TW594390B - Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same - Google Patents

Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same Download PDF

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Kouichi Misumi
Toshiki Okui
Hiroshi Komano
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594390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(] 技術領域 本發明有關厚膜用負型光阻組成物,光阻膜及使用這 些形成凸塊的方法。更詳細的說,本發明爲有關適於電路 基板的製造及半導體或電子零件的電路基板實裝時,形成 ,凸塊,形成配線,層間絕緣層,電路保護膜,及精密零件 加工•製造等可鹼性顯影的光加工厚膜用負型光阻組成物 先行技術 光加工係將感光性樹脂組成物塗覆於加工物表面,依 光平版印刷方法將塗膜圖像化,用此作爲罩膜,以單獨或 組合化學蝕刻、電解蝕刻或電鍍爲主體的電鑄技術,製造 精密零件的技術的總稱。現在已成爲精密微細加工技術的 主流。 近年來,隨著子機器的微小,L S I的高積體化及 A S I C化的急進,L S I爲搭載於電子機器要求實裝多 接點薄膜,T A B方式或倒裝片式的裸接點實裝受到注目 。此多接點實裝方法,稱爲凸塊的接觸用接線柱爲2 0 // m以上的突出電極,在基板上必要有高精度化的配置, 今後因應L S I的小型化凸塊的高精度化有更上一層的要 求。又,爲補助上述接觸用接線柱間的配線的形成,經常 可見使用再接線步驟形成晶體與接觸用接線柱的配線。& 時,使用5〜2 0 // m左右的阻膜形成配線圖像。 如此形成凸塊時厚膜用光阻膜可作爲凸塊形成材料, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7五、發明説明(j 或配線再材料使用。厚膜用光阻膜係指可於基板上大約形 成5 u以上膜厚的祖膜。此厚膜圖像作爲罩膜,由電鍍步 驟形成凸塊。 例如日本特開平1 〇 - 2 0 7 5 0 7號公報,日本特 開2 0 0 0 — 3 9 7〇9號公報、日本特開2〇0 0 — 6 6 3 8 6號公報,揭示作爲凸塊形成用或配形成用所使 用的厚膜用感光性樹脂組成物。但是此等向來所使用的厚 膜用感光性樹脂組成物,由於膜厚,爲使阻膜全範圍能充 分反應,需要大量的反應引發劑。但是,反應引發劑多的 時候,相溶性變差,保存安定性下降。因此,要求高感度 的反應引發劑。 一方面,高感度的感光性樹脂組成物,已知有使用氧 發生劑的化學放大型阻膜。化學放大型阻膜的特徵爲依放 射線照射,由含有氧發生劑的成分所產生的量子酸,於曝 光後的加熱處理,樹脂組成物中的主樹脂等引起氧化催化 反應。基於如此與向來光反應效率(每一光子的反應)低 於1的阻膜比較已達成飛躍的高感度化。作爲化學放大型 負型阻膜的代表例如記載於Proceeding of SPIE, 1086卷,34 — 47頁L_E. Bogan的聚乙烯苯酚與密 胺衍生物的組合阻膜。但是,使用此化學放大型阻膜作成 厚膜時,發生裂紋,不能得到必要的電鍍耐性。 發明揭示 因此本發明的目的,係解決上述向來技術的問題,即 ^紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) " -5- ^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 P. 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7五、發明説明(g 提供高感度,電鍍耐性良好,適於厚膜用負型光阻膜組成 物,且適宜厚膜形成凸塊形成用材料,熱光阻膜及使用這 些形成凸塊的方法。 申請專利範圍第1項的發明,係含有(A )酚醛淸漆 型樹脂、(B )可塑劑、(C )交聯劑、及(D )氧發生 劑爲特徵的厚膜用負型光阻組成物。 申請專利範圍第3項的發明,係如申請專利範圍第1 項之厚膜用負型光阻組成物,其中(A )成分爲鹼可溶性 酚醛淸漆型樹脂。 申請專利範圍第3項的發明,係如申請專利範圍第1 項之厚膜用負型光阻組成物,其中(B )成分爲鹼可溶性 丙烯基系樹脂。 申請專利範圍第4項的發明,係如申請專利範圍第1 項之厚膜用負型光阻組成物,其中(B )成分爲鹼可溶性 乙烯基系樹脂。 申請專利範圍第5項的發明,係如申請專利範圍第1 項之厚膜用負型光阻組成物,其中(C )成分爲烷氧基甲 基化胺基樹脂。 申請專利範圍第6項的發明,係如申請專利範圍第5 項之厚膜用負型光阻組成物,其中烷氧基甲基化胺基樹脂 係由甲氧基甲基化三聚氰胺樹脂、乙氧基甲基化三聚氰胺 樹脂、丙氧基甲基化三聚氰胺樹脂、及丁氧基甲基化三聚 氰胺樹脂中至少選擇一種。 申請專利範圍第7項的發明,係如申請專利範圍第1 本紙張尺度適ϋ國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐) ' " " -6- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 P. 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(j 項之厚膜用負型光阻組成物,其中(D )成分爲三嗪化合 物。 申請專利範圍第8項的發明,係一種光阻膜,其特徵 爲如申請專利範圍第1乃至7項之厚膜用負型光阻組成物 塗覆於基板上,乾燥形成5〜1 0 0 /z m的膜。 申請專利範圍第9項的發明,係一種凸塊的形成方法 ,其特徵爲以如申請專利範圍第1乃至7項之厚膜用負型 光阻組成物塗覆電子零件的基板上,所得的塗膜介入所定 的圖像罩膜,以放射線照射,加熱,顯影後,進行電鍍的 方法。 發明之最佳實施形態 以下說明本發明相關的組成物。 (A )酚醛淸漆型樹脂 本發明所使用的(A )酚醛淸漆型樹脂,以鹼可溶性 者爲理想。如此的(A )酚醛淸漆型樹脂,例如由具苯酚 性羥基芳香族化物(以下以「苯酚類」稱之)於酸催化劑 下與醛類加成縮合所得。此時所使用的苯酚類可列舉如苯 酚、鄰一甲酚、間一甲酚、對一甲酚、鄰一乙基苯酚、間 -乙基苯酚、對-乙基苯酚、鄰-丁基苯酚、間- 丁基苯 酚、對一丁基苯酚、2,3二甲苯酚、2,4二甲苯酚、 2 ,5二甲苯酚、2 ,6二甲苯酚、3 ,4二甲苯酚、3 ,5二甲苯酚、2 ,3 ,5三甲基苯酚、3 ,4 ,5三甲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 5 -7- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 594390 A7 B7
