JP2018104674A - 高分子化合物、組成物、液状組成物、薄膜並びにエレクトロルミネッセンス素子用材料及びエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

高分子化合物、組成物、液状組成物、薄膜並びにエレクトロルミネッセンス素子用材料及びエレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Abstract

【課題】高い三重項エネルギー準位を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子において、高い電流効率、長い駆動寿命、低い駆動電圧を達成できる高分子化合物の提供。【解決手段】主鎖に芳香族基を有しかつ側鎖に窒素含有芳香族環及びこれに結合するアリールアミンを有する構成単位と、主鎖に芳香族基を有しかつ側鎖に架橋性基を有する構成単位とを有する高分子化合物。【選択図】なし

Description

本発明は、高分子化合物、組成物、液状組成物、薄膜並びにエレクトロルミネッセンス素子用材料及びエレクトロルミネッセンス素子に関する。
近年、自発光型の発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（Organic ElectroLuminescence Diode：有機電界発光素子又は有機ＥＬ素子）を用いた表示装置及び照明機器の開発が活発に行われている。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層やキャリア輸送層に、種々の低分子系材料や高分子系材料が用いられている。特に、低分子系材料は、素子の効率・寿命の面で優れていることから、数多くの材料が提案されている。そして、低分子系材料の実用化がモバイル用途で始まっている。しかしながら、低分子系材料が用いられている有機エレクトロルミネッセンス素子の最大の課題は、その製造コストである。このため、その解決策として、高分子系材料のような塗布系材料の開発が望まれている。高分子系材料としては、正孔輸送材料として、アリールアミンポリマーが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。
また、近年、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］のような高い発光効率を示す燐光発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の開発が盛んになされている。このような発光材料と組み合わせるキャリア輸送材料としては、高い励起三重項エネルギー準位（２．５ｅＶ以上）を有するものが望まれている。
特開２０１６−８４３７０号公報 特表２０１６−５０３０８７号公報 特開２０１２−７０２１号公報
燐光発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子において、キャリア輸送材料として、アリールアミンポリマーを用いることが考えられる。しかしながら、ポリマーの主鎖にアミン骨格を導入することによって、高い励起三重項エネルギー準位及び最高被占軌道を調整する必要がある。このため、ポリマーを構成するモノマーの構造に制限があった。また、従来のアリールアミンポリマーは、有機エレクトロルミネッセンス素子において、十分な電流効率、駆動寿命、駆動電圧が得られないという問題点を有していた。
したがって、本発明の一態様は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高い三重項エネルギー準位を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子において、高い電流効率、長い駆動寿命、低い駆動電圧を達成できる高分子化合物を提供することを目的とする。
本発明の一態様の他の目的は、湿式成膜法（塗布法）での成膜に適した高い電流効率、長い駆動寿命、低い駆動電圧を達成できる高分子化合物を提供することである。
本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った結果、主鎖に芳香族基を有しかつ側鎖に窒素含有芳香族環及びこれに結合するアリールアミンを有する構成単位（１）と、主鎖に芳香族基を有しかつ側鎖に架橋性基を有する構成単位（２）とを有する高分子化合物により、上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、上記諸目的は、下記式（１）：
式（１）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
ａは、０以上４以下の整数を表し、
ｂは、０以上３以下の整数を表し、
Ｚは、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝を表す；
で表される構成単位（１）、並びに
下記式（２）：
式（２）中、Ａｒ４は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し、
Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２４以下のアルキレン基、又は置換された若しくは非置換のフェニレン基を表し、
Ｑ１は、それぞれ独立して、１価の架橋性基を示し、
ｐは、１以上の整数を表す；
で表される構成単位（２）を含む、高分子化合物によって達成できる。
また、上記諸目的は、上記高分子化合物を含むエレクトロルミネッセンス素子用材料によっても達成できる。
また、上記諸目的は、一対の電極と、前記一対の電極間に配置された、上記高分子化合物の架橋物又は非架橋物を含む１層以上の有機層とを備える、エレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。
本発明の一態様によれば、高い三重項エネルギー準位を有し、有機エレクトロルミネッセンス素子において、高い電流効率、長い駆動寿命、低い駆動電圧を達成できる高分子化合物が提供される。
また、本発明の一態様によれば、湿式成膜法での成膜に適した高分子化合物が提供される。
このため、本発明の一態様によれば、高分子化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子などに（特に正孔輸送材料として）好適に適用することができる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例を示す模式図である。 実施例７の青色量子ドットの構造を示す断面図である。 実施例７の青色量子ドットのＵＶ吸収スペクトルである。 実施例７の青色量子ドットの蛍光スペクトルである。
本発明の一態様によると、下記式（１）：
式（１）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
ａは、０以上４以下の整数を表し、
ｂは、０以上３以下の整数を表し、
Ｚは、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝を表す；
で表される構成単位（１）、並びに
下記式（２）：
式（２）中、Ａｒ４は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し、
Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２４以下のアルキレン基、又は置換された若しくは非置換のフェニレン基を表し、
Ｑ１は、それぞれ独立して、１価の架橋性基を示し、
ｐは、１以上の整数を表す；
で表される構成単位（２）を含む、高分子化合物が提供される。
本明細書において、上記式（１）で表される構成単位（１）、上記式（２）で表される構成単位（２）及び後述する式（３）で表される構成単位（３）を、それぞれ、単に「構成単位（１）」、「構成単位（２）」、及び「構成単位（３）」と、称する。
本発明の一態様に係る高分子化合物は、少なくとも１種の構成単位（１）及び少なくとも１種の構成単位（２）を含む共重合体であることを特徴とし、さらに、構成単位（３）を１種以上含んでいてもよい。
上記式（１）の構成単位（１）は、アミノ基で置換された窒素含有芳香族環（例えば、カルバゾール骨格）を有する。ゆえに、構成単位（１）を有することで正孔輸送性を向上できる。また、上記式（２）の構成単位（２）は、架橋性基（上記式（２）中の「Ｑ１」）を有する。ゆえに、本発明の一態様に係る高分子化合物を含有する薄膜は、高分子化合物が架橋された後、上層の湿式（塗布）法による積層が可能になる。さらに、上記式（３）の構成単位（３）は、溶媒（特に、有機溶媒）への溶解性を向上できる。ゆえに、本発明の一態様に係る高分子化合物が構成単位（３）を有する場合には、湿式（塗布）法による成膜化をより容易にできる。
したがって、本発明の一態様に係る高分子化合物は、高い三重項エネルギー準位、正孔輸送性を有する。ゆえに、本発明の一態様に係る高分子化合物を（特に、正孔輸送材料として）有機エレクトロルミネッセンス素子に適用して作製される有機エレクトロルミネッセンス素子は、高い電流効率、長い駆動寿命、低い駆動電圧を発揮できる。また、本発明の一態様に係る高分子化合物は、成膜性及び溶媒溶解性に優れるため、湿式（塗布）法による成膜が可能である。ゆえに、本発明の一態様に係る高分子化合物を用いることによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の大面積化、高生産性が可能となる。
なお、上記メカニズムは、推測によるものであり、本発明の一態様は、上記メカニズムに何ら拘泥されるものではない。
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみに限定されない。また、特記しない限り、操作及び物性等の測定は、室温（２０℃以上２５℃以下）、相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で行う。
［高分子化合物］
本実施形態に係る高分子化合物は、構成単位（１）及び構成単位（２）を有する。
（構成単位（１））
ここで、構成単位（１）は、下記式（１）で示される。本実施形態に係る高分子化合物は、１種の構成単位（１）を含むものであってもよいし、２種以上の構成単位（１）を含むものであってもよい。
下記式（１）：
上記構成単位（１）は、高分子化合物の主鎖に芳香族基（式（１）中のＡｒ１）、側鎖に窒素含有芳香族環及びこれに結合するアリールアミン（−Ｎ（Ａｒ２）（Ａｒ３））を有することを特徴とする。このような構成単位（１）を導入することによって、高分子化合物は、高い三重項エネルギー準位を示し、電流効率を向上できる。
上記式（１）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表す。
ここで、芳香族炭化水素基は、一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素（芳香族炭化水素）由来の基である。この際の芳香族炭化水素は、一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素を意味する。また、芳香族炭化水素基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族炭化水素基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。
芳香族炭化水素基を構成する芳香族炭化水素としては、以下に制限されないが、ベンゼン、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフタレン、フェナレン、フルオレン、アントラキノン、フェナントレン、ビフェニル、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ピセン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン、テトラフェン、ヘキサフェン、ヘキサセン、ルビセン、トリナフチレン、ヘプタフェン、ピラントレン等を挙げることができる。
また、芳香族複素環基は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環（芳香族複素環）由来の基である。この際の芳香族複素環は、１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環を意味する。また、芳香族複素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよい。また、これら芳香族複素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。
芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、以下に制限されないが、ピラゾリン、イミダゾリン、オキサゾリン、チアゾリン、トリアゾリン、テトラゾリン、オキサジアゾリン、ピリジン、ピリダジニン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾリン、インドリン、キノリニン、イソキノリン、ベンゾイミダゾリン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン等を挙げることができる。
３価の芳香族炭化水素基としては、上記芳香族炭化水素の水素原子のうち、任意の３つの水素原子を取り除いた基が挙げられる。また、３価の芳香族複素環基としては、上記芳香族複素環の水素原子のうち、任意の３つの水素原子を取り除いた基が挙げられる。
これらのうち、三重項エネルギー準位のさらなる向上の観点から、Ａｒ１は、下記に示す基であることが好ましい。下記において、＊は、他の構成単位との結合部位である。
Ａｒ１としての炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基が置換基を有する場合に存在し得る置換基は、特に制限されない。具体的には、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、及び芳香族複素環基、並びにこれらの組み合わせなどが挙げられる。
ここで、上記３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基に導入されてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
上記３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基に導入されてもよいアルキル基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖又は分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘンエイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。
上記３価の芳香族炭化水素基又は３価の芳香族複素環基に導入されてもよいアルコキシ基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基でありうる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルコキシ基が好ましい。
