JP5162448B2 - 表面処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、処理ガスを被処理物に吹き付け、被処理物の洗浄、表面改質、エッチング、アッシング、成膜等の表面処理を行なう装置に関し、プラズマ表面処理装置や熱ＣＶＤ装置等を含む。特に、プラズマ処理においては、被処理物を電極間空間の外部に配置し、これに向けて電極間で形成したプラズマを噴出す所謂リモート式のプラズマ処理装置に関する。
液晶パネル等のフラットディスプレイの製造分野等では、近年、被処理物が大型化の傾向にあり、表面処理装置も大型被処理物への対応が求められている。
特許文献１、２には、複数の電極を長手方向と平行に並べてなる電極列を２列設け、これら２つの電極列の間にスリット状の放電空間を形成したプラズマ表面処理装置が記載されている。各電極は短くても、スリット状放電空間を大型被処理物の幅寸法に対応する長さにすることができる。このスリット状放電空間でプラズマ化した処理ガスを被処理物に吹き付けることにより、被処理物の全幅を一度に処理することができる。被処理物は電極の長手方向（スリット状放電空間の延び方向）と直交する方向に搬送される。
特許文献３、４には、複数の電極を長手方向と直交する方向に並べてなる電極モジュールを前記長手方向に沿って前後２段設けることが記載されている。各電極モジュールの隣り合う電極間にスリット状の放電空間が形成されるようになっている。前段の電極モジュールと後段の電極モジュールは、上記電極の並設方向に並設ピッチの半分だけずれている。したがって、前段と後段のスリット状放電空間も半ピッチずれている。被処理物は、各電極の長手方向ひいては各スリット状放電空間の長手方向に搬送されるようになっている。
特開２００５−３０２６８５号公報 特開２００５−３０２６８６号公報 特開２００５−１３５８９２号公報 特開２００５−３３３０９６号公報
電極モジュール等を含む複数のユニットを一直線に並べるには、隣のユニットに面する端部に配線や配管を設けないようにしたり、前記端部以外の部分に架台との支持部を設けたりする必要があり、通常のユニットを単に複数並べるわけにはいかない。
本発明は、大型の被処理物にも簡易な構成で対応できる表面処理装置を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するため、本発明は、処理ガスを被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する装置において、
前記処理ガスを噴き出すための第１孔列を有し、この第１孔列が第１方向に延在する第１ユニットと、
前記処理ガスを噴き出すための第２孔列を有し、この第２孔列が前記第１孔列と同方向に延在する第２ユニットと、
前記被処理物を前記第１、第２ユニットに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
を備え、
前記第１ユニットと第２ユニットが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置されていることを特許請求しない特徴とする。
これによって、被処理物が大型であっても簡易な構成で表面処理することができる。
本発明は、一対の電極どうし間に形成された放電空間に処理ガスを導入して、前記処理ガスを前記放電空間内でプラズマ化し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記放電空間の外部に配置された被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する表面処理装置において、
第１方向に延在する第１孔列を有し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記第１方向に均一に分散された状態で前記第１孔列から噴き出す第１ユニットと、
前記第１孔列と同方向に延在する第２孔列を有し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記第１方向に均一に分散された状態で前記第２孔列から噴き出す第２ユニットと、
前記被処理物を前記第１、第２ユニットに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
を備え、
前記第１ユニットと第２ユニットが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置され、ひいては前記第１孔列と前記第２孔列とが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置されており、
前記第１孔列から噴き出された処理ガスによって処理される第１処理領域における前記第１方向の第２ユニット側の、処理レートが該第１処理領域の中央部分よりも小さい端部分と、前記第２孔列から噴き出された処理ガスによって処理される第２処理領域における前記第１方向の第１ユニット側の、処理レートが該第２処理領域の中央部分よりも小さい端部分とが、前記第１方向の同じ位置で重なり合っていることを特許請求する第１特徴とする。
本発明は、上記第１特徴において、前記第１孔列における前記第１方向の第２ユニット側の端部と前記第２孔列における前記第１方向の第１ユニット側の端部とが、前記第２方向から見て前記第１方向にオーバーラップしていることを特許請求する第２特徴とする。
これによって、各ユニットの孔列端部では処理ガスの減速や失活等で処理能力が孔列中央部より低くなったとしても、２つのユニットをオーバーラップさせることにより、このオーバーラップ部分での処理能力を２つの低い処理能力を合わせた大きさにでき、各ユニットの孔列中央部と同等の処理能力を得ることができる。
架台と、
この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向に位置調節可能に連結する連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第１方向に沿う組み付け誤差を吸収したり、上記オーバーラップの幅を調節したりすることができる。
架台と、
この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第３方向に沿う組み付け誤差を吸収したり、ユニットと被処理物との間の距離（ワーキングディスタンス）を調節したり、ユニット間の個体差等による第１処理領域の処理度合いと第２処理領域の処理度合いの不均一を矯正したりすることができる。
