JP2592191Y2 - ラジカル反応による精密加工装置 - Google Patents
ラジカル反応による精密加工装置Info
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- JP2592191Y2 JP2592191Y2 JP1993021117U JP2111793U JP2592191Y2 JP 2592191 Y2 JP2592191 Y2 JP 2592191Y2 JP 1993021117 U JP1993021117 U JP 1993021117U JP 2111793 U JP2111793 U JP 2111793U JP 2592191 Y2 JP2592191 Y2 JP 2592191Y2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、ラジカル（遊離基）反
応を利用して、例えば、半導体デバイス製造用シリコン
単結晶やゲルマニウム単結晶、ガリウム−ひ素化合物、
或いは通常の機械的方法では切断が困難なセラミック
ス、ガラスなどの比較的厚肉の材料を精度よく切断及び
研磨するのに適した精密加工装置に関する。
応を利用して、例えば、半導体デバイス製造用シリコン
単結晶やゲルマニウム単結晶、ガリウム−ひ素化合物、
或いは通常の機械的方法では切断が困難なセラミック
ス、ガラスなどの比較的厚肉の材料を精度よく切断及び
研磨するのに適した精密加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶等の切断には、従来、ダ
イアモンドホイールによるダイシング加工方法が採用さ
れているが、この方法による切断では、表面に塑性加工
層の残留、微細クラックの発生等によりウェハー品質が
低下し、製造されたウェハーの歩留り低下の原因となっ
ている。
イアモンドホイールによるダイシング加工方法が採用さ
れているが、この方法による切断では、表面に塑性加工
層の残留、微細クラックの発生等によりウェハー品質が
低下し、製造されたウェハーの歩留り低下の原因となっ
ている。
【０００３】このような問題点を解消するために、ラジ
カル反応を利用した精密加工方法が提案されている（特
開平１−１２５８２９号公報）。このラジカル反応によ
る精密加工方法は、反応ガスの雰囲気中に配した被加工
物近傍で、放電又はレーザ光励起により反応ガスを活性
化させてラジカルを生成し、該ラジカルと被加工物の構
成原子又は分子とをラジカル反応させて被加工物を加工
するものである。
カル反応を利用した精密加工方法が提案されている（特
開平１−１２５８２９号公報）。このラジカル反応によ
る精密加工方法は、反応ガスの雰囲気中に配した被加工
物近傍で、放電又はレーザ光励起により反応ガスを活性
化させてラジカルを生成し、該ラジカルと被加工物の構
成原子又は分子とをラジカル反応させて被加工物を加工
するものである。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】上記の公開公報には、
ラジカル反応による種々の加工方法が記載されている
が、いずれも基本的なものであり、装置の具体的構造に
ついては何も示されていない。
ラジカル反応による種々の加工方法が記載されている
が、いずれも基本的なものであり、装置の具体的構造に
ついては何も示されていない。
【０００５】本考案は、反応生成物等を効率的に排除す
ることができる、ラジカル反応による精密加工装置を提
供することを目的とする。
ることができる、ラジカル反応による精密加工装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１のラジカル反応による精密加工装置は、
電極に電圧を印加して該電極と支持装置に支持された被
加工物間に放電を発生させるとともに、電極と被加工物
間に反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電によって
活性化させ、該反応ガスによりラジカルを生成して該ラ
ジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカル反応
させて被加工物を加工するラジカル反応による精密加工
装置において、被加工物の加工部分の上方に、対流によ
って浮上してきた反応生成物等を除去する排気機構を設
けた構成とした。
めに、請求項１のラジカル反応による精密加工装置は、
電極に電圧を印加して該電極と支持装置に支持された被
加工物間に放電を発生させるとともに、電極と被加工物
間に反応ガスを供給して該反応ガスを上記放電によって
活性化させ、該反応ガスによりラジカルを生成して該ラ
ジカルと被加工物の構成原子又は分子とをラジカル反応
させて被加工物を加工するラジカル反応による精密加工
装置において、被加工物の加工部分の上方に、対流によ
って浮上してきた反応生成物等を除去する排気機構を設
けた構成とした。
【０００７】また、請求項２のラジカル反応による精密
加工装置は、排気機構を、電極と支持装置が設けられた
チャンバ内を負圧にして反応生成物等を除去する構成と
した。
加工装置は、排気機構を、電極と支持装置が設けられた
チャンバ内を負圧にして反応生成物等を除去する構成と
した。
【０００８】
【作用】請求項１のラジカル反応による精密加工装置に
おいては、排気機構が被加工物の加工部分の上方に設け
られているので、対流によって浮上してくる反応生成物
等を効率よく除去することができる。
おいては、排気機構が被加工物の加工部分の上方に設け
られているので、対流によって浮上してくる反応生成物
等を効率よく除去することができる。
【０００９】請求項２の精密加工装置においては、チャ
ンバ内の反応ガス等の外部への漏洩が防止される。
ンバ内の反応ガス等の外部への漏洩が防止される。
【００１０】
【実施例】図１と図２は本考案に係るラジカル反応によ
る精密加工装置の一実施例を示す。フレーム１には三つ
のチャンバＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが設けられており、第１の
チャンバＣａには、ワイヤ電極Ｅの供給機構２が設けら
れている。ワイヤ電極Ｅの供給機構２は、被加工物Ｗを
加工するワイヤ電極Ｅが巻かれているワイヤ供給用ボビ
ン３と、ワイヤ電極Ｅを案内する案内ローラ４とを有
し、ボビン３には、ワイヤ電極Ｅの引出し時にワイヤ電
極Ｅの弛みを防止してワイヤ電極Ｅの張力を一定に保つ
可変式のブレーキ機構（図示せず）が設けられている。
ワイヤ電極Ｅには、通常、直径が０．０５〜０．５ｍｍ
のソリッド材若くは各種物質で表面をコーテングした導
電性金属線材が使用される。
る精密加工装置の一実施例を示す。フレーム１には三つ
のチャンバＣａ，Ｃｂ，Ｃｃが設けられており、第１の
チャンバＣａには、ワイヤ電極Ｅの供給機構２が設けら
れている。ワイヤ電極Ｅの供給機構２は、被加工物Ｗを
加工するワイヤ電極Ｅが巻かれているワイヤ供給用ボビ
ン３と、ワイヤ電極Ｅを案内する案内ローラ４とを有
し、ボビン３には、ワイヤ電極Ｅの引出し時にワイヤ電
極Ｅの弛みを防止してワイヤ電極Ｅの張力を一定に保つ
可変式のブレーキ機構（図示せず）が設けられている。
ワイヤ電極Ｅには、通常、直径が０．０５〜０．５ｍｍ
のソリッド材若くは各種物質で表面をコーテングした導
電性金属線材が使用される。
【００１１】また、中央の第２チャンバＣｂには、被加
工物Ｗを支持する支持装置５と、ワイヤ電極Ｅに給電す
る給電ブラシ６，７、反応ガスの供給ノズル８，９、及
び排気機構１０が設けられている。支持装置５は、レー
ル１１ｂに沿って前後方向（Ｙ軸方向、図２で上下方
向）に水平に動かされる前後移動台１１ａと、該前後移
動台１１ａ上のレール１２ｂに沿って図２で左右方向
（Ｘ軸方向）に水平に動かされる左右移動台１２ａ、及
び該左右移動台１２ａの上に水平に回転自在に設けられ
た回転台１３ａとを主体とする。
工物Ｗを支持する支持装置５と、ワイヤ電極Ｅに給電す
る給電ブラシ６，７、反応ガスの供給ノズル８，９、及
び排気機構１０が設けられている。支持装置５は、レー
ル１１ｂに沿って前後方向（Ｙ軸方向、図２で上下方