上記３価の芳香族炭化水素基（又は３価の芳香族複素環基）に導入されてもよい芳香族複素環基（又は芳香族炭化水素基）については、それぞれ、上記芳香族複素環（又は芳香族炭化水素）から水素原子を１つを取り除いた１価の基である。
上記式（１）において、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。
ここで、１価の芳香族炭化水素基及び１価の芳香族複素環基は、上記式（１）中のＡｒ１における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基（３価の基）を１価とする以外は、同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。同様にして、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性のさらなる向上などの観点から、１価の芳香族炭化水素基は、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、ターフェニル基、トリル基、ｔ−ブチルフェニル基、（フェニルプロピル）フェニル基であることが好ましく、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基、アントリル基、ターフェニル基、トリル基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性のさらなる向上などの観点から、１価の芳香族複素環基は、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、キノリル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、チオフェニル基、イソチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基であることが好ましく、ピリジル基、ピロリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビピリジル基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性の向上などの観点から、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、炭素数１以上８以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基から選ばれるものであることが好ましく、炭素数１以上３以下のアルキル基であることがより好ましい。
Ａｒ２及びＡｒ３の具体例を以下に示す。下記において、＊は、他の構成単位との結合部位である。また、下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「無置換又はアルキル基で置換された」ことを意味する。
上記式（１）において、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
ここで、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基は、上記式（１）中のＡｒ１における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基（３価の基）を２価とする以外は、同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。同様にして、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性のさらなる向上などの観点から、２価の芳香族炭化水素基は、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、（フェニルプロピル）フェニレン基であることが好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ターフェニレン基、トリレン基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性のさらなる向上などの観点から、２価の芳香族複素環基は、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、キノリル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、チオフェニル基、イソチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基であることが好ましく、ピリジル基、ピロリル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビピリジル基であることがより好ましい。また、三重項エネルギー準位や、正孔輸送性、正孔注入性、溶解性、塗布性のさらなる向上などの観点から、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、炭素数１以上５０以下のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基から選ばれるものであることが好ましく、炭素数１以上５０以下のアルキル基であることがより好ましい。
これらのうち、Ｌ１及びＬ２は、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、（フェニルプロピル）フェニレン基が好ましく、単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基がより好ましい。
上記式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。この際、Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよい。なお、Ｒ１及びＲ２は、同一であってもよいし、相互に異なっていてもよい。また、Ｒ１が複数存在する（即ち、ａが２以上４以下である）場合、Ｒ１は、互いに同一でも異なってもよい。同様にして、Ｒ２が複数存在する（即ち、ｂが２又は３である）場合、Ｒ２は、互いに同一でも異なってもよい。
ここで、炭素数１以上２０以下のアルキル基は、特に制限されず、炭素数１以上２０以下の直鎖又は分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基は、特に制限されず、炭素数１以上２０以下の直鎖又は分岐状のアルコキシ基でありうる。具体的には、メトキシ基、エチキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ｔｅｒｔ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、１，２−ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、１−イソプロピルプロポキシ基、１，２−ジメチルブトキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、２−メチル−１−イソプロピルプロポキシ基、１−エチル−３−メチルブトキシ基、ｎ−オクチル基オキシ、２−エチルヘキシルオキシ基、３−メチル−１−イソプロピルブトキシ基、２−メチル−１−イソプロポキシ基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロポキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、１−メチルデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などが挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルコキシ基が好ましい。
炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基及び環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基は、上記式（１）中のＡｒ１における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基（３価の基）を１価とする以外は、同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。これらのうち、フェニル基、フルオレニル基が好ましい。
上記炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
ａは、置換基「Ｒ１」が側鎖に位置する窒素含有芳香族環に結合する数を表し、０以上４以下の整数である。ａは、好ましくは０以上２以下の整数であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である（置換基「Ｒ１」が存在しない）。
ｂは、置換基「Ｒ２」が側鎖に位置する窒素含有芳香族環に結合する数を表し、０以上３以下の整数である。ｂは、好ましくは０以上２以下の整数であり、より好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である（置換基「Ｒ２」が存在しない）。
上記式（１）において、窒素含有芳香族環を構成するＺは、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝を表す。
以下に、窒素含有芳香族環の好ましい構造を示す。
即ち、構成単位（１）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。下記において、＊は、他の構成単位との結合部位である。また、下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「無置換又はアルキル基で置換された」ことを意味する。
本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（１）の割合は、特に限定されない。得られる高分子化合物を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の三重項エネルギー準位（ゆえに、電流効率）のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（１）の割合は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは０．１％以上９９．９％以下であり、より好ましくは２０％以上９５％以下であり、さらに好ましくは４０％以上９０％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（１）を含む場合には、上記構成単位（１）の含有量は、構成単位（１）の合計量を意味する。
ここで、本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（１）の割合が大きい場合には、正孔輸送能が向上し、駆動電圧が低下することになり、電流効率の向上に寄与する。一方、本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（１）の割合が小さい場合には、発光層内でのキャリアバランスが良好となり、再結合に寄与しないキャリア数が減少し、電流効率の向上に寄与する。
（構成単位（２））
また、本実施形態に係る高分子化合物は、下記式（２）で表される構成単位（２）を有する。構成単位（２）は架橋性基を有しているため、構成単位（２）を有する高分子化合物は、成膜を容易に行うことができる。なお、本実施形態に係る高分子化合物は、構成単位（２）１種を含むものであってもよいし、２種以上の構成単位（２）を含むものであってもよい。好ましくは、本実施形態に係る高分子化合物は、２種以上（より好ましくは２種又は３種、特に好ましくは２種）の構成単位（２）を含む。
上記式（２）中、Ａｒ４は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表す。
ここで、（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基及び（２＋ｐ）価の芳香族複素環基は、上記式（１）中のＡｒ１における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基（３価の基）を（２＋ｐ）価とする以外は、同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
これらのうち、得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、Ａｒ４は、下記式のいずれかであることが好ましい。下記において、Ｚ及びＺ'は、式：−Ｌ３−Ｑ１で示される基を表し、これらは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
これらのうち、Ａｒ４は、下記構造を有することが好ましい。
また、Ａｒ４の規定において、（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基又は（２＋ｐ）価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
また、上記式（２）中、Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２４以下のアルキレン基、又は置換された若しくは非置換のフェニレン基を表す。ここで、Ｌ３が複数存在する（ｐが２以上の整数である）場合、それらは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。ここで、アルキレン基は、特に制限されないが、炭素数１以上２４以下の直鎖又は分岐状のアルキレン基でありうる。具体的には、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基等の、上記アルキル基の例示からいずれかの水素原子を１個除いた基が挙げられる。これらのうち、Ｌ３は、炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基であることがより好ましく、エチレン基であることが特に好ましい。また、Ｌ３の規定において、炭素数１以上２４以下のアルキレン基又はフェニレン基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、Ｌ３は、単結合又は炭素数１以上８以下の直鎖若しくは分岐状のアルキレン基であることが好ましく、単結合又はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基であることがより好ましく、単結合又はエチレン基であることが特に好ましい。
上記式（２）において、Ｑ１は、１価の架橋性基を表す。ここで、Ｑ１が複数存在する（ｐが２以上の整数である）場合、それらは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
架橋性基は、熱や活性エネルギー線による架橋反応を誘導できる基であれば、特に制限されないが、得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、下記構造が好ましく挙げられる。即ち、本実施形態の好ましい態様によると、前記式（２）中、Ｑ１は、下記群：
