TWI222746B - Transistor and display comprising it - Google Patents

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TWI222746B
TWI222746B TW090124804A TW90124804A TWI222746B TW I222746 B TWI222746 B TW I222746B TW 090124804 A TW090124804 A TW 090124804A TW 90124804 A TW90124804 A TW 90124804A TW I222746 B TWI222746 B TW I222746B
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TW
Taiwan
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source
gate
drain
transistor
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TW090124804A
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Satoshi Morita
Osamu Kobayashi
Kohei Oda
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Tokyo Sanyo Electric Co
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Description

1222746 五、發明說明（1) 【發明領域 本發明係有關於一種電晶體 置。f嶸；- 篮及具有该電晶髅夕趣-趾 歹“ …本發明係有關於-種在美：？！不裝 (ar，）所形成的電晶體以及個別對H板上以構成陣 體形成像素電極、並萨由 f應於上述之電晶 ，、肩不的顯示裝置。 彳工制各個像素之 【習知技術】
在目前已實用化之顯示裝置中，险 )般的管球狀顯千姑罢、，从 除了如映像管（CRT 裝置及電喈顧+壯盟雄 C有，夜日日顯不裝置、EL顯示 基本結構為像素的隼人，千面顯不裝置之 果口並猎由像素單元來進行顯干批 制，以形成整體畫像。在上述之平面顯二= 、、係於玻璃基板上形成薄膜電晶體之陣列，再夢 各個上述之電晶體來進行顯示像素之驅動。 曰 膜電！U圖：；：習:°以來在液晶顯示裝置中所使用的薄 膜電曰曰體（以下簡稱「TFT」）之結構。在圖式之 ， 係於閘極電極G上介由絕緣膜形成矽等之半導體層s I，並 於其上令平面狀四角形的源極電極s及汲極電極d以既定間 隙相向配置。上述之源極電極s及汲極電極D，在形成之際 若無法確保能位於所設計的位置的話，就會產生如第12^' 或第1 3圖所示般的位置偏差。如第丨2圖般，在源極電極s 及汲極電極D跟閘極電極G雉持重疊深度而往圖之上下方向 偏移的情況下，源極電極S及汲極電極D跟閘極電極G之重 國 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第4頁 1222746 五、發明說明（2) 乎不變★變化’TFT之寄生電容亦幾 生的狀況下，由m般，在偏差是往圖之左右方向產 極G之重疊程度加於源極電極s及沒極電極d之-方跟間極電 很大。 加冰，另一方因而變淺，故寄生電容變動 驅動二ΐ = 制！晶體、特別是利用於顯示像素 決之課題。素之顯不裝置的晝質均勻乃為當前所欲解 【發明揭示】 本發明之電晶體，係在 導體層之上，形成以既定 f且於閘極電極之半 電極，其特徵在於：上述源極 二”電極及汲極 轴方向之形狀，在上述源極電 皆為具有長 極前端部之凹'部，同時在上述半導體；”納上述汲極電 極電極突出而跟閘極電極未丄^ =形成由上述閘 疊於上述沒極電極之突出；：it電極之突出部及重 互呈獨立狀悲、。若依據上述結構，沒 f所遮蔽而相 向之形狀、亦即細長形狀，貝“於 2為具有長軸方 極電極所形成之凹部内，故由平面顴^而j係收納於在源 極、半導體層、閘極電極之重疊’的A看可縮小汲極電 ?