JPH07133449A - ポジ型感光性アニオン電着レジスト組成物及びこの組成物を用いたパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電着時の稼働安定性に優れ、信頼性の高いレ
ジストパターンを形成するポジ型感光性電着レジスト組
成物を提供する。 【構成】 （Ａ）カルボキシル基及び水酸基を有するア
クリル樹脂、（Ｂ）ヒドロキシスチレン単位を樹脂中に
２５重量％以上含有するビニルフェノール樹脂及び
（Ｃ）ポリヒドロキシベンゾフエノンと１,２−ナフト
キノンジアジドスルホン酸又はベンゾキノンジアジドス
ルホン酸とのエステル化物を含有する混合物を塩基で中
和し、水分散して得られる分散体を主成分とするポジ型
感光性電着レジスト組成物、ならびにこの組成物を用い
るレジストパターン又は導体パターンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電着時の稼働安定性に
優れ、塗装作業性が良く、さらに導体画像形成における
信頼性の高いレジスト、特にプリント配線板製造用エッ
チングレジストとして適するポジ型感光性アニオン電着
レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパター
ンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器などに用いられるプリント配線
基板は、主として導体層を表面に有する絶縁基板上に、
スクリーン印刷によるパターン印刷法や感光性ドライフ
ィルムを用いたフォトリソグラフィー法により形成され
る回路パターンを利用するサブトラクト法で製造されて
いる。しかし、最近ではプリント配線基板の高密度、高
精度化に伴い回路パターンの微細化、スルーホール径の
小径化が求められており、その要請に対応できる製造方
法としてポジ型感光性電着レジストを利用する方法が種
々提案されている。

【０００３】ポジ型感光性電着レジストを形成する組成
物としては、例えば、イオン形成基を有するアクリル樹
脂などの基体樹脂にキノンジアジドスルホン酸類をスル
ホン酸エステル結合を介して基体樹脂に結合させた樹脂
を主成分とする組成物（特開昭６１‐２０６２９３号公
報参照）；イオン形成基を有するアクリル樹脂などの基
体樹脂にヒドロキシルアミンとキノンジアジドスルホン
酸とをウレタン結合及びスルホンイミド結合を介して結
合させた樹脂を主成分とする組成物（特開平１−１２１
３７５号公報参照）；カルボキシル基等の酸基を末端に
有する比較的鎖長の長い側鎖を有する重合性単量体を共
重合して得られるアクリル樹脂とエポキシ化合物、フェ
ノール性水酸基を有する芳香族又は複素環式カルボン酸
及びキノンジアジドスルホン酸ハライドを反応せしめて
得られた感光剤の混合物を主成分とする組成物（特開平
２‐４２４４６号公報参照）；水酸基を有する化合物ま
たは樹脂にヒドロキシルアミンとキノンジアジドスルホ
ン酸とをウレタン結合及びスルホンイミド結合を介して
結合させた化合物または樹脂を、イオン形成基を有する
アクリル樹脂などの基体樹脂と混合した組成物（特開平
２‐２８９６６０号公報参照）；またキノンジアジドス
ルホン酸類をスルホン酸エステル結合を介して導入し
た、フェノール性水酸基とカルボキシル基またはアミノ
基を同一ポリマー分子中に有した感光性樹脂を主成分と
した組成物（特開昭６１‐２０６２９３号公報参照）；
カルボキシル基を含有するポリマーとキノンジアジドス
ルホン酸類をスルホン酸エステル結合により導入したフ
ェノール性水酸基を有するポリマーとを混合した組成物
（特開昭６３‐１４１０４８号公報、特開平３‐１００
０７３号公報参照）；カルボキシル基を含有するアクリ
ル樹脂とフェノール性水酸基を有する芳香族カルボン酸
エステルとキノンジアジド類とのスルホン酸エステルの
混合物を主成分とする組成物（特開平３−１０００７４
号公報参照）；カルボキシル基を有しない重合体セグメ
ントとカルボキシル基を有する重合体セグメントよりな
るブロック共重合体、アルカリ可溶性ポリフェノール及
びポジ型感光剤からなる電着ポジ型レジスト組成物及び
該組成物において感光剤が他の成分と結合しているレジ
スト組成物（特開平３‐２８１６７１号公報参照）など
の、水溶性または水分散性組成物が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の組成物においては下記の如き問題があり、その
解決が望まれている。

【０００５】即ち、感光性基をスルホン酸エステル基を
介して導入した樹脂系においては、樹脂中のフェノール
性水酸基等の水酸基とスルホン酸ハライドとを脱ハロゲ
ン化水素反応によりスルホン酸エステル化することによ
ってキノンジアジド基を導入する必要がある。この反応
は高分子反応であり、感光性基を定量的に導入するのが
困難である。また反応後副成するハロゲン酸塩を除去、
精製するのが難しく、製造に長時間を要し、収率が悪い
など工業的に利用するには好ましくない。

【０００６】また、副成物を生成する高分子反応を避け
るために、ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドと
ヒドロキシアミン類とを反応させスルホンアミド結合で
結合した後、さらにトルエンジイソシアネートのような
ジイソシアネートを反応させて得られるイソシアネート
残基を有する感光性基を有する中間体を水酸基を有する
樹脂と反応せしめて導入する方法は、高分子反応におけ
る収率が高く、精製工程が不要である点では好ましい
が、中間体を得るまでの工程が複雑で、長時間を要する
という問題がある。

【０００７】さらに、これらの樹脂に感光性基を結合せ
しめたものは、感光性基が樹脂中にランダムに配置され
るため、これを水分散体とした場合粒子表面に疎水性の
高い感光性基を含む部分が露出し易くなる。その結果、
水分散体は安定性が悪く沈降を生じ易く、またアジド基
が水性層に多く存在するアミン等の塩基性物質と接触し
やすくなり、アジド基の分解が生じて感光性が低下する
など、長期間の水分散液の安定性が要求される電着型レ
ジストとしては大きな欠点となる。