五、發明説明(I 基苯酣、對一苯基苯酣、間苯二、對苯二酣、間苯二酣 、對苯二酚、對苯二酚單甲基醚、焦掊酚、間苯三酣、經 基二苯、雙 A、沒食子酸、沒食子酸酯、α 一萘酣、点 萘酚等。又,醛類可列舉如甲醛、對-甲醛、仲甲醛、糠 酵、苯甲酸、硝基苯甲醛、乙酸等。作爲加成縮合反應時 的催化劑無特別的限制,例如酸催化劑使用鹽酸、硝酸、 硫酸、甲酸、草酸、醋酸等。 酣.淸漆型樹脂的重量平均分子量無特別限制,以 5,0 0 0 〜1 3 0,〇 〇 0 爲理想。 每1 0 0重量份(A )〜(D )成分總量對上述(A )成分以5 0〜9 5重量份,理想可含有6 5〜8 0重量 份的範圍。(A )成分低於5 0重量份時,耐電鍍液性, 凸塊形狀,剝落性有下降的情形,不理想,超過9 5重量 份時,顯影時產生顯影不良不理想。 (B )可塑劑 本發明所使用的(B )可塑劑,可舉例如具乙烯性雙 鍵的聚合物等,其中亦以採用丙烯基系聚合物或乙烯基系 聚合物爲理想。以下說明使用丙烯基系聚合物或乙烯基系 聚合物作爲(B )成分的例。 有關本發明的(B )成分,特別是丙烯基系聚合物, 以鹼可溶性者爲理想,由具醚基鍵聚合性化合物所衍生的 構成單位,及由具羧基聚合性化合物所衍生的構成單位爲 理想。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -- 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 594390 A7 B7 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 五、發明説明(g 作爲具基鍵聚合性化合物可例示如2 一甲氧基乙基 (甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、 3 -甲氧基丁基(甲基)丙烯酸酯、乙基卡必醇(甲基) 丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲基聚丙 二醇(曱基)丙烯酸酯、四氫化糖醛醇(甲基)丙烯酸酯 等的具醚基鍵及醚基鍵(甲基)丙烯酸衍生物,理想爲2 一甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基 )丙烯酸酯。可使用單獨或二種以上組合的此等的化合物 〇 作爲具羧基聚合性化合物可例示如丙烯酸、甲基丙烯 酸、丁烯酸等的單羧酸,馬來酸、富馬酸、甲叉丁二酸等 的二羧酸,2 —甲基丙烯醯羥乙基琥珀酸、2 —甲基丙烯 醯羥乙基馬來酸、2 -甲基丙烯醯羥乙基鄰苯二甲酸、2 一曱基丙烯醯羥乙基六氫鄰苯二甲酸等的羧基及具醚基鍵 甲基丙烯酸衍生物,理想爲丙烯酸、甲基丙烯酸。可使用 單獨或二種以上組合的此等的化合物。 關於丙烯基系聚合物之具醚基鍵聚合性化合物爲3 0 〜9 0重量%,理想爲4 0〜8 0重量%。超過9 0重量 %時,對(A )酚醛淸漆型樹脂溶液的相溶性惡化,預焙 時發生BENERD CELL (因重力或表面張力傾斜度塗膜表面 生成具不均勻性五〜七角的網狀模樣),有不易得到均勻 的阻膜傾向,低於3 0重量%電鍍時有發生龜裂的傾向。 關於丙烯基系聚合物之具羧基聚合化合物爲2〜5 0 重量%,理想爲5〜4 0重量%。低於2重量%時丙烯基 ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ΦΙ. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 594390 Α7 Β7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明() 樹脂的鹼可溶性降低,不能得到充分的顯影性。又剝落性 降低基板上阻膜產生殘膜。超過5 0重量%時,顯影後的 膜率的降低或耐電鍍性有惡化的傾向。 丙烯基系聚合物的重量平均分子量爲1 〇,〇 0 0〜 800 ,〇 00 ,理想爲 30 ,000 〜500 ,000 。低於1 0,0 0 0時不能得到充分度的阻膜,引起電鍍 時的外形膨脹,發生龜裂的傾向。超過8 0 0,0 0 〇時 密合性有下降的傾向。 更且,丙烯基聚合物可含於其他自由基聚合性化合物 ,作爲適度控制物理的、化學的特性的單體。此所謂「其 他的聚合性化合物」,係前所提聚合性化合物以外的自由 基聚合性化合物。作爲此自由基聚合性化合物可使用甲基 (甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基 )丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸烷基酯類;2 -羥基乙基 (甲基)丙烯酸酯、2 -羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等的 (甲基)丙烯酸與羥基烷基酯類;苯基(甲基)丙烯酸酯 、苄基(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸芳基酯;馬 來酸二乙基酯、富馬酸二丁基酯等的二羧酸二酯類;苯乙 烯、α -甲基苯乙烯等的含乙烯基芳香族化合物;醋酸乙 烯酯等的含乙烯基脂肪族化合物;丁二烯、異丙烯等的共 軛二烯類;丙烯腈、甲基丙烯腈等的含腈基聚合化合物; 氯乙烯、偏氯乙烯等的含聚合性化合物;丙烯醯胺、甲基 丙醯胺等的含醯胺鍵聚合性化合物。可使用單獨或二種以 上組合的此等的化合物。其中,以η - 丁基丙烯酸酯、甲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 6 -10- 594390 A7 ______ B7 五、發明説明(^ 基丙烯酸酯、甲基甲基丙烯酸酯等爲理想。其他自由基聚 合性化合物佔丙烯基系聚合物的5 〇重量%以下爲理想, 更理想爲低於4 0重量%。 作爲丙烯基系聚合物合成時的聚合溶媒,可使用乙醇 '一乙一醇等的醇類;乙二醇單甲基醚、二乙二醇單甲基 酸 '二乙二醇乙基甲基醚等的多價醇的烷醚類;乙二醇乙 麟醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯等的多價醇的烷醚醋酸酯; 甲苯、二甲苯等的芳香族烴類;丙酮、甲異丁基酮等的酮 類;醋酸乙酯、醋酸丁酯的酯類等。其中,以多價醇的烷 醚類、多價醇的烷醚醋酸酯類爲理想。 作爲丙烯基系聚合物合成時的聚合催化劑,通常可使 用自由基聚合引發劑,例如2,2, -偶氮二異丁基腈等 的偶熱化合物;;基過氧化物、二一 t 一丁基過氧化物等 的有機過氧化物。 又’依本發明,可選用乙烯基系聚合物作爲理想的( B )成分。此處本發明所謂的乙烯基系聚合物係由乙烯基 系化合物所得的聚合物。 例,聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚醋酸乙 燏、聚苯甲酸乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸 、聚丙烯酸酯、聚馬來酸亞醯胺、聚丙烯醯胺、聚丙烯腈 、聚乙烯苯酚及此等的共聚合物等。 此等的樹脂中以樹脂分枝鏈或主鏈具羧基或苯酚性羥 基之可鹼性顯影者爲理想。特別是含羧基的樹脂具高鹼性 顯影性爲理想。又,乙烯系聚合物的平均分子量爲 i纸張尺度適财關家辟(CNS ) Α规格(210X297公釐) " "" -^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -11 - 594390 Α7 Β7 五、發明説明(a 1〇,000 〜200,000,以 50’ 000 〜 1 0 0,0 0 0爲理想。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 每1 0 0重量份(A )〜(D )成分總量對上述(B )成分以5〜3 0重量份,理想可含有1 〇〜2 0重量份 的範圍。上述(B )成分低於5重量份時’電鍍時阻膜浮 動,發生龜裂等,耐電鍍性下降,超過3 0重量份時,所 形成的阻膜的度降低,因膨脹而不能得到鮮明的輪廓’解 像度有下降的傾向。 (C )交聯劑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可作爲本發明所使用的交聯劑(以下以(C )成分稱 之)之氨基化合物,例如三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、鳥糞 胺樹脂、甘胺甲醛樹脂、琥珀醯酵醯胺甲醛樹脂、乙烯尿 素-甲醛樹脂等,特別適於使用的如烷氧甲基化三聚氰胺 樹脂或烷氧基甲基化尿素樹脂等的烷氧甲基醯胺樹脂等。 上述烷氧甲基醯胺樹脂,例如可於沸騰水溶液中使密胺或 尿素與甲醛反應得到的縮合物,以甲醇、乙醇、丙醇、丁 醇、異丙醇等的低級醇類酯化,使反應液冷卻析出而製造 。作爲上述烷氧甲基醯胺樹脂,具體的可列舉如甲氧基甲 基化二聚氰胺樹脂、乙氧基甲基化三聚氰氰胺樹脂、丙氧 基甲基化三聚氰胺樹脂、丁氧基甲基化三聚氰胺樹脂、甲 氧基甲基化尿素樹脂、乙氧基甲基化尿素樹脂、丙氧基甲 基化尿素樹脂、丁氧基甲基化尿素樹脂等。上述烷氧基甲 基化醯胺樹脂可單獨或二種以上組合使用。特別是院氧基 I紙張尺度適财顚家縣(c叫鐵格(21QX 297公爱) ~ —----- !