TW558479B

TW558479B - Polishing method

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Publication number: TW558479B
Application number: TW090129565A
Authority: TW
Inventors: Toru Hasegawa
Original assignee: Jsr Corp
Priority date: 2000-11-30
Filing date: 2001-11-29
Publication date: 2003-10-21
Also published as: US6777335B2; EP1211024A2; KR100589070B1; EP1211024A3; US20020098701A1; KR20020042500A

Description

558479 Α7 Β7 五、發明説明（) 1 技術領域本發明係有關硏磨方法，更詳言之，係有關使用具有分散有磨粒之硏磨部之硏磨墊及化學機械硏磨用水系溶液之硏磨方法。本發明之硏磨方法適用於D RAM及高速邏輯L S I等必須兼具〇 . 1微米左右之微細配線至1 〇〇微米左右之寬配線之半導體裝置之配線之形成步驟等所有領域之精密材料的硏磨。又，本發明之硏磨方法尤適用於要求高度平坦性之硏磨。先行技術向來，爲硏磨半導體晶圓之表面等係用所謂C Μ P之化學機械硏磨。該C Μ Ρ係於晶圓等被硏磨面以盤狀硏磨墊按壓滑動，同時以分散有磨粒之漿料注於硏磨墊上而進行。但，以高壓按壓之被硏磨面與硏磨墊之硏磨面間，由上方流下之漿料（尤以磨粒）難以切實供給，有謂實際起作用之漿料不及供給總量之1 %。並且，該漿料昂貴，而且用後漿料之處理更是所費不貲。又，使用含磨粒之漿料硏磨兼具相對較軟及較硬部份之表面時，爲充分防止較軟部份之過度硏磨（因此形成之凹部稱作侵蝕），有時可達之平坦性有限。尤其是，半導體晶圓等半導體裝置之製造中形成雙鑲嵌配線時，柔軟部份爲導體層，較硬部份爲半導體層或阻障金屬層等，導體層之過度硏磨係一大問題。而含磨粒之硏磨墊已見揭示於日本專利特開平本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 558479 A7 B7_____ 五、發明説明（） 2 10 — 329032 號公報，特開平 11 — 151659 號公報，特開平1 1 一 1 8 8 6 4 7號公報及特開平 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 一 207632號公報等。但，使用此等硏磨墊時，尤以含鎢，銅及鋁等金屬之硏磨面，尙有不得充分硏磨速度之問題。發明槪要本發明可解決上述問題，其目的在提供硏磨速度快，可安定，切實獲致平坦性高之面的硏磨方法，此等效果尤可呈現於含銅，鎢等金屬之被硏磨面。本發明如下。 1 .其特徵爲：具備含磨粒之硏磨部的硏磨墊的硏磨面，與被硏磨體之被硏磨面間，介以含氧化劑之化學機械硏磨用水系溶液，利用該硏磨墊硏磨該被硏磨面之硏磨方法c 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 ·如上述1之硏磨方法，其中磨粒係由選自鈽土，氧化矽，氧化鋁，氧化鈦，氧化鉻，二氧化錳，二氧化二猛，興化鐵，氧化銷，碳化砂，碳化棚，鑽石，碳酸銀之至少1種構成。 3 ·上述2之硏磨方法，其中上述硏磨部係由含個別分散之基質材料及磨粒之水系分散體固化所成。 4 ·上述之硏磨方法，其中上述化學機械硏磨用水系溶液不含磨粒。 5 ·上述4之硏磨方法，其中更於上述化學機械硏磨本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -5- 558479 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（） 3 用水系溶液含至少1種3¾自銘，欽，銘，猛，鐵，銅，辞及鈽之多價金屬離子。 6 ·上述5之硏磨方法，其中上述化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 7·上述6之硏磨方法，其中被硏磨體上含選自3至 1 3族金屬元素之至少1種。 8 ·上述7之硏磨方法，係用於半導體裝置之製造。 9 ·上述4之硏磨方法，其中更於化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自具有氮原子之五員雜環或有氮原子之六員雜環，與苯環或萘環之縮合化合物之群的雜環化合物。 1〇·上述9之硏磨方法，係用於半導體裝置之製造〇 1 1 ·上述2之硏磨方法，其中硏磨部係由含有經分散之磨粒附著於基質材料之複合粒子之水系分散體固化而成。 1 2 ·上述1 1之硏磨方法，其中化學機械硏磨用水系溶液不含磨粒。 1 3 ·上述1 2之硏磨方法，其中更於化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自鋁，鈦，鉻，錳，鐵，銅，鋅及鈽之多價金屬離子。 1 4 .上述1 3之硏磨方法，其中化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 1 5 ·上述1 4之硏磨方法，其中被硏磨體之被硏磨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -6 - 558479 A7 B7 五、發明説明（） 4 面含選自3至1 3族金屬元素之至少1種。 1 6 ,上述1 5之硏磨方法，係用於半導體裝置之製造。 1 7 ·上述1 2之硏磨方法，其中更於化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自具有氮原子之五員雜環或有氮原子之六員雜環，與苯環或萘環之縮合環化合物之群的雜環化合物。 1 8 .上述1 7之硏磨方法，其中化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 1 9 ·上述1 8之硏磨方法，其中被硏磨體之被硏磨面含銅。 