JP2023100039A - 高分子化合物、ならびに当該高分子化合物を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 エレクトロルミネッセンス素子の耐久性（特に発光寿命）を向上できる技術を提供する。【解決手段】 下記式（１）で表される構成単位、または下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物。JPEG2023100039000061.jpg70166【選択図】なし

Description

本発明は、高分子化合物、ならびに当該高分子化合物を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子に関する。

エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、研究開発が活発に進められている。特に、ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に数ナノメートルから数百ナノメートルの薄膜を有する発光素子である。また、ＥＬ素子は、通常、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などをさらに有する。

このうち、発光層としては、蛍光発光材料、りん光発光材料がある。りん光発光材料は、蛍光発光材料と比較し、高い発光効率が見込まれる材料である。また、広い色域を網羅するために、ＲＧＢ光源は半値幅の狭い発光スペクトルが要求される。特に青色は深い青が要求されるが、長寿命かつ色純度の観点を満足できる素子は見出されていないのが現状である。

これらの問題を解決する方法として、発光材料に無機発光物質である「量子ドット」を用いる発光デバイスがある（特許文献１）。量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ；ＱＤ）は、数ナノメートルの大きさの結晶構造を有する半導体物質であって、数百から数千個程度の原子で構成されている。量子ドットは、大きさが非常に小さいため、単位体積当たりの表面積が広い。このため、大部分の原子がナノ結晶の表面に存在し、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果などを示す。このような量子閉じ込め効果により、量子ドットは、その大きさを調節することだけで発光波長を調節することができ、優れた色純度および高いＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光効率などの特性を有するため、多くの関心を集めている。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｄｅｖｉｃｅ；ＱＤ ＬＥＤ）は、量子ドット発光層を間において両側に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）を含む３層構造の素子が基本素子として知られている。

また、上記特許文献１に記載のエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の耐久性（特に発光寿命）を向上させることを目的として、特定構造の構成単位（Ａ）を有するアリールアミン－フルオレン交互共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子が報告される（特許文献２）。

特開２０１０－１９９０６７号公報 特開２０２１－１３８９１５号公報

特許文献２に記載のアリールアミン－フルオレン交互共重合体を正孔輸送材料に用いたエレクトロルミネッセンス素子は耐久性に優れる。その一方で近年のエレクトロルミネッ
センス素子の高性能化に伴い、耐久性のより向上が求められている。

したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、エレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の耐久性（特に発光寿命）を向上できる技術を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、特定の構造を有する高分子化合物を用いることによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、上記目的は、下記式（１）で表される構成単位、または下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物によって達成できる：

上記式（１）中、
Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、
Ｌ^１は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
ｘは、０、１または２であり、ｘが２である場合には、Ｌ^１はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
Ｌ^２は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^２はＡｒ^１と環を形成してよく、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^２またはＬ^２と環を形成し、
Ａｒ^２は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^２は、Ａｒ^１と環を形成してよい；

上記式（２）中、
Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、この際、Ｒ^４１～Ｒ^４４は、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４と相互に異なり、
Ｌ^３は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
ｙは、０、１または２であり、ｙが２である場合には、Ｌ^３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
Ｌ^４は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^４はＡｒ^３と環を形成してよく、
Ａｒ^３は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^４またはＬ^４と環を形成し、
Ａｒ^４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^４は、Ａｒ^３と環を形成してよい。

本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の耐久性（特に発光寿命）を向上できる。

本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。

第１の側面では、本発明は、下記式（１）で表される構成単位、または下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物を提供する：

上記式（１）中、
Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、
Ｌ^１は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
ｘは、０、１または２であり、ｘが２である場合には、Ｌ^１はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
Ｌ^２は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^２はＡｒ^１と環を形成してよく、
Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^２またはＬ^２と環を形成し、
Ａｒ^２は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^２は、Ａｒ^１と環を形成してよい；

上記式（２）中、
Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、この際、Ｒ^４１～Ｒ^４４は、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４と相互に異なり、
Ｌ^３は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
ｙは、０、１または２であり、ｙが２である場合には、Ｌ^３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
Ｌ^４は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基
または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^４はＡｒ^３と環を形成してよく、
Ａｒ^３は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^４またはＬ^４と環を形成し、
Ａｒ^４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^４は、Ａｒ^３と環を形成してよい。

第２の側面では、本発明は、本発明の高分子化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料を提供する。

第３の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層が本発明に係る高分子化合物を含む、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。本明細書において、エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＬＥＤ」とも称する。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＱＬＥＤ」とも称する。有機エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＯＬＥＤ」とも称する。

本明細書において、高分子化合物のインデノフルオレン由来の構成単位を「構成単位Ａ」と、高分子化合物のインデノフルオレン由来の構成単位以外の構成単位を「構成単位Ｂ」と、それぞれ、称する。また、構成単位ＡおよびＢを合わせた構成単位を「構成単位Ｃ」とも称する。例えば、上記式（１）の構成単位における構成単位Ａ、ＢおよびＣは下記のとおりとなる。なお、本明細書において、高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合には、特記しない限り、上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を一括して「構成単位Ｃ」と称する。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、および環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、および複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される環形成原子数については、別途記載のない限り同様とする。

例えば、ベンゼン環は環形成原子数が６であり、ナフタレン環は環形成原子数が１０であり、ピリジン環は環形成原子数が６であり、フラン環は環形成原子数が５である。

ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成原子数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成原子数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の原子数は、ナフタレン環の環形成原子数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成原子数は、１０である。

例えば、ピリジン環に結合している水素原子、または置換基を構成する原子の数は、ピリジン環の環形成原子数に含めない。そのため、水素原子、または置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。

エレクトロルミネッセンス素子の発光層やキャリア輸送層を構成する材料として、種々の低分子材料や高分子材料が使用されている。例えば、高分子材料として、特許文献１にはＴＦＢ（例えば、段落「００３７」）が、特許文献２にはフルオレンと特定構造のアリールアミンとの交互共重合体（請求項）が、それぞれ報告されている。本発明者らは、これらの高分子材料（特に特許文献２のアリールアミン－フルオレン交互共重合体）に比してさらに耐久性（素子寿命、発光寿命）を向上する手段について鋭意検討を行った。その結果、フルオレン由来の構成単位をインデノフルオレン由来の構成単位に変更することによって、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに向上できることを見出した。本発明の構成による上記作用効果の発揮のメカニズムは以下のように推測される。構成単位Ａおよび構成単位Ｂ［特に構成単位Ｂ中のアリールアミン構造（上記式（１）中の－Ｌ^２－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）または上記式（２）中の－Ｌ^４－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^４））］は、縮合環等の共鳴構造数が多い。このため、構成単位Ｃは、共鳴エネルギーが大きく安定な骨格を有する。ゆえに、励起子状態およびアニオン状態でのＣ－Ｎ結合の結合解離エネルギー（ＢＤＥ：bond dissociation energy）が大きい（励起子や電子に対して強い）。特に、構成単位Ａにインデノフルオレン由来の構成単位を適用することによって、特許文献２に記載されるようなフルオレン由来の構成単位である場合に比して、励起子状態でのＣ－Ｎ結合の結合解離エネルギーを大きくできる。本願発明に係る高分子化合物を使用した正孔輸送層または正孔注入層は、電子輸送層から漏れ出した電子やこの電子と正孔とが再結合して生成した励起子が存在してもその構造を維持しやすいまたは維持できる。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに向上できる。

また、上記式（１）または上記式（２）の構成単位（構成単位Ｃ）では、窒素原子が主鎖の共役を切断している。これにより、高分子化合物の三重項エネルギー準位を高め、主鎖に沿った正孔移動性（Ｂｕｌｋ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が高く、高い電流効率を達成できる。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物（主鎖）を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、優れた発光効率を達成できる。また、構成単位Ｃでは主鎖が窒素原子で切断されているため、本願発明に係る高分子化合物は、高分子化しても量子ドットとエネルギー準位が近い低分子化合物様の性質を示す。このため、本願発明に係る高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、駆動電圧の上昇を抑制し、低駆動電圧化が可能になる。

加えて、本願発明に係る高分子化合物は、製膜性および溶媒溶解性に優れるため、湿式（塗布）法での製膜が可能である。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物を用いることに
よって、エレクトロルミネッセンス素子の大面積化、高生産性が可能となる。上記効果は、本願発明に係る高分子化合物がＥＬ素子、特にＱＬＥＤの正孔輸送層または正孔注入層に適用される場合に、効果的に発揮できる。

なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら拘泥されるものではない。

以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されず、特許請求の範囲内で種々改変することができる。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で測定する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。

本明細書において、「ＸおよびＹは、それぞれ独立して」とは、ＸおよびＹが同一であってもよいし、異なっていてもよいことを意味する。また、本明細書において、「Ｘおよび／またはＹ」とは、ＸおよびＹの少なくとも一方を含むことを意味し、「Ｘ単独」、「Ｙ単独」および「ＸおよびＹの組み合わせ」を包含する。

［高分子化合物］
本願発明に係る高分子化合物は、下記式（１）で表される構成単位を含む。または、本願発明に係る高分子化合物は、下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む。このような構成単位を有する高分子化合物は、共鳴エネルギーが大きく安定な骨格を有し、高いＣ－Ｎ結合の結合解離エネルギーを有する。また、高分子化合物は、高い量子ドットへの正孔注入輸送性を有する。ゆえに、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに向上できる。また、高電流効率化および低駆動電圧化を達成できる。

上記式（１）で表される構成単位および上記式（２）で表される構成単位は、少なくともＲ^１１～Ｒ^１４がＲ^４１～Ｒ^４４と相互に異なる点で、相互に異なる構造を有する。本明細書において、「式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物」は、高分子化合物に存在する構成単位Ｃが少なくとも１種であることを意図する。また、「式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物」は、高分子化合物に存在する構成単位Ｃが少なくとも２種であることを意図する。すなわち、本願発明
に係る高分子化合物は、構成単位Ｃ １種を含むものであっても、または２種以上の構成単位Ｃを含むものであってもよい。本願発明に係る効果のより向上の観点から、本願発明に係る高分子化合物に存在する構成単位Ｃは、１種または２種であることが好ましく、２種であることがより好ましい。特に２種の異なる構成単位Ｃを有することにより、所望の特性（例えば、耐久性、ガラス転移温度）をより適切にかつより容易に調節できる。