γϊ -12- 594390 A7 B7 i、發明説明( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甲基化三聚氰胺樹脂,放射線的放射量的變化對阻膜圖像 的尺寸變化量最小,可形成安定的阻膜圖像爲理想。其中 ,以甲氧基甲基化三聚氰胺樹脂、乙氧基甲基化三聚氰胺 樹脂、丙氧基曱基化三聚氰胺樹脂及丁氧基甲基化三聚氰 胺樹脂爲合適。 每1 0 0重量份(A )〜(D )成分總量對上述(t )成分以1〜3 0重量份,理想可含有5〜2 0重量份的 範圍。上述(C )成分低於1重量份時,所得厚膜的耐電 鍍性、耐藥品性、密合性下降,或形成的凸塊形狀不良, 不理想,又超過3 0重量份時,顯影時引起顯影不良,不 理想。 (D )氧發生劑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可作爲本發明所使用的氧發生劑(以下以(D )成分 稱之)之,能以光直接或間接的發生氧氣的化合物即無特 別限制,具體的如,2,4 一雙(三氯甲基)—6 —〔 2 一(2 —咲喃基)乙燃基〕—s —三嗪、2,4 —雙(三 氯甲基)一 6 — 〔2 -(5 -甲基一 2 —呋喃基)乙烯基 〕—s —三嗪、2 ,4 —雙(三氯甲基)—6 —〔2 —( 5 —乙基一2 —咲喃基)乙嫌基〕—s -三嗦、2,4 — 雙(三氯甲基)一 6 —〔2 -(5 -丙基—2 -呋喃基) 乙烯基〕一s —三嗪、2 ,4—(三氯甲基)—6 —〔2 一 (3 ,5 —二甲氧基苯酚)乙烯基〕一 s —三嗪、2, 4 —雙(三氯甲基)一 6 —〔2 -(3 ,5 —二乙氧基苯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0'乂29?公釐) -13- 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(L 酚)乙烯基〕一 s —三嗪、2 ,4 一雙(三氯甲基)一 6 一〔2— (3 ,5 -二丙氧基苯酚)乙烯基〕一 s -三嗪 、2 ,4 —雙(三氯甲基)一6 — 〔2 — (3 —甲氧一 5 —乙氧基苯酚)乙烯基〕—s —三嗪、2 ,4 一雙(三氯 甲基)一 6 —〔2 — (3 -甲氧—5 -丙氧基苯酚)乙烯 基〕—s —三嗪、2,4 —雙(三氯甲基)一6 —〔2 — (3 ,4 一甲二氧基苯基)乙烯基〕一 s —三嗪、2 ,4 —雙(三氯曱基)—6 —(3 ,4 —甲二氧基苯基)一 s 一三嗪、2 ,4 —雙(三氯甲基)一 6 -(3 -溴—4 — 甲氧基)苯基一 s —三嗪、2 ,4 一雙(三氯甲基)一 6 一(2 —溴—4 —甲氧基)苯基—s —三嗪、2,4 —雙 三氯甲基一 6 — (2 —溴一 4 —甲氧基)苯醯苯基一 s — 三嗪、2 ,4 一雙一三氯甲基—6 — (3—溴—4 —甲氧 基)苯基一 s -三嗪、2 -(4 —甲氧基苯基)一 4 一 6 一雙(三氯甲基)—1 ,3 ,5 —三嗪、2 — (4 —甲氧 基萘基)一 4 一 6 -雙(三氯甲基)一 1 ,3 ,5 —三嗪 、2 -〔2 -(2 —呋喃基)乙烯基〕一 4 一 6 —雙(三 氯甲基)一1 ,3 ,5 —三嗪、2 — 〔2— (5 —甲基― 2呋喃基)乙烯基〕一 4 — ·6 —雙(三氯甲基)一 1 ,3 ,5 -三嗪、2 -〔2 -(3 ,5二甲氧基苯基)乙烯基 〕—4 — 6 -雙(三氯甲基)—1 ,3 ,5 —三嗪、2 — 〔2 —(3 ,4二甲氧基苯基)乙烯基〕一 4 一 6 -雙( 三氯甲基)—1 ,3 ,5 -三嗪、2— ( 3 ,4甲二氧基 苯基)—4 — 6 -雙(三氯甲基)—1 ,3 ,5 —三嗪、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐)2 -14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594390 A7 Β7 五、發明説明( 12 二(1 ,3 -一溴丙基)—1 ,3,5- 三嗪、三(2, 3 —二溴丙基)—1 ,3 ,5 -三嗪等含鹵素三嗪化合物 及三(2 ,3 -二溴丙基)三聚異氰酸酯等下述的一般式 所示含鹵素三嗪化合物; 〇^^丫0R3/NyNv (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
(式中,R R3所示可各自爲相同或相異的鹵素化烷基 α -(p —甲苯磺醯氧基亞醯胺)一苯基乙醯腈、α (苯磺醯氧基亞醯胺)一 2,4 一二氯苯乙醯腈,α -(苯磺醯氧基亞醯胺)一 2,6 -二氯苯乙醯腈,α — 2 -氯苯磺醯氧基亞醯胺)-4 -甲氧基苯乙醯腈,α (乙基磺醯氧基亞醯胺)- 1 -環戊烯基乙醯胺等下述 般式所示之化合物 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇—so2r5) (式中所示R4爲一價〜三價的有機基,R5爲換、未置換 的飽和烴基、不飽和羥基或芳香族性化合物基,η爲1〜 3的自然數。其中,芳香族性化合物的基係指具芳香族化 合物特有的物理、化學的性質化合物的基,例如苯基、萘 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -15- 594390 A7 B7 13 五、發明説明( 基等的芳香族烴基或呋喃基、硫戊基等的複元素環基。此 等係於環上可具1個以上適當的如鹵原子、烷基、烷氧基 、硝基等的置換基。又,R 5以碳數1〜4的烷氧基爲特另[」 理想,可列舉如甲基、乙基、丙基、丁基。作爲上述一般 式所示氧發生劑,當n = l時,R4爲苯基、甲基苯基、甲 氧基苯基之任一者,R 5爲曱基的化合物,具體的可列舉如 ^ 一(甲基磺醯氧基亞醯胺)一 1 一苯基乙醯胺、α -( 甲基磺醯氧基亞醯胺)- 1—(甲基苯基)乙醯胺、α-(甲基磺醯氧基亞醯胺)- 1 一(甲氧基苯基)乙醯胺。 上述一般式所示氧發生劑,具體的可列舉如下述化學式所 示的氧發生劑。) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
H3C—S—〇 一 Ν=9 iN
〇—S~CH3 〇2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
°2 CN
F3C—S—O—N=c °2 iN
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 594390 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明(j4 雙(P -甲基磺醯)二偶氮甲烷、雙(1 ,1 一甲基 乙基磺醯)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯)二偶氮甲烷、 雙(2,4 一二甲基苯基磺醯)二偶氮甲氮等的雙磺醯二 偶氮甲烷類;P -甲苯基磺酸2 -硝基苄、P -甲苯基磺 酸2 ,6 -二硝基苄、硝基苄對苯磺醯酸酯、二硝基苄對 苯磺醯酸酯、硝基爷磺酸酯、硝基;碳酸酯 '一硝基;碳 酸酯等的硝基苄衍生物;焦掊酚三對苯磺醯酸酯、苄基對 苯磺醯酸酯、N -甲基磺醯氧基琥珀醯亞胺、N -三氯甲 基磺醯氧基琥珀醯亞胺、N -苯基磺醯氧基琥珀醯亞胺、 N -甲基磺醯氧基對苯二甲酸醯亞胺等的磺酸J旨;二苯基 碘六氟磷酸鹽、(4-甲氧基苯)苯基碘三氟甲焼磺酸鹽 、雙(p — t e I* t - 丁基苯基)碘三氟甲基磺酸鹽、三 苯基鎏六氟磷酸鹽、(4-甲氧基苯基)二苯基鎏三氟甲 烷磷酸鹽、(p - tert—基苯基)二苯基鎏三氟甲烷 磺酸鹽等的鑰鹽;苯偶因對苯磺酸酯、α -甲基苯偶因對 苯磺酸酯等的苯偶因對苯磺酸酯類;其他的二苯基碘鹽、 三苯基鎏鹽、苯基重氮鑰鹽、苄基碳酸酯等。特別是使用 三嗪化合物作爲光氧發生劑爲理想其性能高,且使用溶劑 時亦有良好的溶解性。其中亦以含之三嗪化合物,特別是 使用2,4 一雙—三氯甲基—6 -(3 —溴一 4 —甲氧基 )苯基—s —三嗪、2,4 —雙三氯甲基一 6— (2 —溴 一 4 —甲氧基)苯乙烯基一 s -三嗪、三(2 ,3 -二溴 丙基)三聚異氰酸酯爲合適。 每1 0 〇重量份(A )〜(D )成分總量對上述(D 本紙張尺度適用中.