JP2023035869A

JP2023035869A - 特定範囲内のオーバーラップインデックスを有する重合体、特定構造の重合体、組成物、およびエレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: JP2023035869A
Application number: JP2022122163A
Authority: JP
Inventors: 文昭加藤; Fumiaki Kato; 寛人石井; Hiroto Ishii; 高広藤山; Takahiro Fujiyama; 雅司辻; Masashi Tsuji; 直俊菅沼; Naotoshi Suganuma; 悠作小西; Yusaku Konishi; テホキム; Taeho Kim; ハイルクォン; Ha Il Kwon; ウォンシクユ; Won Sik Yu; ウンジュチャン; Eun Joo Jang
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2021-08-31
Filing date: 2022-07-29
Publication date: 2023-03-13

Abstract

【課題】本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子において、高輝度、高効率かつ優れた素子寿命を達成しうる手段が提供される。【解決手段】本発明は、オーバーラップインデックスが０．００００１以上１．８以下である、重合体に関する。または、本発明は、式（１）で示される構成単位を有する重合体に関する。JPEG2023035869000134.jpg52161【選択図】なし

Description

本発明は、特定のオーバーラップインデックスを有する重合体、特定構造の重合体、組成物、およびエレクトロルミネッセンス素子に関する。

エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、研究開発が活発に進められている。特に、ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に数ナノメートルから数百ナノメートルの薄膜を有する発光素子である。また、ＥＬ素子は、通常、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを有する。

長寿命かつ色純度に優れるＥＬ素子の実現の観点から、発光材料に無機発光物質である「量子ドット」を用いる発光デバイスが検討されている（特許文献１）。量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔ；ＱＤ）は、数ナノメートルの大きさの結晶構造を有する半導体物質であって、数百から数千個程度の原子で構成されている。量子ドットは、その大きさが原子のド・ブロイ波長に相当する粒径であるため、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果などを示す。このような量子閉じ込め効果により、量子ドットは、その大きさを調節することだけで発光波長を調節することができ、優れた色純度および高いＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光効率などの特性を有するため、多くの関心を集めている。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ｑｕａｎｔｕｍｄｏｔｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｄｅｖｉｃｅ；ＱＤＬＥＤ、ＱＬＥＤ）は、量子ドット発光層を間において両端に正孔輸送層および電子輸送層を含む３層構造の素子が基本素子として知られている。

また、電荷輸送材料の一例としては、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）をはじめとする、主鎖内に、トリアリールアミン構造を形成する窒素原子を含む、重合体が知られている（特許文献２～７）。そして、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）において、正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料として、かような重合体のうち、特定の構造のものを用いることで、優れた素子特性が得られることが知られている（特許文献３、４、６および７）。

特開２０１０－１９９０６７号公報中国特許出願公開第１０８５５９０６６号明細書国際公開第２０２０／００９０６９号特開２００９－２６３６６５号公報特開２００５－３０６９９８号公報国際公開第２００９／１１０３６０号国際公開第２０１９／１７７１７５号

しかしながら、特許文献１に記載の正孔輸送材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子では、十分な素子寿命を達成することができなかった。

また、本発明者らは、正孔輸送材料として、ＴＦＢ、または特許文献２～７に記載の高分子化合物を用いたエレクトロルミネッセンス素子でも、十分な素子寿命を達成することができない場合があることを見出した。

そこで本発明は、エレクトロルミネッセンス素子において、高輝度、高効率かつ優れた素子寿命を達成しうる手段を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、特定範囲内のオーバーラップインデックスを有する重合体を用いることによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、上記課題は、以下の手段によって達成されうる。

下記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．８以下である、重合体：

上記式において、ｋは、重合体を構成する構成単位の化学式における原子に与えた通し番号であり、ｄ^ｋ _ＨＯＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＨＯＭＯの分布密度を示し、ｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＬＵＭＯの分布密度を示す。

ｄ^ｋ _ＨＯＭＯおよびｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、それぞれ、密度汎関数法（ＤｅｎｓｉｔｙＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＴｈｅｏｒｙ，ＤＦＴ）により、量子化学計算ソフトウェアを用い、汎関数Ｂ３ＬＹＰ、基底関数６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）にて算出した値である。量子化学計算ソフトウェアとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６（ＧａｕｓｓｉａｎＩｎｃ．）を用いることができる。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、特定の構造を有する重合体を用いることによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

下記式（１）で表される構成単位を含む、重合体：

上記式（１）中、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上１２０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ａｒ^５は、単結合、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
各Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
各Ｒ^２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
Ａは、下記式（２）または下記式（３）で表される構造であり、

上記式（２）中、
各Ａｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
２以上のＡｒ^７は、当該２以上のＡｒ^７が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す；
上記式（３）中、
各Ａｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^９は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
Ｘは、Ｓ、Ｏまたは、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃを表し、
２以上のＡｒ^９は、当該２以上のＡｒ^９が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す。

本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子において、高輝度、高効率かつ優れた素子寿命を達成しうる手段を提供することが可能となる。

本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。比較例化合物であるＴＦＢの、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。比較例化合物であるＴＦＢの、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－７の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－７の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－１の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－１の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－２の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－２の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－３の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。本発明の一実施形態に係る重合体Ａ－３の、オーバーラップインデックスの算出方法、ならびにＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度の重なりを説明する説明図である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で測定する。

本明細書において、「ＸおよびＹは、それぞれ独立して」とは、ＸおよびＹが同一であってもよいし、異なっていてもよいことを意味する。

本明細書において、「環由来の基」とは、環構造から、環構成元素に直接結合する水素原子を価数の分だけ外してなる基を表す。

本明細書において、「環集合」とは、単結合を介して結合した２以上の環を表す。また、「環集合基」、「環集合由来の基」とは、環集合構造から、環構成元素に直接結合する水素原子を価数の分だけ外してなる基を表す。

＜重合体＞
本発明の一態様は、下記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．８以下である、重合体に関する：

なお、当該重合体は、単独重合体であってもよく、共重合体であってもよい。

本発明者らは、上記構成によって課題が解決されるメカニズムを以下のように推定している。

以下に詳細を記載するオーバーラップインデックス（ＯｖｅｒｌａｐＩｎｄｅｘ）は、注目する分子構造内のＨＯＭＯ（ＨｉｇｈｅｓｔＯｃｃｕｐｉｅｄＭｏｌｅｃｕｌａｒＯｒｂｉｔａｌ）と、ＬＵＭＯ（ＬｏｗｅｓｔＵｎｏｃｃｕｐｉｅｄＭｏｌｅｃｕｌａｒＯｒｂｉｔａｌ）との重なりの度合いを示すパラメータである。オーバーラップインデックスの値が大きいほど、注目する分子構造内のＨＯＭＯと、ＬＵＭＯとの重なりが大きくなることを示す。また、オーバーラップインデックスの値が小さいほど（０に近いほど）、注目する分子構造内のＨＯＭＯと、ＬＵＭＯとの重なりが小さくなること示す。

電荷輸送性を有する材料の分子内には、主に電荷輸送を担う部分が存在する。例えば、正孔輸送材料の分子内には、主に正孔輸送を担う部分が存在する。この主に正孔輸送を担う部分は、正孔輸送材料の分子内において、ＨＯＭＯに対応する部分である。この主に正孔輸送を担う部分は電子に弱く、当該部分に電子が注入されることで当該部分に不可逆的な変化が生じ、化合物の劣化が生じることとなる。また、正孔輸送材料に電子が注入される場合、この電子が注入される部分は、正孔輸送材料の分子内において、ＬＵＭＯに対応する部分である。ここで、正孔輸送材料において、主に正孔輸送を担う部分と、電子が注入される部分とが重なる場合、すなわち、正孔輸送材料において、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分とが重なる場合を考える。このとき、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが大きいほど、電子がこれらの重なる部分に注入される可能性が高まる。そして、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが大きいほど、電子の注入によってこれらの重なる部分に起因して正孔輸送材料に不可逆的な変化が生じる可能性が高まる。よって、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが大きいほど、正孔輸送材料の劣化が生じる可能性がより高まる。このように、電荷輸送材料を用いるエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命は、電荷輸送材料の劣化によって短くなる。

しかしながら、本発明の一態様に係る重合体は、オーバーラップインデックスが一定以下の値であり、注目する分子構造内のＨＯＭＯと、ＬＵＭＯとの重なりは極めて小さい。このことから、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さいほど、電子の注入によってこれらの重なる部分に起因して重合体に不可逆的な変化が生じる可能性は低くなる。よって、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さいほど、重合体の劣化が生じる可能性は低くなる。よって、本発明の一態様に係る重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命は大幅に向上する。

なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。また、本明細書における他の推測事項についても同様に、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。

オーバーラップインデックスは、エレクトロルミネッセンス素子の素子寿命向上の観点から、小さい方が好ましい。オーバーラップインデックスは、１．８以下であることが好ましく、１．２以下であることがより好ましく、１．０以下であることがさらに好ましく、０．６以下であることがよりさらに好ましい。また、オーバーラップインデックスは、０．００００１以上が好ましく、０．００００５以上がより好ましく、０．０００１以上がさらに好ましい。これらの範囲であると、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。オーバーラップインデックスの好ましい範囲の例としては、０．００００１以上１．８以下、０．００００１以上１．２以下、０．００００５以上１．０以下、０．０００１以上０．６以下等が挙げられるが、オーバーラップインデックスの範囲はこれらに限定されない。

オーバーラップインデックス（ＯｖｅｒｌａｐＩｎｄｅｘ）は、以下のように計算することができる。まず、重合体を構成する構成単位（繰り返し単位）について、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、およびこれらの分布密度を、密度汎関数法（ＤｅｎｓｉｔｙＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＴｈｅｏｒｙ，ＤＦＴ）により、計算ソフトウェアとしてＧａｕｓｓｉａｎ１６（ＧａｕｓｓｉａｎＩｎｃ．）を用い、汎関数Ｂ３ＬＹＰ、基底関数６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）にて算出する。次いで、上記計算にて算出した、重合体を構成する構成単位の各原子上のＨＯＭＯの分布密度およびＬＵＭＯの分布密度を用い、上記のオーバーラップインデックスの算出式に従いＨＯＭＯとＬＵＭＯとの重なりとしてオーバーラップインデックスを計算する。

オーバーラップインデックスの計算は、重合体の構成単位の基底状態について実施し、電子が分布する最高軌道をＨＯＭＯ、電子が分布しない最低軌道をＬＵＭＯとしている。

重合体が１種の構成単位（繰り返し単位）のみを有する場合は、オーバーラップインデックスは、当該構成単位で計算された値となる。また、重合体が２以上の構成単位（繰り返し単位）を有する場合には、各構成単位のオーバーラップインデックスをそれぞれ計算し、各構成単位のオーバーラップインデックスと、各構成単位の含有割合（重合体を構成する全構成単位数に対する各構成単位数の割合）との積の値をそれぞれ算出し、得られた値の総和を重合体のオーバーラップインデックスとする。詳細については実施例に記載する。

本発明の一実施形態に係る重合体は、下記式（１）で表される構成単位を含む、重合体であることが好ましい：

本発明者らは、上記式（１）で表される構成単位を含む重合体によって課題が解決されるメカニズムを以下のように推定している。

しかしながら、上記式（１）で表される構成単位を含む重合体では、これらの構成単位において、ＨＯＭＯに対応する部分は、主鎖を構成する窒素原子を含むトリアリールアミン構造の周辺に位置する。また、ＬＵＭＯに対応する部分は、側鎖内のカルバゾール環の窒素原子と結合する芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、または１以上の芳香族炭化水素環および１以上の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する環集合基の周辺に位置する。よって、これらの構成単位内のＨＯＭＯと、ＬＵＭＯとの重なりは極めて小さい。このことから、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さいほど、電子の注入によってこれらの重なる部分に不可逆的な変化が生じる可能性は低くなる。よって、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さいほど、化合物の劣化が生じる可能性は低くなる。よって、これらの構成単位を含む重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命は大幅に向上する。

これより、本発明の他の一形態は、上記式（１）で表される構成単位を含む、重合体であるとも言える。

上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。上記式（１）において、Ａｒ^３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上１２０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^１～Ａｒ^３は、同じであっても異なっていてもよい。素子寿命の向上の観点から、Ａｒ^１～Ａｒ^３は同じであることが好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。上記式（１）において、Ａｒ^５は、単結合、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表す。

Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４をそれぞれ構成しうる、炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基は、特に制限されない。Ａｒ^３を構成しうる、炭素数６以上１２０以下の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは、炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基）は、特に制限されない。Ａｒ^１～Ａｒ^４をそれぞれ構成しうる芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン（フェニレン基）、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ピレン等の芳香族炭化水素環由来の２価の基、ビフェニル（ビフェニレン基）、テルフェニル（テルフェニレン基）、クアテルフェニル（クアテルフェニレン基）、キンキフェニル（キンキフェニレン基）、セキシフェニル（セキシフェニレン基）等の、単結合を介して結合した２以上の芳香族炭化水素環の環集合由来の２価の基が挙げられる。なお、本明細書では、例えばフルオレンのような、芳香族炭化水素環部分を含む炭化水素環も芳香族複素環として取り扱う。

Ａｒ^４およびＡｒ^５をそれぞれ構成しうる、環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基は、特に制限されない。Ａｒ^４およびＡｒ^５をそれぞれ構成しうる芳香族複素環基としては、例えば、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、アントラキノン、フルオレノン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾフェナントリジン、ベンズイミダゾフェナントリジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン、ピリジン、キノリン、アントラキノリン等の芳香族複素環由来の２価の基、ビピリジン、ビピリミジン、ビピラジン等の、単結合を介して結合した２以上の芳香族複素環の環集合由来の２価の基が挙げられる。なお、本明細書では、例えばジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾールのような、芳香族環部分を含む複素環も芳香族複素環として取り扱う。本明細書において、芳香族複素環には、ヘテロ原子が環状部分を直接形成する原子と二重結合を介して結合した構造を有する環も含まれるものとする。

Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合、当該置換基の導入数は、特に制限されない。Ａｒ^１～Ａｒ^５における置換基の導入数は、それぞれ独立して、好ましくは１以上３以下であり、より好ましくは１以上２以下であり、さらに好ましくは１である。Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合、当該置換基の種類は、特に制限されない。Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合の当該置換基の種類は、例えば、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、ハロゲン基等が挙げられる。Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合、当該置換基は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^１～Ａｒ^５がそれぞれ置換基で置換された基であって、それぞれ２以上の当該置換基を有する場合、Ａｒ^１～Ａｒ^５のそれぞれにおいて、２以上の当該置換基は同じであっても異なっていてもよい。

アルキル基としては、特に制限されない。アルキル基の炭素数は、特に制限されないが、１以上２０以下であることが好ましい。

アルキル基としては、特に制限されず、直鎖、分岐および環状のいずれでよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

ヒドロキシアルキル基としては、特に制限されないが、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の水酸基で置換されるもの（例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基）等が挙げられる。

アルコキシ基としては、特に制限されないが、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

アルコキシアルキル基としては、特に制限されないが、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の上記アルコキシ基で置換されるもの等が挙げられる。

アルケニル基としては、特に制限されないが、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、２－ヘプテニル基、５－ヘプテニル基、１－オクテニル基、３－オクテニル基、５－オクテニル基、１，３－ブタジエニル基等が挙げられる。

アルキニル基としては、特に制限されないが、例えば、アセチレニル基（エチニル基）、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンテチル基、２－ペンテチル基、３－ペンテチル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、３－ヘキシニル基、１－ヘプチニル基、２－ヘプチニル基、５－ヘプチニル基、１－オクチニル基、３－オクチニル基、５－オクチニル基等が挙げられる。

アルキルチオ基としては、特に制限されないが、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。

アルコキシカルボニル基としては、特に制限されないが、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。

ハロゲン基としては、特に制限されないが、例えば、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられる。

Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合、当該置換基としては、それぞれ、アルキル基が好ましく、炭素数１以上１８以下の直鎖または分岐のアルキル基がより好ましい。また、炭素数１以上８以下の直鎖アルキル基がさらに好ましく、ｎ－オクチル基が特に好ましい。

Ａｒ^１～Ａｒ^３をそれぞれ構成しうる基は、置換されたもしくは非置換のフェニレン基、置換されたもしくは非置換のナフチレン基、置換されたもしくは非置換のアントラセン由来の２価の基（置換されたもしくは非置換のアントラセン環由来の２価の基）、置換されたもしくは非置換のフルオレン由来の２価の基（置換されたもしくは非置換のフルオレン環由来の２価の基）、または置換されたもしくは非置換のビフェニレン基が好ましい。Ａｒ^１～Ａｒ^３をそれぞれ構成しうる基は、置換されたもしくは非置換のフェニレン基がより好ましく、フェニレン基がさらに好ましく、ｐ－フェニレン基が特に好ましい。

Ａｒ^４を構成しうる基は、置換されたもしくは非置換のフェニレン基、置換されたもしくは非置換のナフチレン基、置換されたもしくは非置換のアントラセン由来の２価の基（置換されたもしくは非置換のアントラセン環由来の２価の基）、置換されたもしくは非置換のフルオレン由来の２価の基（置換されたもしくは非置換のフルオレン環由来の２価の基）、または置換されたもしくは非置換のビフェニレン基が好ましい。Ａｒ^４を構成しうる基は、置換されたもしくは非置換のフルオレン由来の２価の基がより好ましく、２つのアルキル基で置換されたフルオレン由来の２価の基がさらに好ましく、２つのｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基で置換されたフルオレン由来の２価の基が特に好ましい。

