JP2005046832A

JP2005046832A - 表面処理装置

Info

Publication number: JP2005046832A
Application number: JP2004040192A
Authority: JP
Inventors: Susumu Yashiro; 進屋代
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2003-07-16
Filing date: 2004-02-17
Publication date: 2005-02-24
Anticipated expiration: 2024-02-17
Also published as: JP4381160B2

Abstract

【課題】ローラコンベアの下側の雰囲気が処理空間へ侵入するのを防止可能な表面処理
装置を提供する。
【解決手段】プラズマ吹出し手段２０にて処理ガスを電極３３，３４間に通しプラズマ
化して下方へ吹出すとともに、被処理物Ｗをローラコンベア１０にて吹出し手段２０の下
側を横切るように送る。不活性ガスが溜められるべき容器５０を、吹出し手段２０の直下
のローラコンベア１０を収容するようにして配置する。この不活性ガス溜め容器５０の上
板すなわちカバー板５１を、被処理物Ｗの送られるべき高さより下に僅かに離して配置す
るとともに、該板５１にローラ通孔５１ｄを形成し、これにコンベアのローラ１２の上縁
部を通す。
【選択図】図２

Description

この発明は、処理ガスを吹出し手段から下方に吹出すとともに、半導体基板等の被処理
物をローラコンベアで吹出し手段の下方に通し、プラズマ表面処理、熱ＣＶＤ、オゾンア
ッシング等の表面処理を行なう表面処理装置に関する。

処理ガスを、電極間でプラズマ化して吹出し、電極間の外に配置した被処理物に当てる
所謂リモート式のプラズマ表面処理装置は、公知である。
例えば、特許文献１には、プラズマ処理ヘッド（吹出し手段）と、その下方に配置され
たローラコンベアとを備えたリモート式プラズマ表面処理装置が記載されている。処理ヘ
ッドには、一対の電極が収容されている。この電極間に処理ガスを導入しプラズマ化した
後、下方へ吹出す。そして、ローラコンベアで搬送して来た被処理物に当て、プラズマ表
面処理を行なうようになっている。この処理は、大気圧近傍（略常圧）の圧力環境下で行
なわれている。

特開２００３−１６６０６５号公報（図６）

上掲特許文献１のように、プラズマ処理等の表面処理を特に略常圧下で行なう常圧表面
処理装置では、処理ヘッドすなわち処理ガスの吹出し手段とローラコンベアとの間の処理
空間に、周りの雰囲気、特にローラコンベアの下側の雰囲気が入って来るという問題があ
る。例えば、被処理物が上記処理空間に入ってくる時、この動きにローラコンベアの下側
の雰囲気が巻き込まれ処理空間に上がって来る。そうすると、良好な処理が妨げられてし
まう。処理ヘッドとローラコンベアを丸ごと、不活性ガスで満たした大容積のチャンバー
に収容することも考えられるが、それではかなり大掛かりな構造になってしまう。

上記問題点を解決するため、本発明に係る表面処理装置は、処理ガスを下方へ吹出す吹
出し手段と、被処理物を、前記吹出し手段の下側を横切るように送るローラコンベアと、
前記吹出し手段の直下のローラコンベアを、該コンベアのローラの上縁部を露出させるよ
うにして覆うカバー手段と、を備えたことを特徴とする。また、本発明に係るプラズマ表
面処理装置は、処理ガスを電極間に通しプラズマ化して下方へ吹出すプラズマ吹出し手段
と、被処理物を、前記吹出し手段の下側を横切るように送るローラコンベアと、前記吹出
し手段の直下のローラコンベアを、該コンベアのローラの上縁部を露出させるようにして
覆うカバー手段と、を備えたことを特徴とする。
これによって、吹出し手段とローラコンベアとの間の処理空間に、周りの雰囲気、特に
ローラコンベアの下側の雰囲気が入って来るのを防止できる。また、被処理物が吹出し手
段の下方に到達する直前から横切った直後にかけて、ガス流れや雰囲気の状態が大きく変
動しないようにすることができる。これによって、良好な処理を行なうことができる。ロ
ーラコンベアによる被処理物の搬送に支障を来たすこともない。

