KR100519798B1 - 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 공정 챔버 내로 반도체기판을 도입한다. 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하되, 상기 공정 박막을 형성하는 동안 상기 공정 챔버의 내벽에 챔버 코팅층이 형성된다. 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거한다. 상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층을 형성한다. 상기 공정들을 적어도 1회 순차적으로 반복 한 후에 상기 공정 챔버 내벽에 교대로 적층된 상기 챔버 코팅층 및 상기 응력완화층을 인 시투 세정한다.

Description

향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법{method of forming a thin film having enhanced productavity}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 향상된 생산성을 갖는 박막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서 다양한 종류의 박막이 형성된다. 예를들어, 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiN), 하프늄 산화막(HfO2) 또는 알루미늄 산화막(Al2O3)등의 유전막이 게이트 산화막 ,절연 스페이서, 식각정지막 또는 캐패시터 유전막등의 용도로 사용된다. 또한, 폴리 실리콘막, 텅스텐막 또는 알루미늄막등의 도전막이 게이트 전극 또는 배선등의 용도로 형성된다. 상기 박막을 형성하기 위한 방법으로 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition;CVD)이 가장 널리 적용되고 있으며, 최근에는 원자층 증착 방법(atomic layer deposition; ALD)에 대한 연구가 진행되고 있다. 상기 ALD법은 반응물간의 교차 화학흡착(alternating chemisorption), 표면반응(surface reaction) 및 부산물의 탈착 (desorption)을 기초로 하여 원자층 단위로 박막을 형성하는 방법으로써 우수한 스텝커버리지등의 많은 장점을 가지고 있다.
상술한 방법들에 의해 박막을 형성하는 공정에서 문제가 되고 있는 것중의 하나는 공정 챔버(process chamber) 내에서 반도체 기판 상에 공정 박막을 형성하는 동안에 상기 공정 챔버의 내벽에도 원치 않는 박막이 형성된다는 것이다. 상기 공정 챔버의 내벽에 형성된 박막은 두께가 증가하는 경우 상기 공정 챔버의 내벽으로 부터 벗겨지게 되고 벗겨진 부분은 상기 공정 박막 내에서 파티클(particle)로 작용하게 되어 반도체 소자의 수율을 감소시킨다. 따라서, 이러한 문제점을 방지하기 위하여 상기 공정 챔버의 내벽에 증착된 원치 않는 박막을 주기적으로 제거하는 세정 공정이 수행되어야 한다. 종래, 상기 공정 챔버를 분해하여 적당한 화학용액에 넣어줌으로써 상기 공정 챔버의 내벽에 증착된 박막을 제거하는 습식 세정 (wet cleaning) 공정이 수행되어 왔다. 그러나, 이러한 습식 세정을 위하여는 상당한 정지시간(down time)이 요구되어 생산성 측면에서 큰 손실이 된다. 또한 상기 공정 챔버의 내부가 대기 중에 노출되어 대기중의 불순물에 의한 오염의 우려가 있다.
상술한 바와 같은 습식 세정 공정의 단점을 보완하기 위한 방법으로 상기 공정 챔버의 내부를 대기중에 노출시키지 아니하고 상기 공정 챔버 내부로 식각가스 (etch gas)를 공급하여 인 시투(in situ) 상태로 상기 공정 챔버 내벽에 증착된 박막을 제거해 주는 인 시투 세정(in situ cleaning) 공정이 수행되고 있다.
도 1은 종래의 박막 형성 공정을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 공정챔버 내에 반도체기판을 도입한다.(100) 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성한다.(102) 상기 공정 박막을 형성하는 동안에 상기 공정 챔버의 내벽에도 박막이 형성된다. 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거한다.(104) 이후, 인 시투 세정을 수행한다.(106) 상기 인 시투 세정은 상기 공정챔버 내로 식각가스를 공급하여 상기 공정챔버의 내벽에 증착된 박막을 식각하여 제거하는 방식으로 수행된다. 상술한 종래의 박막 형성 공정에 의하면 공정박막의 종류나 형성 두께에 따라 증감이 있을 수 있으나 상기 인 시투 세정을 수행하기 전에 통상적으로 복수개의 반도체기판들이 순차적으로 상기 공정챔버 내에서 처리된다.
