JP5685180B2 - 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルムおよびパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本願は、2009年12月28日に、日本に出願された特願2009−297144号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
感光性樹脂組成物を用いた回路形成プロセスでは、基材表面に感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜にマスクを介して光を照射して潜像を形成する工程と、潜像が形成されたレジスト膜を現像液で現像処理してレジストパターンを形成する工程と、レジストのない部分を化学的にエッチングやメッキする工程を経ることによって、電子回路が形成される。
(1)ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物およびシクロヘキサン類とフェノール類からなる化合物を含む感光性樹脂組成物(特許文献1)。
(2)フェノール性の水酸基を有する単量体に由来する構成単位およびカルボキシル基含有ビニル系単量体に由来する構成単位を有するビニル系重合体と、キノンジアジド化合物とを含む感光性樹脂組成物(特許文献2)。
(3)カルボキシル基含有ビニル系単量体に由来する構成単位を有するビニル系共重合体、キノンジアジド化合物および多価フェノール化合物を含む感光性樹脂組成物(特許文献3)。
また、(2)の感光性樹脂組成物は、炭酸ナトリウム水溶液への溶解性が悪いため、COFやビルドアップ工法による多層プリント配線板における回路形成プロセスに用いた場合、解像度が不十分になりやすい。さらに、フェノール性の水酸基を有する単量体を含む単量体成分を重合した場合、得られるビニル系重合体は比較的低分子量であるため、高分子量化が困難である。そのため、レジスト膜の耐メッキ性が不十分となる。
また、(3)の感光性樹脂組成物においては、ビニル系重合体がフェノール性の水酸基を有していないため、フェノール性の水酸基とキノンジアジドとの相互作用がない。そのため、未露光部のレジスト膜が溶解しやすく、膜減りが生じやすい。
前記化合物(IV)は、下記式(5−1)または下記式(5−2)で表される化合物であることが好ましい。
前記ビニル系重合体(II)は、前記単量体(b)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体であり、前記単量体(b)の割合は、単量体の合計の仕込み量100モル%のうち、5〜50モル%であることが好ましい。
本発明の第3の態様は、前述した感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を基材の表面に形成する工程と、前記レジスト膜を露光して潜像を形成する工程と、潜像が形成された前記レジスト膜を、pH10.5〜12.5の現像液で現像処理してレジストパターンを形成する工程とを有するパターン形成方法である。
本発明の感光性ドライフィルムによれば、COFやビルドアップ工法による多層プリント配線板における回路形成プロセスにおいて、クラックが発生しにくく、未露光部の膜減りが少なく、感度、解像性が良好で、耐メッキ性に優れたレジスト膜を形成できる。
本発明のパターン形成方法によれば、COFやビルドアップ工法による多層プリント配線板における回路形成プロセスにおいて、欠陥の少ない高精度の微細なパターンを形成できる。
また、本明細書において、「単量体」とは、重合性の炭素−炭素二重結合を有する化合物を意味する。
本発明の感光性樹脂組成物は、ビニル系重合体(I)とビニル系重合体(II)とキノンジアジド化合物(III)と特定の化合物(IV)とを含み、さらに必要に応じて他の成分を含む。
ビニル系重合体(I)は、フェノール性の水酸基を有する単量体(a)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体であり、必要に応じてさらにカルボキシル基含有ビニル系単量体(b)、およびこれらと共重合可能な他のビニル系単量体(c)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体である。
単量体(a)としては、下記式(1)で表される単量体(a1)、下記式(2)で表される単量体(a2)、または下記式(3)で表される単量体(a3)が好ましい。
Xは、酸素原子またはNHである。
また、単量体(a2)としては、入手しやすさの点から、下記式(2−1)で表される単量体(a2−1)が好ましい。
また、単量体(a3)としては、入手しやすさの点から、下記式(3−1)で表される単量体(a3−1)が好ましい。
例えば、ビニル系重合体(I)は、重合容器中に60〜120℃程度に加温した有機溶媒存在下に、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を混合溶解した単量体混合物を、数時間掛けて滴下し、重合を進行させる溶液重合法など、公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。単量体(a)、単量体(b)、及び単量体(c)は混合して重合容器に供給して重合してもよいし、それぞれ単独で重合容器に供給してもよいし、いずれか2種の混合物ともう1種を別々に供給してもよい。