向）に水平に動かされる前後移動台１１ａと、該前後移
動台１１ａ上のレール１２ｂに沿って図２で左右方向
（Ｘ軸方向）に水平に動かされる左右移動台１２ａ、及
び該左右移動台１２ａの上に水平に回転自在に設けられ
た回転台１３ａとを主体とする。
【００１２】上記移動台１１ａ，１２ａを移動させる移
動手段には、ボールスクリュやピニオン−ラックなどの
周知の手段（図示せず）が用いられ、また回転台１３ａ
の回転手段にはサーボモータ等（図示せず）が用いられ
る。レール１１ｂと前後移動台１１ａ、及び移動台１１
ａの駆動手段は第１移動機構１１を、また、レール１２
ｂと左右移動台１２ａ、及び移動台１２ａの駆動手段は
第２移動機構１２を、更に回転台１３ａとこれを回転さ
せるサーボモータ等は回転機構１３をそれぞれ構成す
る。
動手段には、ボールスクリュやピニオン−ラックなどの
周知の手段（図示せず）が用いられ、また回転台１３ａ
の回転手段にはサーボモータ等（図示せず）が用いられ
る。レール１１ｂと前後移動台１１ａ、及び移動台１１
ａの駆動手段は第１移動機構１１を、また、レール１２
ｂと左右移動台１２ａ、及び移動台１２ａの駆動手段は
第２移動機構１２を、更に回転台１３ａとこれを回転さ
せるサーボモータ等は回転機構１３をそれぞれ構成す
る。
【００１３】供給ノズル８，９は、反応ガスの供給源
（図示せず）に連絡されており、塩素系やフッ素系等の
反応ガスを被加工物Ｗとワイヤ電極Ｅとの間に供給す
る。排気機構１０は、温度差による対流で浮上してくる
反応生成物を捕捉して外部に除去するもので、通常、真
空ポンプに連絡して設けられており、反応生成物を除去
するほかチャンバＣｂ内を負圧にする。負圧の程度は大
気圧より僅かに低い圧力から０．１ｔｏｒｒ程度の範囲
である。
（図示せず）に連絡されており、塩素系やフッ素系等の
反応ガスを被加工物Ｗとワイヤ電極Ｅとの間に供給す
る。排気機構１０は、温度差による対流で浮上してくる
反応生成物を捕捉して外部に除去するもので、通常、真
空ポンプに連絡して設けられており、反応生成物を除去
するほかチャンバＣｂ内を負圧にする。負圧の程度は大
気圧より僅かに低い圧力から０．１ｔｏｒｒ程度の範囲
である。
【００１４】更に、第３のチャンバＣｃには、ワイヤ電
極Ｅの引取り機構１４が設けられている。引取り機構１
４は、ワイヤ電極Ｅを案内する案内ローラ１５と、ワイ
ヤ電極Ｅを巻き取るワイヤ引取用ボビン１６と、該ボビ
ン１６を回転駆動する駆動モータ（図示せず）とから構
成されており、駆動モータでワイヤ引取用ボビン１６を
回転させてワイヤ供給用ボビン３からワイヤ電極Ｅを引
き取る。符号１７はチャンバＣａ−Ｃｂ、Ｃｂ−Ｃｃ間
の隔壁に設けられたシール機構、１８は上下機構であ
り、移動台１１ａ，１２ａと回転台１３ａを介して被加
工物Ｗを上下させるが、回転台１３ａに設けて被加工物
Ｗを直接上下させるようにしてもよい。
極Ｅの引取り機構１４が設けられている。引取り機構１
４は、ワイヤ電極Ｅを案内する案内ローラ１５と、ワイ
ヤ電極Ｅを巻き取るワイヤ引取用ボビン１６と、該ボビ
ン１６を回転駆動する駆動モータ（図示せず）とから構
成されており、駆動モータでワイヤ引取用ボビン１６を
回転させてワイヤ供給用ボビン３からワイヤ電極Ｅを引
き取る。符号１７はチャンバＣａ−Ｃｂ、Ｃｂ−Ｃｃ間
の隔壁に設けられたシール機構、１８は上下機構であ
り、移動台１１ａ，１２ａと回転台１３ａを介して被加
工物Ｗを上下させるが、回転台１３ａに設けて被加工物
Ｗを直接上下させるようにしてもよい。
【００１５】ワイヤ供給用ボビン３、ワイヤ引取用ボビ
ン１６、案内ローラ４，１５、シール機構１７等のワイ
ヤ電極Ｅの移送系はすべて絶縁されていることは言うま
でもない。ワイヤ電極Ｅの移送系の絶縁はその静電容量
をなるべく小さくする。また、チャンバ内で発生した電
磁波により、モータ類の誤動作、焼損などの危険性があ
るため、モータ類及び配線には電磁波防止のシールド対
策が施される。
ン１６、案内ローラ４，１５、シール機構１７等のワイ
ヤ電極Ｅの移送系はすべて絶縁されていることは言うま
