TW575775B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

A7 B7 五 、發明説明（1 ) [發明之技術領域] 本發明係關於液晶顯示裝置及其製造方法。 [先前技藝]. 利用薄膜電晶體作為驅動元件之液晶顯示裝置之基本結 構之實例係，纟第1透明基板上形成丁FT、掃描配線、或信 號配線，在第2透明基板上形成彩色濾光膜、在第丨與第2透 月基板之上述TFT或彩色濾光膜形成面内側之間隙封入液晶 元成第1基板上之TFT係g己置於各像素區域。又對第2基 反上之卷色/慮光膜之各像素區域而言紅色（R)、綠色（G)、該 色（β)區域係配置成直條狀，而各色〇1：之區隔係由金屬等黑 色矩陣所構成。此類結構之液晶顯示裝置之亮度（bnghness) I7開口率在第1與第2基板之對位精度不佳時大幅度下降， 此影響比第1基板上之TFT與掃描配線或信號配線之對位精 度不佳時之影響還大。因此，在第丨基板上之丁叮、掃描配 、、泉或仏5虎配線等再加上在先前之第2基板上所形成之彩色 濾光膜及黑色矩陣之同時形成技術，即一般稱之為CF_〇n一 TFT之技術已被公佈。 另外，擴大液晶顯示裝置視角之方式，係使液晶保持在 與基板呈近乎水平之模式旋轉，已被提出者有，供驅動液 曰曰之像$葸極與共通電極均形成於第1基板，此兩電極間之 電壓產生與基板呈近乎水平電.場之IPS (〖n_Piane_Switching) 方式，及上述像素電極與共通電極之一側電極不加工成〈 型鋸齒狀而製成平板狀，而在其上部隔著絕緣膜製成〈型 錯回狀葸極之FSS (Fringe-Field-Switching)方式。FSS 方式 -5- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 575775 A7

575775 五、發明説明（3 先腹層之R、G、B ’接著，形成像素電極或一側共通雷極 之〈型鑛齒電極，然後形成透明絕緣膜，此外’在其上部 之像素電極或另一側共通電極形成〈型㈣電極，^現L 程相當長之問題。再者’此類長製程增加了在第！基板上: 形成之TFT之曝光對位機會，在實施確保對位限度（職㈣ 之衣程時，會出現影響提供高開口率及更高亮度透過率之 液晶:貝不裝置之原本目的(即彩色濾光膜· 〇n . 丁打之目… 之問題。 本發明之目的包含解決上述..問題，其第五目的係，於每一 不形成貫通孔，而在^玻璃基板上配置驅動液晶層 之^'電極、共通電極，以提供内藏彩色渡光膜層之τ f 丁液 晶顯示裝置。 而第2目的係，採用簡單之製造方法，以提供在形成使液 晶在基板上呈水平旋轉而具廣視角之液晶顯示裝置時，在 弟1基板上不僅形成抓且形成CF之液晶顯示裝置及其製法。 再者，第3目的係，提供高開口率或透過率 置及其製法。 為解^上述問題之代表性手段，於下文予以簡單說明。 (手设1) 一種液晶顯示裝置，豆係 ,^ 衣置，、如包含弟1及第2透明基板 及第2基板間之液晶層，且前述第！基板 ^包含多數條影像信號線、多數條掃描信號線，及由前述 衫像W線與料掃描信號線所圍成之區域所形成之多數 個像素區域，且各像素區域包含至少t個主動^及像素電 極’且在該像素電極及前述液晶層間包含彩色渡光膜層， 本纸張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575775 A7 B7 五、發明説明（4 ) 在知描信號線之延長方向上相鄰像素之彩色濾光膜之邊界 ^接合位置在前述影像信號線上，且在重疊於該邊界部及 »玄衫像化唬線之珂述彩色濾光膜與前述液晶層間形成遮光 層。 藉此製私之短縮，及在影像信號線上配置彩色濾光膜邊 界，且設置使該邊界區域遮光之遮光層，可實現減少對位 限度、提高開口率之液晶顯示裝置。 (手& 2) —種液晶顯不裝置，—其係包含第丨及第2透明基板 及包挾於則述第1及第2基板·間之液晶層，且前述第丨基板 仏包3多數條影像信號線、多數條掃描信號線，及由前述 影像信號線與前述掃描信號線所圍成之區域所形成之多數 個像素區域，且各像素區域包含至少丨個主動元件及像素電 極及共通電極，且在該像素電極及前述液晶層間包含彩色 $光膜，前述共通電極係形成於前述彩色濾光膜之上層， 所述像素電極係形成於前述彩色濾光膜之下層，前述彩色 濾光獏之前述像素區域中至少與前述像素電極全面重疊。 藉此可提供每一像素未形成貫通孔，而在第1玻璃基板 上配置驅動液晶層之像素電極、共通電極，且内藏彩色濾 光膜層之TFT液晶顯示裝置。 (手段3)—種液晶顯示裝置，其係包含第丨及第2透明基板 γ及包挾於前述第丨及第2基板間之液晶層，且前述第丨基板 係包含多數條影像信號線、多數條掃描信號線，及由前述 影像信號線與前述掃描信號線所圍成之區域所形成之多數 個像素區域，且各像素區域包含至少丨個主動元件及像素電 •8-

I紙張尺度適财國g家標準(⑽）A4規格(21QX -------^J 575775

極及共通電極’且在該像素電極及前述液晶層間包含彩色 濾光膜則述共通電極與像素電極係形成於前述彩色濾光 二之下層則述衫色濾光膜之前述像素區域中至少與前述 像素電極及前述共通電極全面重疊。 丑本與手段2相同’即使每一像素未形成貫通孔，可提 {在第1玻螭基板上配置驅動液晶層之像素電極、共通電極 ’且内藏彩色濾光膜層之TFT液晶顯示裝置。 (手段4) 一種液晶顯示裝置乂其係包含第丨及第2透明基板 ，、=包挾於前述第！及第2基板澗之液晶層，且前述第丨基板 或第2基板之至少-方上形成共通電極，且前述第1基板係 包含多數條影像信號線、多數條掃描信號線，&由前述影 ，信號線與前述掃描信號線所圍成之區域所形成之多數個 U區域’且各像素區域包含至少i個主動元件及像素電極 L且在該像素電極及前述液晶層間包含彩色濾光膜，前述 彩色濾光膜係形成於前述像素電極與前述共通電極之間， 前述液晶層之驅動用電場係形成於前述像素電極及前述共 通電極之間而通過前述液晶層及前述彩色濾光膜兩者=路 結構。 、