Ａｒ^５は、単結合が好ましい。

本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）において、Ａｒ^３は、下記群（Ｉ）
から選択される基であることが好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^３は、下記群（Ｉ
）から選択される基であり、Ａｒ^５は単結合であることがより好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^３は、下記Ｉ－１または下記Ｉ－４であり、Ａｒ^５は、単結合であることがさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^３は、フェニレン基であり、Ａｒ^５は、単結合であることがよりさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^３は、ｐ－フェニレン基であり、Ａｒ^５は、単結合であることが特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

ここで、Ｒ^１１１～Ｒ^１２３は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基を表し、
＊は、隣接原子との結合位置を表す。

すなわち、下記群（Ｉ）において、＊は、隣接する窒素原子、および隣接するＡｒ^５の原子との結合位置となる。なお、Ａｒ^５が単結合である場合は、＊は、隣接する窒素原子、および隣接する、上記式（１）のカルバゾール環中のベンゼン環の炭素原子との結合位置となる。

本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４からなる群より選択される少なくとも１つは、それぞれ独立して、下記群（ＩＩ）から選択される基であることが好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、上記群（ＩＩ）から選択される基であることがより好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、下記ＩＩ－１または下記ＩＩ－４であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５であることがさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、フェニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５において、Ｒ^２１６およびＲ^２１７がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であり、Ｒ^２１８およびＲ^２１９が水素原子であることがよりさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、ｐ－フェニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５において、Ｒ^２１６およびＲ^２１７がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であり、Ｒ^２１８およびＲ^２１９が水素原子であることが特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

または、本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、下記ＩＩ－６または下記ＩＩ－７であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５であることがさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、ビフェニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５において、Ｒ^２１６およびＲ^２１７がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であり、Ｒ^２１８およびＲ^２１９が水素原子であることがよりさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、ｐ－ビフェニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－５において、Ｒ^２１６およびＲ^２１７がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であり、Ｒ^２１８およびＲ^２１９が水素原子であることが特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

または、本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、下記ＩＩ－６または下記ＩＩ－７であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－４であることがさらに好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、ビレニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－４において、Ｒ^２１４およびＲ^２１５がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であることがよりさらに特に好ましい。上記式（１）において、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、ｐ－ビレニレン基であり、Ａｒ^４は、下記ＩＩ－４において、Ｒ^２１４およびＲ^２１５がそれぞれ独立して炭素数１以上２０以下のアルキル基（好ましくは、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、またはｎ－ドデシル基）であることがよりさらに特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

ここで、Ｒ^２１１～Ｒ^２２５は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基を表し、
＊は、隣接原子との結合位置を表す。

上記式（１）において、「（Ｒ^１）_３」は、３個のＲ_１が存在することを表す。各Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表す。各Ｒ^１は、同じであっても異なっていてもよい。上記式（１）において、「（Ｒ^２）_４」は、４個のＲ_２が存在することを表す。各Ｒ^２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表す。各Ｒ^２は、同じであっても異なっていてもよい。各Ｒ^１および各Ｒ^２は、同じであっても異なっていてもよい。

Ｒ^１およびＲ^２をそれぞれ構成しうる上記の各基としては、特に制限されないが、例えば、Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合における当該置換基の例として挙げたものが挙げられる。

上記式（２）において、「（Ａｒ^６）_４」は、４個のＡｒ^６が存在することを表す。各Ａｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基で表される。各Ａｒ^６は、同じであっても異なっていてもよい。上記式（２）において、「（Ａｒ^７）_５」は、５個のＡｒ^７が存在することを表す。各Ａｒ^７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基で表される。各Ａｒ^７は、同じであっても異なっていてもよい。２以上のＡｒ^７は、当該２以上のＡｒ^７が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよい。

上記式（３）において、「（Ａｒ^８）_３」は、３個のＡｒ^８が存在することを表す。Ａｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基で表される。各Ａｒ^８は、同じであっても異なっていてもよい。上記式（３）において、「（Ａｒ^９）_４」は、４個のＡｒ^９が存在することを表す。Ａｒ^９は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基で表される。各Ａｒ^９は、同じであっても異なっていてもよい。２以上のＡｒ^９は、当該２以上のＡｒ^９が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよい。

各Ａｒ^６および各Ａｒ^７は、同じであっても異なっていてもよい。各Ａｒ^８および各Ａｒ^９は、同じであっても異なっていてもよい。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基としては、それぞれ、特に制限されない。これらの基としては、特に制限されないが、例えば、Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合における当該置換基の例として挙げたものが挙げられる。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる、炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基は、特に制限されない。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる芳香族炭化水素基としては、ベンゼン（フェニレン基）、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ピレン等の芳香族炭化水素環由来の１価の基、ビフェニル（ビフェニレン基）、テルフェニル（テルフェニレン基）、クアテルフェニル（クアテルフェニレン基）、キンキフェニル（キンキフェニレン基）、セキシフェニル（セキシフェニレン基）等の、単結合を介して結合した２以上の芳香族炭化水素環の環集合由来の１価の基が挙げられる。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる、環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基は、特に制限されない。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる芳香族複素環基としては、例えば、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、アントラキノン、フルオレノン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾフェナントリジン、ベンズイミダゾフェナントリジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン、ピリジン、キノリン、アントラキノリン等の芳香族複素環由来の１価の基、ビピリジン、ビピリミジン、ビピラジン等の、単結合を介して結合した２以上の芳香族複素環の環集合由来の１価の基が挙げられる。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる、１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基は、特に制限されない。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる１価の環集合基において、炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環としては、例えば、上記の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基を構成する芳香族炭化水素環として例示した環等が挙げられる。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる１価の環集合基において、環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環としては、上記の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基を構成する芳香族複素環として例示した環等が挙げられる。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる１価の環集合基における、炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環の数は、１以上であれば特に制限されないが、１以上５以下であることが好ましく、１以上３以下であることがより好ましく、１以上２以下であることがさらに好ましく、１であることが特に好ましい。環集合基における、環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環の数は、１以上であれば特に制限されないが、１以上５以下であることが好ましく、１以上３以下であることがより好ましく、１以上２以下であることがさらに好ましく、１であることが特に好ましい。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が置換基で置換された基である場合、当該置換基の導入数は、特に制限されない。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９における置換基の導入数は、それぞれ独立して、好ましくは１以上３以下であり、より好ましくは１以上２以下であり、さらに好ましくは２である。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が置換基で置換された基である場合、当該置換基の種類は、特に制限されない。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が置換基で置換された基である場合の当該置換基の種類は、例えば、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、ハロゲン基等が挙げられる。Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が置換基で置換された基である場合における、当該置換基としてのアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン基としては、それぞれ、特に制限されない。これらの基としては、それぞれ、例えば、Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合における当該置換基の例として挙げたものが挙げられる。Ａｒ^６およびＡｒ^７が置換基で置換された基である場合、当該置換基は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^６およびＡｒ^７のそれぞれが２以上存在する場合であって、かつ、２以上のＡｒ^６および２以上のＡｒ^７が置換基で置換された基である場合、各Ａｒ^６および各Ａｒ^７の置換基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^６およびＡｒ^７がそれぞれ置換基で置換された基であって、それぞれ２以上の当該置換基を有する場合、Ａｒ^６およびＡｒ^７のそれぞれにおいて、２以上の当該置換基は同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^８およびＡｒ^９が置換基で置換された基である場合、当該置換基は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^８およびＡｒ^９のそれぞれが２以上存在する場合であって、かつ、２以上のＡｒ^８および２以上のＡｒ^９が置換基で置換された基である場合、各Ａｒ^８および各Ａｒ^９の置換基は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ^８およびＡｒ^９がそれぞれ置換基で置換された基であって、それぞれ２以上の当該置換基を有する場合、Ａｒ^８およびＡｒ^９のそれぞれにおいて、２以上の当該置換基は同じであっても異なっていてもよい。

Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９をそれぞれ構成しうる基は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基が好ましい。また、水素原子、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基がより好ましい。また、水素原子、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上１２以下の芳香族炭化水素基がより好ましい。また、水素原子、置換されたもしくは非置換のフェニル基、置換されたもしくは非置換のフルオレニル基、または置換されたもしくは非置換のビフェニル基がよりさらに好ましい。また、水素原子、フェニル基、フルオレニル基、またはビフェニル基が特に好ましい。

４つのＡｒ^６のうち、３つまたは４つが水素原子であることが好ましい。５つのＡｒ^７のうち、３つ、４つまたは５つが水素原子であることが好ましい。３つのＡｒ^８のうち、３つが水素原子であることが好ましい。４つのＡｒ^９のうち、４つが水素原子であることが好ましい。

２以上のＡｒ^７がこれらの結合するベンゼン環との間で縮合環を形成する場合、および２以上のＡｒ^９がこれらの結合するベンゼン環との間で縮合環を形成する場合、当該縮合環としては、ベンゼン環を含む縮合環であれば特に制限されない。ベンゼン環を含む縮合環としては、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよいが、芳香族炭化水素環であることが好ましく、炭素数９以上６０以下の芳香族炭化水素環であることがより好ましく、炭素数１０以上２２以下の芳香族炭化水素環であることが特に好ましい。炭素数９以上６０以下の芳香族炭化水素環としては、特に制限されないが、例えば、インデン、ナフタレン、アントラセン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ピレン等が挙げられる。これらの中でも、ナフタレンがより好ましい。

上記式（２）において、Ｘは、Ｓ、Ｏまたは、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃを表す。ここで、「置換されたもしくは非置換の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃ」とは、Ｃが２つの炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基で置換されており、かつ、当該炭化水素基は、それぞれ、置換されていてもよく、非置換であってもよいことを表す。Ｘを構成しうる、炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃにおいて、２つの炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基は、同じであっても異なっていてもよいが、素子寿命の向上の観点から、同じであることが好ましい。

Ｘを構成しうる、炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃにおいて、炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基は特に制限されない。炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基のいずれであってもよい。炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐のアルキル基としては、特に制限されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、イソデシル基、１－メチルデシル基、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基等の分岐のアルキル基が挙げられる。炭素数２以上１６以下の直鎖または分岐のアルケニル基としては、特に制限されないが、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、２－ヘプテニル基、５－ヘプテニル基、１－オクテニル基、３－オクテニル基、５－オクテニル基、１，３－ブタジエニル基等が挙げられる。炭素数２以上１６以下の直鎖または分岐のアルキニル基としては、特に制限されないが、例えば、アセチレニル基（エチニル基）、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンテチル基、２－ペンテチル基、３－ペンテチル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、３－ヘキシニル基、１－ヘプチニル基、２－ヘプチニル基、５－ヘプチニル基、１－オクチニル基、３－オクチニル基、５－オクチニル基等が挙げられる。

Ｘを構成しうるＣを置換する、炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基が置換基で置換された基である場合、当該置換基の導入数は、特に制限されない。Ｘを構成しうるＣを置換する、炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基が置換基で置換された基である場合、置換基の種類は、特に制限されない。Ｘを構成しうるＣを置換する、炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基が置換基で置換された基である場合の当該置換基の種類は、例えば、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、ハロゲン基等が挙げられる。ハロゲン基としては、特に制限されないが、例えば、Ａｒ^１～Ａｒ^５が置換基で置換された基である場合における当該置換基の例として挙げたものが挙げられる。２つの炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基において、これらを置換する置換基は、同じであっても異なっていてもよい。炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基が置換基で置換された基であって、それぞれ２以上の当該置換基を有する場合、２以上の当該置換基は同じであっても異なっていてもよい。

Ｘを構成しうる、置換されたまたは非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃにおいて、置換されたまたは非置換の２つの炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基は、特に制限されない。置換されたまたは非置換の２つの炭素数１以上１６以下の直鎖または分岐の炭化水素基は、アルキル基が好ましく、炭素数１以上１８以下の直鎖または分岐のアルキル基がより好ましい。また、炭素数１以上８以下の直鎖アルキル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。

上記式（２）および上記一般式（３）において、＊は、隣接原子との結合位置を表す、すなわち、＊は、隣接する、上記一般式（１）のカルバゾール環の窒素原子との結合位置となる。

本発明の一実施形態に係る重合体において、上記式（１）で表される構成単位は、
各Ｒ^１は、全て水素原子を表し、
各Ｒ^２は、全て水素原子を表し、
各Ａｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^７は、それぞれ独立して、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
２以上のＡｒ^７は、当該２以上のＡｒ^７が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
各Ａｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^９は、それぞれ独立して、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
Ｘは、Ｓ、Ｏまたは、非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃを表し、
２以上のＡｒ^９は、当該２以上のＡｒ^９が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよい、
を満たすことが好ましい。当該構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

本発明の一実施形態に係る重合体は、下記群（Ａ）から選択される少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましい。本発明の一実施形態において、重合体に含まれる上記式（１）で表される構成単位は、下記群（Ａ）から選択される少なくとも１種の構成単位であることがより好ましい。

上記式において、ｎは、整数を表し、それぞれ独立して、１以上２０以下の整数であることが好ましく、６以上１２以下の整数であることがより好ましく、６、８、１０または１２がさらに好ましい。上記式で表される化合物が２以上の「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基を有する場合、各「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」中のｎは、互いに同一であっても異なっていてもよい。上記式で表される化合物が２以上の「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基を有する場合、各「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基は、直鎖状であっても分岐状であっても良いが、直鎖状の基であることが好ましい。

本発明の一実施形態に係る重合体は、下記群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましい。本発明の一実施形態において、重合体に含まれる上記式（１）で表される構成単位は、下記群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の構成単位であることがより好ましい。これらの中でも、後述する実施例で使用する重合体Ａ－１～Ａ－２１が好ましい。また、重合体Ａ－１～Ａ－６およびＡ８～Ａ２１がより好ましく、Ａ－１～Ａ－３およびＡ－８～Ａ－１７がさらに好ましい。そして、重合体Ａ－１、Ａ－２、Ａ－３、Ａ－１５およびＡ－１７がよりさらに好ましく、重合体Ａ－３、Ａ－１５およびＡ－１７が特に好ましく、重合体Ａ－１７がさらに特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

上記式において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表すことが好ましい。上記式において、「Ｃ_１０Ｈ_２１－」で表される基は、ｎ－デシル基を表すことが好ましい。上記式において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表すことが好ましい。上記式において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表すことが好ましい。

本発明の一実施形態に係る重合体としては、特に制限されないが、例えば、下記群（Ｂ’）から選択される少なくとも１種の構成単位を含む重合体が挙げられる。本発明の一実施形態において、重合体に含まれる上記式（１）で表される構成単位は、例えば、下記群（Ｂ）’から選択される少なくとも１種の構成単位であってもよい。下記群（Ｂ’）の中でも、後述する実施例で使用する重合体Ａ－１～Ａ－７が好ましい。また、重合体Ａ－１～Ａ－６がより好ましく、Ａ－１～Ａ－３がさらに好ましく、重合体Ａ－１またはＡ－３がさらに好ましく、重合体Ａ－３が特に好ましい。これらの構造によれば、重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子における素子寿命の向上効果が大きくなる。

上記式において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。

重合体における、上記式（１）で表される構成単位の構成割合は、特に制限されない。重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命や正孔輸送能のさらなる向上効果などを考慮すると、本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）で表される構成単位を、重合体を構成する全構成単位に対して、１０モル％以上１００モル％以下で含むことが好ましい。本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）で表される構成単位を、重合体を構成する全構成単位に対して、５０モル％を超え１００モル％以下で含むことが好ましく、１００モル％で含むことがさらに好ましい。すなわち、本発明の一実施形態に係る重合体は、上記式（１）で表される構成単位および末端基のみから構成されることが好ましい。なお、重合体が２種以上の上記式（１）で表される構成単位を含む場合には、上記の構成割合は、上記式（１）で表される構成単位の合計量の割合を意味する。

上述したように、本発明の一実施形態に係る重合体は、構成単位として、上記式（１）で表される構成単位のみを含んでいてもよい。本発明の一実施形態に係る重合体は、構成単位として、上記式（１）で表される構成単位に加えて、上記式（１）で表される構成単位以外の他の構成単位をさらに含んでもよい。

他の構成単位を含む場合、他の構成単位は、本発明の効果を阻害しない限り特に制限されない。例えば、上記式（１）の主鎖を構成するＡｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４が下記群（ＩＩＩ）から選択される基を含まない場合、他の構成単位としては、例えば、下記群（ＩＩＩ）から選択される少なくとも１種の構成単位が挙げられる。

重合体における、上記群（ＩＩＩ）から選択される構成単位の構成割合は、特に制限されない。重合体を含む組成物による製膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、本発明の一実施形態に係る重合体は、下記群（ＩＩＩ）から選択される構成単位を、重合体を構成する全構成単位に対して、１モル％以上１０モル％以下で含むことが好ましい。なお、重合体が２種以上の上記群（ＩＩＩ）から選択される構成単位を含む場合には、上記の構成割合は、上記群（ＩＩＩ）から選択される構成単位の合計量の割合を意味する。

本発明の一実施形態に係る重合体の主鎖の末端（末端基）は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、例えば、水素原子である。

本発明の一実施形態に係る重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、１２，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、５０，０００以上５００，０００以下であることがより好ましい。このような重量平均分子量であれば、重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。

本発明の一実施形態に係る重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、１０，０００以上２５０，０００以下であることが好ましく、より好ましくは３０，０００以上１００，０００以下である。このような数平均分子量であれば、重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。

本発明の一実施形態に係る重合体の多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、例えば、１．２以上４．０以下、好ましくは１．５以上３．５以下である。

