JP7555221B2 - 共重合体、ならびに当該共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

共重合体、ならびに当該共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Description

本発明は、共重合体、ならびに当該共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子に関する。
エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、研究開発が活発に進められている。特に、ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に数ナノメートルから数百ナノメートルの薄膜を有する発光素子である。また、ＥＬ素子は、通常、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などをさらに有する。
このうち、発光層の材料としては、蛍光発光材料、りん光発光材料がある。りん光発光材料は、蛍光発光材料と比較し、高い発光効率が見込まれる材料である。また、広い色域を網羅するために、ＲＧＢ光源は半値幅の狭い発光スペクトルが要求される。特に青色は深い青が要求されるが、長寿命かつ色純度の観点を満足できる素子は見出されていないのが現状である。
これらの問題を解決する方法として、発光材料に無機発光物質である「量子ドット」を用いる発光デバイスがある（特許文献１）。量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ；ＱＤ）は、数ナノメートルの大きさの結晶構造を有する半導体物質であって、数百から数千個程度の原子で構成されている。量子ドットは、大きさが非常に小さいため、単位体積当たりの表面積が広い。このため、大部分の原子がナノ結晶の表面に存在し、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果などを示す。このような量子閉じ込め効果により、量子ドットは、その大きさを調節することだけで発光波長を調節することができ、優れた色純度および高いＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光効率などの特性を有するため、多くの関心を集めている。量子ドット発光素子（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；ＱＤ ＬＥＤ）は、量子ドット発光層を間において両端に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）を含む３層構造の素子が基本素子として知られている。
特開２０１０－１９９０６７号公報
しかし、特許文献１に記載の正孔輸送材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）では、十分な性能（特に発光効率）を達成することができなかった。
したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、エレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の性能（特に発光効率）を向上できる技術を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、特定の構造を有する高分子を用いることによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、上記目的は、下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体によって達成できる。
上記式（１）中、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ｌ１は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｒ１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１が複数存在する場合、各々のＲ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、
ａは、０、１、２または３の整数であり；
Ｙは、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
本発明によれば、性能（特に発光効率）に優れるエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）が提供できる。
本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。
第１の側面では、本発明は、下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体を提供する：
上記式（１）中、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ｌ１は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｒ１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１が複数存在する場合、各々のＲ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、
ａは、０、１、２または３の整数であり；
Ｙは、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
本明細書において、「下記式（１）で表される構成単位」を「構成単位（１）」または「本発明に係る構成単位（１）」とも称する。「下記式（１）で表される構成単位」中の下記構造：
を有する構成単位を「構成単位Ｘ」、「構成単位「Ｘ」」または「本発明に係る構成単位Ｘ」とも称する。同様にして、「下記式（１）で表される構成単位」中の構成単位「－Ｙ－」を「構成単位Ｙ」、「構成単位「Ｙ」」または「本発明に係る構成単位Ｙ」とも称する。また、式（１）で表される構成単位を有する共重合体を、「共重合体」または「本発明に係る共重合体」とも称する。
第２の側面では、本発明は、本発明に係る共重合体、およびＨＯＭＯレベルが－５．６ｅＶを超えて－５．３ｅＶ以下の高分子材料を含む、高分子組成物を提供する。
第３の側面では、本発明に係る共重合体または本発明に係る高分子組成物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料を提供する。
第４の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層が本発明に係る共重合体または本発明に係る高分子組成物を含む、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。本明細書において、エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＬＥＤ」とも称する。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＱＬＥＤ」とも称する。有機エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＯＬＥＤ」とも称する。
従来の有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ；ＯＬＥＤ）は正孔輸送層（ＨＴＬ）および発光層を含む。正孔輸送層（ＨＴＬ）に使用される物質のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）レベルは－５．３ｅＶ以上－５．０ｅＶ以下に存在する。また、前記発光層に使用される物質のＨＯＭＯレベルは－５．５ｅＶ以上－５．０ｅＶ以下の間に存在するため、正孔輸送層（ＨＴＬ）に使用される物質のＨＯＭＯレベルとの差が小さくて効率的な正孔輸送が可能になり、高発光効率の素子を提供することができる。
一方、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）に使用される量子ドットの価電子帯（ｖａｌａｎｃｅ ｂａｎｄ）レベルは、例えば、青色ＱＬＥＤでは約－５．７ｅＶであり、赤色ＱＬＥＤでは約－５．５５ｅＶである。このため、既存の有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）に使用される正孔輸送層物質のＨＯＭＯレベルとのバンドオフセット（ｂａｎｄ ｏｆｆｓｅｔ）の差が大きく、キャリア注入効率、発光効率、ＱＬＥＤのターンオン電圧、駆動電圧の上昇などの問題をもたらす。このような問題点を解決するために、正孔輸送層（ＨＴＬ）のＨＯＭＯレベルがより深い正孔輸送層物質を使用して発光層（ＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）層）とのバンドオフセットを下げる方法が考慮されている。本発明者らは、ＨＯＭＯレベルの深い物質（特に正孔輸送層物質）につき鋭意検討を行った結果、上記式（１）の構造、特に上記式（１）中の構成単位「Ｘ」を下記構造：
とすることによって、ＨＯＭＯレベルの深い物質が得られることを知得した。詳細には、式（１）の共重合体を構成する構成単位「Ｘ」は、モノアミン（－Ｎ（Ａｒ１）（Ａｒ２））が側鎖に配置される構造を有する。このような構造をとることにより、共役の長さが短くなり、結果、共重合体のＨＯＭＯレベルを深くすることができる。上記に加えて、式（１）の共重合体を構成する構成単位「Ｘ」は、主鎖を構成するベンゼン環はパラ位で他の構成単位と連結し、オルト位に側鎖（モノアミン）が配置される構造を有する。このような構造をとることにより、モノアミンの共役が維持され、結果、共重合体のＨＯＭＯレベルを深くすることができる。ゆえに、本発明に係る共重合体は、深いＨＯＭＯレベルを有する。このため、当該共重合体を含む正孔注入層または正孔輸送層（特に正孔輸送層）と量子ドットを含む発光層とを有する量子ドットエレクトロルミネッセンス素子では、正孔注入層または正孔輸送層（特に正孔輸送層）と発光層とのＨＯＭＯ差が小さく、これらの層から発光層へのホール（正孔）の注入能を向上できる。また、発光層へのホール（正孔）の注入能を向上できるので、発光領域を広くすることも可能である。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いることで、高い発光効率を発揮するエレクトロルミネッセンス素子を作製することができる。
したがって、本発明に係る共重合体は深いＨＯＭＯレベルを有する。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いて作製されるエレクトロルミネッセンス素子は、高い発光効率を発揮できる。また、本発明に係る共重合体は、駆動電圧の上昇を抑制できる。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いて作製されるエレクトロルミネッセンス素子は、低駆動電圧で高い発光効率を発揮できる。加えて、本発明に係る共重合体は、成膜性および溶媒溶解性に優れるため、湿式（塗布）法での成膜が可能である。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いることによって、エレクトロルミネッセンス素子の大面積化、高生産性が可能となる。上記効果は、本発明に係る共重合体がＥＬ素子、特にＱＬＥＤの正孔輸送層または正孔注入層に適用される場合に、効果的に発揮できる。
なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら拘泥されるものではない。
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、各図面は説明の便宜上誇張されて表現されており、各図面における各構成要素の寸法比率が実際とは異なる場合がある。また、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明した場合では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で測定する。
本明細書において「置換」とは、特に定義しない限り、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）で置換されていることを指す。なお、ある基が置換される場合、置換された構造がさらに置換される前の定義に含まれるような置換の形態は除外される。例えば、置換基がアルキル基である場合、置換基としてのこのアルキル基はさらにアルキル基で置換されることはない。
ここで、置換基としてのアルキル基としては、直鎖もしくは分岐のいずれでよいが、好ましくは炭素数１以上２０以下の直鎖もしくは炭素数３以上２０以下の分岐のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基などが挙げられる。
置換基としてのシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ヒドロキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の水酸基で置換されるもの（例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基）が例示される。
置換基としてのアルコキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の上記アルコキシ基で置換されるものが例示される。
置換基としてのアルコキシ基としては、直鎖もしくは分岐のいずれでよいが、好ましくは炭素数１以上２０以下の直鎖もしくは炭素数３以上２０以下の分岐のアルコキシ基が挙げられる。例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。
置換基としてのシクロアルコキシ基としては、例えば、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、２－ヘプテニル基、５－ヘプテニル基、１－オクテニル基、３－オクテニル基、５－オクテニル基などが挙げられる。
置換基としてのアルキニル基としては、例えば、アセチレニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンテチル基、２－ペンテチル基、３－ペンテチル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、３－ヘキシニル基、１－ヘプチニル基、２－ヘプチニル基、５－ヘプチニル基、１－オクチニル基、３－オクチニル基、５－オクチニル基などが挙げられる。
置換基としてのアリール基としては、炭素数６以上３０以下のアリール基が挙げられる。例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。
置換基としてのアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。
置換基としてのアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基などが挙げられる。
置換基としてのシクロアルキルチオ基としては、例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。
置換基としてのアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。
置換基としてのアルコキシカルボニル基としては、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基などが挙げられる。
置換基としてのアリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基などが挙げられる。
［共重合体］
本発明の共重合体は、下記式（１）で表される構成単位（構成単位（１））を有する。下記構造を有する共重合体は、ＨＯＭＯレベル（ＨＯＭＯ準位）が深い。このため、本発明の共重合体を（特に正孔輸送層または正孔注入層に）有するエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、発光効率に優れる。また、高耐久性（長発光寿命）、高電流効率化および低駆動電圧化を達成できる。本発明の共重合体は、式（１）の構成単位（構成単位（１））１種を含むものであっても、または２種以上の構成単位（１）を含むものであってもよい。なお、複数の構成単位（１）は、ブロック状に存在しても、ランダム状に存在してもよい。
上記式（１）において、構成単位Ｘ（上記式（１）の左側の構成単位）は、本発明に係る共重合体を構成する。なお、２種以上の構成単位（１）が存在する場合、各構成単位（１）中の「構成単位Ｘ」は同じであってもまたは異なるものであってもよい。
上記式（１）において、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ１およびＡｒ２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。ここで、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基としては、特に制限されないが、具体的には、ベンゼン（フェニル基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、キンキフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素化合物由来の１価の基が挙げられる。環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、特に制限されないが、具体的には、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、アントラキノン、フルオレノン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾフェナンスリジン、ベンズイミダゾフェナンスリジン、アザジベンゾフラン、９－フェニルカルバゾール、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン、ピリジン、キノリン、アントラキノリンなどの複素環式芳香族化合物由来の１価の基が挙げられる。Ａｒ１およびＡｒ２（非置換形態）は、上記したような１価の芳香族炭化水素基のみであっても、上記したような１価の芳香族炭化水素基を２種以上組み合わせた構造であっても、上記したような１価の芳香族複素環基のみであっても、上記したような１価の芳香族複素環基を２種以上組み合わせた構造であっても、または上記したような１種以上の１価の芳香族炭化水素基と１種以上の１価の芳香族複素環基とを組み合わせた構造であってもよい。
これらのうち、より深いＨＯＭＯレベルの観点から、Ａｒ１およびＡｒ２の少なくとも一方が、下記式（２）で表される基であることが好ましい。
上記式（２）において、Ｌ２は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す。ここで、炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、より深いＨＯＭＯレベルの観点から、Ｌ２は、単結合、ベンゼン（フェニレン基）、フルオレン（フルオレニル基）であることが好ましく、単結合またはベンゼン（フェニレン基）であることがより好ましい。
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。ここで、炭素数１以上２０以下のアルキル基および炭素数１以上２０以下のアルコキシ基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じ基が例示される。また、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の１価の基が同様にして例示される。これらのうち、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
Ｘは、＝ＣＲ４Ｒ５、Ｏ及びＳから選択される基を表す。Ｘは、＝ＣＲ４Ｒ５またはＯであることが好ましい。Ｘが＝ＣＲ４Ｒ５である際の、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基であり、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよい。ここで、炭素数６以上３０以下のアリール基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアリール基が例示される。また、炭素数１以上２０以下のアルキル基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基が例示される。これらうち、より深いＨＯＭＯレベルの観点から、ＲおよびＲ５は、それぞれ独立して炭素数１以上８以下のアルキル基であるまたはアリール基が互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成することが好ましく、それぞれ独立して炭素数１以上３以下のアルキル基であるまたはフェニル基が互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造（スピロビ［フルオレニル］基）を形成することがより好ましい。
ｂは、０、１、２または３の整数である。
ｃは、０、１、２、３または４の整数である。