架台と、
この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向から見た角度を調節可能に連結する連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第１方向から見た角度誤差を吸収したり、被処理物へのガスの吹付け方向を調節したり、ユニット間の個体差等による第１処理領域の処理状態と第２処理領域の処理状態との不均一を矯正したりすることができる。
架台と、
この架台に前記第１ユニットを、前記第２方向から見た角度を調節可能に連結する連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第２方向から見た角度誤差を吸収したり、被処理物へのガスの吹付け方向を調節したり、ユニット間の個体差等による第１処理領域の処理状態と第２処理領域の処理状態との不均一を矯正したりすることができる。
架台と、
前記第１ユニットの前記第１方向の両端部にそれぞれ設けられ、前記架台に前記第１ユニットを前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する一対の連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第１ユニットを第３方向に位置調節できるだけでなく、第２方向から見た角度を調節することもできる。
架台と、
前記第１ユニットの前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向から見た四隅にそれぞれ設けられ、前記架台に前記第１ユニットを前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する４つの連結機構と、
を更に備えるのが好ましい。
これによって、第１ユニットを第３方向に位置調節できるだけでなく、第１方向から見た角度及び第２方向から見た角度を調節することもできる。
本発明は、処理ガスを被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する装置において、
前記処理ガスを噴き出すための第１孔列を有し、この第１孔列が第１方向に延在する第１ユニットと、
前記処理ガスを噴き出すための第２孔列を有し、この第２孔列が前記第１孔列と同方向に延在する第２ユニットと、
前記被処理物を前記第１、第２ユニットに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
架台と、
この架台に前記第１ユニットを連結する連結機構と、
を備え、前記第１ユニットと第２ユニットが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置されており、前記連結機構が、
前記第１ユニットに設けられた被支持部と、
前記架台に設けられ、前記被支持部と前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に対向するユニット支持部と、
前記被支持部とユニット支持部との間に前記第３方向に延びるようにして設けられた第１、第２の連結軸と、
前記第１連結軸に設けられ、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って遠ざかるのを許容し接近するのを規制する第１規制部と、
前記第２連結軸に設けられ、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って接近するのを許容し遠ざかるのを規制する第２規制部と、
を有していることを特許請求する第３特徴とする。
これによって、第１ユニットを第１方向と第３方向に位置調節可能に支持することができ、第１方向及び第３方向への取り付け誤差を吸収することができる。
前記被支持部とユニット支持部のうち一方には、前記第１連結軸又は第２連結軸を挿通して連結するための挿通孔が形成され、この挿通孔が、長軸を前記第１方向に向けた長孔になっていることが好ましい。
これによって、第１ユニットを架台に対し第１方向に位置調節でき、第１ユニットの第１方向に沿う組み付け誤差を吸収したり、第１ユニットを第２ユニットに対し第１方向に位置調節し上記オーバーラップの幅を調節したりすることができる。
前記第１連結軸が、軸線を前記第３方向に向けたネジ部材であり、
前記第１連結軸の前記被支持部側の端部に前記第１規制部が螺合され、前記第１連結軸の前記ユニット支持部側の端部が前記ユニット支持部に突き当てられ、
前記第１規制部が、前記被支持部の前記ユニット支持部を向く面に当接又は接合されるのが好ましい。
これによって、簡易な構成で、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って遠ざかるのを許容し接近するのを規制することができる。
前記第２連結軸が、軸線を前記第３方向に向けたネジ部材であり、
前記第２連結軸の前記被支持部側の端部に前記第２規制部が設けられ、前記第２連結軸の前記ユニット支持部側の端部が前記ユニット支持部に螺合されたネジ部材であり、
前記第２規制部が、前記被支持部の前記ユニット支持部とは逆側を向く面に当接されるのが好ましい。
これによって、簡易な構成で、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って接近するのを許容し遠ざかるのを規制することができる。
第１ユニットだけでなく、第２ユニットも第１ユニットと同様の連結機構で架台に連結されているのが好ましい。
前記第１ユニットが、前記第１方向にそれぞれ延びる一対の電極を含み、これら電極が前記第２方向に対向して互いの間に放電空間を形成するようになっており、この放電空間の下流端が前記第１孔列に連なっていてもよい。第２ユニットも同様に構成されているのが好ましい。
これによって、プラズマ表面処理を行なうことができる。
前記第１ユニットが、前記第１方向にそれぞれ延びる一対の電極を含み、これら電極が前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に対向して互いの間に放電空間を形成し、かつ前記一対の電極のうち前記被処理物が配置される配置部に近い側の電極に前記第１孔列が形成されていてもよい。