【０００８】他方、感光性基をスルホン酸エステル基を
介して導入した樹脂系においては、スルホン酸エステル
基が加水分解され易く、電着レジスト液としての貯蔵安
定性、浴の稼働安定性が更に低下する。また、スルホン
酸イミド結合及びウレタン結合を介して感光性基を導入
する方法においては、加水分解に関する問題は大幅に改
善されるが、露光部分の現像液に対する溶解速度が遅
く、現像を高温で行わなければならないなどの問題があ
る。

【０００９】これらの問題を解決するために、水溶性ま
たは水分散性の樹脂とキノンジアジド系の感光剤を混合
した組成物を水分散体とした電着型レジストが提案され
ている。例えば、ＬＳＩ製造用に使用されているフェノ
ール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂とポリヒドロキシベ
ンゾフエノンのナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ルとを混合した組成物及び該組成物のフェノール樹脂が
プリント回路基板用の電着型レジストとしては水分散
性、被膜物性の点から好ましくないために、水溶性或い
は水分散性樹脂としてアクリル樹脂等を使用した組成物
が提案されている。しかし、これらの組成物は、水分散
体の安定性が十分でなく沈降を生じ易い、感光剤が分散
粒子表面にも一部存在するため、塩基性物質とアジド基
の接触によりアジド基が分解して感光性が低下する。更
に、スルホン酸エステル型の感光剤を使用した場合は、
スルホン酸エステルの加水分解により水分散体の安定性
の低下が進む、等長期に亘り稼働安定性の優れた電着レ
ジスト浴液を得ることは困難である。

【００１０】水分散体の安定性を改良する方法として、
比較的鎖長の長いポリエステル或いはポリエーテルの末
端に酸基を有し、他の末端に重合性不飽和基を有する特
定の単量体を共重合した櫛形のアクリル樹脂を用いるこ
とにより、アクリル樹脂分子中でイオン形成基を疎水性
の樹脂骨格部分から偏在せしめて、疎水性の強いキノン
ジアジド系感光剤を水中に分散している樹脂粒子の内部
に存在し易くすることによって水分散体の安定性を向上
することが提案されている。

【００１１】この方法によれば、確かに水分散体の静置
安定性はかなり改善されるが、まだ長期に浴を安定に稼
働するには十分とは言えず、しかもアクリル樹脂を得る
には、前述した特殊な単量体を使用する必要があった
り、製造工程が複雑でかつ長時間を要するという問題が
ある。

【００１２】さらに、該単量体は比較的高分子量が大き
く、一般のアクリルエステル系単量体などとの共重合性
が低く、樹脂中に未反応で残存したり、該単量体のホモ
ポリマーを生じ易い。こられの未反応単量体やホモポリ
マーは、水分散体中で水溶解成分となり易く、静置状態
では比較的安定な水分散体を形成できるが、電着塗装を
行う場合には、必須条件であるポンプによる浴液の循環
を行った場合、分散樹脂粒子同士の融着を生じ易く、浴
液中に凝集物を生じ、レジスト被膜上に付着して塗膜異
常を生じたり、循環系中のフィルターの目詰まりを生じ
易い、など電着型レジストとしてはなお問題がある。

【００１３】また、カルボキシル基を含有するポリマー
と、ポリビニルフェノール等のフェノール性水酸基を含
有するポリマーにキノンジアジド系感光性基をスルホン
酸エステル結合を介して結合した感光剤との混合物を水
に分散した電着型レジストも電着型レジストとして十分
な稼働安定性を有さず、しかも感光剤は高分子反応を用
いて得られるものであり、前述した製造上の問題を有す
る。

【００１４】また、アクリル樹脂としてイオン形成基を
含むセグメントと含まないセグメントからなるブロック
共重合体を使用し、これにアルカリ可溶性フェノール樹
脂及び感光剤を組合せた組成物は、解像力のよいレジス
トパターンを形成するものであるが、このようなアクリ
ル樹脂を得るには、高価な重合開始剤を必要とし、且つ
複雑な製造工程を経なければならず経済的に著しく不利
である。

【００１５】さらに、これらの組成物を用いて電着塗装
法により形成されるレジスト膜は、露光部と未露光部の
現像液に対する溶解度の差、即ちコントラストが低く、
適用できる現像条件巾（温度、時間）が狭いという欠
点、及びエッチング液に対する抵抗性が十分でなく、回
路基板上のエッチングすべき銅厚が厚い場合には、時間
を長くしたり温度を高くしたりとエッチング条件が厳し
くなるため、レジスト膜が侵され易く回路パターンやス
ルーホール部に欠陥を生じ易いという欠点を有してい
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
電着レジスト浴液の貯蔵安定性、循環安定性に優れ、低
ターンオーバー速度においても電着浴の稼働安定性が高
く、また、レジスト膜としてのコントラストが高く、耐
エッチング液性に優れ、しかも複雑で長時間を要する反
応や複雑な工程を必要としないで製造できるポジ型感光
性電着レジスト組成物及び該電着レジスト組成物を用い
た信頼性の高いパターン形成方法を開発すべく鋭意研究
を重ねた結果、今回、特定の水溶性ないしは水分散性の
アクリル樹脂、ヒドロキシスチレン単位を有する樹脂及
びキノンジアジドスルホン酸とポリヒドロキシベンゾフ
ェノンのスルホンエステル化物を混合して得られる組成
物を、塩基性物質でカルボン酸の一部ないしは全部を中
和し水分散体とすることにより、前記した問題点を一挙
に解決することのできる組成物が得られ、またこの組成
物を使用して信頼性の高いパターンを形成することがで
きることを見い出し、本発明を完成するに至った。

【００１７】かくして、本発明に従えば、（Ａ）カルボ
キシル基を０.７〜３.５モル／ｋｇ樹脂及び水酸基を
０.５〜３.５モル／ｋｇ樹脂含有する数平均分子量が１
０,０００〜１００,０００のアクリル樹脂、（Ｂ）式