前記カバー手段が、被処理物の送られるべき高さより下に僅かに離れて配されたカバー
板を有し、このカバー板に、前記ローラの上縁部を通すローラ通孔が形成されていること
が望ましい。これによって、ローラコンベアによる被処理物の搬送に支障を来たすことな
く、ローラコンベアの下側の雰囲気が処理空間に上がってくるのを確実に防止でき、さら
にガス流れや雰囲気の状態の変動を確実に防止することができる。しかも、カバー板によ
ってローラコンベアをプラズマ等のガスから保護することができる。

プラズマ表面処理の場合、前記カバー板は、例えばガラスなどの耐プラズマ性材料にて
構成されていることが望ましい。
これによって、カバー板がプラズマ吹出し手段からのプラズマに曝されても損傷しない
ようにでき、ひいてはローラコンベアをプラズマから確実に保護することができる。

前記カバー手段が、吹出し手段の直下のローラコンベアを収容するとともに、不活性ガ
スが溜められるべき容器にて構成され、この不活性ガス溜め容器の上板が、前記カバー板
を構成していることが望ましい。
これによって、カバー板の下側の雰囲気を不活性ガス雰囲気にすることができ、この雰
囲気がローラ通孔を通って処理空間に入って来たとしても、処理の良好性を確実に高める
ことができる。不活性ガス溜め容器はコンパクトにでき、装置構成の大型化を防止できる
。

前記吹出し手段が、不活性ガスを吹出し可能であり、この吹出し手段からの不活性ガス
が、前記ローラ通孔を通って前記不活性ガス溜め容器内に蓄えられることが望ましい。
これによって、吹出し手段を不活性ガスの充填手段として兼用でき、構造の簡素化を図
ることができる。

前記不活性ガス溜め容器が、前記上板と底板と側板を、互いに分解・組み立て自在に有
していることが望ましい。
これによって、既存のローラコンベアに後付けする場合でも、容易に行なうことができ
、撤去するのも容易である。
更に、前記底板が、複数の底板部に分割されていることが望ましい。
これによって、ローラコンベアの下側に底板を容易に設置でき、後付け作業を確実に容
易化できる。

前記上板が、複数の上板部に分割され、これら上板部の合わせ目が、前記吹出し手段の
吹出し口の真下位置からずれていることが望ましい。
これによって、不活性ガス容器ひいては上板の面積が大きくても、上板が撓むのを防止
できるとともに、プラズマ等のガスが上板部の合わせ目から裏側へ漏れて容器内に入るの
を防止できる。

前記不活性ガス溜め容器の内底面に、前記上板のための支えを複数分散配置するのが望
ましい。
これによって、上板の撓みを一層確実に防止できる。

さらに、前記カバー手段の高さ調節機構を備えることが望ましい。
これによって、カバー手段と被処理物との間の距離が所望になるように調節でき、製造
誤差があってもそれを補正することができる。

前記高さ調節機構が、傾斜した案内面をもつ基台と、前記案内面の傾斜方向に沿ってス
ライド可能かつ任意位置に固定可能な受け部材とを有しており、この受け部材の上に、前
記カバー手段が、前記スライド方向に位置調節可能に支持されていることが望ましい。
これによって、不活性ガス溜め容器を、簡単に高さ調節できるとともに吹出し手段に正
対するように位置調節できる。

前記カバー手段と前記受け部材との一方には、他方とのネジ止め用の孔が形成され、こ
の孔が、前記スライド方向に沿う長孔になっていることが望ましい。
これによって、簡単な構成でカバー手段を吹出し手段に正対するように位置調節可能に
することができる。

本発明は、大気圧近傍の圧力（略常圧）でのプラズマ処理等の表面処理に特に効果的で
ある。本発明における大気圧近傍の圧力（略常圧）とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６
６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、好
ましくは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａであり、より好ましくは、９．
３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａである。

本発明によれば、吹出し手段とローラコンベアとの間の処理空間に、ローラコンベアの
下側等の雰囲気が入って来るのを防止でき、良好な処理を行なうことができる。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１〜３は、大面積のガラス基材Ｗを被処理物とし、これを略常圧下でプラズマ洗浄す
るためのリモート式常圧プラズマ表面処理装置Ｍを示したものである。リモート式常圧プ
ラズマ表面処理装置Ｍは、ベースＢ上に水平に設置されたローラコンベア１０（搬送手段
）と、このローラコンベア１０の上側に配置されたプラズマ処理ヘッド２０（吹出し手段
）とを備えている。周知の通り、ローラコンベア１０は、多数本のシャフト１１と、各シ
ャフト１１に間隔を置いて設けられたローラ１２とを有している。シャフト１１は、左右
に延びるとともに、互いに前後に並べられている。このローラコンベア１０上にガラス基
材Ｗが載せられ、前後方向（図２において左右方向）に送られるようになっている。

