JPH07285069A - 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 - Google Patents
枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置Info
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- JPH07285069A JPH07285069A JP6103398A JP10339894A JPH07285069A JP H07285069 A JPH07285069 A JP H07285069A JP 6103398 A JP6103398 A JP 6103398A JP 10339894 A JP10339894 A JP 10339894A JP H07285069 A JPH07285069 A JP H07285069A
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚さ分布の測定からポリッシングまでの全工
程を自動化し、作業効率を向上させると共に、テーパ除
去精度の高いウェーハを製作する。 【構成】 厚さ測定機3によりウェーハ9のX,Y方向
の厚さ分布を求め、CPU1で該厚さ分布から最小二乗
法によりテーパTおよび取り代Soを求めてウェーハの
中心と押圧荷重中心との偏心量δをδ=T・R/8・S
o(Rはウエーハ径)により算出する。このウェーハを
ロボット4によりX,Yステージ5上の位置決め固定部
に移送する。X,YステージによりウェーハをCPUか
らの偏心量データに基づき偏心量δの位置に位置決め
し、ウェーハ吸着板21に固定する。固定したウェーハ
を研磨布29に押圧し、ウェーハを自転させながら研磨
布回転装置7を揺動公転させ、研磨剤を供給しながらポ
リッシングを行う。また、ポリッシング後の厚さ分布の
再測定により偏心量δを補正し、ポリッシング条件を調
整する。
程を自動化し、作業効率を向上させると共に、テーパ除
去精度の高いウェーハを製作する。 【構成】 厚さ測定機3によりウェーハ9のX,Y方向
の厚さ分布を求め、CPU1で該厚さ分布から最小二乗
法によりテーパTおよび取り代Soを求めてウェーハの
中心と押圧荷重中心との偏心量δをδ=T・R/8・S
o(Rはウエーハ径)により算出する。このウェーハを
ロボット4によりX,Yステージ5上の位置決め固定部
に移送する。X,YステージによりウェーハをCPUか
らの偏心量データに基づき偏心量δの位置に位置決め
し、ウェーハ吸着板21に固定する。固定したウェーハ
を研磨布29に押圧し、ウェーハを自転させながら研磨
布回転装置7を揺動公転させ、研磨剤を供給しながらポ
リッシングを行う。また、ポリッシング後の厚さ分布の
再測定により偏心量δを補正し、ポリッシング条件を調
整する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ラッピングや化学的機
械的研磨(以下、ポリッシングという)により半導体ウ
ェーハを1枚ずつテーパのない平坦な状態に自動鏡面研
磨するに好適な枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自
動除去方法と装置に関する。
械的研磨(以下、ポリッシングという)により半導体ウ
ェーハを1枚ずつテーパのない平坦な状態に自動鏡面研
磨するに好適な枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自
動除去方法と装置に関する。
【0002】
【従来の技術】単結晶棒をスライス状に切断することに
より得られたウェーハは面取り,機械研磨,エッチン
グ,サンドブラスト,酸素ドナー消去等の工程を経過し
た後、ポリッシングにより鏡面研磨され洗浄後完成品と
なる。
より得られたウェーハは面取り,機械研磨,エッチン
グ,サンドブラスト,酸素ドナー消去等の工程を経過し
た後、ポリッシングにより鏡面研磨され洗浄後完成品と
なる。
【0003】図6,図7に示すように、ポリッシング工
程に投入されるウェーハ径Rのウェーハ9の大半はテー
パ34を有するため、ポリッシング工程ではテーパの除
去も同時に行う研磨が必要になる。また、図6に示すよ
うに、ウェーハ9は真円状の薄板でなく、その外周の一
部にはオリエンテーションフラット35(以下、オリフ
ラ35という)が形成される。前記テーパ34の存在と
オリフラ35の影響により、ウェーハを研磨布側に押圧
して研磨加工してもテーパを除去することが困難であ
り、従来より各種の研磨方法が採用されていた。
程に投入されるウェーハ径Rのウェーハ9の大半はテー
パ34を有するため、ポリッシング工程ではテーパの除
去も同時に行う研磨が必要になる。また、図6に示すよ
うに、ウェーハ9は真円状の薄板でなく、その外周の一
部にはオリエンテーションフラット35(以下、オリフ
ラ35という)が形成される。前記テーパ34の存在と
オリフラ35の影響により、ウェーハを研磨布側に押圧
して研磨加工してもテーパを除去することが困難であ
り、従来より各種の研磨方法が採用されていた。
【0004】一方、ウェーハをポリッシングする方法と
して、複数枚のウェーハを同時に研磨する複葉式の研磨
方法が従来行われていたが、口径の増大や、加工精度向
上の要求に伴い、最近では1枚づつ研磨する枚葉式の研
磨方法が採用されてきている。
して、複数枚のウェーハを同時に研磨する複葉式の研磨
方法が従来行われていたが、口径の増大や、加工精度向
上の要求に伴い、最近では1枚づつ研磨する枚葉式の研
磨方法が採用されてきている。
【0005】枚葉式のウェーハの研磨において、テーパ
を除去する方法として図8に示すものが採用されてい
る。すなわち、テーパ34を有するウェーハ9を研磨布
29側に押圧する場合に、ウェーハ9のウェーハ中心と
押圧荷重中心とを偏心量δだけずらして行う方法であ
る。この方法によりテーパ34が除去されることは理論
的,実験的に立証されている。
を除去する方法として図8に示すものが採用されてい
る。すなわち、テーパ34を有するウェーハ9を研磨布
29側に押圧する場合に、ウェーハ9のウェーハ中心と
押圧荷重中心とを偏心量δだけずらして行う方法であ
る。この方法によりテーパ34が除去されることは理論
的,実験的に立証されている。
【0006】すなわち、図9に示すように、偏心量δと
テーパTとはウェーハのウェーハ径をRとするとδ=T
・R/8・Soで表わされる。ここでSoは研磨すべき
取り代である。図示のように取り代Soを一定としウェ
ーハ径Rをパラメータとすると、偏心量δとテーパTは
直線で表示される。
テーパTとはウェーハのウェーハ径をRとするとδ=T
・R/8・Soで表わされる。ここでSoは研磨すべき
取り代である。図示のように取り代Soを一定としウェ
ーハ径Rをパラメータとすると、偏心量δとテーパTは
直線で表示される。
【0007】以上の理論を用いたウェーハの仕上げ研磨
に関する公知技術として、特開平2−159722号公
報に開示された技術がある。この「ウェーハ研磨装置及
