TWI223323B - Semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

1223323 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本專利申請根據並優先於2002年6月12日申請之先前日本 專利申請案號2002-171 371，全文以提及方式併入本文中。 本發明係關於一種半導體裝置，其配置有一在嵌入式記 fe、體裝置中的一冗餘電路内所用之熔絲；具體而言，係關 於一種在熔絲及其襯墊部分均進行改良之半導體裝置，以 及關於製造該種半導體裝置之方法。 【先前技術】 為了在半導體基板的表面上使用冗餘技術形成熔絲時， 照慣例該熔絲係形成在一金屬佈線層中，該金屬佈線層緊 L方、彳心至屬塾向下數的第一層。然而，近年來佈線層進一 步增加的趨勢係使緊臨於最高金屬佈線層之下的金屬佈線 層的厚度增加，也導致位在熔絲表面的層間絕緣膜的厚度 增加。 >在形成‘ 一熔絲視窗時，不僅需要處理該加厚的層間絕緣 莫〃而且而要將層間絕緣膜留在溶絲表面。為了能保證藉 由雷射熔斷熔絲，|求留在該熔絲表面的該層間絕緣膜的 ^厚度盡可能的薄；料，如上文所述，需處理的層間 絕緣膜具有相當大的厚|，從而對該層間絕緣膜的處理極 難控制。 卜近年來為了保證半導體裝置的處理速度不斷提高 :金屬佈線中的電流延遲最小化成為主要的問㉟。作為解 夬上（問碭的—項對策，必須考慮使用一介電常數低的絕 85864 1223323 彖馭（低)，其作為一層間 此愔、、p 丁 、人 巴、，彖腠插入金屬佈線之間。在 司况下，完全可以形成—種結並 屬赉人 ^ 再/、T 3低kfe緊臨從金 屬墊向下數的第二層。如果這二 至 舢卜“ ‘该低k膜中的熔絲可被雷 射：^各fe斤，然而其會導致該低k 一 r ❺射溶斷而雙損，從而 厭重影響該半導體裝置的特性與可靠性。 如上所述，纟諸如|人式記憶體裝置的半導體裝置情形 中’隨著佈線層不斷增加的趨勢，易使緊臨於最高金屬佈 線層之下的該金屬佈線屬及位㈣絲表面上的層間絕緣膜 在厚度上均有增加；並且由於該層間絕緣膜的厚度增加， 也使彳于在形成一熔絲視窗時難以控制該層間絕緣膜的處理 此外，為了提咼半導體裝置的處理速度，而使用一低k膜 作為層間絕緣膜時，該低k膜會在對熔絲的雷射熔斷中受損 ，從而嚴重影響該半導體裝置的特性與可靠性。 【發明内容】 依照本發明一項具體實施例之半導體裝置包含： 一半導體基板； 一第一金屬佈線及一熔絲，兩者均在該半導體基板上 形成相同位準； 一第一絕緣膜沈積在該半導體基板上以覆蓋該第一金 屬佈線及該熔絲，該第一絕緣膜具有一連接至該第一金屬 佈線的第一襯塾口； 一第二金屬佈線至少在該第一襯墊口内形成’該第二 金屬佈線未伸出超過該熔絲； 一停止膜在該第一絕緣膜及該第二金屬佈線上形成； 85864 1223323 以及 一第二絕緣膜在該停止膜上形成； 其中形成-第二襯墊口使該第二金屬佈線之一部分曝露 ，其係藉由移除該第二絕緣膜及該停止膜；在至少該熔絲 上形成=熔絲口，其係藉由移除該第二絕緣膜及該停土膜 ，以及藉由移除該第一絕緣膜以調整厚度。 依照本發明一項具體實施例之製造一半導體裝置之方法 包栝： ""3 在一半導體基板上形成一第一金屬佈線及一熔絲； 在及半導體基板上沈積一第一絕緣膜，以覆蓋該第一 金屬佈線及該，j：容絲； 選擇性地蝕刻沈積在該第一金屬佈線上的該第一絕緣 膜，以形成第一襯墊口； k擇丨生地形成一第二金屬佈線，以穿過該第一襯塾口 與該第一金屬佈線接觸； 在居第絕緣膜及該第二金屬佈線上形成一停止膜； 在琢停止膜上形成一第二絕緣膜； k擇丨生地|虫刻咸第二絕緣膜對應於該第二金屬佈線的 一 4刀及至少孩熔絲的一部分之部分，藉此使該停止膜之 一部分曝露；以及 藉由對忒第二絕緣膜進行選擇性地蝕刻，將該停止膜 已曝露邵分I虫刻掉。 