ビニル系共重合体(I)の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、5000〜80000が好ましく、6000〜30000がより好ましく、7000〜15000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、感光剤などのその他の配合物との相溶性が保持できる。この範囲の下限値以上であると、被膜の耐久性を保持できる。
単量体(a)および単量体(b)を含む単量体混合物における単量体(b)の割合は、単量体(a)〜(c)の合計の仕込み量100モル%のうち、0〜30モル%が好ましく、5〜30モル%がより好ましく、10〜30モル%がさらに好ましい。単量体(b)の割合が5モル%以上であれば、レジスト膜の解像性が十分に高くなる。単量体(b)の割合が30モル%以下であれば、レジスト膜の未露光部の膜減りが十分に抑えられ、またレジスト膜のクラックが十分に抑えられる。
(i)単量体(a)と単量体(b)との重合性を向上させる。
(ii)単量体(a)と単量体(b)との組み合わせのみではドライフィルムとしての柔軟性等の性能が不足している場合に、クラック発生を抑える。
単量体(a)、単量体(b)および単量体(c)を含む単量体混合物における単量体(c)の割合は、単量体(a)〜(c)の合計の仕込み量100モル%のうち、0〜80モル%が好ましい。
ビニル系重合体(II)は、カルボキシル基含有ビニル系単量体(b)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体であり、必要に応じてさらにこれらと共重合可能な他のビニル系単量体(c)を含む単量体混合物を重合してもよい。ただし、前記単量体混合物中にフェノール性の水酸基を有する単量体(a)は含まない。
単量体(c)の割合は、単量体(b)および単量体(c)の合計の仕込み量100モル%のうち、50〜95モル%が好ましく、70〜95モル%がより好ましく、80〜95モル%がさらに好ましい。
「ビニル系重合体(II)の質量平均分子量」とは、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ(GPC)によって以下の条件で測定されるポリスチレン換算の質量平均分子量である。
(質量平均分子量の測定条件)
・GPC測定装置:東ソー社製
・分離カラム:昭和電工社製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列にしたもの
・溶媒:テトラヒドロフラン(流量:1.0mL/分)
・検出器:示差屈折計
・標準ポリマー:ポリスチレン
・測定温度:40℃
・注入量:0.1mL
キノンジアジド化合物(III)としては、公知の1,2−キノンジアジド−4−スルホン酸エステル化合物、1,2−キノンジアジド−5−スルホン酸エステル化合物、1,2−キノンジアジド−6−スルホン酸エステル化合物、1,2−キノンジアジド−7−スルホン酸エステル化合物、1,2−キノンジアジド−8−スルホン酸エステル化合物が挙げられる。具体的には、トリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類、テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類、ペンタヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類、ヘキサヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類、(ポリヒドロキシ)アルカンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類等が挙げられる。
化合物(IV)は、下記式(5)で表わされる化合物であり、レジスト膜のアルカリ溶解速度を向上させ、その結果、レジスト膜の解像性を向上させる成分である。
lおよびmは、それぞれ1〜3の整数であり、レジスト膜の解像性の点から、1または2が好ましい。
nは、1または2であり、レジスト膜の解像性の点から、1が好ましい。
pおよびqは、それぞれ0または1であり、レジスト膜の解像性の点から、0が好ましい。
下記式(5−a)(式中、l、pは上記と同じ意味を有する。)で示される化合物およびオキシ塩化リンを、アミド類(例えばN,N−ジメチルホルムアミド等)中で反応(ビルスマイヤー反応)させる。ついで、得られた反応混合物にシアン化ナトリウムを反応させた後、この反応混合物を酸またはアルカリの存在下で加水分解して下記式(5−b)(式中、l、n、p、Yは上記と同じ意味を有する。)で示される化合物を得る。ついで、この化合物と下記式(5−c)(式中、m、qは上記と同じ意味を有する。)で示される化合物とを、酸性触媒(例えば塩酸等)の存在下で縮合させる。その結果、前記化合物(IV)が得られる。
他の成分としては、ビニル系重合体(I)およびビニル系重合体(II)以外のアルカリ可溶性樹脂、レベリング剤、保存安定剤、可塑剤、吸光剤、架橋剤、接着助剤等が挙げられる。
アルカリ可溶性樹脂としては、ポリ(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸と(メタ)アクリル酸エステルとの共重合体、ノボラック樹脂等が挙げられる。
他の成分の含有割合は、感光性樹脂組成物の固形分100質量%中、0〜30質量%が好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、通常、ドライフィルム化して用いる。
