JP4351496B2

JP4351496B2 - プラズマ処理装置

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Publication number: JP4351496B2
Application number: JP2003275591A
Authority: JP
Inventors: 進屋代
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2003-07-16
Filing date: 2003-07-16
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2023-07-16
Also published as: JP2005034771A

Description

この発明は、処理ガスを電極間から吹出して被処理物に当てる所謂リモート式のプラズマ処理装置に関する。

例えば、特許文献１には、ローラコンベアの上方にプラズマ処理ヘッドを配置したリモート式プラズマ処理装置が記載されている。プラズマ処理ヘッドは、ローラコンベアを跨ぐ門型の架台の天井部に吊り下げられようにして設置されている。プラズマ処理ヘッドの内部には、一対の電極が収容されている。この電極間に処理ガスを通しプラズマ化した後、下方へ吹出す。そして、ローラコンベアで搬送して来た被処理物に当て、プラズマ表面処理を行なうようになっている。

特開２００３−１６６０６５号公報（図６）

上掲の吊り下げ構造を採用すれば、既存のローラコンベアラインにもプラズマ処理工程を組み込むことができる。しかし、門型架台が必要で大掛かりな構造になる。また、プラズマ処理ヘッドの吊り下げ作業が容易でない。

上記問題点を解決するため、本発明は、処理ガスを内部の電極間に通して下方に吹出すプラズマ処理ヘッドを、被処理物を搬送するローラコンベアの上方に設置してなるプラズマ処理装置であって、前記ローラコンベアの被処理物搬送方向と直交する方向の両側部に、一対をなすヘッド支持台を設け、各ヘッド支持台に前記プラズマ処理ヘッドの端部を載置することにより、プラズマ処理ヘッドをローラコンベアに被さるように一対のヘッド支持台の間に架け渡し、前記一対のヘッド支持台の各々が、複数の支柱と、これら支柱上に支持されてプラズマ処理ヘッドを受ける台座とを分解・組み立て自在に有し、前記複数の
支柱が、それぞれ前記ローラコンベアの隣り合うシャフトどうしの間に配置され、かつ互いに前記被処理物搬送方向に離れ、前記台座が、前記被処理物搬送方向に延びて前記シャフトより上側に配置され、各支柱と台座との間に高さ調節機構が設けられ、複数の高さ調節機構が、互いに独立して支柱と台座の間隔を調節可能であることを特徴とする。
この特徴構成によれば、プラズマ処理ヘッドを支持台上に単に載置すれば足り、吊り下げる作業が不要となり、設置作業の容易化を図ることができる。また、新設ラインは勿論、既存のローラコンベアラインに後付けするのも容易である。

前記ヘッド支持台に、前記プラズマ処理ヘッドの高さ調節機構を設けることによって、プラズマ処理ヘッドとローラコンベア上の被処理物との間の距離（ワーキングディスタンス）が設定どおりの大きさになるように調節でき、製造誤差があってもそれを補正することができる。また、両側のヘッド支持台の高さ調節によって、プラズマ処理ヘッドの傾きを修正でき、水平度を確保することができる。

前記ヘッド支持台が、支柱と、この支柱上に支持されてプラズマ処理ヘッドを受ける台座とを有し、これら支柱と台座とが、前記高さ調節機構を構成する複数のボルトにて上下間隔調節可能に連結されていることが望ましい。
これによって、高さ調節機構を簡単に構成できるとともに、プラズマ処置ヘッドの傾きを一層確実に修正でき、水平度を確実に確保することができる。

前記ボルトが、前記支柱または台座の一方に軸部材を介して回転可能に連結されるとともに、他方に形成された雌ネジ孔にねじ込まれていることが望ましい。
これによって、ボルトを回すことにより台座ひいてはプラズマ処理ヘッドを確実に高さ調節することができる。

前記軸部材が、前記支柱または台座の一方にねじ込まれたネジにて構成され、これを締め付けることによって、前記ボルトが回転不能になり、ひいては前記台座の上下位置が固定されることが望ましい。
これによって、高さ調節の際は、軸部材を緩めることによりボルトを回すことができ、高さ調節後は、軸部材の締め付けによりボルトを回り止めでき、ひいてはプラズマ処理ヘッドの高さを固定できる。