^ ^^f ^ ^^ -寄生-f 大出的半導體層就 第5頁 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 丄222/46 五、發明說明（3) 可防止因為肇因 換作用而導致的 象。 此外，本發 極之半導體層之 及汲極電極，其 極電極之邊緣為 成由上述閘極電 電極或汲極電極 突出部及重疊於 所遮蔽而相互呈 極電極之設計形 之汲極電極的面 之變動、以及源 又，在角變圓之 觀點來看，可縮 積，降低寄生電 出的半導體層就 等造成之光電變 極間之短路現象 又，本發明 之半導體層之上 沒極電極，其特 極電極之邊緣的 =未被閘極電極遮住的光等造成之光電變 T有導電性以及源極、汲極間之短路現
體，係 以既定 :上述 狀，同 跟閘極 出部， 電極之 。若依 形狀之 及伴隨 沒極電 於源極 體層、 電流減 為肇因 導致的 地重疊 面向之 之面向 半導體 疊但跟 上述源 被上述 構，就 決肇因 而來的 的變動 極電極 之重疊 ，由閘 極電極 性以及 明之電晶 上，形成 特徵在於 圓角的形 極突出而 重疊之突 上述汲極 獨立狀態 狀及實際 積變動以 極電極跟 邊緣面向 小跟半導 容而使漏 可防止因 換作用而 〇 之電晶體 ’形成以 徵在於： 形狀為凸 在平面性 間隔相互 汲極電極 時在上述 電極未重 且重疊於 突出部係 據上述結 差，而解 面積變動 極之間隔 電極之沒 閘極電極 少。此外 於未被閘 帶有導電 於閘極電 源極電極 於上述源 層處係形 上述源極 極電極之 閘極電極 可縮小汲 於角變圓 寄生電容 之問題。 ，由平面 部份的面 極電極突 遮住的光 源極、汲 ，係在平面性地重疊於閘極電極 既疋間隔相互面向之源極電極及 上述汲極電極之面向於上述源 曲線之一方，上述源極電極之面
1222746 五、發明說明（4) 極電極之邊緣的形狀為凹曲線，同時在上述丰 但跟上述源極電極或汲極電：出而跟閘極電極未重疊 述源極電極之突出重豐之突出部，且重疊於上 上述閘極電極所遮蔽而相 7之大出。卩係被 構，因沒極電極之前端部被曲^據上述結 保較長的通道全長。此外，在凸斤j圍’故可確 容而使漏電流減Γ ΐ:==積，降低寄生電 可防止因為肇因於未被二導體層就 的帶有導電性以及源極的===變 之半ί體ίϋ之开電:曰體’！、在平面性地重疊於閉極電極 沒極電極，並特f支在以，疋間隔相互面向之源極電極及 電極之邊緣的圓電==源極 述二ΪΓ相反側的邊緣之形狀為跟2 時在上述半導濟Ξ ί成圓之凹圓孤及凸圓弧，同 電極未重疊作跟：2=广上述閘極電極突出而跟閘極 且重最於電極或汲極電極重疊之突出部， :出部係被上述閑極電極所遮蔽而相互呈獨ΐ;;電ί; 據上述結構’則通道寬度會變得-定，電性；ΐ 第7頁 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 五、發明說明（5) 得良好。由於 配置之凹圓弧 此對寄生電容 處面向於源極 觀點來看，可 積’降低寄生 出的半導體層 等造成之光電 極間之短路現 又，本發 上述半導體層 的輪廓形狀者 易受光照射， 又，本發 體來作為顯示 配線配置成矩 部設置上述電 述源極配線大 極電極及汲極 移，也可抑制 又，本發 體來作為顯示 配線配置成矩 部設置上述電 極亦為相互位於相反側之邊緣呈同心 弧’故電極寬度可變為一定且細，因 就會變小。此外，在凸圓弧狀之邊緣 凹圓弧狀之邊緣的汲極電極，由平面 半導體層、閘極電極之重疊部份的面 使漏電流減少。此外，由閘極電極突 止因為肇因於未被閘極電極遮住的光 用而導致的帶有導電性以及源極、汲 源極電 及凸圓 之影響 電極之 縮小跟 電容而 就可防 變換作 象。 明之電 為具有 °若依 電晶體 明之顯 用電晶 陣狀， 晶體， 抵成平 電極之 閘極、 明之顯 用電晶 陣狀， 曰 日日體， 晶體， 沿著上 據上述 之各種 示裝置 體，其 並於上 且令上 行來配 位置朝 汲極間 示裝置 體，其 並於上 且令上 係在至 述源極 結構， 特性的 ’係使 特徵在 述閘極 述電晶 置。若 向跟源 寄生電 ，係使 特徵在 述源極 述電晶 此為止 電極及 則半導 變動就 用至此 於：令 配線及 體之上 依據上 極配線 容之變 用至此 於：令 配線及 體之上 所述之 汲極電 體層就 會變少 為止所 閘極配 源極配 述汲極 述結構 平行之 動。 為止所 源極配 閘極配 述沒極 晶體中， 極之輪廓 會變得不 〇 述之電晶 線及源極 線之交又 電極跟上 ，即使源 方向偏 述之電晶 線及閘極 線之交叉 電極跟上