【實施方式】 依肤本發明各具體實施例，一金屬佈線（第一金屬佈線） 85864 1223323 係用作熔絲，其緊臨於一全屬 一 、 至岛t (罘一金屬佈線）之下，其中 一停止膜在介於第—盥第—+ s 罘一至屬佈線 < 間的第一絕緣膜上 以及第二金屬佈線上來& 7成。此外，在該停止膜上形成第二 絕緣膜後，用兩個步辨报> 口 / %進订姓刻，即選擇性地蝕刻第二絕 緣膜以及選擇性地j虫刻俾 ^ 城茨」彳丁止艇。精由這些程序，不僅可以 確保在溶絲上剩餘絕緣膜，而且肯定可形成一襯塾口。 、更月確地說’圖案化一光阻以向其提供襯墊部分及熔絲 視窗邵分的圖案德，|千』^ 口木俊將剩餘的光阻圖案用作光罩，對第二 巴、彖膜進仃’直至使停止膜曝露丨條件係可保證第二 絕緣膜與停止膜之間充分的姓刻選擇比（etchmg selectivity — ο)。例如在—範例中’將氧化碎膜用作第二絕緣膜並將 氮化矽膜用作停止膣，佔^ A / . 丁止膜使用一包含（例如）C4F8 + C〇 + Ar的混

Uft it彳fit式m此可輕鬆地對第二絕緣膜進行乾 式蚀刻之操作，同時保證該第二絕緣膜相對於該停止膜的 足夠的1¾擇比。藉由使姓刻條件最優化，可使該選擇比 、加到大約為1 〇，因而這時可進行足夠的過度蝕刻，並因 此對第二絕緣膜執行穩定的處理。 此外，在第二絕緣膜處理完成後蝕刻該停止膜時，如果 預先使Θ停止膜的薄膜厚度相對於第一絕緣膜的薄膜厚度 而口足夠薄，則在熔絲口處蝕刻該第一絕緣膜的同時，相 對万、忑彳τ止膜的蝕刻，可對該第一絕緣膜進行足夠的過度 触刻是可行的。 其、、、"果為，現在不僅可以確保在熔絲上剩餘絕緣膜，而 且Ώ疋可形成一襯墊口；從而可提高該裝置的特性與可靠 85864 1223323 性0 乍為解決這些傳統問題的方法，可設想將緊臨於 > —J-. ., 、 /旬夺>丨 疋卜的一金屬佈線層用作熔絲。此外，為了簡 " 葵 * — - k η t 程，ΰ 糈田早一的圖案化過程（整體開始處理）對襯墊呷八哈 進行處理並形成熔絲視窗。然而，在處理襯载 ^ 土 甲，藉台 使用依照傳統技術的整體開始處理將過度蝕 、八、 延行到一 无矢的程度時，很難在熔絲視窗部分剩餘層間絕緣膜、 此使熔絲曝露，並可能因此嚴重影響該裝置的特性盥。2 性。 人-可^

下面參考圖1A至1C說明上述情況。如圖1A所示，—_ 層間絕緣膜1 03係沈積在半導體基板1 00的表面上， 具上予員 先形成一熔絲1 〇 1及第一金屬佈線丨02 ;接著，蕤、 ^ 猶田曝露與

乾式蝕刻形成第一襯墊口 105。其後，將一金屬佈線材料沈 積在該基板100的曝露表面上，並藉由曝露與乾式餘刻形^ 第二金屬佈線（金屬墊）1 06。然後，在完成第二層間絕緣膜 109的沈積後，在其上形成一具有圖案之光阻11〇,圖案包括 與熔絲視窗部分及第二襯墊口部分相對應的開口。 接著，如圖1 B所示，藉由乾式蝕刻，同時形成一炫絲口 112及第二襯墊口 111。這時，為了保證打開第二襯墊口 j η ’通常需要進行大約5 0 %的過度敍刻，然而其會導致炫絲工〇 ! 由於過度姓刻而曝露。而熔絲1 0 1的曝露會導致溶絲丨〇 1受 到侵蝕，從而嚴重影響裝置的特性與可靠性。