前記ヘッド支持台が、支柱と、この支柱上に支持されてプラズマ処理ヘッドを受ける台座とを分解・組み立て自在に有し、前記支柱が、前記ローラコンベアの隣り合うシャフトどうしの間に配置されることによって、ヘッド支持台を既存のローラコンベアに後付けする場合でも、ローラコンベアを分解することなく、しかもこれと干渉しないように容易に設置することができる。

本発明は、主に、大気圧近傍の圧力（略常圧）でのプラズマ処理に適用される。本発明における大気圧近傍の圧力（略常圧）とは、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａの範囲を言う。特に９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａの範囲は、圧力調整が容易で装置構成が簡便になり、好ましい。

本発明によれば、プラズマ処理ヘッドを支持台上に単に載置すれば足り、吊り下げる作業が不要となり、設置作業の容易化を図ることができる。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図１〜３は、大面積のガラス基材Ｗを被処理物とし、これを略常圧下でプラズマ洗浄するためのリモート式常圧プラズマ処理装置Ｍを示したものである。リモート式常圧プラズマ処理装置Ｍは、ベースＢ上に水平に設置されたローラコンベア１０（搬送手段）と、このローラコンベア１０の上側に配置されたプラズマ処理ヘッド２０（プラズマ吹出し手段）とを備えている。周知の通り、ローラコンベア１０は、多数本のシャフト１１と、各シャフト１１に間隔を置いて設けられたローラ１２とを有している。シャフト１１は、左右に延びるとともに、互いに前後に並べられている。このローラコンベア１０上にガラス基材Ｗが載せられ、前後方向（図２において左右方向）に送られるようになっている。

図２及び図３に示すように、プラズマ処理ヘッド２０は、外筐２１と、この外筐２１内に収容された３つのプラズマ吹出しノズル３０とを有している。外筐２１は、左右に長い平面視四角形のフード状をなし、下端部が開放されている。外筐２１の上端部から排気管４ａが延び、この管４ａが排気ポンプ４に接続されている。

外筐２１内の３つのプラズマ吹出しノズル３０は、各々左右に長く延びるとともに、互いに前後に間隔を置いて並べられている。なお、プラズマ吹出しノズル３０は、３つに限らず、２つまたは４つ以上であってもよく、複数に限らず１つであってもよい。各プラズマ吹出しノズル３０は、上下に重ねられたガス導入部３１と放電処理部３２とを有している。図示は省略するが、上側のガス導入部３１の内部には、左右に延びるチャンバーや、左右に分散配置された小孔などを連ねてなるガス均一化路が形成されている。このガス均一化路の上流端に、ガス供給管２ａを介して処理ガス源２が接続されている。処理ガス源２には、プラズマ洗浄用の処理ガスが貯えられている。この処理ガスが、管２ａを経てガス導入部３１へ送られ、ガス均一化路によって左右長手方向に均一化されるようになっている。

プラズマ吹出しノズル３０の放電処理部３２は、前後に対向する一対の電極３３，３４と、これら電極３３，３４を保持するホルダ３５とを有している。電極３３，３４は、左右に長く延びており、それらの間に形成された左右細長の空間に、前記ガス導入部３１からの処理ガスが均一に導入されるようになっている。一方の電極３３には、給電線３ａを介して電界印加電源３が接続され、他方の電極３４は、接地線３ｂを介して接地されている。電界印加電源３は、例えばパルス状の電圧を供給する。これによって、電極３３，３４間にパルス電界が印加され、これら電極３３，３４間の空間に導入された処理ガスがプラズマ化されるようになっている。このプラズマ化された処理ガスが、ノズル３０の下方へ吹出されるようになっている。電極３３，３４間空間の下端部の左右細長開口は、プラズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａを構成している。
電極３３，３４の少なくとも一方には、他方との対向面に、アーク防止のための固体誘電体層が形成されている。