数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、特に制限されず、公知の方法を用いてまたは公知の方法を適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法により測定される値を採用する。なお、多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、下記方法により測定された数平均分子量（Ｍｎ）で重量平均分子量（Ｍｗ）を除することによって算出される。

（数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定）
本発明の一実施形態に係る重合体の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー：ＳｉｚｅＥｘｃｌｕｓｉｏｎＣｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、以下の条件で測定することができる。

本発明の一実施形態に係る重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、特に制限されないが、７０℃以上が好ましく、８０℃以上がより好ましく、１００℃以上がさらに好ましい。本発明の一実施形態に係る重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、特に制限されないが、２００℃以下が好ましく、１８０℃以下がより好ましく、１５０℃以下がさらに好ましい。これら範囲であると、素子作製に好適であり、かつ特性がより向上した素子が得られる。ガラス転移温度は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて測定することができる。測定方法の詳細は実施例に記載する。

本発明の一実施形態に係る重合体のＨＯＭＯ準位は、特に制限されないが、－５．７５ｅＶ以上が好ましく、－５．７ｅＶ以上がより好ましく、－５．６５ｅＶ以上がさらに好ましい。本発明の一実施形態に係る重合体のＨＯＭＯ準位は、特に制限されないが、－４．５ｅＶ以下が好ましく、－５．０ｅＶ以下がより好ましく、－５．３Ｖ以下がさらに好ましい。これら範囲であると、発光層へのホール注入効率がより向上し、特性がより向上した素子が得られる。ＨＯＭＯ準位は、大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ－３）を用いて測定することができる。測定方法の詳細は実施例に記載する。

本発明の一実施形態に係る重合体のＬＵＭＯ準位は、特に制限されないが、－３．０ｅＶ以上が好ましく、－２．８ｅＶ以上がより好ましく、－２．７ｅＶ以上がさらに好ましい。本発明の一実施形態に係る重合体のＬＵＭＯ準位は、特に制限されないが、－２．０ｅＶ以下が好ましく、－２．２ｅＶ以下がより好ましく、－２．４ｅＶ以下がさらに好ましい。これら範囲であると、電子が発光層に効率よく閉じ込められ、特性がより向上した素子が得られる。ＬＵＭＯ準位は、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル測定により算出することができる。測定方法の詳細は実施例に記載する。

本発明の一実施形態に係る重合体は、溶剤耐性が高いことが好ましい。本願明細書において、溶剤耐性は、溶剤への浸漬前の吸収スペクトルの基準波長における強度に対する、溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度の割合（「溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度」／「溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度」×１００（％））を、溶剤耐性値（％）と定義し、この値から判断することができる。なお、基準波長の決定方法および溶剤耐性値の評価方法の詳細は、実施例に記載する。本発明の一態様に係る重合体の溶剤耐性値は、特に限定されないが、７５％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。これらの範囲を満たす重合体を使用することで、湿式法によって他の層を形成しても、重合体を含む層と、当該他の層との膜混合がより抑制されうる。例えば、後述するエレクトロルミネッセンス素子を、湿式法（例えば、インクジェット法など）を用いて作製する場合、これらの範囲を満たす重合体を使用することで、当該重合体を含む層と、他の層との膜混合がより抑制されうる。

本発明の一実施形態に係る重合体は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本発明の一実施形態に係る重合体の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。

具体的には、本発明の一実施形態に係る重合体は、例えば、下記式（１’）で示される１種以上の単量体を用いた重合反応により、または下記式（１’）で示される１種以上の単量体および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により、製造することができる。

または、本発明の一実施形態に係る重合体は、例えば、下記式（１－１’）で示される１種以上の単量体および下記式（１－２’）で示される１種以上の単量体を用いた共重合反応により、または下記式（１－１’）で示される１種以上の単量体、下記式（１－２’）で示される１種以上の単量および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により、製造することができる。

上記式（１’）、式（１－１’）および式（１－２’）中、Ａ、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ｒ^１、Ｒ^２は、上記式（１）と同様の定義である。Ｚ_１、Ｚ_２、Ｚ_１’、Ｚ_２’、Ｚ_１”およびＺ_２”は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記式（Ｚ－１）で表される構造の基である。なお、下記式（Ｚ－１）で表される構造において、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。好ましくは、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄは、メチル基である。なお、上記式（１’）中のＺ_１およびＺ_２は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。同様にして、上記式（１－１’）中のＺ_１’およびＺ_２’は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。上記式（１－２’）中のＺ_１”およびＺ_２”は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、上記式（１’）中、Ｚ_１およびＺ_２は異なる。上記式（１－１’）中、Ｚ_１’およびＺ_２’は同じであり；上記式（１－２’）中、Ｚ_１”およびＺ_２”は同じであり；上記式（１－１’）中のＺ_１’およびＺ_２’は、上記式（１－２’）中のＺ_１”およびＺ_２”とは異なることが好ましい。

本発明の一実施形態に係る重合体の重合に用いられうる、上記式（１’）で表される単量体、上記式（１－１’）で表される単量体、および上記式（１－２’）で表される単量体は、それぞれ、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。また、本発明の一実施形態に係る重合体の重合に用いられうる、上記他の構成単位に相当する他の単量体もまた、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。

＜エレクトロルミネッセンス素子材料＞
上述したように、上記の態様に係る重合体は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。上記の態様に係る重合体によれば、優れた素子寿命を有するエレクトロルミネッセンス素子が提供される。したがって、本発明の他の一態様は、上記の態様に係る重合体を含む、エレクトロルミネッセンス素子材料（ＥＬ素子材料）に関するとも言える。または、上記の態様に係る重合体のＥＬ素子材料としての使用に関するとも言える。特に、上記式（１）で表される構成単位を含む重合体の場合、主鎖は、適切なフレキシビリティーを有する。このため、上記の態様に係る重合体は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示す。ゆえに、湿式（塗布）法により容易に製膜（薄膜化）できる。

＜組成物＞
本発明の他の一態様は、上記の態様に係る重合体を含む、組成物に関するとも言える。また、これより、本発明の一実施形態として、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む、組成物が挙げられる。上記の態様に係る重合体は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。本態様に係る組成物は、上記の態様に係る重合体に加えて、他の化合物をさらに含む。他の化合物は、特に制限されないが、例えば、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料であることが好ましい。ここで、組成物に含まれる発光材料は、特に制限されないが、有機金属錯体（発光性有機金属錯体化合物）または半導体ナノ粒子（例えば、半導体無機ナノ粒子等）等が挙げられる。上述したように、上記の態様に係る重合体は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。これより、本態様に係る組成物によっても、優れた素子寿命を有するエレクトロルミネッセンス素子が提供される。

＜エレクトロルミネッセンス素子＞
上述したように、上記の態様に係る重合体は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。上記の態様に係る重合体は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。このようなエレクトロルミネッセンス素子は、優れた素子寿命が実現されうる。これより、本発明の他の一態様は、一対の電極と、当該一対の電極の間に配置される、上記の態様に係る重合体を含む少なくとも１層の有機膜とを含む（備える）、エレクトロルミネッセンス素子に関するとも言える。本発明の一実施形態は、一対の電極と、当該一対の電極の間に配置される、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む少なくとも１層の有機膜とを含む、エレクトロルミネッセンス素子に関するとも言える。本発明の一実施形態は、一対の電極と、当該一対の電極の間に配置される、上記の態様に係る組成物を含む少なくとも１層の有機膜とを含む（備える）、エレクトロルミネッセンス素子に関するとも言える。本発明の目的（または効果）は、本態様に係るエレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。

本態様に係るエレクトロルミネッセンス素子は、量子ドットを含む層をさらに備えることが好ましい。本発明の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子は、上記の態様に係る重合体を含む少なくとも１層の有機膜に加えて、量子ドットを含む層をさらに備える。上記の態様に係る重合体は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。本発明の一実施形態において、上記の態様に係る重合体は、有機層に、上記の態様に係るＥＬ素子材料として含まれていてもよく、上記の態様に係る組成物として含まれていてもよい。本発明の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子における、量子ドットを含む層は、特に制限されないが、例えば、後述するエレクトロルミネッセンス素子の発光層において、量子ドットを含む場合についての説明で挙げるものを適用できる。量子ドットを含む層は、量子ドット以外の他の材料を含有していてもよい。他の材料としては、例えば、有機化合物等が挙げられる。量子ドットを含む層以外の層としては、特に制限されないが、例えば、後述するエレクトロルミネッセンス素子の一例の説明で挙げるものをそれぞれ適用できる。

エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、特に制限されず、公知の方法を用いることができる。上記の態様に係る重合体を含む有機膜の形成方法、および上記の態様に係る組成物を含む有機膜の形成方法は、特に制限されないが、塗布法が好ましい。よって、本発明の他の一態様は、上記の態様に係る重合体を含む有機膜を含むエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、当該重合体を含む有機膜のうち、少なくとも１層の有機膜を塗布法により形成する方法に関すると言える。また、これより、本発明の一実施形態は、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む有機膜を含むエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、当該ＥＬ素子材料を含む有機膜のうち、少なくとも１層の有機膜を塗布法により形成する方法に関すると言える。本発明の一実施形態は、上記の態様に係る組成物を含む有機膜を含むエレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、当該組成物を含む有機膜のうち、少なくとも１層の有機膜を塗布法により形成する方法に関すると言える。

本発明の一実施形態に係る重合体は、有機溶媒に対する溶解性に優れる。よって、本発明の一実施形態に係る重合体、本発明の一実施形態に係るＥＬ素子材料、および本発明の一実施形態に係る組成物は、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に特に好適に用いられる。このため、本発明の他の一態様は、上記の態様に係る重合体、上記の態様に係るＥＬ素子材料、および上記の態様に係る組成物のうちのいずれかと、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物に関するとも言える。本発明の一実施形態に係る液状組成物は、上記の態様に係る重合体と、溶媒または分散媒とに加えて、他の化合物をさらに含んでいてもよい。他の化合物は、特に制限されないが、例えば、後述するエレクトロルミネッセンス素子の各層を構成する材料等が挙げられる。また、これらのことから、本発明の他の一態様は、上記の態様に係る重合体、上記の態様に係るＥＬ素子材料、および上記の態様に係る組成物のうちのいずれかを含有する薄膜に関するとも言える。

また、本発明の一実施形態に係る重合体は、ホール注入性およびホール移動性に優れる。このため、本発明の一実施形態に係る重合体、本発明の一実施形態に係るＥＬ素子材料、および本発明の一実施形態に係る組成物は、正孔注入材料、正孔輸送材料または発光材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても好適に利用され得る。このうち、正孔の輸送性の観点から、これらは、正孔注入材料または正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。

［エレクトロルミネッセンス素子の一例］
以下では、図１を参照して、本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子について、詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。なお、本明細書において、「エレクトロルミネッセンス素子」は「ＥＬ素子」と省略する場合がある。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。

図１に示すように、本発明の一実施形態に係るＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。

ここで、上記の態様に係る重合体は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機膜（有機層）中に含まれる。なお、本明細書では、有機化合物を含む膜を有機膜（有機層）と称し、有機膜（有機層）は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。具体的には、上記の態様に係る重合体は、正孔注入材料として正孔注入層１３０に含まれること、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれること、発光材料（ホスト）として発光層１５０に含まれることからなる群より選択される少なくとも１つを満たすことが好ましい。上記の態様に係る重合体は、正孔注入材料として正孔注入層１３０にまたは正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。上記の態様に係る重合体は、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがさらに好ましい。すなわち、本発明の好ましい実施形態では、上記態様に係る重合体を含む有機膜が、正孔輸送層、正孔注入層または発光層である。本発明のより好ましい実施形態では、上記態様に係る重合体を含む有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である。本発明のさらに好ましい実施形態では、上記の態様に係る重合体を含む有機膜が、正孔輸送層である。これらの実施形態において、上記の態様に係る重合体は、有機層に、上記の態様に係るＥＬ素子材料として含まれていてもよく、上記の態様に係る組成物として含まれていてもよい。

また、上記の態様に係る重合体を含む有機膜、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む有機膜、および上記の態様に係る組成物を含む有機膜の形成方法は、特に制限されない。しかしながら、これらの有機膜は、塗布法（溶液塗布法）によって形成されることが好ましい。具体的には、有機膜は、スピンコート（ｓｐｉｎｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏｇｒａｖｕｒｅｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅｂａｒ
ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法を用いて製膜される。

なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、上記の態様に係る重合体、上記の態様に係るＥＬ素子材料、および上記の態様に係る組成物をそれぞれ溶解することができるものであれば、特に制限されない。溶液塗布法に使用する溶媒は、これら溶質の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、シクロヘキサン等が例示できる。溶媒は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。また、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、上記の態様に係る重合体の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。

なお、上記の態様に係る重合体を含む有機膜、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む有機膜、および上記の態様に係る組成物を含む有機膜以外の層の製膜方法については、特に限定されない。上記の態様に係る重合体を含む有機膜、上記の態様に係るＥＬ素子材料を含む有機膜、および上記の態様に係る組成物を含む有機膜以外の層は、例えば、真空蒸着法にて製膜されてもよく、溶液塗布法にて製膜されてもよい。

基板１１０は、一般的なＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。

基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。また、基板１１０上に第１電極１２０を形成した後、必要であれば、洗浄、ＵＶ－オゾン処理を行ってもよい。

第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層であり、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さ（乾燥膜厚；以下同様）にて形成されてもよい。

正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（poly(ether ketone)-containg triphenylamine：ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（4-isopropyl-4’-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリル－アミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamine：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（copper phthalocyanine）、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェ
ニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）、４，４’，４”－トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(diphenylamino)triphenylamine：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－２－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N,N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine：２－ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、およびポリアニリン／１０－カンファースルホン酸（polyaniline/10-camphorsulfonic acid）等を挙げることができる。正孔注入材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

本発明の一実施形態において、正孔輸送層１４０は、上記の態様に係る重合体を用いて溶液塗布法によって製膜されることが好ましい。本発明の一実施形態において、上記の態様に係る重合体は、上記の態様に係るＥＬ素子材料として用いられてもよく、上記の態様に係る組成物として用いられてもよい。上記の態様に係る重合体は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。これらの方法によれば、ＥＬ素子１００の素子寿命、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命を延長することが可能である。また、溶液塗布法にて正孔輸送層を形成できるため、効率的に大面積にて製膜することができる。

本発明の一実施形態において、正孔輸送層１４０は、上記の態様に係る重合体と、他の低分子材料とを含んでいてもよい。

（低分子材料）
正孔輸送層は、上記の態様に係る重合体と、低分子材料とを含むことが好ましい。該低分子材料は、高分子材料（例えば、上記の態様に係る重合体など）のいわば隙間を埋めるように正孔輸送層中に存在する。これにより、緻密な正孔輸送層を形成することでき、正孔輸送層の正孔輸送能が向上する。このような正孔輸送層を備えた量子ドットエレクトロルミネッセンス素子は、発光効率および発光寿命に優れる。

当該低分子材料は、正孔輸送材料またはワイドギャップ材料であることが好ましい。なお、正孔輸送材料は、ワイドギャップを有していてもよく、ワイドギャップ材料は、正孔輸送性を有していてもよい。また、当該低分子材料は正孔輸送層中に１種または複数種含まれることが好ましい。

ここで、ワイドギャップ材料とは、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギーギャップが３．３ｅＶ以上である材料をいう。ワイドギャップ材料は、併用する少なくとも１種の上記の態様に係る重合体のＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギーギャップよりも大きなＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギーギャップを有することが好ましい。また、ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギーギャップは、特に制限されないが、４ｅＶ以下であることが好ましい。上記範囲であると、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光効率および発光寿命がより向上する。

低分子材料の分子量は、１００以上１，５００以下であることが好ましい。このような範囲であれば、膜を固化させることができ、また、昇華精製が容易であるため高純度のものが得られやすい。また、適度な分子の大きさとなるため、高分子材料（例えば、上記の態様に係る重合体など）の隙間を充填する効果がより向上する。低分子材料の分子量は、５００以上１，５００以下がより好ましく、６００以上１，３００以下がさらに好ましい。なお、低分子材料の分子量は、各原子の原子量の和である。

低分子材料は、下記の条件（ａ）を満たし、かつ、下記の条件（ｂ）、下記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たすことが好ましい。すなわち、好ましい低分子材料としては、下記条件（ａ）および下記条件（ｂ）を満たす化合物、下記条件（ａ）および下記条件（ｃ）を満たす化合物、ならびに下記条件（ａ）、下記条件（ｂ）および下記条件（ｃ）を満たす化合物が挙げられる：
（ａ）混合する上記態様に係る重合体に対して、当該低分子材料のバンドギャップがより大きいこと、
（ｂ）混合する上記態様に係る重合体に対して、当該低分子材料のＬＵＭＯがより浅いこと、
（ｃ）混合する上記態様に係る重合体に対して、当該低分子材料のＨＯＭＯがより深いこと。

正孔輸送層が、上記態様に係る重合体と共に、上記条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす低分子材料を含むことによって、エレクトロルミネッセンス素子における、電荷注入の促進、電子耐性の向上またはこれらの両方が実現される。

上記条件（ａ）は、低分子材料の「ＬＵＭＯ（ｅＶ）－ＨＯＭＯ（ｅＶ）」で算出される値が、混合する上記態様に係る重合体の「ＬＵＭＯ（ｅＶ）－ＨＯＭＯ（ｅＶ）」で算出される値と比較して、より大きいことを表す。