から選択される。上記架橋性基を表す式において、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素原子、又は置換された若しくは非置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。ｐは、それぞれ独立して、１以上１０以下の整数を表す。
ここで、炭素数１以上１０以下のアルキル基は、特に制限されないが、炭素数１以上１０以下の直鎖又は分岐状のアルキル基でありうる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基などが挙げられる。これらのうち、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１以上５以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基であることが好ましく、水素原子又は炭素数１以上３以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。また、炭素数１以上１０以下のアルキル基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。
これらのうち、架橋反応性（架橋容易性、成膜容易性）、架橋構造の安定性、電解化学的安定性などを考慮すると、下記構造のベンゾシクロブテン環由来の基（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエニル基）やビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ２）が好ましい。また、架橋反応性（架橋容易性）などの観点から、エポキシ基、オキセタン基などの環状エーテル基、ビニルエーテル基が好ましい。
上記式（２）において、ｐは、１以上の整数であり、Ａｒ４によって一義的に規定される。即ち、ｐは、１以上３以下の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、２であることが特に好ましい。
即ち、構成単位（２）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。
本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（２）の割合は、特に限定されない。得られる高分子化合物による成膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（２）の割合は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは０．１％以上９９．９％以下であり、より好ましくは１％以上５０％以下であり、さらに好ましくは３％以上３０％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（２）を含む場合には、上記構成単位（２）の含有量は、構成単位（２）の合計量を意味する。
ここで、本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（２）の割合が大きい場合には、架橋性基の反応による不溶化が十分となり、塗布による積層が容易になる。一方、本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（２）の割合が小さい場合には、正孔輸送能が良好になり、電流効率の向上に寄与する。
（構成単位（３））
本実施形態に係る高分子化合物は、下記式（３）で表される構成単位（３）をさらに有してもよい。構成単位（３）を有する高分子化合物は、溶媒溶解性に優れる。このため、このような構成単位（３）を有する高分子化合物を用いることにより、塗布法によって成膜をさらに容易に行うことができる。なお、本実施形態に係る高分子化合物は、構成単位（３）１種を含むものであってもよいし、２種以上の構成単位（３）を含むものであってもよい。
上記式（３）において、Ａｒ５は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す。
ここで、２価の芳香族炭化水素基及び２価の芳香族複素環基は、上記式（１）中のＡｒ１における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基（３価の基）を２価とする以外は、同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。これらのうち、溶剤溶解性のさらなる向上を考慮すると、Ａｒ５は、フェニレン基、フルオレンジイル基、ビフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ナフタセニレン基、ピレニレン基、ターフェニレン基、トリレン基、ｔ−ブチルフェニレン基、（フェニルプロピル）フェニレン基であることが好ましく、フェニレン基、フルオレンジイル基であることがより好ましい。
また、Ａｒ５の規定において、２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基に存在し得る置換基は、上記式（１）中のＡｒ１における置換基と同様の定義であるため、ここでは、説明を省略する。これらのうち、得られる高分子化合物の溶媒溶解性のさらなる向上効果などを考慮すると、置換基は、炭素数１以上２０以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数３以上１０以下の直鎖若しくは分岐状のアルキル基であることがより好ましく、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基であることが特に好ましい。
即ち、構成単位（３）は、下記いずれかの構造を有することが好ましい。なお、下記において、「Ａｌｋｙｌ」は、「アルキル基で置換された」ことを意味する。
本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（３）の割合は、特に制限されない。得られる高分子化合物の溶媒溶解性のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（３）の割合は、高分子化合物を構成する全構成単位数に対して、好ましくは０％以上９９．９％以下であり、より好ましくは０％以上９０％以下であり、さらに好ましくは０％以上６０％以下である。なお、高分子化合物が２種以上の構成単位（３）を含む場合には、上記構成単位（３）の含有量は、構成単位（３）の合計量を意味する。
ここで、本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（３）の割合が大きい場合には、溶媒への溶解度が十分となり、塗布法による薄膜形成が容易となる。本実施形態に係る高分子化合物に含まれる構成単位（３）の割合が小さい場合には、薄膜のガラス転移温度が高くなり、エレクトロルミネッセンス素子の性能の向上に寄与する。
本実施形態に係る高分子化合物は、少なくとも１種の構成単位（１）及び少なくとも１種の構成単位（２）を含む共重合体であることを特徴とし、さらに、構成単位（３）を１種以上含んでいてもよい。即ち、本実施形態の好ましい態様では、構成単位（１）及び構成単位（２）に加えて、構成単位（３）をさらに含む高分子化合物が提供される。ここで、高分子化合物の構造は、特に制限されず、ランダム共重合体、交互共重合体、周期的共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。
本実施形態に係る高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の一態様の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではないが、例えば、１０，０００以上５００，０００以下であることが好ましく、３０，０００以上２００，０００以下であることがより好ましい。このような数平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの層を形成することが可能である。また、本実施形態に係る高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）も、また、本発明の一態様の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではないが、例えば、１０，０００以上であることが好ましく、５０，０００以上であることがより好ましい。このような重量平均分子量であれば、高分子化合物を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な厚さの層を形成することが可能である。
ここで、数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に制限されず、公知の方法を用いて、又は、公知の方法を適宜修正して測定できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法により測定される値を採用するものとする。
（数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）の測定方法）
高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー：Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、下記条件で測定する。
・分析装置（ＧＰＣ）：株式会社島津製作所製、Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ
・カラム：ポリマーラボラトリーズ株式会社製、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ
・カラム温度：４０℃
・流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
・試料溶液の注入量：２０μＬ（濃度：約０．０５質量％）
・溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
・検出器（ＵＶ−ＶＩＳ検出器）：株式会社島津製作所製、ＳＰＤ−１０ＡＶ
・標準試料：ポリスチレン
本実施形態に係る高分子化合物の主鎖の末端は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。
本実施形態に係る高分子化合物は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態に係る高分子化合物の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態に係る高分子化合物は、下記式（４）で示される１種以上の単量体（１）及び下記式（５）で示される１種以上の単量体（２）を用いた共重合反応により製造することができる。本実施形態に係る高分子化合物が構成単位（３）を含む場合は、１種以上の単量体（１）及び１種以上の単量体（２）に加えて、下記式（６）で示される１種以上の単量体（３）を用いた共重合反応により高分子化合物を製造することができる。なお、高分子化合物の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲやＬＣ−ＭＳ等）により確認できる。
上記式（４）〜（６）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｒ１、Ｒ２、ａ、ｂ、Ｚ、Ａｒ４、Ｌ３、Ｑ１、ｐ、及びＡｒ５は、上記式（１）〜（３）におけるのと同様の定義である。Ｙ１〜Ｙ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）又は下記構造の基（構造中、ＲＡ〜ＲＤは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である）である。
本実施形態に係る高分子化合物は、構成単位（１）を有するため、高い三重項エネルギー準位を有する。このため、特に、本実施形態に係る高分子化合物を正孔注入材料又は正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、電流密度を向上できる。また、本実施形態に係る高分子化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる場合には、高い電荷移動度が達成される。このため、特に本実施形態に係る高分子化合物を正孔輸送材料として使用する場合には、電子に対しての劣化影響を小さくして、素子寿命（駆動寿命）を向上できる。ゆえに、本実施形態に係る高分子化合物が適用された有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光効率及び耐久性に優れる。さらに、本実施形態に係る高分子化合物は、架橋性基を有する構成単位（２）を有するため、塗布膜安定性を向上できる。本実施形態に係る高分子化合物が構成単位（３）を有する場合には、溶媒溶解性をさらに向上できる。このため、有機エレクトロルミネッセンス素子を積層構造で形成した場合の発光特性及び安定性を向上させることができる。
＜有機エレクトロルミネッセンス素子用材料＞
本実施形態に係る高分子化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として、好適に用いられる。本実施形態に係る高分子化合物によれば、高い三重項エネルギー準位（ゆえに電流効率）、さらには高い電荷移動度（耐久性）を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。また、本実施形態に係る高分子化合物は、架橋性基を有する構成単位（２）を含むため、高分子化合物が架橋された後、上層の湿式（塗布）法による成膜性を向上できる。
したがって、本実施形態によれば、本実施形態に係る高分子化合物の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料としての使用が提供される。即ち、本実施形態は、本実施形態に係る高分子化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料をも提供する。また、一対の電極と、一対の電極間に配置された、本実施形態に係る高分子化合物の架橋物又は非架橋物を含む１層以上の有機層とを備える、有機エレクトロルミネッセンス素子をも提供する。本実施形態の好ましい態様としては、有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える。さらに、本実施形態の好ましい態様は、１層以上の有機層のうち、少なくとも１層が、塗布法により形成されている。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、有機溶媒に対する溶解性に優れるため、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に、薄膜）の製造に、特に好適に用いられる。このため、本実施形態は、本実施形態に係る高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含有する液状組成物をも提供する。また、本実施形態は、本実施形態に係る高分子化合物を含有する薄膜をも提供する。