【００１８】

【化２】

【００１９】で示される単位を樹脂中に２５重量％以上
含有する数平均分子量が１,０００〜２５,０００のビニ
ルフェノール樹脂、及び（Ｃ）ポリヒドロキシベンゾフ
ェノンと１,２−ナフトキノンジアジドスルホン酸又は
ベンゾキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物を含
有する混合物を塩基で中和し、水分散化して得られる水
分散性樹脂組成物を主成分として含有することを特徴と
するポジ型感光性アニオン電着レジスト組成物、並びに （ａ）電導性被膜を有する基板または金属の表面に、上
記した電着レジスト組成物を電着塗装し、ポジ型感光性
被膜を形成する工程； （ｂ）該ポジ型感光性被膜をパターンマスクを介して露
光する工程； （ｃ）該露光された感光性被膜を加熱する工程；及び （ｄ）アルカリ性現像液で露光部の被膜を除去してパタ
ーンを形成する工程；からなるレジストパターンの形成
方法、及び前記工程にさらに下記工程 （ｅ）露出した電導性被膜または金属エッチングにより
除去する工程；及び （ｆ）パターン上の感光性被膜を除去する工程 を加えてなる導体パターンの形成方法が提供される。

【００２０】本発明の電着レジスト組成物において、上
記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の混合物を塩基で中
和し水分散することにより、アクリル樹脂（Ａ）が分散
安定剤として作用し、疎水性の（Ｂ）成分及びより疎水
性の（Ｃ）成分が水分散粒子の芯成分となる。（Ｂ）成
分は（Ａ）及び（Ｃ）成分に対して親和性があり、安定
な分散粒子を形成するために非常に有効に作用すると共
に、該組成物を用いて形成されるレジスト膜を露光後加
熱した際に未露光部においてナフトキノンジアジドと反
応し、現像液に対して不溶化してレジストパターンのコ
ントラスト及び耐エッチング液性を飛躍的に増大させる
効果がある。

【００２１】以下、本発明の電着レジスト組成物及びそ
れを用いたパターンの形成方法についてさらに詳細に説
明する。

【００２２】アクリル樹脂（Ａ）：本発明の電着レジス
ト組成物において使用されるアクリル樹脂（Ａ）は、樹
脂１ｋｇ中にカルボキシル基を０.７〜３.５モル、好ま
しくは１〜２.５モル及び水酸基を０.５〜３.５モル、
好ましくは０.７５〜３.２モル、さらに好ましくは０.
８〜３.０モルの範囲内で含有する数平均分子量が１０,
０００〜１００,０００、好ましくは２０,０００〜７
０,０００、さらに好ましくは２０,０００〜６０,００
０の範囲内にあるアクリル樹脂である。

【００２３】かかるアクリル樹脂（Ａ）は、例えば、カ
ルボキシル基含有不飽和単量体及び水酸基含有不飽和単
量体を適宜他の共重合可能な単量体と共にそれ自体既知
の方法で、例えば重合触媒の存在下且つ好ましくは有機
溶媒の存在下で共重合させることにより得ることができ
る。

【００２４】この重合に使用し得るカルボキシル基含有
不飽和単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、
クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸などの不飽和カル
ボン酸；下記の如き水酸基含有不飽和単量体と無水フタ
ル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フ
タル酸、無水トリメリット酸などのポリカルボン酸無水
物との半エステル化物などが挙げられる。ここで、水酸
基含有不飽和単量体としては、例えば、ヒドロキシエチ
ル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）
アクリレートなどの（メタ）アクリル酸のＣ₁〜Ｃ₁₂ヒ
ドロキシアルキルエステル；アリルアルコールのような
不飽和アルコール等が挙げられる。

【００２５】さらに、他の共重合可能な単量体として
は、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メ
タ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ
−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）ア
クリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、
２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキ
シル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アク
リレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ドデシル
（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレー
ト、イソボルニル（メタ）アクリレートなどの（メタ）
アクリル酸のＣ₁〜Ｃ₁₈アルキル又はシクロアルキルエ
ステル；スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエ
ン、ｐ−クロルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレ
ン等のビニル芳香族化合物；アクリルアミド、メタクリ
ルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エ
チル（メタ）アクリルアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド等の重合性アミド類；アクリロニト
リル、メタクリロニトリル等の重合性ニトリル；酢酸ビ
ニル、プロピオン酸ビニル、乳酸ビニル、酪酸ビニル、
イソ酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、イソカプロン酸ビ
ニル、ピバリン酸ビニル、カプリン酸ビニル、ベオバモ
ノマー（シエル化学社製）などのビニルエステル；酢酸
イソプロペニル、プロピオン酸イソプロペニルなどのプ
ロペニルエステル；下記式

【００２６】

【化３】

【００２７】（式中、ｎは１〜９の整数であり、Ｒ₁及
びＲ₂はそれぞれ水素原子またはメチル基を表わし、Ｒ₃
〜Ｒ₇はそれぞれ水素原子、炭素数１から１０のアルキ
ル基、ベンジル基またはハロゲン原子を表わす）で示さ
れる単量体等が挙げられる。

【００２８】一方、重合反応に使用する有機溶媒として
は、生成するアクリル樹脂を溶解し得るものであれば特
に制限はなく、例えば、Ｃ₁〜Ｃ₈の直鎖状ないし分岐状
アルキルアルコール；ベンジルアルコール等の芳香族環
を含有するＣ₁〜Ｃ₈アルキルアルコール；Ｃ₁〜Ｃ₈の直
鎖ないし分岐アルコールとエチレングリコール、プロピ
レングリコール、ブチレングリコール等のグリコール類
又はそれらのダイマーとのモノ又はジエーテル；エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコ
ール等のグリコール類又はそのダイマーとフェノール又
はＣ₁〜Ｃ₁₂のアルキル置換フェノールとのモノ又はジ
エーテル；上記モノヒドロキシ化合物とＣ₁〜Ｃ₄のカル
ボン酸とのエステル化物；上記グリコール類又はそのダ
イマー；アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチル
ケトン、ジブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロ
ン等のケトン類；エチレンカーボネート、プロピレンカ
ーボネート等のカーボネート類；Ｎ−メチルピロリドン
等のピロリドン類；トルエン、キシレン、エチレンベン
ゼン等の芳香族炭化水素化合物等を単独又は混合して使
用することができる。これらの有機溶媒のうち、それ自
体水溶性であるか、又は有機溶媒中の５０重量％以上が
水溶性である有機溶媒系が特に好ましい。

