TW586332B - Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device using the same - Google Patents

Description

586332

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [發明背景][發明範疇] 本發明係有關一種聚合螢光物質及使用該聚合螢光物 質之聚合物發光裝置（後文有時稱做聚合物LED)。[相關技藝說明] 不似低分子量發光材料，聚合發光材料（聚合螢光物 質）可溶於溶劑，可藉塗覆方法於發光裝置中形成發光層， 此種聚合螢光物質已經獲得多方面研究。近年來，含有芴 單元之聚合螢光物質引人注目，為了改進其效能，曾經研 究包含一個芴單元及其它單元之共聚物。 别述共聚物中’揭示包含芳香族胺基結構（後文稱作 為芳香族胺單元）作為其它單元之共聚物，例如一種聚合 螢光物質包含一種共聚物，該共聚物包含一個芴單元及一 個具有氮原子於主鏈之芳香族胺單元（W0 99/543 85)。 但前述已知包含芴單元以及具有氮原子於主鏈之芳香 族胺單元之聚合螢光物質有其問題，當聚合螢光物質用作 為發光層時，其亮度及發光效率尚嫌不足。 本發明之目的係提供一種包含一種共聚物之聚合螢光 物質’該共聚物具有一個含特定芳香族胺結構於支鏈之取 代基，當該聚合螢光物質用於發光層時，可達成高亮度及 高發光效率功能，以及提供一種使用該聚合螢光物質之聚 合物LED。[發明概述] 本發明係有關一種於固態時發螢光且具有聚苯乙烯折 他碎㈣，中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) '' 1 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線

586332 A7

口數目平均分子量103至 <歎合螢光物質，該物質包 ^ ^ 蛾卿買a =:個式⑴表示之重複單元以及-或多個式⑺表示 之重複早兀， ·ΑΓι_ (1) 其中ΑΓι表示伸芳基或二價雜環化合物基，且有1至4個 下式（2)表示之取代基， ~^Χι^^\αγ2-Ν

(2) 其中Xl為二價烴基；Aq表示伸芳基或二價雜環化合物 基；Aq表示芳基或一價雜環化合物基；A。及A。可彼 連結而形成一個環；Ah表示芳基或一價雜環化合物基； Ars及Aq可彼此連結而形成一個環；k為〇或丨；丨表示 1至3之整數，_Ar5_ (3) 其中Aq表示伸芳基或式（4)或（5)表示之二價雜環化合物 基： (請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁)

--------訂---------線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

其中 X2 表示選自 〇、S、SO、S02、N-R3、CR4R5、SiR6R: 之基團；以3至117各自分別獨立表示選自氫原子、烷基、 芳基及一價雜環化合物基之基團；I及R2各自分別獨立 表示選自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺基、 國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 313883 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 3 586332 A7 __ B7 五、發明說明（3 ) 芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基烷基、芳基 烧氧基、芳基烧基石夕烧基、芳基烧基胺基、芳基烯基、芳 基炔基、一價雜環化合物基、及氰基之基團；m及n各自 分別獨立為〇至3之整數；當m為2或2以上時，多個 心可相同或相異；當η為2或2以上時，多個r2可相同 或相異，· R!至&可連結而形成環；當Ri至&為含烷基 鏈之基團時’燒基鏈可由一個含雜原子之基團岔斷， (5) 其中R8表示選自烧基、烧氧基、烧硫基、燒基石夕烧基、 烷胺基、芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基燒 基、芳基烷氡基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基胺基、芳基 烯基、芳基炔基、一價雜環化合物基、及氰基之基團；j 為0至3之整數；當j為2或2以上時，多個r8可相同 或相異，當Re為含烷基鏈之基團時，烷基鍵可由一個含 雜原子之基團岔斷。 此外本發明係有關一種聚合物發光裝置，包含一對由 陽極及陰極紅成的電極，其中至少一電極為透明或半透 明，且至少含有一層發光層於二電極間，其中該發光層包 含前述聚合螢光物質。 [發明之詳細說明] 本發明聚合螢光物質於固態時發螢光，且具有聚苯乙 烯折合數目平均分子量1〇3至108。聚合螢光物質包含分 本，用g中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ------- 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

^«6332

五、發明說明（4 別由上式（1)及（3)表示之重複單元。 式⑴及（3)表示之重複單元總量以全部重複單元為基 準料為鳩莫耳比或以上。此外，式⑴^之重複單 疋總董，以式⑴及（3)表示之重複單元總量為基準適合為 〇1%莫耳㈣以上至5G%莫耳U以下。更好式⑴及（3) 表示之重複單元總量係占全部重複單元之莫耳比或 以上’且式⑴表示之重複單減量係占式⑴及（3)表示之 重複單元總量之0.1%莫耳比或以上至5〇%莫耳比或以 下。 上式（1)表示之重複單元為具有〗至4個上式（2)表示 之取代基之伸芳基或二價雜環化合物基。 上式（3)表示之重複單元為式（4)或（5)表示之二價化合 勿基上式（4)表示之重複單元為橋接於兩個苯環間之伸 聯f基，其可具有一個取代基。上式（5)表示之重複單元 為可具有一個取代基之伸苯基。至於式（5)表示之重複單 元’特例為式（6)重複單元，其為芴_2,7_二基， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

其中汉u及R12各自分別獨立表示選自氫原子、烷基、芳 基及一價雜環化合物基之基團；r9及rig各自分別獨立表 ^自燒基、烧氧基、烧硫基、烧基碎燒基、烧胺基、芳 基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基烷基、芳基烷 中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297 公釐） " ' 4 313883 586332 五、發明說明（5 氧基、芳基院基我基、芳基院基胺基、芳基稀基、芳基 炔基、一價雜環化合物基、及氛基之基圏；Μ】各自分 別獨立為0至3之整數，·當h為2或2以上時，多個& 可相同或相異；當i為2或2以上時，多個A。可相同或 相異’Ά可連結而形成環；當至r12為含烧基 鏈之基團時，院基鏈可由一個含雜原子基圏岔斷。 t芳基為芳香族烴其中兩個氫原子被移除之原子基 團。方香族烴為用作為芳香族化合物基體的煙其含有一 個苯環。芳香族烴也包括含有一個縮合環，以及：個或兩 個以上獨立苯環或縮合環經由一個直接鍵結、伸乙稀基等 基接合至芳香族烴。 伸芳基通常含6至60個碳原子，例如包括伸苯基、 伸聯苯基、伸聯三苯基、苟二基、萘二基、蒽二基等。此 處取代基之碳原子數並未計算作為伸苯基之碳原子數。 二價雜環化合物基表示其中兩個氳原子被移除之雜環 化合物原子基團。雜環化合物表示具有環狀結構之有機化 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 f 合 作 社 印 製 合,，其令至少一個雜原子如氧、硫、氮、碟、獨等係含 於環狀結構作為碳原子以外的元素。 二價雜環化合物基通常有4至60個碳原子，例如包 括呋喃二基、伸噻吩基、芴二基、吡啶二基、嘧啶二基、 喹啉一基、喹噚啉二基等。此處取代基碳原子數未計算為 二價雜環化合物基之碳原子數。 … 至於ΑΓι之例，包括具有經由組合二或多個如上伸芳 基及二價雜環化合物基所得結構之基團〇 「X 297公釐） 本_家標準（CNS)A4規格（210 ： 5 313883 586332 A7 _____B7 五、發明說明（6 ) 其中以伸苯基、伸聯苯基、萘二基、蒽二基、吡咬二 基、伸噻吩基、喹啉二基、及喹噚琳二基為更佳。

Aq含有1至4個且較好1至2個上式（2)表示之取代 基。 ΑΓι可有一個上式（2)表示之取代基以外的取代基。至 於上式（2)表示之取代基以外的取代基，例如包括烷基、 烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺基、芳基、芳氧基、 芳基矽烧基、芳基胺基、芳基烧基、芳基燒氧基、芳基燒 基矽烷基、芳基烷基胺基、芳基烯基、芳基炔基、一價雜 環化合物基、氰基等。至於其具體實例為與後文心及& 者相同之基困。 上式（2)之Xi表示二價烴基。二價烴基為通常含約i 至2 0個碳原子、其中兩個氫原子被移除之烴原子基團。 特別例如伸烷基、伸烯基、伸炔基及聚甲烯基。更特別例 如伸甲基 '伸乙基、伸丙基、伸乙烯基、伸乙炔基、經取 代之伸乙烯基、伸丙基、伸丁基等。其中以伸乙烯基及經 取代之伸乙烯基為更佳。 至於經取代之伸乙烯基，例如為具有甲基、乙基、苯 基或氰基作為取代基之伸乙烯基。 上式（2)之Ars為伸芳基或二價雜環化合物基。伸芳 基及二價雜環化合物基之定義與ΑΓι者相同，其具體及較 佳實例皆同前文對ΑΓι所述。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) I------^ —-------線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上式（2)中Ars及Aq各自分別獨立為芳基或一價雜環 化合物基。

6 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（7 芳基通常含6至60個碳原子，例如包括苯基、聯苯 基、聯三苯基、芴基、萘基、蒽基、及其具有一個取代基 之基團。 一價雜環化合物基通常有4至60個碳原子，例如包 括吡啶基、嘧啶基、呋喃基、噻吩基、喹啉基、嘆嗜琳基 及其具有一個取代基之基團。 其中以苯基、萘基、蒽基、吡啶基、噻吩基、喹啉基、 喹噚啉基、及其具有一個取代基之基團為更佳。當Αι^及 Aq具有一個取代基時’取代基例如包括烧基、烧氧基、 燒硫基、烷基矽烷基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳基碎烧 基、芳基胺基、芳基烧基、芳基燒氧基、芳基烧基石夕燒基、 芳基烷基胺基、芳基烯基、芳基炔基、一價雜環化合物基、 及氰基。