本発明は、大気圧近傍下でプラズマを生成し表面処理するのに好適である。大気圧近傍（略常圧）とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａ（１００〜８００Ｔｏｒｒ）が好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａ（７００〜７８０Ｔｏｒｒ）がより好ましい。
また、本発明は、処理ガスを被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する装置において、
第１方向に延びる複数のユニットを含む処理ヘッドと、
前記被処理物を前記処理ヘッドに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
を備え、
前記複数のユニットの各々が、前記処理ガスを噴き出すための前記第１方向に延在された孔列を有し、
前記複数のユニットのうちの一部のユニットが、前記第１方向に離間して一定ピッチで並べられて
第１ユニット列を構成し、
前記複数のユニットのうちの他の一部のユニットが、前記第１方向に離間して前記第１ユニット列と同一ピッチで並べられて第２ユニット列を構成し、
前記第１ユニット列と前記第２ユニット列が前記第２方向に並ぶとともに、前記第１ユニット列のユニットと前記第２ユニット列のユニットが、前記第１方向に前記ピッチの約半分ずれていることを特許請求しない他の特徴とする。
これによって、被処理物が大型であっても簡易な構成で表面処理することができる。各ユニットの長手方向の端部にスペースを確保でき、ユニットの支持構造（架台への連結機構）や配管や配線を容易に配置することができる。
本発明によれば、被処理物が大型であっても簡易な構成で表面処理することができる。
本発明の第１実施形態に係る大気圧プラズマ表面処理装置の平面図である。 図１のII−II線に沿う上記表面処理装置の正面図である。 上記表面処理装置の電極及び噴出し口を示す平面図と、前記噴出し口の各位置におけるガス噴出量ないしは処理レートのグラフとの合成図である。 上記表面処理装置のユニットの連結機構を示す側面断面図である。 （ａ）は、図４のVA−VA線に沿う上記連結機構の正面断面図であり、（ｂ）は、図４のVB−VB線に沿う上記連結機構の正面断面図である。 ユニットを変位させた状態を示す正面断面図であり、（ａ）は、図５（ａ）に対応し、（ｂ）は、図５（ｂ）に対応し、実線はユニットを右に変位させた状態、二点鎖線はユニットを左に変位させた状態、三点鎖線はユニットを上に変位させた状態である。 第１ユニットを正面（第２方向）から見て傾けた状態を示す正面図である。 第１ユニットを側面（第１方向）から見て傾けた状態を示す側面図である。 連結機構の変形例を示す正面断面図であり、（ａ）は、図５（ａ）に対応し、（ｂ）は、図５（ｂ）に対応する。 図９において、ユニットを変位させた状態を示す正面断面図であり、（ａ）は、図９（ａ）に対応し、（ｂ）は、図９（ｂ）に対応し、実線はユニットを右に変位させた状態、二点鎖線はユニットを左に変位させた状態、三点鎖線はユニットを上に変位させた状態である。 左右のユニットのスリット状噴出し口がオーバーラップしていない変形例を示し、平面図と、噴出し口の各位置における処理レートのグラフとの合成図である。 ４つのユニットで２列のユニット列を構成した変形例を示す平面図である。 ユニット列を４列にした変形例を示す平面図である。 処理ヘッド構造の変形例を示す斜視図である。 孔列構造の他の態様を図１４の処理ヘッド構造に適用した変形例を示す斜視図である。 孔列構造の他の態様を図１４の処理ヘッド構造に適用した変形例を示す斜視図である。 孔列構造の他の態様を図１４の処理ヘッド構造に適用した変形例を示す斜視図である。
符号の説明
Ｗ 被処理物
１ 大気圧プラズマ表面処理装置
２ 処理ガス源
２ａ 供給路
３ 電源回路
１０ 処理ヘッド
１１ ユニット
１１Ｌ 第１ユニット
１１Ｒ 第２ユニット
１２ 整流モジュール
１３ 放電モジュール
２０ ローラコンベア（移動機構）
２１ ローラコンベアのフレーム
３１，３２ 電極
３３ 電極間空間
３４ 噴出し口
３４Ｌ 第１噴出し口（第１孔列）
３４Ｒ 第２噴出し口（第２孔列）
３４ａ 小孔
３４０Ｌ 小孔からなる第１孔列
３４０Ｒ 小孔からなる第２孔列
４０ 架台
４１ 支持梁
５０ 連結機構
５１ ベースブロック（ユニット支持部）
５１ｂ ベースブロックの雌ネジ孔
５２ 支持ブロック（第１規制部）
５２ａ 支持ブロックの雌ネジ孔
５２ｂ 支持ブロックの挿通孔
５３ ブラケット
５３ｖ 側板部
５３ｈ 上板部（被支持部）
５３ａ，５３ｂ 挿通孔（長孔）
５４ 第１連結軸（ネジ部材）
５５ 第２連結軸（ネジ部材）
５５ａ 第２連結軸の頭部（第２規制部）
１１０ ユニット列
１１０Ａ 第１ユニット列
１１０Ｂ 第２ユニット列
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１及び図２は、被処理物Ｗを処理するための大気圧プラズマ表面処理装置１を示したものである。被処理物Ｗは、例えば液晶テレビやプラズマテレビのフラットパネル等として用いられる大面積のガラス基板である。表面処理装置１は、このガラス基板Ｗの表面を例えば親水化処理する。
表面処理装置１は、処理ヘッド１０と、移動機構２０を備えている。
図２に示すように、移動機構２０は、ローラコンベアにて構成されている。ローラコンベア２０は、被処理物Ｗを前後方向（第２方向、図２において紙面に対し直交する方向）に移動させるようになっている。
移動機構２０は、ローラコンベア２０に代えてベルトコンベアであってもよく、被処理物Ｗをセットするステージとこのステージを移動させる駆動部とで構成されていてもよい。ステージが固定され、これに対し処理ヘッド１０が移動するようになっていてもよい。
ローラコンベア２０の左右のフレーム２１の上側に架台４０が組まれ、この架台４０に処理ヘッド１０が設置されている。処理ヘッド１１は、ローラコンベア２０の上方に配置され、処理ヘッド１０と被処理物Ｗが上下（第３方向）に対向されている。被処理物Ｗは、処理ヘッド１０の下方に通されるようになっている。
