CN1754409A - 等离子处理装置 - Google Patents

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Abstract

等离子处理装置M1装有用于支撑一对长条电极(30)的处理部分(20)。处理部分(20)设有多个拉动螺栓(52)(用于阻止靠近变形的装置)，在电极(30)纵向上相互隔开地排列螺栓(52)。拉动螺栓(52)的头部通过螺栓支架(53)钩住刚性板(33)，而螺栓(52)的腿部拧入电极(30)。由此，可以防止这种电极由于库仑力而变形。

Description

等离子处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子处理装置，用于执行表面处理，例如成膜、蚀刻、表面改良、有机杂质清除、清洁、疏水性、亲水性等等，尤其涉及一种远程型等离子处理装置，包括一对平行长尺寸电极，在处理装置中，处理气从那些电极的一个纵向侧边之间的开口引到电极相对表面之间的空间，以便产生等离子，这样产生的等离子从电极的另一纵向侧边之间的另一开口排出电极，以便等离子应用到要处理的衬底。
背景技术
所谓远程型等离子处理装置是公知的，其中处理气被引到一对电极之间，并通过辉光放电进行等离子化，然后，这个等离子流吹到要处理的物质上，所述衬底位于电极外侧，以便执行衬底表面处理(例如，日本专利申请公开H11-251304，日本专利申请公开H09-92493，等等)。另一种等离子处理装置也是公知的，其中平行布置两个板状电极(日本专利申请公开H07-85998，日本专利申请公开H09-92493，等等)。
在使用长条平行电极板的远程型等离子处理装置中，通过在电极纵向侧边之间吹出等离子流，每次可以执行等于长尺寸电极长度的大量表面处理，因此可以提高处理速度。然而，例如，电极通过库仑力在电极纵向中间部分以使得彼此靠近的方式偶而变形，库仑力由施加的电场产生(参见图12的虚线)。当电极长度为例如50cm或更多时，可以清楚看到这种现象。长度增加的越多，这种现象变得越明显。当这种变形发生时，在电极纵向相对端部增加等离子气的吹出，在电极中间部分降低等离子气的吹出。因此，无法实现均匀处理。
当用电流加热电极时，由于热膨胀差也可能出现弯曲变形。也就是，通常，一个电极的内部温度在更靠近另一电极的部分和更靠近背面的部分更高。这个温差导致引起弯曲变形的热膨胀差。由于构成电极的金属和固体绝缘层之间的热膨胀系数差，也出现弯曲变形，固体绝缘层通过熔融喷射或类似方法覆盖在金属电极上。这再次可能危害均匀处理。
在某些实例中，由于通过熔融喷射或类似方法在电极表面喷涂固体绝缘层时的吹风处理，或由于电极和溶融喷射材料之间的热膨胀差，也可能出现弯曲变形。而且，仅仅除了作为定位参考面的涂层面之外，研磨固体绝缘物质整个表面时，通过加热或类似方法也可能出现弯曲变形。如刚才提到的制造过程期间能出现的这些变形，也能危害等离子流沿着电极纵向的均匀流量。这再次引起非均匀处理。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种等离子处理装置，用于对电场中的处理气进行等离子化(也包括激活、离子化和激化)，然后喷出处理气，所述等离子处理装置的特征在于包含一对长条电极和防变形设备，长条电极各自具有第一和第二长条侧边，并平行布置，所述电场应用在所述电极对之间，所述第一长条侧边之间的开口用作处理气接收孔，所述第二长条侧边之间的开口用作处理气排气孔；防变形设备防止所述电极对在平行布置电极的方向上变形。由于这种结构，可以防止电极由于库仑力或由于应用电场时的热膨胀差等导致的变形。而且，可以防止电极之间的间距变得不均匀。因此，等离子流可以沿着电极纵向均匀吹出，最后可以执行均匀表面处理。
优选地，所述防变形设备包括靠近变形阻止器，其防止所述电极对中的每一个电极变形而靠近另一电极。由于这种结构，能可靠防止电极由于库仑力在靠近方向上的变形。
优选地，所述电极对各自在其与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，所述靠近变形阻止器包括螺栓(螺纹部件)，螺栓的头部钩住所述刚性部件，并且螺栓的腿部拧入所述电极。由于这种结构，可以简单构造所述靠近变形阻止器。而且，通过适当调节螺栓旋转量，能容易调节防变形力的作用位置。
优选地，所述防变形设备包括靠近变形阻止器和远离变形阻止器，靠近变形阻止器防止所述电极对中的每一个电极变形靠近另一电极，远离变形阻止器防止所述电极对中的每一个电极变形远离另一电极。由于这种结构，能更可靠地防止电极变形。
优选地，在电极纵向上间隔排列多个靠近推动器和多个远离推动器，靠近推动器移动电极对中的每一个电极靠近另一电极，远离推动器移动电极对中的每一个电极远离另一电极，通过防止所述电极对中的每一个电极远离另一电极，所述靠近推动器也用作所述远离变形阻止器，通过防止所述电极对中的每一个电极靠近另一电极，所述远离推动器也用作所述靠近变形阻止器。由于这种结构，例如在电极制造过程中，即使变形将要出现，也能容易地校正这种变形，并且可以调节电极之间的间距使沿着纵向变得均匀。因此，沿着纵向能可靠地使等离子均匀排出，最后，能可靠均匀地执行表面处理。而且，通过增加电极之间的间距，能容易使气体流动，而通过减少电极之间的间距，能容易使其放电。而且，由于这个特征，即所述靠近推动器也用作所述远离变形阻止器，而且所述远离推动器也用作所述靠近变形阻止器，因此可以减少组件数量。通过靠近推动器和远离推动器，构成“为了调直各自电极的调直器”或“为了调节电极间距的间距调节设备”。
优选地，所述电极对各自在其与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，所述靠近推动器，即所述远离变形阻止器包括推动螺栓(推动螺纹部件)，推动螺栓拧入所述刚性部件，并与所述电极背面邻接，以便推动所述电极，所述远离推动器，即所述靠近变形阻止器包括拉动螺栓(拉动螺纹部件)，拉动螺栓的头部钩在所述刚性部件上，并且拉动螺栓的腿部拧入所述电极，以便将所述电极拉向所述刚性部件。由于这种结构，可以简单构造所述靠近推动器和远离推动器。而且，通过适当调节推动螺栓和拉动螺栓旋转量，能校正各个电极的变形，能容易调节电极之间的间距。而且通过适当调节那些推动螺栓和拉动螺栓旋转量，能容易调节防变形力的作用位置。