び該装置に使用される位置決め治具」には、X,Yステ
ージに被加工物のウェーハを固定し、当該ウェーハを吸
着保持するマウンティングヘッド側をX,Yステージに
係合させ、X,Yステージ側に設けられたマイクロメー
タによりマウンティングヘッドのX,Y方向を偏心量に
相当する位置に位置決めし、その状態でマウンティング
ヘッド側にウェーハを吸着させる治具構造が開示されて
いる。
に関する公知技術として、特開平2−159722号公
報に開示された技術がある。この「ウェーハ研磨装置及
び該装置に使用される位置決め治具」には、X,Yステ
ージに被加工物のウェーハを固定し、当該ウェーハを吸
着保持するマウンティングヘッド側をX,Yステージに
係合させ、X,Yステージ側に設けられたマイクロメー
タによりマウンティングヘッドのX,Y方向を偏心量に
相当する位置に位置決めし、その状態でマウンティング
ヘッド側にウェーハを吸着させる治具構造が開示されて
いる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前記公知技術により、
ウェーハのテーパは除去されるが、この技術はあくまで
もウェーハのテーパを除去する基本技術であり、単にウ
ェーハを偏心量だけ偏心させてマウンテイングヘッド側
に取り付ける技術についてのみ詳しく説明されているに
過ぎない。多数のウェーハをより高精度に研磨しようと
する場合、当該公知技術のようにウェーハの吸着固定す
る位置をマニュアルで調整して取り付けようとしても正
確な位置決めが難しくなり、かつより多くの時間が必要
になる。つまり、ウェーハ1枚ごとの偏心量算出やX,
Yステージの位置決め精度、またそれらにかかる時間等
を考えると、当該公知技術を多数のウェーハ研磨に応用
して実施するまでには幾つかの解決しなければならない
問題があった。本発明は、テーパ測定から研磨までの工
程を自動化し、且つ補正を加え最適なテーパ除去条件を
見つけ出そうとするものである。
ウェーハのテーパは除去されるが、この技術はあくまで
もウェーハのテーパを除去する基本技術であり、単にウ
ェーハを偏心量だけ偏心させてマウンテイングヘッド側
に取り付ける技術についてのみ詳しく説明されているに
過ぎない。多数のウェーハをより高精度に研磨しようと
する場合、当該公知技術のようにウェーハの吸着固定す
る位置をマニュアルで調整して取り付けようとしても正
確な位置決めが難しくなり、かつより多くの時間が必要
になる。つまり、ウェーハ1枚ごとの偏心量算出やX,
Yステージの位置決め精度、またそれらにかかる時間等
を考えると、当該公知技術を多数のウェーハ研磨に応用
して実施するまでには幾つかの解決しなければならない
問題があった。本発明は、テーパ測定から研磨までの工
程を自動化し、且つ補正を加え最適なテーパ除去条件を
見つけ出そうとするものである。
【0009】また、ウェーハの偏心量を求めるために、
前記したようにウェーハのテーパTと取り代Soを求め
た後、前記のδ=T・R/8・Soにより計算するが、
ウェーハのX,Y方向の厚さ分布は複雑に変化している
ため、実際上偏心量δの値を求めることは困難である。
公知技術においては、この解決手段は何等開示されてい
ない。
前記したようにウェーハのテーパTと取り代Soを求め
た後、前記のδ=T・R/8・Soにより計算するが、
ウェーハのX,Y方向の厚さ分布は複雑に変化している
ため、実際上偏心量δの値を求めることは困難である。
公知技術においては、この解決手段は何等開示されてい
ない。
【0010】以上のように、本発明はウェーハの厚さ分
布測定からポリッシング加工までの全工程を自動化し、
高精度のウェーハ研磨によりそのテーパを除去すると共
に、厚さ分布から偏心量を求める方法を具体的にし、効
率的,現実的に使用でき、低コストで高精度のウェーハ
研磨ができる枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動
除去方法と装置を提供することを目的とする。
布測定からポリッシング加工までの全工程を自動化し、
高精度のウェーハ研磨によりそのテーパを除去すると共
に、厚さ分布から偏心量を求める方法を具体的にし、効
率的,現実的に使用でき、低コストで高精度のウェーハ
研磨ができる枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動
除去方法と装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の枚葉式
仕上げ研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法
は、ウェーハを1枚ずつ研磨布に押圧しテーパを除去し
ながら平坦化する研磨方法であって、ウェーハのX,Y
方向の厚さ分布測定を基にテーパTおよび取り代Soを
求め、TおよびSoから当該ウェーハの中心と押圧荷重
中心との偏心量δを自動的に演算し、X,Yステージに
自動的に載置された当該ウェーハを前記偏心量δだけ自
動位置決め調整した後、当該ウェーハをウェーハ吸着板
の中心点を基準に前記偏心量δを保持した状態で固定
し、当該ウェーハを研磨布側に押圧し、研磨剤を供給し
ながら当該ウェーハの自転と研磨布側の揺動公転により
鏡面研磨を行うことを特徴とする。
仕上げ研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法
は、ウェーハを1枚ずつ研磨布に押圧しテーパを除去し
ながら平坦化する研磨方法であって、ウェーハのX,Y
方向の厚さ分布測定を基にテーパTおよび取り代Soを
求め、TおよびSoから当該ウェーハの中心と押圧荷重
中心との偏心量δを自動的に演算し、X,Yステージに
自動的に載置された当該ウェーハを前記偏心量δだけ自
動位置決め調整した後、当該ウェーハをウェーハ吸着板
の中心点を基準に前記偏心量δを保持した状態で固定
し、当該ウェーハを研磨布側に押圧し、研磨剤を供給し
ながら当該ウェーハの自転と研磨布側の揺動公転により
鏡面研磨を行うことを特徴とする。
【0012】請求項2に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨方法は、厚さ分布のデータか
らテーパTおよび取り代Soを求める方法として、近似
的に最小二乗法が適用されることを特徴とする。
ーハのテーパ自動除去研磨方法は、厚さ分布のデータか
らテーパTおよび取り代Soを求める方法として、近似
的に最小二乗法が適用されることを特徴とする。
【0013】請求項3に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、ウェーハを1枚ずつ
研磨布に押圧しテーパを除去しながら平坦化する研磨装
置であって、当該ウェーハのX,Y方向の厚さ分布を測
定する厚さ測定機と、前記厚さ分布を基にしてウェーハ
のテーパTおよび取り代Soを求め、これ等の値から当
該ウェーハの中心と押圧荷重中心との偏心量δを演算し
て記録し、当該ウエーハを研磨する時に制御手段側に偏
心量δを伝えるCPUと、カセットから取り出したウエ
ーハを位置決め部にセットするロボットと、前記位置決
