TW563200B - Low contamination plasma chamber components and methods for making the same - Google Patents

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TW563200B
TW563200B TW090131841A TW90131841A TW563200B TW 563200 B TW563200 B TW 563200B TW 090131841 A TW090131841 A TW 090131841A TW 90131841 A TW90131841 A TW 90131841A TW 563200 B TW563200 B TW 563200B
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Christopher C Chang
Robert J Steger
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Lam Res Corp
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Description

563200 A7 B7 五、發明説明（2 ) 為了達成較大的電路密度，現代的積體電路大小具有愈 來愈嚴苛的設計規則，因此，已不斷縮小特徵尺寸亦即導 線寬度或相鄰導線之間隔（譬如溝道）^為了形成現代的積 體電路之狹窄的導體線，需要高度異向性的蝕刻。蝕刻異 向性係指相較於側向蝕刻速率之垂直蝕刻速率，為了對於 垂直側壁形成高的深寬比特徵，垂直蝕刻速率必須明顯大 於側向触刻速率。電漿蝕刻中，時常利用側壁鈍化技術達 成垂直輪廓，這些技術一般包含在蝕刻期間將一聚合物形 成物種（通常為譬如Ch、CHF3、C4F8之氟碳化物）導入反應 室内，蚀刻期間所形成的聚合物係優先沉積在所蝕刻特徵 的側壁上，藉以減少基材的側向蝕刻並增加蝕刻異向性。 但在蝕刻程序期間，聚合物沉積物亦可形成於暴露在電漿 之蝕刻室的各種元件内表面上。隨著時間經過，這些聚合 物沉積物可脫落或剥離而變成電漿反應器中的一種粒子污 染來源。 電漿反應器内所形成的聚合物沉積物通常包含碳化合 物的鏈分子，當聚合物接觸及黏附至待處理基材時將會污 染該部份的基材並因此降低晶粒的良率。聚合物沉積物可 累積在所有的室表面（特別是在處理氣體入口管鄰近處之 室殼體表面上）以及與基材表面相對之氣體配送板或室蓋 的底側。室的内表面上所沉積之聚合物可移徙暴基材上形 成一基材的瑕疵，在重覆的電漿處理循環期間，因為反應 器元件的熱循環而使聚合物顆粒污染更加嚴重^反應器元 件的電漿暴露表面之反覆加熱與冷卻將可因為聚合物沉積 -5- 563200 Λ 7 _ Β7 五、發明説明（3 ) 物與反應器表面之間的CTE (熱膨脹係數）差異而導致所黏 附的聚合物沉積物產生脫落或掉離。亦可利用電漿中之反 應劑物種的轟擊除去聚合物沉積物。 由於積體電路不斷降低實體尺寸及操作電壓，其相關的 製造良率更易受到粒子污染的影響。因此在製造較小實體 尺寸的積體電路裝置時，需令顆粒污染的程度小於先前認 為可接受的程度，已採用各種方法來降低電漿反應器中的 粒子污染，譬如請見美國專利5, 366, 585 ; 5, 391, 275 ; 5, 401, 319； 5, 474, 649； 5, 851, 343； 5, 916, 454； 5, 993, 594 ;6, 120, 640 ; 6, 155, 203號。 