また、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、電荷移動度に優れるため、正孔注入材料、正孔輸送材料、及び／又は発光層材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても、好適に利用され得る。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、正孔の輸送性の観点から、正孔注入材料及び／又は正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。即ち、本実施形態は、本実施形態に係る高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種と、を含有する組成物をも提供する。ここで、発光材料は、特に制限されないが、発光性有機金属錯体化合物を含有することが好ましい。
＜有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）＞
以下では、図１を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ素子について、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の一例を示す模式図である。
図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。
ここで、本実施形態に係る高分子化合物の架橋物又は非架橋物は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機層中に含まれる。具体的には、高分子化合物の架橋物又は非架橋物は、正孔注入材料として、正孔注入層１３０に含まれる、正孔輸送材料として、正孔輸送層１４０に含まれる、又は、発光材料（ホスト）として、発光層１５０に含まれることが好ましい。また、高分子化合物の架橋物又は非架橋物は、正孔注入材料として、正孔注入層１３０に含まれる、又は、正孔輸送材料として、正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。さらに、高分子化合物の架橋物又は非架橋物は、正孔輸送材料として、正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。
また、本実施形態に係る高分子化合物の架橋物又は非架橋物を含む有機層は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。具体的には、高分子化合物を含む有機層は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅ ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ ｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法により成膜される。なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、高分子化合物を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができ、使用する高分子化合物の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アニソール、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が例示できる。ここで、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、高分子化合物の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下程度、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。
なお、高分子化合物を含む有機層以外の層の成膜方法については、特に限定されない。本実施形態に係る高分子化合物を含む有機層以外の層は、例えば、真空蒸着法により成膜されてもよく、溶液塗布法により成膜されてもよい。
基板１１０は、一般的な有機ＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、又は透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。
基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、又は導電性化合物等のうち、仕事関数が大きいものを用いて形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性及び導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって、透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって、反射型電極として形成されてもよい。
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層である。具体的には、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下、より具体的には、約１０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下の厚さで、正孔注入層１３０が形成されてもよい。
正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料を用いて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎｅ）−ｃｏｎｔａｉｎｇ ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４'−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（４−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−４'−ｍｅｔｈｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４'−ジアミン（Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ'−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４'−ｄｉａｍｉｎｅ：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、４，４'，４"−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４'，４"−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ'−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、４，４'，４"−トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４'，４"−ｔｒｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＤＡＴＡ）、４，４'，４"−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４'，４"−ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−２−ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、及びポリアニリン／１０−カンファースルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）等を挙げることができる。
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。正孔輸送層１４０は、本実施形態に係る高分子化合物を用い、溶液塗布法によって成膜されることが好ましい。この方法によれば、有機ＥＬ素子１００の電流効率（さらには駆動寿命）を向上させることが可能な高分子化合物を効率的に大面積で成膜することができる。
ただし、有機ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機層が本実施形態に係る高分子化合物を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料を用いて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（１，１−ｂｉｓ［（ｄｉ−４−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ：ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）及びポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４'−ジアミン（Ｎ，Ｎ'−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４'−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）、４，４'，４"−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４'，４"−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、並びにＮ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ'−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）等を挙げることができる。
正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、燐光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などにより形成される。発光層１５０は、例えば、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。発光層１５０の発光材料としては、公知の発光材料を用いることができる。ただし、発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（即ち、燐光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、有機ＥＬ素子１００の駆動寿命をさらに向上させることができる。
発光層１５０は、ホスト材料として、本技術分野で使用される化合物全般を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば、カルバゾール化合物、ジカルバゾール化合物、ビスカルバゾール化合物、ジベンゾフラン化合物、スピロビフルオレン化合物、トリアジン化合物、アミン化合物、及びそれらを部分構造として含有するポリマーなどが挙げられる。具体的には、９，９'−ジフェニル−３，３'−ビス［９Ｈ−カルバゾール］、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、４，４'−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（４，４'−ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌ ｃａｒｂａｚｏｌｅ）：ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＡＤＮ）、４，４'，４"−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４'，４"−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ：ＤＳＡ）、４，４'−ビス（９−カルバゾール）−２，２'−ジメチル−ビフェニル（４，４'−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）２，２'−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙ：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。
また、発光層１５０は、ドーパント材料として、蛍光発光及び燐光発光が可能な化合物であれば、特に限定はなく、例えば、色素化合物、イリジウム錯体、白金錯体等が挙げられる。具体的には、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）及びその誘導体、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）及びその誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）及びその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（４−ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ−２−（ｐｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−６−ｍｅｔｈｙｌ−４Ｈ−ｐｙｒａｎ：ＤＣＭ）及びその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ［２−（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｅ］ｐｉｃｏｌｉｎａｔｅ ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジン イリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。
発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。
電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料を用いて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、及び含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ）のようなピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環を含む化合物、２，４，６−トリス（３'−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（２，４，６−ｔｒｉｓ（３'−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅ）のようなトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）環を含む化合物、２−（４−（Ｎ−フェニルベンゾイニダゾリル−１−イル−フェニル）−９，１０−ジナフチルアントラセン（２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌ−ｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）環を含む化合物等を挙げることができる。