上記式（１）において、Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表す。この際、Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１およびＲ^３２は、同じものであっても、または異なるものであってもよい。本願発明に係る効果のより向上の観点から、Ｒ^１１およびＲ^１２ならびにＲ^１３およびＲ^１４の少なくとも一方が同じであることが好ましく、Ｒ^１１～Ｒ^１４のすべてが同じであることがより好ましい。Ｒ^２１およびＲ^２２は、同じであってもまたは異なるものであってもよい。Ｒ^２１およびＲ^２２は、同じであることが好ましい。Ｒ^３１およびＲ^３２は、同じものであってもまたは異なるものであってもよい。Ｒ^３１およびＲ^３２は、同じであることが好ましい。

上記式（２）において、Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表す。この際、上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４は、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４とは相互に異なる。Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、同じものであっても、または異なるものであってもよい。本願発明に係る効果のより向上の観点から、Ｒ^４１およびＲ^４２ならびにＲ^４３およびＲ^４４の少なくとも一方が同じであることが好ましく、Ｒ^４１～Ｒ^４４のすべてが同じであることがより好ましい。Ｒ^２３およびＲ^２４は、同じであってもまたは異なるものであってもよい。Ｒ^２３およびＲ^２４は、同じであることが好ましい。Ｒ^３３およびＲ^３４は、同じものであってもまたは異なるものであってもよい。Ｒ^３３およびＲ^３４は、同じであることが好ましい。

炭素数１以上１８以下の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖のもしくは分岐した、アルキル基、直鎖のもしくは分岐したアルケニル基、直鎖のもしくは分岐したアルキニル基およびシクロアルキル基などが挙げられる。なお、炭化水素基がアルケニル基またはアルキニル基である場合には、炭化水素基は、２以上１８以下の炭素数を有する。同様にして、炭化水素基がシクロアルキル基である場合には、炭化水素基は、３以上１８以下の炭素数を有する。

炭素数１以上１８以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基などが挙げられる。

炭素数２以上１８以下のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。

炭素数２以上１８以下のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。

炭素数は３以上１８以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

Ｒ^１１～Ｒ^１４の少なくとも２つおよび／またはＲ^４１～Ｒ^４４の少なくとも２つが炭素数１以上１８以下の炭化水素基であることが好ましく、Ｒ^１１～Ｒ^１４の少なくとも３つおよび／またはＲ^４１～Ｒ^４４の少なくとも３つが炭素数１以上１８以下の炭化水素基であることがより好ましく、Ｒ^１１～Ｒ^１４の全ておよびＲ^４１～Ｒ^４４の全てが炭素数１以上１８以下の炭化水素基であることが特に好ましい。このようにインデノフルオレン環に存在する炭化水素基の数を増やすことによって、正孔注入輸送性を向上し、これにより耐久性（素子寿命）をさらに向上できる。

また、Ｒ^１１～Ｒ^１４またはＲ^４１～Ｒ^４４としての炭化水素基は、炭素数１以上１８以下の直鎖のまたは炭素数３以上１８以下の分岐したアルキル基でありえる。Ｒ^１１～Ｒ^１４またはＲ^４１～Ｒ^４４としての炭化水素基は、炭素数３以上１４以下の直鎖もしくは炭素数３以上１４以下の分岐したアルキル基であることが好ましい。

特に高分子化合物に存在する構成単位Ｃが１種である（高分子化合物が上記式（１）の構成単位を含む）場合には、Ｒ^１１～Ｒ^１４としての炭化水素基は、炭素数６以上１２以下の直鎖のアルキル基であることがより好ましく、炭素数７以上９以下の直鎖のアルキル基であることがさらに好ましく、ｎ－オクチル基であることが特に好ましい。

このようにインデノフルオレン環に存在する炭化水素基の炭素数が上記範囲であると、高分子化合物を含む正孔輸送層と量子ドットを含む発光層とを有する量子ドットエレクトロルミネッセンス素子において、正孔輸送層中の高分子化合物のインデノフルオレン環に存在する炭化水素基と発光層中に含まれる量子ドットとがより近接して存在する（炭化水素基と量子ドットとが密接に相互作用する）。ゆえに、正孔注入輸送性をさらに向上して、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに向上できる。

また、高分子化合物に存在する構成単位Ｃが２種である（高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む）場合の、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４および上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４の組み合わせは、一方が炭素数の少ない炭化水素基であり他方が炭素数の大きい炭化水素基であることが好ましい。本発明の一形態では、高分子化合物は上記式（１）で表される構成単位および上記式（２）で表される構成単位を含み、この際、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４は炭素数１以上９以下の炭化水素基を表し、上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４は炭素数１０以上１８以下の炭化水素基を表す。本発明の好ましい形態では、高分子化合物は上記式（１）で表される構成単位および上記式（２）で表される構成単位を含み、この際、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４は、それぞれ独立して、炭素数３以上９以下の炭化水素基を表し、上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４は、それぞれ独立して、炭素数１０以上１４以下の炭化水素基を表す。本発明のより好ましい形態では、高分子化合物は上記式（１）で表される構成単位および上記式（２）で表される構成単位を含み、この際、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４は、それぞれ独立して、炭素数５以上７以下の直鎖のまたは分岐したアルキル基を表し、上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４は、それぞれ独立して、炭素数１１以上１３以下の直鎖のまたは分岐したアルキル基を表す。本発明の特に好ましい形態では、高分子化合物は上記式（１）で表される構成単位および上記式（２）で表される構成単位を含み、この際、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４はｎ－ヘキシル基を表し、上記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４はｎ－ドデ
シル基を表す。なお、上記好ましい形態において、Ｒ^１１～Ｒ^１４は、同じものであっても、または異なるものであってもよいが、すべてが同じであることが好ましい。同様にして、Ｒ^４１～Ｒ^４４は、同じものであっても、または異なるものであってもよいが、すべてが同じであることが好ましい。すなわち、上記好ましい形態において、Ｒ^１１～Ｒ^１４すべてが同じでありかつＲ^４１～Ｒ^４４すべてが同じであることが特に好ましい。

高分子化合物に存在する２種の構成単位Ｃ中のＲ^１１～Ｒ^１４およびＲ^４１～Ｒ^４４を上記したように組み合わせることにより、正孔注入輸送性（故に、耐久性）と製膜特性（例えば、ガラス転移温度）とを適切なバランスで調節することができる。

また、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立して、水素原子（無置換）または炭素数１以上８以下の直鎖もしくは炭素数３以上８以下の分岐したアルキル基であることが好ましく、水素原子（無置換）または炭素数３以上６以下の直鎖のアルキル基であることがより好ましく、水素原子（無置換）であることが特に好ましい。

上記式（１）において、Ｌ^１は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の２価の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表す。上記式（２）において、Ｌ^３は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の２価の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表す。高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合、上記式（１）中のＬ^１および上記式（２）中のＬ^３は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。

ここで、芳香族炭化水素基としては、ベンゼン（フェニレン基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素由来の２価の基などが挙げられる。また、芳香族複素環基としては、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、キナゾリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、ベンゾキノン、クマリン、フルオレノン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、カルバゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、イミダゾリノン、ベンズイミダゾリノン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントンなどの複素環式芳香族化合物由来の２価の基が挙げられる。これらのうち、Ｌ^１およびＬ^３は、それぞれ独立して、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニルから選択される化合物由来の２価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ｌ^１およびＬ^３は、それぞれ独立して、ベンゼン（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）、ジベンゾフラン、フルオレンから選択される化合物由来の２価の基である。Ｌ^１およびＬ^３は、それぞれ独立して、フェニレン基であることがさらに好ましく、ｍ－フェニレン基、ｐ－フェニレン基であることがさらにより好ましく、ｐ－フェニレン基であることが特に好ましい。このようなＬ^１またはＬ^３であれば、より高い結合解離エネルギーを達成できる。また、より高い正孔注入輸送性および三重項エネルギー準位ならびにより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特に
正孔注入輸送性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ｌ^１またはＬ^３は、それぞれ、無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。

ここで、Ｌ^１またはＬ^３のいずれかの水素原子が置換される場合の置換基の導入数は、特に制限されないが、好ましくは１以上３以下であり、より好ましくは１以上２以下であり、特に好ましくは１である。本発明の一実施形態では、Ｌ^１およびＬ^３は非置換である。本発明の一実施形態では、Ｌ^１またはＬ^３は１個の置換基を有する。Ｌ^１またはＬ^３置換基を有する場合の置換基の結合位置は、特に制限されない。置換基は、好ましくはＬ^１またはＬ^３が連結する主鎖の窒素原子に対してなるべく遠位に存在することが好ましい。例えば、Ｌ^１またはＬ^３がｐ－フェニレン基である場合には、置換基は主鎖の窒素原子に連結した結合手に対してメタ位に配置されることが好ましい。このような位置に置換基が存在することにより、より高い結合解離エネルギーを達成できる。また、より高い正孔注入輸送性および三重項エネルギー準位ならびにより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特に正孔注入輸送性と製膜性とのバランス）を達成できる。

また、Ｌ^１またはＬ^３のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヒドロキシ基（－ＯＨ）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）等が挙げられる。

ここで、アルキル基としては、直鎖もしくは分岐のいずれでもよいが、好ましくは炭素数１以上１８以下の直鎖もしくは炭素数３以上１８以下の分岐したアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基などが挙げられる。

シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

ヒドロキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）のヒドロキシ基で置換されるもの（例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基）が例示される。

アルコキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の下記アルコキシ基で置換されるものが例示される。

アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。

シクロアルコキシ基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、２－ヘプテニル基、５－ヘプテニル基、１－オクテニル基、３－オクテニル基、５－オクテニル基などが挙げられる。

アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１－プロピニル基、プロパルギル基、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンチニル基、２－ペンチニル基、３－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、３－ヘキシニル基、１－ヘプチニル基、２－ヘプチニル基、５－ヘプチニル基、１－オクチニル基、３－オクチニル基、５－オクチニル基などが挙げられる。

アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。

アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。

アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基などが挙げられる。

シクロアルキルチオ基としては、例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。

アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。

アルコキシカルボニル基としては、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基などが挙げられる。

アリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基などが挙げられる。

これらのうち、Ｌ^１またはＬ^３のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、炭素数１以上８以下の直鎖のまたは分岐したアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上３以下の直鎖のまたは分岐したアルキル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

上記のうち、Ｌ^１およびＬ^３は、それぞれ独立して、下記群から選択される２価の基であることがより好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（１）中、ｘは１または２（特に好ましくは１）であり、Ｌ^１は、それぞれ独立して、下記群から選択される２価の基である。本発明の好ましい形態では、上記式（２）中、ｙは１または２（特に好ましくは１）であり、Ｌ^３は、それぞれ独立して、下記群から選択される２価の基である。なお、下記構造において、Ｒ^１１１～Ｒ^１２５は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の直鎖もしくは炭素数３以上１８以下の分岐した炭化水素基を表す（好ましくは、Ｒ^１１１～Ｒ^１２５は水素原子またはメチル基であり、特に好ましくは、Ｒ^１１１～Ｒ^１２５は水素原子である）。

上記式（１）において、ｘは、０、１または２である。なお、ｘが２である場合には、Ｌ^１はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよい。また、ｘが０である場合には、Ｌ^１は単結合であり、主鎖の窒素原子がＬ^２と直接結合する。本願発明に係る効果のより向上の観点から、ｘは、０または１であることが好ましく、１であることがより好ましい。上記式（２）において、ｙは、０、１または２である。なお、ｙが２である場合には、Ｌ^３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよい。また、ｙが０である場合には、Ｌ^３は単結合であり、主鎖の窒素原子がＬ^４と直接結合する。本願発明に係る効果のより向上の観点から、ｙは、０または１であることが好ましく、１であることがより好ましい。上記式（１）中のｘおよび上記式（２）中のｙは、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。

上記式（１）において、Ｌ^２は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価または３価の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価または３価の芳香族複素環基を表す。この際、Ｌ^２は、Ａｒ^１と環を形成してよい。なお、Ｌ^２がＡｒ^１と環を形成する場合には、Ｌ^２は３価の基である。Ｌ^２がＡｒ^１と環を形成しない場合には、Ｌ^２は２価の基である。上記式（２）において、Ｌ^４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上２５以下の２価または３価の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価または３価の芳香族複素環基を表す。この際、Ｌ^４は、Ａｒ^３と環を形成してよい。なお、Ｌ^４がＡｒ^３と環を形成する場合には、Ｌ^４は３価の基である。Ｌ^４がＡｒ^３と環を形成しない場合には、Ｌ^４は２価の基である。

高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合、上記式（１）中のＬ^２および上記式（２）中のＬ^４は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。

ここで、Ｌ^２またはＬ^４としての芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、特に制限されない。Ｌ^２がＡｒ^１と環を形成しない場合またはＬ^４がＡｒ^３と環を形成しない場合には、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、上記場合において、Ｌ^２またはＬ^４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。また、Ｌ^２がＡｒ^１と環を形成するまたはＬ^４がＡｒ^３と環を形成する場合には、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基を３価の基に変換して例示できる。同様にして、上記場合において、Ｌ^２またはＬ^４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基を３価の基に変換して例示できる。これらのうち、Ｌ^２およびＬ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ビフェニルから選択される化合物由来の２価または３価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ｌ^２およびＬ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン、フルオレン、ジベンゾフランから選択される化合物由来の２価の基（例えば、ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）または３価の基（例えば、１，３，４－フェニリレン基）である。特に好ましくは、Ｌ^２およびＬ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン由来の２価（フェニレン基）（特にｐ－フェニレン基）または３価の基（特に１，３，４－フェニリレン基）である。このようなＬ^２またはＬ^４であれば、より高い結合解離エネルギーを達成できる。また、より高い正孔注入輸送性および三重項エネルギー準位ならびにより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特に正孔注入輸送性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ｌ^２またはＬ^４は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。また、Ｌ^２またはＬ^４のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、上記Ｌ^１およびＬ^３におけるのと同様の例示が適用できる。好ましくは、Ｌ^２またはＬ^４は無置換である。

上記式（１）において、Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表す。上記式（２）において、Ａｒ^３は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表す。

高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合、上記式（１）中のＡｒ^１および上記式（２）中のＡｒ^３は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。

ここで、Ａｒ^１またはＡｒ^３としての環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、Ａｒ^１またはＡｒ^３としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１およびＬ^３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。これらのうち、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、フェニレン基、ビフェニレン基、ジベンゾフラニレン基、ジベンゾチオフェニレン基、およびフルオレニレン基から選択されることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、フェニレン基（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、ｏ－フェニレン基である。このようなＡｒ^１またはＡｒ^３であれば、より高い結合解離エネルギーを達成できる。また、より高い正孔注入輸送性および三重項エネルギー準位ならびにより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特に正孔注入輸送性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、Ａｒ^１またはＡｒ^３は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。なお、Ａｒ^１またはＡｒ^３のいずれかの水素原子が
置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、上記Ｌ^１およびＬ^３と同様の例示が適用できる。好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたベンゼン、無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたビフェニル、および無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたフルオレンから選択される化合物由来の２価の基である。より好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、無置換のまたは炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基で置換されたｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基である。さらにより好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、それぞれ独立して、無置換のまたは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたｏ－フェニレン基である。特に好ましくは、Ａｒ^１およびＡｒ^３は、無置換のｏ－フェニレン基である。なお、Ａｒ^１またはＡｒ^３が置換基を有する（すなわち、置換の炭素数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換の２価の芳香族複素環基である）場合の置換基の存在位置は特に制限されないが、Ａｒ^１またはＡｒ^３に結合する窒素原子に対して、なるべく離れた位置に存在することが好ましい。例えば、Ａｒ^１またはＡｒ^３がｏ－フェニレン基である場合には、置換基は窒素原子に対しパラ位に存在することが好ましい。このような配置により、高分子化合物と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の高分子化合物と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、正孔注入輸送性（ゆえに、耐久性（素子寿命、発光寿命））をさらに向上できる。

上記式（１）において、Ａｒ^１は、Ａｒ^２またはＬ^２と環を形成する。上記式（２）において、Ａｒ^３は、Ａｒ^４またはＬ^４と環を形成する。このように、Ａｒ^１がＡｒ^２またはＬ^２と環を形成するおよびＡｒ^３がＡｒ^４またはＬ^４と環を形成することにより、より高い三重項エネルギー準位を与えうる。これらのうち、本願発明に係る効果のより向上の観点から、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成する、およびＡｒ^３がＬ^４と環を形成するの少なくとも一方を満たすことが好ましく、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成しかつＡｒ^３がＬ^４と環を形成することがより好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成するまたはＡｒ^３がＬ^４と環を形成する。本発明のより好ましい形態では、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成し、かつＡｒ^３がＬ^４と環を形成する。Ａｒ^１がＬ^２と環を形成する際のＡｒ^１とＬ^２とで形成される環構造、またはＡｒ^３がＬ^４と環を形成する際のＡｒ^３とＬ^４とで形成される環構造は特に制限されないが、Ａｒ^１とＬ^２と、およびＡｒ^３とＬ^４との少なくとも一方でカルバゾール環を形成することが好ましく、Ａｒ^１とＬ^２とおよびＡｒ^３とＬ^４とでカルバゾール環を形成することがより好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（１）中の－Ｌ^２－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）は、下記群から選択される構造を有する。また、本発明の好ましい形態では、上記式（２）中の－Ｌ^４－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^４）は、下記群から選択される構造を有する。なお、下記構造において、Ｒ^２１１～Ｒ^２１４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは分岐したアルキル基を表す。好ましくは、Ｒ^２１１～Ｒ^２１４は、水素原子である。また、下記構造において、「＊１」は、Ｌ^１またはＬ^３との結合部位であり、「＊２」は、Ａｒ^２またはＡｒ^４との結合部位である。

より好ましくは、Ａｒ^１とＬ^２と、およびＡｒ^３とＬ^４との少なくとも一方で下記構造のカルバゾール環を形成する。特に好ましくは、Ａｒ^１とＬ^２と、およびＡｒ^３とＬ^４とで下記構造のカルバゾール環を形成する。なお、下記構造において、Ｒ^２１１～Ｒ^２１４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖のもしくは分岐したアルキル基を表す。好ましくは、Ｒ^２１１～Ｒ^２１４は、水素原子である。また、下記構造において、「＊１」は、Ｌ^１またはＬ^３との結合部位であり、「＊２」は、Ａｒ^２またはＡｒ^４との結合部位である。

本発明の好ましい形態では、上記式（１）において、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成し、－（Ｌ^１）_ｘ－Ｌ^２－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）は、下記群から選択される構造を有する。本発明の好ましい形態では、上記式（２）において、Ａｒ^３がＬ^４と環を形成し、－（Ｌ^３）_ｙ－Ｌ^４－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^４）は、下記群から選択される構造を有する。なお、下記構造において、「＊１」は主鎖の窒素原子との結合部位であり、「＊２」はＡｒ^２またはＡｒ^４との結合部位である。

ただし、Ｒ_２１１～Ｒ_２１４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖もしくは炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基である。好ましくは、Ｒ_２１１およびＲ_２１３は水素原子であり、Ｒ_２１２およびＲ_２１４は水素原子または炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基である。