め部を搭載し前記偏心量δの位置にウエーハを自動位置
決めするX,Yステージと、ウェーハを吸着保持するウ
エーハ吸着板を有すると共に、ウェーハに押圧力および
回転を与えるウェーハ吸着押圧回転装置と、前記ウェー
ハ吸着板側に係合する、研磨布を有し揺動公転可能な回
転定盤を備える研磨布回転装置と、前記研磨布とウェー
ハの接触面に研磨剤を供給する研磨剤供給装置とを備
え、前記CPUから偏心量δを受け取り、前記各装置を
自動制御する制御手段が付設されることを特徴とする。
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、ウェーハを1枚ずつ
研磨布に押圧しテーパを除去しながら平坦化する研磨装
置であって、当該ウェーハのX,Y方向の厚さ分布を測
定する厚さ測定機と、前記厚さ分布を基にしてウェーハ
のテーパTおよび取り代Soを求め、これ等の値から当
該ウェーハの中心と押圧荷重中心との偏心量δを演算し
て記録し、当該ウエーハを研磨する時に制御手段側に偏
心量δを伝えるCPUと、カセットから取り出したウエ
ーハを位置決め部にセットするロボットと、前記位置決
め部を搭載し前記偏心量δの位置にウエーハを自動位置
決めするX,Yステージと、ウェーハを吸着保持するウ
エーハ吸着板を有すると共に、ウェーハに押圧力および
回転を与えるウェーハ吸着押圧回転装置と、前記ウェー
ハ吸着板側に係合する、研磨布を有し揺動公転可能な回
転定盤を備える研磨布回転装置と、前記研磨布とウェー
ハの接触面に研磨剤を供給する研磨剤供給装置とを備
え、前記CPUから偏心量δを受け取り、前記各装置を
自動制御する制御手段が付設されることを特徴とする。
【0014】請求項4に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、ウェーハの厚さ分布
のデータからテーパTおよび取り代Soを求める方法と
して、近似的に最小二乗法が適用されることを特徴とす
る。
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、ウェーハの厚さ分布
のデータからテーパTおよび取り代Soを求める方法と
して、近似的に最小二乗法が適用されることを特徴とす
る。
【0015】請求項5に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、厚さ測定機が、ウエ
ーハを搭載するテーブルと、該テーブル上のウェーハの
X,Y方向の厚さ分布を測定してCPUに自動的に入力
する測定入力部とを有することを特徴とする。
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、厚さ測定機が、ウエ
ーハを搭載するテーブルと、該テーブル上のウェーハの
X,Y方向の厚さ分布を測定してCPUに自動的に入力
する測定入力部とを有することを特徴とする。
【0016】請求項6に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、CPUが、厚さ測定
機からのX,Y方向の厚さ分布を入力し、偏心量δを演
算すると共にその演算した偏心量δを記録し、該当する
ウェーハが研磨される時に制御手段側に当該偏心量δを
送信することを特徴とする。
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、CPUが、厚さ測定
機からのX,Y方向の厚さ分布を入力し、偏心量δを演
算すると共にその演算した偏心量δを記録し、該当する
ウェーハが研磨される時に制御手段側に当該偏心量δを
送信することを特徴とする。
【0017】請求項7に記載の枚葉式研磨におけるウェ
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、CPUが、ポリッシ
ングが完了したウェーハの厚さ分布の再測定値を基にし
て偏心量算出を補正し、研磨条件をコントロールする機
能を有することを特徴とする。
ーハのテーパ自動除去研磨装置は、CPUが、ポリッシ
ングが完了したウェーハの厚さ分布の再測定値を基にし
て偏心量算出を補正し、研磨条件をコントロールする機
能を有することを特徴とする。
【0018】
【作用】厚さ測定機上にウェーハを搭載しX,Y方向の
厚さ分布を測定する。測定値はCPU側に入力される。
CPUは予め入力されている理論式を基にして、最小二
乗法によりテーパTおよび取り代Soを求め、偏心量δ
をδ=T・R/8・Soから求め記録する。厚さ測定済
のウェーハはカセットに戻され、カセット単位に枚葉式
研磨機にセッティングされ、1枚ずつロボットにより
X,Yステージ上の位置決め部に移送されて、オリフラ
位置合わせ後固定される。X,Yステージのアクチュエ
ータは、制御手段の指示によりCPUから受取った前記
の偏心量δの分だけウェーハを移動し位置決めする。続
いてウェーハ吸着板を保持した架体が位置決め部まで移
動した後、ウエーハ吸着板が下降し、当該ウェーハをウ
ェーハ吸着板の中心点を基準に、前記偏心量δを保持し
た状態で位置決め部に固定されているウェーハを吸着
し、定盤上の所定の位置まで運ぶ。次にウェーハを所定
の押圧力で研磨布側に押圧し、自転させる。また、研磨
布側を揺動公転させる。研磨剤を供給しながら所定時間
研磨することによりウェーハポリッシングが行われ、テ
ーパが除去される。ポリッシング工程が完了したウェー
ハは、厚さ分布が再測定される。この測定データはCP
U側にフィードバックされ、補正研磨の基礎データとさ
れる。
厚さ分布を測定する。測定値はCPU側に入力される。
CPUは予め入力されている理論式を基にして、最小二
乗法によりテーパTおよび取り代Soを求め、偏心量δ
をδ=T・R/8・Soから求め記録する。厚さ測定済
のウェーハはカセットに戻され、カセット単位に枚葉式
研磨機にセッティングされ、1枚ずつロボットにより
X,Yステージ上の位置決め部に移送されて、オリフラ
位置合わせ後固定される。X,Yステージのアクチュエ
ータは、制御手段の指示によりCPUから受取った前記
の偏心量δの分だけウェーハを移動し位置決めする。続
いてウェーハ吸着板を保持した架体が位置決め部まで移
動した後、ウエーハ吸着板が下降し、当該ウェーハをウ
ェーハ吸着板の中心点を基準に、前記偏心量δを保持し
た状態で位置決め部に固定されているウェーハを吸着
し、定盤上の所定の位置まで運ぶ。次にウェーハを所定
の押圧力で研磨布側に押圧し、自転させる。また、研磨
布側を揺動公転させる。研磨剤を供給しながら所定時間
研磨することによりウェーハポリッシングが行われ、テ
ーパが除去される。ポリッシング工程が完了したウェー
ハは、厚さ分布が再測定される。この測定データはCP
U側にフィードバックされ、補正研磨の基礎データとさ
れる。
【0019】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図1は構成要素を示すブロック図、図2は本実施
例の全体構成図、図3は本実施例による研磨方法を説明
するフローチャート、図4は本実施例におけるポリッシ
ング工程を示す部分断面図、図5は本実施例によるポリ