國國準(CNS ) A4規格(210><297公^) " 5 -17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 594390 A7 B7 五、發明説明()5 )成分以0 · 0 1〜5重量份,理想可含有0 · 〇 5〜1 重量份,更理想爲〇 · 1〜〇 · 5重量份的範圍。上述( D )成分低於0 · 〇 1重量份時,由熱或光的交聯硬化不 能充分進行,所得厚膜的耐電鍍性、耐藥品性、密合性下 降’或形成的凸塊形狀不良,不理想,又超過5重量份時 ’顯影時引起顯影不良,不理想。 更且,本發明的厚膜用感光性組成物爲調節粘度可用 適當的溶劑配合。作爲上述有機溶劑,具體的可列舉如乙 二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二 醇單丁基醚.、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇 二丙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單 丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙 基醚、丙二醇二丙基醚、丙二醇二丁基醚、二乙二醇單甲 基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單苯基醚、二乙二醇 二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、乙二醇單甲基醚醋酸酯、 乙二醇單乙基醚醋酸酯、乙二醇單丙基醚醋酸酯、乙二醇 單丁基醚醋酸酯、乙二醇單苯基醚醋酸酯、二乙二醇單曱 基醚醋酸酯、二乙二醇單乙基醚醋酸酯、二乙二醇單丙基 醚醋酸酯、二乙二醇單丁基醚醋酸酯、二乙二醇單苯基醚 醋酸酯、丙二醇單甲基醚醋酸酯、丙二醇單乙基醚醋酸酯 、丙二醇單丙基醚醋酸酯、2 -甲氧基丁基醋酸醋、3 一 甲氧基丁基醋酸酯、4 -甲氧基丁基醋酸酯、2 一甲基一 3 -甲氧基丁基醋酸酯、3 —甲基- 3 —甲氧基丁基醋酸 酯、3 —乙基3 -甲氧基丁基醋酸酯、2 -乙氧基丁基醋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) b -18- ^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594390 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明() 16 酸酯、4 -乙氧基丁基醋酸酯、4 —丙氧基丁基醋酸酯、 2 —甲氧基戊基醋酸酯、3 -甲氧基戊基醋酸酯、4 一甲 氧基戊基醋酸酯2 -甲基一 3 -甲氧基戊基醋酸酯、3 - 甲基4——甲氧基戊基醋酸酯、4 —甲基4——甲氧基戊 基醋酸酯 '丙酮、甲乙基酮、二乙基酮、甲異丁基酮、乙 異二丁基酮、四氫呋喃、環己酮、丙酸異丙酯、2 一羥基 丙酸甲酯、2 —羥基丙酸乙酯、2 —羥基—2 —甲基、甲 基一 3 -乙氧基丙酸酯、乙基—3 -丙氧基丙酸酯、乙基 一 3 -乙氧基丙酸酯、乙基一 3 -丙氧基丙酸酯、異丙基 一 3 -甲氧基丙酸酯、甲氧基醋酸乙酯、羥基醋酸乙酯、 2 —羥基一 3 —甲基丁酸甲酯、醋酸甲酯、醋酸丙酯、醋 酸異丙酯、醋酸丁酯、醋酸異戊酯、碳酸甲酯、碳酸乙醋 、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮 酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯醋酸甲酯、乙醯醋酸乙酯、节 基甲基醚、苄基乙基醚、二己基醚、醋酸苄酯、苯甲酸乙 酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、r 一 丁內酯、苯、甲苯 、二甲苯、環己酮、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、環 己醇、乙二醇、二乙二醇、甘油等。此等可單獨或二種以 上混合使用。 此等的溶劑的使用量、以得到的厚膜用負型光阻膜組 成物’使用fe轉塗覆法爲能得到2 0 // m以上的膜厚,固 體成分濃度在6 5重量%以下爲理想。固體成分濃度超過 6 5重量%時組成物的流動性顯著惡化,操作上有困難, 以旋轉塗覆法不能得到均勻的阻膜。 ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(2!0X297公釐) -19- 594390 A7 B7 1 - — - _ 五、發明説明(& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 加入上述各成分的本發明的組成物,依必要可含有三 乙基胺、三丁基胺、二丁基胺、三乙醇胺等的第二級或第 二級胺等的硬化劑。 本發明的組成物,爲提高塗覆性、消泡性、調整性等 的目的’依必要可配合界面活性劑使用。作爲界面活性劑 ,可列舉如陰離子系、陽離系、非離子系的各種界面活性 劑。例如可使用 B Μ — 1 〇 〇 〇、b Μ - 1 1 〇 〇 ( B Μ CHEMI 公司製),MEGAFAC F142D、同F172、 F173、同F183 (日本大日本油墨化學工業(株) 製),FLO RIDE FC— 135、同 FC — 170、同 FC — 430、同FC — 431 (日本住友3M (株)製 ),SAFLON S— 112、同 S — 113、同 S— 131 、同S— 141、同S— 145 (日本旭硝子(株)製) ,SH— 28PA、同一190、同一193 、SZ — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 0 32 、SF — 8428、(曰本東 RAY SILICON (株 )製)等的名稱的市售氟系界面活性劑。此等之界面活性 劑的使用量,每1 0 0重量份(A )酚醛淸漆型樹脂使用 5重量份以下爲理想。 本發明的組成物爲提高與基板的接合性,亦可使用接 合助劑。使用作爲接合助劑以官能性矽烷偶合劑爲有效。 此處,官能性矽烷偶合劑意味著具羧基、甲基丙烯醯基、 異氰酸酯基、環氧基等的反應置換基矽烷偶合劑,具體的 可列舉如三甲氧基甲矽烷基苯甲酸、r 一甲基丙烯醯基丙 基三甲氧基矽烷、乙烯三乙醯氧基矽烷、乙烯三甲氧基矽 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐 -20- 594390 A7 ______ B7 ____ 五、發明説明(& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 院、r 一環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、/3 - (3 ,4 一 環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。其合量以每1 0 0重 量份(A )酚醛淸漆型樹脂使用2 0重量份以下爲理想。 又,本發明的組合物爲進行對鹼性顯影液溶解性作微 調整,可添加如醋酸、丙酸、η -丁酸、異丁酸、η -戊 酸、異戊酸、苯甲酸、肉桂酸等羧酸;乳酸、2 -羥基丁 酸‘、3 -羥基丁酸、水楊酸、m -羥基苯甲酸、ρ -羥基 對苯甲酸、2 -羥基肉桂酸、3 ——羥基肉桂酸、4 一一 羥基肉桂酸、5 -羥基間苯二酸、丁香苷酸等的羥基單羧 酸;草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸、甲叉丁二 酸、六氫鄰苯二甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二 甲酸、1 ,2 -環己烷二羧酸、1 ,2 ,4 —環己烷三羧 酸、偏苯三酸、均苯四甲酸、環戊烷四羧酸、丁烷四羧酸 、1 ,2,5 ,8 -萘四羧酸等的多價羧酸;甲叉丁二酸 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 酐、琥珀酸酐、檸康酸酐、十二碳烯基酸酐、三苯胺基甲 酸酐、馬來酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲 酸酐、Himicacid、1,2,3 ’ 4 — 丁烷四羧酸、環戊烷 四羧酸二酐、萘二甲酸酐、苯四甲酸酐、偏苯三酸酐、二 苯曱酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酐酯、甘油三偏苯三 酸酐等的酸酐。