CN1863427A - 等离子体处理装置和等离子体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置(100)构成为具有多根气体导入管(30)、多根气体管(28)、和支撑这些气体管(28)的多个支撑体(27)。在多个支撑体(27)的内部设有连接于气体导入管(30)的第一路径或第二路径。氩气经由气体导入管(30)从第一路径供给，由微波进行等离子体化(P1)。硅烷气体和氢气经由气体导入管(30)、第二路径从多根气体管(28)供给，由使氩气等离子体化时被减弱的微波进行等离子体化(P2)。由如此产生的等离子体可以生成优质的无定形硅膜。

Description

等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域
本发明涉及一种利用两个系统的气体供给单元将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术
历来，提出有从设在处理容器上下的两个系统的气体供给机构(例如气体喷淋头)分别供给两种不同性质的气体的等离子体处理装置(例如，参照专利文献1)。
另一方面，近年来，为了适应基板的大面积化，对该基板进行等离子体处理的等离子体处理装置也大型化。随此，为了在处理容器内发生均匀的等离子体，有必要也使气体喷淋头大型化。但是，如果用上述现有技术，则因为气体喷淋头一体化形成，故如果考虑气体喷淋头的刚性，则使气体喷淋头大型化是有界限的。
【专利文献1】日本专利特开平7-312348号公报
发明内容
本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
为了解决上述课题，本发明的一个观点是提供一种等离子体处理装置，由微波使供给到处理容器内的处理气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，其特征在于，具有：导入处理气体的多个气体导入部；多根气体供给管件；将导入到至少一个气体导入部的第一处理气体放出到上述处理容器内的第一气体供给单元；和利用上述多根气体供给管件，将导入到至少一个气体导入部的第二处理气体放出到上述处理容器内的第二气体供给单元。
如前所述，现有的气体供给机构(例如，气体喷淋头)一体地形成。与此相反，本发明的气体供给机构由多个气体供给管件形成。结果，仅靠增加气体供给管件的根数，就可以容易地使气体喷淋头大面积化。
此外，根据本发明，由第一气体供给单元和第二气体供给单元将两个系统的处理气体分别供给到处理容器内。由此，在一个处理过程中可以分别使两种以上的处理气体等离子体化。结果，可以按照处理气体的性质适度地离解或电离各自的气体，由此可以由产生的等离子体对基板实施所需要的等离子体处理。
此外，如气体供给管件因处理过程中产生的离子的撞击而劣化的情况等，气体供给管件上产生不良情况时，仅更换产生不良情况的管件就可以，没有必要更换气体喷淋头全体。结果，等离子体处理装置的维护管理变得容易，并且可以减少等离子体处理装置维护所需的费用。
这里，上述多根气体供给管件可以设置在供给上述第一处理气体的供给口的下方。
由此，第一处理气体被等离子体化，由该等离子体，第二处理气体被等离子体化。结果，可以不促进第二处理气体的离解，对基板实施所需的等离子体处理。
此外，虽然上述多根气体供给管件也可以由非金属形成，但是优选由电介质形成。特别是在气体供给管件由电介质形成的情况下，如气体供给管件由金属形成时那样，因为鞘层(sheath)对气体供给管件的表面的影响小，故气体供给管件的表面附近的电磁场不被干扰，不扭曲等离子体生成的分布。因此，可以生成更均匀的等离子体。此外，如果用这些，则可以消除气体供给管件由金属形成时所产生的问题，即气体供给管件热变形(例如，气体供给管件因等离子体的热量而弯曲、熔化)，或气体供给管件在等离子体处理中被腐蚀的问题。
此外，也可以在上述多根气体供给管件上分别设有多个气孔，上述第二气体供给单元，从分别设在上述多根气体供给管件上的多个气孔将上述第二处理气体喷淋状地放出到上述处理容器内。
利用这些，第二处理气体可以从设在多根气体供给管件上的多个气孔喷淋状地放出到处理容器内。由此，可以将第二处理气体均匀地放出到处理容器中。结果，可以由第二处理气体更均匀地发生等离子体。