생산성 향상의 관점에서 보면 상기 인 시투 세정 전에 처리되는 반도체기판의 수가 많은 것이 바람직하다. 즉, 상기 인 시투 세정 전에 처리되는 반도체기판의 수가 적은 경우 상기 인 시투 세정의 공정 주기가 짧아지게 되어 생산성 향상의 측면에서 바람직 하지 못하다. 그러나, 상술한 바와 같은 종래의 박막형성 공정에 의하면 상기 공정챔버의 내벽에 형성된 박막의 두께가 증가하는 경우 파티클 소스로 작용하게 되므로 상기 인 시투 세정 주기를 늘리는 것에 한계가 있다. 따라서, 박막 형성공정의 생산성을 향상 시키기 위하여는 상기 인 시투 세정 주기를 늘리는 것이 필요하며 바람직하게는 상기 인 시투 세정에 소요되는 공정시간을 단축시키는 것이 더불어 필요하다. 특히, ALD법에 의한 박막 형성공정에 있어서는 원자층단위로 박막을 형성하는 공정 특성상 박막의 성장률이 낮다는 점을 감안할때 이를 보완하기 위한 생산성 향상방법이 더욱 요구된다.
한편, 박막 형성 공정에 있어서 세정 주기를 늘리기 위한 방법으로 공정챔버의 내벽에 개선된 시즈닝 막(seasoning flim)을 형성하는 방법이 미국특허 제6,589 ,868호에 개시되어 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 소자의 박막 형성공정에 있어서 공정 챔버의 내벽에 형성된 박막으로 부터 발생되는 파티클을 억제하여 파티클 발생의 우려 없이 많은 수의 반도체기판을 연속적으로 처리함으로써 상기 공정 챔버의 세정 주기를 증가시키는 데 있다. 또한, 상기 공정 챔버의 세정시 소요되는 공정시간을 단축시킴으로써 전체적으로 향상된 생산성을 갖는 박막 형성공정을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 향상된 생산성을 갖는 박막 형성방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 공정 챔버 내로 반도체기판을 도입하는 것을 포함한다. 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하되, 상기 공정 박막을 형성하는 동안 상기 공정 챔버의 내벽에 챔버 코팅층이 형성된다. 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거한다. 다음으로, 상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층 (stress relief layer)을 형성한다.
더 나아가, 본 발명에 의하면 상기 반도체기판을 도입하고, 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하고, 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거하고, 상기 챔버 코팅층 상에 상기 응력완화층을 형성하는 공정들이 순차적으로 반복될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 반도체기판을 도입하고, 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하고, 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거하고, 상기 챔버 코팅층 상에 상기 응력완화층을 형성하는 공정들을 순차적으로 반복 한 후에 상기 공정 챔버 내벽에 적층된 상기 챔버 코팅층 및 상기 응력완화층을 인 시투 세정하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 인 시투 세정은 플라즈마 방식을 이용한 건식식각일 수 있다. 상기 플라즈마 방식을 이용한 건식식각은 BCl3, Cl2, ClF3, CHF3, CF4, O2, Ar 및 He으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 조합을 식각 가스로 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예들에 의하면 상기 공정박막 및 챔버 코팅층은 알루미늄 산화막(Al2O3) 또는 하프늄 산화막(HfO2)과 같은 유전막일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 물질막으로 형성할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 응력완화층은 상기 챔버코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 비정질막으로 형성할 수 있다.