上記条件（ｂ）は、低分子材料のＬＵＭＯ（ｅＶ）の値が、混合する上記態様に係る重合体のＬＵＭＯ（ｅＶ）の値と比較して、より大きいことを表す。

上記条件（ｃ）は、低分子材料のＨＯＭＯ（ｅＶ）の値が、混合する上記態様に係る低分子材料のＨＯＭＯ（ｅＶ）の値と比較して、より小さいことを表す。

なお、低分子材料のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位は、通常、負の数値である。

上記条件（ａ）に加えて、上記条件（ｂ）を満たすことで、発光層への電子耐性の向上が実現される。また、上記条件（ａ）に加えて、上記条件（ｃ）を満たすことで、正孔の注入促進が実現される。

以下、低分子材料の好ましい実施形態である低分子化合物１～６について説明する。

低分子化合物１～６は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態の低分子材料の具体的な合成方法は、当業者であれば容易に理解することが可能である。低分子材料の構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認することができる。

（低分子化合物１、２）
本発明の好ましい一実施形態に係る低分子材料としては、例えば、下記式（Ｌ１）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物１」とも称する）、および下記式（Ｌ２）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物２」とも称する）等が挙げられる。低分子化合物１、２は、正孔輸送材料であり、上記の態様に係る重合体と併用することで、低分子化合物１、２が上記の態様に係る重合体の隙間に入り込むように存在する。よって、より緻密な正孔輸送層となり、正孔輸送層の正孔輸送能が向上する。さらに、添加する正孔輸送材料である低分子化合物１、２自体の正孔輸送能が正孔輸送層に付与されるため、より一層正孔輸送性が向上するという効果が得られる。より好ましい実施形態によれば、前記低分子材料は、低分子化合物１、低分子化合物２またはこれらの組み合わせを含む。

以下、低分子化合物１および低分子化合物２について説明する。

（低分子化合物１）
低分子化合物１は、下記式（Ｌ１）で表される化合物である。

上記式（Ｌ１）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ１）中、複数のＲが環を形成してもよい。上記式（Ｌ１）中、複数のＡｒ_ａが環を形成していてもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、Ａｒ_ｂとが環を形成いてもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、１つまたは複数のＲとが環を形成していてもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＲと、Ａｒ_ｂとが環を形成していてもよい。低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ１）中、Ｒは、好ましくは水素原子である。

１価の有機基の具体例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基等が挙げられる。

上記式（Ｌ１）中、複数のＲが環を形成する場合、複数のＲは、互いに結合して環を形成してもよい。上記式（Ｌ１）中、複数のＡｒ_ａが環を形成する場合、環を形成する複数のＡｒ_ａは互いに結合して環を形成してもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、Ａｒ_ｂとが環を形成する場合、環を形成する１つまたは複数のＡｒ_ａと、Ａｒ_ｂとは、互いに結合して環を形成してもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、１つまたは複数のＲとが環を形成する場合、環を形成する１つまたは複数のＡｒ_ａと、１つまたは複数のＲとは、互いに結合して環を形成してもよい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＲと、Ａｒ_ｂとが環を形成する場合、環を形成する複数のＲと、Ａｒ_ｂとは、互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ１）中、複数のＲが環を形成する場合、環を形成する複数のＲが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。上記式（Ｌ１）中、複数のＡｒ_ａが環を形成する場合、環を形成する複数のＡｒ_ａが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、Ａｒ_ｂとが環を形成する場合、環を形成する１つまたは複数のＡｒ_ａと、Ａｒ_ｂとが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＡｒ_ａと、１つまたは複数のＲとが環を形成する場合、環を形成する１つまたは複数のＡｒ_ａと、１つまたは複数のＲとが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。上記式（Ｌ１）中、１つまたは複数のＲと、Ａｒ_ｂとが環を形成する場合、環を形成する複数のＲと、Ａｒ_ｂとが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。

上記アルキル基の炭素数は、以下の形態がさらに好ましい。

例えば、量子ドットの配位子がオレイン酸、オレイルアミン、トリオクチルホスフィンのような長鎖アルキル含有化合物の場合は、正孔輸送層に含まれる化合物も、長鎖アルキル基を有する化合物を含むことが望ましい。これは、量子ドットの配位子と正孔輸送層に存在するアルキル基とが相互作用することで、例えば正孔の注入性が向上するなどの効果が得られる可能性があるからである。

また、量子ドットを分散する溶媒が長鎖の炭化水素系溶媒の場合は、正孔輸送層の溶剤耐性を確保する観点から、上記の態様に係る重合体に含有されるアルキル基の炭素数は少ないことが望ましい。

したがって、上記アルキル基としては、炭素数１以上１８以下の直鎖状または分岐状のアルキル基がさらに好ましい。アルキル基は、使用される量子ドットまたは量子ドットを分散する溶媒によって適切なものを選択することができる。

上記アルコキシ基の炭素数は、以下の形態がさらに好ましい。

例えば、量子ドットの配位子がオレイン酸、オレイルアミン、トリオクチルホスフィンのような長鎖アルキル含有化合物の場合は、正孔輸送層に含まれる化合物も、長鎖アコキシ基を有する化合物を含むことが望ましい。これは、量子ドットの配位子と正孔輸送層に存在するアルコキシ基とが相互作用することで、例えば正孔の注入性が向上するなどの効果が得られる可能性があるからである。

また、量子ドットを分散する溶媒が長鎖の炭化水素系溶媒の場合は、正孔輸送層の溶剤耐性を確保する観点から、上記の態様に係る重合体に含有されるアルコキシ基の炭素数は少ないことが望ましい。

したがって、上記アルコキシ基としては、炭素数１以上１８以下の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基がさらに好ましい。これらアルコキシ基は、使用される量子ドットまたは量子ドットを分散する溶媒によって適切なものを選択することができる。

上記式（Ｌ１）中、Ａｒ_ａは、下記式（Ｌ１－ａ）で表される基である。上記式（Ｌ１）中、複数のＡｒ_ａは、同一であっても異なっていてもよいが、異なっていることが好ましい。上記式（Ｌ１）中、複数のＡｒ_ａは互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ１－ａ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ１－ａ）中、複数のＲは互いに環を形成してもよい。ここで、１価の有機基としては、特に制限されないが、好ましくは炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基である。また、上記式（Ｌ１－ａ）中、ｎは、０以上３以下の整数であり、好ましくは０以上２以下の整数であり、より好ましくは０または１である。また、上記式（Ｌ１－ａ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ１－ａ）中、複数のＲが環を形成する場合、複数のＲは、互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ１－ａ）中、複数のＲが環を形成する場合、環を形成する複数のＲが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。

炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基、ｎ－ヘンエイコシル基、ｎ－ドコシル基、ｎ－トリコシル基、ｎ－テトラコシル基などが挙げられる。

また、量子ドットを分散する溶媒が長鎖の炭化水素系溶媒の場合は、正孔輸送層の残膜率を確保する観点から、上記の態様に係る重合体に含有されるアルキル基の炭素数は少ないことが望ましい。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ａｒ_ａは、下記グループＬ１－Ａから選択される基であることが好ましい。なお、下記グループＬ１－Ａ中、Ｒ’は、炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基であり、好ましくは炭素数１以上１６以下の直鎖状アルキル基である。また、下記グループＬ１－Ａ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果をより一層向上させる観点から、Ａｒ_ａは、下記グループＬ１－Ａ’から選択される基であることが特に好ましい。なお、下記グループＬ１－Ａ’中、ｄｏｄｅｃｙｌは、ｎ－ドデシル基を表す。また、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ１）中、Ａｒ_ｂは、下記式（Ｌ１－ｂ）で表される基である。

上記式（Ｌ１－ｂ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ１－ｂ）中、複数のＲは環を形成してもよい。低分子材料の使用による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ１－ｂ）中、Ｒは、好ましくは水素原子である。

上記式（Ｌ１－ｂ）中、複数のＲが環を形成する場合、複数のＲは、互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ１－ｂ）中、複数のＲが環を形成する場合、環を形成する複数のＲが、１つのアリール基またはヘテロアリール基を共有して環を形成することが好ましい。

上記式（Ｌ１－ｂ）中、ｍは、０以上２以下の整数であり、好ましくは１または２であり、より好ましくは１である。上記式（Ｌ１－ｂ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ１）中、Ａｒ_ｂは、下記グループＬ１－Ｂから選択される基であることが好ましい。なお、下記グループＬ１－Ｂ中、Ｒ’は、それぞれ独立して、炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基である。下記グループＬ１－Ｂ中、複数のＲ’は互いに結合して環を形成してもよい。また、下記グループＬ１－Ｂ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。中でも、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ａｒ_ｂは、パラフェニレン基であることが特に好ましい。

低分子化合物１は、下記化学式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－３）のいずれかで表される化合
物であることが好ましい。

上記式（Ｌ１－１）～（Ｌ１－３）中、Ｒ、Ａｒ_ａおよびＡｒ_ｂの定義は、上記式（Ｌ
１）におけるのと同様の定義である。

低分子化合物１の具体例としては、下記化学式で表される化合物が挙げられる。低分子
化合物１は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

低分子化合物１は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。

（低分子化合物２）
低分子化合物２は、下記式（Ｌ２）で表される化合物である。

上記式（Ｌ２）中、Ａｒ_ａは、下記式（Ｌ２－ａ）で表される基である。

上記式（Ｌ２－ａ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ２－ａ）中、複数のＲは互いに結合して環を形成してもよい。また、上記式（Ｌ２－ａ）中、Ｚは、炭素数１以上１２以下の直鎖状または分岐状アルキル基であり、好ましくは炭素数４以上１２以下の直鎖状アルキル基である。また、上記式（Ｌ２－ａ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ２）中、Ａｒ_ａは、下記式（Ｌ２－ａ’）で表される基であることが好ましい。

上記式（Ｌ２－ａ’）中、Ｚは、上記式（Ｌ２－ａ）におけるのと同様の定義である。上記式（Ｌ２－ａ’）中、Ｒ’は、水素原子またはメチル基である。上記式（Ｌ２－ａ’）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

本発明の効果をより一層向上させる観点から、Ａｒ_ａは、下記グループＬ２－Ａから選択される基であることがより好ましい。なお、下記グループＬ２－Ａ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ２）中、Ｘは、下記式（Ｌ２－ｂ）で表される基である。上記式（Ｌ２）中、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。上記式（Ｌ２）中、複数のＸは互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ２－ｂ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ２－ｂ）中、複数のＲは互いに結合して環を形成してもよい。また、上記式（Ｌ２－ｂ）中、ｎは、０以上３以下の整数であり、好ましくは０以上２以下の整数である。また、上記式（Ｌ２－ｂ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｘは、下記グループＬ２－Ｂから選択される基であることが好ましい。なお、下記グループＬ２－Ｂ中、Ｒ’は、それぞれ独立して、炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基である。下記グループＬ２－Ｂ中、複数のＲ’は互いに結合して環を形成してもよい。また、下記グループＬ２－Ｂ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ２）中、Ａｒ_ａに連結する基（－ＮＸ_２）としては、下記グループＬ２－Ｂ’から選択される基であることが好ましい。上記式（Ｌ２）中、複数のＡｒ_ａに連結する基（－ＮＸ_２）は、同一であっても異なってい
てもよい。なお、下記グループＬ２－Ｂ’中、＊は、上記式（Ｌ２）のＡｒ_ａとの結合部
位を表す。

低分子化合物２の具体例としては、下記化学式で表される化合物が挙げられる。低分子
化合物２は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

低分子化合物２は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。

（低分子化合物３）
本発明の好ましい一実施形態に係る低分子材料としては、例えば、下記式（Ｌ３）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物３」とも称する）等もまた挙げられる。低分子化合物３は、正孔輸送材料であり、上記の態様に係る重合体と併用することで、低分子化合物３が上記の態様に係る重合体の隙間に入り込むように存在する。よって、より緻密な正孔輸送層となり、正孔輸送層の正孔輸送能が向上する。さらに、添加する正孔輸送材料である低分子化合物３自体の正孔輸送能が正孔輸送層に付与されるため、より一層正孔輸送性が向上するという効果が得られる。より好ましい実施形態によれば、前記低分子材料は、低分子化合物３を含む。

以下、低分子化合物３について説明する。

（低分子化合物３）
低分子化合物３は、下記式（Ｌ３）で表される化合物である。

上記式（Ｌ３）中、Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ独立して、水素原子、１価の炭化水素基または１価の芳香族炭化水素基である。なお、Ｒ_１～Ｒ_３は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。また、上記式（Ｌ３）中、２個のＲ_１は互いに結合して環を形成してもよい。ここで、１価の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖もしくは分岐の、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基、ならびに環状のアルキル基（シクロアルキル基）などが好ましく挙げられる。アルキル基は、好ましくは炭素数１以上２０下の直鎖または分岐のアルキル基である。このようなアルキル基としては、以下に制限されないが、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基などが挙げられる。

アルケニル基は、好ましくは炭素数２以上１２以下の直鎖または分岐のアルケニル基である。このようなアルケニル基としては、以下に制限されないが、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。アルキニル基は、好ましくは炭素数２以上１２以下の直鎖または分岐のアルキニル基である。このようなアルキニル基としては、以下に制限されないが、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。シクロアルキル基は、好ましくは炭素数は３以上１２以下のシクロアルキル基である。このようなシクロアルキル基としては、以下に制限されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。また、１価の芳香族炭化水素基は、特に制限されないが、炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基などが好ましく挙げられる。炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基としては、以下に制限されないが、例えば、ベンゼン（フェニル基）、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、アントラキノリン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、キンキフェニル、セキシフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］等の芳香族炭化水素由来の１価の基が挙げられる。これらのうち、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｒ_１は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１２以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基であることが好ましく、炭素数３以上１０以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基であることがより好ましく、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基、フェニル基であることが特に好ましい。また、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｒ_２～Ｒ_３は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基であることが好ましく、水素原子または炭素数１以上３以下の直鎖のアルキル基であることが好ましく、水素原子であることが特に好ましい。

すなわち、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｘ_１およびＸ_２を除く式（Ｌ３）の構造（即ち、下記：

の構造）は下記群から選択されることが好ましい。下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「無置換の（即ち、Ａｌｋｙｌ＝水素原子）またはアルキル基で置換された」ことを意味する。好ましくは、「Ａｌｋｙｌ」は、炭素数１以上１２以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基で置換されたことを意味する。より好ましくは、「Ａｌｋｙｌ」は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたことを意味する。また、「Ａｌｋｙｌ」は、同一のアルキル基でも異なるアルキル基でもよい。下記構造において、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ３）中、Ｘ_１は、水素原子または下記式（Ｌ３－ａ）で表される基である。また、Ｘ_２は、下記式（Ｌ３－ａ）で表される基である。すなわち、低分子化合物３は、下記式（Ｌ３－ａ）で表される基を１個または２個有する。なお、下記式（Ｌ３－ａ）中、「＊」は式（Ｌ３）においてＸ_１またはＸ_２がフルオレン環に結合する部位を表わす。

上記式（Ｌ３－ａ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子または１価の炭化水素基である。なお、複数のＲは、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。また、上記式（Ｌ３－ａ）中、Ｒは互いに結合して環を形成してもよい。ここで、１価の炭化水素基の具体例としては、特に制限されないが、上記式（Ｌ３）中のＲ_１～Ｒ_３における定義と同様である。これらのうち、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１以上１２以下の直鎖もしくは分岐のアルキル基であることが好ましく、より好ましくは水素原子または炭素数３以上１０以下の直鎖または分岐のアルキル基である。

また、上記式（Ｌ３－ａ）中、ｌ、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、０～３の整数である。低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、ｌは、好ましくは０～２の整数、より好ましくは０または１である。また、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、ｎおよびｍは、好ましくは０～２の整数、より好ましくは０または２である。

上記式（Ｌ３－ａ）において、下記低分子化合物（Ｌ３－２）のように、末端の２個のフェニル基は結合して、カルバゾール環を形成してもよい。

すなわち、低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ３－ａ）で表される基は、下記グループＬ３－Ａから選択されるいずれかの構造を有することが好ましい。下記グループＬ３－Ａ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子化合物３は、下記化学式（Ｌ３－１）～（Ｌ３－１０）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。

低分子化合物３は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。

（低分子化合物４）
本発明の好ましい一実施形態に係る低分子材料としては、例えば、下記式（Ｌ４）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物４」とも称する）等もまた挙げられる。低分子化合物４は、上記の態様に係る重合体と併用することで、低分子化合物４が上記の態様に係る重合体の隙間に入り込むように存在する。よって、より緻密な正孔輸送層となり、正孔輸送層の正孔輸送能が向上する。より好ましい実施形態によれば、前記低分子材料は、低分子化合物４を含む。

以下、低分子化合物４について説明する。

低分子化合物４は、下記式（Ｌ４）で表される化合物である。低分子材料がワイドギャップ材料を含む場合、当該ワイドギャップ材料は、下記式（Ｌ４）で表される低分子化合物４を少なくとも１種含むことが好ましい。低分子化合物４は、正孔輸送性を有していてもよい。

上記式（Ｌ４）中、Ａｒ_ａは、下記式（Ｌ４－ａ）で表される基である。

上記式（Ｌ４－ａ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ４－ａ）中、複数のＲは互いに結合して環を形成してもよい。また、上記式（Ｌ４－ａ）中、Ｚは、炭素数１以上１２以下の直鎖状または分岐状アルキル基であり、好ましくは炭素数４以上１２以下の直鎖状アルキル基である。また、上記式（Ｌ４－ａ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、上記式（Ｌ４）中、Ａｒ_ａは、下記式（Ｌ４－ａ’）で表される基であることが好ましい。

上記式（Ｌ４－ａ’）中、Ｚは、上記式（Ｌ４－ａ）におけるのと同様の定義である。上記式（Ｌ４－ａ’）中、Ｒ’は、水素原子またはメチル基である。上記式（Ｌ４－ａ’）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