Ars與Ars彼此以一個單鍵或二價烴基連結。將A。 及Ars彼此連結之二價烴基通常含約1至2〇個碳原子。 特別例如為伸烷基、伸烯基、伸炔基及聚甲烯基。特別例 如伸甲基、伸乙基、伸丙基、伸乙烯基、伸乙炔基等。其 中以單鍵、伸甲基及伸乙烯基為較佳。 至於具有其中Ar2及Ar3以單鍵或二價烴基彼此連結 結構式之基團，例如為咔唑基或經取代之咔唑基。至於經 取代之咔唑基之取代基例如為烷基、烷氧基、烷硫基、烷 基矽烷基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺 基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基 胺基、芳基烯基、芳基炔基、一價雜環化合物基、及氰基。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂---------線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纳 ^國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（8 ) Αγ3及Ar4可以前文Αγ2及Αγ3之相同方式彼此連結。 至於式（2 )表示之例顯示如後。進一步舉例說明於其 苯環上具有一或多個取代基之基團’取代基例如為燒基、 烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺基 '芳基、芳氧基、 芳基碎烧基、芳基胺基、芳基烧基、芳基烧氧基、芳基烧 基碎烧基、芳基烧基胺基、芳基稀基、芳基炔基、—彳賈雜 環化合物基、及氰基。也舉例說明於乙烯基上具有燒基、 芳基及芳基烷基等取代基之基團。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ：3"691 -------訂---------

313883 586332 A7 B7 五、發明說明（9 ) 其中以下示基團為較佳

-CH^CI

—CH=CH· P2H5

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 式⑴表示之重複單元中，叫較好為14•伸苯基更 好為具有n式⑺表*之取代基之14•伸苯基具 有兩個式（2)表示之取代基之基團中以於2,5嗜置有兩個 取代基之1，4_伸苯基為更佳。 上式（3)表示之重複單元為式（4)、（5)或（6)表示之二價 化合物基。 式⑷之心及R2、式（5)之心以及式（6)之心及&。各 自分別獨立表示一個選自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基碎 烷基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、 芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基胺基、 芳基稀基、芳基炔基、一價雜環化合物基、及氰基之基團。 上式（4)表示之重複單元之心及r2、上式（5)表示之 重複單元之以及上式（6)表示之重複單元之以9及R1〇當 其為氰基以外之取代基時說明如後。 娱*基可為直鏈、分支或環狀之任一者，通常含約1至 中國國家標準(CNS)A4規格⑽ X 297公釐） 9 313883 — — — —— — — ·11111111

五、發明說明（ίο 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2〇個碳原子’且特例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、 異丁基、第二丁基、戊基、異戊基己基、環己基、 庚基辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、37二甲基辛基、 月桂基等；較好為戊基、異戊基、己基、辛基、2-乙基己 基、癸基及3,7-二甲基辛基。 ^烷氧基可為直鏈、分支或環狀之任一者，碳原子數通 常為1至20,且特例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異 丙氧基、丁氡基、異丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、異戊 氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、乙基己氧 基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基等； 較佳為戊氧基、異戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧 基、癸氧基及3,7-二甲基辛氧基。 燒硫基可為直鏈、分支或環狀之任一者，通常含約1 至20個碳原子，且特例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、 異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、異 戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己 硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二甲基辛硫基、月桂硫基等； 較好為戊硫基、異戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫 基、癸硫基及3,7-二甲基辛硫基。 烧基石夕院基可為直鏈、分支或環狀之任一者，通常含 約1至60個碳原子，且特例包括甲基矽烷基、乙基矽烷 基、丙基矽烷基、異丙基矽烷基、丁基矽烷基、異丁基矽 烷基、第三丁基矽烷基、戊基矽烷基、異戊基矽烷基、己 基矽烷基、環己基矽烷基、庚基矽烷基、辛基矽烷基'2- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

— II--— —訂 - ----I 11 I

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）G32696 313883 586332 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（11 ) 乙基己基矽烷基、壬基矽烷基、癸基矽烷基、3,7-二甲基 辛基矽烷基、月桂基矽烷基、三甲基矽烷基、乙基二甲基 矽烷基、丙基二甲基矽烷基、異丙基二甲基矽烷基、丁基 二甲基石夕烧基、第三丁基二甲基石夕烧基、戊基二甲基石夕燒 基、異戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲 基碎烧基、辛基二甲基碎烧基、2 -乙基己基二甲基碎烧基、 壬基二甲基矽烷基、癸基二甲基矽烷基、3,7-二甲基辛基 二甲基矽烷基、月桂基二甲基矽烷基等；較好為戊基矽烷 基、異戊基矽烷基、己基矽烷基、辛基矽烷基、2_乙基己 基矽烷基、癸基矽烷基、3,7-二甲基辛基矽烷基、戊基二 甲基矽烷基、異戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、 辛基二甲基矽烷基、2-乙基己基二甲基矽烷基、癸基二甲 基矽烷基以及3,7-二甲基辛基二甲基矽烷基。 烧胺基可為直鏈、分支或環狀之任一者，可為一燒胺 基或二烷胺基且通常含約1至40個碳原子，及特例包括 甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、丙胺基、異丙胺 基、丁胺基、異丁胺基、第三丁胺基、戊胺基、異戊胺基、 己胺基、環己胺基、庚胺基、辛胺基、2-乙基己胺基、壬 胺基、癸胺基、3,7-二甲基辛胺基、月桂胺基等；較好為 戊胺基、異戊胺基、己胺基、辛胺基、2-乙基己胺基、癸 胺基及3,7-二甲基辛胺基。 芳基通常含約6至60個碳原子，其特例包括苯基、 Ci至C12烧氧苯基（(^至C12表不1至12個碳原子，後文 亦同）、6至C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基等；較佳為Cl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

---------0

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）C3C697 11 313883 586332 Α7 Β7 五、發明說明（12 ) 至C12烷氧苯基及q至c12烷基苯基。 芳氧基通常含約6至60個碳原子且特別為苯氧基、 (^至C12烧乳本氧基、（^至C12烧基苯氧基、1-奈氧基、 2-萘氧基等；較佳為苯氧基、C!至C12烷氧苯氧基及 至C12烷基苯氧基。 芳基矽烷基通常含約6至60個碳原子，例如為苯基 矽烷基、C!至C12烷氧苯基矽烷基、q至C12烷基苯基矽 烷基、1-萘基矽烷基、2-萘基矽烷基、二甲基苯基矽烷基 等。以q至C12烷氧苯基矽烷基及q至C12烷基苯基矽 烷基為較佳。 芳基胺基通常含約6至60個碳原子，其特例包括苯 基胺基、二苯基胺基、G至C12烷氧苯基胺基、二（(^至 C12烷氧苯基）胺基、二（Ci至C12烷基苯基）胺基、1-萘基 胺基、2-萘基胺基等；較佳為G至C12烷氧苯基胺基及 二（Ci至C12烷基苯基）胺基。 芳基烷基通常含約7至60個碳原子。特別例如為苯 基至C12烷基、q至C12烷氧苯基-Ci至C12烷基' q 至C12烧基苯基-Ci至C12烧基、1-萘基-(^至C12燒基、2-萘基-Ci至C12烷基等；以q至C12烷氧苯基至（：12烷 基以及Ci至C12烷基苯基-Cl至c12烷基為較佳。 芳基烷軋基通常含約7至60個碳原子，特別為苯基_ q至C12烷氡基、C!至C12烷氧苯基-Ci至C12烷氧基、Cl 至C12烷基苯基-Cl至C12烷氧基、1-萘基-(^至c12烷氧 基、2-萘基_Ci至C12烷氧基等；以Ci至C12烷氧苯基_Ci 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 υ 〇 98 12 313883 586332 A7 ______B7 五、發明說明（U ) 至C12烷氧基以及<^至C12烷基苯基<1至Cu燒氣基為 佳。 請 先 閱 讀 背 & 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 芳基烷基矽烷基通常含約7至60個碳原子。特別例 如為苯基-Cl至C12烷基矽烷基、Ci至C12烷氧苯基-Cl至 C12烷基矽烷基、6至c12烷基苯基-匕至c12烷基碎燒基、 1-萘基-Cl至C12烷基矽烷基、2-萘基-Ci至C12烧基矽烷 基、苯基-Ci至（：12烷基二甲基矽烷基等；以Ci至c12烷 氧苯基-Cl至C12烷基矽烷基以及Ci至c12烷基苯基至 C 1 2烧基碎烧基為較佳。 芳基烷胺基含有約7至60個碳原子。特別例如苯基-q至c12烷胺基、q至C12烷氧苯基-Ci至C12烷胺基、Ci 至C12烷基苯基-Cl至C12烷胺基、二（Ci至<：12烷氧苯基-q至C12烷基）胺基、二（Cl至C12烷基苯基-Ci至c12烷基） 胺基、1-奈基-(^至C12娱*胺基、2 -奈基-(^至C12院胺基 等；以Ci至C12烷基苯基-Cl至c12烷胺基以及二（q至c12 烧基苯基-Ci至C12烧基）胺基為較佳。 一價雜環化合物基表示由雜環化合物去除一個氳原子 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 所得餘留原子團，碳原子數通常為約4至60，較好為4 至20。雜環化合物基之碳原子數不包括取代基之碳原子 數。此處雜環化合物一詞包括具有環狀結構之有機化合 物，其中環之構成元素不僅包含碳原子，同時氧、硫、氮、 磷、硼等雜原子也含於環。特別例如為噻吩基、q至C" 燒基噻吩基、卩比洛基、咲喃基、吼咬基、^至。。烧基口比 定基等，且較佳為噻吩基、Ci至C12烷基噻吩基、吡啶基 本^^^用9中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）------ 13 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（14 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 以及C1至C12烷基吡啶基。 上式（4)表示之重複單元之尺3至心以及上式（6)表示 之重複單元之Ru及ri2各自分別獨立表示選自氫原子、 院基、芳基及一價雜環化合物基之基團。 式（4) X2之Rs至R?以及式（6)之及心2當其為氫 原子以外之取代基時說明如後。 烧基可為直鏈、分支或環狀之任一者，通常含約1至 20個碳原子，且特例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、 庚基、辛基、2·乙基己基、壬基、癸基、3，7_二甲基辛基、 月桂基等；較好為戊基、異戊基、己基、辛基、2-乙基己 基、癸基及3，7-二甲基辛基。 芳基通常含約6至60個碳原子，其特例包括苯基、 ^^至Cu烧氧苯基（(^至C1S表示1至12個碳原子，後文 亦同）、（^至Cls烧基苯基、1-萘基、2-萘基等；較佳為q 至C1：2烷氧苯基及q至C12烷基苯基。 貝雜壞化合物基通常含有約4至60個碳原子，特 別例如為噻吩基、q至（^2烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、 11比唆基、（^至Cu烧基π比唆基等；且較佳為噻吩基、^ 至Cls烷基噻吩基、吡啶基以及c!至C12烷基吡咬基。 上式（4)表示之重複單元中，瓜及η各自分別獨立為〇 至3之整數。當m為2或2以上時，多個Ri可相同或相 異。當η為2或2以上時，多個可相同或相異。&至 I中之任二者可連結而形成一個環。此外，當&至^為 C32700 14 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. ;線_

