置した構造としても同様の結果を得ることができる。
【0016】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置においては、前記電極或いは電極と絶縁体を回転可能に構成した場合には、ガスの反応促進に加えて、円盤状電極の断面の凹凸が転写されるのを防ぐこともできる。
【0017】
また、上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、電極の裏面側に複数の羽根を設け、これら羽根の回転により加工ガスを吸引するようにした場合には、ガスの吸引効率は更に良くなるが、ガス吸引口を円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置し、前記羽根の回転のみにより排出ガスを自然吸引する方式でもガスを効果的に吸引することができる。
【0018】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置を用いて加工物の表面を加工するに際しては、加工を施す加工物の外周にプラズマにより加工されないダミー板を設置した状態で加工を行う本発明に係るプラズマ加工方法によれば、加工物を加工する際に必要なエネルギーが加工始端及び加工終端と中央部とで略均一になるので、加工面の平面精度が良くなる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明に係るプラズマ加工装置を図1〜図13に示す実施例に基づいて説明する。
図1は本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図2は図1のA−A断面図、図3は円盤状電極部の詳細を示した図、図4は図3の第2の実施例を示した図、図5は図3の第3の実施例を示した図、図6、図7は図3の第4の実施例を示した図、図8は図5、図6の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図9は図3の第5の実施例を示した図、図10は図9の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図11は本発明に係るプラズマ加工装置を用いてウェハの表面を加工する場合の問題点を説明する図、図12は本発明に係るプラズマ加工方法の説明図、図13は本発明に係るプラズマ加工方法の効果を説明する図である。
【0020】
図1及び図2において、1は本発明に係るプラズマ平面加工装置であり、例えばその吸引口2aが後述する円盤状電極部5の周辺に設けられたガス吸引配管2を介して吸引ポンプ3に連結されたチャンバー4に、加工物である例えばウェハ9よりも若干大きな径の円盤状電極部5を回転可能に取付け、この円盤状電極部5に加工ガスを供給するガス供給装置6と、同じく前記円盤状電極部5に供給する高周波電源7と、前記チャンバー4に設けられた冷却台8上のウェハ9のX軸駆動機構10、Y軸駆動機構11と、前記円盤状電極部5のZ軸駆動機構12を具備した構成である。
【0021】
円盤状電極部5は、例えば図3に示したように、筒状部5aaの下端部が前記ウェハ9の外径より大径となるように段差形成した絶縁体5aの内部に、絶縁体5aとの間で所定の環状空間5dを存するように、シール材5bを介して電極5cが保持された構成で、この電極5cは、前記筒状部5aaに内装される棒状の下端部に、前記大径段差部5abに内装される前記ウェハ9の外径より若干大径の筒状で、マグネットカップリング13を介して接続されたモータ14により回転するようになっている。なお、電極5cと絶縁体5aが一体となって回転するものでも良いことは言うまでもない。また、前記シール材5bは、筒状部5aaに形成された前記ガス供給装置6からのガス供給口6aより上方に設置されている。
【0022】
また、ガス供給装置6は、供給管6b、ガス供給口6aを通じて前記環状空間5dに加工ガスを供給するための装置で、夫々バルブ6ca〜6ccを有したボンベ6da〜6dcと、これらボンベ6da〜6dcから供給される加工ガスの混合器6eを備えている。なお、前記ボンベ6da〜6dc内の加工ガスとしては、例えば不活性ガスとしてヘリウムガスが、ハロゲン系ガスとして6フッ化硫黄ガスが、酸素系ガスとして酸素ガスが採用されるが、6フッ化硫黄ガスは他のガスと反応することで有毒ガスが発生したり、温暖化の原因となるため、環境上の問題がある上、高価であり、多く使用することは望ましくない。また、ヘリウムガス等も高価である。
【0023】