优选地，所述靠近变形阻止器至少包括一个绝缘隔板，所述绝缘隔板通常在所述电极纵向中间部分上插入所述成对电极之间。由于这种结构，能可靠防止纵向中间部分上的电极间距变小，处理气沿着纵向能可靠均匀地吹出，最后，能可靠均匀地执行等离子表面处理。
优选地，所述隔板如此小以致于所述隔板对处理气流的反作用可以忽略。由于这种结构，能可靠获得处理均匀性。
优选地，朝着所述处理气接收侧，单侧布置所述隔板。由于这种结构，处理气能循环流向隔板排气侧的空间，在与布置隔板的位置相应的地方，也能可靠地执行等离子表面处理。
优选地，所述隔板形成有气体导向部件，用于将处理气循环导向所述隔板排气侧的空间。由于这种结构，在与布置隔板的位置相应的地方，也能可靠地执行等离子表面处理。
优选地，所述电极纵向上的所述隔板相对边缘以这种方式朝着排气侧倾斜以便相互靠近，所述斜边用作所述气体导向部件。由于这种结构，处理气沿着斜边能平稳地循环流向隔板的处理气排出部分侧。
优选地，除相对表面之外，所述电极对表面用相互不同的绝缘盖覆盖，带有伸出部分的所述隔板从所述成对电极之间的所述接收孔中向外伸出，所述伸出部分可以固定到所述绝缘盖之一上。由于这种结构，能容易装配固定到所述绝缘盖之一的隔板。而且，隔板能稳定地插在电极之间。
优选地，所述隔板整体包括插入部分和跨越部分，插入部分插在所述电极对之间，跨越部分横跨所述电极对的所述第一纵向侧边。由于这种结构，隔板能稳定地插在电极之间。
本发明也提供一种等离子处理装置，用于对电场中的处理气进行等离子化，然后吹出处理气，所述等离子处理装置的特征在于包含一对长条电极、多个靠近推动器、多个远离推动器，长条电极各自具有第一和第二长条侧边，并平行布置，所述电场应用在所述电极对之间，所述第一长条侧边之间的开口用作处理气接收孔，所述第二长条侧边之间的开口用作处理气排气孔；靠近推动器移动电极对中的每一个电极靠近另一电极，在所述电极纵向上间隔排列所述靠近推动器；远离推动器移动电极对中的每一个电极远离另一电极，在所述电极纵向上间隔排列所述远离推动器。由于这种结构，例如在电极制造过程中，即使变形将要出现，也能容易地校正这种变形，并且可以调节电极之间的间距使沿着纵向变得均匀。因此，沿着纵向能可靠使等离子均匀地排出，最后，能可靠均匀地执行表面处理。而且，通过增加电极之间的间距，能容易使气体流动，而通过减少电极之间的间距，能容易使放电。
优选地，所述电极对中的每一个电极在与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，所述靠近推动器包括推动螺栓，推动螺栓拧入所述刚性部件，并与所述电极背面邻接，以便推动所述电极，所述远离推动器包括拉动螺栓，拉动螺栓的头部钩在所述刚性部件上，并且拉动螺栓的腿部拧入所述电极，以便将所述电极拉向所述刚性部件。由于这种结构，可以简化所述靠近推动器和远离推动器的构造。而且，通过适当调节推动螺栓和拉动螺栓旋转量，能校正各个电极的变形，能容易调节电极之间的间距。
优选地，等离子处理装置进一步包含支撑所述电极对的支架，所述支架包括刚性部件和连接加强部件，每个刚性部件装在所述电极中的每一个电极的背部上，连接加强部件用于整体连接所述刚性部件，以便加强所述刚性部件。由于这种结构，可以加强这对刚性部件使它们不变形，最后，能可靠地执行变形预防、变形校正和电极之间的间距调节。
优选地，靠近推动器防止所述电极对中的每一个电极变形而远离另一电极。由于这种结构，可以防止电极之间的间距由于应用电场时的热膨胀差等变得不均匀。能可靠地获得均匀处理。
优选地，远离推动器防止所述电极对中的每一个电极变形而靠近另一电极。由于这种结构，可以防止电极之间的间距由于施加电场时的热膨胀差或库仑力等变得不均匀。因此，等离子流可以沿着电极纵向均匀吹出，最后能可靠均匀地执行表面处理。
优选地，根据本发明的等离子处理装置进一步包含绝缘盖，用于覆盖除所述电极相对表面之外的表面，所述绝缘盖包括用绝缘材料构成的盖主体和用绝缘材料构成的耐等离子部件，耐等离子部件的耐等离子特性比所述盖主体高，所述耐等离子部件包括处理气引导孔的构成表面和相对于所述电极第一纵向侧边的侧表面的邻接表面，处理气引导孔与所述电极对之间的所述处理气接收孔相连，所述耐等离子部件在与所述电极相同的方向上延伸。由于这种结构，可以防止绝缘盖受到电极之间的空间(等离子空间)中的等离子破坏。另一方面，很少暴露给等离子的盖主体可以由比较便宜的材料构成，最后，通过用具有高耐等离子特性的材料构造整个绝缘盖，可以降低材料成本。
优选地，根据本发明的等离子处理装置进一步包含气体引导设备，用于将处理气从处理气源引到所述电极对之间的所述处理气接收孔，所述引导设备形成有一对均匀通道和多级均匀室，当通常沿着纵向在相互相对方向上流动所述处理气流的二等分时，均匀通道将所述处理气从外围部分的整个长度逐渐渗入所述通道的外部空间中；多级均匀室沿着纵向延伸并通过流通通道相互流通，所述多级均匀室的第一级室构成所述均匀通道对的所述外部空间，所述流通通道的形状是细长狭缝，其在所述多级均匀室的前后级室的大致整个长度区域上延伸，所述多级均匀室相互流通，或者所述流通通道的形状是多个圆点，以短间距在大致整个长度区域上布置这些圆点，所述多级均匀室的末级室与所述电极的所述处理气接收孔的大致整个长度区域相连。由于这种结构，处理气可以按照它的纵向均匀状态流入电极之间，能可靠地均匀吹出的等离子流。所述流通通道的形状可以是许多圆点(狭缝)，以短间距在前后级均匀室的大致整个长度区域上布置这些圆点，前后级均匀室相互流通。
优选地，所述气体引导设备包括设备主体，它具有长条容器结构，并在与所述电极相同的方向上延伸，所述气体引导设备主体在其中容纳构成所述均匀通道对的部件，所述设备主体内的空间在所述电极的相对侧上装有所述均匀通道构成部件作为所述第一级均匀室，在所述电极侧上提供所述设备主体内的空间作为所述第二级均匀室，也是末级均匀室，小间隙形成在所述设备主体和所述均匀通道构成部件的侧部之间，提供所述间隙作为所述狭缝状流通通道。