또한, 본발명의 다른 실시예에 의하면 상기 응력완화층은 질소를 포함한 분위기에서 상기 챔버 코팅층의 표면을 플라즈마 처리하여 형성된 질화 표면층 (nitrified surface layer)일 수 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명 하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 의한 박막 형성 방법을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 먼저 공정챔버 내로 반도체기판을 도입한다.(300) 다음으로, 상기 반도체기판 상에 공정박막을 형성한다.(302) 상기 반도체기판 상에 공정박막을 형성하는 동안 상기 공정챔버의 내벽에도 챔버 코팅층이 형성된다. 상기 챔버 코팅층은 상기 공정박막과 동일한 박막이다. 본 발명의 실시예들에서 상기 공정박막 및 상기 챔버 코팅층은 ALD법에 의한 하프늄 산화막일 수 있다. 이어서, 상기 공정박막이 형성된 상기 반도체기판을 상기 공정챔버로 부터 제거한다.(304) 이후, 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판이 제거된 상태에서 상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층을 형성한다.(306)
본 발명의 일실시예에서 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 물질막으로 형성할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 비정질막으로 형성할 수 있다. 본 발명의 일실시예에서 상기 응력완화층은 ALD법에 의한 탄소 부유 하프늄 산화막 또는 ALD법에 의한 탄탈륨 산화막(Ta2O5)으로 형성할 수 있다. 상기 응력완화층은 1Å 내지 100Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는 상기 응력완화층은 1Å 내지 10Å의 두께로 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층의 상부에 형성된 질화 표면층(nitrified surface layer)일 수 있다. 즉, 상기 응력완화층은 질소를 포함한 분위기에서 상기 챔버 코팅층의 표면을 플라즈마 처리하여 형성할 수 있다. 더욱 상세하게는 먼저, 상기 반도체기판이 제거된 공정챔버 내에 질소를 포함한 분위기 가스를 유입한다. 상기 분위기 가스는 예를 들어, N2, N2O2 또는 N2O일 수 있다. 이후 상기 분위기 가스를 플라즈마화 하여 상기 공정 챔버 내벽에 형성된 상기 챔버 코팅층의 상부를 플라즈마 처리하여 줌으로써 상기 챔버 코팅층의 상부에 얇은 질화층을 형성한다. 상기 플라즈마 처리시간은 30초 이내인 것이 바람직하다. 본 발명의 다른 실시예에서 상기 챔버 코팅층이 하프늄 산화막인 경우에 상기 질화된 표면층은 예를 들어 비정질 하프늄 산질화층(hafnium oxinitride layer)일 수 있다.
상기 응력완화층을 형성한 후에 상술한 공정들(300,302,304 및 306)이 인 시투 세정(310)을 수행하기 전에 적어도 2회 순차적으로 반복하여 수행될 수 있다. 그 결과, 상기 공정 챔버의 내벽에 상기 챔버 코팅층 및 상기 응력완화층이 교대로 적층된다. 상술한 공정들(300,302,304 및 306)이 반복되는 횟수는 인 시투 세정의 필요성에 대한 고려에 의하여 결정될 것이다.(308)
본 발명의 실시예들에 있어서 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층의 벗겨짐을 억제하여 후속의 공정 박막 형성시 벗겨진 부분의 상기 챔버 코팅층이 파티클로 작용하는 것을 방지하기 위하여 형성한다.
일반적으로 박막의 두께가 증가할 수록 막이 갖는 응력(stress)이 증가하게 된다. 이러한 응력은 상기 박막과 상기 박막이 형성되는 하지층, 예를 들어 반도체 기판 또는 공정 챔버 내벽의 재료가 갖는 열팽창계수의 차이에 따라 압축응력 (compressive stress) 또는 인장응력(tensile stess)이 될 수 있다. 박막의 두께가 계속 증가하여 막이 갖는 응력이 임계값에 이르게 되는 경우 상기 박막은 부분적으로 상기 하지층으로 부터 벗겨지게 된다. 또한, 박막의 두께가 증가함에 따라 박막이 갖는 응력이 증가하는 것은 박막의 두께에 따른 막구조의 변화와도 관계가 있다. 즉, 박막 형성 초기에 비정질 구조로 성장하던 박막이 일정 두께 이상이 되면 상기 박막형성 과정에서 상기 박막에 축적된 열에너지 또는 다른 이유로 인하여 박막 표면에서의 원자 이동도가 증가하게 되어 결정질 구조로 성장하게 된다. 박막이 결정화되어 성장하는 경우 상기 박막 표면의 거칠기(roughness)가 매우 커지게 되며 상기 박막이 갖는 응력 또한 커지게 된다. 그 결과, 상기 박막의 벗겨짐이 더욱 빨리 발생하게 된다.