すなわち、本発明の好ましい形態では、式（２）で表される基が、下記式（３）～式（１８）から選択される基である。
上記式（３）～式（１８）中、
Ｌ２は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
ｂは、０、１、２または３の整数であり、
ｃは、０、１、２、３または４の整数である。なお、上記式（３）～式（１８）中のＬ２、Ｒ２、Ｒ３、ｂおよびｃの具体的な説明は、上記式（２）におけるのと同様であるため、ここでは説明を省略する。
上記式（１）において、Ａｒ１およびＡｒ２の組み合わせは、Ａｒ１が下記式（３）～（６）および下記式（１１）～（１４）から選択される基であることが好ましく、Ａｒ２が下記式（７）～（１４）、および炭素数１以上８以下の直鎖もしくは炭素数３以上８以下の分岐のアルキル基で置換されたまたは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基から選択される基であることがより好ましい。Ａｒ１およびＡｒ２の組み合わせは、Ａｒ１が下記式（３）、（５）および（１４）から選択される基であることが好ましく、Ａｒ２が下記式（７）および（１４）、ならびに炭素数３以上５以下の直鎖のアルキル基で置換されたまたは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基（特にビフェニル基）から選択される基であることがより好ましい。このような組み合わせを有する共重合体はより深いＨＯＭＯレベルを発揮できる。ここで、炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン（フェニル基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素由来の１価の基が挙げられる。
より好ましくは、Ａｒ１が、下記式（３）～（６）および下記式（１１）～（１４）から選択される基であり、かつ、Ａｒ２が置換されたもしくは非置換のベンゼン、置換されたもしくは非置換のフルオレン、置換されたもしくは非置換のビフェニル、置換されたもしくは非置換のジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから選択される基、またはこれらの２以上の組み合わせである。さらに好ましくは、Ａｒ１が、９，９’－スピロビ［フルオレニル］基またはベンゼンとジベンゾフランとの組み合わせであり、かつ、Ａｒ２がベンゼン、９，９－ジメチルフルオレン、炭素数１以上５以下のアルキル基で置換されたもしくは非置換のビフェニル、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから選択される基、またはこれらの２以上の組み合わせである。特に好ましくは、Ａｒ１およびＡｒ２の組み合わせは、下記群から選択される。上記したようなＡｒ１およびＡｒ２である共重合体は、より深いＨＯＭＯレベルを有する（ゆえに、本発明に係る共重合体を使用したＬＥＤ（特にＱＬＥＤ）の発光効率をさらに向上できる）。
Ｌ１は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。ここで、炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、より深いＨＯＭＯレベルの観点から、Ｌ１は、フェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基であることが好ましく、フェニレン基であることがより好ましい。
Ｒ１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。なお、Ｒ１が複数存在する場合、各々のＲ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよい。ここで、炭素数１以上２０以下のアルキル基および炭素数１以上２０以下のアルコキシ基は、上記「置換基」にて列挙したものと同じ基が例示される。また、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、Ｒ１は、水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
ａは、０、１、２または３の整数である。好ましくは、ａは、０である。
すなわち、本発明に係る構成単位Ｘの好ましい例としては、下記構造がある。
すなわち、本発明に係る構成単位Ｘ（上記式（１）の左側の構成単位）のより好ましい例としては、下記構造がある。上記構造を有する共重合体は、より深いＨＯＭＯレベルを示す。
上記式（１）において、Ｙは、上記構成単位Ｘに加えて、本発明に係る共重合体を構成し、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。ここで、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、Ｙは、下記式（１９）～式（３４）から選択される基であることが好ましい。即ち、本発明の好ましい形態では、上記式（１）において、Ｙが、下記式（１９）～式（３４）から選択される基である。
上記式式（１９）～式（３４）中、Ｒ４は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、炭素数１以上６０以下のアルキル基、または水素原子を表す。ここで、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ１およびＡｒ２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の１価の基が同様にして例示される。また、炭素数１以上６０以下のアルキル基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基が例示される。これらのうち、Ｒ４は、それぞれ独立して、炭素数３以上２０以下の直鎖のアルキル基、炭素数３以上２０以下の分岐アルキル基または水素原子が好ましく、炭素数６以上１２以下の直鎖アルキル基または水素原子であることがより好ましい。
Ｑは、それぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓｅ－、－ＣＲ１７Ｒ１８－、－ＳｉＲ１７Ｒ１８－を表す。この際、Ｒ１７およびＲ１８は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基または置換若しくは非置換のヘテロアリール基を表す。ここで、アルキル基およびアリール基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基およびアリール基がそれぞれ例示される。また、ヘテロアリール基としては、例えば１－ピロリル基、２－ピロリル基、３－ピロリル基、ピラジニル基、２－ピリジニル基、３－ピリジニル基、４－ピリジニル基、１－インドリル基、２－インドリル基、３－インドリル基、４－インドリル基、５－インドリル基、６－インドリル基、７－インドリル基、１－イソインドリル基、２－イソインドリル基、３－イソインドリル基、４－イソインドリル基、５－イソインドリル基、６－イソインドリル基、７－イソインドリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、９－カルバゾリル基、１－アクリジニル基、２－アクリジニル基、３－アクリジニル基、４－アクリジニル基、９－アクリジニル基、１－フェナジニル基、２－フェナジニル基、１－フェノチアジニル基、２－フェノチアジニル基、３－フェノチアジニル基、４－フェノチアジニル基、１０－フェノチアジニル基、１－フェノキサジニル基、２－フェノキサジニル基、３－フェノキサジニル基、４－フェノキサジニル基、１０－フェノキサジニル基などが挙げられる。
Ｚは、それぞれ独立して、－ＣＲ１９＝、－Ｎ＝、－ＳｉＲ１９＝を表し、この際、Ｒ１９は、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基または置換若しくは非置換のヘテロアリール基を表す。ここで、アルキル基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基が例示される。また、ヘテロアリール基としては、上記Ｒ１７およびＲ１８にて列挙したものと同じヘテロアリール基が例示される。
＊は、主鎖を形成する結合部位である。
上記のうち、Ｙは、好ましくは式（１９）、式（２０）、式（２１）、式（２９）で示される基であり、より好ましくはＲ４がそれぞれ独立して炭素数３以上２０以下の直鎖のアルキル基、炭素数３以上２０以下の分岐アルキル基または水素原子である式（１９）で示される基、Ｑが－ＣＲ１７Ｒ１８－であり、この際、Ｒ１７およびＲ１８がそれぞれ独立して炭素数３以上２０以下の直鎖または分岐アルキル基である式（２１）で示される基であり、特に好ましくはＲ４がそれぞれ独立して炭素数６以上１２以下の直鎖アルキル基または水素原子である式（１９）で示される基、Ｑが－ＣＲ１７Ｒ１８－であり、この際、Ｒ１７およびＲ１８がそれぞれ独立して炭素数６以上１２以下の直鎖アルキル基である式（２１）で示される基である。
本発明に係る共重合体における構成単位Ｘの組成は、特に制限されない。共重合体のＨＯＭＯレベル（ゆえに、共重合体を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の正孔輸送能、発光効率のさらなる向上効果）などを考慮すると、構成単位Ｘは、共重合体を構成する全構成単位に対して、好ましくは３０モル％以上９０モル％以下、より好ましくは４０モル％を超え６０モル％未満である。なお、共重合体が２種以上の構成単位Ｘを含む場合には、上記構成単位Ｘの含有量は、構成単位Ｘの合計量を意味する。
本発明に係る共重合体における構成単位Ｙの組成は、特に制限されない。共重合体のＨＯＭＯレベル（ゆえに、共重合体を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の正孔輸送能、発光効率のさらなる向上効果）などを考慮すると、構成単位Ｙは、共重合体を構成する全構成単位に対して、好ましくは１０モル％以上７０モル％以下、より好ましくは４０モル％を超え６０モル％未満である。なお、共重合体が２種以上の構成単位Ｙを含む場合には、上記構成単位Ｙの含有量は、構成単位Ｙの合計量を意味する。
本発明に係る共重合体を構成する構成単位Ｘと構成単位Ｙとの組成比（存在比）は、特に制限されない。共重合体のＨＯＭＯレベル（ゆえに、共重合体を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の正孔輸送能、発光効率のさらなる向上効果）などを考慮すると、構成単位Ｘと構成単位Ｙとの組成比（構成単位Ｘ：構成単位Ｙのモル比）は、好ましくは０．８～１．５：１、より好ましくは０．９～１．１：１である。なお、上記組成比において、共重合体が２種以上の構成単位Ｘを含む場合には、上記構成単位Ｘの含有量は、構成単位Ｘの合計量を意味する。同様にして、共重合体が２種以上の構成単位Ｙを含む場合には、上記構成単位Ｙの含有量は、構成単位Ｙの合計量を意味する。
本発明に係る共重合体は、構成単位Ｘ及び構成単位Ｙを必須に含むが、これらの構成単位Ｘ及びＹに加えて、他の構成単位を有していてもよい。ここで、他の構成単位としては、例えば、アズレン、ナフタレン、アントラセンなどの化合物由来の構成単位が挙げられる。ここで、本発明に係る共重合体が他の構成単位を有する場合の、他の構成単位の組成は、特に制限されない。共重合体のＨＯＭＯレベル（ゆえに、共重合体を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の正孔輸送能、発光効率のさらなる向上効果）などを考慮すると、他の構成単位は、共重合体を構成する全構成単位に対して、好ましくは０モル％を超えて１５モル％未満、より好ましくは０．５モル％以上１０モル％以下である。なお、共重合体が２種以上の他の構成単位を含む場合には、上記他の構成単位の含有量は、他の構成単位の合計量を意味する。
本発明に係る共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、５，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、５，０００以上５００，０００以下であることがより好ましい。このような重量平均分子量であれば、共重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。
また、共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、３，０００以上５００，０００以下であることが好ましく、より好ましくは３，５００以上３００，０００以下である。このような数平均分子量であれば、共重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。また、本実施形態の共重合体の多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、例えば、１．１０以上５．００以下、好ましくは１．２０以上４．００以下である。
ここで、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、特に制限されず、公知の方法を用いてまたは公知の方法を適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法により測定される値を採用する。なお、ポリマーの多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、下記方法により測定された数平均分子量（Ｍｎ）で重量平均分子量（Ｍｗ）を除することによって算出される。
（数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定）
共重合体（下記の場合では、高分子材料）の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー：Ｓｉｚｅ Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、以下の条件で測定する。
本実施形態に係る共重合体の主鎖の末端は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。
本実施形態に係る共重合体は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態に係る共重合体の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態に係る共重合体は、下記式（Ａ’）で示される１種以上の単量体（Ａ）を用いた重合反応により、または下記式（Ａ’）で示される１種以上の単量体（Ａ）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。
または、下記式（Ｂ’）で示される１種以上の単量体（Ｂ）及び下記式（Ｃ’）で示される１種以上の単量体（Ｃ）を用いた、または下記式（Ｂ’）で示される１種以上の単量体（Ｂ）及び下記式（Ｃ’）で示される１種以上の単量体（Ｃ）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。
本発明に係る共重合体の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。
上記式（Ａ’）～（Ｃ’）中、Ｒ１、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２およびａ、ならびにＹは、上記式（１）におけるのと同様の定義である。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記構造の基である。なお、下記構造において、ＲＡ～ＲＤは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。好ましくは、ＲＡ～ＲＤはメチル基である。なお、上記式（Ａ’）～（Ｃ’）中のＸ１およびＸ２は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、上記式（Ａ’）中、Ｘ１およびＸ２は異なる。上記式（Ｂ’）中、Ｘ１’およびＸ２’は同じであることが好ましい。上記式（Ｃ’）中、Ｘ１”およびＸ２”は同じであることが好ましい。
本実施形態に係る共重合体は、構成単位Ｘおよび構成単位Ｙを有する。このため、当該共重合体は深いＨＯＭＯレベルを有する。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、高い発光効率を達成できる。また、本実施形態に係る共重合体は、高い三重項エネルギー準位を有し、かつ低い駆動電圧を有する。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、低駆動電圧で高いホール移動性が達成される。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子（特にＱＬＥＤ）は発光効率および耐久性（発光寿命）に優れる。
本発明に係る共重合体は、深いＨＯＭＯレベルを有する。具体的には、本発明に係る共重合体のＨＯＭＯレベルは、－５．９ｅＶ以上－５．６ｅＶ以下である。このような深いＨＯＭＯレベルを有する共重合体を有するため、特に本発明に係る共重合体を正孔輸送層と量子ドットを含む発光層とを有する量子ドットエレクトロルミネッセンス素子では、正孔輸送層と発光層とのバンドオフセット差が小さく、正孔輸送層から発光層へのホール（正孔）の輸送能を向上できる。また、発光領域を広くすることも可能である。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いることにより、高い発光効率を発揮するエレクトロルミネッセンス素子（特にＱＬＥＤ）を提供できる。
［高分子組成物］
本発明に係る共重合体は、単独で使用されてもよいが、本発明に係る共重合体より浅いＨＯＭＯレベルを有する高分子材料を組み合わせることが好ましい。上述したように、本発明に係る共重合体のＨＯＭＯレベルは－５．６ｅＶ以下とかなり深い。このため、本発明に係る共重合体を正孔輸送層（ＨＴＬ）に使用した場合には、発光層（ＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）層）とのバンドオフセットの差が低減されて、正孔輸送層から発光層へのホール（正孔）の注入能を向上できる。一方、正孔注入層の価電子帯は－５．３５ｅＶ程度であるため、上記形態では、正孔注入層とのバンドオフセットの差が大きくなる傾向にある。このため、本発明に係る共重合体に加えて、本発明に係る共重合体より浅いＨＯＭＯレベルを有する高分子材料を正孔輸送層に組み合わせることにより、正孔注入層とのバンドオフセットの差が低減されて、正孔注入層から正孔輸送層へのホール（正孔）の注入能を向上して、その結果エレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の発光効率をさらに向上できる。
すなわち、本発明は、本発明に係る共重合体、およびＨＯＭＯレベルが－５．６ｅＶを超えて－５．３ｅＶ以下の高分子材料を含む、高分子組成物（第２の側面）をも提供する。高分子材料のＨＯＭＯレベルは、組み合わせる本発明に係る共重合体のＨＯＭＯレベルに応じて適宜選択される。好ましくは、高分子材料のＨＯＭＯレベルは、－５．５０ｅＶ以上－５．３５ｅＶ以下である。
ここで、本発明に係る共重合体と組み合わせる高分子材料は、ＨＯＭＯレベルが－５．６ｅＶを超えて－５．３ｅＶ以下（好ましくは－５．５０ｅＶ以上－５．３５ｅＶ以下）であれば特に制限されないが、下記式（３５）で示されることが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、高分子材料は、下記式（３５）で示される。
また、上記式（３５）の構成単位（「構成単位（Ａ）」とも称する）では、炭化水素基が側鎖（Ａｒ４）に存在する。これにより、高分子材料（アリールアミン－フルオレン交互共重合体）を含む正孔輸送層と量子ドットを含む発光層とを有する量子ドットエレクトロルミネッセンス素子では、正孔輸送層中の高分子材料の側鎖の炭化水素基と発光層中に含まれる量子ドットとがより近接して存在して、高分子材料の側鎖の炭化水素基は量子ドットと密接に相互作用する。ゆえに、正孔が効率よく量子ドットに注入でき（ホール注入性が高い）、耐久性（発光寿命）を向上できる。上記式（３５）の構成単位では、窒素原子が主鎖の共役を切断している。これにより、高分子材料の三重項エネルギー準位を高め、主鎖に沿った正孔移動性（Ｂｕｌｋ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が高く、高い電流効率を達成できる。ゆえに、式（３５）構成単位を有する高分子化合物（主鎖）により、優れた発光効率を達成できる。加えて、上記式（３５）の構成単位では主鎖が窒素原子で切断されているため、本発明の高分子材料は、高分子化しても量子ドットとエネルギー準位が近い低分子化合物様の性質を示す。このため、本発明の高分子材料を用いることにより、駆動電圧の上昇を抑制し、低駆動電圧化が可能になる。
上記式（３５）において、Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１６以下の炭化水素基を表す。ここで、Ｒ６～Ｒ９は、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、Ｒ６およびＲ７は、同じであることが好ましい。また、上記式（３５）中、２個あるＲ８は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。同様にして、上記式（３５）中、２個あるＲ９は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。