586332 A7

五、發明說明（15 含烷基鏈之基團時，該烷基鏈可由一個含雜原子之基團岔 斷。 上式（5)表示之重複單元中，j為1至4之整數。當j 為2或2以上時，多個h可相同或相異。當j為2或2 以上時，任兩個r8可連結而形成一個環。此外當r8為含 烷基鏈之基團時，該烷基鏈可由一個含雜原子基團所岔 斷。 上式（6)表示之重複單元中，h及i各自分別獨立為〇 至3之整數。當h為2或2以上時，多個r9可相同或相 異。當i為2或2以上時，多個R1()可相同或相異。r9至 Ri2中之任二者可連結而形成一個環。此外，當R9至R12 為含烷基鏈之基團時，該烷基鏈可由一個含雜原子之基團 岔斷。此處作為雜原子例如包括氧原子、硫原子、氮原子 等。 含雜原子之基團例如包括下列基團。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο I RIB I - RIN 鮮

R丨S4—R one Ο Ο Ο ο II II Μ Η II -C 一 〇- C- -Ν—C- 一 q—Ν- 此處R表示氬原子、含1至20個碳原子之烧基、含6至 60個碳原子之芳基及含4至60個碳原子之雜環化合物 基0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） C32701 15 313883

586332 A7 ----------B7 _ . 五、發明說明（16 ) ' '一1 含烷基鏈之取代基可為直鏈、分支及環狀之任一者或 其組合，·至於非直鏈基團例如包括異戊基、2乙基己基、 3,7-二甲基辛基、環己基、…至A:烷基環己基等。為； 了改善聚合螢光物質^溶财之溶解度，上式⑴取代基| 中之至少一者較好含有環狀或分支烷基鏈。 | 為了獲得強螢光物質，較好包括取代基之重複單元形| 式之對稱性極低。 | 此外，當心至Ru為包括芳基或雜環化合物基作為| 結構之一部分者時，其可含有額外一或多個取代基。 ί 因裝置之發光性質及壽命可能於可聚合基團保持作為 聚合螢光物質端基時劣化，故端基可利用穩定基保護。以 具有共軛鍵結連續至主鏈之共軛結構者為較佳，例如為經 由伸乙烯基連結至芳基或雜環化合物基之結構。具體言 之，例如JP-Λ第9_45478號等所述以化學式1〇表示之取 代基。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚合螢光物質之合成方法包括由對應單體進行鈐木偶 合反應之聚合方法、藉格利亞反應之聚合方法、使用鎳（〇) 催化劑之聚合方法、使用氧化劑如Feci3等之聚合方法、 藉電化學氧化聚合之方法、以及藉分解有適當離去基之中 間聚合物之方法。其中鑑於反應控制之容易程度，以藉鈴 木偶合反應之聚合方法、藉格利亞反應之方法及使用鎳（〇) 催化劑之聚合方法為較佳。 此種聚合螢光物質可含有式（1)及（3)重複單元以外之 其它重複單元只要發光性質及電荷傳輸性質不會劣化即| 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） C32702 16 313883 586332 A7 五、發明說明（) 可。式⑴及（3)重複單元或式⑴及（3)重複單元以外之其它 單元可透過非輛合單元連結，或此種非_合❹也含於重 複單元。至於鍵聯結構’例如如下化學式所示，如下化學 式所示者與伸乙烯基組合、如下化學式所示之二或多者的 組合等。 此處R係選自前述相同之取代基，以及Μ表示含6 至6 0個碳原子之煙基。

-I ? I ? -6 — 一 Si— ~c—

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本聚合螢光物質也可為隨機、嵌段或接枝共聚物、或 具有其中間結構之聚合物，例如具有阻斷性質之隨機共聚 物。 由獲得具有高螢光量子產量之聚合螢光物質觀點視 之’重複規則性較低為較佳，例如隨機共聚物比交替共聚 物更佳。為了獲得交替共聚物，需要使用各具有兩種聚合 用活性基之單體。它方面，隨機共聚物可經由以預定比例 饋進多種有一種活性基之單體獲得，及製備容易進行。進 一步’具有阻斷性質之隨機共聚物及由非均一大小嵌段組 W鼠没霸T國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ撕公餐）C32703 17 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

586332 五、發明說明（18 成的嵌段共聚物、或接枝共聚物比完全隨機共聚物更佳。 L包=具分支且有3個或3個以上端基之聚合物。此 =也包括規則性生長之樹狀聚合物以及含隨機分支之結 傲#作為聚合螢光物質，適合使用於固態時發勞光 之物質’原因在於該物質利用來自薄膜之光發射。 作為聚合螢光物質之良好溶劑例如包括氯仿、二氣甲 烷、一氣乙燒、四氫咲嗔、甲苯、二甲苯、三甲苯、 奈、十氫萘、正丁苯等。聚合螯光物質通常以〇 i w心 溶劑’但該量依據聚合螢光物質之結構式 3聚合榮光物f具有以聚苯乙烯計之數目平均分子量= 10至108，其聚合度亦係根據重複結構及其比例改變。 =臈形成性質觀點視之，通常重複結構總量較佳為20 〇〇〇，更佳30至10000及特佳5〇至5〇〇〇。 當此等聚合勞光物質用作為聚合物㈣之發光材料 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 〜其，^:光性質造成影響，故較佳單體於聚合前藉 :、餾一昇華純化、再結晶等方法純化；此外，較佳 <進行純化處理如再沈澱純化、層析分離等。 本發明之聚合螢光物質不僅可用作為發光材料，同 也可用作為有機半導體材料、光學材料或藉摻雜而用作兔 導電材料。 卞為 本發明之聚合螢光物質製造方法說明如後。 標準物質上方法 C327〇4 咖3 586332 A7 B7

----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 313883

586332 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 A7 B7 五、發明說明（2〇 特別具有多個反應性取代基之用作為單體之化合物， 若有所需溶解於有機溶劑中，例如可於有機溶劑之熔點或 以上至沸點或以下之溫度使用鹼或適當催化劑反應。例如 可使用已知方法述於「有機反應」第14期第27〇至49〇 頁，約翰威利父子公司1965年；「有機反應」第27期第 345至390頁，約翰威利父子公司1982年；「有機合成」， 合集VI，第407至411頁，約翰威利父子公司1988年； 化學綜論第95期2457頁（1995年）；有機金屬化學期刊， 576期，147頁（1999年實用化學期刊336期，247頁〇994 年）；巨分子化學巨分子研討會第12期229頁（1987年）等。 較好使用之有機溶劑充分進行脫氧處理，反應係於惰 性氣氛下進行’通常係為了抑制副反應，但處理係依據使 用之化合物及反應而各異。此外，較佳以類似方式進行脫 水處理（但非適用於與水之二相系統反應例如鈴木偶合反 應）。 用於反應可適當添加驗或適當催化劑。催化劑可依據 使用的反應選擇使用。較佳驗或催化劑可充分溶解於反應 使用的溶劑中。至於混合驗或催化劑之方法，例如有緩慢 添加鹼或催彳匕劑溶液同時於氬氣及氮氣等惰性氣氛下攪拌 之方法、或緩慢添加反應溶液至驗或催化劑溶液之方法。 特別有關反應條件’以威堤氏反應、哈納（Horner)反 應、諾維奈哲反應等為例，使用以單體官能基量為基準， 1當量或以上，較佳1至3當量之鹼進行反應。鹼並無特 殊限制，例如可使用金屬烷醇酸鹽如第三丁醇鉀、第三丁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 313883 Γ,^27ηπ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