상술한 바와 같은 이유로 공정 챔버의 내벽에 형성된 상기 챔버 코팅층은 그 두께가 증가하는 경우 벗겨짐이 발생할 수 있으며, 상기 챔버 코팅층이 일정 두께 이상이 되어 결정질 구조로 성장하게 되는 경우에는 벗겨짐이 더욱 빨리 발생할 수 있다. 따라서, 상기 챔버 코팅층의 벗겨짐을 방지하기 위하여는 상기 챔버 코팅층이 동일막질로 두껍게 형성되어 응력증가로 인한 벗겨짐이 발생하는 것을 억제하는 것이 필요하며 더욱 바람직하게는 상기 챔버 코팅층이 결정화되어 성장하는 것을 억제하는 것이 필요하다.
본 발명의 실시예들에 의하면 상술한 바와 같은 공정들(300,302,304 및 306)을 반복하여 수행함으로써 상기 공정챔버의 내벽에 상기 챔버 코팅층 및 얇은 두께를 갖는 상기 응력완화층이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 챔버 코팅층 사이에 개재된 상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층이 동일한 막질로 두껍게 형성되어 응력증가로 인한 벗겨짐을 방지하는 역할을 한다. 또한, 바람직하게는 상기 응력완화층은 비정질막으로 형성됨으로써 상기 챔버 코팅층의 결정화를 방지하는 역할을 한다. 그 결과 본 발명의 실시예에 의하면 상기 공정 챔버의 내벽에 형성된 상기 챔버 코팅층의 벗겨짐에 의한 파티클 발생을 억제할 수 있게 되어 상기 인 시투 세정을 수행하기 전에 많은 수의 반도체기판을 처리할 수 있게 된다. 즉, 상기 인 시투 세정 주기가 증가됨으로써 박막 형성 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
계속하여 도 2를 참조하면, 상술한 공정들(300, 302, 304, 및 306)을 반복하여 수행하여 많은 수의 반도체기판을 처리한 후 인 시투 세정을 수행한다.(310) 상기 인 시투 세정은 플라즈마 방식을 이용한 건식식각일 수 있다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 챔버 코팅층이 하프늄 산화막인 경우에 상기 인 시투 세정은 식각 가스로서 Cl2, BCl3 및 Ar을 상기 공정 챔버내로 유입하여 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 챔버 코팅층이 결정화 되어 성장하는 경우 막구조가 치밀해짐에 따라 상기 인 시투 세정시 식각률이 낮아지게 된다. 그러나, 본 발명의 실시예에 의하면 상기 챔버 코팅층 사이에 상기 응력완화층을 형성하여 상기 챔버 코팅층의 결정화를 방지함으로써 상기 인 시투 세정시의 식각률을 높일 수 있게된다.
도 3a 내지 도 4b는 종래의 박막 형성 방법과 본 발명의 일실시예에 의한 박막 형성방법을 비교설명하기 위하여 나타낸 전자현미경 사진들이다. 도 3a는 종래기술에 의하여 반도체기판 상에 형성된 하프늄 산화막의 전자현미경 사진이고, 도 3b는 본 발명의 일실시예에 의하여 반도체기판 상에 형성된 하프늄 산화막 및 탄탈륨 산화막의 적층막을 보여주는 전자현미경 사진이다. 또한, 도 4a 및 도 4b는 상기 도 3a 및 도 3b에 각각 보여진 하프늄 산화막 및 적층막에 대하여 각각 인 시투 세정을 수행한 결과를 나타낸 전자현미경 사진들이다. 한편, 도 3a 내지 도 4b의 결과는 실험을 위하여 반도체기판 상에 직접 하프늄 산화막 및 응력완화층으로써 탄탈륨산화막을 형성하여 얻은 것이다. 그러나, 실제 공정에 적용함에 있어서 공정 챔버 내벽에 형성된 챔버 코팅층도 상기 도 3a 내지 도 4b의 결과와 동일할 것이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 도 3a의 하프늄 산화막(12)은 ALD법을 적용하여 약 573Å의 두께로 형성하였다. 도 3b는 본 발명의 일실시예에 의하여 형성된 하프늄 산화막 및 응력완화층인 탄탈륨 산화막의 적층막(22)을 보여준다. 상기 하프늄 산화막 및 탄탈륨 산화막은 ALD법을 적용하여 교대로 적층되도록 형성하였다. 상기 하프늄 산화막은 70Å의 두께로 형성하였고 상기 탄탈륨 산화막은 25Å의 두께로 형성하였으며 최종적인 전체 적층막의 두께는 570Å 되도록 형성하였다. 실제 공정에 적용함에 있어서는 도 2에 도시한바와 같이 상기 탄탈륨 산화막은 상기 하프늄 산화막이 형성된 반도체기판(20)이 공정 챔버로 부터 제거된 후 챔버 내벽에 형성된 하프늄 산화막 상에 형성될 것이다. 상기 하프늄 산화막은 300℃의 온도에서 공정 챔버의 압력은 3torr로 유지하여 형성하였다. 또한, 하프늄 소스로는 TEMAH(Tetra Ethyl Methyl Amino Hafnium)를 사용하였으며 산화가스인 O2를 100sccm의 유량으로 공정챔버 내로 유입시켜 형성하였다. 상기 탄탈륨 산화막은 탄탈륨 소스로서 PET(Penta Ethoxy Tantalum)를 사용하였으며 공정 온도, 압력 및 산화가스등의 공정조건은 상기 하프늄 산화막 형성조건과 같이 하여 형성하였다.