优选地，所述均匀通道构成部件包括一对管，它们在与所述气体引导设备主体相同的方向上延伸，所述管之一的一个端部和另一管的另一端部各自用作进气口，与所述第一级均匀室流通的渗漏孔在每个管的普遍整个长度区域上形成在每个管的管壁中。均匀通道流程的横截面积沿着气体流向可以逐渐减少。
同样优选地，所述处理气重复分流和汇聚，多次弯曲之后，所述处理气引入所述均匀通道。
同样优选地，所述气体引导设备和支撑所述电极对的支架彼此整体地连接在一起。
附图说明
图1是沿图6的弯曲线I-I的侧跨剖视图，表示依据本发明第一实施例的等离子处理装置。
图2是上述等离子处理装置的等离子喷嘴头的透视图。
图3是上述等离子喷嘴头沿图1线III-III剖开的正剖视图。
图4(a)是上述等离子喷嘴头的处理气引导设备沿图1线IVA-IVA剖开的平面剖视图。
图4(b)是上述等离子喷嘴头的处理气引导设备沿图1线IVB-IVB剖开的平面剖视图。
图4(c)是上述等离子喷嘴头的处理气引导设备沿图1线IVC-IVC剖开的平面剖视图。
图5(a)是上述等离子喷嘴头的处理气引导设备沿图1线VA-VA剖开的平面剖视图。
图5(b)是上述等离子喷嘴头的处理气引导设备沿图1线VB-VB剖开的平面剖视图。
图6是上述等离子喷嘴头的支架沿图1线VI-VI剖开的平面剖视图。
图7是沿图8线VII-VII剖开的正剖视图，表示依据本发明第二实施例的常压等离子处理装置的喷嘴头。
图8是依据本发明第二实施例的常压等离子处理装置沿图7线VIII-VIII剖开的侧剖视图。
图9是上述常压等离子处理装置沿图7线IX-IX剖开的侧剖视图。
图10是依据第二实施例的喷嘴头透视图。
图11是正视图，按照放大尺寸表示上述依据第二实施例的常压等离子处理装置的隔板。
图12是平面图，用示意图表示依据第二实施例的常压等离子处理装置的一对电极和隔板。
图13(a)是表示工件内接触角老化变化测量结果的曲线图，用带有隔板的等离子处理装置对所述工件进行处理。
图13(b)是表示工件内接触角老化变化测量结果的曲线图，用没有隔板的等离子处理装置对所述工件进行处理。
图14是依据隔板改进实施例的常压等离子处理装置的侧剖视图。
图15是依据图14改进实施例的隔板透视图。
具体实施方式
下文中将参考附图描述本发明实施例。
图1表示依据本发明第一实施例的远程型常压等离子处理装置M1。等离子处理装置M1包含放置台4T、等离子喷嘴头1、处理气源2和电源(电场提供设备)3，其中等离子喷嘴头1布置在放置台4T的上部并由机架(未图示)支撑，处理气源2和电源3连接到等离子喷嘴头1。将具有大面积的工件(衬底或要处理的物质)W放在放置台4T上。移动机构4整体连接到放置台4T。如图1箭头所示，因此通过移动机构4，放置台4T和工件W向后和向前(图1中向左右)相对移动。同样可理解，固定放置台4T，而喷嘴头1连接到移动机构4以便喷嘴头1可以移动。
如下所述，这样设计电源3以便给电极30输出例如脉冲式电压。这个脉冲的上升时间和/或下降时间优选为10μs或更小，电场强度优选为10-1000kV/cm，频率优选为0.5kHz或更大。
例如，将纯氮气N2或氮气N2和少量氧气O2的混合气保存在处理气源2中作为等离子清洁处理气。当然可理解，分别保存氮气N2和氧气O2，每次混合适当量。同样可理解，它们保存为液相，每次蒸发适当的数量。
将保存在处理气源2中的处理气输送到喷嘴头1，然后吹到工件W，在喷嘴头1对处理气进行等离子化。通过完成这些，在常压下进行等离子表面处理，例如工件W的清洁等等。
本发明中使用的术语“一般常压(接近大气压的压力)”指的是从1.333×104Pa到10.664×104Pa。特别是，从9.331×104Pa到10.397×104Pa是优选的，因为可以容易进行压力调节，并且在这个范围内可以简化装置构造。
处理气源2和喷嘴头1通过供气管设备相互连接在一起。供气管设备包括单根公用管2a、四根(多根)支管2b、以及会聚管2c，其中公用管2a从处理气源2延伸，支管2b从这个公用管2a分支出，在会聚管2c中会聚两根支管2b并使它们延伸。这些管2a、2b、2c都是由软管构成。与支管2b相比，公用管2a和会聚管2c较短。每根支管2b延伸很长，以便占据供气管设备整个长度的大部分。每根支管2b的流道横截面积是公用管2a的流道横截面积的四分之一。因此，可以使每根支管2b更细长以便容易迂回放置。每根会聚管2c的流道面积是每根支管2b的流道面积的两倍。两根会聚管2c分别连接到等离子喷嘴头1的一对左右进气口14a。
将非常详细描述等离子喷嘴头1。如图1-3中所示，喷嘴头1包含上处理气引导设备10(气体均匀设备)和下处理气引导设备20，并且允许向左右方向(垂直于图1平面的方向)延长。
喷嘴头1的上处理气引导设备10包含长条容器状设备主体(外壳)11和内管设备(气体均匀通道构件)12，允许设备主体11向左右延伸，内管设备12容纳在设备主体11内。
如图1、2、3和4(a)中所示，设备主体11在其上表面的左端和右端装有一对端部件14E，在中心部分装有中心件14C。两个上管13A、13B各自横跨在每个端部件14E和中心件14C之间，以便按照并排关系将上管13A、13B中的一根管13A设置在前部，并将另一根管13B设置在后部。
左端部件和右端部件14E各自形成有进气口14a。每个进气口14a与上管13B端部相连。
如图4(a)中所示，中心件14C形成有流通孔14b，流通孔14b使四根上管13A、13B的内部相互连接。由于这种排列，通过两根上管13B流入的处理气汇聚在流通孔14b，然后分叉进入两根上管13A，以便流向每根上管13A的左端和右端。