ドライフィルムは、例えば、支持フィルムの表面に後述のレジスト液を塗布し、乾燥させてレジスト膜を形成し、レジスト膜の上に保護フィルムをラミネートすることによって製造される。
レジスト膜の厚さは、ドライフィルムとしての実用性を考慮すると、3μm以上が好ましい。
保護フィルムの材料としては、ポリエチレンやポリプロピレンが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶媒に溶解したレジスト液の状態で用いてもよい。レジスト液は、例えば、ビニル系重合体(I)、ビニル系重合体(II)、キノンジアジド化合物(III)、特定の化合物(IV)、および溶媒を混合する方法;懸濁重合法または溶液重合法で得られたビニル系重合体(I)、およびビニル系重合体(II)を含む溶液に、キノンジアジド化合物(III)、および特定の化合物(IV)を添加する方法等によって調製される。
ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン(以下、MEKと記す。)、メチルイソブチルケトン、2−ペンタノン、2−ヘキサノン等の直鎖状もしくは分岐状ケトン;シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状ケトン等が挙げられる。
プロピレングリコールモノアルキルアセテート類としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと記す。)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。
エチレングリコールモノアルキルエーテル類としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。
ジエチレングリコールアルキルエーテル類としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。
エステル類としては、酢酸エチル、乳酸エチル等が挙げられる。
アルコール類としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、1−オクタノール等が挙げられる。
その他の化合物としては、1,4−ジオキサン、炭酸エチレン、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
炭素数5〜11の脂肪族炭化水素系溶媒としては、ペンタン、2−メチルブタン、n−ヘキサン、2−メチルペンタン、2,2−ジブチルブタン、2,3−ジブチルブタン、n−ヘプタン、n−オクタン、イソオクタン、2,2,3−トリメチルペンタン、n−ノナン、2,2,5−トリメチルヘキサン、n−デカン、n−ドデカン等が挙げられる。
溶媒としては、安全性の点、汎用的に用いられている点から、アセトン、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、MEK、PGMEA、乳酸エチル、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン等が好ましい。感光性樹脂組成物をドライフィルム化して用いる場合は、溶媒としては、沸点のあまり高くない点から、アセトン、MEK、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が好ましい。
本発明のパターン形成方法は、下記の工程を有する方法である。
(A)感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を基材表面に形成する工程。
(B)レジスト膜を露光して潜像を形成する工程。
(C)潜像が形成されたレジスト膜を、pH10.5〜12.5の現像液で現像処理してレジストパターンを形成する工程。
(D)レジストのない部分に加工を施し、所望のパターンを基材表面に形成する工程。
上述のレジスト液を用いる場合、パターンを形成する基材の表面に、レジスト液をスピナー、コーター等により塗布、乾燥し、基材表面にレジスト膜を形成する。
上述のドライフィルムを用いる場合、パターンを形成する基材とレジスト膜とが接するように、基材の表面にドライフィルムをラミネートする。
露光方法としては、紫外線露光法、可視光露光法等が挙げられる。
露光を選択的に行う方法としては、フォトマスクを用いる方法、レーザー光を用いた走査露光法が挙げられる。フォトマスクを用いる場合の露光方法としては、コンタクト露光法、オフコンタクト露光法のいずれも使用可能である。
上述のドライフィルムを用いた場合、支持フィルム越しにレジスト膜を露光して潜像を形成した後、支持フィルムを剥離する。
現像液としては、アルカリ類の水溶液が挙げられる。
アルカリ類としては、無機アルカリ類(水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等)、第一アミン類(エチルアミン、n−プロピルアミン等)、第二アミン類(ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等)、第三アミン類(トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等)、アルコールアミン類(ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等)、第四級アンモニウム塩(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等)、環状アミン類(ピロール、ピペリジン等)等が挙げられる。