裝 玎

線 藉此類配置，即使在彩色濾光膜層之每一像素未形成貫 通孔，施加驅動電場於包挾在彩色濾光犋與第2基板之液曰 層’因為在彩色渡光膜上未配置前述像素電極係形成於前 述形色濾光膜貫通孔，而提高各層之間之對位精度，而實 現了提高開口率’且高亮度之TFT液晶顯示裝置。 以下進一步說明本發明手段之實例。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575775 五、發明説明（6 為了施加大電場於液晶層，將形成於 、 上之像素或共通電極製成平面之〈：=衫色濾光暝層 膜下部之共通電極或像素電極製成㈣該彩色濾光 鋸齒電極之末端與下部之矩型電極重a少使上述〈型 素電極間之電場強度在包挾於如上述二^通電極與像 極間之絕緣膜膜厚於預定值之下為佳。極與像素電 衣成千面之〈龍齒狀，而該彩m膜下 : 極或像素電極製成矩形’至少使上 包& · 〜、裂据齒電極之古六山 人下部之矩型電極重疊，且共通電極盥像各+而 強度在包挾於如上述之共通電極一：7間之笔場 里 、像$包極間之絕緣犋膜 '、疋之下，在該上部形成彩色濾光膜亦佳。 〜成本设明之其它目的之液晶顯示裝置，係具有2層彩色 應光膜以上重叠以作為叮丁遮光層之功能，而使工序簡略 化。 達成本發明之其它目的之液晶顯示裝置，其彩色渡光膜 層沿著相鄰之汲極配線相隔離而不重疊，藉由每一像素相 隔離可使用问透過率之彩色濾光膜，因可利用彩色濾光 膜層本身作為電極，可提供低驅動電壓、高亮度之TF丁液晶顯示裝置。 另外於下文說明提供TFT液晶顯示裝置之手段。 一種液晶顯示裝置，其係包含第1及第2透明基板，及包 挟於削述第1及第2基板間之液晶層，且前述第1基板係包含 多數條影像信號線、多數條掃描信號線，及由前述影像信 號線與前述掃描信號線之相鄰各信號線所圍成之區域所形 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 線 575775 A7 B7 五、發明説明（ 成之多數個像素區域，且各像素區域包含至少Η固主動元件 及像；r、I極/、彳寸彳政為在前述影像信號線上隔著絕緣勝積 層有遮光層與共通電極，且前述遮光層係金屬，前述麩通 電極係透明導電體。 再者，其包含七述共通電極中之前述影像信蘩上之部 份係較前述遮光層寬。 · f

裝 再者，其係包含前述共通電極係積層於前述遮光層之上 層。 再者，其係包含前述共通電名係積層於前述遮光層之下 層。 再者，4述共通電極在前述影像信號線上係與前述遮光 層重疊，而在前述影像信號線間之顯示區域中前述共通電 極與前述遮光層不重疊。 再者’前述像素電極係梳狀。 再者，前述像素電極係梳狀，且形成於前述絕緣膜下側。

再者兩述、，，邑緣膜係彩色濾光膜，且在前述影像信號線 上具有邊界部之接合位置。 再者’前述絕緣膜係有機膜。 再者，前述遮光層係構成於前述掃描信號線之上。 本發明之其它手段、效果在包含於本說明書之申請專利 範圍中清楚說明。 、 [圖式之簡單說明] 圖1仏本發明之液晶顯不裝置之一實施例之像素之剖面圖。 圖2係本發明之液晶顯示裝置之—實施例之像素之平面圖。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 575775 A7 B7

玉、發明説明（8 圖3A、3B、3C係本發明之液晶顯示裝置之一〜 造方法之說明圖。 ^施例之农 圖4A、4B係本發明之液晶顯示裝—每> 法之說明圖。 貝、知例之製造方 圖5A、5B係本發明之液晶顯 法之說明圖。 汽施例之製造方 :二之液晶㈣置"施例之像素之平面圖。 圖％本發明之液晶顯示裝置..之—實施例之像素之剖面圖。 圖9係本發明之液晶顯示裝置之一實施例之像素之剖面圖。 圖叫系本發明之液晶顯示裝置之—實施例之像素之平面 圖。 [發明之實施形態與功效] 以下藉圖式說明本發明之實施形態。再者，在以下實施 例中，雖然半導體膜以非晶質矽（a-Si)、透明導電膜以IT〇 為代表’ 等為多結晶矽或巨大結晶矽、單結晶矽亦佳。 又採用I因鋅氧化物（IZ〇）、In〇2、Sn〇2、Zn〇、此等之混合 物或包含銦之導電性氧化物之其它透明導電膜亦佳。再者 ，有關TFT配線之稱呼，將掃描配線稱為閘極配線，將影像 信號配線稱為汲極配線。又，TFT之源極、汲極電極，係將 接續於汲極配線側之TFT部份電極稱為汲極電極，而將以 TFT通道之長邊區域包挾之像素電極側稱為源極電極。 [賞施例1 ] 圖1、圖2係表示有關實施例1之液晶顯示裝置之像素部之 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575775 A7 ___B7 五、發明説明（9 ) 構造。圖1係表示圖2之A_A，線上之剖面圖。 ΐ先，以圖1說明。在採用玻璃基板之第丨基板SUB1之上 配置包含鉬或鉻或鋁之閘極配線（閘極電極）GL，該閘極 配線GL覆蓋於包含SlN之閘極絕緣膜⑴之上。閘極配線gl 供給掃描用驅動電壓。再者，閘極配線GL上隔著閘極絕緣 膜GI配置包含非晶質矽之半導體膜AS，供作為薄膜電晶體 (TFT)之通迢層之功能。此外，以摻雜高濃度磷之半導體層 d〇作為介質，配置使用鉬、鉻或鋁之汲極電極SD丨、源極電 fe SD2 ’再形成將彼等覆蓋之.挺用SiN之保護膜ρ§ν。上述 汲極電極SD1之實體係構成供給影像用信號電壓之汲極配線 DL之一部份。然後，經由於貫通保護膜psv之貫通孔而 接續於源極電極SD2上之使用1T0等透明導電膜之像素電極 ΡΧ配置於保護膜PSV上。 然後在本實施例中，在前述像素電極ρχ上形成彩色濾光 膜層FIL。此處平面上，像素電極Px之一個像素區域，即在 相鄰 >及極配線D L、相鄰閘極配線所區隔成之一個像素區域 内側所形成之矩形。彩色濾光膜FIL係使用有機材料，其平 面圖案係縱直條圖案。當然不僅限於直條狀，即使長方形 狀，或特別是像素配列為所謂三角配置時之正方形狀亦佳 。如圖1所示，例如，綠色之彩色濾光膜層FIL(G)與红色之 彩色濾光膜層F1L(R)之色圖案喺以汲極配線DL予以區隔。 此外，在上述彩色濾光膜層F1L上，配置有遮光層6[^與 共通電極配線CL、共通電極CT。如圖2所見之平面圖案， 遮光層B Μ係形成於汲極配線d L，閘極配線g L之上，使开） -13- 575775 A7 B7 五、發明説明 成來自表面之入射光不致直射至半導體層AS上之構造。另 外’共通電極配線CL亦相同，在汲極配線DL及閘極配線GL 上配置成網狀圖案。其寬度較遮光層BM更寬，使得其隔著 下部之像素電極PX與彩色濾光膜層FIL形成重疊圖案。又， 八通％極C T形成共通電極配線C L之一部份，在像素區域具 有〈型鑛齒狀部份。在本實施例中，遮光層B Μ係由鉻或鉬 之孟屬膜' 共通電極配線C L係由IΤ 0等之透明導電膜所構 成。在此共通電極及其間隙怎彩色濾光膜？乩上，形成配向 膜0{11，其表面實施配向處理（ 此外’遮光層β Μ係由鉻或鉬之.金屬膜、共通電極係由透 明導電膜所構成，且在汲極上部以彩色濾光膜^匕隔離遮光 層與共通電極，或配置成共通電極配線之積層結構，而具 有藉汲極配線DL附近之遮光以提高對比及藉透明電極作為 共通電極以提高開口率之兩個優點。又因為影像信號線上 之/、通U極配線C L亦具共通電極c；丁之功能，故稱呼之方式 並不重要。在圖1中，雖然DL上積層了寬度較遮光層βΜ^ 寬之透明共通電極，因為藉此亦可利用〇1上之共通電極之 末端作為光透過區域，因而實現了提高開口率。又雖然透 明電極在遮光層之上層，因為藉此氧化物以形成高安定： _ ，〜正,·丨土迟尤層具保 護效果。λ時’首先使金屬性遮光層成膜，然後藉塗佈、 曝光、顯[蝕刻而形成金屬層’然後使透明導電層成獏 ’而藉塗佈、^光、顯影、㈣而使像素内之共通；極形 成透明電極。當然’反之使金屬性遮光層在上&，而;秀明 *~·— -14 575775