でもない。ワイヤ電極Ｅの移送系の絶縁はその静電容量
をなるべく小さくする。また、チャンバ内で発生した電
磁波により、モータ類の誤動作、焼損などの危険性があ
るため、モータ類及び配線には電磁波防止のシールド対
策が施される。
【００１６】次に、上記の構成とされた本考案のラジカ
ル反応による精密加工装置の作用を説明する。引取り機
構１４の駆動モータでワイヤ引取用ボビン１６を回転駆
動し、ワイヤ供給用ボビン３に巻かれたワイヤ電極Ｅを
ワイヤ引取用ボビン１６に引き取りながらこれに電圧を
印加し、また、供給ノズル８，９に反応ガスを送って被
加工物Ｗの加工部分に噴出させる。反応ガスはワイヤ電
極Ｅの放電によりプラズマ状態となって活性化し、これ
によって反応ガスからラジカルが生成され、該ラジカル
と被加工物Ｗの構成原子又は分子とが反応する。その結
果、被加工物Ｗは上記のラジカル反応によって加工され
ることとなる。
ル反応による精密加工装置の作用を説明する。引取り機
構１４の駆動モータでワイヤ引取用ボビン１６を回転駆
動し、ワイヤ供給用ボビン３に巻かれたワイヤ電極Ｅを
ワイヤ引取用ボビン１６に引き取りながらこれに電圧を
印加し、また、供給ノズル８，９に反応ガスを送って被
加工物Ｗの加工部分に噴出させる。反応ガスはワイヤ電
極Ｅの放電によりプラズマ状態となって活性化し、これ
によって反応ガスからラジカルが生成され、該ラジカル
と被加工物Ｗの構成原子又は分子とが反応する。その結
果、被加工物Ｗは上記のラジカル反応によって加工され
ることとなる。
【００１７】加工の進行に合わせて被加工物Ｗを動か
し、加工を継続するが、第１移動機構１１を作動させた
場合、被加工物Ｗはワイヤ電極Ｅを横切るように移動し
てその表面が鏡面状（平面研磨をした状態）に加工され
る。また、回転機構１３を作動させた時は、被加工物Ｗ
は水平に回転して加工されるようになる。必要があれ
ば、第１移動機構１１と第２移動機構１２とを同時に作
動させることもできる。この場合は、被加工物Ｗは両移
動機構１１，１２の合成方向に移動する。一方の移動機
構の移動速度を他方の移動機構の移動速度に対して相対
的かつ徐々に変化させると、被加工物Ｗは曲線移動する
ようになる。被加工物Ｗの移動は加工条件等に合わせて
行われることは言うまでもない。
し、加工を継続するが、第１移動機構１１を作動させた
場合、被加工物Ｗはワイヤ電極Ｅを横切るように移動し
てその表面が鏡面状（平面研磨をした状態）に加工され
る。また、回転機構１３を作動させた時は、被加工物Ｗ
は水平に回転して加工されるようになる。必要があれ
ば、第１移動機構１１と第２移動機構１２とを同時に作
動させることもできる。この場合は、被加工物Ｗは両移
動機構１１，１２の合成方向に移動する。一方の移動機
構の移動速度を他方の移動機構の移動速度に対して相対
的かつ徐々に変化させると、被加工物Ｗは曲線移動する
ようになる。被加工物Ｗの移動は加工条件等に合わせて
行われることは言うまでもない。
【００１８】被加工物Ｗの加工中は、放電やラジカル反
応によって加工部分の温度が周囲よりも高くなる。この
ため、対流が生じて反応生成物等を浮上させる。排気機
構１０は浮上してきた反応生成物等を捕捉し、チャンバ
Ｃｂの外に除去する。この結果、加工で生じた反応生成
物等が供給ノズル８，９から噴出される反応ガスによっ
て円滑に置換され、加工が促進されるようになる。
応によって加工部分の温度が周囲よりも高くなる。この
ため、対流が生じて反応生成物等を浮上させる。排気機
構１０は浮上してきた反応生成物等を捕捉し、チャンバ
Ｃｂの外に除去する。この結果、加工で生じた反応生成
物等が供給ノズル８，９から噴出される反応ガスによっ
て円滑に置換され、加工が促進されるようになる。
【００１９】図３と図４は、平板状の供給ノズル２０を
使用した例である。この供給ノズル２０は、パイプ２１
に接続された両端から内部のガス通路に反応ガスを流し
て下縁の噴出口からワイヤ電極Ｅと被加工物Ｗに向けて
噴出させる構造となっている。この実施例の他の構造は
図１及び図２の加工装置と同一であるので、同一の符号
を付して説明は省略する。