為了降低粒子污染，可定期清理電漿反應器以移除聚合 ，物沉積物，電漿清理程序揭露於美國專利5, 486, 235 ; 5, 676, 759 ; 5, 685, 916號。此外，通常定期以新的反應器 部份取代電漿反應器部份。 需要提供可降低反應器室内部的粒子污染程度之電衆 反應器，使用這些部份將有助於改善良率及/或延長需要清 理或更換電漿反應器元件前之時間長度。 發明概論 本發明人已經揭露：可將一種譬如陶瓷或高溫聚合物等 塗覆材料電漿喷灑在反應器的電漿暴露表面上，藉以降低 電漿反應器中的污染粒子。經過電漿喷灑的材料係形成一 塗層，此塗層具有所需要的表面粗糙特徵以促進聚合物沉 積物的黏附。聚合物沉積物在室表面上之改良的黏附將可 降低沉積物脫落或剝離室表面的傾向，藉以降低反應器中 -6 - 本紙張尺度適丨丨 1中㈣家樣準(CNS) Α视格(21G X 29了公费)-------- 563200 A7 _____ B7 五、發明説明（4 ) 足顆粒汙染的程度。藉由改良聚合物沉積物在電漿反應器 元件上之黏附，可能間隔較久才需要清理或更換反應器元 件’故降低了電漿反應器的操作成本。 根據本發明之一項實施例，提供一種製造電漿反應器元 件足方法，此反應器元件具有在使用期間暴露於電漿之一 或多個表面。此方法包括將一塗覆材料電裝噴灑在元件之 一電衆暴露表面上，以形成具有表面粗糙特徵之一塗層以 促進聚合物沉積物的黏附。 根據本發明之另一項實施例，提供具有在處理期間暴露 於電漿的一或多個表面之一種電漿反應器的一元件。元件 係包括位於一電漿暴露表面上之一電漿喷灑塗層，塗層具 有可促進聚合物沉積物黏附之表面粗糙特徵。 根據本發明之另一項實施例，亦提供一種電漿反應器以 及一種用於處理基材之方法，此電漿反應器包括一或多個 上述元件，此方法包括以一電漿接觸此基材的一暴露表面。 圖式簡簞說明 參照圖式詳細描述本發明，其中類似元件具有類似的編 號，圖中： 圖1顯示一種習知的電漿噴灑程序； 圖2顯示根據本發明採用電漿喷灑反應器元件之一種金 屬蝕刻室； 圖3顯示根據本發明採用電漿噴灑反應器元件之一種高 密度氧化物蝕刻室；及 圖4為對於圖3的蝕刻室之根據本發明的一項實施例之 本紙浪疋度通爪中國國家慄準(CMS) A4規洛（210X 297公釐） 563200
AT
一種氣體配送板的俯視圖。 較—佳實施例的評知 本發明所提供之改良係為降低譬如半導體（譬如梦坤 化鎵等)—晶圓、平板顯示器基材及類似物等基材之粒子污染 特疋β之本發明係對於在具有電漿暴露表面的電漿處 理室中所使用的元件提供可促進聚合物黏附之表面粗縫特 徵。將-稜譬如陶資或聚合材料等塗覆材料電漿噴灑在表 面積上，藉以形成粗糙化表面。對於處理期間暴露於電漿 之任何電漿反應器元件均可使用本發明之電漿噴灑元件， 適當的元件警如包拾：室襯整、擒圈'氣體配送板、聚焦圏 、電漿限制圈、軸架及襯墊支撐部。 本發明足反應器元件可由金屬材料或陶瓷材料製成，適 當的金屬材料包括鋁，有待電漿噴灑塗覆的鋁表面可為裸 露狀（除了 一先天氧化物層以外）或經陽極化處理。或者， 反應器元件可由陶瓷材料製成，此等陶瓷材料譬如為：氧化 铭、二氧化硬、石英、二氧化飲、二氧化锆、氧化記、碳 化鈥、碳化錘、碳切、碳化硼、氮化銘、氮化鈥、氮化 矽及/或氮化硼。可藉由譬如將陶瓷粉末熱壓及燒結成體塊 等任何習知的陶瓷製造技術來製造陶瓷元件。 