図２及び図３に示すように、プラズマ処理ヘッド２０は、外筐２１と、この外筐２１内
に収容された３つのプラズマ吹出しノズル３０とを有している。外筐２１は、左右に長い
平面視四角形のフード状をなし、下端部が開放されている。外筐２１の上端部から排気管
４ａが延び、この管４ａが排気ポンプ４に接続されている。

外筐２１内の３つのプラズマ吹出しノズル３０は、各々左右に長く延びるとともに、互
いに前後に間隔を置いて並べられている。なお、プラズマ吹出しノズル３０は、３つに限
らず、２つまたは４つ以上であってもよく、複数に限らず１つであってもよい。各プラズ
マ吹出しノズル３０は、上下に重ねられたガス導入部３１と放電処理部３２とを有してい
る。図示は省略するが、上側のガス導入部３１の内部には、左右に延びるチャンバーや、
左右に分散配置された小孔などを連ねてなるガス均一化路が形成されている。このガス均
一化路の上流端に、ガス供給管２ａを介して処理ガス源２が接続されている。処理ガス源
２には、プラズマ洗浄用の処理ガスが貯えられている。この処理ガスが、管２ａを経てガ
ス導入部３１へ送られ、ガス均一化路によって左右長手方向に均一化されるようになって
いる。

プラズマ吹出しノズル３０の放電処理部３２は、前後に対向する一対の電極３３，３４
と、これら電極３３，３４を保持するホルダ３５とを有している。電極３３，３４は、左
右に長く延びており、それらの間に形成された左右細長の空間に、前記ガス導入部３１か
らの処理ガスが均一に導入されるようになっている。一方の電極３３には、給電線３ａを
介して電界印加電源３が接続され、他方の電極３４は、接地線３ｂを介して接地されてい
る。電界印加電源３は、例えばパルス状の電圧を供給する。これによって、電極３３，３
４間にパルス電界が印加され、これら電極３３，３４間の空間に導入された処理ガスがプ
ラズマ化されるようになっている。このプラズマ化された処理ガスが、ノズル３０の下方
へ吹出されるようになっている。電極３３，３４間空間の下端部の左右細長開口は、プラ
ズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａを構成している。
電極３３，３４の少なくとも一方には、他方との対向面に、アーク防止のための固体誘
電体層が形成されている。

プラズマ処理ヘッド２０の支持構造について説明する。
図１、図３、図１１に示すように、常圧プラズマ表面処理装置Ｍには、左右一対のヘッ
ド支持台７０が設けられている。支持台７０は、ベースＢに立設された複数の支柱７１と
、これら支柱７１の上端部に設けられた台座７２とを有している。これら支柱７１と台座
７２は、分解・組み立て可能になっている。

各支柱７１は、ローラコンベア１０の隣り合うシャフト１１の間に配置され、下端部が
ベースＢにボルト締めされるとともに、上端部がシャフト１１と略同じ高さに位置されて
いる。
台座７２は、前後に長い平板状をなし、ローラコンベア１０のシャフト１１より上側に
配置されている。

図３に示すように、左右の台座７２上に、プラズマ処理ヘッド２０の左右両側の下部の
被支持部２２が載せられ支持されている。これによって、プラズマ処理ヘッド２０が、ロ
ーラコンベア１０の上に被さるように左右のヘッド支持台７０の間に架け渡されている。
プラズマ処理ヘッド２０の左右の被支持部２２には、それぞれ段差２２ａが設けられてい
る。この左右の段差２２ａが、台座７２の内端面に引っ掛かることにより、プラズマ処理
ヘッド２０の左右方向の位置決めがなされている。そして、台座７２と被支持部２２とが
、ボルト（連結部材）２３にて連結され、ひいては、プラズマ処理ヘッド２０が、台座７
２に固定されている。