上記式（１）において、Ａｒ^２は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ^２は、Ａｒ^１と環を形成してよい。なお、Ａｒ^２がＡｒ^１と環を形成する場合には、Ａｒ^２は２価の基である。Ａｒ^２がＡｒ^１と環を形成しない場合には、Ａｒ^２は１価の基である。上記式（２）において
、Ａｒ^４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ^４は、Ａｒ^３と環を形成してよい。なお、Ａｒ^４がＡｒ^３と環を形成する場合には、Ａｒ^４は２価の基である。Ａｒ^４がＡｒ^３と環を形成しない場合には、Ａｒ^４は１価の基である。上記式（１）中のＡｒ^２および上記式（２）中のＡｒ^４は、同じであってもまたは異なるものであってもよいが、同じであることが好ましい。

本発明の好ましい形態では、本願発明に係る高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合、上記式（１）中のＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｌ^１、ｘ、Ｌ^２、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ、上記式（２）中のＲ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｌ^３、ｙ、Ｌ^４、Ａｒ^３およびＡｒ^４と同じである。

ここで、Ａｒ^２またはＡｒ^４としての環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基および環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基は、特に制限されない。Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成しない場合には、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。同様にして、上記場合において、Ａｒ^２またはＡｒ^４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。また、Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成する場合には、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基が例示できる。同様にして、上記場合において、Ａｒ^２またはＡｒ^４としての芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した複素環式芳香族化合物由来の２価の基が例示できる。これらのうち、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン、ビフェニル、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびフルオレンから選択される化合物由来の基であることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン由来の基（フェニル基またはｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４は、Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成しない場合にはフェニル基であり、または、Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成する場合にはｏ－フェニレン基である。このようなＡｒ^２またはＡｒ^４（非置換形態）であれば、より高い結合解離エネルギーを達成できる。また、より高い正孔注入輸送性および三重項エネルギー準位ならびにより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特に正孔注入輸送性と製膜性とのバランス）を達成できる。

本発明の一実施形態では、Ａｒ^２またはＡｒ^４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を置換基として有する。このような置換基を高分子化合物の末端に配置することにより、正孔輸送層中の高分子化合物は発光層中の量子ドットと密接に相互作用できるため、正孔注入輸送性を向上できる。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに効果的に向上できる。

ここで、炭素数１以上１２以下の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖のもしくは分岐したアルキル基、直鎖のもしくは分岐したアルケニル基、直鎖のもしくは分岐したア
ルキニル基およびシクロアルキル基などが挙げられる。なお、Ａｒ^２またはＡｒ^４がアルケニル基またはアルキニル基である場合には、Ａｒ^２またはＡｒ^４の炭素数は２以上１２以下である。同様にして、Ａｒ^２またはＡｒ^４がシクロアルキル基である場合には、Ａｒ^２またはＡｒ^４の炭素数は３以上１２以下である。

炭素数１以上１２以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基などが挙げられる。

炭素数２以上１２以下のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。

炭素数２以上１２以下のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。

炭素数は３以上１２以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

また、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基および９，９－ジメチルフルオレニル基、ならびにこれらのいずれかの組み合わせ（例えば、９，９－ジメチル－２－フェニルフルオレニル基）である。

また、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基は、特に制限されないが、上記Ｌ^１またはＬ^３にて規定した環形成原子数５以上１４以下の複素環式芳香族化合物由来の２価の基を１価の基に変換して例示できる。好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基は、ピリジン由来の基である。

なお、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基および環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基は、組み合わせてＡｒ^２またはＡｒ^４に存在してもよい。

これらのうち、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する置換基は、炭素数４以上１０以下の直鎖もしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、９，９－ジメチルフルオレニル基およびピリジニル基、ならびにこれらのいずれかの組み合わせ（例えば、９，９－ジメチル－２－フェニルフルオレニル基）からなる群より選択されることが好ましい。これにより、正孔輸送層中の高分子化合物は発光層中の量子ドットとさらに近接して存在する（さらに密接に相互作用できる）
ため、正孔注入輸送性をより向上できる。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに効果的に向上できる。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、ベンゼン、ビフェニル、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびフルオレンからなる群より選択される化合物由来の基であり、かつ、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基、またはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、９，９－ジメチル－２－フェニルフルオレニル基、ピリジニル基、３－ピリジニルフェニル基、４－ピリジニルフェニル基もしくはピリジニル基で置換されたビフェニル基で置換される。より好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する炭化水素基は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明のより好ましい形態では、Ａｒ^２またはＡｒ^４は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換された、ベンゼン由来の基（フェニル基、ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する炭化水素基は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明の特に好ましい形態では、Ａｒ^２またはＡｒ^４は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたフェニル基（Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成しない場合）または炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基で置換された、ｏ－フェニレン基（Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成する場合）である。

なお、Ａｒ^２またはＡｒ^４に存在する置換基の位置は特に制限されないが、－Ｌ^２－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）または－Ｌ^４－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^４）の窒素原子からなるべく離れた位置に存在することが好ましい。例えば、Ａｒ^１がＬ^２と環を形成し、Ａｒ^２がフェニル基である場合には、炭化水素基は窒素原子に対しパラ位に存在することが好ましい。このような配置によれば、正孔輸送層中の高分子化合物は発光層中の量子ドットとさらに近接して存在する（さらに密接に相互作用できる）ため、正孔注入輸送性をより向上できる。ゆえに、本願発明に係る高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、耐久性（素子寿命、発光寿命）をさらに効果的に向上できる。

Ａｒ^２またはＡｒ^４は、Ａｒ^１またはＡｒ^３と環を形成してもよい。Ａｒ^２またはＡｒ^４がＡｒ^１またはＡｒ^３と環を形成する際の、Ａｒ^２またはＡｒ^４とＡｒ^１またはＡｒ^３とで形成される環構造は特に制限されないが、Ａｒ^２またはＡｒ^４とＡｒ^１またはＡｒ^３とで、カルバゾール環を形成することが好ましい。すなわち、本発明のより好ましい形態では、上記式（１）中、Ａｒ^１がＡｒ^２と環を形成し、－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）が下記群から選択される基である。本発明のより好ましい形態では、上記式（２）中、Ａｒ^３がＡｒ^４と環を形成し、－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^３）が下記群から選択される基である。

ただし、Ｒ_３１１～Ｒ_３２３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１２以下の炭化水素基を表す。このさ、Ｒ_３１１～Ｒ_３１２の少なくとも一方、Ｒ_３１３～Ｒ_３１５の少なくとも１つ、Ｒ_３１６～Ｒ_３１９の少なくとも１つ、Ｒ_３２０～Ｒ_３２１の少なくとも一方、またはＲ_３２２～Ｒ_３２３の少なくとも一方が、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基（より好ましくは炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基、さらに好ましくは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基、特に好ましくは炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基）を表す。

より好ましくは、Ａｒ^２またはＡｒ^４とＡｒ^１またはＡｒ^３とで下記構造のカルバゾール環を形成する。すなわち、本発明のより好ましい形態では、上記式（１）中の－Ｌ^２－Ｎ（Ａｒ^１）（Ａｒ^２）は、下記構造を有する。本発明のより好ましい形態では、上記式（２）中の－Ｌ^４－Ｎ（Ａｒ^３）（Ａｒ^４）は、下記構造を有する。

ただし、Ｒ_３１１は、水素原子または炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基（より好ましくは水素原子または炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基）を表し、Ｒ_３１２は、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基（より好ましくは炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基、特に好ましくは炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基）を表す。

したがって、構成単位Ｂは、下記構造を有することが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、前記式（１）中の下記構造：

または前記式（２）中の下記構造：

は、それぞれ独立して、下記群から選択される構造を有する。

上記構造中、Ｒ^５１～Ｒ^５４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基、または下記群から選択される基を表し、

Ａｒ^４１１～Ａｒ^４１７は、それぞれ独立して、下記群から選択される基を表し、

この際、Ｒ^５５～Ｒ^５７は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基、または下記群から選択される基を表し、

Ｒ^５８およびＲ^５９は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基を表す。

構成単位Ｂは、下記構造を有することがより好ましい。すなわち、本発明のより好ましい形態では、前記式（１）中の下記構造：

または前記式（２）中の下記構造：

は、それぞれ独立して、下記群から選択される構造を有する。

上記構造中、Ａｒ^４１２～Ａｒ^４１６は、それぞれ独立して、下記群から選択される基を表し；

上記構造中、Ｒ^５５～Ｒ^５７は、それぞれ独立して、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基を表す。

したがって、本発明に係る式（１）または式（２）の構成単位は、下記群から選択されることがさらに好ましい。

本発明に係る式（１）または式（２）の構成単位は、下記群から選択されることがさらにより好ましい。

上記構造中、
Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１およびＲ^２２は、上記式（１）におけるのと同様の定義であり、
Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３およびＲ^２４は、上記式（２）におけるのと同様の定義であり、
Ａｒ^４１２～Ａｒ^４１６は、それぞれ独立して、下記群から選択される基を表し；

上記構造中、Ｒ^５５～Ｒ^５７は、それぞれ独立して、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基を表す。

本発明の高分子化合物における構成単位Ｃの組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の耐久性（素子寿命、発光寿命）や正孔注入輸送能のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位Ｃは、高分子化合物を構成する全構成単位に対して、好ましくは１０モル％以上１００モル％以下、より好ましくは５０モル％を超え１００モル％以下、特に好ましくは１００モル％である（即ち、高分子化合物は、構成単位Ｃのみから構成される）。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位Ｃを含む場合には、上記構成単位Ｃの含有量は、構成単位Ｃの合計量を意味する。

本願発明に係る高分子化合物が上記式（１）の構成単位および上記式（２）の構成単位を含む場合、下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位の
組成は、上記式（２）で表される構成単位が、例えば、上記式（１）で表される構成単位
１モルに対して、０．３モル以上１０モル以下の割合で存在し、上記式（２）で表される構成単位が、上記式（１）で表される構成単位 １モルに対して、１モル以上２０モル以下の割合で存在することが好ましく、上記式（２）で表される構成単位が、上記式（１）で表される構成単位 １モルに対して、１モル以上３モル以下の割合で存在することがより好ましい。このような組成で２種の構成単位Ｃが存在することにより、所望の特性（例えば、耐久性、製膜性）をより適切に調節できる。