使用した例である。この供給ノズル２０は、パイプ２１
に接続された両端から内部のガス通路に反応ガスを流し
て下縁の噴出口からワイヤ電極Ｅと被加工物Ｗに向けて
噴出させる構造となっている。この実施例の他の構造は
図１及び図２の加工装置と同一であるので、同一の符号
を付して説明は省略する。
【００２０】図５と図６は更に他の実施例を示す。この
実施例の加工装置においては、供給ノズル２５が電極Ｅ
ａを兼ねており、その両端が通電部２６に接続されてい
る。供給ノズル２５は、図３及び図４のノズル２０と同
様に平板状に形成され、一辺の端面に開口された噴出口
２５ａから反応ガスを噴出させるとともに、印加された
電圧によって被加工物Ｗに放電する。
実施例の加工装置においては、供給ノズル２５が電極Ｅ
ａを兼ねており、その両端が通電部２６に接続されてい
る。供給ノズル２５は、図３及び図４のノズル２０と同
様に平板状に形成され、一辺の端面に開口された噴出口
２５ａから反応ガスを噴出させるとともに、印加された
電圧によって被加工物Ｗに放電する。
【００２１】この加工装置の支持装置５等の構成は、図
１及び図２の加工装置と同一であるので、この場合も同
一の符号を付して説明は省略する。なお、この加工装置
ではワイヤ電極が用いられていないので、これに付随す
る供給機構２と引取機構１４、及びチャンバＣａ，Ｃｃ
は設けられていない。
１及び図２の加工装置と同一であるので、この場合も同
一の符号を付して説明は省略する。なお、この加工装置
ではワイヤ電極が用いられていないので、これに付随す
る供給機構２と引取機構１４、及びチャンバＣａ，Ｃｃ
は設けられていない。
【００２２】これまでの実施例の加工装置は、通常、被
加工物Ｗを平坦に研磨する場合に用いられるが、被加工
物Ｗの一端面を、複数の平面を立体的に組み合わせた凹
凸面に研磨することもできる。
加工物Ｗを平坦に研磨する場合に用いられるが、被加工
物Ｗの一端面を、複数の平面を立体的に組み合わせた凹
凸面に研磨することもできる。
【００２３】図７は、被加工物Ｗの最終形状をした電極
Ｅｂを用いた例である。電極Ｅｂには電圧が印加され、
またボンベ３１の反応ガスはガス供給量制御装置３２で
供給量を制御されて供給ノズル３３から電極Ｅｂと被加
工物Ｗとの間に供給される。これによって被加工物Ｗの
上面は電極Ｅｂの下面と同一の形状に加工される。支持
装置５等の構造は第１実施例と同じであるが、Ｘ軸とＹ
軸の移動機能、及び回転機能を省いてもよい。反応ガス
の供給方向は図７で紙面に垂直な方向とすることもでき
る。
Ｅｂを用いた例である。電極Ｅｂには電圧が印加され、
またボンベ３１の反応ガスはガス供給量制御装置３２で
供給量を制御されて供給ノズル３３から電極Ｅｂと被加
工物Ｗとの間に供給される。これによって被加工物Ｗの
上面は電極Ｅｂの下面と同一の形状に加工される。支持
装置５等の構造は第１実施例と同じであるが、Ｘ軸とＹ
軸の移動機能、及び回転機能を省いてもよい。反応ガス
の供給方向は図７で紙面に垂直な方向とすることもでき
る。
【００２４】また、図８は、横断面形状を長手方向に同
一とした被加工物Ｗを加工する例である。この場合は、
下面の形状を被加工物Ｗの加工面と同一とした電極Ｅｃ
を用い、被加工物Ｗを電極Ｅｃに対して相対的に移動さ
せて加工を行う。反応ガスは専用の供給ノズルから電極
Ｅｃと被加工物Ｗの間に供給しても、またノズル兼用の
電極Ｅｃを用いて供給してもよい。
一とした被加工物Ｗを加工する例である。この場合は、
下面の形状を被加工物Ｗの加工面と同一とした電極Ｅｃ
を用い、被加工物Ｗを電極Ｅｃに対して相対的に移動さ
せて加工を行う。反応ガスは専用の供給ノズルから電極
Ｅｃと被加工物Ｗの間に供給しても、またノズル兼用の
電極Ｅｃを用いて供給してもよい。
【００２５】図９と図１０は半球状の被加工物Ｗの加工
例である。電極Ｅｄは半円状とされ、被加工物Ｗは回転
台１３ａの回転で電極Ｅｄに対し相対的に回転させられ
て加工される。反応ガスは、この例においても専用の供
給ノズル、或いはノズル兼用の電極のいずれから供給し
てもよい。