Ｒ６～Ｒ９としての炭素数１以上１６以下の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖もしくは分岐の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびシクロアルキル基などが挙げられる。なお、Ｒ６～Ｒ９がアルケニル基またはアルキニル基である場合には、Ｒ６～Ｒ９の炭素数は２以上１６以下である。同様にして、Ｒ６～Ｒ９がシクロアルキル基である場合には、Ｒ６～Ｒ９の炭素数は３以上１６以下である。
炭素数１以上１６以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基などが挙げられる。
炭素数２以上１６以下のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。
炭素数２以上１６以下のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。
炭素数は３以上１６以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベルの制御の観点から、Ｒ６～Ｒ７は、それぞれ独立して、炭素数４以上１５以下の直鎖もしくは炭素数４以上１５以下の分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数５以上１２以下の直鎖もしくは炭素数５以上１２以下の分岐のアルキル基であることがより好ましく、炭素数６以上１０以下の直鎖のアルキル基であることがさらに好ましく、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基であることが特に好ましい。当該形態であると、高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）も達成できる。また、より適切なＨＯＭＯレベルの制御の観点から、Ｒ８～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素原子（無置換）または炭素数１以上８以下の直鎖もしくは炭素数３以上８以下の分岐のアルキル基であることが好ましく、水素原子（無置換）または炭素数３以上６以下の直鎖のアルキル基であることがより好ましく、水素原子（無置換）であることが特に好ましい。当該形態であると、高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）も達成できる。
上記式（３５）において、Ｌ３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の２価の芳香族複素環基を表す。ここで、芳香族炭化水素基としては、特に制限されないが、炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基でありえる。具体的には、ベンゼン（フェニレン基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素由来の２価の基が挙げられる。また、芳香族複素環基としては、特に制限されないが、炭素数１２以上２５以下の芳香族複素環基でありえる。具体的には、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、アントラキノン、フルオレノン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾフェナンスリジン、ベンズイミダゾフェナンスリジン、９－フェニルカルバゾール、キサントン、チオキサントン、アントラキノリンなどの複素環式芳香族化合物由来の２価の基が挙げられる。これらのうち、Ｌ３は、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニルから選択される化合物由来の２価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ｌ３は、ベンゼン（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）、ジベンゾフラン、フルオレンから選択される化合物由来の２価の基である。特に好ましくは、Ｌ３がフェニレン基（特にｐ－フェニレン基）である。このようなＬ１であれば、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ｌ３は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。
ここで、Ｌ３のいずれかの水素原子が置換される場合の置換基の導入数は、特に制限されないが、好ましくは１以上３以下であり、より好ましくは１以上２以下であり、特に好ましくは１である。Ｌ３が置換基を有する場合の置換基の結合位置は、特に制限されない。置換基は、好ましくはＬ３が連結する主鎖の窒素原子に対してなるべく遠位に存在することが好ましい。このような位置に置換基が存在することにより、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。
上記のうち、Ｌ３は、下記群から選択される２価の基であることがより好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（３５）中、ｄは１または２（特に好ましくは１）であり、Ｌ３は、それぞれ独立して、下記群から選択される２価の基である。なお、下記構造において、Ｒ１１１～Ｒ１２５は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは炭素数３以上１６以下の分岐した炭化水素基を表す（特に好ましくは、Ｒ１１１～Ｒ１２５は水素原子である）。
上記式（３５）において、ｄは、０、１または２である。なお、ｄが０である場合には、Ｌ３は単結合を表わす。また、ｄが２である場合には、Ｌ３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよい。より適切なＨＯＭＯレベルの制御の観点から、ｄは、０または１であることが好ましく、１であることがより好ましい。当該形態であると、高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）も達成できる。
上記式（３５）において、Ｌ４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価または３価の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の２価または３価の芳香族複素環基を表す。この際、Ｌ４は、Ａｒ３と環を形成してよい。なお、Ｌ４がＡｒ３と環を形成する場合には、Ｌ４は３価の基である。Ｌ４がＡｒ３と環を形成しない場合には、Ｌ４は２価の基である。
ここで、Ｌ４としての炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、特に制限されない。Ｌ４がＡｒ３と環を形成しない場合には、上記Ｌ３にて規定した炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、上記場合において、Ｌ４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。また、Ｌ４がＡｒ３と環を形成する場合には、上記Ｌ３にて規定した炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基を３価の基に変換して例示できる。同様にして、上記場合において、Ｌ４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基を３価の基に変換して例示できる。これらのうち、Ｌ４は、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニルから選択される化合物由来の２価または３価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ｌ４は、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフランから選択される化合物由来の２価の基（例えば、ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）または３価の基（例えば、１，３，４－フェニリレン基）である。特に好ましくは、Ｌ４がベンゼン由来の２価（フェニレン基）（特にｐ－フェニレン基）または３価の基（特に１，３，４－フェニリレン基）である。このようなＬ４であれば、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ｌ４は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。また、Ｌ４のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、上記と同様の例示が適用できる。好ましくは、Ｌ４は無置換である。
上記式（３５）において、Ａｒ３は、置換もしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の２価の芳香族複素環基を表す。
ここで、Ａｒ３としての炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、Ａｒ３としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。これらのうち、フェニレン基、ビフェニレン基、ジベンゾフラニル基およびフルオレニル基から選択されることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ３は、フェニレン基（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ３はｏ－フェニレン基である。このようなＡｒ３であれば、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、Ａｒ３は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。なお、Ａｒ３のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、上記と同様の例示が適用できる。Ａｒ３は、好ましくは無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたベンゼン、無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたビフェニレン基、および無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたフルオレニル基から選択される化合物由来の２価の基である。より好ましくは、Ａｒ３は、無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基であり、特に好ましくは、Ａｒ３は、無置換のまたは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたｏ－フェニレン基である。なお、Ａｒ３が置換基を有する（すなわち、置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換の２価の芳香族複素環基である）場合の置換基の存在位置は特に制限されないが、Ａｒ３に結合する窒素原子に対して、なるべく離れた位置に存在することが好ましい。例えば、Ａｒ３がｏ－フェニレン基である場合には、置換基は窒素原子に対しパラ位に存在することが好ましい。このような配置により、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、高分子材料と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の高分子材料と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、ホール注入性（ゆえに、耐久性（発光寿命））をさらに向上できる。
また、Ａｒ３は、Ａｒ４またはＬ４と環を形成する。このように、Ａｒ３がＡｒ４またはＬ４と環を形成することにより、より高い三重項エネルギー準位を与えうる。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベルの制御の観点から、Ａｒ３は、Ｌ４と環を形成することが好ましい。Ａｒ３がＬ４と環を形成する際の、Ａｒ３とＬ４とで形成される環構造は特に制限されないが、Ａｒ３とＬ４とで、カルバゾール環を形成することが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（３５）中の－Ｌ４－Ｎ（Ａｒ３）（Ａｒ４）は、下記群から選択される構造を有する。
ただし、Ｒ２１１～Ｒ２１４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖もしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基である。
より好ましくは、Ａｒ３とＬ４とで下記構造のカルバゾール環を形成する。
上記構造において、Ｒ２１１～Ｒ２１４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖もしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基である。好ましくは、Ｒ２１１およびＲ２１３は水素原子であり、Ｒ２１２およびＲ２１４は水素原子または炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基である。
上記式（３５）において、Ａｒ４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基で置換された炭素数６以上２５以下の１価または２価の芳香族炭化水素基または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基で置換された１価または２価の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ４は、Ａｒ３と環を形成してよい。なお、Ａｒ４がＡｒ３と環を形成する場合には、Ａｒ４は２価の基である。Ａｒ４がＡｒ３と環を形成しない場合には、Ａｒ４は１価の基である。
ここで、Ａｒ４としての炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、特に制限されない。Ａｒ４がＡｒ３と環を形成しない場合には、上記Ｌ３にて規定した炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。同様にして、上記場合において、Ａｒ４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。また、Ａｒ４がＡｒ３と環を形成する場合には、上記Ｌ３にて規定した炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、上記場合において、Ａｒ４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。これらのうち、Ａｒ４は、ベンゼン、ビフェニル、ジベンゾフラニル基およびフルオレニル基から選択される化合物由来の価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ４は、ベンゼン由来の価の基（フェニル基またはｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ４は、Ａｒ４がＡｒ３と環を形成しない場合にはフェニル基であり、または、Ａｒ４がＡｒ３と環を形成する場合にはｏ－フェニレン基である。このようなＡｒ４（非置換形態）であれば、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ａｒ４は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。
また、Ａｒ４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基を置換基として有する。このような炭化水素基を高分子材料の末端に配置することにより、正孔輸送層中の本発明に係る高分子材料は発光層中の量子ドットと密接に相互作用できるため、正孔が効率よく量子ドットに注入でき（ホール注入性が高い）、耐久性（発光寿命）を向上できる。ここで、炭素数１以上１２以下の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖もしくは分岐の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびシクロアルキル基などが挙げられる。なお、Ａｒ４がアルケニル基またはアルキニル基である場合には、Ａｒ４の炭素数は２以上１６以下である。同様にして、Ａｒ４がシクロアルキル基である場合には、Ａｒ４の炭素数は３以上６以下である。
炭素数１以上１２以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基などが挙げられる。
炭素数２以上１６以下のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。
炭素数２以上１６以下のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。
炭素数は３以上６以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
これらのうち、Ａｒ４に存在する炭化水素基は、炭素数４以上１０以下の直鎖もしくは炭素数４以上１０以下の分岐のアルキル基であることが好ましい。このようにＡｒ４に存在する炭化水素基の炭素数を大きく（長鎖に）することにより、高分子材料のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、高分子材料と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の高分子材料と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、ホール注入性（ゆえに、耐久性（発光寿命））をさらに向上できる。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ４はベンゼン、ビフェニル、ジベンゾフランおよびフルオレンからなる群より選択される化合物由来の基であり、かつ、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基で置換される。より好ましくは、Ａｒ４に存在する炭化水素基は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明のより好ましい形態では、Ａｒ４は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換された、ベンゼン由来の基（フェニル基、ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ４に存在する炭化水素基は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ４は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基で置換された、フェニル基（Ａｒ４がＡｒ３と環を形成しない場合）またはｏ－フェニレン基（Ａｒ４がＡｒ３と環を形成する場合）である。
なお、Ａｒ４に存在する炭化水素基の位置は特に制限されないが、－Ｌ４－Ｎ（Ａｒ３）（Ａｒ４）の窒素原子からなるべく離れた位置に存在することが好ましい。例えば、Ａｒ３がＬ４と環を形成し、Ａｒ４がフェニル基である場合には、炭化水素基は窒素原子に対しパラ位に存在することが好ましい。このような配置により、高分子材料と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の高分子材料と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、ホール注入性（ゆえに、耐久性（発光寿命））をさらに向上できる。
Ａｒ４は、Ａｒ３と環を形成してもよい。Ａｒ４がＡｒ３と環を形成する際の、Ａｒ４とＡｒ３とで形成される環構造は特に制限されないが、Ａｒ４とＡｒ３とで、カルバゾール環を形成することが好ましい。すなわち、本発明のより好ましい形態では、上記式（３５）中、Ａｒ３がＡｒ４と環を形成し、－Ｎ（Ａｒ３）（Ａｒ４）が下記群から選択される基である。
ただし、Ｒ３１１～Ｒ３２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１６以下の炭化水素基を表し、Ｒ３１１～Ｒ３２３の少なくとも１つは炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数１以上１２以下の分岐した炭化水素基（より好ましくは炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基、さらに好ましくは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基、特に好ましくは炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基）を表す。