如图2中所示，将一对端块14B布置在处理气引导设备主体11的左端板和右端板上。端块14B与相应端部件14E的下表面邻接。如图1和3-5中所示，左端部件、右端部件14E和左端块、右端块14B形成有从上管13A连续的弯曲通道14g至14k(14k’)。也就是，如图3和4(a)中所示，左端部件、右端部件14E各自形成有通道14g和通道14h，通道14g直线连接到上管13’A的相应端部，通道14h从这个通道14g向下延伸，并到达端部件14E下端。如图3和4(b)中所示，左端块和右端块14B各自在它们的上表面形成有在向后和向前方向上延伸的椭圆凹口。通过这个椭圆凹口和端部件14E的下表面确定通道14i。通道14h与通道14i前侧端相连。如图3、4(b)和4(c)中所示，端块14B形成有通道14j，通道14j从通道14i的后侧端向下延伸。如图3和5(a)中所示，左侧端块14B形成有通道14k，通道14k从通道14j的下端向前延伸。另一方面，右侧端块14B形成有通道14k’，通道14k’从通道14j的下端向后延伸。如下所述，那些左通道14k和右通道14k’分别与内管设备12的前侧管12A和后侧管12B相连。
现在将描述内管设备12。
如图1、3和5(a)中所示，设备12包含两根内管(均匀通道)12A、12B和夹层固定板(管支架)12C、12D，内管12A、12B向左右延伸，并且前后并排布置，固定板12C、12D从上面和下面夹住那些内管12A、12B。内管12A、12B的左、右相对端部由设备主体11的左、右端板支撑。如图3和5(a)中所示，内管12A前侧左端与左端块14B的通道14k相连。另一方面，该管12A的右端关闭。如图5(a)中所示，内管12B后侧右端与右端块14B的通道14k’相连，而左端关闭。
如图1、3和5(a)中所示，每个内管12A、12B在其外围方向的上侧部形成有许多圆点状渗漏孔12e，渗漏孔12e从内周面延伸到外周面。通常在管12A、12B的整个长度区域上，以短间距向左右布置那些渗漏孔12e。
如图1中所示，上夹层固定板12C和下夹层固定板12D分别跨越前内管12A和后内管12B。那些夹层固定板12C、12D通过螺栓12G相互连接在一起，螺栓12G插在两个内管12A、12B之间并适合夹层固定内管12A、12B。如图1、3和4(c)中所示，上侧夹层固定板12C形成有许多渗漏孔12f，渗漏孔12f与内管12A、12B的孔12e相连。那些渗漏孔12f朝夹层固定板12C的上表面开口。取代圆点状孔12e、12f，在管12A、12B和板12C内可以形成左、右纵向延伸的狭缝状孔。
如图1和3中所示，管设备12将处理气引导设备主体11的内部分割成上均匀室11a和下均匀室11b两部分。也就是，处理气引导设备主体11中的内管设备12上侧的内部空间构成第一级均匀室11a。该室11a与夹层固定板12C的孔12f相连，最后与内管12A、12B的渗漏孔12e相连。
如图1、4(c)和5(a)中所示，狭缝状间隙(流通通道)11c各自分别形成在处理气引导设备主体11的前后侧壁和内管设备12的前后侧面之间。该间隙11c厚度均匀，并且在整个左右长度上非常窄。
如图1、3和5(b)中所示，处理气引导设备主体11中、位于内管设备12下侧面的左右侧延长的内部空间构成第二级(也是末级)均匀室11b。该室11b通过间隙11c与上部室11a相连。
如图1和5(b)中所示，处理气引导设备主体11在底板前后宽度方向的中心部分上形成有引导孔11d，引导孔11d在整个左右长度上延伸。引导孔11d在设备主体11底板的上表面的宽度增加，而朝着下表面方向宽度减小。
接着将描述等离子喷嘴头1的处理部分20。
处理部分20包括一对长条电极30和支持电极30的支架21。
电极30各自由导电材料例如不锈钢构成。如图1和3中所示，每个电极30具有棱形结构，并且在左右方向(垂直于图1平面的方向)直线延伸。一个电极30电源线3a连接到脉冲电源3，而另一电极30通过接地线3b接地。
如图1、3和6中所示，一对电极30相互平行，并且以很小间距(例如2mm)前后并排布置。在电极30的相对表面之间形成等离子空间30a。在电极30的整个长度区域上，等离子空间30a的厚度相等。成对电极30的上侧纵向侧边之间(第一纵向侧边之间)形成的孔作为狭缝状处理气接收孔30b，接收孔30b左右延伸，并且适合在等离子空间30a中接收来自气体引导设备10的处理气。脉冲电源3将脉冲电场施加到等离子空间30a。在这个电场中，将处理气等离子化。电极30的下部纵向侧边之间(第二纵向侧边之间)形成的孔作为狭缝状处理气排气孔30c，排气孔30c左右延伸，并且适合排出空间30a中的等离子化的处理气。
电极30的相对表面和下表面上都覆盖有固体绝缘层31，用于防止电弧放电，通过在相对表面和下表面上施加喷砂，然后给它们熔融喷射绝缘层例如陶瓷，可以获得固体绝缘层31。可以在电极30的上表面和纵向相对端面上提供固体绝缘层31。电极30相对表面的反面的背面(外表面)和上表面接地，以便很平坦并相互完全垂直。为了能防电弧放电，电极30相邻表面之间形成的角度经过R-处理。用于冷却电极的温度调节通道30d形成在每个电极30内。
接着将描述处理部分20的电极支架21。
如图1-3中所示，电极支架21包括用于覆盖各自电极30的一对前后绝缘盖22、连接到各自绝缘盖22的一对前后侧板(刚性构件)24、以及上板(连接加强件)23，上板23跨接在侧板24上表面和绝缘盖22之间。电极支架21向左右延长。
每个绝缘盖22包括盖主体22A和底板27。盖主体22A由绝缘树脂例如聚四氟乙烯构成，它的截面形成为倒L形，包括上部分22x和垂直部分22y。上部分22x施加到每个电极30的上表面，而垂直部分22y施加到每个电极30的后表面。更具体地，上部分22x的下表面和垂直部分22y的内表面相互完全垂直，并且与每个电极30的完全接地直角表面紧密邻接。如图2和3中所示，盖主体22A的纵向相对端部各自与端板部分22z整体装在一起。端板部分22z施加到每个电极30的各个端面。
如图1中所示，在整个长度区域上，具有等间距的窄间隙22a形成在这对绝缘盖主体22A的上部分22x之间。间隙22a与处理气接收孔30b相连，最后与成对电极30之间的空间30a相连。
底板27通过螺栓连接固定到绝缘盖主体22A的垂直部分22y下端面。底板27由绝缘树脂例如聚四氟乙烯构成，它具有长条板状结构。底板27从垂直部分22y稍微向内凸出。每个电极30下侧和外侧的拐角部分放置在底板27的凸出部分上，并由其支撑。
