JPH11216965A - ネガ型画像記録材料 - Google Patents
ネガ型画像記録材料Info
- Publication number
- JPH11216965A JPH11216965A JP10023300A JP2330098A JPH11216965A JP H11216965 A JPH11216965 A JP H11216965A JP 10023300 A JP10023300 A JP 10023300A JP 2330098 A JP2330098 A JP 2330098A JP H11216965 A JPH11216965 A JP H11216965A
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- JP
- Japan
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- acid
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- image recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 指紋等の傷がついても、画像抜けを起こすこ
となく安定して現像することができるダイレクト製版用
のネガ型画像記録材料を提供する。 【解決手段】 光又は熱により分解して酸を発生する化
合物、酸により架橋する架橋剤、アルカリ可溶性樹脂の
少なくとも1種、赤外線吸収剤、及び、R1 CO−X−
R2 で表される化合物(式中、XはO,S,又はNR3
を表し、R1 は炭素数6〜32のアルキル基又はアルケ
ニル基を表し、R2 、R3は水素原子、又は、炭素数1
〜18のアルキル基、アルケニル基、若しくはアリール
基を表す。)を含有してなることを特徴とするネガ型画
像記録材料である。
となく安定して現像することができるダイレクト製版用
のネガ型画像記録材料を提供する。 【解決手段】 光又は熱により分解して酸を発生する化
合物、酸により架橋する架橋剤、アルカリ可溶性樹脂の
少なくとも1種、赤外線吸収剤、及び、R1 CO−X−
R2 で表される化合物(式中、XはO,S,又はNR3
を表し、R1 は炭素数6〜32のアルキル基又はアルケ
ニル基を表し、R2 、R3は水素原子、又は、炭素数1
〜18のアルキル基、アルケニル基、若しくはアリール
基を表す。)を含有してなることを特徴とするネガ型画
像記録材料である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、平版印刷用版材と
して使用できる画像記録材料に関するものであり、特
に、コンピュータ等のデジタル信号から赤外線レーザを
用い直接製版できる、いわゆるダイレクト製版可能な平
版印刷用版材用のネガ型画像記録材料に関する。
して使用できる画像記録材料に関するものであり、特
に、コンピュータ等のデジタル信号から赤外線レーザを
用い直接製版できる、いわゆるダイレクト製版可能な平
版印刷用版材用のネガ型画像記録材料に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、コンピュータのデジタルデータか
ら直接製版するシステムとしては、電子写真法による
もの、青色又は緑色を発光するレーザを用い露光する
光重合系によるもの、銀塩を感光性樹脂上に積層した
もの、銀塩拡散転写法によるもの等が提案されてい
る。しかしながら、の電子写真法を用いるものは、帯
電、露光、現像等、画像形成のプロセスが煩雑であり、
装置が複雑で大がかりなものになる。の光重合系によ
るものでは、青色や緑色の光に対して高感度な版材であ
るため、明室での取扱いが難しくなる。、の方法で
は銀塩を使用するため現像等の処理が煩雑になる、更に
当然ながら処理廃液中に銀が含まれる欠点がある。
ら直接製版するシステムとしては、電子写真法による
もの、青色又は緑色を発光するレーザを用い露光する
光重合系によるもの、銀塩を感光性樹脂上に積層した
もの、銀塩拡散転写法によるもの等が提案されてい
る。しかしながら、の電子写真法を用いるものは、帯
電、露光、現像等、画像形成のプロセスが煩雑であり、
装置が複雑で大がかりなものになる。の光重合系によ
るものでは、青色や緑色の光に対して高感度な版材であ
るため、明室での取扱いが難しくなる。、の方法で
は銀塩を使用するため現像等の処理が煩雑になる、更に
当然ながら処理廃液中に銀が含まれる欠点がある。
【0003】一方、近年におけるレーザの発展は目ざま
しく、特に波長760〜1200nmの赤外線を放射す
る固体レーザ及び半導体レーザは、高出力かつ小型のも
のが容易に入手できるようになっている。コンピュータ
等のデジタルデータから直接製版する際の記録光源とし
て、これらのレーザは非常に有用である。しかし、実用
上有用な多くの感光性記録材料は、感光波長が760n
m以下の可視光域であるため、これらの赤外線レーザで
は画像記録できない。このため、赤外線レーザで記録可
能な材料が望まれている。
しく、特に波長760〜1200nmの赤外線を放射す
る固体レーザ及び半導体レーザは、高出力かつ小型のも
のが容易に入手できるようになっている。コンピュータ
等のデジタルデータから直接製版する際の記録光源とし
て、これらのレーザは非常に有用である。しかし、実用
上有用な多くの感光性記録材料は、感光波長が760n
m以下の可視光域であるため、これらの赤外線レーザで
は画像記録できない。このため、赤外線レーザで記録可
能な材料が望まれている。
【0004】このような赤外線レーザにより記録可能な
画像記録材料としては、特開平7−20629号に記載
されている、オニウム塩、レゾール樹脂、ノボラック樹
脂、及び赤外線吸収剤よりなる記録材料がある。また、
特開平7−271029号には、ハロアルキル置換され
たs−トリアジン、レゾール樹脂、ノボラック樹脂、及
び赤外線吸収剤よりなる記録材料が記載されている。し
かしながら、これらの画像記録材料を用いた版材では、
取扱い時に素手で触って表面に指紋がついた場合のよう
に、表面に傷がつくと、その部分おいて、レーザ露光、
加熱、及び現像の各処理を行った場合、傷のついた部分
だけ画像が抜けてしまうという問題があった。このよう
な問題は、版材に触れた部分から外気等に含まれる水分
が進入し、その結果、光又は熱により分解して酸を発生
する化合物(A)(例えば、ジアゾニウム塩)が分解し
てしまい、硬化が起こらず、現像時に版材に触れた部分
が溶解してしまうためであると推察される。
画像記録材料としては、特開平7−20629号に記載
されている、オニウム塩、レゾール樹脂、ノボラック樹
脂、及び赤外線吸収剤よりなる記録材料がある。また、
特開平7−271029号には、ハロアルキル置換され
たs−トリアジン、レゾール樹脂、ノボラック樹脂、及
び赤外線吸収剤よりなる記録材料が記載されている。し
かしながら、これらの画像記録材料を用いた版材では、
取扱い時に素手で触って表面に指紋がついた場合のよう
に、表面に傷がつくと、その部分おいて、レーザ露光、
加熱、及び現像の各処理を行った場合、傷のついた部分
だけ画像が抜けてしまうという問題があった。このよう
な問題は、版材に触れた部分から外気等に含まれる水分
が進入し、その結果、光又は熱により分解して酸を発生
する化合物(A)(例えば、ジアゾニウム塩)が分解し
てしまい、硬化が起こらず、現像時に版材に触れた部分
が溶解してしまうためであると推察される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、赤外線を放射する固体レーザ及び半導体レーザを用
いて記録することにより、コンピューター等のデジタル
データから直接製版可能であり、更に、指紋等の傷がつ
いても、画像抜けを起こすことなく安定して現像するこ
とができる、即ち、耐スクラッチ性に優れたネガ型画像
記録材料を提供することにある。
は、赤外線を放射する固体レーザ及び半導体レーザを用
いて記録することにより、コンピューター等のデジタル
データから直接製版可能であり、更に、指紋等の傷がつ
いても、画像抜けを起こすことなく安定して現像するこ
とができる、即ち、耐スクラッチ性に優れたネガ型画像
記録材料を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ネガ型画
像記録材料の構成成分に着目し、鋭意検討の結果、下記
(A)〜(E)を含有してなることを特徴とするネガ型
画像記録材料を用いることにより、上記目的が達成でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。 (A)光又は熱により分解して酸を発生する化合物、
(B)酸により架橋する架橋剤、(C)アルカリ可溶性
樹脂の少なくとも1種、(D)赤外線吸収剤、(E)下
記一般式(a)で表される化合物。 R1 CO−X−R2 一般式(a) (式中、XはO,S,又はNR3 を表し、R1 は炭素数
6〜32のアルキル基又はアルケニル基を表し、R2 、
R3 は水素原子、又は、炭素数1〜18のアルキル基、
アルケニル基、若しくはアリール基を表す。)
像記録材料の構成成分に着目し、鋭意検討の結果、下記
(A)〜(E)を含有してなることを特徴とするネガ型
画像記録材料を用いることにより、上記目的が達成でき
ることを見出し、本発明を完成するに至った。 (A)光又は熱により分解して酸を発生する化合物、
(B)酸により架橋する架橋剤、(C)アルカリ可溶性
樹脂の少なくとも1種、(D)赤外線吸収剤、(E)下
記一般式(a)で表される化合物。 R1 CO−X−R2 一般式(a) (式中、XはO,S,又はNR3 を表し、R1 は炭素数
6〜32のアルキル基又はアルケニル基を表し、R2 、
R3 は水素原子、又は、炭素数1〜18のアルキル基、
アルケニル基、若しくはアリール基を表す。)
【0007】本発明のネガ型画像記録材料においては、
赤外線を放射する固体レーザ及び半導体レーザにより付
与されたエネルギーが、赤外線吸収剤(D)によって熱
エネルギーに変換され、その熱によって、光又は熱によ
り分解して酸を発生する化合物(A)が分解して酸を発
生し、この酸が、酸により架橋する架橋剤(B)とアル
カリ可溶性樹脂(C)との架橋反応を促進することによ
り画像記録、即ち記録材料の製版が行われるものである
が、この系中に一般式(a)で表される化合物(E)を
存在させると、レーザ露光する前のネガ型平版印刷用版
材を素手で触る等しても、該版材に対してレーザ露光、
加熱、及び現像という一連の処理を行ったときに、触っ
た部分において画像が抜けることを防止することができ
る。そのメカニズムは不明であるが、前記一般式(a)
で表される化合物(E)が、画像記録材料の表面にワッ
クス状に浮き出て、被膜を形成しているため、表面に多
少の傷がついても、水分の進入が抑えられると考えられ
る。
赤外線を放射する固体レーザ及び半導体レーザにより付
与されたエネルギーが、赤外線吸収剤(D)によって熱
エネルギーに変換され、その熱によって、光又は熱によ
り分解して酸を発生する化合物(A)が分解して酸を発
生し、この酸が、酸により架橋する架橋剤(B)とアル
カリ可溶性樹脂(C)との架橋反応を促進することによ
り画像記録、即ち記録材料の製版が行われるものである
が、この系中に一般式(a)で表される化合物(E)を
存在させると、レーザ露光する前のネガ型平版印刷用版
材を素手で触る等しても、該版材に対してレーザ露光、
加熱、及び現像という一連の処理を行ったときに、触っ
た部分において画像が抜けることを防止することができ
る。そのメカニズムは不明であるが、前記一般式(a)
で表される化合物(E)が、画像記録材料の表面にワッ
クス状に浮き出て、被膜を形成しているため、表面に多
少の傷がついても、水分の進入が抑えられると考えられ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各構成成分等につ
いて順次、詳細に説明するが、まず、本発明の特徴的な
成分である(E)一般式(a)で表される化合物につい
て述べる。
いて順次、詳細に説明するが、まず、本発明の特徴的な
成分である(E)一般式(a)で表される化合物につい
て述べる。
【0009】[(E)一般式(a)R1 CO−X−R2
で表される化合物]本発明の前記一般式(a)で表され
る化合物は、いわゆるワックスと呼ばれる炭素数の大き
な脂肪酸又はその誘導体である。式中、R1 は、炭素数
6〜32のアルキル基又はアルケニル基を表す。アルキ
ル基又はアルケニル基は、分岐を有していてもよく、ア
ルキル基としては、例えば、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ウンデシル基等の直鎖アルキル基、14−メチ
ルペンタデシル基、16−メチルヘプタデシル基等の分
岐を有するアルキル基が挙げられ、アルケニル基として
は、1−ヘキセニル基、1−ヘプテニル基、1−オクテ
ニル基、2−メチル−1−ヘプテニル基等が挙げられ
る。前記R1 は、炭素数が6より小さいと、耐指紋性が
劣ることがあるため好ましくなく、一方、炭素数が32
を超えると、画像記録材料の現像性が低下し、非画像部
が現像不良となることがあるため好ましくない。前記R
1 は、塗布溶剤に対する溶解性の点で、炭素数25以下
のアルキル基、アルケニル基が好ましい。
で表される化合物]本発明の前記一般式(a)で表され
る化合物は、いわゆるワックスと呼ばれる炭素数の大き
な脂肪酸又はその誘導体である。式中、R1 は、炭素数
6〜32のアルキル基又はアルケニル基を表す。アルキ
ル基又はアルケニル基は、分岐を有していてもよく、ア
ルキル基としては、例えば、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ウンデシル基等の直鎖アルキル基、14−メチ
ルペンタデシル基、16−メチルヘプタデシル基等の分
岐を有するアルキル基が挙げられ、アルケニル基として
は、1−ヘキセニル基、1−ヘプテニル基、1−オクテ
ニル基、2−メチル−1−ヘプテニル基等が挙げられ
る。前記R1 は、炭素数が6より小さいと、耐指紋性が
劣ることがあるため好ましくなく、一方、炭素数が32
を超えると、画像記録材料の現像性が低下し、非画像部
が現像不良となることがあるため好ましくない。前記R
1 は、塗布溶剤に対する溶解性の点で、炭素数25以下
のアルキル基、アルケニル基が好ましい。
【0010】R2 、R3 は、水素原子、又は、炭素数1
〜18のアルキル基、アルケニル基、若しくはアリール
基を表す。アルキル基又はアルケニル基は、分岐を有し
ていてもよく、また、置換基を有していてもよい。この
ようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−
ヘキシル基、n−ノニル基、ベンジル基、シクロヘキシ
ルメチル基等が挙げられ、アルケニル基としては、プロ
ピレニル基、1−ブテニル基、1−イソブテニル基、1
−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、1−ヘ
キセニル基、1−オクテニル基等が挙げられる。アリー
ル基は、置換基を有していてもよく、アリール基として
は、フェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、シクロヘ
キシル基等が挙げられる。Xは、O,S,又はNR3 を
表す。すなわち、前記一般式(a)で表される化合物
は、脂肪酸、脂肪酸エステル、チオ脂肪酸エステル、又
は脂肪酸アミドである。
〜18のアルキル基、アルケニル基、若しくはアリール
基を表す。アルキル基又はアルケニル基は、分岐を有し
ていてもよく、また、置換基を有していてもよい。この
ようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−
ヘキシル基、n−ノニル基、ベンジル基、シクロヘキシ
ルメチル基等が挙げられ、アルケニル基としては、プロ
ピレニル基、1−ブテニル基、1−イソブテニル基、1
−ペンテニル基、3−メチル−1−ブテニル基、1−ヘ
キセニル基、1−オクテニル基等が挙げられる。アリー
ル基は、置換基を有していてもよく、アリール基として
は、フェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、シクロヘ
キシル基等が挙げられる。Xは、O,S,又はNR3 を
表す。すなわち、前記一般式(a)で表される化合物
は、脂肪酸、脂肪酸エステル、チオ脂肪酸エステル、又
は脂肪酸アミドである。
【0011】前記一般式(a)で表される化合物の具体
例を挙げると、脂肪酸としては、エナント酸、カプリル
酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリ
ン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、
パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデ
カン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロ
チン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラ
クセル酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、エライジン
酸、セトレイン酸、エルカ酸、ブラシジン酸等が挙げら
れる。脂肪酸エステルとしては、これらの脂肪酸のメチ
ルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブチ
ルエステル、ドデシルエステル、フェニルエステル、ナ
フチルエステルが挙げられる。チオ脂肪酸エステルとし
ては、これらの脂肪酸のメチルチオエステル、エチルチ
オエステル、プロピルチオエステル、ブチルチオエステ
ル、ベンジルチオエステルが挙げられる。脂肪酸アミド
としては、これらの脂肪酸のアミド、メチルアミド、エ
チルアミド等が挙げられる。
例を挙げると、脂肪酸としては、エナント酸、カプリル
酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ウンデシル酸、ラウリ
ン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、
パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデ
カン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロ
チン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラ
クセル酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、エライジン
酸、セトレイン酸、エルカ酸、ブラシジン酸等が挙げら
れる。脂肪酸エステルとしては、これらの脂肪酸のメチ
ルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、ブチ
ルエステル、ドデシルエステル、フェニルエステル、ナ
フチルエステルが挙げられる。チオ脂肪酸エステルとし
ては、これらの脂肪酸のメチルチオエステル、エチルチ
オエステル、プロピルチオエステル、ブチルチオエステ
ル、ベンジルチオエステルが挙げられる。脂肪酸アミド
としては、これらの脂肪酸のアミド、メチルアミド、エ
チルアミド等が挙げられる。
【0012】前記一般式(a)で表される化合物の添加
量としては、画像記録材料の全固形分に対して0.5〜
10重量%の範囲が好ましく、更に好ましくは1〜6重
量%の範囲である。前記一般式(a)で表される化合物
の添加量が0.5重量%未満であると、前記画像記録材
料の表面に形成されたワックスの被膜が薄くなり、耐指
紋性が劣るため好ましくなく、一方、10重量%で効果
が飽和するため、これ以上加える必要がない。
量としては、画像記録材料の全固形分に対して0.5〜
10重量%の範囲が好ましく、更に好ましくは1〜6重
量%の範囲である。前記一般式(a)で表される化合物
の添加量が0.5重量%未満であると、前記画像記録材
料の表面に形成されたワックスの被膜が薄くなり、耐指
紋性が劣るため好ましくなく、一方、10重量%で効果
が飽和するため、これ以上加える必要がない。
【0013】本発明のネガ型画像記録材料の(E)成分
以外の構成成分について、以下に説明する。 [(A)光又は熱により分解して酸を発生する化合物]
本発明において光又は熱により分解して酸を発生する化
合物(以下、適宜、「酸発生剤」と称する)とは、20
0〜500nmの波長の光照射又は100℃以上の加熱
により酸を発生する化合物を指す。本発明において好適
に用いられる酸発生剤としては、光カチオン重合の光開
始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、
光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されてい
る公知の酸発生剤等、公知の熱分解して酸を発生する化
合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用するこ
とができる。
以外の構成成分について、以下に説明する。 [(A)光又は熱により分解して酸を発生する化合物]
本発明において光又は熱により分解して酸を発生する化
合物(以下、適宜、「酸発生剤」と称する)とは、20
0〜500nmの波長の光照射又は100℃以上の加熱
により酸を発生する化合物を指す。本発明において好適
に用いられる酸発生剤としては、光カチオン重合の光開
始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、
光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されてい
る公知の酸発生剤等、公知の熱分解して酸を発生する化
合物、及びそれらの混合物を適宜に選択して使用するこ
とができる。
【0014】例えば、S.I.Schlesinge
r,Photogr.Sci.Eng.,18,387
(1974)、T.S.Bal et al,Poly
mer,21,423(1980)に記載のジアゾニウ
ム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同Re27,992号、特開平4−36
5049号の明細書に記載のアンモニウム塩、D.C.