また、X軸駆動機構10は、冷却台8(ウェハ9)をX軸方向(図1における紙面左右方向)に配置した送りテーブル10bに沿って移動させるための機構で、例えばチャンバー4の外部に配置したモータ10aの正逆回転を、マグネットカップリング13を介して、前記X軸方向の移動に変換してチャンバー4内の冷却台8に伝えるもので、図示しない制御器によって制御される。
【0024】
また、Y軸駆動機構11は、前記送りテーブル10bごと冷却台8をY軸方向(図2における紙面左右方向)に配置した送りテーブル11aに沿って移動させるための機構で、前記X軸駆動機構10と同様の機構が採用される。
【0025】
また、Z軸駆動機構12は、前記円盤状電極部5をモータ14ごとチャンバー4の外部にZ軸方向(図1及び図2における紙面上下方向)に配置したテーブル12aに沿って移動させるための機構で、前記X軸駆動機構10と同様の機構が採用される。図1及び図2に示した実施例では、制御モータ12bの正逆回転によって前記テーブル12aに沿って移動する移動部材12cに、前記モータ14、マグネットカップリング13、円盤状電極部5を内装したパイプ15を取り付け、円盤状電極部5をZ軸方向に移動させるものを示している。
【0026】
16は前記パイプ15の下端に取り付けられ、電極5cの下端とウェハ9の表面間の距離を計測する非接触センサで、この非接触センサ16によって、加工時、電極5cの下端とウェハ9の表面間の距離を常に一定に保つことができる。
【0027】
17は前記ガス吸引配管2を介して吸引ポンプ3によって吸引したチャンバー4内のガスを分離するガス分離装置であり、このガス分離装置17で分離したガスは、必要に応じて混合器6eに送られて再利用される。
【0028】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置1によれば、発生するプラズマを、円盤状電極部5の円周上に分散させ、かつ、回転を与えるので、ウェハ9と比較して小さい従来の例えば棒状又はノズル状の固定電極を使用する場合に比べて、加工むらが少なくなる。このとき、図4に示したように、絶縁体5aと電極5cとの環状空間5dにポーラス材5eを介設すれば、発生するプラズマの分散がより促進されて加工むらが少なくなる。なお、図4中の5fは円周上の適数箇所に配置された電極5cの支持部材を示す。
【0029】
加えて、本発明に係るプラズマ加工装置1では、加工するウェハ9よりも大径の円盤状電極部5を使用するので、加工に際し、ウェハ9はX−Y方向に交互に移動させる必要が無く、X方向のみ、或いはY方向にのみ移動させるだけで加工が行えることになって、加工速度が速く、生産性が良くなる。
【0030】
そして、加工速度が速くなることから、本発明に係るプラズマ加工装置1では、真空下で加工を実施する必要がなく、加工に使用する反応ガスがウェハ9上に長く留まって反応ガスの濃度が薄くならず、ガス量を抑制することができるようになる。
【0031】
反応ガスがウェハ9上に長く留まることから、当然、白濁の問題が発生することが考えられるが、本発明に係るプラズマ加工装置1では、加工速度が速いこと、円盤状電極部5を回転させて、常に新しい反応ガスを素早く導くことで、少ないガスで反応が促進し、白濁の発生が抑制される。
【0032】
本発明に係るプラズマ加工装置1は上記の実施例に限るものではない。
例えば、上記図1〜図4に示した実施例では、ガス排出装置の吸引口2aを円盤状電極部5の周辺に設けたものを示したが、図5に示した実施例では、円盤状電極部5を構成する電極5cを棒状に代えて筒状となし、かつ、前記吸引口2aを、吸引パイプ2bを介して前記筒状の基端に連通すべく構成したものを示している。このような構成では加工ガスの吸引がより効率良く行えることになって、プラズマ通過後の未反応ガスによる再加工が防止できるようになる。なお、図5中の13aはマグネットカップリング13の絶縁板を示す。
【0033】
また、図6に示した実施例では、図5に示した実施例における電極5cの裏面側に図7に示したような2枚で対をなす羽根5caを例えば4組設け、これら羽根5caの回転により加工ガスを自然吸引するものである。なお、この実施例を吸引ポンプ3と併用しても良いことは言うまでもない。
【0034】
また、図9に示した実施例では、図5に示したような実施例構成の円盤状電極部5の電極5cの裏面側にポーラス電極部5gを設けると共に、ガスの供給経路と排出経路を図5に示した実施例と逆に構成したものである。なお、図9中の6fはガス供給口6aと前記電極5cの基端に連通する混合ガスの供給パイプを示す。この図9に示した実施例では、上記の実施例よりも更に発生するプラズマを分散させることができる。
【0035】
ところで、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を例えば平面加工する場合、図11(a)に示す紙面左右側の加工始端及び加工終端となる部分は、やはりプラズマが集中することになって、図11(c)に示したように、側面から見ると、中央部よりも薄く加工されてしまう。