電極之共通電極作為下層 體層於一次成胺接你入 此日寸，金屬層與透明導電 、蝕μ蛛 离層错先阻劏塗佈、曝光、顯影 刻使=使透明導電層藉光阻劑塗佈、曝光、顯影、 ，=入=^之共通電極組成透明電極而形成透光區域 在至屬層與透明導電體層 μ命β 、.. 曰」逑，成肤之下具有改善金屬 層A透明導電體層間之接觸 山者[生之效果。又遮光層BM 亦可在閘極配線GL上形成矩陳妝 ^ 战阵狀豬降低給電阻而提高畫 裝 線 :η且因[TFT遮光之遮光層-不需對向側基板，故可提高開 、手此外，上述之效果不一·定需要隔離汲極配線DL及遮 光曰_之办色以膜，有機絕緣膜或無機絕緣膜亦佳。從 ㈣汲極配線DL之寄生電容之觀點而t，較佳為具低誘電 率之有機絕緣膜。再者，像素電極PX以所謂IPS之配置而構 成木IL狀，且利用該像素電極px與上述共通電極ct間之基板 具有平行模式之所謂橫向電場以驅動液晶分子之結構，可 使上述效果奏效。此外，在上述說明巾，遮光層為上層之 場合，㈣有機絕緣膜以取代彩㈣光膜之場合，像素電 極PX為梳狀之場合，在閘極配線几上配置遮光層之場合， 及將此等予以組合時之結構並未予以圖示。而相關同業者 可藉上述之說明易於理解結構上之變更點。 另外在閘極配線G L上配置遮光層與共通電極配線c l之 積層結構亦佳。可利用係金屬層之遮光層以使給電阻之降 低放果奏效。再者’特別是在常黑（n〇maiiy black)模式之 場合’因為在同等電位之時，透明電極上之液晶不致於會 動作’即在顯示黑色時對比不致於大幅度下降，在影像信 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 575775 A7 B7 五、發明説明（12 ) 號線DL上組成透明共通電極CT或共通電極配線CL，可實現 具實用且一定水準之畫質。 此外，包含玻璃之第2基板SUB2之内側形成配向膜〇RI， 在其表面實施配向處理。然後，第1玻璃基板SUB 1與第2玻 璃基板SUB2以配向膜ORI之形成所在面，對向配置，在其 間隙配置液晶層液晶。又在第1及第2玻璃基板SUB 1、SUB2 之外側面形成偏光板POL。再者，前述第1基板SUB 1及第2 基板SUB2並不限定於玻璃，塑_膠等透明基板亦佳。 在諸如以上所形成之TFT液>曰顯示裝置中，液晶層LC液 晶未施予以電場之時，液晶層LC中之液晶分子對於第1玻璃 基板SUB 1呈大致平行狀態之均態（homogeneous)配向。但初 期配向狀態並不予以限制。在第1玻璃基板SUB 1上所形成 之共通電極CT及共通電極配線CL與像素電極PX間之施加電 壓差則產生電場，而在起始值電場以上時液晶會旋轉而能 控制透過率。施加於液晶層之電力線係自共通電極CT通過 液晶層LC及彩色濾光膜層FIL而達到像素電極PX。在本結 構中，因為對應於基板所包含之橫方向電場比重，支配了 液晶分子對於基板之旋轉比重，故可獲得廣視角之液晶顯 示裝置。 此外，像素區域内之〈型鋸齒狀共通電極CT與像素電極 PX以彩色濾光膜層FIL予以包挾而重疊，施加於液晶層LC 之最大電場係由彩色濾光膜層FIL之厚度決定。彩色濾光膜 層係由1〜2微米之樹脂層所形成。本方式係由第1玻璃基板 SUB1上之平面尺寸以規範像素電極PX與共通電極CT間之 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 575775 A7 _____B7 五、發明説明（13 ) 最大包％，舉例而言，.與特開平2〇〇(M丨1957號公報之IPS 方式之液sa頒示叙置相比較，可減少驅動電壓。再者’在 上述公報之像素彩色濾光膜上另外形成了透明絕緣膜，配 置像素電極與共通電極將此包挾，此透明絕緣膜之成膜與 在其上形成圖案化作業分開，使本實施例之工序可簡化， 且因可減少各層間之對位次數而可提供提高開口率，及高 亮度液晶顯示裝置。 其次’說明製法之-實例_首先’如圖3(A)所示，將鉻 、鉬或銘與鉑之積層膜予以成-膜，利用微影及養虫刻技術對 其實施圖案化，而於以玻璃基板龍以形成閘極配線以。 然後，如圖3(B)所示，在包含閘極配線GL之第b皮璃基板 SUB1上形成含SlN之閘極絕緣膜ω，隔著此膜在閘極配線 GL上形成包含非晶質石夕之半導體膜AS、高濃度半導體膜肋 。此半導體膜AS與添加磷之n型高濃度半導體膜肋係將閘極 絕緣膜G；l、半導體膜AS、高濃度半導體膜肋予以連續成膜 ，且利用微影及蝕刻技術對高濃度半導體膜肋及半導體膜 AS實施圖案化所形成。 然後，如圖3(C)所示，在與高濃度半導體膜肋圖案之一部 份重疊下形成汲極電極SD1、源極電極SD2。然後，以上戒 沒極電極SD1、源極電極SD2作為光罩，藉由乾餘刻將高濃 度半導體膜dO除去，形成TFT之通道區域。汲極配線〇匕以 與没極電極s D丨相同之工序、材料製成。 其次，如圖4(A)所示’形成將汲極電極SD1、源極電極 SD2、半導體膜AS、沒極配線DL覆蓋，採用训而位於閘極 -17- 本紙張尺度適用中@國家標準(CNS) ^規格(21〇 X 297公爱) ' — --- 575775 五、發明説明（14 :=二之保她V。然後，利用微㈣刻技術在 ^ 2上實施保護膜阶之接觸孔CN之開口作業。 示’在保護膜PSV上形成採用包含IT0之 史明導電膜之像素雷％ Ργ L, ^ '極PX。此像矛、電極ρχ在平面上大致為 矩形，隔者接觸孔CN與源極電極SD1接續。 j後：如圖5(A)所示，在保護膜PSV及像素電極PX上形 /色遽光膜層FIL。彩色濾光膜層吼係由包含紅色⑻、 :色⑹、或監色（β)之染料或-顏料之樹脂膜所形成。舉例而 \’欲獲得紅色等所預期之光學特性之顏料，係採用分散 :、丙稀為主之感光性樹脂中之顏料分散型光阻劑。 I先，將顏料分散型光阻劑塗佈於像素電極ρχ，保護膜 PSV上’採用光罩以接合於汲極配線队上 :曝光、顯影。按色數，例如紅⑻、藍⑻、綠二 刀1久重復此等工序，而形成彩色濾光膜層FIL。 然後，如圖5(B)所示，形成絡或钥之遮光層_，最後形 成採用㈤透明導電膜之共通電極配線CL及共通電極 共通電極配線CL隔著彩色濾光膜FIL將汲極配線dl覆蓋。 共通電極CT隔著彩色濾光膜FIL呈〈型鋸齒狀與下部之像素 電極P X重叠。 ’ 再者’上述遮光層BM雖然以金屬膜形成，亦具可傳達較 與此場合之CL搭配下之共通·電位更低電阻化之優點。2 = 脂膜更佳，亦具有可使此場合下CL與Dl間之電容更低下之 效杲。又根據用途之可能省略之下，可簡略化工序，以提 供咼合格率且廉價之液晶顯示裝置。特別是在使半導體膜 18- 未紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 575775 A7 —^ ___ B7 五、發明説明（15 ) AS之多結晶矽或巨大結晶矽或矽多結晶之結晶粒界同質相 淨接下，採用連縯粒界發（C〇ntinu〇us Grain Silicon : CGS) 之場合，因為照光時在TFT關閉狀態下汲極電極SD 1及源極 兒極SD2之間會產生小量漏電流，此遮光層可易於予以排 除。 在如以上之本實施例中’彩色濾光膜FIL上之共通電極ct 及共通電極配線CL之電力線經由圖1之液晶層lC，通經彩 色濾光膜層FIL而達到其下部之像素電極ρχ。藉此電力線所 決定之電場可控制液晶層LC中液晶分子之旋轉透過率。再 者，本貫施例之像素區域，如圖丨及圖2所示，在彩色濾光 膜層FIL上並未形成貫通孔。此與特開平2000—丨Π957號公 報所揭示之在第丨玻璃基板SUB1上所形成之彩色濾光膜， Ρ Ϊ P s方式之液晶嘁示裝置具相當大之差異。藉此，可根源 解決，由樹脂所形成之彩色濾光膜FIL之每一像素因為形成 接觸孔而產生接觸不良之合格率低下，及因每一像素之接 觸電阻相異而在每一像素上所產生之輝度不均。藉此，可 =現A合格率口口口質且解決每一像素之輝度不肖t液晶顯示 衣直，其係在第1玻璃基板S.UB 1上，形成像素電極ρχ、共 通電極CT及彩色濾光膜層FIL之廣視角液晶顯示裝置。 此外，雖然在本實施例中所說明者係關KTFT，卜丨⑽亦 可。 又，雖然在本實施例中像素部之結構具附帶說明’在週 邊部份所配置之掃描信號驅動電路、影像信號驅動電路、 控市1 %路等各種電路，藉此以驅動液晶顯示裝置者則未予 -19- )75775