台座７２と支柱７１との間には、「プラズマ処理ヘッド２０用の高さ調節機構」として
のボルト７３が介在されている。すなわち、図１、図１２、図１３に示すように、台座７
２には、上下厚さ方向に貫通する雌ネジ孔７２ａが複数形成されている。これら雌ネジ孔
７２ａは、ちょうど支柱７１と対応する位置に配置されている。各雌ネジ孔７２ａに、頭
なしボルトからなる高さ調節ボルト７３の上側部が螺合されている。高さ調節ボルト７３
の下側部は、台座７２の下方に突出し、支柱７１の上端面に突き当たっている。

高さ調節ボルト７３には、上端面に開口する六角穴７３ａと、この六角穴７３ａの底面
から下端面まで延びる段付き穴７３ｂとが、軸線に沿って連通形成されている。段付き穴
７３ｂには、軸ボルト７４（軸部材）が挿通されている。軸ボルト７４の頭部は、段付き
穴７３ｂの上側（六角穴７３ａに連なる側）の大径部に収容され、ネジ部は、下側の小径
部を通り、支柱７１の上端部のネジ孔７１ａにねじ込まれている。これによって、高さ調
節ボルト７３が、軸ボルト７４を介して支柱７１に連結されるとともに、軸ボルト７４を
緩めた状態ではそれを軸にして回転可能になっている。

高さ調節ボルト７３の回転操作は、六角穴７３ａに六角レンチを入れて行なう。図１２
の二点鎖線に示すように、高さ調節ボルト７３を一方向へ回すと、台座７２が上昇され、
破線に示すように、逆方向へ回すと、台座７２が下降される。これを複数の高さ調節ボル
ト７３の各々について行なうことによって、台座７２を高さ調節しつつ水平出しすること
ができるようになっている。勿論、左右の台座７２の高さは、互いに揃えられている。こ
のようにして、台座７２上のプラズマ処理ヘッド２０が、高さ調節可能に水平支持されて
いる。ひいては、プラズマ処理ヘッド２０の吹出し口３０ａとガラス基材Ｗの上面との間
の距離（ワーキングディスタンス）が調節可能になっている。このワーキングディスタン
スの設定値は、例えば５ｍｍ程度である。

軸ボルト７４の頭部には、六角穴７４ａが形成されている。上記高さ調節が済んだ後、
この六角穴７４ａに六角レンチを入れて回すことにより、軸ボルト７４を、頭部が段付き
穴７３ｂの段に突き当たるまで締め付ける。これによって、高さ調節ボルト７３を回り止
めされ、ひいては、プラズマ処理ヘッド２０の高さが固定されている。

なお、高さ調節ボルト７３を、台座７２に回転可能に連結し、支柱７１にねじ込まれる
ようにしてもよく、軸ボルト７４を、台座７２にねじ込むようにしてもよい。

本発明の特徴的部分について説明する。
図１〜図３に示すように、常圧プラズマ表面処理装置Ｍは、「ローラコンベア１０を覆
うカバー手段」として不活性ガス溜め容器５０を備えている。不活性ガス溜め容器５０は
、プラズマ処理ヘッド２０のちょうど真下に配置され、この部分のローラコンベア１０を
内部に収容するようになっている。

図４および図５に示すように、不活性ガス溜め容器５０は、底板５４と、前後左右の側
板５２，５３と、上板（カバー板、コンベア保護カバー）５１とを有し、左右に長い平面
視四角形をなしている。なお、容器５０の左右長さは、前記プラズマ処理ヘッド２０の外
筐２１と略同じで、例えば１〜３ｍ程度であり、前後幅は、外筐２１より少し小さく電極
３３，３４ひいては吹出し口３０ａの長さと略同じで、例えば０．５〜１ｍ程度である。

図６に示すように、不活性ガス溜め容器５０を構成する各板５１〜５４は、ネジ（図示
せず）にて互いに分解可能に組み付けられている。
図２および図３に示すように、不活性ガス溜め容器５０の底板５４は、前記ローラコン
ベア１０のシャフト１１は勿論、ローラ１２よりも下側に配置されている。図２、図５、
図７に示すように、底板５４は、前後幅方向に沿って４枚（複数）の底板部５４ａに分割
されている。底板部５４ａは、各々左右に延び、互いに前後に並べられている。隣接する
底板部５４ａどうしのうち一方の底板部５４ａの縁には、継ぎ板部５４ｂが設けられてお
り、この継ぎ板部５４ｂが、他方の底板部５４ａの縁の上面に被せられ、ネジ止めされて
いる。