还有，所谓设置有多根气体供给管件的处理容器内的规定位置是例如设置在处理容器内的电介质与相对该电介质设置的载置台之间的位置，也可以是与供给第一处理气体的位置的电介质相离开的位置。
此外，上述等离子体处理装置还具有支撑上述多根气体供给管件的支撑体。利用这些，通过支撑体支撑多根气体供给管件，可以保证气体喷淋头全体的刚性，并且通过增加气体供给管件的根数，可以使气体喷淋头大面积化。
具体地说，现有喷淋头全体由电介质一体地形成，喷淋头本身设置为被支撑在处理容器的壁上。但是，在本发明中，如上所述，喷淋头由支撑体所支撑的多根气体供给管件形成。而且，该支撑体也可以由金属形成。由此，与喷淋头全体由电介质形成的现有技术比较，可以从气体供给管件向金属的支撑体高效率地散热。结果，在等离子体处理中可以防止气体供给管件因等离子体热量等而成为高温导致的气体供给管件被破损。
此外，上述支撑体以相对于上述处理容器可伸缩的方式固定。由此，通过支撑体的伸缩可以使多个气体供给管件移动到处理容器内需要的位置。由此，考虑到在第一处理气体被等离子体化时通过被减弱的电磁场或与由第一处理气体发生的等离子体的碰撞，第二处理气体被等离子体化的方面，可以基于根据处理过程所供给的各种处理气体的性质，使气体供给管件移动到发生最好的等离子体的位置。结果，可以按照希望更均匀地由电子温度(Te)低、电子密度(Ne)高的等离子体进行离解气体的程度，设定多个气体供给管件的位置。
此外，分别设置多个上述支撑体和上述气体导入部，在上述多个支撑体的内部，可以设有分别连接在上述多个气体导入部的第一路径或第二路径的至少一个。此时，上述第一气体供给单元可以经由至少一个气体导入部，从上述第一路径供给上述第一处理气体。此外，上述第二气体供给单元可以经由至少一个气体导入部和上述第二路径，从上述多根气体供给管件供给上述第二处理气体。
利用这些，第一处理气体从第一路径供给，第二处理气体经由第二路径从多根气体供给管件供给。由此，第二处理气体，经由与第一处理气体通过的路径不同的路径供给到处理容器内的各自的位置。由此在一个处理过程中可以分别使两种以上的处理气体等离子体化成需要的状态。结果，从处理气体更均匀地生成电子温度(Te)低、电子密度(Ne)高的等离子体，由该等离子体能够高精度地对基板进行等离子体处理。
作为所供给的气体的种类，例如，第一处理气体可以是分子结合能大于第二处理气体的气体。如果用这些，可以在使第一处理气体等离子体化时消耗能量，第二处理气体由能量稍微减弱的微波进行等离子体化。由此，可以从分子结合能大的、作为惰性的第一处理气体发生强的等离子体，并且可以等离子体化到不太促进分子结合能小的、作为反应性气体的第二处理气体的离解的程度。结果，更均匀地利用电子密度(Ne)高的等离子体且电子温度(Te)低的等离子体高精度地对基板进行等离子体处理。
例如，在第一处理气体是分子结合能大的氩气(Ar)，第二处理气体为分子结合能小的硅烷气体(SiH4)或氢气(H2)时，氩气由具有强能量的微波充分地离解或电离。另一方面，硅烷气体或氢气从由电介质构成的狭缝天线离开、并由电场弱的微波适当地离解或电离。例如SiH4离解到SiH3基，但离解不到SiH2基的程度。结果，不会因SiH2基使膜劣化，用所生成的等离子体可以在基板上生成精度高的无定形硅膜。
此外，如果用本发明的另一种观点，提供一种等离子体处理方法，用于由微波使供给到处理容器内的处理气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：经由导入气体的多个气体导入部中的至少一个气体导入部，从第一路径将第一处理气体供给到上述处理容器内的工序；和经由与供给上述第一处理气体的气体导入部不同的气体导入部和第二路径，从多根气体供给管件将第二处理气体供给到上述处理容器内的工序。
由此，第一处理气体从第一路径供给到处理容器内，第二处理气体经由第二路径从多个气体供给管件供给。由此，通过增加气体供给管件的根数可以容易地使气体喷淋头大面积化。此外，在一个处理过程中可以分别供给两种以上的处理气体，可以按照各自的气体性质生成等离子体，结果，可以对基板实施需要的等离子体处理。
如以上说明，根据本发明，可以提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的截面图。