上板23由刚性材料例如钢构成。在上板23前后宽度方向的中心部分中形成左、右长条狭缝23a。这个狭缝23a的上端与处理气引导设备10的引导孔11d相连，而下端与该对绝缘盖22之间的间隙22a相连，最后与电极30之间的空间30a相连。
侧板24由刚性材料例如钢构成长板状。侧板24在与它宽度方向垂直的方向上左右直线延伸。侧板24应用到绝缘盖22的垂直部分22y外表面(背面)，而上侧边与上板23邻接，并用螺栓紧固。通过完成这些，这对前后侧板24通过上板23相互整体连接在一起并得到加强，以便不相对变形。
等离子喷嘴头1在处理部分20装有调直设备和防变形设备，例如，调直设备调直在电极30制造阶段可能出现的初始变形，防变形设备用于防止由于施加电场而可能出现的变形。调直设备包含多个远离推动器和多个靠近推动器，远离推动器使电极30之一远离另一个电机，而靠近推动器使电极30之一靠近另一个电机。防变形设备包含多个靠近变形阻止器和多个远离变形阻止器，靠近变形阻止器防止这对电极在相互靠近方向上变形，而远离变形阻止器防止这对电极在相互远离方向上变形。远离推动器和靠近变形阻止器由同一部件构成，靠近推动器和远离变形阻止器由同一部件构成。调直设备(多个远离推动器和多个靠近推动器)也构成间隔调节机构，以便调节这对电极30之间的间距。
更具体地，如图1、2和6中所示，每个侧板24装有多个电极推动螺栓51和多个电极拉动螺栓52，它们间隔排列在纵向上。推动螺栓51构成防变形设备的远离变形阻止器，并且也构成调直设备或间隔调节机构的靠近推动器。每个推动螺栓51拧入侧板24的螺纹孔24a，与绝缘盖22背面上的凹槽22c邻接，最后通过绝缘盖22与电极30背面邻接。通过进一步拧推动螺栓51，通过绝缘盖22可以相对另一电极30推动这个电极30。
侧板24和绝缘盖22装有多个螺栓支架接收孔24b、22b，接收孔24b、22b纵向地相互间隔排列在侧板24和绝缘盖22上。分段圆柱状拉动螺栓支架53容纳在那些接收孔24b、22b中。螺栓支架53在其外端部装有凸缘53a。这个凸缘53a与侧板24接收孔24b的台阶24c邻接。扩大直径的孔53b沿着螺栓支架53的中心轴形成在外端侧，而缩小直径的孔53c形成在内端侧。拉动螺栓52插入那些孔53b、53c。拉动螺栓52的头部与形成在孔53b、53c之间的台阶邻接，腿部一直插入穿过缩小直径的孔53c，然后拧入电极30的螺纹孔30e中。
万一由于例如制造过程期间可能出现的电极30变形、而在电极30和盖垂直部分22y之间形成间隙，如果拉动螺栓52紧密拧入，拉动电极30以便与盖垂直部分22y邻接(电极30之一与另一个分离)，由此可以校正变形。当库仑力或类似力使电极30之一变形而靠近另一电极30侧时，形成在螺栓支架53的孔53b、53c之间的台阶钩住拉动螺栓52头部，侧板24的台阶24c钩住螺栓支架53的凸缘53a(最后，侧板24通过螺栓支架53钩住拉动螺栓52头部)。这时，防止电极30之一靠近另一电极30侧。
拉动螺栓52和螺栓支架53构成“调直设备(或间隔调节机构)的远离推动器”，并且也构成“防变形设备的靠近变形阻止器”。
现在将描述这样构造的等离子处理装置M1的操作。
来自处理气源2的处理气经由公用管2a在支管2b分流成四股，然后两股分流处理气各自汇聚以便流经两根会聚管2c。然后气体经由那些会聚管2c引入喷嘴头1的左右进气口14a，以便流经左右上管13B进入装置10的中心部分。在中心件14C的流通孔14b内汇聚成一股之后，处理气一般分流成二等分并引入左右上管13A，以便流向左右端部件14E。而且，在左右弯曲通道14g至14k(14k’)中多次垂直弯曲处理气。通过依照如上所述的方式重复分流、汇聚和弯曲，可以均匀处理气流。
流经左右弯曲通道14g至14k(14k’)之后，处理气流送入内管12A、12B。从左侧通道14k流入前侧内管12A左端部的处理气向右流经管12A时，通过管12A的渗漏孔12e和与渗漏孔12e相连的孔12f，逐渐渗入上部室11a(均匀通道外侧)。类似地，从右侧通道14k’流入后侧内管12B右端部的处理气向左流经管12B时，通过管12B的渗漏孔12e和与渗漏孔12e相连的孔12f，逐渐渗入上部室11a(均匀通道外侧)。此时，在各个管12A、12B中，处理气的流量和流速沿着处理气流逐渐变化。然而，通过在相互相对方向上使处理气流经两根管12A、12B，可以相互补偿流量和流速的变化。这样，一般可以将处理气在左右方向上均匀引入上部室11a。由于上部室11a具有足够大的容积，处理气在室11a内可以临时变为静压。
然后，处理气从上部室11a的整个长度区域经由窄间隙11c流入下部室11b。此时，间隙11c出现压力损失，气体有选择地流入间隙11c中的小压力地方，而不是间隙11c中的大压力地方。此时，气流在左右方向上可以更加均匀，然后送入下部室11b。处理气再次在室11a内变为静压。然后，经由室11b的引导孔11d、处理设备20的狭缝23a和间隙22a，处理气容纳在这对电极30的上部纵向边缘之间的接收孔30b中。此时，可以沿着纵向左右方向将处理气均匀引入电极30之间的等离子空间30a。
另一方面，通过来自脉冲电源3的脉冲电压，脉冲电场施加到空间30a，并施加到电极30。这样，在空间30a中产生辉光放电，并等离子化处理气。由于在左右方向上均匀化这中处理气，所以也可以在左右方向上均匀化等离子。通过从排气孔30c将这个均匀等离子流喷射到工件W，可以对工件W上表面进行均匀表面处理。
而且，即使通过所施加的电场产生库仑拉力作用在长电极30之间，侧板24通过螺栓支架53将钩住拧入电极30的拉动螺栓52头部。因此，可以防止电极30之一被拉向另一电极30。同样，由于长电极30内更靠近相对表面的部件温度比更靠近背面的部件温度更高，或由于固体绝缘层31和电极30之间的热膨胀系数差，即使电极30之一将要变形靠近另一电极30，依照上述相同方式通过拉动螺栓52可以防止靠近变形。另一方面，万一由于热膨胀系数差导致长电极30之一在远离另一电极30的方向变形，通过绝缘盖22，相对电极30的背部推进推动螺栓51，因此可以防止电极30在远离方向上变形。这样，长电极30可以保持在它们的直线状态，并且可以保持电极30之间的均匀间距，也就是等离子空间30a的均匀厚度。结果，等离子流可以沿着电极30的纵向更稳定均匀地排出，并且可以更稳定地执行均匀表面处理。