五、發明說明（6) — ϊ ϊ ξ n大ϊ成直角來配置。若依據上述結構’即使源 制閉極、汲極間寄生電容之變動…當源= 要求高精確僅須在跟源極配線之直角方向 就並不是那二的被口丄=於在跟源極配線之平行方向 二没的被要求須高精確度之位置吻合。 ’本發明之顯示裝置，係使 體來作為顯示用電晶體，其中係為止所述之電晶 源極配線所區書彳化出^ 述閘極配線及上述 電晶體之像素電上述電晶體及連接於該 線所配置的下一段像素 ；配酉璺於該閑極配 與保護膜的輔助電容用電極之於間極絕緣臈 配置於偏向上電保=:斤形成的接觸孔 存在之側相反之側之;跟上述接觸孔 可令得該段像素電極跟下—段之土述缺口部的存在， 防止鄰接像素電極彼此間之短路：C隔變寬，而 質降低之現象。 戈伴心則者而來的顯示品 【圖式簡單說明】 平面Γ。圖係表示本發明第1實施例之心車列的基本結構 第2圖係表示沿第1圖令之A-A線的剖面圖。 2119-4401-PF;Peterl iou.ptd 第9頁 1222746 五、發明說明（7) 面圖。 第3圖係表示上述第1實施例的TFT結構之模型示意平 圖 第4圖係表示上述第1實施例的TFT陣列結構之平面 第5圖係表示本發明第2實施例的TFT陣列之基士 平面圖。 十、、口傅 第6圖係表示沿第1圖中之B-B線的剖面圖。 第7圖係表示上述第2實施例的TFT結構之模型示意平 面圖 圖〇 第8圖係表示上述第2實施例的TFT陣列結構之平面 第9圖係表示本發明第3實施例的tft結 平面圖。 行俠生不思 圖。第1 〇圖係表示上述第3實施例的TFT陣列結構之平面 示習知的TFT結構之模型示意平面圖。 f圖係表不跟第11圖相同的平面圖但不同的壯 第1 3圖係表示跟第丨丨圖相同的悲 態 圖相同的平面圖但另一不同的狀 【符號說明】 1〜逆交錯型TFT、 3〜基板、 5〜閘極電極、 、膜 線緣 配絕 極極 閘閘 4 6
1222746 五、發明說明（8) 8〜源極配線、 1 〇〜汲極電極 1 4〜像素電極 1 6〜接觸孔 7〜半導體島狀物、 9〜源極電極、 1 3〜接觸孔、 15〜辅助電容用電極 【發明之最佳實施例】 之實施例參照圖式來進行說明。 在本么明之第1實施例中，係將逆 JFT 1排歹，】成矩陣狀來作為m陣列2。以；基於「r : 2圖就上述之結構來進行說明。 、第圖及弟 TFT陣列2，係在無驗玻璃等之基板3之上， 數：往第1圖中之左右方向延伸的閉極配線二 me Λν, ΓΛ ^ W # m m6 ^ ^ ^ ^ m ^ 妙μ 係成有平面式地重疊於閘極電極5的島狀半導 即半導體島狀物（lsland)7。半導體島狀：7: 由非日日型秒層所構成。 隔带I導ΐί狀物7形成後’跟閘極配線4成直角以既定間 t成稷數條之源極配線8。在心置成縱横的矩陣狀之 閘，配線4及源極配線8所構成的每個方格中、更詳而言之 則是在方格中的閘極配線4及源極配線8的丨個交叉部中^己 置1個TFT 1。源極電極9係以跟閘極配線4之配置間距 (Pitch)相同的間距由源極配線8突出。再對各源極電極 以既定間隔形成相向之汲極電極1〇。汲極電極1〇之基端 第11頁 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 1222746
邛係連接於跟像素電極接續之接觸用電極丨j。 含有半導體島狀物7、源極電極9、汲極電極1〇等之 TJT 1的陣列2，係被氮化矽（SiNx )等之保護膜^所 蓋。在上述保護膜1 2中形成露出接觸用電極丨丨之接觸孔 13丄此外，鄰接於TFT !而形成由17〇、IZ〇等構成的透 像素電極1 4。像素電極1 4係以跟TFτ } 一對一對應之方 而配置成矩陣狀，並介由接觸孔丨3而連接於TFT 1。像 電極14，在顯示裝置為反射型的情形下，亦可使用射蚀 之金屬膜等來構成。 町注 繼續，基於第3圖及第4圖而就TFT }之第J實施 接办：铨 ηπ 彳1^ V、口 由第3圖來看，源極電極9、汲極電極丨〇皆呈一方向 長軸方向之形狀、亦即成細長形。源極電極g其長軸方^向、 係跟源極配線8成直角，汲極電極丨〇其長軸方向係跟源極 配線8成平行。汲極電極丨〇係令其前端部丨〇a以跟源極 9之一側緣部間隔既定間隙而對向配置。 °