上述したように、本発明の高分子化合物は、構成単位Ｃのみで構成されてもよい。または、本発明の高分子化合物は、構成単位Ｃ以外の他の構成単位をさらに含んでもよい。他の構成単位を含む場合の他の構成単位は、高分子化合物の効果（特に、耐久性、製膜性、高い三重項エネルギー準位、低い駆動電圧）を阻害しない限り特に制限されない。具体的には、下記群から選択される構成単位などが挙げられる。なお、以下では、下記群で示される構成単位を「構成単位Ｄ」とも称する。

本実施形態の高分子化合物における構成単位Ｄの組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物による製膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位Ｄは、高分子化合物を構成する全構成単位に対して、好ましくは１モル％以上１０モル％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位Ｄを含む場合には、上記構成単位Ｄの含有量は、構成単位Ｄの合計量を意味する。

高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、８，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、１２，０００以上１，０００，０００以下であることがより好ましく、２０，０００以上８００，０００以下であることがさらに好ましく、５０，０００以上５００，０００以下であることが特に好ましい。このような重量平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。

また、高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、４，０００以上２５０，０００以下であることが好ましく、１０，０００以上２５０，０００以下であることがより好ましく、２０，０００以上１５０，０００以下であることがさらに好ましく、特に好ましくは２５，０００以上１００，０００以下である。このような数平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。また、本実施形態の高分子化合物の多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、例えば、１．２以上６．０以下、好ましくは１．２以上４．０以下、好ましくは１．５以上３．５以
下である。

本明細書において、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、特に制限されず、公知の方法を用いてまたは公知の方法を適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法により測定される値を採用する。なお、ポリマーの多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、下記方法により測定された数平均分子量（Ｍｎ）で重量平均分子量（Ｍｗ）を除することによって算出される。

（数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定）
高分子材料の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー：Ｓｉｚｅ Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、以下の条件で測定する：
（ＳＥＣ測定条件）
分析装置（ＳＥＣ）：島津製作所製、Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ
カラム：ポリマーラボラトリーズ製、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ－Ｂ
カラム温度：４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料溶液の注入量」２０μＬ（ポリマー濃度：約０．０５質量％）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
検出器（ＵＶ－ＶＩＳ検出器）：島津製作所製、ＳＰＤ－１０ＡＶ
標準試料：ポリスチレン。

本実施形態の高分子化合物の主鎖の末端は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。

本実施形態の高分子化合物は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態の高分子化合物の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態の高分子化合物は、下記式（１’）で示される単量体、もしくは下記式（１’）で示される単量体および下記式（２’）で示される単量体を用いた重合反応により、または下記式（１’）で示される単量体、もしくは下記式（１’）で示される単量体および下記式（２’）で示される単量体、ならびに上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。

本発明において、高分子化合物の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。例えば、上記式（１’）で示される単量体は、下記式（３’）で示される化合物と、下記式（４’）で示される化合物と、の反応によって得られる。同様にして、上記式（２’）で示される単量体は、下記式（５’）で示される化合物と、下記式（６’）で示される化合物と、の反応によって得られる。

上記式（１’）～（６’）中、Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｌ^１、ｘ、Ｌ^２、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、上記式（１）におけるのと同様の定義である。また、上記式（１’）～（６’）中、Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｌ^３、ｙ、Ｌ^４、Ａｒ^３およびＡｒ^４は、上記式（２）におけるのと同様の定義である。Ｚ^１およびＺ^２、Ｚ^３およびＺ^４、Ｚ^１’およびＺ^２’、Ｚ^３’およびＺ^４’、Ｚ^１”およびＺ^２”、ならびにＺ^３”およびＺ^３”は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記構造の基である。な
お、下記構造において、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。好ましくは、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄはメチル基である。

なお、上記式（１’）～（６’）中のＺ^１およびＺ^２、Ｚ^３およびＺ^４、Ｚ^１’およびＺ^２’、Ｚ^３’およびＺ^４’、Ｚ^１”およびＺ^２”、ならびにＺ^３”およびＺ^３”は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、上記式（１’）中、Ｚ^１およびＺ^２は異なる。好ましくは、上記式（２’）中、Ｚ^３およびＺ^４は異なる。また、上記式（１’）中Ｚ^１およびＺ^２が異なりかつ上記式（２’）中Ｚ^３およびＺ^４は異なりかつ上記式（１’）中のＺ^１およびＺ^３が同じでありかつ上記式（１’）中のＺ^２およびＺ^４が同じであることがより好ましい。好ましくは、上記式（３’）中、Ｚ^１’およびＺ^２’は同じである。好ましくは、上記式（４’）中、Ｚ^１”およびＺ^２”は同じである。また、上記式（３’）中Ｚ^１’およびＺ^２’は同じでありかつ上記式（４’）中Ｚ^１”およびＺ^２”は同じでありかつ上記式（３’）中のＺ^１’およびＺ^２’は上記式（４’）中のＺ^１”およびＺ^２”と異なることがより好ましい。好ましくは、上記式（５’）中、Ｚ^３’およびＺ^４’は同じである。好ましくは、上記式（６’）中、Ｚ^３”およびＺ^４”は同じである。また、上記式（５’）中Ｚ^３’およびＺ^４’は同じでありかつ上記式（６’）中Ｚ^３”およびＺ^４”は同じでありかつ上記式（３’）中のＺ^３’およびＺ^４’は上記式（６’）中のＺ^３”およびＺ^４”と異なることがより好ましい。

本実施形態の高分子化合物は、構成単位Ｃを有する。このため、当該高分子化合物は大きなＣ－Ｎ結合の結合解離エネルギーおよび高い正孔注入輸送性を有する。ゆえに、本実施形態に係る高分子化合物を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、高い耐久性（素子寿命、発光寿命）を達成できる。また、本実施形態の高分子化合物は、高い三重項エネルギー準位を有し、かつ低い駆動電圧を有する。ゆえに、本実施形態に係る高分子化合物を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、低駆動電圧で高いホール移動性が達成される。ゆえに、本実施形態に係る高分子化合物を用いるエレクトロルミネッセンス素子は耐久性（素子寿命、発光寿命）および発光効率に優れる。

［エレクトロルミネッセンス素子材料］
本実施形態に係る高分子化合物は、エレクトロルミネッセンス素子材料として好適に用いられる。本実施形態に係る高分子化合物によれば、優れた耐久性（素子寿命、発光寿命）を有するエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。また、本実施形態に係る高分子化合物によれば、高い三重項エネルギー準位（電流効率）および低い駆動電圧を有するエレクトロルミネッセンス素子材料もまた提供される。さらに、高分子化合物の主鎖（構成単位Ｃ）は適切なフレキシビリティーを有する。このため、本実施形態に係る高分子化合物は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示す。ゆえに、湿式（塗布）法により容易に製膜（薄膜化）できる。したがって、第２の側面では、本発明の高分子化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。または、高分子化合物のエレクトロルミネッセンス素子材料としての使用が提供される。

また、本実施形態に係る高分子化合物は、５．２０ｅＶを超える、特に５．４７ｅＶを
超えるＨＯＭＯレベルを有する。このため、本実施形態に係る高分子化合物は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（特に正孔輸送層）にも好適に使用できる。

［エレクトロルミネッセンス素子］
上述したように、本実施形態に係る高分子化合物は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。すなわち、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の高分子化合物またはエレクトロルミネッセンス素子材料を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。このようなエレクトロルミネッセンス素子は、耐久性（素子寿命、発光寿命）に優れる。また、このようなエレクトロルミネッセンス素子は、低駆動電圧で優れた発光効率を発揮できる。したがって、第３の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層が本発明の高分子化合物を含む、エレクトロルミネッセンス素子が提供される。本発明の目的（または効果）は、このような本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。上記態様の好ましい形態としては、エレクトロルミネッセンス素子は、上記電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える。なお、本実施形態のエレクトロルミネッセンス素子は、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例である。

さらに、本実施形態は、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の高分子化合物を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、上記有機膜のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法を提供する。また、このような方法により、本実施形態は、上記有機膜のうち少なくとも１層が塗布法により形成される、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

本実施形態の高分子化合物、および本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料（ＥＬ素子材料）（以下、一括して、「高分子化合物／ＥＬ素子材料」とも称する）は、有機溶媒に対する溶解性に優れる。このため、本実施形態に係る高分子化合物／ＥＬ素子材料は、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に特に好適に用いられる。このため、本実施形態は、本実施形態の高分子化合物と、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物を提供する。このような液状組成物は、本発明に係る液状組成物の一例である。

また、上記のように実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料が、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に好適に用いられる。上記観点から、本実施形態は、本実施形態の高分子化合物を含有する薄膜を提供する。このような薄膜は、本発明に係る薄膜の一例である。

また、本実施形態に係るＥＬ素子材料は、正孔注入輸送性に優れる。このため、正孔注入材料、正孔輸送材料または発光材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても好適に利用され得る。このうち、正孔の輸送性の観点から、正孔注入材料または正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。

すなわち、本実施形態は、高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物を提供する。ここで、組成物に含まれる発光材料は、特に制限されないが、有機金属錯体（発光性有機金属錯体化合物）または半導体ナノ粒子（半導体無機ナノ粒子）を含有し得る。

［エレクトロルミネッセンス素子］
以下では、図１を参照して、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子について
、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。なお、本明細書において、「エレクトロルミネッセンス素子」は「ＥＬ素子」と省略する場合がある。

図１に示すように、本実施形態に係るＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。

ここで、本実施形態の高分子化合物は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機膜（有機層）中に含まれる。具体的には、高分子化合物は、正孔注入材料として正孔注入層１３０または正孔輸送材料として正孔輸送層１４０または発光材料（ホスト）として発光層１５０に含まれることが好ましい。高分子化合物は、正孔注入材料として正孔注入層１３０にまたは正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。高分子化合物は、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、高分子化合物を含む有機膜が、正孔輸送層、正孔注入層または発光層である。本発明のより好ましい形態では、高分子化合物を含む有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である。本発明の特に好ましい形態では、高分子化合物を含む有機膜が、正孔輸送層である。

また、本実施形態の高分子化合物／ＥＬ素子材料を含む有機膜は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。具体的には、有機膜は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅ ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ ｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法を用いて製膜される。

なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、高分子化合物／ＥＬ素子材料を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができ、使用する高分子化合物の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、シクロヘキサン等が例示できる。また、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、高分子化合物の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。

なお、高分子化合物／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層の製膜方法については、特に限定されない。本実施形態の高分子化合物／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層は、例えば、真空蒸着法にて製膜されてもよく、溶液塗布法にて製膜されてもよい。

基板１１０は、一般的なＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。

基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。また、基板１１０上に第１電極１２０を形成した後、必要であれば、洗浄、ＵＶ－オゾン処理を行ってもよい。

第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層であり、具体的には、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さ（乾燥膜厚；以下同様）にて形成されてもよい。

正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（poly(ether ketone)-containg triphenylamine：ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（4-isopropyl-4’-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリル－アミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamine：ＤＮＴＰＤ）、銅フタ
ロシアニン（copper phthalocyanine）、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニル
フェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェ
ニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）、４，４’，４”－トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(diphenylamino)triphenylamine：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－２－ナフチルフ
ェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N,N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine：２－ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／
ポリ（４－スチレンスルホネート）（poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、およびポリアニリン／１０－カンファースルホン
酸（polyaniline/10-camphorsulfonic acid）等を挙げることができる。

正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。正孔輸送層１４０は、本実施形態の高分子化合物を用いて溶液塗布法によって製膜されることが好ましい。この方法によれば、ＥＬ素子１００の耐久性（素子寿命、発光寿命）をより向上させることが可能である。また、ＥＬ素子１００の電流効率を向上させ、駆動電圧を低減させることも可能である。また、溶液塗布法にて正孔輸送層を形成できるため、効率的に大面積にて製膜することができる。

ただし、ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機膜が本実施形態の高分子化合物を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane：ＴＡＰＣ）、Ｎ－フェニルカルバ
ゾール（N-phenylcarbazole）およびポリビニルカルバゾール（polyvinylcarbazole）な
どのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine：ＴＰＤ）、４，４’
，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）等を挙げることができる。

正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット印刷法などを用いて形成される。発光層１５０は、例えば、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。発光層１５０の発光材料としては、公知の発光材料を用いることができる。ただし、発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、ＥＬ素子１００の駆動寿命をさらに向上させることができる。

発光層１５０は、特に制限されず、公知の構成とすることができる。好ましくは、発光層は、半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む。すなわち、本発明の好ましい形態では、有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する。なお、発光層が半導体ナノ粒子を含む場合には、ＥＬ素子は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）、量子ドット発光素子または量子点発光素子である。また、発光層が有機金属錯体を含む場合には、ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）である。

発光層が半導体ナノ粒子を含む形態（ＱＬＥＤ）において、発光層は、多数の半導体ナノ粒子（量子ドット）が単一層または複数層に配列されたものである。ここで、半導体ナノ粒子（量子ドット）は、量子拘束効果を持つ所定サイズの粒子である。半導体ナノ粒子（量子ドット）の直径（平均直径）は、特に制限されないが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度である。

発光層に配列される半導体ナノ粒子（量子ドット）は、ウェット化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程または他の類似した工程等により合成することができる。中でも、ウェット化学工程は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。

ウェット化学工程では、結晶が成長する際に、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割を果たすことで、結晶の成長が調節される。そのため、ウェット化学工程では、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ、Metal Organic Chemical Vapor Deposition）や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ、Molecular Beam Epitaxy）などの気相蒸着
法に比べて、容易かつ低コストで、半導体ナノ粒子の成長を制御することができる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、そのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節できるようになり、発光層（量子ドット発光層）で多様な波長帯の光を得ることができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することで、複数波長の光を出射（または発光）するディスプレイを可能にする。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成できるように、赤色、緑色、青色光が出射されるように選択できる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせられる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）としては、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素または化合物；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体物質等を用いることができる。

ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択されることができる。

ＩＶ族元素または化合物は、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される一元素化合物；及びＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物からなる群から選択される。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、均質な単一構造またはコア・シェルの二重構造を持つことができる。コア・シェルは相異なる物質を含むことができる。それぞれのコアとシェルとを構成する物質は、相異なる半導体化合物からなり得る。ただし、シェル物質のエネルギーバンドギャップは、コア物質のエネルギーバンドギャップより大きい。具体的には、ＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳなどの構造が好ましい。

例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を持つ量子ドットを作製する場合を説明する。まず、界面活性剤として、ＴＯＰＯ（trioctylphosphine oxide）を使用した
有機溶媒に、（ＣＨ_３）_２Ｃｄ（dimethylcadmium）、ＴＯＰＳｅ（trioctylphosphine selenide）などのコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を生成させる。このとき
、結晶が一定のサイズに成長するように高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、既に生成されたコアの表面にシェルを形成させる。これによって
、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。

また、発光層が有機金属錯体を含む形態（ＯＬＥＤ）において、発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、６，９－ジフェニル－９’－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、３，９－ジフェニル－５－（３－（４－フェニル－６－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）－１，３，５，－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、９，９’－ジフェニル－３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ３）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（poly(n-vinyl carbazole)：ＰＶＫ
）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（9,10-di(naphthalene)anthracene：ＡＤＮ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）
アントラセン（3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene：ＴＢＡＤＮ）、ジスチ
リルアリーレン（distyrylarylene：ＤＳＡ）、４，４’－ビス（９－カルバゾール）－
２，２’－ジメチル－ビフェニル（4,4’-bis(9-carbazole)2,2’-dimethyl-bipheny：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。

また、発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（perylene）およびその誘導体、ルブレン（rubrene）およびその誘導体、クマリン（coumarin）およびその
誘導体、４－ジシアノメチレン－２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン（4-dicyanomethylene-2-(pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran：ＤＣ
Ｍ）およびその誘導体、ビス［２－（４，６－ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinate]picolinate iridium(III)：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（tris(2-phenylpyridine)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（２－（３－ｐ－キシイル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。

発光層を形成する方法は、特に制限されない。半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む塗布液を塗布すること（溶液塗布法）によって形成できる。この際、塗布液を構成する溶媒としては、正孔輸送層中の材料（正孔輸送材料、特に高分子化合物）を溶解しない溶媒を選択することが好ましい。

発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層である。電子輸送層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。電子輸送材料としては、例えば、ＺｎＣｌ、ＺｎＭｇＯ、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ_３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素
芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene）のような
ピリジン（pyridine）環を含む化合物、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（2,4,6-tris(3’-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine）のようなトリアジン（triazine）環を含む化合物、２－（４－（Ｎ－フェニルベンゾイニダゾリル－１－イル－フェニル）－９，１０－ジナフチルアントラセン（2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール
（imidazole）環を含む化合物等を挙げることができる。上記電子輸送材料は、１種を単
独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層である。電子注入層１７０は、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層１７０は、約０．１ｎｍ以上約５ｎｍ以下、より具体的には約０．３ｎｍ以上約２ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（(8-quinolinato)lithium：Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（lithium）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（
Ｌｉ_２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。

電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、真空蒸着法などを用いて形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。第２電極１８０は、約１０ｎｍ以上約２００ｎｍ以下、より具体的には約５０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。または、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。

以上、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例として、本実施形態に係るＥＬ素子１００について説明した。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、高分子化合物を含む有機膜（特に正孔輸送層または正孔注入層）を設置することにより、耐久性（素子寿命、発光寿命）をより向上させることができる。また、発光効率（電流効率）をより向上させ、駆動電圧を低減させることができる。

なお、本実施形態に係るＥＬ素子１００の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。

例えば、ＥＬ素子１００は、励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（oxadiazole）誘導体、トリア
ゾール（triazole）誘導体、または、フェナントロリン（phenanthroline）誘導体等によって形成することができる。

さらに、本実施形態に係る高分子化合物は、上記ＱＬＥＤまたはＯＬＥＤ以外のエレクトロルミネッセンス素子に適用することができる。本実施形態に係る高分子化合物を適用することが可能な他のエレクトロルミネッセンス素子としては、特に限定されないが、例えば、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。

合成例１
（化合物Ｍ－１の合成）
化合物Ｍ－１を下記反応に従って合成した。

（化合物１ａの合成）
４つ口フラスコに、６，１２－ジヒドロインデノ［１，２－ｂ］フルオレン(6,12-dihydroindeno[1,2-b]fluorene)（３９．３ｍｍｏｌ、１０．０ｇ）、ＤＭＳＯ（６５ｍｌ）
、ｔ－ブトキシナトリウム（ＮａＯｔＢｕ）（２３５ｍｍｏｌ、２２．７ｇ）を入れ、窒素雰囲気下室温（２５℃）にて１０分間攪拌した。その後、１－ブロモヘキサン（２３５ｍｍｏｌ、３８．９ｇ）を滴下し、８０℃で３時間加熱攪拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却しヘキサンで抽出を行った。得られた有機層を濃縮後、ヘキサンとエタノールで再結晶を行い、化合物１ａを得た（収量 １９．７ｇ、収率 ８５％）。

（化合物Ｍ－１の合成）
４つ口フラスコに、上記で得られた化合物１ａ（１６．９ｍｍｏｌ、１０．０ｇ）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ_３）（０．２５ｍｍｏｌ、１５ｍｇ）、クロロホルム（１５０ｍｌ）を入れ、窒素雰囲気下０℃にて５分間攪拌した。その後、臭素（３３．８ｍｍｏｌ、１．７ｍｍｌ）を滴下し、滴下終了後、室温にて３時間攪拌した。反応終了後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を反応系中に加え、その後ヘキサンにて抽出を行い得られた有機層を濃縮後、ヘキサンとエタノールで再結晶を行い、化合物Ｍ－１を得た（収量 ６．１ｇ、収率 ７２％）。