ッシング後のウェーハの形状の数例を示す図表である。
する。図1は構成要素を示すブロック図、図2は本実施
例の全体構成図、図3は本実施例による研磨方法を説明
するフローチャート、図4は本実施例におけるポリッシ
ング工程を示す部分断面図、図5は本実施例によるポリ
ッシング後のウェーハの形状の数例を示す図表である。
【0020】まず、本実施例における理論的根拠を説明
する。前記したようにウェーハの偏心量δは次の〔数
1〕から求められる。
する。前記したようにウェーハの偏心量δは次の〔数
1〕から求められる。
【0021】
【数1】δ=T・R/8・So
【0022】ここで、Tはテーパ,Rはウェーハ直径,
Soは取り代である。次に、最小二乗法によるテーパT
および取り代Soの求め方を簡単に説明する。図6のX
方向上での各位置をX,その位置での厚さをYとする
と、X,Yとテーパおよび取り代調整量So’との関係
は近似的に次の〔数2〕で表わされる。
Soは取り代である。次に、最小二乗法によるテーパT
および取り代Soの求め方を簡単に説明する。図6のX
方向上での各位置をX,その位置での厚さをYとする
と、X,Yとテーパおよび取り代調整量So’との関係
は近似的に次の〔数2〕で表わされる。
【0023】
【数2】Y=T・X+So’
【0024】最小二乗法によりテーパTは次の〔数3〕
より求められる。また取り代Soと取り代調整量So’
との関係は〔数4〕で表わされる。
より求められる。また取り代Soと取り代調整量So’
との関係は〔数4〕で表わされる。
【0025】
【数3】
【0026】
【数4】
【0027】同様な考えに基づいてウェーハのY方向に
ついても、テーパ量Tおよび取り代Soを求めれば、X
方向,Y方向、双方向の偏心量が求められる。
ついても、テーパ量Tおよび取り代Soを求めれば、X
方向,Y方向、双方向の偏心量が求められる。
【0028】次に、図1および図2により本実施例のテ
ーパ自動除去研磨装置の構成を説明する。図1に示すよ
うに、本装置は概略次の構成要素からなる。すなわち、
制御手段2と連携するCPU1,厚さ測定機3,ロボッ
ト4,X,Yステージ5,ウェーハ吸着押圧回転装置
6,研磨布回転装置7および研磨剤供給装置8からな
る。
ーパ自動除去研磨装置の構成を説明する。図1に示すよ
うに、本装置は概略次の構成要素からなる。すなわち、
制御手段2と連携するCPU1,厚さ測定機3,ロボッ
ト4,X,Yステージ5,ウェーハ吸着押圧回転装置
6,研磨布回転装置7および研磨剤供給装置8からな
る。
【0029】図2に示すように厚さ測定機3は、ウェー
ハ9を搭載するテーブル10と、該テーブル上のウェー
ハ9のX,Y方向の厚さ分布を測定してCPU1側に自
動的に入力する測定入力部11とからなる。この厚さ測
定機3と測定入力部11は、公知のものが適用される。
ハ9を搭載するテーブル10と、該テーブル上のウェー
ハ9のX,Y方向の厚さ分布を測定してCPU1側に自
動的に入力する測定入力部11とからなる。この厚さ測
定機3と測定入力部11は、公知のものが適用される。
【0030】ロボット4は、カセットから取り出された
ウェーハ9をX,Yステージ5上の位置決め固定手段1
3の上に運ぶ。
ウェーハ9をX,Yステージ5上の位置決め固定手段1
3の上に運ぶ。
【0031】CPU1は前記したように〔数1〕,〔数
2〕,〔数3〕,〔数4〕を基にして偏心量δを演算し
記録すると共に、当該ウェーハが研磨される時にその演
算値を制御手段2側に伝える。なお、この制御手段2は
シーケンス制御を行なうシーケンサーが採用される。
2〕,〔数3〕,〔数4〕を基にして偏心量δを演算し
記録すると共に、当該ウェーハが研磨される時にその演
算値を制御手段2側に伝える。なお、この制御手段2は
シーケンス制御を行なうシーケンサーが採用される。
【0032】また、CPU1に付設される制御手段2
は、CPU1から伝えられた偏心量δに基づいて連結す
るアンプ15を通してX,Yステージ5の位置変更を行
うと共に厚さ測定機3,ロボット4,ウェーハ吸着押圧
回転装置6,研磨布回転装置7および研磨剤供給装置8
等の自動制御も行う。
は、CPU1から伝えられた偏心量δに基づいて連結す
るアンプ15を通してX,Yステージ5の位置変更を行
うと共に厚さ測定機3,ロボット4,ウェーハ吸着押圧
回転装置6,研磨布回転装置7および研磨剤供給装置8
等の自動制御も行う。
【0033】また、後述するように、CPU1はポリッ
シングが完了したウェーハ9の厚さ分布の再測定値を基
にして偏心量を算出し、研磨条件をコントロールするこ
とによって補正研磨を行い、平坦度がより高いウエーハ
に仕上げる機能を有する。
シングが完了したウェーハ9の厚さ分布の再測定値を基
にして偏心量を算出し、研磨条件をコントロールするこ
とによって補正研磨を行い、平坦度がより高いウエーハ
に仕上げる機能を有する。
【0034】X,Yステージ5は、ベース台5a上でY
軸方向に沿ってY軸用アクチュエータ17により駆動さ
れるY軸テーブル18と、Y軸テーブル18上にX軸方
向に沿ってX軸用アクチュエータ19により駆動される
X軸テーブル20等からなり、X軸テーブル20上に
は、ウェーハ9を所定位置に固定する図略の位置決め固
定手段13が載置される。Y軸用アクチュエータ17と
X軸用アクチュエータ19は共にアンプ15を介し、制
御手段2に連結される。ロボット4によりカセット12
から取り出されて、保持されたウェーハ9は、ロボット
4の上下,回転運動によりX,Yステージ5のX軸テー
ブル20上の位置決め固定手段13の所定位置に運ばれ
る。
軸方向に沿ってY軸用アクチュエータ17により駆動さ
れるY軸テーブル18と、Y軸テーブル18上にX軸方
向に沿ってX軸用アクチュエータ19により駆動される
X軸テーブル20等からなり、X軸テーブル20上に
は、ウェーハ9を所定位置に固定する図略の位置決め固
定手段13が載置される。Y軸用アクチュエータ17と
X軸用アクチュエータ19は共にアンプ15を介し、制
御手段2に連結される。ロボット4によりカセット12
から取り出されて、保持されたウェーハ9は、ロボット
4の上下,回転運動によりX,Yステージ5のX軸テー
ブル20上の位置決め固定手段13の所定位置に運ばれ
る。
【0035】ウェーハ吸着押圧回転装置6をX,Yステ
ージ5側に移動するための受け渡し手段は、架体16を
左右方向に移動自在に支持するべく図略の駆動部、ガイ
ドレール等からなり、位置決め固定手段の所定の位置に
停止する。
ージ5側に移動するための受け渡し手段は、架体16を
左右方向に移動自在に支持するべく図略の駆動部、ガイ
ドレール等からなり、位置決め固定手段の所定の位置に
停止する。
【0036】ウェーハ吸着押圧回転装置6は架体16に
設けられ、ウェーハ9を吸着する吸着板21,吸着板2
1を支持するヘッド部22,回転軸23,回転手段2
4,押圧手段25,真空手段26等からなる。
設けられ、ウェーハ9を吸着する吸着板21,吸着板2
1を支持するヘッド部22,回転軸23,回転手段2
4,押圧手段25,真空手段26等からなる。
【0037】研磨布回転装置7は装置本体27,装置本