本発明の効果をより一層向上させる観点から、Ａｒ_ａは、下記グループＬ４－Ａから選択される基であることがより好ましい。なお、下記グループＬ４－Ａ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

上記式（Ｌ４）中、Ｘは、下記式（Ｌ４－ｂ）で表される基である。上記式（Ｌ４）中、複数のＸは同一であっても異なっていてもよい。上記式（Ｌ４）中、複数のＸは互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ４－ｂ）中、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子または１価の有機基である。上記式（Ｌ４－ｂ）中、複数のＲは互いに結合して環を形成してもよい。また、上記式（Ｌ４－ｂ）中、ｎは、０以上３以下の整数であり、好ましくは０以上２以下の整数である。また、上記式（Ｌ４－ｂ）中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子材料の添加による有利な効果を一層向上させる観点から、Ｘは、下記グループＬ４－Ｂから選択される基であることが好ましい。なお、下記グループＬ４－Ｂ中、Ｒ’は、それぞれ独立して、炭素数１以上２４以下の直鎖状または分岐状アルキル基である。下記グループＬ４－Ｂ中、複数のＲ’は互いに結合して環を形成してもよい。また、下記グループＬ４－Ｂ中、＊は、隣接する原子との結合部位を表す。

低分子化合物４の具体例としては、下記化学式で表される化合物が挙げられる。低分子
化合物４は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

低分子化合物４は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。

（低分子化合物５、６）
本発明の好ましい一実施形態に係る低分子材料としては、例えば、下記式（Ｌ５）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物５」とも称する）、および下記式（Ｌ６）で表される低分子化合物（以下、「低分子化合物６」とも称する）等もまた挙げられる。低分子化合物５、６は、上記の態様に係る重合体と併用することで、低分子化合物５、６が上記の態様に係る重合体の隙間に入り込むように存在するため、より緻密な正孔輸送層となり、正孔輸送層の正孔輸送能が向上するという効果が得られる。より好ましい実施形態によれば、前記低分子材料は、低分子化合物５、低分子化合物６またはこれらの組み合わせを含む。

以下、低分子化合物５および低分子化合物６について説明する。

（低分子化合物５）
低分子化合物５は、下記式（Ｌ５）で表される化合物である。低分子材料がワイドギャップ材料を含む場合、当該ワイドギャップ材料は、下記式（Ｌ５）で表される低分子化合物５を少なくとも１種含むことが好ましい。低分子化合物５は、正孔輸送性を有していてもよい。

上記式（Ｌ５）において、
ｍ、ｎは、それぞれ独立して、０以上３以下の整数を表し、
Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、または１価の有機基を表し、２以上のＲが縮合または結合して環を形成してもよく、
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ’、Ｃ（Ｒ”）_２、またはＮＲ’およびＣ（Ｒ”）_２以外の２価の有機基を表し、
Ｒ’およびＲ”は、それぞれ独立して、水素原子または１価の有機基を表す。

上記式（Ｌ５）において、Ｒを構成しうる１価の有機基は、特に制限されない。例えば、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素環基は、炭素数６以上３０以下の一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素（芳香族炭化水素）環由来の基である。また、芳香族炭化水素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族炭化水素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。

芳香族炭化水素環基を構成する芳香族炭化水素環は、特に限定されないが、具体的には、ベンゼン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフタレン、フェナレン、フルオレン、フェナントレン、ビフェニル、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン等が挙げられる。

Ｒを構成し得る環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環形成原子数３以上３０以下の環（芳香族複素環）由来の基である。また、芳香族複素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族複素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。

ここで、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）を有する化合物において、環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、環が置換基によって置換される場合、該置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。例えば、カルバゾリル基（カルバゾリンで構成された置換基）は、環形成原子数が１３である。

芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、特に限定されないが、例えば、π電子不足系芳香族複素環、π電子過剰系芳香族複素環、π電子不足系芳香族複素環とπ電子過剰系芳香族複素環とを混合したπ電子不足系－π電子過剰系混合芳香族複素環が挙げられる。

π電子不足系芳香族複素環の具体例としては、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、キナゾリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、ベンゾキノン、クマリン、アントラキノン、フルオレノン等が挙げられる。

π電子過剰系芳香族複素環の具体例としては、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、カルバゾール等が挙げられる。

π電子不足系－π電子過剰系混合芳香族複素環の具体例としては、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、イミダゾリノン、ベンズイミダゾリノン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、イミダゾフェナンスリジン、ベンズイミダゾフェナンスリジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルキル基は、特に限定されない。例えば、炭素数１～３０の直鎖または分岐状のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基、ｎ－ヘンエイコシル基、ｎ－ドコシル基、ｎ－トリコシル基、ｎ－テトラコシル基等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルコキシ基は、特に限定されない。例えば、炭素数１～３０の直鎖または分岐状のアルコキシ基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基は、特に限定されない。例えば、ヘテロ原子を含んでよい炭素数６以上３０以下の単環または縮合多環アリールオキシ基である。具体的には、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、２－アズレニルオキシ基、２－フラニルオキシ基、２－チエニルオキシ基、２－インドリルオキシ基、３－インドリルオキシ基、２－ベンゾフリルオキシ基、２－ベンゾチエニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基は、特に限定されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルキル基を有するアルキルアミノ基である。具体的には、Ｎ－メチルアミノ基、Ｎ－エチルアミノ基、Ｎ－プロピルアミノ基、Ｎ－イソプロピルアミノ基、Ｎ－ブチルアミノ基、Ｎ－イソブチルアミノ基、Ｎ－ｓｅｃ－ブチルアミノ基、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルアミノ基、Ｎ－ペンチルアミノ基、Ｎ－ヘキシルアミノ基等のＮ－アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ基、Ｎ－メチル－Ｎ－エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジイソブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ－ジヘキシルアミノ基等のＮ，Ｎ－ジアルキルアミノ基が挙げられる。

なお、Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルキル基、炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基をさらに置換する他の置換基についても、特に制限されない。他の置換基は、例えば、Ｒを構成し得る置換基と同様である。すなわち、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の、炭素数１以上３０以下のアルキル基、炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基等が挙げられる。他の置換基の説明は、上記Ｒにおける説明と同様であるため、説明を省略する。

なお、他の置換基をさらに置換するさらなる他の置換基や、さらなる他の置換基をさらに置換するその次の他の置換基なども、これら他の置換基と同様である。

上記式（Ｌ５）において、Ｘを構成しうるＮＲ’、Ｃ（Ｒ”）_２、中のＲ’およびＲ”は、特に制限されない。例えば、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアミノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基等が挙げられる。

Ｒ’およびＲ”を構成しうる１価の有機基の説明は、上記Ｒにおける説明と同様であるため、説明を省略する。

Ｘを構成しうるまたはＮＲ’およびＣ（Ｒ”）_２以外の２価の有機基は、特に制限されない。

ここで、上記式（Ｌ５）で表される化合物において、ｍ、ｎは、それぞれ独立して、１以上３以下の整数であることが好ましい。また、ｍ、ｎは、それぞれ独立して、２以上３以下の整数であることがより好ましく、３であることがさらに好ましい。

そして、上記式（Ｌ５）で表される化合物は、下記化学式（Ｌ５－Ａ）で表される化合
物であることが好ましい。

上記式（Ｌ５－Ａ）において、ＲおよびＸは、上記式（Ｌ５）と同様である。

上記式（Ｌ５）および（Ｌ５－Ａ）において、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基であることがさらに好ましい。そして、Ｒは、全て水素原子であることがさらに好ましい。

上記式（Ｌ５）および（Ｌ５－Ａ）において、Ｒ’は、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアミノ基、無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、Ｒ’は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基であることがさらに好ましい。そして、Ｒ’は、全て水素原子であることがさらに好ましい。

上記式（Ｌ５）および（Ｌ５－Ａ）において、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアミノ基であることがさらに好ましい。そして、Ｒ”は、全て水素原子であることがさらに好ましい。

また、量子ドットを分散する溶媒が長鎖の炭化水素系溶媒の場合は、正孔輸送層の溶剤耐性率を確保する観点から、上記の態様に係る重合体に含有されるアルコキシ基の炭素数は少ないことが望ましい。

上記式（Ｌ５）および上記式（Ｌ５－Ａ）において、Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ’またはＣ（Ｒ”）_２であることが好ましい。また、Ｘは、ＯまたはＳであることがより好ましく、Ｓであることがさらに好ましい。

以下、低分子化合物５を具体的に例示する。ただし、低分子化合物５はこれら具体例に限定されるものではない。

なお、低分子化合物５の製造方法は、特に限定されず、公知の合成方法を含む種々の製
造方法を用いることができる。

（低分子化合物６）
低分子化合物６は、下記式（Ｌ６）で表される化合物である。低分子材料がワイドギャップ材料を含む場合、当該ワイドギャップ材料は、下記式（Ｌ６）で表される低分子化合物６を少なくとも１種含むことが好ましい。低分子化合物６は、正孔輸送性を有していてもよい。

上記式（Ｌ６）において、
ｍ、ｎは、それぞれ独立して、０以上３以下の整数を表し、
Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、または１価の有機基を表す。

上記式（Ｌ６）において、２以上のＲが縮合または結合して環を形成してもよい。

上記式（Ｌ６）において、Ｒを構成しうる１価の有機基は、特に制限されない。例えば、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基もしくは環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基が２以上、単結合を介して結合されてなる基において、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基はそれぞれ、上記説明と同様であるため、説明を省略する。

Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルキル基は、特に限定されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基、ｎ－ヘンエイコシル基、ｎ－ドコシル基、ｎ－トリコシル基、ｎ－テトラコシル基等が挙げられる。

Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルコキシ基は、特に限定されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルコキシ基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。

例えば、量子ドットの配位子がオレイン酸、オレイルアミン、トリオクチルホスフィンのような長鎖アルキル含有化合物の場合は、正孔輸送層に含まれる化合物も、長鎖アルコキシ基を有する化合物を含むことが望ましい。これは、量子ドットの配位子と正孔輸送層に存在するアルコキシ基とが相互作用することで、例えば正孔の注入性が向上するなどの効果が得られる可能性があるからである。

なお、Ｒを構成し得る炭素数１以上３０以下のアルキル基、炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基をさらに置換する他の置換基についても、特に制限されない。他の置換基は、例えば、Ｒを構成し得る置換基と同様である。すなわち、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、炭素数１以上３０以下のアミノ基、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基等が挙げられる。他の置換基の説明は、上記Ｒにおける説明と同様であるため、説明を省略する。

なお、他の置換基をさらに置換するさらなる他の置換基や、さらなる他の置換基をさらに置換するその次の他の置換基のような、他の置換基中に存在する基を置換する続く置換基も、これら他の置換基と同様である。

そして、上記式（Ｌ６）で表される化合物は、下記式（Ｌ６－Ａ）、下記式（Ｌ６－Ｂ）、下記式（Ｌ６－Ｃ）または下記式（Ｌ６－Ｄ）で表される化合物であることが好ましい。

上記式（Ｌ６－Ａ）、（Ｌ６－Ｂ）、（Ｌ６－Ｃ）および（Ｌ６－Ｄ）において、
Ｒは、上記式（Ｌ６）と同様であり、
Ｒ’は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、または置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基を表す。

上記式（Ｌ６）、（Ｌ６－Ａ）、（Ｌ６－Ｂ）、（Ｌ６－Ｃ）および（Ｌ６－Ｄ）において、Ｒは、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアミノ基、無置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素環基、または無置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、Ｒは、全て水素原子であることがさらに好ましい。

上記式（Ｌ６－Ａ）、（Ｌ６－Ｂ）、（Ｌ６－Ｃ）および（Ｌ６－Ｄ）において、Ｒ’は、それぞれ独立して、シアノ基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、無置換の炭素数１以上３０以下のアルコキシ基、無置換の炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、または無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基を有するアルキルアミノ基であることが好ましい。また、Ｒ’は、全て水素原子であることがさらに好ましい。

上記式（Ｌ６－Ａ）、（Ｌ６－Ｂ）、（Ｌ６－Ｃ）および（Ｌ６－Ｄ）で表される化合物の中でも、上記式（Ｌ６－Ｃ）で表される化合物がより好ましい。

以下、低分子化合物６を具体的に例示する。ただし、低分子化合物６はこれら具体例に限定されるものではない。

なお、低分子化合物６の製造方法は、特に限定されず、公知の合成方法を含む種々の製造方法を用いることができる。

本発明の好ましい一実施形態において、低分子材料は、低分子化合物１、低分子化合物２、低分子化合物３、低分子化合物４、低分子化合物５および低分子化合物６からなる群より選択される少なくとも１種の低分子化合物を含む。本発明のより好ましい一実施形態において、低分子材料は、下記群（Ｃ）から選択される少なくとも１種以上の低分子化合物を含む。

本発明の他の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子において、有機層（好ましくは正孔輸送層）は、前述の群（Ａ）から選択される少なくとも１種の重合体と、低分子化合物１、低分子化合物２、低分子化合物３、低分子化合物４、低分子化合物５および低分子化合物６からなる群より選択される少なくとも１種の低分子化合物とを含む。本発明の他の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子において、有機層（好ましくは正孔輸送層）は、前述の群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の重合体と、低分子化合物１、低分子化合物２、低分子化合物３、低分子化合物４、低分子化合物５および低分子化合物６からなる群より選択される少なくとも１種の低分子化合物とを含む。本発明の他の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子において、有機層（好ましくは正孔輸送層）は、前述の群（Ａ）から選択される少なくとも１種の重合体と、上記群（Ｃ）から選択される少なくとも１種の低分子化合物とを含む。本発明の他の好ましい一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子において、有機層（好ましくは正孔輸送層）は、前述の群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の重合体と、上記群（Ｃ）から選択される少なくとも１種の低分子化合物とを含む。

低分子材料を使用する場合、上記の態様に係る組成物中における、低分子材料の含有量は、特に制限されない。しかしながら、上記の態様に係る組成物中における、低分子材料の含有量としては、上記態様に係る重合体と、低分子材料との合計を１００質量％とした際に、低分子材料の含有割合が０質量％超５０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以上２５質量％以下であることがさらに好ましい。これらの方法によれば、ＥＬ素子の素子寿命、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命がより向上する。上記の態様に係るエレクトロルミネッセンス素子材料中における、低分子材料の好ましい含有量もまた、上記の態様に係る組成物中における、低分子材料の好ましい含有量の範囲と同様である。上記の態様に係るエレクトロルミネッセンス素子の有機層（好ましくは正孔輸送層）中における、低分子材料の好ましい含有量もまた、上記の態様に係る組成物中における、低分子材料の好ましい含有量の範囲と同様である。

本発明の一実施形態において、正孔輸送層１４０は、上記の態様に係る重合体と、公知の正孔輸送材料とを含んでいてもよい。

ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機膜が上記の態様に係る重合体を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよい。

公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane：ＴＡＰＣ）、Ｎ－フェニルカルバゾール（N-phenylcarbazole）およびポリビニルカルバゾール（polyvinylcarbazole）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine：ＴＰＤ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）等を挙げることができる。正孔輸送材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット印刷法などを用いて形成されることが好ましい。発光層１５０は、例えば、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

発光層１５０の発光材料としては、特に制限されず、公知の発光材料を用いることができる。発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、ＥＬ素子１００の駆動寿命をさらに向上させることができる。発光材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

発光層１５０は、特に制限されず、公知の構成とすることができる。好ましくは、発光層は、量子ドットまたは有機金属錯体を含み、より好ましくは、量子ドットを含む。すなわち、本発明の好ましい実施形態では、有機膜が量子ドットまたは有機金属錯体を含む発光層を有し、本発明のより好ましい実施形態では、有機膜が量子ドットを含む発光層を有する。なお、発光層が量子ドットを含む場合には、ＥＬ素子は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）、量子ドット発光素子または量子点発光素子である。また、発光層が有機金属錯体を含む場合には、ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）である。

発光層が量子ドットを含む形態（ＱＬＥＤ）において、発光層は、多数の量子ドットが単一層または複数層に配列されたものである。ここで、量子ドットは、量子拘束効果を持つ所定サイズの半導体ナノ粒子である。半導体ナノ粒子（量子ドット）の直径は、特に制限されないが、好ましくは、１ｎｍ以上１５ｎｍ以下程度であり、より好ましくは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度である。

発光層に配列される半導体ナノ粒子（量子ドット）は、ウェット化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程または他の類似した工程等により合成することができる。中でも、ウェット化学工程は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。

ウェット化学工程では、結晶が成長する際に、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割を果たすことで、結晶の成長が調節される。そのため、ウェット化学工程では、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ、Metal Organic Chemical Vapor Deposition）や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ、Molecular Beam Epitaxy）などの気相蒸着
法に比べて、容易かつ低コストで、半導体ナノ粒子の成長を制御することができる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、そのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節できるようになり、発光層（量子ドット発光層）で多様な波長帯の光を得ることができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することで、複数波長の光を出射（または発光）するディスプレイを可能にする。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成できるように、赤色、緑色、青色光が出射されるように選択できる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせられる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）としては、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素または化合物；およびこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体物質等を用いることができる。

ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；ならびに、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、およびこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、およびこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；ならびに、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、およびこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；ならびにＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択されることができる。

ＩＶ族元素または化合物は、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される一元素化合物；ならびに、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物からなる群から選択される。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、均質な単一構造またはコア・シェルの二重構造を持つことができる。コア・シェルは相異なる物質を含むことができる。それぞれのコアとシェルとを構成する物質は、相異なる半導体化合物からなり得る。ただし、シェル物質のエネルギーバンドギャップは、コア物質のエネルギーバンドギャップより大きい。具体的には、ＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳなどの構造が好ましい。