更且,N —甲基甲醯胺、N,N —二甲基 甲醯胺、N —甲基甲醯替苯胺、N —甲基乙醯基甲醯胺、 N,N二甲基乙醯基甲醯胺、N —甲基吡咯烷酮、二甲基 亞碼、苄基乙基醚、二己基醚、丙酮基丙酮、異富爾酮、 己酸、辛酸、1 一辛醇、1 一壬醇、苄基醇、醋酸苄酯、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) ' 丨 9 -21- 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明()9 苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、馬來酸二乙酯、r 一丁內酯、 碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、苯基溶纖素醋酸酯等的高沸點 溶媒。 爲對上述鹼顯影液溶解性進行微調整,化合物的使用 量因應用途、塗覆方法而作調整,組成物能均勻混合者即 無特別限制,爲所得組成物之6 0重量%以下,理想爲 4 0重量%以下。 更且.,本發明的組成物依必要可添加塡充劑、著色劑 、粘度調整劑等。塡充劑如矽、氧化鋁、滑石粉、澎潤土 、矽酸鍩、玻璃粉未等。著色劑如鋁白、粘土、碳酸鋇、 硫酸鋇等的體質顏料;鋅白、鉛白、黃鉛、鉛丹、紺青、 二氧化鈦、鉻酸鋅、鐵丹、碳黑等的無機顏料;豔洋紅 6 B、永久紅6 B、聯苯胺黃、菁藍、菁綠等的有機顏料 i洋紅、蕊香紅等的鹼性染料;直接猩紅、直接橙等的直 接染料;羅色靈、米塔尼爾黃等的酸性染料等。又,粘度 調整劑如澎潤土、矽膠、鋁粉等。此等的添加劑在損及組 成物的本質特性範圍,理想爲組成物5 〇重量%以下。 又’本發明的組成物依必要可添加消泡劑、其他添加 劑。消泡劑如矽系、氟系各種消泡劑。 本發明的組合物的調製,不添加塡充劑、顏料時,以 通常的方法混合,攪拌即可,添加塡充劑、顏料時,使用 溶解器、均質機、三輥油墨混練機等的分散機予以分散、 混合。又,依必要更進一步以網目、膜濾器過濾之。 又’本發明的組成物適合於厚膜用,其利用範圍並不 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 衣 訂 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二;„ A7 _ B7 ________五、發明説明(& 限定於此,例如可使用爲銅、鉻、鐵、玻璃基板等的各種 基板的蝕刻時的保護膜或半導體製造用阻膜。 本發明的組成物作爲光阻膜時的厚度爲5〜1 0 〇 // m,理想爲5〜4 0 // m,更理想爲2 0〜3 0 // m。 以本發明的組成物作爲阻膜薄膜形成凸塊,依下述方 法進行。 (1 )塗膜的形成:如上述所調製的組成物的溶液於 已具指定配線圖像的基板上塗覆5〜1 0 0 // m的厚度, 理想爲2 0〜4 0 // m,加熱除去溶媒形成所望的塗膜。 被處理基板可採用旋轉法、輥輪法、網板印刷法、塗覆機 法等的方法塗覆。本發明的組成物的塗膜的預焙條件依組 成物中的各成分的種類、配合比例、塗覆膜厚度等而異, 通常爲7〇〜1 3〇°C,理想爲8 0〜1 2 0 °C,預焙2 〜6 0分鐘左右。 (2 )放射線照射:所得的塗膜介入所定的圖像罩膜 ,以放射線,例如波長3 0 0〜5 0 0 n m紫外線或可視 光線照射,在配線部需形成凸塊的地方加以曝光。此放射 線的光線源可用低壓水銀燈、局壓水銀鏡、超尚壓水銀燈 、金屬高熾燈、氬氣電射等。此處的放射線意味著紫外,線 、可視光線、X光線、電子光線等。放射線照射量依組成 物中的各成分的種類、配合比例、塗覆膜厚度等而異,例 如使用超高壓水銀燈時爲1 0 0〜2 0 0 〇m J/cm2。 (3 )加熱:曝光後,以公知的方法加熱之。 (4 )顯影:有關放射線照射後的顯影方法,以_个生 本紙張尺度適用中.國國家操準(CNS) A4規格(210X297公釐) ' -- 1 -23- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 594390 A7 B7 五、發明説明(1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 水溶液作爲顯影液使用’不要的部份以溶解除去,僅放射 線未照射部份溶解除去。有關的顯影液可使用如氫氧化鈉 、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、曱基矽酸鈉、氨水、乙基 胺、η -丙基胺、二乙基胺、二一 η —丙基胺、三乙基胺 、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三甲醇乙基胺、四甲基 氫氧化銨、甲乙基氫氧化銨、吡咯、哌啶、1 ,8 —二氮 二環〔5,4,0〕— 7 —十一碳院、1,5 —二氮二環 壬焼等的鹼類的水溶液。又上述鹼類的水溶液中加入甲醇 、乙醇等的水溶性有機溶媒或適量添加界面活性劑的水溶 液作爲顯影劑使用。 , 顯影時間依組成物中的各成分的種類、配合比例、塗 覆膜厚度等而異,通常爲1〜3 0分鐘,又顯影的方法爲 添液法、浸漬法、攪練法、噴霧法等的任一方法均可。顯 影後施以3 0〜9 0秒的流水淸洗,以空氣槍風乾、再於 烘箱中乾燥。 電鍍方法無特別限制,向來公知的各種電鍍方都可採 用。 經濟部智慈財產局8工消費合作社印製 實施例 以下以實施例及比較例具體說明本發明,本發明不限 定於所舉之例,無特別說明時”份”爲重量份,,,.% “爲 重量%。 <(A )鹼可溶性酚醛淸漆型樹脂的合成> 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — 2 -24- 594390 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7__五、發明説明(^ 合成例1 m —甲與p -甲酚以6 〇 : 4 0重量比的比例混合 、加入甲Si ’使用草酸催化劑以常法縮合得到甲酚醛淸漆 型樹脂。對此樹脂施以分別處理,將低分子範圍切除,得 到重量平均分子量爲1 5 〇 〇 〇的鹼可溶性酚醛淸漆型樹 脂。此樹脂作爲(A )酚醛淸漆型樹脂。 合成例2 . 裝有攪拌裝置、迴流器、溫度計、下滴槽的燒瓶以氮 氣置換後投入作爲溶媒的丙二醇甲基醚醋酸酯2 〇 〇 g, 開始攪拌,其後使溶劑的溫度上昇至8 0 °C。下滴槽內投 入作爲聚合溶媒的2,2 ’ —偶氮二異丁基腈〇 · 5 g、 2 -甲氧基乙基丙烯酸酯1 3 0 g、苄基甲基丙烯酸酯 50 · 0g、丙烯酸20 · 〇g,攪拌至聚合引發劑(日 本和光純藥公司製、商品名V - 6 5 )溶解後,此溶液以 3小時的時間均勻的滴入燒瓶中,繼續以8 〇它進行5小 時的聚合。其後,冷卻至室溫,得到丙烯酸樹脂。此樹脂 作爲(B )酚醛淸漆型樹脂。 實施例1 7 5份(A )酚醛淸漆型樹脂,]_ 5份(B )酚酸淸 漆型樹脂,1 0份作爲(C )交聯劑的六甲氧基甲基化三 聚腈胺(三和化學製商品名NIKALAC M w — 1 〇 〇 ), 〇 · 3份下述式所示氧發生劑以1 5 0份丙二醇甲基醚醋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) " ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 594390 A7 B7 五、發明説明(^ 酸酯溶解後,以孔徑1 _ 〇 # m的膜濾器過濾之,調製成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 負型光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評價。 