アルカリ類の水溶液には、アルコール類、界面活性剤、芳香族水酸基含有化合物等を適当量添加してもよい。
現像液として、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(pH約11.6)を用いると、通常のプリント配線板における回路形成プロセスと同じ工程を利用できることから特に好ましい。
加工方法としては、公知のエッチング、メッキ等が挙げられる。
実施例における評価方法は、下記の通りである。
東ソー社製のGPCを用いて、ビニル系重合体の質量平均分子量(Mw)を測定した。前記測定は、分離カラムとして昭和電工社製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列にしたものを用い、溶媒としてテトラヒドロフラン(流量:1.0mL/分)を用い、検出器として示差屈折計を用い、標準ポリマーとしてポリスチレンを用い、測定温度40℃、注入量0.1mLの条件で行った。
ドライフィルムを、直径10cmの円筒の外周に沿って折り曲げ、クラックの発生を目視にて観察し、下記の基準で評価した。
○:クラックが発生しない。
×:クラックが確認された。
ドライフィルムを露光せずに1質量%炭酸ナトリウム水溶液(pH約11.6)に1分間浸漬した後の膜減り量を測定し、下記の基準で評価した。
○:膜減り量が10%質量未満。
○△:膜減り量が10%質量以上20質量%未満。
△:膜減り量が20質量%以上30質量%未満。
×:膜減り量が30質量%以上。
レジスト膜を、10μmのラインアンドスペースパターンを形成するように超高圧水銀灯で露光し、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(pH約11.6)にて2分間現像を行ったときの感度を、下記の基準で評価した。
○:100mJ/cm2未満。
△:100〜200mJ/cm2。
×:200mJ/cm2超。
レジスト膜を、10μmのラインアンドスペースパターンを形成するように超高圧水銀灯で露光し、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(pH約11.6)にて2分間現像を行った。その後、パターン形状を電子顕微鏡にて観察し、下記の基準で評価した。
○:露光部が完全に溶解している。
○△:パターンのエッジ部分に若干の残渣が残る。
△:露光部に若干の残渣が残る。
×:露光部に残渣が多く残る。
レジスト膜を、10μmのラインアンドスペースパターンを形成するように超高圧水銀灯で露光し、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(pH約11.6)にて2分間現像を行い、パターンを得た。その後、前記パターンに銅メッキを施した後、パターン表面を電子顕微鏡にて観察し、下記の基準で評価した。
○:メッキ前後でレジスト性状に変化なし。
×:レジストにクラック、ふくらみ、欠け、表面のあれが生じた。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗、および温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、MEK40質量部を入れた。フラスコ内を攪拌しながら内温を80℃に上げた。
その後、下記の混合物(以下、滴下溶液とも記す。)を、滴下漏斗を用いて6時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度で1時間保持した:
前記式(2−1)で表される単量体(a2−1)(パラヒドロキシスチレン)40モル%、
メタクリル酸(単量体(b))15モル%、
メタクリル酸メチル(単量体(c))20モル%、
スチレン(単量体(c))10モル%、
アクリル酸エチル(単量体(c))15モル%、
上記単量体の合計100質量部に対して7質量部の重合開始剤(大塚化学社製、2,2’−アゾビス2−メチルブチロニトリル)、および
MEK100質量部。
単量体の仕込み量を表1に示す量に変更した以外は、製造例1と同様の操作でビニル系重合体(I−2)溶液および(I−3)溶液を得た。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗、および温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、MEK50質量部を入れた。フラスコ内を攪拌しながら内温を80℃に上げた。
その後、下記の混合物(以下、滴下溶液とも記す。)を、滴下漏斗を用いて4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度で1時間保持した:
メタクリル酸(単量体(b))20モル%、
メタクリル酸メチル(単量体(c))46モル%、
スチレン(単量体(c))15モル%、
アクリル酸エチル(単量体(c))19モル%、
単量体の合計100質量部に対して1質量部の重合開始剤(大塚化学社製、2,2’−アゾビス2−メチルブチロニトリル)、および
MEK30質量部。
単量体の仕込み量を表1に示す量に変更した以外は、製造例4と同様の操作でビニル系重合体(II−2)溶液および(II−3)溶液を得た。
フラスコに入れるMEKを45質量部に変更し、重合開始剤の仕込み量を単量体の合計100質量部に対して0.25質量部に変更し、温度を室温まで下げた後に添加するMEKを70質量部に変更した以外は、製造例4と同様の操作でビニル系重合体(II−4)溶液を得た。