体27に枢支される大径の回転定盤28,回転定盤28
上に固着される研磨布29,回転定盤28を回転させる
駆動モータ30,回転定盤28等を冷却させる冷却手段
31,この研磨布回転装置7を前後揺動させる駆動モー
タ32,それら全体を支えるベース台36等からなる。
体27に枢支される大径の回転定盤28,回転定盤28
上に固着される研磨布29,回転定盤28を回転させる
駆動モータ30,回転定盤28等を冷却させる冷却手段
31,この研磨布回転装置7を前後揺動させる駆動モー
タ32,それら全体を支えるベース台36等からなる。
【0038】研磨剤供給装置8は、SiO2 等の砥粒を
含む化学研磨剤の蓄溜部(図略)と、化学研磨剤をウェ
ーハ9と研磨布29との接触部位に噴射供給する噴射ノ
ズル33等からなる。
含む化学研磨剤の蓄溜部(図略)と、化学研磨剤をウェ
ーハ9と研磨布29との接触部位に噴射供給する噴射ノ
ズル33等からなる。
【0039】次に、本実施例におけるウェーハ9のテー
パ除去研磨の作用について図2と図3のフローチャート
および図4により説明する。まず、厚さ測定機3のテー
ブル10にウェーハ9を乗せ、X,Y方向の厚さ分布測
定を行なう(ステップ100)。この厚さ分布のデータ
はCPU1に入力される。CPU1は、このデータから
近似的に最小二乗法によりテーパTおよび取り代Soを
求め(ステップ101)、前記〔数1〕により偏心量δ
を算出し、研磨条件を決定する(ステップ102)と共
に、それを記録する(ステップ103)。
パ除去研磨の作用について図2と図3のフローチャート
および図4により説明する。まず、厚さ測定機3のテー
ブル10にウェーハ9を乗せ、X,Y方向の厚さ分布測
定を行なう(ステップ100)。この厚さ分布のデータ
はCPU1に入力される。CPU1は、このデータから
近似的に最小二乗法によりテーパTおよび取り代Soを
求め(ステップ101)、前記〔数1〕により偏心量δ
を算出し、研磨条件を決定する(ステップ102)と共
に、それを記録する(ステップ103)。
【0040】ロボット4によりX,Yステージ5上のウ
ェーハ位置決め固定手段上に載せられたウェーハ9は、
オリフラの位置合わせをされた(ステップ104)後、
CPU1にて算出した偏心量δに基づいて、制御手段2
によりX,Yステージ5のY軸アクチュエータ17およ
びX軸アクチュエータ19が自動制御されることで、中
心軸を偏心量δだけ偏心した位置に位置決めされる(ス
テップ105)。
ェーハ位置決め固定手段上に載せられたウェーハ9は、
オリフラの位置合わせをされた(ステップ104)後、
CPU1にて算出した偏心量δに基づいて、制御手段2
によりX,Yステージ5のY軸アクチュエータ17およ
びX軸アクチュエータ19が自動制御されることで、中
心軸を偏心量δだけ偏心した位置に位置決めされる(ス
テップ105)。
【0041】次に、ウェーハ吸着押圧回転装置6を搭載
した架体16がウェーハ位置決め固定手段の所定の位置
まで移動し、ウェーハ吸着押圧回転装置6を下降させ、
ウェーハ9をウエーハ吸着板21に吸着する。この状態
でウェーハ9はウェーハ吸着板の中心点より偏心量δだ
け偏心してウェーハ吸着板21に固定される(ステップ
106)。
した架体16がウェーハ位置決め固定手段の所定の位置
まで移動し、ウェーハ吸着押圧回転装置6を下降させ、
ウェーハ9をウエーハ吸着板21に吸着する。この状態
でウェーハ9はウェーハ吸着板の中心点より偏心量δだ
け偏心してウェーハ吸着板21に固定される(ステップ
106)。
【0042】次に、架体16を回転定盤28の所定の位
置まで移動し、ウェーハ吸着用のヘッド部22を下降さ
せつつ回転させ、同じく揺動公転している回転定盤28
上に研磨剤を供給しながらウェーハ9を研磨布29面に
接触させる(ステップ107)。図4は、押圧荷重中心
から偏心量δだけウェーハ中心が偏心したウェーハ9に
研磨布29が接触した状態を示す。ウェーハ9の押圧
力,回転数および回転時間と研磨布29側の回転速度を
設定し、所定の供給量の研磨剤を供給しながらウェーハ
9のテーパ除去研磨が行われる(ステップ108)。
置まで移動し、ウェーハ吸着用のヘッド部22を下降さ
せつつ回転させ、同じく揺動公転している回転定盤28
上に研磨剤を供給しながらウェーハ9を研磨布29面に
接触させる(ステップ107)。図4は、押圧荷重中心
から偏心量δだけウェーハ中心が偏心したウェーハ9に
研磨布29が接触した状態を示す。ウェーハ9の押圧
力,回転数および回転時間と研磨布29側の回転速度を
設定し、所定の供給量の研磨剤を供給しながらウェーハ
9のテーパ除去研磨が行われる(ステップ108)。
【0043】次に、厚さ分布を測定しウェーハの最終品
質を確認する(ステップ109)。テーパがなく、かつ
所定の厚さに仕上げられた場合には研磨作業が終了とな
り(ステップ110)、次のウェーハ9の枚葉研磨が行
われる。
質を確認する(ステップ109)。テーパがなく、かつ
所定の厚さに仕上げられた場合には研磨作業が終了とな
り(ステップ110)、次のウェーハ9の枚葉研磨が行
われる。
【0044】図5は、ポリッシング工程を終了したウェ
ーハ9のテーパおよび取り代の各種の態様を示すもので
ある。図5では、所定の厚さ以下になった不良品は除い
てある。図5のB,C,D,E,F,Gの態様の中、F
はテーパがなく取り代も正常な良品である。その他のも
のは何等の欠陥を有するものであり、この状態では不良
品である。但し、B,C,D,E,Gは補正(修正研
磨)が可能である。
ーハ9のテーパおよび取り代の各種の態様を示すもので
ある。図5では、所定の厚さ以下になった不良品は除い
てある。図5のB,C,D,E,F,Gの態様の中、F
はテーパがなく取り代も正常な良品である。その他のも
のは何等の欠陥を有するものであり、この状態では不良
品である。但し、B,C,D,E,Gは補正(修正研
磨)が可能である。
【0045】この場合は、図3のフローチャートに示す
ように、厚さ分布測定(ステップ109)の結果によ
り、偏心量δの補正と研磨条件の変更を行う(ステップ
111,112)。具体的には、ウェーハ吸着押圧回転
装置6の押圧力,回転数,回転時間を調整すると共に、
研磨布29の回転速度を変更して行う。以上のように修
正研磨を行うことにより研磨作業が終了する(ステップ
110)。
ように、厚さ分布測定(ステップ109)の結果によ
り、偏心量δの補正と研磨条件の変更を行う(ステップ
111,112)。具体的には、ウェーハ吸着押圧回転
装置6の押圧力,回転数,回転時間を調整すると共に、
研磨布29の回転速度を変更して行う。以上のように修
正研磨を行うことにより研磨作業が終了する(ステップ
110)。
【0046】本実施例において、図1に示した構造の各
種装置を用いたが、ロボットの構造や、ウェーハ9をウ
ェーハ吸着板21に位置決め固定する構造は、図示のも
のに限定するものではない。また、この仕組みはポリッ
シング工程のみならず比較的研磨代の多いラッピング段
階への応用も可能である。
種装置を用いたが、ロボットの構造や、ウェーハ9をウ
ェーハ吸着板21に位置決め固定する構造は、図示のも