其結果如表1所不。 實施例2 除使用7 0份(A )酚醛淸漆型樹脂,2 〇份(B ) 酚醛淸漆型樹脂外,與實施例1同樣的操作,調製成負型 光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評價。其結 果如表1所示。 實施例3 除使用8 0份(A )酚醛淸漆型樹脂,1 〇份(b ) 酚醛淸漆型樹脂外,與實施例1同樣的操作,調製成負型 光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評價。其結 果如表1所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例4 (B )可塑劑以乙基乙烯醚在催化劑的存在下,施以 氣相高溫高壓聚合反應,使用所得到的鹼可溶性乙烯乙基 醚聚合物1 5 g以外,與實施例1同樣的操作,調製成_ 型光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評價。其 結果如表1所示。 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -- 4 -26- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ί 594390 A7 _ B7 五、發明説明(& 實施例5 (B )可塑劑以甲基乙烯醚在催化劑的存在τ,施以 氣相高溫高壓聚合反應,使用所得到的鹼可溶性乙條甲基 醚聚合物1 5 g以外,與實施例1同樣的操作,調製成負 型光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評價。其 結果如表1所示。 比較例1 除不使用(B )成分外,與實施例1同樣的操作,調 製成負型光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評 價。其結果如表2所示。 比較例2 不用(C )交聯劑、及(D )氧發生劑,使用1 5 g 公知的光反應引發劑,即1莫耳下述式(1 )所示的化合 物1對2旲耳的1 ,2 -萘醌二迭氮基- 4 一磺醯氯化物 所反應之光反應引發劑以外,與實施例1同樣的操作,調 製成負型光阻膜組成物。該組成物以下述方法進行特性評 {貝。其結果如表2所示。 产紙張尺度適用中國國家標準(CNS) M規格(2!〇><297公餐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-27- 594390 A7 B7 五、發明説明(^
經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 特性的評價 負型光阻膜組成物於室溫混合、攪拌1 2小時,以目 視觀察攪拌開始,及經攪拌1 2小時後的溶解狀態。依以 下的評價基準判定分散狀態。 〇:目視確認攪拌1 2小時後組成物均勻分散。 △:攪拌1 2小時後組成物均勻分散,長時間靜置則 分離。 X :攪拌1 2小時後組成物不均勻分散。 塗覆性 5吋金潑射單晶片使用旋轉塗覆器將上述負型光阻膜 組成物以1 0 0 0 r p m塗覆2 5秒後,於1 1 0 熱板 上預焙6分鐘,形成約2 0 // m膜厚的塗膜。其次,介入 解像度測定用圖像膜,以分割器(Ultratec公司製Sayu「n Spectrum 3 Wafer Stepper)將1張塗覆基板分割,各自 以2 0 0〜2 0 0 0 m J / c m 2的範圍進行階段的紫外線 曝光。曝光後以1 1 〇 °c加熱6分鐘,將此以顯影液(商 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 28- 594390 A7 _____ B7 五、發明説明(& (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 品名Ρ Μ E R系列,P — 7 G,日本東京應化公司製)顯 影。以流水方式淸洗,以氮氣吹風器得到圖像狀硬化物。 以顯微鏡觀察,依下述評價基準判定解像性。 〇:5 // m方形的孔穴圖像以上述任一的曝光量解像 之,辨認不出殘渣時。 △ : 5 // m方形的孔穴圖像不解像、或辨認出殘渣時 .耐電鍍液性 「顯影、解像性評價」所得之具圖像狀硬化物基板作 爲試驗物,以氧等離子活性化處理以後,以無氰基系亞硫 酸金電鍍液於7 0 °C浸漬9 0分鐘,用流水淸洗,得到己 處理試驗物。使用光學顯微鏡或電子顯微鏡觀察己處理試 驗物上形成之凸塊及圖像狀硬化物的狀態,依以下的評價 基準判定圖像狀硬化物對電鍍液的耐性、形成之凸塊的形 狀,圖像狀硬化物對電鍍步驟的耐性。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 〇:形成之凸塊及圖像狀硬化物的形狀良好無特別的 變化。 △:圖像狀硬化物產生龜裂或膨脹缺點,或圖像狀硬 化物的表面粗糙。 凸塊形狀 與「耐電鍍性評價」同樣的操作得到已處理試驗物使 用光學顯微鏡或電子顯微鏡觀察己處理試驗物上形成之凸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210父297公釐) -29 - 594390 A7 B7 五、發明説明(\7 塊及圖像狀硬化物的狀態,依以下的評價基準判定。 〇:凸塊的形狀良好依存圖像狀硬化物。 X :凸塊的形狀產生膨脹不依存圖像狀硬化物。 剝落性 「顯影、解像性評價」所得之具圖像狀硬化物基板作 爲試驗物,於室溫攪拌中的剝落液(日本東京應化製 STRIPPER- 7 10)中浸漬5分鐘後,以流水淸洗使圖像 狀硬化物剝落,以目視或光學顥微鏡觀察,依以下的評價 基準判定。 〇:不能辨認圖像狀硬化物的殘澄。 X :可辨認圖像狀硬化物的殘渣。 感光性 5吋矽單晶片以上述負型光阻膜組成物,形成約4〇 // m膜厚的塗膜。介入解像度測定用圖像膜,以分割器( Ultratec 公司製 Sayur 门 Spectrum 3 Wafer Stepper)將 1 張塗覆基板分割,各自以200〜l〇〇〇〇mJ/cm2 的範圍進行階段的紫外線曝光。以顯影液(商品名 PMER系列,P - 7G,日本東京應化公司製)顯影。 以流水方式淸洗,以氮氣吹風器得到圖像狀硬化物。以顯 微鏡觀察,將5 // m方形孔穴圖像解像,測定不能辨認殘 渣的曝光量。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 •Γ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 594390
7 7 A B 五、發明説明(& 表1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 相溶性 〇 〇 〇 〇 〇 塗覆性 〇 〇 〇 〇 〇 顯影-解像性 〇 〇 〇 〇 〇 耐電鑛性 〇 〇 〇 〇 〇 凸塊形狀 〇 〇 〇 〇 〇 剝落性 〇 〇 〇 〇 〇 感光性(mJ /cm2) 1000 1000 1000 1000 1000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 表2 比較例1 比較例2 相溶性 〇 〇 塗覆性 〇 〇 顯影-解像性 〇 〇 耐電鍍性 X (龜裂) 〇 凸塊形狀 X (龜裂) 〇 剝落性 〇 〇 感光性(m J / c m 2 ) 10 0 0 5 0 0 0 (註)比較例2之各特性並不遜色,感光性顯著惡化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 商業上之利用領域 依本發明,可提供高感度、良好電鍍耐性,適合於作 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31 594390 A7 B7 五、發明説明( 19 適及 之膜 成阻 形光 膜, 厚物 爲成 材 用 成 形 塊 凸 的 宜 方 的 塊 凸 成 形 些 這 使 組 阻 光 型 負 用 膜 厚 的。 料法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -32-