本發明中，在處理期間暴露於電漿之反應器元件的任意 或所有表面係塗覆有一種譬如陶瓷或高溫聚合物等電漿喷 灑材料，根據本發明之電漿喷灑塗覆材料係對於反應器内 表面提供表面粗糙特徵，藉以促進蝕刻期間在電漿室中形 成之聚合物沉積物的黏附。本發明中，本發明塗層較佳具 -8 - 本紙张疋度適用中S固家櫺準(C· Α4規格(210X297公货)----^-：~ 563200 A7 一___B7 五、發明説明（7 ) 各種結合機構可能出現在塗層/基材介面上以及電漿噴 灑塗層的組成粒子之間，一般具有機械互鎖及擴散結合兩 者作用。可能出現的結合機構係包括：機械鍵接或互鎖；擴 散結合；及其他黏劑、化學及物理結合機構（譬如范德瓦力 (Van der Waal s forces))。電漿喷灑塗層之結合及後續構 成之影響因素係包括：基材表面的清潔度；可供結合的表面 積；表面拓樸形狀或表面輪廓；粒子及基材的溫度（熱能） :時間（反應速率及冷卻速率等）；粉末粒子的速度（動能） ;基材及粉末粒子的物理或化學性質；及程序中可能發生 的任何物理及化學反應。 本發明中，可使用譬如清理及砂礫及珠粒喷擊等表面製 備技術提供與電漿喷灑塗層相結合之更高化學及物理活性 的元件表面。藉由砂礫或珠粒喷擊，可供結合的表面積會 增大藉以提高塗層結合強度。對於氧化鋁室元件，待塗覆 …表面較佳以無污染的氧化鋁媒體進行砂礫噴擊。然後可清 理粗Μ化表面，藉由譬如以空氣或C0 2喷擊表面及/或以一 種酸性溶液清洗表面等任何適當技術來移除鬆散粒子。此 處理所生成之基材的粗糙化表面輪廓係有助於促進塗層與 基材的鍵接或互鎖。 一旦已經施加電漿喷灑塗層之後，可利用任何適當的技 術來清理塗層的暴露表面，適當的清理技術包括以空氣或 C〇2噴擊表面及/或超音波清理，可重覆這些清理步驟以在 電漿處理基材期間使用元件之前達成元件表面所需要的表 面清潔或調節程度。 -10- 本紙浪义度通州中國a家樣準(CMS) A4規格（210X297公*) 563200 A7 B7 五 發明説明（8 ) 電漿噴灑具有可喷灑譬如耐火金屬及陶瓷等極高融點 材料之優點，譬如，已經使用陶瓷的電漿喷灑塗層對於各 種電漿反應器元件作為保護性塗層，譬如請見美國專利 5, 560, 780 ; 5, 879, 523 ; 5, 993, 594 ; 6, 120, 640號。此外 ’已經對於譬如聚醯亞胺等高融點熱塑性及熱固性聚合物 發展出電漿噴灑程序。 本發明中，電漿喷灑塗層可能為可抵抗電漿侵蚀之任何 材料，譬如，任何適合作為反應器元件之陶瓷材料只要可 進行電漿噴灑即亦可能作為塗層使用。當塗層為一種陶瓷 材料時，塗層較佳為與埋置元件相同的材料。由於元件與 塗層使用相同的材料，可盡量降低或消除位於塗層及元件 之間的熱膨脹係數（CTE)差異，這些CTE值差異會在使用時 的反應器元件循環期間導致塗層材料產生脫落。當塗層為 氧化鋁時，較佳以2至5密耳（0· 002至0· 005吋）厚度的塗層 施加至元件。 塗層亦可為一種聚合性材料，當塗層為一種聚合物時， 此聚合物應能以電漿喷灑以在元件上形成一緊密黏性塗層 ，一種較佳的高溫聚合物為譬如維思沛® (VESPEL® :杜邦 (DuPont)的註冊商標）的聚醯亞胺，聚醯亞胺塗層較佳以1〇 至30密耳（0· 010至〇· 030吋）厚度施加至元件。 在基材的電漿蝕刻中，將特徵蝕刻成譬如矽晶圓等基材 上的各種材料層，受蝕刻的材料通常係包括金屬及譬如氧 化物（譬如Si〇2)等介電材料，此等蝕刻程序中，可使用一 氣體配送板來控制氣體流在基材平面上方的反應器體積中 -11 - 本紙張尺度適川中® S家橾準(cNS) Λ4規格(210 X 297公釐) 563200 A7 B7 五、發明説明（9 之空間分佈。