TW564392B - Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device - Google Patents
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Description
564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明相關於在一種絕緣表面上形成的驅動電路。還 相關於到設在絕緣表面上的具有該驅動電路的顯示裝置和 一種發光元件。本發明特別相關於一種主動矩陣顯示器， 它具有這種驅動電路，佈置成矩陣的許多像素，一種開關 元件，以及佈置在各個像素上的一種發光元件。 背景技術 一種主動矩陣顯示裝置，具有許多像素，在各個像素 中佈置有一個開關元件和一個發光元件，它的優點是回應 速度快，用低電壓工作並具有寬廣的視角。 發光元件是一種由電流或電壓控制其亮度的元件。這 種發光元件可以採用以OLED (有機發光二極體）元件爲典 型的電子來源元件，FE (場致發光顯示）元件，以及MIM (金屬-絕緣體-金屬）元件等等。 這種發光元件包括一個陽極，一個陰極，以及含有有 機化合物並被夾在陽極和陰極之間的一個層（以下簡稱其 爲有機化合物層）。發光元件根據施加在陽極和陰極之間 的電壓發光。以下將發光元件的發光稱爲驅動發光元件。 有機化合物層通常具有層疊的結構。Eastman Kodak Company的Tang等人提出了一種典型的層疊結構，它是由 一個電洞遷移層，一個發光層和一個電子遷移層組成的。 層疊結構的其他例子包括依次在陽極上層疊一個電洞注入 層，一個電洞遷移層，一個發光層和一個電子遷移層的那 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -4- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 一種，以及依次在陽極上層疊一個電洞注入層，一個電洞 遷移層，一個發光層，一個電子遷移層和一個電子注入層 的那一種。發光層中可以摻雜一種螢光染料。從一對電極 (陽極和陰極）上對如上構成的有機化合物層施加一個給 定電壓，引導在其發光層中的載子重組。結果就能使發光 層發光。 此時，發光元件的發光亮度與流經電極（陽極和陰極 )之間的電流成正比。與此相應還提出電流流經各像素的 發光元件的像素結構是由輸入到像素部分的電流（以下稱 爲控制電流）來控制的。這種像素結構被稱爲電流控制型 像素。 圖7表示在主動矩陣顯示裝置中的電流控制型像素結 構的一個例子。 如圖7所示，電流控制型像素包括一條信號線701，一 條掃描線702，一條電源線703，一條接線710，一個發光 元件709，一個開關電晶體704，一個電流儲存電晶體705 ，組成電流鏡像電路的電流電晶體706，組成電流鏡像電路 並且用來驅動發光元件的驅動電晶體707，以及一個儲存電 容 708。 開關電晶體704的源極和汲極之一被連接到信號線701 ，另一極連接到電流電晶體706的汲極及電流儲存電晶體 705的源極和汲極之一，而開關電晶體704的閘極連接到掃 描線7 0 2。 電流電晶體706的源極被連接到電源線703。電流儲存 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 電晶體705的源極或是電流儲存電晶體705與開關電晶體 704斷開的汲極一側被連接到儲存電容708的一個電極，電 流電晶體706的閘極和驅動電晶體707的閘極。 儲存電容708與電流儲存電晶體705斷開的一側被連 接到電源線703。驅動電晶體707的源極被連接到電源線 703，而驅動電晶體707的汲極被連接到發光元件709的一 個電極。 以下要解釋向圖7所示的像素輸入一個視頻信號並且 使發光元件發光的驅動方法（操作方法）。當視頻信號被 輸入到像素時，輸入的電流（信號電流）所具有的電流幅 値對應著該像素顯示的亮度。在圖7所示的像素中，用來 控制流經各像素中的發光元件的電流的控制電流與視頻信 號（信號電流）是相同的。 一個信號被輸入掃描線702，使開關電晶體704進入 〇N狀態，然後，從信號線701輸入的信號電流被輸入像素 。同時，輸入到接線710的信號使電流儲存電晶體705處 在導通狀態。 在信號電流被輸入像素之後達到足夠時間時，信號電 流轉向在電流電晶體706的源極和汲極之間流動。同時， 在儲存電容708中保持能夠使電流電晶體706按汲極電流 産生一個信號電流的閘極電壓（閘極和源極之間的電壓） 。然後改變接線710的信號，使電流儲存電晶體705變成 非導通狀態。 在電流電晶體706和驅動電晶體707的特性一致的情 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 564392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ _ B7五、發明説明（4 ) 況下，電流電晶體706的汲極電流等於驅動電晶體707的 汲極電流。此時有一個電流輸入到發光元件709，它等於從 電源線703經驅動電晶體707輸入的信號電流。這樣就能 使發光元件709根據對應信號電流的亮度發光。 即使在不再向像素輸入信號電流之後，在儲存電容708 中保持的電壓也能使流經驅動電晶體707的電流等於信號 電流。 圖8的方塊圖表示具有圖7所示的電流控制像素的一 種主動矩陣顯示裝置的結構。 圖8表示一個像素部分804，向像素部分804中各像素 的掃描線輸入信號的掃描驅動電路803a，803b，以及向像 素部分804中各像素的信號線輸入信號的信號線驅動電路 802。像素部分804和掃描驅動電路803a，803b被裝在具有 一個絕緣表面的基底（以下稱其爲像素基底）801上。用 TAB805 Μ LSI晶片806之外的信號線驅動電路802等等和 LSI晶片806連接到像素基底801上。 在圖7所示的電流控制像素中，輸入控制電流的驅動 電路被表示成控制電流輸出電路。在圖8所示的顯示裝置 的結構中，控制電流輸出電路對應著信號線驅動電路。 另外，從控制電流輸出電路向像素部分提供控制電流 輸出的接線被表示成控制電流線。在圖7所示的像素部分 中，控制電流線對應著信號線701。 如圖8所示，向電流控制型像素部分輸入控制電流的 驅動電路（控制電流輸出電路）是在一個單晶矽基底上用 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 564392 A7 B7 五、發明説明（5 ) LSI晶片形成的。用TAB等等將在其中設有控制電流輸出 驅動電路的單晶矽基底連接到像素基底上。這樣就能將像 素部分用電路連接到控制電流輸出電路。 然而，在連接控制電流輸出電路時需要一定面積的重 疊寬度。另外，控制電流輸出電路和與其相互用電路連接 的像素部分之間的接線電阻和接線電容會變得很大，無法 獲得低功耗的顯示裝置。 因此就需要用多晶矽電晶體在像素基底上形成控制電 流輸出電路。另外還可能用多晶矽電晶體形成的控制電流 輸出電路獲得很高的驅動頻率。 另一方面，用多晶矽電晶體形成的控制電流輸出電路 存在的一個問題是輸出電流因通道形成區中的晶體分散的 影響而廣泛分散。如上所述，發光元件根據與流過的電流 相稱的亮度發光。這樣，當像素當中出現分散時，就會造 成像素中的發光元件的亮度分散（以下稱爲不均衡顯示） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明槪述 本發明的目的是提供一種用多晶矽電晶體形成的控制 電流輸出電路，其中的輸出電流分散可受到抑制。 本發明的另一個目的是提供一種顯示裝置和採用這種 顯示裝置的電子設備，採用本發明的控制電流輸出電路可 以實現小型化和低功耗。 以下要描述本發明的驅動電路（控制電流輸出電路） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8- 564392 Α7 _ Β7 五、發明説明（6 ) 的結構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 控制電流輸出電路具有m ( m是自然數）個輸出電流値 大致相同的電流輸出電路（也稱爲電流源電路，以下稱爲 準控制電流輸出電路），該電流値對應著輸入到控制電流 輸出電路的標準電流。這m個準控制電流輸出電路內部分 另!J胃有多晶矽電晶體（具體說就是具有多晶矽半導體膜的 TFT也就是多晶矽TFT )。 根據本發明，來自m個準控制電流輸出電路的輸出電 流被平均並輸出到n ( n代表等於或小於m的自然數）個輸 出接線（以下稱爲輸出端子）。 例如是依次切換來自m個準控制電流輸出電路的輸出 電流並輸出到η個輸出端子。 也就是說，η個輸出端子的連接和被連接到m個準控 制電流輸出電路的輸出端子的組合是按周期性而改變的。 換句話說，在設定的時間周期內，可以改編η個輸出 端子分別與m個準控制電流輸出電路一對一連接的結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具體地說，在η個輸出電路的第一輸出端子和第二輸 出端子和具有第一準控制電流輸出電路和第二準控制電流 輸出電路的一個控制電流輸出電路中，可以選擇將第一輸 出端子這樣的連接裝置連接到第一準控制電流輸出電路的 輸出端子；將第二輸出端子連接到第二準控制電流輸出電 路的輸出端子；將第一輸出端子連接到第二準控制電流輸 出電路的輸出端子；而將第二輸出端子連接到第一準控制 電流輸出電路的輸出端子。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇><297公釐） -9- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 根據上述結構，兩個準控制電流輸出電路的輸出電流 根據時間上平均的態勢從第一和第二輸出端子上輸出。 這樣，從控制電流輸出電路輸出到η個控制電流線的 輸出電流就能在時間上得到平均。 這樣就能提供一種能夠抑制輸出電流分散的驅動電路 (控制電流輸出電路）。另外，在採用本發明的驅動電路 (控制電流輸出電路）的顯示器中，可以從視覺上減少因 控制電流分散而造成的顯示分散。 另外，根據本發明，在具有絕緣表面的基底上用多晶 矽TFT形成的控制電流輸出電路可以和像素部分形成在同 一個基底上。這樣就能提供一種可實現小型化和低功耗的 顯示裝置。 另外，在本發明的顯示裝置中，可以用許多控制電流 輸出電路構成信號線驅動電路，從多個控制電流輸出電路 輸出的控制電流値可以彼此不同。此外，被輸入到多個控 制電流輸出電路的標準電流可以是相同的。 儘管組成本發明的顯示裝置的許多像素具有各自的發 光元件，這種發光元件可以是OLED元件和採用電子來源 元件的一種元件等等。 還要注意到，根據本發明的發光元件可以是採用由單 態激發子（螢光）發光的元件和採用三態激發子（磷光） 發光的元件。 另外，低分子材料，高分子材料和中等分子材料當中 的任何材料都可以作爲發光元件的有機化合物層的材料。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -10- 564392 A7 __ B7 明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 値得注意的是本文中所述的中等分子材料是指一種沒有純 化的材料，且鏈結分子的長度在10/zm以下。有機化合物 層可以採用包括一個無機材料層和一個有機材料層在內的 一層。具體地說，可以用諸如碳化矽等無機材料作爲電荷 遷移層和電荷注入層。 圖形之簡要敘述 圖1是本發明的控制電流輸出電路的結構示意圖； 圖2是本發明的控制電流輸出電路的結構示意圖； 圖3是用來表示本發明的控制電流輸出電路的驅動方 法的一個時序圖； 圖4的示意圖表示本發明的控制電流輸出電路的結構 圖5是本發明的控制電流輸出電路的結構示意圖； 圖6是本發明的控制電流輸出電路的結構示意圖； 圖7的示意圖表示顯示裝置中一個像素的結構； 圖8的方塊圖表示習知顯示裝置的結構； 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 圖9A到9C的示意圖表示本發明的顯示裝置的製備步 驟； 圖10A到10C的示意圖表示本發明的顯示裝置的製備 步驟； 圖11A和11B的示意圖表示本發明的顯示裝置的製備 步驟； 圖1 2A到1 2C表示本發明的顯示裝置結構的頂視圖和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） """ -11 - 564392 A7 _________B7___ 五、發明説明（9 ) 截面圖； 圖13的示意圖表示本發明的電子設備； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖14是本發明的控制電流輸出電路的結構示意圖； 圖15A和15B是本發明的控制電流輸出電路的結構示 意圖； 圖1 6A和1 6B是本發明的控制電流輸出電路的結構示 意圖； 圖17A和17B表示本發明的顯示裝置結構的截面圖； 圖1 8表示本發明的顯示裝置結構的截面圖； 圖1 9表示本發明的顯示裝置結構的截面圖； 圖20表示本發明的顯示裝置結構的頂視圖；以及 圖2 1 A和2 1 B表示本發明的顯示裝置結構的頂視圖。 主要元件對照表 11〇2_1 to 1102_4準控制電流輸出電路 1112—1 to 1112 —4 電晶體