例である。電極Ｅｄは半円状とされ、被加工物Ｗは回転
台１３ａの回転で電極Ｅｄに対し相対的に回転させられ
て加工される。反応ガスは、この例においても専用の供
給ノズル、或いはノズル兼用の電極のいずれから供給し
てもよい。
【００２６】本加工装置においては、被加工物Ｗの加工
状態を計測するセンサを設けて、そのセンサの計測信号
に基づいて被加工物Ｗの加工移動や、電極と被加工物間
の距離等を自動的に制御する。反応ガスは各加工部分に
均一に供給することを基本とするが、被加工物が相対回
転するような場合、回転周速度（加工量）に応じて反応
ガスの供給量を増減させることもある。
状態を計測するセンサを設けて、そのセンサの計測信号
に基づいて被加工物Ｗの加工移動や、電極と被加工物間
の距離等を自動的に制御する。反応ガスは各加工部分に
均一に供給することを基本とするが、被加工物が相対回
転するような場合、回転周速度（加工量）に応じて反応
ガスの供給量を増減させることもある。
【００２７】
【考案の効果】以上説明したように、請求項１のラジカ
ル反応による精密加工装置は、電極に電圧を印加して該
電極と支持装置に支持された被加工物間に放電を発生さ
せるとともに、電極と被加工物間に反応ガスを供給して
該反応ガスを上記放電によって活性化させ、該反応ガス
によりラジカルを生成して該ラジカルと被加工物の構成
原子又は分子とをラジカル反応させて被加工物を加工す
るラジカル反応による精密加工装置において、被加工物
の加工部分の上方に、対流によって浮上してきた反応生
成物等を除去する排気機構が設けられた構成とされてい
るので、反応生成物等を加工部分から効率よく排除し、
新しい反応ガスを加工部分に的確に送って円滑に加工す
ることができる。
ル反応による精密加工装置は、電極に電圧を印加して該
電極と支持装置に支持された被加工物間に放電を発生さ
せるとともに、電極と被加工物間に反応ガスを供給して
該反応ガスを上記放電によって活性化させ、該反応ガス
によりラジカルを生成して該ラジカルと被加工物の構成
原子又は分子とをラジカル反応させて被加工物を加工す
るラジカル反応による精密加工装置において、被加工物
の加工部分の上方に、対流によって浮上してきた反応生
成物等を除去する排気機構が設けられた構成とされてい
るので、反応生成物等を加工部分から効率よく排除し、
新しい反応ガスを加工部分に的確に送って円滑に加工す
ることができる。
【００２８】また、請求項２のラジカル反応による精密
加工装置は、排気機構が、電極と支持装置が設けられた
チャンバ内を負圧にして反応生成物等を除去する構成と
されているので、チャンバ内の反応ガス等の外部への漏
洩を防止することができる。
加工装置は、排気機構が、電極と支持装置が設けられた
チャンバ内を負圧にして反応生成物等を除去する構成と
されているので、チャンバ内の反応ガス等の外部への漏
洩を防止することができる。
【図１】 本考案のラジカル反応による精密加工装置の
一実施例を示す断面図である。
一実施例を示す断面図である。
【図２】 支持装置の平面図である。
【図３】 本考案の他の実施例の断面図である。
【図４】 被加工物の加工状態の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】 本考案の別の実施例を示す断面図である。
【図６】 被加工物の加工状態を示す外観図である。
【図７】 本考案の更に他の実施例を示す略図である。
【図８】 本考案の更に別の実施例の主要部の外観図で
ある。
ある。
【図９】 本考案の他の実施例の主要部の正面図であ
る。
る。
【図１０】 同じく、平面図である。
５ 支持装置
１０ 排気機構
１１ 第１移動機構
１２ 第２移動機構
１３ 回転機構
Ｗ 被加工物
Ｅ，Ｅａ，Ｅｂ，Ｅｃ，Ｅｄ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 電極に電圧を印加して該電極と支持装置
に支持された被加工物間に放電を発生させるとともに、
電極と被加工物間に反応ガスを供給して該反応ガスを上
記放電によって活性化させ、該反応ガスによりラジカル