より好ましくは、Ａｒ４とＡｒ３とで下記構造のカルバゾール環を形成する。すなわち、本発明のより好ましい形態では、上記式（３５）中の－Ｌ４－Ｎ（Ａｒ３）（Ａｒ４）は、下記構造を有する。
ただし、Ｒ３１１は、水素原子または炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基（より好ましくは水素原子または炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基）を表し、Ｒ３１２は、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基（より好ましくは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基、特に好ましくは炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基）を表す。
したがって、本発明に係る式（３５）の構成単位（構成単位（Ａ））は、下記群から選択されることが好ましい。
ただし、Ｒ４１１～Ｒ４３１は、それぞれ独立して、炭素数１以上１２以下の直鎖もしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基を表し、Ｒ５１１～Ｒ５４３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１６以下の炭化水素基を表す。
本発明の高分子材料における構成単位（Ａ）の組成は、特に制限されない。得られる高分子材料を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の耐久性（発光寿命）や正孔輸送能のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（Ａ）は、高分子材料を構成する全構成単位に対して、好ましくは１０モル％以上１００モル％以下、より好ましくは５０モル％を超え１００モル％以下、特に好ましくは１００モル％である。すなわち、本発明の好ましい形態では、構成単位（Ａ）は、全構成単位に対して、１０モル％以上１００モル％以下の割合で含まれる。本発明のより好ましい形態では、構成単位（Ａ）は、全構成単位に対して、５０モル％を超え１００モル％以下の割合で含まれる。本発明の特に好ましい形態では、高分子材料は、構成単位（Ａ）のみから構成される（即ち、全構成単位に対する構成単位（Ａ）の割合＝１００モル％）。なお、高分子材料が２種以上の構成単位（Ａ）を含む場合には、上記構成単位（Ａ）の含有量は、構成単位（Ａ）の合計量を意味する。
上述したように、本発明の高分子材料は、構成単位（Ａ）のみで構成されてもよい。または、本発明の高分子材料は、構成単位（Ａ）以外の他の構成単位をさらに含んでもよい。他の構成単位を含む場合の他の構成単位は、高分子材料の効果（特に高い三重項エネルギー準位、低い駆動電圧）を阻害しない限り特に制限されない。具体的には、下記群から選択される構成単位などが挙げられる。なお、以下では、下記群で示される構成単位を「構成単位（Ｂ）」とも称する。
本実施形態の高分子材料における構成単位（Ｂ）の組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物による製膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（Ｂ）は、高分子材料を構成する全構成単位に対して、好ましくは１モル％以上１０モル％以下である。なお、高分子材料が２種以上の構成単位（Ｂ）を含む場合には、上記構成単位（Ｂ）の含有量は、構成単位（Ｂ）の合計量を意味する。
高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、１２，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、５０，０００以上５００，０００以下であることがより好ましい。このような重量平均分子量であれば、高分子材料を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。
また、高分子材料の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、１０，０００以上２５０，０００以下であることが好ましく、より好ましくは３０，０００以上１００，０００以下である。このような数平均分子量であれば、高分子材料を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。また、本実施形態の高分子材料の多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、例えば、１．２以上４．０以下、好ましくは１．５以上３．５以下である。
数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、特に制限されず、公知の方法を用いてまたは公知の方法を適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、上記方法により測定される値を採用する。なお、ポリマーの多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、上記方法により測定された数平均分子量（Ｍｎ）で重量平均分子量（Ｍｗ）を除することによって算出される。
本実施形態に係る高分子材料の主鎖の末端は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。
本実施形態に係る高分子材料は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態の高分子材料の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態の高分子材料は、下記式（３５’）で示される１種以上の単量体（３５）を用いた重合反応により、または下記式（３５’）で示される１種以上の単量体（３５）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。
または、下記式（３６’）で示される１種以上の単量体（３６）及び下記式（３７’）で示される１種以上の単量体（３７）を用いた、または下記式（３６’）で示される１種以上の単量体（３６）及び下記式（３７’）で示される１種以上の単量体（３７）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。
本発明において、高分子材料の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。
上記式（３５’）～（３７’）中、Ｒ６～Ｒ９、Ｌ３、Ｌ４、Ａｒ３、Ａｒ４およびｄは、上記式（３５）におけるのと同様の定義である。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記構造の基である。なお、下記構造において、ＲＡ～ＲＤは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。好ましくは、ＲＡ～ＲＤはメチル基である。なお、上記式式（３５’）～（３７’）中のＸ１およびＸ２は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、上記式（３５’）中、Ｘ１およびＸ２は異なる。上記式（３６’）中、Ｘ１’およびＸ２’は同じであることが好ましい。上記式（３７’）中、Ｘ１”およびＸ２”は同じであることが好ましい。
本実施形態に係る高分子組成物における共重合体と高分子材料との混合比は、特に制限されず、共重合体と高分子材料との混合物の所望のＨＯＭＯレベルに応じて適宜選択できる。高分子組成物における共重合体と高分子材料との混合比（高分子組成物における共重合体と高分子材料との混合重量比）は、好ましくは０．１１～４．０：１、より好ましくは０．２５～４．０：１である。
［エレクトロルミネッセンス素子材料］
本実施形態に係る共重合体または高分子組成物は、エレクトロルミネッセンス素子材料として好適に用いられる。本形態によれば、優れた発光効率を有するエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。また、本実施形態に係る共重合体または高分子組成物によれば、優れた耐久性（発光寿命）、高い三重項エネルギー準位（電流効率）および低い駆動電圧を有するエレクトロルミネッセンス素子材料もまた提供される。さらに、本実施形態に係る共重合体または高分子組成物は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示す。ゆえに、湿式（塗布）法により容易に製膜（薄膜化）できる。したがって、本発明は、第３の側面では、本発明の共重合体または本発明の高分子組成物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。または、本発明に係る共重合体または本発明に係る高分子組成物のエレクトロルミネッセンス素子材料としての使用が提供される。
また、本実施形態に係る共重合体は、－５．６ｅＶ以下の深いＨＯＭＯレベルを有する。このため、本実施形態に係る共重合体または高分子組成物は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（特に正孔輸送層）に好適に使用できる。
［エレクトロルミネッセンス素子］
上述したように、本実施形態に係る共重合体または高分子組成物は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。すなわち、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の共重合体もしくは高分子組成物またはエレクトロルミネッセンス素子材料を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。このようなエレクトロルミネッセンス素子は、優れた発光効率（特に低駆動電圧で優れた発光効率）を発揮できる。したがって、第４の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層は、本発明の共重合体または本発明の高分子組成物（特に本発明の高分子組成物）を含む、エレクトロルミネッセンス素子が提供される。本発明の目的（または効果）は、このような本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。上記態様の好ましい形態としては、エレクトロルミネッセンス素子は、上記電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える。なお、本実施形態のエレクトロルミネッセンス素子は、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例である。
さらに、本実施形態は、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の共重合体または高分子組成物を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、上記有機膜のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法を提供する。また、このような方法により、本実施形態は、上記有機膜のうち少なくとも１層が塗布法により形成される、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
本実施形態の共重合体または高分子組成物、および本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料（ＥＬ素子材料）（以下、一括して、「共重合体／ＥＬ素子材料」とも称する）は、有機溶媒に対する溶解性に優れる。このため、本実施形態に係る共重合体／ＥＬ素子材料は、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に特に好適に用いられる。このため、本実施形態は、本実施形態の共重合体または高分子組成物と、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物を提供する。このような液状組成物は、本発明に係る液状組成物の一例である。
また、上記のように実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料が、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に好適に用いられる。上記観点から、本実施形態は、本実施形態の共重合体または高分子組成物を含有する薄膜を提供する。このような薄膜は、本発明に係る薄膜の一例である。
また、本実施形態に係るＥＬ素子材料は、ホール注入性およびホール移動性に優れる。このため、正孔注入材料、正孔輸送材料または発光材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても好適に利用され得る。このうち、正孔の輸送性の観点から、正孔注入材料または正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。
すなわち、本実施形態は、共重合体または高分子組成物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物を提供する。ここで、組成物に含まれる発光材料は、特に制限されないが、有機金属錯体（発光性有機金属錯体化合物）または半導体ナノ粒子（半導体無機ナノ粒子）を含有し得る。
［エレクトロルミネッセンス素子］
以下では、図１を参照して、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子について、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。なお、本明細書において、「エレクトロルミネッセンス素子」は「ＥＬ素子」と省略する場合がある。
図１に示すように、本実施形態に係るＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。
ここで、本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機膜（有機層）中に含まれる。具体的には、共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔注入材料として正孔注入層１３０または正孔輸送材料として正孔輸送層１４０または発光材料（ホスト）として発光層１５０に含まれることが好ましい。共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔注入材料として正孔注入層１３０にまたは正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜が、正孔輸送層、正孔注入層または発光層である。本発明のより好ましい形態では、共重合体また高分子組成物を含む有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である。本発明の特に好ましい形態では、共重合体また高分子組成物を含む有機膜が、正孔輸送層である。
また、本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。具体的には、有機膜は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅ ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ ｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法を用いて製膜される。
なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、共重合体／ＥＬ素子材料を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができ、使用する共重合体または高分子組成物（共重合体及び高分子材料）の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、シクロヘキサン等が例示できる。また、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、共重合体または高分子組成物の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。
なお、共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層の製膜方法については、特に限定されない。本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層は、例えば、真空蒸着法にて製膜されてもよく、溶液塗布法にて製膜されてもよい。
基板１１０は、一般的なＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。
基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。また、基板１１０上に第１電極１２０を形成した後、必要であれば、洗浄、ＵＶ－オゾン処理を行ってもよい。
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層であり、具体的には、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さ（乾燥膜厚；以下同様）にて形成されてもよい。
正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（poly(ether ketone)-containg triphenylamine：ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（4-isopropyl-4’-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリル－アミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamine：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（copper phthalocyanine）、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）、４，４’，４”－トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(diphenylamino)triphenylamine：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－２－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N,N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine：２－ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、およびポリアニリン／１０－カンファースルホン酸（polyaniline/10-camphorsulfonic acid）等を挙げることができる。
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。正孔輸送層１４０は、本実施形態の共重合体または高分子組成物を用いて溶液塗布法によって製膜されることが好ましい。この方法によれば、ＥＬ素子１００の性能（発光効率）を向上させることが可能である。また、ＥＬ素子１００の耐久性（発光寿命）を延長することも可能である。また、ＥＬ素子１００の電流効率を向上させ、駆動電圧を低減させることも可能である。また、溶液塗布法にて正孔輸送層を形成できるため、効率的に大面積にて製膜することができる。
ただし、ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機膜が本実施形態の共重合体または高分子組成物を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane：ＴＡＰＣ）、Ｎ－フェニルカルバゾール（N-phenylcarbazole）およびポリビニルカルバゾール（polyvinylcarbazole）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine：ＴＰＤ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）等を挙げることができる。
正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット印刷法などを用いて形成される。発光層１５０は、例えば、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。発光層１５０の発光材料としては、公知の発光材料を用いることができる。ただし、発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、ＥＬ素子１００の駆動寿命をさらに向上させることができる。