制造长尺寸电极30期间，由于固体绝缘层30的熔融喷射和通过研磨等对参考表面进行的研磨处理，电极30将要变形，电极30的变形可以得到校正，以便通过调节推动螺栓51和拉动螺栓52得到校直。最后，可确保这对电极30之间的空间30a的厚度沿纵向均匀。这样，可确保排出的等离子流可以更均匀，并且可以确保更均匀地执行表面处理。通过增加空间30a的厚度也可能提高气体的易流性，或通过减少空间30a的厚度也可能提高辉光放电的易发性。
接着将描述本发明的其它实施例。在下文描述的实施例中，与上述实施例相同的部件用相同附图标记表示，并且省略这些部件的说明。
图7-12表示本发明的第二实施例。如图8和9中所示，依据第二实施例的远程型常压等离子处理装置M2的移动机构(工件供给机构)4，包含带有滚筒4a的滚筒输送机等。将具有大面积的工件W(要处理的衬底)放在滚筒4a上，并且向后和向前输送(图8和9中是向右和向左)。
如图7和10中所示，在常压等离子处理装置M2的喷嘴头1中，在处理气引导设备10的主体(外壳)11的各个左右端面上提供进气口14a。那些进气口14a与供气管2A连接在一起，供气管2A从处理气源2双向延伸。
内管设备12的一根内管12A的左端部与左侧进气口14a相连。另一根内管12B的右端部与右侧进气口14a相连。用塞子16封闭每根管12A(或12B)中进气口14a侧的相反侧上的端部(图7)。
当然可理解，正如在第一实施例中，甚至在第二实施例中，处理气经由支管2b/会聚管2c、上管13A、13B、以及弯曲通道14g至14k(14k’)引入内管12A、12B。
如图8、9和12中所示，以很小间距(例如2mm)平行布置装置M2的一对电极30。每个电极30的左右长度约为例如1.5m，上下方向的尺寸约为例如35mm(在图12中，以稍微夸大的方式表示如下所述的该对电极30之间的间距和隔板30的厚度)。
如图8中所示，由熔融喷射膜例如铝构成的固体绝缘层31不但覆盖在每个电极30的相对表面和下表面上，而且覆盖在上表面上。
如图7-9中所示，每个电极30的绝缘盖22包括盖主体22A、填充部件(耐等离子部件)26、以及底板27。凹沟(切口)22d形成在盖主体22A的上部分22x中，盖主体22A由绝缘树脂例如聚四氟乙烯构成。凹沟22d朝上部分22x的内端面和下表面开口，并且一般在盖部件22的整个左右纵向长度上延伸。细长板状填充部件26固定在这个凹沟22d中。
如图8和9中所示，填充部件26的下表面(邻接表面)与电极30的上表面(第一纵向侧边缘侧的侧表面)邻接。填充部件26的内端面构成某一表面，在所述表面中处理气引导孔将处理气引入处理气接收孔30b。填充部件26的内端面与绝缘盖主体22A上部分22x的内端面一样高。左右延伸的间隙(处理气进气口)22a形成在每个绝缘盖22的主体22A和填充部件26的内端面之间。
填充部件26由绝缘材料例如陶瓷构成，绝缘材料的耐等离子特性比绝缘盖主体22A的耐等离子特性更高。通常，与具有差耐等离子特性的树脂例如聚四氟乙烯相比，具有高耐等离子特性的材料例如陶瓷比较贵。通过使用上述材料，可以防止出现由等离子导致的损害，但是较少暴露给等离子的盖主体22A可以由便宜材料构成。最后，与整个盖主体22A和填充部件26都由具有高耐等离子特性的材料构成的情况相比，可以缩减材料成本。
如图8和9中所示，绝缘盖22的底板27划分成具有窄宽度的内板27A和具有宽宽度的外板27B。那些底板27A、27B嵌接，并进一步由螺栓27G连接。
宽宽度的外板27B从电极30和绝缘盖主体22A的下表面向外扩展，达到侧板24的下表面。窄宽度内板27A连接到靠近电极30下表面内侧的部件。排气口27c形成在该对前后内板27A的相对内端面之间。这个排气口27c与该对电极30之间(第二纵向侧边之间)的排气孔30c相连，最后，与等离子空间30a相连。
底板27的内板27A和外板27B各自由绝缘材料构成。而且，与外板27B的耐等离子特性相比，内板27A由具有更高耐等离子特性的材料构成。例如，内板27A由石英构成，而外板27B由氯乙烯构成。通常，与不具有这种高耐等离子特性的氯乙烯相比，具有高耐等离子特性的材料例如石英比较贵。通过使用上述材料，可以防止出现由等离子导致的损害，但是较少暴露给等离子的外板27B可以由便宜材料构成。最后，与整个底板27都由具有高耐等离子特性的材料构成的情况相比，可以缩减材料成本。
用放电屏蔽板29覆盖底板27的下表面。例如，放电屏蔽板29由诸如不锈钢的导电金属构成。这个放电屏蔽板29直接面对工件W。如图9中所示，放电屏蔽板29通过接地线3c直接接地。由于这种结构，可以防止从电极30到工件W的电弧放电，并且可以使喷嘴头1充分靠近工件W。此时，可以提高处理效率。
将放电屏蔽板29的内端面拉到板27A内端面(形成排气口27c的表面)的外侧。由于这种结构，能可靠地防止发生从电极30到放电屏蔽板29的放电。
如图7、8和12中所示，在第二实施例中，两个(多个)隔板60(靠近变形阻止器)布置在该对电极30纵向中间部分之间。左右分开排列那些隔板60。例如，每个隔板60由诸如陶瓷之类的硬材料构成，所述硬材料具有绝缘特性和耐等离子特性。如图11中所示，每个隔板60具有垂直伸长的板状结构。例如，隔板60的左右宽度约为4mm。隔板60下部分的左右边缘以这种方式朝下倾斜以便随着其向下相互靠近，所述左右边缘构成斜边60a(气体导向部件)。
如图7、8和11中所示，朝着形成在电极30之间的空间30a的上侧，单侧布置隔板60。也就是，包括隔板60的斜边60a的下部分布置在空间30a中。例如，布置在空间30a中的隔板60部分的上下长度约为10mm。另一方面，隔板60的上部分从空间30a伸出，并布置在该对绝缘盖22之间的间隙22a中。