【0036】
そこで、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を例えば平面加工する場合には、図12に示したように、ウェハ9の外周にプラズマにより加工されない、例えばアルミ系のダミー板18を、例えばダミー板18の表面がウェハ9の表面よりも数μm低くなるように設置した状態で平面加工を行うようにする。
【0037】
このようにすれば、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を加工する場合、加工始端及び加工終端となる部分にプラズマが集中することが抑制でき、図13(c)に示したように、側面から見て、加工始端及び加工終端と中央部が略均一な厚さに加工できるようになる。これが本発明に係るプラズマ加工方法である。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加工むらが少なく、速い加工速度で、しかも、少ないガス消費量で、難削材の表面を平面加工したり鏡面加工できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】円盤状電極部の詳細を示した図である。
【図4】図3の第2の実施例を示した図である。
【図5】図3の第3の実施例を示した図である。
【図6】図3の第4の実施例を示した図である。
【図7】図6の矢視A−A図である。
【図8】図5、図6の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図9】図3の第5の実施例を示した図である。
【図10】図9の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図11】本発明に係るプラズマ加工装置を用いてウェハの表面を加工する場合の問題点を説明する図で、(a)は冷却台上のウェハを平面から見た図、(b)は(a)を側面から見た図、(c)は加工後のウェハを側面から見た拡大図である。
【図12】本発明に係るプラズマ加工方法の説明図である。
【図13】本発明に係るプラズマ加工方法の効果を説明する図で、(a)は冷却台上のウェハを平面から見た図、(b)は(a)を側面から見た図、(c)は加工後のウェハを側面から見た拡大図である。
【図14】従来のプラズマ平面加工の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
1 プラズマ加工装置
2 ガス吸引配管
2a 吸引口
3 吸引ポンプ
4 チャンバー
5 円盤状電極部
5a 絶縁体
5b シール材
5c 電極
5ca 羽根
5d 環状空間
5e ポーラス材
5g ポーラス電極部
6 ガス供給装置
6a ガス供給口
7 高周波電源
8 冷却台
9 ウェハ
10 X軸駆動機構
11 Y軸駆動機構
12 Z軸駆動機構
14 モータ
16 非接触センサ
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばSiインゴットやセラミックス等の難削材の表面を平面加工或いは鏡面加工するプラズマ加工装置及びこの装置を用いたプラズマ加工方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えばシリコンウェハの表面を平坦化する技術として、特開平11−67736号、特開2000−68256号、特開2000−124193号、特開2000−256094号、特開2001−244240号、特開2002−25980号で提案されたものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これら提案された技術は、何れも電極であるノズルNの縁に集中してプラズマPを発生させているため、図14に示したように、加工物WにおけるプラズマPの集中する部分が他の部分よりも凹み、加工むらができるという問題がある。
【0004】
また、例えば電極が加工物に対して小さい場合、例えば特開平11−67736号の図2に示されたようなX−Y方向に交互に移動させることで電極を走査するしかなく、加工に時間を要するという問題もある。
【0005】
加工に時間を要すると、加工に使用する反応ガスが加工物上に留まり、白濁した鏡面になることから、上記の技術では、真空にして分子の動きを活発にすることで、前記反応ガスを加工物上から速く離れるようにしている。
【0006】
しかしながら、このような方法では、加工物上での反応に必要なガス濃度が早期に薄くなるため、常に新しい反応ガスを吹き込む必要があり、ガス消費量が多くなってしまう。