聚合物累積在電漿反應器中時特別會產生問 通’在電漿反應器中轉合至射頻（RJT)源的一個天線係將氣 體增能成為處理室中的一電漿狀態。此類型的電漿反應器 揭露於美國專利 4, 948, 458 ; 5, 198, 718 ; 5, 241，245 ; 5, 304, 279; 5, 401，350; 5, 531, 834; 5, 464, 476; 5, 525, 159
，5’529, 657; 5, 580, 385號。這些系統中，天線藉由一介 電構件與處理室内部相分離，介電構件譬如為一介電窗、 氣禮配送板、環氧樹脂的包封層或類似物等，並經由介電 構件將射頻能供應至室中。可對於譬如蝕刻、沉積、阻抗 剝除等多種不同的半導體處理應用使用這些處理系統。 裝
在一上述類型電漿反應器中之半導體晶圓的一種氧化 物或金屬蚀刻期間，聚合物沉積物可能累積在反應器内表 面上且其中包括朝向晶圓之氣體配送板或介電構件的暴露 表面。當聚合物累積加深時，聚合物容易脫落或剝離介電 構件’當介電構件直接位於基材及夾塊上方時，聚合物粒 子會直接落在基材或下方的夾塊上，這些聚合物粒子可將 瑕疵帶入基材中而降低良率。或者，粒子可移徙至夾塊表 面造成夾塊夾固之問題。 一般係定期停止蝕刻程序並清理内表面室（譬如使用一 種乾式蝕刻處理）以降低粒子污染的程度，然而，不恰當或 不完全的清理實際上卻會增加室中的粒子污染程度《並且 ，清理時所需的“停工時間，，造成的延遲亦代表生產良率的 嚴重損失。因此，需要控制蝕刻室内表面上之聚合物沉積 ，藉以達成高的生產良率並維持電漿反應器中的基材產出。 -12- 本紙張尺度適川中a a家樣準(CNS) A4規格（210 X 297公登} 563200
A7 B7 發明説明（10 ) 一種上述類型的示範性金屬蝕刻反應器係為已知得自 加州福瑞蒙特的LAM研究公司（LAM Research Corporat ion) 的TCPTM 9600電漿反應器之一變壓耦合電漿反應器，圖2顯 示TCPTM 9600電漿反應器的簡圖，圖2顯示一個包括一電漿 處理室152之反應器150。在室152#方配置有一天線156以 產生電漿，圖2的範例中藉由一平面性線圈實施此天線156 。通常以一射頻產生器158經由一匹配網路（未圖示）將射頻 線圈156增能。室152内設有一蓮蓬頭154，此蓮蓬頭154較 佳包括複數個孔，這些複數個孔可將譬如蝕刻劑源氣體等 氣態源材料釋入蓮蓬頭與晶圓170之間的射頻感應電漿區。 亦可從内建在室152壁中之孔口釋出氣態源材料，當蝕 刻通過鋁或一種合金時，蝕刻劑源化學物譬如包括：譬如 Cl2及BCb等鹵素，對於側壁鈍化亦可能使用其他蝕刻劑化 學物（譬如CH4、HBr、HC1、CHCh)以及聚合物形成物種（譬 如碳氫化合物、氟碳化物、氫氟碳化物等），可能連同選用 的惰性及/或非反應性氣體一起使用這些氣體。 使用時，將一晶圓170導入由室壁172所界定並位於一基 材支撐部162上之室152中，基材支撐部162作為一下或第二 電極。較佳藉由一射頻產生器164(通常亦經由一匹配網路） 將晶圓予以偏壓，晶圆上可含有製成的複數個積體電路， 積體電路可譬如包括諸如PLA、FPGA、AS 1C等邏輯裝置或諸 如隨機存取記憶體（RAM)、動態隨機存取記憶體（DRAM)、同 步動態隨機存取記憶體（SDRAM)或唯讀記憶體（ROM)等記憶 體裝置。