例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を持つ量子ドットを作製する場合を説明する。まず、界面活性剤として、ＴＯＰＯ（trioctylphosphine oxide）を使用した有機溶媒に、（ＣＨ_３）_２Ｃｄ（dimethylcadmium）、ＴＯＰＳｅ（trioctylphosphine selenide）などのコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、既に生成されたコアの表面にシェルを形成させる。これによって、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、有機化合物によって修飾されていてもよい。

量子ドットは、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

発光層が量子ドットを含む場合、発光層は、量子ドットに加えて、他の材料を含有していてもよい。他の材料としては、特に制限されないが、例えば、有機化合物等が挙げられる。

発光層が有機金属錯体を含む形態（ＯＬＥＤ）において、発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、６，９－ジフェニル－９’－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、３，９－ジフェニル－５－（３－（４－フェニル－６－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）－１，３，５，－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、９，９’－ジフェニル－３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ_３）、
４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（poly(n-vinyl carbazole)：ＰＶＫ）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（9,10-di(naphthalene)anthracene：ＡＤＮ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン（3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（distyrylarylene：ＤＳＡ）、４，４’－ビス（９－カルバゾール）－２，２’－ジメチル－ビフェニル（4,4’-bis(9-carbazole)2,2’-dimethyl-bipheny：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。ホスト材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（perylene）およびその誘導体、ルブレン（rubrene）およびその誘導体、クマリン（coumarin）およびその誘導体、４－ジシアノメチレン－２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン（4-dicyanomethylene-2-(pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran：ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス［２－（４，６－ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinate]picolinate iridium(III)：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（tris(2-phenylpyridine)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（２－（３－ｐ－キシイル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。ドーパント材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

発光層を形成する方法は、特に制限されない。量子ドットまたは有機金属錯体を含む塗布液を塗布すること（溶液塗布法）によって形成できる。この際、塗布液を構成する溶媒としては、正孔輸送層中の材料（正孔輸送材料、特に上記の態様に係る重合体）を溶解しない溶媒を選択することが好ましい。

発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、（８－キノリノラト）リチウム（別名：リチウムキノレート）（(8-quinolinato)lithium：Ｌｉｑ）、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ_３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene）のようなピリジン（pyridine）環を含む化合物、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（2,4,6-tris(3’-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine）のようなトリアジン（triazine）環を含む化合物、２－（４－（Ｎ－フェニルベンゾイニダゾリル－１－イル－フェニル）－９，１０－ジナフチルアントラセン（2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール（imidazole）環を含む化合物等を挙げることができる。電子輸送材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層である。電子注入層１７０は、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層１７０は、例えば、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下、好ましくは、０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８－キノリノラト）リチウム（別名：リチウムキノレート）（(8-quinolinato)lithium：Ｌｉｑ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（lithium）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。電子注入材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、真空蒸着法などを用いて形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。第２電極１８０は、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。または、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。

以上、本発明の一態様に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例として、本発明の一実施形態に係るＥＬ素子１００について説明した。本発明の一実施形態に係るＥＬ素子１００は、上記の態様に係る重合体を含む有機膜（特に正孔輸送層または正孔注入層）を設置することにより、ＥＬ素子１００の素子寿命、特に、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の素子寿命を延長することが可能である。本発明の一実施形態において、上記の態様に係る重合体は、有機層に、上記の態様に係るＥＬ素子材料として含まれていてもよく、上記の態様に係る組成物として含まれていてもよい。

本発明の一実施形態に係るＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０からなる群より選択される１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。例えば、ＥＬ素子１００は、励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、電子輸送層１６０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（oxadiazole）誘導体、トリアゾール（triazole）誘導体、または、フェナントロリン（phenanthroline）誘導体等によって形成することができる。例えば、ＥＬ素子１００は、励起子または電子が正孔輸送層１４０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に電子阻止層をさらに備えていてもよい。

さらに、上記の態様に係る重合体、上記の態様に係るＥＬ素子材料、および上記態様に係る組成物は、上記ＱＬＥＤまたはＯＬＥＤ以外のエレクトロルミネッセンス素子に適用することができる。他のエレクトロルミネッセンス素子としては、特に限定されないが、例えば、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。

上記の態様に係る組成物の好ましい他の一実施形態としては、例えば、上記の態様に係る重合体を含み、上記の条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料をさらに含む、組成物が挙げられる。当該組成物は、正孔輸送層形成用組成物であることがより好ましい。

本態様に係るエレクトロルミネッセンス素子の好ましい他の一実施形態は、例えば、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、１層または２層以上の有機層とを備え、少なくとも１つの前記有機層は、上記の態様に係る重合体と、上記の条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料と含む、エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。より好ましい実施形態としては、例えば、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、正孔輸送層とを備え、前記正孔輸送層は、上記の態様に係る重合体と、上記の条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料と含む、エレクトロルミネッセンス素子が挙げられる。これらのエレクトロルミネッセンス素子は、量子ドットを含む層をさらに備えることが好ましい。

本発明の実施形態を詳細に説明したが、これは説明的かつ例示的なものであって限定的ではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって解釈されるべきであることは明らかである。

本発明は、下記態様および形態を包含する：
［１］下記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．８以下である、重合体：

上記式において、ｋは、重合体を構成する構成単位の化学式における原子に与えた通し番号であり、ｄ^ｋ _ＨＯＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＨＯＭＯの分布密度を示し、ｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＬＵＭＯの分布密度を示す；
［２］上記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．２以下である、［１］に記載の重合体；
［３］上記式（１）で表される構成単位を含む、［１］または［２］に記載の重合体；
［４］上記式（１）で表される構成単位を含む、重合体；
［５］上記式（１）において、Ａｒ^３は、上記群（Ｉ）から選択される基である、［３］または［４］に記載の重合体；
［６］上記式（１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４からなる群より選択される少なくとも１つは、それぞれ独立して、上記群（ＩＩ）から選択される基である、［３］～［５］のいずれかに記載の重合体；
［７］上記式（１）において、Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、上記群（ＩＩ）から選択される基である、［６］に記載の重合体；
［８］上記式（１）で表される構成単位は、上記群（Ａ）から選択される少なくとも１種の構成単位である、［３］～［７］のいずれかに記載の重合体；
［９］上記式（１）で表される構成単位は、上記群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の構成単位である、［３］～［７］のいずれかに記載の重合体；
［１０］上記式（１）で表される構成単位は、上記群（Ｂ’）から選択される少なくとも１種の構成単位である、［９］に記載の重合体；
［１１］［１］～［１０］のいずれかに記載の重合体を含む、組成物；
［１２］上記の条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料をさらに含む、［１１］に記載の組成物；
［１３］一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、［１］～［１０］のいずれかに記載の重合体を含む少なくとも１層の有機膜とを含む（備える）、エレクトロルミネッセンス素子；
［１４］一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、１層または２層以上の有機層とを備え、少なくとも１つの前記有機層は、［１］～［１０］のいずれか１項に記載の重合体と、上記の条件（ａ）を満たし、かつ、上記の条件（ｂ）、上記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料と含む、エレクトロルミネッセンス素子；
［１５］一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、［１１］または［１２］に記載の組成物を含む少なくとも１層の有機膜とを含む（備える）、エレクトロルミネッセンス素子；
［１６］量子ドットを含む層をさらに備える、［１３］～［１５］のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス素子。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。

＜重合体の合成＞
（中間体１の合成）
中間体１を下記反応に従って合成した。

３Ｌ－４口フラスコに、４－クロロアニリン（４－Ｃｈｌｏｒｏａｎｉｌｉｎｅ）（５１０ｍｍｏｌ、６５．０ｇ）、１－ブロモ－４－クロロベンゼン（１－Ｂｒｏｍｏ－４－ｃｈｌｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ）（５３５ｍｍｏｌ、１０２．４ｇ）、ｔ－ブトキシナトリウム（ｔ－ＢｕＯＮａ）（７６４ｍｍｏｌ、７３．４ｇ）、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）（１０２０ｍｌ）、［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２）（１５．３ｍｍｏｌ、１２．５ｇ）を入れ、窒素雰囲気下１１０℃に加熱撹拌し反応を開始した。その後、反応の進行を確認しながら、反応液を１１０℃で６時間加熱撹拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、セライトを通して濾過した。得られた溶液を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝７：３）で精製した。得られた溶液を濃縮後、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）とヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）を用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１６時間）し、中間体１ａを得た（収量１００ｇ、収率８３％）。

１Ｌ－４口フラスコに、中間体１ａ（１６８ｍｍｏｌ、４０．０ｇ）、ｐ－ブロモヨードベンゼン（ｐ－Ｂｒｏｍｏｉｏｄｏｂｅｎｚｅｎｅ）（２５２ｍｍｏｌ、７１．３ｇ）、ｔ－ＢｕＯＮａ（３３６ｍｍｏｌ、３２．３ｇ）、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）（３３６ｍｌ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２（０．５０ｍｍｏｌ、４．１２ｇ）を入れ、窒素雰囲気下１１０℃に加熱撹拌し反応を開始した。その後、反応の進行を確認しながら、反応液を１１０℃で６時間加熱撹拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、セライトを通して濾過した。得られた溶液を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：トルエン＝７：３）で精製した。得られた溶液を濃縮後、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）とメタノール（Ｍｅｔｈａｎｏｌ）を用いた再結晶を二回実施し精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１６時間）し、真空乾燥（５０℃、１２時間）し、中間体１ｂを得た（収量３４ｇ、収率５０％）。

２Ｌ－三口フラスコに、中間体１ｂ（１７８ｍｍｏｌ、７０．０ｇ）と、ビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂｉｓ（ｐｉｎａｃｏｌａｔｅ）ｄｉｂｏｒｏｎ）（２６７ｍｍｏｌ、６７．８ｇ）と、酢酸カリウム（３５６ｍｍｏｌ、３４．２ｇ）と、１，４－ジオキサン（６５０ｍｌ）とを入れ、撹拌して分散させ、そこにビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２））（５．３４ｍｍｏｌ、４．３６ｇ）を加えて２０時間アルゴン雰囲気下で還流させた。得られた溶液を室温まで冷却し、セライトを用いてろ過し不溶物を除去した。得られた溶液を濃縮後、シリカゲルパッドを通してろ過し、原点成分を除去した。得られた溶液を濃縮後、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）とヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）を用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１２時間）し、中間体１を得た（収量５３．５ｇ、収率６８％）。

（中間体２の合成）
中間体２を下記反応に従って合成した。

５００ｍＬ－３口フラスコに、中間体１（７３．１ｍｍｏｌ、９．０ｇ）、３－ブロモ－９Ｈ－カルバゾール（３－Ｂｒｏｍｏ－９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌｅ）（７３．１ｍｍｏｌ、１６．１ｇ）、トルエン（Ｔｏｌｕｅｎｅ）（１８０ｍｌ）を入れ溶解させた。Ｎａ_２ＣＯ_３水溶液（１０９．７ｍｍｏｌ、５．８２ｇ、純水９０ｍＬ）およびエタノール（Ｅｔｈａｎｏｌ）（９０ｍＬ）を加え分散させ、３０分窒素バブリングした。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）（３．６６ｍｏｌ、２．１１ｇ）を加えて５時間窒素雰囲気下で還流させた。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、トルエンで希釈、純水で三回洗浄した。得られた溶液をＭｇＳＯ_４を用いて乾燥したのち、シリカゲルパッドを通してろ過した。得られたろ過物を溶媒を減圧除去したのち、トルエンとメタノールを用いた再結晶を２回行い精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１６時間）し、中間体２を得た（収量１３．８ｇ、収率７９％）。

（中間体３の合成）
中間体３を下記反応に従って合成した。

中間体３は、中間体２における３－ブロモ－９Ｈ－カルバゾール（３－Ｂｒｏｍｏ－９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌｅ）を２－ブロモ－９Ｈ－カルバゾール（２－Ｂｒｏｍｏ－９Ｈ―ｃａｒｂａｚｏｌｅ）に変更した以外は、中間体２の合成と同様に合成を実施した（収量
１４．５ｇ、収率８９％）。

（中間体４の合成）
中間体４を下記反応に従って合成した。

中間体４は、中間体２における３－ブロモ－９Ｈ－カルバゾール（３－Ｂｒｏｍｏ－９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌｅ）を４－ブロモ－９Ｈ－カルバゾール（４－Ｂｒｏｍｏ－９Ｈ－ｃａｒｂａｚｏｌｅ）に変更した以外は、中間体２と同様に合成を実施した（収量３２．１ｇ、収率６４％）。

（単量体Ｍ－１の合成）
単量体Ｍ－１を下記反応に従って合成した。

３００ｍＬ－４口フラスコに、中間体２（２８．８ｍｍｏｌ、１３．８ｇ）、３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニル（３１．７ｍｍｏｌ，９．７９ｇ）、ｔ－ＢｕＯＮａ（４３．２ｍｍｏｌ、４．１５ｇ）、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）（１６０ｍｌ）を入れ分散させた。そこにトリスジベンジリデンアセトンジパラジウム（０．５８ｍｍｏｌ、０．５３ｇ）およびトリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィンテトラフルオロボレート（１．１５ｍｍｏｌ、０．３３ｇ）を加え窒素雰囲気下１１０℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、不溶物をセライトを用いてろ別した。ろ過液から溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／トルエン）を用いて精製し、前駆体Ｍ－１ａを得た（収量１１．０ｇ、収率５４％）。

２Ｌ－三口フラスコに、前駆体Ｍ－１ａ（１５．５ｍｍｏｌ、１１．０ｇ）と、ビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂｉｓ（ｐｉｎａｃｏｌａｔｅ）ｄｉｂｏｒｏｎ）（６２．２ｍｍｏｌ、１５．８ｇ）と、酢酸カリウム（９３．３ｍｍｏｌ、９．０ｇ）と、１，４－ジオキサン（１５５ｍｌ）とを入れ、撹拌して分散させ、そこに酢酸パラジウム（１．５５ｍｍｏｌ、０．３５ｇ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（１．５５ｍｍｏｌ、０．７４ｇ）を加えて５時間アルゴン雰囲気下で還流させた。得られた溶液を室温まで冷却し、セライトを用いてろ過し不溶物を除去した。ろ過液から溶媒を減圧留去し、シリカゲルパッドを通してろ過し、原点成分を除去した。得られた溶液を濃縮後、トルエンとアセトニトリルを用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１２時間）し、単量体Ｍ－１を得た（収量
５．３ｇ、収率３８％）。

（単量体Ｍ－２の合成）
単量体Ｍ－２を、下記反応に従い、単量体Ｍ－１における３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニルを２－（３－ブロモフェニル）ナフタレンに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した（収量５．１ｇ、収率５７％）。

（単量体Ｍ－３の合成）
単量体Ｍ－３を、下記反応に従い、単量体Ｍ－１における３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニルを２－ブロモジベンゾフランに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した（収量６．５ｇ、収率６０％）。

（単量体Ｍ－４の合成）
単量体Ｍ－４を、下記反応に従い、単量体Ｍ－１における中間体２を中間体３に変更し、３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニルを２－ブロモジベンゾチオフェンに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した（収量３．８ｇ、収率４０％）。

（単量体Ｍ－５の合成）
単量体Ｍ－５を、下記反応に従い、単量体Ｍ－１における３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニルを３－ブロモ－９，９－ジメチルフルオレンに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した（収量３．０ｇ、収率１７％）。

（単量体Ｍ－６の合成）
単量体Ｍ－６を、下記反応に従い、単量体Ｍ－１における中間体２を中間体４に変更し、３－ブロモ－１，１’：３’，１”－テルフェニルを３－ブロモ－９，９－ジメチルフルオレンに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した（収量９．３ｇ、収率７３％）。

（実施例１：重合体Ａ－１の合成）
アルゴン雰囲気下、単量体Ｍ－１（１．９７８ｇ）、９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレン（１．２１２ｇ）、酢酸パラジウム（５．０ｍｇ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４７．０ｇ）、トルエン（６４ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．５ｇ）を混合し、６時間還流攪拌した。次に、反応溶液にフェニルボロン酸（２６８．８ｍｇ）、ビス（トリフェニルスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９３．５ｍｇ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．５ｇ）を加え、６時間加熱還流した。その後、得られた溶液から水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（７．５１ｇ）、およびイオン交換水（７０ｍＬ）を加え８５℃で６時間攪拌した。得られた溶液について、有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して重合体を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥して、重合体Ａ－１を得た（収量０．３５ｇ）。

得られた重合体Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、２１３，０００および１．８５であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

（実施例２：重合体Ａ－２の合成）
重合体Ａ－２は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－２に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．７７ｇ）。

得られた重合体Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、２１７，０００および１．８３であった。

このようにして得られた重合体Ａ－２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

（実施例３：重合体Ａ－３の合成）
重合体Ａ－３は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－３に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．７０ｇ）。

得られた重合体Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、２２０，０００および１．５８であった。

このようにして得られた重合体Ａ－３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

（実施例４：重合体Ａ－４の合成）
重合体Ａ－４は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－４に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．４３ｇ）。

得られた重合体Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１４０，０００および２．９０であった。

このようにして得られた重合体Ａ－４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

（実施例５：重合体Ａ－５の合成）
重合体Ａ－５は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－５に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．１５ｇ）。

得られた重合体Ａ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、７４，０００および１．５８であった。

このようにして得られた重合体Ａ－５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

（実施例６：重合体Ａ－６の合成）
重合体Ａ－６は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－６に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．９２ｇ）。