【0007】
本発明は、上記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、加工むらが少なく、速い加工速度で、少ないガス消費量で加工を行うことができるプラズマ加工装置及びこの装置を用いたプラズマ加工方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明に係るプラズマ加工装置は、内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置と排出装置を備えたチャンバーと、このチャンバー内に配置された円盤状電極部と、この円盤状電極部と対向すべくチャンバー内に配置された加工物の移動機構を備えさせている。そして、このようにすることで、加工むらが少なく、速い加工速度で、少ないガス消費量で平面加工ができるようになる。
【0009】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置を用いて加工物の表面を加工するに際しては、加工を施す加工物の外周にプラズマにより加工されないダミー板を設置した状態で加工を行えば、加工始端及び加工終端と中央部が略均一な厚さに加工できるようになる。これが本発明に係るプラズマ加工方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明に係るプラズマ加工装置は、加工又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置において、内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置と排出装置を備えたチャンバーと、このチャンバー内に配置された円盤状電極部と、この円盤状電極部と対向すべくチャンバー内に配置された加工物の移動機構を備えたものである。
【0011】
本発明に係るプラズマ加工装置によれば、発生するプラズマを、円盤状電極部の円周上に分散させるので、加工物と比較して小さい従来の電極を使用する場合に比べて、加工むらが少なくなる。
【0012】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、円盤状電極部に効率良くプラズマを発生させることが重要となるが、このためには、円盤状電極部は、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持され、前記環状空間内をガスが供給される構造となすことで、加工物と電極部を通過する混合ガスは、効率良く常に安定したフレッシュな状態が維持できるようになる。
【0013】
そして、上記の構成の円盤状電極部において、円盤状電極部を構成する絶縁体と電極との環状空間にポーラス材を介設し、このポーラス材を通ってガスが供給されるように構成した場合には、発生するプラズマの分散がより促進されて加工むらが少なくなる。
【0014】
また、上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、前記ガスの排出装置として、ガス吸引口を円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置した吸引式とした場合には、排出ガスを効果的に吸引でき、プラズマ通過後の未反応ガスによる再加工が防止できる。
【0015】
また、上記ガスの供給、排出構造に代えて、前記円盤状電極部を、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持するようになし、前記環状空間内をガスが排出される構造となすと共に、前記ガス供給口を裏面側にポーラス電極部を設けた電極の内部空間に連通すべく配置した構造としても同様の結果を得ることができる。
【0016】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置においては、前記電極或いは電極と絶縁体を回転可能に構成した場合には、ガスの反応促進に加えて、円盤状電極の断面の凹凸が転写されるのを防ぐこともできる。
【0017】
また、上記の本発明に係るプラズマ加工装置において、電極の裏面側に複数の羽根を設け、これら羽根の回転により加工ガスを吸引するようにした場合には、ガスの吸引効率は更に良くなるが、ガス吸引口を円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置し、前記羽根の回転のみにより排出ガスを自然吸引する方式でもガスを効果的に吸引することができる。