图2是说明从处理容器下部向上看的气阀的图。
图3是表示图1的微波等离子体处理装置的一部分的截面图。
符号说明
10              处理容器
11              基座
20              盖体
22a～22f        导波管
23a～23f        狭缝天线
24a～24f        电介质
26a～26g        梁
27              支撑体
28              气体管
29              微波发生器
30a～30g        气体导入管
31a             第一流路
31b             第二流路
32              气体供给源
32a4            氩气供给源
32b4            硅烷气体供给源
32b8            氢气供给源
100             微波等离子体处理装置
具体实施方式
下面参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，在本说明书和附图中，就实质上具有相同功能构成的构成要素，赋予相同标号而省略重复说明。
(微波等离子体处理装置的构成)
首先，对本发明的一个实施方式的微波等离子体处理装置，参照图1说明其构成。图1是用平行于x轴方向和z轴方向的面切断微波等离子体处理装置100的截面图。微波等离子体处理装置100是等离子体处理装置的一例。在本实施方式中，举出由微波等离子体处理装置100生成无定形硅膜(a-Si)的例子进行说明。
微波等离子体处理装置100具有由处理容器10和盖体20构成的框体。处理容器10具有上部开口的有底立方体形状，被接地。处理容器10由例如铝(Al)等金属形成。在处理容器10的内部，在大致中央处，设有作为载置例如玻璃基板W(以下称为“基板W”)的载置台的基座11。基座11由例如氮化铝形成。
在基座11的内部，设有供电部11a和加热器11b。在供电部11a上经由匹配器12a(例如电容器)连接有高频电源12b。此外，在供电部11a上经由线圈13a连接有高压直流电源13b。匹配器12a、高频电源12b、线圈13a和高压直流电源13b设在处理容器10的外部，高频电源12b和高压直流电源13b被接地。
供电部11a通过从高频电源12b所输出的高频电力将规定的偏置电压施加到处理容器10的内部。另外，供电部11a通过从高压直流电源13b所输出的直流电流静电吸附基板W。
在加热器11b上连接有设在处理容器10的外部的交流电源14，通过从交流电源14所输出的交流电流将基板W保持在规定的温度下。
处理容器10的底面被开口为筒状，在开口的外周附近，波纹管15的一端朝向处理容器10的外部而装设。在波纹管15的另一端上固定有升降板16。这样一来，处理容器10底面的开口部分由波纹管15和升降板16封闭。
基座11被支撑在固定在升降板16上的筒体17上，与升降板16和筒体17成为一体地升降。由此，基座11被调整为根据处理过程的高度。
在基座11的周围设置用来将处理容器内的气体的流动控制成良好状态的整流板18。此外，在处理容器10的底面上，设有连接于未图示的真空泵的气体排出管19。真空泵通过从气体排出管19排出处理容器内的气体，将处理容器内排气到需要的真空度。
盖体20在处理容器10的上方配置成封闭处理容器10。盖体20与处理容器10同样，由例如铝(Al)等金属形成。此外，盖体20与处理容器10同样被接地。在盖体20上设有盖主体21、导波管22a～导波管22f、狭缝天线23a～狭缝天线23f、和电介质24a～电介质24f。
处理容器10和盖体20，通过配置在盖主体21的下面外周部与处理容器10的上面外周部之间的O形圈25，保持气密性地固定，在盖主体21的下部形成有上述导波管22a～导波管22f。
导波管22a～导波管22f由垂直于轴方向的截面的形状为矩形的矩形导波管形成，如图2所示，连接在微波发生器29a～微波发生器29f上。例如，在TE10模式(TE波：transverse electric wave(横电波)；磁场具有微波的行进方向分量的波)的情况下，导波管22的宽管壁成为平行于磁场的H面，窄管壁成为平行于电场的E面。在垂直于导波管22的轴方向(纵长方向)的方向上如何配置切断的面的长边方向(导波管的宽度)和短边方向，因模式(导波管内的电磁场分布)而变化。