2 0 ·上述1 9之硏磨方法，係用於半導體裝置之製造。根據本發明之硏磨方法，硏磨速度快，可安定，切實獲致高平坦性之面。又，因無需含磨粒之漿料，不必爲保存，輸送中等之磨粒凝集謀取對策。發明之詳細說明以下詳細說明本發明。上述「磨粒」主要指具機械硏磨作用之粒子。如此之磨粒有鈽土，氧化矽，氧化鋁，氧化鈦，氧化鉻，二氧化錳，三氧化二錳，氧化鐵，氧化鉻，碳化矽，碳化硼，鑽石，碳酸鋇等所構成之粒子。其中以鈽土，氧化砂及氧化鋁爲佳。這些因與水具親和性故分散性高，含磨粒等之水本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A7 B7 五、發明説明（） 5 系分散體於固化後仍保持高度分散性，存在於硏磨墊之硏磨部。又，這些可單獨或2種以上組合使用。而鈽土於硏 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磨玻璃等氧化矽時，除機械硏磨作用以外應亦具化學硏磨作用。上述磨粒以用不具銳角部份之略球形者爲佳。又，這些磨粒係以高純度者爲佳。例如，氯化矽，氯化鋁，氯化鈦等在氣相中與氧及氫反應之煙霧法所得之磨粒（2 )以四乙氧基矽烷或醇化酞等金屬醇化物之水解，縮合成之溶膠凝膠法所得之磨粒（3 )純化去除雜質之無機膠體法等所得之磨粒等爲佳。上述磨粒之平均粒徑以0 . 0 0 5至5 0微米爲佳， 0·005至10微米爲更佳，0.01至1微米又更佳。平均粒徑不及0 · 0 0 5微米則硏磨力低。另一方面若超過5 0微米則磨粒大，發生刮拭之機率因之升高而不佳。而該平均粒徑可藉穿透式電子顯微鏡觀察量測。上述「硏磨部」係由基質相及其中所含之磨粒所構成。上述磨粒以何種形態存在於硏磨部中均可。例如，單以磨粒分散存在於構成硏磨部之基質相中即可。或亦可磨粒經濟部智慧財產局員工消費合作社印製附著於有機粒子周圍，成複合粒子狀態分散存在於基質相中。但，硏磨部所含磨粒係以在上述較佳粒徑範圍內爲佳〇上述硏磨部可係硏磨墊之全部或部份。上述「基質材料」係構成硏磨墊之硏磨部中保持磨粒於基質相之物。基質材料可用橡膠，樹脂，熱塑性彈性體等。可用例如二烯系聚合物，環氧系聚合物，酚系聚合物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 558479 A7 B7 五、發明説明（） 6 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，聚酰亞胺系聚合物等。其中以苯乙烯系聚合物，（甲基 )丙烯酰系聚合物爲佳。這些可丨種單獨或2種以上組合使用。又，這些可係均聚物亦可係共聚物。上述基質材料其聚合物可經交聯或未交聯，但以經交聯者爲佳。上述基質材料於含其之水系分散體中，係以微粒而分散者爲佳，其平均粒徑以在1 〇微米以下爲佳，〇 . 1至 3微米爲更佳。構成上述硏磨部之上述基質材料，其含有比率係占上述基質材料及上述磨粒合計1〇〇體積％，至9 9體積％爲佳，15至70體積％爲更佳。上述硏磨部除溶解於化學機械硏磨用水系溶液，用作氧化劑之酸以外，可含無機酸及有機酸，可溶於化學機械硏磨用水系溶液之界面活性劑，鹼金屬氫氧化物，螫合劑，抗刮拭劑，抗靜電劑及溶於化學機械硏磨用水系溶液產生多價金屬離子之物質等。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述硏磨部係以由含個別分散之基質材料及磨粒之水系分散體固化所成者爲佳。又，上述硏磨部係以由含分散之附著於基質材料之磨粒的水系分散體固化所成者爲佳。又，水系分散體可更含分散之基質材料及/或磨粒。亦即，上述硏磨部，較佳者係由以下任一固化而得： (1 )含基質材料及磨粒，個別分散之水系分散體，（2 )含複合粒子，分散而成之水系分散體，（3 )含複合粒子及磨粒，分散而成之水系分散體，（4)含複合粒子及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 558479 A7 ______B7_ 五、發明説明（） 7 基質材料，分散而成之水系分散體，（5 )含複合粒子，基質材料及磨粒，分散而成之水系分散體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述「複合粒子」係磨粒附著於基質材料之表面及/ 或內部（不限於基質材料之表面）之粒子。附著磨粒之方法無限，可係藉例如（-電位差以靜電附著。用此方法時，較佳者爲，基質材料與磨粒之（-電位符號相反，電位差以5毫伏以上爲佳，1 〇毫伏以上爲更佳。又，基質材料之r -電位藉導入羧基，磺酸基，胺基，硫酸酯基，磷酸酯基，醚結合部及酯結合部等之至少1種可予調節。更可於複合粒子表面包覆以矽烷偶合劑所成之聚縮合物，以使附著之磨粒不易脫離。上述「水系分散體」之分散媒可僅係水，或含水以外之分散媒的混合分散媒。混合分散媒者，含水率以占混合分散媒100質量％之10質量％以上爲佳，20質量％以上爲更佳。混合分散媒所含的水以外之分散媒，有例如非質子性極性溶劑，酯類，酮類，酚類，醇類，胺類等分散媒。而分散媒爲於水系分散體之調製時不過度蒸散且容經濟部智慧財產局員工消費合作社印製易去除，係以用沸點6 0至2 0 0 t者爲佳。該水系分散體之固體成分濃度以1至8 0質量％爲佳，10至60質量％爲更佳。若超過80質量％則水系分散體分散安定性趨降，會發生沈澱而不佳。又，水系分散體以磨粒分散於基質材料分散而成之乳液爲更佳。水系分散體中以乳化聚合而得之乳液，或以乳化劑乳化之乳液等乳液，其固化時尤可得磨粒分散性佳之 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 558479 A7 B7 五、發明説明（） 8 硏磨部。該水系分散體中分散基質材料之方法無特殊限制。可例如以乳化聚合，懸浮聚合等而得，另外，亦可將預先所得之基質材料以溶劑等溶解後，將該溶液分散於水等而得〇又，如上而得之分散有基質材料之水系分散體，可直接加入磨粒分散，亦可加入預先調製之分散有磨粒之水系分散液，得分散有基質材料及磨粒之水系分散體。