合成例２
（化合物Ｍ－２の合成）
化合物Ｍ－２を下記反応に従って合成した。

合成例１において、１－ブロモヘキサンの代わりに、１－ブロモオクタンを使用する以外は、合成例１と同様にして、化合物Ｍ－２を得た（収量 ５．９ｇ、収率 ７０％）。

合成例３
（化合物Ｍ－３の合成）
化合物Ｍ－３を下記反応に従って合成した。

合成例１において、１－ブロモヘキサンの代わりに、１－ブロモドデカンを使用する以外は、合成例１と同様にして、化合物Ｍ－３を得た（収量 ５．４ｇ、収率 ７４％）。

合成例４
（Ｍ－Ａ１の合成）
化合物Ｍ－Ａ１を下記反応に従って合成した。

１Ｌ－四つ口フラスコに、９－（４－ヘキシルフェニル）－３－ヨード－９－カルバゾール（２０．０ｇ）、４－（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸（１５．３ｇ）、炭酸ナトリウム（９．５１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（２．４９ｇ）、トルエン（２２１ｍＬ）、エタノール（１１０ｍＬ）、水（１１０ｍＬ）を加え、１２０℃（バス温）で３時間攪拌した。室温まで冷却後、水層を分離し、有機層を水（１００Ｌ×２）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製し、４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アニリン（１７．７ｇ）を得た。

５００ｍＬ－四つ口フラスコに、上記で得られた４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾールー３－イル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル）アニリン（１７．７ｇ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（３１０ｍＬ）を加え氷冷し、窒素雰囲気下でＤＭＦ（３０ｍＬ）に溶解したＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（１１．７ｇ）を滴下し、６時間攪拌した。不溶物を濾別し、メタノール（８００ｍＬ）、水（８００ｍＬ）で洗浄し、真空乾燥し、４－ブロモ－Ｎ－（４－ブロモフェニル）－Ｎ－（４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）フェニル）アニリン（１４．０ｇ）を得た。

５００ｍＬ－四つ口フラスコに、上記で得られた４－ブロモ－Ｎ－（４－ブロモフェニル）－Ｎ－（４－（９－（４－ヘキシルフェニル）－９－カルバゾール－３－イル）フェニル）アニリン（１４．０ｇ）、ビスピナコールジボレート（１４．８ｇ）、酢酸カリウム（ＫＯＡｃ）（１１．４ｇ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロライドジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）ＣＨ_２Ｃｌ_２）（０．４７７ｇ）、１，４－ジオキサン（１６０ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気下で１００℃で４時間還流した。反応液を室温まで冷却し、セライトを濾過助剤に用い固体
を濾別し、ろ液をシリカゲルに通した。溶媒を減圧留去し、トルエン（２００ｍＬ）に溶解し、活性炭（１４．２ｇ）を加えて３０分間還流した。活性炭を濾別し、溶媒を減圧留去し、トルエンとアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶し、化合物Ｍ－Ａ１（１１．９ｇ）を得た。

実施例１
（高分子化合物Ｐ－１の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例４で合成した化合物Ｍ－Ａ１（１．７７７ｇ）、上記合成例１で合成した化合物Ｍ－１（１．６１７ｇ）、酢酸パラジウム（４．８ｍｇ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４５．７ｇ）、トルエン（６４ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を混合し、６時間還流攪拌した。次に、反応溶液にフェニルボロン酸（２６１．４ｍｇ）、ビス（トリフェニルスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９１．０ｍｇ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、６時間加熱還流した。その後、得られた溶液から水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．５ｇ）、およびイオン交換水（６０ｍＬ）を加え８５℃で６時間攪拌した。得られた溶液について、有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して重合体を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ｐ－１を得た（収量 １．５６ｇ）。得られた高分子化合物Ｐ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１５０，６００および２．３５であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－１は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例２
（高分子化合物Ｐ－２の合成）
実施例１において、化合物Ｍ－１の代わりに、上記合成例２で合成した化合物Ｍ－２（１．２９６ｇ ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、高分子化合物Ｐ－２を得た
。得られた高分子化合物Ｐ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１４９，０００および２．２４であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－２は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例３
（高分子化合物Ｐ－３の合成）
実施例１において、化合物Ｍ－１の代わりに、上記合成例３で合成した化合物Ｍ－３（１．６７３ｇ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、高分子化合物Ｐ－３を得た。得られた高分子化合物Ｐ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１３４，４００および２．２３であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－３は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例４
（高分子化合物Ｐ－４の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例４で合成した化合物Ｍ－Ａ１（０．５９２ｇ、１．０ｍｏｌ当量）、上記合成例１で合成した化合物Ｍ－１（０．２７０ｇ、０．５ｍｏｌ当量）、上記合成例３で合成した化合物Ｍ－３（０．３９１ｇ、０．５ｍｏｌ当量）、酢酸パラジウム（１．６ｍｇ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（１５．７ｇ）、トルエン（２０ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４．１ｇ）を混合し、６時間還流攪拌した。次に、反応溶液にフェニルボロン酸（２６１
．４ｍｇ）、ビス（トリフェニルスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（３０．１ｍｇ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、６時間加熱還流した。その後、得られた溶液から水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．５ｇ）、およびイオン交換水（６０ｍＬ）を加え８５℃で６時間攪拌した。得られた溶液について、有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して重合体を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、高分子化合物Ｐ－４を得た（収量 ０．５６ｇ）。得られた高分子化合物Ｐ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１８５，０００および２．５６であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－４は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例５
（高分子化合物Ｐ－５の合成）
実施例４において、上記合成例４で合成した化合物Ｍ－Ａ１（０．７９０ｇ、１．０ｍｏｌ当量）、上記合成例１で合成した化合物Ｍ－１（０．２７０ｇ、０．３７５ｍｏｌ当量）、および上記合成例３で合成した化合物Ｍ－３（０．６５１ｇ、０．６２５ｍｏｌ当量）を代わりに使用した以外は、実施例４と同様にして、高分子化合物Ｐ－５を得た。得られた高分子化合物Ｐ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１０２，０００および２．１２であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－５は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例６
（高分子化合物Ｐ－６の合成）
実施例４において、上記合成例４で合成した化合物Ｍ－Ａ１（０．５９２ｇ、１．０ｍｏｌ当量）、上記合成例１で合成した化合物Ｍ－１（０．１３５ｇ、０．２５ｍｏｌ当量）、および上記合成例３で合成した化合物Ｍ－３（０．５８６ｇ、０．７５ｍｏｌ当量）を代わりに使用した以外は、実施例４と同様にして、高分子化合物Ｐ－６を得た。得られた高分子化合物Ｐ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、５５，０００および２．２０であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－６は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

比較例１
（高分子化合物Ｐ－７の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例４で合成した化合物Ｍ－Ａ１（１．６４ｇ）、２，７－ジブロモ－９，９－ジ－ｎ－ヘキシルフルオレン（０．９８３ｇ）、酢酸パラジウム（９．０ｍｇ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４２．２ｍｇ）、トルエン（５３ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．３ｇ）を四つ口フラスコに加え、８５℃で６時間攪拌した。次に、フェニルボロン酸（２４１ｍｇ）、テトラキシ（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（１４０ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．３ｇ）を加え、３時間攪拌した
。その後、イオン交換水（５０ｍＬ）に溶解したＮ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１３．５ｇ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をシリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をトルエンに溶解させた。次に、この溶液をメタノールに滴下し析出させ、析出した固体をろ別、乾燥して、高分子化合物Ｐ－７を得た（１．３５ｇ）。得られた高分子化合物Ｐ－７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、高分子化合物Ｐ－７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、８６，０００および２．５６であった。

このようにして得られた高分子化合物Ｐ－７は、単量体の仕込み比から以下の構成単位を有する高分子化合物であると推定される。

実施例７
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。

この正孔注入層上に、実施例１の高分子化合物Ｐ－１（正孔輸送材料）の１．０質量％のトルエン溶液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、２３０℃で６０分間熱処理して、正孔輸送層を形成した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。

オクタン中に、下記構造：

を有するＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、２．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層（特に高分子化合物Ｐ－１）はオクタンには溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が４６２ｎｍ、半値幅が３０ｎｍであった。

次に、ＺｎＣｌを溶媒であるエタノールに０．７ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解してＺｎＣｌ塗布液を調製した。上記で調製したＺｎＣｌ塗布液を上記で形成した発光面を覆うようにゆっくりと滴下し、６０秒放置した後にスピンコート法により１０００ｒｐｍで４０秒間回転させ、８０℃で２０分間加熱乾燥した。続いて、エタノールを上記で形成した発光面を覆うようにゆっくりと滴下し、スピンコート法により１０００ｒｐｍで回転させる操作を２度繰り返し、８０℃で２０分間加熱乾燥した。

エタノールに、ＺｎＭｇＯを１質量％となるように分散し、ＺｎＭｇＯ分散液を調製した。乾燥膜厚が２０ｎｍになるようにスピンコート法によりＺｎＭｇＯ分散液を上記量子ドット発光層上に塗布し、８０℃で３０分間加熱乾燥した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）２０ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。

真空蒸着装置を用いて、この電子輸送層上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着させた。その結果、厚さ１００ｎｍの第２電極（陰極）が電子輸送層上に形成された。これにより、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１を得た。

実施例８
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例２の高分子化合物Ｐ－２を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２を作製した。

実施例９
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例３の高分子化合物Ｐ－３を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３を作製した。

実施例１０
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例４の高分子化合物Ｐ－４を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素
子４を作製した。

実施例１１
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例５の高分子化合物Ｐ－５を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５を作製した。

実施例１２
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例２の高分子化合物Ｐ－６を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子６を作製した。

比較例２
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、下記構成単位を有するポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、比較量子ドットエレクトロル
ミネッセンス素子１を作製した。なお、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、ＴＦＢの重量平均分子量及びＭｗ／Ｍｎは、それぞれ、３５９，０００および３．４であった。

比較例３
実施例７において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、比較例１の高分子化合物Ｐ－７を使用した以外は、実施例７と同様の操作を行い、比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２を作製した。

［量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の評価１］
上記実施例７～１２にて作製した量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１～６および比較例２～３にて作製した比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１～２について、下記方法により、発光特性（Ｖ＠５ｍＡ（Ｖ）、ΔＶ（Ｖ））および発光寿命を評価した。結果を下記表１に示す。