图1的狭缝天线23a～狭缝天线23f分别设在导波管22a～导波管22f的下部。狭缝天线23a～狭缝天线23f由例如铝(Al)等金属形成。在狭缝天线23a～狭缝天线23f上分别设有多个狭缝(开口)。
在狭缝天线23a～狭缝天线23f的下部分别设有电介质24a～电介质24f。各电介质24由例如石英、氧化铝(Al2O3)等形成，以便透过微波。
电介质24a～电介质24f通过由例如铝等金属形成的梁26a～梁26g分别支撑其两端。此外，在梁26a～梁26g的下部，分别固定有由金属形成的支撑体27a～支撑体27g，在成为构成气体供给管件(气体供给机构(例如，气体喷淋头))的一个单位的气体管28a～气体管28f的两端支撑各气体管28。再者，电介质24与气体管28之间的距离为25mm左右。此外，电介质24与基座11之间的距离，为70mm～210mm左右。
气体管28由氧化铝(Al2O3)等电介质形成。因此，与气体管28由金属形成的现有技术相比，气体管28的表面处的鞘层影响小，致使气体管28的表面附近的电磁场不被干扰，不扭曲等离子体生成的分布。结果，可以生成更均匀的等离子体。此外，可以消除气体喷淋头由金属形成时产生的问题，即气体管28热变形(例如，气体供给管件因等离子体的热量而弯曲或熔化)，或气体管28在等离子体处理中腐蚀这样的问题。
此外，气体管28为管状，其直径为8mm左右。如从基座11侧向上看气体管28侧的图2所示，在各气体管28上设有将气体供给到处理容器内用的细孔(气孔)。该细孔的直径为0.5mm左右。
这样一来，电介质的气体管28通过由支撑体27支撑而可以保证气体喷淋头全体的刚性，并且通过增加气体管28的根数可以使气体喷淋头大面积化。另外，如气体管28因处理过程中的离子的撞击而劣化的情况等，气体管28上产生不良情况时，仅更换产生不良情况的管件就可以，没有必要更换气体喷淋头全体。结果，微波等离子体处理装置100的维护管理变得容易，并且可以减少微波等离子体处理装置100的维护所需要的费用。
此外，通过支撑体27由金属形成，可以从热传导性低的电介质的气体管28向热传导性高的金属的支撑体27和金属的梁26散热。其结果，在过程处理中可以防止气体管28因等离子体热量而成为高温。
由以上说明的这种构成，从微波发生器29a～微波发生器29f所输出的、例如2.45GHz的微波在导波管22a～导波管22f中传播，通过设在狭缝天线23a～狭缝天线23f上的狭缝，透过电介质24a～电介质24f入射到处理容器内，传播到多个气体管28。
(第一气体供给单元和第二气体供给单元)
接下来，就本实施方式的微波等离子体处理装置100的气体供给机构进行说明，然后就第一气体供给单元和第二气体供给单元的动作进行说明。
气体导入管30a～气体导入管30g贯通梁26a～梁26g的内部。各气体导入管30中，如图1所示，在气体导入管30a、气体导入管30c、气体导入管30e和气体导入管30g的一端经由第一流路31a连接处理气体供给源32内的氩气供给源32a4。此外，在气体导入管30b、气体导入管30d和气体导入管30f上，经由第二流路31b连接处理气体供给源32内的硅烷气体供给源32b4和氢气供给源32b8。
处理气体供给源32由阀32a1、质量流量控制器32a2、阀32a3、氩气供给源32a4、阀32b1、质量流量控制器32b2、阀32b3和硅烷气体供给源32b4、阀32b5、质量流量控制器32b6、阀32b7和氢气供给源32b8构成。
处理气体供给源32通过控制阀32a1、阀32a3、阀32b1和阀32b3、阀32b5和阀32b7的开闭，分别将氩(Ar)气(相当于第一处理气体)、硅烷(SiH4)气体和氢(H2)气(相当于第二处理气体)供给到处理容器内。此外，质量流量控制器32a2、质量流量控制器32b2和质量流量控制器32b6分别通过控制供给的处理气体的流量而将所需要的浓度的气体供给到处理容器内。
此外，如图3表示其一部分，在供给氩气的气体导入管30a、气体导入管30c、气体导入管30e和气体导入管30g的另一端上连接有从各梁26的下面延伸的支撑体27a、支撑体27c、支撑体27e和支撑体27g内部的路径A(相当于第一路径)的一端。路径A的另一端在气体管28的上部开口。