如图8和11中所示，一对上下销孔60b形成在隔板60上部分中。销子61插在每个销孔60b中。上销子61的相对端部分别插在一对绝缘盖主体22A内端面的孔部分22e中。下销子61的相对端部分别插在该对填充部件26内端面的孔部分26e中。由于这种结构，隔板60固定到绝缘盖22。盖主体22A和填充部件26通过隔板60连接在一起。
依据这样构造的等离子处理装置M2，即使由于等离子处理时施加电场，该对电极30的中间部分将要在相互靠近的方向变形(参见图12的虚线)，通过拉动螺栓52可以防止这种变形发生。而且，通过布置在成对电极30之间的隔板60能可靠地防止这种变形发生。由于这种结构，该对电极30之间的间距(空间30a的厚度)沿着纵向能可靠地保持恒定。而且，通过推动螺栓51和拉动螺栓52，可以调节电极30之间的间距以便沿着纵向进行均匀。由于这种结构，在空间30a中也可以保持由处理气引导设备10实现的均匀状态，并且在空间30a中等离子化的处理气可以沿着左右纵向被均匀吹出。结果，工件W能可靠均匀地得到等离子处理。
而且，由于隔板60如此小以致于它对处理气流的反作用可以忽略，能可靠地获得均匀处理。
如图11中所示，由于朝着电极30之间的空间30a上部分单侧布置隔板60，处理气可以循环流向隔板60下侧的空间30a。而且，通过这对斜边60a，处理气也可以平稳地循环流向隔板60的下侧。由于这种结构，即使在隔板60的排列位置，处理气也可以按照与其它位置相同的方式排出。
图13是表示两种情况进行对比的处理结果的曲线图，一种情况(图13(a))是装置M2装有隔板60，而另一种情况(图13(b))是装置M2未装隔板60。如图13(b)中所示，在未装隔板60的情况下，与工件W表面上的电极30纵向中间部分相应的位置上的接触角波动非常厉害。相反，如图13(a)中所示，在装有隔板60的情况下，与电极30纵向中间部分相应的位置上的接触角表现为随着时间的流失进行变化，通常所述变化和相对端部相应的位置上的接触角一致。此时，显而易见，装备隔板60使得在纵向上执行均匀处理成为可能。
这里使用的术语“接触角”指的是形成在线之间的角度，所述线从降落在处理工件W表面上的液滴边缘连接到液滴顶点，接触角用作可湿性指数。
当装配喷嘴头1的处理设备20时，隔板60通过销子61预先连接到绝缘盖22之一的主体22A和填充部件26之一上。然后，盖主体22A覆盖电极30，以便这对盖主体22A面对着这对电极30。然后，销子61插在另一绝缘盖22的主体22A和另一填充部件26的销孔22e、26e中。通过这样做，能容易装配隔板60。此后，这对绝缘盖主体22A通过上板22相互连接在一起。
图14和15表示隔板的改进。根据这个改进的隔板70(靠近变形阻止器)包括水平跨越部分72和插入部分71，插入部分71从这个跨越部分72的中间部分垂直向下伸出，从侧面看，隔板70的形状是具有T形结构的小件。例如，隔板70的左右长度约为4mm。例如，隔板70插入部分71的垂直长度约为3-4mm。因此，隔板70对处理气流的反作用小的可忽略。如同使用上述隔板60的情况，隔板70的材料是陶瓷。
如图14中所示，隔板70的跨越部分72横垮该对电极30的上表面。凹口26f形成在填充部件26中，凹口26f使跨越部分72固定到其中。
隔板70的插入部分71插入并保持夹在该对电极30的上部分之间。
本发明不局限于上述实施例，可以进行许多变化和变换。
例如，在上述实施例中，电极30的形状都为棱形(厚板状结构)。作为替代，电极30可以形成为薄板状结构。通过这样做，可以使整个喷嘴头1细长且重量轻。即使电极30形成为薄板状结构，也可以防止发生变形，因为库仑力可以克服这些作为阻止器的拉动螺栓52和隔板60。
可以根据工件W的尺寸设定电极30的长度。电极30越长，产生的库仑力越大。因此，可以根据这个库仑力设定拉动螺栓52的数量。
作为靠近变形阻止器的隔板不局限于相互分开布置在电极30纵向中间部分上的两个隔板。作为替代，可以相互分开布置三个或更多隔板。同样可理解，可以只有一个隔板装在纵向中间部分上。
靠近变形阻止器可以是布置在侧板24上的制动器，以便通过制动器抓住电极。
可以与靠近变形阻止器分开地装备作为调直设备(或间距调节机构)的远离推动器。
虽然使用脉冲电源作为施加电场的设备，可以使用高频电源例如谐振电源。
本发明不但可以应用到常压下的等离子处理，而且可以应用到缩减压力下的等离子处理，而且本发明不但可以应用到通过辉光放电的等离子处理，而且可以应用到通过电晕放电和蠕缓放电的等离子处理。本发明不但可以广泛应用于清洁，而且可以应用到其它各种等离子处理，例如蚀刻、成膜、表面改良和灰化。
工业应用
例如，依据本发明的等离子处理装置可以用作处理半导体衬底表面的装置。

Claims (24)

1、一种等离子处理装置，用于对电场中的处理气进行等离子化，然后喷出处理气，所述等离子处理装置的特征在于，包括：
一对长条电极，它们各自具有第一和第二长条侧边，并平行布置，所述电场被施加在所述电极对之间，所述第一长条侧边之间的开口用作处理气接收孔，所述第二长条侧边之间的开口用作处理气吹气孔；
防变形设备，其防止所述电极对在平行布置地电极的方向上变形。
2、根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述防变形设备包括靠近变形阻止器，靠近变形阻止器防止所述电极对中的每一个电极变形而靠近另一电极。
3、根据权利要求2所述的等离子处理装置，其中所述电极对中的每一个电极在其与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，所述靠近变形阻止器包括螺栓，螺栓的头部钩住所述刚性部件，并且螺栓的腿部拧入所述电极。
4、根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述变形阻止设备包括靠近变形阻止器和远离变形阻止器，靠近变形阻止器防止所述电极对中的每一个电极变形靠近另一电极，远离变形阻止器防止所述电极对中的每一个电极变形而远离另一电极。
5、根据权利要求4所述的等离子处理装置，其中在所述电极纵向上间隔排列多个靠近推动器和多个远离推动器，靠近推动器移动电极对中的每一个电极靠近另一电极，远离推动器移动电极对中的每一个电极远离另一电极。