水系分散體於必要時可更含界面活性劑，溶於化學機械硏磨用水系溶液而產生多價金屬離子之物質，加硫劑，加硫促進劑，交聯劑，交聯促進劑，塡料，發泡劑，形成空隙之中空粒子（膨脹性，非膨脹性），軟化劑，抗氧化劑，紫外線吸收劑，抗靜電劑，可塑劑等。此外，亦可含向來用於C Μ P含於漿料之氧化劑，鹼金屬氫氧化物，酸，ρ Η調整劑，螫合劑及抗刮拭劑等。上述鹼金屬氫氧化物有氫氧化鈉，氫氧化鉀，氫氧化铷及氫氧化鉋等。這些可1種單獨或2種以上組合使用。上述酸可用無機酸及「化學機械硏磨用水系溶液」之明中例示於下之有機酸之任一。無機酸有鹽酸，硝酸及硫酸等。這些可1種單獨或2種以上組合使用。上述螫合劑有乙二胺四醋酸（E D T A )，氮川三醋酸，醋酸乙酰酯，雙乙酰基丙酮乙二亞胺，二乙三胺五醋酸，二醇醚二胺四醋酸等。這些可1種單獨或2種以上組合使用。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A7 B7 五、發明説明（） 9 上述抗刮拭劑有聯酚，聯吡啶，2 -乙烯基吡啶及4 -乙烯基吡啶，水楊醛肟，鄰苯二胺及間苯二胺，兒茶酚，鄰胺基酚，硫代尿素，含N-烷基（甲基）丙烯酰胺，含N -胺基院基（甲基）丙燃醜胺，7 -經基一 5 -甲基一 1，3，4 一三吖中氮茚，5 —甲基一1H —苯并三唑，酞嗪，三聚氰胺及3 -胺基一 5，6 —二甲基一 1，2 ，4-三嗪等。這些可1種單獨或2種以上組合使用。上述「固化」通常須有分散媒去除步驟及成形二步驟。該二步驟可同時進行或個別進行。更亦可於去除分散媒至某程度後成形，再於其後完全去除分散媒。分散媒之去除可例如，開放放置自然蒸發去除分散媒。亦可藉加熱，減壓等促進分散媒之蒸發。又，亦可藉噴霧乾燥法等造粒同時疾速蒸發分散媒。另一方面，成形可去除分散媒至某程度，將薄片狀，粉末狀，粒料狀等殘渣以加壓成形，擠出成形，射出成形等進行。又，分散媒之去除與成形同時進行時，可將水系分散體注入所欲模型，同上去除分散媒固化成模型之形狀。亦可不用模型，於薄膜等基材表面直接將水系分散體散開後，如上去除分散體。又，可交聯之基質材料以未交聯狀態分散而成之水系分散體在固化時，可於固化後藉加熱等交聯。又再，基質材料係交聯聚合物或交聯共聚物等時，可於水系分散體含粘結劑，將之固化粘合基質材料。該粘結劑可用如同上述本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-12 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A7 B7 五、發明説明（） ^一一- 10 基質材料之均聚物及/或共聚物。如此而得之硏磨部通常因有機系材料（基質材料）與無機系材料（磨粒）親和性低，雖然極難以將磨粒分散於基質材料相中，仍可極爲良好地分散磨粒。又磨粒之容積比率可調整於較佳之1至9 〇體積％之寬廣範圍，以3 〇至8 5體積％爲更佳。其次說明上述「化學機械硏磨用水系溶液」（以下簡稱「水系溶液」）。上述水系溶液在以硏磨塾硏磨被硏磨體之際，係用以介於硏磨墊之硏磨面與被硏磨體之被硏磨面間之溶液。上述「硏磨面」至少包含硏磨墊之硏磨部表面，係硏磨時與被硏磨體之被硏磨面相滑動之面。上述水系溶液通常含氧化劑及溶解該氧化劑之水系媒體。該水系媒體可僅用水，或含水之媒體。該水系媒體可含例如非質子性極性溶劑，酯類，酮類，酚類，醇類及二胺類等。該等可1種單獨或2種以上組合使用。又，水以占該水系溶液10質量％以上爲佳，20質量％以上爲更佳。上述「氧化劑」係氧化上述被硏磨體之被硏磨面的構成成分之物。尤以當被硏磨面係金屬層時，以氧化劑氧化金屬層，再以磨粒將之削除，硏磨速度可大爲提升。該氧化劑無特殊限制，通常以用水溶性者爲佳。又，考量被硏磨面之電化學性質等，係以藉例如Pourbaix線圖等適當選用氧化劑爲佳。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•13- A7 558479 B7 五、發明説明（） 11 上述氧化劑具體有過氧化氫等之無機過氧化物，過硫酸銨及過硫酸鉀等過硫酸鹽，矽鉬酸，磷鉬酸，矽鎢酸及磷鎢酸等雜多酸，過錳酸鉀等過錳酸化合物，重鉻酸鉀等重鉻酸化合物，氯酸鹽，亞氯酸鹽，過氯酸鹽及碘酸鉀等鹵酸化合物，硝酸，硝酸鐵等硝酸化合物，鐵氰化鉀等過渡金屬鹽，過醋酸，過苯甲酸及三級丁基過氧化氫等有機過氧化物等。其中以過氧化氫爲特佳。使用過氧化氫事後廢液處理容易，並且半導體裝置製造中硏磨後半導體裝置也易於淸洗。又，上述水系溶液可僅含1種此類氧化劑，亦可含2種以上。上述水系溶液中上述氧化劑含量隨氧化劑種類而異。一般以占上述水系溶液100質量份〇.1至30質量份爲佳，1至ίο質量份爲更佳。該含量不及ο · 1質量份時恐無法充分提升硏磨速度。另一方面，超過30質量份則恐造成被硏磨面之過度侵鈾。上述「雜環化合物」有具五員雜環或六員雜環之化合物。又，構成雜環之雜原子係以氮原子，硫原子及氧原子中之至少1種爲佳，尤以氮原子爲佳。該雜環化合物係以具氮原子之五員雜環或具氮原子之六員雜環與苯環或萘環之縮合環化合物爲更佳。又，以選自喹啉，異喹啉，苯并三唑，苯并咪唑，吲哚，異吲哚，口奎唑啉，噌啉，喹喔啉，酞嗪及吖啶之雜環化合物，或具此等構造之雜環化合物爲佳。其中以用π奎啉，苯并三唑，苯并咪唑及具此等構造之雜環化合物爲更佳，以用喹哪啶本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 558479 A7 B7 五、發明説明（） 12 酸，苯并三唑及苯并咪唑爲特佳，以用喹哪啶酸爲最佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述水系溶液中雜環化合物含量隨其雜環化合物種類而異。但一般以占上述水系溶液全體〇·〇1至3質量％爲佳，0·01至1質量％爲較佳，〇.〇5至0·8質量％爲更佳。該含量不及〇.〇1質量％時難以充分抑制侵蝕；另一方面若係3質量％則可充分獲致預期效果。上述「多價金屬離子」有過渡金屬元素，Al， Ζη ，Cd，S η , Sb，Hg及Pb之多價離子。