586332 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（) 醇納乙酸納、甲酸鍾等’氫化劑如氫化納等，醯胺如胺 基納等。至於溶劑可使用N,N二甲基甲酿胺、四氮咲喊、 二曙烧、甲苯等。反應可於通常為室溫至約⑽之反應 溫度下進行。反應時間例如為5分鐘至4〇小時，許可使 用可充分進行聚合反應之時間，原因在於反應完成後無需 置留長時間’反應時間較佳為1〇分鐘至24小時。反應漢 度較佳適當選擇於約0.01重量％至最高溶液濃度之範圍， 原因在於當濃度過低時反應效率不佳；或當濃度過高時反 應的控制困難，通常濃度係於〇1糾％至2〇㈣之範圍。 當採用海克反應時，單體係於驗如三乙胺等存在下使用把 催化劑進行。反應係使用具有相對高沸點之溶劑如n，n_ 二甲基甲醯胺、N_甲基Π比略㈣等’於約⑼至16〇£1(：之 反應溫度進行i至1〇〇小時反應時間。 田進行玲木偶合反應時，例如使用把[肆（三苯膦）]、 鈀乙酸鹽等作為催化劑，無機鹼如碳酸鉀、碳酸鈉、氫氧 化鋇等’有機^驗如。乙胺等及無機鹽如氣化絶等較佳係以 單體為基準添加i當量，較佳1至1〇當量之量進行反應。 也允許使用至水溶液之無機鹽及於二相系統反應。至於溶 劑，例如為Ν,Ν-二甲基甲醯胺、甲苯、二甲氧乙烷、四 氫呋喃等。恢據溶劑而定，較佳使用50至16〇芄溫度。 也允許溫度升高至接近溶劑沸點俾引發回流。反應時間為 約1至200小時。 於進行格利亞反應時’例如範例方法為其中鹵化物及 金屬鐫於乙醚為主之溶劑如四氳呋喃、乙_、二甲氣匕檢 本紙張尺度過用中國國家標準（cns)a4規格（210 X 297公釐） " . C32707 21 313883 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -------訂-----I---線

22 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 刈 6332 五、發明說明（ 等中反應製備格利亞試劑，該試劑與分開製備之單體溶液 =合，，加鎳或鈀催化劑，同時注意過量反應，然後反應 溫度升高至回流發生且進行反應。以單體為基準，格利亞 用量為等當量，較佳為…5當量，更佳為^ 12 虽置。又於進行前述以外之其它聚合方法時，反應可藉已 知方法進行。 其次將說明本發明之聚合物LED。有關本發明之聚 合物LED之結構，發光層存在於陽極與陰極間，其中至 少一電極為透明或半透明，本發明之聚合螢光物質係含於 發光層。 至於本發明之聚合物LED，值得一提者為具有電子 傳輸層設置於陰極與發光層間之聚合物LED、具有電洞 傳輸層設置於陽極與發光層間之聚合物led、具有電子 傳輸層設置於陰極與發光層間以及具有電洞傳輸層設置於 陽極與發光層間之聚合物led。 例如特別舉例說明如下結構式4至d)。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子傳輸層/陰極 d) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極 (其中/表示毗鄰之層積層。後文亦同） 此處’發光層為有發光功能之層，電洞傳輸舞為 輸電洞功能之層，電子傳輸層為具有傳輸電子 .、、、有傳 刀月b之層。 此處電子傳輸層及電洞傳輸層通稱為電荷傳輪層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） G32708 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

313883 22 586332 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（23 發光層、電洞傳輸層及電子傳輸層也可各自獨立用於 二層或二層以上 設置就鄰一電極之電荷傳輸層中，具有改良之來自電 子之電荷注入效率且具有降低裝置驅動電壓效果之功能之 電荷傳輸層特別有時通稱為電荷注入層（電洞注入層、電 子注入層）。 為了增進黏附於電極以及改良自電極之電荷注入，也 設置厚度2奈米或以下之前述電荷注入層或絕緣層毗鄰於 電極，此外，為了加強界面的黏附，防止混合等，也可將 薄緩衝層插入電荷傳輸層及發光層界面。 積層順序及數目以及各層厚度可於考慮裝置發光效率 及哥命之同時適當調整。 本發明中’提供作為具有電荷注入層（電子注入層、 電洞注入層）之聚合物LED，列舉具有電荷注入層設置於 毗鄰陰極之聚合物LED以及具有電荷注入層設置於 陽極之聚合物LED。 例如特別舉例說明如下結構e)至P)。 e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極 Ό陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極 I) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電荷注入層/陰極 J) 陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電荷注入 陰極 曰 度年中:國家標準(cns)A4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —p-----訂---------u

23 313883 的332

五、發明說明（ 陰極 陰極 陰極 k) 陽極/電荷注入層/發光層/電子傳輪層/陰極 l) 陽極/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/ η)陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/ 〇)陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 Ρ)陽極/電荷注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/ 電荷注入層/陰極 至於電荷注入層特例，例如含導電聚合物之層；設置 於陽極與電洞傳輸層間且含下述材料之層，該材料具=游 離電位介於陽極材料游離電位與電洞傳輸層所含電洞傳輸 材料游離電位間；設置於陰極與電子傳輸層間且含下述材 料之層’該材料具有電子親和力係介於陰極材料電子親和 力與電子傳输層所含電子傳輸材料之電子親和力間等。 當前述電荷注入層為含導電聚合物之層時，導電聚合 物之導電性較好為1〇-5 S/Crn或以上至103 S/cm或以下； 為了降低發光像素間的漏電流更好為1〇-5 S/cm或以上至 10 S/cm或以下且較好為1〇-5 s/cm或以上至i〇i s/cm或 以下。 通常為了提供導電聚合物之導電性為1〇-5 S/cm或以 上至1〇3 S/cm或以下，摻雜適量離子至導電聚合物。 關離子摻雜總類，陰離子係用於電洞傳輸層以及陽 L 國家標準（CNS)A4 视— -- 24 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^---------^

观332

五、發明說明（25 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 離子係用於電子傳輸層。 王；1¾雕于例如包括聚 酸陰離子、烷基苯磺酸陝齡工 ^ 本乙稀％ 酸陰㈣、棒腦續酸陰離子等；至於 ㈣^如包括鐘離子、納離子、㈣子、四丁㈣子等 電何注入層厚度例如$ 奈米至5。奈米。 為“、米至⑽奈米且較佳為2 之關之材料可鑑於電極與晚鄰各層材料間 “做適h擇’例如為導電聚合物如聚苯胺 物、聚噻吩及其衍生物、聚岍 丁王 汆吡咯及其何生物、聚（伸苯基 伸乙烯基）及其衍生物，專 _ ^象（伸噻吩基伸乙烯基）及其衍生 物、聚喹啉及其衍生物、聚明啉及其衍生物、主鏈或支 鍵含方香族胺結構之聚人你楚 u m 主 象合物等、以及金屬酞花青（銅酞花 青等）、碳等。 厚2奈米或以下之絕緣層具有讓電荷容易注入之功 能。至於前述絕緣層材料，可列舉金屬氟化物、金屬氧化 物、有機絕緣材料等。至於具有厚2奈米或以下之絕緣層 之聚合物LED’值得一提者為具有厚2奈米或以下之絕 緣層設置於此鄰陰極之聚合物，以及具有厚2奈米 或以下之絕緣層設置於毗鄰陽極之聚合物LED。 特別舉出下列各項結構q)至ab)。 q) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/發光層/陰極 r) 陽極/發光層/厚2奈米或以下之絕緣層/陰極 s) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/發光層/厚2 以下之絕緣層/陰極 / — t)陽極/厚^^米或以下之絕緣層/電洞傳輸層/發光戶 ---— 25 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -. _ ;線_

586332 A7 B7 五、發明說明（26 /陰極 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 u) 陽極/電洞傳輸層/發光層/厚2奈米或以下之絕緣層 /陰極 v) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/電洞傳輸層/發光層 /厚2奈米或以下之絕緣層/陰極 w) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/發光層/電子傳輸 層/陰極 X)陽極/發光層/電子傳輸層/厚2奈米或以下之絕緣層 /陰極 y) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/發光層/電子傳輸層 /厚2奈米或以下之絕緣層/陰極 z) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/電洞傳輸層/發光層 /電子傳輸層/陰極 aa) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/厚2奈米或 以下之絕緣層/陰極 ab) 陽極/厚2奈米或以下之絕緣層/電洞傳輸層/發光 層/電子傳輸層/厚2奈米或以下之絕緣層/陰極 製造聚合物LED中，當經由使用此種可溶於有機溶 劑之聚合螢光物質溶液形成薄膜時，於溶液塗覆後只需藉 乾燥去除溶劑；甚至於混合使用電荷傳輸材料與發光材料 時，仍可應用相同方法，獲得製造上的極大優勢。至於由 溶液形成薄膜之方法，可使用塗覆方法例如旋塗法、澆鑄 法、微凹版塗覆法、凹版塗覆法、桿塗法、輥塗法、線桿 塗覆法、浸塗法、噴塗法、網印法、軟版印刷法、平版印 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）C3271 26 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線

586332 A7 五、發明說明（27 刷法、噴墨印刷法等。 有關發光層厚度，最理想厚度依使用之材料各異，可 經適當選擇’讓驅動電壓及發光效率變為最理想值，例如 為1奈米至1微米，較佳2奈米至500奈米，又更佳5奈 米至200奈米。 本發明之聚合物LED中，前述聚合螢光物質以外之 發光材料也可混合於發光層。此外，本發明之聚合物leD 中’含有則述聚合螢光物質以外之發光材料之發光層也可 與含前述聚合螢光物質之發光層積層。 至於發光材料，可使用已知材料。較低分子量化合物 中’可使用例如萘衍生物、蒽或其衍生物、二萘嵌苯或其 衍生物；染料如聚低甲基染料、氧雜蒽染料、香豆素染料' 花青染料；8-羥喹啉或其衍生物、芳香胺、四苯基環戊燒 或其衍生物、或四苯基丁二烯或其衍生物之金屬錯合物 等。 特別可使用已知化合物如jp_A Nos. 57-5 1 78 1、59_ 195393等所述。 當本發明之聚合物LED具有電洞傳輸層時，作為使 用的電洞傳輸材料，例如為聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚 矽烷或其衍生物、支鏈或主鏈含芳香族胺之聚矽氧烷衍生 物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三 苯二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、 聚吡咯或其衍生物、聚（對-伸苯基伸乙烯基）或其衍生物、 聚（2，5-伸噻吩基伸乙稀基）或其衍生物等 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公髮） 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I------訂---------