【００２９】上記単量体の使用割合は、生成するアクリ
ル樹脂（Ａ）が、前記した範囲内のカルボキシル基含有
量及び水酸基含有量を有するように調整される。

【００３０】アクリル樹脂（Ａ）のカルボキシル基含量
が０.７モル／ｋｇ樹脂未満及び／又は水酸基含量が０.
５モル／ｋｇ樹脂未満の場合には、該樹脂の水分散安定
化能力が不足し、生成する分散体の安定性が低下し易く
なる。他方、カルボキシル基含量が３.５モル／ｋｇ樹
脂を超えると、逆に樹脂自身の水溶性が高くなりすぎ、
（Ｂ）及び（Ｃ）成分を分散粒子の芯成分として保持す
る能力が低下し、また分散液中で水溶性成分が多くな
り、生成する分散体の静置及び循環安定性が低下する傾
向がある。また、水酸基含量が３.５モル／ｋｇ樹脂を
超えると、レジスト膜を現像する際に未露光部の膨潤性
が高くなり解像力が低下したり、形成されるレジストパ
ターンの耐エッチング液性が低下し易い。さらに、アク
リル樹脂（Ａ）の分子量が１０,０００より低いと、形
成される分散体の安定性が低下したり、形成されるレジ
スト被膜の物性が低下してエッチング時にレジスト膜が
欠損し易くなる。他方、分子量が１００,０００を超え
ると、粘度が高くなり、樹脂の合成及び水への分散が困
難となりあまり好ましくない。

【００３１】ビニルフェノール樹脂（Ｂ）：本発明の電
着レジスト組成物において使用されるビニルフェノール
樹脂（Ｂ）は式

【００３２】

【化４】

【００３３】で示されるヒドロキシスチレン単位を樹脂
中に２５重量％以上、好ましくは３０〜１００重量％、
さらに好ましくは４０〜１００重量％含有する、数平均
分子量が１,０００〜２５,０００、好ましくは２,５０
０〜２０,０００、さらに好ましくは３,５００〜１７,
０００の範囲内にある樹脂である。

【００３４】かかる樹脂（Ｂ）には、例えば、ｐ−ヒド
ロキシスチレンなどのヒドロキシスチレンの単独重合
体、及びヒドロキシスチレンと他の共重合可能な単量体
との共重合体が包含される。ここで使用しうる他の共重
合可能な単量体としては、アクリル樹脂（Ａ）の製造に
ついて例示したと同様の他の共重合可能な単量体を使用
することができる。

【００３５】樹脂（Ｂ）として上記共重合体を使用する
場合、樹脂中のヒドロキシスチレン単位の含量が２５重
量％未満になると、一般に形成されるレジスト膜の露光
後の加熱における未露光部での不溶化反応が不足して所
期の効果が得られにくい。また、樹脂（Ｂ）の数平均分
子量が１,０００より低くなると形成されるレジスト膜
の物性が低下して、基板との密着性低下、エッチング時
にレジスト膜の欠損が生じ易くなり、他方、数平均分子
量が２５,０００を超えると、溶剤に対する溶解性及び
他成分との相溶性が低下する傾向がある。

【００３６】キノンジアジドスルホン酸エステル
（Ｃ）：本発明の電着レジスト組成物において感光性成
分として使用されるキノンジアジドスルホン酸エステル
（Ｃ）は、ポリヒドロキシベンゾフェノンと１,２−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸又はベンゾキノンジアジ
ドスルホン酸とのエステル化物である。

【００３７】このエステルの形成に使用されるポリヒド
ロキシベンゾフェノンには、下記式

【００３８】

【化５】

【００３９】式中、ｍ及びｎはそれぞれ０〜３の整数で
あり、ただしｍ＋ｎの合計は１〜６である、で示される
ものが包含され、具体的には例えば、２,３,４−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、２,３,４,４′−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

【００４０】一方、これらポリヒドロキシベンゾフェノ
ンとエステル化される１,２−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸及びベンゾキノンジアジドスルホン酸には、そ
れぞれ下記式

【００４１】

【化６】

【００４２】で示されるものが包含され、具体的には、
１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１,２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、１,２−ベ
ンゾキノンジアジド−４−スルホン酸等を例示すること
ができる。

【００４３】上記ポリヒドロキシベンゾフェノンと１,
２−キノンジアジドスルホン酸類とのエステル化反応
は、それ自体既知の方法、例えばポリヒドロキシベンゾ
フェノンと１,２−キノンジアジドスルホン酸類又はそ
のハライド（例えばクロリド）と反応されることにより
行なうことができる。その際の両者の反応比率は特に制
限されないが、一般には、ポリヒドロキシベンゾフェノ
ン中のヒドロキシル基の数ｑに対して、１,２−キノン
ジアジドスルホン酸類を１〜ｑ分子の割合で反応させる
のが好適である。これらのポリヒドロキシベンゾフェノ
ン類やキノンジアジド化合物類は、それぞれ単独で使用
してもよくあるいは２種類以上混合して使用してもよ
い。

【００４４】電着レジスト組成物：本発明の電着レジス
ト組成物は、以上に述べたアクリル樹脂（Ａ）、ビニル
フェノール樹脂（Ｂ）及びキノンジアジドスルホン酸エ
ステル（Ｃ）の３成分を必須成分として含有するもので
ある。

【００４５】本発明の組成物におけるこれら３成分の配
合割合は厳密に制限されるものではなく、該組成物の用
途やこれら３成分の種類等に応じて変えることができ
る。

【００４６】ビニルフェノール樹脂（Ｂ）は、（Ａ）、
（Ｂ）及び（Ｃ）の３成分の合計量１０００重量部あた
り、５〜５５０重量部、特に５〜４５０重量部、さらに
特に２５〜３５０重量部の範囲内で存在することが望ま
しく、キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）は、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３成分の合計量１０００部
あたり、１５〜４５０重量部、特に１５〜３５０重量
部、さらに特に２５〜２５０重量部の範囲内で存在する
ことが好ましい。