源極電極9、汲極電極1 0的大半部份係跟半導體島狀 物7成平面式地重疊，同時跟閘極電極5在中間間隔存 半導體島狀物7及閘極絕緣膜6的狀態下亦成平面气地重 疊。源極電極9及汲極電極10其長軸方向係分別/跟閘極 電極5之邊緣成直角交叉來配置。源極電極9及汲極電極ι〇 的-部份係延伸出半導體島狀物7之外，源極電極 出半導體島狀物7之外的部份係連接於源極配制，汲 極10其延伸出半導體島狀物7之外的部份係連接於
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電極11。
在源極電極9中途之面向汲極電極1 〇的位置處形 =極電極1〇之前端部10a的凹部9a。在汲極 鈿。卩l〇a及源極電極9之凹部9a之間係形月J 2道寬幻的通道…通道當然並非 疋呈沿者凹部9a之輪廓的非直線形狀。 ’ 源極電極9及汲極電極丨〇其介 島狀物7而跟閘極電極5成平面式地重最之；彳f f導體 很大影響的是因汲極電極10及閘極十m，史化給予 寄生電容。在如第3圖所示之結構中所形成的 會使上述間S、沒極間之寄生電#容中基於以下之理由， 容之變化。 且可抑制寄生電 首先，就寄生電容之大小而t ㈣為具有長軸方向之形狀“汲極電 收容於源極電極9所形成的凹部9a， ς /别端係 跟半導體島狀物7及閘極電極5重疊八°之5面、籍及極電極10 小寄生電容。•此，亦可降低漏d面積士因此能縮 係並排於圖之縱方向，故即使兩電 、罟 Τ形成） 些許偏移，閘極、汲極間之寄生办女 ^圖之橫方向 當源極電極9及汲極電極10之位置今亦不^變動。對此， 汲極電極10及閘極電極5之重疊 T向偏移時， 此處，汲極電極1〇係以為在置長曰有-許變動。在 八食軸方向中跟閘極電極5之
1222746 五、發明說明（u) ί ί f直角父又的點較為有利。亦即由於閘極電極5之邊 軸^ ^於汲極電極1 〇之短邊方向，故其橫切位置即使往長 /偏移，汲極電極1〇及閘極電極5之重疊面積的增減 二仅小。其效果若跟當汲極電極1 0與其成直角配置的情 ^ 亦即閘極電極5之邊緣横切於汲極電極1 〇之長軸方 i的i横切位置往$及極電極10之短邊彳向偏移的情形相比 傯銘i即可一目了然。如此，當往汲極電極1 〇之長軸方 二、，日汲極電極1 〇跟閘極電極5之重疊面積的增減就會 夂”，j此可抑制閘極、汲極間之寄生電容的變動。 、及@=極電極9及汲極電極10即使往圖之縱方向偏移 :極=0跟閉極電極5之重疊面積的變動亦很嫩 =因及極電極10在圖中呈縱之細長形狀所造成，反言 雷朽ΐίΐΐϊ形狀的汲極電極10，亦造成源極電極9及汲極 電極10之間通道全長變短的結果。然而，在上述之 轭例的TFT 1中，由於係在源極電極^ ^ ^ ^ 圍:及極電㈣之前端職的非直線 保較長的通道全長。 雀 處必=丰ΪΪ!極9及沒極電極10在重疊於閘極電極5之 間隔存在於源極電極9及汲極電極 鏠：：：° '^間。然後’在源極電極9跟閘極電極5邊 TLi ’半導體島狀物7係往閑極電極5之外部-微突 ^ ，在汲極電極!。跟閑極電極5之邊緣重的^ 處，半導體島狀物7係往閘極電極5之外部些微突出，而形 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第14頁 1222746 五、發明說明（12) ----— 成跟閘極電極5未重疊、跟汲極電極丨〇重疊之突出部。萨 由如上結構，就可抑制源極電極9及汲極電極10跟閘極4 極5之間所形成的寄生電容之變動。此外，源極電極9側之 突出部及汲極電極10侧之突出部係被閘極電極5所遮蔽而 呈相互獨立之島狀態。藉此，由閘極電極5突出的半導體 島狀物7就可防止因為肇因於未被閘極電極5遮住的光等 成之光電變換作用而導致的帶有導電性以及源極、汲極 之短路現象。 ^由各個上述1'15'1' 1組合成像素電極1 4並陣列化的狀況 係如第4圖所示。若如上述般將TFT j之寄生 TFT陣列2設置於炎有液晶層且相向配置的基板之一方來= 成液晶顯示裝置的言舌，就可抑制因寄生電容之變動所造成 的顯示色差來進行顯示。此外，由於即使未於TFT i設置 用以減輕肇因於寄生電容變動之影響的輔助電I，也可將 其電容f小來設定，故可減少輔助電容構件遮光之面積， 而能提高液晶顯示裝置之開口率。 第1實施例之旧i雖具有如上所述的各種優點，然還 可更進一步改善。可改善之處為汲極電極1〇之前端部i〇a 的形狀。若前端部10a如上述般有稜角，則曝光時上述之 角就容易燒結成圓形。特別是比曝光解析度更小的部份容 易變形成跟設計形狀不同之形狀，其變形的程度亦不一 定。因此，汲極、閘極間之寄生電容就很容易發生變動。 此外，源極電極9及汲極電極10之間隔、亦即通道寬度亦 會很容易產生寬窄之變化。第5圖至第8圖所示之第2實施