상기 도 3a의 결과는 하프늄 산화막(12) 표면의 거칠기가 매우 큼을 보여준다. 이러한 결과는 상기 하프늄 산화막(12)이 성장하면서 결정화되었음을 나타낸다. 상기 하프늄 산화막(12)은 결정화되는 경우 강한 압축응력을 받게 되어 더욱 쉽게 상기 반도체기판(10)으로 부터 벗겨지게 될 것이다. 한편, 70Å의 두께를 갖는 하프늄 산화막 및 25Å의 두께를 갖는 탄탈륨 산화막을 교대로 형성한 경우에는 도 3b에 나타낸 바와 같이 매끄러운 표면을 나타내고 있으며 이러한 결과는 상기 하프늄 산화막이 비정질을 유지하고 있음을 나타낸다. 즉, 실제 공정에 적용함에 있어서, 본 발명의 일실시예에서와 같이 챔버 내벽에 챔버 코팅층 및 응력완화층이 교대로 형성되는 경우 상기 챔버 코팅층의 두께증가 및 결정화로 인한 응력증가를 방지할 수 있게되어 상기 챔버 코팅층의 벗겨짐으로 인한 파티클 발생을 억제할 수 있게 된다. 또, 챔버 코팅층의 벗겨짐에 기인한 파티클 발생의 우려 없이 많은 수의 반도체기판을 처리할 수 있게 됨으로써 인 시투 세정 주기를 증가시킬 수 있게 되어 반도체 소자 제조공정의 생산성이 크게 향상될 수 있게 된다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상기 도 3a 및 도 3b의 결과물에 대하여 각각 인 시투 세정을 실시하였다. 상기 인 시투 세정은 상기 공정챔버의 압력을 약 8mTorr로 유지하고 플라즈마 소스 전력 및 바이어스 전력을 각각 900W 및 160W로 하여 실시하였다. 또한, 식각가스로서 Cl2, BCl3 및 Ar을 각각 70sccm, 30sccm 및 60sccm의 유량으로 상기 공정 챔버 내로 유입하여 실시하였다. 상기 종래기술에 의한 도 3a의 결과물에 대하여는 상기 인 시투 세정을 40초 동안 실시하였다. 그 결과 약 362Å의 하프늄 산화막이 식각되었으며 상기 반도체기판(10) 상에 약 211Å의 하프늄 산화막(12′)이 남았다. 또한, 상기 본 발명의 일실시예에 의한 도 3b의 결과물에 대하여는 상기 인 시투 세정을 25초 동안 실시하였다. 그 결과 약 500Å의 상기 적층막이 식각되었으며 상기 반도체기판(20) 상에 약 70Å의 적층막(22′)이 남았다.