Claims (1)

  1. 594390 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 第91 109161號專利申請案 中文申請專利範圍修正 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年8月15日修正 1 . 一種厚膜用負型光阻組成物,其特徵爲含有(A )酚醛淸漆型樹脂、(B )可塑劑、(C )交聯劑、及( D )氧發生劑,其中(A )成分爲鹼可溶性酚醛淸漆型樹 脂,(B )成分爲鹼可溶性丙烯基系樹脂或爲鹼可溶性乙 烯基系樹脂,(C )成分爲烷氧基甲基化胺基樹脂係選自 甲氧基甲基化三聚氰胺樹脂、乙氧基甲基化三聚氰胺·樹脂 、丙氧基甲基化三聚氰胺樹脂、及丁氧基甲基化三聚氰胺 樹脂中之至少一種,其中對於(A )〜(D )之總和 1〇0重量份時,含有(A)成分50〜95重量份,( B)成分5〜30重量份,(C)成分1〜30重量份。 2 ·如申請專利範圍第1項之厚膜用負型光阻組成物 ,其中(D)成分爲三嗪化合物,且對於(A)〜(D) 之總和1 0 0重量份時,含有〇 · 〇 1〜5重量份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 · —種光阻膜’其特徵爲如申請專利範圍第1或2 項之厚膜用負型光阻組成物塗覆於基板上,乾燥形成5〜 1〇0 μ m的膜。 4 · 一種凸塊的形成方法,其特徵爲以如申請專利範 圍第1或2項之厚膜用負型光阻組成物塗覆電子零件的基 板上,所得的塗膜介入所定的圖像罩膜,以放射線照射, 加熱,顯影後,進行電鍍的方法。 本^張尺度適用中國國家標f(CNS ) A4規格(2ΐϋ297公着) ' "
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI382277B (zh) * 2008-01-24 2013-01-11 Asahi Kasei Emd Corp Photosensitive resin laminate

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050003300A1 (en) * 2001-03-19 2005-01-06 Satoshi Kobayashi Negative photosensitive resin composition and display device using the same
JP4401033B2 (ja) * 2001-03-19 2010-01-20 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物及びこれを用いた表示デバイス
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
JP4302423B2 (ja) * 2003-04-18 2009-07-29 東京応化工業株式会社 下地材用樹脂、下地材、及び多層レジストパターン形成方法
JP4206022B2 (ja) * 2003-09-30 2009-01-07 パナソニック株式会社 パターン形成方法
KR100571721B1 (ko) * 2004-02-10 2006-04-17 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거 방법
EP1757990B1 (en) * 2004-05-26 2013-10-09 JSR Corporation Resin compositions for miniaturizing the resin pattern spaces or holes and method for miniaturizing the resin pattern spaces or holes using the same
KR100852380B1 (ko) 2004-06-30 2008-08-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네거티브 포토레지스트 조성물을 이용한 도금품 성형 방법및 이에 사용된 감광성 조성물
JP4376706B2 (ja) * 2004-06-30 2009-12-02 東京応化工業株式会社 ネガ型ホトレジスト組成物を用いたメッキ形成物の形成方法
EP1818722A4 (en) * 2004-12-03 2010-02-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PHOTORESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING JUNCTION TERMINAL
US7169532B2 (en) * 2004-12-29 2007-01-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal
US7951522B2 (en) * 2004-12-29 2011-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal
US7927778B2 (en) * 2004-12-29 2011-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal
JP2006301404A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 現像液組成物およびその製造方法、ならびにレジストパターンの形成方法
JP2008077057A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101404978B1 (ko) * 2007-08-21 2014-06-10 주식회사 동진쎄미켐 패턴형성용 네가티브 포토레지스트 조성물
JP5337461B2 (ja) * 2008-05-14 2013-11-06 東京応化工業株式会社 樹脂組成物の塗布方法
JP4626837B2 (ja) * 2008-06-13 2011-02-09 Dic株式会社 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜
KR20100026740A (ko) * 2008-09-01 2010-03-10 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
WO2010068488A1 (en) * 2008-11-25 2010-06-17 Lord Corporation Methods for protecting a die surface with photocurable materials
US9093448B2 (en) 2008-11-25 2015-07-28 Lord Corporation Methods for protecting a die surface with photocurable materials
US20100151118A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Eastman Chemical Company Carrier solvent compositions, coatings compositions, and methods to produce thick polymer coatings
US8632961B2 (en) * 2010-01-28 2014-01-21 Eastman Kodak Company Flexographic processing solution and use