Necker et al,Macromolecul
es,17,2468(1984)、C.S.Wen
et al,Teh,Proc.Conf.Rad,C
uring ASIA,p478 Tokyo,Oct
(1988)、米国特許第4,069,055号、同
4,069,056号に記載のホスホニウム塩、J.
V.Crivello et al,Macromol
ecules,10(6),1307(1977)、C
hem.& Eng.News,Nov.28,p31
(1988)、欧州特許第104、143号、米国特許
第339,049号、同第410,201号、特開平2
−150848号、特開平2−296514号に記載の
ヨードニウム塩、J.V.Crivello et a
l,Polymer J.17,73(1985)、
J.V.Crivello et al.J.Org.
Chem.,43,3055(1978)、W.R.W
att et al,J.Polymer Sci.,
Polymer Chem.Ed.,22,1789
(1984)、J.V.Crivello et a
l,Polymer
r,Photogr.Sci.Eng.,18,387
(1974)、T.S.Bal et al,Poly
mer,21,423(1980)に記載のジアゾニウ
ム塩、米国特許第4,069,055号、同4,06
9,056号、同Re27,992号、特開平4−36
5049号の明細書に記載のアンモニウム塩、D.C.
Necker et al,Macromolecul
es,17,2468(1984)、C.S.Wen
et al,Teh,Proc.Conf.Rad,C
uring ASIA,p478 Tokyo,Oct
(1988)、米国特許第4,069,055号、同
4,069,056号に記載のホスホニウム塩、J.
V.Crivello et al,Macromol
ecules,10(6),1307(1977)、C
hem.& Eng.News,Nov.28,p31
(1988)、欧州特許第104、143号、米国特許
第339,049号、同第410,201号、特開平2
−150848号、特開平2−296514号に記載の
ヨードニウム塩、J.V.Crivello et a
l,Polymer J.17,73(1985)、
J.V.Crivello et al.J.Org.
Chem.,43,3055(1978)、W.R.W
att et al,J.Polymer Sci.,
Polymer Chem.Ed.,22,1789
(1984)、J.V.Crivello et a
l,Polymer
【0015】Bull.,14,279(1985)、
J.V.Crivello et al,Macrom
olecules,14(5),1141(198
1)、J.V.Crivello et al,J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第37
0,693号、同390,214号、同233,567
号、同297,443号、同297,442号、米国特
許第4,933,377号、同161,811号、同4
10,201号、同339,049号、同4,760,
013号、同4,734,444号、同2,833,8
27号、独国特許第2,904,626号、同3,60
4,580号、同3,604,581号に記載のスルホ
ニウム塩、
J.V.Crivello et al,Macrom
olecules,14(5),1141(198
1)、J.V.Crivello et al,J.P
olymer Sci.,Polymer Chem.
Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第37
0,693号、同390,214号、同233,567
号、同297,443号、同297,442号、米国特
許第4,933,377号、同161,811号、同4
10,201号、同339,049号、同4,760,
013号、同4,734,444号、同2,833,8
27号、独国特許第2,904,626号、同3,60
4,580号、同3,604,581号に記載のスルホ
ニウム塩、
【0016】J.V.Crivello et al,
Macromolecules,10(6),1307
(1977)、J.V.Crivello et a
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載
のセレノニウム塩、C.S.Wen et al,Te
h,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)に記
載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,9
05,815号、特公昭46−4605号、特開昭48
−36281号、特開昭55−32070号、特開昭6
0−239736号、特開昭61−169835号、特
開昭61−169837号、特開昭62−58241
号、特開昭62−212401号、特開昭63−702
43号、特開昭63−298339号に記載の有機ハロ
ゲン化合物、K.Meier et al,J.Ra
d.Curing,13(4),26(1986),
T.P.Gill et al,Inorg.Che
m.,19,3007(1980)、D.Astru
c,Acc.Chem.Res.,19(12),37
7(1896)、特開平2−161445号に記載の有
機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayase et
al,J.Polymer Sci.,25,753
(1987)、E.Reichmanis et a
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Z
hu et al,J Photochem.,36,
85,39,317(1987)、B.Amitet
al,Tetrahedron Lett.,(24)
2205(1973),
Macromolecules,10(6),1307
(1977)、J.V.Crivello et a
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,17,1047(1979)に記載
のセレノニウム塩、C.S.Wen et al,Te
h,Proc.Conf.Rad.Curing AS
IA,p478 Tokyo,Oct(1988)に記
載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,9
05,815号、特公昭46−4605号、特開昭48
−36281号、特開昭55−32070号、特開昭6
0−239736号、特開昭61−169835号、特
開昭61−169837号、特開昭62−58241
号、特開昭62−212401号、特開昭63−702
43号、特開昭63−298339号に記載の有機ハロ
ゲン化合物、K.Meier et al,J.Ra
d.Curing,13(4),26(1986),
T.P.Gill et al,Inorg.Che
m.,19,3007(1980)、D.Astru
c,Acc.Chem.Res.,19(12),37
7(1896)、特開平2−161445号に記載の有
機金属/有機ハロゲン化物、S.Hayase et
al,J.Polymer Sci.,25,753
(1987)、E.Reichmanis et a
l,J.Polymer Sci.,Polymer
Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Z
hu et al,J Photochem.,36,
85,39,317(1987)、B.Amitet
al,Tetrahedron Lett.,(24)
2205(1973),
【0017】D.H.R.Barton et al,
J.Chem.Soc.3571(1965)、P.
M.Collins et al,J.Chem.So
c.,Perkin I,1695(1975)、M.
Rudinstein et al,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(197
5)、J.W.Walker et al,J.Am.
Chem.Soc.,110,7170(1988)、
S.C.Busman et al,J.Imagin
g Technol.,11(4),191(198
5)、H.M.Houlihan et al,Mac
romolecules,21,2001(198
8)、P.M.Collins et al,J.Ch
em.Soc.,Chem.Commun.,532
(1972)、S.Hayase et al,Mac
romolecules,18,1799(198
5)、E.Reichmanis et al,J.E
lectrochem.Soc.,SolidStat
e Sci.Technol.,130(6)、F.
M.Houlihan et al,Macromol
ecules,21,2001(1988)、欧州特許
第0290,750号、同046,083号、同15
6,535号、同271,851号、同0,388,3
43号、米国特許第3,901,710号、同4,18
1,531号、特開昭60−198538号、特開昭5
3−133022号に記載のo−ニトロベンジル型保護
基を有する光酸発生剤、M.Tunooka et a
l,Polymer Preprints Japa
n,38(8)、G.Berner et al,J.
Rad.Curing,13(4)、W.J.Mijs
et al,Coating Technol.,5
5(697),45(1983)、Akzo,H.Ad
achi et al,Polymer Prepri
nts,Japan,37(3)、欧州特許第019
9,672号、同84515号、同199,672号、
同044,115号、同0101,122号、米国特許
第4,618,564号、同4,371,605号、同
4,431,774号、特開昭64−18143号、特
開平2−245756号、特願平3−140109号に
記載のイミノスルフォネート等に代表される、光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61−1665
44号に記載のジスルホン化合物を挙げることができ
る。
J.Chem.Soc.3571(1965)、P.
M.Collins et al,J.Chem.So
c.,Perkin I,1695(1975)、M.
Rudinstein et al,Tetrahed
ron Lett.,(17),1445(197
5)、J.W.Walker et al,J.Am.
Chem.Soc.,110,7170(1988)、
S.C.Busman et al,J.Imagin
g Technol.,11(4),191(198
5)、H.M.Houlihan et al,Mac
romolecules,21,2001(198
8)、P.M.Collins et al,J.Ch
em.Soc.,Chem.Commun.,532
(1972)、S.Hayase et al,Mac
romolecules,18,1799(198
5)、E.Reichmanis et al,J.E
lectrochem.Soc.,SolidStat
e Sci.Technol.,130(6)、F.
M.Houlihan et al,Macromol
ecules,21,2001(1988)、欧州特許
第0290,750号、同046,083号、同15
6,535号、同271,851号、同0,388,3
43号、米国特許第3,901,710号、同4,18
1,531号、特開昭60−198538号、特開昭5
3−133022号に記載のo−ニトロベンジル型保護
基を有する光酸発生剤、M.Tunooka et a
l,Polymer Preprints Japa
n,38(8)、G.Berner et al,J.
Rad.Curing,13(4)、W.J.Mijs
et al,Coating Technol.,5
5(697),45(1983)、Akzo,H.Ad
achi et al,Polymer Prepri
nts,Japan,37(3)、欧州特許第019
9,672号、同84515号、同199,672号、
同044,115号、同0101,122号、米国特許
第4,618,564号、同4,371,605号、同
4,431,774号、特開昭64−18143号、特
開平2−245756号、特願平3−140109号に
記載のイミノスルフォネート等に代表される、光分解し
てスルホン酸を発生する化合物、特開昭61−1665
44号に記載のジスルホン化合物を挙げることができ
る。
【0018】また、これらの酸を発生する基、あるいは
化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例
えば、M.E.Woodhouse et al,J.
Am.Chem.Soc.,104,5586(198
2)、S.P.Pappaset al,J.Imag
ing Sci.,30(5),218(1986)、
S.Kondo et al. Makromol.C
hem.,Rapid Commun.,9,625
(1988)、Y.Yamada et al,Mak
romol.Chem.,152,153,163(1
972)、J.V.Crivello et al.
J.Polymer Sci.,Polymer Ch
em.Ed.,17,3845(1979)、米国特許
第3,849,137号、独国特許第3,914,40
7、特開昭63−26653号、特開昭55−1648
24号、特開昭62−69263号、特開昭63−14
6037、特開昭63−163452号、特開昭62−
153853号、特開昭63−146029号に記載の
化合物を用いることができる。
化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、例
えば、M.E.Woodhouse et al,J.
Am.Chem.Soc.,104,5586(198
2)、S.P.Pappaset al,J.Imag
ing Sci.,30(5),218(1986)、
S.Kondo et al. Makromol.C
hem.,Rapid Commun.,9,625
(1988)、Y.Yamada et al,Mak
romol.Chem.,152,153,163(1
972)、J.V.Crivello et al.