図１に示すように、処理ヘッド１０は、２つ（複数）のユニット１１，１１を備えている。これらユニット１１，１１は、互いに同一構成をなしている。以下、これら２つのユニット１１，１１及びその構成要素を互いに区別するときは、左側のユニット１１及びその構成要素の符号に「Ｌ」を付し、右側のユニット１１及びその構成要素の符号に「Ｒ」を付す。左右何れか一方のユニット１１（例えば左側のユニット１１Ｌ）が「第１ユニット」を構成し、他方のユニット１１が「第２ユニット」を構成する。
図２に示すように、各ユニット１１は、上側の整流モジュール１２と下側の放電モジュール１３とで構成されている。これらモジュール１２，１３は、それぞれ左右（第１方向）に延びている。処理ガス源２から供給路２ａが延び、この供給路２ａが分岐して左右のユニット１１Ｌ，１１Ｒの整流モジュール１２Ｌ，１２Ｒにそれぞれ接続されている。図示は省略するが、整流モジュール１２は、スリット、小孔、チャンバ等からなる整流路を有し、供給路２ａからの処理ガスを整流路において左右方向に均一化するようになっている。
親水化用の処理ガスとしては、例えば窒素が用いられる。
図３に示すように、放電モジュール１３には、一対の電極３１，３２が収容されている。各電極３１，３２は、左右に延びている。一対の電極３１，３２は前後に対向するように平行に配置されている。一方の電極３１は電源回路３に接続されている。他方の電極３２は電気的に接地されている。これら電極３１，３２の少なくとも一方の対向面には、固体誘電体（図示せず）が設けられている。
一対の電極３１，３２どうしの間に左右に延びるスリット状の電極間空間３３が形成されている。電源回路３から電極３１への電圧供給によって電極３１，３２間に大気圧グロー放電が形成され、電極間空間３３が放電空間になるようになっている。
電極間空間３３の上端部は、整流モジュール１２の整流路に連なっている。整流モジュール１２にて左右に均一化された処理ガスが、電極間空間３３の長手方向に均一に導入されるようになっている。そして、上記大気圧グロー放電によりプラズマ化されるようになっている。
図２に示すように、放電モジュール１３の底部には、電極間空間３３の下端部に連なる噴出し口３４（孔列）が設けられている。図２及び図３に示すように、噴出し口３４は、左右に延びるスリット状をなしている。電極間空間３３の下端部が、噴出し口３４を構成していてもよい。電極間空間３３に導入された処理ガスは、下端の噴出し口３４から噴き出されるようになっている。
左右何れか一方のユニット１１のスリット状噴出し口３４（例えば左側のユニット１１Ｌのスリット状噴出し口３４Ｌ）が、「第１孔列」を構成し、他方のユニット１１のスリット状噴出し口３４が「第２孔列」を構成している。
図１及び図３に示すように２つのユニット１１，１１ひいてはスリット状噴出し口３４，３４は、互いに左右にずれ、かつ前後にずれて配置されている。
左側の噴出し口３４Ｌと右側の噴出し口３４Ｒの前後方向のずれ量は、０を越え、約２００ｍｍ以下にするのが好ましく、約１５０ｍｍ程度とするのがより好ましい。
左側のユニット１１Ｌの右端部と右側のユニット１１Ｒの左端部とは、前後方向から見て左右にオーバーラップされている。ひいては、左側のスリット状噴出し口３４Ｌの右端部と右側のスリット状噴出し口３４Ｒの左端部とは、前後方向から見て左右にオーバーラップされている。
各噴出し口３４の全長に対するオーバーラップ量の割合は、約５％以下であるのが好ましく、約３％以下であることがより好ましい。
各噴出し口３４の長さは、例えば１００〜２０００ｍｍ程度である。この場合、左右の噴出し口３４Ｌ，３４Ｒどうしのオーバーラップ量は、約５０ｍｍ以下であるのが好ましい。
図３のグラフは、左右のスリット状噴出し口３４Ｌ，３４Ｒの各位置からの噴出量を示したものである。各スリット状噴出し口３４の長手方向の中間部（両端を除く部分）では、それぞれ噴出量がほぼ一定になっている。噴出し口３４の長手方向の両端部では噴出量が急激に減少している。したがって、各噴出し口３４による噴出曲線は、ほぼ台形を描くようになっている。左右の噴出し口３４Ｌ，３４Ｒをオーバーラップさせて配置することによって、左側の噴出曲線の右端部のスロープと右側の噴出曲線の左端部のスロープとが互いに交差している。この交差位置は、左右それぞれの噴出量が最大値（台形の上辺）の約２〜８割になる位置になるようにするのが好ましく、約５割になる位置になるようにするのがより好ましい。
左側の噴出し口３４Ｌの噴出量一定の部分の左端付近から右側の噴出し口３４Ｒの噴出量一定の部分の右端付近までの距離が、被処理物Ｗの幅とほぼ同じなるようにするのが好ましい。
上記の噴出量は処理レートに対応する。親水化処理においては、処理後の被処理物表面の接触角に対応する。同グラフにおいて、左側の噴出し口３４Ｌからの噴出ガスによる第１処理領域Ｒ１の両端部を除く中央部分の処理レートはほぼ一定であり、両端部では急激に減少している。右側の噴出し口３４Ｒからの噴出ガスによる第２処理領域Ｒ２の両端部を除く中央部分の処理レートはほぼ一定であり、両端部では急激に減少している。左側の処理領域Ｒ１の右端部の処理レートが急減少している部分と、右側の処理領域Ｒ２の左端部の処理レートが急減少している部分とがちょうどオーバーラップするようになっている。オーバーラップ領域を「Ｒ３」で示す。
ユニット１１の支持構造について説明する。
図１に示すように、架台４０の複数の所定箇所には、前後に延びる短い支持梁４１が設けられている。支持梁４１に各ユニット１１の左右端部が支持されている。図２に示すように、支持梁４１と各ユニット１１の左右端部とは、連結機構５０を介して連結されている。
連結機構５０は次のように構成されている。
図１に示すように、ユニット１１の左右両端部にはそれぞれブラケット５３が設けられている。図４及び図５に示すように、各ブラケット５３は、ユニット１１の端面に固定された側板部５３ｖと、この側板部５３ｖの上端から水平に突出された上板部５３ｈ（被支持部）を有し、逆Ｌ字状断面をなして前後に延びている。図１に示すように、上板部５３ｈの長手方向の両端部には、それぞれ一対の挿通孔５３ａ，５３ｂが形成されている。これら挿通孔５３ａ，５３ｂは、それぞれ長軸を左右に向けた長孔になっている。一対の挿通孔５３ａ，５３ｂは、前後に並んでいる。
図４及び図５に示すように、各支持梁４１の上面にはベースブロック５１（ユニット支持部）が固定されている。ベースブロック５１は、四角形の断面をなし、支持梁４１と同方向に延びている。ベースブロック５１の上面の長手方向の両端部には、それぞれ雌ネジ孔５１ｂが形成されている。ベースブロック５１は、ブラケット５３の上板部５３ｈの下側に離れて上板部５３ｈと対向している。