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 586332 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（28 電洞傳輸材料特例包括JP_A Nos. 63-70257、63-l75860、2-135359、2135361、2-209988、；3-37992及3 152184所述者。 其中作為用於電洞傳輸層之電洞傳輸材料，較好為聚 合物電洞傳輸材料如聚乙稀基昨嗤或其衍生物、聚石夕烧或 其衍生物、支鏈或主鏈有芳香族胺化合物基之聚矽氧烷衍 生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚（對_伸 苯基伸乙烯基）或其衍生物、聚（2,5_伸噻吩基伸乙烯基）或 其衍生物等；更佳例如為聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽 烷或其衍生物、以及支鏈或主鏈含有芳香族胺化合物基之 聚矽氧烷衍生物。當電洞傳輸材料有較低分子量時，較佳 係分散於聚合物黏結劑中使用。 聚乙烯基昨唑或其衍生物例如可經由從乙烯單體之陽 離子聚合或自由基聚合獲得。 至於聚矽烷或其衍生物例如為化學綜論，迎， (1989)及GB 23 00196公開說明書所述化合物等。用於合 成可使用該等文獻所述方法，特別適合使用開平 方法。 至於聚石夕氧院或其衍生物，可使用於支鍵或主鍵具較 低分子量之前述電洞傳輸材料之結構之化合物，原因^於 矽氧烷骨架結構之電洞傳輸性質不佳。特別含有支鏈或主 鏈具有電洞傳輸性質之芳香胺之化合物。 — 電洞傳輸層之形成方法並無特殊限制，當電洞傳輸層 *妹μm p可採用使用聚合物勤紝麵士、日入 _尺忠用，國國家標規物黏結劑由混合 u ^ ^ 7 X ^ 28 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •鳥 — — — — — — — ·11111111

586332 五、發明說明（29 ) ;谷液形成電洞傳輸層之方法。於八 、σ物電洞傳輸材料之 ，例如可使用由溶液形成電洞傳輸層之方法。 用於由溶液形成薄臈之溶劑並無特殊限制， 解電洞傳輸材料。至於溶劑，例如& μ ^ 例如為虱溶劑如氣仿、二氣丨 、：：二氯乙烷等，喊溶劑如四氫呋味等，芳香族烴溶劑! 甲本、一甲苯等’_溶劑如丙剩、異丁_等以及醋溶劑^ 如乙酸乙輯、乙酸丁醋、乙基溶纖素乙酸醋等。 至於由溶液形成薄膜之方法，可使用由溶液塗覆方法 7如旋塗法、洗鑄法、微凹版塗覆法、凹版塗覆法、桿塗 法、輥塗法、線桿塗覆法、浸塗法、喷塗法、網印法、軟 版印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等。 混合之聚合物黏結劑較好為不會極端干擾電荷的運 輸，適合使用對可見光不具強力吸收性之聚合物黏結劑。 至於此種聚合物黏結劑例如聚碳酸酯、聚丙烯酸酯丙 烯酸甲醋）、聚（甲基丙烯酸甲醋）、聚苯乙稀、聚（氣、 聚矽氧烷等。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 有關電洞傳輸層厚度，最理想值係因使用的材料各 異厚度可適當選擇讓驅動電壓及發光效率變為最理想數 值’至少需要不會產生針孔的厚度’厚度過大並不佳，造 成裝置驅動電麼的升高。因此，電洞傳輸層厚度例如為！ 奈米至1微米，較佳2奈米至500奈米，更佳5奈米至2〇〇 奈米。 當本發明聚合物LED具有電子傳輸層時，已知化合 ——物係用作為電子傳輸材料’例如嗜二唑衍生物、蒽醒二甲 本紙張尺度適用:中關家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公爱）_ 032715 29 313883 586332 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3〇 烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽酶 或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴衍生物、 二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯醌或其衍生物、或8_ 沒喹琳或其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚嗤曙啉及其衍 生物、聚％或其衍生物等之金屬錯合物。 特別例如為】？-人>1〇8.63-70257、63-175860 '2_ 135359、2-135361、2-209988、3-37992 及 3-152184 所述 之化合物。 其中以噚一唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍 生物、或8_羥喹啉或其衍生物、聚唼啉及其衍生物、聚 喹ί%啉及其衍生物、聚芴或其衍生物之金屬錯合物為較 佳；而以2-(4-聯苯）_5-(4-第三-丁基苯基}-1，3,仁噚二唑、 苯蒽、蒽醌、參（8-喹啉醇基）鋁及聚喹啉為更佳。 形成電子傳輸層之方法並無特殊限制，當 料具較低分子量時，例如可使用由粉末之氣相== 溶液或溶化態之薄膜形成法；於聚合物電子傳輸材料之例 例如為由溶液或熔化態形成薄臈之方法。 用於由溶液形成薄膜之溶劑並無特殊限制，但可溶解 電洞傳輸材料及/或聚合物黏結劑。至於溶劑，例如為氣 溶劑如氣仿、二氣甲垸、二氣乙垸等，喊溶劑如四氮咲喃 等’芳香族烴溶劑如甲苯、二甲苯等，溶劑如丙酮、異 丁_等以及醋溶劑如乙酸乙醋、乙酸丁酿、乙基溶纖素乙 酸酯等。__至於由溶液或溶化態形成薄膜之方法,可使用塗覆方 Μ氏張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)一-" 7C32716 30 313883 ^---------U (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

586332

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 :冷例如旋塗法、洗鑄法、徼凹版塗覆法、凹版塗覆法、桿 、法、輥塗法、線桿塗覆法、浸塗法、喷塗法網印法、 人版印刷法、f版印刷法、喷墨印刷法等。 欲混合之聚合物黏結劑較佳為不會極端干擾電荷傳輸 \貝之聚合物黏結劑，適合使用對可見光不纟強力吸收之 T合物黏結劑。至於此種聚合物黏結劑例如值得—提者有 (N乙烯基昨唑）、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物、聚（對_伸苯基伸乙烯基）或其衍生物、聚（2,5-伸噻吩 土伸乙烯基）或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚（丙 稀酸甲酉曰）、聚（甲基丙烯酸甲酶）、聚苯乙稀、聚（氣乙稀）、 聚矽氧烷等。 有關電子傳輸層厚度，最理想值係因使用的材料各 異厚度可適當選擇讓驅動電壓及發光效率變最理想數 值，至少需要不會產生針孔的厚度，厚度過大並不佳，造 成裝置驅動電壓的升高。因此電洞傳輸層厚度例如為1奈米至1微米，較佳2奈米至500奈米，更佳5奈米至2〇〇奈米。 本發明之形成聚合物LED之基板較佳為形成電極及 有機材料層時不會改變的基板，例如為玻璃、塑膠、聚合 物薄膜、矽基板等。於不透明基板，較佳對向電極為透明 或半透明。 本發明中，較佳陽極為透明或半透明，至於此種陽極 材料’可使用導電性金屬氧化物薄膜、半透明金屬薄膜等。 特別使用氧化銦、氧化辞、氧化錫，以及經由使用銦•錫· 不、、氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）C3°7i ^ 31 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --線

586332 A7 B7 五、發明說明（32 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氧化物（IT〇)、10 ·辞•氧化物等（其為金屬氧化錯合物） 、及金#銀、鋼等組成的導電玻璃製成的薄膜（NESA 等）’、中以I TO、銦•鋅•氧化物氧化錫為佳。至於 氩k方法使用真空氣相沈積法、濺鍍法、離子植入法、 植入法等。陽極也可使用有機透明導電薄膜如聚苯胺 或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。 陽極厚度經適當選擇，同時考慮光透射度及導電性， 例如厚度為10奈米至1〇微米，較佳2〇奈米至1微米及 更佳50奈米至500奈米。 此外，為了容易注入電荷，可於陽極設置一層包含酞 花2衍生物導電性聚合物、碳等之層，或設置平均薄膜厚 2奈米或以下之層，該層包含金屬氧化物、金屬氟化物、 有機絕緣材料等。 至於用於本發明之聚合物LED之陰極材料，以具有 較低功函數之材料為佳。例如可使用金屬如鋰、鈉、鉀、 铷、铯、鈹、鎂、鈣、鳃、鋇、鋁 '銳、釩、辞、釔、銦、 鈽、釤、銪、铽、鎰等；或包含其中二或多者之合金；或 匕s其中一或多者與金、銀、鉑、鋼、錳、鈦、鈷、鎳、 鎢及錫、石墨或石墨插入化合物等中之一或多者之合金。 口金例如包括鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂_鋁合金、銦_銀 σ金、鋰·銘合金、鋰_鎮合金、鋰_銦合金、鈣·銘合金等。 陰極可形成為兩層或多層之積層結構。 陰極厚度經適當選擇，同時考慮光透射度及導電性， L_^如厚度為10奈米至10微米，較佳20奈米至1微米及 本·氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱)" -- 32 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >0: ;線