J.Polymer Sci.,Polymer Ch
em.Ed.,17,3845(1979)、米国特許
第3,849,137号、独国特許第3,914,40
7、特開昭63−26653号、特開昭55−1648
24号、特開昭62−69263号、特開昭63−14
6037、特開昭63−163452号、特開昭62−
153853号、特開昭63−146029号に記載の
化合物を用いることができる。
【0019】更に、V.N.R.Pillai,Syn
thesis,(1),1(1980)、A.Abad
et al,Tetrahedron Lett.,
(47)4555(1971)、D.H.R.Bart
on et al,J.Chem,Soc,.(C),
329(1970)、米国特許第3,779,778
号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸
を発生する化合物も使用することができる。これらのう
ち本発明で特に好ましく用いられる酸発生剤としては、
下記一般式(I)〜(V)で表される化合物が挙げられ
る。
thesis,(1),1(1980)、A.Abad
et al,Tetrahedron Lett.,
(47)4555(1971)、D.H.R.Bart
on et al,J.Chem,Soc,.(C),
329(1970)、米国特許第3,779,778
号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸
を発生する化合物も使用することができる。これらのう
ち本発明で特に好ましく用いられる酸発生剤としては、
下記一般式(I)〜(V)で表される化合物が挙げられ
る。
【0020】
【化1】
【0021】(式中、R1 、R2 、R4 及びR5 は、同
じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい
炭素数20個以下の炭化水素基を示す。R3 は、ハロゲ
ン原子、置換基を有していてもよい炭素数10個以下の
炭化水素基叉は炭素数10個以下のアルコキシ基を示
す。Ar1 、Ar2 は、同じでも異なっていてもよく、
置換基を有していてもよい炭素数20個以下のアリール
基を示す。R6 は、置換基を有していてもよい炭素数2
0個以下の2価の炭化水素基を示す。nは、0〜4の整
数を示す。)
じでも異なっていてもよく、置換基を有していてもよい
炭素数20個以下の炭化水素基を示す。R3 は、ハロゲ
ン原子、置換基を有していてもよい炭素数10個以下の
炭化水素基叉は炭素数10個以下のアルコキシ基を示
す。Ar1 、Ar2 は、同じでも異なっていてもよく、
置換基を有していてもよい炭素数20個以下のアリール
基を示す。R6 は、置換基を有していてもよい炭素数2
0個以下の2価の炭化水素基を示す。nは、0〜4の整
数を示す。)
【0022】上記一般式(I)〜(V)において、
R1 、R2 、R4 及びR5 は、それぞれ独立に、置換基
を有していてもよい炭素数20個以下の炭化水素基を示
し、好ましくは炭素数1〜14の炭化水素基を示す。炭
化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル
基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ウンデシル
基、ドデシル基等のアルキル基、アリル基、ビニル基、
1−メチルビニル基、2−フェニルビニル基等のアルケ
ニル基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ドデシ
ルフェニル基、フェニルフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基等のアリール基が挙げられる。これらの炭
化水素基は、例えばハロゲン原子、アルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、カルボキシ基等の置換基を有していて
もよい。置換基を有する炭化水素基の具体例としては、
トリフルオロメチル基、クロロエチル基、2−メトキシ
エチル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブ
ロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニル
基、フェノキシフェニル基、メトキシフェニルビニル
基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、カルボキシ
フェニル基、9,10−ジメトキシアントラセニル基等
が挙げられる。
R1 、R2 、R4 及びR5 は、それぞれ独立に、置換基
を有していてもよい炭素数20個以下の炭化水素基を示
し、好ましくは炭素数1〜14の炭化水素基を示す。炭
化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル
基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ウンデシル
基、ドデシル基等のアルキル基、アリル基、ビニル基、
1−メチルビニル基、2−フェニルビニル基等のアルケ
ニル基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニル基、ト
リル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ドデシ
ルフェニル基、フェニルフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基等のアリール基が挙げられる。これらの炭
化水素基は、例えばハロゲン原子、アルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、カルボキシ基等の置換基を有していて
もよい。置換基を有する炭化水素基の具体例としては、
トリフルオロメチル基、クロロエチル基、2−メトキシ
エチル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブ
ロモフェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニル
基、フェノキシフェニル基、メトキシフェニルビニル
基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、カルボキシ
フェニル基、9,10−ジメトキシアントラセニル基等
が挙げられる。
【0023】R3 は、ハロゲン原子、置換基を有してい
てもよい炭素数10個以下の炭化水素基(例えば、アル
キル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基)叉
は炭素数10個以下のアルコキシ基を示す。具体的に
は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、ア
リル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、フェ
ニル基、トリル基等の炭化水素基、2−メトキシエチル
基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニル基等置
換基を有する炭化水素基、メトキシ基、エトキシ基等の
アルコキシ基が挙げられる。また、nが2以上の場合、
隣接する2個のR3 で互いに結合し縮環していてもよ
い。
てもよい炭素数10個以下の炭化水素基(例えば、アル
キル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基)叉
は炭素数10個以下のアルコキシ基を示す。具体的に
は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、ア
リル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル
基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、フェ
ニル基、トリル基等の炭化水素基、2−メトキシエチル
基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフ
ェニル基、ヨードフェニル基、メトキシフェニル基等置
換基を有する炭化水素基、メトキシ基、エトキシ基等の
アルコキシ基が挙げられる。また、nが2以上の場合、
隣接する2個のR3 で互いに結合し縮環していてもよ
い。
【0024】Ar1 、Ar2 は、同じであっても異なっ
ていてもよく、置換基を有していてもよい炭素数20個
以下のアリール基、好ましくは炭素数6〜14のアリー
ル基を示す。具体的には、フェニル基、トリル基、キシ
リル基、クメニル基、メシチル基、ドデシルフェニル
基、フェニルフェニル基、ナフチル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、クロロナフチル基、メトキシフェニル基、フ
ェノキシフェニル基、エトキシナフチル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、カルボキシフェニル基、ニ
トロナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。R
6 は、置換基を有していてもよい炭素数20個以下の2
価の炭化水素基(例えば、アルキレン基、アルケニレン
基、アラルキレン基、アリーレン基)を示す。具体的に
は、エチニレン基、1,2−シクロヘキセニレン基、
1,2−フェニレン基、4−クロロ−1,2−フェニレ
ン基、4−ニトロ−1,2−フェニレン基、4−メチル
−1,2−フェニレン基、4ーメトキシ−1,2−フェ
ニレン基、4−カルボキシ−1,2−フェニレン基、
1,8−ナフタレニレン基等が挙げられる。nは、0〜
4の整数を示す。ここで、nが0の場合は、R3 がない
こと、すなわち、水素原子であることを示す。
ていてもよく、置換基を有していてもよい炭素数20個
以下のアリール基、好ましくは炭素数6〜14のアリー
ル基を示す。具体的には、フェニル基、トリル基、キシ
リル基、クメニル基、メシチル基、ドデシルフェニル
基、フェニルフェニル基、ナフチル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、クロロナフチル基、メトキシフェニル基、フ
ェノキシフェニル基、エトキシナフチル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、カルボキシフェニル基、ニ
トロナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。R
6 は、置換基を有していてもよい炭素数20個以下の2
価の炭化水素基(例えば、アルキレン基、アルケニレン
基、アラルキレン基、アリーレン基)を示す。具体的に
は、エチニレン基、1,2−シクロヘキセニレン基、
1,2−フェニレン基、4−クロロ−1,2−フェニレ
ン基、4−ニトロ−1,2−フェニレン基、4−メチル
−1,2−フェニレン基、4ーメトキシ−1,2−フェ
ニレン基、4−カルボキシ−1,2−フェニレン基、
1,8−ナフタレニレン基等が挙げられる。nは、0〜
4の整数を示す。ここで、nが0の場合は、R3 がない
こと、すなわち、水素原子であることを示す。
【0025】一般式化合物(I)〜(V)で表される化
合物の内、好ましいものを以下に挙げる。尚、これらの
化合物は、例えば特開平2−100054号及び特開平
2−100055号に記載の方法により合成することが
できる。
合物の内、好ましいものを以下に挙げる。尚、これらの
化合物は、例えば特開平2−100054号及び特開平
2−100055号に記載の方法により合成することが
できる。
【0026】
【化2】
【0027】
【化3】
【0028】
【化4】
【0029】
【化5】
【0030】
【化6】
【0031】
【化7】
【0032】
【化8】
【0033】
【化9】
【0034】
【化10】
【0035】
【化11】
【0036】
【化12】
【0037】また、(A)光又は熱により分解して酸を
発生する化合物として、ハロゲン化物やスルホン酸等を
対イオンとするオニウム塩、好ましくは下記一般式(V
I)〜(VIII)で示されるヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、ジアゾニウム塩のいずれかの構造を有するもの
も、好適に挙げることができる。
発生する化合物として、ハロゲン化物やスルホン酸等を
対イオンとするオニウム塩、好ましくは下記一般式(V
I)〜(VIII)で示されるヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、ジアゾニウム塩のいずれかの構造を有するもの
も、好適に挙げることができる。
【0038】
【化13】
【0039】(式中、X- は、ハロゲン化物イオン、C
lO4 - 、PF6 - 、SbF6 - 、BF4 - 、又はR7
−SO3 - が挙げられ、ここで、R7 は、置換基を有し
ていてもよい炭素数20以下の炭化水素基を示す。Ar
3 、Ar4 はそれぞれ、置換基を有していてもよい炭素
数20以下のアリール基を示す。R8 、R9 、及びR 10
は置換基を有していてもよい炭素数18以下の炭化水素
基を示す。)上記一般式において、X- としては、R7
−SO3 - が特に好ましく用いられ、ここで、R7 とし
ては、置換基を有していてもよい炭素数20以下の炭化
水素基を示す。R7 で表される炭化水素基の具体例とし
ては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、アリル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチ
ル基、2−エチルヘキシル基、ドデシル基等のアルキル
基、ビニル基、1−メチルビニル基、2−フェニルビニ
ル基等のアルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の
アラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ク
メニル基、メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニル
フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等のアリー
ル基が挙げられる。
lO4 - 、PF6 - 、SbF6 - 、BF4 - 、又はR7
−SO3 - が挙げられ、ここで、R7 は、置換基を有し
ていてもよい炭素数20以下の炭化水素基を示す。Ar
3 、Ar4 はそれぞれ、置換基を有していてもよい炭素
数20以下のアリール基を示す。R8 、R9 、及びR 10
は置換基を有していてもよい炭素数18以下の炭化水素
基を示す。)上記一般式において、X- としては、R7
−SO3 - が特に好ましく用いられ、ここで、R7 とし
ては、置換基を有していてもよい炭素数20以下の炭化
水素基を示す。R7 で表される炭化水素基の具体例とし
ては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、アリル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチ
ル基、2−エチルヘキシル基、ドデシル基等のアルキル
基、ビニル基、1−メチルビニル基、2−フェニルビニ
ル基等のアルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の
アラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ク
メニル基、メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニル
フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等のアリー
ル基が挙げられる。
【0040】これらの炭化水素基は、例えば、ハロゲン
原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、
アルコキシカルボニル基、アニリノ基、アセトアミド基
等の置換基を有していてもよい。置換基を有する炭化水
素基の具体例としては、トリフルオロメチル基、2−メ
トキシエチル基、10−カンファーニル基、フルオロフ
ェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨー
ドフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基、フェノキシフェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシナフチ
ル基、ジメトキシアントラセニル基、ジエトキシアント
ラセニル基、アントラキノニル基、等が挙げられる。
原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリルオキシ基、
ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、
アルコキシカルボニル基、アニリノ基、アセトアミド基
等の置換基を有していてもよい。置換基を有する炭化水
素基の具体例としては、トリフルオロメチル基、2−メ
トキシエチル基、10−カンファーニル基、フルオロフ
ェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨー
ドフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニ
ル基、フェノキシフェニル基、ニトロフェニル基、シア
ノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシナフチ
ル基、ジメトキシアントラセニル基、ジエトキシアント
ラセニル基、アントラキノニル基、等が挙げられる。
【0041】Ar3 、Ar4 はそれぞれ、置換基を有し
ていてもよい炭素数20以下のアリール基を示し、具体
的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル
基、メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニルフェニ
ル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、フェノキシフェニル基、ニトロフェニル基、シアノ
フェニル基、カルボキシフェニル基、アニリノフェニル
基、アニリノカルボニルフェニル基、モルホリノフェニ
ル基、フェニルアゾフェニル基、メトキシナフチル基、
ヒドロキシナフチル基、ニトロナフチル基、アントラキ
ノニル基等が挙げられる。
ていてもよい炭素数20以下のアリール基を示し、具体
的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル
基、メシチル基、ドデシルフェニル基、フェニルフェニ
ル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、フェノキシフェニル基、ニトロフェニル基、シアノ
フェニル基、カルボキシフェニル基、アニリノフェニル
基、アニリノカルボニルフェニル基、モルホリノフェニ
ル基、フェニルアゾフェニル基、メトキシナフチル基、
ヒドロキシナフチル基、ニトロナフチル基、アントラキ
ノニル基等が挙げられる。
【0042】R8 、R9 、及びR10は、それぞれ独立
に、置換基を有していてもよい炭素数18以下の炭化水
素基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、アリル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、フェニル基、トリル基、t−
ブチルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、等
の炭化水素基、2−メトキシエチル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、フェニルチオフェニル基、ヒドロキシナフチル基、
メトキシナフチル基、ベンゾイルメチル基、ナフトイル
メチル基、等置換基を有する炭化水素基が挙げられる。
また、R8 とR9 とが互いに結合し環を形成していても
よい。
に、置換基を有していてもよい炭素数18以下の炭化水
素基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、i−プロピル基、アリル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、フェニル基、トリル基、t−
ブチルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、等
の炭化水素基、2−メトキシエチル基、フルオロフェニ
ル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフ
ェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル
基、フェニルチオフェニル基、ヒドロキシナフチル基、
メトキシナフチル基、ベンゾイルメチル基、ナフトイル
メチル基、等置換基を有する炭化水素基が挙げられる。
また、R8 とR9 とが互いに結合し環を形成していても
よい。
【0043】一般式(VI)〜(VIII)で表されるオニウ
ム塩のカチオン部としては、ヨードニウムイオン、スル
ホニウムイオン、ジアゾニウムイオンが挙げられる。こ
れらのオニウム塩のカチオン部について、以下に具体的
な構造を示すが、これらに限定されるものではない。
ム塩のカチオン部としては、ヨードニウムイオン、スル
ホニウムイオン、ジアゾニウムイオンが挙げられる。こ
れらのオニウム塩のカチオン部について、以下に具体的
な構造を示すが、これらに限定されるものではない。
【0044】
【化14】
【0045】
【化15】
【0046】
【化16】
【0047】
【化17】
【0048】
【化18】
【0049】一方、これらのオニウム塩のカウンターア
ニオンのうち、特に良好に用いられるスルホネートイオ
ンの例としては、 1)メタンスルホネート、 2)エタンスルホネート、 3)1−プロパンスルホネート、 4)2−プロパンスルホネート、 5)n−ブタンスルホネート、 6)アリルスルホネート、 7)10−カンファースルホネート、 8)トリフルオロメタンスルホネート、 9)ペンタフルオロエタンスルホネート、 10)ベンゼンスルホネート、 11)p−トルエンスルホネート、 12)3−メトキシベンゼンスルホネート、 13)4−メトキシベンゼンスルホネート、 14)4−ヒドロキシベンゼンスルホネート、 15)4−クロロベンゼンスルホネート、 16)3−ニトロベンゼンスルホネート、 17)4−ニトロベンゼンスルホネート、 18)4−アセチルベンゼンスルホネート、 19)ペンタフルオロベンゼンスルホネート、 20)4−ドデシルベンゼンスルホネート、 21)メシチレンスルホネート、 22)2、4、6−トリイソプロピルベンゼンスルホネ
ート、 23)2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホネート、 24)イソフタル酸ジメチル−5−スルホネート、 25)ジフェニルアミン−4−スルホネート、 26)1−ナフタレンスルホネート、 27)2−ナフタレンスルホネート、 28)2−ナフトール−6−スルホネート、 29)2−ナフトール−7−スルホネート、 30)アントラキノン−1−スルホネート、 31)アントラキノン−2−スルホネート、 32)9、10−ジメトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 33)9、10−ジエトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 34)キノリン−8−スルホネート、 35)8−ヒドロキシキノリン−5−スルホネート、 36)8−アニリノ−ナフタレン−1−スルホネート 等が挙げられる。
ニオンのうち、特に良好に用いられるスルホネートイオ
ンの例としては、 1)メタンスルホネート、 2)エタンスルホネート、 3)1−プロパンスルホネート、 4)2−プロパンスルホネート、 5)n−ブタンスルホネート、 6)アリルスルホネート、 7)10−カンファースルホネート、 8)トリフルオロメタンスルホネート、 9)ペンタフルオロエタンスルホネート、 10)ベンゼンスルホネート、 11)p−トルエンスルホネート、 12)3−メトキシベンゼンスルホネート、 13)4−メトキシベンゼンスルホネート、 14)4−ヒドロキシベンゼンスルホネート、 15)4−クロロベンゼンスルホネート、 16)3−ニトロベンゼンスルホネート、 17)4−ニトロベンゼンスルホネート、 18)4−アセチルベンゼンスルホネート、 19)ペンタフルオロベンゼンスルホネート、 20)4−ドデシルベンゼンスルホネート、 21)メシチレンスルホネート、 22)2、4、6−トリイソプロピルベンゼンスルホネ
ート、 23)2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホネート、 24)イソフタル酸ジメチル−5−スルホネート、 25)ジフェニルアミン−4−スルホネート、 26)1−ナフタレンスルホネート、 27)2−ナフタレンスルホネート、 28)2−ナフトール−6−スルホネート、 29)2−ナフトール−7−スルホネート、 30)アントラキノン−1−スルホネート、 31)アントラキノン−2−スルホネート、 32)9、10−ジメトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 33)9、10−ジエトキシアントラセン−2−スルホ
ネート、 34)キノリン−8−スルホネート、 35)8−ヒドロキシキノリン−5−スルホネート、 36)8−アニリノ−ナフタレン−1−スルホネート 等が挙げられる。
【0050】また、 41)m−ベンゼンジスルホネート、 42)ベンズアルデヒド−2、4−ジスルホネート、 43)1、5−ナフタレンジスルホネート、 44)2、6−ナフタレンジスルホネート、 45)2、7−ナフタレンジスルホネート、 46)アントラキノン−1、5−ジスルホネート、 47)アントラキノン−1、8−ジスルホネート、 48)アントラキノン−2、6−ジスルホネート、 49)9、10−ジメトキシアントラセン−2、6−ジ
スルホネート、 50)9、10−ジエトキシアントラセン−2、6−ジ
スルホネート、 等のジスルホネート類とオニウム塩カチオン2当量との
塩も用いることができる。
スルホネート、 50)9、10−ジエトキシアントラセン−2、6−ジ
スルホネート、 等のジスルホネート類とオニウム塩カチオン2当量との
塩も用いることができる。
【0051】本発明で良好に用いられるオニウム塩スル
ホネートは、対応するCl- 塩等を、スルホン酸又はス
ルホン酸ナトリウム又はカリウム塩と水中、あるいはア
ルコール等の親水性溶媒と水との混合溶媒中で混ぜ合わ
せて塩交換を行うことにより、得ることができる。オニ
ウム化合物の合成は既知の方法で行うことができ、たと
えば丸善・新実験化学講座14−I巻の2・3章(p.