【００４７】本発明の組成物において、カルボキシル基
の含有量があまりにも少ないと、水分散体が不安定にな
る傾向があり、逆に多すぎると、該組成物を電着する際
のクーロン収量が低くなり、塗面にピンホール等の異常
が生じ易くなる。従つて、本発明の組成物におけるカル
ボキシル基の含有量は、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３
成分の合計量１０００ｇあたり、一般に０.３３〜３.３
モル、好ましくは０.５０〜２.５モル、さらに好ましく
は０.６〜２.０モルの範囲内となるようにするのが好都
合である。

【００４８】また、カルボキシル基と非フェノール性水
酸基は合計で、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３成分の合
計量１０００ｇあたり、一般に０.６〜６モル、特に０.
６〜４.５モル、さらに特に０.６〜３.０モルの範囲で
存在することが、レジスト膜の露光部の現像液に対する
溶解速度、形成される画像のコントラストや解像性等の
点で好適である。

【００４９】ここで「非フェノール性水酸基」とは、芳
香族環に直結していない水酸基をいう。

【００５０】本発明の電着レジスト組成物は、前述した
アクリル樹脂（Ａ）、ビニルフェノール樹脂（Ｂ）及び
キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）を上記の割合
で含有する混合物を、塩基で中和し水分散化することに
より調製することができる。上記中和に使用しうる塩基
は、電着操作に悪い影響を与えるものでなければ特に制
約はなく、広い範囲の塩基から選ぶことができ、例え
ば、トリエチルアミン、モノエタノール、ジエタノール
アミン、ジイソプロピルアミン、ジメチルアミノエタノ
ール、モルホリン、アンモニア、水酸化ナトリウムなど
が挙げられる。中和の程度は、通常、混合物中に存在す
るカルボキシル基の２５〜１００％、特に３５〜９５％
が中和される程度が好ましい。

【００５１】水分散化する方法としては、例えば、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の混合中和物を水中に分
散させる方法；該混合中和物に水を加えて分散させる方
法；（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の混合物を中和用の
塩基を含む水中に加えて分散させる方法；混合物に塩基
を含む水を加えて分散させる方法などを挙げることがで
きる。かくして得られる水分散体は、固形分含量が０.
５〜４０重量％の広い固形分含量範囲内で静置安定性、
循環安定性が良好であるという優れた特性を有してい
る。

【００５２】本発明の組成物には、樹脂や感光剤を溶解
するために、或いは電着塗装により得られる被膜の膜厚
や流展性を調節するために必要に応じて、有機、溶剤を
配合することができる。使用される有機溶剤は特に制限
されないが、エタノール、プロパノール、ブタノール等
の低級アルコール類；（ジ）エチレングリコール、
（ジ）プロピレングリコール等のグリコールとメタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノール等とのモノ
エーテル類；前記グリコール類と前記アルコール類との
ジエーテル；メチルエチルケトン、テトラヒドロフラ
ン、ジメチルホルムアミド等の親水性有機溶剤、或いは
ヘキシルアルコール、オクチルアルコール、ベンジルア
ルコール等の高級アルコール類；前記グリコール類とヘ
キサノール、オクタノール、フェノールとのモノエーテ
ル；前記グリコール類とヘキシルアルコール、オクチル
アルコール、ベンジルアルコールとのジエーテル；メチ
ルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソフオロン
等のケトン類；トルエン、キシレン、エチルベンゼン等
の芳香族炭化水素等の疎水性有機溶剤が挙げられる。親
水性有機溶剤は特に樹脂や感光剤の溶解、流展性調整に
有効であり、通常、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３成分
の合計１００重量部に対して２００重量部以下、特に１
２５重量部以下の範囲内で使用することが好ましい。疎
水性有機溶剤は特に膜厚の調整に有効であり、通常、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の３成分の合計１００重量部
に対して５０重量部以下、特に３０重量部以下の範囲内
で使用することが好ましい。

【００５３】本発明の電着レジスト組成物には、更に必
要に応じて、界面活性剤、流展性調整剤、キレート化剤
などの添加剤、顔料、染料などの着色剤等を配合するこ
とができる。

【００５４】本発明の電着レジスト組成物の固形分濃度
は特に限定されるものではないが、通常、３〜４０重量
％の範囲内である。電着塗装浴としては、一般に、固形
分が３〜２０％のものが使用されるが、電着塗装浴を一
定の濃度に保つために、通常、電着塗装浴の固形分より
１.５〜２.０倍程度高い固形分を有する水分散体を準備
する必要があり、水分散体の安定性が上記の範囲で良好
であることが優れた稼働安定性を得るために重要であ
る。

【００５５】かくして得られる本発明の電着レジスト組
成物は、製造が容易であるため経済性に優れ、且つ稼働
安定性に優れた電着塗装浴を与えるものである。

【００５６】本発明のポジ型感光性電着レジスト組成物
は、レジストパターンまたは導体パターンの形成に極め
て有用であり、パターン形成は例えば、次のようにして
実施することができる。

【００５７】パターンの形成：まず、本発明の組成物を
用いて調製される電着塗装浴（浴固形分濃度：３〜２０
重量％）中に、銅箔などの導電性被膜を有する回路用基
板または銅箔、銅合金箔、ステンレススチール箔などの
金属基板を陽極として浸漬し、陰極との間に定電圧の直
流又は定電流密度の直流を印加して電着レジスト組成物
を電着塗装する。直流電流の印加方法としては、この他
に前記した印加方法を組み合わせる方法、通電初期の電
圧ないしは電流密度の上昇を制御する方法を組み合わせ
る方法等を用いることもできる。

【００５８】定電圧法では印加電圧は通常１０〜３００
ｖの範囲内とすることができ、また、定電流法では印加
電流密度は通常１０〜２００ｍＡ／ｄｍ²の範囲内とす
ることができる。通電時間は通常約２０秒〜約１０分で
あり、これにより基体上にポジ型感光性皮膜が形成され
る。膜厚は乾燥膜厚で一般に２〜５０μｍ、好ましくは
３〜２０μｍの範囲内とすることができる。