586332 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（33 ) 更佳50奈米至500奈米。 至於陰極之製造方法，可使用真空氣相沉積方法、濺 鍍方法、積層方法其中金屬薄膜係於加熱加壓下黏著等。 此外’可於陰極與有機層間提供一層包含導電聚合物層， 或平均厚度2奈米或以下之層，該層包含金屬氧化物、金 屬氟化物、有機絕緣材料等；於製造陰極後，也可設置保 護層來保護聚合物LED。為了長時間穩定使用聚合物 LED ’較佳提供保護層及/或保護蓋來保護裝置以防受到 外界損害。 至於保濩層，可使用聚合化合物、金屬氧化物、金屬 氟化物、金屬硼酸鹽等。至於保護蓋可使用玻璃板、塑膠 板而其表面已經進行低透水性處理等；適合使用一種方 法，其中保護蓋係利用密封用之熱固性樹脂或光硬化樹脂 黏貼在裝置基板上。若使用間隔件來維持空間，則容易防 止裝置受損。若氮氣及氬氣等内部氣體被封在此空間，則 可防止陰極的氧化，進一步經由放置氧化鋇等乾燥劑於此 空間，可方便防止裝置因製造過程被水分黏著而受損。其 中較佳採用任一種或多種手段。 為了使用本發明聚合物LED獲得平面形發光，適合 放置平面形陽極及陰極讓其彼此積層。又為了獲得圖案形 式之發光，一種方法為其中具有圖案形式窗之光罩置於前 述平面發光裝置上之方法；一種方法其中非發光部分之有 機層形成為極大厚度以提供實質上不發光之方法；以及其 中陽極或陰極之任一者、或二者形成圖案之方法。經由藉 本紙張尺度1¾¾巾® g家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱) " ------C327 33 313883 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >0 ·

586332 五、發明說明（34 ) 任一種方法形成圖案以及經由放置某些電極因而可進行獨 立開關’獲得-種節段型顯示裝置，該裝置可顯示數字、 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 字母、簡單符號等。此外，為τ來忐 馬了成點陣裝置，較好陽搞 及陰極被成形為條狀，放置而彼此交又成直角。藉由使用 下述方:¾:該方法中多種發射不同色光之聚合榮光物質分 開放置或其中使用遽色片或發光轉化滤色片之方法，可獲 得區域彩色顯f器以及多彩顯示器。點陣顯#器可使用= 動驅動，或藉由主動驅動與TFT等組合予以驅動。此等 顯示裝置可用作為電腦、電視、可攜式終端機、可攜式電 話、汽車導航、視訊攝影機之視野尋找器等之顯示器。 進一步，前述呈平面形之發光裝置為可自行發光裝 置，適合用作為液晶顯示器背光之平面光源、或用作為照 明之平面光源。此外若使用軟板，則也可用作為曲面光源 或顯示器。 [實例] 下列實例進一步舉例說明本發明之細節，但非限制其 範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處有關重量平均分子量及數目平均分子量，聚苯乙 烯折合平均分子量係藉凝膠滲透層析術（GPC)使用氣仿作 為溶劑獲得。 實例1 將9,9-二辛基-2,7-二溴芴0.77克，2,5_貳{2，-{4’，-(]^， -二苯基胺基）苯基}乙烯基}-1,4-二溴苯〇·〇5克，2,2，-雙 吡啶0.026克，無水氣化鎳0.0217克，三苯膦〇·5克及鋅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' 一 34 313883 G32720 586332 A7 -^^__Β7___— ^ 五、發明說明（35 ) ' 粉0 8克饋進旅。 應器内，然後反應系統氣氛以氬氣沖洗。 於其中，加入8'合 毫升事先藉氬氣除氣之N，N、二甲基甲 醯胺（DMF)。 …後此合溶液於80°C反應25小時。反應係於氬氣氣 氛下進行。反雇公 、 您使溶液經冷卻及倒入甲醇中。其次所得沈 厥經過渡收舉。、、+、 八 此凝經乾燥然後溶解於氣仿。溶液經過濾 去除不’谷性物質，溶液倒入甲醇内，收集結果所得沈澱。 沈澱於減壓下乾燥獲得聚合物〇ιι克。聚合物稱作聚合 螢光物質1。聚人μ ° 汆^螢光物質1之聚苯乙烯折合數目平均分 子量為5χ 1〇3。 一】刃 …單體進料比，聚合螢光物質1之式⑺與式（8)重複 單兀比為95: 5，聚合螢光物質1為隨機共聚物。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

Q 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例 實 0

b 本紙張尺度剌中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 35 313883 586332 A7 ----B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（36 ) 將 9,9-二辛基-2,7·二溴努 〇 548 克，2，-{4，-(N，N-二 苯胺基）}苯基-1，4-二氣苯〇·39克，2,2，-雙吡啶0.624克， 1，5-環辛二烯0.866克饋進反應器内，然後反應系統氣氛 以氬氣沖洗。於其中加入20毫升事先藉通氬氣除氣之 Ν，Ν’-二甲基 Τ 醯胺（DMF)。 然後貳（1，5-環辛二烯）鎳（〇)丨1〇克添加至混合溶液， 於7CTC反應20小時。反應係於氬氣氣氛進行。反應後溶 液經冷卻，倒入甲醇25毫升/離子交換水5〇毫升（其中含 10笔升25 /〇氮水之混合溶劑内。其次所得沈澱經過濾收 集。 沈殿經脫水，然後溶解於氣仿。溶液經過滤去除不溶 性物質，於減壓下去除溶劑收集所得沈殺。沈殿以丙網洗 務及於減壓下乾燥獲得聚合物〇.15克。此聚合物稱作聚 合螢光物質2。聚合螢光物質2之取# 赏兀4郷貞2之聚笨乙烯折合數目平均 分子量為1.2χ 1〇4。 由單體進料比，聚合螢光物暂 ^ 私蛩尤物質2之式（9)與式（10)重複 早元比為50: 50，聚合螢光物皙λ达 不口蛩尤物質2為隨機共聚物。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

I · I . ;線

36 313883 G32722 586332 Α7 Β7 五、發明說明（37 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例3 將 9,9_二辛基-2,7-二溴芴 〇·79 克，2-{2，_{4，，_(N，N_ 二苯胺基）苯基}乙烯基}-1，4_二溴苯0.081克，2,2，_雙哦 啶0.558克，1，5-環辛二烯〇·432克饋進反應器内，然後 反應系統氣氤以氬氣沖洗。於其中加入2〇毫升事先藉通 氬氣除氣之Ν，Ν’-二甲基甲醯胺（DMF)。 然後貳（1，5-環辛二烯）鎳（0) 〇·96克添加至混合溶液， 於70°C反應16小時。反應係於氬氣氣氛進行。反應後溶 液經冷卻，倒入甲醇25毫升/離子交換水50毫升（其中含 10毫升25%氨水）之混合溶劑内。其次所得沈澱經過濾收 集。 ^ 沈澱經脱水’然後溶解於氣仿。溶液經過濾去除不溶 性物質，於減壓下去除溶劑收集所得沈澱。沈澱以丙酮洗 滌及於減壓下乾燥獲得聚合物〇·5克。此聚合物稱作聚合 螢光物質3。聚合螢光物質3之聚苯乙烯折合數目平均分 子量為7·7χ 103。 由單體進料比，聚合螢光物質3之式（11)與式（12)重 複單元比為90· 10’聚合螢光物質3為隨機共聚物。 本紙張尺度過用中國國冢標早（UNS)A4規格（210 X 297公釐） C32723 37 313883 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 線· 586332 Α7 Β7

五、發明說明（38 )

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (12) 實例4將9，9-一辛基苟-2，7-貳（伸乙基二羥乙基硼酸酯） 0.305克（0·575毫莫耳），2]2、{4'(N算二苯胺基）苯基} 乙烯基卜1，4-二溴苯0.0309克（0·547亳莫耳）及亞歷夸 (Aliquat) 336 (230毫克，0·57毫莫耳）溶解於甲苯（1〇毫 升）中，10毫升碳酸鉀水溶液（240毫克，1.7亳莫耳）加入 其中。又加入肆（三苯膦）把（1.3毫克，o.ooii亳莫耳）， 加熱回流10小時。有機層逐滴加至甲醇，沉積之沈殺藉 過濾收集。所得沈澱溶解於甲苯，逐滴添加至甲醇。沉積 後之沈澱經過濾獲得聚合物〇·25克。此聚合物稱作聚合 螢光物質4。聚合螢光物質4之聚苯乙烯折合數目平均分 子量為1.8χ 104。 由單體進料比、聚合螢光物質4之式（13)與式（14)重 複單元比為50: 50，聚合螢光物質4為交替共聚物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C32724 38 313883 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂： 586332

五、發明說明（ 39

(13) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (14) 實例5 將9,9-二辛基芴_2，7-貳（伸乙基二羥乙基硼酸酯） 0 309 克（0.582 毫莫耳），9,9-二辛基 _2,7·二溴苟 0.274 克 (0.499毫莫耳），2-{2，_{4，，-(沐沁二苯胺基）苯基}乙烯基} 1，4-二溴苯0.028克（0.554毫莫耳）及亞歷夸336 (230毫 克，〇·57毫莫耳）溶解於甲苯（1〇毫升）中，1Q毫升碳酸斜 水溶液（240毫克，17毫莫耳）加入其中。又加入肆（三苯 膦）鈀（1.3毫克，〇·〇011毫莫耳），加熱回流1〇小時。將 有機層逐滴加至甲醇，沉積之沈澱藉過濾收集。所得沈淨 /谷解於甲苯，逐滴添加至甲醇。沉積後之沈澱經過濾獲名 聚合物0.34克。此聚合物稱作聚合螢光物質5。聚合螢 光物質5之聚苯乙烯折合數目平均分子量為4〇χ ι〇4。 由單體進料比’聚合螢光物質5之式（15)與式（16)重 複單元比為95: 5，聚合螢光物質5為由式（15)及式（16) 重複單元組成之隨機共聚物。此處無可避免地式（15)重複 單元緊鄰著存在於式（16)重複單元旁。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 39 313883 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 586332 A7 i、發明說明（ 40