此外，在供给硅烷气体和氢气的气体导入管30b、气体导入管30d和气体导入管30f的另一端上连接有从各梁26延伸的支撑体27b、支撑体27d和支撑体27f内部的路径B(相当于第二路径)的一端。进而，路径B的另一端连接在由支撑体27所支撑的气体管28的一端。
利用这种的气体供给机构，第一气体供给单元从气体导入管30a、气体导入管30c、气体导入管30e和气体导入管30g以及分别连接于这些气体导入管30的各路径A，将氩气放出到各电介质24与各气体管28之间的空间。
微波等离子体处理装置100由透过各电介质24而入射到处理容器内的微波，由放出到各电介质24与各气体管28之间的空间的氩气，发生等离子体P1。
另一方面，第二气体供给单元经由气体导入管30b、气体导入管30d、气体导入管30f和分别连接于这些气体导入管30的各路径B，从设在气体管28上的细孔将硅烷气体和氢气放出到气体管28的下部。
微波等离子体处理装置100在生成等离子体P1时消耗能量，利用减弱的微波，由喷淋状地放出到气体管28下部的硅烷气体和氢气发生等离子体P2。
由此，由惰性氩气可以发生强等离子体，并且可以使活性的硅烷气体和氢气适当地等离子体化。这里，所谓“适当地等离子体化”是指例如硅烷气体由稍微减弱的微波离解到SiH3基，是不过度离解到SiH2基的程度的离解。
如以上这样，两个系统的处理气体分别由第一气体供给单元和第二气体供给单元供给到处理容器内。由此，可以使两种以上的处理气体分别等离子体化。此外，多根气体管28设置在供给第一处理气体的供给口下方。由此在一个处理过程中，分别等离子体化的处理气体中，首先，第一处理气体被等离子体化，由该等离子体使第二处理气体等离子体化。结果，不促进第二处理气体的离解，可以对基板实施所需要的等离子体处理。
与此相反，例如，在考虑通过将入射时的微波的功率抑制得低而适当地离解气体的情况时，因为所生成的等离子体变得不稳定，气体的离解也不一定，故无法生成优质的无定形硅膜。但是，如果用本实施方式的微波等离子体处理装置100，则不抑制入射时的微波的功率，由产生的等离子体P1和等离子体P2可以在基板W上生成非常优质的无定形硅膜。
如以上说明，利用本实施方式的微波等离子体处理装置100，第一处理气体(氩气)从第一路径(路径A)供给，第二处理气体(硅烷气体和氢气)经由第二路径(路径B)从多根气体供给管件(气体管28)供给。由此，可以分别由产生的等离子体对基板实施所需要的等离子体处理。此外，通过气体喷淋头由多根气体供给管件形成，可以既保证气体喷淋头全体的刚性又容易使气体喷淋头大面积化。
以上说明的第一处理气体，优选分子结合能大的惰性气体。此外，第二处理气体优选分子结合能小的反应性气体。氩气的离子化能量为15.759(eV)。此外，H与H的分子结合能为4.48(eV)，Si与H的分子结合能为3.2(eV)。因此，在无定形硅CVD处理中，分子结合能大于硅烷或氢气的氩气作为第一处理气体从处理容器的上部供给，硅烷或氢气作为第二处理气体从处理容器的下部供给。
在上述各实施方式中，各部分的动作相互关联，可以一边考虑相互的关联，一边作为一系列的动作进行置换。因而，通过如这样置换，以上说明的等离子体处理装置的发明可以作为等离子体处理方法的发明实施方式。
以上，参照附图就本发明的优选实施方式进行说明，但是本发明当然不限定于这些例子。只要是本专业的技术人员，在权利要求书中所述的范畴内，在各种变形例或修正例中可以想到是显而易见的，应该指出有关这些也当然属于本发明的技术范围。
例如，等离子体处理装置，不限于微波等离子体处理装置，只要是电感耦合型等离子体处理装置或ECR(electron-cyclotron-resonance)等离子体处理装置等，使等离子体扩散的类型的等离子体处理装置就可以。
此外，作为所供给的处理气体，例如，第一处理气体可以是分子结合能大的气体(例如，容易离子化的惰性气体(氩气、氙气(Xe)等))，第二处理气体可以是分子结合能小的气体(例如，硅烷气体(SiH4)、氢气(H2)等反应性气体)。
此外，作为第一处理气体和第二处理气体不限于成膜气体，也可以是蚀刻气体、溅射气体等。