【0018】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置を用いて加工物の表面を加工するに際しては、加工を施す加工物の外周にプラズマにより加工されないダミー板を設置した状態で加工を行う本発明に係るプラズマ加工方法によれば、加工物を加工する際に必要なエネルギーが加工始端及び加工終端と中央部とで略均一になるので、加工面の平面精度が良くなる。
【0019】
【実施例】
以下、本発明に係るプラズマ加工装置を図1〜図13に示す実施例に基づいて説明する。
図1は本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図2は図1のA−A断面図、図3は円盤状電極部の詳細を示した図、図4は図3の第2の実施例を示した図、図5は図3の第3の実施例を示した図、図6、図7は図3の第4の実施例を示した図、図8は図5、図6の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図9は図3の第5の実施例を示した図、図10は図9の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図、図11は本発明に係るプラズマ加工装置を用いてウェハの表面を加工する場合の問題点を説明する図、図12は本発明に係るプラズマ加工方法の説明図、図13は本発明に係るプラズマ加工方法の効果を説明する図である。
【0020】
図1及び図2において、1は本発明に係るプラズマ平面加工装置であり、例えばその吸引口2aが後述する円盤状電極部5の周辺に設けられたガス吸引配管2を介して吸引ポンプ3に連結されたチャンバー4に、加工物である例えばウェハ9よりも若干大きな径の円盤状電極部5を回転可能に取付け、この円盤状電極部5に加工ガスを供給するガス供給装置6と、同じく前記円盤状電極部5に供給する高周波電源7と、前記チャンバー4に設けられた冷却台8上のウェハ9のX軸駆動機構10、Y軸駆動機構11と、前記円盤状電極部5のZ軸駆動機構12を具備した構成である。
【0021】
円盤状電極部5は、例えば図3に示したように、筒状部5aaの下端部が前記ウェハ9の外径より大径となるように段差形成した絶縁体5aの内部に、絶縁体5aとの間で所定の環状空間5dを存するように、シール材5bを介して電極5cが保持された構成で、この電極5cは、前記筒状部5aaに内装される棒状の下端部に、前記大径段差部5abに内装される前記ウェハ9の外径より若干大径の筒状で、マグネットカップリング13を介して接続されたモータ14により回転するようになっている。なお、電極5cと絶縁体5aが一体となって回転するものでも良いことは言うまでもない。また、前記シール材5bは、筒状部5aaに形成された前記ガス供給装置6からのガス供給口6aより上方に設置されている。
【0022】
また、ガス供給装置6は、供給管6b、ガス供給口6aを通じて前記環状空間5dに加工ガスを供給するための装置で、夫々バルブ6ca〜6ccを有したボンベ6da〜6dcと、これらボンベ6da〜6dcから供給される加工ガスの混合器6eを備えている。なお、前記ボンベ6da〜6dc内の加工ガスとしては、例えば不活性ガスとしてヘリウムガスが、ハロゲン系ガスとして6フッ化硫黄ガスが、酸素系ガスとして酸素ガスが採用されるが、6フッ化硫黄ガスは他のガスと反応することで有毒ガスが発生したり、温暖化の原因となるため、環境上の問題がある上、高価であり、多く使用することは望ましくない。また、ヘリウムガス等も高価である。
【0023】
また、X軸駆動機構10は、冷却台8(ウェハ9)をX軸方向(図1における紙面左右方向)に配置した送りテーブル10bに沿って移動させるための機構で、例えばチャンバー4の外部に配置したモータ10aの正逆回転を、マグネットカップリング13を介して、前記X軸方向の移動に変換してチャンバー4内の冷却台8に伝えるもので、図示しない制御器によって制御される。
【0024】
また、Y軸駆動機構11は、前記送りテーブル10bごと冷却台8をY軸方向(図2における紙面左右方向)に配置した送りテーブル11aに沿って移動させるための機構で、前記X軸駆動機構10と同様の機構が採用される。
【0025】
また、Z軸駆動機構12は、前記円盤状電極部5をモータ14ごとチャンバー4の外部にZ軸方向(図1及び図2における紙面上下方向)に配置したテーブル12aに沿って移動させるための機構で、前記X軸駆動機構10と同様の機構が採用される。図1及び図2に示した実施例では、制御モータ12bの正逆回転によって前記テーブル12aに沿って移動する移動部材12cに、前記モータ14、マグネットカップリング13、円盤状電極部5を内装したパイプ15を取り付け、円盤状電極部5をZ軸方向に移動させるものを示している。
【0026】