を生成して該ラジカルと被加工物の構成原子又は分子と
をラジカル反応させて被加工物を加工するラジカル反応
による精密加工装置において、被加工物の加工部分の上
方に、対流によって浮上してきた反応生成物等を除去す
る排気機構が設けられたことを特徴とするラジカル反応
による精密加工装置。 - 【請求項２】 排気機構は、電極と支持装置が設けられ
たチャンバ内を負圧にして反応生成物等を除去する構成
とされたことを特徴とする請求項１記載のラジカル反応
による精密加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993021117U JP2592191Y2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ラジカル反応による精密加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993021117U JP2592191Y2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ラジカル反応による精密加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0679143U JPH0679143U (ja) | 1994-11-04 |
| JP2592191Y2 true JP2592191Y2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=12045942
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1993021117U Expired - Lifetime JP2592191Y2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | ラジカル反応による精密加工装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592191Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103071873A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-05-01 | 张永平 | 数控电火花成型机主轴机罩结构 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115338489A (zh) * | 2021-05-14 | 2022-11-15 | 日扬科技股份有限公司 | 放电加工装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521127B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1996-07-31 | 勇藏 森 | ラジカル反応による無歪精密加工方法 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP1993021117U patent/JP2592191Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103071873A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-05-01 | 张永平 | 数控电火花成型机主轴机罩结构 |
| CN103071873B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-01-14 | 张永平 | 数控电火花成型机主轴机罩结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0679143U (ja) | 1994-11-04 |
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