CltoC4輸出端子 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1110參考電晶體 SW1 to SW4 開關 CS1 to CS4控制電流線 A 1 t ο A 4接線 1100 — B1 to 1100_Br控制電流輸出電路 211移位暫存器 212第一閂鎖電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1〇) 213第二閂鎖電路 203 D/A變換部分 201A第一開關電路 201B第二開關電路 201C第三開關電路 202A第一準控制電流輸出電路 202B第二準控制電流輸出電路 202C第三準控制電流輸出電路 200A第一控制電流輸出電路 200B第二控制電流輸出電路 200C第三控制電流輸出電路 220信號線驅動電路 5002基底膜 5001基底 5002a氮氧化矽膜 5002b氫化之氮氧化矽膜 5003 to 5006島狀半導體層 5007閘極絕緣膜 5008第一導電膜 5009第二導電膜 5010遮罩 5011a to 5016a 第一導電層 5011b to 5016b 第二導電層 5017 to 5025第一雜質區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 564392 A7 B7 五、發明説明（11) 310光阻遮罩 5026 to 503 1 導電層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 最佳實施例的說明 實施例1 以下要解釋本發明的控制電流輸出電路和採用這種控 制電流輸出電路的一種顯示裝置。 圖1是本發明的控制電流輸出電路的一例結構示意圖 。在本實施例中應該注意到是以控制電流輸出電路Π00的 結構爲例的，在其中依次切換4個準控制電流輸出電路 11〇2_1-11〇2_4的輸出電流，並且從控制電流輸出電路的4 個輸出端子（輸出端子部分）輸出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在圖1中控制電流輸出電路1100是由一個開關電路 1102和準控制電流輸出電路1 102 ( 1 102_1-1102_4)組成的 。準控制電流輸出電路1102_1-1102_4分別具有電晶體 1112_1-1112_4，並且準控制電流輸出電路1102_1-1102_4的 輸出端子C1-C4對應著汲極端子。電晶體的 閘極電極被連接到一個參考電晶體1110的閘極電極。連接 參考電晶體1110的閘極電極和汲極端子（電極），從一個 參考電流源電路1111輸入一個流經源極/汲極之間的參考電 流10。 注意到參考電晶體1110源極端子（電極）上的電位和 電晶體1112_1-1112_4的源極端子上的電位被保持一致。在 圖1所示的結構中，參考電晶體1110源極端子和電晶體 本紙張尺度適用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 564392 A7 B7 五、發明説明（12) 111 2_ 1 -111 2_4的源極端子被流經到電源線π 20並獲得相同 的電位。 這樣就能使參考電晶體1110的閘極電壓和電晶體 1112_1-1112_4的閘極電極保持一致，並且從電晶體 1112_1-1112 j的汲極電流分別獲得電流Π-Ι4。此時，如果 電晶體1112_ 1-1112_4的電流特性是一致的，電流値Π-Ι4 就會相等。但是，由於電晶體1112_1-111 2_4是多晶矽TFT ，電流11-14實際上是分散的。因此，電流Π-Ι4是藉由開 關電路1101切換並輸出的。 應該注意到參考電晶體1110的電流特性和電晶體 1112_卜1112_4的電流特性不一定非要是相同的。也就是說 ，在爲參考電晶體1110和電晶體111 2 (意指任何一個電晶 體1112_1-1112j)施加相同的閘極電壓的情況下，設計人 員有可能根據預定的電流比例來設置流動的汲極電流。然 而，遷移率，起始電壓等特性應該是一致的。 例如，假設參考電晶體1110的閘極長度是Lo，閘極寬 度是Wo。假設電晶體1112_1的閘極長度是L1，閘極寬度 是W1。如果令Lo/Wo : L1/W1是1 : 2，就能使電流II達到 參考電流10的大約1/2。 另外，參考電晶體1110和電晶體1102_1-1102_4可以 是η通道型TFT或者是p通道型TFT,然而參考電晶體 1110和電晶體ll〇2_l-1102J極性必須是相同的。 應該注意到本發明的控制電流輸出電路不僅限於此。 控制電流輸出電路包括m ( m是自然數）個準電流輸出電路 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13) 和用來選擇上述m個準電流輸出電路之一的η個開關裝置 (η是小於m的自然數），上述η個開關裝置各自具有周 期性改變上述m個準電流輸出電路的選擇對手的功能。 接著要解釋開關電路1101的結構。開關電路1101是由 開關SW1-SW4組成的。 開關SW1-SW4分別依次選擇端子1-4 (而實際選擇的 上不是端子而是連接到這些開關的接線）。如果開關SWp (P代表1-4的自然數）選擇了端子q ( q代表1-4的自然數 )，除開關SWp之外的其他開關就選擇端子q。 端子1 -4被連接到各個不同的準控制電流輸出電路 1102_1-1102_4的輸出端子C1-C4。另外，在對應著控制電 流線CS1-CS4的4條線的4組端子1-4中，用同樣的符號和 數位代表的端子被連接到不同的準控制電流輸出電路 1102_1-1102_4 的輸出端子 C1-C4。 以下在圖2中表示了開關SW1-SW4電路結構的具體實 施例。在圖2中應該注意到與圖1相同的部分採用了相同 的符號和數位。 在圖2中，開關SW1-SW4是分別由4個開關構成的。 這4個開關用接線A：l-A4和接線Alb-A4b輸入的信號依次 選擇端子1-4，並且被連接到控制電流線CS1-CS4。 對信號應該注意到輸入到接線Aq ( q代表1-4的自然 數）的信號的極性與輸入到接線Aqb的信號是相反的。 接著要說明圖1和圖2所示的控制電流輸出電路的驅 動方法。在圖3中表示了控制電流輸出電路的驅動方法的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210〆 Μ?公釐） -16- 564392 A7 B7 五、發明説明（14) 時序圖。 圖3中所示的A1-A4和Alb-A4b表示輸入到接線A1-A4和接線Alb-A4b的信號的電位。另外，圖框時間周期 F1-F4依次表示一圖框的時間周期。應該注意到一圖框時間 周期就是顯示裝置顯示一個影像的時間周期。通常將一圖 框時間周期設置爲大約1/60秒才不會使人感到耀眼。 在第一圖框時間周期F1中，分別向接線A1和接線 Alb輸入一個信號並且用開關SW：l-SW4分別選擇端子i。 在第二圖框時間周期F2中向接線A2和接線A2b輸入 一個信號並且用開關SW1-SW4分別選擇端子2。 重複同樣的操作並且結束圖框時間周期F1到圖框時間 周期F4。這樣就能用SW1-SW4依次分別選擇端子1-端子4 〇 如上所述，操作開關電路1101就能使控制電流線CS 1 -CS4的輸出電流的電流値的暫時値變成相同的。 這樣就能使輸出到控制電流線CS 1-CS4的電流在時間 上得到平均並且輸出。如此爲顯示裝置採用上述結構的控 制電流輸出電路1100就能從視覺上減少像素因控制電流分 散造成的不規則顯示。 圖3所示的時序圖是這樣配置的，按每一個圖框時間 周期依次切換各個開關SW1-SW4,並且依次選擇端子1-端 子4。根據上述的驅動方法，要根據相同的長度設置某一個 開關SWq ( q代表1-4的自然數）選擇端子丨的時間周期， 選擇端子2的時間周期，選擇端子3的時間周期和選擇端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐）— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} :裝· 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 -17- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（15) 子4的時間周期。 然而，本發明並不僅限於此。還可以這樣來配置，使 開關SW1-SW4按給定的長度切換。例如還可以按每2個圖 框時間周期切換各個開關SW1-SW4，並且依次選擇端子1-端子4。 在圖1和圖2中僅僅有代表性地表示了對應著4條控 制電流線的控制電流輸出電路。但是，在實際的顯示裝置 中可以這樣來配置，將向各個像素輸入控制電流的所有控 制電流線劃分成多組，在各個組中根據類似於圖1的配置 從控制電流輸出電路輸出控制電流。 在圖1 5 A所示的配置中，向各個像素輸入控制電流的 所有控制電流線CSl-CSx被劃分成多組（第一組-第r組（r 代表自然數）），在各組中設置控制電流輸出電路 1100_Bl-1100_Br,其配置與圖1所示的控制電流輸出電路 1100相同。 應該注意到，由於控制電流輸出電路1100_Bl-1100_Br 的各種配置和驅動方法都類似於圖1和圖2所示的配置和 圖3所示的驅動方法，在此處省略了有關的說明。 根據圖1 5 A的配置，對應著多組控制電流線的各組控 制電流輸出電路1100_Bl-1100_Br可以這樣來配置，從公共 參考電流源電路輸入參考電流10。另外，在控制電流輸出 電路1100_Bl-1100_Br中可以配置成共用參考電阻。 根據圖15A的配置，在圖15B中表示了在控制電流輸 出電路1100_B1-1100 Br中具有公共參考電流源電路1111 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -18- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（16) 和參考電晶體111 〇的配置。 應該注意到，在控制電流輸出電路1100_Β1-1100_Βι*中 與圖1中相同的部分是用相同的符號和數位表示的。 在圖15Β中，對於配置成控制電流輸出電路110CLB1 的準控制電流輸出電路11〇2_1-1102_4的電晶體1112_1-1112_4和配置成控制電流輸出電路1100_Β2的準控制電流 輸出電路1102_1-1102_4的電晶體1112_1-1112_4，它們的 源極端子被連接到電源線1120，而它們的閘極電極被連接 到參考電晶體111 〇的閘極電極。 在圖15Β中應該注意到，儘管對應著第一組控制電流 線CS1-CS4的控制電流輸出電路1100_Β1和對應著第二組 控制電流線CS5-CS8的控制電流輸出電路1100_Β2是分別 表示的，對於配置成所有控制電流輸出電路U〇〇_Bl-1100_Br的準控制電流輸出電路1102J102_4的電晶體 它們的源極端子被連接到電源線1120，而 它們的閘極電極被連接到參考電晶體1110的閘極電極。 這樣，作爲施加給所有控制電流輸出電路11〇〇_Β1-1100_Br的準控制電流輸出電路1102_1-1102_4的電晶體 111 2_ 1 -1112_4的閘極電壓的那一個電壓就等於公共參考電 晶體1110的閘極電壓。 應該注意到，在控制電流輸出電路1100_Bl-1100_Br中 ，可以使開關電路1101的驅動定時相等。也就是可以使配 置成圖1中用來選擇端子1-端子4的開關電路1101的開關 SW1-SW4的定時在控制電流輸出電路ll〇〇_Bl-1100_Br的所 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（17) 有開關電路1101中都相等。 例如是以類似於圖2中用於開關電路11 〇 1的配置的一 種配置爲例。在此時由控制電流輸出電路1100_Bl-1100_Br 的所有開關電路11 〇 1共用開關電路1101的接線A1-A4和 接線 Alb-A4b。 如圖3所示，這樣就能向接線A1-A4和接線Alb-A4b 輸入一個信號，配置成選擇端子1-端子4的開關電路1101 的開關SW1-SW4的定時對控制電流輸出電路110CLB1-1100_Br的所有開關電路1101都是相等的。 根據上述的配置，可以向顯示裝置的像素部分上所設 的所有控制電流線CS1-CS4輸出時間上平均的控制電流。 這樣就能減少顯示裝置所具有的各個像素的發光元件在亮 度上的視覺分散。 實施例2 在本實施例中，要參照圖14說明的控制電流輸出電路 的配置與實施例1所示的配置有所不同。 在圖14中，本實施例的控制電流輸出電路1440具有 控制電流輸出電路1100，從控制電流輸出電路1100的輸出 端子Q1-Q4輸出的輸出電流的特徵是作爲參考電流輸入到4 個控制電流輸出電路1400_1-1400_4。然後，控制電流從控 制電流輸出電路1400_1- 1400_4輸出到控制電流線CS1-CS16。 這樣就能藉由切換參考電流並將其提供給控制電流輸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -20- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 五、發明説明（18) 出電路1400_1-1400_4來進一步減少輸出電流的分散。 應該注意到，控制電流輸出電路1 1 〇〇和控制電流輸出 電路1400_ 1-1400 —4的配置和驅動方法可以做成類似於實施 例1中圖1和圖2所示的配置和圖3所示的驅動方法。 