（Ｖ＠５ｍＡ（Ｖ））
直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒ））を用いて、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子に対して、電圧を印加すると、一定の電圧で電流が流れ始め、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子が発光する。電流密度が５ｍＡ／ｃｍ^２における電圧（Ｖ）を駆動電圧「Ｖ＠５ｍＡ（Ｖ）」とした。

（ΔＶ（Ｖ）および発光寿命）
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（source meter））を用いて、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子に対して所定の電圧を加え、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を発光させる。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光を輝度測定装置（株式会社トプコン製、ＳＲ－３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が６５０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）になったところで電流を一定にし、放置する。輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の９０％になるまでの時間を「ＬＴ９０（ｈｒ）」とする。また、輝度が６５０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）になった初期電圧（Ｖ）と初期輝度の５０％になった時の電圧（Ｖ）の差をΔＶ（Ｖ）とする。なお、下記表１において、各素子のＬＴ９０（ｈｒ）は、比較例２の比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２のＬＴ９０（ｈｒ）を１．０とした際の相対値を算出し、「ＬＴ９０ ＴＦＢ＝１」の欄に示す。

上記表１の結果から、実施例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１～６は、比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１～２に比して、有意に高い耐久性（有意に長い発光寿命）を発揮できることが分かる。

［各高分子化合物の特性評価］
上記実施例１～６の高分子化合物Ｐ－１～Ｐ－６ならびにＴＦＢおよび比較例１の高分子化合物Ｐ－７について、下記方法により、ＨＯＭＯ準位（ｅＶ）およびガラス転移温度（Ｔｇ）（℃）を測定した。結果を下記表２に示す。

また、上記実施例１～６の高分子化合物Ｐ－１～Ｐ－６ならびにＴＦＢおよび比較例１の高分子化合物Ｐ－７について、下記方法により、モデル素子の特性を評価した。結果を下記表２に示す。

（ＨＯＭＯ準位の測定）
各高分子化合物を、濃度が１質量％となるようにキシレンに溶解させ、塗布液を調製する。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数２０００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、１５０℃、３０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製する。大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ－３）を用いて、サンプルのＨＯＭＯ準位を測定する。このとき、
測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、ＨＯＭＯ準位（ｅＶ）とする。なお、ＨＯＭＯ準位は、通常、負の数値である。

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
各高分子化合物を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して１０分間保持したサンプルを、降温速度１０℃／分で２５℃まで冷却して１０分間保持した後、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して測定を行う。測定終了後は１０℃／分で室温（２５℃）まで冷却する。

（参考実験：モデル素子の特性評価）
（参考例１）
第１電極（陽極）として、ストライプ状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍで成膜されたガラス基板を準備した。ガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ－ＰＳＳ（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布し乾燥して、乾燥膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。

次に、実施例１の高分子化合物Ｐ－１（正孔輸送材料）を、溶媒であるキシレンに１質量％の濃度で溶解して高分子塗布液を調製した。上記にて調製した高分子塗布液を、上記で形成した正孔注入層上に乾燥膜厚が３０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布し、１５０℃で３０分間加熱乾燥した。これにより、乾燥膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

別途、実施例７と同様にして、量子ドット分散液を調製した。この量子ドット分散液を、上記で形成した正孔輸送層上に乾燥膜厚が２０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布し、８０℃で３０分間加熱乾燥した。これにより、乾燥膜厚２０ｎｍの量子ドット発光層を形成した。

次に、ＺｎＣｌを溶媒であるエタノールに０．７ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解して、ＺｎＣｌ塗布液を調製した。上記で調製したＺｎＣｌ塗布液を、上記で形成した量子ドット発光層を覆うようにゆっくりと滴下し、６０秒放置した後にスピンコート法により１０００ｒｐｍで４０秒間回転させ、８０℃で２０分間加熱乾燥した。続いて、エタノールを上記で形成した発光層を覆うようにゆっくりと滴下し、スピンコート法により１０００ｒｐｍで回転させる操作を２度繰り返し、８０℃で２０分間加熱乾燥した。

α－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）と、ＨＡＴ－ＣＮ（ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル）とを、順に真空蒸着法により、上記で形成した正孔輸送層に順次蒸着させて、それぞれ厚さ３６ｎｍ、１０ｎｍとなるように電子阻止層を形成して、ホールオンリー素子１を作製した。

（参考例２）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例２の高分子化合物Ｐ－２を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、ホールオンリー素子２を作製した。

（参考例３）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例３の高分子化合物Ｐ－３を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、ホールオンリー素子３を作製した。

（参考例４）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例４の高分子化合物Ｐ－４を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、ホールオンリー素子４を作製した。

（参考例５）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例５の高分子化合物Ｐ－５を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、ホールオンリー素子５を作製した。

（参考例６）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、実施例６の高分子化合物Ｐ－６を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、ホールオンリー素子６を作製した。

（比較参考例１）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、比較例２のＴＦＢを使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、比較ホールオンリー素子１を作製した。

（比較参考例２）
参考例１において、高分子化合物Ｐ－１の代わりに、比較例１の高分子化合物Ｐ－７を使用した以外は、参考例１と同様の操作を行い、比較ホールオンリー素子２を作製した。

上記にて得られたホールオンリー素子１～６および比較ホールオンリー素子１～２について、下記方法により、Hole Current Density @ 8Vを評価した。

（Ｈｏｌｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ＠ ８Ｖ）
各ホールオンリー素子を、直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ(source meter)）を用いて、徐々に電圧を増加させ、８Ｖでの電流値を計測し、各素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度（Ａ／ｍ^２））を計算し、これを「Ｈｏｌｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ＠ ８Ｖ」とする。結果を下記表２に示す。なお、下記表２において、各ホールオンリー素子の電流密度は、参考比較例１の比較ホールオンリー素子１の電流密度を１．００とした場合の相対値で表わし、下記表２において「ＨＯＤ＠８Ｖ ＴＦＢ＝１」に示す。

上記表２から明らかなように、参考例１～６の素子は、比較参考例１、２の素子と比較して、正孔注入輸送性に優れることがわかる。このことから、本願発明に係る素子は、長寿命化効果を奏すると考察される

１００…エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、
１１０…基板、
１２０…第１電極、
１３０…正孔注入層、
１４０…正孔輸送層、
１５０…発光層、
１６０…電子輸送層、
１７０…電子注入層、
１８０…第２電極。

Claims (10)

1. 下記式（１）で表される構成単位、または下記式（１）で表される構成単位および下記式（２）で表される構成単位を含む高分子化合物：
   
   上記式（１）中、
   Ｒ^１１～Ｒ^１４、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、
   Ｌ^１は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
   ｘは、０、１または２であり、ｘが２である場合には、Ｌ^１はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
   Ｌ^２は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^２はＡｒ^１と環を形成してよく、
   Ａｒ^１は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^２またはＬ^２と環を形成し、
   Ａｒ^２は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^２は、Ａｒ^１と環を形成してよい；
   
   上記式（２）中、
   Ｒ^４１～Ｒ^４４、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３およびＲ^３４は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１８以下の炭化水素基を表し、この際、Ｒ^４１～Ｒ^４４は、上記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４と相互に異なり、
   Ｌ^３は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、
   ｙは、０、１または２であり、ｙが２である場合には、Ｌ^３はそれぞれ同じであってもまたは異なるものであってもよく、
   Ｌ^４は、置換されたもしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または置換されたもしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ｌ^４はＡｒ^３と環を形成してよく、
   Ａｒ^３は、置換もしくは非置換の環形成原子数６以上２５以下の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは非置換の環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基を表し、かつＡｒ^４またはＬ^４と環を形成し、
   Ａｒ^４は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基、または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基、環形成原子数６以上２５以下の芳香族炭化水素基または環形成原子数５以上１４以下の２価の芳香族複素環基で置換されてもよい環形成原子数５以上１４以下の芳香族複素環基を表し、この際、Ａｒ^４は、Ａｒ^３と環を形成してよい。
2. 前記式（１）で表される構成単位および前記式（２）で表される構成単位を含み、この際、前記式（１）中のＲ^１１～Ｒ^１４は、それぞれ独立して、炭素数３以上９以下の炭化水素基を表し、前記式（２）中のＲ^４１～Ｒ^４４は、それぞれ独立して、炭素数１０以上１４以下の炭化水素基を表す、請求項１に記載の高分子化合物。
3. 前記式（１）で表される構成単位および前記式（２）で表される構成単位を含み、この際、前記式（１）中のＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｌ^１、ｘ、Ｌ^２、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ、前記式（２）中のＲ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｌ^３、ｙ、Ｌ^４、Ａｒ^３およびＡｒ^４と同じである、請求項１または２に記載の高分子化合物。
4. 前記式（２）で表される構成単位は、前記式（１）で表される構成単位 １モルに対して、１モル以上２０モル以下の割合で存在する、請求項２または３に記載の高分子化合物。
5. 前記式（１）中の下記構造：
   
   または前記式(２)中の下記構造：
   
   は、それぞれ独立して、下記群から選択される構造を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の高分子化合物：
   
   上記構造中、Ｒ^５１～Ｒ^５４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基、または下記群から選択される基を表し、
   
   Ａｒ^４１１～Ａｒ^４１７は、それぞれ独立して、下記群から選択される基を表し、
   
   この際、Ｒ^５５～Ｒ^５７は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基、または下記群から選択される基を表し、
   
   Ｒ^５８およびＲ^５９は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐したアルキル基を表す。
6. 前記式（１）中の下記構造：
   
   または前記式（２）中の下記構造：
   
   は、それぞれ独立して、下記群から選択される構造を有する、請求項５に記載の高分子化合物：
   
   上記構造中、Ａｒ^４１２～Ａｒ^４１６は、それぞれ独立して、下記群から選択される基を表し；
   
   上記構造中、Ｒ^５５～Ｒ^５７は、それぞれ独立して、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基を表す。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の高分子化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子材料。
8. 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記有機膜の少なくとも１層は、請求項１～６のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む、エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記高分子化合物を含む有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する、請求項８または９に記載のエレクトロルミネッセンス素子。