448)、14−III 巻の8・16章(p.183
8)、同7・14章(p.1564)、J.W.Kna
pczyk他、ジャーナル オブ アメリカン ケミカ
ルソサエティ(J.Am.Chem.Soc.)91
巻、145(1969)、A.L.Maycok他、ジ
ャーナルオブ オーガニック ケミストリィ(J.Or
g.Chem.)35巻、2532(1970)、J.
V.Crivello他、ポリマー ケミストリィ エ
ディション(Polym.Chem.Ed.)18巻、
2677(1980)、米国特許第2,807,648
号、同4,247,473号、特開昭53−10133
1号、特公平5−53166号公報等に記載の方法で合
成することができる。本発明で酸発生剤として良好に使
用されるオニウム塩スルホネートの好ましい例を以下に
示す。
ホネートは、対応するCl- 塩等を、スルホン酸又はス
ルホン酸ナトリウム又はカリウム塩と水中、あるいはア
ルコール等の親水性溶媒と水との混合溶媒中で混ぜ合わ
せて塩交換を行うことにより、得ることができる。オニ
ウム化合物の合成は既知の方法で行うことができ、たと
えば丸善・新実験化学講座14−I巻の2・3章(p.
448)、14−III 巻の8・16章(p.183
8)、同7・14章(p.1564)、J.W.Kna
pczyk他、ジャーナル オブ アメリカン ケミカ
ルソサエティ(J.Am.Chem.Soc.)91
巻、145(1969)、A.L.Maycok他、ジ
ャーナルオブ オーガニック ケミストリィ(J.Or
g.Chem.)35巻、2532(1970)、J.
V.Crivello他、ポリマー ケミストリィ エ
ディション(Polym.Chem.Ed.)18巻、
2677(1980)、米国特許第2,807,648
号、同4,247,473号、特開昭53−10133
1号、特公平5−53166号公報等に記載の方法で合
成することができる。本発明で酸発生剤として良好に使
用されるオニウム塩スルホネートの好ましい例を以下に
示す。
【0052】
【化19】
【0053】
【化20】
【0054】
【化21】
【0055】
【化22】
【0056】
【化23】
【0057】
【化24】
【0058】
【化25】
【0059】
【化26】
【0060】
【化27】
【0061】
【化28】
【0062】
【化29】
【0063】
【化30】
【0064】これらの酸発生剤は、画像記録材料全固形
分に対し0.01〜50重量%、好ましくは0.1〜2
5重量%、より好ましくは0. 5〜20重量%の割合で
画像記録材料中に添加される。添加量が0.01重量%
未満の場合は、画像が得られず、また添加量が50重量
%を超える場合は、印刷時に非画像部に汚れが発生する
ためいずれも好ましくない。これらの化合物は単独で使
用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用しても
よい。
分に対し0.01〜50重量%、好ましくは0.1〜2
5重量%、より好ましくは0. 5〜20重量%の割合で
画像記録材料中に添加される。添加量が0.01重量%
未満の場合は、画像が得られず、また添加量が50重量
%を超える場合は、印刷時に非画像部に汚れが発生する
ためいずれも好ましくない。これらの化合物は単独で使
用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用しても
よい。
【0065】[(B)酸により架橋する架橋剤]本発明
に用いることのできる、酸により架橋する架橋剤(以
下、適宜、「酸架橋剤」又は単に「架橋剤」と称する)
ついて説明する。本発明に好ましく用いられる架橋剤と
しては、以下のものが挙げられる。 (i)アルコキシメチル基、若しくはヒドロキシメチル
基で置換された芳香族化合物 (ii)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチル
基、若しくはN−アシルオキシメチル基を有する化合物 (iii) エポキシ化合物 これらについて詳細に説明する。 (i)アルコキシメチル基、若しくはヒドロキシメチル
基で置換された芳香族化合物としては、例えば、ヒドロ
キシメチル基、アセトキシメチル基、若しくはアルコキ
シメチル基でポリ置換されている芳香族化合物及び複素
環化合物が挙げられる。但し、レゾール樹脂として知ら
れるフェノール類とアルデヒド類とを塩基性条件下で重
縮合させた樹脂状の化合物は含まない。レゾール樹脂は
架橋性に優れるものの、熱安定性が充分でなく、特に感
光性の材料に含有させて高温下に長期間保存した場合、
均一な現像が困難となり好ましくない。
に用いることのできる、酸により架橋する架橋剤(以
下、適宜、「酸架橋剤」又は単に「架橋剤」と称する)
ついて説明する。本発明に好ましく用いられる架橋剤と
しては、以下のものが挙げられる。 (i)アルコキシメチル基、若しくはヒドロキシメチル
基で置換された芳香族化合物 (ii)N−ヒドロキシメチル基、N−アルコキシメチル
基、若しくはN−アシルオキシメチル基を有する化合物 (iii) エポキシ化合物 これらについて詳細に説明する。 (i)アルコキシメチル基、若しくはヒドロキシメチル
基で置換された芳香族化合物としては、例えば、ヒドロ
キシメチル基、アセトキシメチル基、若しくはアルコキ
シメチル基でポリ置換されている芳香族化合物及び複素
環化合物が挙げられる。但し、レゾール樹脂として知ら
れるフェノール類とアルデヒド類とを塩基性条件下で重
縮合させた樹脂状の化合物は含まない。レゾール樹脂は
架橋性に優れるものの、熱安定性が充分でなく、特に感
光性の材料に含有させて高温下に長期間保存した場合、
均一な現像が困難となり好ましくない。
【0066】ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル
基でポリ置換された芳香族化合物及び複素環化合物の中
では、ヒドロキシ基に隣接する位置にヒドロキシメチル
基又はアルコキシメチル基を有する化合物を好ましい例
として挙げることができる。アルコキシメチル基の場合
は、アルコキシメチル基が炭素数18以下の化合物であ
ることが好ましい。特に好ましい例として下記一般式
(1)〜(4)で表される化合物を挙げることができ
る。
基でポリ置換された芳香族化合物及び複素環化合物の中
では、ヒドロキシ基に隣接する位置にヒドロキシメチル
基又はアルコキシメチル基を有する化合物を好ましい例
として挙げることができる。アルコキシメチル基の場合
は、アルコキシメチル基が炭素数18以下の化合物であ
ることが好ましい。特に好ましい例として下記一般式
(1)〜(4)で表される化合物を挙げることができ
る。
【0067】
【化31】
【0068】
【化32】
【0069】前記各式中、L1 〜L8 は、それぞれ独立
にメトキシメチル、エトキシメチル等のように炭素数1
8以下のアルコキシ基で置換されたヒドロキシメチル基
又はアルコキシメチル基を示す。これらは架橋効率が高
く、耐刷性を向上させることができる点で好ましい。上
記に例示された架橋性化合物は、単独で使用してもよ
く、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
にメトキシメチル、エトキシメチル等のように炭素数1
8以下のアルコキシ基で置換されたヒドロキシメチル基
又はアルコキシメチル基を示す。これらは架橋効率が高
く、耐刷性を向上させることができる点で好ましい。上
記に例示された架橋性化合物は、単独で使用してもよ
く、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
【0070】(ii)N−ヒドロキシメチル基、N−アル
コキシメチル基、若しくはN−アシルオキシメチル基を
有する化合物としては、欧州特許公開(以下、「EP−
A」と記載する)第0,133,216号、西独特許第
3,634,671号、同第3,711,264号に開
示された単量体及びオリゴマー−メラミン−ホルムアル
デヒド縮合物並びに尿素−ホルムアルデヒド縮合物、E
P−A第0,212,482号に開示されたアルコキシ
置換化合物等が挙げられる。更に好ましい例としては、
例えば、少なくとも2個の遊離N−ヒドロキシメチル
基、N−アルコキシメチル基、若しくはN−アシルオキ
シメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒド誘導体
が挙げられ、中でもN−アルコキシメチル誘導体が特に
好ましい。
コキシメチル基、若しくはN−アシルオキシメチル基を
有する化合物としては、欧州特許公開(以下、「EP−
A」と記載する)第0,133,216号、西独特許第
3,634,671号、同第3,711,264号に開
示された単量体及びオリゴマー−メラミン−ホルムアル
デヒド縮合物並びに尿素−ホルムアルデヒド縮合物、E
P−A第0,212,482号に開示されたアルコキシ
置換化合物等が挙げられる。更に好ましい例としては、
例えば、少なくとも2個の遊離N−ヒドロキシメチル
基、N−アルコキシメチル基、若しくはN−アシルオキ
シメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒド誘導体
が挙げられ、中でもN−アルコキシメチル誘導体が特に
好ましい。
【0071】(iii) エポキシ化合物としては、一つ以上
のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリゴマ
ー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることができ
る。例えば、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンと
の反応生成物、低分子量フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げられ
る。その他、米国特許第4,026,705号公報、英
国特許第1,539,192号公報に記載され、使用さ
れているエポキシ樹脂を挙げることができる。
のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリゴマ
ー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることができ
る。例えば、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンと
の反応生成物、低分子量フェノール−ホルムアルデヒド
樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げられ
る。その他、米国特許第4,026,705号公報、英
国特許第1,539,192号公報に記載され、使用さ
れているエポキシ樹脂を挙げることができる。
【0072】以上の(i)〜(iii) の本発明に用いるこ
とのできる架橋剤は、画像記録材料全固形分に対し、5
〜80重量%、好ましくは10〜75重量%、特に好ま
しくは20〜70重量%の範囲である。架橋剤の添加量
が5重量%未満であると、得られる画像記録材料の感光
層の耐久性が悪化し、また、80重量%を超えると保存
時の安定性の観点から好ましくない。
とのできる架橋剤は、画像記録材料全固形分に対し、5
〜80重量%、好ましくは10〜75重量%、特に好ま
しくは20〜70重量%の範囲である。架橋剤の添加量
が5重量%未満であると、得られる画像記録材料の感光
層の耐久性が悪化し、また、80重量%を超えると保存
時の安定性の観点から好ましくない。
【0073】(iv)本発明では、架橋剤として、下記一
般式(5)で表されるフェノール誘導体を使用すること
も好ましい。
般式(5)で表されるフェノール誘導体を使用すること
も好ましい。
【0074】
【化33】
【0075】上記一般式(5)中、Ar1 は、置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環を示す。原料の入手
性から、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環又はアントラセン環が好ましい。また、好まし
い置換基としては、ハロゲン原子、炭素数12個以下の
炭化水素基、炭素数12個以下のアルコキシ基、炭素数
12個以下のアルキルチオ基、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基等が挙げられる。感度が高いという
理由で、Ar1 としては、置換基を有していないベンゼ
ン環及びナフタレン環、又は、ハロゲン原子、炭素数6
個以下の炭化水素基、炭素数6個以下のアルコキシ基、
炭素数6個以下のアルキルチオ基、ニトロ基等を置換基
として有するベンゼン環及びナフタレン環が特に好まし
い。R1 及びR2 は、それぞれ同じでも異なっていても
よく、水素原子又は炭素数12個以下の炭化水素基を示
す。合成が容易であるという理由から、R1 及びR
2 は、水素原子又はメチル基であることが特に好まし
い。R3 は、水素原子又は炭素数12個以下の炭化水素
基を示す。感度が高いという理由で、R3 は、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、ベ
ンジル基等の炭素数7個以下の炭化水素基であることが
特に好ましい。mは、2〜4の整数を示す。nは、1〜
3の整数を示す。
有していてもよい芳香族炭化水素環を示す。原料の入手
性から、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフ
タレン環又はアントラセン環が好ましい。また、好まし
い置換基としては、ハロゲン原子、炭素数12個以下の
炭化水素基、炭素数12個以下のアルコキシ基、炭素数
12個以下のアルキルチオ基、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基等が挙げられる。感度が高いという
理由で、Ar1 としては、置換基を有していないベンゼ
ン環及びナフタレン環、又は、ハロゲン原子、炭素数6
個以下の炭化水素基、炭素数6個以下のアルコキシ基、
炭素数6個以下のアルキルチオ基、ニトロ基等を置換基
として有するベンゼン環及びナフタレン環が特に好まし
い。R1 及びR2 は、それぞれ同じでも異なっていても
よく、水素原子又は炭素数12個以下の炭化水素基を示
す。合成が容易であるという理由から、R1 及びR
2 は、水素原子又はメチル基であることが特に好まし
い。R3 は、水素原子又は炭素数12個以下の炭化水素
基を示す。感度が高いという理由で、R3 は、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、シクロヘキシル基、ベ
ンジル基等の炭素数7個以下の炭化水素基であることが
特に好ましい。mは、2〜4の整数を示す。nは、1〜
3の整数を示す。
【0076】本発明において好適に用いられる上記一般
式(5)で表されるフェノール誘導体の具体例を以下に
示す(架橋剤[KZ−1]〜[KZ−8])が、本発明
はこれに制限されるものではない。
式(5)で表されるフェノール誘導体の具体例を以下に
示す(架橋剤[KZ−1]〜[KZ−8])が、本発明
はこれに制限されるものではない。
【0077】
【化34】
【0078】
【化35】
【0079】これらのフェノール誘導体は、従来公知の
方法により合成できる。例えば[KZ−1]は、フェノ
ール、ホルムアルデヒド及び、ジメチルアミンやモルホ
リン等の2級アミンを反応させ、トリ(ジアルキルアミ
ノメチル)フェノールとし、次に無水酢酸と反応させ、
更に炭酸カリウム等の弱アルカリ存在下、エタノールと
反応させることにより、下記反応式[1]に表す如き経
路で合成することができる。 反応式[1]
方法により合成できる。例えば[KZ−1]は、フェノ
ール、ホルムアルデヒド及び、ジメチルアミンやモルホ
リン等の2級アミンを反応させ、トリ(ジアルキルアミ
ノメチル)フェノールとし、次に無水酢酸と反応させ、
更に炭酸カリウム等の弱アルカリ存在下、エタノールと
反応させることにより、下記反応式[1]に表す如き経
路で合成することができる。 反応式[1]
【0080】
【化36】
【0081】更に、別の方法によっても合成できる。例
えば[KZ−1]は、フェノールとホルムアルデヒド又
はパラホルムアルデヒドを、KOH等のアルカリ存在下
反応させ、2,4,6−トリヒドロキシメチルフェノー
ルとし、引き続き硫酸等の酸存在下、エタノールと反応
させることにより、下記反応式[2]に表す如き経路で
も合成することができる。 反応式[2]
えば[KZ−1]は、フェノールとホルムアルデヒド又
はパラホルムアルデヒドを、KOH等のアルカリ存在下
反応させ、2,4,6−トリヒドロキシメチルフェノー
ルとし、引き続き硫酸等の酸存在下、エタノールと反応
させることにより、下記反応式[2]に表す如き経路で
も合成することができる。 反応式[2]
【0082】
【化37】
【0083】これらのフェノール誘導体は単独で使用し
てもよく、また2種類以上を組み合わせて使用してもよ
い。また、これらのフェノール誘導体を合成する際、フ
ェノール誘導体同士が縮合して2量体や3量体等の不純
物が副生成する場合があるが、これらの不純物を含有し
たまま用いてもよい。なお、この場合でも、不純物は3
0%以下であることが好ましく、20%以下であること
が更に好ましい。
てもよく、また2種類以上を組み合わせて使用してもよ
い。また、これらのフェノール誘導体を合成する際、フ
ェノール誘導体同士が縮合して2量体や3量体等の不純
物が副生成する場合があるが、これらの不純物を含有し
たまま用いてもよい。なお、この場合でも、不純物は3
0%以下であることが好ましく、20%以下であること
が更に好ましい。
【0084】本発明において、フェノール誘導体は全画
像記録材料固形分中、5〜70重量%、好ましくは10
〜50重量%の添加量で用いられる。ここで、架橋剤と
してのフェノール誘導体の添加量が5重量%未満である
と画像記録した際の画像部の膜強度が悪化し、また、7
0重量%を越えると保存時の安定性の点で好ましくな
い。
像記録材料固形分中、5〜70重量%、好ましくは10
〜50重量%の添加量で用いられる。ここで、架橋剤と
してのフェノール誘導体の添加量が5重量%未満である
と画像記録した際の画像部の膜強度が悪化し、また、7
0重量%を越えると保存時の安定性の点で好ましくな
い。
【0085】[(C)アルカリ可溶性樹脂]本発明にお
いて使用されるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラッ
ク樹脂や側鎖にヒドロキシアリール基を有するポリマー
等が挙げられる。本発明においてアルカリ可溶性樹脂と
して使用し得るノボラック樹脂は、フェノール類とアル
デヒド類を酸性条件下で縮合させた樹脂である。好まし
いノボラック樹脂としては、例えば、フェノールとホル
ムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂、m−クレ
ゾールとホルムアルデヒドとから得られるノボラック樹
脂、p−クレゾールとホルムアルデヒドとから得られる
ノボラック樹脂、o−クレゾールとホルムアルデヒドと
から得られるノボラック樹脂、オクチルフェノールとホ
ルムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂、m−/
p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとから得られる
ノボラック樹脂、フェノール/クレゾール(m−,p
−,o−又はm−/p−,m−/o−,o−/p−混合
のいずれでもよい)の混合物とホルムアルデヒドとから
得られるノボラック樹脂等が挙げられる。これらのノボ
ラック樹脂は、重量平均分子量が800〜200,00
0で、数平均分子量が400〜60,000のものが好
ましい。
いて使用されるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラッ
ク樹脂や側鎖にヒドロキシアリール基を有するポリマー
等が挙げられる。本発明においてアルカリ可溶性樹脂と
して使用し得るノボラック樹脂は、フェノール類とアル
デヒド類を酸性条件下で縮合させた樹脂である。好まし
いノボラック樹脂としては、例えば、フェノールとホル
ムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂、m−クレ
ゾールとホルムアルデヒドとから得られるノボラック樹
脂、p−クレゾールとホルムアルデヒドとから得られる
ノボラック樹脂、o−クレゾールとホルムアルデヒドと
から得られるノボラック樹脂、オクチルフェノールとホ
ルムアルデヒドとから得られるノボラック樹脂、m−/
p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとから得られる
ノボラック樹脂、フェノール/クレゾール(m−,p
−,o−又はm−/p−,m−/o−,o−/p−混合
のいずれでもよい)の混合物とホルムアルデヒドとから
得られるノボラック樹脂等が挙げられる。これらのノボ
ラック樹脂は、重量平均分子量が800〜200,00
0で、数平均分子量が400〜60,000のものが好
ましい。
【0086】また、本発明におけるアルカリ可溶性樹脂
としては、側鎖にヒドロキシアリール基を有するポリマ
ーも好ましく挙げることができる。このポリマーにおい
て、ヒドロキシアリール基とは−OH基が1個以上結合
したアリール基を示す。アリール基としては例えば、フ
ェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナント
レニル基等を挙げることができるが、入手の容易さ及び
物性の観点から、フェニル基あるいはナフチル基が好ま
しい。従って、ヒドロキシアリール基としては、ヒドロ
キシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、トリヒドロ
キシフェニル基、テトラヒドロキシフェニル基、ヒドロ
キシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基等が好まし
い。これらのヒドロキシアリール基は、更に、ハロゲン
原子、炭素数20個以下の炭化水素基、炭素数20個以
下のアルコキシ基及び炭素数20個以下のアリールオキ
シ基等の置換基を有していてもよい。これらのヒドロキ
シアリール基は、ポリマーの側鎖としてペンダント状に
ポリマー主鎖へ結合しているが、主鎖との間に連結基を
有していてもよい。
としては、側鎖にヒドロキシアリール基を有するポリマ
ーも好ましく挙げることができる。このポリマーにおい
て、ヒドロキシアリール基とは−OH基が1個以上結合
したアリール基を示す。アリール基としては例えば、フ
ェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナント
レニル基等を挙げることができるが、入手の容易さ及び
物性の観点から、フェニル基あるいはナフチル基が好ま
しい。従って、ヒドロキシアリール基としては、ヒドロ
キシフェニル基、ジヒドロキシフェニル基、トリヒドロ
キシフェニル基、テトラヒドロキシフェニル基、ヒドロ
キシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基等が好まし
い。これらのヒドロキシアリール基は、更に、ハロゲン
原子、炭素数20個以下の炭化水素基、炭素数20個以
下のアルコキシ基及び炭素数20個以下のアリールオキ
シ基等の置換基を有していてもよい。これらのヒドロキ
シアリール基は、ポリマーの側鎖としてペンダント状に
ポリマー主鎖へ結合しているが、主鎖との間に連結基を
有していてもよい。
【0087】本発明において好適に用いられる、側鎖に
ヒドロキシアリール基を有するポリマーは、下記一般式
(IX)〜(XII) で表される構成単位の内いずれか1種を
含有するポリマーである。
ヒドロキシアリール基を有するポリマーは、下記一般式
(IX)〜(XII) で表される構成単位の内いずれか1種を
含有するポリマーである。
【0088】
【化38】
【0089】(式中、R11は、水素原子又はメチル基を
示す。R12及びR13は、同じでも異なっていてもよく、
水素原子、ハロゲン原子、炭素数10個以下の炭化水素
基、炭素数10個以下のアルコキシ基又は、炭素数10
個以下のアリールオキシ基を示す。また、R12とR13が
結合して、縮環したベンゼン環やシクロヘキサン環を形
成していてもよい。R14は、単結合又は、炭素数20個
以下の2価の炭化水素基を示す。R15は、単結合又は、
炭素数20個以下の2価の炭化水素基を示す。R16は、
単結合又は、炭素数10個以下の2価の炭化水素基を示
す。X1は、単結合、エーテル結合、チオエーテル結
合、エステル結合、又はアミド結合を示す。pは1〜4
の整数を示す。q及びrは、それぞれ0〜3の整数を示
す。)
示す。R12及びR13は、同じでも異なっていてもよく、
水素原子、ハロゲン原子、炭素数10個以下の炭化水素
基、炭素数10個以下のアルコキシ基又は、炭素数10
個以下のアリールオキシ基を示す。また、R12とR13が
結合して、縮環したベンゼン環やシクロヘキサン環を形
成していてもよい。R14は、単結合又は、炭素数20個
以下の2価の炭化水素基を示す。R15は、単結合又は、
炭素数20個以下の2価の炭化水素基を示す。R16は、
単結合又は、炭素数10個以下の2価の炭化水素基を示
す。X1は、単結合、エーテル結合、チオエーテル結
合、エステル結合、又はアミド結合を示す。pは1〜4
の整数を示す。q及びrは、それぞれ0〜3の整数を示
す。)
【0090】一般式(IX)〜(XII) で表される構成単位
のうち、本発明において好適に用いられる具体的な構成
単位の例を以下に挙げる。
のうち、本発明において好適に用いられる具体的な構成
単位の例を以下に挙げる。
【0091】
【化39】
【0092】
【化40】
【0093】
【化41】
【0094】
【化42】
【0095】
【化43】
【0096】これらのポリマーは、従来公知の方法によ
り合成することができる。例えば、一般式(IX)で表さ
れる構成単位を有するポリマーは、ヒドロキシ基を酢酸
エステルあるいはt−ブチルエーテルとして保護され
た、対応するスチレン誘導体をラジカル重合若しくはア
ニオン重合しポリマーとした後、脱保護することにより
得られる。また、一般式(X)で表される構成単位を有
するポリマーは、特開昭64−32256号及び同64
−35436号等に記載されている方法により合成する
ことができる。更に、一般式(XI)で表される構成単位
を有するポリマーは、ヒドロキシ基を有するアミン化合
物と無水マレイン酸を反応させ、対応するモノマーを得
た後、ラジカル重合によりポリマーとすることにより得
られる。また、一般式(XII) で表される構成単位を有す
るポリマーは、クロロメチルスチレンやカルボキシスチ
レン等、合成上有用な官能基を持つスチレン類を原料と
して一般式(XII) に対応するモノマーへ誘導し、更にラ
ジカル重合によりポリマーとすることにより得られる。
り合成することができる。例えば、一般式(IX)で表さ
れる構成単位を有するポリマーは、ヒドロキシ基を酢酸
エステルあるいはt−ブチルエーテルとして保護され
た、対応するスチレン誘導体をラジカル重合若しくはア
ニオン重合しポリマーとした後、脱保護することにより
得られる。また、一般式(X)で表される構成単位を有
するポリマーは、特開昭64−32256号及び同64
−35436号等に記載されている方法により合成する
ことができる。更に、一般式(XI)で表される構成単位
を有するポリマーは、ヒドロキシ基を有するアミン化合
物と無水マレイン酸を反応させ、対応するモノマーを得
た後、ラジカル重合によりポリマーとすることにより得
られる。また、一般式(XII) で表される構成単位を有す
るポリマーは、クロロメチルスチレンやカルボキシスチ
レン等、合成上有用な官能基を持つスチレン類を原料と
して一般式(XII) に対応するモノマーへ誘導し、更にラ
ジカル重合によりポリマーとすることにより得られる。
【0097】本発明では、一般式(IX)〜(XII) で表さ
れる構成単位のみからなるホモポリマーであってもよい
が、他の構成単位をも含む共重合体であってもよい。好
適に用いられる他の構成単位としては、例えば、アクリ
ル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルア
ミド類、メタクリルアミド類、ビニルエステル類、スチ
レン類、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリ
ル、無水マレイン酸、マレイン酸イミド等の公知のモノ
マーより導入される構成単位が挙げられる。
れる構成単位のみからなるホモポリマーであってもよい
が、他の構成単位をも含む共重合体であってもよい。好
適に用いられる他の構成単位としては、例えば、アクリ
ル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルア
ミド類、メタクリルアミド類、ビニルエステル類、スチ
レン類、アクリル酸、メタクリル酸、アクリロニトリ
ル、無水マレイン酸、マレイン酸イミド等の公知のモノ
マーより導入される構成単位が挙げられる。
【0098】用いることのできるアクリル酸エステル類
の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、(n−又はi−)プロピルアクリレート、(n
−、i−、sec−又はt−)ブチルアクリレート、ア
ミルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、
ドデシルアクリレート、クロロエチルアクリレート、2
−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレー
ト、シクロヘキシルアクリレート、アリルアクリレー
ト、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタ
エリスリトールモノアクリレート、グリシジルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリ
レート、クロロベンジルアクリレート、2−(p−ヒド
ロキシフェニル)エチルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェ
ニルアクリレート、クロロフェニルアクリレート、スル
ファモイルフェニルアクリレート等が挙げられる。
の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、(n−又はi−)プロピルアクリレート、(n
−、i−、sec−又はt−)ブチルアクリレート、ア
ミルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、
ドデシルアクリレート、クロロエチルアクリレート、2
−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレー
ト、シクロヘキシルアクリレート、アリルアクリレー
ト、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタ
エリスリトールモノアクリレート、グリシジルアクリレ
ート、ベンジルアクリレート、メトキシベンジルアクリ
レート、クロロベンジルアクリレート、2−(p−ヒド
ロキシフェニル)エチルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、フェ
ニルアクリレート、クロロフェニルアクリレート、スル
ファモイルフェニルアクリレート等が挙げられる。
【0099】メタクリル酸エステル類の具体例として
は、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
(n−又はi−)プロピルメタクリレート、(n−、i
−、sec−又はt−)ブチルメタクリレート、アミル
メタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、
ドデシルメタクリレート、クロロエチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、アリ
ルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタク
リレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、
グリシジルメタクリレート、メトキシベンジルメタクリ
レート、クロロベンジルメタクリレート、2−(p−ヒ
ドロキシフェニル)エチルメタクリレート、フルフリル
メタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、フェニルメタクリレート、クロロフェニルメタクリ
レート、スルファモイルフェニルメタクリレート等が挙
げられる。
は、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
(n−又はi−)プロピルメタクリレート、(n−、i
−、sec−又はt−)ブチルメタクリレート、アミル
メタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、
ドデシルメタクリレート、クロロエチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチル
メタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、アリ
ルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタク
リレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、
グリシジルメタクリレート、メトキシベンジルメタクリ
レート、クロロベンジルメタクリレート、2−(p−ヒ
ドロキシフェニル)エチルメタクリレート、フルフリル
メタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、フェニルメタクリレート、クロロフェニルメタクリ
レート、スルファモイルフェニルメタクリレート等が挙
げられる。
【0100】アクリルアミド類の具体例としては、アク
リルアミド、N−メチルアクリルアミド、N−エチルア
クリルアミド、N−プロピルアクリルアミド、N−ブチ
ルアクリルアミド、N−ベンジルアクリルアミド、N−
ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−フェニルアクリ
ルアミド、N−トリルアクリルアミド、N−(p−ヒド
ロキシフェニル)アクリルアミド、N−(スルファモイ
ルフェニル)アクリルアミド、N−(フェニルスルホニ
ル)アクリルアミド、N−(トリルスルホニル)アクリ
ルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチ
ル−N−フェニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチ
ル−N−メチルアクリルアミド等が挙げられる。
リルアミド、N−メチルアクリルアミド、N−エチルア
クリルアミド、N−プロピルアクリルアミド、N−ブチ
ルアクリルアミド、N−ベンジルアクリルアミド、N−
ヒドロキシエチルアクリルアミド、N−フェニルアクリ
ルアミド、N−トリルアクリルアミド、N−(p−ヒド
ロキシフェニル)アクリルアミド、N−(スルファモイ
ルフェニル)アクリルアミド、N−(フェニルスルホニ
ル)アクリルアミド、N−(トリルスルホニル)アクリ
ルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、N−メチ
ル−N−フェニルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチ
ル−N−メチルアクリルアミド等が挙げられる。
【0101】メタクリルアミド類の具体例としては、メ
タクリルアミド、N−メチルメタクリルアミド、N−エ
チルメタクリルアミド、N−プロピルメタクリルアミ
ド、N−ブチルメタクリルアミド、N−ベンジルメタク
リルアミド、N−ヒドロキシエチルメタクリルアミド、
N−フェニルメタクリルアミド、N−トリルメタクリル
アミド、N−(p−ヒドロキシフェニル)メタクリルア
ミド、N−(スルファモイルフェニル)メタクリルアミ
ド、N−(フェニルスルホニル)メタクリルアミド、N
−(トリルスルホニル)メタクリルアミド、N,N−ジ
メチルメタクリルアミド、N−メチル−N−フェニルメ
タクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメ
タクリルアミド等が挙げられる。
タクリルアミド、N−メチルメタクリルアミド、N−エ
チルメタクリルアミド、N−プロピルメタクリルアミ
ド、N−ブチルメタクリルアミド、N−ベンジルメタク
リルアミド、N−ヒドロキシエチルメタクリルアミド、
N−フェニルメタクリルアミド、N−トリルメタクリル
アミド、N−(p−ヒドロキシフェニル)メタクリルア
ミド、N−(スルファモイルフェニル)メタクリルアミ
ド、N−(フェニルスルホニル)メタクリルアミド、N
−(トリルスルホニル)メタクリルアミド、N,N−ジ
メチルメタクリルアミド、N−メチル−N−フェニルメ
タクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメ
タクリルアミド等が挙げられる。
【0102】ビニルエステル類の具体例としては、ビニ
ルアセテート、ビニルブチレート、ビニルベンゾエート
等が挙げられる。スチレン類の具体例としては、スチレ
ン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルス
チレン、エチルスチレン、プロピルスチレン、シクロヘ
キシルスチレン、クロロメチルスチレン、トリフルオロ
メチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシ
メチルスチレン、メトキシスチレン、ジメトキシスチレ
ン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレ
ン、ヨードスチレン、フルオロスチレン、カルボキシス
チレン等が挙げられる。
ルアセテート、ビニルブチレート、ビニルベンゾエート
等が挙げられる。スチレン類の具体例としては、スチレ
ン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルス
チレン、エチルスチレン、プロピルスチレン、シクロヘ
キシルスチレン、クロロメチルスチレン、トリフルオロ
メチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシ
メチルスチレン、メトキシスチレン、ジメトキシスチレ
ン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレ
ン、ヨードスチレン、フルオロスチレン、カルボキシス
チレン等が挙げられる。
【0103】これらのモノマーのうち特に好適に使用さ
れるのは、炭素数20以下のアクリル酸エステル類、メ
タクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
アミド類、ビニルエステル類、スチレン類及び、アクリ
ル酸、メタクリル酸、アクリロニトリルである。
れるのは、炭素数20以下のアクリル酸エステル類、メ
タクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
アミド類、ビニルエステル類、スチレン類及び、アクリ
ル酸、メタクリル酸、アクリロニトリルである。
【0104】これらを用いた共重合体中に含まれる一般
式(IX)〜(XII) で表される構成単位の割合は、5〜1
00重量%であることが好ましく、更に好ましくは10
〜100重量%である。また、本発明で使用されるポリ
マーの分子量は、好ましくは重量平均分子量で4000
以上であり、更に好ましくは1万〜30万の範囲であ
り、数平均分子量で好ましくは1000以上であり、更
に好ましくは2000〜25万の範囲である。多分散度
(重量平均分子量/数平均分子量)は1以上が好まし
く、更に好ましくは1.1〜10の範囲である。これら
のポリマーは、ランダムポリマー、ブロックポリマー、
グラフトポリマー等いずれでもよいが、ランダムポリマ
ーであることが好ましい。
式(IX)〜(XII) で表される構成単位の割合は、5〜1
00重量%であることが好ましく、更に好ましくは10
〜100重量%である。また、本発明で使用されるポリ
マーの分子量は、好ましくは重量平均分子量で4000
以上であり、更に好ましくは1万〜30万の範囲であ
り、数平均分子量で好ましくは1000以上であり、更
に好ましくは2000〜25万の範囲である。多分散度
(重量平均分子量/数平均分子量)は1以上が好まし
く、更に好ましくは1.1〜10の範囲である。これら
のポリマーは、ランダムポリマー、ブロックポリマー、
グラフトポリマー等いずれでもよいが、ランダムポリマ
ーであることが好ましい。
【0105】本発明で使用されるアルカリ可溶性樹脂
は、1種類のみで使用してもよいし、あるいは2種類以
上を組み合わせて使用してもよい。アルカリ可溶性樹脂
の添加量は全画像記録材料固形分中、5〜95重量%、
好ましくは10〜95重量%、特に好ましくは20〜9
0重量%で用いられる。アルカリ可溶性樹脂の添加量が
5重量%未満であると記録層の耐久性が悪化し、また、
添加量が95重量%を超える場合は、画像形成されな
い。
は、1種類のみで使用してもよいし、あるいは2種類以
上を組み合わせて使用してもよい。アルカリ可溶性樹脂
の添加量は全画像記録材料固形分中、5〜95重量%、
好ましくは10〜95重量%、特に好ましくは20〜9
0重量%で用いられる。アルカリ可溶性樹脂の添加量が
5重量%未満であると記録層の耐久性が悪化し、また、
添加量が95重量%を超える場合は、画像形成されな
い。
【0106】[(D)赤外線吸収剤]本発明において使
用される赤外線吸収剤は、波長760〜1200nmの
赤外線を有効に吸収する染料又は顔料である。好ましく
は、波長760〜1200nmに吸収極大を有する染料
又は顔料である。染料としては、市販の染料及び文献
(例えば「染料便覧」有機合成化学協会編集、昭和45
年刊)に記載されている公知のものが利用できる。具体
的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ
染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロ
シアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、
メチン染料、シアニン染料、スクワリリウム色素、ピリ
リウム塩、金属チオレート錯体等の染料が挙げられる。
好ましい染料としては例えば特開昭58−125246
号、特開昭59−84356号、特開昭59−2028
29号、特開昭60−78787号等に記載されている
シアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭5
8−181690号、特開昭58−194595号等に
記載されているメチン染料、特開昭58−112793
号、特開昭58−224793号、特開昭59−481
87号、特開昭59−73996号、特開昭60−52
940号、特開昭60−63744号等に記載されてい
るナフトキノン染料、特開昭58−112792号等に
記載されているスクワリリウム色素、英国特許434,
875号記載のシアニン染料等を挙げることができる。
用される赤外線吸収剤は、波長760〜1200nmの
赤外線を有効に吸収する染料又は顔料である。好ましく
は、波長760〜1200nmに吸収極大を有する染料
又は顔料である。染料としては、市販の染料及び文献
(例えば「染料便覧」有機合成化学協会編集、昭和45
年刊)に記載されている公知のものが利用できる。具体
的には、アゾ染料、金属錯塩アゾ染料、ピラゾロンアゾ
染料、ナフトキノン染料、アントラキノン染料、フタロ
シアニン染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、
メチン染料、シアニン染料、スクワリリウム色素、ピリ
リウム塩、金属チオレート錯体等の染料が挙げられる。
好ましい染料としては例えば特開昭58−125246
号、特開昭59−84356号、特開昭59−2028
29号、特開昭60−78787号等に記載されている
シアニン染料、特開昭58−173696号、特開昭5
8−181690号、特開昭58−194595号等に
記載されているメチン染料、特開昭58−112793
号、特開昭58−224793号、特開昭59−481
87号、特開昭59−73996号、特開昭60−52
940号、特開昭60−63744号等に記載されてい
るナフトキノン染料、特開昭58−112792号等に
記載されているスクワリリウム色素、英国特許434,
875号記載のシアニン染料等を挙げることができる。
【0107】また、米国特許第5,156,938号記
載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特
許第3,881,924号記載の置換されたアリールベ
ンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645
号(米国特許第4,327,169号)記載のトリメチ
ンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同
58−220143号、同59−41363号、同59
−84248号、同59−84249号、同59−14
6063号、同59−146061号に記載されている
ピリリウム系化合物、特開昭59−216146号記載
のシアニン色素、米国特許第4,283,475号に記
載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13
514号、同5−19702号公報に開示されているピ
リリウム化合物も好ましく用いられる。また、染料とし
て好ましい別の例として、米国特許第4,756,99
3号明細書中に式(I)、(II)として記載されている
近赤外吸収染料を挙げることができる。これらの染料の
うち特に好ましいものとしては、シアニン色素、スクワ
リリウム色素、ピリリウム塩、ニッケルチオレート錯体
が挙げられる。
載の近赤外吸収増感剤も好適に用いられ、また、米国特
許第3,881,924号記載の置換されたアリールベ
ンゾ(チオ)ピリリウム塩、特開昭57−142645
号(米国特許第4,327,169号)記載のトリメチ
ンチアピリリウム塩、特開昭58−181051号、同
58−220143号、同59−41363号、同59
−84248号、同59−84249号、同59−14
6063号、同59−146061号に記載されている
ピリリウム系化合物、特開昭59−216146号記載
のシアニン色素、米国特許第4,283,475号に記
載のペンタメチンチオピリリウム塩等や特公平5−13
514号、同5−19702号公報に開示されているピ
リリウム化合物も好ましく用いられる。また、染料とし
て好ましい別の例として、米国特許第4,756,99
3号明細書中に式(I)、(II)として記載されている
近赤外吸収染料を挙げることができる。これらの染料の
うち特に好ましいものとしては、シアニン色素、スクワ
リリウム色素、ピリリウム塩、ニッケルチオレート錯体
が挙げられる。
【0108】本発明において使用される顔料としては、
市販の顔料及びカラーインデックス(C.I.)便覧、
「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年
刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年
刊)、「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)
に記載されている顔料が利用できる。顔料の種類として
は、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、
赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、
金属粉顔料、その他、ポリマー結合色素が挙げられる。
具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合ア
ゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、ア
ントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チ
オインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン
系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔
料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニ
トロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブ
ラック等が使用できる。これらの顔料のうち好ましいも
のはカーボンブラックである。
市販の顔料及びカラーインデックス(C.I.)便覧、
「最新顔料便覧」(日本顔料技術協会編、1977年
刊)、「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年
刊)、「印刷インキ技術」CMC出版、1984年刊)
に記載されている顔料が利用できる。顔料の種類として
は、黒色顔料、黄色顔料、オレンジ色顔料、褐色顔料、
赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、
金属粉顔料、その他、ポリマー結合色素が挙げられる。
具体的には、不溶性アゾ顔料、アゾレーキ顔料、縮合ア
ゾ顔料、キレートアゾ顔料、フタロシアニン系顔料、ア
ントラキノン系顔料、ペリレン及びペリノン系顔料、チ
オインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ジオキサジン
系顔料、イソインドリノン系顔料、キノフタロン系顔
料、染付けレーキ顔料、アジン顔料、ニトロソ顔料、ニ
トロ顔料、天然顔料、蛍光顔料、無機顔料、カーボンブ
ラック等が使用できる。これらの顔料のうち好ましいも
のはカーボンブラックである。
【0109】これら顔料は表面処理をせずに用いてもよ
く、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法に
は、樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤
を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップ
リング剤やエポキシ化合物、ポリイソシアネート等)を
顔料表面に結合させる方法等が考えられる。上記の表面
処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、
「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)、及
び「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)
に記載されている。
く、表面処理を施して用いてもよい。表面処理の方法に
は、樹脂やワックスを表面コートする方法、界面活性剤
を付着させる方法、反応性物質(例えば、シランカップ
リング剤やエポキシ化合物、ポリイソシアネート等)を
顔料表面に結合させる方法等が考えられる。上記の表面
処理方法は、「金属石鹸の性質と応用」(幸書房)、
「印刷インキ技術」(CMC出版、1984年刊)、及
び「最新顔料応用技術」(CMC出版、1986年刊)
に記載されている。
【0110】顔料の粒径は0.01〜10μmの範囲に
あることが好ましく、0.05〜1μmの範囲にあるこ
とが更に好ましく、0.1〜1μmの範囲にあることが
特に好ましい。顔料の粒径が0.01μm未満のとき
は、分散物の感光層塗布液中での安定性の点で好ましく
なく、また、10μmを超えると画像記録層の均一性の
点で好ましくない。顔料を分散する方法としては、イン
ク製造やトナー製造等に用いられる公知の分散技術が使
用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミ
ル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボール
ミル、インペラー、デスパーザー、KDミル、コロイド
ミル、ダイナトロン、3本ロールミル、加圧ニーダー等
が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」(CMC
出版、1986年刊)に記載がある。
あることが好ましく、0.05〜1μmの範囲にあるこ
とが更に好ましく、0.1〜1μmの範囲にあることが
特に好ましい。顔料の粒径が0.01μm未満のとき
は、分散物の感光層塗布液中での安定性の点で好ましく
なく、また、10μmを超えると画像記録層の均一性の
点で好ましくない。顔料を分散する方法としては、イン
ク製造やトナー製造等に用いられる公知の分散技術が使
用できる。分散機としては、超音波分散器、サンドミ
ル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボール
ミル、インペラー、デスパーザー、KDミル、コロイド
ミル、ダイナトロン、3本ロールミル、加圧ニーダー等
が挙げられる。詳細は、「最新顔料応用技術」(CMC
出版、1986年刊)に記載がある。
【0111】これらの染料若しくは顔料は、画像記録材
料全固形分に対し0.01〜50重量%、好ましくは
0.1〜10重量%、染料の場合、特に好ましくは0.
5〜10重量%、顔料の場合、特に好ましくは1.0〜
10重量%の割合で画像記録材料中に添加することがで
きる。顔料若しくは染料の添加量が0.01重量%未満
であると感度が低くなり、また50重量%を超えると印
刷時非画像部に汚れが発生する。これらの染料若しくは
顔料は他の成分と同一の層に添加してもよいし、別の層
を設けそこへ添加してもよい。
料全固形分に対し0.01〜50重量%、好ましくは
0.1〜10重量%、染料の場合、特に好ましくは0.
5〜10重量%、顔料の場合、特に好ましくは1.0〜
10重量%の割合で画像記録材料中に添加することがで
きる。顔料若しくは染料の添加量が0.01重量%未満
であると感度が低くなり、また50重量%を超えると印
刷時非画像部に汚れが発生する。これらの染料若しくは
顔料は他の成分と同一の層に添加してもよいし、別の層
を設けそこへ添加してもよい。
【0112】[その他の成分]本発明では、前記5つの
成分が必須であるが、必要に応じてこれら以外に種々の
化合物を添加してもよい。例えば、可視光域に大きな吸
収を持つ染料を画像の着色剤として使用することができ
る。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイエ
ロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーン
BG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オ
イルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラッ
クT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビ
クトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット(CI
42555)、メチルバイオレット(CI4253
5)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145
170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、
メチレンブルー(CI52015)等、あるいは特開昭
62−293247号公報に記載されている染料を挙げ
ることができる。これらの染料は、画像形成後、画像部
と非画像部の区別がつきやすいので、添加する方が好ま
しい。尚、添加量は、画像記録材料全固形分に対し、
0.01〜10重量%の割合である。
成分が必須であるが、必要に応じてこれら以外に種々の
化合物を添加してもよい。例えば、可視光域に大きな吸
収を持つ染料を画像の着色剤として使用することができ
る。具体的には、オイルイエロー#101、オイルイエ
ロー#103、オイルピンク#312、オイルグリーン
BG、オイルブルーBOS、オイルブルー#603、オ
イルブラックBY、オイルブラックBS、オイルブラッ
クT−505(以上オリエント化学工業(株)製)、ビ
クトリアピュアブルー、クリスタルバイオレット(CI
42555)、メチルバイオレット(CI4253
5)、エチルバイオレット、ローダミンB(CI145
170B)、マラカイトグリーン(CI42000)、
メチレンブルー(CI52015)等、あるいは特開昭
62−293247号公報に記載されている染料を挙げ
ることができる。これらの染料は、画像形成後、画像部
と非画像部の区別がつきやすいので、添加する方が好ま
しい。尚、添加量は、画像記録材料全固形分に対し、
0.01〜10重量%の割合である。
【0113】また、本発明における画像記録材料中に
は、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開
昭62−251740号公報や特開平3−208514
号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特
開昭59−121044号公報、特開平4−13149
号公報に記載されているような両性界面活性剤を添加す
ることができる。非イオン界面活性剤の具体例として
は、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノ
グリセリド、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル等が挙げられる。両性界面活性剤の具体例としては、
アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキルポリア
ミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−カルボ
キシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベ
タインやN−テトラデシル−N,N−ベタイン型(例え
ば、商品名アモーゲンK、第一工業(株)製)等が挙げ
られる。上記非イオン界面活性剤及び両性界面活性剤の
画像記録材料中に占める割合は、0.05〜15重量%
が好ましく、より好ましくは0.1〜5重量%である。
は、現像条件に対する処理の安定性を広げるため、特開
昭62−251740号公報や特開平3−208514
号公報に記載されているような非イオン界面活性剤、特
開昭59−121044号公報、特開平4−13149
号公報に記載されているような両性界面活性剤を添加す
ることができる。非イオン界面活性剤の具体例として
は、ソルビタントリステアレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタントリオレート、ステアリン酸モノ
グリセリド、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル等が挙げられる。両性界面活性剤の具体例としては、
アルキルジ(アミノエチル)グリシン、アルキルポリア
ミノエチルグリシン塩酸塩、2−アルキル−N−カルボ
キシエチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベ
タインやN−テトラデシル−N,N−ベタイン型(例え
ば、商品名アモーゲンK、第一工業(株)製)等が挙げ
られる。上記非イオン界面活性剤及び両性界面活性剤の
画像記録材料中に占める割合は、0.05〜15重量%
が好ましく、より好ましくは0.1〜5重量%である。
【0114】更に、本発明の画像記録材料中には必要に
応じ、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤が加えら
れる。例えば、ポリエチレングリコール、クエン酸トリ
ブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジ
ル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン
酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル
酸のオリゴマー及びポリマー等が用いられる。これら以
外にも、エポキシ化合物、ビニルエーテル類等を添加し
てもよい。
応じ、塗膜の柔軟性等を付与するために可塑剤が加えら
れる。例えば、ポリエチレングリコール、クエン酸トリ
ブチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、フタル
酸ジヘキシル、フタル酸ジオクチル、リン酸トリクレジ
ル、リン酸トリブチル、リン酸トリオクチル、オレイン
酸テトラヒドロフルフリル、アクリル酸又はメタクリル
酸のオリゴマー及びポリマー等が用いられる。これら以
外にも、エポキシ化合物、ビニルエーテル類等を添加し
てもよい。
【0115】本発明の画像記録材料は、通常上記各成分
を溶媒に溶かして、適当な支持体上に塗布することによ
り製造することができる。ここで使用する溶媒として
は、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチル
エチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、1−メト
キシ−2−プロパノール、2−メトキシエチルアセテー
ト、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキ
シエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラ
メチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、γ−ブチルラクトン、トルエン、
水等を挙げることができるが、これらに限定されるもの
ではない。これらの溶媒は単独あるいは混合して使用さ
れる。溶媒中の上記成分(添加剤を含む全固形分)の濃
度は、好ましくは1〜50重量%である。また塗布、乾
燥後に得られる支持体上の塗布量(固形分)は、用途に
よって異なるが、平版印刷用版材についていえば一般的
に0.5〜5.0g/m2 が好ましい。塗布する方法と
しては、種々の方法を用いることができるが、例えば、
バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン
塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗
布、ロール塗布等を挙げることができる。塗布量が少な
くなるにつれて、見かけの感度は大になるが、画像記録
膜の皮膜特性は低下する。
を溶媒に溶かして、適当な支持体上に塗布することによ
り製造することができる。ここで使用する溶媒として
は、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、メチル
エチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル、1−メト
キシ−2−プロパノール、2−メトキシエチルアセテー
ト、1−メトキシ−2−プロピルアセテート、ジメトキ
シエタン、乳酸メチル、乳酸エチル、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、テトラ
メチルウレア、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、γ−ブチルラクトン、トルエン、
水等を挙げることができるが、これらに限定されるもの
ではない。これらの溶媒は単独あるいは混合して使用さ
れる。溶媒中の上記成分(添加剤を含む全固形分)の濃
度は、好ましくは1〜50重量%である。また塗布、乾
燥後に得られる支持体上の塗布量(固形分)は、用途に