在圖14中應該注意到控制電流輸出電路11 〇〇具有這 樣的配置，用開關電路1101周期性地依次交換從4個準控 制電流輸出電路11〇2_1-1102_4的4個輸出端子Q1-Q4輸出 的輸出電流，但是本發明不僅限於此。 圖14的控制電流輸出電路1100包括m ( m是自然數） 個準電流輸出電路和用來選擇上述m個準電流輸出電路之 一的η ( η代表小於m的自然數）個開關裝置，上述η個開 關裝置各自具有周期性改變上述m個準電流輸出電路的選 擇對手的功能。 另外，在圖14中，各個控制電流輸出電路1400_1-1400_4具有這樣的配置，用開關電路1401周期性地依次交 換從4個準控制電流輸出電路輸出到來自4個輸出端子的4 條控制電流線的輸出電流，但是本發明不僅限於此。 在圖14中的控制電流輸出電路1400_1-1400_4包括f ( f代表自然數）個準控制電流輸出電路和用來選擇上述f個 準電流輸出電路之一的e ( e代表小於f的自然數）個開關 裝置，上述e個開關裝置各自具有周期性改變上述f個準電 流輸出電路的選擇對手的功能。 在圖14中應該注意到，僅僅表示了對應著控制電流線 CS1-CS 16的16條線的控制電流輸出電路1440。但是，在 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·装· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇乂 297公釐） -21 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（19) 實際的顯示裝置中可以這樣來配置，將向各個像素輸入控 制電流的所有控制電流線劃分成多組，在各個組中根據類 似於圖14的配置從控制電流輸出電路1440輸出控制電流 〇 在圖1 6 A所示的配置中，向顯示裝置的各個像素輸入 控制電流的所有控制電流線CS 1 -CSx被劃分成多組（第一 組-第r組（I*代表自然數）），而控制電流輸出電路 1440__l-1440_r/4的配置與圖16所示的控制電流輸出電路 1440的設置類似。 控制電流輸出電路1440_l- 1440_r/4各自的配置與圖14 所示的控制電流輸出電路1440的配置類似。例如，在圖1 6 中，各控制電流輸出電路1440_1的控制電流輸出電路 1440_B1-1440_B4對應著圖14中的控制電流輸出電路 1440_1-1440_4，而控制電流輸出電路1440_1對應著圖14 中的控制電流輸出電路11 00。 根據圖16A的結構可以這樣來配置，讓從控制電流輸 出電路^4(^1- 1440^/4中的公共參考電流源電路輸入的參 考電流10分別對應著多組控制電流線。 另外還可以配置成讓控制電流輸出電路1440_1-144CLr/4共用參考電晶體。 在圖16B中表示的配置是在圖16A所示的配置中的控 制電流輸出電路1440_l-1440_r/4具有公共參考電流源電路 1111和參考電晶體111 0。應該注意到，在控制電流輸出電 路1440_l- 1440_r/4中的控制電流輸出電路1100_1-1100_2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（20) 中，與圖14中相同的部分用相同的符號數位表示。 在圖16B中，對於配置成控制電流輸出電路110CL1的 準控制電流輸出電路11〇2_1-11〇2_4的電晶體1112J-1112_4和配置成控制電流輸出電路11〇〇_2的準控制電流輸 出電路1102_1-1102_4的電晶體1112_1-1112_4，它們的源 極端子被連接到電源線Π20，而它們的閘極電極被連接到 參考電晶體1110的閘極電極。 在圖1 6B中應該注意到，儘管對應著第一組-第四組控 制電流線CS1-CS16的控制電流輸出電路1440_1和對應著 第五組-第八組控制電流線CS17-CS32的控制電流輸出電路 1440_2是分別表示的，然而，對於配置成所有控制電流輸 出電路1440_l-1440_r/4的控制電流輸出電路1440_1-1440_r/4的準控制電流輸出電路1102_1-1102_4的電晶體 1112_1-1112_4，它們的源極端子被連接到電源線1120，而 它們的閘極電極被連接到參考電晶體1110的閘極電極。 這樣，作爲施加給所有控制電流輸出電路1440J1-1440_r/4的控制電流輸出電路1440_Bl-1440_r/4的準控制電 流輸出電路11〇2_1-1102」的電晶體1112_1-1112^4的閘極 電壓的那一個電壓就等於公共參考電晶體1110的閘極電壓 〇 應該注意到，在控制電流輸出電路1100_l-1100_r/4中 ，可以使開關電路1101的驅動定時相等。也就是可以使配 置成圖1中用來選擇端子1-端子4的開關電路1101的開關 SW1-SW4的定時在控制電流輸出電路1100 —Bl-1100 —r/4的 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 564392 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21) 所有開關電路1101中都相等。 例如是以類似於圖2中用於開關電路1101的配置的一 種配置爲例。在此時由控制電流輸出電路11〇〇_Β 1-1100^/4 的所有開關電路1101共用開關電路1101的接線A1-A4和 接線 Alb-A4b。 如圖3所示，這樣就能向接線A1-A4和接線Alb-A4b 輸入一個信號，配置成選擇端子1-端子4的開關電路1101 的開關SW1-SW4的定時對控制電流輸出電路1100_1-1100j/4的所有開關電路1101都是相等的。 應該注意到控制電流輸出電路1100_l-1100_r/4的開關 電路1101的驅動定時和控制電流輸出電路1400_B1-1400_Br的所有電路1401的驅動定時是能夠按獨立的定時 執行的。 根據上述的配置，可以向顯示裝置的像素部分上所設 的所有控制電流線CSl-CSx輸出時間上平均的控制電流。 這樣就能減少顯示裝置所具有的各個像素的發光元件在亮 度上的視覺分散。 根據實施例1中圖1 5B所示的配置，對應著不同組控 制電流線的控制電流輸出電流之間的輸出電流的分散不會 成爲問題。 另一方面，根據本實施例如圖14所示的配置，來自控 制電流輸出電路1100的輸出端子之一的輸出電流可以輸出 分散較少的電流，並且用控制電流輸出電路1400_1-1400_4 等等暫時平均給多條控制電流線。在此時，控制電流輸出 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） -24- 564392 A7 B7 五、發明説明（22) 電路1400_1- 1400_4輸出的電流已經是暫時被平均並且較少 分散的控制電流。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，如果採用本實施例2的配置，就能減少分別供 給對應著控制電流輸出電路1440_1- 1440_r/4的不同組控制 電流線的輸出電流的分散。 在本實施例中，如圖14所示組合了本發明的多個控制 電流輸出電路，這樣能夠進一步減少控制電流輸出電路所 輸出的電流的分散。 實例 例1 在本例中要說明一種具有多個控制電流輸出電路的顯 示裝置，各個控制電流輸出電路的控制電流値是按不同方 式設置的 ° 在以下所述的本例中應該注意到，輸入數位視頻信號 的顯示裝置向一個像素輸入對應著輸入的數位視頻信號的 一個類比電流作爲控制電流，並且執行影像顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 此處由多個控制電流輸出電路分別輸出的控制電流對 應著色調參考電流。應該注意到色調參考電流是這樣一種 電流，它的電流値對應著數位視頻信號從高位到低位元的 各個位被加權。 對應的色調參考電流是用數位視頻信號來選擇的。這 樣就能將數位視頻信號變換成對應的類比電流。然後將類 比電流輸出到控制電流線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） — -25- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23) 本例中所示的多個控制電流輸出電路可作爲信號線驅 動電路的一部分爲像素輸入信號電流。 圖4表示信號線驅動電路220的結構不意圖，在圖中 表示了本發明的顯示裝置。 以下要參照圖4說明一個例子，在圖中輸入一個3位 元數位視頻信號，並且輸出與此相對應的類比電流作爲控 制電流。 信號線驅動電路220具有第一控制電流輸出電路200A ，第二控制電流輸出電路200B ,第三控制電流輸出電路 200C, D/A變換部分203，移位暫存器211，第一問鎖電路 2 1 2和第二閂鎖電路2 1 3。 第一控制電流輸出電路200A具有由4個準控制電流輸 出電路組成的第一*準控制電流輸出電路202A和弟一'開關電 路 201A 。 第二控制電流輸出電路200B具有由4個準控制電流輸 出電路組成的第二準控制電流輸出電路202B和第二開關電 路 201B 。 第三控制電流輸出電路200C具有由4個準控制電流輸 出電路組成的第三準控制電流輸出電路2 0 2 B和第三開關電 路 201C 。 在圖4中，各個控制電流輸出電路（第一控制電流輸 出電路200A，第二控制電流輸出電路200B和第三控制電流 輸出電路200C )的結構與實施例中所示的結構幾乎相同。 然而，第一控制電流輸出電路200A輸出的電流（以下 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（24) 稱爲第一色調參考電流）的電流値所設置的加權電流値對 應著輸入到顯示裝置的數位視頻信號的第一位。第二控制 電流輸出電路200B輸出的電流（以下稱爲第二色調參考電 流）的電流値所設置的加權電流値對應著輸入到顯示裝置 的數位視頻信號的第二位元。而第三控制電流輸出電路 200C輸出的電流（以下稱爲第三色調參考電流）的電流値 所設置的加權電流値對應著輸入到顯示裝置的數位視頻信 號的第三位元。 另外，在本例中，以下要解釋的例子是第一控制電流 輸出電路200A-第三控制電流輸出電路200C的各個電路中 的準控制電流輸出電路的4個輸出電流被依次交換並輸出 到控制電流輸出電路的4個輸出端子。 應該注意到本發明的控制電流輸出電路並非僅限於此 。本發明的控制電流輸出電路包括m ( m是自然數）個準電 流輸出電路和用來選擇上述m個準電流輸出電路之一的η 個開關裝置（η是小於m的自然數），上述η個開關裝置 各自具有周期性改變上述m個準電流輸出電路的選擇對手 的功能。 在本例中，第一控制電流輸出電路200A-第三控制電流 輸出電路200C各自的輸出電流分別被輸入到D/A變換部分 203 ° 另外，一個3位元數位視頻信號從接線VD1-VD3被輸 入信號線驅動電路220。此處假設數位視頻信號的第一位（ 最高有效位元）信號被輸入到接線VD 1。假設數位視頻信 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -27- 564392 A7 B7 五、發明説明（25) 號的第二位元信號被輸入到接線VD2。而數位視頻信號的 第三位元（最低有效位元）信號被輸入到接線VD3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下要解釋對輸入到信號線驅動電路220的3位元數 位視頻信號採樣的操作。 在本例中應該注意到，假設顯示裝置具有X ( X代表自 然數）列像素。 在圖6中表示了一種配置的例子，在其中按圖4所不 已設有移位暫存器211，第一閂鎖電路212，和第二閂鎖電 路 213。 時脈脈衝S_CLK，極性與該時脈脈衝相反的反向時脈 脈衝S_CLKB，一個起始脈衝S_SP和一個掃描方向切換信 號L/R被輸入移位暫存器211。這樣就能用移位電阻依次向 端子211_1-211」輸出移位脈衝（採樣脈衝）。 在圖6中僅僅有代表性地表示了第一閂鎖電路的一部 分212_1和第二閂鎖電路的一部分213_1，它們對應著輸出 第一像素列的那一部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉由對進入211_1的移位暫存器211輸出的脈衝採樣而 將輸入到接線VD1-VD3的數位視頻信號同時保存在第一閃 鎖電路212_1的各個框212a_l-212a —3中。在第一閂鎖電路 保存完一個像素行部分的3位元數位視頻信號時，用反向 閂鎖脈衝LPB將所有保存的信號一次傳送到第二閂鎖電路 213_1的各個框213a_l-213a_3，閂鎖脈衝LP的極性和閃鎖 脈衝是反向的。保存在第二閂鎖電路21 3_1的各個框 213a_l-213a_3中的信號被輸出到接線Sld_l-接線Sid 3。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（26) 這樣，第二閂鎖電路213就一次輸出對應著一個像素 行中各像素的3位元數位視頻信號。 第二閂鎖電路213的輸出被輸入到D/A變換部分203。 仍參照圖4，在D/A變換部分203中，利用從第二閂鎖 電路213輸入的數位視頻信號來選擇第一色調參考電流-第 三色調參考電流。這樣，D/A變換部分203就能向控制電流 線CS1-CS4輸出對應著數位視頻信號的類比電流（信號電 流）。 