発光層１５０は、特に制限されず、公知の構成とすることができる。好ましくは、発光層は、半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む。すなわち、本発明の好ましい形態では、有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する。なお、発光層が半導体ナノ粒子を含む場合には、ＥＬ素子は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）、量子ドット発光素子または量子点発光素子である。また、発光層が有機金属錯体を含む場合には、ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）である。
発光層が半導体ナノ粒子を含む形態（ＱＬＥＤ）において、発光層は、多数の半導体ナノ粒子（量子ドット）が単一層または複数層に配列されたものである。ここで、半導体ナノ粒子（量子ドット）は、量子拘束効果を持つ所定サイズの粒子である。半導体ナノ粒子（量子ドット）の直径は、特に制限されないが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度である。
発光層に配列される半導体ナノ粒子（量子ドット）は、ウェット化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程または他の類似した工程等により合成することができる。中でも、ウェット化学工程は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。
ウェット化学工程では、結晶が成長する際に、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割を果たすことで、結晶の成長が調節される。そのため、ウェット化学工程では、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ、Metal Organic Chemical Vapor Deposition）や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ、Molecular Beam Epitaxy）などの気相蒸着法に比べて、容易かつ低コストで、半導体ナノ粒子の成長を制御することができる。
半導体ナノ粒子（量子ドット）は、そのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節できるようになり、発光層（量子ドット発光層）で多様な波長帯の光を得ることができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することで、複数波長の光を出射（または発光）するディスプレイを可能にする。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成できるように、赤色、緑色、青色光が出射されるように選択できる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせられる。
半導体ナノ粒子（量子ドット）としては、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素または化合物；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体物質等を用いることができる。
ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。
ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。
ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択されることができる。
ＩＶ族元素または化合物は、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される一元素化合物；及びＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物からなる群から選択される。
半導体ナノ粒子（量子ドット）は、均質な単一構造またはコア・シェルの二重構造を持つことができる。コア・シェルは相異なる物質を含むことができる。それぞれのコアとシェルとを構成する物質は、相異なる半導体化合物からなり得る。ただし、シェル物質のエネルギーバンドギャップは、コア物質のエネルギーバンドギャップより大きい。具体的には、ＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳなどの構造が好ましい。
例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を持つ量子ドットを作製する場合を説明する。まず、界面活性剤として、ＴＯＰＯ（trioctylphosphine oxide）を使用した有機溶媒に、（ＣＨ３）２Ｃｄ（dimethylcadmium）、ＴＯＰＳｅ（trioctylphosphine selenide）などのコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、既に生成されたコアの表面にシェルを形成させる。これによって、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。
また、発光層が有機金属錯体を含む形態（ＯＬＥＤ）において、発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、６，９－ジフェニル－９’－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、３，９－ジフェニル－５－（３－（４－フェニル－６－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）－１，３，５，－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、９，９’－ジフェニル－３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ３）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（poly(n-vinyl carbazole)：ＰＶＫ）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（9,10-di(naphthalene)anthracene：ＡＤＮ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン（3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（distyrylarylene：ＤＳＡ）、４，４’－ビス（９－カルバゾール）－２，２’－ジメチル－ビフェニル（4,4’-bis(9-carbazole)2,2’-dimethyl-bipheny：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。
また、発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（perylene）およびその誘導体、ルブレン（rubrene）およびその誘導体、クマリン（coumarin）およびその誘導体、４－ジシアノメチレン－２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン（4-dicyanomethylene-2-(pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran：ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス［２－（４，６－ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinate]picolinate iridium(III)：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（tris(2-phenylpyridine)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２－（３－ｐ－キシイル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。
発光層を形成する方法は、特に制限されない。半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む塗布液を塗布すること（溶液塗布法）によって形成できる。この際、塗布液を構成する溶媒としては、正孔輸送層中の材料（正孔輸送材料、特に共重合体または高分子組成物）を溶解しない溶媒を選択することが好ましい。
発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。
電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene）のようなピリジン（pyridine）環を含む化合物、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（2,4,6-tris(3’-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine）のようなトリアジン（triazine）環を含む化合物、２－（４－（Ｎ－フェニルベンゾイニダゾリル－１－イル－フェニル）－９，１０－ジナフチルアントラセン（2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール（imidazole）環を含む化合物等を挙げることができる。上記電子輸送材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。
電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層である。電子注入層１７０は、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層１７０は、約０．１ｎｍ以上約５ｎｍ以下、より具体的には約０．３ｎｍ以上約２ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（(8-quinolinato)lithium：Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（lithium）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。
電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、真空蒸着法などを用いて形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。第２電極１８０は、約１０ｎｍ以上約２００ｎｍ以下、より具体的には約５０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。または、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。
以上、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例として、本実施形態に係るＥＬ素子１００について説明した。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、共重合体または高分子組成物を含む有機膜（特に正孔輸送層または正孔注入層）を設置することにより、発光効率（電流効率）をより向上させることができる。また、（特に本発明に係る高分子組成物を使用した場合には）耐久性（発光寿命）をより向上させ、駆動電圧を低減させることができる。
なお、本実施形態に係るＥＬ素子１００の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
例えば、ＥＬ素子１００は、励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（oxadiazole）誘導体、トリアゾール（triazole）誘導体、または、フェナントロリン（phenanthroline）誘導体等によって形成することができる。
さらに、本実施形態に係る共重合体または高分子組成物は、上記ＱＬＥＤまたはＯＬＥＤ以外のエレクトロルミネッセンス素子に適用することができる。本実施形態に係る共重合体または高分子組成物を適用することが可能な他のエレクトロルミネッセンス素子としては、特に限定されないが、例えば、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。
本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。
合成例１
（中間体１－１の合成）
中間体１－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に２－ブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（東京化成工業株式会社製）（５．０ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（３．１ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４２ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、脱水キシレン１００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．１７３ｇ、０．１８９ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１５５ｇ、０．３７８ｍｍｏｌ）を加えて４時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣に対して２－プロパノールを装入して洗浄（２回）を行い、７．１ｇの固体（中間体１－１）を得た（収率９９％)。
（中間体１－２の合成）
中間体１－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体１－１（１１．０ｇ、２０．５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２００ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２００ｍＬ）を入れ、室温で撹拌した。ＤＭＦ（２００ｍＬ）に溶解したＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（３．７ｇ、２０．５ｍｍｏｌ）を滴下し、１４分間撹拌した。トルエン（１００ｍＬ）を加え、水（２００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、１０．６ｇの固体（中間体１－２）を得た（収率８０％）。
（中間体１－３の合成）
中間体１－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体１－２（７．４ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．０ｇ、３４．７ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ））（０．２５ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（７０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体１－３（７．８ｇ）を得た（収率：９８％）。
（化合物１の合成）
化合物１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体１－３（７．８ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（７．０ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２．０ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン１６０ｍＬ、水８０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．６５ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）を加えて７時間加熱還流撹拌した。反応終了後、試料（反応物）を分液ロートに移し、トルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３．１ｇの白色固体（化合物１）を得た（収率３４％）。
合成例２
（中間体２－１の合成）
中間体２－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に２－ブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（東京化成工業株式会社製）（１０．０ｇ、２５．３ｍｍｏｌ）、Ｎ－フェニル－４－ジメチルフルオレンアミン（８．７ｇ、３０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４２ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、脱水キシレン１５０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、酢酸パラジウム（ＰｄＯＡｃ）（０．０８５ｇ、０．３８ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１５５ｇ、０．７６ｍｍｏｌ）を加えて５時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体２－１（１３．５ｇ）を得た（収率８９％）。
（中間体２－２の合成）
中間体２－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体２－１（１２．０ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２００ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１００ｍＬ）を入れ、室温で撹拌した。ＤＭＦ（２００ｍＬ）に溶解したＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（３．６ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）を滴下し、１４間撹拌した。トルエン（２００ｍＬ）を加え、水（１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、８．９ｇの固体（中間体２－２）を得た（収率６６％）。
（中間体２－３の合成）
中間体２－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体２－２（８．９ｇ、１３．１ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（１０．０ｇ、３９．３ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．８ｇ、３９．３ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ））（０．２８ｇ、０．３９ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（８０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で５時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体２－３（８．０ｇ）を得た（収率：８４％）。
（化合物２の合成）
化合物２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体２－３（２．０ｇ、２．８ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（１．７ｇ、４．６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（０．５ｇ、４．６ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン４０ｍＬ、水２０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．１６ｇ、０．１４ｍｍｏｌ）を加えて１０時間加熱還流撹拌した。反応終了後、試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、固体（化合物２）（１．３ｇ）を得た（収率６３％）。
合成例３
（中間体３－１の合成）
中間体３－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に２－アミノ－９，９－ジメチルフルオレン（３．９ｇ、１８．６ｍｍｏｌ）、４－（４－ブロモフェニル）ジベンゾフラン（東京化成工業株式会社製）（５．０ｇ、１５．５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（１．４９ｇ、１５．５ｍｍｏｌ）、脱水トルエン１５０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．１４２ｇ、０．１５５ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（０．１７１ｇ、０．３０９ｍｍｏｌ）を加えて５時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、６．７ｇの固体（中間体３－１）を得た（収率：９５％）。
