KR20100026740A - 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 - Google Patents

포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100026740A
KR20100026740A KR1020080085861A KR20080085861A KR20100026740A KR 20100026740 A KR20100026740 A KR 20100026740A KR 1020080085861 A KR1020080085861 A KR 1020080085861A KR 20080085861 A KR20080085861 A KR 20080085861A KR 20100026740 A KR20100026740 A KR 20100026740A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
resin
photoresist composition
weight
thin film
Prior art date
Application number
KR1020080085861A
Other languages
English (en)
Inventor
이희국
윤상현
박정인
전우석
홍필순
강덕만
오세태
이창익
Original Assignee
삼성전자주식회사
에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020080085861A priority Critical patent/KR20100026740A/ko
Priority to US12/389,031 priority patent/US20100055851A1/en
Publication of KR20100026740A publication Critical patent/KR20100026740A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00001
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수
포토레지스트 조성물, 디지털 노광, 식각 특성, 패턴 프로파일

Description

포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법{PHOTORESISIT COMPOSITION, METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERNS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME}
본 발명은 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열함으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치를 이용한 제품이 대형화되면서 공정에 사용되는 마스크의 비용이 증가하고 마스크를 유지하고 관리하는데 투입되는 비용 또한 증가함에 따라서 마스크를 사용하지 않는 노광 공정으로 디지털 노광이 각광을 받고 있다.
디지털 노광은 DMD(digital micromirror device)를 사용하여 마스크 없이 직접 CAD 데이터로부터 DMD의 마이크로 미러를 노광 패턴에 따라 온/오프 제어하여 노광하는 방식이다.
이때 스폿 빔(spot beam)의 광량 차이로 인하여 노광하는 패턴의 경계 영역에서 형태가 일그러짐으로써 패턴 프로파일이 불량해질 수 있다.
또한 일반적으로 널리 사용하는 포토레지스트 패턴의 조성물은 메타크레졸, 파라크레졸, 자이레롤을 단독 또는 혼합한 노볼락 수지를 사용하거나 아크릴 수지를 노볼락과 혼합하여 사용하거나 또는 아크릴 수지를 단독 사용한다.
노볼락 수지를 단독으로 사용할 경우에는 빠르고 강한 경화 반응이 일어남에 따라 박리가 용이하지 않게 되는 문제가 있어 아크릴 수지를 노볼락 수지와 혼합하여 사용하는 경우가 많다.
그러나, 이러한 아크릴 수지는 노볼락 수지에 비해 경화 반응 속도가 현저하게 느리기 때문에 노광 부위와 비노광 부위의 현상액에 대한 상대적 용해도 차이가 적어져 해상도나 패턴 프로파일 관점에서 불리하다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이를 해결하기 위한 것으로서, 패턴 프로파일이 양호하고 박리액에 대한 식각 특성이 뛰어나며 우수한 해상도의 구현이 가능한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제에 의하여 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 하기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물이며,
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00002
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지 및 중합 용매를 더 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물의 총 함량에 대하여 상기 포토레지스트 조성물의 총 함량에 대하여 상기 노볼락 수지 또는 상기 아크릴계 수지 1 내지 50 중량%, 상기 트리아진 유도체 0.1 내지 5 중량%, 상기 멜라민계 수지 1 내지 10 중량%, 상기 화학식 1로 표시되는 수지 1 내지 30 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는 상기 중합 용매를 포함할 수 있다.
상기 R이 모노-메틸렌, 디-메틸렌 및 트리-메틸렌 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 노볼락 수지의 중량 평균 분자량은 4,000 내지 12,000일 수 있다.
상기 노볼락 수지는 산 촉매의 존재하에서 알데하이드 및 페놀을 중합하여 얻을 수 있다.
상기 알데하이드는 포름알데하이드, 벤즈알데하이드, 니트로벤즈알데하이드, 아세트알데하이드 및 푸르푸랄 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
상기 페놀은 페놀, o-크레솔, m-크레솔, p-크레솔, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, p-페닐페놀, 레소르시놀, 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노-메틸에테르, 피로갈롤, 플루오로글리시놀, 하이드록시디페닐, 비스페놀 A, 갈산, 갈산 에스테르, α-나프톨 및 β-나프톨 중에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다.