應該注意到，作爲構成信號線驅動電路，第一閂鎖電 路212和第二閂鎖電路213的移位暫存器211的配置，可以 採用各種具有習知結構的電路。 另外，可以用解碼器等等代替移位暫存器2 11來使用 〇 在圖5中表示了圖4所示結構中的信號線驅動電路220 的第一控制電流輸出電路200A ,第二控制電流輸出電路 200B和第三控制電流輸出電路200C以及D/A變換部分203 的具體結構的電路圖。 以下要參照圖5來解釋信號線驅動電路220的結構和 工作方式。 第一準控制電流輸出電路202 A是藉由澱積4個準控制 電流輸出電路111_1-114_1而構成的。第二準控制電流輸出 電路202B是藉由澱積4個準控制電流輸出電路111-2-114_2而構成的。第三準控制電流輸出電路202C是藉由澱 積4個準控制電流輸出電路111_3-114_3而構成的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐） -29 - 564392 A7 B7 五、發明説明（27) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於參考電晶體100的閘極電極和汲極端子是相互連 接的，當參考電晶體100吸取汲極電流時，它工作在飽和 區。此時，從參考電流源電路1111輸入的一個電流10被輸 入到參考電晶體100的源極/汲極端子之間。這樣，參考電 晶體100就流過一定的汲極電流10。 在圖5中，對於參考電晶體100，構成第一準控制電流 輸出電路202A的4個準控制電流輸出電路111_1-114_1的 電晶體101_1-104J，構成第二準控制電流輸出電路202B 的4個準控制電流輸出電路111_2-11釔2的電晶體101_2-1〇4_2，和構成第三準控制電流輸出電路202C的4個準控 制電流輸出電路111_3-114_3的電晶體101_3-104_3都將它 們的源極端子連接到電源線，而它們的閘極電極用電路連 接。 這樣就能使參考電晶體100的閘極電壓和電晶體 101_1-104_1，101_2-104_2 和 101_3-104_3 的閘極電壓保持 相等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電晶體101_1-104_1的汲極端子對應著第一準控制電流 輸出電路的輸出端子，電晶體1〇1_2-104_2的汲極端子對應 著第二準控制電流輸出電路的輸出端子，而電晶體101_3-104_3的汲極端子對應著第三準控制電流輸出電路的輸出端 子。 然而，構成第一準控制電流輸出電路的電 晶體的閘極寬度W1和閘極長度L1都是相等 設置的。另外，構成第二準控制電流輸出電路111_2-114_2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 564392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（28) 的電晶體101_2-104_2的閘極寬度W2和閘極長度L2都是 相等設置的。而構成第三準控制電流輸出電路111_3-114_3 的電晶體101_3-104_3的閘極寬度W3和閘極長度L3也都 是相等設置的。此處將閘極寬度W1和閘極長度L 1的比例 W1/L1，閘極寬度W2和閘極長度L2的比例W2/L2，和閘極 寬度W3和閘極長度L3的比例W3/L3設置在不同的値。 例如可假定Wl/Ll : W2/L2 : W3/L3是4 : 2 : 1。在這 種情況下，可以使第一準控制電流輸出電路111_1-114__1輸 出的電流11_1-14_1的電流値的平均値1_1，第二準控制電 流輸出電路111_2-114_2輸出的電流Π_2-Ι4_2的電流値的 平均値1_2，和第三準控制電流輸出電路111_3-114J輸出 的電流11_3-14_3的電流値的平均値1_3的比例達到4 : 2 : 1 ° 此時，對於參考電晶體100及電晶體1〇1_1-1〇4_1， 101_2-104_2和101_3-104_3，儘管它們可以是η通道型TFT 或P通道型TFT,參考電晶體100及電晶體1〇1_1-1〇4_1， 101_2-104_2和101_3-104_3的極性必須是相同的。 電晶體101_1-104_1的電特性是一致的，電流Π_1-14_1的電流値是彼此相等的。電晶體101_2-104_2的電特性 是一致的，電流11_2-14__2的電流値是彼此相等的。電晶體 101_J-104_3的電特性是一致的，電流11_3-14_3的電流値 是彼此相等的。然而，由於電晶體1〇1_卜1〇4_1，101_2-104_2和101_3-104_3是多晶矽TFT，電流的分散 ，電流11_2-14_2的分散和電流I1__3-I4J的分散實際上是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -31 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（29) 很大的。 以下要解釋開關 SW1 — 1-SW1 —3，SW2_1-SW2_3， SW3_1-SW3_3 和 SW4J-SW4_3 的結構。 例如是用開關SW1 —1，SW2—1，SW3_1和SW4_1根據 每一個圖框時間周期PCS1J，PCS2_1，PCS3_1和PCS4_1 周期性交換第一準控制電流輸出電路111_1-114_1的輸出電 流Π_1-Ι4_1，並且輸出。 例如是用開關SW1_2，SW2_2，SW3_2和SW4_2根據 每一個圖框時間周期PCS1 —2，PCS2 —2，PCS3_2和PCS4_2 周期性交換第二準控制電流輸出電路111_2-1H2的輸出電 流11_2-14_2，並且輸出。 例如是用開關SWL3，SW2_3，SW3_3和SW4 — 3根據 每一個圖框時間周期PCS1-3，PCS2_3，PCS3_3和PCS4_3 周期性交換第三準控制電流輸出電路1 11_3-114_3的輸出電 流11_3-14_3，並且輸出。 對應著各組的各個準控制電流輸出電路（111_1_114_1 ，111 —2-114 — 2 和 111 — 3-114 —3)的開關（SWl_p-SW4_p)的 結構及其驅動方法可以類似於圖2中SW1-SW4所示的結構 和實施例中圖3的時序圖，因此在此處省略了有關的說明 〇 用上述結構將對應著第一色調參考電流的PCS 1_1， PCS2_1，PCS3_1和PCS4_1輸出的電流暫時平均。另外， 用上述結構將對應著第二色調參考電流的PCS1_2，PCS2_2 ，PCS3_2和PCS4_2輸出的電流暫時平均。然後用上述結 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（30) 構將對應著第三色調參考電流的PCS1_3，PCS2_3，PCS3_3 和PCS4_3輸出的電流暫時平均。 以下要解釋D/A變換部分203。 向控制電流線CS 1輸出信號電流的該部分是藉由澱積 電晶體401J-401 _3而構成的。 藉由接線Sld_l從第二閂鎖電路213向電晶體401_1的 閘極電極輸入數位視頻信號的第一位。電晶體401_1的源 極端子或汲極端子被連接到PCS 1_1，而另一端子被連接到 控制電流線CS1。 藉由接線Sld_2從第二閂鎖電路213向電晶體401 _2的 閘極電極輸入數位視頻信號的第二位元。電晶體401_2的 源極端子或汲極端子被連接到PCS 1_2，而另一端子被連接 到控制電流線CS1。 藉由接線Sld_3從第二閂鎖電路213向電晶體401_3的 閘極電極輸入數位視頻信號的第三位元。電晶體401 _3的 源極端子或汲極端子被連接到PCS 1_3，而另一端子被連接 到控制電流線CS1。 對應著控制電流線CS2-CS4的那一部分也類似於對應 著控制電流線CS 1的那一部分。 在D/A變換部分203的電晶體401_1-401_3當中藉由被 經由接線S 1 d __ 1 - S 1 d _ 3從第—'問鎖電路21 3輸入的數位視頻 信號導通的那個電晶體向控制電流線CS 1輸出信號電流的 那一部分中，第一色調參考電流-第三色調參考電流是選擇 流動的。這樣就能向控制電流線CS 1輸出一個對應著數位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ' " -33- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（31) 視頻信號的類比信號電流。 同樣對控制電流線CS2-CS4也輸出對應著數位視頻信 號的類比信號電流。 這樣就能在各條控制電流線CS 1-CS4所輸出的類比信 號電流輸入的那些像素中從視覺上減少其發光元件的亮度 分散。 在本例中應該注意到，僅僅是有代表性地表示了對應 著4條控制電流線的控制電流輸出電路。一般來說，向顯 示裝置的各個像素輸入控制電流的所有控制電流線被劃分 成多組，並且在各組中是這樣配置的，從類似於圖4和圖5 所示結構的控制電流輸出電路輸出控制電流。 這樣就能從視覺上減少顯示裝置所具有的各像素的發 光元件的亮度分散。 對於本例中的顯示裝置應該注意到，作爲控制電流輸 入的類比信號電流被用來控制各像素的發光元件的發光亮 度，而用於顯示的像素可以採用任何類型。例如是在普通 的例子中可以採用圖7所示的像素結構。 在本例中是以這樣構成的信號控制電路爲例的，即多 個控制電流輸出電路共用一個參考電流源電路並且産生多 個色調參考電流，但是本發明還不僅限於此。本發明還能 應用於這樣一種結構的信號線驅動電路，在其中能爲多個 控制電流輸出電路分別提供輸出不同電流値的電流的參考 電流源電路。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -34 - 564392 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 A7 ______ B7_五、發明説明（32) 例2 在本例中要描述在具有絕緣表面的基底上用TFT形成 本發明的顯示裝置的像素部分和驅動電路部分的一種技術 〇 簡而言之，作爲構成像素的元件，有代表性地表示了 用來選擇向像素輸入信號電流的一個開關電晶體，爲發光 元件提供電流的一個驅動電晶體，以及一個發光元件。同 樣還有代表性地表示了構成驅動電路部分的元件也就是由 一個η通道電晶體和一個p通道電晶體組成的CMOS電路 〇 首先如圖9A所不，在Coning Corporation用#7059玻璃 和#1737玻璃標明的諸如鋇硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃 等玻璃構成的一個基底5001上形成諸如氧化矽膜，氮化矽 膜或氮氧化矽膜等絕緣膜構成的一個基底膜5002。例如是 用等離子CVD方法用SiH4，NH3和N2〇形成一個厚度從10 到200nm (最好是50到100nm)的氮氧化矽膜5002a。類似 地，在上面用SiH4，NH3和N2〇層疊一個厚度從50到 200nm (最好是1〇〇到150nm)的氫化的氮氧化矽膜5002b 。在本例中，基底膜5002具有雙層結構，但是也可以是用 上述一種絕緣膜形成的單層，或者是具有兩層以上上述絕 緣膜的層疊膜。 接著形成具有非晶體結構的半導體膜，並且構圖成島 狀半導體層5003到5006。然後在具有非晶體結構的半導體 膜i:執行鐳射結晶方法或習知的熱結晶方法而獲得結晶體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -35- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（33) 半導體膜。這些島狀半導體層50〇3到5006各自具有25到 80nm (最好是30到60nm )的厚度。對半導體膜的材料沒 有限制，但是最好是用矽，矽鍺（SiGe)合金等形成半_ 體膜。 如果要用鐳射結晶方法製造結晶體半導體膜，就要使 用脈衝振盪式或連續發光式激元雷射器，YAG雷射器和 YV04雷射器。在使用這些雷射器時最好採用這樣一種方法 ,用光學系統將一個鐳射振盪器發出的雷射光束彙聚成直 線形狀照射到半導體膜上。由操作人員適當選擇一種結晶 狀態。如果使用激元雷射器，脈衝振盪頻率被設置在30Hz ，而鐳射能量密度設置在100到400mj/cm2 (通常是200到 300mj/cm2)。如果使用YAG雷射器，就利用其二次諧波將 脈衝振盪頻率被設置在1到10kHz，而鐳射能量密度最好設 置在300到600mj/cm2 (通常是350到500mj/cm2)。彙聚成 直線形狀並具有10 0到10 0 0 // m例如是4 0 0 // m寬度的雷射 光束被照射到整個基底表面上。此時將線性雷射光束的重 疊率設置在50到98%。 接著形成一個覆蓋島狀半導層5003到5006的閘極絕緣 膜5007。採用等離子CVD方法或濺射方法用一種含矽並且 厚度爲4 0到5 0 n m的絕緣膜形成聞極絕緣膜5 0 0 7。在本例 中是用厚度爲120nm的氮氧化矽膜形成閘極絕緣膜5007。 然而，閘極絕緣膜並不僅限於這種氮氧化矽膜，還可以是 含其他矽並具有單層或層疊結構的絕緣膜。例如，在使用 氧化矽膜時，用等離子CVD方法混合TEOS ( Tetraethyl (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇'〆297公釐） -36 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（34) Orthosilicate)和〇2，將反應壓力設置在40Pa基底溫度設 置在300到400°C，而放電的高頻（13.56MHz )功率密度被 設置在0.5到0.8W/cm2。