（中間体３－２の合成）
中間体３－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体３－１（５．５ｇ、９．７３ｍｍｏｌ）、ブロモヨードベンゼン（３．０ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（１．０３ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）、脱水トルエン１００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．４４５ｇ、０．４８６ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．０８ｇ、１．９５ｍｍｏｌ）を加えて７時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、６．１１ｇの固体（中間体３－２）を得た（収率：８２％）。
（中間体３－３の合成）
中間体３－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体３－２（５．５ｇ、９．１ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（５．８ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．７ｇ、２７．２ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ））（０．２０ｇ、０．２７ｍｍｏｌ）、ジオキサン（７０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で５時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体３－３（５．８ｇ）を得た（収率：９９％）。
（化合物３の合成）
化合物３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体３－３（６．１ｇ、９．４ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（５．７ｇ、１５．９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．７ｇ、１５．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン８０ｍＬ、水４０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．５４ｇ、０．４７ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流撹拌した。反応終了後、室温に冷却し、試料を分液ロートに移し、トルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２．１ｇの白色固体（化合物３）を得た（収率：３０％）。
合成例４
（中間体４－１の合成）
中間体４－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（２４．６ｇ、７４．２ｍｍｏｌ）、４－（４－ブロモフェニル）ジベンゾフラン（東京化成工業株式会社製）（２０．０ｇ、６１．９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（５．９ｇ、６１．９ｍｍｏｌ）、脱水トルエン４００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．５６６ｇ、０．６１９ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（０．６９ｇ、１．２４ｍｍｏｌ）を加えて４時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、８０℃でセライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣に対してメタノール１００ｍLを装入して分散洗浄を行い、さらに２－プロパノール１００ｍLを装入して分散洗浄を行い、３３．９ｇの固体（中間体４－１）を得た（収率：９９％)。
（中間体４－２の合成）
中間体４－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体４－１（１０．０ｇ、１７．４ｍｍｏｌ）、ブロモヨードベンゼン（５．４ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（１．８ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（0.７９８ｇ、0.８７２ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．９３ｇ、３．４８ｍｍｏｌ）を加えて７時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、６．８ｇの固体（中間体４－２）を得た（収率：５４％)。
（中間体４－３の合成）
中間体４－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体４－２（１０．３ｇ、１４．１ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．９ｇ、３５．３ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４．１ｇ、４２．３ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ））（０．３１ｇ、０．４２ｍｍｏｌ）、ジオキサン（１２０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で５時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体４－３（７．２ｇ）を得た。（収率：６６％）
（化合物４の合成）
化合物４を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体４－３（５．０ｇ、６．４ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（３．５ｇ、９．７ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．０ｇ、９．７ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．３７ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を加えて１０時間加熱還流撹拌した。反応終了後、室温に冷却し、試料を分液ロートに移し、トルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３．９ｇの白色固体（化合物４）を得た（収率：６８％）。
合成例５
（中間体５－１の合成）
中間体５－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に４－ブロモジフェニルアミン（１０．０ｇ、３０．６ｍｍｏｌ）、ジベンゾフラン－４－ボロン酸（１４．２ｇ、６７．２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（６．５ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、トルエン１００ｍＬ、水５０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．７０ｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加えて３時間加熱還流撹拌した。反応終了後、室温に冷却し、析出した固体を濾過した。濾物をＭｅＯＨ１００ｍＬで分散洗浄を行い、１２．８ｇの固体（中間体５－１）を得た（収率：８３％）。
（中間体５－２の合成）
中間体５－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体５－１（１６．０ｇ、３１．９ｍｍｏｌ）、ヨードクロロベンゼン（１１．４ｇ、４７．８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（３．４ｇ、３５．１ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２５０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（１．４６ｇ、１．５９ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．７７ｇ、３．１９ｍｍｏｌ）を加えて９時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１３．１ｇの固体（中間体５－２）を得た（収率：６７％)。
（中間体５－３の合成）
中間体５－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体５－２（１０．０ｇ、１６．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．３ｇ、３２．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４．８ｇ、４９．０ｍｍｏｌ）、ジオキサン（１００ｍｌ）を加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．４５ｇ、０．４９ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl)（Ｘｐｈｏｓ）（０．９３ｇ、１．９６ｍｍｏｌ）を加えて４時間加熱還流撹拌した。
反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体５－３（１０．３ｇ）を得た（収率：８９％）。
（化合物５の合成）
化合物５を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体５－３（６．０ｇ、８．５ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（４．６ｇ、１２．８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．３ｇ、１２．８ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．４９ｇ、０．４３ｍｍｏｌ）を加えて１１時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２．１ｇの白色固体（化合物５）を得た（収率：３０％）。
合成例６
（中間体６－１の合成）
中間体６－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（１４．４ｇ、４３．６ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－４’－プロピルビフェニル（１０．０ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（３．５ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．３３２ｇ、０．３６３ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（０．４０ｇ、０．７２７ｍｍｏｌ）を加えて５時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体６－１（１６．５ｇ）を得た（収率：８６％）。
（中間体６－２の合成）
中間体６－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体６－１（１２．０ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）、ヨードクロロベンゼン（１０．９ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４ｇ、２５．１ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（１．０５ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．２７ｇ、２．２８ｍｍｏｌ）を加えて９時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１１．３ｇの固体（中間体６－２）を得た（収率：７８％)。
（中間体６－３の合成）
中間体６－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体６－２（１１．０ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（５．１ｇ、５１．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン（８０ｍｌ）を加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．４７ｇ、０．５２ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl)（Ｘｐｈｏｓ）（０．９９ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流撹拌した。
反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体６－３（４．６ｇ）を得た（収率：３７％）。
（化合物６の合成）
化合物６を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体６－３（４．６ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（３．４ｇ、９．５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．０ｇ、９．５ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．３６ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を加えて１３時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．２ｇの白色固体（化合物６）を得た（収率：７５％）。
合成例７
（中間体７－１の合成）
中間体７－１を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に２－アミノビフェニル（７．４ｇ、４３．６ｍｍｏｌ）、２－ブロモ－９，９’スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（１４．３ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（３．５ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、脱水トルエン１５０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．３３２ｇ、０．３６３ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（０．４０ｇ、０．７２７ｍｍｏｌ）を加えて５時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体７－１（１５．８ｇ）を得た（収率：９０％）。
（中間体７－２の合成）
中間体７－２を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体７－１（１１．０ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）、ヨードクロロベンゼン（９．７ｇ、４０．６ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４ｇ、２５．１ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（１．０５ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．２７ｇ、２．２８ｍｍｏｌ）を加えて９時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１０．３ｇの固体（中間体７－２）を得た（収率：７６％)。
（中間体７－３の合成）
中間体７－３を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体７－２（１０．３ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（５．１ｇ、５１．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン（８０ｍｌ）を加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（０．４７ｇ、０．５２ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl)（Ｘｐｈｏｓ）（０．９９ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流撹拌した。
反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体７－３（９．７ｇ）を得た（収率：８２％）。
（化合物７の合成）
化合物７を下記反応に従って合成した。
アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体７－３（６．０ｇ、８．８ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（４．７ｇ、１３．１ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．４ｇ、１３．１ｍｍｏｌ）、ジオキサン７０ｍＬ、水３５ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ３］４）（０．５１ｇ、０．４４ｍｍｏｌ）を加えて１３時間加熱還流撹拌した。
反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．９ｇの白色固体（化合物７）を得た（収率：７１％）。
合成例８
（化合物８の合成）
化合物８を下記反応に従って合成した。
１Ｌ－四つ口フラスコに、９－（４－ヘキシルフェニル）－３－ヨード－９－カルバゾール（２０．０ｇ）、４－（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸（１５．３ｇ）、炭酸ナトリウム（９．５１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）（２．４９ｇ）、トルエン（２２１ｍＬ）、エタノール（１１０ｍＬ）、水（１１０ｍＬ）を加え、１２０℃（バス温）で３時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を分離し、有機層を水（１００Ｌ×２）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アニリン（１７．７ｇ）を得た。
５００ｍＬ－四つ口フラスコに、上記で得られた４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アニリン（１７．７ｇ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（３１０ｍＬ）を加え氷冷し、窒素雰囲気下でＤＭＦ（３０ｍＬ）に溶解したＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（１１．７ｇ）を滴下し、６時間攪拌した。不溶物を濾別し、メタノール（８００ｍＬ）、水（８００ｍＬ）で洗浄し、真空乾燥し、４－ブロモ－Ｎ－（４－ブロモフェニル）－Ｎ－（４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）フェニル）アニリン（１４．０ｇ）を得た。
５００ｍＬ－四つ口フラスコに、上記で得られた４－ブロモ－Ｎ－（４－ブロモフェニル）－Ｎ－（４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）フェニル）アニリン（１４．０ｇ）、ビスピナコレートジボロン（１４．８ｇ）、酢酸カリウム（ＫＯＡｃ）（１１．４ｇ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロライドジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）ＣＨ２Ｃｌ２）（０．４７７ｇ）、１，４－ジオキサン（１６０ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気下で１００℃で４時間還流した。反応液を室温まで冷却し、セライトを濾過助剤に用い固体を濾別し、ろ液をシリカゲルに通した。溶媒を減圧留去し、トルエン（２００ｍＬ）に溶解し、活性炭（１４．２ｇ）を加えて３０分間還流した。活性炭を濾別し、溶媒を減圧留去し、トルエンとアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶し、化合物８（１１．９ｇ）を得た。