JP6022254B2 (ja) * 2012-08-06 2016-11-09 東京応化工業株式会社 スクリーン印刷用インク組成物およびパターン形成方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2754279A (en) * 1951-08-01 1956-07-10 Minnesota Mining & Mfg Aqueous composition of an unmodified hydroxyl-containing resinous glycidyl polyether of a dihydric phenol
US3634082A (en) * 1967-07-07 1972-01-11 Shipley Co Light-sensitive naphthoquinone diazide composition containing a polyvinyl ether
US3576659A (en) * 1967-12-13 1971-04-27 Vorac Co The Dual coating process
US4356288A (en) * 1979-03-05 1982-10-26 Rohm And Haas Company Novel polymers of alkyl acrylates
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3622612A1 (de) * 1986-07-05 1988-01-14 Bayer Ag Waermesensible polyurethandispersionen
JP2505033B2 (ja) * 1988-11-28 1996-06-05 東京応化工業株式会社 電子線レジスト組成物及びそれを用いた微細パタ―ンの形成方法
GB8912062D0 (en) * 1989-05-25 1989-07-12 British Petroleum Co Plc Phenolic resins
DE3940911A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung negativer kopien
DE4112972A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5262280A (en) * 1992-04-02 1993-11-16 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions
EP0621508B1 (en) * 1993-04-20 1996-09-25 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation sensitive resin composition
US5344742A (en) * 1993-04-21 1994-09-06 Shipley Company Inc. Benzyl-substituted photoactive compounds and photoresist compositions comprising same
JP3587413B2 (ja) 1995-12-20 2004-11-10 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤
JPH1039127A (ja) 1996-07-19 1998-02-13 Mitsubishi Chem Corp カラーフィルター用レジスト組成物及びカラーフィルターの製造方法
JP3645362B2 (ja) * 1996-07-22 2005-05-11 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料
JP3633179B2 (ja) * 1997-01-27 2005-03-30 Jsr株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3859182B2 (ja) 1997-03-27 2006-12-20 東京応化工業株式会社 ネガ型ホトレジスト組成物
US5858615A (en) * 1997-07-31 1999-01-12 Morton International, Inc. Hardenable photoimageable compositions
JPH11216965A (ja) 1998-02-04 1999-08-10 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型画像記録材料
DK199901098A (da) 1998-08-18 2000-02-19 Ciba Sc Holding Ag Sylfonyloximer til i-linie-fotoresists med høj følsomhed og høj resisttykkelse
JP3974718B2 (ja) 1998-11-09 2007-09-12 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR100668244B1 (ko) 1999-02-15 2007-01-17 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물
JP4150834B2 (ja) 1999-03-04 2008-09-17 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法
US6399275B1 (en) * 1999-11-15 2002-06-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative-working photolithographic patterning material and method for the preparation of ion-implanted and metal-plated substrates by using the same
US6451502B1 (en) * 2000-10-10 2002-09-17 Kodak Polychrome Graphics Llc manufacture of electronic parts
EP1235106B1 (en) * 2001-02-08 2011-12-07 FUJIFILM Corporation Lithographic printing plate precursor
JP3710717B2 (ja) * 2001-03-06 2005-10-26 東京応化工業株式会社 厚膜用ポジ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
JP3710758B2 (ja) 2001-05-21 2005-10-26 東京応化工業株式会社 厚膜用ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト膜およびこれを用いたバンプ形成方法
US20030008229A1 (en) * 2001-06-25 2003-01-09 Prakash Seth Thermally sensitive coating compositions useful for lithographic elements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI382277B (zh) * 2008-01-24 2013-01-11 Asahi Kasei Emd Corp Photosensitive resin laminate

Also Published As

Publication number Publication date
US7129018B2 (en) 2006-10-31
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