說明。當铁，泰 與多社晶;;4之—部份或全部在第1玻璃基板晒上 接下r /大結晶發切多結晶之結晶粒界同質相鄰 接下，㈣m切⑽之主動元件結構亦佳。 又配線或電極戶斤； 之至屬材料，除上述說明中所示之 材枓外，钽、鎢等亦佳。 另外’結構為透過型或前光式液晶顯示裝置之場合，在 另-側偏光板之背面包含背光單元自不在話下。 [實施例2] 本實施例使用與實施例1之結構不同之圖6及圖7予以說明 。又圖6所示係圖7之β-β，切斷線之剖面圖。 在本實施例之液晶顯示裝置中，雖然在第w璃基板subi 置了閘極配線GL、共通電極配線CL，及1T〇等透明導 ^所形成之共通電極CT，如圖7所示，其與共通電極配線 CL壬重豐而連續之配置。共通電極ct在平面上與閘極配線 GL或汲極配線DL不重疊，且呈矩形狀。此等電極、配線， 所後盍之第1玻璃基板SUB 1以閘極絕緣膜⑴予以塗覆。在 閘極絕緣膜GI上形成半導體膜…、汲極電極如丨、源極電 極SD2，上述電極與半導體膜As之接續係由添加磷之n型高 浪度半吾體膜dO所形成。上述中汲極電極s D 1、源極電極 S D2與貫施例1相同係由金屬膜所形成。汲極電極s β 1係構 成汲極配線D L之一部份。 接續於源極電極SD2之像素電極ρχ係由〖丁〇等透明導電膜 所形成，其在像素區域内係呈〈型鋸齒狀，此〈型鋸齒經 由下部之閘極絕緣膜GI與共通電極CT重疊。ρχ具有線狀區 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 575775 A7 B7 五、發明説明（17 ) 域為佳’若兩端相互接續亦佳。另外，該像素電極ρχ上被 覆採用SiN之保護膜PSV。在該保護膜pSV上形成彩色濾光 膜層FIL。在其上部，形成兼供作TFT部份之遮光及汲極配 線DL之週邊黑矩陣之遮光層βΜ。在其上部成配向膜〇ri， 在第2玻璃基板SUB2之内側所形成之配向膜〇Ri亦以相同方 式配向處理。 在如以上之本貫施例中，電力線自保護膜p s V下部之像素 私極PX延伸，經由保護膜pSy:彩色濾光膜層、液晶層 LC，另一方面，向下延伸通鏗彩色濾光膜層、保護獏 MV、像素電極{5)<間隙之閘極絕緣膜⑺而達到共通電極〔丁 此處所使用液晶之介電異向性並未特別予以規定。但 在本結構中較佳為可預期具有正值誘電異方性之材料可使 驅動電壓下降。 本實施例與實施例1相同，在由樹脂f成之彩色遽光膜 L之各像素上並未形成接觸孔，其特徵為比較於習知之實 例I提高合格率。此外本實施例，比較於實施例卜具有可 大f減少點缺陷點。以下文說明其理由。 ::材枓與無機材料間之黏附’眾所周知較有機材料間 或然機材料間困難。但在實施例丨中在# i + #戶、她則1 f在衫色濾光膜FIL上必 極C;。2電性之金屬或透明導電體之無機材料之共通電 声生^ 此共通電極在爪起之製程易於剝離，而容易 :工：構。再者，共通電極CT為實施梳狀或鑛齒狀 場…度更窄，進而更易剝落。吼狀結構物質剝離之 右h極部份則在該區域無法控制光，另外欲控制 本纸張尺度相 -21 X 297公釐） A7 B7