當施加射頻功率時，反應性物種（由蝕刻劑源氣體 563200 A7 B7 五、發明説明（H ) 所構成）係蚀刻晶圓17 0的暴露表面，可能為揮發性的副產 at!則經由一出口孔口 1 6 6排出，完成處理之後，可切刻晶圓 將積體電路分成個別的晶片。 本發明中，一電漿限制圈（未圖示）、室壁172、一室襯 塾（未圖示）及/或蓮蓬頭154之電漿暴露表面可設有一電漿 嘴灑塗層160，此電漿喷灑塗層16〇具有可促進聚合物黏附 之表面粗糙特徵。此外，基材支撐部168的電漿暴露表面亦 可根據本發明設有一電漿喷灑塗層（未圖示），利用此方式 ’限制住高密度電漿之實質所有表面係均具有可促進聚合 物黏附之表面粗糙特徵，可利用此方式顯著降低反應器内 的顆粒污染。 本發明的反應器元件亦可使用於一種高密度的氧化物 蚀刻程序中，一種示範性氧化物蝕刻反應器係為得自加州 福球蒙特的LAM研究公司（LAM Research Corporation)的 TCP 9100TMf漿蝕刻反應器。在TCP 9100τ1應器中，氣體 配送板為直接位於TCPTM窗下的一個圓形板，TCPTM窗亦為位 於一半導體晶圓上方的一平行平面中之反應器頂部上的真 空密封表面。氣體配送圈從一供源將氣體饋送入氣體配送 板所界定的體積中，氣體配送板包含延伸通過板之具有指 定直徑的一陣列的孔，通過氣體配送板之孔具有可改變的 S間分佈以使所蚀刻的層（譬如晶圓上之一光阻層、一個二 氧化矽層及一底層材料）具有最佳的蝕刻均勻度，氣體配送 板具有可改變的剖面形狀以操縱進入反應器的電漿中之射 頻功率的分佈。氣體配送板材料係由一種介電材料所製成 -14· 本紙張尺度遴用中國函家標準(CNS> A4規格(210X 297公查) 563200 A7 _ B7 五、發明説明（12~) — ’使得此射頻功率能夠耦合通過氣體配送板進入反應器内 。並且，氣體配送板的材料需很能抵抗環境中的化學嘴賤 姓刻（譬如氧或氫氟碳化物氣體電漿），藉以避免產生相關 的崩溃及生成粒子。 圖3顯示根據本發明一項實施例之氧化物蚀刻所用的一 真空處理室，真空處理室1〇包括一基材固持件丨2及一聚焦 圈14，此基材固持件12係為一底部電極的形式以對於一基 材13提供一靜電夾力並對於所支撐的一基材提供一射頻偏 壓，此聚焦圈14係用於將電漿限制在基材上方的一區域中 。基材可能以一種譬如氦氣等熱傳氣體從後方冷卻，一能 量源將射頻能感應式耦合至室10以提供一高密度電漿，此 能量源係在譬如由一適當射頻源及一適當射頻阻抗匹配電 路供應動力之一扁平螺旋線圈形式的一天線18室中維持一 、度（10至1012離子/立方公分）電漿。室包括用於將室 内部保持在一理想壓力（譬如50毫托耳以下且一般為1至20 毫托耳）之適當的真空泵送裝置。具有均勻厚度之一大致平 面性的介電窗20係設置於天線18及處理室1〇内部之間並形 成處理室10頂部上之真空壁。一常稱為蓮蓬頭22的氣體配 送板係設置於窗20下方並包括複數個開口（譬如未圖示的 圓孔）以將氣禮供應部23所供應的處理氣體輸送至處理室 10 ^ —錐形襯墊30係從氣體配送板延伸而圍繞基材固持件 12，天線18可具有一通路24，一種溫度控制流體經由入口 及出口導管25、26通過此通路24 ^然而，亦可利用譬如將 在天線及窗上方吹送空氣、令一冷卻媒體通過窗及/或氣禮 -15- 本紙張尺度適用中噚8家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 563200 A7 _B7__ 五、發明説明（13 ) 配送板或與窗及/或氣體配送板呈熱傳式接觸等其他技術 來冷卻天線18及/或窗20。 