電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法などにより形成される。電子注入層１７０は、約０．３ｎｍ以上約９ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。電子注入層１７０は、電子注入層１７０を形成する材料として、公知の材料であれば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８−キノリノラト）リチウム（（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ：Ｌｉｑ）及びフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、又は酸化バリウム（ＢａＯ）等を用いて形成されてもよい。
電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、又は導電性化合物等のうち、仕事関数が小さいものを用いて形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、又はアルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等の合金で、反射型電極として形成されてもよい。また、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）及び酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。
以上、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の一例について説明した。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、高分子化合物を含む有機層を有することにより、電流密度（さらには駆動寿命）をより向上させることができる。
なお、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造で形成されてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０及び電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されてもよい。また、有機ＥＬ素子１００は、追加で他の層を備えていてもよい。また、有機ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
例えば、有機ＥＬ素子１００は、励起子又は正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、又は、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等を用いて形成することができる。
なお、本実施形態に係る高分子化合物は、有機ＥＬ素子以外のエレクトロルミネッセンス素子に適用することができる。
＜有機ＥＬ素子以外のエレクトロルミネッセンス素子＞
本実施形態に係る高分子化合物を適用することが可能な有機ＥＬ素子以外のエレクトロルミネッセンス素子としては、特に限定されないが、量子ドット発光素子（例えば、特開２０１０−１９９０６７号公報参照）、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。
以下、一例として、量子ドット発光素子について説明する。
量子ドット発光素子は、有機ＥＬ素子１００の発光層１５０の代わりに、量子ドット発光層を形成することにより、作製することができる。
量子ドット発光層は、多数の量子ドット（無機ナノ粒子）が単一層または複数層に配列されたものである。ここで、量子ドットは、量子拘束効果を持つ所定サイズの粒子をいう。量子ドットの直径は、１ｎｍないし１０ｎｍ程度である。
量子ドット発光層に配列される量子ドットは、ウェット化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程または他の類似した工程により合成されうる。ウェット化学工程は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。結晶が成長する時、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割を行って結晶の成長を調節するので、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ、Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ、Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）などの気相蒸着法よりさらに容易かつ低コストの工程を通じて、無機ナノ粒子の成長を制御できる。量子ドットのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節できるようになり、量子ドット発光層で多様な波長帯の光を得ることができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することは、複数波長の光を出射するディスプレイを可能にする。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成できるように、赤色、緑色、青色光が出射されるように選択できる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせられる。さらに、具体的に、量子ドットとしては、ＩＩ−ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物；ＩＶ−ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素または化合物；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体物質を使用できる。
ＩＩ−ＶＩ族半導体化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。
ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。
ＩＶ−ＶＩ族半導体化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択されることができる。
ＩＶ族元素または化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される一元素化合物；及びＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物からなる群から選択される。
量子ドットは、均質な単一構造またはコア・シェルの二重構造を持つことができる。コア・シェルは相異なる物質を含むことができる。それぞれのコアとシェルとをなす物質は、相異なる半導体化合物からなりうる。ただし、シェル物質のエネルギーバンドギャップは、コア物質のエネルギーバンドギャップより大きい。
例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を持つ量子ドットを作製する場合を説明する。まず、界面活性剤として、ＴＯＰＯ（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ）を使用した有機溶媒に、（ＣＨ３）２Ｃｄ（ｄｉｍｅｔｈｙｌｃａｄｍｉｕｍ）、ＴＯＰＳｅ（ｔｒｉｏｃｔｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｓｅｌｅｎｉｄｅ）などのコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、既に生成されたコアの表面にシェルを形成させる。これによって、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。
本発明の一態様の効果を、以下の実施例及び比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」及び「部」は、それぞれ、「質量％」及び「質量部」を意味する。
合成例１：化合物１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物１を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、１，４−ジヘキシル−２，５−ジブロモベンゼン（８．０８ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレートジボロン）（１２．１９ｇ、４８．０ｍｍｏｌ）、［１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）（０．９８ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１．７８ｇ、１２０．０ｍｍｏｌ）、及びジオキサン（１００ｍｌ）を混合し、加熱還流下で６時間攪拌した。トルエン及び水を加え、分液し、水で洗浄した。硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、撹拌した後、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）で濾過した。ろ液を濃縮し、粗生成物（１１．９４ｇ）を得た。ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させることにより、化合物１（４．２３ｇ）を得た。
得られた化合物１の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例２：化合物２の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物２を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、２，７−ジブロモフルオレン（２２．７ｇ、７０．０ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−１−ペンテン（２１．９ｇ、１４７．０ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１６．７ｇ、２９７．６ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（１．２ｇ、７．２ｍｍｏｌ）及びジメチルスルホキシド（１７０ｍｌ）を混合した。混合物を４時間で８０℃に加温し、反応が終了した後、室温まで冷却し、そこに、水（３００ｍｌ）とトルエン（３００ｍｌ）を混合し、分液した。得られた有機層を飽和食塩水（３００ｍｌ）で５回洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで脱水し、固体を濾過した。濾液を濃縮した後、カラムクロマトグラフィー及び再結晶により精製し、化合物２（２４．１ｇ）を得た。
得られた化合物２の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例３：化合物３の合成
３−１．化合物３−１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物３−１を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、３−ブロモベンゾシクロブタン（４．１ｇ、２２．４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（６９ｍｌ）を仕込み、ドライアイス−メタノールバスで−７８℃まで冷却した。ｎ−ＢｕＬｉ（１６．９ｍｌ）を加えて２時間攪拌した後、メチル４，４'−ジブロモ−［１，１'−ビフェニル］−２−カルボン酸エステル（４．１ｇ）をテトラヒドロフラン（１２ｍｌ）に溶かした溶液を滴下した。−７８℃で２時間攪拌した後、さらに室温で４時間攪拌した。氷浴で冷やしながら、水（５０ｍｌ）をゆっくりと加えた後、分液ロートに移して洗浄し、さらに水３０ｍｌで二回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、固体を濾過した後、濾液を濃縮し、化合物３−１（８．１ｇ）を得た。
３−２．化合物３の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物３を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物３−１（４．１ｇ、７．５１ｍｍｏｌ）、クロロホルム（１２０ｍｌ）を加え、氷浴で０℃に冷却した後、ＢＦ３Ｅｔ２Ｏ（１．０ｍｌ）を、滴下漏斗を用いて滴下した。１時間攪拌した後、さらにＢＦ３Ｅｔ２Ｏ（１．０ｍｌ）を加えて１時間攪拌し、室温で５時間攪拌した。水（１００ｍｌ）を加えて攪拌した後、分液ロートへ移し、クロロホルム（５０ｍｌ）で３回抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで脱水し、固体を濾過した後、濾液を濃縮し、クロロホルム（３０ｍｌ）を加えた。加熱還流しながら、メタノール（３００ｍｌ）を加えて結晶化を行い、得られた結晶を濾過した。この結晶をクロロホルム（２０ｍｌ）に加えて加熱し、メタノール（２００ｍｌ）を加えて室温で２時間攪拌した。生じた結晶を濾過して乾燥させ、化合物３（２．０ｇ）を得た。
得られた化合物３の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例４：化合物４の合成
４−１．化合物４−１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物４−１を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、２−アミノ−Ｎ−［（１，１'−ビフェニル）−４−イル］−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチルフルオレン（１５．００ｇ、２９．０４ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５，−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）カルバゾール（７．６６ｇ、２６．１４ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．４１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７．７０ｇ、７２．６１ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２９０ｍｌ）、水（１４５ｍｌ）を加え、混合した。混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物４−１（１２．７ｇ）を得た。