実施例１
（高分子化合物Ａ－１の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例１で合成した化合物１（１．３１７ｇ）、２，２’－（２，５－ジヘキシル－１，４－フェニレン）ビス［４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン］(2,2′-(2,5-Dihexyl-1,4-phenylene)bis[4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane])（０．８２３ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、およびトリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（２０．３ｍｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２３．３ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１３．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－１を得た（１．６５ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１６０，０００および１．７５であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例２
（高分子化合物Ａ－２の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例１で合成した化合物１（１．５９７ｇ）、２，７－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレン（2,7-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9,9-di-n-octylfluorene)（１．２８６ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（２０．３ｍｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２３．３ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１３．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－２を得た（２．１１ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、２００，０００および２．５２であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例３
（高分子化合物Ａ－３の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例１で合成した化合物１（０．３２４９ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン（1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（０．２６００ｇ）、酢酸パラジウム（１．１ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（１０．２ｍｇ）、トルエン（２０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．９０ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２３．３ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１３．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３．８１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（２０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－３を得た（０．３０ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１５，８００および１．５６であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例４
（高分子化合物Ａ－４の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例２で合成した化合物２（１．３２３ｇ）、２，２’－（２，５－ジヘキシル－１，４－フェニレン）ビス［４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン］(2,2′-(2,5-Dihexyl-1,4-phenylene)bis[4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane])（０．７４９ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（２０．３ｍｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２００ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１３．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－４を得た（０．９１ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１３，０００および１．８０であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例５
（高分子化合物Ａ－５の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例２で合成した化合物２（１．３５９ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン(1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（１．６２５ｇ）、酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（３４．５ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．４０ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２００ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（６８．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．４０ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（６０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－５を得た（０．５７ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、９，４００および１．５５であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例６
（高分子化合物Ａ－６の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例３で合成した化合物３（１．３３８ｇ）、
２，２’－（２，５－ジヘキシル－１，４－フェニレン）ビス［４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン］(2,2′-(2,5-Dihexyl-1,4-phenylene)bis[4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane]）（０．８７５ｇ）、酢酸パラジウム（２．１５ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（２０．３ｍｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２００ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１３．４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－６を得た（０．９４ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１３３，９００および２．６０であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例７
（高分子化合物Ａ－７の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例４で合成した化合物４（１．８２１ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン(1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（１．７４６ｇ）、酢酸パラジウム（９．３ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（８７．２ｍｇ）、トルエン（７０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．６２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（５００ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８６．８ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．６２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（８０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－７を得た（０．８９ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、５，９７０および１．３０であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－７は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例８
（高分子化合物Ａ－８の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例５で合成した化合物５（１．８０７ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン(1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（１．６６５ｇ）、酢酸パラジウム（１０．０ｍｇ）、及び、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（５４．８ｍｇ）、トルエン（７０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４８ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２７０ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９４ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．４８ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（７０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－８を得た（１．２８ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、６，５２０および１．６０であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－８は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例９
（高分子化合物Ａ－９の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例７で合成した化合物７（１．８０３ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン(1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（１．６９９ｇ）、酢酸パラジウム（１０．２ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４８．０ｍｇ）、トルエン（７０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．７１ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２７５ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９６ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．７１ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（７０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－９を得た（１．２５ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、８，３００および１．４３であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－９は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例１０
（高分子化合物Ａ－１０の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例６で合成した化合物６（１．８１２ｇ）、１，３－ビス（４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）－５－ドデシルベンゼン(1,3-Bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-5-dodecylbenzene)（１．２９７ｇ）、酢酸パラジウム（９．７ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４５．８ｍｇ）、トルエン（６２ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１８ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２６２ｍｇ）、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９１ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１８ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．４３ｇ）、及び、イオン交換水（６２ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した個体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ａ－１０を得た（１．３１ｇ）。得られた高分子化合物Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ａ－９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、７，９００および１．３８であった。
このようにして得られた高分子化合物Ａ－１０は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ｘおよび構成単位Ｙが交互に重合した高分子化合物であると推定される。
実施例１１
（高分子化合物Ｂ－１の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例８で合成した化合物８（１．７２ｇ）、２，７－ジブロモ－９，９－ジオクチルフルオレン（１．１５ｇ）、酢酸パラジウム（９．４ｍｇ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４４．２ｍｇ）、トルエン（５７ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．７ｇ）を四つ口フラスコに加え、８５℃で６時間撹拌した。次に、フェニルボロン酸（１２１ｍｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（１４６ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．７ｇ）を加え、３時間撹拌した。その後、イオン交換水（５０ｍＬ）に溶解したＮ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１４．１ｇ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をシリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をトルエンに溶解させた。次に、この溶液をメタノールに滴下し析出させ、析出した固体をろ別、乾燥して、高分子化合物Ｂ－１を得た（１．１４ｇ）。得られた高分子化合物Ｂ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｂ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１３９，０００および３．３９であった。
このようにして得られた高分子化合物Ｂ－１は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。
上記実施例１～１０の高分子化合物Ａ－１～Ａ－１０および実施例１１の高分子化合物Ｂ－１について、下記方法により、ＨＯＭＯレベル（ｅＶ）を測定した。結果を下記表１に示す。
（ＨＯＭＯレベルの測定）
各高分子化合物を、濃度が１質量％となるようにキシレンに溶解させ、塗布液を調製する。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数２０００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、１５０℃、３０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製する。大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ－３）を用いて、サンプルのＨＯＭＯレベルを測定する。このとき、測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、ＨＯＭＯレベル（ｅＶ）とする。なお、ＨＯＭＯレベルは、通常、負の数値である。
実施例１２
（電界発光素子１の作製）
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。
次に、実施例１で合成した高分子化合物Ａ－１（正孔輸送材料）をトルエン（溶媒）に１質量％濃度で溶解して正孔輸送層形成用塗布液（１）を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液（１）を厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布した後、２３０℃で１時間加熱して、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層を正孔注入層上に形成した。
シクロヘキサン中に、下記構造：
を有するＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、１．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層（特に高分子化合物Ａ－１）はシクロヘキサンには溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が４６２ｎｍ、半値幅が３０ｎｍであった。