各ベースブロック５１とブラケット５３の上板部５３ｈとの間には、支持ブロック５２（第１規制部）が配置されている。支持ブロック５２は、四角形の断面をなし、ベースブロック５１と同方向に延びている。支持ブロック５２の長手方向の両端部には、雌ネジ孔５２ａと挿通孔５２ｂが対をなすように並んで形成されている。これら孔５２ａ，５２ｂは、それぞれ支持ブロック５２を上下方向に貫通している。
図４及び図５（ａ）に示すように、ブラケット５３の一方の長孔５３ａと支持ブロック５２の雌ネジ孔５２ａとが上下に並んでいる。これら孔５３ａ，５２ａ内に、上下に延びる第１連結軸５４が配置されている。第１連結軸５４は、ボルト（ネジ部材）にて構成されている。ボルト５４の頭部は、ブラケット５３の上板部５３ｈより上に少し離れている。ボルト５４の脚部は、ブラケット５３の長孔５３ａを貫通し、支持ブロック５２の雌ネジ孔５２ａにねじ込まれている。ボルト５４の先端部（下端部）は、支持ブロック５２の下面から突出してベースブロック５１の上端面に突き当てられている。このボルト５４によって、支持ブロック５２が、ベースブロック５１から上に離れた状態で支持されている。この支持ブロック５２の上面にブラケット５３の上板部５３ｈが載せられている。ひいては、ユニット１１Ｌ，１１Ｒが、上方への変位を許容され下方への変位を規制されるようにして支持されている。
図４及び図５（ｂ）に示すように、ブラケット５３のもう一方の長孔５３ｂと支持ブロック５２の挿通孔５２ｂとベースブロック５１の雌ネジ孔５１ｂとが、上下に並んでいる。これら孔５３ｂ，５２ｂ、５１ｂ内に、上下に延びる第２連結軸５５が配置されている。第２連結軸５５は、第１連結軸５４より長めのボルト（ネジ部材）にて構成されている。ボルト５５は、ブラケット５３の長孔５３ｂと支持ブロック５２の挿通孔５２ｂに挿通され、先端部（下端部）がベースブロック５１の雌ネジ孔５１ｂにねじ込まれている。図４に示すように、ボルト５５の頭部５５ａ（第２規制部）は、長孔５３ｂの短手方向の両側のブラケット５３上面に当たっている。これにより、ボルト５５は、ユニット１１の下方への変位を許容しつつ上方への変移を規制している。
ボルト頭部５５ａと支持ブロック５２とが、ブラケット５３の上板部５３ｈを上下から挟持している。これにより、ユニット１１が位置決めされ、固定されている。
図１に示すように、ボルトすなわち第１、第２連結軸５４，５５を含む連結機構５０は、各ユニット１１の前後左右の四隅にそれぞれ配置されている。
上記のように構成された表面処理装置１によれば、処理ガス源２の処理ガスが、供給路２ａを経て、各ユニット１１の整流モジュール１２で左右に均一化された後、各放電モジュール１３の電極間空間３３に導入される。併せて、電源回路３から各放電モジュール１３の電極３１に電圧が供給され、これにより、電極間空間３３がプラズマ放電空間となり、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、各スリット状噴出し口３４から噴き出され、ローラコンベア２０にて搬送されて来た被処理物Ｗに吹き付けられる。これにより、被処理物Ｗの親水化等の表面処理を行なうことができる。
複数のユニット１１を左右に並べることにより、被処理物Ｗの全幅を処理することが出来る。一方、１つ１つのユニット１１の電極３１，３２の長さを短くすることができ、クーロン力や熱膨張による変形量を抑制することができる。
ユニット１１，１１どうしを前後にずらすことにより、各ユニット１１の長手方向の端部どうしが干渉するのを避けることができ、配線や配管やユニット１１の支持構造の自由度を高めることができ、構成の簡易化を図ることができる。
図３に示すように、左右の噴出し口３４Ｌ，３４Ｒの端部どうしを被処理物Ｗの搬送方向から見てオーバーラップさせることにより、左側の噴出し口３４Ｌの右端部（噴出量が急減少している部分）と、右側の噴出し口３４Ｒの左端部（噴出量が急減少している部分）とを、オーバーラップさせることができる。これにより、左側の処理領域Ｒ１と右側の処理領域Ｒ２の間に処理抜け領域が出来るのを防止できるのは勿論のこと、左側の処理領域Ｒ１の右端部の処理不十分な部分Ｒ３と、右側の処理領域Ｒ２の左端部の処理不十分な部分Ｒ３とを互いに重ね合わせることができ、この部分Ｒ３の処理レートが各処理領域Ｒ１，Ｒ２の中央部の処理レートと同等になるように調節することができる。これによって、処理の均一性を確保することができる。
左右のガス噴出量のグラフがそれぞれ中央のフラットな部分の５０％のところで交わるようにすることにより、理想的には均一の処理を行なうことができる。
図６（ａ）、（ｂ）の実線及び二点鎖線に示すように、ブラケット５３は、長孔５３ａ，５３ｂの長手方向すなわち左右方向に位置調節することができる。ひいては、第１ユニット１１Ｌを第２ユニット１１Ｒに対し左右方向に位置調節することができる。これにより、２つのユニット１１Ｌ，１１Ｒの左右方向の組み付け誤差を吸収することができる。さらには、左右の処理領域Ｒ１，Ｒ２がオーバーラップする領域Ｒ３を増減させることができ、該オーバーラップ領域Ｒ３での処理が過不足ないように調節することができる。この結果、処理の一層の均一化を図ることができる。
また、図６（ａ）の三点鎖線に示すように、ボルト５４と支持ブロック５２の螺合量調節により、支持ブロック５２を高さ調節することができる。このとき、図６（ｂ）の三点鎖線に示すように、ボルト５５の螺合量も調節し、該ボルト５５の頭部５５ａがブラケット５３の上板部５３ｈの上面に当たるようにする。これにより、各ユニット１１を上下方向へも位置調節することができ、２つのユニット１１Ｌ，１１Ｒの上下方向の組み付け誤差を吸収することができる。
さらに、ユニット１１の左右両端のボルト５４，５４と支持ブロック５２，５２の螺合量を相互に調節することによって、両端の支持ブロック５２，５２の高さを相互に調節できる。これにより、ユニット１１の左右方向の水平度を確保することができ、組み付け誤差を吸収することができる。例えば、図７に示すように、第１ユニット１１Ｌが前後方向から見て（左右の水平方向に対し）傾いている場合、これを矯正し水平にすることができる。
さらに、ユニット１１の前後（ブラケット５３の長手方向両端）のボルト５４，５４と支持ブロック５２の螺合量を相互に調節することによって、該支持ブロック５２の水平度ないしは傾き角度を調節することができる。これにより、ユニット１１の前後方向の水平度を確保することができ、組み付け誤差を吸収することができる。例えば、図８に示すように、第１ユニット１１Ｌが左右方向から見て（前後の水平方向に対し）傾いている場合、これを矯正し水平にすることができる。