重合開始剤の仕込み量を単量体の合計100質量部に対して3質量部に変更した以外は、製造例4と同様の操作でビニル系重合体(II−5)溶液を得た。
フラスコに入れるMEKを40質量部に変更し、重合開始剤の仕込み量を単量体の合計100質量部に対して0.2質量部に変更し、温度を室温まで下げた後に添加するMEKを70質量部に変更した以外は、製造例4と同様の操作でビニル系重合体(II−6)溶液を得た。
(式(5−1)で表される化合物の合成)
4−ヒドロキシマンデル酸16.8質量部、フェノール37.6質量部および10%塩酸170質量部を混合した混合物を60〜65℃で2時間反応させた。反応終了後、前記混合物に、イオン交換水300質量部およびアセトン300質量部を混合した混合物を加えて60℃で分液した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。洗浄後の有機層を減圧条件で濃縮し、得られた濃縮残分に、アセトン5質量部およびトルエン80質量部を混合した混合液を添加して、再結晶化し、前記式(5−1)で示される特定の化合物(IV)を得た。1H−NMRおよびIRから目的の化合物が得られたことを確認した。
〔式(5−2)で表される化合物の合成 )
フェノール94質量部、レブリン酸58質量部、水45質量部および濃硫酸180質量部を混合した混合物を20℃で20時間反応させた。反応終了後、前記混合物に、イオン交換水300質量部および酢酸エチル300質量部を混合した混合物を加えて分液した。得られた有機層に重炭酸ナトリウム水溶液を加え、有機層を抽出した。得られた重炭酸塩抽出物を酸性にして、エーテルで抽出し、真空脱揮して前記式(5−2)で示される特定の化合物(IV)を得た。1H−NMRおよびIRから目的の化合物が得られたことを確認した。
ビニル系重合体(I−1)溶液75質量部、ビニル系重合体(II−1)溶液25質量部、キノンジアジド化合物(III)として前記式(4−1)で表される化合物(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸(3モル)とのエステル10質量部、特定の化合物(IV)として前記式(5−1)で表される化合物2質量部およびMEK200質量部を混合し、レジスト液を得た。
銅貼積層板に、ワイヤーバーを用いて、レジスト液を乾燥後の厚さが5μmとなるように塗布し、乾燥させてレジスト膜を形成し、前記レジスト膜の評価を行った。結果を以下の表3に示す。
銅貼積層板に、前記ドライフィルムをラミネートしてレジスト膜を形成し、前記ドライフィルムの評価を行った。結果を以下の表3に示す。
ビニル系重合体(I)の種類および配合量、ビニル系重合体(II)の種類および配合量、キノンジアジド化合物(III)の種類、特定の化合物(IV)の種類および配合量、MEKの配合量、を以下の表2に示すように変更した以外は、実施例1と同様にしてドライフィルムを得、前記ドライフィルムの評価を行った。結果を以下の表3に示す。
ビニル系重合体(I−1)およびビニル系重合体(II−1)をノボラック樹脂に変更した以外は、実施例1と同様にしてドライフィルムを得、前記ドライフィルムの評価を行った。結果を以下の表3に示す。
比較例2は、ビニル系重合体(II)の質量平均分子量が低いため、耐メッキ性が不十分となった。
比較例3は、ビニル系重合体(II)の質量平均分子量が高いため、レジスト液にした際の相溶性が悪かった。
比較例4は、ビニル系重合体(I)を含んでいないため、感度、解像性が不十分となり、膜減りが若干低下した。
比較例5は、特定の化合物(IV)を含んでいないため、解像性が不十分となった。
比較例6は、ノボラック樹脂を用いているため、クラックが発生した。
Claims (8)
- 前記ビニル系重合体(I)が、前記単量体(a)および前記単量体(b)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体であり、前記単量体(b)の割合が、単量体の合計の仕込み量100モル%のうち、5〜30モル%である、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記ビニル系重合体(II)が、前記単量体(b)を含む単量体混合物を重合して得られた重合体であり、前記単量体(b)の割合が、単量体の合計の仕込み量100モル%のうち、5〜50モル%である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 前記キノンジアジド化合物(III)が、芳香族環を1〜3個有する芳香族ポリヒドロキシ化合物と、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸および1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とのエステルである、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項1に記載の感光性樹脂組成物からなるレジスト膜が支持フィルムの表面に形成された、感光性ドライフィルム。
- 請求項1に記載の感光性樹脂組成物からなるレジスト膜を基材の表面に形成する工程と、前記レジスト膜を露光して潜像を形成する工程と、潜像が形成された前記レジスト膜を、pH10.5〜12.5の現像液で現像処理してレジストパターンを形成する工程とを有する、パターン形成方法。
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