図１〜図３に示すように、常圧プラズマ処理装置Ｍは、不活性ガス溜め容器５０を、更に備えている。不活性ガス溜め容器５０は、プラズマ吹出しノズル３０のちょうど真下に配置され、この部分のローラコンベア１０を内部に収容するようになっている。

図４および図５に示すように、不活性ガス溜め容器５０は、底板５４と、前後左右の側板５２，５３と、上板５１（コンベア保護カバー）とを有し、左右に長い平面視四角形をなしている。なお、容器５０の左右長さは、前記プラズマ処理ヘッド２０の外筐２１と略同じで、例えば１〜３ｍ程度であり、前後幅は、外筐２１より少し小さく電極３３，３４ひいては吹出し口３０ａの長さと略同じで、例えば０．５〜１ｍ程度である。

図６に示すように、不活性ガス溜め容器５０を構成する各板５１〜５４は、ネジ（図示せず）にて互いに分解可能に組み付けられている。
図２および図３に示すように、不活性ガス溜め容器５０の底板５４は、前記ローラコンベア１０より下側に配置されている。図２、図５、図７に示すように、底板５４は、前後幅方向に沿って４枚（複数）の底板部５４ａに分割されている。底板部５４ａは、各々左右に延び、互いに前後に並べられている。隣接する底板部５４ａどうしのうち一方の底板部５４ａの縁には、継ぎ板部５４ｂが設けられており、この継ぎ板部５４ｂが、他方の底板部５４ａの縁の上面に被せられ、ネジ止めされている。

図６および図８に示すように、不活性ガス溜め容器５０の前後側板５３の内側面の下縁には、縁板５３ｂが設けられ、この縁板５３ｂが、底板５４にネジ止めされるようになっている。図８に示すように、前後側板５３の内側面には、縦リブ５３ａが長手方向に間隔を置いて複数設けられている。

図６および図９に示すように、不活性ガス溜め容器５０の左右側板５２の内側面の前後両縁及び下縁には、縁板５２ｂ，５２ｃが設けられ、これら縁板５２ｂ，５２ｃが、前後の側板５３や底板５４にネジ止めされるようになっている。左右側板５２の上縁には、Ｕ字状の凹部５２ａが間隔を置いて複数（例えば６つ）形成されている。図６に示すように、これら凹部５２ａにローラコンベア１０のシャフト１１が通されている。これによって、不活性ガス溜め容器５０の内部を複数（例えば６本）のシャフト１１が左右に貫通している。

図１〜図３に示すように、不活性ガス溜め容器５０の上板５１は、前記６本のシャフト１１の上に被さるように配置されている。図４に示すように、上板５１には、前後に長い四角形状をなすローラ通孔５１ｄが、前後左右に整列して複数形成されている。図１および図２に示すように、各通孔５１ｄには、前記６本のシャフト１１のローラ１２の上縁部が挿入されている。これらローラ１２は、上板５１から僅かに上に突出されている。これによって、不活性ガス溜め容器５０の配置箇所でも、ガラス基材Ｗを容器５０と干渉しないようにしながら確実に搬送できるようになっている。なお、ローラ１２の上板５１からの突出量は、ガラス基材Ｗや上板５１がたとえ撓んでも干渉しない範囲で可及的に小さく設定されており、例えば３〜５ｍｍである。この突出量の分だけ、ガラス基材Ｗの下面と上板５１とが離間されることになる。

図１および図４に示すように、上板５１は、４つ（複数）の上板部５１ａ，５１ｂに分割されている。これら４つの上板部５１ａ，５１ｂは、２×２に配置され、互いの合わせ目が十字になっている。前側の２つの上板部５１ａは、後側の２つの上板部５１ｂより前後幅が小さくなっている。これによって、これら前側の板部５１ａと後側の板部５１ｂとの境の、左右に延びる合わせ目５１ｃが、不活性ガス溜め容器５０の前後中央より前方にずれている。そうすることにより、図２に示すように、合わせ目５１ｃが、中央のプラズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａと正対する真下位置からずらされ、この中央の吹出し口３０ａと前側のプラズマ吹出しノズル３０の吹出し口３０ａとの中間の下方に配置されている。これによって、合わせ目５１ｃが、何れの吹出し口３０ａとも正対しないようになっている。そして、中央と後側の吹出し口３０ａの真下には、後側の上板部５１ｂが位置され、前側の吹出し口３０ａの真下には、前側の上板部５１ｂが位置されている。