【００５９】つぎに、電着塗装後、電着浴から被塗物を
引き上げ水洗し、熱風などで水切り乾燥する。このよう
に形成されるポジ型感光性電着被膜面にパターンマスク
（例えば、写真ポジ）を介して紫外線などの活性光線を
照射して露光する。

【００６０】露光用の活性光線としては、通常、３,０
００〜４,５００Åの波長を有するものを使用すること
ができる。これらの光源としては、例えば、太陽光、水
銀灯、キセノンランプ、アーク灯などが挙げられる。

【００６１】活性光線の照射露光後に感光性塗膜を通
常、約１００℃以上、好ましくは約１２０〜約１８０℃
以上の温度で１〜６０分間程度加熱する。これにより未
露光部の現像液に対する不溶化度を高めて、露光部に対
するコントラストを高くし、その結果現像の条件幅を広
めること及び耐エッチング液性を高めることができる。
ついで、露光部の感光性被膜を除去してレジストパター
ンを形成するための現像処理が行われる。現像処理はア
ルカリ性現像液を用いて行なうことができ、例えば、塗
膜面上に希アルカリ水を吹き付けて塗膜の露光部分を洗
い流す（除去する）ことによって行うことができる。希
アルカリ水としては、例えば、カセイソーダ、カセイカ
リ、メタケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、炭酸ソー
ダ、、アンモニア、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シドなどのアルカリ性物質を水に溶解しｐＨを９〜１３
の範囲内に調節した水溶液を使用することができる。

【００６２】この現像処理によって、基板又は金属の表
面にレジストパターンを形成することができる。

【００６３】このようにして形成されるレジストパター
ンは、導体パターンの形成のために利用することができ
る。すなわち、上記現像処理で露出した電導性被膜また
は金属をエッチングにより除去し、そしてパターン上の
感光性被膜を除去することにより、導体パターンを形成
することもできる。

【００６４】上記現像処理によって基板上に形成される
エッチングパターンである露出した導電性被膜（非回路
部分）は、例えば、塩化第２鉄溶液などの酸性エッチン
グ液またはアンモニア／塩化アンモニウム系のようなア
ルカリエッチング液などを用いた通常のエッチング処理
によって除去することができる。しかる後、回路パター
ン上の未露光塗膜である感光性被膜を除去することによ
って導体パターン、例えばプリント配線板を製造するこ
とができる。未露光塗膜は、例えば、エチルセロソル
ブ、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ系溶
剤；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤；
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケ
トン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチルなどの酢酸エステ
ル系溶剤；などによって、または水酸化ナトリウムなど
の強アルカリ水溶液などによって除去することができ
る。

【００６５】このようにして形成されるレジストパター
ンは、レジスト膜の未露光部分が架橋構造をとるため、
従来のポジ型電着フオトレジストにくらべて、未露光部
が現像液やエッチング液に対する耐性が高いため、現像
操作における許容条件幅が広く、またコントラストの高
いレジストパターンが得られ、また、エッチング操作時
にもレジスト被膜がダメージを受け難く、形成されるパ
ターンの精度が優れている。そのため、微細パターンの
プリント回路板の製造や金属微細加工等において、画像
形成プロセスのコントロールが容易で、かつ極めて精度
の高い画像を得ることができる。

【００６６】また、さらには電着溶液及びその補給に用
いられる高濃度液は、安定性が極めて高いため、優れた
電着浴の稼働安定性が得られる工業的に極めて有用なも
のである。

【００６７】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。

【００６８】製造例１ ： アクリル樹脂（Ａ）−１の製造 ｎ−ブチルメタクリレート ２２３重量部 ｎ−ブチルアクリレート ２４１重量部 ２−ヒドロキシエチルアクリレート ２０７重量部 スチレン ２００重量部 アクリル酸 １２９重量部 ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート １０重量部 上記混合物１０１０重量部を、反応容器中で窒素気流下
に１２０℃に加熱、撹拌されているプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル５０２重量部中に４時間かけて滴
下し、さらに同温度に１時間保持した。ついで、この中
にｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート５
重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル１５
重量部に溶解させた溶液２０重量部を１時間かけて滴下
し、さらに１２０℃で１時間保持した後に冷却し、固形
分約６６重量％の樹脂溶液（Ａ）−１を得た。得られた
樹脂（固形分）は、数平均分子量（ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィーによる、以下同様）約４０，００
０、カルボキシル基含有量１．８０モル／ｋｇ樹脂及び
水酸基含有量１．８０モル／ｋｇ樹脂であった。

【００６９】製造例２ ： アクリル樹脂（Ａ）−２の製造 メチルメタアクリレート １５０重量部 ｎ−ブチルアクリレート ３６５重量部 ２−ヒドロキシエチルアクリレート ２５５重量部 スチレン １５５重量部 アクリル酸 ７５重量部 アゾビスイソブチロニトリル ７.５重量部 上記混合物１００７．５重量部を、反応容器中で窒素気
流下に９０℃に加熱、撹拌されているプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル／エチレングリコールモノブチ
ルエーテル１／１（重量比）６５１重量部中に３時間か
けて滴下し、さらに同温度に２時間保持した。ついで、
この中にアゾビスイソブチロニトリル３重量部をプロピ
レングリコールモノメチルエーテル１５重量部に溶解さ
せた溶液１８重量部を１時間かけて滴下し、さらに９０
℃で２時間保持した後に冷却し、固形分約６０重量％の
樹脂溶液（Ａ）−２を得た。得られた樹脂（固形分）
は、数平均分子量約５３,０００、カルボキシル基含有
量１.０４モル／ｋｇ樹脂及び水酸基含有量２.２０モル
／ｋｇ樹脂であった。