よって異なるが、平版印刷用版材についていえば一般的
に0.5〜5.0g/m2 が好ましい。塗布する方法と
しては、種々の方法を用いることができるが、例えば、
バーコーター塗布、回転塗布、スプレー塗布、カーテン
塗布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗
布、ロール塗布等を挙げることができる。塗布量が少な
くなるにつれて、見かけの感度は大になるが、画像記録
膜の皮膜特性は低下する。
【0116】本発明における画像記録層中には、塗布性
を良化するための界面活性剤、例えば特開昭62−17
0950号公報に記載されているようなフッ素系界面活
性剤を添加することができる。好ましい添加量は、全画
像記録材料固形分中0.01〜1重量%、更に好ましく
は0.05〜0.5重量%である。
を良化するための界面活性剤、例えば特開昭62−17
0950号公報に記載されているようなフッ素系界面活
性剤を添加することができる。好ましい添加量は、全画
像記録材料固形分中0.01〜1重量%、更に好ましく
は0.05〜0.5重量%である。
【0117】本発明に使用される支持体としては、寸度
的に安定な板状物であり、例えば、紙、プラスチック
(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミ
ニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフィルム(例え
ば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン
酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、
硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属が
ラミネート、若しくは蒸着された紙、若しくはプラスチ
ックフィルム等が含まれる。本発明の支持体としては、
ポリエステルフィルム又はアルミニウム板が好ましく、
その中でも寸法安定性がよく、比較的安価であるアルミ
ニウム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純
アルミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の
異元素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネ
ート若しくは蒸着されたプラスチックフィルムでもよ
い。アルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、
鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビス
マス、ニッケル、チタン等がある。合金中の異元素の含
有量は高々10重量%以下である。本発明において特に
好適なアルミニウムは、純アルミニウムであるが、完全
に純粋なアルミニウムは精錬技術上製造が困難であるの
で、僅かに異元素を含有するものでもよい。このように
本発明に適用されるアルミニウム板は、その組成が特定
されるものではなく、従来より公知公用の素材のアルミ
ニウム板を適宜に利用することができる。本発明で用い
られるアルミニウム板の厚みはおよそ0.1〜0.6m
m程度、好ましくは0.15〜0.4mm、特に好まし
くは0.2〜0.3mmである。
的に安定な板状物であり、例えば、紙、プラスチック
(例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン等)がラミネートされた紙、金属板(例えば、アルミ
ニウム、亜鉛、銅等)、プラスチックフィルム(例え
ば、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース、プロピオン
酸セルロース、酪酸セルロース、酢酸酪酸セルロース、
硝酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネ
ート、ポリビニルアセタール等)、上記のごとき金属が
ラミネート、若しくは蒸着された紙、若しくはプラスチ
ックフィルム等が含まれる。本発明の支持体としては、
ポリエステルフィルム又はアルミニウム板が好ましく、
その中でも寸法安定性がよく、比較的安価であるアルミ
ニウム板は特に好ましい。好適なアルミニウム板は、純
アルミニウム板及びアルミニウムを主成分とし、微量の
異元素を含む合金板であり、更にアルミニウムがラミネ
ート若しくは蒸着されたプラスチックフィルムでもよ
い。アルミニウム合金に含まれる異元素には、ケイ素、
鉄、マンガン、銅、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビス
マス、ニッケル、チタン等がある。合金中の異元素の含
有量は高々10重量%以下である。本発明において特に
好適なアルミニウムは、純アルミニウムであるが、完全
に純粋なアルミニウムは精錬技術上製造が困難であるの
で、僅かに異元素を含有するものでもよい。このように
本発明に適用されるアルミニウム板は、その組成が特定
されるものではなく、従来より公知公用の素材のアルミ
ニウム板を適宜に利用することができる。本発明で用い
られるアルミニウム板の厚みはおよそ0.1〜0.6m
m程度、好ましくは0.15〜0.4mm、特に好まし
くは0.2〜0.3mmである。
【0118】アルミニウム板を粗面化するに先立ち、所
望により、表面の圧延油を除去するための例えば界面活
性剤、有機溶剤又はアルカリ性水溶液等による脱脂処理
が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種
々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化す
る方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法、及び
化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。機
械的方法としては、ボール研磨法、ブラシ研磨法、ブラ
スト研磨法、バフ研磨法等の公知の方法を用いることが
できる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸又は
硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法がある。ま
た、特開昭54−63902号に開示されているように
両者を組み合わせた方法も利用することができる。この
様に粗面化されたアルミニウム板は、必要に応じてアル
カリエッチング処理及び中和処理された後、所望により
表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極酸化処理が
施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に用いられる
電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する種々の電解
質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン酸、蓚酸、ク
ロム酸あるいはそれらの混酸が用いられる。それらの電
解質の濃度は電解質の種類によって適宜決められる。
望により、表面の圧延油を除去するための例えば界面活
性剤、有機溶剤又はアルカリ性水溶液等による脱脂処理
が行われる。アルミニウム板の表面の粗面化処理は、種
々の方法により行われるが、例えば、機械的に粗面化す
る方法、電気化学的に表面を溶解粗面化する方法、及び
化学的に表面を選択溶解させる方法により行われる。機
械的方法としては、ボール研磨法、ブラシ研磨法、ブラ
スト研磨法、バフ研磨法等の公知の方法を用いることが
できる。また、電気化学的な粗面化法としては塩酸又は
硝酸電解液中で交流又は直流により行う方法がある。ま
た、特開昭54−63902号に開示されているように
両者を組み合わせた方法も利用することができる。この
様に粗面化されたアルミニウム板は、必要に応じてアル
カリエッチング処理及び中和処理された後、所望により
表面の保水性や耐摩耗性を高めるために陽極酸化処理が
施される。アルミニウム板の陽極酸化処理に用いられる
電解質としては、多孔質酸化皮膜を形成する種々の電解
質の使用が可能で、一般的には硫酸、リン酸、蓚酸、ク
ロム酸あるいはそれらの混酸が用いられる。それらの電
解質の濃度は電解質の種類によって適宜決められる。
【0119】陽極酸化の処理条件は用いる電解質により
種々変わるので一概に特定し得ないが、一般的には電解
質の濃度が1〜80重量%溶液、液温は5〜70℃、電
流密度5〜60A/dm2 、電圧1〜100V、電解時
間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極酸化皮
膜の量は1.0g/m2 より少ないと耐刷性が不十分で
あったり、平版印刷版の非画像部に傷が付き易くなっ
て、印刷時に傷の部分にインキが付着するいわゆる「傷
汚れ」が生じ易くなる。陽極酸化処理を施された後、ア
ルミニウム表面は必要により親水化処理が施される。本
発明に使用される親水化処理としては、米国特許第2,
714,066号、同第3,181,461号、第3,
280,734号、及び第3,902,734号に開示
されているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ
酸ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、
支持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又
は電解処理される。他に特公昭36−22063号公報
に開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特
許第3,276,868号、同第4,153,461
号、同第4,689,272号に開示されているような
ポリビニルホスホン酸で処理する方法等が用いられる。
種々変わるので一概に特定し得ないが、一般的には電解
質の濃度が1〜80重量%溶液、液温は5〜70℃、電
流密度5〜60A/dm2 、電圧1〜100V、電解時
間10秒〜5分の範囲であれば適当である。陽極酸化皮
膜の量は1.0g/m2 より少ないと耐刷性が不十分で
あったり、平版印刷版の非画像部に傷が付き易くなっ
て、印刷時に傷の部分にインキが付着するいわゆる「傷
汚れ」が生じ易くなる。陽極酸化処理を施された後、ア
ルミニウム表面は必要により親水化処理が施される。本
発明に使用される親水化処理としては、米国特許第2,
714,066号、同第3,181,461号、第3,
280,734号、及び第3,902,734号に開示
されているようなアルカリ金属シリケート(例えばケイ
酸ナトリウム水溶液)法がある。この方法においては、
支持体がケイ酸ナトリウム水溶液で浸漬処理されるか又
は電解処理される。他に特公昭36−22063号公報
に開示されているフッ化ジルコン酸カリウム及び米国特
許第3,276,868号、同第4,153,461
号、同第4,689,272号に開示されているような
ポリビニルホスホン酸で処理する方法等が用いられる。
【0120】本発明の画像記録材料は、必要に応じて支
持体上に下塗層を設けることができる。下塗層成分とし
ては種々の有機化合物が用いられ、例えば、カルボキシ
メチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−
アミノエチルホスホン酸等のアミノ基を有するホスホン
酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフ
チルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホ
ン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジホスホン酸
等の有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリ
ン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及びグリセロリ
ン酸等の有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホ
スフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィ
ン酸及びグリセロホスフィン酸等の有機ホスフィン酸、
グリシンやβ−アラニン等のアミノ酸類、及びトリエタ
ノールアミンの塩酸塩等のヒドロキシ基を有するアミン
の塩酸塩等から選ばれるが、2種以上混合して用いても
よい。有機下塗層の被覆量は、2〜200mg/m2 が
適当である。
持体上に下塗層を設けることができる。下塗層成分とし
ては種々の有機化合物が用いられ、例えば、カルボキシ
メチルセルロース、デキストリン、アラビアガム、2−
アミノエチルホスホン酸等のアミノ基を有するホスホン
酸類、置換基を有してもよいフェニルホスホン酸、ナフ
チルホスホン酸、アルキルホスホン酸、グリセロホスホ
ン酸、メチレンジホスホン酸及びエチレンジホスホン酸
等の有機ホスホン酸、置換基を有してもよいフェニルリ
ン酸、ナフチルリン酸、アルキルリン酸及びグリセロリ
ン酸等の有機リン酸、置換基を有してもよいフェニルホ
スフィン酸、ナフチルホスフィン酸、アルキルホスフィ
ン酸及びグリセロホスフィン酸等の有機ホスフィン酸、
グリシンやβ−アラニン等のアミノ酸類、及びトリエタ
ノールアミンの塩酸塩等のヒドロキシ基を有するアミン
の塩酸塩等から選ばれるが、2種以上混合して用いても
よい。有機下塗層の被覆量は、2〜200mg/m2 が
適当である。
【0121】以上のようにして、本発明の画像記録材料
を用いた平版印刷用版材を作成することができる。この
平版印刷用版材は、波長760〜1200nmの赤外線
を放射する固体レーザ及び半導体レーザにより画像露光
される。本発明においては、レーザ照射後すぐに現像処
理を行ってもよいが、レーザ照射工程と現像工程の間に
加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の条件は、8
0〜150℃の範囲内で10秒〜5分間行うことが好ま
しい。この加熱処理により、レーザ照射時、記録に必要
なレーザエネルギーを減少させることができる。
を用いた平版印刷用版材を作成することができる。この
平版印刷用版材は、波長760〜1200nmの赤外線
を放射する固体レーザ及び半導体レーザにより画像露光
される。本発明においては、レーザ照射後すぐに現像処
理を行ってもよいが、レーザ照射工程と現像工程の間に
加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理の条件は、8
0〜150℃の範囲内で10秒〜5分間行うことが好ま
しい。この加熱処理により、レーザ照射時、記録に必要
なレーザエネルギーを減少させることができる。
【0122】必要に応じて加熱処理を行った後、本発明
の画像記録材料はアルカリ性水溶液にて現像される。本
発明の画像記録材料の現像液及び補充液としては従来よ
り知られているアルカリ水溶液が使用できる。例えば、
ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リン酸ナトリウ
ム、同カリウム、同アンモニウム、第2リン酸ナトリウ
ム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同
カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カ
リウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウ
ム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウ
ム、同カリウム及び同リチウム等の無機アルカリ塩が挙
げられる。また、モノメチルアミン、ジメチルアミン、
トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミ
ン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチ
ルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミ
ン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチ
レンジアミン、ピリジン等の有機アルカリ剤も用いられ
る。これらのアルカリ剤は単独若しくは2種以上を組み
合わせて用いられる。これらのアルカリ剤の中で特に好
ましい現像液は、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等
のケイ酸塩水溶液である。その理由は、ケイ酸塩の成分
である酸化珪素SiO2 とアルカリ金属酸化物M2 Oと
の比率と濃度によって現像性の調節が可能となるためで
あり、例えば、特開昭54−62004号公報、特公昭
57−7427号に記載されているようなアルカリ金属
ケイ酸塩が有効に用いられる。
の画像記録材料はアルカリ性水溶液にて現像される。本
発明の画像記録材料の現像液及び補充液としては従来よ
り知られているアルカリ水溶液が使用できる。例えば、
ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リン酸ナトリウ
ム、同カリウム、同アンモニウム、第2リン酸ナトリウ
ム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同
カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カ
リウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウ
ム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウ
ム、同カリウム及び同リチウム等の無機アルカリ塩が挙
げられる。また、モノメチルアミン、ジメチルアミン、
トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミ
ン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイ
ソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、n−ブチ
ルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミ
ン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチ
レンジアミン、ピリジン等の有機アルカリ剤も用いられ
る。これらのアルカリ剤は単独若しくは2種以上を組み
合わせて用いられる。これらのアルカリ剤の中で特に好
ましい現像液は、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等
のケイ酸塩水溶液である。その理由は、ケイ酸塩の成分
である酸化珪素SiO2 とアルカリ金属酸化物M2 Oと
の比率と濃度によって現像性の調節が可能となるためで
あり、例えば、特開昭54−62004号公報、特公昭
57−7427号に記載されているようなアルカリ金属
ケイ酸塩が有効に用いられる。
【0123】更に自動現像機を用いて現像する場合に
は、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)
を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の
現像液を交換することなく、多量の平版印刷用版材を処
理できることが知られている。本発明においてもこの補
充方式が好ましく適用される。現像液及び補充液には、
現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画像部
の親インキ性を高める目的で、必要に応じて種々の界面
活性剤や有機溶剤を添加できる。好ましい界面活性剤と
しては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性
界面活性剤があげられる。更に現像液及び補充液には必
要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜
硫酸水素酸等の無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の
還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加
えることもできる。上記現像液及び補充液を用いて現像
処理された印刷版は水洗水、界面活性剤等を含有するリ
ンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で
後処理される。本発明の画像記録材料を印刷用版材とし
て使用する場合の後処理としては、これらの処理を種々
組み合わせて用いることができる。
は、現像液よりもアルカリ強度の高い水溶液(補充液)
を現像液に加えることによって、長時間現像タンク中の
現像液を交換することなく、多量の平版印刷用版材を処
理できることが知られている。本発明においてもこの補
充方式が好ましく適用される。現像液及び補充液には、