図６および図８に示すように、不活性ガス溜め容器５０の前後側板５３の内側面の下縁
には、縁板５３ｂが設けられ、この縁板５３ｂが、底板５４にネジ止めされるようになっ
ている。図８に示すように、前後側板５３の内側面には、縦リブ５３ａが長手方向に間隔
を置いて複数設けられている。

図６および図９に示すように、不活性ガス溜め容器５０の左右側板５２の内側面の下縁
及び前後両縁には、縁板５２ｂ，５２ｃが設けられ、これら縁板５２ｂ，５２ｃが、底板
５４や前後の側板５３にネジ止めされるようになっている。左右側板５２の上縁には、Ｕ
字状の凹部５２ａが間隔を置いて複数（例えば６つ）形成されている。図６に示すように
、これら凹部５２ａにローラコンベア１０のシャフト１１が通されている。これによって
、不活性ガス溜め容器５０の内部を複数（例えば６本）のシャフト１１が左右に貫通して
いる。

図１〜図３に示すように、不活性ガス溜め容器５０の上板５１は、前記６本のシャフト
１１の上に被さるように、しかもガラス基材Ｗの送られるべき高さより下に僅かに離れて
配置されている。図４に示すように、上板５１には、前後に長い四角形状をなすローラ通
孔５１ｄが、前後左右に整列して複数形成されている。図１および図２に示すように、各
通孔５１ｄには、前記６本のシャフト１１のローラ１２の上縁部が挿入されている。これ
らローラ１２は、上板５１から僅かに上に突出（露出）されている。これによって、不活
性ガス溜め容器５０の配置箇所でも、ガラス基材Ｗを容器５０と干渉しないようにしなが
ら確実に搬送できるようになっている。なお、ローラ１２の上板５１からの突出量は、ガ
ラス基材Ｗや上板５１がたとえ撓んでも干渉が起きない範囲で可及的に小さく設定されて
おり、例えば３〜５ｍｍである。この突出量の分だけ、ガラス基材Ｗの下面と上板５１と
が離間されることになる。

図１および図４に示すように、上板５１は、４つ（複数）の上板部５１ａ，５１ｂ（分
割カバー）に分割されている。これら４つの上板部５１ａ，５１ｂは、２×２に配置され
、互いの合わせ目が十字になっている。前側の２つの上板部５１ａは、後側の２つの上板
部５１ｂより前後幅が小さくなっている。これによって、これら前側の板部５１ａと後側
の板部５１ｂとの境の、左右に延びる合わせ目５１ｃが、不活性ガス溜め容器５０の前後
中央より前方にずれている。そうすることにより、図２に示すように、合わせ目５１ｃが
、中央のプラズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａと正対する真下位置からずらされ、
この中央の吹出し口３０ａと前側のプラズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａとの中間
の下方に配置されている。これによって、合わせ目５１ｃが、何れの吹出し口３０ａとも
正対しないようになっている。そして、中央と後側の吹出し口３０ａの真下には、後側の
上板部５１ｂが位置され、前側の吹出し口３０ａの真下には、前側の上板部５１ｂが位置
されている。

不活性ガス溜め容器５０の側板５２，５３、および底板５４、並びに後記上板支え５５
は、例えば塩化ビニルなどの樹脂にて構成されている。これに対し、上板５１は、ガラス
（耐プラズマ材料）にて構成されている。ガラスは、塩化ビニルなどの樹脂よりも耐プラ
ズマ性が高い。

上板５１の支持構造を説明する。
図５に示すように、底板５４の上面には、上板支え５５（支持部材）が、前後左右に整
列して複数配置されている。図６に示すように、支え５５は、垂直Ｌ字状をなし、その下
端部が、底板５４にネジ止めされている。図２および図３に示すように、これら支え５５
の上端部に、上板５１が載せられ、ネジ止めされている。また、図６に示すように、前後
側板５３の縦リブ５３ａ（図８）の上端部に、上板５１の縁部が載せられ、ネジ止めされ
ている。さらに、左右側板５２の縦の縁板５２ｃ（図９）の上端部に、上板５１の四隅が
載せられている。