例如，如果 假設第一層間絕緣膜1 03的厚度為500 nm，並假設第二声間 絕緣膜109的厚度為1 000 nm，則在第二襯墊口 ηι處進行 85864 -10 - 1223323 5〇%的過度蝕刻時，熔絲口 n 2會完全穿透。 另一方面，如圖1C所示，當確保在該溶絲口 ιΐ2處剩餘第 —層間絕緣膜103的一部分失效時，則蝕刻殘留物1 ^可能會 剩餘於第二襯墊口⑴之後’從而引起襯墊部分的導電率： 障。 如上所述，在製造-半導體裝置（諸如嵌入式記憶體裝置) 中，當使用金屬佈線（其緊臨於最高金屬墊之下）確實形成熔 絲亚藉由一單一的圖案化步驟同時形成襯墊口及熔絲口時 ’要同時形成該襯墊口 (在其開口部分沒有任何的絕緣膜的 殘留物）與該溶絲口（在其視窗部分有該絕緣膜的殘留物）很 難。 因此，依照本發明各具體實施例，係配置—停止絕緣膜 以解決上述問題。下文中將參考圖式詳細說明本發明各具 體實施例。 (第一項具體實施例） 圖2係依照本發明第一具體實施例，顯示一半導體裝置之 元件結構之橫截面圖。 參考圖2，10代表半導體基板，其上預先配置有各種元件 諸如MOS電晶體（未顯示），以及一佈線結構。在該半導體基 板的表面區域還配置有一熔絲丨丨及第一金屬佈線ι 2，兩者均 ^亥表面區域。在该基板1 〇上沈積第一層間絕緣膜1 3， 其配置有第一襯墊口 15，其使第一金屬佈線12與第二金屬 伟線1 6 (其在第一襯墊口 1 5中形成）電性接觸。 在第—層間絕緣膜丨3及第二金屬佈線16上形成一停止絕 85864 -11 - 1223323 緣膜1 8 ’並且在該停止絕緣膜丨8上沈積第二層間絕緣膜工$ 。此外’將位於第二金屬佈線1 6上的第二層間絕緣膜1 9的 一邓分與停止絕緣膜丨8的一部分蝕刻掉，以形成第二襯塾 口 2 1 °此外’同樣將第二層間絕緣膜1 9的一部分與停止絕 緣膜1 8的一部分（兩者均位於熔絲〗丨上）蝕刻掉，同時也將第 一層間絕緣膜1 3部分蝕刻掉，即為其厚度的一中間部分， 從而形成熔絲口 2 2。 下面，芩考圖3A至3G說明依照該具體實施例用於製造— 半導體裝置之方法。 首先，如圖3A所示，一第一層間絕緣膜13沈積在半導體 基板1 0上，藉由使用C VD在該基板上配置有溶絲丨1及金屬佈 線1 2，接著，使用微影技術在該第一層間絕緣膜丨3上形成 具有一預定圖案的光阻14。附帶一提，該熔絲丨丨與該金屬佈 線12係藉由所謂的金屬鑲後法而形成’其中（例如）在沈積在 半導體基板上的該層間絕緣膜中形卜深度為m _ 的凹陷部分；接著，將Cu埋入該凹陷部分，隨後對該合成 表面進行拋光使該表面平整’從而形成炫絲⑴及金屬佈線Η 。此外’該層間絕緣膜13係由四乙氧基㈣（te〇s)氧化石夕 形成，厚度為大約500 nm。 接著，如圖戰示’將光阻14用作—光罩並使用混合氣 體(諸如C4F8 + C〇 + Ar)藉由乾式㈣法對第一層間絕輸3 進行選擇性地蝕刻，以形成第一襯 土口 1 5。接耆，用灰化 法及濕洗法將光阻1 4移除。 接著，如圖3C所示，藉由噴濺法 了昂一金屬佈線1 6沈積 85864 -12 - 1223323 在第一襯墊口 1 5的内部，以及第一層間絕緣膜丨3之上。該 金屬佈線16係由鋁（A1)形成，（例如）厚度為大約5〇〇 nm。接 著使用微影技術，在該金屬佈線丨6上形成具有圖案的光阻 17 ’以覆蓋第一襯塾口 15。 接著，如圖3D所示，將該光阻〗7用作一光罩，藉由乾式 蝕刻對第二金屬佈線丨6實施蝕刻處理。隨後，用灰化法及 濕洗法將光阻17蝕刻掉。