のに限定するものではない。また、この仕組みはポリッ
シング工程のみならず比較的研磨代の多いラッピング段
階への応用も可能である。
【0047】
【発明の効果】本発明によれば、次のような顕著な効果
を奏する。 1)ウェーハの厚さ分布測定から偏心ポリッシングまで
の工程が省力化され、かつ自動的に行われるため短時間
で作業が行われ、作業効率の向上が図れる。 2)ウェーハの偏心位置決めが自動的に行われ、手動に
よる取付け・取外しがないので高精度位置決めができ
る。このため、テーパ除去精度が向上する。 3)最小二乗法等によりテーパおよび取り代が求められ
るため、テーパ管理の安定化が図れると共にテーパ除去
精度の向上がもたらされ、テーパのない所定の厚さのウ
ェーハを製作することができる。 4)テーパの削減に伴いウェーハの平坦度品質が向上す
るため再研磨の回数が減るので、総体的に作業時間が短
縮され製造コストが大巾に低減される。 5)ポリッシング後、ウエーハの厚さ分布を再測定して
偏心量の補正と研磨条件の変更を行うことにより、より
高精度なテーパ除去研磨ができる。 6)特別な装置を使用しないため、実施が容易に行われ
る。
を奏する。 1)ウェーハの厚さ分布測定から偏心ポリッシングまで
の工程が省力化され、かつ自動的に行われるため短時間
で作業が行われ、作業効率の向上が図れる。 2)ウェーハの偏心位置決めが自動的に行われ、手動に
よる取付け・取外しがないので高精度位置決めができ
る。このため、テーパ除去精度が向上する。 3)最小二乗法等によりテーパおよび取り代が求められ
るため、テーパ管理の安定化が図れると共にテーパ除去
精度の向上がもたらされ、テーパのない所定の厚さのウ
ェーハを製作することができる。 4)テーパの削減に伴いウェーハの平坦度品質が向上す
るため再研磨の回数が減るので、総体的に作業時間が短
縮され製造コストが大巾に低減される。 5)ポリッシング後、ウエーハの厚さ分布を再測定して
偏心量の補正と研磨条件の変更を行うことにより、より
高精度なテーパ除去研磨ができる。 6)特別な装置を使用しないため、実施が容易に行われ
る。
【図1】本実施例の構成要素のブロック図である。
【図2】本発明の一実施例の全体構成図である。
【図3】本実施例のテーパ除去研磨方法を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図4】本実施例におけるポリッシング工程を示す一部
断面図である。
断面図である。
【図5】本実施例によりポリッシングされたウェーハの
各態様を示す図表である。
各態様を示す図表である。
【図6】オリフラを有するウェーハの平面図である。
【図7】図6の線A−A断面図である。
【図8】テーパ除去研磨の根拠を説明するための部分断
面図である。
面図である。
【図9】テーパ除去研磨における、偏心量δとテーパT
との直線的関係を示す線図である。
との直線的関係を示す線図である。
1 CPU 2 制御手段 3 厚さ測定機 4 ロボット 5 X,Yステージ 6 ウェーハ吸着押圧回転装置 7 研磨布回転装置 8 研磨剤供給装置 9 ウェーハ 10 テーブル 11 測定入力部 12 カセット 13 位置決め固定手段 15 アンプ 16 架体 17 Y軸用アクチュエータ 18 Y軸テーブル 19 X軸用アクチュエータ 20 X軸テーブル 21 ウエーハ吸着板 22 ヘッド部 23 回転軸 24 回転手段 25 押圧手段 26 真空手段 27 装置本体 28 回転定盤 29 研磨布 30 駆動モータ 31 冷却手段 32 駆動モータ 33 噴射ノズル 34 テーパ 35 オリエンテーションフラット(オリフラ) 36 ベース台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 守文 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 森田 幸治 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内
Claims (7)
- 【請求項1】 ウェーハを1枚ずつ研磨布に押圧しテー
パを除去しながら平坦化する研磨方法であって、ウェー
ハのX,Y方向の厚さ分布測定を基にテーパTおよび取
り代Soを求め、TおよびSoから当該ウェーハの中心
と押圧荷重中心との偏心量δを自動的に演算し、X,Y
ステージに自動的に載置された当該ウェーハを前記偏心
量δだけ自動位置決め調整した後、当該ウェーハをウェ
ーハ吸着板の中心点を基準に前記偏心量δを保持した状
態で固定し、当該ウェーハを研磨布側に押圧し、研磨剤
を供給しながら当該ウェーハの自転と研磨布側の揺動公
転により鏡面研磨を行うことを特徴とする枚葉式研磨に
おけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法。 - 【請求項2】 研磨前のウェーハの厚さ分布のデータか
らテーパTおよび取り代Soを求める方法として、近似
的に最小二乗法が適用されることを特徴とする請求項1
に記載の枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去
研磨方法。 - 【請求項3】 ウェーハを1枚ずつ研磨布に押圧しテー
パを除去しながら平坦化する研磨装置であって、 当該ウェーハのX,Y方向の厚さ分布を測定する厚さ測
定機と、 前記厚さ分布を基にしてウェーハのテーパTおよび取り
代Soを求め、これ等の値から当該ウェーハの中心と押
圧荷重中心との偏心量δを演算して記録し、当該ウエー
ハを研磨する時に制御手段側に偏心量δを伝えるCPU
と、 カセットから取り出したウエーハを位置決め部にセット
するロボットと、 前記位置決め部を搭載し前記偏心量δの位置にウエーハ
を自動位置決めするX,Yステージと、 ウェーハを吸着保持するウエーハ吸着板を有すると共
に、ウェーハに押圧力および回転を与えるウェーハ吸着
押圧回転装置と、 前記ウェーハ吸着板側に係合する、研磨布を有し揺動公
転可能な回転定盤を備える研磨布回転装置と、 前記研磨布とウェーハの接触面に研磨剤を供給する研磨
剤供給装置とを備え、 前記CPUから偏心量δを受け取り、前記各装置を自動
制御する制御手段が付設されることを特徴とする枚葉式
研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨装置。 - 【請求項4】 ウェーハの厚さ分布のデータからテーパ
Tおよび取り代Soを求める方法として、最小二乗法が
適用されることを特徴とする請求項3に記載の枚葉式研
磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨装置。 - 【請求項5】 厚さ測定機は、ウエーハを搭載するテー
ブルと、該テーブル上のウェーハのX,Y方向の厚さ分
布を測定してCPUに自動的に入力する測定入力部とを
有することを特徴とする請求項3に記載の枚葉式研磨に
おけるウェーハのテーパ自動除去研磨装置。 - 【請求項6】 CPUは、厚さ測定機からのX,Y方向
の厚さ分布を入力し、偏心量δを演算すると共にその演