1222746
由於第2實施例之TFT i之構成要素多與第1實施例相 通，故共通之構成要素就使用跟第丨實施例中所使用者相 同之符號來表示’其說明則省略。後述之第3實施例亦同 理0
在第2實施例之TFT 1中，汲極電極1〇其相向於源極電 極9之邊緣、亦即刖端部1 0 b之邊緣係將角的形狀變圓。為 了得到角t:圓之形狀，故前端部1 〇 b之邊緣形狀係作成凸 曲線。在圖中，凸曲線的最平常例係採用凸之圓弧。上述 角之圓形係藉由使既定之圖案曝光而得。圓之半徑係為比 曝光裝置之解析度更大的值。藉此，可縮小汲極電極1〇的 設計形狀跟實際形狀之差，而能解決肇因於角變圓之汲極 電極1 0的面積變動以及伴隨面積變動而來的寄生電容之變 動、以及源極電極9跟汲極電極丨〇之間隔的變動之問題。
在源極電極9中，相向於汲極電極丨〇之邊緣，若就圖 之結構而言，凹部亦可作成具有凹曲線形狀之凹部9b。在 圖中，f曲線的最平常例係採用凹之圓弧。因此，汲極電 極1 0之岫端部1 0 b及源極電極9之凹部9 b之間所形成的通道 之形狀亦為曲線狀、就此處言之即為圓弧狀。 跟源極電極9中之凹部⑽相反的就是凸曲線形狀之邊 緣9c。在圖中，凸曲線的最平常例係採用凸之圓弧。在此 處，汲極電極10之前端部1〇b之凸的圓弧、源極電極9之凹 部9b之凹的圓弧、及邊緣9c之凸的圓弧皆為同心圓。因 此，/及極電極1 〇及源極電極9之間所形成的圓弧狀之通道
1222746 五、發明說明（14) :=;::1:源：：=中之凹部95及邊緣9。之間 亦即通道寬度為一 = 另外，在TFT Λ 特性變良好。 門抒雷朽5万主描中’藉由儘可能減小汲極電極1 0對於 同樣導地體島/物7… 導體島二物7之重V 小源極電極9對於閘極電極及半 Γ如=重二積= 、、相/5彳目，丨夕i 1原桎電極甲之凹部^為凹曲線（圓弧 緣9 C為凸曲線（圓弧）、源極電極9中之 凹部9 b跟邊緣9 c之間的雷搞宫♦氣 ^ 可有效地減低寄生度為-定且儘可能地細’就 算名ί外廿ί上述說明中所使料「圓弧」、「同心圓」 :名心並不一定要是幾何學上正確的圓。近似圓的曲 :比可達到㈣。其重點在於只要是能夠得 到比$先哀置的解析度更大的圓半徑之曲線即可。 之上= t光解析度更大的半徑在事前進行角變圓 之上述角、交0處理，施行於對TFT !的寄生電容或通 態之影響程度最大的汲極電極10及源極電極9之間、特 是汲極電極10之前端部10b及源極電極9之凹部⑽之 付到取佳效果，然其效果不僅於此，也可適用於其他地σ 方。例如·像素電極1 4本身、接觸用電極丨丨本身、接 ，極11及汲極電極10之連接部、源極電極9及源極配線8之 ，接部、閘極電極5本身、閘極電極5及閘極配線4之連接 部等。 2119.4401-PF；Peterliou.ptd 第17頁 1222746 五、發明說明（15) 、毐緣^ ί?第2由實施例之TFT 1中’在源極電極9跟閘極電極5 f f父又處，半導體島狀物7係往閘極電極5之外部些微 : 而开y成跟閘極電極5未重疊、跟源極電極g重疊之突 Ϊ部：ΞΓί，，在沒極電極10跟閉極電極5之邊緣的交叉 2舻鬥托Φ島狀物7係往閘極電極5之外部些微突出，而形 <甲D電極5未重疊、跟汲極電極1〇重疊之突出部。藉 2，上p厂構就可抑制源極電極9及汲極電極1 0跟閘極電 寄生電容之變動。此外，源極電極9側之 極10側之突出部係被間極電極5所遮蔽而 島大^ Λ之Λ狀態。藉此，由間極電極5突出的半導體 & < % 為肇因於未被閘極電極5遮住的光等造 成之光電變換作用而導致的黑古 之短路現象。而導致的-有導電性以及源極、汲極間 係如^各圖個^述m /組合成像素電極14並陣列化的狀況 、 θ不。上述第2實施例的TFT陣列2係跟第1實施 例的TFT陣列2有相里點。以下吁甘丄β 竹跟弟丄貫施 .； 以下就其相異點來進行說明。 ^ΐί Λ 1中，係於閘極絕緣膜6之上形成 7形成後，跟源極配線8 極15是在半導體島狀物 觸用電極η同時形成輔：；！：9、汲極電極10、及接 12所被覆。