這樣就能藉由放電形成氧化矽膜。 用這種方法製造的氧化矽膜能夠象在400到500°C下熱退火 的閘極絕緣膜一樣獲得理想的特性。 形成閘極電極的第一導電膜5008和第二導電膜5009被 形成在閘極絕緣膜5007上面。在本例中，用Ta形成厚度 爲50到100nm的第一導電膜5008，並且用W形成厚度爲 100到3OOnm的第二導電膜5009。 用濺射方法形成Ta膜，用Ar濺射Ta的靶子。在這種 情況下，如果在Ar中添加適量的Xe和Kr，就能釋放Ta膜 內部的應力以免膜剝離。α相的Ta膜的電阻率大約是20 // Ω cm，這種Ta膜可以用做閘極電極。然而，相的Ta膜 的電阻率大約是180// Ω cm，不適合用做閘極電極。如果預 先形成結晶結構與α相的Ta接近並具有10到50nm厚度的 氮化鉅作爲Ta膜的基底來形成α相的Ta膜，就容易獲得 α相的Ta膜。 以W作爲靶子用濺射方法形成W膜。另外也能用六氟 化鎢（WF6)按熱CVD方法形成W膜。在任何情況下都需 要降低電阻才能用這種膜作爲閘極電極。應該將W膜的電 阻率設置在等於或小於20 // Ω cm。如果增大W膜結晶粒度 ，就能降低W膜的電阻率。然而，如果w膜內有諸如氧等 等許多雜質元素，就會阻礙結晶使電阻率上升。因此，在 採用濺射方法時要使用純度在99.9999%或99.99%的W靶子 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（35) ，並且要非常精細地形成W膜，在形成膜時不能有氣相的 雜質混入W膜。這樣就能獲得9到20 # Ω cm的電阻率。 在本例中，第一導電膜5008是用Ta形成的，而第二 導電膜5009是用W形成的。然而本發明並非僅限於這種情 況。也可以從Ta，W，Ti，Mo，A1和Cu或是以這些元素 爲主要成分的合金材料或化合物材料中選擇的一種元素來 形成這些膜。另外也可以用摻雜有諸如磷等雜質元素的多 晶矽膜爲代表的半導體膜。除本例中所示之外的其他組合 的例子包括：用氮化鉬（TaN)形成第一導電膜5008，並用 W形成第二導電膜5009的組合；用氮化鉅（TaN )形成第 一導電膜5008，並用A1形成第二導電膜5009的組合；以 及用氮化鉬（TaN )形成第一導電膜5008，並用Cu形成第 二導電膜5 0 0 9的組合。 接著用光阻形成一個遮罩5010，並執行形成電極和接 線的第一蝕刻步驟。在本例中採用ICP ( Inductively Coupled Plasma )蝕刻方法，用CF4和Ch和一種氣體混合 進行鈾刻。在IPa的壓力下對線圈式的電極施加500W的 RF ( 13.56MHz)功率産生電漿。還要對基底一側（取樣級 )施加100W的RF ( 13.5 6MHz )功率，並且施加一個明顯 的反向自偏置電壓。在混合CF4和Ch時，W膜和Ta膜被 蝕刻的程度是相同的。 在上述蝕刻條件下，只要將光阻構成的遮罩製成適當 的形狀，第一導電層和第二導電層的端部就會因施加在基 底一側的偏置電壓的作用而形成錐形。錐形部位的角度被 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） -38 - 564392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（36) 設置在15。到45。。最好是按1〇到20%的比例增加鈾刻時 間來執行蝕刻，以免在閘極電極膜上留下殘餘物。由於氮 氧化矽膜與W膜的選擇比例是2到4 (通常是3 )，氮氧化 矽膜的暴露面被過蝕刻步驟蝕刻掉20到50nm。這樣就能用 第一蝕刻步驟形成由第一和第二導電層構成的第一形狀的 導電層5011到5016(第一導電層5011a到5016a和第二導 電層5 011 b到5 01 6 b )。在閘極絕緣膜5 0 0 7中沒有被第一 形狀的導電層5011到5016覆蓋的區域被蝕刻掉20到50nm ，形成一個變薄的區域。 然後執行第一摻雜步驟添加一種提供n型導電性的雜 質元素。慘雜方法可以採用離子慘雜方法或離子注入方法 。離子摻雜方法是在以下條件下執行的，雜質被設置在ix 1013gJ 5χ 1014個原子/cm2,而加速電壓被設置在60到 lOOkeV。用屬於15族的一種元素例如是磷（P)或砷（As )作爲雜質元素來提供η型導電性。然而此處使用的是磷 (Ρ)。在這種情況下，導電層5011到5015相對於提供η 型導電性的雜質元素被用做遮罩，用自校準方法形成第一 雜質區5017到5025。根據lx 102Q到lx 1021個原子/cm3的 濃度範圍在第一雜質區5017到5025中添加提供η型導電性 的雜質元素（圖9Β)。 接著如圖9C所示不用移除光阻遮罩3 1 0來執行第二蝕 刻步驟。用CF4，C12和02作爲蝕刻氣體選擇鈾刻W膜。 用第二蝕刻步驟形成第二形狀的導電層5026到503 1 (第一 導電層5026a到503 1 a和第二導電層5026b到503 1b )。將 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 564392 A7 B7 五、發明説明（37) 閘極絕緣膜5007中沒有被第二形狀的導電層5026到503 1 覆蓋的區域進一步餓刻掉20到5Onm ,形成一個變薄的區域 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在用CF4和Cl2的混合氣體蝕刻W膜或Ta膜時的鈾刻 反應可以用産生的原子團或離子和反應産物的蒸氣壓力獲 得。如果將W和Ta的氟化物和鹵化物的蒸氣壓力相比較， 作爲W的氟化物的WF6的蒸氣壓力很高，而其他WCh，
TaF5和TaCl5的蒸氣壓力彼此是大致相等的。因此，W膜和 Ta膜都是用CF4和Cl2混合氣體蝕刻的。然而，如果在混合 氣體中添加適量的〇2，CF4與〇2會發生反應變成CO和F， 從而産生大量的F原子團或F離子。其結果就能增大其氟 化物具有高蒸氣壓力的W膜的鈾刻速度。與此相反，在F 增加時，Ta膜的鈾刻速度增加比較少。由於Ta比W更容 易氧化，添加〇2會使Ta膜的表面氧化。由於沒有氧化的 Ta與氟化物或鹵化物發生反應，Ta膜的蝕刻速度被進一步 降低。這樣就能在W膜和Ta膜之間獲得不同的鈾刻速度， 將W膜的蝕刻速度設置得比Ta膜的蝕刻速度高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖10A所示，隨後執行第二摻雜步驟。在這種情況 下將劑量降低到第一摻雜步驟的劑量以下，提供η型導電 性的雜質元素的摻雜劑量比第一摻雜步驟要小，並且加速 電壓更高。例如是將加速電壓設置在70到120keV，而劑量 被設置在lx 10u個原子/cm2。這樣就能在圖9B的島狀半導 體層內形成的第一雜質區內部形成一個新的雜質區。在摻 雜時，將第二形狀的導電層5026到5030作爲相對於雜質元 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -40- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（38) 素的遮罩並執行摻雜，將雜質元素也添加到第一導電層 5 026a到5 03 0a下面的區域。這樣就形成了第三雜質區域 5032到5036。第三雜質區域5032到5036含磷（P)，並具 有與第一導電層5026a到5030a的錐形部位的厚度梯度相符 的平緩濃度梯度。在與第一導電層5026a到5030a的錐形部 位重疊的半導體層中，在中心周圍的雜質濃度稍稍低於第 一導電層5026a到5030a的錐形部位邊沿的濃度。然而這種 差別是細微的，整個半導體層幾乎保持相同的雜質濃度。 然後如圖10B所示執行第三蝕刻處理。用CHF6作爲蝕 刻氣體，並且採用反應離子蝕刻（RIE )。在第三鈾刻處理 過程中局部鈾刻掉第一導電層5026a到5030a的錐形部位， 以縮小第一導電層與半導體層重疊的區域。這樣就形成了 第三形狀導電層5037到5043 (第一導電層5037a到5042a 和第二導電層5037b到5042b )。在此時進一步鈾刻閘極絕 緣膜5007沒有被第三形狀導電層5037到5043覆蓋的區域 並使其變薄20到50nm。 藉由第三蝕刻處理形成第三雜質區域5032到5036。在 第一雜質區域和第三雜質區域之間各自形成分別與第一導 電層5037a到5041a重疊的第三雜質區域5032a到5036a和 第二雜質區域5032b到5036b。 如圖10C所示，爲了形成p通道型TFT，在島狀半導 體層5〇〇4和5006中形成與第一導電類型相反的導電類型的 第四雜質區域5043到5054。用第三形狀導電層5038b和 5041b作爲阻擋雜質元素的遮罩，並且按自校準方法形成雜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（39) 質區域。在此時用一個光阻遮罩5200整個覆蓋要形成n通 道型TFT的島狀半導體層5003和5005。雜質區域5043到 5054已經被摻雜有不同濃度的磷。藉由離子摻雜對雜質區 域5 043到5 054摻雜乙硼烷（B2H6 )，並在各雜質區域內將 雜質濃度設置在2x 102°到2x 1021個原子/cm3。 藉由以上步驟在各個島狀半導體層內形成雜質區域。 與島狀半導體層重疊的第三形狀導電層5037到5041可作爲 閘極電極。而5042可作爲島狀信號線。 在去掉光阻5200之後執行使添加到島狀半導體層中的 雜質元素活化的步驟以控制導電類型。該步驟是在一個加 熱退火的熔爐中用加熱退火方法執行的。另外也可以採用 鐳射退火活化或快速加熱退火方法（RTA方法）。根據加 熱退火方法，這一步驟是在400到700°C例如是500到600 °C的溫度下在氮氣環境中執行的，其中氧的濃度等於或小 於1 ρ p m，最好是等於或小於0.1 ρ p m。在本例中是在5 0 0 °C 下執行四小時的熱處理。當第三形狀導電層5037到5042中 使用的接線材料遇熱變軟時，最好是在形成層間絕緣膜（ 以矽爲主要成分）之後再執行活化以保護接線等等。進而 在包括3到100%的氫環境中在300到45(TC的溫度下執行1 到12小時的熱處理，使島狀半導體層被氫化。這一步驟是 要用受熱激發的氫結收半導體層的懸空鍵。作爲氫化的另 一種手段也可以執行電漿氫化（用電漿激發的氫）。 接著如圖11A所示用厚度爲100到200nm的氮氧化矽 膜形成第一層間絕緣膜5055。在第一層間絕緣膜上用有機 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- 564392 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（40) 絕緣材料形成第二層間絕緣膜5 0 5 6。然後形成貫通第一層 間絕緣膜5055，第二層間絕緣膜5056和閘極絕緣膜5007 的接觸孔，並在構圖和形成接線（包括連接接線和信號接 線）5057到5062和5067之後構圖並形成連接到連接接線 5062的一個像素電極5063。 用一個有機樹脂材料的膜作爲第二層間絕緣膜5056。 有機樹脂可以採用聚亞胺，聚胺，聚丙烯，BCB( benzocyclobutene)等等。特別是因爲第二層間絕緣膜5056 主要是爲了平坦而設置的，聚丙烯對保持膜平坦特別有益 。在本例中是形成一個聚丙烯膜，其厚度足以使TFT造成 的水平面差變平坦。最好將其膜厚度設置在1到5 // m (設 置在2到4/zm最好）。 在形成接觸孔時要分別形成達到η型雜質區域5017， 5018，5021和5023或ρ型雜質區域5043到5054的接觸孔 ，達到接線5042的接觸孔，達到電源接線的接觸孔（未示 出）和達到閘極電極的接觸孔（未示出）。 進而按預定形狀對三層結構的層疊膜構圖並且用做連 接接線5057到5062和5064。在這種三層結構中，用濺射 方法連續形成一個厚度爲l〇〇nm的Ti膜，一個厚度爲 300nm的含Ti的鋁膜，和一個厚度爲150nm的Ti膜。當然 也可以採用其他導電膜。 在本例中是形成一個厚度爲1 l〇nm的IT〇膜作爲像素 電極5063，並且對其構圖。在佈置像素電極5063時使像素 電極5 0 6 3接觸到連接接線5 0 6 2並且與連接接線5 0 6 2重疊 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（ΠΟΧ297公釐） -43- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（41) 而形成接觸。另外也可以採用2到20%的氧化鋅（ZnO)和 氧化銦的混合物構成的一種透明導電膜。這一像素電極 5063被作爲發光元件的陽極（圖HA)。 如圖11B所示，接著形成一個含矽且厚度爲500nm的 絕緣膜（在本例中是氧化砂膜）。形成一個作爲邊沿的第 三層間絕緣膜5065，在其中對應著像素電極5063的位置形 成一個開口。在形成開口時，容易用濕法蝕刻使開口的側 壁形成錐形。如果開口的側壁不夠平緩，水平差別給有機 化合物層造成的缺陷就會成爲嚴重的問題。 接著在密閉環境中用真空蒸氣方法連續形成一個有機 化合物層5066和一個陰極（MgAg電極）5067。有機化合 物層5066的厚度是80到200nm (通常是100到120nm), 而陰極5067的厚度是180到300nm (通常是200到250nm )° 在這一步驟中，相對於對應著紅色的像素，對應著綠 色的像素和對應著藍色的像素依次形成有機化合物層。