575775 五、發明説明（18 光則改變液晶層之間隙，而造成輝度不均。另外在本實施 例中，於FIL上形成遮光層。此遮光層之一實例為由樹脂製 成。此時因為遮光層BM與彩色濾光膜FIL係同為有機材料 ’相對地構成不易剝離。又’遮光層BM以金屬材料形成之 場合，由於具有遮光層因而可形成寬度較實施例1之cT更寬 ’因可增加與FIL之接觸面積而可實現較實施例1不易剝離 之結構。即本實施例中無論遮光層BM係樹脂、金屬之任一 場合，可比實施例1FIL上之結_構層更難剝離，而可提高合 格率。 ·< [貫施例3 ] 如圖8所示之剖面圖。在第丨玻璃基板sub 1上形成驅動掃 描電壓之閘極配線GL、供給影像信號電壓之汲極配線dl及 其一部份供作汲極電極SD1、源極電極SD2，由SiN製成之 閑極絕緣膜GI、保護膜pSV、配置於保護膜PSV上而接續至 源極電極S D2之像素電極ρχ。至像素電極ρχ結構之製造工 序與實施例1相同。 本實施例與實施例1相異者，在像素内之像素電極ρχ上部 之結構所對應之工序。彩色濾光膜層F [ L ’在τ FT半導體層 AS處，對於一種色所對應之彩色濾光膜層F1L(R)，與相鄰 仏乐之彩色處光膜層fil(g)相重疊。如此，藉至少重疊兩 層以上之彩色濾光膜層FIL，提高了來自第2玻璃基板SUB2 側之入射光之遮光層效果。在圖6雖然2層重疊，此處以另 一種色之藍色彩色濾光膜FIL(B)予以重疊，進而提高其遮 光效果。 •22- 本紙張尺歧财目目緖準x_ 297公釐)

裝 訂

本貫施例之像冬之一如 層色層於平面重叠，藉由彩色細層FIL2層或3 °卩仏使用作為至少一部份之TFT部份 之遮光層或區隔像专門 /素間之黑矩陣。藉，與實施例1相比較， /、匕之成‘膜、圖案化以形成遮光層BM。彩色濾、光膜 曰 牛、例而吕係由包含紅色（R)、綠色（G)、或藍色（B)之 _顏料之樹脂所形成。舉例而言，欲獲得紅色等所預 期之光學特性之顏料，係採用分散於以丙烯酸類為主之感 先性樹脂中之顏料分散型光阻劑。首先，將顏料分散型光 阻劑塗佈於像素電極ρχ、保護膜psv上，採用光罩對此予 以曝光、S員影。按色數，例如紅（R)、藍⑺）、綠⑼為3色， 刀人重覆此等工序，而形成彩色濾光膜層^匕。 在本貝％例中，彩色濾光膜層FIL上部係形成包含透明絕 緣膜材料之覆蓋塗層oc>此覆蓋塗層〇c，舉例而言，係使 用丙烯I树月曰等之熱硬化樹脂。此外，採用光硬化性透明 樹脂亦佳。在其上’形成CL、CT。此覆蓋塗層具平坦化效 果而可減少在配向膜〇RI之配向工序時因彩色濾光膜層FIL 口 ίΜτ：重豐之段差所產生之不良。藉此，相鄰汲極配線D L之 間隔、相鄰閘極配線GL之間隔變小而高精細，一實例為， 在汲極配線DL之間隔為80微米以下之TFT液晶顯示裝置中 ，配向處理，特別是利用磨擦方式處理之場合，所伴隨之 不良較實施例1減少。 ‘· 此外在本實施例中，電力線自彩色濾光膜F1 L上之共通電 極CT及共通電極配線CL經由液晶層LC，通經彩色濾光膜層 FIL、覆蓋塗層〇C而達到其下部之像素電極ρχ，藉此所決 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 575775 A7 ___B7 五、發明説明（2〇 ) 定之電場可控制液晶層LC中液晶分子之旋轉透過率。 [貫施例4 ] 圖9、圖1 0緘不係關於本發明之實施例4之液晶顯示裝置 。圖9係圖⑺之“固像素平面圖之c_c，線上之剖面圖。在第i 玻璃基板SUB1上形成驅動掃描電壓之閘極配線仏匕、供給影 像信號電壓之汲極配線DL及其一部份供作汲極電極SD !、 源極電極SD2，由SiN製成之閘極絕緣膜gi、保護膜ps v、 配置於保護膜psv上而接續至-源極電極SD2之像素電極ρχ。 至像*電極Ρ X結構之製造工序與實施例】相同。 在上述保護膜PSV上形成彩色濾光膜層FiL。本實施例中 彩色濾光膜層FIL之平面圖案與實施例1及2者差異極大。彩 色渡光膜層FIL之相鄰汲極配線d L附近雖然具有邊界，相鄰 彩色濾光膜層F1L仍具有相互分離之區域。在圖9之剖面中 ，紅色彩色濾光膜層FIL(R)與綠色彩色濾光膜層FIL(G)在汲 極配線DL上之附近相互不重疊，而顯示具有不接觸之區域。 此外，因相鄰彩色濾光膜層FIL之間隙具有大段差，在其 上部係形成包含透明絕緣膜材料之覆蓋塗層〇c。此覆蓋塗 層〇C，舉例而言，係使用丙烯酸樹脂等之熱硬化樹脂。此 外’採用光硬化性透明樹脂亦佳。此覆蓋塗層具平坦化效 果而可減少在配向膜ORI之配向工序時因彩色濾光膜層F比 部份重疊之段差所產生之塗佈·不良，及配向不良。 在其上部’驅動液晶層LC之共通電極cT及共通電極配線 C L配且成錄齒狀。共通電極c τ係由1 丁〇等透明導電膜形成 。但即使與第1〜第3實施例相同，此共通電極c 丁及共通電極 -24- 本紙張尺度適财目目家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) '" —