なお、通常、ユニット１１の角度調節量は微小であり、図７及び図８のユニット１１Ｌの傾きは誇張してある。
各ユニット１１の四隅の連結機構５０は、ユニット１１の水平度を確保するためだけでなく、第１、第２ユニットによる処理レートを互いに均一化するのにも用いることができる。
例えば、図３のグラフの二点鎖線に示すように、左側ユニット１１Ｌの噴出量（処理レート）が右側ユニット１１Ｒのものより大きい場合には、左側ユニット１１Ｌの高さを上げる。これにより、左側ユニット１１Ｌからのガスが被処理物Ｗの表面に当たる量を低減でき、左側の処理領域Ｒ１の処理レートを図３の実線に示す所定レベルにすることができる。または、右側ユニット１１Ｒの高さを下げることにしてもよい。これにより、右側ユニット１１Ｒからのガスが被処理物Ｗの表面に当たる量を増大でき、右側の処理領域Ｒ２の処理レートを高めることができる。この結果、左右の処理領域Ｒ１，Ｒ２の処理レートを互いに均一化することができ、左右のユニット１１Ｌ，１１Ｒの個体差を吸収することができる。
或いは、図８に示すように、左側のユニット１１Ｌを左右方向から見て斜めになるように角度調節することにしてもよい。これにより、右側ユニット１１Ｒからはガスが垂直に噴き出される一方、左側ユニット１１Ｌからはガスが下に向かうにしたがって前後に偏るように斜めに噴き出されるようにすることができる。これにより、ユニットを高さ調節したのと同様に、左側ユニット１１Ｌからのガスが被処理物Ｗの表面に当たる量を低減でき、左側の処理領域Ｒ１の処理レートを図３の実線に示す所定レベルにすることができる。この結果、左右の処理領域Ｒ１，Ｒ２の処理レートを互いに均一化することができ、左右のユニット１１Ｌ，１１Ｒの個体差を吸収することができる。
図３のグラフの破線に示すように、例えば、左側ユニット１１Ｌの噴出量（処理レート）が右側ユニット１１Ｒのものより大きく、かつ該左側ユニット１１Ｌの噴出量（処理レート）自体が右側ほど大きくなるように不均衡になっている場合には、左側ユニット１１Ｌを全体的に上昇させながら、該左側ユニット１１Ｌの右端部の上昇量が左端部の上昇量より大きくなるようにして、該左側ユニット１１Ｌの左右方向の水平度を調節する（図７参照）。これにより、左側の処理領域Ｒ１の処理レートが全体的に低減されるとともに、該処理領域Ｒ１の右側部の処理レートが左側部より大きく低減される。この結果、左側の処理領域Ｒ１の処理レートを図３の実線に示すように所定の均一状態にすることができ、ひいては左右の処理領域Ｒ１，Ｒ２の処理レートを互いに均一化することができ、左右のユニット１１Ｌ，１１Ｒの個体差を吸収することができる。
勿論、この場合においても、上述したように、左側ユニット１１Ｌを上げる代わりに、右側ユニット１１Ｒを下げたり、左側ユニット１１Ｌを図８に示すように前後に傾けたりしながら、左側ユニット１１Ｌの左右方向の水平度を調節することにしてもよい。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の実施形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を適宜省略する。
図９は、連結機構５０の変形例を示したものである。図９（ａ）に示すように、ブラケット５３の第１連結軸５４用の挿通孔５３ａは、真円断面の孔になっており、長孔になっていない。一方、図９（ｂ）に示すように、支持ブロック５２の第２連結軸５５用の挿通孔５２ｂは、長軸を左右方向に向けた長孔になっている。この支持ブロック５２の長孔５２ｂの断面（長軸及び短軸）は、ブラケット５３の長孔５３ｂと同一にするとよい。支持ブロック５２の長孔５２ｂとブラケット５３の長孔５３ｂは、ストレートに連なっている。
この変形例によれば、図１０の実線及び二点鎖線に示すように、ユニット１１の左右位
置調節の際、第１連結軸５４と支持ブロック５２が、ブラケット５３と一緒に左右に変位
可能である。
図１１に示すように、各ユニット１１の噴出し口３４からのガスが左右に拡散しながら被処理物Ｗに当たる等により、各処理領域Ｒ１，Ｒ２が噴出し口３４の長さより大きくなる場合もある。そのような場合、左右のユニット１１Ｌ，１１Ｒの噴出し口３４Ｌ，３４Ｒどうしは、前後方向から見て左右にオーバーラップさせなくてもよく、逆に左右の噴出し口３４Ｌ，３４Ｒどうしを左右に離し、左側の噴出し口３４Ｌの右端部が右側の噴出し口３４Ｒの左端部より左側に位置するようにしてもよい。左側の処理領域Ｒ１の右端のスロープと右側の処理領域Ｒ２の左端のスロープとがオーバーラップしていればよい。
この場合の左右の噴出し口３４Ｌ，３４Ｒの離間距離Ｒ４は、１０ｍｍ以内とするのが好ましい。
処理ヘッド１０のユニット１１の数は、２つに限られず、被処理物Ｗの幅や各ユニット１１の長さによって適宜設定できる。例えば、図１２に示す処理ヘッド１０は、４つのユニット１１で構成されていている。これらユニット１１は、隣り合うものどうしが左右にずれ、かつ前後にずれ、互い違いに配置されている。
詳述すると、図１２の処理ヘッド１０は、後側（図１２において上側）のユニット列１００Ａと、前側（図１２において下側）のユニット列１１０Ｂを備えている。２つのユニット列１１０のうち何れか一方（例えばユニット列１１０Ａ）が「第１ユニット列」を構成し、他方が「第２ユニット列」を構成する。
各ユニット列１１０は、左右に並べられた２つ（複数）のユニット１１，１１を含んでいる。これら左右のユニット１１，１１のピッチｐは、各ユニット１１の長さより大きく、両者の間に間隔（スペースｓ）が形成されている。
一方のユニット列１１０Ａのユニット１１，１１と、他方のユニット列１１０Ｂのユニット１１，１１とは、左右方向に半ピッチ（ｐ／２）だけずれている。
一方のユニット列１１０Ａの１つのユニット１１が「第１ユニット」を構成するものとすると、この第１ユニットと半ピッチずれた他方のユニット列１１０Ｂのユニット１１が「第２ユニット」を構成する。
ユニット列１１０は、２列に限られず、３列以上設けてもよい。例えば、図１３に示す処理ヘッド１０では、４列のユニット列１１０が設けられている。前後に隣り合うユニット列１１０，１１０のユニット１１，１１どうしは、左右に半ピッチずれている。これら前後に隣り合うユニット列１１０，１１０の一方が「第１ユニット列」を構成し、他方が「第２ユニット列」を構成する。