CaH,7 C8H17 (15)

Q

(16) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 C327C6 f例6 將9,9·二辛基芴_2,7-貳（伸乙基二羥乙基硼酸酯） 0.305克（0.576毫莫耳），99-二辛基-2义二溴芴〇 271克 (〇·494毫莫耳），2,5_貳（3-(化乙基咔唑基））-1,4-二演苯 〇·〇37克（0·〇55毫莫耳）及亞歷夸336 (23〇毫克，〇 毫 莫耳）溶解於曱苯（10毫升）中，1〇毫升碳酸鉀水溶液（240 毫克’ 1.7毫莫耳）加入其中。又加入肆（三苯膦）鈀（13毫 克’ 0:0011毫莫耳），加熱回流10小時。將有機層逐滴加 至甲醇，况積之沈澱藉過濾收集。所得沈澱溶解於甲苯， 逐滴添加至甲醇。沉積後之沈澱經過濾獲得聚合物0 32 2。此聚合物稱作聚合螢光物質6。聚合螢光物質6之聚 苯乙烯折合敫目平均分子量為3 ΐχ 1〇4。 由單體進料比，聚合螢光物質6之式（17)與式⑽重 複單，比為95: 5,聚合螢光物質6為由式（17)及式⑽ —I複單兀組成之隨機共聚物。此虛^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CN“⑵Q Χ 297公髮地式（1 7)重# 313883 A7 B7 五、發明說明（41 ) 單元緊鄰著存在於式（18)重複單元旁

c8h17 c8h 17 (17)

(18) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表紙張芦，中家標準(CNS)A4規格(21。 X 297公釐） 41 實例 將9,9-二辛基芴-2,7·貳（伸乙基二羥乙基硼酸酯） 〇.305 克（〇.576 毫莫耳），2,5-戴{2’-{4”-(]^-二苯基胺基） 苯基}乙烯基}·1，4_二溴苯〇·424克（〇 548毫莫耳）及亞歷 夸336 (23 0毫克，〇· 57毫莫耳）溶解於甲苯（1〇毫升）中， 1〇毫升碳酸鉀水溶液（240毫克，1.7毫莫耳）加入其中。 又加入肆（三苯膦）鈀（1·3毫克，0·00η毫莫耳），加熱回 流10小時。有機層逐滴加至甲醇，沉積之沈澱藉過濾收 集。所知沈澱溶解於甲苯，逐滴添加至甲醇。沉積後之沈 ;殿經過遽獲得聚合物0 14克。此聚合物稱作聚合螢光物 質7°聚合螢光物質7之聚苯乙烯折合數目平均分子量為 8·8χ 1〇4 〇 單體進料比，聚合螢光物質7之虡^(70^ 9 用中函剧古搏食 /ηντη、Λ >1 la Xfr /rin . nrw 八 ϋ、 1 ___ 313883 586332 A7 五、發明說明（42 ) 複單元比為50: 50，聚合螢光物質7為交替共聚物

c8h17 c8h17 (19)

Q

5 :n~〇 (20) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂-· 比較例 將9,9_二辛基芴-2,7-貳（伸乙基二羥乙基硼酸酯） 0.305 克（0.574 毫莫耳），9,9-二辛基 _2,7_二溴芴 0.300 克 (〇·547毫莫耳），及亞歷夸336 (230毫克，0.57毫莫耳）溶 解於甲苯（10毫升）中，1〇毫升碳酸鉀水溶液（24〇毫克，i 7 毫莫耳）加入其中。又加入肆（三苯膦）鈀（1 3毫克，〇 〇〇11 毫莫耳），加熱回流1〇小時。有機層逐滴加至甲醇，沉積 之沈殿藉過瀘收集。所得沈澱溶解於甲苯，逐滴添加至甲 醇。沉積後之沈澱經過濾獲得聚合物0 38克。此聚合物 稱作聚合螢先物質8。聚合螢光物質8之聚苯乙烯折合數 目平均分子量為6·9χ 104。聚合螢光物質8為由式（21)重 複單元組成之聚厶物〇 本紙張尺芝烈家標準(CNS)A4規格⑵。χ 297公爱)' --- 313883 -線·

經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 42 586332 A7

五、發明說明（43 jO^Ok CeHi7 c8h17 (21) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 比較例2 將 9,9-二辛基-2,7-二㈣ 〇·548 克，2.苯基）ν(3· 二甲苯基）}胺基_1，4·二氣苯〇.328克，2,2,_雙吼唆〇 624 克’ i，5-環辛二稀0.866克饋進反應容器，然後反應系統 氣氛以氮氣沖洗。於其中加入20毫升事先藉通氬氣而除 氣的Ν，Ν’-二甲基甲醯胺（DMF)。 然後貳（1，5-環辛二烯）鎳（0) ^0克添加至混合溶液， 於m：反應2〇小時。反應於氬氣氣氛進行。反應後溶液 經冷卻及倒入甲醇25毫升/離子交換水毫升（其中含1〇 毫升25%氨水）之混合溶劑内。其次所得沈澱經過濾收集。 沈殿經脫水，然後溶解於氣仿。溶液經過濾去除不溶 性物質’然後於減壓下去除溶劑收集所得沈澱。沈澱以丙 酮洗滌及於減壓下脫水獲得聚合物〇1〇克。此聚人物稱 作聚合螢光物質9。聚合螢光物質9之聚苯乙烯折^數目 平均分子量為6.8χ 103。 由單體進料比’聚合螢光物質9之式（22)與式（23)重 複單元比為50: 50’聚合螢光物質9為隨機共聚物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） G32729 43 313883 586332 A7 ___ B7 五、發明說明（44 )

(22)

(23) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 比較例3 將9,9-二辛基芴_2,7-貳（伸乙基二羥—〜 0.305 克（0.575 毫莫耳），N，N_: (4-漠苯基）_N•苯胺 0.221 克（0.548毫莫耳）及亞歷夸33(5(22〇毫克，0.55毫莫耳）溶 解於甲苯（10毫升）中，1〇毫升碳酸鉀水溶液（2 38毫克，1J 毫莫耳）加入其中。又加入肆（三苯膦）鈀〇 3毫克，〇 〇〇11 毫莫耳），加熱回流10小時。有機層逐滴加至甲醇，沉積 之沈澱藉過濾收集。所得沈澱溶解於甲苯中，逐滴添加至 甲醇。沉積後之沈澱經過濾獲得聚合物〇21克。此聚厶 =作聚合螢光物質H)。聚合榮光物flQ之聚苯乙料 曰數目平均分子量為3.7χ 1〇4。 由單體進料，聚合榮光㈣1G之式（24)與式（25)重 早疋比為50: 50’聚合螢光物質1〇為交替共聚物。 乙基顺酸酯） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) J^T· -線

^SJTiiiiiMCNS)A4 規格“ X 297公釐） 44 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（45

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (25)實例ίο 聚合螢光物質1 - 1 0可溶於溶劑如甲苯及氣仿。<螢光性質之評估〉 將0 4 wt%含聚合螢光物質1之氯仿溶液旋塗於石英 板上形成聚合螢光物質1薄膜。使用紫外光可見光吸收分 光光度計（UV 3500，日立公司製造）及螢光分光光度計， (850日立公司製造）分別測量此薄膜之紫外光可見光吸收 光譜及螢光光譜。用於計算螢光強度，使用於35〇奈米激 發之螢光光譜。螢光強度相對值係經由將螢光光譜對於橫 軸之波數作圖所得面積除以於350奈米之吸收度算出。以前述相同方式，獲得聚合螢光物質2至1〇呈薄膜 狀態之螢光光譜。 聚合螢光物質1至10具有表1所示螢光尖峰波長。 聚合螢光物質1至8及1〇個別於薄膜狀態於可見光區有 強螢光，但聚合螢光物質9之螢光極微弱。 本紙國國家標準（CNS)A4規格（210 : 297公釐） 45 313883 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) M. 訂---------線」

586332 Α7 Β7 五、發明說明（46 ) 表 聚合螢光物質之螢光特性

比較例 聚合螢光物質10 436 2.42 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) π 實例11 <裝置之製造與評比> 於已經根據濺鍍法製成具有厚15〇奈米IT〇薄膜之 玻璃基板上，使用聚（伸苯基二氧噻吩}/聚笨乙烯磺酸溶 液（北重（Baytron)，拜爾公司製造）藉旋塗法形成厚5〇奈 米薄膜。薄膜於12(TC於熱板上乾燥1〇分鐘。其次使用1 5 wt%甲苯溶液旋塗聚合螢光物質j，形成厚約7〇奈米薄 膜。進一步，此薄膜於減壓下於8(rc乾燥工小時，然後 氣相沉積0.4奈米之氟化鋰作為陰極緩衝層，氣相沉積25 奈米鈣及氣相沉積40奈米鋁作為陰極而製造聚合物 LED。任一種氣相沉積時，真空度皆為1至8χ ΐ(Γό托耳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4 ¥格（210 X 297公益"7 Ο 〇 ^ 屋’ 313883 線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 46 ^32 586332 A7

五、發明說明（47 ) 施加電壓至所得裝置，獲得來自聚合螢光物質iiELS 光。EL發光強度係與電流密度約略成正比。 同理’使用聚合榮光物質6丨8製造裝置。藉施加電 壓至所得裝置，由聚合螢光物質6及8獲得EL發光。 發光強度幾乎與電流密度成正比。 所得裝置特性顯示於表2。與比較例丨之聚合螢光物 質8相比，實例1之聚合螢光物質1以及實例6之聚合蜜 光物質6具有較高發光效率及最大亮度，也具有相等或輕 低之發光啟始電壓。 雖然比較例1之聚合螢光物質8及比較例3之聚合螢 光物質10有強螢光（表1)，但當用裝置時，發光效率低， 亮度也低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表2 使用聚合螢光物質之裝置特性 發光效率 (濁光/安培） 發光啟始電壓 (伏特） 最大亮度 (燭光/平方米） 聚合螢光物質1 0.89 3.5 3517 聚合螢光物質7 0.48 4.6 4426 聚合螢光物質8 0.09 4.6 749 聚合螢光物質10 0.08 6.0 1041 線