【００７０】製造例３ ： アクリル樹脂（Ａ）−３の製造 エチルアクリレート １５０重量部 ｎ−ブチルアクリレート ３５０重量部 ２−ヒドロキシエチルメタアクリレート １１５重量部 スチレン １８５重量部 メタアクリル酸 ２００重量部 ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート １５重量部 上記混合物１０１５重量部を、反応容器中で窒素気流下
に１２０℃に加熱、撹拌されているエチレングリコール
モノブチルエーテル６４６重量部中に３時間かけて滴下
し、さらに同温度に１時間保持した。ついで、この中に
ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート５重
量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル１５重
量部に溶解させた溶液２０重量部を１時間かけて滴下
し、さらに１２０℃で２時間保持した後に冷却し、固形
分約６０重量％の樹脂溶液（Ａ）−３を得た。得られた
樹脂（固形分）は、数平均分子量約２８,０００、カル
ボキシル基含有量２.３３モル／ｋｇ樹脂及び水酸基含
有量０.８８モル／ｋｇ樹脂であった。

【００７１】製造例４ ： アクリル樹脂（Ａ）−４の製造 メチルメタアクリレート １００重量部 ｎ−ブチルアクリレート ２００重量部 ２−ヒドロキシエチルアクリレート ３３０重量部 スチレン １７０重量部 アクリル酸 ２００重量部 ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート １５重量部 上記混合物１０１５重量部を、反応容器中で窒素気流下
に１２０℃に加熱、撹拌されているエチレングリコール
モノブチルエーテル６４６重量部中に３時間かけて滴下
し、さらに同温度に１時間保持した。ついで、この中に
ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート５重
量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル１５重
量部に溶解させた溶液２０重量部を１時間かけて滴下
し、さらに１２０℃で２時間保持した後に冷却し、固形
分約６０重量％の樹脂溶液（Ａ）−４を得た。得られた
樹脂（固形分）は、数平均分子量約３２,０００、カル
ボキシル基含有量２.７８モル／ｋｇ樹脂及び水酸基含
有量２.８４モル／ｋｇ樹脂であった。

【００７２】製造例５ ： アクリル樹脂（Ａ）−５の製造 エチルアクリレート １８５重量部 ｎ−ブチルアクリレート ３５０重量部 ２−ヒドロキシエチルメタアクリレート ９０重量部 スチレン ２７５重量部 メタアクリル酸 １００重量部 ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート １５重量部 上記混合物１０１５重量部を、反応容器中で窒素気流下
に１２０℃に加熱、撹拌されているエチレングリコール
モノブチルエーテル６４６重量部中に３時間かけて滴下
し、さらに同温度に１時間保持した。ついで、この中に
ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート５重
量部をプロピレングリコールモノメチルエーテル１５重
量部に溶解させた溶液２０重量部を１時間かけて滴下
し、さらに１２０℃で２時間保持した後に冷却し、固形
分約６０重量％の樹脂溶液（Ａ）−５を得た。得られた
樹脂（固形分）は、数平均分子量約２５,０００、カル
ボキシル基含有量１.１６モル／ｋｇ樹脂及び水酸基含
有量０.６９モル／ｋｇ樹脂であった。

【００７３】実施例１〜１２及び比較例１〜５ 下記表１に記載した配合に基づき、脱イオン水以外の原
料をそれぞれ混合し、塩基で中和し均一に溶解せしめた
後、この混合物を規定量の脱イオン水を容器に入れ、１
０００〜３０００ｒｐｍで撹拌している水中に徐々に加
え、添加終了後さらに５００ｒｐｍで２０分間撹拌して
水分散液を得た。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【表２】

【００７６】

【表３】

【００７７】試験例１ 実施例１〜１２及び比較例１〜５の水分散液を密閉容器
に入れ３５℃で１時間及び９０日間放置後、内容物の状
態を観察した。その結果を表２に示す。

【００７８】

【表４】

【００７９】試験例２ 実施例１〜１２及び比較例１〜５の水分散液を脱イオン
水で固形分８％になるように希釈し電着浴液を調製し
た。それぞれを試験例１と同様にして比較した。その結
果を表３に示す。

【００８０】

【表５】

【００８１】また、それぞれの電着浴液を容量１００
ｌのメカニカルシール付き遠心ポンプと孔径１０μｍの
カートリッジフィルターを備えた電着槽に入れ、１０タ
ーンオーバー／ｈｒの循環速度で浴液を３０℃に保ち９
０日間撹拌した。

【００８２】実施例１〜１２及び比較例５の浴液には異
常は認められなかったが、比較例２〜４は撹拌開始後２
日以内にフイルターに著しい目詰まりを生じ、循環がで
きなくなった。比較例１も撹拌開始後１５日頃よりフイ
ルターの目詰まりが顕著となり、６０日で循環ができな
くなった。

【００８３】試験例３ 直径が１.０〜０.３ｍｍφの内部が銅メッキされている
スルーホールを有する、銅厚がそれぞれ４５μｍ及び７
５μｍの２枚のガラス繊維強化エポキシ樹脂銅貼り積層
板を陽極として、前記表１に示す組成からなる電着浴中
で下記の条件で電着塗装を行った。その結果を表４に示
す。

【００８４】

【表６】

【００８５】浴 温 度： ２７℃ 撹 拌： ５ターンオーバー／ｈｒ 基板は電着塗装後水洗し、８０℃で１０分間水切り乾燥
した。

【００８６】異常析出： 塗面にブツ、及びピンホール
が認められる。

【００８７】試験例４ 試験例３で得られた実施例１〜１２及び比較例１〜３及
び５について、スルーホール部を遮光し、かつスルーホ
ール部以外の部分にライン／スペースが３０／３０μｍ
から１０μｍ刻みで１００／１００μｍ、それ以上につ
いては２５μｍ刻みで２００／２００μｍ迄の線パター
ンを有するポリエチレンテレフタレートフィルム製のテ
ストパターンを有するフオトマスクをそれぞれの基板に
密着した後、超高圧水銀灯で照射を行なった。表５に示
す条件で現像エッチング等を行い、その性能比較結果を
表５に示す。