하프늄 산화막에 대하여 계산된 식각률은 종래기술에 의한 경우 약 543Å/min인데 반하여 본 발명의 실시예에 의한 결과물의 경우 약 859Å/min으로 약 1.6배의 증가된 식각률을 나타내었다. 이러한 결과는 본 발명에 의한 실시예의 경우 응력완화층으로 형성된 탄탈륨 산화막에 의하여 상기 하프늄 산화막의 결정화가 억제된 것에 따른 것으로 판단된다. 즉, 본 발명의 실시예에 의한 경우 상술한 바와 같이 상기 공정챔버의 내벽에 파티클 프리(particle free)한 적층구조의 챔버코팅층을 두껍게 형성할 수 있게 됨으로써 인 시투 세정 주기를 증가시킬 수 있음은 물론, 인 시투 세정시 상기 챔버 코팅층의 식각률이 증가함으로 인하여 전체적으로 박막 형성 공정의 생산성을 향상 시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 공정 챔버의 내벽에 형성된 박막 상에 상기 공정챔버로 부터 반도체 기판이 제거된 상태에서 응력완화층을 형성함으로써 상기 공정 챔버의 내벽에 형성된 박막으로 부터 발생되는 파티클을 억제할 수 있게 된다. 그 결과, 상기 공정 챔버의 세정 전에 많은 수의 반도체기판을 연속적으로 처리할 수 있게 되어 상기 공정 챔버의 세정 주기를 증가시킬 수 있게된다.
또한, 상기 공정 챔버의 내벽에 형성된 박막의 결정화를 억제함으로써 상기 공정 챔버 세정시 소요되는 공정시간을 단축시킬 수 있게되어 전체적으로 박막 형성 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래의 박막 형성 공정을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 의한 박막 형성 방법을 설명하기 위하여 나타낸 흐름도이다.
도 3a 내지 도 4b는 종래의 박막 형성 방법과 본 발명의 일실시예에 의한 박막 형성방법을 비교설명하기 위하여 나타낸 전자현미경 사진들이다.

Claims (23)

  1. 공정 챔버 내로 반도체기판을 도입하고,
    상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하되, 상기 공정 박막을 형성하는 동안 상기 공정 챔버의 내벽에 챔버 코팅층이 형성되고,
    상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거하고,
    상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층을 형성하는 것을 포함하는 박막 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 박막 및 챔버 코팅층은 유전막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 비정질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 1Å 내지 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 코팅층이 하프늄 산화막인 경우에 상기 응력완화층은 탄소 부유 하프늄 산화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버 코팅층이 하프늄 산화막인 경우에 상기 응력완화층은 탄탈륨 산화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하프늄 산화막 및 상기 탄탈륨 산화막은 ALD법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 질화 표면층인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 질화표면층을 형성하는 것은 질소를 포함한 분위기에서 상기 챔버 코팅층의 표면을 플라즈마 처리하여 질화시키는 것 을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 질소를 포함한 분위기는 N2, N2O2 또는 N2O 분위기인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 공정 박막 및 챔버 코팅층은 ALD법에 의한 하프늄 산화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  13. a) 공정 챔버 내로 반도체기판을 도입하고,
    b) 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하되, 상기 공정 박막을 형성하는 동안 상기 공정 챔버의 내벽에 챔버 코팅층이 형성되고,
    c) 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거하고,
    d) 상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층을 형성하고,
    e) 상기 a) 내지 d)의 공정들을 적어도 1회 순차적으로 반복하여 실시하는 것을 포함하는 박막 형성 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 공정 박막 및 상기 챔버 코팅층은 유전막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 상기 챔버 코팅층 보다 높은 식각률을 갖는 비정질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 공정 박막 및 상기 챔버 코팅층은 하프늄 산화막이고 상기 응력완화층은 탄탈륨 산화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 응력완화층은 질화 표면층인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 응력완화층을 형성하는 것은 질소를 포함한 분위기에서 상기 챔버 코팅층의 표면을 플라즈마 처리하여 질화시키는 것 을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  20. a) 공정 챔버 내로 반도체기판을 도입하고,
    b) 상기 반도체기판 상에 공정 박막을 형성하되, 상기 공정 박막을 형성하는 동안 상기 공정 챔버의 내벽에 챔버 코팅층이 형성되고,
    c) 상기 공정 챔버로 부터 상기 반도체기판을 제거하고,
    d) 상기 챔버 코팅층 상에 응력완화층을 형성하고,
    e) 상기 a) 내지 d)의 공정들을 적어도 1회 순차적으로 반복하여 실시하고,
    f) 상기 공정 챔버 내벽에 교대로 적층된 상기 챔버 코팅층 및 상기 응력완화층을 인시투 세정하는 것을 포함하는 박막 형성 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 인 시투 세정은 플라즈마 방식을 이용한 건식식각인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 플라즈마 방식을 이용한 건식식각은 BCl3, Cl2, ClF3, CHF3 , CF4, O2, Ar 및 He으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 조합을 식각 가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 챔버 코팅층은 하프늄 산화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101400918B1 (ko) * 2007-05-31 2014-05-30 주성엔지니어링(주) 반도체 제조 장비 운용 방법
KR101422651B1 (ko) * 2007-11-16 2014-07-23 다이요 닛산 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
KR20150007989A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응 챔버에서 아웃가싱을 감소시키는 방법 및 시스템
KR20190079524A (ko) * 2017-12-27 2019-07-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 서셉터의 클리닝 방법

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4492963B2 (ja) * 2005-06-14 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜の成膜方法、気相成長装置、プログラム