其中以 A 1 , T i , V , Cr,Mn, Fe, Co, Ni, Cu ，Z η , N b , Mo, R u , P d , S n , A g ,〇s 及 C e之多價離子爲佳，尤以鋁，鈦，鉻，錳，鐵，銅，鋅，錫及鈽之多價離子因硏磨速度快，效果好而更佳.。這些可1種單獨或2種以上組合使用。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述水系溶液中多價金屬離子含量，一般以上述水系溶液之3至3000ppm爲佳，1〇至2000ppm 爲更佳，30至lOOOppm爲又更佳。該含量不及3 p p m時多價金屬離子難以充分發揮促進氧化劑功能之效果。另一方面，若超過3 0 0 0 p pm則硏磨半導體裝置等時易因金屬離子發生污損。這些多價金屬離子可於上述水系溶液中由於硏磨產生，例如，可由上述金屬元素之硫酸鹽及醋酸鹽等鹽及配位化合物等溶解於水系媒體產生。又，溶於水系媒體後之1 價離子亦可藉氧化劑變成多價離子。上述水系溶液可含有機酸。但，該有機酸不含上述水本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A7 B7_ 五、發明説明（） 13 系溶液中具氧化劑功能之有機酸。因含該有機酸硏磨速度可更加提升。上述有機酸較佳者爲具羧基，羥基及/或磺基等酸性基之化合物，有例如對甲苯磺酸，十二基苯磺酸，異戊二烯磺酸，戊二酸，葡糖酸，己二酸，乳酸，檸檬酸，酒石酸，蘋果酸，丹寧酸，乙醇酸，丙二酸，甲酸，草酸，琥珀酸，富馬酸，異酞酸，對酞酸，馬來酸，酞酸及沒食子酸等。其中以丙二酸，琥珀酸爲佳。又，這些可1種單獨或2種以上組合使用。上述有機酸之含量，以占上述水系溶液全體〇.00 1至5質量％爲佳，0 . 05至3質量％爲更佳，〇.1至2質量％爲又更佳。該含量若不及◦.001 質量％則硏磨速度無法提升，另一方面超過5質量％亦無法大幅提升硏磨速度。上述水系溶液必要時可含向來CMP用漿液所含之界面活性劑，鹼金屬氫氧化物，螫合劑，抗刮拭劑，抗靜電劑及無機酸等。上述界面活性劑無特殊限制，可用陽離子界面活性劑，陰離子界面活性劑及非離子界面活性劑等。其中以用陰離子界面活性劑爲佳。該陰離子界面活性劑有脂肪酸皂，烷基醚羧酸鹽等羧酸鹽，烷基苯磺酸鹽，烷基萘磺酸鹽， ^ -烯烴磺酸鹽等磺酸鹽，高級醇硫酸酯鹽，烷基醚硫酸鹽，聚氧化乙烯烷基苯基醚硫酸鹽等硫酸酯鹽，烷基磷酸酯鹽等磷酸酯鹽等。其中以用十二基苯磺酸鉀及十二基苯 &氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公董) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-16 - 558479 A7 B7 五、發明説明（） 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 磺酸銨等磺酸鹽爲尤佳。這些可1種單獨或2種以上組合使用。上述界面活性劑在硏磨時介於硏磨面與被硏磨面間之上述水系溶液中，以占全體〇 · 〇〇1至ο · 1質量％爲佳，0·005至0·08質量％爲更佳。該含量不及 0 · 0 0 1質量％則難以充分抑制侵蝕。另一方面，不必含超過0 · 1質量％。硏磨時介於硏磨面及被硏磨面間之上述水系溶液（非指介於其間以前）中上述有機酸及無機酸總計以占上述水系溶液全體0.1至20質量％爲佳，0·3至10質量 %爲更佳。上述水系溶液可含磨粒亦可不含磨粒，以不含爲佳。但因硏磨之進行可有磨粒自硏磨部脫離而含於使用中之上述水系溶液。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製硏磨混有相對較軟部份及較硬部份之被硏磨體的被硏磨面時，因磨粒在硏磨中易於滯留在較軟部份，該部份傾向被過度硏磨。另一方面，上述水系溶液不含磨粒可得具特高精度平坦性之面。又，不含磨粒即無需添加防止磨粒凝集之添加劑，也不必爲此費事。因此，硏磨混有相對較軟部份及較硬部份之被硏磨面時，上述水系溶液中以不含磨粒爲佳，而以少有磨粒自硏磨部脫離爲佳。上述水系溶液在硏磨1被硏磨面時可僅用1種，亦可隨硏磨狀態使用多數種水系溶液。特以硏磨半導體裝置之際，以隨半導體層及阻障層等硏磨對象變更水系溶液成分本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -17- 558479 A7 B7 ___ 五、發明説明（） 15 爲佳 ° / (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J：述「介於其間」指終於在硏磨墊之硏磨面與被硏磨體之被硏磨面間有上述水系溶液存在，其方法無限。例如，可用習知使水系溶液自上方流下而介於其間之方法。又，爲於硏磨墊內供給水系溶液，可設供給管直接來自硏磨墊表面而介於硏磨面及被硏磨面間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述「被硏磨體」有DRAM及高速邏輯L S I等必須◦_ 1微米左右之微細配線以至於1 〇〇微米左右之寬配線混置之半導體裝置，磁碟及液晶顯示器等。其形狀無特殊限制，可係薄膜或板狀。又，構成上述被硏磨面之材質無特殊限制，有金屬，陶瓷及樹脂等。而被硏磨面可混有這些金屬，陶資及樹脂等。金屬無特殊限制，有週期表 3至1 3族之絕，鎢，銅，砂，組，鈮，駄等及含這些元素之合金等。陶瓷有矽，鉅，鈮及鈦之氧化物，氮化物等 (氧化矽含玻璃，非晶矽，多晶矽及單晶矽等）。樹脂有聚酰亞胺樹脂，苯并環丁烯等。其中以單金屬及合金爲佳。又，單質金屬或上述合金之含量以占構成被硏磨面總成分之9 5質量％以上爲佳。利用本發明之硏磨方法，使用含多價金屬離子之水系溶液，適作鎢之硏磨。又，使用含雜環化合物之水系溶液適作銅之硏磨。本發明之硏磨方法適用於半導體裝置之製造。半導體裝置因有如上述之相對較軟部份之導體層，及相對較硬之半導體層及/或阻障層混置之被硏磨面，以本發明硏磨方本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 558479 A7 B7 五、發明説明（） 16 法可得極高之平坦性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構成導體層之材料，有設於超L S I等半導體基板上之銘，銅及鶴中至少1種爲主要成分（含量9 5質量％以上）之膜的形成材料等。