상기 아크릴계 수지는 아크릴릭에시드, 메타크릴릭에시드, 벤질메타아크릴레이트, 스티렌, 하이드록시에틸메타크릴레이트 및 글리시틸메타크릴레이트 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 수지의 중량 평균 분자량은 4,000 내지 20,000일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 패턴 형성 방법은 기판 위에 박막을 적층하는 단계, 상기 박막 위에 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 하기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하는 단계, 상기 포토레지스트 조성물을 노광하는 단계, 노광한 상기 포토레지스트 조성물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스 트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계, 그리고 상기 포토레지스트 패턴을 박리하는 단계를 포함하며,
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00003
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
상기 포토레지스트 조성물의 총 함량에 대하여 상기 노볼락 수지 또는 상기 아크릴계 수지 1 내지 50 중량%, 상기 트리아진 유도체 0.1 내지 5 중량%, 상기 멜라민계 수지 1 내지 10 중량%, 상기 화학식 1으로 표시되는 수지 1 내지 30 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는 상기 중합 용매를 포함할 수 있다.
상기 R이 모노메틸렌, 디메틸렌 및 트리메틸렌 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물을 노광하는 단계 이전 및 이후에 상기 포토레지스트 조성물에 열을 가하여 경화시키는 제1 및 제2 베이크 단계를 각각 더 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴의 프로파일 각도는 75도 내지 90도일 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴의 선폭은 3.8um 내지 4.5um일 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴을 박리하는 시간은 5초 내지 50초일 수 있다.
상기 포토레지스트 조성물을 현상하는 단계에서 트리메틸아민 하이드록사이드(trimethylammonium hydroxide, TMAH) 용액을 사용할 수 있다.
상기 노광 단계는 디지털 노광 방식을 사용할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 데이터선과 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 보호막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 하기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용한 사진 식각 공정을 사용하며,
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00004
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 보호막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 디지털 노광 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 패턴 프로파일 각도를 양호하게 유지하여 균일한 패턴을 얻을 수 있으며, 해상도 또한 증대시킬 수 있다.
또한, 박리액으로 사용되는 유기 용제에 대한 포토레지스트의 박리 특성을 개선시킬 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발 명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 대하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 하기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00005
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
조성물의 총 함량에 대하여 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지 1 내지 50 중량%, 트리아진 유도체 0.1 내지 5 중량%, 멜라민계 수지 1 내지 10 중량%, 상기 화학식 1로 표시되는 수지 1 내지 30 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는(잔량의) 중합 용매를 포함한다.
노볼락 수지는 산 촉매의 존재하에서 알데하이드 및 페놀을 중합하여 얻는데, 노볼락 수지의 중량 평균 분자량은 4,000 내지 12,000인 것이 바람직하다.
여기서 사용되는 알데하이드는 포름알데하이드, 벤즈알데하이드, 니트로벤즈알데하이드, 아세트알데하이드 및 푸르푸랄 중에서 선택될 수 있다.
또한, 사용되는 페놀은 페놀, o-크레솔, m-크레솔, p-크레솔, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, p-페닐페놀, 레소르시놀, 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노-메틸에테르, 피로갈롤, 플루오로글리시놀, 하이드록시디페닐, 비스페놀 A, 갈산, 갈산 에스테르, α-나프톨 및 β-나프톨 중에서 선택될 수 있다.
또한, 노볼락 수지를 대체하여 사용할 수 있는 아크릴계 수지는 아크릴릭에시드, 메타크릴릭에시드, 벤질메타아크릴레이트, 스티렌, 하이드록시에틸메타크릴레이트 및 글리시틸메타크릴레이트 중에서 선택될 수 있다.
트리아진 유도체는 빛을 조사하였을 때, 직접 또는 간접적으로 산을 발생시키는 산 발생제 역할을 한다.
멜라민계 수지는 수지에 굳기[硬度]나 탄력성 등 기계적 강도와 화학적 안정성을 부여하는 역할을 하는 가교제(cross-linking agent)의 역할을 한다.
상기 화학식 1로 표시되는 수지는 변형된 노볼락 수지 화합물로 중량 평균 분자량은 4,000 내지 20,000인 것이 바람직하며, 여기서 R은 모노-메틸렌, 디-메틸렌 및 트리-메틸렌 중에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
중합 용매는 에틸렌 이중 결합 등을 가지는 중합체를 사용할 수 있으며, 이 중에서 아크릴계 중합체 또는 비닐계 중합체가 더욱 바람직할 수 있다.