操作時，一晶圓係位於基材固持件12上且通常由一靜電 夾件、一機械夾件或其他夾持機構固持在位置中。然後， 令處理氣體通過窗20與氣體配送板22之間的一間隙，藉以 將處理氣體供應至真空處理室10，適當的氣體配送板配置 (亦即蓮蓬頭）係揭露於共同所有的美國專利5, 824, 6G5 ; 5, 863, 376 ; 6, 048, 798號。 氣體配送板可具有各種設計，圖4顯示其中一項範例， 圖4所示的氣髏配送板40係包括89個孔41及接近中心的四 個浮雕部42，藉以提供一路徑將處理氣體供應至氣體配送 板與介電窗之間。 如圖3所示，氣體配送板22、室襯墊30及/或聚焦圈14之 電漿暴露表面係具有陶瓷或聚合性材料之電漿喷灑塗層32 ’此等電漿喷灑塗層32具有可促進聚合物黏附的表面粗糙 特徵’可利用此方式顯著降低反應器内的顆粒污染。 在後續使用時，根據本發明之反應器元件的内表面可變 成為受到聚合物沉積物所塗覆。根據本發明之另一項實施 例，可從反應器移除元件，故可從元件實體地移除既有的 電漿喷灑塗層及任何累積的沉積物並施加一新的電漿噴灑 塗層。可利用譬如研磨或喷砂等方式來移除舊塗層，·可利 用此方式重新使用反應器元件。 進行一種膠帶測試以決定本發明之電漿喷灑塗層的黏附 性質，在一 TCP 9600TM金屬蝕刻反應器中安裝並使用一個 -16- 本紙*尺度適用中國國家樣準(CNS> A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 563200 Λ Q 第090131841號專利申請案 B8
    中文申請專利範圍替換本(92年2月） 漂 六、申請專利範圍 1· 一種電漿反應器元件之製造方法，該電漿反應器元件具 有使用期間暴露於電漿的一或多個表面，該方法包含將 一塗覆材料電漿噴灑至該元件的一電漿喷灑表面上以 形成一塗層，該塗層具有可促進聚合物沉積物的黏附之 表面粗縫特徵。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含以下步驟： 將該元件的電漿暴露表面加以粗糙化；及 在电聚貪丨麗•亥塗覆材料之前清理該粗縫化的表面。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含清理該電 漿嘴灑塗層的暴露表面。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其中該塗覆材料為一陶 瓷或一聚合材料。 5.如申請專利範圍第1項之方法，其中該元件具有貫穿的 開口’該方法進一步包含在電漿噴灑該塗層之前先塞住 該等開口。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含從一電聚 反應室移除該元件，並在將該塗層電漿噴灑至該經清理 表面上之前移除任何既有的塗層及/或黏附的聚合物沉 積物藉以清理該電漿暴露表面。 7.如申請專利範圍第4項之方法，其中該電漿喷灑塗層係 為具有2至5密耳厚度之一種陶瓷材料。 8·如申請專利範圍第4項之方法，其中該元件及該塗覆材 料包含相同的陶瓷材料。 9.如申請專利範圍第4項之方法，其中該塗覆材料為一種