各ユニット１１の長手方向の両側にはスペースｓが設けられるので、連結機構５０等の支持構造をはじめ、配線や配管が干渉するのを容易に回避することができる。
図１４は、処理ヘッド１１の変形例を示したものである。各処理ヘッド１１Ｌ，１１Ｒの一対の電極３１，３２が上下に対向して配置されている。上側の電極３１が電源回路３に接続され、下側の電極３２が電気的に接地されている。下側の電極３２の下方に被処理物Ｗが配置されている。下側の接地電極３２の上面（一方の面）が、電源電極３１を向いて電極３１との間に放電空間３３を形成する面となり、電極３２の下面（他方の面）が被処理物Ｗの配置部を向く面となっている。電源電極３１の下面と接地電極３２の上面の少なくとも一方には、大気圧グロー放電を安定化させるための固体誘電体層（図示省略）が設けられている。
下側の接地電極３２の第２方向の中央部に、第１方向に延びるスリット状の噴出し口３４（孔列）が形成されている。第１処理ヘッド１１Ｌの噴出し口３４Ｌと第２処理ヘッド１１Ｒの噴出し口３４Ｒとは、第１方向にオーバーラップしている。
処理ガス源２（図１４において省略）からの供給路２ａが、電極間空間３３の第２方向の両側部にそれぞれ接続されている。処理ガスは、各処理ヘッド１１の電極間空間３３の第２方向の両側からそれぞれ電極間空間３３内に導入されてプラズマ化され、噴出し口３４から下方へ噴出され、被処理物Ｗに噴き付けられるようになっている。
この処理ヘッド構造によれば、接地電極３２が電源電極３１と被処理物Ｗとの間に配置されるので、電源電極３１から被処理物Ｗに向かう電界を遮蔽でき、被処理物Ｗにアーク等の異常放電が落ちるのを確実に防止することができる。
この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、第1ユニットの架台と第２ユニットの架台が、別体になっていてもよい。
孔列は、第１方向に延びる１つのスリットのみならず、点状又は短いスリット状の孔が、複数、第１方向に沿って一列に並んでいるものも含む。例えば、図１５に示すように、図１４の処理ヘッド構造において、接地電極３２にスリット状の噴出し口３４に代えて、複数の小孔３４ａが第１方向に一列に並んで配置されていてもよい。第１処理ヘッド１１Ｌにおけるこれら小孔３４ａからなる列が、第１孔列３４０Ｌを構成している。第２処理ヘッド１１Ｒにおけるこれら小孔３４ａからなる列が、第２孔列３４０Ｒを構成している。
第１、第２の各処理ヘッドにおいて、第１方向に延在された孔列が、複数、第２方向に並んで配置されていてもよい。例えば、図１６に示すように、図１４の処理ヘッド構造の接地電極３２に、複数（ここでは３つ）のスリット状の噴出し口３４（３４Ｌ，３４Ｒ）が、各々第１方向に延びるとともに、互いに第２方向に並んで設けられていてもよい。或いは、図１７に示すように、第１方向に並べられた小孔３４ａの列３４０（３４０Ｌ，３４０Ｒ）が、第２方向に複数列（ここでは３列）設けられていてもよい。
実施形態では、一対をなすボルト５４，５５のうち第１連結軸５４がユニット１１の幅方向（前後方向）の内側に配置され、第２連結軸５５が外側に配置されていたが、第１連結軸５４をユニット１１の幅方向の外側に配置し、第２連結軸５５を外側に配置することにしてもよい。
図９及び図１０の連結機構５０の変形例において、ブラケット５３と支持ブロック５２は、一体になっていてもよい。または、支持ブロック５２を省略し、ブラケット５２に第１連結軸５４が直接螺合されるようになっていてもよい。この場合、第１連結軸５４が「第１規制部」をも兼ねる。
架台４０とユニット支持部に、長軸を左右（第１方向）に向けた長孔を形成し、この長孔に第１連結軸又は第２連結軸を第１方向に変位可能に挿通することにしてもよい。
ボルトからなる第１、第２連結軸にナットを螺合することにより、第１、第２連結軸と被支持部又はユニット支持部とを連結することにしてもよい。
第１規制部として、支持ブロック５２に代えてナットを用いてもよい。
第１、第２連結軸が、１本の共通のボルト（ネジ部材）にて構成され、この１本のボルトにナットからなる第１規制部と第２規制部を設けてもよい。
第１、第２ユニット間の処理レートを均一化する場合、上記の連結機構５０によるユニットの高さ及び角度調節だけでなく、それと併行して、ユニットごとにガス供給量を調節したり、ガスレシピを調節したり、電極３１への投入パワーを調節したりすることにしてもよい。
本発明は、処理ガスをスリット等の孔列の群から噴出して被処理物に当てるものであればよく、プラズマ表面処理に限られず、熱ＣＶＤやＨＦ（フッ酸）ベーパ等によるエッチングのような電極の無い表面処理にも適用できる。また、オゾン等によるアッシング、ＣＦ４等によるエッチング、その他、成膜（ＣＶＤ）、洗浄、表面改質（親水処理、撥水処理等）等の種々の表面処理に遍く適用できる。
処理の圧力条件は、略常圧に限らず、減圧環境でもよい。
本発明は、例えば液晶テレビやプラズマテレビ等のフラットパネル用ガラスの表面処理や半導体製造における基板のプラズマ表面処理に利用可能である。

Claims (14)

  1. 一対の電極どうし間に形成された放電空間に処理ガスを導入して、前記処理ガスを前記放電空間内でプラズマ化し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記放電空間の外部に配置された被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する表面処理装置において、
    第１方向に延在する第１孔列を有し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記第１方向に均一に分散された状態で前記第１孔列から噴き出す第１ユニットと、
    前記第１孔列と同方向に延在する第２孔列を有し、前記プラズマ化された処理ガスを、前記第１方向に均一に分散された状態で前記第２孔列から噴き出す第２ユニットと、
    前記被処理物を前記第１、第２ユニットに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
    を備え、
    前記第１ユニットと第２ユニットが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置され、ひいては前記第１孔列と前記第２孔列とが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置されており、