裝 訂

線 575775 五、發明説明（a 配線CL採用如鉻或鉬之金屬膜佳。 率會下降，m & 此琢合下’雖然透過 羊…目為比汀〇之電阻更低，進 ’不必特別配置遮光層BM，而可提供更大：先層之功能 顯示裝置。 ^供更大畫面之TFT液晶 本實施例之最大特徵係，如上述，各料 層’沿著相鄰之汲極配線DL …思先膜 丰f J 和立室登而分離，或，進 一步4者相鄰之閘極配 一 退 。if # m 像τ' 一個像素分離之處 色可實現提升性能(原因。對決定彩色渡光膜顏 色:色先阻劑而言’高色純·度與高透過㈣具取捨條件 之關係。就最顧此類取捨條件之材料而 望具有導電性之材料出現。另外具有可能之材料，係期望 包含離子性之材料出現。 然而’根據實際製品結構所實施之試作，產生串音惡化 、㈣電壓上升、信賴性不良等未預期之新現象。詳細解 析此等之、、Ό [其原因可由以下之解釋理解。gp，使用此 等材^之彩色濾光膜FIL，且相鄰像素間之彩色濾光膜層 FIL重豐，及高導電性材料時，像素電極ρχ之電位會漏至相 鄰像素，#此可明瞭所產生之串音惡化或有效電壓下降、 即驅動電壓上升。再者，包含離子成分之場合，在相接觸 之同質彩色濾光膜FIL之間產生離子交換，可理解彩色濾光 膜FIL產生褪色現象。進而可知此褪色現象隨著時間而呈現 進行性信賴性問題。而在具有導電性及離子成份之場合， 液晶顯示裝置之實際驅動，即通電之下離子交換會加遠， 可知將產生加速褪色。 -25-

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(2l_〇X 297公爱 1--

因此本發明人笼 …、，為了使用具有導電性、或含有離子成 二 辱電性且含有離子成份之彩色濾光膜，考慮圖9 之平面圖所示之結構。即每—像素處之彩 “ 離進而以透明性覆蓋塗層膜〇C作為彩色 :光膜間之刀一。更進一步將該覆蓋塗層膜〇c配置於彩色 )思光㈣L及形成於該彩色渡光膜上之電極或諸如共通電極 CT之導電材料之間。 j者之手法中，彩色濾光篇含有導電性之場合，在像 "、間因可防止衫色濾光膜之Μ路，而可防止串音惡化、及 驅動吧壓上升。又彩色濾光膜含有離子成份之場合，可防 止心色/處光膜間之離子交換，而可防止彩色濾、光膜之褪色。 在k者之手法中，彩色濾光膜含有導電性之場合，可防 止像素電極PX及共通電極CL之短路。又彩色濾、光膜含有離 子成份之場合，可防止彩色濾光膜中之離子溶入液晶層而 污染液晶層，因可抑制液晶層與彩色濾光膜間之離子交換 ’同樣可防止彩色濾光膜之褪色。 再者在圖10中雖然閘極配線01^間不分離，而沿著汲極配 線D L之彩色濾光膜不重疊，該結構仍可實現一定之效果。 此處閘極配線GL之寬度較汲極配線dl之寬度為寬，因保持 在影像化號線之延長方向相鄰像素電極間之距離較在掃描 L 線之延長方向相鄰像素電極間之距離更大，而可減少 像素電極間之漏電流。另外，如圖9所示在τFT上形成保護 膜。此處可實現防止因彩色;慮光膜FIL所致之源極;:及極間短 路之功能。 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明說明（23 步再者，雖然在本實施例中共通電極CL·係以和像素電極ρχ 果成於同一基板上之場合為中心予以說明，本實施例之效 5共通電極成於像素電極ΡΧ之對向基板上之場合亦 同’其包含於本實施例中。 17使办色濾光膜FIL在掃描信號線延長方向、影像信號線 =長方向兩者，各像素間均分離，因在此場合於影像信號 、’泉延長方向相鄰像素間之同類像素電極亦可完全分離，可 更確切實現本實施例之效果。一 再者彩色濾光膜FIL為導電怪之場合，像素電極ρχ之電位 藉彩色濾光膜層FIL之導電性可傳達至FIL之表面側，因像 素電極PX之電位可到達液晶層，可實現提供低驅動電 壓TFT液晶顯示裝置之新效果。又此時，顯示彩色濾光膜導 電率之電阻率，若在10之14次方Qcm以下時可產生低電墨 之效果。再者預期驅動電壓降低時，1〇之1〇次方Ω⑽為較 佳。雖然值恐低則強烈之降低驅動電壓之效果無庸置疑， 因為過度低電阻化則透過率有下降之趨勢，較佳為在丨〇之3 次方Ωειη至10之10次方Qcm之範圍内。 此外’在本實施例結構之液晶顯示裝置中，液晶層之驅 動用電場係通過彩色濾光膜層所構成。習知之方式係，例 如將彩色濾光膜配置在與TFT相異之基板上，其一實例係像 素電極包含於TFT基板上，而、共通電極包含於彩色濾光膜基 板之彩色慮光膜上’而在像素電極與共通電極間產生驅動 用電場之縱電場方式。在此方式中，液晶層之驅動用電場 ，不通過彩色遽光膜層。此外在所謂橫電場方式中，像辛 -27- 紙張尺度適家標準(CNS) A4規格(21〇X297公爱)" ' ------ 575775 A7