此時，第二金屬佈線16可僅沈積 在第一襯墊口 15的内部及第一襯墊口 15周圍的區域。或者 ，可沈積該第二金屬佈線1 6使之遍佈第一層間絕緣膜丨3。 "Γ將该第二金屬佈線1 6遍佈第一層間絕緣膜丨3的部分用作 一佈線。 接著，如圖3E所示，藉由CVD將由氮化矽製成的停止絕 緣膜18沈積在第一層間絕緣膜13上及第二金屬佈線16上。 接著，藉由CVD將由TEOS製成的第二層間絕緣膜19沈積在 該铋止絕緣膜1 8上。此時，要求該停止絕緣膜丨8的厚度相 對於第一層間絕緣膜13的厚度而言足夠薄。例如，該停止 絕緣膜18形成的厚度為大約100ηιη。另一方面，（例如）該第 二層間絕緣膜1 9形成的厚度為大約1 μηι。 接著，如圖3F所示，藉由微影技術在第二層間絕緣膜19 上塗佈光阻20，並且藉由一單一的圖案化步·驟同時形成第 二襯墊口圖案及熔絲視窗圖案。 接著，如圖3G所示，將光阻20用作一光罩，對第二層間 絕緣膜19實施蝕刻，直至停止絕緣膜丨8曝露，蝕刻條件為 保證一相對於該停止絕緣膜丨8有足夠的選擇比。此時，為 85864 -13 - 1223323 了完全打開與第二襯墊圖案相對應的部分，對第二層間絕 緣膜1 9實施大約5 0 %的過度蝕刻。關於本文中所用之蝕刻氣 體，可使用包含〇4?8 + (：〇+八1'的混合氣體。 隨後’使用CHF3 + 〇2混合氣體，藉由乾式银刻法將該停止 絕緣膜1 8蝕刻掉，其中光阻20係用作光罩。此時，第一層 間絕緣膜1 3中與熔絲1 1重合並由於蝕刻停止絕緣膜丨8而曝 露之部分為半蚀刻。因此，可同時形成第二襯塾口 2 1及溶 絲口 22。隨後，用灰化法及濕洗法將光阻20移除，完成圖2 所示之結構。 如上所述，依照本具體實施例，由於對第二層間絕緣膜 1 9進行過度蝕刻，現在可保証將該絕緣膜1 9位於襯塾口 2 1 及谷絲口 2 2處的邵分移除。此時，由於第二層間絕緣膜1 9 的下層為停止絕緣膜1 8組成，則在熔絲口 22處幾乎不可能 將弟一層間絕緣膜1 3蚀刻掉。此外，由於與第一層間絕緣 膜1 3相比所形成的停止絕緣膜1 8相當薄，則即便過度姓刻 該停止絕緣膜1 8，也可保証在熔絲口 22剩餘第一層間絕緣 膜1 3中之部分。 因此，在進行形成第二襯墊口 2 1時其内不可能剩餘殘留 的絕緣膜；同時，在熔絲口 22中確保會剩餘部分絕緣膜， 從而可提高裝置的特性及可靠性。 附帶一提，本具體實施例中光阻2〇的移除可在蝕刻停止 系巴緣膜1 8之前進行。此時，將光阻2 〇用作一光罩，對第二 層間絕緣膜1 9實施触刻處理，直至停止絕緣膜1 8曝露；|虫 刻條件為保證一相對於該停止絕緣膜1 8的足夠的選擇比。 85864 7、 用灰化法及屬洗法將光阻2 0移除。接著，藉由乾式 姓刻法對整個合成表面實施回蝕處理，以處理該停止嗜緣 膜 1 8。 、' 此外，可將該具體實施例應用於一結構，其中一低k膜η 沈私在層間絕緣膜41之下，同時熔絲n及第一金屬佈線12 係埋入該層間絕緣膜内，如圖4所示。此時，配置有熔絲^ 及第—金屬佈線12的該層間絕緣膜41係由TE〇S而形成，並 居低k膜42係由低介電常數（相對介電常數小於4，3或以下 更佳）的膜而形成，諸如聚甲基矽氧烷及聚芳基。 乂此方式構建，可防止熔絲丨丨在進行雷射熔斷時，使該低 k膜42文抽。當熔絲在緊臨於從該金屬墊向下數的二声μ 的層中（即在傳統結構下的低罐42中）形成，用雷射熔斷該 ^ 4 11時H文抽該低k膜42，從而降低半導體裝置的特性及 可非f生反又，依照本具體實施例，由於熔絲〗丨係緊臨於金 屬墊4下形成，則保証克服上述問題。 (第二項具體實施例） 圖係依，、、、本發明第二具體實施例，顯示該半導體裝置之 元件結構之橫截面圖。附帶一提，那些與圖2相同的部分係 用相同时考符號表示，從而省略對其的詳細說明。 、f具體實㈣區騎上述第-具體實施例的主要特性在 於第二视墊口的位置偏移第一襯墊口。 所雖然該具體實施例與第—具體實施例的基本製造步驟實 〆同仁碌具貫施例與第一具體實施例的不同之處 在於第一襯墊口 15並不限於只放置在第一金屬佈線12的-85864 15 1223323 個位置’而係3衣繞形成於該弟 至屬佈線1 2周邊的複數個 邵分，或呈環狀地形成於該第一金屬佈線1 2周邊。此外， 第二金屬佈線1 6不僅在第一襯墊口 1 5内形成，而且還在置 於第一金屬佈線1 2上方的第一層間絕緣膜1 3上形成。此外 ，第二襯墊口 2 1不僅在第一襯墊口 1 5(其係沿著第一金屬佈 線1 2的周邊形成）上形成，而且還在第—金屬佈線丨2的中心 邵分上形成，即沈積在第一層間絕緣膜丨3上的第二金屬佈 線1 6的一部分上，其位置與第一金屬佈線丨2的中心部分重 合。 以此方式構建時，不僅可獲得與上述第一具體實施例相 同的結果’而且還可獲得額外的結果，說明如下。即，由 於引線銲接不是穿過第二金屬佈線1 6直接形成於第一金屬 佈線1 2的邵分而實施，而是穿過第二金屬佈線1 6位於第一 層間絕緣膜1 3上的一部分而實施，因此由引線銲接造成的 任何受損可由絕緣膜1 3吸收，從而可防止第一金屬佈線！ 2 由於？I線銲接而受損。 (第三項具體實施例） 圖6係依照本發明第三具體實施例，顯示該半導體裝置的 兀件結構之橫截面圖。附帶一提，那些與圖2相同的部分係 用相同的參考符號表示’從而省略對其的詳細說明。 該具體實施例區別於上逑第一具體實施例的主要特性在 $第二金屬佈線16還被用作引線，並且第二襯墊口 21的位 置偏移第一襯墊口〗5。 、…：居具體貫施例與第一具體實施例的基本製造步驟實 85864 -16 - 1223323 1亡：同，但該具體實施例與第-具體實施例的不同之严 体線16不僅形成在第-襯塾口!5中及其周： 〇而且_成於該第-層間絕緣膜13的—區域^ 且逆離孩第一襯墊口 15。此外，形 、彡 一 一 第一襯墊口 1 5處曝露第二金屬 蠟> 口 2 1不僅在 至屬佈、、泉1 6 ’而且遺異啤 第一層間絕緣膜13上的第二金屬佈線16。 … 以此万式構建時’幾乎可獲得與上述第 _果：此外，由於第二金屬佈购用作：； 而使罘—補墊口 2 1的定位自由度增加。 吹 、人：應將本發明視為僅限於上述具體實施例。例如，可用 (I二要屬：線的材料不限於銅(Μ的單f，也可由以銅 ()為王要成分的材料來制得。此外，主要各 可代替鋼(CU)。此外，關於第二金屬饰線的：料，二在： 中使用的材料不限麵A1)的單f，也可由 2 成分的材料來制得。此外，第_ ^ 、、、要 匕外弟—金屬佈線所用之材料不限 :、 P’用於弟二金屬佈線的材料可由任何種類的材 料代印’只要其與用於第—金屬佈線的材料相比，具有更 " '几乳^生及抗知蝕性。在基板上形成的佈線可由 晋通的佈線構成，（例如）其可由RIE製成。 土万“Τ止絕緣膜’需要使用的材料在第二層間絕緣膜的 蝕刻過程中幾乎不會被蝕刻。例如，如果第二層間絕緣膜 由丁E〇S形成，則料停止絕緣膜的材料可選自氮切及碳 化石夕k樣，可在本發明之精神内對其進行各種變更。 如上詳述，依照本發明各具體實施例，不僅可以確保在 85864 -17- 1223323 熔絲上剩餘絕緣膜，而且肯定可在一結構（其中緊臨於金屬 墊之下的一金屬佈線係用作一熔絲）中形成一襯墊口；從而 可ί疋咼S半導體裝置的特性與可靠性。 