在 這種情況下，由於有機化合物層不足以耐受溶液，不能採 用光刻製程，而是要單獨形成各色的有機化合物層。因而 需要用金屬遮罩覆蓋除所需像素之外的部位，僅僅在所需 部位選擇形成有機化合物層。 具體地說，首先設置覆蓋除對應著紅色的像素之外的 所有部位的一個遮罩，用這一遮罩選擇形成發射紅光的有 機化合物層。其次設置覆蓋除對應著綠色的像素之外的所 有部位的一個遮罩，用這一遮罩選擇形成發射綠光的有機 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（42) 化合物層。接著同樣設置覆蓋除對應著藍色的像素之外的 所有部位的一個遮罩，用這一遮罩選擇形成發射藍光的有 機化合物層。此處採用不同的遮罩而不是重複使用同一個 遮罩。 此處採用的系統是形成對應著R G B的三種發光元件。 然而，也可以採用將發射白光的發光元件與彩色濾光器加 以組合的系統，將發射藍光或藍綠光的發光元件與一種螢 光物質（螢光彩色變換介質：CCM )加以組合的系統，以 及利用透明電極使分別對應著R , G，B的發光元件與陰極 (相對電極）重疊的一種系統。 有機化合物層5066可以採用習知的材料。考慮到驅動 電壓，有機材料最好是選用習知的材料。例如，有機發光 層最好是採用由電洞注入層，電洞遷移層，發光層和電子 注入層組成的一種四層結構。 接著要形成陰極5067。在本例中的陰極5067採用 MgAg,但是不僅限於此。陰極5067也可以採用其他習知的 材料。 最後要用厚度爲300nm的氮化矽膜形成一個被動膜 5068。用被動膜5068保護有機化合物層5066防止污染，進 一步提高發光元件的可靠性。然而不一定要形成被動膜 5068。 這樣就製成了圖11 B所示結構的一個發光裝置。在本 例顯示裝置的製造過程中，由於電路的結構和製程，儘管 信號線是用形成閘極電極的材料Ta和W形成的，而閘極信 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（43) 號線是用形成汲極和源極電極的材料A1形成的，也可以使 用不同的材料。 本例中的發光裝置因不僅在像素部分還在驅動電路中 採用了結構上優化的TFT而具有很高的可靠性並改進了操 作性能。在結晶步驟中，可以在膜中摻雜諸如Ni等金屬催 化劑促進結晶。藉由促進結晶就能將信號線驅動電路的驅 動頻率設置到iOMHz或更高。 首先，儘量要採用具有能減少熱載子注入而又不降低 操作速度的結構的TFT作爲構成驅動電路部分的CMOS電 路的η通道TFT。 在例2中，η通道TFT的活躍層包含源極區，汲極區， 與閘極電極重疊並將閘極絕緣膜夾在中間的LDD (輕微摻 雜汲極）區（Lov區），與閫極電極不重疊並將閘極絕緣膜 夾在中間的LDD區（Loff區），以及通道形成區。 在這裏不需要過於擔心CMOS電路的p通道TFT因熱 載子注入的劣化問題，因此不一定要專門形成LDD區。當 然，作爲阻擋熱載子的一種措施，也可以象η通道TFT那 樣形成LDD區。 另外，如果採用電流能在通道形成區內雙向流動的 CMOS電路，也就是CMOS電路中源極區和汲極區的角色互 換，就應該在構成CMOS電路的η通道TFT的通道形成區 的兩側形成LDD區，將通道形成區夾在中間。另外，如果 要採用能儘量抑制關斷電流値的CMOS電路，構成CMOS 電路的η通道TFT就應該有一個Lov區。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46- 564392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_五、發明説明（44) 在實踐中，在完成圖11 B的狀態之後，最好能用一個 具有良好氣密特性並且不漏氣的保護膜（例如是層疊的膜 或紫外線固化樹脂膜）或是透明密封材料在密閉環境中執 行封裝（密封）。可以在密封材料內部形成惰性環境並在 密封材料內部安置乾燥劑（例如是氧化鋇）來提高發光元 件的可靠性。 進而，在藉由封裝步驟增強了氣密特性之後，連接上 一個連接器（撓性印刷電路：FPC )，從設在基底上的元件 或電路將端子引線連接到外部信號端子。這樣就製成了成 品。 另外，根據例5所示的步驟可以限制製造顯示裝置所 需的光遮罩的數量。這樣就能縮短工期，降低製造成本， 並且提高産量。 例2可以和例1隨意組合。 例3 以下要參照圖19說明顯示裝置的一種密封方法。像素 部分和設在像素部分週邊的驅動電路是用一個絕緣基底上 的TFT構成的。 圖12A是顯示裝置的頂視圖，圖12B是沿圖12A中A-A’線提取的一個截面圖，而圖12C是沿圖12A中B-B，線提 取的一個截面圖。 用一個密封件4009圍住設在一個基底4001上的像素部 分4002，信號線驅動電路4003，掃描線驅動電路4004 (第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNs ) μ規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -47 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（45) 一和第二掃描線驅動電路4004a和4004b )的組合。進而在 像素部分4 0 0 2，信號線驅動電路4 0 0 3和掃描線驅動電路 4004的組合上面設置一個密封件4008。這樣就能用基底 4001，密封件4009，密封件4008和一種塡料4210密封像 素部分4002，信號線驅動電路4003和掃描線驅動電路4004 的組合。 另外，設在基底4001上的像素部分4002，信號線驅動 電路4003，第一和第二掃描線驅動電路4004a和4004b包 括多個TFT。圖12B表示形成在一個下層膜4010上的一個 像素部分4002所包括的信號線驅動電路4003和驅動 TFT4 202中所包括的一個驅動電路TFT4201 (如本例中所示 是η通道型TFT和p通道型TFT )。 在本例中，驅動電路TFT4201採用按習知方法製造的p 通道型TFT和η通道型TFT，而驅動TFT4202採用按習知 方法製造的P通道型TFT。另外在像素部分4002設有一個 連接到驅動TFT4202的閘極的儲存電容（在圖中沒有表示 )° 在驅動電路TFT4201和驅動TFT4202上面形成第一層 間絕緣膜（平坦膜）4301。然後在上面形成用電路連接到 驅動TFT4202汲極的像素電極（陽極）4203。像素電極 4203採用具有高工作性能的透明導電膜。透明導電膜可以 採用氧化銦和氧化錫的化合物，氧化銦和氧化鋅的化合物 ，氧化鋅，氧化錫或是氧化銦。也可以採用添加鎵的透明 導電膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210>< 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -48- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（46) 在像素電極4203上形成一個絕緣膜4302。在像素電極 4203上面的絕緣膜4302中形成一個開口部位。在這一開口 部位，在像素電極4203上面形成一個有機化合物層4204。 有機化合物層4204可以採用習知的有機材料或無機材料。 儘管可以採用包括低分子系統（單體系統）和高分子系統 (聚合物系統）的有機材料。 有機化合物層的形成方法可以採用習知的蒸鍍製程或 敷膜製程。有機化合物層的結構可以是電洞注入層，電洞 遷移層，發光層和電子遷移層或電子注入層自由組合而成 的一種層疊結構，或者是一種單層結構。 用具有遮光性質的導電膜（通常是含鋁，銅或銀作爲 其主要成分的一種導電膜或是它們與其他導電膜的一種層 疊膜）製成的陰極4205被形成在有機化合物層4204上面。 應該儘量排除陰極4205和有機化合物層4204之間的介面上 的存在的濕氣和氧。因此就需要想辦法在氮氣或稀有氣體 環境中形成有機化合物層4204，有機化合物層不能暴露於 氧或濕氣。在本實施例中採用了 一種一個多艙室系統（組 合工具系統）膜形成裝置來形成上述的膜。對陰極4205施 加預定的電壓。 根據如上所述的方法形成一個由像素電極（陽極） 4203，有機化合物層4204和陰極4205構成的發光元件 43 03。然後在絕緣膜4302上形成一個保護膜4209覆蓋發光 元件4303。保護膜4209能夠有效防止氧和濕氣等等滲入發 光元件4303。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中国國家標準（CNS )八4規格（210X 297公釐） -49- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（47) 標號4005a代表連接到電源線的引出接線，並且用電 路連接到驅動TFT4202的源極區。引出接線4005a從密封 件4009和基底4001之間穿過，並且藉由一個各向異性導電 膜43 00用電路連接到FPC4006中所包括的一條FPC接線 4301 上。 密封件4008可以採用玻璃件，金屬件（例如是不銹鋼 件），陶瓷件或是塑膠件（包括塑膠膜）。塑膠件可以採 用 FRP( Fiberglass-Reinforced Plastics)板，PVF(聚氧乙 烯）膜，Mylar膜，聚酯膜或聚丙烯樹脂膜。也可以採用在 PVF膜或Mylar膜之間有一層鋁箔的片狀結構。 然而，在發光元件4303發出的光的照射方向指向覆蓋 件一側的情況下，覆蓋件必須是透明的。在這種情況下要 採用諸如玻璃板，塑膠板，聚酯膜或丙烯酸膜。 塡料4210除了可以採用諸如氮或氬等惰性氣體，紫外 線固化樹脂或熱定形樹脂外還可以採用PVC (聚氯乙烯） ，丙烯酸，聚 亞胺，環氧樹脂，矽膠樹脂，PVB (聚乙烯 醇縮丁醛）或EVA (乙烯-乙酸乙烯）。在本實施例中，用 氣氣作爲塡料。 另外，爲了使塡料暴露於吸水性材料（例如是氧化鋇 )或能夠吸收氧的材料，在密封件4008上基底4001的一側 設有一個凹槽部位4007用來安置吸水性材料或能夠吸收氧 的材料4207。然後，爲了防止吸水性材料或能夠吸收氧的 材料4207散漏用於一個凹槽覆蓋件4208將吸水性材料或能 夠吸收氧的材料4207保持在凹槽部位4007。凹槽覆蓋件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21G X297公酱） -50- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（48) 4208是一個精細的篩子，所具有的結構能夠透過空氣或濕 氣並且不能透過吸水性材料或能夠吸收氧的材料4207。在 其間提供吸水性材料或能夠吸收氧的材料4207可以抑制發 光元件4303的劣化。 如圖12C所示，在形成像素電極4203的同時形成一個 能接觸到引出接線4005a的導電膜4203a。 各向異性導電膜4300包括一種導電塡料4300a。基底 4001和FPC4006被熱壓縮，使基底4001上的導電膜4203a 和FPC4006上的FPC接線4301藉由導電塡料4300a實現電 連接。 另外，本實施例可以和例1和2隨意組合使用。 例4 在例4中要用圖17的截面圖來解釋本發明的顯示裝置 。另外，在本例中構成顯示裝置的像素的元件當中僅僅表 示了發光元件和連接到發光元件的像素電極上的一個電晶 在圖17中，電晶體（驅動電晶體）1601是形成在像素 基底1 600上的。 驅動電晶體1601具有閘極電極1 603，絕緣膜1 605和 一個通道形成區1604b。驅動電晶體1601的汲極和源極區 之一是1604a，而另一區是1604c。通道形成區1604b和分 別對應著源極區和汲極區的1604a，1604c是用一個膜半導 體層形成的。在驅動電晶體1601上形成一個層間膜1 606。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -51 - 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（49) 另外，驅動電晶體1601不僅限於圖示的結構，可以隨 意採用具有習知結構的任何TFT。例如在此處用單個閘極 的TFT作爲驅動電晶體1601，但是也能用多個閘極的TFT 。在此處用頂部閘極的TFT作爲驅動電晶體1601，也可以 用底部閘極的TFT。另外也可以採用藉由一個閘極絕緣膜 在通道區的上、下部位佈置有兩個閘極電極的雙閘極TFT 〇 接著按所需的設計對一種具有反射性的材料構圖並且 形成一個像素電極1608。此處將像素電極1 608作爲陽極。 在層間膜1 606上形成能達到驅動電晶體1601的源極和汲極 區1 604a，1604c的一個傳導孔。形成由Ti構成的，包括Ti 的A1和Ti的層疊結構並按所需的設計構圖，從而形成接線 1 607和接線1609。將接線1609和像素電極1 608柑互連接 而導電。 接著形成用光敏聚丙烯等有機樹脂製成的一個絕緣膜 ，並且在對應著發光元件1614的像素電極1 608的位置形成 一個開口部位，這樣就形成了絕緣膜1610。 此時將絕緣膜開口部位的底部連接到像素電極1 608的 頂部，絕緣膜開口部位的底部所具有的曲面是由像素電極 和底部朝上的正切線的曲率（〇1 )的中心和第一曲率半徑 (R 1 )所確定的。進而，絕緣膜開口部位的頂部所具有的 曲面是由像素電極和頂部朝下的正切線的曲率（〇2 )的中 心和第二曲率半徑（R2 )所確定的。