次に、不活性ガス溜め容器５０全体の支持構造を説明する。この支持構造は、容器５０
の高さ調節機構を備えている。
詳述すると、図２および図３に示すように、ローラコンベア１０の下方には、ベースＢ
に固定の基台６１が設けられている。基台６１の上面（案内面）は、前方へ向かって上へ
傾斜されている。この基台６１の上面に、４つ（複数）の容器受け部材６２が設けられて
いる。受け部材６２は、棒状をなして前後に延びるとともに、互いに左右に間隔を置いて
配置されている。受け部材６２の下面は、基台６１の上面の傾斜角に合わせて前方へ向か
って上へ傾斜されている。これにより、受け部材６２の上面は、水平になっている。この
受け部材６２の上面に、前記不活性ガス溜め容器５０が水平に設置され、底板５４が、受
け部材６２にネジ止めされている。

図１０に示すように、受け部材６２は、基台６１の上面に沿って前後方向にスライド可
能、かつ任意位置に図示しない固定手段にて固定可能になっている。同図の二点鎖線に示
すように、容器受け部材６２を前方へスライドさせてそこに固定したときは、部材６２の
上面レベルが上昇し、ひいては、不活性ガス容器２０の配置位置が上昇する。一方、同図
の破線に示すように、容器受け部材６２を後方へスライドさせてそこに固定したときは、
部材６２の上面レベルが下降し、ひいては、不活性ガス容器２０の配置位置が下降する。
これによって、不活性ガス溜め容器５０が、高さ調節されるようになっている。この結果
、ガラス基材Ｗの下面と上板５１の上面との間の距離が、調節可能になっている。図６に
示すように、不活性ガス溜め容器５０の底板５４において、受け部材６２へのネジ止め用
に形成された孔は、長軸を前後に向けた長孔５４ｃになっている。これによって、受け部
材６２を前後にずらしても、不活性ガス溜め容器５０の前後方向の位置は、プラズマ処理
ヘッド２０の直下の正位置に保持できるようになっている。

なお、ネジを受け部材６２の側から底板５４にねじ込むように構成してもよく、その場
合、受け部材側のネジ挿通孔を前記長孔５４ｃのような長軸を前後に向けた長孔にする。
図１０において、基台６１上面および容器受け部材６２の傾斜角度、並びに不活性ガス
溜め容器５０の上下動範囲は、誇張して示してある。

不活性ガス溜め容器５０には、不活性ガスが充填されるようになっている。
詳述すると、図２に示すように、装置Ｍには、処理ガス源２に加えて、不活性ガス源５
が備えられている。不活性ガス源５には、不活性ガスとして例えば窒素が貯えられている
。不活性ガス源５からのガス管５ａは、三方弁２ｖを介して前記処理ガス源２からのガス
管２ａに合流されている。三方弁２ｖは、２つのガス源２，５のうち何れか一方を選択し
、プラズマ吹出しノズル３０に接続するようになっている。不活性ガス源５を選択すれば
、プラズマ吹出しノズル３０から窒素が吹出されることになる。（この場合、電源３はオ
フにしておく。）この窒素が、上板５１のローラ通孔５１ｄとローラ１２との隙間を通り
、容器５０の内部に入ることになる。

上記構成のリモート式常圧プラズマ表面処理装置Ｍにおいては、ガラス基材Ｗを通すの
に先立ち、上述の窒素吹出しを行なう。約３分程度で容器５０内を窒素で満たすことがで
きる。その後、ローラコンベア１０でガラス基材Ｗをプラズマ処理ヘッド２０の下側へ搬
送する。また、三方弁２ｖを切替えて、処理ガス源２からの洗浄用処理ガスをノズル３０
へ供給する。併せて、電源３をオンして電極３３，３４間に電界を印加することにより、
処理ガスをプラズマ化する。このプラズマ化された処理ガスを、吹出し口３０ａから下方
に吹出し、ガラス基材Ｗに当てることにより、ガラス基材Ｗをプラズマ洗浄処理すること
ができる。

このプラズマ洗浄処理の際、不活性ガス溜め容器５０によって、プラズマ処理ヘッド２
０とガラス基材Ｗとの間の処理空間に、下側の雰囲気が上がって来るのを防止することが
できる。これによって、良好な処理を行なうことができる。また、上板５１のローラ通孔
５１ｄからは容器５０内の窒素が上がって来るのみであり、良好な処理を妨げられること
はない。さらに、基材Ｗと上板５１の間の隙間を出来る限り狭くしてあるので、この隙間
の雰囲気が処理空間に入ることも殆ど無く、確実に良好な処理を行なうことができる。