在保護；12二電極15亦由上被保護膜 15之接觸孔16。像素電極“ m於輔：電容用電極 連接於TFT i，並在另一方之維係3在一方之知通過接觸孔13 電容用電極15。 、通過接觸孔16連接於辅助 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第18頁 !222746 、發明說明（16) 位於像素電極1 4之下的閘極絕緣膜6跟保護膜丨2，除 了跟像素電極1 4及位於其下之電極或配線作絕緣之部份以 外幾乎皆去除，故像素電極14的大部份係直接接觸於基板 3。藉由如上述般去除位於像素電極丨4之下的絕緣膜或保 護膜，就可使透光量增加。 、 田像素電極1 4係以跟遮光性之閘極電極5不成平面性地 重@來配置，在其一角並設置有對應TFT i之缺口。藉 此，在該段之像素電極14及跟其鄰接之下一段像素電9極14 之間就產生了可收納TFT 1之空間。當除了如上述般m】 跟像素電極14不重疊來構成以外，於形成覆蓋TFT i之層 間絕緣層時，TFT i跟像素電極14亦可成平面性地重疊配 置。 助“ &用電極15係被上下夾於閘極絕緣膜6及保 膜12之間’並以跟閘極配線4成平面性地重疊 突出來設置。輔助電容用電極15之長度係跟像 電極1 4之短邊方向（閘極阳綠』 或略短。 極配線4之延伸方向）的長度相 接，孔16，係為像素電極14之短邊方向的長度的一 以下，並以可被納入相對於卩
範圍内較佳，或亦可被納;之TFT 1的投影， 的投影寬度範圍内、或亦可：：於f極配線4之源極電 勰田φ代1 1认机旦/今 万了被納入相對於閘極配線4之 觸用電極11的投影寬度範圍内。妙入 孔16偏向存在有TFT 1之側來/上述大小的名 接觸孔16存在之側不到達妾 接觸孔16不行，然而在沒有去
2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第19頁 1222746 五、發明說明（17) 二:側就無上述限制，故形狀的設計較為“。利用上 :二所產生的自由度，在此處即將露出輔助電容用電極 藉由上述缺口部的存在，可令得跟 寬’而防止鄰接像素電極彼此間之短 路或伴隨别者而來的顯示品質降低之現象。 之社ί 9。圖产及第1〇圖中係表示本發明之第3實施例的TFT 1 白為！ i 1中’源極電極9跟汲極電極10係呈以 極於上述源極電 來配置。因\ = 一直線上成整列之形狀 因此，源極電極9、汲極電極1 〇其長軸方向皆盘 源極配線8成直角，且跟閘極配線4成平行。 ，、 半導ΐίί物=極9、汲極電極1〇之大半部份亦皆與 :導？島狀物7成平面性地重疊，同時跟閘極電極 間，存在有半導體島狀物7及閘極絕緣膜6的狀 二 面式地重疊。源極電極9及没極電極】。其長轴；係跟成千 ，電極5之邊緣成直角交叉。源極電極9係具甲 狀物7之外部延伸出的部份並連接於源極有島 10係具有往半導體島狀物7之外部延伸出的部並及極電極 接觸用電極11。 1忉I遷接於 定之端源極電極9之前端部係以既 疋之間隔（通道寬度）相面向，在此處， 咣 ::10。係跟第2實施例的情形相同，其狀^ 平常的凸曲線之凸圓孤狀。源極電極9之前端部』：成呈為攻 2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第20頁 1222746 五、發明說明（18) 可收納汲極電極1〇之前端部1〇(：：的凹部9d，且該凹部9d的 輪靡形狀係呈最平常的凹曲線之凹圓弧狀。因此，在汲極 電極1 0的前端部1 〇 c跟源極電極9的凹部9 d之間所形成的通 道幵> 狀亦為圓弧狀。在源極電極9中之凹部9 d跟相反側之 邊緣9e亦成凸之圓弧狀。汲極電極1〇之前端部1〇c的凸之 圓弧、源極電極9之凹部9d的凹之圓弧以及邊緣9e的凸之 圓弧係形成為同心圓。 藉由上述結構，由於源極電極9及汲極電極1 〇係朝長 轴t向並列成一直線、且以其長軸方向作為對稱軸來形成 對％形狀，故容易成形為所設計之形狀，特別是在源極電 極9中其效果更為顯著。 又，因為源極電極9及汲極電極1 0係跟源極配線8成直 =般朝長軸方向並列成一直線、且令其長軸方向跟閘極電 ° ,之邊緣交又成直角來構成，故兩電極之位置即使往圖 ί 向（跟源極配線8平行之方向）些許偏移，閘極、 極電=寄生電容也不會變動。對此’當源極電極9及没 )偏移日士之位置往圖之橫方向（跟源極配線8垂直之方向 積=變及電極10跟問極電極5之重疊面 因此，以圖夕一亦卩Μ極、〆及極間之寄生電容會變動。 合，而以κπυ?要求須高精確度之位置吻 之位置吻合。 疋力丨艰的被要未須南精確度 另一方面，若源極配線8跟像幸 例如在源極配言電極14過於接近，則 線8及像素電極14之間即使存在有保護膜12