    563200 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 聚酿亞胺。 10·如申請專利範圍第9項之方法，其中該塗層具有10至30 密耳的厚度。 11 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該元件選自包括下 列各物之群組：一電漿限制圈、一聚焦圈、一軸架、一 室壁、一室襯墊及一氣體配送板。 12·如申請專利範圍第2項之方法，其中該粗糙化步驟係包 含以珠粒嘴擊該元件的表面。 13·如申請專利範圍第之方法，其中該塗層具有介於15〇 與190微吋之間之算數平均表面粗糙值（Ra)。 14·種屯漿反應器之元件，該元件具有在處理期間暴露於 該電漿的一或多個表面，該元件包含位於一電漿暴露表 面上之i漿噴灑塗層，其中該塗層具有可促進聚合物 》匕積物的沉積之表面粗縫特徵〇 15·如申請專利範圍第14項之元件，其中該元件由-金屬材 料或一陶瓷材料製成。 16·如申β請專利範圍第15項之元件，其中該元件係包含具有 一陽極化或非陽極化的電漿暴露表面之鋁。 17·如申請專利範圍第14項夕 胃< 7C件’其中該元件係由選自包 括下列各物之群組之一種陶 搜陶瓷材料所製成：氧化鋁、氧 化釔、二氧化锆、碳化碎、 ^ 鼠化矽、碳化硼及氮化硼。 18·如申請專利範圍第14項 件其中該元件選自包括下 列各物心群組··一電漿隈制 —戚—包聚限制圈、—聚焦圈、一軸架、-至土'至襯墊及一氣體配送板。 -2 -
    .如申請專利範圍第14項之元 聚合材料。 干其中邊塗層為一陶瓷或 …19項之元件，其中該塗層係為選自包 二 〈群組之一種陶瓷材料:氧化鋁、氧化釔、 21.4 L #、碳切、氮切、碳化侧及氮化·。 I清專利範Ιϋ第2G項之方法，其中該.元件及該塗覆材 竹包含相同的陶瓷材料。 22·如申請專利範圍第20項之元件，其中該塗層具有2至5 密耳的厚度。 申明專利範圍第19項之兀件，其中該塗層為一種聚醯 亞胺。 4.如申4專利範圍第23項之元件，其中該塗層具有1〇至3〇 在、耳的厚度。 5·如申叫專利範圍第14項之元件，其中該塗層具有至 190微吋之算數平均表面粗糙值（Ra)。 26. —種電漿反應器，其包含至少一元件，該元件具有在處 理期間暴露於該電漿的一或多個表面，及位於一電漿暴 露表面上之電漿噴灑塗層，其中該塗層具有可促進聚合 物沉積之表面粗糙特徵。 27· —種處理一基材之方法，該方法係於一電漿反應器中進 行’該電漿反應器包含一元件，該元件具有在處理期間 暴露於該電漿的一個或多個表面，及位於一電漿暴露表 面上之電漿喷灑塗層，其中該塗層具有可促進聚合物沉 積之表面粗链特徵，該方法包含：以一電漿接觸該基材 -3- 563200
    的一暴露表面之步驟。 28.如申請專利範圍第27項之方法，其進一步包含以下步驟· 將該基材定位在該反應器的一基材支撐部上； 將一處理氣體導入該反應器中； 將射頻能施加至該處理氣體以在鄰近該基材的一暴 露表面處產生一電漿；及 以一電漿蝕刻該暴露的基材表面。 29·如申請專利範圍第28項之方法，其中該處理氣體包含至 少一種的聚合物形成物種。 30.如申請專利範圍第27項之方法，其中該基材的暴露表 包含一金屬材料或一氧化物^ 面 〜氣靉配 氣體配适 31.如申請專利範圍第28項之方法，其中該元件為 送板’該方法進一步包含將該處理氣體經由該 板中的開口導入該反應器中。 -4-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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