電極與共通電極兩. ^ , 均包含於TFT基板上，因在哕雷朽 成驅動用電場，同樣 u在。“極間形 濾光膜層。再者將二 驅動用電場不通過彩色 知之 -色慮光膜配置於TF 丁基板之方式中’習 ^ T'忑像素電極於彩色濾光膜上，而在對基板上 :置共通電極’在其間隙形成液晶層之驅動 彩“光膜層。但在本實施例中，在像素= 尽、Ά 配㈣色濾錢層，而形成it過彩色渡光膜 層之液晶層驅動用電場。因此_，細光膜層包含如本實 施例之離子性雜質之場合，或·-包含導電性之場合，或包冬 任何污染性雜質’如金屬離子、.或有機溶劑等之場合’； 液晶層與彩色濾光膜之反應，因通過前述彩色渡光膜之驅 動用電場而加速，而$ 遝而壬現加遠巧染液晶層之新問題。因此 攸確保液晶顯不裝置之信賴性、防止液晶層污染之觀點 ，在像素電極與共通電極之間配置彩色濾光膜層，而形成 通過彩色濾光膜層之液晶層驅動用電場之方式中，最佳為 幵y成防止彩色濾光膜與液晶層間污染之保護膜。再者於此 保護膜為有機膜之場合，更佳為可實現符合平坦化效果。 以上洋細說明藉由本實施例之結構，彩色濾光膜配置於 TFT基板上，且實現高色純度下高亮度之TFT液晶顯示裝 置。 再者’本發明並不受限於本實施例〖至實施例4之實施形 態所包含之技術思想、效果，利用本發明之專利申請書所 包含之申請專利範圍中所揭示之技術思想之結構、功效均 涵蓋於本發明之全部範疇。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 575775 A7 B7 五、發明説明（25 ) [發明之功效] 本發明功效之代表實例如下述。即每一像素上之彩色濾 光膜不形成貫通孔，在第1玻璃基板上配置驅動液晶之像素 電極、共通電極，進而可提供内藏彩色濾光膜層之TFT液晶 顯示裝置。 再者採用簡略製法，可提供液晶顯示裝置及其製法，其 係在形成使液晶分子在基板上水平旋轉之廣視角液晶顯示 裝置時，在第1基板上形成TFT及CF。 再者可提供高開口率或高C過率之液晶顯示裝置及其製 法。 再者可提供廣視角、高亮度之TFT顯示裝置。 [元件符號之說明] AS...半導體膜、SUB 1…第1玻璃基板、SUB 2…第2玻璃基 板、SD 1…没極電極、SD2…源極電極、GL...閘極配線、 DL…汲極配線、CL...共通電極配線、CT...共通電極、 TFT...薄膜電晶體、GI...閘極絕緣膜、PSV...保護膜、PX… 像素電極、FIL...彩色濾光膜層、LC...液晶層、〇RI...配向 膜、〇C·..覆蓋塗層、BM...遮光層、POL...偏光板 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 575775 第090133224號專利申請案I ^ 邊 中文申請專利範圍替換本(^2^7月）令說'

   申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置，具有第1及第2透明基板，且在前述 第1及第2基板間包挾液晶層，且前述第丨基板包含多數個 像素區域，彼等為多數條影像信號線、多數條掃描信號 線及前述影像信號線與前述掃描信號線所包圍而形成之 區域，且各像素區域至少具有一個主動元件及像素電極 ’该像素電極與前述液晶層之間具有彩色濾、光膜層，