如此之材料有純鋁，純銅，純鎢，銅一矽及銅一鋁等。構成半導體層之材料有矽，錠及砷等。構成阻障金屬層之材料有鉅，鈦等高硬度金屬及其氮化物，氧化物等。鉅等不限純質，可係鉅-鈮等合金。又，氮化鉅，氮化鈦等亦不必係純質。又再，半導體裝置之製造中，上述以外絕緣膜亦需硏磨。該絕緣膜可係相對較軟或相對較硬之層。該絕緣膜有 S i〇2膜，電漿TEOS等熱氧化膜及目的在提升超 L S I性能之低介電率絕緣膜。這些低介電率絕緣膜有矽倍坐氧烷（介電率約2 _ 6至3 . 0 )，加氟S i〇2 (介電率約3 · 3至3 · 5 )，聚酰亞胺樹脂（介電率約 2 . 4至3 · 6)，日立化成工業（股）製，商品名、、經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P I Q "，Allied Signal公司製，商品名、FLARE"等），苯并環丁燦（介電率約2 · 7，Dow Chemical)公司製，商品名v B C B 〃等），含氫S〇G (介電率約2 · 5至 3 _ 5)及有機SO G (介電率約2 · 9，日立化成工業 (股）製，商品名HSGR7〃等）等。依下述實施例之條件，用含氧化劑及有機酸之水系溶液硏磨鎢膜，較佳硏磨速度達7 0 0埃/分鐘以上， 800埃/分鐘以上爲更佳，1〇〇〇埃/分鐘以上又更本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 558479 A7 B7 五、發明説明（） 17 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 佳。又若上述水系溶液更含多價金屬離子，則較佳硏磨速度可達800埃/分鐘以上，900埃/分鐘以上爲更佳，1 1 0 0埃/分鐘以上又更佳。無論如何均可得高平坦性之硏磨表面。又，用含氧化劑，有機酸及雜環化合物之水系溶液硏磨銅膜時，較佳硏磨速度可達1 5 0 0埃/分鐘以上， 2000埃/分鐘以上爲更佳，2500埃/分鐘以上又更佳，可得高平坦性之硏磨表面。本發明硏磨方法可用市售化學機械硏磨裝置，例如荏原製作所（股）製EP ◦— 112，EPO — 222型， LAPMASTER SFT 公司製 LGP-51〇，LGP — 552 型，APPLIED MATERIAL公司製，商品名、、Mirra"等進行發明之實施形態 iwi. 以下用實施例具體說明本發明。試驗例1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本試驗例係爲探討硏磨墊之製作。〔1〕水系分散體（A )至（C )之調製 (1 - 1 )分散基質材料及磨粒之水系分散體（A) 溫度可調節，備有攪拌機之高壓釜中，依表1各比例投入各成分，於7 5 °C反應1 6小時。結果聚合轉化率爲 9 5 · 8 %，得玻璃轉印溫度5 〇 t，平均粒徑1 6 6奈本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4麟（210X297公董) "" -20- 558479 A7 ____B7 ___ 五、發明説明（） 18 米之苯乙烯系共聚物之分散乳液。 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本育) 而平均粒徑係以大塚電子（股）製之雷射粒徑分析裝置量測（以下平均粒徑均以同法量測）。表1 水系分: 散體A 成分名量（質量份）一丁二烯 15.0 苯乙烯 7 0.0 甲基丙烯酸甲酯 12.0 衣康酸 2 . 0 · 丙烯酸 1.0 α —甲基苯乙烯二聚物 0 . 1 三級十二院硫醇 0 . 4 離子交換水 2 4 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製所得乳液以2 5 %氫氧化鉀水溶液調整p Η爲8 . 5 。之後添加離子交換水，常溫下用三一馬達攪拌後投入加工前平均粒徑0 . 3微米之鈽土（Ce〇2)粉末，更於 1 5 0 0轉/分鐘攪拌3分鐘得水系分散體（A )。 (1 - 2 )分散磨粒附著於基質材料之複合粒子之水系分散體（B )_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) ' — -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A7 B7 一 —— --—------------" ^" 五、發明説明（） 19 於容量2升之燒瓶依表2各比例投入各成分，在氮氣環境下於7 0 °C攪拌聚合6小時。得含甲基丙烯酸甲酯系共聚物粒子之乳液，該粒子有陽離子性官能基胺基，及具備聚乙二醇鏈之官能基。聚合收率爲9 5%。而表2中甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯係用新中村化學工業（股）製，品名「NK酯M— 90G」之#400 。偶氮系聚合啓始劑係用和光純藥（股）製，品名、、 V 5 〇〃。表2 水系分散體Β 成分名量（質量份）甲基丙烯酸甲酯 9 0 . 〇甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯 5.0 4 -乙烯基吡啶 5 . 〇偶氮系聚合啓始劑 2 . 〇離子交換水 4〇〇之後，所得甲基丙烯酸甲酯共聚物粒子1 ο質量％之乳液以氫氧化鉀調整爲ρ Η 1 0。該乳液中甲基丙烯酸共聚物粒子之Γ -電位爲+ 1 2毫伏。另一方面含煙霧法氧化矽粒子（日本AERO SIL (股）製，編號#9〇)粉末之分散體同樣調整爲ρ Η 1 〇。該分散體中氧化矽粒子之Γ 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -22- 558479 at B7 五、發明説明（） 20 —電位爲一 3 5毫伏。