1ZZZ/4D 五、發明說明（19) :為::加極配線8之電壓亦會輕合於像素電極i4，而 L /因此，將源極配線8跟像素電極14 Γ;來形成時，就可求得往圖之橫方向 將Tf/i 置吻S。在上述第3實施例中，由於藉由 使Γ、/朽\極電極9及沒極電極1〇配置於圖之橫方向，可 ===8及像素電極14形成之際其對於圖之橫方向 合達高精確度，故可令被要求高精確度之方向變 更容易製造。 方向白要求兩精確度的情形 η揭^上！f第3實施例之171" 1 +，亦與第2實施例之㈣1 二 源極電極9之凹部9d為凹曲線（圓弧）、跟 w 緣96為凸曲線（圓弧），故源極電極9的凹 之間的電極寬度為一定且可非常、細，因此能 違到降低寄生電容之影響的效果。 n又，半導體島狀物7係以存在於跟源極電極g及汲極電 ° 且跟通道區域重疊之區域内較佳，除此以外的區域 Ι = ί在較佳。由於半導體島狀物7 一接觸到*就會因 心作用而產生漏電流，故前述構成之原因乃在於欲 =可能地排除上述漏電流之發生。半導體島狀物7之内跟 :極電極5重唛的部份，雖然因閘極電極5遮蔽了光而使其 接，到來自背光板之光，然而仍可被跟TFT陣列2相向配 置之彩色濾光器等所反射之光照射到。因此，半導體島狀 物7亦以儘可能地將跟閘極電極5重疊的區域之不需要部份 切除掉較佳。在此處，半導體島狀物7係以沿著源極電刻
1222746 五、發明說明（20) 及汲極電極1 0之輪廓作為輪廓形狀，而將 :r=:之部份切除…，半導體島狀 不易又先知射，而使得抒了！之各種特性的變動變少。 上述般將半導體島狀物7以沿著源極 ^廓作為輪_狀之設計手法，亦適用於第^ 實施例之TFT 1。 不只她例及弟2 及、及實施例之TFT 1的構造，也可使得源極電極9 ”極電極10之間變成非直線形狀（圓弧狀）之通道 Ξ緣：t ί 3通道全長。又，在源極電極9跟閘極電極5之 :出，而形成跟閘極電極5未重疊 及極電極丨。輪電極5之邊緣的交又處半導大 1極5未重豐、跟汲極電極10重疊之突出部。藉由 = ί = 極電極9及汲極電極10跟閉極電極5之間； =、寄電谷之變動。此外，由於源極電極9侧之突出 側之突出部係被閑極電極5所遮蔽而呈= 態’故由閘極電極5突出的半導體島狀物7就 辦換作=ί因於未被閉極電極5遮住的光等造成之光電 :換作用而導致的帶有導電性以及源極、汲極間之短路： 作二ΐί實施例之TFT陣列2，可利用於使用電晶體來 動用之顯示裝置，例如：在2片基板間夹ί 液曰曰顯示裝置’及有機或無機型之EL顯示裝置—方 2119-4401.PF;Peterli〇u.ptd 第23頁 國 1222746 五、發明說明（21) 曰曰 之基板。又，在上述各實施例中，雖係以利用非晶矽的逆 交錯型TFT為例來進行說明，然而亦可用於除此以外種類 之TFT例如順交錯型TFT，或藉由於半導體島狀物採用多 矽等所構成之TFT陣列。 【產業上之可利用性】 本發明為可廣泛利用於顯示裝置中的顯示像素驅動用 之電晶體’能獲得顯不狀悲穩定或顯不品質而的顯不裝 置，非常有用。
2119-4401-PF;Peterliou.ptd 第24頁

Claims (1)

  1. Z/40 曰 v 90124804 q I、懷2_ 線，^协糧顯不裝置’其以矩陣狀配置閘極配線與源極配 體，其特徵在於：線之又又^ ^又置電晶 之上上3晶體係在平面性地重叠於閘極電極之半導體声 上ΞΪΓ;定間隔相互面向之源極電極及波極電極； 在=極電極、汲極電極皆為具有長軸方向之形狀. 凹部在上述源極電極處係形成收納上述沒極電極前端部之 跟二由上述閘極電極突“ 態； 電極所遮蔽而相互呈獨立狀 上述半導體層中，盥閘 田 之未面向於沒極電極之側邊的部分，：= J電極 廓的輪廓形狀；以及 ，、有μ者源極電極輪 上述沒極電極斑卜冰、、店4 …請專利範二呈平⑽ =ίί上述源極配線所區劃化出的區域内配置上Λ 晶體及連接於該電晶體之像二 配置上述電 重疊於該閘極配線所配f;°並在上述閘極配線及 爽於閉極絕緣膜與保護之間配置上下 連接上述輔助電容用電極及：：：用電極’且將在用以 所形成的接解孔配置於偏向上^曰U ^上述保護膜中 位於上述辅助電容用電極之上的：：：2之側，同時在 的上迷像素電極之邊緣處， 1222746 月 ―修正 曰 案號 90124804 六、申請專利範圍 於跟上述接觸孔存在之側相反之側形成缺口部。 