さらに、不活性ガス溜め容器５０の上板５１によって、ローラコンベア１０をプラズマ
から保護することができる。上板５１は、耐プラズマ性に優れたガラスで構成されている
ので、プラズマが直接当たっても傷みにくい。
上板５１は、複数の板部５１ａ，５１ｂに分割されているので、全体として大面積であ
っても殆ど撓まないようにすることができる。また、容器５０内の支え５５にて支持され
ているので、撓みを一層確実に防止できる。
分割による合わせ目５１ｃが、ノズル３０の吹出し口３０ａからずらされているので、
プラズマが合わせ目５１ｃから下側へ抜けるのを防止することができる。

不活性ガス溜め容器５０はコンパクトに構成でき、ローラコンベア１０とプラズマ処理
ヘッド２０の全体を、不活性ガスで満たした大容積チャンバーに収容する必要がなく、装
置構成の大型化を防止できる。
不活性ガス溜め容器５０は、分解・組み立て可能であるので、既存のローラコンベア１
０に後付けする場合でもローラコンベアを分解することなく容易に行なうことができる。
撤去も容易である。特に、底板５４は、細幅の底板部５４ａに分割されているので、ロー
ラコンベア１０の下側に容易に挿入することができる。

装置Ｍは、数ｍに及ぶものであるので、製造誤差が生じやすく、ガラス基材Ｗと上板５
１との距離や、ワーキングディスタンスなどの数ｍｍレベルの精度に影響が出易い。そこ
で、不活性ガス溜め容器５０の下部の受け部材６２を前後位置調節する。これによって、
上板５１が正確な高さになるように調節でき、ひいては、ガラス基材Ｗと上板５１との間
の距離が設定どおりの大きさになるようにでき、製造誤差を補正できる。
さらに、高さ調節ボルト７３によってプラズマ処理ヘッド２０を高さ調節する。これに
よって、ワーキングディスタンスを設定どおりの大きさにでき、製造誤差を補正できる。

左右の支持台７０の台座７２を高さ調節することによって、プラズマ処理ヘッド２０の
左右方向の傾きを修正でき、水平度を確保することができる。また、各支持台７０の複数
の高さ調節ボルト７３の調節によって、プラズマ処理ヘッド２０の前後方向などの傾きを
修正でき、水平度を一層確実に確保することができる。

プラズマ処理ヘッド２０は、左右の支持台７０上に架け渡すように載置するものである
ので、天井部から吊り下げる構造にするよりも、構成の簡単化を図れるとともに、設置作
業を容易に行なうことができ、既存のローラコンベアラインに後付けするのも容易である
。しかも、支柱７１や台座７２が分解・組み立て自在であり、かつ、支柱７１は、隣り合
うシャフト１１の間に挿入配置すればよいので、ローラコンベア１０を分解しなくても、
それと干渉しないように容易に設置でき、後付けを一層容易化できる。

本発明は、上記形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、不活性ガス源５からの管５ａを不活性ガス溜め容器５０内に直接接続すること
により、容器５０内に不活性ガスを充填するようにしてもよい。
カバー手段として、容器５０全体ではなく、その上板５１すなわちカバー板だけを備え
ていてもよい。
本発明は、洗浄処理に限らず、成膜、エッチング、表面改質、アッシング等の種々のプ
ラズマ表面処理に遍く適用できる。
さらに、本発明は、処理ガスを下方に吹出して半導体基板等の被処理物を処理する表面
処理装置に遍く適用可能であり、プラズマ表面処理装置に限らず、熱ＣＶＤ装置やオゾン
アッシャー等にも適用できる。