之後以質量比1對1之該乳液及分散體投入容量2升之燒瓶內攪拌混合，再添加3質量份之四乙氧基矽烷，於 2 5 °C攪拌1小時，再於4 0 °C攪拌3小時。之後冷卻得分散有複合粒子之水系分散體（B)。而該複合粒子表面之9 5 %有氧化矽附著。 (1 - 3 )分散磨粒附著於基質材料之複合粒子之水系分散體（C ) 於容量2升之燒瓶依表3之各比例投入各成分，在氮 ^環境下於7 0 t攪拌聚合6小時。藉此得含甲基丙烯酸甲酯系共聚物粒子之乳液，該粒子有羧基及羥基。而聚合收:率爲9 5 %，以電導滴定法量測之羧基含量爲粒子內部 30%，表面60%，水相1〇%。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本、，氏張尺度適用中國目家樣準（CNS ) A4規格（ 210X297公釐） -23 - 558479 A7 B7 五、發明説明（） 21 表3

、1T 水系分散體C 成分名量（質量份）甲基丙烯酸甲晒 9 4.0 甲基丙烯酸 4 - 〇甲基丙烯酸羥基甲酯 2 . 0 月桂基硫酸銨〇· 1 過硫酸銨 0 . 5 離子交換水 4 0 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，所得含1 0質量％甲基丙烯酸甲酯系共聚物粒子之乳液以硝酸調節爲P Η 4。該乳液中甲基丙烯酸甲酯系共聚物粒子之Γ-電位爲-25毫伏。另一方面，含 1〇質量％之加工前平均粒徑0.3微米之鈽土粉末之分散體，同樣調整爲ΡΗ4。該分散體中鈽土之Γ-電位爲 + 2 0毫伏。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，以質量比可成1對1將這些乳液及分散體投入 2升燒瓶內攪拌混合，再添加3質量份之四乙氧基矽烷，於2 5 °C攪拌1小時，再於4 0 °C攪拌3小時。之後冷卻得分散複合粒子之水系分散體（C )。而，該複合粒子表面之9 0%有鈽土附著。〔2〕固化 __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 ~ -24- 558479 a7 B7 五、發明説明（） 22 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 將上述水系分散體（A)至（C)各於聚乙烯膜上薄薄散開，於常溫放置4 8小時乾燥得薄片物。所得薄片物再以混合機粉碎。用各粉末經模壓得直徑3 0公分，厚3 毫米之圓盤狀硏磨墊〔A〕至〔C〕。試驗例2 本試驗例係爲探討化學機械硏磨用水系溶液之調製及其硏磨性能。〔1〕鎢晶圓之硏磨 (i )實施例1至3，比較例1至5 離子交換水中配合過氧化氫成2質量％，丙二酸成1 質量％得化學機械硏磨用水系溶液（I )。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述所得含磨粒之硏磨墊〔A〕至〔C〕及不含磨粒之硏磨墊〔D〕（ RhodeUNitta (股）製，品名I C 1 000/SUBA 400)各裝上硏磨裝置（ LAPMASTER STF公司製，LM— 1 5型）固定盤，一面以 1分鐘1 5 0毫升供給水系溶液（I ) 一面硏磨周圍4公分之鎢晶圓（S K W公司製，品名s K W - 5 )。此時轉盤之轉數爲5 0 r pm,硏磨壓力3 5 0克/平方公分，硏磨時間2分鐘。鎢膜表面電阻用電阻率量測器（N P S公司製，Σ -1 0型）以直流4端子法量測，由下式（1 )之與鎢電阻率之比算出鎢膜厚度。並由硏磨前後之鎢膜厚度値，用下本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 558479 at B7 五、發明説明（） 23 式（2)算出硏磨速度。鎢膜厚度二{鎢之電阻率（歐姆/公分）丨/丨電阻値（歐姆/平方公分）} ...... ( 1 ) 硏磨速度（埃/分鐘）=(硏磨前鎢膜厚度-硏磨後鎢膜厚度）/硏磨時間……（2 ) 更取代水系溶液（I )僅以離子交換水或含磨粒之漿料（CABOT公司製，品名W 2 0 0 0 )以同條件供給，同樣進行硏磨，求出硏磨速度（比較例5 )。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其次於間距2 0 0微米（配線寬1 〇〇微米，間隔寬 1〇0微米），自鎢膜表面至間隔之底面距離T 〇爲 1 0 0 0 0埃，自鎢膜表面至絕緣膜表面距離t爲 1 5 0 0 0埃之上述晶圓表面硏磨至距離t剩2 0%。硏磨後自鎢膜表面至形成間隔之處所產生之硏磨後凹部底面止之距離T :量測後，以τ i除以T 〇之値（T i / T 〇 )爲平坦化度倂列於表4。該平坦化度愈小意味著愈能進行平坦性優之硏磨（參照第1圖）。而T Q及T !係以微細形狀量測裝置（KLA-Tencor公司製，p 一 1 〇型）量測。以上結果示於表4。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公瘦） -26- 558479 at Β7五、發明説明（） ?4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製寸嗽比較例4 Q 5 細_ 水系溶液（I) (不含磨粒） 50未滿 1 比較例5 Q £ 漿料 (含磨粒） 1120 0.23 實施例3 ° £ 翩_ 水系溶液（I) (不含磨粒） 1130 不及0.01 比較例3 硏磨墊C (含磨粒）水 (不含磨粒） 460 不及0.01 實施例2 硏磨墊B (含磨粒）水系溶液（I) (不含磨粒） 1250 不及0.01 比較例2 硏磨墊B (含磨粒）水 (不含磨粒） 570 不及0.01 實施例1 _如水系溶液（I) (不含磨粒） 1080 不及0.01 比較例1 硏磨墊A (含磨粒）水 (不含磨粒） 480 不及0.01 硏磨墊所用液體 _1 硏磨速度（埃）（分鐘）平坦化度（TVT。）硏磨墊所用液體硏磨速度（埃）（分鐘）平坦化度（T!