導二.二種 '曰曰:體’係在平面性地重叠於閘極電極之半 V體層之上，形成以既定間 、 弘性·^千 電極，其特徵在於·· °之源極電極及汲極 上述汲極電極之面向於上述源極電極之邊緣形妝A m 角之凸曲線，· <運、、水形狀為圓 上述源極電極之面向於上述汲極電極 應於汲極電極之邊緣形狀的凹曲線； 邊、味形狀為對 上述源極電極之未面向於上述汲極電 極電極之寬度大抵維持固定件，、 t，在源 向於上述没極電極之邊緣的凸曲線；者源極電極之面 3念f半導體層處係形成由上述閘極電極突出而跟 述源極電極和汲極電極重聶 电枝犬出而跟上 電極之突出部及重疊於上^ ，且重疊於上述源極 極電極所遮，而相互呈獨^狀態；=突出部係被上述閘 之未面向於汲極；：之：：：：重疊且，向於源極電極 局部切除。 、⑷为’係沿著源極電極輪廓 體層4之:種=既;=叠於閘極電極之” 極，其特徵在於·· 間隔相互面向之源極電極及汲極電 上述汲極電極之& ^ ^ , 圓弧； 向於上述源極電極之邊緣形狀為凸 上述源極電極之& 極電極和汲極電極之門^ ^ 、汲極電極側的邊緣，在源 大抵維持下，呈沿著汲 2119-4401-pfl.ptc 第26頁 修正
    案號90〗24804 六、申請專利範圍 極電極之邊緣的凹圓弧； 、眉托ί f源極電極之未面向於上述沒極電極側的邊緣，i 源極電極之寬度大抵維持固定 i的遺、、水在 面向於上述、方朽雷托y丨.条件下’呈沿著源極電極之 门於上述及極電極側之邊緣的凸圓弧，· 、、在上述半導體層處係形成由上述閘極 述源極電極和汲極電極重疊 ^犬 上 電極之突出部及重最於卜sir 重疊於上述源極 極電；&所碑1 且、述極電極之突出部係被上述閘 棧電極所遮蔽而相互呈獨立狀態；以及 上述半導體層中，盥閘極雷托舌号〇 夕土二人^ ，、网位電極重豐且面向於源極電極 _ 之未面向於汲極電極之側邊的部 廓之輪廓形狀。 ，、有&者源極電極輪 、f Λ 示裝置’係使用如申請專利範圍第3或4項所 述之電曰曰體來作為顯示用電晶體，其特徵在於·· 令閘極配線及源極配線配置成矩陣狀，並於上述閘極 配線及源極配線之交又部設置上述電晶體，且令上述電晶 體之上述沒極電極跟上述源極配線大抵成平行來配置。日日 、6· 一種顯示裝置，係使用如申請專利範圍第3或4項所 述之電晶體來作為顯示用電晶體，其特徵在於： 令源極配線及閘極配線配置成矩陣狀，並於上述源極 配線及閘極配線之交叉部設置上述電晶體，且令上述電晶 體之上述汲極電極跟上述源極配線大抵成直角來配置。 7·如申凊專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中，在 由上述閘極配線及上述源極配線所區劃化出的區域内配置 上述電晶體及連接於該電晶體之像素電極，並在上述閘極 配線及重養於該閘極配線所配置的下一段像素電極之間配
    2119-4401-pfl.ptc 第27頁 1222746
    案號 90124804 六、申請專利範圍 置上下夾於閘極絕緣膜與保護膜的輔助電容用電極，且將 在用以連接上述輔助電容用電極及上述像素電極之上述保 護膜中所形成的接觸孔配置於偏向上述電晶體存在之側了 同時在位於上述輔助電容用電極之上的上述像素電極之 緣處，於跟上述接觸孔存在之側相反之側形成缺口部。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中， 由上述閘極配線及上述源極配線所區劃化出的區域 上述電晶體及連接於該電晶體之像素電極，並在上 配線及重疊於該閘極配線所配置的下一段像素電極^二， 配置上下夾於閘極絕緣膜與保護臈的輔助電容用電y曰 將在用以連接上述輔助電容用電極及上述像素電極之 保濩膜中所形成的接觸孔配置於偏向上述電晶體 以 側，同時在位於上述辅助電容用電極 ;邊緣處’於跟上述接觸孔存在之侧相反：側極
    2119-4401-pfl.ptc 第28頁
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