實例12 將 2,5-(2,7-二甲基-辛氧）-l54_二溴苯 〇·41 克，2_ {4，-(Ν,Ν-二苯胺基）}苯基_1，4_二氣苯0.29克，2,2’_雙吡啶0.6! 克饋進反應器内，然後反應系統氣氛以氬氣沖洗。於其中 國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公复） 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（48 加入50毫升事先藉通沖洗除氣之四氫陕喃（脫水）。 然後將貳（1，5-環辛二烯）鎳（〇) 1·2克添加至混合溶 液，於60°C反應7小時。反應係於氬氣氣氛進行。反應 後溶液經冷卻，倒入甲醇1〇〇毫升/離子交換水1〇〇毫升 之混合溶劑内。其次所得沈澱經過濾及收集。 沈澱經脫水，然後溶解於甲苯中。溶液經過濾去除不 溶性材料，藉矽膠進料管柱純化，然後於減壓下去除溶劑 收集所得沈澱。沈澱以乙醇洗滌及於減壓下乾燥獲得聚合 物0.05克。此聚合物稱作聚合螢光物質11。聚合螢光物 質11之聚苯乙烯折合數目平均分子量為2·1χ 1〇4。 由單體進料比，聚合螢光物質11之式（26)與式（27)重 複單元比為50: 50，聚合螢光物質11為隨機共聚物。 Γ4先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂：

(26) --線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Q

:Ν-0 (27) 將 2,5-(2,7-二甲基 _ 辛氧）·1，4-二溴苯 0.41 克，2_{Ν-(3-甲基笨基）苯胺基}-1,4-二氣苯0.24克，2,2，-雙吡啶0.68 應容器，然jl:反應系統氣氛以氬氣沖洗。於其中 用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " "" 48 313883 586332 A7

五、發明說明（49 ) 加入50毫升事先藉通入氬氣除氣之四氫呋喃（脫水）。 然後貳（1，5-環辛二烯）鎳（0) !.2克添加至混合溶液 中，於60°C反應7小時。反應係於氬氣氣氛下進行。反 應後，溶液經冷卻及倒入甲醇100毫升/離子交換水1〇〇 毫升之混合溶劑。然後所得沈澱經過濾收集。 沈澱經乾燥，然後溶解於甲苯中。溶液經過濾去除不 溶性物質，籍矽膠進料管柱純化，然後於減壓下去除溶劑 收集所侍沈殿。沈澱以乙醇洗膝，於減壓下乾燥獲得聚合 物0.05克。此聚合物稱作聚合螢光物質12。聚合螢光物 質12之聚苯乙烯折合數目平均分子量為6 6χ 1〇3。 由單體進料比，聚合螢光物質12之式（28)對式（29)重 複單元比為50: 50，聚合螢光物質12為隨機共聚物。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

(28) -線

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (29) 實例13 以實例1 0之相同方式，獲得薄膜狀態之聚合鸯光物 質11及12之螢光光譜。 _琴合螢先物質11在薄膜狀態於可見光區具有！馨 中國國家標弊（CNS)A4規格（210 X 297公釐） u32?3o> 49 313883 586332 A7 B7 五、發明說明（5〇 ) 光’但聚合螢光物質12之螢光比聚合螢光物質^弱 表3 _聚合螢光物質2之螢光特性 聚合螢光物質 聚合螢光物質11 聚合螢光物質12 —本發明&♦螢光物質包含一種共聚#，其具有含特定 芳香族胺結橼之取代基於支鏈，當用於聚合物㈣之I 光層時顯示高亮度及高度發光效率。因此聚合物led較 佳用於裝置，❹用於有平坦或照明面之光源，或用 作為液晶顯示胃、節段型顯示器及點陣型平板顯示 光。 $ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 螢光尖峰波長 424 42? 螢光強度 (任意單位） Τη 0.46 實例12 比較例4 --線_

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

313883 50

Claims (1)

1. 586332 第91 1 16442號專利申請案 申請專利範圍修正本 (92年12月12曰） 1. 一種於固態時發螢光且具有聚苯乙烯折合數目平均分 子量101 2 3 4 5 6至107之聚合螢光物質，該物質包含一或多個 式（1)表示之重複單元以及一或多個式（3)表示之重複單 元， -Ar 】· （1) 其中ΑΓ]表示伸芳基或二價雜環化合物基，且具有1至 4個下式（2)表示之取代基，： k

   313883 (4) 1 2 其中為二價烴基；Ar2表示伸芳基或二價雜環化合物 基；Ar3表示芳基或一價雜環化合物基；Αι·2及Ar3可彼 3 此連結而形成一個環；Ar4表示芳基或一價雜環化合物 4 基；Αι·3及Αγ4可彼此連結而形成一個環；k為0或1 ; 5 1表示1至3之整數， 6 -Ar5- (3) 7 其中Ar5表示伸芳基或式（4)或（5)表示之二價雜環化合 物基： 其中 χ2 表不選自 〇、s、s〇、s〇2、NR3、CH、SiH 之基團；R3至I各自分別獨立表示選自氫原子、烷基、 芳基及一價雜環化合物基之基團；心及&各自分別獨 立表示遥自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺 基、芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基烷基、 芳基烷氧基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基胺基、芳基烯 基、芳基快基、一價雜環化合物基、及氰基之基團；m 及η各自分別獨立為〇至3之整數；當^為2或2以 上日守’多個R】可相同或相異；當η為2或2以上時， 多個R2可相同或相異；R]至可連結而形成環；當心 至R.7為含烷基鏈之基團時，烷基鏈可由一個含雜原子 之基團所岔斷， (吮 ^ (5) 其中r8表示選自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、 烷胺基、芳基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基 烷基、芳基烷氧基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基胺基、 方基烯基、芳基炔基、_價雜環化合物基、及氰基之基 團，j為〇至3之整數；當j為2或2以上時，多個 可相同或相異’畲Rs為含烧基鏈之基團時，烷基鏈可 由一個含雜原子之基團所岔斷。 如申請專利範圍第]項之聚合螢光物質，其中式（3)重 複單元為式（6)表示之重複單元： 3)3883 .:¾

   其中Rn及R】2各自分別獨，立表示選自氫原子、烷基、 芳基及一價雜環化合物基之基團；1及Riq各自分別獨 立表示選自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基矽烷基、烷胺 基、方基、芳氧基、芳基矽烷基、芳基胺基、芳基烷基、 芳基烷氧基、芳基烷基矽烷基、芳基烷基胺基、芳基烯 基、芳基炔基、一價雜環化合物基、及氰基之基團；h 及1各自分別獨立為〇至3之整數；當]^為2或2以上 時，多個&可相同或相異；當i為2或2以上時，多 個R1G可相同或相異；I至R】2可連結而形成環；當心 至R】2為含烷基鏈之基團時，烷基鏈可由一個含雜原子 基團所岔斷。 3 ·如申請專利範圍第1項之聚合螢光物質，其中以全部重 複單元為基準，式（1)與（3)表示之重複單元總量為50〇/〇 莫耳比或以上，而以式（1)及（3)表示之重複單元總量為 基準’式（1)表示之重複單元總量為〇 ·丨％莫耳比或以上 至50%莫耳比或以下。 4· 一種聚合物發光裝置，包括一對由一陽極及一陰極組成 的電極’其中至少一者為透明或半透明，以及至少含有 一層發光層介於二電極間，其中該發光層包括申請專利 範圍第1至3項中任一項之聚合螢光物質。 313883 5 ·如申請專利範圍第4項之聚合物發光裝置，其中包含導 電聚合物之層係至少設置於一電極與該發光層間，使包 含導電聚合物之該層毗鄰於該電極。 6·如申凊專利範圍第4項之聚合物發光裝置，其中一厚2 奈米或以下之絕緣層係至少設置於一電極與該發光層 間，使該絕緣層毗鄰於該電極。 7·如申凊專利範圍第4至6項中任一項之聚合物發光裝 置其中包含電子傳輪化合物的層係設置於該陰極與 。亥4光層間，使包含電子傳輸化合物之該層础鄰於該發 光層。 8.如申請專利範圍第4至6項巾任—歡聚合物發光裝 置，其中一包含電洞傳輪化合物之層係設置於該陽極與 4赍光層間，使包含電洞傳輸化合物的該層毗鄰於該發 光層。 如申”月專利乾圍第4至6項中任一項之聚合物發光裝 置，甘中___^ A I 3電子傳輪化合物的層係設置於該陰極與 該發光層間，你/7人$ 更匕έ電子傳輸化合物之該層础鄰於該發 包含電洞傳輸化合物之層係設置於該陽極 與該發光声尸, /、 θ $ ’使包含電洞傳輸化合物之該層毗鄰於該 發光層。 1 0 ·如申請專利範圍第4 至6項中任一項之聚合物發光裝 置，係用於平 面光源 1 1 ·如申請專利範圍第 置，係用於節段型 4至6項中任一項之聚合物發光裝 顯示器。 4 313883 586332 dZ 12. ... . ... h '.; -..〜一.'一，产一.V... · ，.,. 12·如申請專利範圍第4至6項中任一項之聚合物發光裝 置，係用於點陣型顯示器。 1 3 ·如申請專利範圍第4至6項中任一項之聚合物發光裝 置，係用於液晶顯示器作為背光。 313883