본 발명은 노볼락 수지의 분자 구조에 아크릴 수지를 치환시킴으로써 방향족 화합물의 특성과 아크릴 화합물의 특성을 한 분자 사슬내에서 동시에 갖게 하여, 박리 특성이 우수하면서도 해상도나 패턴 프로파일(pattern profile) 각도를 양호하게 유지할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는 바, 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 도 1a 내지 도 2c를 통하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
본 실시예에서는 게이트선 및 데이터선을 포함하는 표시판을 형성하였다.
< 실시예 1 >
먼저, 노볼락 수지 15 중량%, 자외선 조사에 의해 강산을 발생하는 트리아진 유도체 1 중량%, 멜라민계 수지 5 중량%, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(Propylene Glycol Monomethylether Acetate) 74 중량% 및 하기 화학식 1의 수지 5 중량%를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
[화학식 1]
Figure 112008062156798-PAT00006
여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수임
다음, 크기가 300×400mm인 기판을 준비하고, 기판 위에 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하였다.
이후, 포토레지스트 조성물이 스핀 코팅된 기판을 약 120℃에서 베이크한 후 디지털 노광하고, 다시 약 130℃에서 베이크한 후 트리메틸 암모니늄 하이드록 사이드(TMAH) 2.38중량%의 수용액에서 약 60초간 현상한 다음 전자 주사 현미경(scanning electronic microscope, SEM)을 사용하여 패턴 프로파일 각도 및 해상도를 측정하였고, 스트립퍼(AZ REMOVER 550M)를 약 60℃로 가열한 후 스핀 코팅된 포토레지스트 조성물이 기판으로부터 완전히 박리되는 시간을 측정하였다.
< 실시예 2 >
먼저, 노볼락 수지 5 중량%, 자외선 조사에 의해 강산을 발생하는 트리아진 유도체 1 중량%, 멜라민계 수지 5 중량%, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(Propylene Glycol Monomethylether Acetate) 74 중량% 및 화학식 1의 수지 15 중량%를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
다음, 크기가 300×400mm인 기판을 준비하고, 기판 위에 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하였다.
이후, 포토레지스트 조성물이 스핀 코팅된 기판을 약 120℃에서 베이크한 후 디지털 노광하고, 다시 약 130℃에서 베이크한 후 트리메틸 암모니늄 하이드록 사이드(TMAH) 2.38중량%의 수용액에서 약 60초간 현상한 다음 전자 주사 현미경(scanning electronic microscope, SEM)을 사용하여 패턴 프로파일 각도 및 해상도를 측정하였고, 스트립퍼(AZ REMOVER 550M)를 약 60℃로 가열한 후 스핀 코팅된 포토레지스트 조성물이 기판으로부터 완전히 박리되는 시간을 측정하였다.
< 비교예 >
본 비교예는 상술한 실시예 1 및 실시예 2와 동일한 조건에서 포토레지스트 조성물만을 다르게 하여 실험하였다.
먼저, 메타-크레졸 60 중량%와 파라-크레졸 40 중량%로 구성된 노불락 수지 20 중량%, 자외선 조사에 의해 강산을 발생하는 트리아진 유도체 1 중량%, 멜라민계 수지 5 중량%, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(Propylene Glycol Monomethylether Acetate) 74 중량% 및 화학식 1의 수지 5 중량%를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
다음, 크기가 300×400mm인 기판을 준비하고, 기판 위에 제조된 포토레지스트 조성물을 스핀 코팅하였다.
이후, 포토레지스트 조성물이 스핀 코팅된 기판을 약 120℃에서 베이크한 후 디지털 노광하고, 다시 약 130℃에서 베이크한 후 트리메틸 암모니늄 하이드록 사이드(TMAH) 2.38중량%의 수용액에서 약 60초간 현상한 다음 전자 주사 현미경(scanning electronic microscope, SEM)을 사용하여 패턴 프로파일 각도 및 해상도를 측정하였고, 스트립퍼(AZ REMOVER 550M)를 약 60℃로 가열한 후 스핀 코팅된 포토레지스트 조성물이 기판으로부터 완전히 박리되는 시간을 측정하였다.
실시예 1, 실시예 2 및 비교예의 패턴 프로파일 각도를 표 1에 나타내었다.