【００８８】

【表７】

【００８９】

【表８】

【００９０】さらに、実施例１〜１２について、露光後
の加熱処理を行なわないことを除いては同様に処理した
結果を表６に比較例６〜１７として示す。

【００９１】

【表９】

【００９２】

【表１０】

【００９３】表５及び表６におて、 露 光 量： ２００ｍｊ／ｃｍ² 現像液１： ０.７％炭酸ソーダ水溶液を使用 ２： １.５％メタケイ酸ソーダ水溶液を使用 解 像 度： レジストパターンのＬ／Ｓの再現性が５％
以内である最狭Ｌ／Ｓ 現像条件 実施例１〜１２ ３０℃・７５秒及び４０℃
・１８０秒 比較例１ ３０℃・７５秒 ２ ５０℃・２１０秒 ３ ４０℃・１８０秒 ５ ５０℃・２１０秒 ６〜１７ ３０℃・７５秒及び３５℃・１２０秒 表５及び表６の現像条件は、レジストパターンに欠陥
（切れ、歪、ハガレ）を生じない現像条件の範囲を示
す。

【００９４】＊は、形成されたレジストパターンの一部
に欠損が有ることを示す。

【００９５】感 度： 現像条件は解像度の場合と同
じ。ステップタブレット（イーストマン コダック社製
２１段）５段を得るための必要露光量（ｍｊ／ｃ
ｍ²）で示す。

【００９６】エッチング性：露光量２００ｍｊ／ｃｍ² エッチング液： 塩化第２銅系エッチング液を使用 エッチング条件： 温度 ５０℃ 時間 レジスト膜の無い基板に完全にエッチングするた
めに要する最短時間の１.５倍 パターン： １００μｍパターンのエッチングによる
減少幅μｍ スルーホール： Ｏ スルーホール内部の銅メッキの異
常無し ＶＳ スルーホール内部の銅メッキが僅かに侵されてい
る導通有り Ｓ スルーホール内部の銅メッキが一部侵され、導通の
無いスルーホールが３％以内発生 Ｐ スルーホール内部の銅メッキが侵され、導通の無い
スルーホールが１０％以上発生 なお、実施例及び比較例いずれの試料においても５０℃
の１％苛性ソーダ水溶液を吹き付けることにより、１８
０秒以内でスルーホール内を含みレジスト膜は剥離でき
た。

【００９７】試験例５ 実施例５の電着浴液を使用して厚さ２００μｍの導箔の
両面に試験例３と全く同じ条件でレジスト膜を形成しそ
の表面に鏡面対象となるようにライン／スペース６０／
６０ミクロンのパターンを有するポリエチレンテレフタ
レートフィルム製のフォトマスクを密着させ超高圧水銀
灯で２００ｍｊ／ｃｍ²の露光を行った後試験例４のエ
ッチング試験と全く同様にして現像、エッチング、レジ
スト膜剥離を行い、画線の線幅減少率が１０％以内の良
好な打ち抜きパターンを得た。

【００９８】

【発明の効果】本発明の電着レジスト組成物は、
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を特定の割合で混合する
ことにより優れた性能を有するポジ型感光性アニオン電
着レジストが安価な製造コストで簡単に製造することが
できる。

【００９９】また、本発明になるパターン形成方法によ
れば、解像度を損なうこと無く、極めて耐エッチング液
性の良いレジスト膜のパターンを形成することができ、
銅厚が厚い回路基板に於いても形成される導体回路の形
状、スルーホール内の銅メッキを何等損なうこと無くエ
ッチングパターンを得ることができる。

【０１００】さらに、本発明の電着レジスト組成物は、
この極めて高い耐エッチング液性を利用して高密度なパ
ターンを有するＴＡＢやリードフレーム等の金属打ち抜
き加工用レジストとして使用することもできる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/26 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ (72)発明者 小暮 英雄 神奈川県平塚市東八幡４丁目17番１号 関 西ペイント株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）カルボキシル基を０.７〜３.５モ
   ル／ｋｇ樹脂及び水酸基を０.５〜３.５モル／ｋｇ樹脂
   含有する数平均分子量が１０,０００〜１００,０００の
   アクリル樹脂、 （Ｂ）式 【化１】 で示される単位を樹脂中に２５重量％以上含有する数平
   均分子量が１,０００〜２５,０００のビニルフェノール
   樹脂、及び （Ｃ）ポリヒドロキシベンゾフェノンと１,２−ナフト
   キノンジアジドスルホン酸又はベンゾキノンジアジドス
   ルホン酸とのエステル化物を含有する混合物を塩基で中
   和、水分散化して得られる水分散性樹脂組成物を主成分
   として含有することを特徴とするポジ型感光性アニオン
   電着レジスト組成物。
2. 【請求項２】 （Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）成分１０００重
   量部に対して、（Ｂ）成分５〜５５０重量部及び（Ｃ）
   成分１５〜４５０重量部を含有し、かつ成分（Ａ）＋
   （Ｂ）＋（Ｃ）の合計１,０００ｇ当りカルボキシル基
   を０.３３〜３.３モル及びカルボキシル基と非フェノー
   ル性水酸基を合計で０.６〜６.０モル含有する請求項１
   記載のポジ型感光性アニオン電着レジスト組成物。
3. 【請求項３】 （ａ）電導性被膜を有する基板または金
   属の表面に、請求項１又は２記載の電着レジスト組成物
   を電着塗装し、ポジ型感光性被膜を形成する工程； （ｂ）該ポジ型感光性被膜をパターンマスクを介して露
   光する工程； （ｃ）該露光された感光性被膜を加熱する工程；及び （ｄ）アルカリ性現像液で露光部の被膜を除去してパタ
   ーンを形成する工程；からなることを特徴とするレジス
   トパターンの形成方法。
4. 【請求項４】 （ａ）電導性被膜を有する基板または金
   属の表面に、請求項１又は２記載の電着レジスト組成物
   を電着塗装し、ポジ型感光性被膜を形成する工程； （ｂ）該ポジ型感光性被膜をパターンマスクを介して露
   光する工程； （ｃ）該露光された感光性被膜を加熱する工程； （ｄ）アルカリ性現像液で露光部の被膜を除去してパタ
   ーンを形成する工程； （ｅ）露出した電導性被膜または金属をエッチングによ
   り除去する工程；及び （ｆ）パターン上の感光性被膜を除去する工程からなる
   ことを特徴とする導体パターンの形成方法。