本発明の一実施形態に係るリモート式常圧プラズマ表面処理装置を示し、図３のI−I線に沿う平面図である。図１のII−II線に沿う前記リモート式常圧プラズマ表面処理装置の側面断面図である。図１のIII−III線に沿う前記リモート式常圧プラズマ表面処理装置の背面断面図である。前記リモート式常圧プラズマ表面処理装置の不活性ガス溜め容器の斜視図である。前記不活性ガス溜め容器の上板を省いた状態での平面図である。前記不活性ガス溜め容器の一部分の分解斜視図である。前記不活性ガス溜め容器の底板の分解平面図である。（ａ）前記不活性ガス溜め容器の前後側板を容器内から正視した図である。（ｂ）前記前後側板の平面図である。前記不活性ガス溜め容器の左右側板を容器内から正視した図である。前記不活性ガス溜め容器の高さ調節の様子を示す解説側面図である。前記リモート式常圧プラズマ表面処理装置のヘッド支持台の正面図である。前記ヘッド支持台の高さ調節機構部を拡大して示す正面断面図である。前記ヘッド支持台の高さ調節機構部の平面図である。

符号の説明

Ｍリモート式常圧プラズマ表面処理装置
Ｗガラス基材（被処理物）
１０ローラコンベア
１２ローラ
２０プラズマ処理ヘッド（吹出し手段）
３０ａ吹出し口
３３，３４電極
５０不活性ガス溜め容器（カバー手段）
５１上板（カバー板）
５１ａ，５１ｂ上板部
５１ｃ合わせ目
５１ｄローラ通孔
５２，５３側板
５４底板
５４ｃ長孔（ネジ止め用の孔）
５５上板支え
６１基台（カバー手段の高さ調節機構の構成要素）
６２受け部材（カバー手段の高さ調節機構の構成要素）

Claims

処理ガスを下方へ吹出す吹出し手段と、
被処理物を、前記吹出し手段の下側を横切るように送るローラコンベアと、
前記吹出し手段の直下のローラコンベアを、該コンベアのローラの上縁部を露出させるよ
うにして覆うカバー手段と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
処理ガスを電極間に通しプラズマ化して下方へ吹出すプラズマ吹出し手段と、
被処理物を、前記吹出し手段の下側を横切るように送るローラコンベアと、
前記吹出し手段の直下のローラコンベアを、該コンベアのローラの上縁部を露出させるよ
うにして覆うカバー手段と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
前記カバー手段が、被処理物の送られるべき高さより下に僅かに離れて配されたカバー板
を有し、このカバー板に、前記ローラの上縁部を通すローラ通孔が形成されていることを
特徴とする請求項１または２に記載の表面処理装置。
前記カバー手段が、被処理物の送られるべき高さより下に僅かに離れて配された耐プラズ
マ性のカバー板を有し、このカバー板に、前記ローラの上縁部を通すローラ通孔が形成さ
れていることを特徴とする請求項２に記載の表面処理装置。
前記カバー手段が、吹出し手段の直下のローラコンベアを収容するとともに、不活性ガス
が溜められるべき容器にて構成され、この不活性ガス溜め容器の上板が、前記カバー板を
構成していることを特徴とする請求項３または４に記載の表面処理装置。
前記吹出し手段が、不活性ガスを吹出し可能であり、この吹出し手段からの不活性ガスが
、前記ローラ通孔を通って前記不活性ガス溜め容器内に蓄えられることを特徴とする請求
項５に記載の表面処理装置。
前記不活性ガス溜め容器が、前記上板と底板と側板を、互いに分解・組み立て自在に有し
ていることを特徴とする請求項５または６に記載のプラズマ表面処理装置。
前記底板が、複数の底板部に分割されていることを特徴とする請求項７に記載の表面処理
装置。
前記上板が、複数の上板部に分割され、これら上板部の合わせ目が、前記吹出し手段の吹
出し口の真下位置からずれていることを特徴とする請求項５〜８の何れかに記載の表面処
理装置。
前記不活性ガス溜め容器の内底面に、前記上板のための支えを複数分散配置したことを特
徴とする請求項５〜９の何れかに記載の表面処理装置。
前記カバー手段の高さ調節機構を備えたことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載
の表面処理装置。
前記高さ調節機構が、傾斜した案内面をもつ基台と、前記案内面の傾斜方向に沿ってスラ
イド可能かつ任意位置に固定可能な受け部材とを有しており、この受け部材の上に、前記
カバー手段が、前記スライド方向に位置調節可能に支持されていることを特徴とする請求
項１１に記載の表面処理装置。
前記カバー手段と前記受け部材との一方には、他方とのネジ止め用の孔が形成され、この
孔が、前記スライド方向に沿う長孔になっていることを特徴とする請求項１２に記載の表
面処理装置。