通过防止所述电极对中的每一个电极远离另一电极，所述靠近推动器也用作所述远离变形阻止器，
通过防止所述电极对中的每一个电极靠近另一电极，所述远离推动器也用作所述靠近变形阻止器。
6、根据权利要求5所述的等离子处理装置，其中所述电极对中的每一个电极在其与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，
所述靠近推动器，即所述远离变形阻止器包括推动螺栓，推动螺栓拧入所述刚性部件，并与所述电极背面邻接，以便推动所述电极，
所述远离推动器，即所述靠近变形阻止器包括拉动螺栓，拉动螺栓的头部钩在所述刚性部件上，并且拉动螺栓的腿部拧入所述电极，以便将所述电极拉向所述刚性部件。
7、根据权利要求2所述的等离子处理装置，其中所述靠近变形阻止器至少包括一个绝缘隔板，所述绝缘隔板通常在所述电极纵向中间部分上插入所述成对电极之间。
8、根据权利要求7所述的等离子处理装置，其中所述隔板如此小以致于所述隔板对处理气流的反作用可以忽略。
9、根据权利要求7所述的等离子处理装置，其中朝着所述处理气接收侧，单侧布置所述隔板。
10、根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中所述隔板形成有气体导向部件，用于将处理气循环导向所述隔板排气侧的空间。
11、根据权利要求10所述的等离子处理装置，其中所述电极纵向上的所述隔板相对边缘以这种方式朝着排气侧倾斜以便相互靠近，而且所述斜边用作所述气体导向部件。
12、根据权利要求7所述的等离子处理装置，其中除相对表面之外，所述电极对表面用相互不同的绝缘盖覆盖，而且带有伸出部分的所述隔板从所述成对电极之间的所述接收孔中向外伸出，所述伸出部分可以固定到所述绝缘盖之一上。
13、根据权利要求7所述的等离子处理装置，其中所述隔板整体包括插入部分和跨越部分，插入部分插在所述电极对之间，跨越部分横跨所述电极对的所述第一纵向侧边。
14、一种等离子处理装置，用于对电场中的处理气进行等离子化，然后吹出处理气，所述等离子处理装置的特征在于，包括：
一对长条电极，它们各自具有第一和第二长条侧边，并平行布置，所述电场施加在所述电极对之间，所述第一长条侧边之间的开口用作处理气接收孔，所述第二长条侧边之间的开口用作处理气吹气孔；
多个靠近推动器，它们移动电极对中的每一个电极靠近另一电极，在所述电极纵向上间隔排列所述靠近推动器；
多个远离推动器，它们移动电极对中的每一个电极远离另一电极，在所述电极纵向上间隔排列所述远离推动器。
15、根据权利要求14所述的等离子处理装置，其中所述电极对中的每一个电极在其与另一电极相反的侧面的背部上装有刚性部件，
所述靠近推动器包括推动螺栓，推动螺栓拧入所述刚性部件，并与所述电极背面邻接，以便推动所述电极，
所述远离推动器包括拉动螺栓，拉动螺栓的头部钩在所述刚性部件上，并且拉动螺栓的腿部拧入所述电极，以便将所述电极拉向所述刚性部件。
16、根据权利要求3、6或15所述的等离子处理装置，进一步包含用于支撑所述电极对的支架，所述支架包括刚性部件和连接加强部件，每个刚性部件装在每个所述电极的背部上，连接加强部件用于整体连接所述刚性部件，以便加强所述刚性部件。
17、根据权利要求14或15所述的等离子处理装置，其中靠近推动器防止所述电极对中的每一个电极变形而远离另一电极。
18、根据权利要求14或15所述的等离子处理装置，其中远离推动器防止所述电极对中的每一个电极变形而靠近另一电极。
19、根据权利要求1或14所述的等离子处理装置，进一步包含绝缘盖，用于覆盖除所述电极相对表面之外的表面，
所述绝缘盖包括用绝缘材料构成的盖主体和用绝缘材料构成的耐等离子部件，耐等离子部件的耐等离子特性比所述盖主体高，
所述耐等离子部件包括处理气引导孔的构成表面和相对于所述电极第一纵向侧边的侧表面的邻接表面，处理气引导孔与所述电极对之间的所述处理气接收孔相连，所述耐等离子部件在与所述电极相同的方向上延伸。
20、根据权利要求1或14所述的等离子处理装置，进一步包含气体引导设备，用于将处理气从处理气源引到所述电极对之间的所述处理气接收孔，
所述引导设备形成有一对均匀通道和多级均匀室，当通常沿着纵向在相互相对方向上流动所述处理气流的二等分时，均匀通道将所述处理气从外围部分的大致整个长度逐渐渗入所述通道的外部空间中；多级均匀室沿着纵向延伸并通过流通通道相互流通，
所述多级均匀室的第一级室构成所述均匀通道对的所述外部空间，
所述流通通道的形状是细长狭缝，其在所述多级均匀室的前后级室的大致整个长度区域上延伸，所述多级均匀室相互流通，或者所述流通通道的形状是多个圆点，以短间距在大致整个长度区域上布置这些圆点，
所述多级均匀室的末级室与所述电极的所述处理气接收孔的大致整个长度区域相连。
21、根据权利要求20所述的等离子处理装置，其中所述气体引导设备包括设备主体，所述设备主体具有长条容器结构，并在与所述电极相同的方向上延伸，
所述气体引导设备主体在其中容纳构成所述均匀通道对的部件，
所述设备主体内的空间在所述电极的相对侧上装有所述均匀通道构成部件，作为所述第一级均匀室，
在所述电极侧上提供所述设备主体内的空间作为所述第二级均匀室，也是末级均匀室，
小间隙形成在所述设备主体和所述均匀通道构成部件的侧部之间，提供所述间隙作为所述狭缝状流通通道。
22、根据权利要求21所述的等离子处理装置，其中所述均匀通道构成部件包括一对管，它们在与所述气体引导设备主体相同的方向上延伸，
所述管之一的一个端部和另一管的另一端部各自用作进气口，
与所述第一级均匀室连通的渗漏孔在每个管的大致整个长度区域上形成在每个管的管壁中。
23、根据权利要求20所述的等离子处理装置，其中所述处理气重复分流和汇聚，多次弯曲之后，所述处理气引入所述均匀通道。
24、根据权利要求20所述的等离子处理装置，其中所述气体引导设备和用于支撑所述电极对的支架彼此整体连接在一起。
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