得られた重合体Ａ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１１４，０００および２．５６であった。

このようにして得られた重合体Ａ－６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１～Ａ－６において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。

（実施例７：重合体Ａ－７）
重合体Ａ－７については、後述する。

（実施例８～２１：重合体Ａ－８～重合体Ａ－２１）
（中間体５の合成）
中間体５を、下記反応に従って合成した。

１Ｌ－４口フラスコに、１－ブロモ－４－ヘキシルベンゼン（２０７．３ｍｍｏｌ、５０．０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２４８．８ｍｍｏｌ、６３．２ｇ）、酢酸カリウム（３１０．１ｍｍｏｌ、２９．９ｇ）、１，４－ジオキサン（６９１ｍｌ）を入れ分散させた。そこに［１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ），ジクロロメタン付加体（２０．７ｍｍｏｌ、１６．９ｇ）を加え窒素雰囲気下９０℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、不溶物をセライトを用いてろ別した。ろ過液から溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／トルエン）を用いて精製し、中間体５を得た（収量４８．０ｇ、収率８０％）。

１－ブロモ－４－ヘキシルベンゼンおよび中間体５において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－ヘキシル基を表す。

（単量体Ｍ－７の合成）
単量体Ｍ－７を、下記反応に従って合成した。

単量体Ｍ－７については、単量体Ｍ－１における中間体１を中間体２に変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成を実施した。前駆体Ｍ－７ａの収率および収量、ならびに単量体Ｍ－７の収率および収量は、それぞれ、
前駆体Ｍ－７ａ（収量７．０ｇ、収率７３％）、
単量体Ｍ－７（収量６．０ｇ、収率６８％）、
であった。

（単量体Ｍ－８の合成）
単量体Ｍ－８を、下記反応に従って合成した。

前駆体Ｍ－８ｂおよび単量体Ｍ－８において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－ヘキシル基を表す。

２００ｍＬ－４口フラスコに、中間体２（３１．３ｍｍｏｌ、１５．０ｇ）、４－ブロモ－４’－ヨード－１，１’－ビフェニル（３１．３ｍｍｏｌ、１１．２ｇ）、ｔ－ＢｕＯＮａ（４６．９ｍｍｏｌ、４．５１ｇ）、１，４－ジオキサン（３１ｍＬ）を入れ分散させた。そこにヨウ化銅（１．５６ｍｍｏｌ、０．３０ｇ）およびＴｒａｎｓ－シクロヘキサンジアミン（６．２６ｍｍｏｌ、０．７５ｇ）を加え窒素雰囲気下９０℃で２０時間加熱撹拌した。反応終了後、得られた溶液を室温まで冷却し、不溶物をセライトを用いてろ別した。ろ過液から溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／トルエン）を用いて精製した。得られた固体をテトラヒドロフランとメタノールを用いて再結晶精製し、前駆体Ｍ－８ａを得た（収量１９．３ｇ、収率８７％）。

５００ｍＬ－三口フラスコに、前駆体Ｍ－８ａ（２７．２ｍｍｏｌ、１９．３ｇ）、中間体５（２７．２ｍｍｏｌ、７．８３ｇ）、炭酸ナトリウム（４０．８ｍｍｏｌ、４．３２ｇ）、トルエン（１３６ｍＬ）、エタノール（６８ｍＬ）および蒸留水（６８ｍＬ）を入れ、撹拌して分散させ、そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．８１ｍｍｏｌ、０．９４ｇ）を加えて１４時間アルゴン雰囲気下で還流させた。得られた溶液を室温まで冷却し、析出物をろ別し、メタノールで洗浄した。析出物をテトラヒドロフランとメタノールを用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１２時間）し、前駆体Ｍ－８ｂを得た（収量１７．４ｇ、収率８０％）。

５００ｍＬ－三口フラスコに、前駆体Ｍ－８ｂ（２２．０ｍｍｏｌ、１７．４ｇ）と、ビス（ピナコラト）ジボロン（Ｂｉｓ（ｐｉｎａｃｏｌａｔｅ）ｄｉｂｏｒｏｎ）（８７．９ｍｍｏｌ、２２．３ｇ）と、酢酸カリウム（１３１．９ｍｍｏｌ、１２．７ｇ）と、１，４－ジオキサン（２２０ｍＬ）とを入れ、撹拌して分散させ、そこに酢酸パラジウム（２．２０ｍｍｏｌ、０．５０ｇ）および２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（２．２０ｍｍｏｌ、１．０５ｇ）を加えて３時間アルゴン雰囲気下で還流させた。得られた溶液を室温まで冷却し、セライトを用いてろ過し不溶物を除去した。ろ過液から溶媒を減圧留去し、シリカゲルパッドを通してろ過し、原点成分を除去した。得られた溶液を濃縮後、トルエンとアセトニトリルを用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１２時間）し、単量体Ｍ－８を得た（収量９．６ｇ、収率４４％）。

（単量体Ｍ－９の合成）
単量体Ｍ－９を、下記反応に従って合成した。

前駆体Ｍ－９ｂおよび単量体Ｍ－９において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－ヘキシル基を表す。

単量体Ｍ－９は、単量体Ｍ－８における４－ブロモ－４’－ヨード－１，１’－ビフェニルを４－ブロモ－３’－ヨード－１，１’－ビフェニルに変更したこと以外は単量体Ｍ－８と同様の手順によって、合成を実施した。前駆体Ｍ－９ａの収率および収量、前駆体Ｍ－９ｂの収率および収量、ならびに単量体Ｍ－９の収率および収量は、それぞれ、
前駆体Ｍ－９ａ（収量１４．５ｇ、収率６５％）、
前駆体Ｍ－９ｂ（収量４．４ｇ、収率４４％）、
単量体Ｍ－９（収量３．４ｇ、収率６２％）、
であった。

（単量体Ｍ－１０の合成）
単量体Ｍ－１０を、下記反応に従って合成した。

前駆体Ｍ－１０ｂおよび単量体Ｍ－１０において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－ヘキシル基を表す。

単量体Ｍ－１０は、単量体Ｍ－８における中間体２を中間体３に変更したこと以外は単量体Ｍ－８と同様の手順によって、合成を実施した。前駆体Ｍ－１０ａの収率および収量、前駆体Ｍ－１０ｂの収率および収量、ならびに単量体Ｍ－１０の収率および収量は、それぞれ、
前駆体Ｍ－１０ａ（収量１２．９ｇ、収率５８％）、
前駆体Ｍ－１０ｂ（収量１０．８ｇ、収率７５％）、
単量体Ｍ－１０（収量７．８ｇ、収率５７％）、
であった。

（単量体Ｍ－１１の合成）
単量体Ｍ－１１を、下記反応に従って合成した。

前駆体Ｍ－１１ｂおよび単量体Ｍ－１１において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－ヘキシル基を表す。

単量体Ｍ－１１は、単量体Ｍ－８における中間体２を中間体３に変更し、また４－ブロモ－４’－ヨード－１，１’－ビフェニルを４－ブロモ－３’－ヨード－１，１’－ビフェニルに変更したこと以外は単量体Ｍ－８と同様の手順によって、合成を実施した。前駆体Ｍ－１１ａの収率および収量、前駆体Ｍ－１１ｂの収率および収量、ならびに単量体Ｍ－１１の収率および収量は、それぞれ、
前駆体Ｍ－１１ａ（収量１４．５ｇ、収率６５％）、
前駆体Ｍ－１１ｂ（収量１４．４ｇ、収率８９％）、
単量体Ｍ－１１（収量９．１ｇ、収率５３％）、
であった。

（単量体Ｍ－１２）
単量体Ｍ－１２を、下記反応に従って合成した。

５００ｍＬ－三口フラスコに、前駆体Ｍ－７（１１．２ｍｍｏｌ、１０．０ｇ）、１－ブロモ－４－クロロベンゼン（２８．１ｍｍｏｌ、５．３７ｇ）、炭酸ナトリウム（１６．８ｍｍｏｌ、１．７９ｇ）、トルエン（５６ｍＬ）、エタノール（２８ｍＬ）および蒸留水（２８ｍＬ）を入れ、撹拌して分散させ、そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．３４ｍｍｏｌ、０．３８９ｇ）を加えて７時間アルゴン雰囲気下で還流させた。得られた溶液を室温まで冷却し、析出物をろ別し、メタノールで洗浄した。析出物をテトラヒドロフランとメタノールを用いた再結晶により精製した。得られた固体を真空乾燥（５０℃、１２時間）し、前駆体Ｍ－１２ａを得た（収量７．８ｇ、収率８１％）。

単量体Ｍ－１２は、単量体Ｍ－１における前駆体Ｍ－１ａを前駆体Ｍ－１２ａに変更したこと以外は単量体Ｍ－１と同様の手順によって、合成した（収量５．６ｇ、収率５９％）。

上記で得られた各単量体は、核磁気共鳴装置（^１Ｈ－ＮＭＲ）によってその構造を同定した。

（実施例８：重合体Ａ－８の合成）
（重合体Ａ－８の合成）
重合体Ａ－８は、重合体Ａ－１における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジドデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量１．１ｇ）。

得られた重合体Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、８９，０００および２．２であった。

このようにして得られた重合体Ａ－８は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－８において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表す。

（実施例９：重合体Ａ－９の合成）
（重合体Ａ－９の合成）
重合体Ａ－９は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－７に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量１．１ｇ）。

得られた重合体Ａ－９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１９６，０００および２．７であった。

このようにして得られた重合体Ａ－９は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－９において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。

（実施例１０：重合体Ａ－１０の合成）
重合体Ａ－１０は、重合体Ａ－９における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－９と同様の手順で合成を実施した（収量０．９０ｇ）。

得られた重合体Ａ－１０の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１０の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１１５，０００および１．４８であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１０は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１０において、「Ｃ_１０Ｈ_２１－」で表される基は、ｎ－デシル基を表す。

（実施例１１：重合体Ａ－１１の合成）
重合体Ａ－１１は、重合体Ａ－９における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジドデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－９と同様の手順で合成を実施した（収量２．０ｇ）。

得られた重合体Ａ－１１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、２２７，０００および１．７であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１１において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表す。

（実施例１２：重合体Ａ－１２の合成）
重合体Ａ－１２は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－４に、９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量１．１７ｇ）。

得られた重合体Ａ－１２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、６３，０００および２．３であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１２において、「Ｃ_１０Ｈ_２１－」で表される基は、ｎ－デシル基を表す。

（実施例１３：重合体Ａ－１３の合成）
重合体Ａ－１３は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－８に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．８ｇ）。

得られた重合体Ａ－１３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１４５，０００および２．３であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１３において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１４：重合体Ａ－１４の合成）
重合体Ａ－１４は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－９に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．９ｇ）。

得られた重合体Ａ－１４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、３０３，０００および２．０であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１４において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１５：重合体Ａ－１５の合成）
重合体Ａ－１５は、重合体Ａ－１４における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジドデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１４と同様の手順で合成を実施した（収量１．０ｇ）。

得られた重合体Ａ－１５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１５の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１２３，０００および１．８であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１５は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１５において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１６：重合体Ａ－１６の合成）
重合体Ａ－１６は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－１０に、９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量０．７ｇ）。

得られた重合体Ａ－１６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１６の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１１４，０００および１．６であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１６は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１６において、「Ｃ_１０Ｈ_２１－」で表される基は、ｎ－デシル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１７：重合体Ａ－１７の合成）
重合体Ａ－１７は、重合体Ａ－１６における９．９－ジデシル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジドデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１６と同様の手順で合成を実施した（収量０．７ｇ）。

得られた重合体Ａ－１７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１７の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１４０，０００および１．６であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１７は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１７において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１８：重合体Ａ－１８の合成）
重合体Ａ－１８は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－１１に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量１．０ｇ）。

得られた重合体Ａ－１８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１８の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１００，０００および２．０であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１８は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１８において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表し、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

（実施例１９：重合体Ａ－１９の合成）
重合体Ａ－１９は、重合体Ａ－１における単量体Ｍ－１を単量体Ｍ－１２に変更したこと以外は、重合体Ａ－１と同様の手順で合成を実施した（収量１．３ｇ）。

得られた重合体Ａ－１９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－１９の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１２，０００および１．７であった。

このようにして得られた重合体Ａ－１９は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－１９において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。

（実施例２０：重合体Ａ－２０の合成）
重合体Ａ－２０は、重合体Ａ－１９における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを９．９－ジドデシル－３，６－ジブロモフルオレンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１９と同様の手順で合成を実施した（収量１．１ｇ）。

得られた重合体Ａ－２０の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－２０の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１９６，０００および２．７であった。

このようにして得られた重合体Ａ－２０は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－２０において、「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表す。

（実施例２１：重合体Ａ－２１の合成）
重合体Ａ－２１は、重合体Ａ－１９における９．９－ジオクチル－３，６－ジブロモフルオレンを１，４－ジブロモ－２，５－ジヘキシルベンゼンに変更したこと以外は、重合体Ａ－１９と同様の手順で合成を実施した（収量１．１ｇ）。

得られた重合体Ａ－２１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、重合体Ａ－２１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、１９６，０００および２．７であった。

このようにして得られた重合体Ａ－２１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位（構成単位）を有すると推定される。

上記重合体Ａ－２１において、「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。

＜各重合体の評価＞
［シミュレーション評価］
上記実施例１～６の重合体（重合体Ａ－１～Ａ－６）、下記の実施例７の重合体（重合体Ａ－７）、上記実施例８～２１の重合体（重合体Ａ－８～Ａ－２１）および下記構成単位を有するポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）について、下記方法により、オーバーラップインデックス（ＯｖｅｒｌａｐＩｎｄｅｘ）を計算した。

なお、実施例７の重合体（重合体Ａ－７）は、実施例１の重合体Ａ－１の合成において、原料を変更することにより合成することができる。

上記重合体Ａ－７において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。

重合体を構成する構成単位について、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、およびこれらの分布密度を、密度汎関数法（ＤｅｎｓｉｔｙＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＴｈｅｏｒｙ，ＤＦＴ）により、計算ソフトウェアとしてＧａｕｓｓｉａｎ１６（ＧａｕｓｓｉａｎＩｎｃ．）を用い、汎関数Ｂ３ＬＹＰ、基底関数６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）にて算出した。

上記計算にて算出した、重合体を構成する構成単位の各原子上のＨＯＭＯの分布密度およびＬＵＭＯの分布密度を用い、下記式に従いＨＯＭＯとＬＵＭＯとの重なりとしてオーバーラップインデックスを計算した。

上記式において、ｋは、重合体を構成する構成単位の化学式における原子に与えた通し番号であり、ｄ^ｋ _ＨＯＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＨＯＭＯの分布密度を示し、ｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＬＵＭＯの分布密度を示し、
ｄ^ｋ _ＨＯＭＯおよびｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、それぞれ、密度汎関数法（ＤｅｎｓｉｔｙＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＴｈｅｏｒｙ，ＤＦＴ）により、計算ソフトウェアとしてＧａｕｓｓｉａｎ１６（ＧａｕｓｓｉａｎＩｎｃ．）を用い、汎関数Ｂ３ＬＹＰ、基底関数６－３１Ｇ（ｄ，ｐ）にて算出した値である。

オーバーラップインデックスの計算は、重合体の構成単位の基底状態について実施し、電子が分布する最高軌道をＨＯＭＯ、電子が分布しない最低軌道をＬＵＭＯとした。

なお、重合体が１種の構成単位のみを有する場合は、オーバーラップインデックスは、当該構成単位で計算された値となり、重合体が２以上の構成単位を有する場合には、各構成単位のオーバーラップインデックスをそれぞれ計算し、各構成単位のオーバーラップインデックスと、各構成単位の含有割合（重合体を構成する全構成単位数に対する各構成単位数の割合）との積の値をそれぞれ算出し、得られた値の総和を重合体のオーバーラップインデックスとした。

より詳細には、オーバーラップインデックスは、以下の手順で算出した。まず、重合体の構成単位中に含まれる各原子に通し番号を与えた。

次いで、これら通し番号を与えた各原子について、上記の方法にて、重合体を構成する構成単位の原子上のＨＯＭＯの分布密度およびＬＵＭＯの分布密度を求めた。一例として、比較例に係るポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）について、シミュレーションにより求められた、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯを示すグラフ、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯと、ＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯとの積を示すグラフ、シミュレーションによって得られる分子軌道図を、図２および図３に示す。また、本発明の実施例７に係る重合体Ａ－７について、シミュレーションにより求められた、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯを示すグラフ、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯと、ＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯとの積を示すグラフ、シミュレーヨンによって得られる分子軌道図を、図４および図５に示す。

そして、重合体を構成する構成単位の各原子上のＨＯＭＯの分布密度およびＬＵＭＯの分布密度の結果から、上記式に従い、オーバーラップインデックスを算出した。これらの結果、図２～図５に示すように、実施例７に係る重合体Ａ－７は、比較例に係るＴＦＢと比較して、構成単位内において、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さく、下記表１に示すように、オーバーラップインデックスも小さいことが確認された。

また、他の例として、実施例１～６に係る重合体Ａ－１～Ａ－６、実施例８～２１に係る重合体Ａ－８～Ａ－２１についても、同様に、比較例に係るＴＦＢと比較して、構成単位内において、ＨＯＭＯに対応する部分と、ＬＵＭＯに対応する部分との重なりが小さく、下記表１に示すように、オーバーラップインデックスも小さいことが確認された。これらのうち、実施例１～３に係る重合体Ａ－１～Ａ－３についての、シミュレーションにより求められた、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯを示すグラフ、各通し番号ｋの原子における、ＨＯＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＨＯＭＯと、ＬＵＭＯの分布密度ｄ^ｋ _ＬＵＭＯとの積を示すグラフ、シミュレーションによって得られる分子軌道図を、図６～図１１に示す。オーバーラップインデックスの値は下記表１に示す。