不活性ガス溜め容器５０の側板５２，５３および底板５４並びに後記上板支え５５は、例えば塩化ビニルなどの樹脂にて構成されている。これに対し、上板５１は、ガラス（耐プラズマ材料）にて構成されている。ガラスは、塩化ビニルなどの樹脂よりも耐プラズマ性が高い。

上板５１の支持構造を説明する。
図５に示すように、底板５４の上面には、上板支え５５（支持部材）が、前後左右に整列して複数配置されている。図６に示すように、支え５５は、垂直Ｌ字状をなし、その下端部が、底板５４にネジ止めされている。図２および図３に示すように、これら支え５５の上端部に、上板５１が載せられ、ネジ止めされている。また、図６に示すように、前後側板５３の縦リブ５３ａ（図８）の上端部に、上板５１の縁部が載せられ、ネジ止めされている。さらに、左右側板５２の縦の縁板５２ｃ（図９）の上端部に、上板５１の四隅が載せられている。

次に、不活性ガス溜め容器５０全体の支持構造を説明する。
図２および図３に示すように、ローラコンベア１０の下方には、ベースＢに固定の基台６１が設けられている。基台６１の上面（案内面）は、前方へ向かって上へ傾斜されている。この基台６１の上面に、４つ（複数）の容器受け部材６２が設けられている。受け部材６２は、棒状をなして前後に延びるとともに、互いに左右に間隔を置いて配置されている。受け部材６２の下面は、基台６１の上面の傾斜角に合わせて前方へ向かって上へ傾斜されている。これにより、受け部材６２の上面は、水平になっている。この受け部材６２の上面に、前記不活性ガス溜め容器５０が水平に設置され、底板５４が、受け部材６２にネジ止めされている。

図１０に示すように、受け部材６２は、基台６１の上面に沿って前後方向にスライド可能、かつ任意位置に図示しない固定手段にて固定可能になっている。同図の二点鎖線に示すように、容器受け部材６２を前方へスライドさせてそこに固定したときは、部材６２の上面レベルが上昇し、ひいては、不活性ガス容器２０の配置位置が上昇する。一方、同図の破線に示すように、容器受け部材６２を後方へスライドさせてそこに固定したときは、部材６２の上面レベルが下降し、ひいては、不活性ガス容器２０の配置位置が下降する。これによって、不活性ガス溜め容器５０が、高さ調節されるようになっている。この結果、ガラス基材Ｗの下面と上板５１の上面との間の距離が、調節可能になっている。図６に示すように、不活性ガス溜め容器５０の底板５４において、受け部材６２へのネジ止め用に形成された孔は、長軸を前後に向けた長孔５４ｃになっている。これによって、受け部材６２を前後にずらしても、不活性ガス溜め容器５０の前後方向の位置は、プラズマ処理ヘッド２０の直下の正位置に保持できるようになっている。

なお、ネジを受け部材６２の側から底板５４にねじ込むように構成してもよく、その場合、受け部材側のネジ挿通孔を前記長孔５４ｃのような長軸を前後に向けた長孔にする。
図１０において、基台６１上面および容器受け部材６２の傾斜角度、並びに不活性ガス溜め容器５０の上下動範囲は、誇張して示してある。