16は前記パイプ15の下端に取り付けられ、電極5cの下端とウェハ9の表面間の距離を計測する非接触センサで、この非接触センサ16によって、加工時、電極5cの下端とウェハ9の表面間の距離を常に一定に保つことができる。
【0027】
17は前記ガス吸引配管2を介して吸引ポンプ3によって吸引したチャンバー4内のガスを分離するガス分離装置であり、このガス分離装置17で分離したガスは、必要に応じて混合器6eに送られて再利用される。
【0028】
上記の本発明に係るプラズマ加工装置1によれば、発生するプラズマを、円盤状電極部5の円周上に分散させ、かつ、回転を与えるので、ウェハ9と比較して小さい従来の例えば棒状又はノズル状の固定電極を使用する場合に比べて、加工むらが少なくなる。このとき、図4に示したように、絶縁体5aと電極5cとの環状空間5dにポーラス材5eを介設すれば、発生するプラズマの分散がより促進されて加工むらが少なくなる。なお、図4中の5fは円周上の適数箇所に配置された電極5cの支持部材を示す。
【0029】
加えて、本発明に係るプラズマ加工装置1では、加工するウェハ9よりも大径の円盤状電極部5を使用するので、加工に際し、ウェハ9はX−Y方向に交互に移動させる必要が無く、X方向のみ、或いはY方向にのみ移動させるだけで加工が行えることになって、加工速度が速く、生産性が良くなる。
【0030】
そして、加工速度が速くなることから、本発明に係るプラズマ加工装置1では、真空下で加工を実施する必要がなく、加工に使用する反応ガスがウェハ9上に長く留まって反応ガスの濃度が薄くならず、ガス量を抑制することができるようになる。
【0031】
反応ガスがウェハ9上に長く留まることから、当然、白濁の問題が発生することが考えられるが、本発明に係るプラズマ加工装置1では、加工速度が速いこと、円盤状電極部5を回転させて、常に新しい反応ガスを素早く導くことで、少ないガスで反応が促進し、白濁の発生が抑制される。
【0032】
本発明に係るプラズマ加工装置1は上記の実施例に限るものではない。
例えば、上記図1〜図4に示した実施例では、ガス排出装置の吸引口2aを円盤状電極部5の周辺に設けたものを示したが、図5に示した実施例では、円盤状電極部5を構成する電極5cを棒状に代えて筒状となし、かつ、前記吸引口2aを、吸引パイプ2bを介して前記筒状の基端に連通すべく構成したものを示している。このような構成では加工ガスの吸引がより効率良く行えることになって、プラズマ通過後の未反応ガスによる再加工が防止できるようになる。なお、図5中の13aはマグネットカップリング13の絶縁板を示す。
【0033】
また、図6に示した実施例では、図5に示した実施例における電極5cの裏面側に図7に示したような2枚で対をなす羽根5caを例えば4組設け、これら羽根5caの回転により加工ガスを自然吸引するものである。なお、この実施例を吸引ポンプ3と併用しても良いことは言うまでもない。
【0034】
また、図9に示した実施例では、図5に示したような実施例構成の円盤状電極部5の電極5cの裏面側にポーラス電極部5gを設けると共に、ガスの供給経路と排出経路を図5に示した実施例と逆に構成したものである。なお、図9中の6fはガス供給口6aと前記電極5cの基端に連通する混合ガスの供給パイプを示す。この図9に示した実施例では、上記の実施例よりも更に発生するプラズマを分散させることができる。
【0035】
ところで、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を例えば平面加工する場合、図11(a)に示す紙面左右側の加工始端及び加工終端となる部分は、やはりプラズマが集中することになって、図11(c)に示したように、側面から見ると、中央部よりも薄く加工されてしまう。
【0036】
そこで、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を例えば平面加工する場合には、図12に示したように、ウェハ9の外周にプラズマにより加工されない、例えばアルミ系のダミー板18を、例えばダミー板18の表面がウェハ9の表面よりも数μm低くなるように設置した状態で平面加工を行うようにする。
【0037】
このようにすれば、上記の本発明に係るプラズマ加工装置1を用いてウェハ9の表面を加工する場合、加工始端及び加工終端となる部分にプラズマが集中することが抑制でき、図13(c)に示したように、側面から見て、加工始端及び加工終端と中央部が略均一な厚さに加工できるようになる。これが本発明に係るプラズマ加工方法である。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加工むらが少なく、速い加工速度で、しかも、少ないガス消費量で、難削材の表面を平面加工したり鏡面加工できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】円盤状電極部の詳細を示した図である。