Figure 112008062156798-PAT00007
표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 포토레지스트 조성물을 기판에 스핀 코팅하고 노광 및 현상한 경우, 각각 76도와 87도의 패턴 프로파일 각도를 얻을 수 있었는데, 이러한 감광막 패턴은 패턴 프로파일 각도가 33도인 비교예에 비하여 식각 대상층에 대한 식각 특성이 매우 우수하였다.
도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에서 형성된 포토레지스트 패턴의 단면을 관찰한 SEM 사진이고, 도 1c는 본 발명의 비교예에서 형성된 포토레지스트 패턴의 단면을 관찰한 SEM 사진이다.
도 1a의 실시예 1 에 따른 포토레지스트 패턴 프로파일 각도는 76도이고, 도 1b의 실시예 2 에 따른 포토레지스트 패턴 프로파일 각도는 87도로 측정되는데 비하여, 도 1c의 비교예에 따른 포토레지스트 패턴 프로파일 각도는 33도로 측정되어, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 노광 및 현상 공정에 적용한 경우, 종전의 마스크를 사용하는 노광 공정보다 우수하며 공정 적용도가 높은 식각 특성을 얻는 것을 볼 수 있었다.
실시예 1, 실시예 2 및 비교예의 해상도를 표 2에 나타내었다.
Figure 112008062156798-PAT00008
표 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 포토레지스트 조성물을 기판에 스핀 코팅하고 노광 및 현상한 경우, 각각 4.3um와 4.0um의 최소 선폭을 얻을 수 있었는데, 이는 최소 선폭 5.0um를 얻을 수 있는 비교예에 비하여 매우 우수한 해상도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에서 형성된 이웃한 포토레지스트 패턴을 위에서 관찰한 SEM 사진이고, 도 2c는 본 발명의 비교예에서 형성된 이웃한 포토레지스트 패턴을 위에서 관찰한 SEM 사진이다.
도 2a의 실시예 1 에 따른 포토레지스트 패턴의 최소 선폭은 4.3um이고, 도 2b의 실시예 2 에 따른 포토레지스트 패턴의 최소 선폭은 4.0um로 측정되는데 비하여, 도 2c의 비교예에 따른 포토레지스트 패턴의 최소 선폭은 5.0um로 측정되어, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 노광 및 현상 공정에 적용한 경우, 종전의 마스크를 사용하는 노광 공정보다 우수한 해상도를 얻을 수 있으며, 깨끗하고 안정적인 이미지 구현이 기능함을 알 수 있었다.
실시예 1, 실시예 2 및 비교예의 박리 특성을 표 3에 나타내었다.
Figure 112008062156798-PAT00009
표 3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 및 실시예 2에 따른 포토레지스트 조성물을 기판에 스핀 코팅하고 노광 및 현상한 경우, 포토레지스트 조성물이 기판으로부터 완전히 박리되는 시간이 각각 40초 및 10초로 측정되었는데, 이는 박리 시간이 200초가 소요되는 비교예에 비하여 매우 우수한 박리 특성이다.
그러면, 이하에서는 상술한 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물을 사용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
절연기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선 (121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(124)을 이룬다.
게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나, 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121) 위에는 게이트 절연막 (140)이 형성되어 있고, 그 위에는 섬형 반도체층(154) 및 저항성 접촉층 (163, 165)이 형성되어 있다. 저항성 접촉층(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선 (171) 및 복수의 드레인 전극 (175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극 (173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 섬형 반도체층(154)과 함께 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 섬형 반도체층(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 접촉 구멍(185)을 가지는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있고 그 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다.
이러한 구조의 박막 트랜지스터 표시판은 상기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용하는 사진 식각 공정을 통해 제조함으로써 더욱 세밀하고 정교한 박막 패턴을 가질 수 있다.
그러면, 도 3 및 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 5 내지 도 14와 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명한다.
도 5 내지 도 14는 도 3 및 도 4의 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법을 차례로 보여주는 단면도이다.
먼저, 도 5에서 보는 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 금속층(120)을 형성한다.
그 다음, 도 6에서 보는 바와 같이, 상술한 본 발명의 실시예에 따른 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 상기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물(40)을 도포하고 디지털 노광을 수행한 후 현상하여, 도 7에서 보는 바와 같이, 소정의 포토레지스트 패턴(40a)을 형성한다. 이때 형성된 포토레지스트 패턴(40a)의 프로파일 각도는 75도 내지 90도이다.