此外，本发明中的气体导入部也可以不仅由气体导入管30a～气体导入管30g构成，也可以仅由第一流路31a和第二流路31b构成，或者，也可以由气体导入管30a～气体导入管30g、第一流路31a和第二流路31b构成。
此外，本发明的支撑体27也可以以相对于处理容器10可上下动(可伸缩)的方式固定。根据这些，通过支撑体27的伸缩使多个气体管28的位置上下动，可以适当改变放出第二处理气体的位置。由此，考虑到在第一处理气体等离子体化时通过减弱的电磁场或与由第一处理气体发生的等离子体的碰撞而第二处理气体被等离子体化，可以基于所供给的处理气体的性质，将气体供给管件移动到发生最好的等离子体的位置。结果，可以由第二处理气体更均匀地生成电子温度(Te)低、电子密度(Ne)高的等离子体。
此外，在支撑体27a～支撑体27g内部，设有第一路径或第二路径的任一个。但是，本发明不限于此，支撑体27a～支撑体27g也可以在其内部设置第一路径和第二路径两方，并且设置可以选择第一路径或第二路径的任一个的机构，将气体供给到选择的路径。
此外，多根气体供给管件优选由陶瓷、石英、玻璃管等电介质形成，但是也可以由树脂等非金属形成。
产业上的可利用性
本发明能够适用于利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，由微波使供给到处理容器内的处理气体等离子体化，并对基板进行等离子体处理，其特征在于，具有：
导入处理气体的多个气体导入部；
多根气体供给管件；
将导入到至少一个气体导入部的第一处理气体放出到所述处理容器内的第一气体供给单元；和
利用所述多根气体供给管件将导入到至少一个气体导入部的第二处理气体放出到所述处理容器内的第二气体供给单元。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述多根气体供给管件设置在供给所述第一处理气体的供给口的下方。
3.如权利要求1或2任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多根气体供给管件由非金属形成。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
形成所述多根气体供给管件的非金属是电介质。
5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多根气体供给管件上分别设有多个气孔，
所述第二气体供给单元从分别设在所述多根气体供给管件上的多个气孔，将所述第二处理气体喷淋状地放出到所述处理容器内。
6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：还具有支撑所述多根气体供给管件的支撑体。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述支撑体由金属形成。
8.如权利要求6或7任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述支撑体以相对于所述处理容器可伸缩的方式固定。
9.如权利要求6～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：设置多个所述支撑体，
在所述多个支撑体的内部设有分别连接于所述多个气体导入部的第一路径或第二路径的至少一个，
所述第一气体供给单元经由至少一个气体导入部从所述第一路径供给所述第一处理气体，
所述第二气体供给单元经由至少一个气体导入部和所述第二路径从所述多根气体供给管件供给所述第二处理气体。
10.一种等离子体处理方法，用于由微波使供给到处理容器内的处理气体等离子体化，并对基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：
经由导入处理气体的多个气体导入部中的至少一个气体导入部，从连接于所述气体导入部的第一路径，将第一处理气体供给到所述处理容器内的工序；和
经由至少一个气体导入部和连接于所述气体导入部的第二路径，从多根气体供给管件，将第二处理气体供给到所述处理容器内的工序。
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