得られた化合物４−１の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
４−２．化合物４の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物４を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物４−１（７．００ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（４．６２ｇ、１２．７７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．２９ｇ、２．５５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．２３ｇ、２３．２３ｍｍｏｌ）、ジオキサン（３５ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物４（６ｇ）を得た。
得られた化合物４の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例５：化合物５の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物５を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物４（４．００ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３．６４ｇ、１４．３４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．８２ｇ、２８．６９ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．１１ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）ジオキサン（５０ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物５（３ｇ）を得た。
得られた化合物５の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例６：化合物６の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物６を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（１１．００ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコレートジボロン）（１２．１９ｇ、４８．０ｍｍｏｌ）、［１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）（０．９８ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１．７８ｇ、１２０．０ｍｍｏｌ）、及びジオキサン（１００ｍｌ）を混合し、加熱還流下で６時間攪拌した。トルエン及び水を加えた後、分液し、水で洗浄した。硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、撹拌した後、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて濾過した。ろ液を濃縮し、粗生成物（１１．９４ｇ）を得た。ヘキサンで再結晶し、エタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させることにより、化合物６（９．８ｇ）を得た。
得られた化合物６の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例７：化合物７の合成
７−１．化合物７−１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物７−１を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、Ｎ−フェニル−［１，１'−ビフェニル］−４−アミン（１５．００ｇ、６１．１９ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチル３−ブロモ−９Ｈ−カルバゾール−９−カルボン酸エステル（２１．１９ｇ、６１．１９ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．８ｇ、３．０６ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（０．５３ｇ、１．８４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（７．０６ｇ、７３．４３ｍｍｏｌ）、トルエン（４００ｍｌ）を加え、混合した。混合物を１１０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物７−１（２５ｇ）を得た。
得られた化合物７−１の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
７−２．化合物７−２の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物７−２を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物７−１（１０．２ｇ，２０ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン１００ｍｌに加え、濃塩酸１０ｍｌを滴下した後、８０℃で２時間攪拌した。この反応液を濃縮してトルエン３００ｍｌを加え、飽和炭酸水素ナトリウムで中和した後、分液した。有機層を濃縮した後、濃縮物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物７−２（６．５ｇ）を得た。
得られた化合物７−２の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
７−３．化合物７−３の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物７−３を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物７−２（８．００ｇ、１９．４９ｍｍｏｌ）、２−ブロモ−７−ヨード−９，９−ジオクチルフルオレン（１２．７６ｇ、２１．４４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１９ｇ、０．９７ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．４９ｇ、４．２９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．７５ｇ、３８．９７ｍｍｏｌ）、ジオキサン（６０ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物７−３（８ｇ）を得た。
得られた化合物７−３の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
７−４．化合物７−４の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物７−４を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物７−３（８．００ｇ、９．１１ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３．４７ｇ、１３．６７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．６８ｇ、２７．３３ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．１ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）ジオキサン（９０ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物７−４（６ｇ）を得た。
得られた化合物７−４の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
７−５．化合物７の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物７を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物７−４（６．００ｇ、６．４９ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（２．８２ｇ、７．７８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２３ｇ、０．１９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２．０６ｇ、１９．４６ｍｍｏｌ）、ジオキサン（７８ｍｌ）、水（３９ｍｌ）を加え、混合した。混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物７（４ｇ）を得た。
得られた化合物７の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例８：化合物８の合成
８−１．化合物８−１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物８−１を合成した。
詳細には、３００ｍｌ三口フラスコに、９−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１（６），２，４−トリエン−３−イル）−９−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−２−ブロモ−９Ｈ−フルオレン（１２．００ｇ、２６．７０ｍｍｏｌ）、ピナコールジボラン（１０．１７ｇ、４０．０５ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２（０．３１ｇ、０．３７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（７．８６ｇ、８０．１１ｍｍｏｌ）を投入し、アルゴン置換した。次に、フラスコ内に脱水１，４−ジオキサン（２６７ｍｌ）を加え、混合した。混合物を１００℃で１時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。ろ液に活性炭（１０ｇ）を加え、１００℃で１時間攪拌した後、セライトを用いて、活性炭を除去し、ろ液を濃縮した。ろ液を濃縮することにより得られた固体を、室温下、アセトニトリル（３０ｍｌ）で洗浄することにより、化合物８−１（１０ｇ）を得た。
得られた化合物８−１の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
８−２．化合物８の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物８を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物８−１（１０．００ｇ、２０．１４ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（７．２９ｇ、２０．１４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７０ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（６．４１ｇ、６０．４３ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２４０ｍｌ）、水（１２０ｍｌ）を加え、混合した。混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物８（７ｇ）を得た。
得られた化合物８の構造は、核磁気共鳴装置（１Ｈ−ＮＭＲ）によって同定した。
合成例９：化合物９の合成
下記の反応式に従って、下記構造を有する化合物９を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物４−１（７．００ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、１，４−ジブロモ−２−フルオロベンゼン（３．０４ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１００ｍｌを加えて、室温で撹拌した。次に、水素化ナトリウム（含有量６０％、０．４７８ｇ、１２．０ｍｍｏｌ）を投入し、混合した。混合物を１８０℃で５時間撹拌し、反応が終了した後、反応混合物を室温まで放冷した。トルエン１００ｍｌを加えた後、分液ロートに移し、水１００ｍｌを用いて３回洗浄した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物９（６．０８ｇ）を得た。
合成例１０：化合物１０の合成
１０−１．化合物１０−１の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物１０−１を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、２−（２−ビフェニルイル）アミノ―９，９−ジメチルフルオレン（東京化成工業株式会社製）（７．０４ｇ、１９．４９ｍｍｏｌ）、１−ブロモ―４−ヨードベンゼン（６．０６ｇ、２１．４４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１９ｇ、０．９７ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．４９ｇ、４．２９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．７５ｇ、３８．９７ｍｍｏｌ）、ジオキサン（６０ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物１０−１（７．２４ｇ）を得た。
１０−２．化合物１０−２の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物１０−２を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物１０−１（１５．００ｇ、２９．０４ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５，−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）カルバゾール（７．６６ｇ、２６．１４ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド（０．４１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７．７０ｇ、７２．６１ｍｍｏｌ）、ジオキサン（２９０ｍｌ）、水（１４５ｍｌ）を加え、混合した。混合物を８５℃で４時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物１０−２（１０．７ｇ）を得た。