無論是採用酸的水基 溶液的蝕刻製程還是採用反應氣體的蝕刻製程，可控制的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -52- 564392 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（50) 曲率半徑都能使曲率半徑（R1 )達到0.2 $ m到0.3 $ m。 絕緣膜開口部位的底部具有平緩的曲面變化，以便改 善在開口部位上形成的發光層的分佈，並且能防止發光層 從底部斷開。這樣就能減少像素電極和陰極因發光層斷開 而短路。還能防止發光層局部變薄，並且防止電場在發光 層中局部集中。 在形成有機化合物層1611之後，用厚度在2nm以下的 鉋（Cs)膜和厚度在l〇nm以下的銀（Ag)膜構成的疊層形 成發光元件1614的反向電極（陰極）1612。發光元件1614 的反向電極1612的膜厚度被減到極小，從發光層1611發出 的光能透過反向電極1612，並且將光射向與像素基底1600 相反的方向。接著形成一個保護發光元件1 614的保護膜 1613。 如上所述，在朝著顯示裝置中的像素基底1 600的反方 向發射光的情況下，對於發光元件1 614來說，不需要藉由 包括在像素基底1600 —側形成的驅動電晶體1601等等在內 的元件從視覺上檢查發光元件1 614，這樣就能擴大開放面 積的比例。 另外，用TiN作爲像素電極1 608的材料，用像素電極 作爲陰極，而反向電極1612作爲用ITO等等透明導電膜形 成的陽極。這樣就能實際獲得這樣一種結構，讓發光層 1611朝像素電極1600的反方向從陽極上發光。 圖17B的截面圖表示具有發光元件的一個像素的結構 ，它與圖17A中所示的結構不同。在圖17B中，與圖17A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ -- -53- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 564392 A7 B7 五、發明説明（51) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中相同的部件用和圖1 7 A中相同的符號來表示，並且可以 沿用圖1 7中所示的結構來製造這些相同的部件，唯獨形成 驅動電晶體1601和中間層1 606的步驟不同。 在中間層膜1606上形成達到驅動電晶體1 601的源極和 汲極區1604a，1 604c的傳導孔。然後形成由Ti構成的，包 括Ti的A1和Ti的層疊結構，並且用ITO形成一個導電膜 。按所需的設計對由Ti構成的，包括Ti的A1和Ti的層疊 結構以及用ITO形成的導電膜構圖，從而形成由1617和 1 6 1 8構成的接線1 621和1 619及一個像素電極1 620。像素 電極1620與發光元件1624的陽極相同。 接著形成一個用光敏聚丙烯等有機樹脂材料製成的絕 緣膜，並且在對應著發光元件1 624的像素電極1620的位置 形成一個開口部位，這樣就形成了絕緣膜1610。爲了避免 因開口部位側壁的高度差造成有機化合物層分散的問題， 用一個切割步驟就能形成開口部位，使其有足夠平緩的錐 形側壁。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 在形成有機化合物膜1611之後，用厚度在2nm以下的 絶（Cs)膜和厚度在10nm以下的銀（Ag)膜構成的疊層形 成發光元件1 624的反向電極（陰極）1612。發光元件1624 的反向電極1612的膜厚度被減到極小，從發光層1611發出 的光能透過反向電極1612，並且將光射向與像素基底1600 相反的方向。接著形成一個保護發光元件1624的保護膜 1613 〇 如上所述，在朝著顯示裝置中的像素基底1600的反方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -54- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（52) 向發射光的情況下，對於發光元件1 624來說，不需要藉由 包括在像素基底1 600 —側形成的驅動電晶體1601在內的元 件從視覺上檢查發光元件1624，這樣就能擴大開放面積的 比例。 在圖17B的結構中，與圖ΠΑ的結構相比，可以用普 通的光遮罩形成連接到驅動電晶體的源極或汲極區的接線 1619和像素電極1 620並且構圖，這樣就能減少製造步驟中 所需的光遮罩，並且能夠簡化製程。 本實施例可以和例1到3隨意組合使用。 例5 在例5中要用圖1 8的截面圖來解釋與圖17中所示結 構有所不同的本發明的顯示裝置的像素結構。對於與圖17 中相同的部件採用了相同的標號。 在本例中，構成顯示裝置的像素的元件當中僅僅表示 了發光元件和連接到發光元件的像素電極上的一個電晶體 〇 在圖18中，電晶體（驅動電晶體）1601是形成在像素 基底1600上的。 驅動電晶體1601包括閘極電極1 603，絕緣膜1 605和 一個通道形成區1604b。驅動電晶體1601的汲極和源極區 之一是1604a，而另一區是1604c。通道形成區1604b和分 別對廬著源極區和汲極區的1604a，1 604c是用一個膜半導 體層形成的。在驅動電晶體1601上形成一個層間膜1 606。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -55- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（53) 另外，驅動電晶體1 60 1不僅限於圖1 8所示的結構， 可以隨意採用具有習知結構的任何TFT。例如在此處用單 個閘極的TFT作爲驅動電晶體1 601，但是也能用多個閘極 的TFT。在圖18用頂部閘極的TFT作爲驅動電晶體1601， 也可以用底部聞極的TFT。另外也可以採用藉由一*個聞極 絕緣膜在通道區的上、下部位佈置有兩個閘極電極的雙閘 極 TFT。 在層間膜1 606上形成能達到驅動電晶體1601的源極和 汲極區1 6 0 4 a，1 6 0 4 c的一個傳導孔，形成一個接線層並按 所需的設計構圖，從而形成接線1 667a和接線1 667b。進而 在接線1667a和接線1667b上形成第二中間層1666。 形成由Ti，包括Ti的A1和Ti的層疊結構並按所需的 設計構圖，從而形成接線1607和接線1609。將接線1609 和像素電極1 608相互連接而導電。 接著按所需的設計對一種具有反射性的材料構圖並且 形成一個像素電極1608。此處將像素電極1 608作爲陽極。 在第二層間膜1 666上形成能達到接線1 667b的一個傳導孔 。形成由Ti，包括Ti的A1和Ti的層疊結構並按所需的設 計構圖，從而形成接線1 669。將接線1 669和像素電極1608 相互連接而導電。 接著形成用光敏聚丙烯等有機樹脂製成的一個絕緣膜 ，並且在對應著發光元件1614的像素電極1 608的位置形成 一個開口部位，這樣就形成了絕緣膜1610。爲了避免因開 口部位側壁的高度差造成有機化合物層分散的問題，用圖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -56- 564392 A7 B7 五、發明説明（54) 17 A所示的一個切割步驟就能形成開口部位，使其有足夠平 緩的錐形側壁。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在形成有機化合物膜1611之後，用厚度在2nm以下的 鉋（Cs)膜和厚度在10nm以下的銀（Ag)膜構成的疊層形 成發光元件1614的反向電極（陰極）1612。發光元件1614 的反向電極1 61 2的膜厚度被減到極小，從發光層1 611發出 的光能透過反向電極1612，並且將光射向與像素基底16〇〇 相反的方向。接著形成一個保護發光元件1614的保護膜 1613 〇 如上所述，在朝著顯示裝置中的像素基底1 600的反方 向發射光的情況下，對於發光元件1614來說，不需要藉由 包括在像素基底1 6 0 0 —側形成的驅動電晶體1 6 〇 1在內的元 件從視覺上檢查發光元件1614，這樣就能擴大開放面積的 比例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，用TiN作爲像素電極1 608的材料，用像素電極 作爲陰極，而反向電極1612作爲用ITO等等透明導電膜形 成的陽極。這樣就能實際獲得這樣一種結構，讓發光層 1611朝像素電極1 608的反方向從陽極上發光。 在本例中，與圖17所示的結構相比，增加了一個接線 層，並且在圖18中形成接線1 667a。這樣，與圖17所示的 結構相比，圖1 8有可能在接線1 667a上面形成像素電極。 這樣就能擴大開放面積的比例。 另外，本實施例可以和例1到3隨意組合使用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -57- 564392 A7 B7 五、發明説明（55) 例6 在本例中要參照圖19說明本發明的一例彩色顯示裝置 。圖19表示了顯示裝置一個像素的截面圖。 在本例中僅僅表示了 OLED顯示裝置中有代表性的3個 像素，而構成各個像素的元件僅僅表示了連接到發光元件 的電晶體和發光元件的像素電極。 在圖19中，在像素基底1900上形成電晶體（驅動電 晶體）1901__R，1901_〇和 1901_B。在驅動電晶體 1901_R， 1901—G和1901_B上形成第一層間膜1910。 應該注意到，驅動電晶體1901_R, 1901_〇和1901_B 並非僅限於圖19所示的結構，可以隨意採用習知結構的 TFT。例如在圖19中，驅動電晶體1901 _R，1901 _G和 1901-B是用單一閘極型TFT製成的，但是也能用多閘極型 TFT。另外，在圖19中，驅動電晶體190LR, 1901_G和 1901_B是用頂部閘極型TFT製成的，但是也可以用底部閘 極型TFT。另外也可以採用藉由一個閘極絕緣膜在通道區 的上、下部位單獨佈置有兩個閘極電極的雙閘極型TFT。 在第一層間膜1 9 1 0中形成一個接觸孔，它達到驅動電 晶體1901_R，1901_〇和1901_B的源極區或汲極區，形成 接線層，按設計形狀進行構圖形成接線1919_R，1919_0和 1919_B。然後在接線1919_R，1919 —G和1919_B1形成第 二層間膜19 11。 接著在第二層間膜1911上形成能達到接線1919_R， 1919_0和1919_3的接觸孔，並形成像素電極1912_R， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -58- 564392 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（56) 1912_0和1912_B。此處的像素電極1912_R, 1912 — G和 1912_8是陽極。 應該注意到在這種結構中可以採用沒有第二層間膜 1911的結構。具體地說可是這樣的結構，在接線19 19_R, 1919_0和1919.B的同一層上形成像素電極1912_R， 1912一G 和 1912一B 。 接著形成紅色發光有機化合物層19 14_R。接著形成綠 色發光有機化合物層1914_G。接著形成藍色發光有機化合 物層19 14_B。然後形成發光元件1614的相對電極1915。 這樣就形成了由像素電極1912^R構成的紅色發光元件 ，紅色發光有機化合物層1914_R和相對電極1915。還形成 了由像素電極1912_G構成的綠色發光元件，綠色發光有機 化合物層1914_G和相對電極1915。另外形成了由像素電極 1912_B構成的藍色發光元件，藍色發光有機化合物層 1914_B和相對電極1915。 根據本例，在（單獨塗敷）形成有機化合物層1914_R ，1914_0和191^LB時就完成了一種結構，使各個有機化合 物層1914_R，1914_0和19143在邊界上重疊。 用上述結構來縮小單獨塗敷有機化合物層的餘量，可 以增大像素中發光區域的面積。 本實施例可以和例1到例5隨意組合使用。 例7 在本例中要參照圖13說明本發明的電子設備的實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -59- 564392 A7 _____ B7 五、發明説明（57) 〇 以下給出了本發明的迫種裝置的例子：可攜式畜訊端 點；個人電腦；影像再生設備；電視機；頭戴顯示器；視 頻照相機等等。 圖13A表示本發明的可攜式資訊端點的示意圖，它包 括主體4601a，操作開關4601b,電源開關4601c,天線 4601 d，顯示部分4601e和外部輸入埠4601f。顯示部分 4601e採用實施例和例1到6中所述的顯示裝置。 圖13B表示本發明的個人電腦的示意圖，它包括主體 4602a,外殼4602b，顯示部分4602c，操作開關4602d，電 源開關4602e和外部輸入埠4602f。顯示部分4602c採用實 施例和例1到6中所述的顯示裝置。 圖13C表示本發明的影像再生裝置的示意圖，它包括 主體4603a，外殼4603b，記錄介質4603c，顯示部分4603d ，聲音輸出部分4603e和操作開關4603f。顯不部分4603c 採用實施例和例1到6中所述的顯示裝置。 圖1 3D表示本發明的電視機的示意圖，它包括主體 4604a，外殼4604b，顯示部分4604c和操作開關4604d。顯 示部分4604c採用實施例和例1到6中所述的顯示裝置。 