   其特欲在於在掃描信號線之延長方向上，相鄰像素之 彩色濾光膜之邊界位置在前述影像信號線上，且遮光層 係與該邊界部份及該影像信號線重疊，形成於前述彩色 濾光膜與前述液晶層之間。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在前述遮光 層及前述彩色濾光膜之間形成有機平坦化膜。 3 ·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中共通電極及 兼作共通電極之共通信號線配置於已形成前述彩色遽光 膜之前述彩色濾光膜上。 4· 如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中共通電極及 兼作共通電極之共通信號線配置於已形成前述彩色濾光 膜之前述有機平坦化膜上。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶顯示裝置，其 中共通電極及兼作共通電極之共通信號線配置於已形成 前述彩色濾光膜之前述彩色濾光膜與前述液晶層之間’ 該共通信號線兼作前述遮光層。 6. 如申請專利範圍第1至4項中任一頊之液晶顯示裝置，其 中前述共通信號線在前述影像信號線上覆蓋前述遮光層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 7. 一種液晶顯示裝置，η 士 μ ^ ^ _ ^ 置具有弟1及弟2透明基板，且在前述 弟1及弟2基板間包挾液 H i、f筮1 JL J A # . ^ 、 日曰層，且則述弟1基板包含多數個 的、二寺為多數條影像信號線、多數條掃描信號 f及前述影像信號線與前述掃描信號線所包圍而形成之 區域、’且各像素區域至少具有—個主動元件及像素電極 及/、通包極’该像素電極與前述液晶層之間具有彩色濾 光膜層， 〜 -特t在於則述共通電極係形成於前述彩色遽光膜之 上層’則述像素電極形成於前述彩色濾光膜之下層，前 返彩色滤光膜在前述像素區域中至少與前述像素電極全 面重疊。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中在前述彩色 濾光膜及前述共通電極之間形成有機平坦化膜。 9. 如申請專利範圍第7或8項之液晶顯示裝置，其中前述像 素電極為面狀，且前述共通電極具有線狀區域。 队如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中前述共通電 極 < 一部份配置重疊於前述影像信號線上，兼作共通信 號線。 U·如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中前述共通電 極之一部份配置重疊於前述掃描信號線上，兼作共通信 號線。 12,如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，其中前述共通電 極之一部份配置重疊於前述掃描信號線及前述影像信號 線上，兼作共通信號線。 -2- 〇:\75\75979-92〇725.doc/mg ( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱) 14. 如申请專利範圍第10項之液晶 ^ ^ χ •、肩裝置，其中前述共通 杜U3+、、 爷包體，至少在前述主動元 件上具有遮光層。 15. 如申請專利範圍第10項之液晶 心 顯π裝置，其中前述共通 %極录作共通信號線係金屬。 16. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置 極係透明電極。 其中前述像素電 一種液晶顯示裝置’具有以及第2透明基板，且在前述 第1及第2基板間包挾液晶層，且前述第i基板包含多㈣ 像素f域，彼等為多數條影像信號線、多數條掃描信號 線及前述影像信號線與前述掃描信號線所包圍而形成之 區域、，且各像素區域至少具有—個主動元件及像素電極 及共通電極，該像素電極與前述液晶層之間具有彩色濾 光膜層， 、心 其特徵在於前述共通電極及像素電極係形成於前述彩 色濾光膜之下層，前述彩色濾光膜在前述像素區域中至 少與前述像素電極及前述共通電極全面重叠。 18.如申請專利範圍第17項之液晶顯示裝置，其中前述共通 電極係透明導電體’隔著至少閘極絕緣膜形成於前ς像 素電極之下層。 19·如申请專利範圍第丨7或丨8項之液晶顯示裝置，其中前述 O:\75\75979-920725.doc/mg -3- 575775 A8 B8 7、申請專利範圍 ^ ~ -—— 共通電極為面狀’且前述像素電極具有線狀區域。 2〇· $申請專利範圍第17或18項之液晶顯示裝置，其具有與 =述掃描信Μ同層且隔離配置之共通信號線，該共通 信號線與前述共通電極具有重疊區域。 21.如申請專利範圍第17或18項之液晶顯示裝置，其中在前 述掃描信Μ之延長方向上，相鄰像素之前述彩色遽光 膜<邊界位置在前述影像信號線上，且遮光層與該邊界 部份及該影像信號線重疊，形成於前述彩色濾光膜與前 述液晶層之間。 22· —種液晶顯示裝置，具有第j及第2透明基板，且在前述 第1及第2基板間包挾液晶層，且具有形成於前述第丨及第 2基板至少其中之一上之共通電極，且前述第丨基板包含 多數個像素區域，彼等為多數條影像信號線、多數條掃 描信號線及前述影像信號線與前述掃描信號線所包圍而 形成足區域，且各像素區域至少具有一個主動元件及像 素電極，該像素電極與前述液晶層之間具有彩色濾光膜 層， 其特徵在於前述彩色濾光膜形成於前述像素電極與前 述共通電極之間，前述液晶層之驅動用電場係藉由通過 前述液晶層及前述彩色濾光膜兩者之路徑，形成於前述 像素電極及前述共通電極間。 23·如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中前述共通 電極形成於前述彩色濾光膜及前述液晶層之間，該共通 電極具有線狀區域，及重疊於前述影像信號線上所形成 -4- O:\75\75979-920725.doc/mg 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 575775 A8 申請專利範圍 B8 C8 D8 -5- 之區域，且前述像素電極形成於前述彩色濾光膜之下， 則述像素電極與前述彩色濾光膜相接觸。 24.如申請專利範圍第23項之液晶顯示裝置，其中前述像素 電極與前述彩色濾光膜相接觸。 25·如申請專利範圍第22或24項之液晶顯示裝置，其中在掃 私仏5虎線之延長方向上，相鄰像素之彩色濾光膜之邊界 位置在前述影像信號線上，且在該邊界部份上，相鄰之 各彩色遽光膜重疊，且該彩色濾光膜上形成有機平坦化 膜。 26♦如申請專利範圍第22至24項中任一項之液晶顯示裝置， 其中在掃描信號線之延長方向上，相鄰像素之彩色濾光 膜之邊界位置在前述影像信號線上，且在該邊界部份上 ’係以絕緣性有機透明膜隔離相鄰之各彩色濾光膜。 27·如申請專利範圍第22至24項中任一項之液晶顯示裝置， 其中前述彩色濾光膜在影像信號線之延長方向上相鄰像 素間形成一體化，且在前述主動元件與該彩色濾光膜之 間形成無機絕緣膜。 28.如申請專利範圍第22至24項中任一項之液晶顯示裝置， 其中在前述影像信號線之延長方向上，相鄰像素間之彩 色濾光膜之邊界位置在前述掃描信號線上，且在該邊界 部份上，係以絕緣性有機透明膜隔離相鄰之各彩色濾光 29.如申請專利範圍第22至24項中任一項之液晶顯示裝置， 其中前述彩色濾光膜上形成有機平坦化膜。 O:\75\75979-920725.doc/mg 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   裝 訂 D8 D8

   六、申請專利範圍 30.如申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置，其中前述彩色 〉慮光具有導電性。 〇1·如申請專利範圍第3〇項之液晶顯示裝置，其中供作導電 性指標之電阻率係10之14次方Ω(：Π1以下。 32·如申請專利範圍第3〇項之液晶顯示裝置，其中供作導電 性指標之電阻率係10之10次方Ω(：Π1以下。 33. 如申請專利範圍第3〇項之液晶顯示裝置，其中前述彩色 濾光膜包含離子成份。 34. —種液晶顯示裝置，具有第1及第2透明基板，且在前述 第1及第2基板間包挾液晶層，且前述第丨基板包含像素區 域，其為多數條影像信號線、多數條掃描信號線及前述 影像信號線與前述掃描信號線之相鄰各信號線所包圍而 形成之區域，且各像素區域至少具有一個主動元件及像 素電極， 其特徵在於前述影像信號線上隔著絕緣膜積層有遮光 層及共通電極， 且如述遮光層係金屬、前述共通電極係透明導電體。 35·如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置，其中前述共通 電極中之前述影像信號線有部份之寬度寬於前述遮光層 〇 36·如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置，其中前述共通 電極係積層於前述遮光層之上層。 37·如申請專利範圍第34項之液晶顯示裝置，其中前述共通 電極係積層於前述遮光層之下層。 O:\75\75979-920725.doc/mg t 本紙張尺度適用中國國家標準⑴^的A4規格(210 x 297公釐） 575775 A8 B8

   38. 液晶顯示裝置，其中前述共通 與前述遮光層重疊，在前述影 ’可述共通電極不與前述遮光 如申請專利範圍第34項之 電極在前述影像信號線上 像信號線間之顯示區域上 層重叠。 39· 如申請專利範圍第3 4項之液晶顯示裝置 電極係呈鋸齒狀。 其中前述像素 40. 如申請專利範圍第34至39項中 其中前述像素電極係呈鋸齒狀 下侧。 任一项之液晶顯示裝置， ’且形成於前述絕緣膜之 41. 如申請專利範圍第34至39項中 其中前述絕緣膜係彩色濾光膜 信號線上之邊界部。 任一項之液晶顯示裝置， ’且具有位置在前述影像 42. 43. 如申，專利範圍第34至39項中任—項之液晶顯示裝置 其中㈤述絕緣膜係有機膜。 如申：專利範圍第34至39項中任—項之液晶顯示裝置 其中則述遮光層亦形成於前述掃描信號線上。 O:\75\75979-920725.docZmg