/T〇) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -27- 558479 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（） 25 由表4可知，用水系溶液（I )時硏磨速度爲僅用水硏磨時之2 · 1 9至2 . 46倍，均可達2倍以上之硏磨速度。使用不含磨粒之硏磨墊〔D〕及水系溶液（I )之比較例4幾乎無硏磨之進行，取代水系溶液（I )改用含磨粒之漿料，可得比較例5之高硏磨速度。但比較例5中平坦化度値高達0 . 2 3。相對於此，實施例1至3則不但硏磨速度均快，平坦化度亦均非常小，不及〇 · 〇 1。 (ϋ )實施例4至6，比較例6至1〇於離子交換水配合過氧化氫成3質量％，琥珀酸成2 質量％，十二基苯磺酸銨成〇 · 〇 1質量％，鐵離.子（以硫酸鐵配合）成2 0 0 p p m，得化學機械硏磨用水系溶液（Π )。除水系溶液（Π )以1分鐘2 0 0毫升供給，轉盤轉速爲5 5 r p m以外，如同上述（1 )硏磨鎢晶圓，求其硏磨速度，結果示於表5。又，同樣求出平坦化度，倂列於表5。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 558479 A7 B7 五、發明説明（ _26_ un嗽比較例9 硏磨墊D (不含磨粒）镲儀 M {m 恢If 不及50 1 比較例10 硏磨墊D ! (不含磨粒） ί- 漿料 (含磨粒） 1220 ! --1 0.28 實施例6 劍_ ㈡一 -起 Μ <ΓΠ 恢}f 1330 不及0.01 f 比較例8 綱變 « <rn I 水 (不含磨粒） 480 \ < 〇〇 if 實施例5 w £ 細震 _ <；〇髮_ 狻都恢}f 1450 不及0.01 1 比較例7 硏磨墊B (含磨粒）水 (不含磨粒） 550 不及0.01 實施例4 劍ffi _邻镲_ ^ K- 1280 不及0.01 比較例6 綱_ _邻水 (不含磨粒） 510 不及0.01 硏磨墊 i 1 i i 所用液體硏磨速度（埃）（分鐘）平坦化度（TJT。）硏磨墊所用液體硏磨速度（埃）（分鐘）平坦化度（Ti/T。） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29- 558479 A7 B7 五、發明説明（） 27 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由表5可知，用含多價金屬離子及氧化劑之水系溶液 (Π)時硏磨速度爲僅用水硏磨時之2 . 5 1至2 . 77 倍，均可達2 · 5倍以上之硏磨速度。用不含磨粒之硏磨墊〔D〕及水系溶液（π )之比較例9幾乎無硏磨之進行，水系溶液（π )改用含磨粒之漿料，如比較例1 0可得高硏磨速度。但，比較例1 〇中平坦化度局達0 · 2 8。相對於此，實施例4至6中硏磨速度均快，平坦化度亦非常小，不及〇 . 〇 1。〔2〕附銅膜晶圓之硏磨 (迅）實施例7至9，比較例1 1至1 5 於離子交換水配合過氧化氫成4質量％，喹哪啶酸成 0 . 3質量％，丙二酸成1質量％，十二基苯磺酸鉀 0 · 02質量％，以氨調整爲PH9 . 0，得化學機械硏磨用水系溶液（m)。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製上述硏磨墊〔A〕至〔D〕各裝於上述硏磨裝置之固定盤，以1分鐘1 5 0毫升供給水系溶液一面硏磨周圍4 公分之附銅膜晶圓。此時轉盤之轉速爲5 0 r p m，硏磨壓力爲350克/平方公分，硏磨時間2分鐘。銅膜之硏磨速度如上量測。再取代水系溶液（m )改僅用離子交換水或於水系溶液（m)分散磨粒煙霧氧化矽1質量％而得之漿料，於同條件一面供給一面硏磨，以同上之鎢之條件求出硏磨速度（參照表6 )。其次，於間距2 0 0微米（配線寬1 〇〇微米，間隔本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210^<297公釐) -30- 558479 at B7五、發明説明（）28 經濟部智慧財產局員工消合作社印製寬10 0微米），自銅膜表面至間隔之底面距離To 7 0 0 0埃，自銅膜表面至絕緣膜表面距離t 1 5 ο ο 〇埃之上述晶圓表面硏磨至距離t剩2 0%。硏磨後自銅膜表面至形成間隔之處所產生之硏磨後凹部底面之距離T !量測後，用T i除以T 〇之値（T ! / 丁 0 )如上求出平坦化度，倂列於表6。請先閱面之注意事項再填寫本頁

訂

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΙΟ'〆297公釐） -31 - 558479 A7 B7 五、發明説明（ J29. s®<rnl^) Q·®^ (5l®<rnif) (㈢)镲铤恢« s®<fflK-) Qf]®^ (銨變如) oooco ΓΟ £«¥) 3 ·_^ s®<rnK) (㈢)髮锭條« oocslcn (起®舶) 3劍難^ 0011 lod^if s_<ffl) ρρ·_^ (鉬®邻K-) (曰)擦键恢« oocnco Ι0·0赵心

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(U/H)M^S13JZ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 a7 _B7 __ 五、發明説明（） 30 由表6可知，用含雜環化合物及氧化劑之水系溶液（ m )時硏磨速度爲僅用水硏磨時之2 _ 9 1至3 · 6 0倍，均係2 . 5倍以上之高硏磨速度。用不含磨粒之硏磨墊〔D〕及水系溶液（m )之比較例1 4幾乎硏磨之進行。取代水系溶液改用含磨粒之漿料，則如比較例1 5所示硏磨速度快。但比較例1 5之平坦化度高達0 · 3。相對於此，實施例7至9硏磨速度均快，且平坦化度均非常小，不及0 · 0 1。圖面之簡單說明第1圖實施例中經過硏磨後試樣表面之平坦度求出方法說明圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