現像性の促進や抑制、現像カスの分散及び印刷版画像部
の親インキ性を高める目的で、必要に応じて種々の界面
活性剤や有機溶剤を添加できる。好ましい界面活性剤と
しては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系及び両性
界面活性剤があげられる。更に現像液及び補充液には必
要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜
硫酸水素酸等の無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の
還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加
えることもできる。上記現像液及び補充液を用いて現像
処理された印刷版は水洗水、界面活性剤等を含有するリ
ンス液、アラビアガムや澱粉誘導体を含む不感脂化液で
後処理される。本発明の画像記録材料を印刷用版材とし
て使用する場合の後処理としては、これらの処理を種々
組み合わせて用いることができる。
【0124】近年、製版・印刷業界では製版作業の合理
化及び標準化のため、印刷用版材用の自動現像機が広く
用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後
処理部からなり、印刷用版材を搬送する装置と各処理液
槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平
に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレ
ーノズルから吹き付けて現像処理するものである。ま
た、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイド
ロール等によって印刷用版材を浸漬搬送させて処理する
方法も知られている。このような自動処理においては、
各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充し
ながら処理することができる。また、実質的に未使用の
処理液で処理するいわゆる使い捨て処理方式も適用でき
る。
化及び標準化のため、印刷用版材用の自動現像機が広く
用いられている。この自動現像機は、一般に現像部と後
処理部からなり、印刷用版材を搬送する装置と各処理液
槽及びスプレー装置からなり、露光済みの印刷版を水平
に搬送しながら、ポンプで汲み上げた各処理液をスプレ
ーノズルから吹き付けて現像処理するものである。ま
た、最近は処理液が満たされた処理液槽中に液中ガイド
ロール等によって印刷用版材を浸漬搬送させて処理する
方法も知られている。このような自動処理においては、
各処理液に処理量や稼働時間等に応じて補充液を補充し
ながら処理することができる。また、実質的に未使用の
処理液で処理するいわゆる使い捨て処理方式も適用でき
る。
【0125】以上のようにして得られた平版印刷版は、
所望により不感脂化ガムを塗布した後、印刷工程に供す
ることができるが、より一層の高耐刷力の平版印刷版と
したい場合にはバーニング処理が施される。平版印刷版
をバーニングする場合には、バーニング前に特公昭61
−2518号、同55−28062号、特開昭62−3
1859号、同61−159655号の各公報に記載さ
れているような整面液で処理することが好ましい。その
方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂
綿にて、平版印刷版上に塗布するか、整面液を満たした
バット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コー
ターによる塗布等が適用される。また、塗布した後でス
キージ、あるいは、スキージローラーで、その塗布量を
均一にすることは、より好ましい結果を与える。整面液
の塗布量は一般に0.03〜0.8g/m2 (乾燥重
量)が適当である。
所望により不感脂化ガムを塗布した後、印刷工程に供す
ることができるが、より一層の高耐刷力の平版印刷版と
したい場合にはバーニング処理が施される。平版印刷版
をバーニングする場合には、バーニング前に特公昭61
−2518号、同55−28062号、特開昭62−3
1859号、同61−159655号の各公報に記載さ
れているような整面液で処理することが好ましい。その
方法としては、該整面液を浸み込ませたスポンジや脱脂
綿にて、平版印刷版上に塗布するか、整面液を満たした
バット中に印刷版を浸漬して塗布する方法や、自動コー
ターによる塗布等が適用される。また、塗布した後でス
キージ、あるいは、スキージローラーで、その塗布量を
均一にすることは、より好ましい結果を与える。整面液
の塗布量は一般に0.03〜0.8g/m2 (乾燥重
量)が適当である。
【0126】整面液が塗布された平版印刷版は必要であ
れば乾燥された後、バーニングプロセッサー(例えば、
富士写真フイルム(株)より販売されているバーニング
プロセッサー:BP−1300)等で高温に加熱され
る。この場合の加熱温度及び時間は、画像を形成してい
る成分の種類にもよるが、100〜300℃の範囲で1
〜20分の範囲が好ましい。バーニング処理された平版
印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引き等の従来
より行なわれている処理を施こすことができるが、水溶
性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合に
は、ガム引き等のいわゆる不感脂化処理を省略すること
ができる。この様な処理によって得られた平版印刷版は
オフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用いら
れる。
れば乾燥された後、バーニングプロセッサー(例えば、
富士写真フイルム(株)より販売されているバーニング
プロセッサー:BP−1300)等で高温に加熱され
る。この場合の加熱温度及び時間は、画像を形成してい
る成分の種類にもよるが、100〜300℃の範囲で1
〜20分の範囲が好ましい。バーニング処理された平版
印刷版は、必要に応じて適宜、水洗、ガム引き等の従来
より行なわれている処理を施こすことができるが、水溶
性高分子化合物等を含有する整面液が使用された場合に
は、ガム引き等のいわゆる不感脂化処理を省略すること
ができる。この様な処理によって得られた平版印刷版は
オフセット印刷機等にかけられ、多数枚の印刷に用いら
れる。
【0127】
【実施例】以下、実施例により、本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。 <架橋剤[KZ−9]の合成>1−[α−メチル−α−
(4−ヒドロキシフェニル)エチル]―4―[α、α−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンを、
水酸化カリウム水溶液中で、ホルマリンと反応させた。
反応溶液を硫酸で酸性とし晶析させ、更にメタノールか
ら再結晶することにより、下記構造の架橋剤[KZ−
9]を得た。逆相HPLCにより純度を測定したとこ
ろ、92%であった。
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。 <架橋剤[KZ−9]の合成>1−[α−メチル−α−
(4−ヒドロキシフェニル)エチル]―4―[α、α−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンを、
水酸化カリウム水溶液中で、ホルマリンと反応させた。
反応溶液を硫酸で酸性とし晶析させ、更にメタノールか
ら再結晶することにより、下記構造の架橋剤[KZ−
9]を得た。逆相HPLCにより純度を測定したとこ
ろ、92%であった。
【0128】
【化44】
【0129】<バインダーポリマー[BP−1]の入手
>丸善石油化学(株)製のポリ(p−ヒドロキシスチレ
ン)、マルカ リンカーM S−4P(商品名)を入手
し、[BP−1]とした。
>丸善石油化学(株)製のポリ(p−ヒドロキシスチレ
ン)、マルカ リンカーM S−4P(商品名)を入手
し、[BP−1]とした。
【0130】(実施例1〜3)厚さ0.30mmのアル
ミニウム板(材質1050)をトリクロロエチレン洗浄
して脱脂した後、ナイロンブラシと400メッシュのパ
ミストン−水懸濁液を用い、その表面を砂目立てし、よ
く水で洗浄した。この板を45℃の25%水酸化ナトリ
ウム水溶液に9秒間浸漬してエッチングを行い水洗後、
更に2%HNO 3 に20秒間浸漬して水洗した。この時
の砂目立て表面のエッチング量は約3g/m2 であっ
た。次に、この板を7%H2 SO4 を電解液として電流
密度15A/dm2 で3g/m2 の直流陽極酸化皮膜を
設けた後、水洗乾燥した。次に、このアルミニウム板に
下記下塗り液を塗布し、80℃で30秒間乾燥した。乾
燥後の被覆量は10mg/m2 であった。
ミニウム板(材質1050)をトリクロロエチレン洗浄
して脱脂した後、ナイロンブラシと400メッシュのパ
ミストン−水懸濁液を用い、その表面を砂目立てし、よ
く水で洗浄した。この板を45℃の25%水酸化ナトリ
ウム水溶液に9秒間浸漬してエッチングを行い水洗後、
更に2%HNO 3 に20秒間浸漬して水洗した。この時
の砂目立て表面のエッチング量は約3g/m2 であっ
た。次に、この板を7%H2 SO4 を電解液として電流
密度15A/dm2 で3g/m2 の直流陽極酸化皮膜を
設けた後、水洗乾燥した。次に、このアルミニウム板に
下記下塗り液を塗布し、80℃で30秒間乾燥した。乾
燥後の被覆量は10mg/m2 であった。
【0131】 <下塗り液> β−アラニン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.1 g フェニルホスホン酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g メタノール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40 g 純水・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・60 g
【0132】次に、下記溶液[P]を調製し、この溶液
を、上記の下塗り済みのアルミニウム板に塗布し、10
0℃で1分間乾燥してネガ型平版印刷用版材[P−1]
〜[P−3]を得た。乾燥後の被覆量は1.5g/m2
であった。
を、上記の下塗り済みのアルミニウム板に塗布し、10
0℃で1分間乾燥してネガ型平版印刷用版材[P−1]
〜[P−3]を得た。乾燥後の被覆量は1.5g/m2
であった。
【0133】 <溶液[P]> 一般式(a)の化合物・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.05g 酸発生剤[SH−1]・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.3 g 架橋剤[KZ−9]・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.5 g バインダーポリマー[BP−1]・・・・・・・・・・・・・1.5 g 赤外線吸収剤[IK−1]・・・・・・・・・・・・・・・・0.07g AIZEN SPILON BLUE C−RH・・・・・・0.035g (保土ヶ谷化学(株)製) メガファックF−177・・・・・・・・・・・・・・・・・0.01g (大日本インキ化学工業(株)製、フッ素系界面活性剤) メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・12 g メチルアルコール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・10 g 1−メトキシ−2−プロパノール・・・・・・・・・・・・・8 g
【0134】溶液[P−1]〜[P−3]に用いた一般
式(a)の化合物を表1に示す。また、酸発生剤[SH
−1]及び赤外線吸収剤[IK−1]の構造を以下に示
す。
式(a)の化合物を表1に示す。また、酸発生剤[SH
−1]及び赤外線吸収剤[IK−1]の構造を以下に示
す。
【0135】
【化45】
【0136】(外傷に対する現像安定性)得られたネガ
型平版印刷用版材[P−1]〜[P−3]を、連続荷重
式引掻強度試験器「SB62型」(新東科学(株)製)
を用い、引掻治具の版上に当たる1cm角の正方形平面
部分に、アドバンテック東洋社製の「No.5C」濾紙
を張り付けて、100gの荷重を載せて、6cm/秒の
速度で引っ掻き、出力500mW,波長830nm、ビ
ーム径17μm(1/e2 )の半導体レーザを用いて主
走査速度5m/秒にて露光した後、パネルヒーターによ
り、110℃で30秒間加熱処理し、富士写真フイルム
(株)製現像液、DP−4(1:8の水希釈液)で30
秒間現像した。その結果を表1に示す。評価は以下の基
準により行った。 引掻いた部分の感光膜が完全に溶解している場合;× 引掻いた部分の感光膜が部分的に溶解している場合;△ 引掻いた部分の感光膜が全く溶解していない場合;○
型平版印刷用版材[P−1]〜[P−3]を、連続荷重
式引掻強度試験器「SB62型」(新東科学(株)製)
を用い、引掻治具の版上に当たる1cm角の正方形平面
部分に、アドバンテック東洋社製の「No.5C」濾紙
を張り付けて、100gの荷重を載せて、6cm/秒の
速度で引っ掻き、出力500mW,波長830nm、ビ
ーム径17μm(1/e2 )の半導体レーザを用いて主
走査速度5m/秒にて露光した後、パネルヒーターによ
り、110℃で30秒間加熱処理し、富士写真フイルム
(株)製現像液、DP−4(1:8の水希釈液)で30
秒間現像した。その結果を表1に示す。評価は以下の基
準により行った。 引掻いた部分の感光膜が完全に溶解している場合;× 引掻いた部分の感光膜が部分的に溶解している場合;△ 引掻いた部分の感光膜が全く溶解していない場合;○
【0137】
【表1】
【0138】(比較例1)実施例1で用いた溶液[P−
1]において、ステアリン酸を使用しないこと以外は、
実施例1と同様にして、溶液[Q−1]を調製した。こ
の溶液を、実施例1で用いた下塗り済みのアルミニウム
板に塗布し、100℃で1分間乾燥してネガ型平版印刷
用版材[Q−1]を得た。乾燥後の重量は1.5g/m
2 であった。得られた平版印刷用版材[Q−1]を、実
施例1と同様に外傷に対する現像安定性を評価した。そ
の結果を表1に示す。
1]において、ステアリン酸を使用しないこと以外は、
実施例1と同様にして、溶液[Q−1]を調製した。こ
の溶液を、実施例1で用いた下塗り済みのアルミニウム
板に塗布し、100℃で1分間乾燥してネガ型平版印刷
用版材[Q−1]を得た。乾燥後の重量は1.5g/m
2 であった。得られた平版印刷用版材[Q−1]を、実
施例1と同様に外傷に対する現像安定性を評価した。そ
の結果を表1に示す。
【0139】(比較例2)実施例1で用いた溶液[P−
1]において、ステアリン酸の代わりに吉草酸を使用し
たこと以外は、実施例1と同様にして、溶液[R−1]
を調製した。この溶液を、実施例1で用いた下塗り済み
のアルミニウム板に塗布し、100℃で1分間乾燥して
ネガ型平版印刷用版材[R−1]を得た。乾燥後の重量
は1.5g/m2 であった。得られた平版印刷用版材
[R−1]を、実施例1と同様に外傷に対する現像安定
性を評価した。その結果を表1に示す。
1]において、ステアリン酸の代わりに吉草酸を使用し
たこと以外は、実施例1と同様にして、溶液[R−1]
を調製した。この溶液を、実施例1で用いた下塗り済み
のアルミニウム板に塗布し、100℃で1分間乾燥して
ネガ型平版印刷用版材[R−1]を得た。乾燥後の重量
は1.5g/m2 であった。得られた平版印刷用版材
[R−1]を、実施例1と同様に外傷に対する現像安定
性を評価した。その結果を表1に示す。
【0140】実施例1〜3から、本発明のネガ型平版印
刷用版材は、前記一般式(a)で表される化合物の添加
により、外傷に対する安定性が顕著に向上し、版材表面
に傷がついても、その部分の硬化が阻害されることな
く、安定して現像することができることが分かる。一
方、比較例1から、前記一般式(a)で表される化合物
を添加しない場合には、表面に傷がついた部分の感光膜
が硬化せずに、現像剤に溶解してしまい、いわゆる画像
抜けを生じることが分かる。また、比較例2から、前記
一般式(a)中、R1 の炭素数が5以下の場合にも、同
様に画像抜けを生じることが分かる。
刷用版材は、前記一般式(a)で表される化合物の添加
により、外傷に対する安定性が顕著に向上し、版材表面
に傷がついても、その部分の硬化が阻害されることな
く、安定して現像することができることが分かる。一
方、比較例1から、前記一般式(a)で表される化合物
を添加しない場合には、表面に傷がついた部分の感光膜
が硬化せずに、現像剤に溶解してしまい、いわゆる画像
抜けを生じることが分かる。また、比較例2から、前記
一般式(a)中、R1 の炭素数が5以下の場合にも、同
様に画像抜けを生じることが分かる。
【0141】
【発明の効果】本発明のネガ型平版印刷用版材は、赤外
線を放射する固体レーザ及び半導体レーザを用いて記録
することにより、コンピューター等のデジタルデータか
ら直接製版可能であり、更に、指紋等の傷がついても、
画像抜けを起こすことなく安定して現像することができ
る、即ち、耐スクラッチ性に優れるという効果を奏す
る。
線を放射する固体レーザ及び半導体レーザを用いて記録
することにより、コンピューター等のデジタルデータか
ら直接製版可能であり、更に、指紋等の傷がついても、
画像抜けを起こすことなく安定して現像することができ
る、即ち、耐スクラッチ性に優れるという効果を奏す
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記(A)〜(E)を含有してなること
を特徴とするネガ型画像記録材料。 (A)光又は熱により分解して酸を発生する化合物、 (B)酸により架橋する架橋剤、 (C)アルカリ可溶性樹脂の少なくとも1種、 (D)赤外線吸収剤、 (E)下記一般式(a)で表される化合物。 R1 CO−X−R2 一般式(a) (式中、XはO,S,又はNR3 を表し、R1 は炭素数
6〜32のアルキル基又はアルケニル基を表し、R2 、
R3 は水素原子、又は、炭素数1〜18のアルキル基、
アルケニル基、若しくはアリール基を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10023300A JPH11216965A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | ネガ型画像記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10023300A JPH11216965A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | ネガ型画像記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11216965A true JPH11216965A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12106762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10023300A Pending JPH11216965A (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | ネガ型画像記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11216965A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002244280A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US7063934B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-06-20 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP10023300A patent/JPH11216965A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002244280A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
US7063934B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-06-20 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
US7129018B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-10-31 | Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
US7419769B2 (en) | 2001-05-21 | 2008-09-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same |
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