不活性ガス溜め容器５０には、不活性ガスが充填されるようになっている。
詳述すると、図２に示すように、装置Ｍには、処理ガス源２に加えて、不活性ガス源５が備えられている。不活性ガス源５には、不活性ガスとして例えば窒素が貯えられている。不活性ガス源５からのガス管５ａは、三方弁２ｖを介して前記処理ガス源２からのガス管２ａに合流されている。三方弁２ｖは、２つのガス源２，５のうち何れか一方を選択し、プラズマ吹出しノズル３０に接続するようになっている。不活性ガス源５を選択すれば、プラズマ吹出しノズル３０から窒素が吹出されることになる。（この場合、電源３はオフにしておく。）この窒素が、上板５１のローラ通孔５１ｄとローラ１２との隙間を通り、容器５０の内部に入ることになる。
なお、不活性ガス源５からの管５ａを不活性ガス溜め容器５０内に直接接続することにより、容器５０内に不活性ガスを充填するようにしてもよい。

本発明の特徴部に係るプラズマ処理ヘッド２０の支持構造について説明する。
図１、図３、図１１に示すように、常圧プラズマ処理装置Ｍには、左右一対のヘッド支持台７０が設けられている。支持台７０は、ベースＢに立設された複数の支柱７１と、これら支柱７１の上端部に設けられた台座７２とを有している。これら支柱７１と台座７２は、分解・組み立て可能になっている。

各支柱７１は、ローラコンベア１０の隣り合うシャフト１１の間に配置され、下端部がベースＢにボルト締めされるとともに、上端部がシャフト１１と略同じ高さに位置されている。
台座７２は、前後に長い平板状をなし、ローラコンベア１０のシャフト１１より上側に配置されている。

図３に示すように、左右の台座７２上に、プラズマ処理ヘッド２０の左右両側の下部の被支持部２２が載せられ支持されている。これによって、プラズマ処理ヘッド２０が、ローラコンベア１０の上に被さるように左右のヘッド支持台７０の間に架け渡されている。プラズマ処理ヘッド２０の左右の被支持部２２には、それぞれ段差２２ａが設けられている。この左右の段差２２ａが、台座７２の内端面に引っ掛かることにより、プラズマ処理ヘッド２０の左右方向の位置決めがなされている。そして、台座７２と被支持部２２とが、ボルト（連結部材）２３にて連結され、ひいては、プラズマ処理ヘッド２０が、台座７２に固定されている。

台座７２と支柱７１との間には、高さ調節機構としてのボルト７３が介在されている。すなわち、図１、図１２、図１３に示すように、台座７２には、上下厚さ方向に貫通する雌ネジ孔７２ａが複数形成されている。これら雌ネジ孔７２ａは、ちょうど支柱７１と対応する位置に配置されている。各雌ネジ孔７２ａに、頭なしボルトからなる高さ調節ボルト７３の上側部が螺合されている。高さ調節ボルト７３の下側部は、台座７２の下方に突出し、支柱７１の上端面に突き当たっている。

高さ調節ボルト７３には、上端面に開口する六角穴７３ａと、この六角穴７３ａの底面から下端面まで延びる段付き穴７３ｂとが、軸線に沿って連通形成されている。段付き穴７３ｂには、軸ボルト７４（軸部材）が挿通されている。軸ボルト７４の頭部は、段付き穴７３ｂの上側（六角穴７３ａに連なる側）の大径部に収容され、ネジ部は、下側の小径部を通り、支柱７１の上端部のネジ孔７１ａにねじ込まれている。これによって、高さ調節ボルト７３が、軸ボルト７４を介して支柱７１に連結されるとともに、軸ボルト７４を緩めた状態ではそれを軸にして回転可能になっている。

高さ調節ボルト７３の回転操作は、六角穴７３ａに六角レンチを入れて行なう。図１２の二点鎖線に示すように、高さ調節ボルト７３を一方向へ回すと、台座７２が上昇され、破線に示すように、逆方向へ回すと、台座７２が下降される。これを複数の高さ調節ボルト７３の各々について行なうことによって、台座７２を高さ調節しつつ水平出しすることができるようになっている。勿論、左右の台座７２の高さは、互いに揃えられている。このようにして、台座７２上のプラズマ処理ヘッド２０が、高さ調節可能に水平支持されている。ひいては、プラズマ処理ヘッド２０の吹出し口３０ａとガラス基材Ｗの上面との間の距離（ワーキングディスタンス）が調節可能になっている。このワーキングディスタンスの設定値は、例えば５ｍｍ程度である。