558479 * 4^>>TI\ rl^:aj. S 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 附件2: 第90129565號專利申請案中文申請專利範圍修正本[ 民國92年6月19日修正 1 · 一種硏磨方法，其特徵爲：於備有含個別分散之基質材料及磨粒之水系分散體固化所成硏磨部的硏磨墊之硏磨面與，被硏磨體之被硏磨面間，介以含氧化劑且不含磨粒之化學機械硏磨用水系溶液，使用該硏磨墊硏磨該被硏磨面。 2 ·如申請專利範圍第1項之硏磨方法，其中上述水系分散體中之基質材料的平均粒徑爲0 · 1〜3//m，上述磨粒之平均粒徑爲0 . 0 1〜l#m。 3 ·如申請專利範圍第1項之硏磨方法，其中上述水系分散體係於乳化聚合所得之乳液，經乳化劑乳化所得之乳液，或懸濁聚合所得之懸濁液中，加入磨粒或含磨粒之水系分散液所得者。 4 ·如申請專利範圍第1項之硏磨方法，其中構成上述基質材料之材料係爲二烯系聚合物及/或苯乙烯系聚合物。 5 ·如申請專利範圍第1項之硏磨方法，其中上述磨粒係由選自鈽土，氧化矽，氧化鋁，.氧化鈦，氧化鉻，二氧化錳，三氧化二錳，氧化鐵，氧化鉻，碳化矽，碳化硼，鑽石，碳酸鋇之至少1種所構成。 6 ·如申請專利範圍第2或3項之硏磨方法，其中更於上述化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自鋁，鈦，本紙張尺度逋用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ： " ---------t— (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A8 B8 C8 D8____ 六、申請專利範圍 2 鉻，錳，鐵，銅，鋅及鈽之多價金屬離子。 7 ·如申請專利範圍第6項之硏磨方法，其中上述化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 8 ·如申請專利範圍第7項之硏磨方法，其中上述被硏磨體之上述被硏磨面含選自3至13族金屬元素之至少 1種。 9 .如申請專利範圍第8項之硏磨方法，其係用於半導體裝置之製造。 1 〇 ·如申請專利範圍第5項之硏磨方法，其中更於上述化學機械硏磨用水系溶液中，含至少1種選自有氮原子之五員雜環或有氮原子之六員雜環與苯環或萘環之縮合環化合物之群的雜環化合物。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之硏磨方法，其係用於半導體裝置之製造。 12·—種硏磨方法，其特徵爲：於基質材料上備有由分散有附著磨粒之複合粒子的水系分散物經固化所得之硏磨部的硏磨墊之硏磨面與，被硏磨體之被硏磨面間，介以含氧化劑且不含磨粒之化學機械硏磨用水系溶液，使用該硏磨墊硏磨該被硏磨面。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之硏磨方法，其中上述複合粒子所構成之基質材料與上記磨粒，係以靜電附著。 1 4、如申請專利範圍第1 3項之硏磨方法，其中上述基質材料及上記磨粒之Γ電位係爲相反符號，且以靜電本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - ---------Φ------訂------0— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 558479 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 附著。 1 5、如申請專利範圍第1 2項之硏磨方法，其中上述磨粒係由選自鈽土，氧化矽，氧化鋁，氧化鈦，氧化鉻，二氧化錳，三氧化二錳，氧化鐵，氧化銷，碳化矽，碳化硼，鑽石，碳酸鋇之至少1種所構成。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之硏磨方法，其中更於上述化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自鋁，鈦，鉻，錳，鐵，銅，鋅及鈽之多價金屬離子。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之硏磨方法，其中± 述化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 1 8 _如申請專利範圍第1 6項之硏磨方法，其中上述被硏磨體之上述被硏磨面含選自3至1 3族金屬元素之至少1種。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項之硏磨方法，其係用於半導體裝置之製造。 2 0 ·如申請專利範圍第1 5項之硏磨方法.，其中更於上述化學機械硏磨用水系溶液含至少1種選自有氮原子之五員雜環或有氮原子之六員雜環與苯環或萘環之縮合環化合物之群的雜環化合物。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項之硏磨方法，其中上述化學機械硏磨用水系溶液含有機酸。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項之硏磨方法，其中上述被硏磨體之上述被硏磨面含銅。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項之硏磨方法，其係用本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 3 - ----------0------1T------Φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 558479 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 於半導體裝置之製造 (請先閲部背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -4-