상기 디지털 노광 방식은 소정의 패턴 데이터를 디지털 노광기에 입력하면, 디지털 노광기가 패턴 데이터에 따라 마이크로 미러(micro-mirror)의 온/오프를 제어하여 노광 광원을 포토레지스트 조성물(40)에 선택적으로 조사함으로써 노광하는 방법이다. 여기서 노광 광원으로는 단일 파장의 레이져를 사용할 수 있다.
그러나 본 발명의 실시예에 따라 포토레지스트 패턴(40a)을 형성함에 있어서 광마스크를 사용하여 노광하는 일반적인 노광 방법을 사용할 수도 있다. 그리고, 포토레지스트 조성물(40)을 노광하는 단계 이전 및 이후에 포토레지스트 조성물에 열을 가하여 경화시키는 제1 및 제2 베이크 단계를 각각 더 포함할 수 있다.
이어서, 포토레지스트 패턴(40a)을 식각 마스크로 하여 금속층(120)을 식각한다.
다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 박리제를 이용하여 포토레지스트 패턴(40a)을 박리한다. 이때 포토레지스트 패턴(40a)을 박리하는 시간은 5초 내지 50초일 수 있다.
다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 산화 규소 또는 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(140), 비정질 규소층의 반도체층, n형 불순물 등이 도핑된 비정질 규소층을 차례로 증착하고 사진 식각하여, 게이트 절연막(140) 위에 섬형 반도체층(154) 및 불순물 반도체 패턴(164)를 형성한다. 섬형 반도체층(154) 및 불순물 반도체 패턴(164)을 형성함에 있어서도 상기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용할 수 있고, 디지털 노광 방법 또한 사용할 수 있다.
그 다음, 도 10에서 보는 바와 같이, 불순물 반도체 패턴(164) 및 게이트 절연막(140) 위에 스퍼터링 등의 방법으로 금속층(170)을 증착한다.
이어서, 도 11에서 보는 바와 같이, 금속층(170) 위에 상술한 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 조성물(41)을 도포하고 상기한 바와 같은 디지털 노광을 수행한 후 현상하여, 도 12에서 보는 바와 같이, 소정의 포토레지스트 패턴(41a)을 형성한다. 이때 형성된 포토레지스트 패턴(41a)의 프로파일 각도는 75도 내지 90도이다.
그리고, 포토레지스트 조성물(41)을 노광하는 단계 이전 및 이후에 포토레지스트 조성물에 열을 가하여 경화시키는 제1 및 제2 베이크 단계를 각각 더 포함할 수 있다.
이어서, 포토레지스트 패턴(41a)을 식각 마스크로 하여 금속층(170)을 식각하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 형성한다.
다음, 도 13에 도시한 바와 같이, 포토레지스트 박리제를 이용하여 포토레지스트 패턴(41a)을 박리한다. 이때 포토레지스트 패턴(41a)을 박리하는 시간은 5초 내지 50초일 수 있다.
이어, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)으로 덮이지 않고 노출된 불순물 반도체층 부분을 제거함으로써 복수의 섬형 저항성 접촉층(163, 165)을 완성하는 한편, 그 아래의 섬형 반도체(154)를 노출한다.
다음으로, 도 14에 도시한 바와 같이, 산화 규소 또는 질화 규소 등의 무기 절연물을 증착하거나 수지 등의 유기 절연물을 도포하여 보호막(180)을 형성하고, 사진 식각하여 드레인 전극(175)을 노출하는 접촉 구멍(185)을 형성한다. 이 때, 데이터선(171)의 끝부분과 게이트선(121)의 끝부분을 노출하는 접촉 구멍(181, 182)도 함께 형성할 수 있다. 게이트선(121)의 끝부분을 노출하는 접촉 구멍(181)을 형성하는 경우에는 게이트 절연막(140)도 식각한다. 접촉 구멍(185)을 형성함에 있어서도 상기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용할 수 있고, 디지털 노광 방법 또한 사용할 수 있다.