算した偏心量δを記録し、該当するウェーハが研磨され
る時に制御手段側に当該偏心量δを送信することを特徴
とする請求項3に記載の枚葉式研磨におけるウェーハの
テーパ自動除去研磨装置。 - 【請求項7】 CPUは、ポリッシングが完了したウェ
ーハの厚さ分布の再測定値を基にして偏心量を補正し、
研磨条件をコントロールする機能を有することを特徴と
する請求項3に記載の枚葉式研磨におけるウェーハのテ
ーパ自動除去研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103398A JPH07285069A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 |
EP95302449A EP0687526B1 (en) | 1994-04-18 | 1995-04-12 | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
DE69510867T DE69510867T2 (de) | 1994-04-18 | 1995-04-12 | Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Reduzierung der Konizität eines Wafers im Einzelpoliervorgang |
MYPI95000957A MY130537A (en) | 1994-04-18 | 1995-04-13 | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single wafer polishing |
US08/423,252 US5620357A (en) | 1994-04-18 | 1995-04-17 | Polishing method and apparatus for automatic reduction of wafer taper in single-wafer polishing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6103398A JPH07285069A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07285069A true JPH07285069A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14352958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6103398A Pending JPH07285069A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5620357A (ja) |
EP (1) | EP0687526B1 (ja) |
JP (1) | JPH07285069A (ja) |
DE (1) | DE69510867T2 (ja) |
MY (1) | MY130537A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998012739A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Speedfam Co., Ltd. | Polissoir pour plaquette a semi-conducteurs |
JP2017140658A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
CN107851579A (zh) * | 2015-05-29 | 2018-03-27 | 太阳能爱迪生半导体有限公司 | 用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 |
WO2019123816A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
CN113211216A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 科莱思半导体智造(浙江)有限公司 | 一种半导体硅晶片的抛光设备 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3580936B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2004-10-27 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置のプッシャー及びポリッシング装置 |
EP1281476A3 (en) * | 1996-05-16 | 2003-08-13 | Ebara Corporation | Method for polishing workpieces and apparatus therefor |
US5679055A (en) * | 1996-05-31 | 1997-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Automated wafer lapping system |
CA2220776A1 (en) * | 1996-11-13 | 1998-05-13 | Allen Sommers | Eccentric grinder loading system |
JP3132468B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハ研磨装置及びその研磨方法 |
US6286685B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-09-11 | Seh America, Inc. | System and method for wafer thickness sorting |
MXPA02002594A (es) * | 1999-09-09 | 2002-08-30 | Allied Signal Inc | Aparato y metodo mejorados para la planarizacion de circuitos integrados. |
US6383056B1 (en) | 1999-12-02 | 2002-05-07 | Yin Ming Wang | Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses |
WO2001094881A1 (en) | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Gsi Lumonics Corporation | System of fabricating plane parallel substrates with uniform optical paths |