【図4】図3の第2の実施例を示した図である。
【図5】図3の第3の実施例を示した図である。
【図6】図3の第4の実施例を示した図である。
【図7】図6の矢視A−A図である。
【図8】図5、図6の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図9】図3の第5の実施例を示した図である。
【図10】図9の円盤状電極部を備えた本発明に係るプラズマ加工装置の全体概略構成図である。
【図11】本発明に係るプラズマ加工装置を用いてウェハの表面を加工する場合の問題点を説明する図で、(a)は冷却台上のウェハを平面から見た図、(b)は(a)を側面から見た図、(c)は加工後のウェハを側面から見た拡大図である。
【図12】本発明に係るプラズマ加工方法の説明図である。
【図13】本発明に係るプラズマ加工方法の効果を説明する図で、(a)は冷却台上のウェハを平面から見た図、(b)は(a)を側面から見た図、(c)は加工後のウェハを側面から見た拡大図である。
【図14】従来のプラズマ平面加工の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
1 プラズマ加工装置
2 ガス吸引配管
2a 吸引口
3 吸引ポンプ
4 チャンバー
5 円盤状電極部
5a 絶縁体
5b シール材
5c 電極
5ca 羽根
5d 環状空間
5e ポーラス材
5g ポーラス電極部
6 ガス供給装置
6a ガス供給口
7 高周波電源
8 冷却台
9 ウェハ
10 X軸駆動機構
11 Y軸駆動機構
12 Z軸駆動機構
14 モータ
16 非接触センサ
Claims (9)
- 加工又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置において、内部を所定の圧力に制御が可能なガスの供給装置と排出装置を備えたチャンバーと、このチャンバー内に配置された円盤状電極部と、この円盤状電極部と対向すべくチャンバー内に配置された加工物の移動機構を備えたことを特徴とするプラズマ加工装置。
- 前記円盤状電極部は、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持され、前記環状空間内をガスが供給される構造となっていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ加工装置。
- 前記円盤状電極部を構成する絶縁体と電極との環状空間にポーラス材を介設し、このポーラス材を通ってガスが供給されるように構成したことを特徴とする請求項2記載のプラズマ加工装置。
- 前記ガスの排出装置は、ガス吸引口が円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置された吸引式であることを特徴とする請求項1〜3の何れか記載のプラズマ加工装置。
- 前記円盤状電極部は、絶縁体の内部にシール材を介して電極が所定の環状空間を存して保持され、前記環状空間内をガスが排出される構造となっていると共に、前記ガス供給口を裏面側にポーラス電極部を設けた電極の内部空間に連通すべく配置したことを特徴とする請求項1記載のプラズマ加工装置。
- 前記電極或いは電極と絶縁体が回転可能に構成されていることを特徴とする請求項2〜5の何れか記載のプラズマ加工装置。
- 電極の裏面側に複数の羽根を設け、これら羽根の回転により加工ガスを吸引することを特徴とする請求項4を引用した請求項6記載のプラズマ加工装置。
- 前記ガスの排出装置は、ガス吸引口を円盤状電極部を構成する電極の内部空間に連通すべく配置すると共に、電極の裏面側に複数の羽根を設け、これら羽根の回転により排出ガスを自然吸引する方式であることを特徴とする請求項2又は3を引用する請求項6記載のプラズマ加工装置。
- 請求項1〜8の何れか記載のプラズマ平面加工装置を用いて加工物の表面を加工するに際し、加工を施す加工物の外周にプラズマにより加工されないダミー板を設置した状態で加工することを特徴とするプラズマ加工方法。
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JP2002211485A JP2004052045A (ja) | 2002-07-19 | 2002-07-19 | プラズマ加工装置及び方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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