熟悉本技術者可以利用其他的優點及修改。所以’本發 明的廣泛觀點並不限^本文所述的特定細節及其代表^ 具體實施例。因此，只要不背離隨附申請專利範圍及其同 等物定義的一般發明理念的精神及範疇，即可進行各種修 改。 7 【圖式簡單說明】 圖1 Α至1C分別係顯示一半導體裝置的元件結構之橫截面 圖，其中緊臨於金屬墊之下的一金屬佈線層係用作一熔絲 以及由此種半導體裝置結構所產生之問題； 一圖2係依照本發明第一具體實施例，顯示一半導體裝置之 元件結構之橫截面圖； 圖A土 3 G係依照本發明第一具體實施例，分別顯示該半 導體裝置之製造步驟之橫截面圖； ^ ‘手依’、、、本叙明第—具體實施例的一修改範例，顯示該 半導體裝置的元件結構之橫截面圖； _ 係依…、本發明第二具體實施例’顯示該半導體裝置的 凡件結構之橫截面圖；以及 一圖係依知、本發明第三具體實施例，顯示一半導體裝置的 元件結構之橫截面圖。 【圖式代表符號說明】 10 半導體基板 -18- 1223323 11 熔 絲 12 第 — 金 屬 佈 線 13 第 — 層 間 絕 緣 膜 14 光 阻 15 第 一 襯 塾 口 16 第 二 金 屬 佈 線 17 光 阻 18 停 止 絕 緣 膜 19 第 二 層 間 絕 緣 膜 20 光 阻 21 第 二 襯 墊 口 22 熔 絲 100 半 導 體 基板 101 熔 絲 102 第 '— 金 屬 佈 線 103 第 一 層 間 絕 緣 膜 105 第 一 襯 墊 106 第 二 金 屬 佈 線 109 第 二 層 間 絕 緣 膜 110 光 阻 111 第 二 襯 塾 112 熔 絲 口 115 1虫 刻 殘 留 物 85864 -19

Claims (1)

1223323 拾、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，其包含： 一半導體基板； 一第一金屬佈線及/熔絲’兩者均形成在該半導體基 板之相同位準上； 一第一絕緣膜沈積在該半導體基板上以覆蓋該第一 金屬佈線及該熔絲，該第一絕緣膜具有一連接至該第’ 金屬佈線的第一襯塾口； 一第二金屬佈線至少在該第一襯墊口内形成，該第二 金屬佈線未延伸超過該熔絲； 一停止膜在該第一絕緣膜及該第二金屬佈線上形成 ;以及 一第二絕緣膜在該停止膜上形成； 其中形成一第二襯蟄口使該第二金屬佈線的一部分 曝硌’其係藉由移除該第二絕緣膜及該停止膜；在至少 該熔絲上形成一熔絲口，其係藉由移除該第二絕緣膜及 S钕止膜，以及藉由移除該第一絕緣膜以調整厚度。 2. 如申凊專利範圍第1項之半導體裝置，其中該停止膜的 形成材料不同於該第二絕緣膜之材料，並且該停止膜包 含至少氮化矽與碳化矽之一。 3 .如申請專利範圍第丨項之半導體裝置，其中該第二絕緣 膜係由TEOS形成。 ^ 一， 4.如^請專利範圍第1項之半導體裳置，其中該第二金屬 泉的开y成材料與琢第一金屬佈線的材料相比具有較 85864 1223323 向的抗氧化性或抗侵蚀性。 5. 如申請專利範圍第丨,之半導體裝置，其中該第一金屬 _ 佈線及孩熔絲的形成材料係選自包括Cu、八§的該群組 - 及一包含由Cu或Ag作—主要成分之金屬，並且該第二 金屬佈線係由A1或—包含由A1作一主要成分之金屬而 - 形成。. 6. 如申請專利範圍第]项之半導體裝置，其中該第一金屬 佈線及該熔絲係埋入在一層間絕緣膜内形成的一凹陷 部分之内部。 7 .