다음, 도 4에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전체나 알루미늄 등의 반사성이 좋은 금속을 증착하고 사진 식각하여 화소 전극(191)을 형성한다. 화소 전극(191)을 형성함에 있어서도 상기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물을 사용할 수 있고, 디지털 노광 방법 또한 사용할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들을 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1a는 본 발명의 실시예 1에서 형성된 포토레지스트 패턴의 단면을 관찰한 SEM 사진이고,
도 1b는 본 발명의 실시예 2에서 형성된 포토레지스트 패턴의 단면을 관찰한 SEM 사진이며,
도 1c는 본 발명의 비교예에서 형성된 포토레지스트 패턴의 단면을 관찰한 SEM 사진이고,
도 2a는 본 발명의 실시예 1에서 형성된 이웃한 포토레지스트 패턴을 위에서 관찰한 SEM 사진이며,
도 2b는 본 발명의 실시예 2에서 형성된 이웃한 포토레지스트 패턴을 위에서 관찰한 SEM 사진이고,
도 2c는 본 발명의 비교예에서 형성된 이웃한 포토레지스트 패턴을 위에서 관찰한 SEM 사진이며,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며,
도 5 내지 도 14는 도 3 및 도 4의 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법 을 차례로 보여주는 단면도이다.

Claims (21)

  1. 하기 화학식 1의 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112008062156798-PAT00010
    여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
  2. 제1항에서,
    노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지 및 중합 용매를 더 포함하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제2항에서,
    상기 포토레지스트 조성물의 총 함량에 대하여 상기 노볼락 수지 또는 상기 아크릴계 수지 1 내지 50 중량%, 상기 트리아진 유도체 0.1 내지 5 중량%, 상기 멜 라민계 수지 1 내지 10 중량%, 상기 화학식 1로 표시되는 수지 1 내지 30 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는 상기 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
  4. 제3항에서,
    상기 R이 모노-메틸렌, 디-메틸렌 및 트리-메틸렌 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 포토레지스트 조성물.
  5. 제3항에서,
    상기 노볼락 수지의 중량 평균 분자량은 4,000 내지 12,000인 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에서,
    상기 노볼락 수지는 산 촉매의 존재하에서 알데하이드 및 페놀을 중합하여 얻는 것인 포토레지스트 조성물.
  7. 제6항에서,
    상기 알데하이드는 포름알데하이드, 벤즈알데하이드, 니트로벤즈알데하이드, 아세트알데하이드 및 푸르푸랄 중에서 선택되는 적어도 하나인 포토레지스트 조성물.
  8. 제6항에서,
    상기 페놀은 페놀, o-크레솔, m-크레솔, p-크레솔, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, p-페닐페놀, 레소르시놀, 하이드로퀴논, 하이드로퀴논 모노-메틸에테르, 피로갈롤, 플루오로글리시놀, 하이드록시디페닐, 비스페놀 A, 갈산, 갈산 에스테르, α-나프톨 및 β-나프톨 중에서 선택되는 적어도 하나인 포토레지스트 조성물.
  9. 제3항에서,
    상기 아크릴계 수지는 아크릴릭에시드, 메타크릴릭에시드, 벤질메타아크릴레이트, 스티렌, 하이드록시에틸메타크릴레이트 및 글리시틸메타크릴레이트 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 포토레지스트 조성물.
  10. 제3항에서,
    상기 화학식 1로 표시되는 수지의 중량 평균 분자량은 4,000 내지 20,000인 포토레지스트 조성물.
  11. 기판 위에 박막을 적층하는 단계,
    상기 박막 위에 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 하기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하는 단계,
    상기 포토레지스트 조성물을 노광하는 단계,
    노광한 상기 포토레지스트 조성물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계, 그리고
    상기 포토레지스트 패턴을 박리하는 단계
    를 포함하는 박막 패턴 형성 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112008062156798-PAT00011
    여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
  12. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 조성물의 총 함량에 대하여 상기 노볼락 수지 또는 상기 아크릴계 수지 1 내지 50 중량%, 상기 트리아진 유도체 0.1 내지 5 중량%, 상기 멜라민계 수지 1 내지 10 중량%, 상기 화학식 1으로 표시되는 수지 1 내지 30 중량% 및 전체 조성물의 총 중량이 100 중량% 가 되도록 하는 상기 중합 용매를 포함하는 박막 패턴 형성 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 R이 모노메틸렌, 디메틸렌 및 트리메틸렌 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 박막 패턴 형성 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 조성물을 노광하는 단계 이전 및 이후에 상기 포토레지스트 조성물에 열을 가하여 경화시키는 제1 및 제2 베이크 단계를 각각 더 포함하는 박막 패턴 형성 방법.