１０−３．化合物１０の合成
下記反応式に従って、下記構造を有する化合物１０を合成した。
詳細には、アルゴン下において、反応容器中に、化合物１０−２（７．００ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼン（４．６２ｇ、１２．７７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（０．１１ｇ、０．５８ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン（０．２９ｇ、２．５５ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．２３ｇ、２３．２３ｍｍｏｌ）、ジオキサン（３５ｍｌ）を加え、混合した。混合物を９０℃で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、不純物をろ別した。溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物１０（５．２ｇ）を得た。
実施例１：高分子化合物Ａ−１の合成
上記合成例１で合成した化合物１、上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３、及び上記合成例４で合成した化合物４を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−１を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１（１．９６ｇ）、化合物２（０．１８４ｇ）、化合物３（０．２１１ｇ）、化合物４（２．５７６ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−１（０．７９ｇ）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−１は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物１由来の構成単位：化合物５由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝５０：４０：５：５（モル比））で、化合物１由来の構成単位と、化合物５、化合物３及び化合物２由来の構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−１の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝４２，０００、Ｍｗ＝８０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８５であった。
実施例２：高分子化合物Ａ−２の合成
上記合成例６で合成した化合物６、上記合成例７で合成した化合物７、及び上記合成例８で合成した化合物８を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−２を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物６（２．５３ｇ）、化合物７（３．３０ｇ）、化合物８（０．４８ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−２（０．８ｇ）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−２は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物６由来の構成単位：化合物７由来の構成単位：化合物８由来の構成単位＝５０：４０：１０（モル比））で、化合物６由来の構成単位と、化合物７及び化合物８由来の構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−２の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝１１０，０００、Ｍｗ＝２５２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．３０であった。
実施例３：高分子化合物Ａ−３の合成
上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３、上記合成例４で合成した化合物４、及び上記合成例５で合成した化合物５を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−３を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物２（０．１６ｇ）、化合物３（０．１９ｇ）、化合物４（２．２５ｇ）、化合物５（３．２１ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−３（０．８５ｇ）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−３は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物４及び化合物５由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝９０：５：５（モル比））で、３種の構成単位がランダムに重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−３の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝２７，０００、Ｍｗ＝６０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２３であった。
実施例４：高分子化合物Ａ−４の合成
上記合成例３で合成した化合物３、上記合成例４で合成した化合物４、及び上記合成例５で合成した化合物５を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−４を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物３（０．１９ｇ）、化合物４（２．６４ｇ）、化合物５（３．２１ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−４（０．８５ｇ、Ｍｎ＝２５，０００、Ｍｗ＝５９，０００）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−４は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物４及び化合物５由来の構成単位：化合物３由来の構成単位＝９５：５（モル比））で、２種の構成単位がランダムに重合した高分子化合物であると推定される。
実施例５：高分子化合物Ａ−５の合成
上記合成例１で合成した化合物１、上記合成例２で合成した化合物２、上記合成例３で合成した化合物３、及び上記合成例９で合成した化合物９を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−５を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物１（１．９６ｇ）、化合物２（０．１８４ｇ）、化合物３（０．２１１ｇ）、化合物９（２．５７６ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−１（０．８５ｇ）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−５は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物１由来の構成単位：化合物９由来の構成単位：化合物３由来の構成単位：化合物２由来の構成単位＝５０：４０：５：５（モル比））で、化合物１由来の構成単位と、化合物２、化合物３及び化合物９由来の構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−１の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝６２，０００、Ｍｗ＝１３８，２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２３であった。
実施例６：高分子化合物Ａ−６の合成
上記合成例６で合成した化合物６、上記合成例１０で合成した化合物１０、及び上記合成例８で合成した化合物８を用いて、下記構成単位を下記組成で有する高分子化合物Ａ−６を合成した。
詳細には、アルゴン雰囲気下、化合物６（２．５３ｇ）、化合物１０（２．６７ｇ）、化合物８（０．４８ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（０．０２３ｇ）、酢酸パラジウム（４．３ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）、及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（５．４ｇ）、及びイオン交換水（５０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取した後、乾燥させることで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させて、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通した後、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別した後、乾燥させて、高分子化合物Ａ−６（１．０ｇ）を得た。
このようにして得られた高分子化合物Ａ−６は、単量体の仕込み比から、上記組成（化合物６由来の構成単位：化合物１０由来の構成単位：化合物８由来の構成単位＝５０：４０：１０（モル比））で、化合物６由来の構成単位と、化合物１０及び化合物８由来の構成単位とが交互に重合した高分子化合物であると推定される。また、この高分子化合物Ａ−６の数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）で見積もったところ、Ｍｎ＝１４０，０００、Ｍｗ＝３５２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５１であった。
次に、上記実施例１〜３で得られた高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３及び下記構成単位を有するポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃо−（４，４'−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．製）（比較例１の高分子化合物）の三重項エネルギー準位（ｅＶ）を、下記方法により測定した。
（三重項エネルギー準位の測定方法）
濃度が３．２質量％となるように、各高分子化合物をトルエンに溶解させ、コート液を調製した。このコート液を、スピンコート法により、１６００ｒｐｍの回転速度で塗布した後、ホットプレート上で、２５０℃で６０分間乾燥させた。このとき、高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３は、架橋する。その結果、約７０ｎｍの厚さ（乾燥膜厚）の薄膜（サンプル）を得た。このサンプルを７７Ｋ（−１９６℃）に冷却して、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定した。このＰＬスペクトルの最も短波側のピーク値から、三重項エネルギー準位（ｅＶ）を算出した。その結果を下記表１に示す。
表１の結果から、実施例１〜３の高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３は、従来使用されている比較例１のＴＦＢに比して、三重項エネルギー準位が有意に高いことが示された。
実施例７：有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｄｅｖｉｃｅ−１）の作製
まず、あらかじめ第１電極（陽極）として、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が厚さ１５０ｎｍで成膜されたＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。
次に、実施例１で合成した高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）を、濃度が１質量％となるように、キシレン（溶媒）に溶解させて、正孔輸送層形成用塗布液を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液を厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した後、２３０℃で１時間加熱して、高分子化合物を架橋した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。
さらに、上記で形成した正孔輸送層上に、ホスト（ｈｏｓｔ）材料として、下記構造を有する化合物ｈ−１（６，９−ジフェニル−９'−（５'−フェニル−［１，１'：３'，１"−ターフェニル］−３−イル）３，３'−ビ［９Ｈ−カルバゾール］）、化合物ｈ−２（３，９−ジフェニル−５−（３−（４−フェニル−６−（５'−フェニル−［１，１'：３'，１"−ターフェニル］−３−イル）−１，３，５，−トリアジン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール）、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）材料として、トリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジン イリジウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（２−（３−ｐ−ｘｙｌｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ））を含むトルエン溶液を調製した。この際、化合物ｈ−１の濃度を０．４９ｇ／ｍｌ、化合物ｈ−２の濃度を０．０５ｇ／ｍｌとなるように、トルエン溶液を調製した。また、ドーパント材料の含有量は、ドープ量が、発光層の総質量に対して、１０質量％となるように調製した。正孔輸送層上に、上記で調製したトルエン溶液を、厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの発光層が正孔輸送層上に形成された。
次に、上記で形成した発光層上に、（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）及びＫＬＥＴ−０３（ケミプロ化成株式会社製）を、真空蒸着装置を用いて共蒸着させた。その結果、厚さ５０ｎｍの電子輸送層が発光層上に形成された。