US6819438B2 (en) * | 2000-06-02 | 2004-11-16 | Gsi Lumonics Corporation | Technique for fabricating high quality optical components |
US6768965B2 (en) | 2002-04-18 | 2004-07-27 | Seh America, Inc. | Methods and computer program products for characterizing a crystalline structure |
US7871931B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for chemical mechanical planarization of a metal layer located over a photoresist layer and a method for manufacturing a micro pixel array using the same |
JP2007103463A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板 |
US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
JP6847811B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2021-03-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および研磨装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159722A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3520713A1 (de) * | 1985-06-10 | 1986-12-11 | Fa. Peter Wolters, 2370 Rendsburg | Steuervorrichtung fuer den bearbeitungsdruck an laepp-, hon- und poliermaschinen |
JPH01153266A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-15 | Shinetsu Eng Kk | 半導体ウエーハの研磨装置 |
JPH0757464B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 基板上の薄膜の研磨方法 |
JPH0747263B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1995-05-24 | 九州電子金属株式会社 | 表面処理方法 |
JPH0227721A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの研磨装置 |
JP2873314B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1999-03-24 | 住友シチックス株式会社 | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP6103398A patent/JPH07285069A/ja active Pending
-
1995
- 1995-04-12 EP EP95302449A patent/EP0687526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-12 DE DE69510867T patent/DE69510867T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-13 MY MYPI95000957A patent/MY130537A/en unknown
- 1995-04-17 US US08/423,252 patent/US5620357A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159722A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハ研磨装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998012739A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Speedfam Co., Ltd. | Polissoir pour plaquette a semi-conducteurs |
CN107851579A (zh) * | 2015-05-29 | 2018-03-27 | 太阳能爱迪生半导体有限公司 | 用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法 |
JP2017140658A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社ディスコ | 研磨装置 |
WO2019123816A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
JP2019110233A (ja) * | 2017-12-19 | 2019-07-04 | 株式会社Sumco | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 |
US11587792B2 (en) | 2017-12-19 | 2023-02-21 | Sumco Corporation | Method for manufacturing ingot block, method for manufacturing semiconductor wafer, and device for manufacturing ingot block |
CN113211216A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-06 | 科莱思半导体智造(浙江)有限公司 | 一种半导体硅晶片的抛光设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5620357A (en) | 1997-04-15 |
EP0687526A1 (en) | 1995-12-20 |
DE69510867T2 (de) | 2000-05-31 |
MY130537A (en) | 2007-06-29 |
EP0687526B1 (en) | 1999-07-21 |
DE69510867D1 (de) | 1999-08-26 |
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