  15. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 패턴의 프로파일 각도는 75도 내지 90도인 박막 패턴 형성 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 패턴의 선폭은 3.8um 내지 4.5um인 박막 패턴 형성 방법.
  17. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 패턴을 박리하는 시간은 5초 내지 50초인 박막 패턴 형성 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 포토레지스트 조성물을 현상하는 단계에서 트리메틸아민 하이드록사이드(trimethylammonium hydroxide, TMAH) 용액을 사용하는 박막 패턴 형성 방법.
  19. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 조성물을 노광하는 단계는 디지털 노광 방식을 사용하는 것인 박막 패턴 형성 방법.
  20. 게이트선을 형성하는 단계,
    상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계,
    상기 반도체층 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극을 형성하는 단계,
    상기 데이터선과 드레인 전극 위에 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 보호막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는
    노볼락 수지 또는 아크릴계 수지, 트리아진 유도체, 멜라민계 수지, 하기 화학식 1의 수지 및 중합 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용한 사진 식각 공정을 사용하는
    박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112008062156798-PAT00012
    여기서, R은 메틸렌기이고, n은 1 이상의 정수이다.
  21. 제20항에서,
    상기 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층을 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 보호막을 형성하는 단계, 상기 화소 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나는
    디지털 노광 방법을 사용하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
KR1020080085861A 2008-09-01 2008-09-01 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 KR20100026740A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080085861A KR20100026740A (ko) 2008-09-01 2008-09-01 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US12/389,031 US20100055851A1 (en) 2008-09-01 2009-02-19 Photoresist compostion, method for forming thin film patterns, and method for manufacturing a thin film transistor using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080085861A KR20100026740A (ko) 2008-09-01 2008-09-01 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100026740A true KR20100026740A (ko) 2010-03-10

Family

ID=41726063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080085861A KR20100026740A (ko) 2008-09-01 2008-09-01 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100055851A1 (ko)
KR (1) KR20100026740A (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101152139B1 (ko) * 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
EP2653922B1 (en) * 2011-04-12 2017-05-24 DIC Corporation Positive photoresist composition, coating film thereof, and novolac phenol resin
US11142656B2 (en) * 2016-01-20 2021-10-12 Tyco Electronics (Shanghai) Co. Ltd. Electrophoretic coating and preparation method, electrophoretic coating process and selective plating process
JP6724445B2 (ja) * 2016-03-17 2020-07-15 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターン付き基板の製造方法、及びプリント配線板の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
JP4397601B2 (ja) * 2003-02-06 2010-01-13 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． フェノール−ビフェニレン樹脂を含むネガ型感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US20100055851A1 (en) 2010-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI416249B (zh) 光阻組成物、利用其以形成薄膜圖案之方法，與利用其以製造薄膜電晶體陣列面板之方法
JP6323337B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性フィルム
KR20100006952A (ko) 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법및 표시 기판의 제조 방법
TWI472875B (zh) 感光性樹脂組成物、圖案硬化膜的製造方法以及電子零件
JP2008242247A (ja) ２層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法
JP4752754B2 (ja) ２層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法
JP6162897B2 (ja) 導電性基板およびその製造方法
KR20100026740A (ko) 포토레지스트 조성물, 이를 사용한 박막 패턴 형성 방법 및박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
JP2015135481A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びタッチパネルの製造方法
KR20110121301A (ko) 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP5448490B2 (ja) フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法
KR101632965B1 (ko) 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR101268424B1 (ko) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조방법
KR102607855B1 (ko) 고정세 패턴의 제조방법 및 이를 사용하는 디스플레이 디바이스의 제조방법
KR102253191B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고 메탈층으로 이루어지는 패턴의 형성 방법 및 관통 전극의 제조 방법
JP5076611B2 (ja) 電極パターンの形成方法
KR101646907B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 네가티브 포토레지스트 조성물
JP2005107131A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JP6561489B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びこれを用いた感光性エレメント
KR101737798B1 (ko) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
KR101564403B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 사용되는 네가티브 포토레지스트 조성물
JP2005037712A (ja) パターン化されたレジスト膜の製造方法、レジスト膜形成済回路形成用基板、及びプリント配線板の製造方法
KR20160034501A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 회로 패턴 제조 방법
JP2016170245A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及びレジストパターンを形成する方法
KR20060088962A (ko) 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application