また、上記で形成した電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、真空蒸着装置を用いて蒸着させた。その結果、厚さ１ｎｍの電子注入層が電子輸送層上に形成された。
さらに、上記で形成した電子注入層上に、アルミニウム（Ａｌ）を、真空蒸着装置を用いて蒸着させた。その結果、厚さ１００ｎｍの第２電極（陰極）が電子注入層上に形成された。これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−１）を得た。
実施例８：有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｄｅｖｉｃｅ−２）の作製
実施例７において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、実施例２で合成した高分子化合物Ａ−２（正孔輸送材料Ａ−２）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例７と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−２）を得た。
実施例９：有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｄｅｖｉｃｅ−３）の作製
実施例７において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、実施例３で合成した高分子化合物Ａ−３（正孔輸送材料Ａ−３）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例７と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−３）を得た。
比較例２：有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｄｅｖｉｃｅ−４）の作製
実施例７において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、比較例１の高分子化合物（ＴＦＢ）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例７と同様の方法によって、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−４）を得た。この場合、比較例１の高分子化合物は、架橋性基を有しないため、架橋しない。
上記実施例７〜９で作製された有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−１〜３）及び比較例２で作製された有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）（Ｄｅｖｉｃｅ−４）の電流効率、駆動寿命（耐久性）及び駆動電圧を、以下の方法により評価した。その結果を下記表２に示す。
［電流効率、駆動寿命、及び駆動電圧の評価方法］
まず、直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒ））を用いて、各有機ＥＬ素子に対して電圧を加えると、ある一定の電圧で電流が流れ始め、有機ＥＬ素子が発光する。この際の電圧を駆動電圧（単位：Ｖ）とした。有機ＥＬ素子の発光を、輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ−３）を用いて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が６０００ｃｄ／ｍ２になったところで電流を一定にし、放置した。
ここで、有機ＥＬ素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度（ｃｄ／ｍ２）を電流密度（Ａ／ｍ２）で除算することで、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出した。また、輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に変動（低下）し、初期輝度の９５％になるまでの時間（時間）を駆動寿命（時間）とした。なお、電流効率は、電流を発光エネルギーへ変換する効率（変換効率）を示し、電流効率が高い程、有機ＥＬ素子の性能が高いことを示す。
上記表２から、実施例１〜３の高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３が正孔輸送材料として用いられている実施例７〜９の有機ＥＬ素子（Ｄｅｖｉｃｅ−１〜３）は、比較例１のＴＦＢが正孔輸送材料として用いられている有機ＥＬ素子（Ｄｅｖｉｃｅ−４）に比して、電流効率、耐久性（駆動寿命）、及び駆動電圧の面で優れることが分かる。
実施例１０：量子ドット発光素子（Ｄｅｖｉｃｅ−５）の作製
まず、あらかじめ第１電極（陽極）として、ＩＴＯがパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピールアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ−オゾン処理を行った。ＩＴＯ付きガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。
次に、この正孔注入層上に、実施例１で合成した高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の１．０質量％のトルエン溶液を、厚さ（乾燥膜厚）が２５ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した後、１５０℃で３０分間熱処理して、正孔輸送層を形成した。その結果、厚さ（乾燥膜厚）２５ｎｍの正孔輸送層が正孔注入層上に形成された。
次に、この正孔輸送層上に、正孔輸送層を溶解させないシクロヘキサン中に、ＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル）の青色量子ドット（図２参照）を１．０質量％となるように分散させた分散液を、厚さ（乾燥膜厚）が２５ｎｍになるように、スピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）２５ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、青色量子ドットは、分散液中における発光波長中心が４５８ｎｍ、半値幅が２９ｎｍであった（図３、図４参照）。
この量子ドット発光層を完全に乾燥させた後、その上にリチウムキノレート（Ｌｉｑ）及び電子輸送材料ＴＰＢＩ（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、真空蒸着装置を用いて共蒸着させた。その結果、厚さが３６ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。
この電子輸送層上に、真空蒸着装置を用いて、Ｌｉｑを蒸着させ、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この電子注入層上に、真空蒸着装置を用いて、アルミニウムを蒸着させ、厚さ１００ｎｍの第２電極（陰極）を形成し、量子ドット発光素子を得た。
実施例１１：量子ドット発光素子（Ｄｅｖｉｃｅ−６）の作製
実施例１０において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、実施例５で合成した高分子化合物Ａ−５（正孔輸送材料Ａ−５）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例１０と同様の方法によって、量子ドット発光素子を得た。
比較例３：量子ドット発光素子（Ｄｅｖｉｃｅ−７）の作製
実施例１０において、高分子化合物Ａ−１（正孔輸送材料Ａ−１）の代わりに、比較例１の高分子化合物（ＴＦＢ）を用いて正孔輸送層を形成した以外は、実施例１０と同様の方法によって、量子ドット発光素子を得た。
上記実施例７、８で作製された量子ドット発光素子（Ｄｅｖｉｃｅ−４、５）及び比較例３で作製された量子ドット発光素子（Ｄｅｖｉｃｅ−６）の駆動電圧、発光効率ＥＱＥ、色度及び発光波長を、以下の方法により評価した。その結果を下記表３に示す。
［駆動電圧、発光効率ＥＱＥ、色度及び発光波長の評価方法］
まず、直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒ））を用いて、各量子ドット発光素子に対して電圧を加えると、ある一定の電圧で電流が流れ始め、量子ドット発光素子が発光する。この際の、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２での電圧を駆動電圧（単位：Ｖ）とした。
量子ドット発光素子の発光を、輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ−３）を用いて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が１００ｃｄ／ｍ２になったところで電流を一定にし、放置した。
色度は、輝度測定装置を用いて測定した。
量子効率ＥＱＥ＠１００ｎｉｔは、輝度測定装置で測定した分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定して算出した。
したがって、実施例１〜３、５の高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３、Ａ−５は、エレクトロルミネッセンス素子（特に、正孔輸送材料）などに好適に適用できると考察される。
また、実施例１〜３、５の高分子化合物Ａ−１〜Ａ−３、Ａ−５を用いる場合には、塗布法により正孔輸送層を形成できるため、大量生産の観点から好ましい。
１００ 有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
１１０ 基板
１２０ 第１電極
１３０ 正孔注入層
１４０ 正孔輸送層
１５０ 発光層
１６０ 電子輸送層
１７０ 電子注入層
１８０ 第２電極

Claims (14)

  1. 下記式（１）：
    式（１）中、Ａｒ１は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、
    Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
    Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、
    Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し、
    Ｒ１及びＲ２は、互いに結合して環を形成してもよく、
    ａは、０以上４以下の整数を表し、
    ｂは、０以上３以下の整数を表し、
    Ｚは、それぞれ独立して、窒素原子又は−ＣＨ＝を表す；
    で表される構成単位（１）、並びに
    下記式（２）：
    式（２）中、Ａｒ４は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の（２＋ｐ）価の芳香族複素環基を表し、
    Ｌ３は、それぞれ独立して、単結合、置換された若しくは非置換の炭素数１以上２４以下のアルキレン基、又は置換された若しくは非置換のフェニレン基を表し、
    Ｑ１は、それぞれ独立して、１価の架橋性基を示し、
    ｐは、１以上の整数を表す；
    で表される構成単位（２）を含む、高分子化合物。
  2. 下記式（３）：
    式（３）中、Ａｒ５は、置換された若しくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、又は置換された若しくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す；
    で表される構成単位（３）をさらに含む、請求項１に記載の高分子化合物。
  3. 前記式（２）中、Ｑ１は、それぞれ独立して、下記群：
    式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ独立して、水素原子、又は置換された若しくは非置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、
    ｐは、それぞれ独立して、１以上１０以下の整数を表す；
    から選択される、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
  4. 当該高分子化合物に含まれる全構成単位数に対して、前記構成単位（１）の割合は０．１％以上９９．９％以下であり、前記構成単位（２）の割合は０．１％以上９９．９％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高分子化合物。
  5. 当該高分子化合物に含まれる全構成単位数に対して、前記構成単位（１）の割合は０．１％以上９９．９％以下であり、前記構成単位（２）の割合は０．１％以上９９．９％以下であり、前記構成単位（３）の割合は０．１％以上９９．９％以下である、請求項２に記載の高分子化合物。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物と、
    正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種とを含有する、組成物。
  7. 前記発光材料が、発光性有機金属錯体化合物を含有する、請求項６に記載の組成物。
  8. 前記発光材料が、無機ナノ粒子を含有する、請求項６に記載の組成物。
  9. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物と、
    溶媒又は分散溶媒とを含有する、液状組成物。
  10. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物の架橋物又は非架橋物を含有する、薄膜。
  11. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む、エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  12. 一対の電極と、
    前記一対の電極間に配置された、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高分子化合物の架橋物又は非架橋物を含む１層以上の有機層とを備える、エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 前記１層以上の有機層のうち、少なくとも１層は、塗布法により形成されている、請求項１２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
  14. 前記一対の電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える、請求項１２又は１３に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
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