圖13E表示本發明的頭戴顯示器的示意圖，它包括主 體4605a，監視器部分4605b，頭部固定帶4605c，顯示部 分4605d和光學系統。顯示部分4605d採用實施例和例1到 6中所述的顯示裝置。 圖1 3F表示本發明的視頻照相機的示意圖，它包括主 ---------罐衣-- (諸先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（cns )M規格（2ΐ〇χ297公釐） -60- 564392 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明（58) 體4606a，外殻4606b，連接部分4606c，影像接收部分 4606d，目鏡4606e，電池4606f,聲音輸入部分4606g和顯 不部分4606h。顯示部分4606h採用實施例和例1到6中所 述的顯示裝置。本發明還不僅限於上述的裝置。本發明還 可以用於採用實施例和例1到6中所述的顯示裝置的各種 裝置。 例8 在本例中要參照圖20說明在實施例1中所示的本發明 的信號線驅動電路（控制電流輸出電路）的實際結構。 圖20是信號線驅動電路之一部分的頂視圖，圖中表示 了多個電流源（對應著圖1中的準控制電流輸出電路）和 連接到電流源的開關電路（對應著圖1中的1101)。應該 注意到，儘管在圖20中是將4個電晶體（對應著圖1中的 1112)編成一組，爲了執行全色顯示，需要將用於RGB各 部分的12個電晶體編成一組（然而，由於圖的限制在圖20 中僅僅表示了 7個電晶體）。 然後將圖2中所示的多個類比開關用接線連接到開關 電路。由這一開關電路也就是類比開關和接線的連接來切 換電流線和信號線（圖20中沒有表示）的電連接。 另外在圖21A中表示了具有n通道型薄膜電晶體和p 通道型薄膜電晶體的類比開關。應該注意到，對於電流源 的薄膜電晶體，爲了減少分散，TFT的通道形成區的通道 長度（L)和通道寬度（W)被增大了（特別是通道長度達 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "' -61 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 564392 A7 ^------B7 五、發明説明（59) 到了 10 0 // m )。 可以用例2所述的製造方法形成上述的p通道型薄膜 電晶體和η通道型薄膜電晶體。 本發明提供的控制電流輸出電路可以用具有上述結構 的多晶矽TFT來實現，並且能抑制輸出的控制電流的分散 〇 另外，在採用上述控制電流輸出電路的顯示裝置中， 能夠從視覺上減少像素中發光元件的發光亮度的分散。這 樣就能提供一種小型化，低功耗的顯示裝置以及採用這種 顯示裝置的電子設備。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) €本· 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62
Claims (1)
- 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1. 一種驅動電路，包括： 設在一個絕緣基底上的m ( m是自然數）個電流輸出電 路，以及 用來選擇上述m個電流輸出電路之一的n(n是自然數 )個開關裝置， 其中的上述η個開關裝置具有周期性改變上述m個電 流輸出電路的選擇對手的功能。 2. —種驅動電路，包括： 設在一個絕緣基底上的m ( m是自然數）個電流輸'出電 路，以及 分別用來從上述m個電流輸出電路當中選擇彼此不同 的一個的η ( η是自然數）個開關裝置， 其中的上述η個開關裝置各自具有周期性改變上述m 個電流輸出電路的選擇對手的功能。 3. —種驅動電路，包括： 設在一個絕緣基底上的η ( η是自然數）個輸出端子部 分； m ( m是等於或大於η的自然數）個電流輸出電路；以 及 η個開關裝置，用於周期性改變上述m個電流輸出電 路的各個輸出端子部分與上述η個輸出端子部分之間的連 接。 4. 一種驅動電路，包括： m ( m是自然數）個薄膜電晶體；以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 用來選擇上述m個薄膜電晶體之一的n(n代表等於或 小於m的自然數）個開關裝置， 上述m個薄膜電晶體具有相同的極性，並且對上述m 個薄膜電晶體施加相同的閘極電壓，並且 上述η個開關裝置各自具有周期性改變上述m個薄膜 電晶體的選擇對手並且輸出選定的薄膜電晶體的汲極電流 的功能。 5. —種驅動電路，包括： m ( m是自然數）個薄膜電晶體；以及 分別用來從上述m個薄膜電晶體當中選擇彼此不同的 一個的η ( η是等於或小於m的自然數）個開關裝置， 上述m個薄膜電晶體具有相同的極性，並且對上述m 個薄膜電晶體施加相同的閘極電壓，並且 上述η個開關裝置各自具有周期性改變上述m個薄膜 電晶體的選擇對手並且輸出選定的薄膜電晶體的汲極電流 的功能。 6. —種驅動電路，包括： η ( η是自然數）個輸出端子部分； m ( m是等於或大於η的自然數）個薄膜電晶體；以及 η個開關裝置，用於周期性改變上述m個薄膜電晶體 各自輸出的汲極電流所進入的各個輸出端子部分與上述η 個輸出端子部分之間的連接。 7. —種驅動電路，包括： η ( η是自然數）個輸出端子部分； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 ! -#τ填寫本頁 、\寻 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -64 - 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 m ( m是等於或大於η的自然數）個薄膜電晶體；以及 η個開關裝置，用於周期性改變上述m個薄膜電晶體 各自輸出的汲極電流所進入的各個輸出端子部分與上述n 個輸出端子部分之間一對一的連接。 8 ·如申請專利範圍第4項的電路，其特徵是上述m個 薄膜電晶體的閘極長度和閘極寬度的比例都相等。 9_如申請專利範圍第5項的電路，其特徵是上述❿個 薄膜電晶體的閘極長度和閘極寬度的比例都相等。 10·如申請專利範圍第6項的電路，其特徵是上述m 個薄膜電晶體的閘極長度和閘極寬度的比例都相等。 11 ·如申請專利範圍第7項的電路，其特徵是上述m 個薄膜電晶體的閘極長度和閘極寬度的比例都相等。 1 2·如申請專利範圍第4項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+ 1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述驅動電路包括使上述m個薄膜電晶體的閘極電壓 與上述第m+ 1個薄膜電晶體的閘極電壓相同的裝置。 1 3 ·如申請專利範圍第5項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且. 上述驅動電路包括使上述m個薄膜電晶體的閘極電壓 與上述第m+1個薄膜電晶體的閘極電壓相同的裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） _ 65 -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 564392 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 4 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 14. 如申請專利範圍第6項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述驅動電路包括使上述m個薄膜電晶體的聞極電壓 與上述第m+ 1個薄膜電晶體的閘極電壓相同的裝置。 15. 如申請專利範圍第7項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括弟個薄膜電晶體，它與上述個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述驅動電路包括使上述m個薄膜電晶體的閘極電壓 與上述第m+ 1個薄膜電晶體的閘極電壓相同的裝置。 i 6.如申請專利範圍第4項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述第m+ 1個薄膜電晶體和上述m個薄膜電晶體各自 構成一個電流鏡像電路。 17.如申請專利範圍第5項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+ 1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述第m+ 1個薄膜電晶體和上述m個薄膜電晶體各自 構成一個電流鏡像電路。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -從_ 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丄8.如申請專利範圍第6項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述第m+1個薄膜電晶體和上述m個薄膜電晶體各自 構成一個電流鏡像電路。 19. 如申請專利範圍第7項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+ 1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 上述第m+ 1個薄膜電晶體和上述m個薄膜電晶體各自 構成一個電流鏡像電路。 20. 如申請專利範圍第8項的電路，其特徵是上述驅 動電路包括第m+1個薄膜電晶體，它與上述m個薄膜電晶 體具有相同的極性，而汲極端子和閘極電極被連接到一起 ，並且在源極和汲極之間輸入參考電流，並且 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述第m+1個薄膜電晶體和上述m個薄膜電晶體各自 構成一個電流鏡像電路。 2 1.如申請專利範圍第1項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 22. 如申請專利範圍第2項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 23. 如申請專利範圍第3項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公_ ' 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 24. 如申請專利範圍第4項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 25. 如申請專利範圍第5項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 26. 如申請專利範圍第6項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 27. 如申請專利範圍第7項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入一個顯示裝置。 28. 如申請專利範圍第2 1項的電路，其特徵是上述顯 示裝置具有多個像素，而上述多個像素各自具有發光元件 〇 29. 如申請專利範圍第1項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30. 如申請專利範圍第2項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 3 1.如申請專利範圍第3項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，-電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 32.如申請專利範圍第4項的電路，其特徵是上述驅 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 564392 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍7 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 33. 如申請專利範圍第5項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 34. 如申請專利範圍第6項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 35. 如申請專利範圍第7項的電路，其特徵是上述驅 動電路被裝入從可攜式資訊端點，個人電腦，影像再生設 備，電視機，頭戴顯示器和視頻照相機構成的一組中選出 的一種之中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -69-
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