表１より、実施例の重合体のオーバーラップインデックスは０．００００１以上１．８以下の範囲内であり、比較例のＴＦＢのオーバーラップインデックスはこの範囲外であることが分かった。

図２～１１より、本発明の範囲内のオーバーラップインデックスを有する実施例の重合体は、本発明の範囲外のオーバーラップインデックスを有する比較例のＴＦＢと比して、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとの重なりが小さいことが分かる。

［特性評価］
上記実施例１～６の重合体Ａ－１～Ａ－６、実施例８～２１の重合体Ａ－８～Ａ－２１および上記構成単位を有するポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）について、下記方法により、ＨＯＭＯ準位（ｅＶ）、ＬＵＭＯ準位（ｅＶ）、ガラス転移温度（Ｔｇ）（℃）および溶剤耐性を測定した。なお、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、ＴＦＢの重量平均分子量及びＭｗ／Ｍｎは、それぞれ、３５９，０００および３．４であった。結果を下記表２および下記表３に示す。

（ＨＯＭＯ準位の測定）
重合体を、濃度が１質量％となるようにキシレンに溶解させ、塗布液を調製した。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数２０００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、１５０℃、３０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製した。大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ－３）を用いて、サンプルのＨＯＭＯ準位を測定した。このとき、測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、ＨＯＭＯ準位（ｅＶ）とした。なお、ＨＯＭＯ準位は、通常、負の数値である。

（ＬＵＭＯ準位の測定）
重合体を、濃度が３．２質量％となるようにトルエンに溶解させ、塗布液を調製した。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数１６００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、２５０℃、６０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプル（製膜された膜の膜厚：約７０ｎｍ）を作製した。得られたサンプルを７７Ｋ（－１９６℃）まで冷却して、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定した。ＰＬスペクトルの最も短波長側のピーク値から、ＬＵＭＯ準位（ｅＶ）を算出した。

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して１０分間保持したサンプル（重合体）を、降温速度１０℃／分で２５℃まで冷却して１０分間保持した後、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して測定を行った。測定終了後は１０℃／分で室温（２５℃）まで冷却した。

（溶剤耐性）
重合体の溶剤耐性を、下記方法で評価した。すなわち、重合体を、溶媒であるキシレンに１質量％の濃度で溶解して重合体塗布液を調製した。次いで、重合体塗布液を石英基板上にスピンコート法で塗布し、その後、１４０℃で３０分乾燥させ、乾燥膜厚２５ｎｍの膜を形成した。そして、形成した膜（溶剤浸漬前の膜）の吸収スペクトルを、紫外可視分光光度計（株式会社島津製作所製、ＵＶ－１８００）により測定した。その吸収スペクトルの最も長波長側のピークの波長を計測し、それを基準波長とした。

次いで、石英基板上の同じ膜（溶剤浸漬前の膜）を、下記表３に記載の種類および温度の溶剤に２０分間浸漬した後、溶剤中から取り出し、１４０℃で３０分間乾燥した。乾燥後の膜（溶剤浸漬後の膜）の吸収スペクトルを、上記と同様に紫外可視分光光度計により測定した。この吸収スペクトルについて、溶剤への浸漬前の吸収スペクトルの基準波長における強度に対する、溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度の割合（「溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度」／「「溶剤への浸漬後の吸収スペクトルの基準波長における強度」×１００（％））を、溶剤耐性値（％）と定義した。溶剤耐性は、以下の基準に従い評価した：
Ａ：溶剤耐性値が９０％以上である、
Ｂ：溶剤耐性値が７５％以上９０％未満である、
Ｃ：溶剤耐性値が７５％未満である。

溶剤耐性は、ＡおよびＢ評価が好ましく、Ａ評価がより好ましい。これらの評価であると、重合体を含む層上に、湿式法によって他の層を形成しても、重合体を含む層と、当該他の層との膜混合がより抑制される。

＜量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の作製および評価１＞
［青色量子ドットを用いた量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の作製］
（実施例１０１：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂ）
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。

この正孔注入層上に、実施例３の重合体Ａ－３（正孔輸送材料）の１．０質量％のトルエン溶液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、２３０℃で６０分間熱処理して、正孔輸送層を形成した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。

シクロヘキサン中に、下記構造：

を有するＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、１．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が４６２ｎｍ、半値幅が３０ｎｍであった。

この量子ドット発光層を完全に乾燥させた。この量子ドット発光層上に、真空蒸着装置を用いて、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）及び電子輸送材料としての１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を共蒸着させた。その結果、厚さが３６ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。

真空蒸着装置を用いて、この電子輸送層上に、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）を蒸着させた。その結果、厚さ０．５ｎｍの電子注入層が電子輸送層上に形成された。

真空蒸着装置を用いて、この電子注入層上に、アルミニウム（Ａｌ）を蒸着させた。その結果、厚さ１００ｎｍの第２電極（陰極）が電子注入層上に形成された。これにより、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂを得た。

（実施例１０２：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例２の重合体Ａ－２を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０３：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１の重合体Ａ－１を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（比較例２：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０４：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例８の重合体Ａ－８を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０５：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子６Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１０の重合体Ａ－１０を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子６Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０６：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子７Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１１の重合体Ａ－１１を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子７Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０７：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子８Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１２の重合体Ａ－１２を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子８Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０８：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子９Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１４の重合体Ａ－１４を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子９Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１０９：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１０Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１５の重合体Ａ－１５を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１０Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１１０：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１１Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１６の重合体Ａ－１６を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１１Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例１１１：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１２Ｂ）
実施例３の重合体Ａ－３の代わりに、実施例１７の重合体Ａ－１７を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１２Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０１：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１３Ｂ）
正孔輸送層の形成において、実施例３の重合体Ａ－３（正孔輸送材料）の１．０質量％のトルエン溶液の代わりに、実施例１の重合体Ａ－１（正孔輸送材料）を０．８質量％で含み、下記化合物ＡＤ－１を０．２質量％で含む、トルエン溶液を使用する以外は、実施例１０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１３Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０２：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂ）
実施例１の重合体Ａ－１の代わりに、実施例１０の重合体Ａ－１０を使用する以外は、実施例２０１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１３Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０３：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１５Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－２を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１５Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０４：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１６Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－３を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１６Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０５：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１７Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－４を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１７Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０６：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１８Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－５を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１８Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０７：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１９Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－６を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１９Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（実施例２０８：量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２０Ｂ）
下記化合物ＡＤ－１の代わりに、下記化合物ＡＤ－７を使用する以外は、実施例２０２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１４Ｂの作製方法と同様の操作を行い、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２０Ｂを作製した。なお、正孔輸送層はシクロヘキサンにはほとんど溶解しない。

（化合物ＡＤ－１～化合物ＡＤ－７のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ）
化合物ＡＤ－１～化合物ＡＤ－７のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯを、上記の実施例の重合体のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの評価方法と同様の方法で測定した。化合物ＡＤ－１～ＡＤ－７のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯを以下に示す。

化合物ＡＤ－１：ＨＯＭＯ＝－６．５６ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．７３ｅＶ、
化合物ＡＤ－２：ＨＯＭＯ＝－６．２４ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．８０ｅＶ、
化合物ＡＤ－３：ＨＯＭＯ＝－５．９８ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．６５ｅＶ、
化合物ＡＤ－４：ＨＯＭＯ＝－５．８０ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．４８ｅＶ、
化合物ＡＤ－５：ＨＯＭＯ＝－５．６７ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．２４ｅＶ、
化合物ＡＤ－６：ＨＯＭＯ＝－５．５７ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．５０ｅＶ、
化合物ＡＤ－７：ＨＯＭＯ＝－５．３８ｅＶ、ＬＵＭＯ＝－２．３４ｅＶ。

［量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の評価１］
上記実施例１０１～１０３の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂ～３Ｂ、比較例２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｂ、実施例１０４～１１１の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子５Ｂ～１２Ｂ、および実施例２０１～２０８に係る量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１３Ｂ～２０Ｂについて、下記方法により、素子寿命を評価した。これらの素子の発光はその極大発光波長が約４８０ｎｍであり、青色発光であることが確認された。結果を下記表４および下記表５に示す。

（素子寿命）
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（source meter））を用いて、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子に対して所定の電圧を加え、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を発光させた。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光を輝度測定装置（株式会社Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が６５０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）になったところで電流を一定にし、放置した。輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の５０％になるまでの時間を「ＬＴ５０（ｈｒ）」とした。

表４および表５の結果から、実施例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１Ｂ～３Ｂおよび５Ｂ～２０Ｂは、本発明に係る重合体を使用しない比較例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｂに比して、有意に長い素子寿命を発揮することが分かる。

＜量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の作製および評価２＞
［赤色量子ドットを用いた量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の作製］
（実施例１１２：エレクトロルミネッセンス素子３Ｒ）
実施例１０３で用いた青色量子ドットを下記構造：

を有するＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の赤色量子ドットに変更した以外は、実施例１０３のエレクトロルミネッセンス素子３Ｂの作製方法と同様にして、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｒを作製した。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が６２７ｎｍ、半値幅が３５ｎｍであった。

（比較例３：エレクトロルミネッセンス素子４Ｒ）
比較例２で用いた青色量子ドットを上記実施例１１２のエレクトロルミネッセンス素子３Ｒの作製で用いた赤色量子ドットに変更した以外は、比較例２のエレクトロルミネッセンス素子４Ｂの作製方法と同様にして、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｒを作製した。

［緑色量子ドットを用いた量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の作製］
（実施例１１３：エレクトロルミネッセンス素子３Ｇ）
実施例１０３で用いた青色量子ドットを下記構造：

を有するＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１５ｎｍ）の緑色量子ドットに変更した以外は、実施例１０３のエレクトロルミネッセンス素子３Ｂの作製方法と同様にして、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｇを作製した。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が５５０ｎｍ、半値幅が４５ｎｍであった。

（比較例４：エレクトロルミネッセンス素子４Ｇ）
比較例２で用いた青色量子ドットを上記実施例１１３のエレクトロルミネッセンス素子３Ｇの作製で用いた緑色量子ドットに変更した以外は、比較例２のエレクトロルミネッセンス素子４Ｂの作製方法と同様にして、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｇを作製した。

［量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の評価２］
上記実施例１１２、１１３および１０３の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｒ、３Ｇおよび３Ｂ、ならびに比較例３、４および２の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｒ、４Ｇおよび４Ｂについて、下記方法により、素子寿命を評価した。これらの素子の発光については、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｒおよび４Ｒは、その極大発光波長が約６４０ｎｍであり赤色発光であることが確認された。また、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｇおよび４Ｇは、その極大発光波長が約５５０ｎｍであり緑色発光であることが確認された。そして、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｂおよび４Ｂは、その極大発光波長が約４８０ｎｍであり青色発光であることが確認された。結果を下記表６～８に示す。

（素子寿命）
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（source meter））を用いて、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子に対して所定の電圧を加え、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を発光させた。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光を輝度測定装置（株式会社Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が赤色では９０００ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）、緑色では５４００ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）、青色では６５０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）になったところで電流を一定にし、放置した。輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の９０％になるまでの時間を「ＬＴ９０（ｈｒ）」とした。

表６～８の結果から、実施例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｒは、本発明に係る重合体を使用しない比較例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｒに比して、有意に長い素子寿命を発揮することが分かる。実施例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｇは、本発明に係る重合体を使用しない比較例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｇに比して、有意に長い素子寿命を発揮することが分かる。実施例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３Ｂは、本発明に係る重合体を使用しない比較例の量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４Ｂに比して、有意に長い素子寿命を発揮することが分かる。これらのことから、本発明に係る重合体を使用する量子ドットエレクトロルミネッセンス素子は、本発明に係る重合体を使用しない量子ドットエレクトロルミネッセンス素子に比して、ＲＧＢのいずれの発光色についても優位に長い素子寿命を発揮することが分かる。

以上、本発明について実施形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は特定の実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

１００…エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、
１１０…基板、
１２０…第１電極、
１３０…正孔注入層、
１４０…正孔輸送層、
１５０…発光層、
１６０…電子輸送層、
１７０…電子注入層、
１８０…第２電極。

Claims

下記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．８以下である、重合体：

上記式において、ｋは、重合体を構成する構成単位の化学式における原子に与えた通し番号であり、ｄ^ｋ _ＨＯＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＨＯＭＯの分布密度を示し、ｄ^ｋ _ＬＵＭＯは、通し番号ｋの原子におけるＬＵＭＯの分布密度を示す。
前記式で表されるオーバーラップインデックスが０．００００１以上１．２以下である、請求項１に記載の重合体。
下記式（１）で表される構成単位を含む、請求項１に記載の重合体：

上記式（１）中、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上１２０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ａｒ^５は、単結合、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
各Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
各Ｒ^２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
Ａは、下記式（２）または下記式（３）で表される構造であり、

上記式（２）中、
各Ａｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
２以上のＡｒ^７は、当該２以上のＡｒ^７が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す；
上記式（３）中、
各Ａｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^９は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
Ｘは、Ｓ、Ｏまたは、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃを表し、
２以上のＡｒ^９は、当該２以上のＡｒ^９が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す。
下記式（１）で表される構成単位を含む、重合体：

上記式（１）中、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換されたまたは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上１２０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ａｒ^４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ａｒ^５は、単結合、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
各Ｒ^１は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
各Ｒ^２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）を表し、
Ａは、下記式（２）または下記式（３）で表される構造であり、

上記式（２）中、
各Ａｒ^６は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
２以上のＡｒ^７は、当該２以上のＡｒ^７が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す；
上記式（３）中、
各Ａｒ^８は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
各Ａｒ^９は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上６０以下の１価の芳香族炭化水素基、置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上６０以下の１価の芳香族複素環基、または１以上の炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環および１以上の環形成原子数３以上６０以下の芳香族複素環が単結合を介して結合した構成を有する、置換されたもしくは非置換の１価の環集合基を表し、
Ｘは、Ｓ、Ｏまたは、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基２つで置換された、Ｃを表し、
２以上のＡｒ^９は、当該２以上のＡｒ^９が結合するベンゼン環との間で縮合環を形成してもよく、
＊は隣接原子との結合位置を表す。
前記式（１）において、前記Ａｒ^３は、下記群（Ｉ）から選択される基である、請求項３または４に記載の重合体：

ここで、Ｒ^１１１～Ｒ^１２３は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基を表し、
＊は、隣接原子との結合位置を表す。
前記式（１）において、前記Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４からなる群より選択される少なくとも１つは、それぞれ独立して、下記群（ＩＩ）から選択される基である、請求項３または４に記載の重合体：

ここで、Ｒ^２１１～Ｒ^２２５は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素数１以上１６以下の直鎖もしくは分岐の炭化水素基を表し、
＊は、隣接原子との結合位置を表す。
前記式（１）において、前記Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^４は、それぞれ独立して、上記群（ＩＩ）から選択される基である、請求項６に記載の重合体。
前記構成単位は、下記群（Ａ）から選択される少なくとも１種の構成単位である、請求項３または４に記載の重合体：

上記式において、ｎは、整数を表し、
上記式で表される化合物が２以上の「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基を有する場合、各「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」中のｎは、互いに同一であっても異なっていてもよく、各「Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－」で表される基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
前記構成単位は、下記群（Ｂ）から選択される少なくとも１種の構成単位である、請求項３または４に記載の重合体：

上記式において、
「Ｃ_１２Ｈ_２５－」で表される基は、ｎ－ドデシル基を表し、
「Ｃ_１０Ｈ_２１－」で表される基は、ｎ－デシル基を表し、
「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表し、
「Ｃ_６Ｈ_１３－」で表される基は、ｎ－へキシル基を表す。
前記構成単位は、下記群（Ｂ’）から選択される少なくとも１種の構成単位である、請求項３または４に記載の重合体：

上記式において、「Ｃ_８Ｈ_１７－」で表される基は、ｎ－オクチル基を表す。
請求項１～４のいずれか１項に記載の重合体を含む、組成物。
下記の条件（ａ）を満たし、かつ、下記の条件（ｂ）、下記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料をさらに含む、請求項１１に記載の組成物：
（ａ）前記重合体に対して、そのバンドギャップがより大きいこと、
（ｂ）前記重合体に対して、そのＬＵＭＯがより浅いこと、
（ｃ）前記重合体に対して、そのＨＯＭＯがより深いこと。
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、請求項１～４のいずれか１項に記載の重合体を含む少なくとも１層の有機膜とを備える、エレクトロルミネッセンス素子。
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、１層または２層以上の有機層とを備え、少なくとも１つの前記有機層は、請求項１～４のいずれか１項に記載の重合体と、下記の条件（ａ）を満たし、かつ、下記の条件（ｂ）、下記の条件（ｃ）またはこれらの両方を満たす、低分子材料と含む、エレクトロルミネッセンス素子：
（ａ）前記重合体に対して、前記低分子材料のバンドギャップがより大きいこと、
（ｂ）前記重合体に対して、前記低分子材料のＬＵＭＯがより浅いこと、
（ｃ）前記重合体に対して、前記低分子材料のＨＯＭＯがより深いこと。
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される、請求項１１に記載の組成物を含む少なくとも１層の有機膜とを備える、エレクトロルミネッセンス素子。
量子ドットを含む層をさらに備える、請求項１３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
量子ドットを含む層をさらに備える、請求項１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
量子ドットを含む層をさらに備える、請求項１５に記載のエレクトロルミネッセンス素子。