軸ボルト７４の頭部には、六角穴７４ａが形成されている。上記高さ調節が済んだ後、この六角穴７４ａに六角レンチを入れて回すことにより、軸ボルト７４を、頭部が段付き穴７３ｂの段に突き当たるまで締め付ける。これによって、高さ調節ボルト７３が回り止めされ、ひいては、プラズマ処理ヘッド２０の高さが固定されている。

上記構成のリモート式常圧プラズマ処理装置Ｍにおいては、ガラス基材Ｗを通すのに先立ち、上述の窒素吹出しを行なう。約３分程度で容器５０内を窒素で満たすことができる。その後、ローラコンベア１０でガラス基材Ｗをプラズマ処理ヘッド２０の下側へ搬送する。また、三方弁２ｖを切替えて、処理ガス源２からの洗浄用処理ガスをノズル３０へ供給する。併せて、電源３をオンして電極３３，３４間に電界を印加することにより、処理ガスをプラズマ化する。このプラズマ化された処理ガスを、吹出し口３０ａから下方に吹出し、ガラス基材Ｗに当てることにより、ガラス基材Ｗをプラズマ洗浄処理することができる。

このプラズマ洗浄処理の際、不活性ガス溜め容器５０によって、プラズマ処理ヘッド２０とガラス基材Ｗとの間の処理空間に、下側の雰囲気が上がって来るのを防止することができる。これによって、良好な処理を行なうことができる。また、上板５１のローラ通孔５１ｄからは容器５０内の窒素が上がって来るのみであり、良好な処理を妨げられることはない。さらに、基材Ｗと上板５１の間の隙間を出来る限り狭くしてあるので、この隙間の雰囲気が処理空間に入ることも殆ど無く、確実に良好な処理を行なうことができる。

さらに、不活性ガス溜め容器５０の上板５１によって、ローラコンベア１０をプラズマから保護することができる。上板５１は、耐プラズマ性に優れたガラスで構成されているので、プラズマが直接当たっても傷みにくい。
上板５１は、複数の板部５１ａ，５１ｂに分割されているので、全体として大面積であっても殆ど撓まないようにすることができる。また、容器５０内の支え５５にて支持されているので、撓みを一層確実に防止できる。
分割による合わせ目５１ｃが、ノズル３０の吹出し口３０ａからずらされているので、プラズマが合わせ目５１ｃから下側へ抜けるのを防止することができる。

不活性ガス溜め容器５０はコンパクトに構成でき、ローラコンベア１０とプラズマ処理ヘッド２０の全体を、不活性ガスで満たした大容積チャンバーに収容する必要がなく、装置構成の大型化を防止できる。
不活性ガス溜め容器５０は、分解・組み立て可能であるので、既存のローラコンベア１０に後付けする場合でもローラコンベアを分解することなく容易に行なうことができる。撤去も容易である。特に、底板５４は、細幅の底板部５４ａに分割されているので、ローラコンベア１０の下側に容易に挿入することができる。

装置Ｍは、数ｍに及ぶものであるので、製造誤差が生じやすく、ガラス基材Ｗと上板５１との距離や、ワーキングディスタンスなどの数ｍｍレベルの精度に影響が出易い。そこで、不活性ガス溜め容器５０の下部の受け部材６２を前後位置調節する。これによって、上板５１が正確な高さになるように調節でき、ひいては、ガラス基材Ｗと上板５１との間の距離が設定どおりの大きさになるようにでき、製造誤差を補正できる。

そしてさらに、高さ調節ボルト７３によってプラズマ処理ヘッド２０を高さ調節する。これによって、ワーキングディスタンスを設定どおりの大きさにでき、製造誤差を補正できる。

左右の支持台７０の台座７２を高さ調節することによって、プラズマ処理ヘッド２０の左右方向の傾きを修正でき、水平度を確保することができる。また、各支持台７０の複数の高さ調節ボルト７３の調節によって、プラズマ処理ヘッド２０の前後方向などの傾きを修正でき、水平度を一層確実に確保することができる。