JP2007012788A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法
US7425510B2 (en) * 2006-08-17 2008-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of cleaning processing chamber in semiconductor device fabrication equipment
KR101326106B1 (ko) * 2006-12-15 2013-11-06 주식회사 원익아이피에스 박막증착장비의 세정 주기 연장 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101630234B1 (ko) * 2009-11-17 2016-06-15 주성엔지니어링(주) 공정챔버의 세정방법
JP5514129B2 (ja) * 2010-02-15 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
KR102275996B1 (ko) * 2013-03-28 2021-07-14 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨 하이드로플루오로올레핀 식각 가스 혼합물
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9745658B2 (en) 2013-11-25 2017-08-29 Lam Research Corporation Chamber undercoat preparation method for low temperature ALD films
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
KR102172753B1 (ko) * 2014-03-05 2020-11-02 삼성전자주식회사 반도체 제조 장비 운용 방법
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9548188B2 (en) 2014-07-30 2017-01-17 Lam Research Corporation Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US10023956B2 (en) 2015-04-09 2018-07-17 Lam Research Corporation Eliminating first wafer metal contamination effect in high density plasma chemical vapor deposition systems
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10211099B2 (en) 2016-12-19 2019-02-19 Lam Research Corporation Chamber conditioning for remote plasma process
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US11697766B2 (en) 2017-07-14 2023-07-11 Inficon Holding Ag Method for the controlled removal of a protective layer from a surface of a component
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
CN111448640A (zh) 2017-12-07 2020-07-24 朗姆研究公司 在室调节中的抗氧化保护层
US10760158B2 (en) 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US10668511B2 (en) * 2018-03-20 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of cleaning process chamber
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
US11557499B2 (en) * 2020-10-16 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for prevention of component cracking using stress relief layer
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0151165B1 (ko) 1996-04-12 1998-10-15 문정환 다이아몬드 미세가공 방법
TW383427B (en) * 1998-04-03 2000-03-01 United Microelectronics Corp Method for etching tantalum oxide
US6277194B1 (en) * 1999-10-21 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Method for in-situ cleaning of surfaces in a substrate processing chamber
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6589868B2 (en) * 2001-02-08 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput
US6852242B2 (en) * 2001-02-23 2005-02-08 Zhi-Wen Sun Cleaning of multicompositional etchant residues
US6776851B1 (en) * 2001-07-11 2004-08-17 Lam Research Corporation In-situ cleaning of a polymer coated plasma processing chamber
JP2003100743A (ja) 2001-09-26 2003-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体デバイスの製造方法
US6787481B2 (en) * 2002-02-28 2004-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for manufacturing semiconductor device
US20040011380A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Bing Ji Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
KR100447284B1 (ko) * 2002-07-19 2004-09-07 삼성전자주식회사 화학기상증착 챔버의 세정 방법
KR100456697B1 (ko) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 반도체 장치의 캐패시터 및 그 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101400918B1 (ko) * 2007-05-31 2014-05-30 주성엔지니어링(주) 반도체 제조 장비 운용 방법
KR101422651B1 (ko) * 2007-11-16 2014-07-23 다이요 닛산 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
KR20150007989A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응 챔버에서 아웃가싱을 감소시키는 방법 및 시스템
KR102186335B1 (ko) 2013-07-12 2020-12-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응 챔버에서 아웃가싱을 감소시키는 방법 및 시스템
KR20190079524A (ko) * 2017-12-27 2019-07-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 서셉터의 클리닝 방법
KR102513234B1 (ko) * 2017-12-27 2023-03-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 서셉터의 클리닝 방법

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