如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其進一步包含/ 低介電的層間絕緣膜，其在該第一金屬佈線及該熔絲埋 入其間的該層間絕緣膜之下，該低介電的層間絕緣膜之 一相對介電常數小於4。 8.如申請專利範圍第丨項之半導體裝置，其中該第二襯墊 口係沈積在該第一襯塾口上。 9 ·如申睛專利範圍第1項之半導體裝置，其中該第二金屬 _ 佈線從該第—襯墊口之内伸出，以覆蓋該第一絕緣膜的 P刀’並且該弟_襯塾口係形成於該第一絕緣膜之S 部分之上。 10. 如申請專利範圍第丨項之半導體裝置，其中該第/襯墊 口係形成於該第一金屬佈線之一周邊部分之上，爻JL S 第二襯墊口係形成於該第—絕緣膜的一部分之上，該第 一絕緣膜位於該第一金屬佈線的一中心部分上。 11. 一種製造一半導體裝置之方法，其包括： 85864 1223323 在一半導體基板上形成一第一金屬佈線及一溶絲； 在該半導體基板上沈積一第一絕緣膜，以覆蓋該第一 金屬佈線及該熔絲； 選擇性地蝕刻沈積在該第一金屬佈線上的該第一絕 緣膜，以形成一第一襯蟄口； 選擇性地形成一第二金屬佈線，以穿過該第一襯塾口 與遠第一金屬佈線接觸；

在該第一絕緣膜及該第二金屬佈線上形成一停止膜； 在該停止膜上形成一第二絕緣膜； 選擇性地蚀刻該第二絕緣膜對應於該第二金屬佈線 的一部分及1¾熔絲的至少一部分之部分，藉此使該停止 膜的一部分曝露；以及 藉由對孩第二絕緣膜進行選擇性地蝕刻，將該停止膜 已曝露之該部分蝕刻掉。 12.如申請專利範圍第11項之方法，其中編該停止膜包

括過度1虫刻書亥停止月奠，以将位於該停止膜下㈣該第一 絕緣膜之部分蝕刻掉。 1 3.如申％專利知圍第！ 1項之方法，其中作為該停止膜所用 m l絕賴之材料，並且包含使 用至少氮化石夕與碳化石夕之〜。 4.如申巧專利範圍第11項之方法，其中該第二絕緣膜所用 之一材料為TEOS。 15.如：請專利範圍第11项之方法，爾第-金屬佈線 及d蛤、、、糸所用之一材料係選自包括Cu、的該群組及 85864 1223323 一包含由Cu或Ag作—主要成分之金屬，並且該第二金 屬佈線所用之一材料係A1或一包含由A1作一主要成分 之金屬。 16.如申請專利範圍第丨丨項之方法，其進一步包括在該第二 絕緣膜上形成一光阻圖案，該光阻圖案配置一襯墊口圖 案與該第二金屬佈線的一部分相連；並且還配置有一熔 絲口圖案’其與琢熔絲的一鄯分相連，並且該光阻圖案 在蝕刻该第二絕緣膜的一過程中係作為一光罩使用。 I7·如申請專利範圍第16項之方法，其中該蝕刻該停止膜包 括選擇性地蝕刻該停止膜，其由於該第二絕緣膜進行一 有選擇的蝕刻而曝露；以及穿過該熔絲口圖案蝕刻該第 一絕緣膜以調整厚度；該光阻圖案係作為一光罩使用。 18. 如申請專利範圍第16項之方法，其進一步包括在蝕刻該 停止膜之前移除該光阻圖案，其中對該停止膜進行該蝕 刻包括有選擇的蝕刻該停止膜，其由於該第二絕緣膜進 行有選擇的姓刻而曝露，以及在該溶絲口圖案餘刻該 第一絕緣膜以調整厚度；該第二絕緣膜係作為一光罩使 用。 19. 如申請專利範圍第11項之方法，其進一步包括： 在該半導體基板上形成一層間絕緣膜； 在該層間絕緣膜中形成一凹陷部分；以及 將遺第一金屬佈線及該这絲埋入該層間絕緣膜中已 形成的該凹陷部分。 0.如申凊專利範圍第19項之方法，其進一步包括在形成該 85864 1223323 層間絕緣膜之前在該半導體基板上形成一低介電常數 的層間絕緣膜，其具有一小於4的相對介電常數。 85864