プラズマ処理ヘッド２０は、左右の支持台７０上に架け渡すように載置するものであるので、天井部から吊り下げる構造にするよりも、構成の簡単化を図れるとともに、設置作業を容易に行なうことができ、既存のローラコンベアラインに後付けするのも容易である。しかも、支柱７１や台座７２が分解・組み立て自在であり、かつ、支柱７１は、隣り合うシャフト１１の間に挿入配置すればよいので、ローラコンベア１０を分解しなくても、それと干渉しないように容易に設置でき、後付けを一層容易化できる。

本発明は、上記形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、高さ調節ボルト７３を、台座７２に回転可能に連結し、支柱７１にねじ込まれるようにしてもよく、軸ボルト７４を、台座７２にねじ込むようにしてもよい。
本発明は、洗浄処理に限らず、成膜、エッチング、表面改質、アッシング等の種々のプラズマ表面処理に遍く適用でき、略常圧に限らず減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。

本発明の一実施形態に係るリモート式常圧プラズマ処理装置を示し、図３のI−I線に沿う平面図である。図１のII−II線に沿う前記リモート式常圧プラズマ処理装置の側面断面図である。図１のIII−III線に沿う前記リモート式常圧プラズマ処理装置の背面断面図である。前記リモート式常圧プラズマ処理装置の不活性ガス溜め容器の斜視図である。前記不活性ガス溜め容器の上板を省いた状態での平面図である。前記不活性ガス溜め容器の一部分の分解斜視図である。前記不活性ガス溜め容器の底板の分解平面図である。（ａ）前記不活性ガス溜め容器の前後側板を容器内から正視した図である。（ｂ）前記前後側板の平面図である。前記不活性ガス溜め容器の左右側板を容器内から正視した図である。前記不活性ガス溜め容器の高さ調節の様子を示す解説側面図である。前記リモート式常圧プラズマ処理装置のヘッド支持台の正面図である。前記ヘッド支持台の高さ調節機構部を拡大して示す正面断面図である。前記ヘッド支持台の高さ調節機構部の平面図である。

符号の説明

Ｍリモート式常圧プラズマ処理装置
Ｗガラス基材（被処理物）
１０ローラコンベア
１１シャフト
１２ローラ
２０プラズマ処理ヘッド
３３，３４電極
７０ヘッド支持台
７１支柱
７１ａ軸ボルト用の雌ネジ孔
７２台座
７２ａ高さ調節ボルト用の雌ネジ孔
７３高さ調節ボルト
７４軸ボルト（軸部材）

Claims

処理ガスを内部の電極間に通して下方に吹出すプラズマ処理ヘッドを、被処理物を搬送するローラコンベアの上方に設置してなるプラズマ処理装置であって、前記ローラコンベアの被処理物搬送方向と直交する方向の両側部に、一対をなすヘッド支持台を設け、各ヘッド支持台に前記プラズマ処理ヘッドの端部を載置することにより、プラズマ処理ヘッドをローラコンベアに被さるように一対のヘッド支持台の間に架け渡し、前記一対のヘッド支持台の各々が、複数の支柱と、これら支柱上に支持されてプラズマ処理ヘッドを受ける台座とを分解・組み立て自在に有し、前記複数の支柱が、それぞれ前記ローラコンベアの隣り合うシャフトどうしの間に配置され、かつ互いに前記被処理物搬送方向に離れ、前記台座が、前記被処理物搬送方向に延びて前記シャフトより上側に配置され、各支柱と台座との間に高さ調節機構が設けられ、複数の高さ調節機構が、互いに独立して支柱と台座の間隔を調節可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。
前記高さ調節機構がボルトを含み、前記ボルトが、前記支柱または台座の一方に軸部材を介して回転可能に連結されるとともに、他方に形成された雌ネジ孔にねじ込まれていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記軸部材が、前記支柱または台座の一方にねじ込まれたネジにて構成され、これを締め付けることによって、前記ボルトが回転不能になり、ひいては前記台座の上下位置が固定されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。