    前記第１孔列から噴き出された処理ガスによって処理される第１処理領域における前記第１方向の第２ユニット側の、処理レートが該第１処理領域の中央部分よりも小さい端部分と、前記第２孔列から噴き出された処理ガスによって処理される第２処理領域における前記第１方向の第１ユニット側の、処理レートが該第２処理領域の中央部分よりも小さい端部分とが、前記第１方向の同じ位置で重なり合っていることを特徴とする表面処理装置。
  2. 前記第１孔列における前記第１方向の第２ユニット側の端部と前記第２孔列における前記第１方向の第１ユニット側の端部とが、前記第２方向から見て前記第１方向にオーバーラップしていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
  3. 架台と、
    この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向に位置調節可能に連結する連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  4. 架台と、
    この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  5. 架台と、
    この架台に前記第１ユニットを、前記第１方向から見た角度を調節可能に連結する連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  6. 架台と、
    この架台に前記第１ユニットを、前記第２方向から見た角度を調節可能に連結する連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  7. 架台と、
    前記第１ユニットの前記第１方向の両端部にそれぞれ設けられ、前記架台に前記第１ユニットを前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する一対の連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  8. 架台と、
    前記第１ユニットの前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向から見た四隅にそれぞれ設けられ、前記架台に前記第１ユニットを前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に位置調節可能に連結する４つの連結機構と、
    を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
  9. 処理ガスを被処理物の表面に吹き付け、該表面を処理する装置において、
    前記処理ガスを噴き出すための第１孔列を有し、この第１孔列が第１方向に延在する第１ユニットと、
    前記処理ガスを噴き出すための第２孔列を有し、この第２孔列が前記第１孔列と同方向に延在する第２ユニットと、
    前記被処理物を前記第１、第２ユニットに対し前記第１方向と直交する第２方向に相対移動させる移動機構と、
    架台と、
    この架台に前記第１ユニットを連結する連結機構と、
    を備え、前記第１ユニットと第２ユニットが、互いに前記第１方向にずれ、かつ前記第２方向にずれて配置されており、前記連結機構が、
    前記第１ユニットに設けられた被支持部と、
    前記架台に設けられ、前記被支持部と前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に対向するユニット支持部と、
    前記被支持部とユニット支持部との間に前記第３方向に延びるようにして設けられた第１、第２の連結軸と、
    前記第１連結軸に設けられ、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って遠ざかるのを許容し接近するのを規制する第１規制部と、
    前記第２連結軸に設けられ、前記被支持部が前記ユニット支持部に対し前記第３方向に沿って接近するのを許容し遠ざかるのを規制する第２規制部と、
    を有していることを特徴とする表面処理装置。
  10. 前記被支持部とユニット支持部のうち一方には、前記第１連結軸又は第２連結軸を挿通して連結するための挿通孔が形成され、この挿通孔が、長軸を前記第１方向に向けた長孔になっていることを特徴とする請求項９に記載の表面処理装置。
  11. 前記第１連結軸が、軸線を前記第３方向に向けたネジ部材であり、
    前記第１連結軸の前記被支持部側の端部に前記第１規制部が螺合され、前記第１連結軸の前記ユニット支持部側の端部が前記ユニット支持部に突き当てられ、
    前記第１規制部が、前記被支持部の前記ユニット支持部を向く面に当接又は接合されることを特徴とする請求項９に記載の表面処理装置。
  12. 前記第２連結軸が、軸線を前記第３方向に向けたネジ部材であり、
    前記第２連結軸の前記被支持部側の端部に前記第２規制部が設けられ、前記第２連結軸の前記ユニット支持部側の端部が前記ユニット支持部に螺合され、
    前記第２規制部が、前記被支持部の前記ユニット支持部とは逆側を向く面に当接されることを特徴とする請求項９に記載の表面処理装置。
  13. 前記第１ユニットが、前記第１方向にそれぞれ延びる一対の電極を含み、これら電極が前記第２方向に対向して互いの間に放電空間を形成するようになっており、この放電空間の下流端が前記第１孔列に連なっていることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の表面処理装置。
  14. 前記第１ユニットが、前記第１方向にそれぞれ延びる一対の電極を含み、これら電極が前記第１方向及び第２方向と直交する第３方向に対向して互いの間に放電空間を形成し、かつ前記一対の電極のうち前記被処理物が配置される配置部に近い側の電極に前記第１孔列が形成されていることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の表面処理装置。
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