この量子ドット発光層を完全に乾燥させた。この量子ドット発光層上に、真空蒸着装置を用いて、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）及び電子輸送材料としての１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を共蒸着させた。その結果、厚さが３６ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。
真空蒸着装置を用いて、この電子輸送層上に、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）を蒸着させた。その結果、厚さ０．５ｎｍの電子注入層が電子輸送層上に形成された。
上記で形成した電子注入層上に、アルミニウム（以下、Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着させて、厚さが１００ｎｍの第２電極（陰極）を電子注入層上に形成した。これにより、電界発光素子１（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１）を得た。
実施例１３
（電界発光素子２の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例２の高分子化合物Ａ－２を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子２（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２）を作製した。
実施例１４
（電界発光素子３の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例３の高分子化合物Ａ－３を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子３（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３）を作製した。
実施例１５
（電界発光素子４の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例４の高分子化合物Ａ－４を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子４（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４）を作製した。
実施例１６
（電界発光素子５の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例５の高分子化合物Ａ－５を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子５（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５）を作製した。
実施例１７
（電界発光素子６の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例６の高分子化合物Ａ－６を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子６（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子６）を作製した。
実施例１８
（電界発光素子７の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例７の高分子化合物Ａ－７を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子７（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子７）を作製した。
実施例１９
（電界発光素子８の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例８の高分子化合物Ａ－８を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子８（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子８）を作製した。
実施例２０
（電界発光素子９の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、実施例９の高分子化合物Ａ－９を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、電界発光素子９（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子９）を作製した。
比較例１
（比較電界発光素子１の作製）
実施例１２において、高分子化合物Ａ－１の代わりに、下記構成単位を有するポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）を使用する以外は、実施例１２と同様の操作を行い、比較電界発光素子１（比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１）を作製した。なお、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、３５９，０００および３．４であった。
［電界発光素子の評価１］
上記実施例１２～１９にて作製した電界発光素子１～８および比較例１にて作製した比較電界発光素子１について、下記方法により、発光効率を評価した。結果を下記表２に示す。
（発光効率）
各電界発光素子に対して、電圧を印加すると、一定の電圧で電流が流れ始め、電界発光素子が発光する。直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ(source meter)）を用いて、各素子に対して、徐々に電圧を増加させ、その時の電流値を計測し、発光時の輝度を輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）を用いて測定する。ここで、輝度が減衰を始めた時点で測定を終了する。各素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度（ｃｄ／ｍ２）を電流密度（Ａ／ｍ２）にて除算することで、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出する。
また、輝度測定装置で測定した分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定して、Ｃｄ／Ａ ｍａｘ時の外部量子効率（ＥＱＥ）（％）を算出し、発光効率を評価する。
上記表２の結果から、実施例の電界発光素子１～８は、比較電界発光素子１に比して、有意に高い発光効率（ＥＱＥ）を発揮できることが分かる。なお、本例では、青色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子について評価したが、赤色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子等においても、上記と同様の結果が得られると考察される。
実施例２１
（電界発光素子１０の作製）
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。
次に、実施例３で合成した高分子化合物Ａ－３および実施例１１で合成した高分子化合物Ｂ－１（正孔輸送材料）をトルエン（溶媒）にそれぞれ０．５質量％の濃度で溶解して正孔輸送層形成用塗布液（５）を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液（５）を厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布した後、２３０℃で１時間加熱して、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層を正孔注入層上に形成した。
シクロヘキサン中に、下記構造：
を有するＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、１．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層（特に高分子化合物Ａ－３およびＢ－１）はシクロヘキサンには溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が４６２ｎｍ、半値幅が３０ｎｍであった。
この量子ドット発光層を完全に乾燥させた。この量子ドット発光層上に、真空蒸着装置を用いて、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）及び電子輸送材料としての１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を共蒸着させた。その結果、厚さが３６ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。
真空蒸着装置を用いて、この電子輸送層上に、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）を蒸着させた。その結果、厚さ０．５ｎｍの電子注入層が電子輸送層上に形成された。
上記で形成した電子注入層上に、アルミニウム（以下、Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着させて、厚さが１００ｎｍの第２電極（陰極）を電子注入層上に形成した。これにより、電界発光素子５（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５）を得た。
上記実施例２１にて作製した電界発光素子１０を、上記［電界発光素子の評価１］（発光効率）に記載の方法に従って、発光効率を評価した。結果を下記表３に示す。
［電界発光素子の評価２］
上記実施例２１にて作製した電界発光素子１０および上記比較例１にて作製した比較電界発光素子１について、下記方法により、発光寿命を評価した。結果を下記表３に示す。
（発光寿命）
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（source meter））を用いて、各電界発光素子に対して所定の電圧を加え、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を発光させる。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光を輝度測定装置（株式会社Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が２８０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ２）になったところで電流を一定にし、放置する。輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の５０％になるまでの時間を「ＬＴ５０（ｈｒ）」とする。
上記表３の結果から、高分子化合物Ａ－３に加えて特定のＨＯＭＯレベルを有する高分子化合物Ｂ－１を組み合わせた実施例２１の電界発光素子１０は、比較例１の比較電界発光素子１に比して、有意に高い発光効率（ＥＱＥ）および耐久性（有意に長い発光寿命）を発揮できることが分かる。なお、本例では、青色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子について評価したが、赤色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子等においても、上記と同様の結果が得られると考察される。
以上、本発明について実施形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は特定の実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
１００…エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、
１１０…基板、
１２０…第１電極、
１３０…正孔注入層、
１４０…正孔輸送層、
１５０…発光層、
１６０…電子輸送層、
１７０…電子注入層、
１８０…第２電極。

Claims (11)

  1. 下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体：

    上記式（１）中、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、この際、Ａｒ １ およびＡｒ ２ の少なくとも一方が、下記式（２）で表される基であり、

    上記式（２）中、
    Ｌ ２ は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
    Ｒ ２ およびＲ ３ は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
    Ｘは、＝ＣＲ ４ Ｒ ５ 、Ｏ及びＳから選択される基を表し、この際、Ｒ ４ およびＲ ５ は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基であり、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、
    ｂは、０、１、２または３の整数であり、
    ｃは、０、１、２、３または４の整数である；
    Ｌ１は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し；
    Ｒ１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１が複数存在する場合、各々のＲ１は互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく；
    ａは、０、１、２または３であり；
    Ｙは、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
  2. 前記式（２）で表される基が、下記式（３）～式（１８）から選択される基である、請求項１に記載の共重合体：

    上記式（３）～式（１８）中、
    Ｌ２は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し；
    Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し；
    Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基であり、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく；
    ｂは、０、１、２または３の整数であり；
    ｃは、０、１、２、３または４の整数である。
  3. 前記式（１）において、Ａｒ１が下記式（３）～（６）および下記式（１１）～（１４）から選択される基であり、Ａｒ２が下記式（７）～（１４）、および炭素数１以上８以下の直鎖もしくは炭素数３以上８以下の分岐のアルキル基で置換されたまたは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基から選択される基である、請求項１または２に記載の共重合体：

    上記式（３）～（１４）中、
    Ｌ２は、単結合またはフェニレン基を表し、
    Ｒ２およびＲ３は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、水素原子、または炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、
    ｂは、０、１、２または３の整数であり、
    ｃは、０、１、２、３または４の整数である。
  4. 前記式（１）において、Ｙが、下記式（１９）～式（３４）から選択される基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の共重合体：

    上記式（１９）～式（３４）中、
    Ｒ４は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の環形成炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、炭素数１以上６０以下のアルキル基、または水素原子を表し、
    Ｑは、それぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓｅ－、－ＣＲ１７Ｒ１８－、－ＳｉＲ１７Ｒ１８－を表し、この際、Ｒ１７およびＲ１８は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基または置換若しくは非置換のヘテロアリール基を表し、
    Ｚは、それぞれ独立して、－ＣＲ１９＝、－Ｎ＝、－ＳｉＲ１９＝を表し、この際、Ｒ１９は、水素原子、重水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基、置換若しくは非置換のアリール基または置換若しくは非置換のヘテロアリール基を表し、
    ＊は、主鎖を形成する結合部位である。
  5. 請求項１～４のいずれか１項に記載の共重合体、およびＨＯＭＯレベルが－５．６ｅＶを超えて－５．３ｅＶ以下の高分子材料を含む、高分子組成物。
  6. 下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体、およびＨＯＭＯレベルが－５．６ｅＶを超えて－５．３ｅＶ以下の高分子材料を含む、高分子組成物：

    上記式（１）中、
    Ａｒ １ およびＡｒ ２ は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ １ およびＡｒ ２ が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく；
    Ｌ １ は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し；
    Ｒ １ は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、Ｒ １ が複数存在する場合、各々のＲ １ は互いに同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して各々が結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく；
    ａは、０、１、２または３であり；
    Ｙは、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
  7. 前記高分子材料が、下記式（３５）で示される、請求項５または６に記載の高分子組成物：

    上記式（３５）中、
    Ｒ６～Ｒ９は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１６以下の炭化水素基を表し；
    Ｌ３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の２価の芳香族複素環基を表し；
    ｄは、０、１または２であり、ｄが０である場合には、Ｌ３は単結合を表わし、ｄが２である場合には、Ｌ３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく；
    Ｌ４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ４は、Ａｒ３と環を形成してよく；
    Ａｒ３は、置換もしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ３はＡｒ４またはＬ４と環を形成し；
    Ａｒ４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基で置換された炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基で置換された芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ４は、Ａｒ３と環を形成してよい。
  8. 請求項１～４のいずれか１項に記載の共重合体または請求項５～７のいずれか１項に記載の高分子組成物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料。
  9. 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記有機膜の少なくとも１層は、請求項１～４のいずれか１項に記載の共重合体または請求項５～７のいずれか１項に記載の高分子組成物を含む、エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 前記共重合体または前記高分子組成物を含む前記有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項９に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する、請求項９または１０に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
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